KR102119686B1 - 기판 지지 유닛, 열처리 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 - Google Patents
기판 지지 유닛, 열처리 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102119686B1 KR102119686B1 KR1020180140191A KR20180140191A KR102119686B1 KR 102119686 B1 KR102119686 B1 KR 102119686B1 KR 1020180140191 A KR1020180140191 A KR 1020180140191A KR 20180140191 A KR20180140191 A KR 20180140191A KR 102119686 B1 KR102119686 B1 KR 102119686B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- flow path
- support plate
- indentation
- support
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
본 발명은 기판을 지지하는 기판 지지 유닛에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 지지 유닛은, 기판이 안착되는 지지 플레이트를 포함하되, 상기 지지 플레이트는, 상면에 중앙 영역 및 측면을 연결하는 유로가 형성되고, 가장자리 영역에 측면으로부터 내측으로 만입되는 만입부가 형성되며, 상기 만입부는 상기 유로의 일단과 연통된다.
Description
본 발명은 기판을 처리하는 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자를 제조하기 위해서는 세정, 증착, 사진, 에칭, 그리고 이온주입 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 패턴을 형성하기 위해 수행되는 포토 리소그래피 공정은 반도체 소자의 고집적화를 이루는데 중요한 역할을 수행한다.
사진 공정은 기판 상에 패턴을 형성하기 위해 수행된다. 사진 공정은 도포 공정, 노광 공정, 그리고 현상 공정이 순차적으로 진행되며, 각 공정들은 복수의 기판 처리 단계들을 포함한다. 이러한 기판 처리 단계들은 하나의 처리 단계가 진행된 후 다음 단계의 진행을 위해 기판을 임시 보관하는 과정을 거친다. 기판을 임시 보관하는 과정 중에는, 일반적으로 처리가 완료된 기판이 고온의 상태를 유지하므로, 이를 냉각시키기 위한 기판을 냉각시키는 공정이 수행된다. 따라서, 일반적으로 기판에 대해 사진 공정을 수행하는 기판 처리 장치는 기판을 임시 보관하는 과정 중에 기판을 냉각시키는 냉각 유닛을 포함한다.
도 1은 일반적인 냉각 플레이트(30)를 보여주는 사시도이다. 도 1을 참조하면, 일반적으로, 냉각 유닛은 기판이 지지되고 내부에 냉각 유체가 흐르는 냉각 유로(31)가 형성된 냉각 플레이트(30)를 포함한다. 냉각 플레이트(30)에는 기판을 들어올리고 내려놓는 리프트 핀이 관통하여 승강되는 핀 홀(32)이 형성된다. 냉각 플레이트(30)의 상면에는 기판이 냉각 플레이트(30)에 직접 접촉되는 것을 방지하기 위한 지지 돌기(33)가 제공될 수 있다. 그러나, 냉각 플레이트(30) 및 기판 간의 열 전달 및 공간을 고려할 때 지지 돌기(33)의 높이를 높이는 것은 한계가 있다. 따라서, 냉각 플레이트(30)의 상면과 냉각 플레이트(30)에 놓인 기판은 서로 인접하게 제공된다. 그러므로, 리프트 핀이 핀 홀(32)을 통해 기판을 들어올리거나 내려놓는 경우, 냉각 플레이트(30)의 상면 및 기판 사이의 사이 공간의 기체의 흐름이 원활하지 못하다. 따라서, 리프트 핀이 핀 홀(32)을 통해 기판을 들어올리는 경우, 상기 사이 공간 및 외부 공간 간에 기압 차에 의해 기판이 진동되는 문제점이 있다. 또한, 리프트 핀이 핀 홀(32)을 통해 기판을 들어올리는 경우, 상기 사이 공간 및 외부 공간 간에 기압 차에 의해 기판이 냉각 플레이트(30) 상에 안정적으로 안착되는 것이 용이하지 않다.
본 발명은 기판을 들어올리는 경우, 진동을 최소화할 수 있는 장치를 제공하기 위한 것이다.
또한, 본 발명은 기판을 안정적으로 안착시킬 수 있는 장치를 제공하기 위한 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판을 지지하는 기판 지지 유닛을 제공한다. 일 실시 예에 의하면, 기판 지지 유닛은, 기판이 안착되는 지지 플레이트를 포함하되, 상기 지지 플레이트는, 상면에 중앙 영역 및 측면을 연결하는 유로가 형성되고, 가장자리 영역에 측면으로부터 내측으로 만입되는 만입부가 형성되며, 상기 만입부는 상기 유로의 일단과 연통된다.
상기 유로는 상기 지지 플레이트의 상면으로부터 아래 방향으로 만입되게 제공된다.
상부에서 바라볼 때, 상기 만입부의 너비는 상기 유로의 너비보다 넓게 제공되고, 상기 만입부의 상하 방향의 길이는 상기 유로의 깊이보다 길게 제공된다.
상기 만입부는 상부에서 바라볼 때, 내측 끝단이 상기 지지 플레이트에 놓인 기판의 가장자리 영역과 중첩되게 제공된다.
상기 기판 지지 유닛은, 상기 지지 플레이트에 기판을 내려놓고 상기 지지 플레이트로부터 기판을 들어올리는 복수개의 리프트 핀을 더 포함하고, 상기 지지 플레이트에는 상기 리프트 핀이 관통되어 승강되도록 핀 홀이 형성되고, 상기 유로는 상기 핀 홀 및 상기 측면을 연결한다.
상기 유로는, 상기 지지 플레이트의 중앙 영역에 링 형상으로 제공되는 제 1 유로와; 상기 제 1 유로 및 상기 만입부를 연결하는 제 2 유로를 포함하되, 상기 제 1 유로는 상부에서 바라볼 때, 상기 핀 홀과 중첩되게 형성될 수 있다.
상기 유로의 측면은 아래로 갈수록 내측으로 경사진다.
상기 유로는 접선 방향으로부터 바라본 단면이 아랫변이 윗변보다 좁은 사다리꼴 또는 V형상으로 제공될 수 있다.
또한, 본 발명은 기판을 열처리하는 열처리 유닛을 제공한다. 일 실시 예에 의하면, 열처리 유닛은, 내부에 공간을 제공하는 하우징과; 상기 공간에서 기판을 지지하고, 기판이 안착되는 지지 플레이트를 가지는 기판 지지 유닛과; 상기 지지 플레이트에 지지된 기판의 온도를 조절하는 온도 조절 부재를 포함하되, 상기 지지 플레이트는, 상면에 중앙 영역 및 측면을 연결하는 유로가 형성되고, 가장자리 영역에 측면으로부터 내측으로 만입되는 만입부가 형성되며, 상기 만입부는 상기 유로의 일단과 연통된다.
상기 유로는 상기 지지 플레이트의 상면으로부터 아래 방향으로 만입되게 제공된다.
상부에서 바라볼 때, 상기 만입부의 너비는 상기 유로의 너비보다 넓게 제공되고, 상기 만입부의 상하 방향의 길이는 상기 유로의 깊이보다 길게 제공된다.
상기 만입부는 상부에서 바라볼 때, 내측 끝단이 상기 지지 플레이트에 놓인 기판의 가장자리 영역과 중첩되게 제공된다.
상기 기판 지지 유닛은, 상기 지지 플레이트에 기판을 내려놓고 상기 지지 플레이트로부터 기판을 들어올리는 복수개의 리프트 핀을 더 포함하고, 상기 지지 플레이트에는 상기 리프트 핀이 관통되어 승강되도록 핀 홀이 형성되고, 상기 유로는 상기 핀 홀 및 상기 측면을 연결한다.
상기 유로는, 상기 지지 플레이트의 중앙 영역에 링 형상으로 제공되는 제 1 유로와; 상기 제 1 유로 및 상기 만입부를 연결하는 제 2 유로를 포함하되, 상기 제 1 유로는 상부에서 바라볼 때, 상기 핀 홀과 중첩되게 형성될 수 있다.
상기 유로의 측면은 아래로 갈수록 내측으로 경사진다.
상기 유로는 접선 방향으로부터 바라본 단면이 아랫변이 윗변보다 좁은 사다리꼴 또는 V형상으로 제공될 수 있다.
상기 온도 조절 부재는, 상기 지지 플레이트에 제공되고 상기 지지 플레이트에 지지된 기판을 냉각시키는 냉각 부재를 포함할 수 있다.
상기 지지 플레이트 상부에 위치하는 버퍼 플레이트를 더 포함할 수 있다.
상기 온도 조절 부재는, 상기 지지 플레이트에 제공되고 상기 지지 플레이트에 지지된 기판을 가열시키는 가열 부재를 더 포함할 수 있다.
또한, 본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 일 실시 예에 의하면, 기판 처리 장치는, 기판을 처리하는 공정을 수행하는 처리 모듈과; 다수의 기판들이 수용된 카세트와 상기 처리 모듈 간에 기판을 반송하는 인덱스 로봇을 포함하는 인덱스 모듈을 포함하되, 상기 처리 모듈은 기판을 열처리하는 열처리 유닛을 포함하고, 상기 열처리 유닛은, 기판을 지지하고, 기판이 안착되는 지지 플레이트를 가지는 기판 지지 유닛과; 상기 지지 플레이트에 지지된 기판의 온도를 조절하는 온도 조절 부재를 포함하되, 상기 지지 플레이트는, 상면에 중앙 영역 및 측면을 연결하는 유로가 형성되고, 가장자리 영역에 측면으로부터 내측으로 만입되는 만입부가 형성되며, 상기 만입부는 상기 유로의 일단과 연통된다.
상기 유로는 상기 지지 플레이트의 상면으로부터 아래 방향으로 만입되게 제공된다.
상부에서 바라볼 때, 상기 만입부의 너비는 상기 유로의 너비보다 넓게 제공되고, 상기 만입부의 상하 방향의 길이는 상기 유로의 깊이보다 길게 제공된다.
상기 만입부는 상부에서 바라볼 때, 내측 끝단이 상기 지지 플레이트에 놓인 기판의 가장자리 영역과 중첩되게 제공된다.
상기 기판 지지 유닛은, 상기 지지 플레이트에 기판을 내려놓고 상기 지지 플레이트로부터 기판을 들어올리는 복수개의 리프트 핀을 더 포함하고, 상기 지지 플레이트에는 상기 리프트 핀이 관통되어 승강되도록 핀 홀이 형성되고, 상기 유로는 상기 핀 홀 및 상기 측면을 연결한다.
상기 유로는, 상기 지지 플레이트의 중앙 영역에 링 형상으로 제공되는 제 1 유로와; 상기 제 1 유로 및 상기 만입부를 연결하는 제 2 유로를 포함하되, 상기 제 1 유로는 상부에서 바라볼 때, 상기 핀 홀과 중첩되게 형성될 수 있다.
상기 유로의 측면은 아래로 갈수록 내측으로 경사진다.
상기 온도 조절 부재는, 상기 지지 플레이트에 제공되고 상기 지지 플레이트에 지지된 기판을 냉각시키는 냉각 부재를 포함할 수 있다.
상기 열처리 유닛은 상기 냉각 플레이트 상부에 위치하는 버퍼 플레이트를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 본 발명의 장치는 판을 들어올리는 경우, 진동을 최소화할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 본 발명의 장치는 기판을 안정적으로 안착시킬 수 있다.
도 1은 일반적인 냉각 플레이트를 보여주는 사시도이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다.
도 3은 도 2의 기판 처리 장치를 A-A 방향에서 바라본 도면이다.
도 4는 도 2의 기판 처리 장치를 B-B 방향에서 바라본 도면이다.
도 5는 도 2의 버퍼 유닛을 보여주는 사시도이다.
도 6은 도 5의 기판 지지 유닛, 버퍼 플레이트 및 지지축을 보여주는 사시도이다.
도 7은 도 5의 기판 지지 유닛, 버퍼 플레이트 및 지지축을 보여주는 단면도이다.
도 8은 도 5의 지지 플레이트를 상부에서 바라본 도면이다.
도 9는 도 8의 유로를 접선 방향으로부터 바라본 단면도이다.
도 10은 도 8의 다른 실시 예에 따른 유로를 접선 방향으로부터 바라본 단면도이다.
도 11은 도 8의 만입부를 보여주는 사시도이다.
도 12는 도 2의 가열 유닛을 보여주는 단면도이다.
도 13은 도 12의 기판 지지 유닛을 상부에서 바라본 도면이다.
도 14는 도 13의 만입부를 보여주는 사시도이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다.
도 3은 도 2의 기판 처리 장치를 A-A 방향에서 바라본 도면이다.
도 4는 도 2의 기판 처리 장치를 B-B 방향에서 바라본 도면이다.
도 5는 도 2의 버퍼 유닛을 보여주는 사시도이다.
도 6은 도 5의 기판 지지 유닛, 버퍼 플레이트 및 지지축을 보여주는 사시도이다.
도 7은 도 5의 기판 지지 유닛, 버퍼 플레이트 및 지지축을 보여주는 단면도이다.
도 8은 도 5의 지지 플레이트를 상부에서 바라본 도면이다.
도 9는 도 8의 유로를 접선 방향으로부터 바라본 단면도이다.
도 10은 도 8의 다른 실시 예에 따른 유로를 접선 방향으로부터 바라본 단면도이다.
도 11은 도 8의 만입부를 보여주는 사시도이다.
도 12는 도 2의 가열 유닛을 보여주는 단면도이다.
도 13은 도 12의 기판 지지 유닛을 상부에서 바라본 도면이다.
도 14는 도 13의 만입부를 보여주는 사시도이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
본 실시 예의 장치는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 수행하는 데 사용된다. 특히, 본 실시 예의 장치는 기판에 대해 도포 공정, 현상 공정을 수행하는 데 사용된다. 아래에서는 기판으로 웨이퍼가 사용된 경우를 예로 들어 설명한다. 아래에서는 기판으로 웨이퍼가 사용된 경우를 예로 들어 설명한다.
도 2 내지 도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치(1)를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 2는 기판 처리 장치(1)를 상부에서 바라본 도면이고, 도 3은 도 2의 기판 처리 장치(1)를 A-A 방향에서 바라본 도면이고, 도 4는 도 2의 기판 처리 장치(1)를 B-B 방향에서 바라본 도면이다.
도 2 내지 도 4를 참고하면, 기판 처리 장치(1)는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200) 및 처리 모듈을 포함한다. 처리 모듈은 기판을 처리하는 공정을 수행한다. 처리 모듈은 열처리 유닛을 포함한다. 열처리 유닛은 기판을 열처리 한다. 일 실시 예에 따르면, 열처리 유닛은 이하 설명될, 가열 유닛(800, 472), 냉각 유닛(422, 471) 및 버퍼 유닛(500)에 대응될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 처리 모듈은 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400) 및 인터페이스 모듈(700)을 포함한다. 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400) 그리고 인터페이스 모듈(700)은 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치된다.
이하, 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 그리고 인터페이스 모듈(700)이 배치된 방향을 제 1 방향(12)이라 한다. 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)이라 하고, 제 1 방향(12) 및 제 2 방향(14)과 각각 수직한 방향을 제 3 방향(16)이라 한다.
웨이퍼(W)는 카세트(20) 내에 수납된 상태로 이동된다. 카세트(20)에는 다수의 기판들이 수용될 수 있다. 카세트(20)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가진다. 일 예로 카세트(20)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다.
이하에서는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400) 그리고 인터페이스 모듈(700)에 대해 설명한다.
로드 포트(100)는 웨이퍼들(W)이 수납된 카세트(20)가 놓여지는 재치대(120)를 가진다. 재치대(120)는 복수개가 제공되며, 재치대들(120)은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 2에서는 4개의 재치대(120)가 제공된다.
인덱스 모듈(200)은 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인 카세트(20)와 처리 모듈 간에 기판을 반송한다. 일 실시 예에 따르면, 인덱스 모듈(200)은 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인 카세트(20)와 버퍼 모듈(300) 간에 웨이퍼(W)를 이송한다. 인덱스 모듈(200)은 프레임(210), 인덱스 로봇(220), 그리고 가이드 레일(230)을 포함한다. 프레임(210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 로드 포트(100)와 버퍼 모듈(300) 사이에 배치된다. 인덱스 모듈(200)의 프레임(210)은 후술하는 버퍼 모듈(300)의 프레임(310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(220)과 가이드 레일(230)은 프레임(210) 내에 배치된다. 인덱스 로봇(220)은 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인 카세트(20)와 버퍼 모듈(300) 간에 웨이퍼(W)를 이송한다. 인덱스 로봇(220)은 웨이퍼(W)를 직접 핸들링하는 핸드(221)가 제 1 방향(12), 제 2 방향(14), 제 3 방향(16)으로 이동 가능하고 회전될 수 있도록 4축 구동이 가능한 구조이다. 인덱스 로봇(220)은 핸드(221), 아암(222), 지지대(223), 그리고 받침대(224)를 포함한다. 핸드(221)는 아암(222)에 고정 설치된다. 아암(222)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 지지대(223)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 아암(222)은 지지대(223)를 따라 이동 가능하도록 지지대(223)에 결합된다. 지지대(223)는 받침대(224)에 고정 결합된다. 가이드 레일(230)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)을 따라 배치되도록 제공된다. 받침대(224)는 가이드 레일(230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(230)에 결합된다. 또한, 도시되지는 않았지만, 프레임(210)에는 카세트(20)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공된다.
버퍼 모듈(300)은 프레임(310), 버퍼 유닛(500), 그리고 버퍼 로봇(360)을 포함한다.
프레임(310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 인덱스 모듈(200)과 도포 및 현상 모듈(400) 사이에 배치된다.
도 5는 도 2의 버퍼 유닛(500)을 보여주는 사시도이다. 도 5를 참조하면, 버퍼 유닛(500)은 기판(W)의 공정 처리 전과 공정 처리 후에 기판(W)을 일시적으로 보관할 수 있다. 버퍼 유닛(500)은 복수 개로 제공되며, 도포 모듈 및 현상 모듈 각각에 대응되게 위치될 수 있다. 예를 들면, 버퍼 유닛(500)은 2 개일 수 있다. 버퍼 유닛(500)은 하우징(510), 기판 지지 유닛(520), 온도 조절 부재(530), 버퍼 플레이트(540) 및 지지축(550)을 포함한다.
하우징(510)은 내부에 공간을 가진다. 하우징(510)의 내부 공간은 기판이 일시적으로 보관되는 공간으로 기능한다. 하우징(510)은 대체로 직육면체 형상을 가진다. 하우징은 프레임(310) 내부에 위치된다. 하우징(510)은 인덱스 모듈(200)과 인접하게 위치한다. 하우징(510)은 양 측부가 개방된다. 일 예로 하우징(510)은 개방된 양측부는 서로 대향되게 위치되며, 이 중 하나는 인덱스 모듈(200)을 향하도록 제공된다. 하우징(510)의 개방된 양측부는 기판(W)이 출입하는 입구로 기능한다.
하우징(510)의 내부에는 받침대(513)가 제공된다. 받침대(513)는 직사각의 판으로 제공될 수 있다. 받침대(513)는 복수 개가 제공될 수 있다. 각각의 받침대(513)는 상하 방향으로 서로 이격되게 위치한다. 이에 따라 하우징(510)의 내부 공간은 상하 방향으로 구획된다. 각각의 받침대(513)에는 복수의 플레이트들(521, 540)이 위치된다. 일 예로 받침대(513)는 3 개가 제공된다. 선택적으로 받침대(513)는 2 개 이하 또는 4 개 이상으로 제공될 수 있다.
도 6은 도 5의 기판 지지 유닛(520), 버퍼 플레이트(540) 및 지지축(550)을 보여주는 사시도이고, 도 7은 도 5의 기판 지지 유닛(520), 버퍼 플레이트(540) 및 지지축(550)을 보여주는 단면도이다. 도 6 및 도 7을 참조하면, 버퍼 플레이트(540) 및 지지 플레이트(521)는 구획된 하우징(510)의 내부 공간에 각각 위치된다. 버퍼 플레이트(540) 및 지지 플레이트(521)는 상하 방향을 따라 서로 이격되게 위치된다. 버퍼 플레이트(540) 및 지지 플레이트(521)는 위에서 아래를 향하는 방향을 따라 순차적으로 위치된다. 일 예에 의하면, 지지 플레이트(521)는 복수 개로 제공되며, 버퍼 플레이트(540) 및 복수의 지지 플레이트(521)는 순차적으로 나열될 수 있다. 선택적으로 버퍼 플레이트(540)는 복수 개로 제공될 수 있다. 버퍼 플레이트(540) 및 지지 플레이트(521) 각각은 원형의 판 형상으로 제공될 수 있다.
기판 지지 유닛(520)은 하우징(510)의 공간에서 기판을 지지한다. 기판 지지 유닛(520)은 지지 플레이트(521) 및 리프트 핀(522)을 포함한다.
복수 개의 지지 플레이트(521)는 받침대(513)와 버퍼 플레이트(540) 사이에 위치된다. 복수 개의 지지 플레이트(530)는 상하 방향을 따라 서로 이격되게 위치된다. 복수 개의 지지 플레이트(530)는 서로 인접하도록 적층되게 위치된다. 지지 플레이트(521)는 상면에 웨이퍼(W)가 안착된다.
도 8은 도 5의 지지 플레이트(521)를 상부에서 바라본 도면이다. 도 8을 참조하면, 일 실시 예에 따르면, 지지 플레이트(521)의 상면에는 지지 플레이트(521)의 중앙 영역 및 지지 플레이트(521)의 측면을 연결하는 유로(521a)가 형성된다. 유로(521a)는 지지 플레이트(521)의 상면으로부터 아래 방향으로 만입되게 제공된다. 지지 플레이트(521)에는 리프트 핀(522)이 관통되어 승강되는 복수개의 핀 홀(521c)이 형성된다. 유로(521a)는 핀 홀(521c) 및 지지 플레이트(521)의 측면을 연결하도록 제공된다. 예를 들면, 유로(521a)는 제 1 유로(1521a) 및 제 2 유로(2521a)를 포함한다. 제 1 유로(1521a)는 지지 플레이트(521)의 중앙 영역에 링 형상으로 제공된다. 제 2 유로(2521a)는 제 1 유로(1521a) 및 만입부(521b)를 연결한다. 제 1 유로(1521a)는 상부에서 바라볼 때, 핀 홀(521c)과 중첩되게 제공된다. 제 2 유로(2521a)는 양 끝단이 제 1 유로(1521a) 및 만입부(521b)에 각각 연결된 직선 형상으로 제공될 수 있다. 제 2 유로(2521a)는 지지 플레이트(521)의 둘레 방향을 따라 복수개가 이격되게 제공될 수 있다.
도 9는 도 8의 유로(521a)를 접선 방향으로부터 바라본 단면도이다. 도 9를 참조하면, 유로(521a)의 측면은 아래로 갈수록 내측으로 경사지게 제공된다. 예를 들면, 유로(521a)는 유로(521a)의 접선방향으로부터 바라본 단면이 아랫변이 윗변보다 좁은 사다리꼴로 제공될 수 있다.
도 10은 도 8의 다른 실시 예에 따른 유로(521a)를 접선 방향으로부터 바라본 단면도이다. 도 9의 경우와 달리, 유로(521a)는 유로(521a)의 접선방향으로부터 바라본 단면이 V형상으로 제공될 수 잇다.
상술한 바와 같이, 유로(521a)의 측면이 아래로 갈수록 내측으로 경사지게 제공됨으로써, 유로(521a)의 측면이 수직으로 제공되는 경우에 비해 유로의 측면과 기판 간의 거리를 보다 인접하게 제공할 수 있고, 기판과 지지 플레이트(521)의 사이 공간에 제공되는 기체에 비해 열전달율이 높은 지지 플레이트(521)의 면적을 넓힐 수 있다. 따라서, 유로(521a)를 제공함에 따라 발생될 수 있는 기판과 지지 플레이트(521) 간의 열전달율이 저하되는 것을 방지한다.
도 11은 도 8의 만입부(521b)를 보여주는 사시도이다. 도 8 및 도 11 을 참조하면, 지지 플레이트(521)의 가장자리 영역에는 측면으로부터 내측으로 만입된 만입부(521b)가 형성된다. 만입부(521b)는 유로(521a)의 일단과 연통된다. 상부에서 바라볼 때, 만입부(521b)의 너비는 유로의 너비보다 넓게 제공된다. 만입부(521b)의 상하 방향의 길이는 유로(521a)의 깊이보다 길게 제공된다. 예를 들면, 만입부(521b)는 지지 플레이트(521)의 상면 및 저면을 관통하도록 제공될 수 있다. 만입부(521b)는 상부에서 바라볼 때, 내측 끝단이 지지 플레이트(521)에 놓인 기판(W)의 가장자리 영역과 중첩되게 제공된다. 따라서, 유로(521a)의 외부 간에 기체가 드나드는 끝단의 면적이 넓어지고, 유로(521a)의 길이가 만입부(521b)가 제공되지 않는 경우에 비해 짧아짐으로써, 유로(521a)를 지나는 기체의 흐름이 보다 용이할 수 있다.
만입부(521b)는 지지 플레이트(521)의 측면을 따라 복수개가 서로 이격되게 제공될 수 있다. 만입부(521b)는 제 2 유로(2521a)와 대응되는 수로 제공된다.
지지 플레이트(521)의 상면에는 지지 돌기(521d)가 제공될 수 있다. 지지 돌기(521d)는 지지 플레이트(521)에 안착된 기판이 지지 플레이트(521)의 상면에 직접 접촉되는 것을 방지한다.
다시 도 6 및 도 7을 참조하면, 리프트 핀(522)은 지지 플레이트(521)에 기판을 내려놓고, 지지 플레이트(521)로부터 기판을 들어올린다. 하나의 지지 플레이트(521)에 대해 리프트 핀(522)은 복수개로 제공된다. 예를 들면, 리프트 핀(522)은 기판(W)을 안정적으로 지지하기 위해 최소한 3개 이상으로 제공된다. 리프트 핀(522)은 핀 홀(521c)과 일대일 대응되는 개수로 제공된다. 각각의 지지 플레이트(521)에 대응되는 리프트 핀(522)은 서로 독립적으로 승강 이동할 수 있다.
온도 조절 부재(530)는 지지 플레이트(521)에 지지된 기판의 온도를 조절한다. 일 실시 예에 따르면, 온도 조절 부재(530)는 지지 플레이트(521)에 지지된 웨이퍼를 냉각시키는 냉각 부재를 포함할 수 있다. 예를 들면, 온도 조절 부재(530)는 지지 플레이트(521)의 내부에 형성되고 냉각 유체가 흐르는 냉각 유로(531)로 제공된다. 냉각 유로(531)는 단일의 유로로 제공된다. 상부에서 바라볼 때, 냉각 유로(531)는 지지 플레이트(521)에 동심원 형상으로 제공될 수 있다. 일 예로 냉각 유로(531)는 3개의 원형으로 제공될 수 있다. 각각의 원형의 냉각 유로(531)는 동심원 형상을 이루며, 일정 거리 이격되어 제공될 수 있다. 예컨대, 냉각 유체는 냉각수로 제공될 수 있다.
버퍼 플레이트(540)는 지지 플레이트(521)의 상부에 위치된다. 버퍼 플레이트(540)는 인덱스 모듈(200)과 도포 및 현상 모듈(400) 간에 반송되는 기판(W)이 일시 보관되도록 기판(W)을 지지한다. 따라서 인덱스 모듈(200)은 카세트(20)에 수용된 기판(W)을 버퍼 플레이트(540)로 반송하고, 버퍼 플레이트(540)에 안착된 기판(W)을 카세트(20)로 반송한다. 버퍼 플레이트(540)는 원형의 판 형상을 가지도록 제공된다. 버퍼 플레이트(540)에는 복수 개의 지지 핀(542)이 제공된다. 지지핀(542)은 버퍼 플레이트(540)의 상면으로 위로 돌출되게 제공된다. 지지핀(522)의 상단에는 기판(W)이 안착될 수 있다.
지지축(550)은 버퍼 플레이트(540) 및 지지 플레이트(521)를 지지한다. 지지축(550)은 복수 개의 지지 블럭들(550)(550a 내지 550e, 이하, 550)을 포함한다. 지지 블럭들(550)은 서로 적층되게 위치된다. 지지 블럭(550)은 직육면체 형상의 블럭으로 제공된다. 지지 블럭(550)은 하나의 지지 플레이트(521)를 지지한다. 각각의 지지 블럭(550)의 상면에는 각 지지 플레이트(521)가 고정 결합될 수 있다. 버퍼 플레이트(540)는 별도의 지지대에 의해 지지될 수 있다. 지지 블럭(550)에는 분배 유로(554)가 제공된다. 공급 유로(566)는 냉각 유로(531)에 연통되게 제공된다. 분배 유로(554)는 공급 유로(566) 및 회수 유로(568)와 연결된다. 여기서 공급 유로(566)는 냉각 유로(531)에 냉각 유체가 공급되도록 분배 유로(554)에 연결되는 유로다. 회수 유로(568)는 냉각 유로(531)에 제공된 냉각 유체가 회수되도록 분배 유로(554)에 연결되는 유로다.
냉각 유체는 공급 유로(566)를 통해 냉각 유로(531)로 공급되어 회수 유로(568)로 회수된다. 공급 유로(566)에는 온도 조절기(574)가 설치된다. 온도 조절기(574)는 냉각 유체를 냉각시킨다.
다시 도 2 내지 도 4를 참조하면, 버퍼 로봇(360)은 높이가 상이한 하우징(510)에 위치된 플레이트(521, 540) 간에 기판(W)을 이송시킨다. 버퍼 로봇(360)은 핸드(361), 아암(362), 그리고 지지대(363)를 포함한다. 핸드(361)는 아암(362)에 고정 설치된다. 아암(362)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(361)가 제2방향(14)을 따라 이동 가능하도록 한다. 아암(362)은 지지대(363)를 따라 제3방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(363)에 결합된다. 지지대(363)는 제 2 버퍼(330)에 대응되는 위치부터 제 1 버퍼(320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가진다. 지지대(363)는 이보다 상부 또는 하부 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 버퍼 로봇(360)은 핸드(361)가 제2방향(14) 및 제3방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다.
도포 및 현상 모듈(400)은 노광 공정 전에 웨이퍼(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 공정 및 노광 공정 후에 웨이퍼(W)를 현상하는 공정을 수행한다. 도포 및 현상 모듈(400)은 대체로 직육면체의 형상을 가진다. 도포 및 현상 모듈(400)은 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)을 가진다. 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 도포 모듈(401)은 현상 모듈(402)의 상부에 위치된다.
도포 모듈(401)은 웨이퍼(W)에 대해 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정 및 레지스트 도포 공정 전후에 웨이퍼(W)에 대해 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 도포 모듈(401)은 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)를 가진다. 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 레지스트 도포 챔버(410)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 베이크 챔버(420)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다.
반송 챔버(430)는 버퍼 모듈(300)의 버퍼 유닛(500)과 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(430) 내에는 도포부 로봇(432)과 가이드 레일(433)이 위치된다. 반송 챔버(430)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 도포부 로봇(432)은 베이크 챔버들(420), 레지스트 도포 챔버들(410), 그리고 버퍼 모듈(300)의 버퍼 유닛(500)간에 웨이퍼(W)를 이송한다. 가이드 레일(433)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(433)은 도포부 로봇(432)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 도포부 로봇(432)은 핸드(434), 아암(435), 지지대(436), 그리고 받침대(437)를 가진다. 핸드(434)는 아암(435)에 고정 설치된다. 아암(435)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(434)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(436)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(435)은 지지대(436)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(436)에 결합된다. 지지대(436)는 받침대(437)에 고정 결합되고, 받침대(437)는 가이드 레일(433)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(433)에 결합된다.
레지스트 도포 챔버들(410)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 레지스트 도포 챔버(410)에서 사용되는 포토 레지스트의 종류는 서로 상이할 수 있다. 일 예로서 포토 레지스트로는 화학 증폭형 레지스트(chemical amplification resist)가 사용될 수 있다. 레지스트 도포 챔버(410)는 웨이퍼(W) 상에 포토 레지스트를 도포한다. 레지스트 도포 챔버(410)는 하우징(411), 지지 플레이트(412), 그리고 노즐(413)을 가진다. 하우징(411)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(412)는 하우징(411) 내에 위치되며, 웨이퍼(W)를 지지한다. 지지 플레이트(412)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(413)은 지지 플레이트(412)에 놓인 웨이퍼(W) 상으로 포토 레지스트를 공급한다. 노즐(413)은 원형의 관 형상을 가지고, 웨이퍼(W)의 중심으로 포토 레지스트를 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(413)은 웨이퍼(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(413)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 추가적으로 레지스트 도포 챔버(410)에는 포토 레지스트가 도포된 웨이퍼(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(414)이 더 제공될 수 있다.
베이크 챔버(420)는 웨이퍼(W)를 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(420)은 포토 레지스트를 도포하기 전에 웨이퍼(W)를 소정의 온도로 가열하여 웨이퍼(W) 표면의 유기물이나 수분을 제거하는 프리 베이크(prebake) 공정이나 포토레지스트를 웨이퍼(W) 상에 도포한 후에 행하는 소프트 베이크(soft bake) 공정 등을 수행하고, 각각의 가열 공정 이후에 웨이퍼(W)를 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다.
각각의 베이크 챔버(420)는 가열 유닛(800) 또는 냉각 유닛(422)을 가진다. 베이크 챔버(420)들 중 일부는 가열 유닛(800)만을 구비하고, 다른 일부는 냉각 유닛(422)만을 구비할 수 있다. 선택적으로 가열 유닛(800)과 냉각 유닛(422)는 하나의 베이크 챔버(420) 내에 각각 제공될 수 있다.
가열 유닛(800)은 웨이퍼(W)를 가열 처리한다. 도 12는 도 2의 가열 유닛(800)을 보여주는 단면도이다. 도 12를 참고하면, 가열 유닛(800)은 하우징(810), 기판 지지 유닛(820), 온도 조절 부재(830), 커버(840), 구동 부재(860) 그리고 배기 유닛(870)을 포함한다.
하우징(810)은 베이크 챔버(420) 내에 위치된다. 하우징(810)은 내부에 웨이퍼(W)를 가열 처리하는 처리 공간(812)을 제공한다. 하우징(810)은 상부가 개방된 통 형상을 가지도록 제공된다.
도 13은 도 12의 기판 지지 유닛을 상부에서 바라본 도면이다. 도 14는 도 13의 만입부(821b)를 보여주는 사시도이다. 도 12 내지 도 14를 참조하면, 기판 지지 유닛(820)은 처리 공간(812)에서 기판을 지지한다. 기판 지지 유닛(820)은 지지 플레이트(821) 및 리프트 핀(822)을 포함한다.
지지 플레이트(821)는 원형의 판 형상으로 제공된다. 지지 플레이트(821)의 상면은 웨이퍼(W)가 놓이는 지지 영역으로 제공된다. 지지 플레이트(821)의 상면에는 유로(821a)가 형성된다. 지지 플레이트(821)의 가장자리 영역에는 측면으로부터 내측으로 만입된 만입부(821b)가 형성된다. 지지 플레이트(821)에는 복수개의 핀 홀(821c)이 형성된다. 각각의 핀 홀(821c)에는 웨이퍼(W)를 지지 플레이트(821)의 상면에 안착시키고, 웨이퍼(W)를 지지 플레이트(821)의 상면으로부터 들어올리는 리프트 핀(822)이 제공된다. 리프트 핀(822)은 상하 방향으로 이동되도록 제공된다.
유로(821a), 만입부(821b) 및 핀 홀(821c)의 구성, 형상 및 구조는 도 8 내지 도 11의 유로(521a), 만입부(521b) 및 핀 홀(521c)과 대체로 동일하게 제공된다. 다만, 만입부(821b)는 도 11의 만입부(521b)와 달리, 지지 플레이트(821)의 형상에 따라 선택적으로, 지지 플레이트(821)의 상면으로부터 아래 방향으로 만입된 형상으로 제공될 수 있다.
온도 조절 부재(830)는 지지 플레이트(821)에 지지된 기판의 온도를 조절한다. 일 실시 예에 따르면, 온도 조절 부재(830)는 지지 플레이트(821)에 지지된 웨이퍼(W)를 가열하는 가열 부재를 포함할 수 있다. 예를 들면, 온도 조절 부재(830)는 복수 개의 히터(831)를 포함한다. 각각의 히터(831)는 지지 플레이트(821)의 내부에 위치된다. 각각의 히터(831)는 동일 평면 상에 위치된다. 각각의 히터(831)는 지지 플레이트(820)의 서로 상이한 영역을 가열한다. 각 히터(831)에 대응되는 지지 플레이트(821)의 영역들은 히팅존들로 제공된다. 예컨대, 히터(831)는 열전 소자 또는 열선일 수 있다.
다시 도 12를 참조하면, 커버(840)는 하우징(810)의 처리 공간(812)을 개폐한다. 커버(840)는 바디(842) 및 지지대(844)를 포함한다. 바디(842)는 하우징(810)에 탈착 가능하도록 제공된다. 바디(842)는 하우징(810)에 장착되어 처리 공간(812)을 외부로부터 차단할 수 있다. 바디(842)는 원형의 판 형상을 가지도록 제공된다.
바디(842)에는 배기홀(843)이 형성된다. 배기홀(843)은 바디(842)의 중심축과 대응되게 형성된다. 배기홀(843)에는 후술하는 배기관(871)이 연결된다. 처리 공간(812)의 분위기 및 처리 공간(812)에서 발생된 파티클 등은 배기홀(843) 및 배기관(871)을 통해 외부로 배기된다.
지지대(844)는 바디(842)가 구동 부재(860)에 장착되도록 바디(842)를 지지한다. 지지대(844)는 바디(842)의 일측 가장자리 영역을 지지한다. 지지대(844)는 바디(842)의 일측 가장자리 영역으로부터 길게 연장된다.
구동 부재(860)는 커버(840)를 승강 이동시킨다. 구동 부재(860)는 커버(840)를 차단 위치 및 개방 위치로 이동시킨다. 여기서 차단 위치는 하우징(810)의 처리 공간(812)이 외부로부터 차단되도록 커버(840)가 하우징(810)에 장착되는 위치이다. 개방 위치는 하우징(810)의 처리 공간(812)이 외부와 통하도록 커버(840)가 하우징(810)으로부터 탈착되는 위치이다. 일 예에 의하면, 개방 위치에 위치된 커버(840)는 차단 위치에 위치된 커버(840)보다 높게 위치될 수 있다.
냉각 유닛(422)은 기판을 냉각시킨다. 냉각 유닛(422)의 기판을 지지 하는 기판 지지 유닛의 구성, 구조, 형상 및 기능 등은 가열 유닛(800)과 대체로 동일하게 제공된다. 다만, 온도 조절 부재는 기판을 냉각 시키는 냉각 부재를 포함하도록 제공된다. 예를 들면, 냉각 수단은 냉각수 또는 열전 소자로 제공될 수 있다.
다시 도 2 내지 도 4를 참고하면, 현상 모듈(402)은 웨이퍼(W) 상에 패턴을 얻기 위해 현상액을 공급하여 포토 레지스트의 일부를 제거하는 현상 공정, 및 현상 공정 전후에 웨이퍼(W)에 대해 수행되는 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 현상모듈(402)은 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)를 가진다. 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 현상 챔버(460)와 베이크 챔버(470)는 반송 챔버(480)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 현상 챔버(460)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 베이크 챔버(470)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다.
반송 챔버(480)는 버퍼 모듈(300)의 버퍼 유닛(500)과 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(480) 내에는 현상부 로봇(482)과 가이드 레일(483)이 위치된다. 반송 챔버(480)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 현상부 로봇(482)은 베이크 챔버들(470), 현상 챔버들(460), 그리고 버퍼 모듈(300)의 버퍼 유닛(500)과 냉각 챔버(350) 간에 웨이퍼(W)를 이송한다. 가이드 레일(483)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(483)은 현상부 로봇(482)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 현상부 로봇(482)은 핸드(484), 아암(485), 지지대(486), 그리고 받침대(487)를 가진다. 핸드(484)는 아암(485)에 고정 설치된다. 아암(485)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(484)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(486)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(485)은 지지대(486)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(486)에 결합된다. 지지대(486)는 받침대(487)에 고정 결합된다. 받침대(487)는 가이드 레일(483)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(483)에 결합된다.
현상 챔버들(460)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 현상 챔버(460)에서 사용되는 현상액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 현상 챔버(460)는 웨이퍼(W) 상의 포토 레지스트 중 광이 조사된 영역을 제거한다. 이때, 보호막 중 광이 조사된 영역도 같이 제거된다. 선택적으로 사용되는 포토 레지스트의 종류에 따라 포토 레지스트 및 보호막의 영역들 중 광이 조사되지 않은 영역만이 제거될 수 있다.
현상 챔버(460)는 하우징(461), 지지 플레이트(462), 그리고 노즐(463)을 가진다. 하우징(461)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(462)는 하우징(461) 내에 위치되며, 웨이퍼(W)를 지지한다. 지지 플레이트(462)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(463)은 지지 플레이트(462)에 놓인 웨이퍼(W) 상으로 현상액을 공급한다. 노즐(463)은 원형의 관 형상을 가지고, 웨이퍼(W)의 중심으로 현상액 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(463)은 웨이퍼(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(463)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 현상 챔버(460)에는 추가적으로 현상액이 공급된 웨이퍼(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(464)이 더 제공될 수 있다.
현상모듈(402)의 베이크 챔버(470)는 웨이퍼(W)를 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(470)은 현상 공정이 수행되기 전에 웨이퍼(W)를 가열하는 포스트 베이크 공정 및 현상 공정이 수행된 후에 웨이퍼(W)를 가열하는 하드 베이크 공정 및 각각의 베이크 공정 이후에 가열된 웨이퍼를 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(470)는 냉각 유닛(471) 또는 가열 유닛(472)를 가진다. 냉각 유닛(471) 및 가열 유닛(472)은 각각 냉각 유닛(422) 및 가열 유닛(800)과 유사한 구성, 구조, 형상 및 기능을 가질 수 있다. 베이크 챔버(470)들 중 일부는 냉각 유닛(471)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 유닛(472)만을 구비할 수 있다. 선택적으로 냉각 유닛(471)과 가열 유닛(472)은 하나의 베이크 챔버(470) 내에 제공될 수 있다. 그 외 현상 모듈(402)의 베이크 챔버(470)의 구성들은 도포 모듈(401)의 베이크 챔버와 유사한 구성을 가지므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.
상술한 도포 및 현상 모듈(400)에서 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 분리되도록 제공될 수 있다. 또한, 상부에서 바라볼 때 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 동일한 챔버 배치를 가질 수 있다.
인터페이스 모듈(700)은 웨이퍼(W)를 이송한다. 인터페이스 모듈(700)은 프레임(710), 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)를 포함한다. 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)은 프레임(710) 내에 위치된다. 제 1 버퍼(720)와 제 2 버퍼(730)는 서로 간에 일정거리 이격되며, 서로 적층되게 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 제 2 버퍼(730)보다 높게 배치된다.
인터페이스 모듈(700)은 기판(W)을 이송한다. 인터페이스 모듈(700)은 프레임(710), 버퍼 유닛(500), 그리고 인터페이스 로봇(740)를 포함한다. 버퍼 유닛(500), 그리고 인터페이스 로봇(740)은 프레임(710) 내에 위치된다.
인터페이스 로봇(740)은 버퍼 유닛(500)와 제2방향(14)으로 이격되게 위치된다. 인터페이스 로봇(740)은 버퍼 유닛(500), 그리고 노광 모듈(900) 간에 기판(W)을 운반한다.
버퍼 유닛(500)는 공정이 수행된 기판(W)들이 노광 모듈(900)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 인터페이스 모듈(900)에 버퍼 유닛(500)은 버퍼 모듈(300)의 버퍼 유닛(500)과 대체로 동일하게 제공된다.
이상의 상세한 설명은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 기판에 대해 베이크 공정을 수행하는 장치 및 기판이 임시로 머무는 버퍼 모듈을 예를 들어 설명하였다. 그러나, 본 발명은 상술한 예에 한정되지 않으며, 기판이 처리되는 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 모든 장치에 적용 가능하다.
상술한 바와 같이, 기판을 지지하는 기판 지지 유닛에 유로 및 만입부를 제공함으로써, 기판과 지지 플레이트 사이의 기체의 흐름을 원활하게 하여, 본 발명의 장치는 기판을 들어올리는 경우, 진동을 최소화할 수 있고, 기판을 안정적으로 안착시킬 수 있다.
1: 기판 처리 장치 500: 버퍼 유닛
510: 하우징 520: 기판 지지 유닛
521: 지지 플레이트 521a: 유로
521b: 만입부 521c: 핀 홀
522: 리프트 핀 530: 온도 조절 부재
540: 버퍼 플레이트 800: 가열 유닛
810: 하우징 820: 기판 지지 유닛
821: 지지 플레이트 821a: 유로
821b: 만입부 821c: 핀 홀
822: 리프트 핀 830: 온도 조절 부재
510: 하우징 520: 기판 지지 유닛
521: 지지 플레이트 521a: 유로
521b: 만입부 521c: 핀 홀
522: 리프트 핀 530: 온도 조절 부재
540: 버퍼 플레이트 800: 가열 유닛
810: 하우징 820: 기판 지지 유닛
821: 지지 플레이트 821a: 유로
821b: 만입부 821c: 핀 홀
822: 리프트 핀 830: 온도 조절 부재
Claims (20)
- 기판을 지지하는 기판 지지 유닛에 있어서,
기판이 안착되는 지지 플레이트를 포함하되,
상기 지지 플레이트는,
상면에 중앙 영역 및 측면을 연결하는 유로가 형성되고,
가장자리 영역에 측면으로부터 내측으로 만입되는 만입부가 형성되며,
상기 유로와 상기 만입부는 상기 지지 플레이트의 상면으로부터 아래 방향으로 만입되게 제공되고,
상기 만입부는 상기 유로의 일단과 연통되고,
상부에서 바라볼 때, 상기 만입부의 너비는 상기 유로의 너비보다 넓게 제공되고,
상기 만입부의 상하 방향의 길이는 상기 유로의 깊이보다 길게 제공되고,
상기 만입부는 상부에서 바라볼 때, 내측 끝단이 상기 지지 플레이트에 놓인 기판의 가장자리 영역과 중첩되게 제공되는 기판 지지 유닛. - 삭제
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,
상기 기판 지지 유닛은, 상기 지지 플레이트에 기판을 내려놓고 상기 지지 플레이트로부터 기판을 들어올리는 복수개의 리프트 핀을 더 포함하고,
상기 지지 플레이트에는 상기 리프트 핀이 관통되어 승강되도록 핀 홀이 형성되고,
상기 유로는 상기 핀 홀 및 상기 측면을 연결하는 기판 지지 유닛. - 제 4 항에 있어서,
상기 유로는,
상기 지지 플레이트의 중앙 영역에 링 형상으로 제공되는 제 1 유로와;
상기 제 1 유로 및 상기 만입부를 연결하는 제 2 유로를 포함하되,
상기 제 1 유로는 상부에서 바라볼 때, 상기 핀 홀과 중첩되게 형성되는 기판 지지 유닛. - 기판을 열처리하는 열처리 유닛에 있어서,
내부에 공간을 제공하는 하우징과;
상기 공간에서 기판을 지지하고, 기판이 안착되는 지지 플레이트를 가지는 기판 지지 유닛과;
상기 지지 플레이트에 지지된 기판의 온도를 조절하는 온도 조절 부재를 포함하되,
상기 지지 플레이트는,
상면에 중앙 영역 및 측면을 연결하는 유로가 형성되고,
가장자리 영역에 측면으로부터 내측으로 만입되는 만입부가 형성되며,
상기 유로와 상기 만입부는 상기 지지 플레이트의 상면으로부터 아래 방향으로 만입되게 제공되고,
상기 만입부는 상기 유로의 일단과 연통되고,
상부에서 바라볼 때, 상기 만입부의 너비는 상기 유로의 너비보다 넓게 제공되고,
상기 만입부의 상하 방향의 길이는 상기 유로의 깊이보다 길게 제공되고,
상기 만입부는 상부에서 바라볼 때, 내측 끝단이 상기 지지 플레이트에 놓인 기판의 가장자리 영역과 중첩되게 제공되는 열처리 유닛. - 삭제
- 삭제
- 제 6 항에 있어서,
상기 기판 지지 유닛은, 상기 지지 플레이트에 기판을 내려놓고 상기 지지 플레이트로부터 기판을 들어올리는 복수개의 리프트 핀을 더 포함하고,
상기 지지 플레이트에는 상기 리프트 핀이 관통되어 승강되도록 핀 홀이 형성되고,
상기 유로는 상기 핀 홀 및 상기 측면을 연결하는 열처리 유닛. - 제 9 항에 있어서,
상기 유로는,
상기 지지 플레이트의 중앙 영역에 링 형상으로 제공되는 제 1 유로와;
상기 제 1 유로 및 상기 만입부를 연결하는 제 2 유로를 포함하되,
상기 제 1 유로는 상부에서 바라볼 때, 상기 핀 홀과 중첩되게 형성되는 열처리 유닛. - 제 6 항, 제 9 항 및 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 온도 조절 부재는, 상기 지지 플레이트에 제공되고 상기 지지 플레이트에 지지된 기판을 냉각시키는 냉각 부재를 포함하는 열처리 유닛. - 제 11 항에 있어서,
상기 지지 플레이트 상부에 위치하는 버퍼 플레이트를 더 포함하는 열처리 유닛. - 제 6 항, 제 9 항 및 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 온도 조절 부재는, 상기 지지 플레이트에 제공되고 상기 지지 플레이트에 지지된 기판을 가열시키는 가열 부재를 더 포함하는 열처리 유닛. - 기판을 처리하는 공정을 수행하는 처리 모듈과;
다수의 기판들이 수용된 카세트와 상기 처리 모듈 간에 기판을 반송하는 인덱스 로봇을 포함하는 인덱스 모듈을 포함하되,
상기 처리 모듈은 기판을 열처리하는 열처리 유닛을 포함하고,
상기 열처리 유닛은,
기판을 지지하고, 기판이 안착되는 지지 플레이트를 가지는 기판 지지 유닛과;
상기 지지 플레이트에 지지된 기판의 온도를 조절하는 온도 조절 부재를 포함하되,
상기 지지 플레이트는,
상면에 중앙 영역 및 측면을 연결하는 유로가 형성되고,
가장자리 영역에 측면으로부터 내측으로 만입되는 만입부가 형성되며,
상기 유로와 상기 만입부는 상기 지지 플레이트의 상면으로부터 아래 방향으로 만입되게 제공되고,
상기 만입부는 상기 유로의 일단과 연통되고,
상부에서 바라볼 때, 상기 만입부의 너비는 상기 유로의 너비보다 넓게 제공되고,
상기 만입부의 상하 방향의 길이는 상기 유로의 깊이보다 길게 제공되고,
상기 만입부는 상부에서 바라볼 때, 내측 끝단이 상기 지지 플레이트에 놓인 기판의 가장자리 영역과 중첩되게 제공되는 기판 처리 장치. - 삭제
- 삭제
- 제 14 항에 있어서,
상기 기판 지지 유닛은, 상기 지지 플레이트에 기판을 내려놓고 상기 지지 플레이트로부터 기판을 들어올리는 복수개의 리프트 핀을 더 포함하고,
상기 지지 플레이트에는 상기 리프트 핀이 관통되어 승강되도록 핀 홀이 형성되고,
상기 유로는 상기 핀 홀 및 상기 측면을 연결하는 기판 처리 장치. - 제 17 항에 있어서,
상기 유로는,
상기 지지 플레이트의 중앙 영역에 링 형상으로 제공되는 제 1 유로와;
상기 제 1 유로 및 상기 만입부를 연결하는 제 2 유로를 포함하되,
상기 제 1 유로는 상부에서 바라볼 때, 상기 핀 홀과 중첩되게 형성되는 기판 처리 장치. - 제 14 항, 제 17 항 및 제 18 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 온도 조절 부재는, 상기 지지 플레이트에 제공되고 상기 지지 플레이트에 지지된 기판을 냉각시키는 냉각 부재를 포함하는 기판 처리 장치. - 제 19 항에 있어서,
상기 열처리 유닛은 상기 지지 플레이트 상부에 위치하는 버퍼 플레이트를 더 포함하는 기판 처리 장치.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020180140191A KR102119686B1 (ko) | 2018-11-14 | 2018-11-14 | 기판 지지 유닛, 열처리 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020180140191A KR102119686B1 (ko) | 2018-11-14 | 2018-11-14 | 기판 지지 유닛, 열처리 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020160161125A Division KR102000021B1 (ko) | 2016-11-30 | 2016-11-30 | 기판 지지 유닛, 열처리 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20180125421A KR20180125421A (ko) | 2018-11-23 |
KR102119686B1 true KR102119686B1 (ko) | 2020-06-08 |
Family
ID=64565354
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020180140191A KR102119686B1 (ko) | 2018-11-14 | 2018-11-14 | 기판 지지 유닛, 열처리 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102119686B1 (ko) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102168380B1 (ko) * | 2019-07-18 | 2020-10-21 | 세메스 주식회사 | 냉각 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100711729B1 (ko) | 2005-10-25 | 2007-04-25 | 세메스 주식회사 | 냉각 플레이트 및 베이크 장치 |
JP2015220385A (ja) | 2014-05-20 | 2015-12-07 | 京セラ株式会社 | 試料保持具 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09148417A (ja) * | 1995-11-24 | 1997-06-06 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板熱処理装置 |
KR20060082486A (ko) * | 2005-01-12 | 2006-07-18 | 삼성전자주식회사 | 기판 냉각 장치 |
KR100784389B1 (ko) | 2006-06-22 | 2007-12-11 | 삼성전자주식회사 | 포토 리소그래피 시스템 및 방법 |
JP3180048U (ja) * | 2012-09-20 | 2012-11-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
KR102316618B1 (ko) * | 2014-12-30 | 2021-10-22 | 세메스 주식회사 | 버퍼 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
-
2018
- 2018-11-14 KR KR1020180140191A patent/KR102119686B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100711729B1 (ko) | 2005-10-25 | 2007-04-25 | 세메스 주식회사 | 냉각 플레이트 및 베이크 장치 |
JP2015220385A (ja) | 2014-05-20 | 2015-12-07 | 京セラ株式会社 | 試料保持具 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20180125421A (ko) | 2018-11-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102000021B1 (ko) | 기판 지지 유닛, 열처리 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 | |
US20070048979A1 (en) | Heating apparatus, and coating and developing apparatus | |
KR102514452B1 (ko) | 냉각 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 방법 | |
JP2021072450A (ja) | 支持ユニット、これを含む基板処理装置、及びこれを利用する基板処理方法 | |
KR20210001201A (ko) | 지지 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 | |
KR102099116B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
KR102041318B1 (ko) | 기판 처리 방법 및 장치 | |
KR102119686B1 (ko) | 기판 지지 유닛, 열처리 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 | |
KR20170052333A (ko) | 냉각 유닛, 기판 처리 장치, 그리고 기판 처리 방법 | |
KR102303593B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
KR102319199B1 (ko) | 반송 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
KR102282146B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
KR101935940B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
KR102282145B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
KR20220014475A (ko) | 기판 처리 장치 | |
KR102403200B1 (ko) | 기판 지지 유닛, 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 | |
KR20160081010A (ko) | 베이크 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 방법 | |
KR101776018B1 (ko) | 기판 가열 방법 및 기판 처리 장치 | |
KR101935944B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
KR102081704B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
KR102282147B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
KR102296280B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
KR102319198B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
KR102385266B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
KR102303595B1 (ko) | 지지유닛 및 기판 처리 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A107 | Divisional application of patent | ||
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
AMND | Amendment | ||
X701 | Decision to grant (after re-examination) | ||
GRNT | Written decision to grant |