CN113921433A - 用于传输基板的装置、和用于处理基板的装置和方法 - Google Patents

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Abstract

本公开提供了一种用于传输基板的装置、和用于处理基板的装置和方法。用于处理基板的装置包括第一工艺腔室，以对所述基板执行液体处理工艺；第二工艺腔室,以对在所述第一工艺腔室中液体处理的所述基板执行干燥处理工艺；第一手部,在执行所述液体处理工艺之前将所述基板引入至所述第一工艺腔室；第二手部，在执行所述液体处理工艺之后将所述基板从所述第一工艺腔室取出并且将所述基板引入到所述第二工艺腔室中；以及第三手部，在执行干燥处理工艺之后将所述基板从所述第二工艺腔室取出。

Description

用于传输基板的装置、和用于处理基板的装置和方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年07月09日提交韩国知识产权局的、申请号为10-2020-0084891的韩国发明专利申请的优先权和权益，其全部内容通过引用结合在本申请中。
技术领域
本文中描述的本公开的实施方案涉及用于传输基板的装置，和用于处理基板的装置和方法。
背景技术
通常，诸如半导体器件的集成电路器件可以通过对用作基板的半导体基板重复执行一系列单元工艺来制造。例如，可以通过执行诸如沉积工艺、光刻工艺、蚀刻工艺、清洁工艺和干燥工艺的单元工艺在基板上形成构成集成电路器件的电路图案。
在单元工艺中，蚀刻或清洁可以通过用于处理单个基板的单一型装置和用于同时处理多个基板的批量型装置来执行。特别地，单一型装置可以通过在旋转基板的情况下，将蚀刻溶液、清洁溶液、冲洗溶液或干燥气体供应到基板上来处理基板。
然而，近来，随着电路图案的线宽减小，越来越难以施用以较高的速度旋转基板的旋转干燥的方式。这是因为当以较高的速度旋转基板时产生的离心力可能会损坏精细的电路图案。
为了解决上述问题，近来已经采用使用超临界流体来代替较高速度旋转基板的干燥方式。具体地，将基板置于密闭的压力容器中，并且将较高压力的超临界流体注射到压力容器中，从而通过利用超临界流体置换基板上的液体的方式来干燥基板。
当施用干燥方式时，用于处理基板的装置可以包括执行蚀刻工艺或清洁工艺的第一模块和用于干燥基板的第二模块。当基板从第一模块移动到第二模块时，以在基板的表面涂覆有润湿溶液的状态传输基板，从而防止基板的自然干燥。
然而，用于传输基板的基板传输机械手必须使用传输预处理基板的手部和用于传输后处理基板的手部的任一个、将基板从第一模块传输至第二模块。在此工艺中，手部可能会被涂覆在基材表面的润湿溶液污染。
发明内容
本公开实施方案提供一种用于传输基板的装置、以及用于处理基板的装置和方法，能够防止在传输基板以清洁基板的工艺中污染基板。
本公开中将要实现的目的不限于上述目的，本领域技术人员将清楚地理解未提及的其他目的。
根据一实施方案，可以提供一种用于处理基板的装置，该装置包括：第一工艺腔室，该第一工艺腔室对基板执行液体处理工艺；第二工艺腔室，该第二工艺腔室对在第一工艺腔室中液体处理的基板执行干燥处理工艺；第一手部，该第一手部在执行液体处理工艺之前、将基板引入至第一工艺腔室；第二手部，该第二手部在执行液体处理工艺之后、将基板从第一工艺腔室取出并将基板引入到第二工艺腔室中；以及第三手部，该第三手部在执行干燥处理工艺之后、将基板从第二工艺腔室取出。
此外，第一手部、第二手部和第三手部可以被提供至一个基板传输装置的主体。
此外，第二工艺腔室可以是高压腔室、以通过使用超临界流体对基板执行干燥处理工艺，该基板在第一工艺腔室中被液体处理。
此外，第二手部可以将具有在第一工艺腔室中涂覆有润湿溶液的表面的基板传输至第二工艺腔室。
此外，润湿溶液可以包括挥发性有机溶剂、纯水、或表面活性剂和纯水的混合物。
此外，还包括控制基板传输装置的控制器。控制器可以控制第二手部以比第一手部或第三手部传输基板的速度低的速度传输基板。
此外，第三手部、第一手部和第二手部可以在主体上、在竖直方向上设置在不同的高度处。
此外，第一手部可以设置在第二手部的上方。
此外，第三手部可以设置在第一手部的上方。
另外，第一手部和第三手部可以设置在第一基板传输装置中，并且第二手部可以设置在第二基板传输装置中。
根据另一实施方案，可以提供一种用于传输基板的装置，该装置包括主体、设置在主体上的第一手部、设置在主体上的第二手部、设置在主体上的第三手部、以及控制第一手部至第三手部的驱动的控制器。控制器可以在执行液体处理工艺之前、控制第一手部以传输基板，在执行干燥处理工艺之后、控制第三手部以传输基板，并且控制第二手部以传输具有涂覆有润湿溶液的表面的基板。
此外，控制器可以控制第二手部以比第一手部或第三手部传输基板的速度低的速度传输基板。
此外，第三手部、第一手部和第二手部可以在主体上、在竖直方向上设置在不同的高度处。
此外，第一手部可以设置在第二手部的上方，并且可以设置在第三手部的下方。
根据另一个实施方案，可以提供一种用于处理基板的装置，该装置包括处理基板的工艺处理单元，以及包括装载端口和索引机械手的索引单元，基板传输容器放置在该装载端口上，该基板传输容器具有容纳在其中的基板，该索引机械手在基板传输容器与工艺处理单元之间传输基板。工艺处理单元包括传输腔室，该传输腔室具有基板传输装置以传输基板，且该传输腔室邻近索引单元设置；第一工艺腔室，该第一工艺腔室设置在传输腔室的侧部处、以对基板执行液体处理工艺；以及第二工艺腔室，该第二工艺腔室在执行液体处理工艺后、通过使用超临界流体对基板执行干燥处理工艺。基板传输装置可以包括第一手部，该第一手部在执行液体处理工艺之前、将基板传输至第一工艺腔室；第二手部，该第二手部将在第一工艺腔室中涂覆有润湿溶液的基板传输至第二工艺腔室；以及第三手部，该第三手部传输在第二工艺腔室中干燥的基板。
此外，第一手部可以设置在第二手部的上方，并且可以设置在第三手部的下方。
此外，还包括控制基板传输装置的控制器。控制器可以控制第二手部以比第一手部或第三手部传输基板的速度低的速度传输基板。
根据另一实施方案，可以提供一种用于处理基板的方法，该方法包括通过使用第一手部将基板引入到第一工艺腔室中；在第一工艺腔室中将润湿溶液涂覆在基板上；通过使用第二手部将涂覆有润湿溶液的基板传输至干燥基板的第二工艺腔室；在第二工艺腔室中对涂覆有润湿溶液的基板执行干燥处理工艺；以及通过使用第三手部从第二工艺腔室取出经过干燥处理工艺的基板。
此外，在执行干燥处理工艺中，基板可以通过使用超临界流体进行干燥处理工艺。
此外，润湿溶液可以包括挥发性有机溶剂(例如，异丙醇、异丙醇水溶液)、纯水或表面活性剂和纯水的混合物。
此外，干燥处理工艺通过使用超临界流体或异丙醇(IPA)干燥基板。
此外，润湿溶液包括挥发性有机溶剂、纯水、表面活性剂和纯水的混合物。
此外，可以以比通过第一手部或第三手部传输基板的速度低的速度执行通过使用第二手部的基板的传输。
此外，第一手部、第二手部和第三部手可以被设置至一个基板传输装置的主体。
如上所述，根据本公开的实施方案，可以单独设置传输润湿基板的手部，以防止基板在传输基板的过程中被污染。
本公开的效果不限于上述效果，且本公开所属领域的技术人员可从本说明书和附图中清楚地理解本文中未提及的任何其他效果。
附图说明
参照附图，本公开的上述和其他目的及特征将通过本公开的实施方案的详细描述变得显而易见。
图1为示意性地示出了根据本公开的实施方案的用于处理基板的装置的视图；
图2为示意性地示出了根据一实施方案的图1的第一工艺腔室的视图；
图3为示意性地示出了根据一实施方案的图1的第二工艺腔室的视图；
图4为示出了图1中所示的用于传输基板的装置的视图；
图5为示出了根据本公开一实施方案的用于处理基板的方法的流程图；
图6为示出图5的用于处理基板的方法中基板传输所通过的路径的视图；
图7为图1中所示的工艺处理单元的侧视图；以及
图8为示出了根据另一实施方案的用于处理基板的装置的基板处理单元的视图。
具体实施方式
下文中，将参考附图对本公开的实施方案进行更加详细的描述。本公开的实施方案可以以多种变形而修改，并且本公开的范围不应该被解释为受以下描述的本公开的实施方案的限制。提供本公开的实施方案是为了向本领域的技术人员更完整地描述本公开。因此，附图中的组件的形状被夸大，以强调更清晰的描述。
在下文中，将根据本公开描述用于处理基板的装置(下文中的“基板处理装置”)。
基板处理装置可以使用清洁溶液来执行清洁基板的工艺和使用超临界流体(或异丙醇(IPA))作为工艺流体来执行干燥基板的干燥工艺。
在这种情况下，基板为广泛的概念，包括所有的半导体器件、平板显示器和包括具有电路图案并用于制造制品的薄膜的基板。例如，基板“W”包括硅晶片、玻璃基板和有机基板。
图1为示出了根据本公开的实施方案的基板处理装置的示意图。
参照图1，基板处理装置1000可以包括索引单元10和工艺处理单元20。
根据一实施方案，索引单元10和工艺处理单元20可以布置在一个方向上。下文中，将布置索引单元10和工艺处理模块20的方向称作第一方向92，当从上方观察时将垂直于第一方向92的方向称作第二方向94，并且将垂直于第一方向92和第二方向94的方向称作第三方向96。
索引单元10将基板“W”从在其中容纳有基板“W”的容器80传输至工艺处理单元20，并且在工艺处理单元20中完成处理的基板“W”被容纳到容器80中。索引单元10的纵向方向被设置在第二方向94上。索引单元10具有装载端口12和索引框架14。基于索引框架14，装载端口12定位于工艺处理单元20的相对侧。具有在其中容纳有基板“W”的容器80被放置在装载端口12上。可以设置多个装载端口12，且多个装载端口12可以布置在第二方向94上。
容器80可包括用于密封的容器10，例如前表面开式晶圆盒(front open unifiedpod,FOUP)。容器80可以通过诸如为高架传输、高架输送机(Overhead Conveyor)的传输单元(未示出)，或自动引导车，或工人而放置在装载端口12上。
索引机械手120设置在索引框架14的内部。索引框架14中可以设置导轨140，该导轨具有在第二方向94设置的长度方向，并且索引机械手120可以设置为在导轨140上可移动的。索引机械手120可以包括手部122，基板“W”定位于手部122中，并且手部122可以设置为可以向前和向后可移动的、围绕第三方向96可旋转的以及在第三方向96上可移动的。多个手部122在竖直方向彼此间隔开，并且为向前和向后单独可移动的。
工艺处理单元20包括缓冲腔室200、传输腔室300、第一工艺腔室400以及第二工艺腔室500。
缓冲腔室200提供了空间以临时停留在索引单元10和工艺处理单元20之间运送的基板“W”。缓冲槽可以设置在缓冲腔室200中。基板“W”放置在缓冲槽中。例如，索引机械手120可以从容器“80”中取出基板“W”并将基板“W”放置在缓冲槽中。传输腔室300的基板传输机械手320可以从缓冲槽中取出基板“W”且可以将基板“W”传输至第一工艺腔室400或第二工艺腔室500。多个缓冲槽可以设置在缓冲室200中以放置多个基板“W”。
传输腔室300在缓冲腔室200、第一工艺腔室400和第二工艺腔室500中的任意两个之间传输基板“W”，该缓冲腔室200、第一工艺腔室400和第二工艺腔室500围绕传输腔室300设置。传输腔室300包括基板传输机械手320和传输导轨310。基板传输机械手320在传输导轨310上移动并且可以传输基板“W”。
第一工艺腔室400和第二工艺腔室500可以通过使用工艺流体来执行清洁工艺。清洁工艺可以在第一工艺腔室400和第二工艺腔室500中顺序地执行。例如，在第一工艺腔室300中执行清洁工艺并且可以通过使用超临界流体(或IPA)在第二工艺腔室500中执行干燥工艺。
第一工艺腔室400和第二工艺腔室500可以设置在传输腔室300的侧表面上。例如，第一工艺腔室400和第二工艺腔室500可以被设置为面向传输腔室300的相对侧。可以设置多个第一工艺腔室400和多个第二工艺腔室500。多个工艺腔室400和500可以在传输腔室300的侧表面上直线对齐。
第一工艺腔室400和第二工艺腔室500的对齐不限于上述实施例，并且可以考虑基板处理装置1000的占地面积或工艺效率而改变。基板处理装置1000可由控制器控制。
传输腔室300设置成使得传输腔室的长度方向设置在第一方向92。传输腔室300具有基板传输机械手320。具有设置在第一方向92的纵向方向的导轨310可以设置在传输腔室300中，并且基板传输机械手320可以设置为在导轨340上可移动的。
基板传输机械手320可以包括手部322，基板“W”定位于该手部中，且手部322可以设置为向前和向后可移动的、围绕第三方向96可旋转的以及在第三方向96可移动的。多个手部322在竖直方向彼此间隔开，并且为向前和向后单独可移动的。
图2为示意性地示出了根据一实施方案的、图1的第一工艺腔室的视图。
参照图2，第一工艺腔室400包括壳体410、杯420、支承单元440、液体供应单元460以及升降单元480。
壳体410基本上具有矩形平行六面体形状。杯420、支承单元440和液体供应单元460可以设置在壳体410中。
杯420具有处理空间，该处理空间具有敞开的上部，并且基板“W”在处理空间中被液体处理。支承单元440设置在处理空间中以支承基板“W”。液体供应单元460将液体供应至由支承单元440支承的基板“W”。可以提供多种类型的液体，并将该液体依次提供到基板“W”上。升降单元480可以调节杯420与支承单元440之间的相对高度。
根据一实施方案，杯420具有多个回收桶(recovery tub)422、424和426。回收桶422、424和426中的每个都具有回收空间以回收用于处理基板的液体。回收桶422、424和426中的每个设置为环绕支承单元440的环形形状。当执行液体处理工艺时，通过基板“W”的旋转而散落的预处理液体通过回收桶422、424和426的入口422a、424a和426a而引入到回收空间中。根据一个实施方案，杯420具有第一回收桶422、第二回收桶424和第三回收桶426。第一回收桶422设置为环绕支承单元440，第二回收桶424设置为环绕第一回收桶422，以及第三回收桶426设置为环绕第二回收桶424。将液体引入到第二回收桶424中的第二入口424a定位于将液体引入到第一回收桶422中的第一入口422a上方，并且将液体引入到第三回收桶426的第三入口426a可以定位于第二入口424a上方。
支承单元440具有支承板442和驱动轴444。支承板442的上表面可以设置为基本上圆盘形状，并且可以具有比基板“W”直径大的直径。支承板442在支承板的中心部处设置有支承销(support pin)442a以支承基板“W”的后表面，并且支承销442a具有从支承板442突出的上端，使得基板“W”与支承板442间隔开特定距离。支承板442具有设置在支承板的边缘处的卡盘销442b。卡盘销442b设置为从支承板442向上突出以支承基板“W”的侧部，从而防止当基板“W”旋转时、基板“W”与支承单元440分离。驱动轴444由驱动器446驱动并连接至基板“W”的底表面的中心部以围绕其中心轴线旋转支承板442。
根据一实施方案，液体供应单元460可以包括第一喷嘴462、第二喷嘴464和第三喷嘴466。第一喷嘴462可以将第一液体供应至基板“W”。第一液体可以是去除残余在基板“W”上的薄膜或异物的液体。第二喷嘴464可以将第二液体供应到基板“W”上。第二液体可以是极易溶于第三液体的液体。例如，第二液体可以是比第一液体更好地溶解在第三液体中的液体。第二液体可以是中和供应在基板“W”上的第一液体的液体。此外，第二液体可以是中和第一液体的液体并且可以更好地溶解在第三液体中而不是第一液体。根据一实施方案，第二液体可以是纯水(去离子水；DIW)。第三喷嘴466可以将第三液体供应到基板“W”上。第三液体可以是更好地溶解在超临界流体中的液体，该超临界流体在第二工艺腔室500中使用。根据一实施例，第三液体(润湿溶液)可以是挥发性有机溶剂、纯水、或表面活性剂和纯水的混合物。有机溶剂可以是异丙醇(IPA)。根据一实施例，超临界流体可以是二氧化碳。将基板在基板涂覆有第三溶液(润湿状态)的状态下从第一工艺腔室中取出，并装载到第二工艺腔室中。
第一喷嘴462、第二喷嘴464和第三喷嘴466被支承在彼此不同的臂461上，并且臂461可以单独地移动。替代地，第一喷嘴462、第二喷嘴464和第三喷嘴466可安装在相同的臂上并移动。
升降单元480在竖直方向上移动杯420。杯420和基板“W”之间的相对高度通过杯420的竖直移动而改变。因此，由于用于回收预处理液体的回收桶422、424和426根据供应至基板“W”的液体类型而改变，液体可以被分离和回收。如上所述，杯420可以固定地安装，并且升降单元480可以在竖直方向上移动支承单元440。
图3是示意性地示出根据一实施方案的图1的第二工艺腔室的视图。
根据一实施方案，第二工艺腔室500为使用超临界流体从基质“W”去除液体。第二工艺腔室500可以包括主体520、基板支承结构530和流体供应单元600。
主体520提供处理空间502以执行清洁工艺。主体520具有上主体522和下主体524，并且上主体522和下主体524彼此结合以提供上述处理空间502。上主体522设置在下主体524的上部处。上主体522的位置是固定的，且下主体524可以通过诸如气缸的驱动构件590而上下移动。当下主体524与上主体522间隔开时，处理空间502是敞开的。在这种情况下，基板“W”被引入或取出。当执行干燥工艺时，下主体524与上主体522接触以从外部密封处理空间502。
第二工艺腔室500可以包括加热器570。根据一实施方案，加热器570可以设置在主体520的壁的内部。加热器570加热主体520的处理空间502，使得供应到主体520的内部空间中的流体保持超临界状态。处理空间502的内部具有由超临界流体形成的气氛。
基板支承结构530在主体520的内部空间502中支承基板“W”。
流体供应单元600将清洁流体供应至主体520的处理空间502。根据一实施方案，清洁流体可以以超临界状态而供应至处理空间502。替代地，清洁流体可以以气体状态而供应至处理空间502，并且可以在处理空间502中被相转变至超临界状态。
根据一实施方案，流体供应单元600包括流体供应端口690、供应管线620以及阀660。流体供应端口690将超临界流体直接供应至基板“W”的顶表面。流体供应端口690设置为连接至上主体522。流体供应单元600还可以包括连接至下主体524的下流体供应端口(未示出)。从流体供应端口690喷射的超临界流体到达基板“W”的中心区域并扩散至边缘区域，同时被均匀地提供至基板“W”的整个区域。供应管线620连接至流体供应端口690。供应管线620从单独设置的超临界流体储存单元610向外部接收超临界流体，并将超临界流体供应至流体供应端口690。例如，超临界流体储存单元610储存超临界流体(二氧化碳)，并将超临界流体供应至供应管线620。
阀660安装至供应管线620。阀660调节供应至流体供应端口690的超临界流体的量。阀660可以通过控制器控制供应至处理空间502的流体的量。
排放构件550从第二工艺腔室500排放超临界流体。排放构件550可连接至排放超临界流体的排放管线552。在这种情况下，用于调节排放至排放管线552的超临界流体的量的阀(未示出)可以安装到排放构件550上。通过排放管线552排放的超临界流体可被释放到大气中或供应至超临界流体再生系统(未示出)。排放构件550可以耦接至下主体524。
图4是示出图1所示的用于传输基板的装置的视图。
参照图4，用于传输基板的装置(基板传输机械手；基板传输装置)320包括主体330、和第一臂342至第三臂346。首先，在图中，第一方向“X”是指第一臂342至第三臂346的移动方向(即向前和向后(水平)移动方向)，第二方向“Z”是指第一臂342至第三臂346的堆叠方向(或竖直移动方向)，并且第三方向“Y”指垂直于第一方向“X”和第二个方向“Z”的方向(即向左和向右(水平方向))。
第一臂342至第三臂346可以顺序地堆叠在主体上(即，在第二方向z上)，并且可以被单独地驱动。在这种情况下，第一臂342至第三臂346分别包括手部341、343和345。手部341、343和345通过臂基座(arm base)342a、344a和346a与臂驱动单元(未示出)机械地连接。
手部341、343和345被分成取出手部(附图标记345；以下称作“第三手部”)，以在工艺处理后传输基板；引入手部(附图标记341；以下称作“第一手部”)，以在工艺处理之前传输基板；以及用于传输润湿基板的传输手部(附图标记343；在下文中，称作“第二手部”)，用于传输润湿基板以供操作。根据本公开的实施方案，第三手部345定位于第一手部341和第二手部343的上方，并且第二手部343定位于第一手部341的下方。换句话说，第二手部343设置在最低位置、以防止其他手部被润湿溶液污染，因为当第二手部343传输润湿基板时、润湿溶液可能由装置内部的扇形过滤器单元(fan filter unit,FFU；未示出)和重力而滴落。此外，由于在前一工艺中引入了被污染的基板，用于在工艺处理之前用于传输基板的第二手部343被放置在中间位置，并且处于最清洁状态的第三手部345被放置在最上面的位置。
因此，基板传输机械手320可以防止在传输工艺处理之后的基板或在工艺处理之前的基板的工艺中基板被润湿基板的润湿溶液污染。
同时，第一手部341至第三手部345可以在以真空方式保持(hold)基板的同时传输基板。为此，手部341、343和345可以包括真空垫(VP)。真空垫VP可由具有高表面摩擦系数和弹性的树脂材料形成以密封真空垫和基板之间的空间。
基板传输机械手320可以包括控制器360以控制第一手部341至第三手部345中的每个的驱动。控制器360在执行液体处理工艺之前控制第一手部341以传输基板，控制第三手部345以传输干燥的基板，并且控制第二手部343以传输具有涂覆有润湿溶液的表面的基板。
此外，控制器360控制第二手部343以比由第一手部341或第三手部345传输基板的速度低的速度传输基板。因此，第二手部343可以最小化在润湿状态下的传输基板工艺中、涂覆在基板表面上的润湿溶液从基板滴落，从而防止基板传输装置被污染。
尽管本公开的实施方案已经被描述为第一手部341至第三手部345被提供至一个基板传输机械手，但是本公开不限于此。如果需要，可以将三个手部分开并提供至两个基板传输装置。另外，第一手部和第三手部可以设置在第一基板传输装置中，第二手部可以设置在第二基板传输装置中。
在下文中，将根据本公开的实施方案，将描述通过使用在上述基板处理装置1000中提供的基板处理装置1000处理基板的方法。
图5为示出了根据本公开的实施方案的用于处理基板的方法的流程图，并且图6为示出图5的用于处理基板的方法中基板传输所通过的路径的视图。
根据本公开，用于处理基板的方法是在工艺处理单元中清洁和干燥基板。
用于处理基板的方法可以包括引入基板(S110)、清洁基板(S120)、传输基板(S130)、干燥基板(S140)和取出基板(S150)。
换言之，在基板的引入(S110)中，基板由第一手部341拾取并引入到第一工艺腔室400中。在基板的清洁(S120)中，液体处理的基板由第二手部345从第一工艺腔室400中取出并引入到第二工艺腔室500中。在这种情况下，为了防止基板在腔室之间移动的情况下、基板表面被自然干燥，在基板表面上涂覆润湿溶液。润湿溶液可以在传输基板之前涂覆。因此，在将基板从第一工艺腔室400传输至第二工艺腔室500期间，或者甚至在传输基板之后，基板的表面状态可以均匀地保持为湿润状态。例如，润湿溶液可以包括挥发性有机溶剂(例如，异丙醇、异丙醇水溶液)、纯水、或表面活性剂和纯水的混合物。然后，通过使用超临界流体作为工艺流体干燥的基板由第三手部345从第二工艺腔室500中取出并传输到缓冲室中。
图7是图1所示的工艺处理单元的侧视图。
如图7所示，第一工艺腔室400和第二工艺腔室500可以放置在传输腔室300的侧表面上。基板传输机械手320包括主体330、和第一臂342至第三臂346。第一臂342至第三臂346可设置为在主体330上前后可移动的，并且主体330可以设置为围绕第三方向96可旋转的，并在第三方向96为可移动的。
图8是示出了根据另一实施方案的基板处理装置的基板处理单元的视图。
参照图8，除了基板传输装置320-1设置在传输腔室300中之外，基板处理单元20a还可以包括设置在第一工艺腔室400和第二工艺腔室500之间的侧部基板传输装置320-2。在这种情况下，基板传输装置320-1可以包括第一手部341和第三手部345，并且侧部基板传输装置320-2可以包括一个第二手部343。例如，用于侧部基板传输装置320-2的单独传输空间可以介于第一工艺腔室400与第二工艺腔室500之间。
在执行液体处理工艺之前，基板传输装置320-1的第一手部341将基板传输至第一工艺腔室40，并且第三手部345传输在第二工艺腔室500中干燥的基板。此外，侧部基板传输装置320-2的第二手部343将具有在第一工艺腔室400中涂覆有润湿溶液的表面的基板传输至第二传输腔室500。
以上描述作为说明的目的。此外，上述内容描述了本公开的实施方案，并且本公开可以用于各种其他的组合、变化和环境中。也就是说，本公开可以在不脱离说明书中本公开的范围、与书面公开的等同范围、和/或本领域技术人员的技术或知识范围的情况下进行修饰及改正。书面实施方案描述了用于实现本公开的技术精神的最佳状态，并且在本公开的具体应用领域和目的中可以做出必要的各种改变。书面实施方案描述了用于实现本公开的技术精神的最佳状态，并且在本公开的具体应用领域和目的中可以做出必要的各种改变。此外，应理解的是所附权利要求包括其他实施方案。
虽然已经参照本公开的示例性实施方案对本公开进行了描述，但是本领域普通技术人员来说，在不脱离所附权利要求阐述的本公开的精髓和范围的情况下，可以对本公开进行各种改变和修改是显而易见的。

Claims (22)

1.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：
第一工艺腔室，所述第一工艺腔室配置为对所述基板执行液体处理工艺；
第二工艺腔室，所述第二工艺腔室配置为对在所述第一工艺腔室中液体处理的所述基板执行干燥处理工艺；
第一手部，所述第一手部配置为在执行所述液体处理工艺之前、将所述基板引入至所述第一工艺腔室；
第二手部，所述第二手部配置为在执行所述液体处理工艺之后、将所述基板从所述第一工艺腔室取出并将所述基板引入到所述第二工艺腔室中；
第三手部，所述第三手部配置为在执行所述干燥处理工艺之后、将所述基板从第二工艺腔室取出；和
控制器，所述控制器配置为控制所述第一手部、所述第二手部和所述第三手部，
其中，所述控制器配置为：
控制所述第二手部以比通过所述第一手部或所述第三手部传输所述基板的速度低的速度传输所述基板。
2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一手部、所述第二手部和所述第三手部被提供至一个基板传输装置的主体。
3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第二工艺腔室是高压腔室、以通过使用超临界流体或异丙醇IPA对在所述第一工艺腔室中液体处理的所述基板执行干燥处理工艺。
4.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第二手部将具有在所述第一工艺腔室中涂覆有润湿溶液的表面的所述基板传输至所述第二工艺腔室。
5.根据权利要求4所述的装置，其中，所述润湿溶液包括挥发性有机溶剂，纯水，表面活性剂、挥发性有机溶剂和纯水的混合物，或者表面活性剂和纯水的混合物。
6.根据权利要求2所述的装置，其中，所述第三手部、所述第一手部和所述第二手部在所述主体上、在竖直方向上设置在不同的高度处。
7.根据权利要求6所述的装置，其中，所述第一手部设置在所述第二手部的上方。
8.根据权利要求7所述的装置，其中，所述第三手部设置在所述第一手部的上方。
9.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一手部和所述第三手部设置在第一基板传输装置中，并且
其中，所述第二手部设置在第二基板传输装置中。
10.一种用于传输基板的装置，所述装置包括：
主体；
第一手部，所述第一手部设置在所述主体上；
第二手部，所述第二手部设置在所述主体上；
第三手部，所述第三手部设置在所述主体上；以及
控制器，所述控制器配置为控制所述第一手部至所述第三手部的驱动，
其中，所述控制器配置为：
在执行液体处理工艺之前，控制所述第一手部以传输所述基板，
控制所述第三手部以传输干燥的所述基板，并且
控制所述第二手部以传输具有涂覆有润湿溶液的表面的所述基板。
11.根据权利要求10所述的装置，其中所述控制器配置为：
控制所述第二手部以比通过所述第一手部或所述第三手部传输所述基板的速度低的速度传输基板。
12.根据权利要求11所述的装置，其中，所述第一手部、所述第二手部和所述第三手部在所述主体上、在竖直方向上设置在不同的高度处。
13.根据权利要求11所述的装置，其中，所述第一手部设置在所述第二手部的上方，并且
其中，所述第一手部设置在所述第三手部的下方。
14.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：
工艺处理单元，所述工艺处理单元配置为处理所述基板；和
索引单元，所述索引单元包括装载端口和索引机械手，具有所述基板的容器放置在所述装载端口上，所述索引机械手在所述容器与所述工艺处理单元之间传输所述基板，
其中，所述工艺处理单元包括：
传输腔室，所述传输腔室具有基板传输装置以传输基板，且所述传输腔室邻近所述索引单元设置；
第一工艺腔室，所述第一工艺腔室设置在所述传输腔室的一个侧部处、以对所述基板执行液体处理工艺；
第二工艺腔室，所述第二工艺腔室设置在所述传输腔室的一个侧部处、以在执行所述液体处理工艺后、通过使用超临界流体或异丙醇IPA对所述基板执行干燥处理工艺；和
控制器，所述控制器配置为控制所述基板传输装置，
其中，所述基板传输装置包括：
第一手部，所述第一手部在执行所述液体处理工艺之前、将所述基板传输至所述第一工艺腔室；
第二手部，所述第二手部将在所述第一工艺腔室中涂覆有润湿溶液的所述基板传输至所述第二工艺腔室；和
第三手部，所述第三手部传输在第二工艺腔室中干燥的所述基板，以及
其中，所述控制器配置为：
控制所述第二手部以比通过所述第一手部或所述第三手部传输所述基板的速度低的速度传输所述基板。
15.根据权利要求14所述的装置，其中所述第一手部设置在所述第二手部的上方，以及
其中，所述第一手部设置在所述第三手部的下方。
16.根据权利要求15所述的装置，其中，所述第一工艺腔室和所述第二工艺腔室中的至少两个堆叠设置，并且
其中，所述基板传输装置具有在X轴方向、Y轴方向或Z轴方向上可移动的主体。
17.根据权利要求15所述的装置，其中，所述第一工艺腔室和所述第二工艺腔室设置在所述传输腔室的相对侧部或设置在所述传输腔室的相同侧部。
18.一种用于处理基板的方法，所述方法包括：
通过使用第一手部、将所述基板引入第一工艺腔室中；
在所述第一工艺腔室中、将润湿溶液涂覆到所述基板上；
通过使用第二手部、将涂覆有所述润湿溶液的所述基板传输至用于干燥所述基板的所述第二工艺腔室；
在所述第二工艺腔室中、对涂覆有所述润湿溶液的所述基板执行干燥处理工艺；和
通过使用第三手部、从所述第二工艺腔室取出干燥的所述基板。
19.根据权利要求18所述的方法，其中，所述干燥处理工艺为通过使用超临界流体或异丙醇IPA干燥所述基板。
20.根据权利要求18所述的方法，其中，所述润湿溶液包括挥发性有机溶剂，纯水，表面活性剂、挥发性有机溶剂和纯水的混合物，或表面活性剂和纯水的混合物。
21.根据权利要求18所述的方法，其中，以比通过所述第一手部或所述第三手部传输所述基板的速度低的速度执行通过使用所述第二手部的所述基板的传输。
22.根据权利要求18所述的方法，其中，所述第一手部、所述第二手部和所述第三手部被设置至一个基板传输装置的主体。
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