KR20150039063A

KR20150039063A - 기판 처리 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 설비, 그리고 이를 이용하는 기판 처리 방법

Info

Publication number: KR20150039063A
Application number: KR20130153993A
Authority: KR
Inventors: 유양열; 최진호
Original assignee: 세메스 주식회사
Priority date: 2013-09-30
Filing date: 2013-12-11
Publication date: 2015-04-09
Also published as: KR101582569B1

Abstract

기판 처리 장치가 개시된다. 기판 처리 장치는 내부에 처리 공간이 형성된 하우징; 상기 처리 공간에 위치하며, 기판을 지지하는 지지 플레이트; 상기 지지 플레이트에 지지된 기판으로 처리액을 공급하는 액 공급유닛; 상기 처리 공간에 위치하고, 상기 지지 플레이트가 위치하는 수용 공간을 가지며 처리액을 회수하는 용기; 및 상기 처리 공간 및 상기 수용 공간 내 흄을 배기하는 배기 유닛을 포함하되, 상기 배기 유닛은 배기압을 제공하는 감압부재; 상기 용기와 상기 감압부재를 연결하는 제1배기라인; 및 상기 하우징과 상기 감압부재를 연결하는 제2배기라인을 포함한다.

Description

기판 처리 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 설비, 그리고 이를 이용하는 기판 처리 방법{SUBSTRATE TREATING APPARATUS, SUBSTRATE TREATING FACILITY INCLUDING THE APPARATUS, AND SUBSTRATE TREATING METHOD USING THE APPARATUS}

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 처리액을 이용하여 기판을 처리하는 장치에 관한 것이다.

반도체 소자를 제조하기 위해서는 세정, 증착, 포토 리소그래피, 에칭, 그리고 이온주입 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 패턴을 형성하기 위해 수행되는 포토 리소그래피 공정은 반도체 소자의 고집적화를 이루는데 중요한 역할을 수행한다.

일반적으로 포토 리소그래피 공정을 수행하는 설비는 웨이퍼에 레지스트를 도포하는 도포 장치, 노광이 완료된 웨이퍼에 대해 현상 공정을 수행하는 현상 장치, 그리고 노광 장치와의 인라인 연결을 위한 인터페이스를 가진 처리 모듈을 가진다.

도포 공정 및 현상 공정과 같이 처리액을 이용하는 공정의 경우 다량의 흄이 챔버 내에 발생한다. 흄은 배기라인을 통해 챔버 외부로 배기되나, 장치에 부착된 흄은 배기가 용이하지 않다. 작업자가 장치의 메인터넌스를 위해 도어를 개방하는 경우, 하우징 내에 머무르는 흄은 개구를 통해 외부로 유출될 수 있다.

한국등록특허 제10-1166109호

본 발명은 흄이 외부로 유출되는 것을 최소화할 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다.

또한, 본 발명은 하우징 내 흄을 신속하게 배기할 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다.

본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치는 내부에 처리 공간이 형성된 하우징; 상기 처리 공간에 위치하며, 기판을 지지하는 지지 플레이트; 상기 지지 플레이트에 지지된 기판으로 처리액을 공급하는 액 공급유닛; 상기 처리 공간에 위치하고, 상기 지지 플레이트가 위치하는 수용 공간을 가지며 처리액을 회수하는 용기; 및 상기 처리 공간 및 상기 수용 공간 내 흄을 배기하는 배기 유닛을 포함하되, 상기 배기 유닛은 배기압을 제공하는 감압부재; 상기 용기와 상기 감압부재를 연결하는 제1배기라인; 및 상기 하우징과 상기 감압부재를 연결하는 제2배기라인을 포함한다.

또한, 상기 하우징의 일 측벽에는 메인터넌스(maintenance)용 개구가 형성되고, 상기 제2배기라인은 상기 개구에 인접한 영역에서 상기 하우징의 측벽과 연결될 수 있다.

또한, 상기 배기 유닛은 상기 제1배기라인 상에 설치되며, 상기 제1배기라인의 개방율을 조절하는 제1댐퍼; 상기 제2배기라인 상에 설치되며, 상기 제2배기라인의 개방율을 조절하는 제2댐퍼; 및 공정 진행 시보다 메인터넌스 시, 상기 제1배기라인 및 상기 제2배기라인에 높은 배기압이 제공되도록 상기 제1댐퍼와 상기 제2댐퍼를 조절하는 제어기를 더 포함할 수 있다.

또한, 상기 배기 유닛은 상기 처리 공간에서 상기 용기를 감싸도록 제공되며, 상부가 개방된 보조 컵; 및 상기 보조컵을 제1높이와 제2높이 간에 이동시키는 보조컵 이동부재를 더 포함하되, 상기 제1높이는 상기 보조컵의 상단이 상기 용기의 상단에 대응하거나 그보다 낮은 높이이고, 상기 제2높이는 상기 보조컵의 상단이 상기 용기의 상단보다 높은 높이로 제공될 수 있다.

또한, 상기 배기 유닛은 상기 보조컵과 상기 감압 부재를 연결하며, 상기 제1배기 라인 및 상기 제2배기라인과 분리된 제3배기라인; 및 상기 제3배기라인에 설치되어 상기 제3배기라인의 개방율을 조절하는 제3댐퍼를 더 포함할 수 있다.

또한, 상기 배기 유닛은 공정 진행 시보다 메인터넌스 시, 상기 제1배기라인 내지 상기 제3배기라인에 높은 배기압이 제공되도록 상기 제1댐퍼 내지 상기 제3댐퍼를 조절하는 제어기를 더 포함할 수 있다.

또한, 상기 제어기는 상기 공정 진행 시 상기 제1배기라인과 상기 제2배기라인이 일부 개방되고 상기 제3배기라인이 완전 닫히며, 상기 메인터넌스 시 상기 제1배기라인 내지 상기 제3배기라인이 완전 개방되도록 상기 제1댐퍼 내지 상기 제3댐퍼를 조절할 수 있다.

또한, 상기 용기의 상부에 위치하며, 상기 하우징 내부로 청정 공기를 공급하는 팬 필터 유닛을 더 포함하며, 상기 제2높이는 상기 보조컵의 상단이 상기 팬필터 유닛와 접촉하거나 그와 인접한 높이로 제공될 수 있다.

본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비는 처리액으로 기판에 대해 공정을 수행하는 액처리 장치; 상기 액처리 장치와 마주 배치되며, 기판에 대해 열처리 공정을 수행하는 베이크 장치; 및 상기 액처리 장치와 상기 베이크 장치 사이에 배치되며, 상기 액처리 장치 또는 상기 베이크 장치로 기판을 이송하는 반송 장치를 포함하되, 상기 액처리 장치는 상기 반송 장치와 이격된 타 측벽에 메인터넌스(maintenance)용 개구가 형성되고, 내부에 처리 공간이 형성된 하우징; 상기 처리 공간에 위치하며, 기판을 지지하는 지지 플레이트; 상기 지지 플레이트에 지지된 기판으로 처리액을 공급하는 액 공급유닛; 상기 처리 공간에 위치하고, 상기 지지 플레이트가 위치하는 수용 공간을 형성하며, 처리액을 회수하는 용기; 및 상기 처리 공간 및 상기 수용 공간 내 흄을 배기하는 배기 유닛을 포함하되, 상기 배기 유닛은 배기압을 제공하는 감압부재; 상기 용기와 상기 감압부재를 연결하는 제1배기라인; 및 일단이 상기 개구와 인접한 영역에서 상기 하우징의 타 측벽과 연결되고, 타단이 상기 감압부재와 연결되는 제2배기라인을 포함할 수 있다.

또한, 상기 배기 유닛은 상기 처리 공간에서 상기 용기를 감싸도록 제공되며, 상부가 개방된 보조 컵; 상기 보조컵을 제1높이와 제2높이 간에 이동시키는 보조컵 이동부재; 상기 보조컵과 상기 감압 부재를 연결하며, 상기 제1배기 라인 및 상기 제2배기라인과 분리된 제3배기라인; 및 상기 제3배기라인에 설치되어 상기 제3배기라인의 개방율을 조절하는 제3댐퍼를 더 포함하되, 상기 제1높이는 상기 보조컵의 상단이 상기 용기의 상단에 대응하거나 그보다 낮은 높이이고, 상기 제2높이는 상기 보조컵의 상단이 상기 용기의 상단보다 높은 높이로 제공될 수 있다.

또한, 상기 용기의 상부에 위치하며, 상기 하우징 내부로 청정 공기를 공급하는 팬 필터 유닛을 더 포함하며, 상기 제2높이는 상기 보조컵의 상단이 상기 팬필터 유닛에 접촉하거나 그와 인접한 높이로 제공될 수 있다.

또한, 상기 제어기는 공정진행시 제1배기라인과 상기 제2배기라인이 일부 개방되고 상기 제3배기라인이 완전 닫히며, 메인터넌스시 상기 제1배기라인 내지 상기 제3배기라인이 완전 개방되도록 상기 제1댐퍼 내지 상기 제3댐퍼를 제어할 수 있다.

본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 방법은 하우징의 처리공간에 제공된 지지 플레이트에 기판을 위치시키고, 상기 지지 플레이트에 위치한 기판으로 처리액을 공급하여 공정을 수행하는 공정 처리 단계; 및 상기 하우징의 측벽에 제공된 개구를 개방하여 상기 처리공간에 제공된 장치들을 유지보수하는 메인터넌스 단계를 포함하되, 상기 공정 처리 단계와 상기 메인터넌스 단계가 수행되는 동안, 배기압을 인가하여 상기 하우징 내에 발생한 흄을 상기 하우징 외부로 배기하며, 상기 처리공간으로 인가되는 배기압과 상기 지지 플레이트를 에워싸는 용기의 수용 공간으로 인가되는 배기압은 상기 공정 처리 단계에서보다 상기 메인터넌스 단계에서 더 높을 수 있다.

또한, 상기 처리공간에는 상기 하우징과 감압부재를 연결하는 제1배기라인을 통해 배기압이 인가되고, 상기 수용공간에는 상기 용기와 상기 감압부재를 연결하는 제2배기라인을 통해 배기압이 인가되며, 상기 제1배기라인은 상기 개구와 인접한 영역에서 상기 처리공간으로 배기압을 인가할 수 있다.

또한, 상기 하우징의 내부에는 상기 용기를 감싸는 보조컵과, 상기 보조컵과 상기 감압부재를 연결하는 제3배기라인이 제공되며, 상기 공정 처리 단계에서 상기 보조컵의 상단은 상기 용기의 상단에 대응하거나 그보다 낮은 높이에 위치하고, 상기 메인터넌스 단계에서 상기 보조컵의 상단은 상기 용기의 상단보다 높은 높이로 제공될 수 있다.

또한, 상기 공정 처리 단계와 상기 메인터넌스 단계 동안, 상기 지지 플레이트의 상부에 제공된 팬 필터 유닛로부터 청정공기가 유입되며, 상기 메인터는스 단계에서 상기 보조컵의 상단은 상기 팬필터 유닛와 접촉하거나 그와 인접하여 위치할 수 있다.

또한, 상기 공정 처리 단계에서 상기 제1배기라인과 상기 제2배기라인은 일부 개방되고, 상기 제3배기라인은 완전 닫히며, 상기 메인터넌스 단계에서 상기 제1배기라인 내지 상기 제3배기라인은 완전 개방될 수 있다.

본 발명의 실시예에 의하면, 메인터넌스용 개구로 유입되는 흄은 배기압에 의해 메인터넌스용 개구와 인접한 배기라인으로 유입되므로, 외부 유출이 예방된다.

또한, 본 발명의 실시예에 의하면, 보조컵에 의해 감싸지는 영역은 처리 공간의 다른 영역과 구분되고, 해당 영역에 독립적으로 배기압이 인가되므로, 용기에 머무르는 흄이 신속하게 배기된다.

도 1은 기판 처리 설비를 상부에서 바라본 도면이다.
도 2는 도 1의 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이다.
도 3은 도 1의 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이다.
도 4는 도 1의 설비를 C-C 방향에서 바라본 도면이다.
도 5는 도 1의 액처리 장치를 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 공정 처리 단계를 나타내는 도면이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 메인터넌스 단계를 나타내는 도면이다.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.

본 실시예의 설비는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 수행하는데 사용된다. 특히 본 실시예의 설비는 기판에 대해 도포 공정, 현상 공정, 그리고 액침 노광 전후에 요구되는 노광 전후 처리 공정을 수행하는 데 사용된다. 아래에서는 기판으로 웨이퍼가 사용된 경우를 예로 들어 설명한다.

도 1 내지 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 설비를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 1은 기판 처리 설비를 상부에서 바라본 도면이고, 도 2는 도 1의 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이고, 도 3은 도 1의 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이고, 도 4는 도 1의 설비를 C-C 방향에서 바라본 도면이다.

기판 처리 설비(1)는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 액처리 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)을 포함한다. 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 액처리 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)은 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치된다. 이하, 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 액처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)이 배치된 방향을 제 1 방향(12)이라 칭하고, 상부에서 바라볼 때 제 1방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)이라 칭하고, 제 1 방향(12) 및 제 2 방향(14)과 각각 수직한 방향을 제 3 방향(16)이라 칭한다.

웨이퍼(W)는 카세트(20) 내에 수납된 상태로 이동된다. 이때 카세트(20)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가진다. 예컨대, 카세트(20)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다.

로드 포트(100)는 웨이퍼들(W)이 수납된 카세트(20)가 놓여지는 재치대(120)를 가진다. 재치대(120)는 복수개가 제공되며, 재치대들(200)은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 1에서는 4개의 재치대(120)가 제공되었다.

인덱스 모듈(200)은 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인 카세트(20)와 제 1 버퍼 모듈(300) 간에 웨이퍼(W)를 이송한다. 인덱스 모듈(200)은 프레임(210), 인덱스 로봇(220), 그리고 가이드 레일(230)을 가진다. 프레임(210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 로드 포트(100)와 제 1 버퍼 모듈(300) 사이에 배치된다. 인덱스 모듈(200)의 프레임(210)은 후술하는 제 1 버퍼 모듈(300)의 프레임(310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(220)과 가이드 레일(230)은 프레임(210) 내에 배치된다. 인덱스 로봇(220)은 웨이퍼(W)를 직접 핸들링하는 핸드(221)가 제 1 방향(12), 제 2 방향(14), 제 3 방향(16)으로 이동 가능하고 회전될 수 있도록 4축 구동이 가능한 구조를 가진다. 인덱스 로봇(220)은 핸드(221), 아암(222), 지지대(223), 그리고 받침대(224)를 가진다. 핸드(221)는 아암(222)에 고정 설치된다. 아암(222)은 신축 가능한 구조 및 회전가능한 구조로 제공된다. 지지대(223)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 아암(222)은 지지대(223)를 따라 이동 가능하도록 지지대(223)에 결합된다. 지지대(223)는 받침대(224)에 고정결합된다. 가이드 레일(230)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)을 따라 배치되도록 제공된다. 받침대(224)는 가이드 레일(230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(230)에 결합된다. 또한, 도시되지는 않았지만, 프레임(210)에는 카세트(20)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공된다.

제 1 버퍼 모듈(300)은 프레임(310), 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)을 가진다. 프레임(310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 인덱스 모듈(200)과 액처리 모듈(400) 사이에 배치된다. 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)은 프레임(310) 내에 위치된다. 냉각 챔버(350), 제 2 버퍼(330), 그리고 제 1 버퍼(320)는 순차적으로 아래에서부터 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 제 1 버퍼(320)는 후술하는 액처리 장치(400)의 도포 장치(401)와 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350)는 후술하는 액처리 장치(400)의 현상 장치(402)와 대응되는 높이에 위치된다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼(320)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 위치된다.

제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330)는 각각 복수의 웨이퍼들(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 버퍼(330)는 하우징(331)과 복수의 지지대들(332)을 가진다. 지지대들(332)은 하우징(331) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(332)에는 하나의 웨이퍼(W)가 놓인다. 하우징(331)은 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향, 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향, 그리고 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 개구를 통해 웨이퍼(W)가 반입 또는 반출된다. 제 1 버퍼(320)는 제 2 버퍼(330)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 1 버퍼(320)의 하우징(321)에는 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향 및 후술하는 도포부 로봇(432)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수와 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예에 의하면, 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수보다 많을 수 있다.

제 1 버퍼 로봇(360)은 제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330) 간에 웨이퍼(W)를 이송시킨다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 핸드(361), 아암(362), 그리고 지지대(363)를 가진다. 핸드(361)는 아암(362)에 고정 설치된다. 아암(362)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(361)가 제 2 방향(14)을 따라 이동 가능하도록 한다. 아암(362)은 지지대(363)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(363)에 결합된다. 지지대(363)는 제2 버퍼(330)에 대응되는 위치부터 제 1 버퍼(320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가진다. 지지대(363)는 이보다 위 또는 아래 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 단순히 핸드(361)가 제 2 방향(14) 및 제 3 방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다.

냉각 챔버(350)는 각각 웨이퍼(W)를 냉각한다. 냉각 챔버(350)는 하우징(351)과 냉각 플레이트(352)를 가진다. 냉각 플레이트(352)는 웨이퍼(W)가 놓이는 상면 및 웨이퍼(W)를 냉각하는 냉각 수단(353)을 가진다. 냉각 수단(353)으로는 냉각수에 의한 냉각이나 열전 소자를 이용한 냉각 등 다양한 방식이 사용될 수 있다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 웨이퍼(W)를 냉각 플레이트(352) 상에 위치시키는 리프트 핀 어셈블리(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 하우징(351)은 인덱스 로봇(220) 및 후술하는 현상 모듈(402)에 제공된 현상부 로봇(482)이 냉각 플레이트(352)에 웨이퍼(W)를 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향 및 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 상술한 개구를 개폐하는 도어들(도시되지 않음)이 제공될 수 있다.

액처리 모듈(400)은 처리액을 이용하여 웨이퍼(W)에 대한 공정 처리를 수행한다. 실시예에 의하면, 액처리 모듈(400)은 노광 공정 전에 웨이퍼(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 공정 및 노광 공정 후에 웨이퍼(W)를 현상하는 공정을 수행한다. 액처리 모듈(400)은 대체로 직육면체의 형상을 가진다. 액처리 모듈(400)은 액처리 장치(401, 402), 베이크 장치(402) , 그리고 반송 장치(430)를 포함한다.

액처리 장치(401, 402)는 웨이퍼(W)에 대하여 도포 및 현상 공정을 수행한다. 실시예에 의하면, 액처리 장치(401, 402)는 도포 장치(401)와 현상 장치(402)를 포함한다. 도포 장치(401)와 현상 장치(402)는 서로간에 층(a, b)으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 도포 장치(401)은 현상 장치(402)의 상부에 위치된다.

도포 장치(401)는 웨이퍼(W)에 대해 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정을 수행한다. 도포 장치(401)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 배치된다.

현상 장치(402)는 웨이퍼(W) 상에 패턴을 얻기 위해 현상액을 공급하여 포토 레지스트의 일부를 제거하는 현상 공정을 수행한다. 현상 장치(402)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다.

베이크 장치(420, 470)는 웨이퍼(W)를 열처리한다. 베이크 장치(420, 470)는 제1방향(12)으로 액처리 장치(401, 402)와 나란하게 배치된다. 베이크 장치(420, 470)는 2개의 층으로 구획되도록 배치된다. 위층(420)은 도포 장치(401)에 대응하는 층으로, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 아래 층(470)은 현상 장치(402)에 대응하는 층으로 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 위 층의 베이크 장치(420)는 도포 장치(401)와 마주 배치되고, 아래 층의 베이크 장치(470)는 현상 장치(402)와 마주 배치된다. 이하, 위 층의 베이크 장치(420)를 제1베이크 장치라 하고, 아래 층의 베이크 장치(470)를 제2베이크 장치라 칭한다.

제1베이크 장치들(420)은 포토 레지스트를 도포하기 전에 웨이퍼(W)를 소정의 온도로 가열하여 웨이퍼(W) 표면의 유기물이나 수분을 제거하는 프리 베이크(prebake) 공정이나 포토레지스트를 웨이퍼(W) 상에 도포한 후에 행하는 소프트 베이크(soft bake) 공정 등을 수행하고, 각각의 가열 공정 이후에 웨이퍼(W)를 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 제1베이크 장치(420)는 냉각 플레이트(421) 또는 가열 플레이트(422)를 가진다. 냉각 플레이트(421)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(423)이 제공된다. 또한 가열 플레이트(422)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(424)이 제공된다. 냉각 플레이트(421)와 가열 플레이트(422)는 하나의 제1베이크 장치(420) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 제1베이크 챔버(420)들 중 일부는 냉각 플레이트(421)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(422)만을 구비할 수 있다.

제2베이크 장치들(470)은 현상 공정이 수행되기 전에 웨이퍼(W)를 가열하는 포스트 베이크 공정 및 현상 공정이 수행된 후에 웨이퍼(W)를 가열하는 하드 베이크 공정 및 각각의 베이크 공정 이후에 가열된 기판을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 제2베이크 장치(470)는 냉각플레이트(471) 또는 가열 플레이트(472)를 가진다. 냉각 플레이트(471)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(473)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(472)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(474)이 제공된다. 냉각 플레이트(471)와 가열 플레이트(472)는 하나의 제2베이크 챔버(470) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 제2베이크 챔버(470)들 중 일부는 냉각 플레이트(471)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(472)만을 구비할 수 있다.

반송 장치(430, 480)는 액처리 장치(401, 402)와 베이크 장치(420, 470) 사이에 제공되며, 웨이퍼(W)를 이송한다. 반송 장치(430, 480)는 2개의 층으로 구획되도록 배치된다. 위층(430)은 도포 장치(401)에 대응하고, 아래 층(470)은 현상 장치(402)에 대응한다. 이하, 위 층의 반송 장치(430)를 도포부 반송 장치라 칭하고, 아래 층의 반송 장치(480)를 현상부 반송 장치라고 칭한다.

도포부 반송 장치(430)는 제 1 버퍼(320)와 제 1 방향(12)으로 일 직선상에 위치된다. 도포부 반송 장치(430) 내에는 도포부 로봇(432)과 가이드 레일(433)이 위치된다. 도포부 반송 장치(430)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 도포부 로봇(432)은 베이크 챔버들(420), 도포 장치들(400), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1버퍼(320), 그리고 후술하는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(520) 간에 웨이퍼(W)를 이송한다. 가이드 레일(433)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(433)은 도포부 로봇(432)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 도포부 로봇(432)은 핸드(434), 아암(435), 지지대(436), 그리고 받침대(437)를 가진다. 핸드(434)는 아암(435)에 고정 설치된다. 아암(435)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(434)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(436)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(435)은 지지대(436)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(436)에 결합된다. 지지대(436)는 받침대(437)에 고정 결합되고, 받침대(437)는 가이드 레일(433)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(433)에 결합된다.

현상부 반송 장치(480)는 제 2 버퍼(330)와 제 1 방향(12)으로 일 직선상에 위치된다. 현상부 반송 장치(480) 내에는 현상부 로봇(482)과 가이드 레일(483)이 위치된다. 반송 챔버(480)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 현상부 로봇(482)은 현상 장치들(460), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350), 그리고 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540) 간에 웨이퍼(W)를 이송한다. 가이드 레일(483)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(483)은 현상부 로봇(482)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 현상부 로봇(482)은 핸드(484), 아암(485), 지지대(486), 그리고 받침대(487)를 가진다. 핸드(484)는 아암(485)에 고정 설치된다. 아암(485)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(484)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(486)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(485)은 지지대(486)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(486)에 결합된다. 지지대(486)는 받침대(487)에 고정 결합된다. 받침대(487)는 가이드 레일(483)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(483)에 결합된다.

제 2 버퍼 모듈(500)은 액처리 모듈(400)과 노광 전후 처리 모듈(600) 사이에 웨이퍼(W)가 운반되는 통로로서 제공된다. 또한, 제 2 버퍼 모듈(500)은 웨이퍼(W)에 대해 냉각 공정이나 에지 노광 공정 등과 같은 소정의 공정을 수행한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 프레임(510), 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)을 가진다. 프레임(510)은 직육면체의 형상을 가진다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)은 프레임(510) 내에 위치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550)는 도포장치(401)에 대응하는 높이에 배치된다. 제 2 냉각 챔버(540)는 현상 장치(402)에 대응하는 높이에 배치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 제 2 냉각 챔버(540)는 순차적으로 제 3 방향(16)을 따라 일렬로 배치된다. 상부에서 바라볼 때 버퍼(520)은 도포부 반송 장치(430)와 제 1 방향(12)을 따라 배치된다. 에지 노광 챔버(550)는 버퍼(520) 또는 제 1 냉각 챔버(530)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 배치된다.

제 2 버퍼 로봇(560)은 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550) 간에 웨이퍼(W)를 운반한다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 에지 노광 챔버(550)와 버퍼(520) 사이에 위치된다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 제 1 버퍼 로봇(360)과 유사한 구조로 제공될 수 있다. 제 1 냉각 챔버(530)와 에지 노광 챔버(550)는 도포 장치(401)에서 공정이 수행된 웨이퍼들(W)에 대해 후속 공정을 수행한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 도포 장치(401)에서 공정이 수행된 웨이퍼(W)를 냉각한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 제 1 버퍼 장치(300)의 냉각 장치(350)과 유사한 구조를 가진다. 에지 노광 챔버(550)는 제 1 냉각 챔버(530)에서 냉각 공정이 수행된 웨이퍼들(W)에 대해 그 가장자리를 노광한다. 버퍼(520)는 에지 노광 챔버(550)에서 공정이 수행된 웨이퍼(W)들이 후술하는 전처리 모듈(601)로 운반되기 전에 웨이퍼(W)를 일시적으로 보관한다. 제 2 냉각 챔버(540)는 후술하는 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 웨이퍼들(W)이 현상 장치(402)로 운반되기 전에 웨이퍼들(W)을 냉각한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 현상 장치(402)와 대응되는 높이에 추가된 버퍼를 더 가질 수 있다. 이 경우, 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 웨이퍼들(W)은 추가된 버퍼에 일시적으로 보관된 후 현상 장치(402)로 운반될 수 있다.

노광 전후 처리 모듈(600)은 레지스트 도포 공정과 노광 공정 사이, 그리고 노광 공정과 현상 공정 사이에 요구되는 공정을 처리한다. 예컨대, 노광 장치(900)가 액침 노광 공정을 수행하는 경우, 노광 전후 처리 모듈(600)은 액침 노광시에 웨이퍼(W)에 도포된 포토레지스트 막을 보호하는 보호막을 도포하는 공정을 처리할 수있다. 또한, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 이후에 웨이퍼(W)를 세정하는 공정을 수행할 수 있다. 또한, 화학증폭형 레지스트를 사용하여 도포 공정이 수행된 경우, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 후 베이크 공정을 처리할 수 있다.

노광 전후 처리 모듈(600)은 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)을 가진다. 전처리 모듈(601)은 노광 공정 수행 전에 웨이퍼(W)를 처리하는 공정을 수행하고, 후처리 모듈(602)은 노광 공정 이후에 웨이퍼(W)를 처리하는 공정을 수행한다. 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 전처리 모듈(601)은 후처리 모듈(602)의 상부에 위치된다. 전처리 모듈(601)은 도포 장치(401)와 동일한 높이로 제공된다. 후처리 모듈(602)은 현상 모듈(402)과 동일한 높이로 제공된다. 전처리 모듈(601)은 보호막 도포 챔버(610), 베이크 챔버(620), 그리고 반송 챔버(630)를 가진다. 보호막 도포 챔버(610), 반송챔버(630), 그리고 베이크 챔버(620)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 보호막 도포 챔버(610)와 베이크 챔버(620)는 반송 챔버(630)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 보호막 도포 챔버(610)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로

보호막 도포 챔버(610)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 베이크 챔버(620)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 베이크 챔버(620)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다.

반송 챔버(630)는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(530)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송챔버(630) 내에는 전처리 로봇(632)이 위치된다. 반송 챔버(630)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 전처리 로봇(632)은 보호막 도포 챔버들(610), 베이크 챔버들(620), 제 2 버퍼 모듈(500)의 버퍼(520), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 1 버퍼(720) 간에 웨이퍼(W)를 이송한다. 전처리 로봇(632)은 핸드(633), 아암(634), 그리고 지지대(635)를 가진다. 핸드(633)는 아암(634)에 고정 설치된다. 아암(634)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 아암(634)은 지지대(635)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(635)에 결합된다

보호막 도포 챔버(610)는 액침 노광 시에 레지스트 막을 보호하는 보호막을 웨이퍼(W) 상에 도포한다. 보호막 도포 챔버(610)는 하우징(611), 지지 플레이트(612), 그리고 노즐(613)을 가진다. 하우징(611)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(612)는 하우징(611) 내에 위치되며, 웨이퍼(W)를 지지한다. 지지 플레이트(612)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(613)은 지지 플레이트(612)에 놓인 웨이퍼(W) 상으로 보호막 형성을 위한 보호액을 공급한다. 노즐(613)은 원형의 관 형상을 가지고, 웨이퍼(W)의 중심으로 보호액을 공급할 수있다. 선택적으로 노즐(613)은 웨이퍼(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(613)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 이 경우, 지지 플레이트(612)는 고정된 상태로 제공될 수 있다. 보호액은 발포성 재료를 포함한다. 보호액은 포토 레지스터 및 물과의 친화력이 낮은 재료가 사용될 수 있다. 예컨대, 보호액은 불소계의 용제를 포함할 수 있다. 보호막 도포 챔버(610)는 지지 플레이트(612)에 놓인 웨이퍼(W)를 회전시키면서 웨이퍼(W)의 중심 영역으로 보호액을 공급한다

베이크 챔버(620)는 보호막이 도포된 웨이퍼(W)를 열처리한다. 베이크 챔버(620) 는 냉각 플레이트(621) 또는 가열 플레이트(622)를 가진다. 냉각 플레이트(621)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(623)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(622)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(624)이 제공된다. 가열 플레이트(622)와 냉각 플레이트(621)는 하나의 베이크 챔버(620) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버들(620) 중 일부는 가열 플레이트(622) 만을 구비하고, 다른 일부는 냉각 플레이트(621) 만을 구비할 수 있다.

후처리 모듈(602)은 세정 챔버(660), 노광 후 베이크 챔버(670), 그리고 반송 챔버(680)를 가진다. 세정 챔버(660), 반송 챔버(680), 그리고 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 세정 챔버(660)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 반송 챔버(680)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 세정 챔버(660)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 세정 챔버(660)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다.

반송 챔버(680)는 상부에서 바라볼 때 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(680)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 반송 챔버(680) 내에는 후처리 로봇(682)이 위치된다. 후처리 로봇(682)은 세정 챔버들(660), 노광 후 베이크 챔버들(670), 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 2 버퍼(730) 간에 웨이퍼(W)를 운반한다. 후처리 모듈(602)에 제공된 후처리 로봇(682)은 전처리 모듈(601)에 제공된 전처리 로봇(632)과 동일한 구조로 제공될 수 있다.

세정 챔버(660)는 노광 공정 이후에 웨이퍼(W)를 세정한다. 세정 챔버(660)는 하우징(661), 지지 플레이트(662), 그리고 노즐(663)을 가진다. 하우징(661)는 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(662)는 하우징(661) 내에 위치되며, 웨이퍼(W)를 지지한다. 지지 플레이트(662)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐

(663)은 지지 플레이트(662)에 놓인 웨이퍼(W) 상으로 세정액을 공급한다. 세정액으로는 탈이온수와 같은 물이 사용될 수 있다. 세정 챔버(660)는 지지 플레이트(662)에 놓인 웨이퍼(W)를 회전시키면서 웨이퍼(W)의 중심 영역으로 세정액을 공급한다. 선택적으로 웨이퍼(W)가 회전되는 동안 노즐(663)은 웨이퍼(W)의 중심 영역에서 가장자리 영역까지 직선 이동 또는 회전 이동할 수 있다.

노광 후 베이크 챔버(670)는 원자외선을 이용하여 노광 공정이 수행된 웨이퍼(W)를 가열한다. 노광 후 베이크 공정은 웨이퍼(W)를 가열하여 노광에 의해 포토 레지스트에 생성된 산(acid)을 증폭시켜 포토 레지스트의 성질 변화를 완성시킨다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 가열 플레이트(672)를 가진다. 가열 플레이트(672)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(674)이 제공된다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 그 내부에 냉각 플레이 트(671)를 더 구비할 수 있다. 냉각 플레이트(671)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(673)이 제공된다. 또한, 선택적으로 냉각 플레이트(671)만을 가진 베이크 챔버가 더 제공될 수 있다.

상술한 바와 같이 노광 전후 처리 모듈(600)에서 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 완전히 분리되도록 제공된다. 또한, 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(680)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 보호막 도포 챔버(610)와 세정 챔버(660)는 서로 동일한 크기로 제공되어 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 베이크 챔버(620)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다.

인터페이스 모듈(700)은 노광 전후 처리 모듈(600)과 노광 장치(900) 간에 웨이퍼(W)를 이송한다. 인터페이스 모듈(700)은 프레임(710), 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)를 가진다. 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)은 프레임(710) 내에 위치된다. 제 1 버퍼(720)와 제 2 버퍼(730)는 서로 간에 일정거리 이격되며, 서로 적층되도록 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 제 2 버퍼(730)보다 높게 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)에 대응되는 높이에 배치된다. 상부에서 바라볼 때 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되게 위치된다.

인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720) 및 제 2 버퍼(730)와 제 2 방향(14)으로 이격되게 위치된다. 인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 노광 장치(900) 간에 웨이퍼(W)를 운반한다. 인터페이스 로봇(740)은 제 2 버퍼 로봇(560)과 대체로 유사한 구조를 가진다.

제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)에서 공정이 수행된 웨이퍼(W)들이 노광 장치(900)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 그리고 제 2 버퍼(730)는 노광 장치(900)에서 공정이 완료된 웨이퍼(W)들이 후처리 모듈(602)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 제 1 버퍼(720)는 하우징(721)과 복수의 지지대들(722)을 가진다. 지지대들(722)은 하우징(721) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(722)에는 하나의 웨이퍼(W)가 놓인다. 하우징(721)은 인터페이스 로봇(740) 및 전처리 로봇(632)이 하우징(721) 내로 지지대(722)에 웨이퍼(W)를 반입 또는 반출할 수 있도록 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 전처리 로봇(632)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 2 버퍼(730)는 제 1 버퍼(720)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 2 버퍼(730)의 하우징(4531)에는 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 후처리 로봇(682)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 인터페이스 모듈에는 웨이퍼에 대해 소정의 공정을 수행하는 챔버의 제공 없이 상술한 바와 같이 버퍼들 및 로봇만 제공될 수 있다.

도 5는 도 1의 액처리 장치를 나타내는 도면이다. 본 실시예에서는 액처리 장치 중 도포 장치(401)를 예를 들어 설명한다. 현상 장치(402)는 도포 장치(401)와 동일한 구조로 제공될 수 있다.

도 5를 참조하면, 도포 장치(401)는 하우징(1100), 지지 유닛(1200), 용기(1300), 액 공급 유닛(1400), 팬 필터 유닛(1500), 그리고 배기 유닛(1600)을 포함한다.

하우징(1100)은 내부에 처리공간(1110)이 형성되며, 공정이 수행되는 공간을 제공한다. 하우징(1100)의 일 측벽(1101)에는 웨이퍼 출입용 개구(1120)가 형성되고, 이와 마주하는 타 측벽(1102)에는 메인터넌스(maintenance)용 개구(1130)가 형성된다. 웨이퍼 출입용 개구(1120)는 도포부 반송 장치(430)와 인접한 하우징(1100)의 측벽(1101)에 형성되며, 웨이퍼(W)가 반입 및 반출되는 통로로 제공된다. 웨이퍼 출입용 개구(1120)에는 도어(1140)가 제공된다. 도어(1140)는 웨이퍼(W)가 출입하는 경우 웨이퍼 출입용 개구(1120)를 개방하고, 공정처리 및 메인터넌스가 진행되는 경우 웨이퍼 출입용 개구(1120)를 닫는다.

메인터넌스용 개구(1130)는 웨이퍼 출입용 개구(1120)가 형성된 측벽(1101)과 마주하는 측벽(1102)에 형성된다. 메인터넌스용 개구(1130)는 하우징(1100) 내에 제공된 각종 장치의 유지보수를 위해 제공된다. 메인터넌스용 개구(1130)는 도어(1150)에 의해 개폐된다. 메인터넌스용 개구(1130)는 공정 처리가 진행되는 동안 닫히고, 메인터넌스가 진행되는 동안 개방된다.

지지 유닛(1200)은 하우징(1100) 내부에 제공되며, 웨이퍼(W)를 지지한다. 지지 유닛(1200)은 지지 플레이트(1210), 지지축(1220), 그리고 구동부(1230)를 포함한다.

지지 플레이트(1210)는 두께가 얇은 원판으로 제공되며, 웨이퍼(W)에 대응되거나 그보다 큰 반경을 갖는다. 지지 플레이트(1210)의 상면에는 지지 핀(1211)들과 척킹 핀(1212)들이 제공된다. 지지 핀(1211)들은 지지 플레이트(1210)의 상면으로부터 소정 높이로 돌출되며, 웨이퍼(W)의 저면을 지지한다. 척킹 핀(1212)들은 적어도 3개 이상 제공되며, 웨이퍼(W)에 상응하는 환형으로 배치된다. 척킹 핀(1212)들은 웨이퍼(W)의 측부를 지지하며, 지지 플레이트(1210)의 회전시 원심력에 의해 웨이퍼(W)가 지지 플레이트(1210)의 측방향으로 이탈하는 것을 방지한다. 척킹 핀(1212)들은 웨이퍼(W)의 로딩 및 언로딩시 웨이퍼(W)의 직경보다 큰 환형으로 배치되고, 공정 진행시 웨이퍼(W)의 측부와 접촉될 수 있는 환형으로 배치되로록 이동할 수 있다.

지지축(1220)은 지지 플레이트(1210)의 저면 중심에서 아래로 연장되며, 지지 플레이트(1210)를 지지한다. 지지축(1220)은 그 내부가 비어있는 중공축 형태로 제공된다.

구동부(1230)는 지지축(1220)과 지지 플레이트(1210)를 회전시킨다. 구동부(1230)는 동력을 발생시키고, 이를 지지축(1220)으로 전달시킬수 있는 메커니즘, 예컨대 모터, 벨트 등의 구성으로 제공될 수 있다.

본 실시예에서는 지지 유닛(1200)이 기계적 클램핑 방식으로 웨이퍼(W)를 고정하는 것으로 설명하였으나, 이와 달리 지지 유닛(1200)은 진공 흡착 또는 정전기 방식으로 웨이퍼(W)를 고정할 수 있다.

또한, 도면에는 도시하지 않았으나 지지 플레이트(1210)에는 리프트 홀들이 상하방향으로 형성되고, 리프트 홀들에는 리프트 핀들이 각각 제공될 수 있다. 리프트 핀들은 리프트 홀들을 따라 상하방향으로 이동하며 웨이퍼(W)를 지지 플레이트(1210)에 로딩 또는 언로딩한다.

용기(1300)는 상부가 개방된 통 형상을 가진다. 용기(1300)는 지지 플레이트(1210) 주변을 감싸도록 배치되며, 그 내부는 지지 플레이트(1210)가 위치하는 수용 공간(1301)으로 제공된다. 용기(1300)는 공정에 사용된 처리액을 회수하여 외부로 배출한다.

일 예에 의하면, 용기(1300)는 공정에 사용된 처리액의 종류에 따라 분리하여 처리액을 회수할 수 있다. 용기(1300)는 복수의 회수통(1310 내지 1330)들로 제공된다. 각 회수통(1310 내지 1330)은 처리액을 종류에 따라 처리액을 분리회수한다. 실시예에 의하면, 용기(1300)는 3개의 회수통(1310 내지 1330)을 가진다. 각각의 회수통들을 내부 회수통(1310), 중간 회수통(1320), 그리고 외부 회수통(1330)이라 칭한다.

내부 회수통(1310)은 지지 플레이트(1210)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 중간 회수통(1320)은 내부 회수통(1310)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되며, 외부 회수통(1330)은 중간 회수통(1320)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 각각의 회수통(1310 내지 1330)은 수용공간(1301)과 통하는 유입구(1311, 1321, 1331)들을 형성한다. 유입구(1311, 1321, 1331)들은 서로 상이한 높이에서 지지 플레이트(1210) 둘레에 링 형상으로 제공된다. 처리액들은 종류에 따라 웨이퍼(W)의 원심력에 의해 서로 상이한 유입구(1311, 1321, 1331)로 유입된다.

회수통(1310, 1320, 1330)들이 제공되는 개수는 이에 한정되지 않으며 다양하게 변경될 수 있다. 또한, 용기(1300)는 단일의 회수통으로 제공될 수 있다.

도면에는 도시하지 않았지만, 용기(1300)는 승강 유닛에 의해 상하방향으로 이동할 수 있다. 용기(1300)가 상하방향으로 이동함에 따라 용기(1300)에 대한 지지 플레이트(1210)의 상대 높이가 변경된다. 웨이퍼(W)가 지지 플레이트(1210)에 로딩/언로딩되는 경우 용기(1300)가 하강하고 상대적으로 지지 플레이트(1210)가 용기(1300) 상부로 돌출된다. 또한 처리액의 종류에 따라 처리액이 기 설정된 유입구로 유입되도록 용기(1300)의 높이가 조절된다. 이와 달리, 용기(1300)와 지지 플레이트(1210)의 상대 높이 조절은 용기(1300)가 고정 위치하고 지지 플레이트(1210)가 승강됨으로써 도출될 수 있다.

액 공급 유닛(1400)은 웨이퍼(W)로 처리액을 공급한다. 처리액은 웨이퍼(W)의 처리면에 도포된다. 액 공급 유닛(1400)은 노즐(1410), 아암(1420), 그리고 이동 로드(미도시)를 포함한다. 노즐(1410)의 저면에는 토출구가 형성되며, 토출구를 통해 처리액이 토출된다. 아암(1420)은 길이가 긴 로드 형상으로 제공되며, 노즐(1410)을 지지한다. 이동 로드는 아암(1420)의 끝단에서 아암(1420)에 대해 수직하게 배치되며, 아암(1420)의 하부에서 아암(1420)을 지지한다. 이동 로드는 그 길이방향 축을 중심으로 회전하여 노즐(1410)을 이동시킬 수 있다.

도면에는 하나의 액 공급 유닛(1400)이 제공되는 것으로 도시하였으나, 액 공급 유닛(1400)은 처리액의 종류에 따라 복수 개 제공될 수 있으며, 개별적으로 처리액을 웨이퍼(W)에 공급한다.

팬 필터 유닛(1500)은 하우징(1100) 내에서 용기(1300)의 상부에 위치한다. 팬 필터 유닛(1500)은 하우징(1100) 내부로 청정 공기(clean air)를 공급한다. 청정 공기는 하우징(1100)의 상부영역에서 하부영역으로 기류가 형성된다. 팬 필터 유닛(1500)은 팬과 필터를 포함한다.

배기 유닛(1600)은 하우징(1100) 내부에 발생한 흄(fume)을 외부로 배기시킨다. 공정 처리가 진행되는 동안, 웨이퍼(W)로 공급된 처리액에서, 그리고 웨이퍼(W)와 처리액의 화학반응에서 흄이 발생한다. 배기 유닛(1600)은 하우징(1100) 내로 배기압을 제공하여 흄을 외부로 배기시킨다. 배기 유닛(1600)은 감압부재(1610), 보조컵(1620), 보조컵 이동부재(1630), 제1 내지 제3배기라인(1641, 1642, 1643), 제1댐퍼 내지 제3댐퍼(1651, 1652, 1653), 그리고 제어기(1670)를 포함한다.

감압부재(1610)는 배기압을 형성한다. 감압부재(1610)는 하우징(1100)의 외부에 위치할 수 있다. 실시예에 의하면, 감압부재(1610)는 하우징(1100)을 기준으로 도포부 반송 장치(430)의 반대 편에 위치할 수 있다.

보조컵(1620)은 하우징(1100) 내부에 제공된다. 보조컵(1620)은 상부가 개방된 통 형상을 가지며, 용기(1300)를 감싸도록 배치된다. 보조컵(1620)은 용기(1300)를 구성하는 회수통들 중 가장 외측에 위치하는 외부 회수통(1330)을 감싸도록 제공된다. 보조컵(1620)은 회수통(1310, 1320, 1330)들과 다소 유사한 형상을 가지나, 회수통(1310, 1320, 1330)들은 처리액을 회수하기 위한 목적으로 제공되는 반면, 보조컵(1620)은 하우징(1100)의 처리공간(1110)을 구분하기 위해 제공된다. 이에 대해 도 6 및 도 7에서 자세하게 설명한다.

보조컵 이동부재(1630)는 보조컵(1620)을 상하방향으로 이동시킨다. 보조컵 이동부재(1630)는 제1높이와 제2높이 간에 보조컵(1620)을 이동시킨다. 제1높이는 보조컵(1620)의 상단이 용기(1300)의 상단에 대응하거나 그보다 낮은 높이이다. 제2높이는 보조컵(1620)의 상단이 용기(1300)의 상단보다 높은 높이이다. 제2높이는 보조컵(1620)의 상단이 팬 필터 유닛(1500)에 인접하거나 그와 접촉하는 높이일 수 있다. 보조컵(1620)이 제1높이에 위치하는 경우 하우징(1100)의 내부 공간(1110)은 각 영역이 서로 연통된다. 반면, 보조컵(1620)이 제2높이에 위치하는 경우, 하우징(1100)의 내부 공간(1110)은 보조컵(1620)의 내부 공간과 외부 공간으로 구획된다.

제1배기라인(1641)은 하우징(1100)과 감압 부재(1610)를 연결하며, 내부에 유로가 형성된다. 제1배기라인(1641)의 일단은 메인터넌스용 개구(1130)가 형성된 하우징(1100)의 측벽(1102)과 연결된다. 제1배기라인(1641)은 메인터넌스용 개구(1130)와 인접한 위치에서 하우징(1100)의 측벽(1102)과 연결된다. 제1배기라인(1641)을 통해 하우징(1100) 내부로 배기압이 인가된다. 하우징(1100) 내부에 머무르는 흄은 대부분 제1배기라인(1641)을 통해 외부로 배기된다.

제2배기라인(1642)은 용기(1300)와 감압부재(1610)를 연결하며, 내부에 유로가 형성된다. 제2배기라인(1642)은 일단이 외부 회수통(1330)과 연결되고 타단이 감압부재(1610)와 연결된다. 제2배기라인(1642)의 일단은 외부 회수통(1330)의 바닥과 연결될 수 있다. 용기(1300)의 수용공간(1301)에 머무르는 흄은 대부분 제2배기라인(1642)을 통해 외부로 배기된다.

제3배기리인(1643)은 보조컵(1620)과 감압부재(1610)를 연결하며, 내부에 유로가 형성된다. 제3배기라인(1643)은 일단이 보조컵(1620)과 연결되고 타단이 감압부재(1610)와 연결된다. 제3배기라인(1643)의 일단은 보조컵(1620)의 바닥과 연결되 수 있다.

제1댐퍼(1651)는 제1배기라인(1641)의 유로에 제공되며, 제1배기라인(1641)의 개방율을 조절한다. 제1댐퍼(1651)는 제1배기라인(1641)을 닫거나 완전개방시킬 수 있으며, 개방 비율을 조절할 수 있다. 제1배기라인(1641)의 유로가 닫힌 상태를 0%개방율이라 하고, 완전 개방된 상태를 100%개방율이라 할 때, 제1댐퍼(1651)는 0%~100% 범위에서 개방율을 조절할 수 있다.

제2댐퍼(1652)는 제2배기라인(1642)의 유로에 제공되며, 제2배기라인(1642)의 개방율을 조절한다. 제2댐퍼(1652)는 제2배기라인(1642)을 닫거나 완전개방시킬 수 있으며, 개방 비율을 조절할 수 있다. 제2댐퍼(1652)의 개방율 조절은 제1댐퍼(1651)와 동일할 수 있다.

제3댐퍼(1653)는 제3배기라인(1643)의 유로에 제공되며, 제3배기라인(1643)의 개방율을 조절한다. 제3댐퍼(1653)는 제3배기라인(1643)을 닫거나 완전개방시킬 수 있으며, 개방 비율을 조절할 수 있다. 제3댐퍼(1653)의 개방율 조절은 제1댐퍼(1651)와 동일하다.

제어기(1670)는 제1 내지 제3댐퍼(1651 내지 1653)를 제어하여 제1 내지 제3배기라인(1641 내지 1643)의 개방율을 조절한다. 제어기(1670)는 공정 진행 시와 메인터넌스 시 각 배기라인(1641 내지 1643)에 인가되는 배기압이 상이하도록 댐퍼(1651 내지 1653)들을 제어할 수 있다. 제어기(1670)는 공정 진행 시보다 메인터넌스 시 제1 내지 제3배기라인(1641 내지 1643)에 높은 배기압이 제공되도록 제1 내지 제3댐퍼(1651 내지 1653)를 조절할 수 있다.

이하, 상술한 액 처리장치를 이용하여 웨이퍼에 대한 공정 처리를 수행하는 벙법에 대해 설명한다. 액 처리장치는 도포 장치(401)가 사용되며, 도포 공정을 수행하는 것을 예를 들어 설명한다.

웨이퍼 처리 방법은 공정 처리 단계와 메인터넌스 단계를 포함한다. 공정 처리 단계는 웨이퍼(W)로 처리액을 공급하여 도포 공정을 수행한다. 메인터넌스 단계는 하우징(1100) 내에 제공된 장치들을 유지보수한다.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 공정 처리 단계를 나타내는 도면이다.

도 6을 참조하면, 웨이퍼(W)가 지지 플레이트(1210)에 지지되고, 노즐(1410)에서 처리액이 웨이퍼(W)로 토출된다. 처리액은 웨이퍼(W)의 회전력에 의해 웨이퍼(W)의 중심영역에서 가장자리영역으로 확산되고, 웨이퍼(W)로부터 비산하여 용기(1300)에 회수된다. 노즐(1410)에서 토출된 처리액에서, 그리고 처리액과 웨이퍼(W)의 화학반응 과정에서 흄이 발생한다.

팬 필터 유닛(1500)은 청정 공기(화살표)를 하우징(1100) 내부로 강제 송풍한다. 청정 공기는 처리공간(1110)의 상부영역에서 하부영역으로 하강 기류를 형성한다. 흄은 청정공기의 하강 기류를 따라 이동한다.

보조 컵(1620)은 그 상단이 제1높이(H1)에 위치한다. 제1높이(H1)는 용기(1300)의 상단에 대응하거나 그보다 낮은 높이이다. 용기(1300)는 외부가 보조 컵(1620)에 의해 감싸여진다. 보조컵(1620)은 흄이 용기(1300)의 외벽에 부착되는 것을 방지한다.

제어기(1670)는 제1댐퍼(1651)와 제2댐퍼(1652)를 일정 개방율로 개방하고, 제3댐퍼(1653)를 완전 닫힘 상태로 제어한다. 제1배기라인(1641)과 제2배기라인(1652)을 통해 처리 공간(1110)과 수용 공간(1301) 각각에 배기압이 인가된다. 배기압에 의해 처리 공간(1110)에 머무르는 흄과 수용 공간(1301)에 머무르는 흄은 제1 및 제2 배기라인(1641, 1642)을 통해 외부로 배출된다.

이와 달리, 제1댐퍼(1651)가 개방되고 제2댐퍼(1652)와 제3댐퍼(1653)가 닫힘 상태로 유지될 수 있다. 이 경우, 처리 공간(1110)에 머무르는 흄과 수용공간(1301)에 머무르는 흄은 제1배기라인(1641)을 통해 외부로 배기된다.

도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 메인터넌스 단계를 나타내는 도면이다.

도 7을 참조하면, 하우징(1100) 내에 제공된 장치의 메인터넌스가 필요한 경우, 작업자는 도어(1150)를 개방한다. 하우징(1100) 내에는 공정 처리 단계에서 발생된 흄이 다량으로 머무르므로, 흄의 배기 공정이 요구된다. 특히, 처리액의 종류에 따라 휘발성이 강한 처리액이 있으며, 이 경우 냄새가 다량 발생되므로 배기 공정이 반드시 요구된다.

메인터넌스 단계에서, 보조컵 이동부재(1630)는 보조컵(1620)의 상단을 제2높이(H2)에 위치시킨다. 제2높이(H2)는 용기(1300)의 상단보다 높은 높이로 제공된다. 실시예에 의하면, 제2높이(H2)는 보조컵(1620)의 상단이 팬 필터 유닛(1500)에 인접하거나 그와 접촉하는 높이로 제공될 수 있다. 보조컵(1620)의 이동으로 처리 공간(1110) 중 용기(1300)의 상부 영역은 보조컵(1620)에 의해 감싸여지며, 처리 공간(1100)의 다른 영역과 구획된다.

제어기(1670)는 제1 내지 제3댐퍼(1651 내지 1653)가 완전 개방되도록 제어한다. 배기압은 제1 내지 제3배기라인(1641 내지 1643)을 통해 하우징(1100) 내부로 인가된다. 하우징(1100) 내부로 인가되는 배기압의 전체 크기는 공정 처리 단계에서보다 메인터넌스 단계에서 더 높다. 때문에 하우징(1100) 내부의 흄은 신속하게 외부로 배기될 수 있다.

흄은 용기(1300)의 수용공간(1301) 및 상부 공간에 높은 밀도로 머무른다. 보조컵(1300)은 용기(1300)의 수용 공간(1301)과 상부 공간을 처리공간(1100)의 다른 영역과 구획하므로, 제2 및 제3배기라인(1642, 1643)을 통해 인가되는 배기압은 용기(1300)의 수용 공간(1301) 및 상부 공간으로 집중 인가될 수 있다. 이는 하우징(1100)의 처리 공간 전체에 인가되는 배기압보다 높은 압력이다. 이러한 배기압은 용기(1300)의 수용 공감(1301) 및 상부 공간에 머무르는 흄을 신속하게 배기한다. 또한, 제3배기라인(1642)을 통해 인가되는 배기압은 용기(1300)의 외측으로 인가되므로 용기(1300)의 상벽 및 외벽에 부착된 파티클 및 흄을 용이하게 제거할 수 있다.

제1배기라인(1641)을 통해 인가되는 배기압은 처리 공간(1100) 중 보조컵(1620)에 의해 둘러싸이는 영역을 제외한 다른 영역에 머므르는 흄을 주로 외부로 배기한다.

상술한 배기 공정 후 작업자는 도어(1150)를 개방한다. 도어(1150)의 개방으로 하우징(1100) 내에 머무르는 흄이 메인터넌스용 개구(1130) 측으로 유입될 수 있다. 제1배기라인(1641)은 메인터넌스용 개구(1130)와 인접한 영역에서 하우징(1100)의 측벽에 연결되므로, 메인터넌스용 개구(1130) 측으로 이동하는 흄은 제1배기라인(1641)으로 유입된다. 때문에 메인터넌스용 개구(1130)를 통해 흄이 외부로 배출되는 것이 예방될 수 있다.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

1: 기판 처리 설비 401: 도포 장치
402: 현상 장치 430: 반송 장치
1100: 하우징 1200: 지지 유닛
1300: 용기 1400: 액 공급 유닛
1410: 노즐 1500: 팬 필터 유닛
1600: 배기 유닛 1610: 감압부재
1620: 보조컵 1630: 보조컵 이동부재
1670: 제어기

Claims

내부에 처리 공간이 형성된 하우징;
상기 처리 공간에 위치하며, 기판을 지지하는 지지 플레이트;
상기 지지 플레이트에 지지된 기판으로 처리액을 공급하는 액 공급유닛;
상기 처리 공간에 위치하고, 상기 지지 플레이트가 위치하는 수용 공간을 가지며 처리액을 회수하는 용기; 및
상기 처리 공간 및 상기 수용 공간 내 흄을 배기하는 배기 유닛을 포함하되,
상기 배기 유닛은
배기압을 제공하는 감압부재;
상기 용기와 상기 감압부재를 연결하는 제1배기라인; 및
상기 하우징과 상기 감압부재를 연결하는 제2배기라인을 포함하는 기판 처리 장치.
제 1 항에 있어서,
상기 하우징의 일 측벽에는 메인터넌스(maintenance)용 개구가 형성되고,
상기 제2배기라인은 상기 개구에 인접한 영역에서 상기 하우징의 측벽과 연결되는 기판 처리 장치.
제 1 항에 있어서,
상기 배기 유닛은
상기 제1배기라인 상에 설치되며, 상기 제1배기라인의 개방율을 조절하는 제1댐퍼;
상기 제2배기라인 상에 설치되며, 상기 제2배기라인의 개방율을 조절하는 제2댐퍼; 및
공정 진행 시보다 메인터넌스 시, 상기 제1배기라인 및 상기 제2배기라인에 높은 배기압이 제공되도록 상기 제1댐퍼와 상기 제2댐퍼를 조절하는 제어기를 더 포함하는 기판 처리 장치.
제 1 항에 있어서,
상기 배기 유닛은
상기 처리 공간에서 상기 용기를 감싸도록 제공되며, 상부가 개방된 보조 컵; 및
상기 보조컵을 제1높이와 제2높이 간에 이동시키는 보조컵 이동부재를 더 포함하되,
상기 제1높이는 상기 보조컵의 상단이 상기 용기의 상단에 대응하거나 그보다 낮은 높이이고, 상기 제2높이는 상기 보조컵의 상단이 상기 용기의 상단보다 높은 높이로 제공되는 기판 처리 장치.
제 4 항에 있어서,
상기 배기 유닛은
상기 보조컵과 상기 감압 부재를 연결하며, 상기 제1배기 라인 및 상기 제2배기라인과 분리된 제3배기라인; 및
상기 제3배기라인에 설치되어 상기 제3배기라인의 개방율을 조절하는 제3댐퍼를 더 포함하는 기판 처리 장치.
제 5 항에 있어서,
상기 배기 유닛은
공정 진행 시보다 메인터넌스 시, 상기 제1배기라인 내지 상기 제3배기라인에 높은 배기압이 제공되도록 상기 제1댐퍼 내지 상기 제3댐퍼를 조절하는 제어기를 더 포함하는 기판 처리 장치.
제 6 항에 있어서,
상기 제어기는 상기 공정 진행 시 상기 제1배기라인과 상기 제2배기라인이 일부 개방되고 상기 제3배기라인이 완전 닫히며, 상기 메인터넌스 시 상기 제1배기라인 내지 상기 제3배기라인이 완전 개방되도록 상기 제1댐퍼 내지 상기 제3댐퍼를 조절하는 기판 처리 장치.
제 4 항에 있어서,
상기 용기의 상부에 위치하며, 상기 하우징 내부로 청정 공기를 공급하는 팬 필터 유닛을 더 포함하며,
상기 제2높이는 상기 보조컵의 상단이 상기 팬필터 유닛와 접촉하거나 그와 인접한 높이로 제공되는 기판 처리 장치.
처리액으로 기판에 대해 공정을 수행하는 액처리 장치;
상기 액처리 장치와 마주 배치되며, 기판에 대해 열처리 공정을 수행하는 베이크 장치; 및
상기 액처리 장치와 상기 베이크 장치 사이에 배치되며, 상기 액처리 장치 또는 상기 베이크 장치로 기판을 이송하는 반송 장치를 포함하되,
상기 액처리 장치는
상기 반송 장치와 이격된 타 측벽에 메인터넌스(maintenance)용 개구가 형성되고, 내부에 처리 공간이 형성된 하우징;
상기 처리 공간에 위치하며, 기판을 지지하는 지지 플레이트;
상기 지지 플레이트에 지지된 기판으로 처리액을 공급하는 액 공급유닛;
상기 처리 공간에 위치하고, 상기 지지 플레이트가 위치하는 수용 공간을 형성하며, 처리액을 회수하는 용기; 및
상기 처리 공간 및 상기 수용 공간 내 흄을 배기하는 배기 유닛을 포함하되,
상기 배기 유닛은
배기압을 제공하는 감압부재;
상기 용기와 상기 감압부재를 연결하는 제1배기라인; 및
일단이 상기 개구와 인접한 영역에서 상기 하우징의 타 측벽과 연결되고, 타단이 상기 감압부재와 연결되는 제2배기라인을 포함하는 기판 처리 설비.
제 9 항에 있어서,
상기 배기 유닛은
상기 제1배기라인 상에 설치되며, 상기 제1배기라인의 개방율을 조절하는 제1댐퍼;
상기 제2배기라인 상에 설치되며, 상기 제2배기라인의 개방율을 조절하는 제2댐퍼; 및
공정 진행 시보다 메인터넌스 시, 상기 제1배기라인 및 상기 제2배기라인에 높은 배기압이 제공되도록 상기 제1댐퍼와 상기 제2댐퍼를 조절하는 제어기를 더 포함하는 기판 처리 설비.
제 10 항에 있어서,
상기 배기 유닛은
상기 처리 공간에서 상기 용기를 감싸도록 제공되며, 상부가 개방된 보조 컵;
상기 보조컵을 제1높이와 제2높이 간에 이동시키는 보조컵 이동부재;
상기 보조컵과 상기 감압 부재를 연결하며, 상기 제1배기 라인 및 상기 제2배기라인과 분리된 제3배기라인; 및
상기 제3배기라인에 설치되어 상기 제3배기라인의 개방율을 조절하는 제3댐퍼를 더 포함하되,
상기 제1높이는 상기 보조컵의 상단이 상기 용기의 상단에 대응하거나 그보다 낮은 높이이고, 상기 제2높이는 상기 보조컵의 상단이 상기 용기의 상단보다 높은 높이로 제공되는 기판 처리 설비.
제 11 항에 있어서,
상기 용기의 상부에 위치하며, 상기 하우징 내부로 청정 공기를 공급하는 팬 필터 유닛을 더 포함하며,
상기 제2높이는 상기 보조컵의 상단이 상기 팬필터 유닛에 접촉하거나 그와 인접한 높이로 제공되는 기판 처리 설비.
제 11 항에 있어서,
상기 제어기는 공정진행시 제1배기라인과 상기 제2배기라인이 일부 개방되고 상기 제3배기라인이 완전 닫히며, 메인터넌스시 상기 제1배기라인 내지 상기 제3배기라인이 완전 개방되도록 상기 제1댐퍼 내지 상기 제3댐퍼를 제어하는 기판 처리 설비.
하우징의 처리공간에 제공된 지지 플레이트에 기판을 위치시키고, 상기 지지 플레이트에 위치한 기판으로 처리액을 공급하여 공정을 수행하는 공정 처리 단계; 및
상기 하우징의 측벽에 제공된 개구를 개방하여 상기 처리공간에 제공된 장치들을 유지보수하는 메인터넌스 단계를 포함하되,
상기 공정 처리 단계와 상기 메인터넌스 단계가 수행되는 동안, 배기압을 인가하여 상기 하우징 내에 발생한 흄을 상기 하우징 외부로 배기하며,
상기 처리공간으로 인가되는 배기압과 상기 지지 플레이트를 에워싸는 용기의 수용 공간으로 인가되는 배기압은 상기 공정 처리 단계에서보다 상기 메인터넌스 단계에서 더 높은 기판 처리 방법.
제 14 항에 있어서,
상기 처리공간에는 상기 하우징과 감압부재를 연결하는 제1배기라인을 통해 배기압이 인가되고,
상기 수용공간에는 상기 용기와 상기 감압부재를 연결하는 제2배기라인을 통해 배기압이 인가되며,
상기 제1배기라인은 상기 개구와 인접한 영역에서 상기 처리공간으로 배기압을 인가하는 기판 처리 방법.
제 15 항에 있어서,
상기 하우징의 내부에는 상기 용기를 감싸는 보조컵과, 상기 보조컵과 상기 감압부재를 연결하는 제3배기라인이 제공되며,
상기 공정 처리 단계에서 상기 보조컵의 상단은 상기 용기의 상단에 대응하거나 그보다 낮은 높이에 위치하고,
상기 메인터넌스 단계에서 상기 보조컵의 상단은 상기 용기의 상단보다 높은 높이로 제공되는 기판 처리 방법.
제 16 항에 있어서,
상기 공정 처리 단계와 상기 메인터넌스 단계 동안, 상기 지지 플레이트의 상부에 제공된 팬 필터 유닛로부터 청정공기가 유입되며,
상기 메인터는스 단계에서 상기 보조컵의 상단은 상기 팬필터 유닛와 접촉하거나 그와 인접하여 위치하는 기판 처리 방법.
제 16 항에 있어서,
상기 공정 처리 단계에서 상기 제1배기라인과 상기 제2배기라인은 일부 개방되고, 상기 제3배기라인은 완전 닫히며,
상기 메인터넌스 단계에서 상기 제1배기라인 내지 상기 제3배기라인은 완전 개방되는 기판 처리 방법.