KR20170052333A - 냉각 유닛, 기판 처리 장치, 그리고 기판 처리 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 실시예는 기판을 냉각 처리하는 장치 및 방법를 제공한다. 기판 처리 장치는 기판을 처리하는 공정을 수행하는 처리 모듈 및 다수의 기판들이 수용된 카세트와 상기 처리 모듈 간에 기판을 반송하는 인덱스 로봇을 포함하는 인덱스 모듈을 포함하되, 상기 처리 모듈은 기판이 보관되는 냉각 유닛을 포함하는 버퍼 모듈, 기판 처리 공정을 수행하는 하나 또는 복수 개의 처리 유닛들, 그리고 상기 버퍼 모듈 및 상기 처리 유닛들 간에 기판을 반송하는 반송 유닛을 포함하되, 상기 냉각 유닛은 기판이 안착되며, 내부에 제1온도의 제1냉각 유체가 흐르는 제1냉각 유로가 형성되는 제1냉각 플레이트, 상기 제1냉각 플레이트와 적층되며, 기판이 안착되고, 내부에 상기 제1온도와 상이한 제2온도의 제2냉각 유체가 흐르는 제2냉각 유로가 형성되는 제2냉각 플레이트, 그리고 상기 제1냉각 플레이트 및 상기 제2냉각 플레이트를 지지하며, 내부에는 상기 제1냉각 유로에 연통되는 제1유로 및 상기 제2냉각 유로에 연통되는 제2유로가 형성되는 지지 축을 포함하되, 상기 제1냉각 유로 및 상기 제2냉각 유로는 서로 독립되게 제공된다. 이로 인해 기판의 온도를 보다 신속하게 조절 가능하다.

Description

냉각 유닛, 기판 처리 장치, 그리고 기판 처리 방법{Cooling unit, Apparatus for treating substrate, and method for treating substrate}
본 발명은 기판의 온도를 조절하는 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판을 냉각 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자를 제조하기 위해서는 세정, 증착, 사진, 에칭, 그리고 이온주입 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 패턴을 형성하기 위해 수행되는 포토 리소그래피 공정은 반도체 소자의 고집적화를 이루는데 중요한 역할을 수행한다.
사진 공정은 기판 상에 패턴을 형성하기 위해 수행된다. 사진 공정은 도포 공정, 노광 공정, 그리고 현상 공정이 순차적으로 진행되며, 각 공정들은 복수의 기판 처리 단계들을 포함한다. 이러한 기판 처리 단계들은 하나의 처리 단계가 진행된 후 다음 단계의 진행을 위해 기판을 임시 보관하는 과정을 거친다. 기판을 임시 보관하는 과정 중에는, 일반적으로 처리가 완료된 기판이 고온의 상태를 유지하므로, 이를 냉각시키기 위한 기판을 냉각 공정이 수행된다.
도 1은 일반적인 냉각 유닛을 보여주는 단면도이다. 도 1을 참조하면, 냉각 유닛은 복수 개의 냉각 플레이트들(2)이 상하 방향으로 배열되며, 지지축(4)에 의해 지지된다. 각 냉각 플레이트(2)에는 내부에 냉각 유로가 형성되며, 각 냉각 유로들은 지지축(4) 내에 형성된 공급 유로에 의해 서로 연통된다. 냉각수는 지지축(4)의 공급 유로를 통해 각각의 냉각 플레이트들(2)의 유로로 공급된다.
그러나 이러한 냉각수의 온도는 기판의 공정 단계에 따라 상이하게 변화된다. 예컨대, 기판 상에 감광액을 도포하는 도포 공정 전에는 냉각수의 온도를 전처리 온도로 조절하여 기판을 전처리 온도로 조절한다. 도포 공정이 완료된 기판은 후처리 온도로 조절된 냉각수에 의해 기판을 후처리 온도로 조절한다.
이와 같이, 냉각수의 온도는 기판의 공정에 따라 전처리 온도 및 후처리 온도로 계속적 변경해야 하며, 냉각수의 온도가 설정 온도로 도달하는 과정에서 많은 시간이 소요된다.
한국 등록 특허 10-07843890000
본 발명은 냉각 유닛에 제공된 냉각수의 온도를 신속하게 조절할 수 있는 장치를 제공하고자 한다.
본 발명의 실시예는 기판을 냉각 처리하는 장치 및 방법를 제공한다. 기판 처리 장치는 기판을 처리하는 공정을 수행하는 처리 모듈 및 다수의 기판들이 수용된 카세트와 상기 처리 모듈 간에 기판을 반송하는 인덱스 로봇을 포함하는 인덱스 모듈을 포함하되, 상기 처리 모듈은 기판이 보관되는 냉각 유닛을 포함하는 버퍼 모듈, 기판 처리 공정을 수행하는 하나 또는 복수 개의 처리 유닛들, 그리고 상기 버퍼 모듈 및 상기 처리 유닛들 간에 기판을 반송하는 반송 유닛을 포함하되, 상기 냉각 유닛은 기판이 안착되며, 내부에 제1온도의 제1냉각 유체가 흐르는 제1냉각 유로가 형성되는 제1냉각 플레이트, 상기 제1냉각 플레이트와 적층되며, 기판이 안착되고, 내부에 상기 제1온도와 상이한 제2온도의 제2냉각 유체가 흐르는 제2냉각 유로가 형성되는 제2냉각 플레이트, 그리고 상기 제1냉각 플레이트 및 상기 제2냉각 플레이트를 지지하며, 내부에는 상기 제1냉각 유로에 연통되는 제1유로 및 상기 제2냉각 유로에 연통되는 제2유로가 형성되는 지지 축을 포함하되, 상기 제1냉각 유로 및 상기 제2냉각 유로는 서로 독립되게 제공된다.
상기 제1온도는 상기 제2온도보다 높게 제공되고, 상기 기판 처리 공정은 기판 상에 감광액을 도포하는 공정을 포함하고, 상기 처리 유닛에 반입되기 전의 기판을 상기 제1냉각 플레이트에 안착시키고, 상기 처리 유닛에 반출된 후의 기판이 상기 제2냉각 플레이트에 안착되도록 상기 반송 유닛을 제어할 수 있다. 상기 냉각 유닛은 상기 제1냉각 플레이트 및 상기 제2냉각 플레이트보다 높은 위치에서 적층되는 버퍼 플레이트를 더 포함하되, 상기 인덱스 로봇은 상기 카세트 및 상기 버퍼 플레이트 간에 기판을 반송할 수 있다. 상기 냉각 유닛은 상기 제1유로에 연결되며, 제1온도 조절기가 설치되는 제1공급 라인 및 상기 제2유로에 연결되며, 제2온도 조절기가 설치되는 제2공급 라인을 더 포함할 수 있다.
또한 상기 냉각 유닛은 상기 제1유로에 연결되는 제1공급 라인, 상기 제2유로에 연결되는 제2공급 라인, 그리고 상기 제1공급 라인 및 상기 제2공급 라인 중 상기 제1공급 라인에만 설치되는 온도 조절기를 더 포함할 수 있다.
기판을 냉각하는 냉각 유닛은 기판이 안착되며, 내부에 제1온도의 제1냉각 유체가 흐르는 제1냉각 유로가 형성되는 제1냉각 플레이트, 상기 제1냉각 플레이트와 적층되며, 기판이 안착되고, 내부에 상기 제1온도와 상이한 제2온도의 제2냉각 유체가 흐르는 제2냉각 유로가 형성되는 제2냉각 플레이트, 그리고 상기 제1냉각 플레이트 및 상기 제2냉각 플레이트를 지지하며, 내부에는 상기 제1냉각 유로에 연통되는 제1유로 및 상기 제2냉각 유로에 연통되는 제2유로가 형성되는 지지 축을 포함하되, 상기 제1냉각 유로 및 상기 제2냉각 유로는 서로 독립되게 제공된다.
상기 냉각 유닛은 상기 제1유로에 연결되며, 제1온도 조절기가 설치되는 제1공급 라인 및 상기 제2유로에 연결되며, 제2온도 조절기가 설치되는 제2공급 라인을 더 포함할 수 있다.
또한 상기 냉각 유닛은 상기 제1유로에 연결되는 제1공급 라인, 상기 제2유로에 연결되는 제2공급 라인, 그리고 상기 제1공급 라인 및 상기 제2공급 라인 중 상기 제1공급 라인에만 설치되는 온도 조절기를 더 포함할 수 있다.
기판 처리 방법은 기판을 제1온도로 냉각하는 제1냉각 처리 단계, 상기 제1냉각 처리 단계 이후에, 상기 기판 상에 감광액을 공급하는 액 처리 단계, 그리고 상기 액 공급 단계 이후에, 상기 기판을 상기 제1온도와 상이한 제2온도로 냉각하는 제2냉각 처리 단계를 포함할 수 있다.
상기 제1온도는 상기 제2온도에 비해 높게 제공될 수 있다. 상기 제1냉각 처리 단계에는 상기 기판을 제1냉각 플레이트에 안착시키고, 상기 제2냉각 처리 단계에는 상기 기판을 제2냉각 플레이트에 안착시키되, 상기 제1냉각 플레이트의 내부에는 상기 제1온도의 제1냉각 유체가 흐르고, 상기 제2냉각 플레이트의 내부에는 상기 제2온도의 제2냉각 유체가 흐를 수 있다. 상기 제1냉각 처리 단계 이전에, 상기 기판을 가열 처리하는 제1가열 처리 단계 및 상기 액 처리 단계 및 상기 제2냉각 처리 단계 사이에, 상기 기판을 가열 처리하는 제2가열 처리 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법으로는, 상기 기판을 상기 제1냉각 플레이트에 안착시켜 상기 기판을 제1온도로 냉각하는 제1냉각 처리 단계, 상기 제1냉각 처리 단계 이후에, 상기 처리 유닛에서 상기 기판 상에 처리액을 공급하는 액 처리 단계, 그리고 상기 액 처리 단계 이후에, 상기 기판을 상기 제2냉각 플레이트에 안착시켜 상기 기판을 상기 제1온도와 상이한 제2온도로 냉각하는 제2냉각 처리 단계를 포함하되, 상기 제1온도는 상기 제2온도보다 높게 제공되고, 상기 처리액은 감광액을 포함한다.
상기 제1냉각 처리 단계 이전에, 상기 기판을 가열 처리하는 제1가열 처리 단계 및 상기 액 처리 단계 및 상기 제2냉각 처리 단계 사이에, 상기 기판을 가열 처리하는 제2가열 처리 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 냉각 유닛는 제1냉각 플레이트 및 제2냉각 플레이트를 가지며, 각 플레이트에는 서로 상이한 온도를 가지는 냉각수가 제공된다. 이로 인해 기판의 온도를 보다 신속하게 조절 가능하다.
또한 본 발명의 실시예에 의하면, 각 냉각 플레이트에는 서로 상이한 온도의 냉각수가 제공되므로, 냉각수의 온도를 조절하는 데에 소요되는 시간을 줄일 수 있다.
도 1은 일반적인 버퍼 유닛을 보여주는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 3은 도 2의 기판 처리 장치를 A-A 방향에서 바라본 도면이이다.
도 4는 도 3의 기판 처리 장치를 B-B 방향에서 바라본 도면이다.
도 5는 도 2의 냉각 유닛을 보여주는 사시도이다.
도 6은 도 5의 냉각 플레이트 및 지지축을 보여주는 사시도이다.
도 7은 도 6의 냉각 플레이트 및 지지축을 보여주는 단면도이다.
도 8은 도 6의 제1냉각 플레이트 내에 제공되는 유로를 보여주는 도면이다.
도 9는 도 7의 냉각 유닛의 다른 실시예를 보여주는 단면도이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
본 실시예의 설비는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 수행하는 데 사용된다. 특히 본 실시예의 설비는 기판에 대해 도포 공정, 현상 공정을 수행하는 데 사용된다.
도 2 내지 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 2는 기판 처리 장치를 상부에서 바라본 도면이고, 도 3은 도 2의 기판 처리 장치를 A-A 방향에서 바라본 도면이고, 도 4는 도 2의 기판 처리 장치를 B-B 방향에서 바라본 도면이다.
도 2 내지 도 4를을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 처리 모듈(400), 인터페이스 모듈(700), 그리고 퍼지 모듈(800)을 포함한다.
로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 처리 모듈(400), 인터페이스 모듈(700)은 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치된다. 퍼지 모듈(800)은 인터페이스 모듈(700) 내에 제공될 수 있다. 이와 달리 퍼지 모듈(800)은 인터페이스 모듈(700) 후단의 노광 모듈(900)이 연결되는 위치 또는 인터페이스 모듈(700)의 측부 등 다양한 위치에 제공될 수 있다.
이하, 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 처리 모듈(400), 그리고 인터페이스 모듈(700)이 배치된 방향을 제1방향(12)이라 한다. 상부에서 바라볼 때 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하고, 제1방향(12)과 제2방향(14) 각각에 수직한 방향을 제3방향(16)이라 한다.
기판(W)은 카세트(20) 내에 수납된 상태로 이동된다. 카세트(20)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가진다. 일 예로 카세트(20)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다.
로드 포트(100)는 기판들(W)이 수납된 카세트(20)가 놓여지는 재치대(120)를 가진다. 재치대(120)는 복수개가 제공되며, 재치대들(120)은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 2에서는 4개의 재치대(120)가 제공된다.
인덱스 모듈(200)은 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인 카세트(20)와 버퍼 모듈(300) 간에 기판(W)을 이송한다. 인덱스 모듈(200)은 프레임(210), 인덱스 로봇(220), 그리고 가이드 레일(230)을 포함한다. 프레임(210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공된다. 프레임(210)은 로드 포트(100)와 버퍼 모듈(300) 사이에 배치된다. 인덱스 모듈(200)의 프레임(210)은 후술하는 버퍼 모듈(300)의 프레임(310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(220)과 가이드 레일(230)은 프레임(210) 내에 배치된다. 인덱스 로봇(220)은 기판(W)을 직접 핸들링하는 핸드(221)가 제1방향(12), 제2방향(14) 그리고 제3방향(16)으로 이동 가능하고 회전될 수 있도록 4축 구동이 가능한 구조이다. 인덱스 로봇(220)은 핸드(221), 아암(222), 지지대(223), 그리고 받침대(224)를 포함한다. 핸드(221)는 아암(222)에 고정설치된다. 아암(222)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 지지대(223)는 그 길이 방향이 제3방향(16)을 따라 배치된다. 아암(222)은 지지대(223)를 따라 이동 가능하도록 지지대(223)에 결합된다. 지지대(223)는 받침대(224)에 고정결합된다. 가이드 레일(230)은 그 길이 방향이 제2방향(14)을 따라 배치되도록 제공된다. 받침대(224)는 가이드 레일(230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(230)에 결합된다. 또한, 도시되지는 않았지만, 프레임(210)에는 카세트(20)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공된다.
처리 모듈(400)은 기판(W)을 처리하는 공정을 수행한다. 처리 모듈(400)은 버퍼 모듈(300), 도포 모듈(401) 그리고 현상 모듈(402)을 포함한다.
버퍼 모듈(300)은 프레임(310), 냉각 유닛(500), 그리고 버퍼 로봇(360)을 포함한다. 프레임(310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 인덱스 모듈(200)과 도포 모듈(401) 사이에 배치된다.
도 5는 도 2의 냉각 유닛의 사시도이다. 도 5를 참조하면, 냉각 유닛(500)은 기판(W)의 공정 처리 전과 공정 처리 후에 기판(W)을 일시적으로 보관할 수 있는 버퍼 유닛으로 제공될 수 있다. 냉각 유닛(500)은 복수 개로 제공되며, 도포 모듈 및 현상 모듈 각각에 대응되게 위치될 수 있다. 냉각 유닛(500)을 2 개일 수 있다. 냉각 유닛(500)은 하우징(510), 제1냉각 플레이트(540), 제2냉각 플레이트(530), 버퍼 플레이트(520), 리프트 부재(560), 지지축(550), 그리고 제어기(590)를 포함한다.
하우징(510)은 내부에 공간을 가진다. 하우징(510)의 내부 공간은 기판이 일시적으로 보관되는 공간으로 기능한다. 하우징(510)은 대체로 직육면체 형상을 가진다. 하우징은 프레임(310) 내부에 위치된다. 하우징(510)은 인덱스 모듈(200)과 인접하게 위치한다. 하우징(510)은 양 측부가 개방된다. 일 예로 하우징(510)은 개방된 양측부는 서로 대향되게 위치되며, 이 중 하나는 인덱스 모듈(200)을 향하도록 제공된다. 하우징(510)의 개방된 양측부는 기판(W)이 출입하는 입구로 기능한다.
하우징(510)의 내부에는 받침대(513)가 제공된다. 받침대(513)는 직사각의 판으로 제공될 수 있다. 받침대(513)는 복수 개가 제공될 수 있다. 각각의 받침대(513)는 상하 방향으로 서로 이격되게 위치한다. 이에 따라 하우징(510)의 내부 공간은 상하 방향으로 구획된다. 각각의 받침대(513)에는 복수의 플레이트들이 위치된다. 일 예로 받침대(513)는 3 개가 제공된다. 선택적으로 받침대(513)는 2 개 이하 또는 4 개 이상으로 제공될 수 있다.
도 6은 도 5의 각 냉각 플레이트 및 지지축을 보여주는 사시도이고, 도 7은 도 6의 각 냉각 플레이트 및 지지축을 보여주는 단면도이다. 도 6 및 도 7을 참조하면, 버퍼 플레이트(520), 제2냉각 플레이트(530), 그리고 제1냉각 플레이트(540)는 구획된 하우징(510)의 내부 공간에 각각 위치된다. 버퍼 플레이트(520), 제2냉각 플레이트(530), 그리고 제1냉각 플레이트(540)는 상하 방향으로 따라 서로 이격되게 위치된다. 버퍼 플레이트(520), 제2냉각 플레이트(530), 그리고 제1냉각 플레이트(540)는 위에서 아래를 향하는 방향을 따라 순차적으로 위치된다. 일 예에 의하면, 제2냉각 플레이트(530) 및 제1냉각 플레이트(540) 각각은 복수 개로 제공되며, 버퍼 플레이트(520), 복수의 제2냉각 플레이트(530), 그리고 복수의 제1냉각 플레이트(540)는 순차적으로 나열될 수 있다. 선택적으로 버퍼 플레이트(520)는 복수 개로 제공될 수 있다. 버퍼 플레이트(520), 제2냉각 플레이트(530), 그리고 제1냉각 플레이트(540) 각각은 기판(W)과 대응되는 원형의 판 형상으로 제공될 수 있다.
복수 개의 제1냉각 플레이트들(540a 및 540b, 이하 540)은 상하 방향을 따라 서로 이격되게 위치된다. 복수 개의 제1냉각 플레이트들(540)은 서로 인접하도록 적층되게 위치된다. 도 8은 도 7의 제1냉각 플레이트 내에 제공되는 유로를 보여주는 도면이다. 도 7을 참조하면, 제1냉각 플레이트(540)의 내부에는 제1냉각 유체가 흐르는 제1냉각 유로(542)가 형성된다. 제1냉각 유로(542)는 단일의 유로로 제공된다. 상부에서 바라볼 때, 제1냉각 유로(542)는 제1냉각 플레이트(540)에 동심원 형상으로 제공될 수 있다. 일 예로 제1냉각 유로(542)는 3개의 원형으로 제공될 수 있다. 각각의 원형의 제1냉각 유로(542)는 동심원 형상을 이루며, 일정 거리 이격되어 제공될 수 있다. 제1냉각 플레이트(540)에는 그 상면 및 저면을 관통하는 핀 홀(미도시)이 형성된다. 핀 홀(미도시)은 복수 개로 제공된다. 예컨대, 제1냉각 유체는 제1냉각수로 제공될 수 있다.
다시 도 6 및 도 7을 참조하면, 복수 개의 제2냉각 플레이트들(530)은 제1냉각 플레이트(540)와 버퍼 플레이트(520) 사이에 위치된다. 복수 개의 제2냉각 플레이트들(530)은 상하 방향을 따라 서로 이격되게 위치된다. 복수 개의 제2냉각 플레이트들(530)은 서로 인접하도록 적층되게 위치된다. 제2냉각 플레이트(530)의 내부에는 제2냉각 유체가 흐르는 제2냉각 유로(532)가 형성된다. 제2냉각 유로(532)는 단일의 유로로 제공된다. 상부에서 바라볼 때, 제2냉각 유로(532)는 제2냉각 플레이트(530)에 동심원 형상으로 제공될 수 있다. 일 예로 제2냉각 유로(532)는 3개의 원형으로 제공될 수 있다. 각각의 원형의 제2냉각 유로(532)는 동심원 형상을 이루며, 일정 거리 이격되어 제공될 수 있다. 제2냉각 유로(532)는 제1냉각 유로(542)와 동일한 형상으로 제공될 수 있다. 제2냉각 플레이트(530)에는 그 상면 및 저면을 관통하는 핀 홀(미도시)이 형성된다. 핀 홀(미도시)은 복수 개로 제공된다. 예컨대, 제2냉각 유체는 제2냉각수로 제공될 수 있다. 제2냉각수는 제1냉각수와 상이한 온도를 가질 수 있다. 제2냉각수는 제1냉각수에 비해 낮은 온도로 제공될 수 있다.
버퍼 플레이트(520)는 인덱스 모듈(200)과 처리 모듈(400) 간에 반송되는 기판(W)이 일시 보관되도록 기판(W)을 지지한다. 따라서 인덱스 모듈(200)을 카세트에 수용된 기판(W)을 버퍼 플레이트(520)로 반송하고, 버퍼 플레이트(520) 안착된 기판(W)을 카세트로 반송한다. 버퍼 플레이트(520)는 원형의 판 형상을 가지도록 제공된다. 버퍼 플레이트(520)에는 복수 개의 지지 핀들(522)이 제공된다. 지지핀들(522)은 버퍼 플레이트(520)의 상면으로 위로 돌출되게 제공된다. 지지핀들(522)의 상단에는 기판(W)이 안착될 수 있다.
리프트 부재(560)는 제1냉각 플레이트(540) 및 제2냉각 플레이트(530)에 안착된 기판(W)을 들어 올리거나 내려 놓는다. 리프트 부재(560)는 복수 개로 제공된다. 일 예에 의하면, 리프트 부재(560)는 제2냉각 플레이트들(530)과 제1냉각 플레이트들(540) 각각에 일대일 대응되도록 제공될 수 있다. 각각의 리프트 부재(560)는 복수 개의 리프트 핀(562)들을 포함한다. 리프트 핀(562)들은 핀 홀(미도시)과 일대일 대응되는 개수로 제공된다. 각각의 리프트 핀(562)은 승강 이동하여, 핀 홀(미도시)을 통과 가능하다. 각각의 리프트 핀(562)은 핀 홀(미도시)을 통과하여 기판(W)을 들어 올리거나 내려 놓는다. 일 예에 의하면, 리프트 부재(560)들은 서로 독립 구동될 수 있다.
지지축(550)은 버퍼 플레이트(520), 제2냉각 플레이트(530), 그리고 제1냉각 플레이트(540)를 지지한다. 지지축(550)은 각 플레이트를 사이에 두고 리프트 부재(560)와 마주보도록 위치된다. 지지축(550)은 복수 개의 지지 블럭들(550)(550a 내지 550g 이하, 550)을 포함한다. 지지 블럭들(550)은 서로 적층되게 위치된다. 지지 블럭(550)은 직육면체 형상의 블럭으로 제공된다. 지지 블럭(550)은 하나의 냉각 플레이트를 지지한다. 각각의 지지 블럭(550)의 상면에는 각 냉각 플레이트가 고정 결합될 수 있다. 일 예에 의하면, 지지축(550)의 하부 영역에 위치된 하부 지지 블럭들(550f 및 550g)은 제1냉각 플레이트들(540)을 지지하고, 중간 영역의 지지 블럭들(550a 내지 550e)은 제2냉각 플레이트들(530)을 지지한다. 버퍼 플레이트(520)를 별도의 지지대에 의해 지지될 수 있다. 하부 영역의 지지 블럭(550f 및 550g)에는 제1유로(552)가 제공된다. 제1유로(552)는 제1냉각 유로(542)에 연통되게 제공된다. 중간 영역의 지지 블럭(550a 내지 550e)에는 제2유로(554)가 제공된다. 제2유로(554)는 제2냉각 유로(532)에 연통되게 제공된다. 제1유로(552) 및 제2유로(554) 각각은 공급 유로 및 회수 유로를 가진다. 여기서 공급 유로는 제1냉각 플레이트(540) 또는 제2냉각 플레이트(530))에 냉각 유체가 공급되도록 제1냉각 유로(542) 또는 제2냉각 유로(532)에 연결되는 유로다. 회수 유로는 제1냉각 유로(542) 또는 제2냉각 유로(532)에 제공된 냉각 유체가 회수되도록 제1냉각 유로(542) 또는 제2냉각 유로(532)에 연결되는 유로다.
제1유로(552)의 공급 유로에는 제1공급 라인(562)이 연결되고, 제1유로(552)의 회수 유로에는 제1회수 라인(564)이 연결된다. 제1냉각 유체는 제1공급 라인(562)을 통해 제1유로(552)로 공급되어 제1회수 라인(564)으로 회수된다. 제1공급 라인(562)에는 제1온도 조절기(572)가 설치된다. 제1온도 조절기(572)는 제1냉각 유체를 제1온도로 냉각시킨다.
제2유로(554)의 공급 유로에는 제2공급 라인(566)이 연결되고, 제2유로(554)의 회수 유로에는 제2회수 라인(568)이 연결된다. 제2냉각 유체는 제2공급 라인(566)을 통해 제2유로(554)로 공급되어 제1회수 라인(564)으로 회수된다. 제2공급 라인(566)에는 제2온도 조절기(574)가 설치된다. 제2온도 조절기(574)는 제2냉각 유체를 제2온도로 냉각시킨다. 예컨대, 제1온도 조절기(572)는 제1냉각기이고, 제2온도 조절기(574)는 제2냉각기일 수 있다. 제2온도는 제1온도와 상이한 온도일 수 있다.
제어기(590)는 제1온도 조절기(572), 제2온도 조절기(574), 그리고 도포 모듈(401)의 반송 유닛을 제어한다. 제어기(590)는 제1냉각 유체의 제1온도 및 제2냉각 유체의 제2온도가 서로 상이하도록 각 냉각 유체의 온도를 제어한다. 일 예에 의하면, 제1온도는 제2온도에 비해 높은 온도일 수 있다. 제어기(590)는 제1온도가 가변되도록 제1온도 조절기(572)를 제어하고. 제2온도가 일정한 온도를 유지하도록 제2온도 조절기(574)를 제어한다. 예컨대, 제1온도는 23℃ 내지 25℃이고, 제2온도는 19℃일 수 있다.
또한 제어기(590)는 제1가열 처리 단계, 제1냉각 처리 단계, 액 처리 단계, 제2가열 처리 단계, 그리고 제2냉각 처리 단계가 순차적으로 진행되도록 반송 유닛(430,480)을 제어할 수 있다. 제1가열 처리 단계에는 도포 모듈(401)의 열처리 유닛에서 기판(W)을 가열 처리한다. 제1냉각 처리 단계에는 냉각 유닛의 제1냉각 플레이트(540)에서 기판(W)을 제1온도로 냉각시킨다. 액 처리 단계에는 도포 모듈(401)의 레지스트 도포 챔버에서 기판(W) 상에 감광액을 공급한다. 제2열 처리 단계에는 도포 모듈(401)의 열처리 유닛에서 기판(W)을 가열 처리한다. 제2냉각 처리 단계에는 냉각 유닛의 제2냉각 플레이트(530)에서 기판(W)을 제2온도로 냉각시킨다. 이와 달리 가열 처리 단계 및 액 처리 단계는 현상 모듈(402)의 열 처리 유닛 및 현상 챔버에서 진행될 수 있다.
상술한 실시예에 의하면, 제1공급 라인(562)에는 제1온도 조절기(572)가 설치되고, 제2공급 라인(566)에는 제2온도 조절기(574)가 설치되는 것으로 설명하였다. 그러나 도 9와 같이, 제1공급 라인(562) 및 제2공급 라인(566) 중 제1공급 라인(562)에만 온도 조절기(572)가 설치될 수 있다.
다시 도 2를 참조하면, 버퍼 로봇(360)은 기판(W)을 이송시킨다. 버퍼 로봇(360)은 핸드(361), 아암(362), 그리고 지지대(363)를 포함한다. 핸드(361)는 아암(362)에 고정 설치된다. 아암(362)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(361)가 제2방향(14)을 따라 이동 가능하도록 한다. 아암(362)은 지지대(363)를 따라 제3방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(363)에 결합된다. 지지대(363)는 제 2 버퍼(330)에 대응되는 위치부터 제 1 버퍼(320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가진다. 지지대(363)는 이보다 상부 또는 하부 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 버퍼 로봇(360)은 핸드(361)가 제2방향(14) 및 제3방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다.
도포 모듈(401)은 기판(W)에 대해 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정 및 레지스트 도포 공정 전후에 기판(W)에 대해 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 도포 모듈(401)은 레지스트 도포 챔버(410), 열처리 유닛(420), 그리고 반송 유닛(430)를 가진다. 레지스트 도포 챔버(410), 열처리 유닛(420), 그리고 반송 유닛(430)는 제2방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 레지스트 도포 챔버(410)는 기판(W)에 레지스트 도포 공정을 수행하는 레지스트 도포 챔버(410)로 제공될 수 있다. 레지스트 도포 챔버(410)는 복수 개가 제공되며, 제1방향(12) 및 제3방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 열처리 유닛(420)는 제1방향(12) 및 제3방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다.
반송 유닛(430)는 버퍼 모듈(300)의 버퍼 유닛(500)과 제1방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 유닛(430) 내에는 도포부 로봇(432)과 가이드 레일(433)이 위치된다. 반송 유닛(430)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 도포부 로봇(432)은 열 처리 유닛들(420), 레지스트 도포 챔버들(410), 그리고 버퍼 모듈(300)의 냉각 유닛(500)간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(433)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(433)은 도포부 로봇(432)이 제1방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 도포부 로봇(432)은 핸드(434), 아암(435), 지지대(436), 그리고 받침대(437)를 가진다. 핸드(434)는 아암(435)에 고정 설치된다. 아암(435)은 신축 가능한 구조로 제공된다. 아암(435)는 핸드(434)가 수평 방향으로 이동 가능하게 한다. 지지대(436)는 그 길이 방향이 제3방향(16)을 따라 배치된다. 아암(435)은 지지대(436)를 따라 제3방향(16)으로 직선 이동 가능하다. 아암(435)은 지지대(436)에 결합된다. 지지대(436)는 받침대(437)에 고정 결합된다. 받침대(437)는 가이드 레일(433)을 따라 이동 가능하다. 받침대(437)은 가이드 레일(433)에 결합된다.
레지스트 도포 챔버들(410)은 모두 동일한 구조를 가질 수 있다. 다만, 각각의 레지스트 도포 챔버(410)에서 사용되는 포토 레지스트의 종류는 서로 상이할 수 있다. 일 예로서 포토 레지스트로는 화학 증폭형 레지스트(chemical amplification resist)가 사용될 수 있다. 레지스트 도포 챔버(410)는 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포한다. 레지스트 도포 챔버(410)는 하우징(411), 지지 플레이트(412), 그리고 노즐(413)을 포함한다. 하우징(411)은 상부가 개방된 컵 형상으로 제공된다. 지지 플레이트(412)는 하우징(411) 내에 위치되며, 기판(W)를 지지한다. 지지 플레이트(412)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(413)은 지지 플레이트(412)에 놓인 기판(W) 상으로 포토 레지스트를 공급한다. 노즐(413)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 포토 레지스트를 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(413)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(413)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 레지스트 도포 챔버(410)에는 세정액을 공급하는 노즐(414)이 더 제공될 수 있다. 세정액은 포토 레지스트가 도포된 기판(W) 표면을 세정한다. 일 예로 세정액은 탈이온수로 공급될 수 있다.
열처리 유닛(420)은 웨이퍼(W)를 열처리한다. 예컨대, 열처리 유닛들(420)은 포토 레지스트를 도포하기 전에 웨이퍼(W)를 소정의 온도로 가열하여 웨이퍼(W) 표면의 유기물이나 수분을 제거하는 프리 베이크(prebake) 공정이나 포토레지스트를 웨이퍼(W) 상에 도포한 후에 행하는 소프트 베이크(soft bake) 공정 등을 수행하고, 각각의 가열 공정 이후에 웨이퍼(W)를 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 열처리 유닛(420)은 냉각 플레이트(421) 또는 가열 플레이트(422)를 가진다. 냉각 플레이트(421)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(423)이 제공된다. 또한 가열 플레이트(422)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(424)이 제공된다. 냉각 플레이트(421)와 가열 플레이트(422)는 하나의 열처리 유닛(420) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 열처리 유닛(420)들 중 일부는 냉각 플레이트(421)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(422)만을 구비할 수 있다.
현상 모듈(402)은 기판(W) 상에 액을 공급하여 기판(W)을 처리한다. 일 예로 현상 모듈(402)은 기판(W) 상에 패턴을 얻기 위해 현상액을 공급하여 포토 레지스트의 일부를 제거하는 현상 공정, 및 현상 공정 전후에 기판(W)에 대해 수행되는 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 현상 모듈(402)은 현상 챔버(460), 열처리 유닛(470), 그리고 반송 챔버(480)를 가진다. 현상 챔버(460), 열처리 유닛(470), 그리고 반송 챔버(480)는 제2방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 현상 챔버(460)는 현상 챔버로 제공될 수 있다. 현상 챔버(460)와 열처리 유닛(470)은 반송 챔버(480)를 사이에 두고 제2방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 현상 챔버(460)는 복수 개가 제공되며, 제1방향(12) 및 제3방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다.
반송 챔버(480)는 버퍼 모듈(300)의 버퍼 유닛(500)와 제1방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(480) 내에는 현상부 로봇(482)과 가이드 레일(483)이 위치된다. 반송 챔버(480)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 현상부 로봇(482)은 열 처리 유닛(470), 현상 챔버들(460), 그리고 버퍼 모듈(300)의 버퍼 유닛(500)간에 기판(W)를 이송한다. 가이드 레일(483)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(483)은 현상부 로봇(482)이 제1방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 현상부 로봇(482)은 핸드(484), 아암(485), 지지대(486), 그리고 받침대(487)를 가진다. 핸드(484)는 아암(485)에 고정 설치된다. 아암(485)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(484)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(486)는 그 길이 방향이 제3방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(485)은 지지대(486)를 따라 제3방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(486)에 결합된다. 지지대(486)는 받침대(487)에 고정 결합된다. 받침대(487)는 가이드 레일(483)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(483)에 결합된다.
현상 챔버들(460)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 현상 챔버(460)에서 사용되는 현상액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 현상 챔버(460)는 기판(W) 상의 포토 레지스트 중 광이 조사된 영역을 제거한다. 이때, 보호막 중 광이 조사된 영역도 같이 제거된다. 선택적으로 사용되는 포토 레지스트의 종류에 따라 포토 레지스트 및 보호막의 영역들 중 광이 조사되지 않은 영역만이 제거될 수 있다.
현상 챔버(460)는 하우징(461), 지지 플레이트(462), 그리고 노즐(463)을 가진다. 하우징(461)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(462)는 하우징(461) 내에 위치되며, 기판(W)를 지지한다. 지지 플레이트(462)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(463)은 지지 플레이트(462)에 놓인 기판(W) 상으로 현상액을 공급한다. 노즐(463)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 현상액 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(463)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(463)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 현상 챔버(460)에는 추가적으로 현상액이 공급된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(464)이 더 제공될 수 있다.
현상 모듈(402)에 제공되는 열처리 유닛(470)은 전술한 열처리 유닛(420)과 대체로 동일하게 제공된다.
상술한 바와 같이 처리 모듈(400)에서 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 분리되도록 제공된다. 또한, 상부에서 바라볼 때 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 동일한 챔버 배치를 가질 수 있다.
인터페이스 모듈(700)은 기판(W)을 이송한다. 인터페이스 모듈(700)은 프레임(710), 버퍼 유닛(500), 그리고 인터페이스 로봇(740)를 포함한다. 버퍼 유닛(500), 그리고 인터페이스 로봇(740)은 프레임(710) 내에 위치된다.
인터페이스 로봇(740)은 버퍼 유닛(500)와 제2방향(14)으로 이격되게 위치된다. 인터페이스 로봇(740)은 버퍼 유닛(500), 그리고 노광 모듈(900) 간에 기판(W)을 운반한다.
버퍼 유닛(500)는 공정이 수행된 기판(W)들이 노광 모듈(900)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 인터페이스 모듈(900)에 버퍼 유닛(500)은 버퍼 모듈(300)의 버퍼 유닛(500)과 대체로 동일하게 제공된다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
520: 버퍼 플레이트 530: 제2냉각 플레이트
540: 제1냉각 플레이트 550: 지지축
572: 제1온도 조절기 574: 제2온도 조절기
590: 제어기

Claims (14)

  1. 기판을 처리하는 공정을 수행하는 처리 모듈과;
    다수의 기판들이 수용된 카세트와 상기 처리 모듈 간에 기판을 반송하는 인덱스 로봇을 포함하는 인덱스 모듈을 포함하되,
    상기 처리 모듈은,
    기판이 보관되는 냉각 유닛을 포함하는 버퍼 모듈과;
    기판 처리 공정을 수행하는 하나 또는 복수 개의 처리 유닛들과;
    상기 버퍼 모듈 및 상기 처리 유닛들 간에 기판을 반송하는 반송 유닛을 포함하되,
    상기 냉각 유닛은,
    기판이 안착되며, 내부에 제1온도의 제1냉각 유체가 흐르는 제1냉각 유로가 형성되는 제1냉각 플레이트와;
    상기 제1냉각 플레이트와 적층되며, 기판이 안착되고, 내부에 상기 제1온도와 상이한 제2온도의 제2냉각 유체가 흐르는 제2냉각 유로가 형성되는 제2냉각 플레이트와;
    상기 제1냉각 플레이트 및 상기 제2냉각 플레이트를 지지하며, 내부에는 상기 제1냉각 유로에 연통되는 제1유로 및 상기 제2냉각 유로에 연통되는 제2유로가 형성되는 지지 축을 포함하되,
    상기 제1냉각 유로 및 상기 제2냉각 유로는 서로 독립되게 제공되는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1온도는 상기 제2온도보다 높게 제공되고,
    상기 기판 처리 공정은 기판 상에 감광액을 도포하는 공정을 포함하고,
    상기 처리 유닛에 반입되기 전의 기판을 상기 제1냉각 플레이트에 안착시키고, 상기 처리 유닛에 반출된 후의 기판이 상기 제2냉각 플레이트에 안착되도록 상기 반송 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 냉각 유닛은,
    상기 제1냉각 플레이트 및 상기 제2냉각 플레이트보다 높은 위치에서 적층되는 버퍼 플레이트를 더 포함하되,
    상기 인덱스 로봇은 상기 카세트 및 상기 버퍼 플레이트 간에 기판을 반송하는 기판 처리 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 냉각 유닛은,
    상기 제1유로에 연결되며, 제1온도 조절기가 설치되는 제1공급 라인과;
    상기 제2유로에 연결되며, 제2온도 조절기가 설치되는 제2공급 라인을 더 포함하는 기판 처리 장치.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 냉각 유닛은,
    상기 제1유로에 연결되는 제1공급 라인과;
    상기 제2유로에 연결되는 제2공급 라인과;
    상기 제1공급 라인 및 상기 제2공급 라인 중 상기 제1공급 라인에만 설치되는 온도 조절기를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  6. 기판을 냉각하는 냉각 유닛에 있어서,
    기판이 안착되며, 내부에 제1온도의 제1냉각 유체가 흐르는 제1냉각 유로가 형성되는 제1냉각 플레이트와;
    상기 제1냉각 플레이트와 적층되며, 기판이 안착되고, 내부에 상기 제1온도와 상이한 제2온도의 제2냉각 유체가 흐르는 제2냉각 유로가 형성되는 제2냉각 플레이트와;
    상기 제1냉각 플레이트 및 상기 제2냉각 플레이트를 지지하며, 내부에는 상기 제1냉각 유로에 연통되는 제1유로 및 상기 제2냉각 유로에 연통되는 제2유로가 형성되는 지지 축을 포함하되,
    상기 제1냉각 유로 및 상기 제2냉각 유로는 서로 독립되게 제공되는 냉각 유닛.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 냉각 유닛은,
    상기 제1유로에 연결되며, 제1온도 조절기가 설치되는 제1공급 라인과;
    상기 제2유로에 연결되며, 제2온도 조절기가 설치되는 제2공급 라인을 더 포함하는 냉각 유닛.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 냉각 유닛은,
    상기 제1유로에 연결되는 제1공급 라인과;
    상기 제2유로에 연결되는 제2공급 라인과;
    상기 제1공급 라인 및 상기 제2공급 라인 중 상기 제1공급 라인에만 설치되는 온도 조절기를 더 포함하는 냉각 유닛.
  9. 기판을 제1온도로 냉각하는 제1냉각 처리 단계와;
    상기 제1냉각 처리 단계 이후에, 상기 기판 상에 감광액을 공급하는 액 처리 단계와;
    상기 액 공급 단계 이후에, 상기 기판을 상기 제1온도와 상이한 제2온도로 냉각하는 제2냉각 처리 단계를 포함하는 기판 처리 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제1온도는 상기 제2온도에 비해 높게 제공되는 기판 처리 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제1냉각 처리 단계에는 상기 기판을 제1냉각 플레이트에 안착시키고,
    상기 제2냉각 처리 단계에는 상기 기판을 제2냉각 플레이트에 안착시키되,
    상기 제1냉각 플레이트의 내부에는 상기 제1온도의 제1냉각 유체가 흐르고,
    상기 제2냉각 플레이트의 내부에는 상기 제2온도의 제2냉각 유체가 흐르는 기판 처리 방법.
  12. 제9항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1냉각 처리 단계 이전에, 상기 기판을 가열 처리하는 제1가열 처리 단계와;
    상기 액 처리 단계 및 상기 제2냉각 처리 단계 사이에, 상기 기판을 가열 처리하는 제2가열 처리 단계를 더 포함하는 기판 처리 방법.
  13. 제1항의 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서,
    상기 기판을 상기 제1냉각 플레이트에 안착시켜 상기 기판을 제1온도로 냉각하는 제1냉각 처리 단계와;
    상기 제1냉각 처리 단계 이후에, 상기 처리 유닛에서 상기 기판 상에 처리액을 공급하는 액 처리 단계와;
    상기 액 처리 단계 이후에, 상기 기판을 상기 제2냉각 플레이트에 안착시켜 상기 기판을 상기 제1온도와 상이한 제2온도로 냉각하는 제2냉각 처리 단계를 포함하되,
    상기 제1온도는 상기 제2온도보다 높게 제공되고,
    상기 처리액은 감광액을 포함하는 기판 처리 방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 제1냉각 처리 단계 이전에, 상기 기판을 가열 처리하는 제1가열 처리 단계와;
    상기 액 처리 단계 및 상기 제2냉각 처리 단계 사이에, 상기 기판을 가열 처리하는 제2가열 처리 단계를 더 포함하는 기판 처리 방법.






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