KR101958643B1 - 기판 처리 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것이다. 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는, 기판이 처리되는 공정 챔버와; 내부에 상기 공정 챔버에서 처리가 완료된 기판이 검사되는 검사 챔버와; 상기 공정 챔버 및 상기 검사 챔버 간에 기판을 이송하는 메인 로봇이 제공된 이송 챔버를 포함하되, 상기 이송 챔버에는 그 내부 공간에 청정 공기를 공급하여 하강 기류를 형성하는 기류 형성 유닛이 제공되고, 상기 검사 챔버는, 내부가 상기 이송 챔버와 연통되도록 기류 유입홀이 형성되고, 기판이 출입되는 반입구가 형성되는 하우징과; 상기 하우징 내에 제공되고, 기판을 검사하는 검사 유닛과; 상기 하우징 내의 기체를 배기시키는 배기 부재를 포함한다.

Description

기판 처리 장치{APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE}
본 발명은 기판을 처리하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 소자를 제조하기 위해서는 세정, 증착, 사진, 식각, 그리고 이온주입 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 이러한 공정들 중 기판 상에 막을 형성하는 공정으로 증착 및 스핀 온 하드 마스크(SOH: Spin-On hard mask, 이하 도포) 공정이 사용된다.
일반적으로 증착 공정은 기판 상에 공정 가스를 증착하여 기판 상에 막을 형성하는 공정이고, 도포 공정은 기판의 중심에 처리액을 공급하여 액막을 형성하는 공정이다.
도포 공정이 진행되기 전후 단계에는 베이크 공정을 수행한다. 베이크 공정은 기판을 열처리 하는 과정으로, 가열 플레이트에 놓인 기판을 히터로부터 제공된 열을 이용해 열 처리한다.
일반적으로 동일 기판에 대한 도포 공정 및 베이크 공정은 각각 하나의 장치에서 서로 인접하게 위치된 도포 챔버 및 베이크 챔버 내에서 수행되나, 도포 공정 및 베이크 공정이 완료된 후, 기판 상에 형성된 막의 두께 등의 기판의 상태의 검사는 일반적으로 각각의 공정이 완료된 후, 도포 챔버 및 베이크 공정이 수행되는 챔버가 제공된 장치와는 별도의 장치에서 수행된다.
따라서, 장치 간의 기판 이동으로 인한 시간이 소요되며, 장치 내에서 도포 챔버 및 베이크 챔버 간에 기판 이송 중 기판을 이송하는 이송 챔버 내에서의 기류 등에 의해 기판에 미치는 영향은 검사할 수 없다.
본 발명은 기판 처리 공정 시간을 단축시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.
또한, 본 발명은 이송 챔버의 기류가 기판에 미치는 영향을 검사할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.
또한, 본 발명은 검사 챔버 내에 청정 공기(Clean air)의 기류를 형성시키는 별도의 장치가 요구되지 않는 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 일 실시 예에 의하면, 기판 처리 장치는, 기판이 처리되는 공정 챔버와; 내부에 상기 공정 챔버에서 처리가 완료된 기판이 검사되는 검사 챔버와; 상기 공정 챔버 및 상기 검사 챔버 간에 기판을 이송하는 메인 로봇이 제공된 이송 챔버를 포함하되, 상기 이송 챔버에는 그 내부 공간에 청정 공기를 공급하여 하강 기류를 형성하는 기류 형성 유닛이 제공되고, 상기 검사 챔버는, 내부가 상기 이송 챔버와 연통되도록 기류 유입홀이 형성되고, 기판이 출입되는 반입구가 형성되는 하우징과; 상기 하우징 내에 제공되고, 기판을 검사하는 검사 유닛과; 상기 하우징 내의 기체를 배기시키는 배기 부재를 포함한다.
상기 검사 유닛은 기판이 놓이는 지지 유닛을 포함하고, 상기 배기 부재는 상기 하우징 내의 기체가 배기되는 배기홀을 포함하되, 상기 기류 유입홀은 상기 지지 유닛에 놓인 기판보다 높은 위치에 형성되고, 상기 배기홀은 상기 기판보다 낮은 위치에 형성된다.
상기 기류 유입홀은 상기 하우징의 제 1 측면에 위치되고, 상기 배기홀은, 상부에서 바라볼 때, 상기 지지 유닛을 기준으로 상기 제 1 측면의 반대 측에 위치될 수 있다.
상기 배기홀은 상기 제 1 측면을 바라보도록 제공될 수 있다.
상기 검사 챔버는 상기 이송 챔버의 일측에 배치되고, 상기 제 1 측면은 상기 하우징의 상기 이송 챔버를 바라보는 측면이다.
상기 배기홀은, 상기 제 1 측면을 바라볼 때, 상기 지지 유닛을 기준으로 일측 영역에 위치되는 제 1 배기홀과; 상기 제 1 측면을 바라볼 때, 상기 지지 유닛을 기준으로 상기 일측 영역의 반대 측 영역인 타측 영역에 위치되는 제 2 배기홀을 포함할 수 있다.
상기 배기 부재는 상기 제 1 배기홀을 통해 배기되는 기체 및 상기 제 2 배기홀을 통해 배기되는 기체의 유량을 서로 독립적으로 조절하는 유량 조절부를 더 포함할 수 있다.
상기 배기 부재는, 상기 제 1 배기홀에 연결된 제 1 라인과; 상기 제 2 배기홀에 연결된 제 2 라인을 더 포함하되, 상기 유량 조절부는, 상기 제 1 라인의 개폐율을 조절하는 제 1 댐퍼와; 상기 제 2 라인의 개폐율을 조절하는 제 2 댐퍼를 포함할 수 있다.
상기 배기 부재는 상기 하우징의 외부에 제공되고 상기 하우징 내의 기체를 배기하는 동력을 제공하는 펌프를 더 포함할 수 있다.
상기 기류 유입홀 및 상기 반입구는 상기 하우징의 동일 측면에 형성되고, 상기 기류 유입홀은 상기 반입구보다 높은 위치에 형성된다.
상기 하우징의 내측 표면 및 상기 하우징 내에 제공된 내부 장치의 표면은 알루미늄(Al) 재질의 블랙 어노다이징(Black Anodizing) 처리될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 기판 처리 공정 시간을 단축시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 이송 챔버의 기류가 기판에 미치는 영향을 검사할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 검사 챔버 내에 청정 공기(Clean air)의 기류를 형성시키는 별도의 장치가 요구되지 않는다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다.
도 2는 도 2의 기판 처리 설비를 A-A 방향에서 바라본 단면도이다.
도 3은 도 1의 검사 챔버를 제 1 방향에서 바라본 단면도이다.
도 4는 도 3의 검사 챔버를 위에서 바라본 단면도이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
본 실시 예의 기판 처리 장치는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 처리액을 공급하여 액막을 형성하는 공정을 수행하는 데 사용된다. 특히 본 실시 예의 장치는 기판을 회전시키고 기판의 중심으로 처리액을 공급하여 액을 형성하는 공정을 수행하는데 사용된다. 아래에서는 기판으로 웨이퍼가 사용된 경우를 예로 들어 설명한다. 그러나 기판은 반도체 웨이퍼 이외에 평판 표시 패널, 포토 마스크 등 다양한 종류의 기판일 수 있다. 또한, 이와 달리, 본 발명의 실시 예들에 따른 기판 처리 장치는 기판에 대한 검사가 요구되는 다양한 장치에 적용될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다. 도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 인덱스 모듈(10) 및 공정 처리 모듈(20)을 포함한다. 인덱스 모듈(10)은 로드 포트(120) 및 이송 프레임(140)을 가진다. 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하며, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 칭한다.
로드 포트(120)에는 기판(30)이 수납된 용기(18)가 안착된다. 로드 포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 로드 포트(120)의 개수는 공정 처리 모듈(20)의 공정 효율 및 풋 프린트조건 등에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 용기(18)에는 기판(30)들을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯(미도시)이 형성된다. 용기(18)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unifed Pod;FOUP)가 사용될 수 있다.
공정 처리 모듈(20)은 버퍼 유닛(220), 이송 챔버(240), 공정 챔버(260, 280) 및 검사 챔버(290)를 가진다. 이송 챔버(240)는 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 평행하게 배치된다. 이송 챔버(240)의 일측에는 공정 챔버들 중 액처리 챔버들(260) 및 검사 챔버(290)가 배치되고, 상기 일측의 반대측인 타측에는 공정 챔버들 중 열처리 챔버(280)들이 배치된다. 액처리 챔버들(260)및 검사 챔버(290)와 열처리 챔버(280)들은 이송 챔버(240)를 기준으로 대칭되도록 제공된다. 이송 챔버(240)의 일측에는 복수 개의 액처리 챔버들(260)가 제공된다. 액처리 챔버들(260) 중 일부는 이송 챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 액처리 챔버들(260) 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송 챔버(240)의 일측에는 액처리 챔버들(260)이 A X B의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 액처리 챔버(260)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 액처리 챔버(260)의 수이다. 이송 챔버(240)의 일측에 액처리 챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 액처리 챔버들(260)은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 액처리 챔버(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 이송 챔버(240)의 타측에는 복수 개의 열처리 챔버들(280)이 제공된다. 열처리 챔버(280)는 액처리 챔버(260)보다 많은 수로 제공될 수 있다. 열처리 챔버들(280) 중 일부는 이송 챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 열처리 챔버들(280) 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송 챔버(240)의 타측에는 열처리 챔버들(280)이 C X D의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 C는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 열처리 챔버(280)의 수이고, D는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 열처리 챔버(280)의 수이다. 이송 챔버(240)의 타측에 열처리 챔버(280)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 열처리 챔버들(280)은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 열처리 챔버(280)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 열처리 챔버들(280)은 단층으로 제공될 수 있다.
버퍼 유닛(220)은 이송 프레임(140)과 이송 챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송 챔버(240)와 이송 프레임(140) 간에 기판(30)이 이송되기 전에 기판(30)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼 유닛(220)의 내부에는 기판(30)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공된다. 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개가 제공된다. 버퍼 유닛(220)은 이송 프레임(140)과 마주보는 면 및 이송 챔버(240)와 마주보는 면이 개방된다. 일 실시 예에 따르면, 버퍼 유닛(220)은 상부 버퍼 유닛 및 하부 버퍼 유닛을 포함할 수 있다. 상부 버퍼 유닛은 공정이 완료된 기판이 공정 처리 모듈(20)로부터 인덱스 모듈(10)로 이송되기 전에 머무는 공간을 제공하고, 하부 버퍼 유닛은 처리전 기판이 인덱스 모듈(10)로부터 공정 처리 모듈(20)로 이송되기 전에 머무는 공간을 제공할 수 있다.
이송 프레임(140)은 로드 포트(120)에 안착된 용기(18)와 버퍼 유닛(220) 간에 기판(30)을 이송한다. 이송 프레임(140)에는 인덱스 레일(142)과 인덱스 로봇(144)이 제공된다. 인덱스 레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스 로봇(144)은 인덱스 레일(142) 상에 설치되며, 인덱스 레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스 로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스 레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정 처리 모듈(20)에서 용기(18)로 기판(30)을 이송할 때 사용되고, 이의 다른 일부는 용기(18)에서 공정 처리 모듈(20)로 기판(30)을 이송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스 로봇(144)이 기판(30)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(30)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(30)에 부착되는 것을 방지할 수 있다.
이송 챔버(240)는 버퍼 유닛(220)과 액처리 챔버(260) 간에, 액처리 챔버(260)와 열처리 챔버(280) 간에, 열처리 챔버(280)들 간에, 액처리 챔버(260)들 간에, 액처리 챔버(260) 및 열처리 챔버(280)와 검사 챔버(290) 간에, 그리고 검사 챔버(290)가 복수개로 제공되는 경우 검사 챔버들(290) 간에 기판(30)을 이송한다. 이송 챔버(240)에는 가이드 레일(242)과 메인 로봇(244)이 제공된다. 가이드 레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인 로봇(244)은 가이드 레일(242) 상에 설치되고, 가이드 레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인 로봇(244)은 베이스(244a), 몸체(244b), 그리고 메인암(244c)을 가진다. 베이스(244a)는 가이드 레일(242)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(244b)는 베이스(244a)에 결합된다. 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 몸체(244b)에 결합되고, 이는 몸체(244b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 메인암들(244c)은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다.
공정 챔버(260, 280)에서는 기판이 처리된다. 일 실시 예에 따르면, 공정 챔버(260, 280)는 액처리 챔버(260) 및 열처리 챔버(280)를 포함한다.
액처리 챔버(260)에서는 기판(30) 상에 막을 형성하는 막 형성 공정이 수행된다. 각각의 액처리 챔버(260)는 동일한 구조를 가진다. 다만, 액처리 챔버(260)는 수행하는 막 형성 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 액처리 챔버들(260)은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 액처리 챔버(260) 내의 구성은 서로 동일하고, 서로 상이한 그룹에 속하는 액처리 챔버(260) 내의 구성은 서로 상이하게 제공될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 액처리 챔버(260)에서는 기판 상에 하드 마스크막과 같은 박막을 형성한다. 일 예에 의하면, 액처리 챔버(260)에서는 스핀 온 하드 마스크(SOH: Spin-On Hard mask) 공정이 수행될 수 있다.
각각의 열처리 챔버(280)로 제공된 기판 처리 장치는 동일한 구조를 가진다. 다만, 열처리 챔버(280)로 제공된 기판 처리 장치는 수행하는 막 형성 공정의 종류 또는 각 챔버(810)의 높이 차이로 인한 배기량의 차이에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로, 열처리 챔버(280)들은 복수개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 열처리 챔버(280)로 제공된 기판 처리 장치들은 서로 동일하고, 서로 상이한 그룹에 속하는 열처리 챔버(280)로 제공된 기판 처리 장치들은 서로 상이하게 제공될 수 있다. 예컨대, 열처리 챔버(280)는 처리액을 도포하기 전에 기판(30)을 소정의 온도로 가열하여 기판(30) 표면의 유기물이나 수분을 제거하는 프리 베이크(prebake) 공정이나 처리액을 기판(30) 상에 도포한 후에 행하는 소프트 베이크(soft bake) 공정 등을 수행하고, 각각의 가열 공정 이후에 기판(30)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행할 수 있는 베이크 챔버로 제공될 수 있다.
검사 챔버(290)에서는 공정 챔버(260, 280)에서 처리가 완료된 기판이 검사된다. 일 실시 예에 따르면, 검사 챔버(290)에서 수행되는 검사는 기판에 도포된 막의 두께를 측정하는 검사이다. 일 실시 예에 따르면, 검사 챔버(290)는 이송 챔버(240)의 액처리 챔버(260)가 배치된 일측에 배치되고, 액처리 챔버(260) 및 검사 챔버(290)는 서로 제 1 방향과 평행한 방향을 따라 배열된다. 검사 챔버(290)는 액처리 챔버(260)에 비해 인덱스 모듈(10)에 인접하게 배치된다. 따라서, 검사가 완료된 기판이 검사 챔버(290)로부터 인덱스 모듈(10)을 통해 장치 외부로 반출되는 경로를 최소화할 수 있다. 검사 챔버(290)는 서로 적층되게 제공되는 상부 검사 챔버(290a) 및 하부 검사 챔버(290b)를 포함한다. 상부 검사 챔버(290a) 및 하부 검사 챔버(290b)에서는 서로 상이한 공정이 완료된 기판에 대한 검사가 수행될 수 있다.
도 3은 도 1의 검사 챔버를 제 1 방향(12)에서 바라본 단면도이다. 도 4는 도 3의 검사 챔버를 위에서 바라본 단면도이다. 도 3 및 도 4를 참조하면, 검사 챔버(290)는 하우징(910), 검사 유닛(920) 및 배기 부재(930)를 포함한다.
이송 챔버(240)에는 기류 형성 유닛(246)이 제공된다. 기류 형성 유닛(246)은 이송 챔버(240)의 내부 공간에 청정 공기를 공급하여 하강 기류를 형성한다. 일 실시 예에 따르면 기류 형성 유닛(246)은 이송 챔버(240)의 상부에 제공된 팬필터유닛으로 제공될 수 있다.
하우징(910)은 내부에 검사 유닛(920)이 위치되는 공간이 제공된다. 하우징(910)에는 내부가 이송 챔버(240)와 연통되어 이송 챔버(240) 내에 형성된 기류가 유입되는 기류 유입홀(911)이 형성된다. 기류 유입홀(911)은 지지 유닛(921)에 놓인 기판보다 높은 위치에 형성된다. 일 실시 예에 따르면, 기류 유입홀(911)은 하우징(910)의 제 1 측면(913)에 형성된다. 제 1 측면(913)은 하우징(910)의 이송 챔버(240)를 바라보는 측면이다.
하우징(910)에는 기판이 출입되는 반입구(912)가 형성된다. 반입구(912)는 제 1 측면(913)에 형성된다. 기류 유입홀(911)은 반입구(912)보다 높은 위치에 형성된다.
검사 유닛(920)은 하우징(910) 내에 제공된다. 검사 유닛(920)은 기판을 검사한다. 일 실시 예에 따르면, 검사 유닛(920)은 지지 유닛(921), 센서(922) 및 커버(923)를 포함한다.
지지 유닛(921)은 하우징(910) 내에 제공된다. 지지 유닛(921)에는 기판(30)이 놓인다.
센서(922)는 지지 유닛(921) 상에 놓인 기판(30)을 검사한다. 예를 들면, 센서(922)는 기판(30)에 도포된 막의 두께의 균일성을 측정하는 광학 센서로 제공될 수 있다.
커버(923)는 지지 유닛(921)의 상부를 덮도록 제공된다. 센서는 커버(923)의 상부 내측면에 설치될 수 있다. 커버(923)는 검사 시 센서에 영향을 미칠 수 있는 외부의 빛을 일부 차단할 수 있다. 커버(923)에는 하우징(910) 내에 형성된 기류가 지날 수 있도록 복수개의 개구가 형성된다.
빛에 민감한 센서에 미치는 영향을 최소화하기 위해, 하우징(910)의 내측 표면 및 커버(923)의 내외측 표면 등 하우징(910) 내에 제공된 내부 장치의 표면은 알루미늄(Al) 재질의 블랙 어노다이징(Black Anodizing) 처리가 될 수 있다.
배기 부재(930)는 하우징(910) 내의 기체를 배기시킨다. 일 실시 예에 따르면, 배기 부재(930)는 배기홀(931), 배기 라인(933) 및 유량 조절부(934)를 포함한다.
하우징(910) 내의 기체는 배기홀(931)을 통해 외부로 배기된다. 배기홀(931)은 지지 유닛(921)에 놓인 기판(30)보다 낮은 위치에 형성된다. 배기홀(931)은 상부에서 바라볼 때, 지지 유닛(921)을 기준으로 하우징(910)의 제 1 측면(913)의 반대측에 위치된다. 배기홀(931)은 제 1 측면(913)을 바라보도록 제공될 수 있다. 배기홀(931)은 복수개로 제공될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 배기홀(931)은 제 1 배기홀(931b) 및 제 2 배기홀(931c)을 포함한다. 제 1 배기홀(931b)은 제 1 측면(913)을 바라볼 때, 지지 유닛(921)을 기준으로 일측 영역에 위치된다. 제 2 배기홀(931c)은 제 1 측면(913)을 바라볼 때, 지지 유닛(921)을 기준으로 상기 일측 영역의 반대측 영역인 타측 영역에 위치된다. 예를 들면, 제 1 배기홀(931b) 및 제 2 배기홀(931c)은 각각 제 1 측면(913)을 바라볼 때, 지지 유닛(921)을 기준으로 양측에 위치된 측벽으로부터 하우징(910)의 내부로 돌출된 노즐(931a)의 측벽에 형성될 수 있다. 제 1 배기홀(931b) 및 제 2 배기홀(931c)은 각각 노즐(931a)의 길이 방향을 따라 복수개가 배열되도록 제공될 수 있다.
하우징(910) 내의 기체는 배기홀(931)에 연결된 배기 라인(933)을 통해 배기된다. 일 실시 예에 따르면, 배기 라인(933)은 제 1 라인(933a) 및 제 2 라인(933b)을 포함한다. 제 1 라인(933a)은 제 1 배기홀(931b) 및 유량 조절부(934)를 연결한다. 제 2 라인(933b)은 제 2 배기홀(931c) 및 유량 조절부(934)를 연결한다.
유량 조절부(934)는 제 1 배기홀(931b)을 통해 배기되는 기체 및 제 2 배기홀(931c)을 통해 배기되는 기체의 유량을 서로 독립적으로 조절한다. 일 실시 예에 따르면, 유량 조절부(934)는 제 1 댐퍼(934a) 및 제 2 댐퍼(934b)를 포함한다. 제 1 댐퍼(934a)는 제 1 라인(933a)의 개폐율을 조절한다. 제 2 댐퍼(934b)는 제 2 라인(933b)의 개폐율을 조절한다. 유량 조절부(934)에 의해 서로 상이한 위치에 형성된 제 1 배기홀(931b) 및 제 2 배기홀(931c)을 통해 배기되는 기체의 양을 조절함으로서, 하우징(910) 내의 기류를 제어할 수 있다.
배기 부재(930)는 펌프(932)를 더 포함할 수 있다. 펌프(932)는 하우징(910) 내의 기체를 배기하는 동력을 제공한다. 펌프(932)는 진동에 민감한 검사 유닛(920)에 미치는 영향을 최소화하기 위해 하우징(910)의 외부에 위치된다. 일 실시 예에 따르면, 펌프(932)는 하우징(910)의 외부에서 배기 라인(933)에 연결되어 제공된다. 펌프(932)는 배기 라인(933)의 유량 조절부(934)보다 먼 영역에 연결될 수 있다.
이와 달리, 펌프(932)는 제공되지 않고, 배기 라인(933)이 공정 챔버(260, 280) 및 이송 챔버(240) 등의 내부의 기체가 배기되는 배기관에 연결될 수 있다.
상술한 바와 같이, 기류 유입홀(911)은 지지 유닛(921)에 놓인 기판(30)보다 높은 위치에 형성되고, 배기홀(931)은 지지 유닛(921)에 놓인 기판(30)보다 높은 위치에 형성됨으로써, 하우징(910) 내에 하강 기류를 형성할 수 있다. 또한, 이송 챔버(240) 내에 형성되는 기류를 이용하여 하우징(910) 내에 기류를 형성시킴으로써, 하우징(910) 내에 기류를 형성시키는 별도의 장치가 요구되지 않는다.
1: 기판 처리 장치 240: 이송 챔버
260: 액처리 챔버 246: 기류 형성 유닛
280: 열처리 챔버 290: 검사 챔버
910: 하우징 911: 기류 유입홀
920: 검사 유닛 930: 배기 부재
931: 배기홀 932: 펌프
933: 배기 라인 934: 유량 조절부

Claims (14)

  1. 기판이 처리되는 공정 챔버와;
    내부에 상기 공정 챔버에서 처리가 완료된 기판이 검사되는 검사 챔버와;
    상기 공정 챔버 및 상기 검사 챔버 간에 기판을 이송하는 메인 로봇이 제공된 이송 챔버를 포함하되,
    상기 이송 챔버에는 그 내부 공간에 청정 공기를 공급하여 하강 기류를 형성하는 기류 형성 유닛이 제공되고,
    상기 검사 챔버는,
    내부가 상기 이송 챔버와 연통되도록 기류 유입홀이 형성되고, 기판이 출입되는 반입구가 형성되는 하우징과;
    상기 하우징 내에 제공되고, 기판이 놓이는 지지 유닛을 포함하는 검사 유닛과;
    상기 하우징 내의 기체가 배기되는 배기홀을 갖는 배기 부재를 포함하며,
    상기 기류 유입홀은 상기 하우징의 제1측면에 위치되고,
    상기 배기홀은 상부에서 바라볼 때, 상기 지지 유닛을 기준으로 상기 제1측면의 반대 측에 위치되어 상기 기류 유입홀을 통해 유입된 기체가 상기 지지 유닛을 경유하여 배기되며,
    상기 검사 유닛은
    기판 검사에 영향을 미칠 수 있는 외부 빛을 차단하도록 상기 지지 유닛의 상부를 덮도록 제공되는 커버를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 기류 유입홀은 상기 지지 유닛에 놓인 기판보다 높은 위치에 형성되고,
    상기 배기홀은 상기 기판보다 낮은 위치에 형성되는 기판 처리 장치.
  3. 삭제
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 배기홀은 상기 제 1 측면을 바라보도록 제공되는 기판 처리 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 검사 챔버는 상기 이송 챔버의 일측에 배치되고,
    상기 제 1 측면은 상기 하우징의 상기 이송 챔버를 바라보는 측면인 기판 처리 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 배기홀은,
    상기 제 1 측면을 바라볼 때, 상기 지지 유닛을 기준으로 일측 영역에 위치되는 제 1 배기홀과;
    상기 제 1 측면을 바라볼 때, 상기 지지 유닛을 기준으로 상기 일측 영역의 반대 측 영역인 타측 영역에 위치되는 제 2 배기홀을 포함하는 기판 처리 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 배기 부재는 상기 제 1 배기홀을 통해 배기되는 기체 및 상기 제 2 배기홀을 통해 배기되는 기체의 유량을 서로 독립적으로 조절하는 유량 조절부를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 배기 부재는,
    상기 제 1 배기홀에 연결된 제 1 라인과;
    상기 제 2 배기홀에 연결된 제 2 라인을 더 포함하되,
    상기 유량 조절부는,
    상기 제 1 라인의 개폐율을 조절하는 제 1 댐퍼와;
    상기 제 2 라인의 개폐율을 조절하는 제 2 댐퍼를 포함하는 기판 처리 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 배기 부재는 상기 하우징의 외부에 제공되고 상기 하우징 내의 기체를 배기하는 동력을 제공하는 펌프를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  10. 제 4 항 내지 제 9 항 중 어느 하나에 있어서,
    상기 기류 유입홀 및 상기 반입구는 상기 하우징의 동일 측면에 형성되고,
    상기 기류 유입홀은 상기 반입구보다 높은 위치에 형성되는 기판 처리 장치.
  11. 제 1 항, 제 2 항, 제 4 항 내지 제 9 항 중 어느 하나에 있어서,
    상기 하우징의 내측 표면 및 상기 하우징 내에 제공된 내부 장치의 표면은 알루미늄(Al) 재질의 블랙 어노다이징(Black Anodizing) 처리되는 기판 처리 장치.
  12. 삭제
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 커버의 표면은
    알루미늄(Al) 재질의 블랙 어노다이징(Black Anodizing) 처리되는 기판 처리 장치.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 커버는 상기 하우징 내에 형성된 기류가 지날 수 있도록 복수개의 개구를 갖는 기판 처리 장치.
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