KR20200047864A - 기판 처리 장치 - Google Patents

기판 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20200047864A
KR20200047864A KR1020180128104A KR20180128104A KR20200047864A KR 20200047864 A KR20200047864 A KR 20200047864A KR 1020180128104 A KR1020180128104 A KR 1020180128104A KR 20180128104 A KR20180128104 A KR 20180128104A KR 20200047864 A KR20200047864 A KR 20200047864A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
cooling
air
flow path
substrate
cooling water
Prior art date
Application number
KR1020180128104A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102139602B1 (ko
Inventor
엄기상
방제오
김병옥
임건엽
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020180128104A priority Critical patent/KR102139602B1/ko
Publication of KR20200047864A publication Critical patent/KR20200047864A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102139602B1 publication Critical patent/KR102139602B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

본 발명의 일 실시예는, 연결블록; 상기 연결블록에 서로 이격되도록 복수 체결되고, 기판을 지지하는 냉각플레이트;를 포함하며, 상기 냉각플레이트의 내부에는 냉각수가 흐르는 냉각수 유로 및 냉각공기가 유동하는 공기 유로가 구비되고, 상기 냉각플레이트의 저면에는 상기 공기 유로와 연결되며 하측에 배치된 기판에 냉각공기를 분사하는 공기분사노즐이 적어도 하나 이상 형성되는 기판 처리 장치를 제공한다.

Description

기판 처리 장치{APPARATUS FOR PROCESSING SUBSTRATE}
본 발명은 고온 처리된 기판을 냉각 처리하기 위한 기판 처리 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자는 기판 상에 여러 가지 물질을 박막 형태로 증착하고 이를 패터닝하여 제조된다. 이를 위하여 증착, 식각 등 여러 단계의 서로 다른 기판 처리 공정이 요구된다. 각각의 처리 공정에서 기판은 해당 공정에 최적의 조건을 제공하는 챔버에 장착되어 처리될 수 있다.
도 1은 일반적인 기판 처리 시스템을 보여주는 평면도이다.
도 1을 참고하면, 기판 처리 시스템은 인덱스모듈(10) 및 공정모듈(20)을 포함한다.
여기서, 기판은 실리콘 웨이퍼, 유리기판, 유기기판 등을 모두 포함하는 포괄적인 개념이다.
인덱스모듈(10)은 외부로부터 기판을 반송 받아 공정모듈(20)로 기판을 반송한다. 인덱스모듈(10)은 로드챔버(11)와 이송프레임(12)을 포함한다.
로드챔버(11)에는 기판이 수용되는 용기(11a)가 놓인다. 용기(11a)로는 전면 개방 일체형 포드(FOUP: Front Opening Unified Pod)가 사용될 수 있다. 용기(11a)는 오버헤드 트랜스퍼(OHT: Overhead Transfer)에 의해 외부로부터 로드챔버(11)로 반입되거나 로드챔버(11)로부터 외부로 반출될 수 있다.
이송프레임(12)은 로드챔버(11)에 놓인 용기(11a)와 공정모듈(20) 간에 기판을 반송한다. 이송프레임(12)은 인덱스로봇(12a)과 인덱스레일(12b)을 포함한다. 인덱스로봇(12a)은 인덱스레일(12b) 상에서 이동하며 기판을 반송할 수 있다. 예를 들어, 인덱스로봇(12a)은 기판을 용기(11a)로부터 인출하여 후술하는 버퍼슬롯에 놓을 수 있다.
공정모듈(20)은 버퍼챔버(21), 이송챔버(22), 공정챔버(23)를 포함한다.
버퍼챔버(21)는 인덱스모듈(10)과 공정모듈(20) 간에 반송되는 기판이 임시로 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼챔버(21)에는 기판이 놓이는 버퍼슬롯(21a)이 제공될 수 있다. 버퍼슬롯(21a)은 복수 제공될 수 있으며, 이에 따라 기판 역시 복수가 버퍼챔버(21)에 유입될 수 있다.
이송챔버(22)는 그 주변에 배치된 버퍼챔버(21), 공정챔버(23) 간에 기판을 반송한다. 이송챔버(22)는 이송로봇(22a)과 이송레일(22b)을 포함한다. 이송로봇(22a)은 이송레일(22b) 상에서 이동하며 기판을 반송할 수 있다. 즉, 이송챔버(22)의 이송로봇(22a)은 버퍼슬롯(21a)에 놓인 기판을 인출하여 이를 공정챔버(23)로 반송할 수 있다.
공정챔버(23)는 하나 또는 복수개가 제공될 수 있다. 공정챔버(23)는 일측에 기판이 출입하기 위한 출입구를 구비하고, 출입구는 도어에 의해 개폐될 수 있다. 공정챔버는 출입구가 제공된 일측면이 이송챔버(22)를 향하도록 배치될 수 있다.
공정챔버(23)는 기판에 대해 소정의 공정을 수행한다. 예컨대, 공정챔버(23)는 포토레지스트 도포, 현상, 세정, 열처리 등의 공정을 수행할 수 있다.
공정챔버(23)가 복수 제공되는 경우, 공정챔버들은 기판에 대해 서로 동일한 공정을 수행하거나 선택적으로 서로 상이한 공정을 수행할 수 있다. 공정챔버(23)에서 공정 처리가 완료된 기판은 고온 상태로 공정챔버(23)의 외부로 배출된다.
따라서, 공정챔버에서 배출되는 기판은 후속 공정을 위해 설정 온도로 냉각될 필요가 있다. 기판의 냉각 처리는 각 공정챔버에 포함되는 기판 처리 장치 또는 공정챔버 간의 이동 과정 중에 존재하는 별도의 기판 처리 장치에 의해 수행될 수 있다. 이때, 전체적인 공정 속도를 향상시키기 위한 하나의 방법으로서, 상기한 기판 처리 장치에 의해 기판을 신속하게 냉각하기 위한 연구가 요구된다.
한국공개특허 10-2017-0017506
본 발명은 복수의 기판을 신속하게 냉각할 수 있도록 한 기판 처리 장치를 제공한다.
본 발명의 목적은 전술한 바에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 본 발명의 다른 목적 및 장점들은 하기의 설명에 의해서 이해될 수 있다.
본 발명의 실시예에 의한 기판 처리 장치는, 연결블록; 상기 연결블록에 서로 이격되도록 복수 체결되고, 기판을 지지하는 냉각플레이트;를 포함하며, 상기 냉각플레이트의 내부에는 냉각수가 흐르는 냉각수 유로 및 냉각공기가 유동하는 공기 유로가 구비되고, 상기 냉각플레이트의 저면에는 상기 공기 유로와 연결되며 하측에 배치된 기판에 냉각공기를 분사하는 공기분사노즐이 적어도 하나 이상 형성될 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 상기 냉각플레이트는 상기 연결블록에 체결되는 체결부를 더 포함하며, 상기 체결부에는 상기 냉각수 유로의 입구와 출구 및 상기 공기 유로의 입구가 형성될 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 상기 연결블록에는 상기 냉각수 유로의 입구와 출구에 각각 연결되는 냉각수 공급라인과 냉각수 배출라인 및 상기 공기 유로의 입구에 연결되는 냉각공기 공급라인이 구비될 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 상기 냉각수 유로와 상기 공기 유로는 서로 상이한 위상으로 형성되거나 또는 동일 위상에서 서로 간섭되지 않도록 형성될 수 있다. 이때, 상기 공기분사노즐은 상기 체결부로부터 멀어질수록 직경이 증가하도록 형성될 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 상기 연결블록은 상기 냉각플레이트를 지지하도록 일측으로 돌출되는 지지부를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 상기 냉각플레이트의 상면에는 기판을 지지하는 지지핀이 구비될 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 의한 기판 처리 장치는, 연결블록; 상기 연결블록에 서로 이격되도록 복수 체결되며, 기판을 지지하는 냉각플레이트;를 포함하며, 상기 연결블록의 일측에는 적어도 하나 이상의 공기분사노즐이 형성되고, 상기 냉각플레이트의 내부에는 냉각수가 흐르는 냉각수 유로가 구비될 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 상기 연결블록은 상기 냉각플레이트를 지지하도록 일측으로 돌출되는 지지부를 더 포함하며, 상기 공기분사노즐은 상기 지지부에 형성될 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 상기 공기분사노즐은 원형, 슬릿형 중 어느 하나의 형태로 형성될 수 있다. 또한, 상기 공기분사노즐은 분사구 측으로 갈수록 직경이 증가하거나 또는 분사구 측으로 갈수록 점차 분사각도가 증가하도록 형성될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 복수의 냉각플레이트를 구비한 기판 처리 장치에서, 각 냉각플레이트 내부에 수냉식 유로 및 공냉식 유로가 함께 구비되어 기판을 수냉 및 공냉의 2중 방식으로 냉각할 수 있다. 이에 따라 작업 처리량 및 공정 속도를 극대화할 수 있다.
본 발명의 효과는 상기한 효과로 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 상세한 설명 또는 특허청구범위에 기재된 발명의 구성으로부터 추론 가능한 모든 효과를 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
도 1은 일반적인 기판 처리 시스템을 도시한 평면도이다.
도 2는 본 발명의 제1실시예에 의한 기판 처리 장치를 도시한 사시도이다.
도 3은 본 발명의 제1실시예에 의한 기판 처리 장치의 냉각플레이트의 평면도이다.
도 4는 본 발명의 제1실시예에 의한 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 제2실시예에 의한 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 6은 본 발명의 제3실시예에 의한 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 7은 도 6의 “A” 부분을 평면에서 본 상세도이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 본 발명의 본질과 관계없는 부분은 그에 대한 상세한 설명을 생략할 수 있으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 부여할 수 있다.
또한, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 여기서 사용되는 용어는 단지 특정 실시예를 언급하기 위한 것으로서 본 발명을 한정하도록 의도되지 않으며, 본 명세서에서 다르게 정의되지 않는 한 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 이해되는 개념으로 해석될 수 있다.
도 2 내지 도 4는 본 발명의 제1실시예에 의한 기판 처리 장치를 도시한 것이다.
도 2 내지 도 4를 참고하면, 제1실시예에 의한 기판 처리 장치는 연결블록(100), 연결블록(100)에 적층 배치되는 복수의 냉각플레이트(200)를 포함한다.
연결블록(100)은 본 발명의 실시예에 의한 기판 처리 공정을 실시하기 위한 챔버(도시 생략) 내에 설치될 수 있다. 챔버의 일측에는 기판이 반입 및 반출되도록 출입구가 형성될 수 있다.
연결블록(100)에는 냉각플레이트(200)의 체결부(210)가 삽입 결합되도록 체결홀(도시 생략)이 형성될 수 있다. 연결블록(100) 내부에는 냉각수를 냉각플레이트(200)로 공급할 수 있도록 냉각수 공급라인(120) 및 냉각플레이트(200)로부터 냉각수가 배출되는 냉각수 배출라인(130)이 구비된다. 냉각수 공급라인(120) 및 냉각수 배출라인(130)은 도시하지 않은 냉각수 탱크와 연결될 수 있다. 또한, 연결블록(100) 내부에는 냉각플레이트(200)로 냉각공기를 공급할 수 있도록 냉각공기 공급라인(140)이 구비된다.
연결블록(100)의 일측에는 냉각플레이트(200)를 지지하는 지지부(110)가 돌출될 수 있다. 지지부(110)는 냉각플레이트(200)의 일부분 예컨대, 냉각플레이트(200)의 체결부(210)를 지지한다. 지지부(110)는 연결블록(100)의 일측면에 수직 방향으로 일정 간격을 두고 복수 구비된다.
냉각플레이트(200)는 연결블록(100)에 상하 방향으로 이격되게 복수 배치된다. 냉각플레이트(200)는 기판(S)과 대응되는 형태로 형성될 수 있다. 예를 들면, 기판이 원판 형의 반도체 웨이퍼인 경우 냉각플레이트(200)는 대략 원판 형으로 형성될 수 있다.
냉각플레이트(200)의 내부에는 냉각물질이 순환하는 통로인 냉각수 유로(230)가 구비된다. 냉각수 유로(230)는 최대한 냉각플레이트(200)의 전체 면적에 걸쳐 형성될 수 있도록 지그재그 또는 수회 굴곡 형성될 수 있다.
냉각플레이트(200)의 일측에는 연결블록(100)에 체결되는 체결부(210)가 구비된다. 체결부(210)에는 냉각수 유로(230)의 입구(231) 및 출구(232)가 형성된다. 냉각수 유로(230)의 입구(231) 및 출구(232)는 각각 연결블록(100)의 냉각수 공급라인(120) 및 냉각수 배출라인(130)과 연결된다.
공정 진행을 통해 가열된 기판이 냉각플레이트(200)의 상면에 접촉될 경우, 내부에 냉각수가 흐르는 냉각플레이트(200)에 의해 급격한 온도 변화가 발생할 수 있으며, 이에 따라 기판의 변형을 초래할 수 있다. 따라서, 기판은 냉각플레이트(200)의 상면에 이격 배치되는 것이 바람직하다.
이에 따라, 냉각플레이트(200)의 상면에는 복수의 지지핀(220)이 상측 방향으로 돌출된다. 지지핀(220)들은 냉각플레이트(200)의 상측에 놓이는 기판(S)을 지지해 준다. 기판(S)은 지지핀(220)들에 의해 냉각플레이트(200)의 상면과 소정 간격 이격되어 배치된다. 따라서, 각 냉각플레이트(200)의 지지핀(220)에 접촉 지지된 기판(S)은 냉각수 유로(230)를 순환하는 냉각물질과의 열전달을 통해서 냉각된다.
또한, 냉각플레이트(200) 내부에는 냉각공기가 유동하도록 공기 유로(240)가 형성된다. 공기 유로(240)는 냉각수 유로(230)와 간섭되지 않도록 냉각수 유로(230)와 상이한 위상으로 배치될 수 있다. 예컨대, 공기 유로(240)는 냉각수 유로(230)의 하측에 배치될 수 있다.
공기 유로(240)의 입구(241)는 외부로부터 냉각공기가 공급되는 냉각공기 공급라인(140)과 연결된다. 냉각플레이트(200)의 저면에는 복수의 공기분사노즐(242)이 형성되며, 냉각플레이트(200)에 형성된 공기 유로(240)는 각 공기분사노즐(242)과 연결된다. 따라서, 냉각공기는 상부 냉각플레이트의 공기분사노즐을 통해서 하부 냉각플레이트(200)로 분사된다.
또한, 연결블록(100)에 체결되는 상부 냉각플레이트와 하부 냉각플레이트 간에는 충분한 간격이 확보될 필요가 있다. 즉, 하부 냉각플레이트 상에 안착된 기판이 상부 냉각플레이트의 저면과 접촉되지 않을 정도의 간격이 요구된다. 예컨대, 하부 냉각플레이트 상의 고온의 기판이 상부 냉각플레이트의 저면과 직접 접촉될 경우 기판의 급격한 온도 변화를 유발하여 기판 또는 기판에 형성된 패턴에 변형 등이 발생할 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 실시예에서는 하나의 기판 처리 장치로 복수의 기판에 대해 동시에 냉각처리를 진행할 수 있다. 즉, 기판의 상측과 하측에서 공냉식 및 수냉식으로 동시에 냉각시킴으로써, 하부에서만 수냉식으로 냉각시키는 경우에 비해 냉각 효과가 보다 활발하게 이루어질 수 있다. 따라서, 기판의 냉각 처리 속도를 증가시킬 수 있게 된다.
도 5는 본 발명의 제2실시예에 의한 기판 처리 장치를 도시한 것이다.
도 5를 참고하면, 제2실시예에 의한 기판 처리 장치는 냉각플레이트(200)의 내부에 냉각수 유로(230) 및 공기 유로(240)가 형성되는 구성은 제1실시예의 기판 처리 장치와 유사하다.
다만, 제2실시예에서는 냉각플레이트(200) 내에 배치되는 냉각수 유로(230)와 공기 유로(240)가 동일 위상으로 형성된다. 즉, 공기 유로(240)는 냉각수 유로(230)와 간섭되지 않도록 냉각플레이트(200)에 배치되고, 냉각플레이트(200)의 저면에는 공기 유로(240)로부터 하측의 기판에 공기를 분사하도록 공기분사노즐(242)이 형성된다.
따라서, 제1실시예와 비교하여 냉각플레이트(200)의 두께를 감소시킬 수 있고, 이에 따라 공간 활용도를 높일 수 있다.
한편, 냉각플레이트(200)에 형성된 공기분사노즐(242)들의 직경이 동일할 경우 체결부(210)와 근접한 부분에 형성된 공기분사노즐(242)로부터 우선적으로 하측 기판에 공기를 분사하게 되므로, 전체 공기분사노즐(242)의 공기 분사량이 상이할 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예에서는 공기 유로(240)의 입구 즉, 체결부(210)로부터 멀어질수록 공기분사노즐(242)의 직경이 증가하도록 형성된다. 따라서, 기판 전체에 걸쳐 분사되는 공기분사량이 최대한 균일해질 수 있다.
도 6은 본 발명의 제3실시예에 의한 기판 처리 장치를 도시한 것이다.
도 6을 참고하면, 제3실시예에 의한 기판 처리 장치는 연결블록(100), 연결블록(100)에 적층 배치되는 복수의 냉각플레이트(200)를 포함한다.
연결블록(100)에는 냉각플레이트(200)의 체결부(210)가 삽입 결합되도록 체결홀(도시 생략)이 형성될 수 있다. 연결블록(100) 내부에는 냉각수를 냉각플레이트(200)로 공급할 수 있도록 냉각수 공급라인(120) 및 냉각플레이트(200)로부터 냉각수가 배출되는 냉각수 배출라인(130)이 구비된다. 냉각수 공급라인(120) 및 냉각수 배출라인(130)은 도시하지 않은 냉각수 탱크와 연결될 수 있다.
또한, 연결블록(100) 내부에는 냉각플레이트(200)로 공기를 공급할 수 있도록 공기 공급라인이 구비된다.
연결블록(100)의 일측에는 냉각플레이트(200)를 지지하는 지지부(110)가 돌출될 수 있다. 지지부(110)는 냉각플레이트(200)의 일부분 예컨대, 냉각플레이트(200)의 체결부(210)를 지지한다. 지지부(110)는 연결블록(100)에 수직 방향으로 일정 간격을 두고 복수 구비된다.
지지부(110)에는 적어도 하나 이상의 공기분사노즐(111)이 형성된다. 공기분사노즐(111)은 냉각공기 공급라인(140)과 연결된다. 따라서, 지지부(110)에 형성된 공기분사노즐(111)은 연결블록(100)에 형성된 냉각공기 공급라인(140)을 통해 냉각용 공기를 제공받고, 하부 냉각플레이트(200)에 지지된 기판(S) 상에 냉각용 공기를 분사할 수 있다.
공기분사노즐(111)은 원형, 슬릿형 등 그 형태가 다양하게 형성될 수 있다. 또한, 공기분사노즐(111)은 분사구 측으로 갈수록 직경이 점차 증가하거나 또는 도 7과 같이 분사구 측으로 갈수록 점차 분사각도가 증가되도록 경사면이 형성됨으로써 기판(S)의 전체 면적에 고르게 냉각공기가 분사되도록 할 수 있다.
냉각플레이트(200)는 연결블록(100)에 상하 방향으로 이격되게 복수 배치된다. 냉각플레이트(200)의 내부에는 냉각수 유로(230)가 구비된다. 냉각수 유로(230)는 냉각물질이 순환하는 통로로서, 최대한 냉각플레이트(200)의 전체 면적에 걸쳐 형성될 수 있도록 지그재그 또는 수회 굴곡 형성될 수 있다.
냉각플레이트(200)의 일측에는 연결블록(100)에 체결되는 체결부(210)가 구비된다. 체결부(210)에는 냉각수 유로(230)의 입구 및 출구가 형성된다. 냉각수 유로(230)의 입구 및 출구는 각각 연결블록(100)의 냉각수 공급라인(120) 및 냉각수 배출라인(130)과 연결된다.
냉각플레이트(200)의 상면에는 복수의 지지핀(220)이 상측 방향으로 돌출된다. 지지핀(220)들은 냉각플레이트(200)의 상측에 놓이는 기판(S)을 지지해 준다. 기판(S)은 지지핀(220)들에 의해 냉각플레이트(200)의 상면과 소정 간격 이격되어 배치된다. 각 냉각플레이트(200)의 지지핀(220)에 접촉 지지된 기판(S)은 냉각수 유로(230)를 순환하는 냉각수와의 열전달을 통해서 냉각된다.
이와 같이 제3실시예의 기판 처리 장치는 공기분사노즐(111)이 연결블록(100)에 형성됨으로써 냉각플레이트(200)의 구조를 변경하지 않아도 되며, 이에 따라 기존에 사용하던 냉각플레이트를 그대로 적용할 수 있다.
본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있으므로, 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해해야만 한다.
본 발명의 범위는 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
100; 연결블록 110; 지지부
111; 공기분사노즐 120; 냉각수 공급라인
130; 냉각수 배출라인 140; 냉각공기 공급라인
200; 냉각플레이트 210; 체결부
220; 지지핀 230; 냉각수 유로
240; 공기 유로 242; 공기분사노즐

Claims (12)

  1. 연결블록;
    상기 연결블록에 서로 이격되도록 복수 체결되고, 기판을 지지하는 냉각플레이트;를 포함하며,
    상기 냉각플레이트의 내부에는 냉각수가 흐르는 냉각수 유로와, 냉각공기가 유동하는 공기 유로가 구비되고,
    상기 냉각플레이트의 저면에는 상기 공기 유로와 연결되며 하측에 배치된 기판에 냉각공기를 분사하는 공기분사노즐이 적어도 하나 이상 형성되는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 냉각플레이트는 상기 연결블록에 체결되는 체결부를 더 포함하며,
    상기 체결부에는 상기 냉각수 유로의 입구와 출구 및 상기 공기 유로의 입구가 형성되는 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 공기분사노즐은 상기 체결부로부터 멀어질수록 직경이 증가하도록 형성되는 기판 처리 장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 연결블록에는, 상기 냉각수 유로의 입구와 출구에 각각 연결되는 냉각수 공급라인과 냉각수 배출라인 및 상기 공기 유로의 입구에 연결되는 냉각공기 공급라인이 구비되는 기판 처리 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 냉각수 유로와 상기 공기 유로는 서로 상이한 위상으로 형성되는 기판 처리 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 냉각수 유로와 상기 공기 유로는 동일 위상에서 서로 간섭되지 않도록 형성되는 기판 처리 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 연결블록은 상기 냉각플레이트를 지지하도록 일측으로 돌출되는 지지부를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 냉각플레이트의 상면에는 기판을 지지하는 지지핀이 구비되는 기판 처리 장치.
  9. 연결블록;
    상기 연결블록에 서로 이격되도록 복수 체결되며, 기판을 지지하는 냉각플레이트;를 포함하며,
    상기 연결블록의 일측에는 적어도 하나 이상의 공기분사노즐이 형성되고, 상기 냉각플레이트의 내부에는 냉각수가 흐르는 냉각수 유로가 구비되는 기판 처리 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 연결블록은 상기 냉각플레이트를 지지하도록 일측으로 돌출되는 지지부를 더 포함하며, 상기 공기분사노즐은 상기 지지부에 형성되는 기판 처리 장치.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 공기분사노즐은 원형, 슬릿형 중 어느 하나의 형태로 형성되는 기판 처리 장치.
  12. 제9항에 있어서,
    상기 공기분사노즐은 분사구 측으로 갈수록 직경이 증가하거나 또는 분사구 측으로 갈수록 점차 분사각도가 증가하도록 형성되는 기판 처리 장치.
KR1020180128104A 2018-10-25 2018-10-25 기판 처리 장치 KR102139602B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180128104A KR102139602B1 (ko) 2018-10-25 2018-10-25 기판 처리 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180128104A KR102139602B1 (ko) 2018-10-25 2018-10-25 기판 처리 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200047864A true KR20200047864A (ko) 2020-05-08
KR102139602B1 KR102139602B1 (ko) 2020-07-31

Family

ID=70676837

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180128104A KR102139602B1 (ko) 2018-10-25 2018-10-25 기판 처리 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102139602B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11281116B2 (en) * 2020-03-24 2022-03-22 Tokyo Electron Limited Substrate stage and substrate processing apparatus

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030071098A (ko) * 2002-02-27 2003-09-03 주식회사 엘지이아이 질화갈륨 기판의 제조 장치
KR20070121394A (ko) * 2006-06-22 2007-12-27 세메스 주식회사 기판 냉각 챔버 및 방법, 그리고 상기 챔버를 구비하는플라즈마 처리장치 및 방법
KR20120002139A (ko) * 2010-06-30 2012-01-05 삼성모바일디스플레이주식회사 기판 가공 장치
KR20170017506A (ko) 2015-08-07 2017-02-15 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20170052333A (ko) * 2015-11-04 2017-05-12 세메스 주식회사 냉각 유닛, 기판 처리 장치, 그리고 기판 처리 방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030071098A (ko) * 2002-02-27 2003-09-03 주식회사 엘지이아이 질화갈륨 기판의 제조 장치
KR20070121394A (ko) * 2006-06-22 2007-12-27 세메스 주식회사 기판 냉각 챔버 및 방법, 그리고 상기 챔버를 구비하는플라즈마 처리장치 및 방법
KR20120002139A (ko) * 2010-06-30 2012-01-05 삼성모바일디스플레이주식회사 기판 가공 장치
KR20170017506A (ko) 2015-08-07 2017-02-15 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20170052333A (ko) * 2015-11-04 2017-05-12 세메스 주식회사 냉각 유닛, 기판 처리 장치, 그리고 기판 처리 방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11281116B2 (en) * 2020-03-24 2022-03-22 Tokyo Electron Limited Substrate stage and substrate processing apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
KR102139602B1 (ko) 2020-07-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10908503B2 (en) Apparatus for treating substrate
KR101059277B1 (ko) 가열 장치, 도포, 현상 장치 및 가열 방법
US6682629B2 (en) Substrate processing unit
KR101061651B1 (ko) 가열 장치 및 가열 방법
US10573546B2 (en) Substrate treating apparatus
US20090001071A1 (en) Method and System for Cooling a Bake Plate in a Track Lithography Tool
KR102139602B1 (ko) 기판 처리 장치
US11714356B2 (en) Bake unit and apparatus for treating substrate
KR20180051914A (ko) 로드락챔버 및 이를 포함하는 기판처리장치
KR101653335B1 (ko) 냉각 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 방법
KR20080011903A (ko) 반도체 기판의 이송 장치, 기판 처리 장치 및 이를 이용한기판의 냉각 방법
KR101312252B1 (ko) 기판 냉각 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 설비
US6644964B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR100749546B1 (ko) 반도체 기판의 이송 장치, 기판 처리 장치, 그리고 이를이용한 기판의 온도 제어 방법
KR101024356B1 (ko) 기판 코팅 유닛, 이를 갖는 기판 처리 장치 및 이를 이용한기판 처리 방법
KR20180051911A (ko) 로드락챔버 및 이를 포함하는 기판처리장치
KR102282145B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
US20230311153A1 (en) Substrate processing apparatus
KR20080011902A (ko) 반도체 기판의 이송 장치, 기판 처리 장치, 그리고 이를이용한 기판의 냉각 방법
US20220413397A1 (en) Support unit, bake apparatus and substrate treating apparatus including the same
KR20240002757A (ko) 기판 처리 장치
KR102454447B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102282147B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR20220020100A (ko) 기판 처리 장치 및 액 공급 유닛
KR102504570B1 (ko) 기판 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)