KR102514452B1 - 냉각 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 방법 - Google Patents

냉각 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 냉각 유닛을 제공한다. 일 예에서, 기판을 냉각하는 냉각 유닛에 있어서, 기판이 놓이는 안착면을 가지는 냉각 플레이트와; 안착면에 배치되어 기판을 지지하는 핀부재와; 안착면에 형성되는 감압홀과; 냉각 플레이트 내에 형성되어 감압홀과 연결되는 감압 유로와; 감압 유로에 감압을 제공하는 감압 부재와; 감압 부재를 제어하는 제어기를 포함하고, 제어기는, 냉각 플레이트에 기판이 놓인 시점으로부터 기 설정 시간이 경과하면 기판과 안착면 사이의 공간을 감압하도록 감압 부재를 제어할 수 있다.

Description

냉각 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 방법{COOLING UNIT, SUBSTRATE TREATING APPARATUS INCLUDING THE SAME, AND SUBSTRATE TREATING METHOD USING THE SAME}
본 발명은 냉각 유닛을 포함하는 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로 기판을 가열한 이후에 냉각하는 베이크 장치 내에 제공되는 냉각 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자를 제조하기 위해서는 세정, 증착, 포토 리소그래피, 에칭, 그리고 이온주입 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 패턴을 형성하기 위해 수행되는 포토 리소그래피 공정은 반도체 소자의 고집적화를 이루는데 중요한 역할을 수행한다.
포토리소그래피 공정은 반도체 기판 상에 포토레지스트 패턴을 형성하기 위해 수행된다. 포토리소그래피 공정은 기판 상에 포토레지스트 막을 형성하는 도포 공정, 포토레지스트 막으로부터 포토레지스트 패턴을 형성하는 노광 공정, 노광 공정에서 광이 조사된 영역 또는 그 반대 영역을 제거하는 현상 공정을 포함하고, 각각의 공정의 전후에는 기판을 가열 및 냉각하는 베이크 공정이 수행된다.
베이크 공정에서 가열 유닛을 통해서 기판을 가열한다. 가열 유닛은 기판이 놓이는 가열 플레이트를 가진다. 하나의 그룹에 속하는 기판들에 대해 공정이 완료되고 다음 그룹에 속하는 기판들에 공정을 진행하기 전, 가열 플레이트의 온도는 상술한 다음 그룹에 속하는 기판들의 공정 조건(예컨대, 가열 온도)에 적합하도록 조절되어야 한다. 가열 플레이트의 온도 상승은 가열 플레이트에 제공되는 열에너지를 증가하여 신속하게 수행할 수 있다. 그러나 가열 플레이트의 온도 하강은 자연 냉각 방식에 의해 이루어지므로 많은 시간이 소요된다. 자연 냉각 방식에 의해 소요되는 시간은 대기 시간에 해당하여 설비의 가동률이 크게 저하된다.
또한, 가열 유닛에서 가열된 기판은 베이크 장치로부터 반출되기 전에 냉각 유닛을 통해 냉각된다. 냉각 유닛은 기판이 놓이는 냉각 플레이트를 가진다. 냉각 플레이트 내부에는 냉각 유로가 제공된다. 다만, 기판과 냉각 플레이트 사이의 거리가 충분히 가깝지 않으면 기판과 냉각 플레이트 간에 열전달이 활발하게 이루어지지 않아 기판이 쉽게 냉각되지 않는 문제가 있다. 그러나, 기판과 냉각 플레이트 사이의 거리를 매우 가깝게 하면 급격한 온도 하강에 의해 열 충격(thermal shock)이 발생하여 기판이 깨지는 문제가 있다.
본 발명은, 냉각 유닛의 냉각 속도를 향상시킬 수 있는 냉각 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하기 위한 것이다.
또한, 본 발명은 기판이 열 충격에 의해 손상되는 것을 방지할 수 있는 냉각 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 냉각 유닛을 제공한다. 일 예에서, 기판을 냉각하는 냉각 유닛에 있어서, 기판이 놓이는 안착면을 가지는 냉각 플레이트와; 안착면에 배치되어 기판을 지지하는 핀부재와; 안착면에 형성되는 감압홀과; 냉각 플레이트 내에 형성되어 감압홀과 연결되는 감압 유로와; 감압 유로에 감압을 제공하는 감압 부재와; 감압 부재를 제어하는 제어기를 포함하고, 제어기는, 냉각 플레이트에 기판이 놓인 시점으로부터 기 설정 시간이 경과하면 기판과 안착면 사이의 공간을 감압하도록 감압 부재를 제어할 수 있다.
일 예에서, 냉각 플레이트 내에 냉각 유로가 제공될 수 있다.
일 예에서, 핀부재는, 기판을 지지하는 프록시미티 핀과; 프록시미티 핀에 결합되는 탄성 부재를 포함하고, 프록시미티 핀은, 공간의 감압에 의해 하강 가능하고 탄성 부재의 탄성력에 의해 승강 가능하게 제공될 수 있다.
일 예에서, 탄성력은 감압 부재의 감압력보다 작고, 안착면에 놓이는 기판의 무게보다 크게 제공될 수 있다.
일 예에서, 제어기는, 냉각 플레이트에 기판이 놓인 이후에 기 설정 시간 동안 기판을 제1높이에서 냉각시키고 기 설정 시간이 경과하면 기판을 제2높이에서 냉각시키되, 제2높이는 제1높이 보다 낮은 위치로 제공되도록 감압 부재를 제어할 수 있다.
일 예에서, 프록시미티 핀은, 안착면에 형성된 삽입홈 내에 배치되며 삽입홈과 감압홀은 중첩되지 않도록 제공될 수 있다.
또한, 본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 일 예에서, 기판 처리 장치에 있어서, 하우징과; 하우징 내에 위치하며 기판을 가열하는 가열 플레이트를 가지는 가열 유닛과; 가열 플레이트 또는 기판을 냉각할 수 있는 냉각 유닛을 포함하되, 냉각 유닛은, 기판이 놓이는 안착면을 가지는 냉각 플레이트와; 안착면에 배치되어 기판을 지지하는 핀부재와; 안착면에 형성되는 감압홀과; 냉각 플레이트 내에 형성되어 감압홀과 연결되는 감압 유로와; 감압 유로에 감압을 제공하는 감압 부재; 그리고, 하우징 내에서 냉각 플레이트를 가열 플레이트의 상부와 대응되는 위치와 가열 플레이트의 상부에서 벗어나는 위치 간에 이동시키는 구동부재를 포함할 수 있다.
일 예에서, 냉각 유닛은, 냉각 플레이트 내에 냉각 유로가 제공될 수 있다.
일 예에서, 핀부재는, 기판을 지지하는 프록시미티 핀과; 프록시미티 핀에 결합되는 탄성 부재를 포함하고, 프록시미티 핀은, 감압 부재의 감압에 의해 하강 가능하고 탄성 부재의 탄성력에 의해 승강 가능하게 제공될 수 있다.
일 예에서, 탄성력은 감압 부재의 감압력보다 작고, 안착면에 놓이는 기판의 무게보다 크게 제공될 수 있다.
일 예에서, 프록시미티 핀은, 안착면에 형성된 삽입홈 내에 배치되며 삽입홈과 감압홀은 중첩되지 않도록 제공될 수 있다.
일 예에서, 가열 유닛은, 가열 플레이트에 형성된 핀 홀 내에 상하로 이동 가능하게 제공되며, 냉각 유닛에 기판을 이송하는 리프트 핀을 더 포함할 수 있다.
일 예에서, 냉각 플레이트에는 제1위치에서 제2위치로 이동할 때 리프트 핀과 간섭 또는 충돌이 일어나지 않도록 리프트 핀이 삽입되는 가이드 홀이 형성되며, 가이드 홀은 냉각 플레이트의 외측면으로부터 그 내측으로 연장되어 제공될 수 있다.
일 예에서, 기판 처리 장치는 냉각 유닛을 제어하는 제어기를 더 포함하되, 제어기는 가열 플레이트의 온도를 낮출 때, 냉각 플레이트를 가열 플레이트에 접촉 또는 인접하게 위치시킨 후 냉각 유닛으로 가열 플레이트를 냉각시키도록 제어할 수 있다.
일 예에서, 기판 처리 장치는 냉각 유닛을 제어하는 제어기를 더 포함하되, 제어기는 가열 플레이트에서 처리가 완료된 기판을 냉각 플레이트 상에 기판을 위치시킨 후 냉각 유닛을 이용해 기판을 냉각시키되, 냉각 플레이트에 기판이 놓인 시점으로부터 기 설정 시간이 경과하면 기판과 안착면 사이의 공간을 감압하도록 냉각 유닛을 제어할 수 있다.
일 예에서, 제어기는, 냉각 플레이트에 기판이 놓인 이후에 기 설정 시간 동안 기판을 제1높이에서 냉각시키고 기 설정 시간이 경과하면 기판을 제2높이에서 냉각시키되, 제2높이는 제1높이 보다 낮은 위치로 제공되도록 냉각 유닛을 제어할 수 있다.
또한, 본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 기판을 처리하는 방법에 있어서, 가열 플레이트에서 기판을 가열 처리한 후 처리가 완료된 기판을 냉각 유닛으로 냉각하되, 기판을 냉각 플레이트의 안착면 상에 위치시킨 후 기 설정 시간이 경과하면 기판과 안착면 사이의 공간을 감압할 수 있다.
일 예에서, 냉각 플레이트에 기판이 놓인 이후에 기 설정 시간 동안 기판을 제1높이에서 냉각시키고 기 설정 시간이 경과하면 기판을 제2높이에서 냉각시키되, 제2높이는 제1높이 보다 낮은 위치로 제공될 수 있다.
일 예에서, 냉각 유닛은, 기판이 놓이는 안착면을 가지는 냉각 플레이트와; 안착면에 배치되어 기판을 지지하는 핀부재와; 안착면에 형성되는 감압홀과; 냉각 플레이트 내에 형성되어 감압홀과 연결되는 감압 유로와; 감압 유로에 감압을 제공하는 감압 부재를 포함하고, 핀부재는, 기판을 지지하는 프록시미티 핀과; 프록시미티 핀에 결합되는 탄성 부재를 포함하고, 프록시미티 핀은, 공간의 감압에 의해 하강 가능하고 탄성 부재의 탄성력에 의해 승강 가능하게 제공될 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 냉각 유닛의 냉각 속도를 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명은 기판이 열 충격에 의해 손상되는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도 2는 도 1의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 3은 도 1의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 4는 도 3의 반송 로봇의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 5는 도 3의 열처리 챔버의 사시도이다.
도 6은 도 3의 열처리 챔버의 평면도이다.
도 7은 도 3의 열처리 챔버의 정면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 냉각 유닛을 보여주는 도면이다.
도 9 내지 도 15는 각각 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 순차적으로 보여주는 도면이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장된 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이고, 도 2는 도 1의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이며, 도 3은 도 1의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 인덱스 모듈(20, index module), 처리 모듈(30, treating module), 그리고 인터페이스 모듈(40, interface module)을 포함한다. 일 실시예에 의하며, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)은 순차적으로 일렬로 배치된다. 이하, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)이 배열된 방향을 제1 방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 제1 방향(12)과 수직한 방향을 제2 방향(14)이라 하고, 제1 방향(12) 및 제2 방향(14)에 모두 수직한 방향을 제3 방향(16)이라 한다.
인덱스 모듈(20)은 기판(W)이 수납된 용기(10)로부터 기판(W)을 처리 모듈(30)로 반송하고, 처리가 완료된 기판(W)을 용기(10)로 수납한다. 인덱스 모듈(20)의 길이 방향은 제2 방향(14)으로 제공된다. 인덱스 모듈(20)은 로드포트(22)와 인덱스 프레임(24)을 가진다. 인덱스 프레임(24)을 기준으로 로드포트(22)는 처리 모듈(30)의 반대 측에 위치된다. 기판(W)들이 수납된 용기(10)는 로드포트(22)에 놓인다. 로드포트(22)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드포트(22)는 제2 방향(14)을 따라 배치될 수 있다.
용기(10)로는 전면 개방 일체 식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기(10)가 사용될 수 있다. 용기(10)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic GuidedVehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)이나 작업자에 의해 로드포트(22)에 놓일 수 있다.
인덱스 프레임(24)의 내부에는 인덱스 로봇(2200)이 제공된다. 인덱스 프레임(24) 내에는 길이 방향이 제2 방향(14)으로 제공된 가이드 레일(2300)이 제공되고, 인덱스 로봇(2200)은 가이드 레일(2300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(2200)은 기판(W)이 놓이는 핸드(2220)를 포함하며, 핸드(2220)는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다.
처리 모듈(30)은 기판(W)에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행한다. 처리 모듈(30)은 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)을 가진다. 도포 블럭(30a)은 기판(W)에 대해 도포 공정을 수행하고, 현상 블럭(30b)은 기판(W)에 대해 현상 공정을 수행한다. 도포 블럭(30a)은 복수 개가 제공되며, 이들은 서로 적층되게 제공된다. 현상 블럭(30b)은 복수 개가 제공되며, 현상 블럭들(30b)은 서로 적층되게 제공된다.
도 1의 실시예에 의하면, 도포 블럭(30a)은 2개가 제공되고, 현상 블럭(30b)은 2개가 제공된다. 도포 블럭들(30a)은 현상 블럭들(30b)의 아래에 배치될 수 있다. 일 예에 의하면, 2개의 도포 블럭들(30a)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다. 또한, 2개의 현상 블럭들(30b)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다.
도 3을 참조하면, 도포 블럭(30a)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 액 처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800)를 가진다. 열처리 챔버(3200)는 기판(W)에 대해 열처리 공정을 수행한다. 열처리 공정은 냉각 공정 및 가열 공정을 포함할 수 있다. 액처리 챔버(3600)는 기판(W) 상에 액을 공급하여 액막을 형성한다. 액막은 포토 레지스트막 또는 반사 방지막일 수 있다. 반송 챔버(3400)는 도포 블럭(30a) 내에서 열처리 챔버(3200)와 액처리 챔버(3600) 간에 기판(W)을 반송한다.
반송 챔버(3400)는 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 평행하게 제공된다. 반송 챔버(3400)에는 반송 로봇(3422)이 제공된다. 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200), 액처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800) 간에 기판(W)을 반송한다. 일 예에 의하면, 반송 로봇(3422)은 기판(W)이 놓이는 핸드(3420)를 가지며, 핸드(3420)는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 반송 챔버(3400) 내에는 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 평행하게 제공되는 가이드 레일(3300)이 제공되고, 반송 로봇(3422)은 가이드 레일(3300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다.
액처리 챔버(3600)는 복수 개로 제공된다. 액처리 챔버들(3600) 중 일부는 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 액 처리 챔버들(3600)은 반송 챔버(3402)의 일측에 배치된다. 액 처리 챔버들(3600)은 제1방향(12)을 따라 나란히 배열된다. 액 처리 챔버들(3600) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 인접한 위치에 제공된다. 이하, 이들 액처리 챔버를 전단 액처리 챔버(3602)(front liquid treating chamber)라 칭한다. 액 처리 챔버들(3600)은 중 다른 일부는 인터페이스 모듈(40)과 인접한 위치에 제공된다. 이하, 이들 액처리 챔버를 후단 액처리 챔버(3604)(rear heat treating chamber)라 칭한다.
전단 액처리 챔버(3602)는 기판(W)상에 제1액을 도포하고, 후단 액처리 챔버(3604)는 기판(W) 상에 제2액을 도포한다. 제1액과 제2액은 서로 상이한 종류의 액일 수 있다. 일 실시예에 의하면, 제1액은 반사 방지막이고, 제2액은 포토레지스트이다. 포토레지스트는 반사 방지막이 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 제1액은 포토레지스트이고, 제2액은 반사방지막일 수 있다. 이 경우, 반사방지막은 포토레지스트가 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 제1액과 제2액은 동일한 종류의 액이고, 이들은 모두 포토레지스트일 수 있다.
버퍼 챔버(3800)는 복수 개로 제공된다. 버퍼 챔버들(3800) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 반송 챔버(3400) 사이에 배치된다. 이하, 이들 버퍼 챔버를 전단 버퍼(3802)(front buffer)라 칭한다. 전단 버퍼들(3802)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 버퍼 챔버들(3802, 3804) 중 다른 일부는 반송 챔버(3400)와 인터페이스 모듈(40) 사이에 배치된다 이하. 이들 버퍼 챔버를 후단 버퍼(3804)(rear buffer)라칭한다. 후단 버퍼들(3804)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 전단 버퍼들(3802) 및 후단 버퍼들(3804) 각각은 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 전단 버퍼(3802)에 보관된 기판(W)은 인덱스 로봇(2200) 및 반송 로봇(3422)에 의해 반입 또는 반출된다. 후단 버퍼(3804)에 보관된 기판(W)은 반송 로봇(3422) 및 제1로봇(4602)에 의해 반입 또는 반출된다.
현상 블럭(30b)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)를 가진다. 현상 블럭(30b)의 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)는 도포 블럭(30a)의 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)와 대체로 유사한 구조 및 배치로 제공된다. 다만, 현상 블록(30b)에서 액처리 챔버들(3600)은 모두 동일하게 현상액을 공급하여 기판(W)을 현상 처리하는 현상 챔버(3600)로 제공된다.
인터페이스 모듈(40)은 처리 모듈(30)을 외부의 노광 장치(50)와 연결한다. 인터페이스 모듈(40)은 인터페이스 프레임(4100), 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)를 가진다.
인터페이스 프레임(4100)의 상단에는 내부에 하강기류를 형성하는 팬필터유닛이 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)는 인터페이스 프레임(4100)의 내부에 배치된다. 부가 공정 챔버(4200)는 도포 블럭(30a)에서 공정이 완료된 기판(W)이 노광 장치(50)로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)는 노광 장치(50)에서 공정이 완료된 기판(W)이 현상 블럭(30b)으로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 일 예에 의하면, 부가 공정은 기판(W)의 에지 영역을 노광하는 에지 노광 공정, 또는 기판(W)의 상면을 세정하는 상면 세정 공정, 또는 기판(W)의 하면을 세정하는 하면 세정공정일 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 복수 개가 제공되고, 이들은 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 모두 동일한 공정을 수행하도록 제공될 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)들 중 일부는 서로 다른 공정을 수행하도록 제공될 수 있다.
인터페이스 버퍼(4400)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 반송되는 기판(W)이 반송도중에 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다. 인터페이스 버퍼(4400)는 복수 개가 제공되고, 복수의 인터페이스 버퍼들(4400)은 서로 적층되게 제공될 수 있다.
일 예에 의하면, 반송 챔버(3400)의 길이 방향의 연장선을 기준으로 일 측면에는 부가 공정 챔버(4200)가 배치되고, 다른 측면에는 인터페이스 버퍼(4400)가 배치될 수 있다.
반송 부재(4600)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송한다. 반송 부재(4600)는 1개 또는 복수 개의 로봇으로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 반송 부재(4600)는 제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)을 가진다. 제1로봇(4602)은 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 그리고 인터페이스 버퍼(4400) 간에 기판(W)을 반송하고, 인터페이스 로봇(4606)은 인터페이스 버퍼(4400)와 노광 장치(50) 간에 기판(W)을 반송하고, 제2로봇(4604)은 인터페이스 버퍼(4400)와 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송하도록 제공될 수 있다.
제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)은 각각 기판(W)이 놓이는 핸드를 포함하며, 핸드는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)에 평행한 축을 기준으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다.
인덱스 로봇(2200), 제1로봇(4602), 그리고 제2 로봇(4606)의 핸드는 모두 반송 로봇(3422, 3424)의 핸드(3420)와 동일한 형상으로 제공될 수 있다. 선택적으로 열처리 챔버의 반송 플레이트(3240)와 직접 기판(W)을 주고받는 로봇의 핸드는 반송 로봇(3422, 3424)의 핸드(3420)와 동일한 형상으로 제공되고, 나머지 로봇의 핸드는 이와 상이한 형상으로 제공될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 인덱스 로봇(2200)은 도포 블럭(30a)에 제공된 전단 열처리 챔버(3200)의 가열 유닛(3230)과 직접 기판(W)을 주고받을 수 있도록 제공된다.
또한, 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)에 제공된 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200)에 위치된 반송 플레이트(3240)와 직접 기판(W)을 주고받을 수 있도록 제공될 수 있다.
도 4는 도 3의 반송 로봇의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다. 도 4를 참조하면, 핸드(3420)는 베이스(3428) 및 지지 돌기(3429)를 가진다. 베이스(3428)는 원주의 일부가 절곡된 환형의 링 형상을 가질 수 있다. 베이스(3428)는 기판(W)의 직경보다 큰 내경을 가진다. 지지 돌기(3429)는 베이스(3428)로부터 그 내측으로 연장된다. 지지 돌기(3429)는 복수 개가 제공되며, 기판(W)의 가장자리 영역을 지지한다. 일 예에 의하며, 지지 돌기(3429)는 등 간격으로 4개가 제공될 수 있다.
열처리 챔버(3200)는 복수 개로 제공된다. 열처리 챔버들(3200)은 제1방향(12)을 따라 나열되게 배치된다. 열처리 챔버들(3200)은 반송 챔버(3400)의 일측에 위치된다.
도 5는 도 3의 열처리 챔버(3202)의 사시도이고, 도 6은 도 3의 열처리 챔버(3202)의 평면도이며, 도 7은 도 3의 열처리 챔버(3202)의 정면도이다. 도 5 내지 도 7을 참조하면, 열처리 챔버(3202)는 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 열처리 챔버(3202)는 포토 레지스트를 도포하기 전에 기판(W)을 소정의 온도로 가열하여 기판(W) 표면의 유기물이나 수분을 제거하는 프리 베이크(prebake) 공정이나 포토레지스트를 기판(W) 상에 도포한 후에 행하는 소프트 베이크(soft bake) 공정 등과 같은 가열 공정을 수행하고, 각각의 가열 공정 이후에 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 또는, 열처리 챔버들(3202) 중 일부의 열처리 챔버(3202)에 제공된 가열 유닛(3230)은 기판(W) 가열 중에 가스를 공급하여 포토레지스트의 기판(W) 부착률을 향상시킬 수 있다. 일 예에 의하면, 가스는 헥사메틸디실란(hexamethyldisilane) 가스일 수 있다.
열처리 챔버(3202)는 하우징(3210), 가열 유닛(3230), 냉각 유닛(3220) 그리고 제어기(590)를 포함한다. 제어기(590)는 후술하는 기판 처리 방법을 수행하기 위해 냉각 유닛(3220)을 제어한다. 냉각 유닛(3220) 및 가열 유닛(3230)은 제2 방향(14)을 따라 나란히 제공된다. 일 예에 의하면, 냉각 유닛(3220)은 가열 유닛(3230)에 비해 반송 챔버(3400)에 더 가깝게 위치될 수 있다.
하우징(3210)은 내부에 베이크 공정이 이루어지는 공간을 제공한다. 하우징(3210)은 직육면체 형상으로 제공된다. 하우징(3210)은 제1측벽(3211), 제2측벽(3213) 그리고 출입구(3212)를 포함한다.
제1측벽(3211)은 하우징(3210)의 일측면에 제공된다. 제2측벽(3212)은 제1측벽(3211)과 맞은편에 제공된다. 하우징(3210)의 측벽에는 기판(W)이 출입되는 출입구(3212)가 형성된다. 일 예에서, 출입구(3212)는 제1측벽(3211)에 형성될 수 있다. 출입구(3212)는 기판(W)이 이동하는 통로를 제공한다. 일 예에서, 가열 유닛(3230)은 제1측벽(3211) 보다 제2 측벽(3213)에 더 가깝게 제공된다.
가열 유닛(3230)은 기판(W)을 설정 온도로 가열한다. 가열 유닛(3230)은 기판(W)을 상온보다 높은 온도로 가열하는 장치로 제공된다. 일 예에서, 가열 유닛(3230)은 상압 또는 이보다 낮은 감압 분위기에서 기판(W)을 가열 처리한다. 가열 유닛(3230)은 가열 플레이트(3251), 리프트 핀(3253), 커버(3255) 그리고 구동기(3257)를 포함한다.
가열 플레이트(3251)의 내부에는 기판(W)을 가열하는 가열 수단이 제공된다. 예컨대, 가열 수단은 히팅 코일로 제공될 수 있다. 이와는 달리 가열 플레이트(3251)에는 발열 패턴들이 제공될 수 있다. 가열 플레이트(3251)는 원통형의 형상으로 제공된다.
가열 플레이트(3251)의 내에는 리프트 핀(3253)을 수용하는 핀 홀(3254)이 형성된다. 핀 홀(3254)은 리프트 핀(3253)이 기판(W)을 상하로 이동시킬 때 리프트 핀(3253)이 이동하는 경로를 위해 제공된다. 핀 홀(3254)은 가열 플레이트(3251)를 상하방향으로 관통하도록 제공된다. 일 예에서, 핀 홀(3254)은 가열 플레이트(3251)의 중심을 기준으로 동일 반경 내에 복수 개가 제공된다. 예컨 대, 핀 홀(3254)과 이에 대응되는 리프트 핀(3253)은 3 개 제공될 수 있다. 리프트 핀(3253)은 승강 기구(미도시)에 의해 상하로 이동된다. 리프트 핀(3253)은 기판(W)을 가열 플레이트(3251) 상에 안착시킬 수 있다. 리프트 핀(3253)은 기판(W)을 가열 플레이트(3251)로부터 일정거리 이격된 위치로 기판(W)을 승강시킬 수 있다.
커버(3255)는 가열 플레이트(3251)의 상부에 위치한다. 커버(3255)는 원통형의 형상으로 제공된다. 커버(3255)는 내부에 가열 공간을 제공한다. 커버(3255)는 기판(W)이 가열 플레이트(3251)로 이동시 구동기(3257)에 의해 가열 플레이트(3251)의 상부로 이동한다. 커버(3255)는 기판(W)이 가열 플레이트(3251)에 의해 가열 시 구동기(3257)에 의해 하부로 이동하여 기판(W)이 가열되는 가열 공간을 형성한다. 구동기(3257)는 지지부(558)에 의해 커버(3255)와 고정 결합된다. 구동기(3257)는 기판(W)이 가열 플레이트(3251)로 이송 또는 반송되는 경우 커버(3255)를 상하로 승하강시킨다. 일 예로 구동기(3257)는 실린더로 제공될 수 있다.
냉각 유닛(3220)은 가열 플레이트(3251) 또는 처리가 끝난 기판(W)을 냉각시킨다. 일 예에서, 냉각 유닛(3220)은 하우징(3210) 내에서 기판(W)을 반송할 수 있도록 제공된다. 냉각 유닛(3220)은, 냉각 플레이트(3221), 구동 부재(3225), 핀부재(3224) 그리고 감압 유닛(800)을 포함한다.
냉각 플레이트(3221)에는 기판(W)이 놓인다. 냉각 플레이트(3221)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형의 형상으로 제공된다. 냉각 플레이트(3221)는 기판(W)과 동일한 크기로 제공된다. 냉각 플레이트(3221)는 열전도도가 좋은 금속의 재질로 제공된다. 일 예에서, 냉각 플레이트(3221) 내부에 냉각 유로(3226)가 제공될 수 있다. 냉각 유로에는 냉각수가 공급되어 기판(W) 또는 가열 플레이트(3251)를 냉각할 수 있다.
냉각 플레이트(3221)의 가장자리에는 노치(3223)가 형성된다. 노치(3223)는 상술한 반송 로봇(3422, 3424)의 핸드(3420)에 형성된 돌기(3429)와 대응되는 형상을 가질 수 있다. 또한, 노치(3223)는 핸드(3420)에 형성된 돌기(3429)와 대응되는 수로 제공되고, 돌기(3429)와 대응되는 위치에 형성된다. 핸드(3420)와 냉각 플레이트(3221)가 상하 방향으로 정렬된 위치에서 핸드(3420)와 냉각 플레이트(3221)의 상하 위치가 변경하면 핸드(3420)와 냉각 플레이트(3221) 간에 기판(W)의 전달이 이루어진다. 냉각 플레이트(3221)에는 가이드 홀(3235)이 형성되어 있다. 가이드 홀(3235)은 냉각 플레이트(3221)의 외측면으로부터 그 내측으로 연장되어 제공된다. 가이드 홀(3235)은 냉각 플레이트(3221)의 이동 시 리프트 핀(3253)과 간섭 또는 충돌이 일어나지 않도록 한다.
구동 부재(3225)는 아암(3222) 그리고 구동 레일(3227)를 포함한다. 일 예에서, 아암(3222)은 냉각 플레이트(3221)와 고정 결합된다. 냉각 플레이트(3221)는 구동 레일(3227) 상에 장착된다. 아암(3222)은 냉각 플레이트(3221)와 구동 레일(3227) 사이에 제공된다. 구동 레일(3227)는 냉각 플레이트(3221)를 이동시킨다. 일 예에서, 구동 레일(3227)는 냉각 플레이트(3221)를 수평 운동 또는 상하 이동시킨다. 예컨대, 구동 레일(3227)는 냉각 플레이트(3221)를 제1위치(3271)와 제2위치(3272)로 이동시킬 수 있다. 제1위치(3271)는 냉각 플레이트(3221)가 제1측벽(3211)에 인접한 위치이다. 제2위치(3272)는 냉각 플레이트(3221)가 제2측벽(3213)에 근접하며 가열 플레이트(3251)의 상부에 대응되는 위치이다.
이하, 도 8을 참조하여 핀 부재(3224)와 감압 유닛(800)에 대해 설명한다.
도 8을 참조하면, 핀 부재(3224)는, 프록시미티 핀(32240)과 탄성 부재(32243)를 포함한다. 프록시미티 핀(32240)은 냉각 플레이트(3221)의 안착면에 제공되어 기판(W)을 지지한다. 일 예에서, 프록시미티 핀(32240)은 복수 개 제공된다. 예컨대, 프록시미티 핀(32240)은 냉각 플레이트(3221)의 중심을 기준으로 3개 제공될 수 있다. 프록시미티 핀(32240)은 안착면에 형성된 삽입홀(32242) 내에 제공될 수 있다.
프록시미티 핀(32240)들은 감압 부재(824) 및 탄성 부재(32243)에 의해 제1 지지 위치 또는 제2 지지 위치 간에 이동 가능한다. 일 예에서, 탄성 부재(32243)는 스프링일 수 있다. 여기서 제1 지지 위치는, 프록시미티 핀(32240)의 상단이 냉각 플레이트(3221)의 안착면의 위로 제1높이(H1)만큼 돌출되는 위치이고, 제2 지지 위치는, 프록시미티 핀(32240)의 상단이 제2높이(H2)에 위치하는 위치이다. 일 예에서 제2높이(H2)는 제1높이(H1) 보다 낮은 위치이다. 예컨대, 제2높이(H2)는 냉각 플레이트(3221)의 안착면 위로 제1높이(H1)보다 낮은 높이만큼 돌출되는 위치이다. 일 예에서, 프록시미티 핀(32240)은 바디(32244)와 스톱퍼(32241)를 포함할 수 있다. 바디(32244)는 핀 형상으로 제공되며 바디(32244)의 상단에 기판(W)이 지지된다. 스톱퍼(32241)는 바디(32244)의 하부에 제공된다. 스톱퍼(32241)는 바디(32244)보다 큰 직경을 갖는다. 스톱퍼(32241)는 바디(32244)가 삽입홀(32242)로부터 이탈되는 것을 방지한다.
탄성 부재(32243)는 프록시미티 핀(32240)에 결합되어 프록시미티 핀(32240)에 탄성력을 제공한다. 탄성 부재(32243)는 프록시미티 핀(32240)이 제1 지지 위치에 위치되도록 탄성력을 제공한다. 일 예에 의하면, 탄성력은 기판(W)의 무게보다 크게 제공될 수 있다. 이에, 기판(W)이 프록시미티 핀(32240)에 놓인 경우, 별도의 힘이 기판(W)에 제공되지 않는 이상 기판(W)이 아래로 쳐지지 않고 프록시미티 핀(32240) 상에서 지지된다.
감압 유닛(800)은, 프록시미티 핀(32240)에 지지된 기판(W)과 안착면 사이의 공간에 감압력을 제공한다. 감압 유닛(800)은, 감압홀(811), 감압 유로(810) 그리고 감압 부재(824)를 포함한다. 감압홀(811)은 안착면에 형성된다. 일 예에서, 감압홀(811)은 안착면 상에 복수 개 제공된다. 예컨대, 감압홀(811)은 3개 내지 7개로 제공될 수 있다. 감압홀(811)은 냉각 플레이트(3221) 내에 형성되는 감압 유로(810)와 연결된다. 감압 부재(824)는 감압 유로(810)에 감압을 제공한다. 감압 유로(810)에는 감압 밸브(822)가 제공된다. 감압 밸브(822)는 감압 유로(810)에 감압 제공 여부를 조절한다. 감압 밸브(822)가 개방되어 감압 부재(824)가 감압 유로(810)에 감압력을 제공하면, 감압홀(811)을 통해 기판(W)과 안착면 사이의 공간에 감압력이 형성된다. 일 예에서, 감압 부재(824)의 감압력은 탄성 부재(32243)의 탄성력 보다 크게 제공된다. 이에, 기판(W)이 프록시미티 핀(32240) 상에 놓여 있고, 감압 부재(824)가 감압 유로(810)를 감압할 시에, 기판(W)과 냉각 플레이트(3221)의 안착면 사이에 감압력이 전달되어 기판(W)이 아래로 하강할 수 있다.
일 예에서, 감압홀(811)은 삽입홀(32242)과 중첩되지 않도록 제공된다. 이에, 감압력은 삽입홀(32242)에 제공되는 것이 아니라 감압홀(811)을 통해 안착면과 기판(W)의 저면 사이에 제공된다. 안착면과 기판(W)의 저면 사이에 감압력이 제공되면 기판(W)이 하방으로 힘을 받는다. 일 예에서 탄성력은 감압력보다 작게 제공되는 바 감압 부재(824)의 감압력에 의해 프록시미티 핀(32240)이 하강될 수 있다.
이하, 도 9 내지 도 14를 참조하여 본 발명의 기판 처리 방법에 대해 설명한다. 도 9 내지 도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 순차적으로 보여주는 도면들이다.
냉각 플레이트(3221)는 제1측벽(3211)에 형성된 출입구를 통해 상술한 반송 로봇(3422, 3424)으로부터 기판(W)을 인수받는다. 이후, 도 11에 도시된 바와 같이 냉각 플레이트(3221)는 제1위치(3271)에서 제2위치(3273)로 이동하여 가열 플레이트(3251) 상으로 기판(W)을 인계한다. 가열 플레이트(3251) 상에 기판(W)이 놓이면 구동기(3257)에 의해 커버(3255)가 닫히고 가열 유닛(3230) 내에서 기판(W)을 제1온도(T1)로 가열한다.
도 9에 도시된 바와 같이 기판(W)이 가열되는 동안 냉각 플레이트(3221)는 제1위치(3271)로 복귀한다. 이후, 기판(W)의 가열 처리가 완료되면, 도 10에 도시된 바와 같이 구동기(3257)에 의해 커버(3255)가 개방된다. 커버(3255)가 개방되는 동안 또는 커버(3255)가 개방된 이후에 도 11에 도시된 바와 같이 냉각 플레이트(3221)가 제1위치(3271)에서 제2위치(3273)로 이동된다. 제2위치(3273) 상에서 기판(W)은 가열 플레이트(3251)에서 냉각 플레이트(3221)로 인계된다.
냉각 플레이트(3221)에 놓인 기판(W)은 도 12에 도시된 바와 같이 제2위치(3273)에서 제1위치(3271)로 이동한다. 기판(W)은 제1위치(3271)로 이동되는 과정 중 또는 제1위치(3271)로 이동 후 냉각 유닛(3220)에 의해 냉각된다. 냉각 플레이트(3221)는 열전달이 용이한 금속 재질로 제공되는 바 냉각 플레이트(3221)와 기판(W) 사이의 열전달 효율을 높인다. 또한, 냉각 플레이트(3221) 내에 제공된 냉각 유로(3226)가 냉각 플레이트(3221)와 기판(W) 사이의 열전달 효율을 높인다. 냉각 유닛은 기판(W)의 온도를 제1온도(T1)에서 제1온도(T1)보다 낮은 온도인 제2온도(T2)로 낮춘다. 일 예에서, 기판(W)이 제2온도(T2)가 되는 동안에는 기판(W)의 저면과 안착면 사이에 감압이 제공되지 않는다.
도 13에 도시된 바와 같이, 기판(W)의 온도가 제1온도(T1)에서 제2온도(T2)가 되는 동안 기판(W)은 제1높이(H1)에 위치한다. 이에, 기판(W)의 저면과 안착면 사이의 거리는 H1으로 유지된다. 기판(W)의 온도가 제2온도(T2)까지 낮춰지는 동안 기판(W)과 안착면 사이에 거리를 유지함에 따라 기판(W)이 온도 급감에 의한 열충격으로 인해 파손되는 것을 방지한다. 일 예에서, 기판(W)의 온도가 제2온도(T2)가 되는 시간을 미리 계산하고, 이를 제어기에 입력하여 기 설정 시간 동안 감압 제공 없이 냉각 플레이트(3221) 상에 기판(W)을 재치 할 수 있다.
기판(W)이 제2온도(T2)에 도달하면, 감압 유닛(800)으로부터 감압이 제공된다. 감압 유닛(800)에 의해 기판(W)의 저면과 안착면 사이에 감압력이 제공된다. 이에 따라 기판(W)의 저면과 안착면 사이에는 기류가 형성된다. 이에, 기판(W)과 냉각 플레이트(3221) 사이에 대류가 활발해져 기판(W)의 온도 하강을 돕는다. 또한, 프록시미티 핀(32240)의 하부에 탄성 부재(32243)가 제공됨에 따라, 기판(W)의 저면과 안착면 사이의 감압력에 의해 프록시미티 핀(32240)은 하강하게 된다. 일 예에서, 도 14에 도시된 바와 같이 기판(W)은 제2높이(H2)에 위치한다. 이에, 기판(W)의 저면과 안착면 사이의 거리는 H2로 제공된다. 일 예에서, H2는 H1보다 짧은 거리로 제공된다. 기판(W)의 저면과 냉각 플레이트(3221)를 가깝게 위치시킴에 따라 기판(W)과 냉각 플레이트(3221) 사이의 열전달이 보다 활발하게 이루어진다. 기판(W)은 제2높이(H2)에서 제3온도(T3)가 될 때까지 냉각된다. 일 예에서, 제3온도(T3)는
상술한 예에서는, 냉각 플레이트(3221)가 기판(W)을 냉각하는 것으로 설명하였다. 그러나 이와 달리 냉각 플레이트(3221)는 가열 플레이트(3251)를 냉각하도록 제공될 수 있다. 예컨대, 냉각 플레이트(3221) 그리고 가열 플레이트(3251) 중 어디에도 기판(W)이 놓이지 않은 상태에서 냉각 플레이트(3221)가 제2위치(3273)에 위치한다. 이때, 냉각 플레이트(3221)는 가열 플레이트(3251)와 접촉 또는 인접한 위치에 배치된다. 냉각 유닛은 가열 플레이트(3251)의 온도를 제1온도(T1)에서 제1온도(T1)보다 낮은 온도로 낮춘다. 가열 플레이트(3251)가 냉각된 후 냉각 플레이트(3221)는 제2위치(3273)에서 제1위치(3271)로 이동된다.
이후, 도 15에 도시된 바와 같이 냉각 플레이트(3221)는 제1측벽(3211)에 형성된 출입구를 통해 상술한 반송 로봇(3422, 3424)으로 기판(W)을 인계한다.
본 발명에 따르면, 기판을 냉각 플레이트(3221)로부터 제1높이(H1)만큼 이격된 거리에서 자연 냉각시킨 이후에, 기판과 냉각 플레이트(3221) 사이에 감압을 제공하여 기판을 제1높이(H1)보다 낮은 제2높이(H2)에서 냉각시킨다. 이에, 기판에 가해지는 열충격을 방지하고, 냉각 효율을 높이는 이점이 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 상술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
800: 감압 유닛
3202: 열처리 챔버
3220: 냉각 유닛
3221: 냉각 플레이트
3224: 핀 부재
3230: 가열 유닛

Claims (20)

  1. 기판을 냉각하는 냉각 유닛에 있어서,
    상기 기판이 놓이는 안착면을 가지는 냉각 플레이트와;
    상기 안착면에 배치되어 상기 기판을 지지하는 핀부재와;
    상기 안착면에 형성되는 감압홀과;
    상기 냉각 플레이트 내에 형성되어 상기 감압홀과 연결되는 감압 유로와;
    상기 감압 유로에 감압을 제공하는 감압 부재와;
    상기 감압 부재를 제어하는 제어기를 포함하고,
    상기 핀부재는,
    상기 기판을 지지하는 프록시미티 핀과;
    상기 프록시미티 핀에 결합되는 탄성 부재를 포함하며,
    상기 프록시미티 핀은,
    상기 기판과 상기 안착면 사이의 공간의 감압에 의해 하강 가능하고 상기 탄성 부재의 탄성력에 의해 승강 가능하게 제공되고,
    상기 제어기는,
    상기 냉각 플레이트에 상기 기판이 놓인 시점으로부터 기 설정 시간 동안 상기 기판을 제1높이에서 냉각시키고 상기 기 설정 시간이 경과하면 상기 기판을 제2높이에서 냉각시키며,
    상기 제2높이는,
    상기 제1높이 보다 낮은 위치로 제공되도록 상기 감압 부재를 제어하는 냉각 유닛.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 냉각 플레이트 내에 냉각 유로가 제공되는 냉각 유닛.
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서,
    상기 탄성력은 상기 감압 부재의 감압력보다 작고, 상기 안착면에 놓이는 기판의 무게보다 크게 제공되는 냉각 유닛.
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서,
    상기 프록시미티 핀은,
    상기 안착면에 형성된 삽입홈 내에 배치되며 상기 삽입홈과 상기 감압홀은 중첩되지 않도록 제공되는 냉각 유닛.
  7. 기판 처리 장치에 있어서,
    하우징과;
    상기 하우징 내에 위치하며 기판을 가열하는 가열 플레이트를 가지는 가열 유닛과;
    상기 가열 플레이트 또는 상기 기판을 냉각할 수 있는 냉각 유닛과;
    상기 냉각 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되,
    상기 냉각 유닛은,
    상기 기판이 놓이는 안착면을 가지는 냉각 플레이트와;
    상기 안착면에 배치되어 상기 기판을 지지하는 핀부재와;
    상기 안착면에 형성되는 감압홀과;
    상기 냉각 플레이트 내에 형성되어 상기 감압홀과 연결되는 감압 유로와;
    상기 감압 유로에 감압을 제공하는 감압 부재와;
    상기 하우징 내에서 상기 냉각 플레이트를 상기 가열 플레이트의 상부와 대응되는 위치와 상기 가열 플레이트의 상부에서 벗어나는 위치 간에 이동시키는 구동부재를 포함하고,
    상기 핀부재는,
    상기 기판을 지지하는 프록시미티 핀과;
    상기 프록시미티 핀에 결합되는 탄성 부재를 포함하며,
    상기 프록시미티 핀은,
    상기 감압 부재의 감압에 의해 하강 가능하고 상기 탄성 부재의 탄성력에 의해 승강 가능하게 제공되고,
    상기 제어기는,
    상기 가열 플레이트에서 처리가 완료된 기판을 상기 냉각 플레이트 상에 기판을 위치시킨 후 상기 냉각 유닛을 이용해 기 설정 시간 동안 상기 기판을 제1높이에서 냉각시키되,
    상기 냉각 플레이트에 상기 기판이 냉각되는 시점으로부터 기 설정 시간이 경과하면 상기 기판과 상기 안착면 사이의 공간을 감압하여 상기 기판을 제2높이에서 냉각시키도록 상기 냉각 유닛을 제어하고,
    상기 제2높이는 상기 제1높이 보다 낮은 위치로 제공되도록 상기 냉각 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 하우징은,
    상기 기판이 출입하는 출입구가 형성된 제1측벽과;
    상기 제1측벽의 마주보는 면에 형성된 제2측벽을 포함하며,
    상기 가열 유닛은 상기 제1측벽보다 상기 제2측벽에 더 인접하게 위치하고,
    상기 구동부재는,
    상기 냉각 플레이트를 상기 제1측벽에 인접한 제1위치와 상기 제2측벽에 근접하며 상기 가열 플레이트의 상부인 제2위치 간으로 이동시키는 기판 처리 장치.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 냉각 유닛은,
    상기 냉각 플레이트 내에 냉각 유로가 제공되는 기판 처리 장치.
  10. 삭제
  11. 제7항에 있어서,
    상기 탄성 부재의 탄성력은 상기 감압 부재의 감압력보다 작고, 상기 안착면에 놓이는 기판의 무게보다 크게 제공되는 기판 처리 장치.
  12. 제7항에 있어서,
    상기 프록시미티 핀은,
    상기 안착면에 형성된 삽입홈 내에 배치되며 상기 삽입홈과 상기 감압홀은 중첩되지 않도록 제공되는 기판 처리 장치.
  13. 제8항에 있어서,
    상기 가열 유닛은,
    상기 가열 플레이트에 형성된 핀 홀 내에 상하로 이동 가능하게 제공되며, 상기 냉각 유닛에 기판을 이송하는 리프트 핀을 더 포함하는 기판 처리 장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 냉각 플레이트에는 상기 제1위치에서 상기 제2위치로 이동할 때 상기 리프트 핀과 간섭 또는 충돌이 일어나지 않도록 상기 리프트 핀이 삽입되는 가이드 홀이 형성되며,
    상기 가이드 홀은 상기 냉각 플레이트의 외측면으로부터 그 내측으로 연장되어 제공되는 기판 처리 장치.
  15. 제7항 내지 제9항 또는 제11항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제어기는,
    상기 가열 플레이트의 온도를 낮출 때, 상기 냉각 플레이트를 상기 가열 플레이트에 접촉 또는 인접하게 위치시킨 후 상기 냉각 유닛으로 상기 가열 플레이트를 냉각시키도록 제어하는 기판 처리 장치.
  16. 삭제
  17. 삭제
  18. 기판을 처리하는 방법에 있어서,
    가열 플레이트에서 기판을 가열 처리한 후 처리가 완료된 상기 기판을 냉각 유닛으로 냉각하되,
    상기 기판을 냉각 플레이트의 안착면 상에 위치시킨 후 기 설정 시간 동안 상기 기판을 제1높이에서 냉각시키고 상기 기 설정 시간이 경과하면 상기 기판과 상기 안착면 사이의 공간을 감압하여 상기 기판을 제2높이에서 냉각시키며,
    상기 제2높이는,
    상기 제1높이 보다 낮은 위치로 제공되는 기판 처리 방법.
  19. 삭제
  20. 제18항에 있어서,
    상기 냉각 유닛은,
    상기 기판이 놓이는 안착면을 가지는 냉각 플레이트와;
    상기 안착면에 배치되어 상기 기판을 지지하는 핀부재와;
    상기 안착면에 형성되는 감압홀과;
    상기 냉각 플레이트 내에 형성되어 상기 감압홀과 연결되는 감압 유로와;
    상기 감압 유로에 감압을 제공하는 감압 부재를 포함하고,
    상기 핀부재는,
    상기 기판을 지지하는 프록시미티 핀과;
    상기 프록시미티 핀에 결합되는 탄성 부재를 포함하고,
    상기 프록시미티 핀은,
    상기 공간의 감압에 의해 하강 가능하고 상기 탄성 부재의 탄성력에 의해 승강 가능하게 제공되는 기판 처리 방법.
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