KR101895407B1 - 기판 처리 장치 및 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101895407B1
KR101895407B1 KR1020160143117A KR20160143117A KR101895407B1 KR 101895407 B1 KR101895407 B1 KR 101895407B1 KR 1020160143117 A KR1020160143117 A KR 1020160143117A KR 20160143117 A KR20160143117 A KR 20160143117A KR 101895407 B1 KR101895407 B1 KR 101895407B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
maintenance
opening
exhaust
substrate
door
Prior art date
Application number
KR1020160143117A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20180049306A (ko
Inventor
이승한
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020160143117A priority Critical patent/KR101895407B1/ko
Publication of KR20180049306A publication Critical patent/KR20180049306A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101895407B1 publication Critical patent/KR101895407B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02299Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
    • H01L21/02307Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a liquid
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67772Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving removal of lid, door, cover
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

본 발명의 실시예는 기판을 처리하는 장치 및 방법을 제공한다. 기판 처리 장치는 내부에 수용 공간을 가지며, 서로 상이한 측벽에 기판이 반출입되는 반출입구 및 메인터넌스용 개구가 형성되는 하우징, 상기 반출입구를 개폐하는 반출입용 도어, 상기 메인터넌스용 개구를 개폐하는 메인터넌스용 도어, 상기 수용 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 상기 수용 공간을 배기하는 배기 유닛, 그리고 상기 배기 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 배기 유닛은 상기 수용 공간의 제1영역을 배기하며, 제1밸브가 설치되는 제1배기 라인 및 상기 제1영역과 상이한 상기 수용 공간의 제2영역을 배기하며, 제2밸브가 설치되는 제2배기 라인을 포함한다. 상부에서 바라볼 때 상기 제1영역은 상기 기판 지지 유닛과 상기 메인터넌스용 도어 중 상기 기판 지지 유닛에 더 가깝게 위치되고, 상부에서 바라볼 때 상기 제2영역은 상기 기판 지지 유닛과 상기 메인터넌스용 도어 중 상기 메인터넌스용 도어에 더 가깝게 위치되는 기판 처리 장치. 이로 인해 유해 분위기가 메인터넌스용 개구를 통해 외부로 유출되는 것을 방지할 수 있다.

Description

기판 처리 장치 및 방법{Apparatus and Method for treating substrate}
본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
반도체 소자 또는 액정 디스플레이를 제조하기 위해서, 기판에 포토리소그라피, 애싱, 이온주입, 박막 증착, 그리고 세정 등의 다양한 공정들이 수행된다. 이러한 공정들은 기판을 처리하는 중에 다량의 퓸이나, 인체에 유해한 공정 부산물이 발생된다.
일반적으로 기판을 처리하는 공정은 외부로부터 밀폐된 내부 공간에서 진행되며, 내부 공간을 일정한 분위기를 유지하도록 배기한다.
그러나 기판을 처리하는 과정에서 다량의 퓸 또는 인체에 유해한 공정 부산물이 발생되며, 이는 주변 장치를 오염시킨다. 이로 인해 장치의 유지 보수를 위한 메인터넌스 작업은 주기적으로 진행된다.
메인터넌스 작업에 앞서, 하우징 내에 잔류되는 유해 분위기는 배기 부재를 통해 배기된다. 이후 작업자는 장치의 메인터넌스를 위해 하우징을 개방한다. 그러나 하우징 내에 유해 분위기를 완전 제거하는 것을 어렵다. 특히 하우징의 개방면에 인접하게 잔류되는 유해 분위기는 작업자가 하우징을 개방하는 동시에 외부로 유출되며, 이 과정에서 작업자의 인체에 심각한 대미지를 줄 수 있다.
본 발명은 작업자가 안전하게 메인터넌스할 수 있는 장치 및 방법을 제공하고자 한다.
또한 본 발명은 장치 내의 유해 분위기가 외부로 유출되는 것을 방지할 수 있는 장치 및 방법을 제공하고자 한다.
본 발명의 실시예는 기판을 처리하는 장치 및 방법을 제공한다.
기판 처리 장치는 내부에 수용 공간을 가지며, 서로 상이한 측벽에 기판이 반출입되는 반출입구 및 메인터넌스용 개구가 형성되는 하우징, 상기 반출입구를 개폐하는 반출입용 도어, 상기 메인터넌스용 개구를 개폐하는 메인터넌스용 도어, 상기 수용 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 상기 수용 공간을 배기하는 배기 유닛, 그리고 상기 배기 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 배기 유닛은 상기 수용 공간의 제1영역을 배기하며, 제1밸브가 설치되는 제1배기 라인 및 상기 제1영역과 상이한 상기 수용 공간의 제2영역을 배기하며, 제2밸브가 설치되는 제2배기 라인을 포함한다.
상부에서 바라볼 때 상기 제1영역은 상기 기판 지지 유닛과 상기 메인터넌스용 도어 중 상기 기판 지지 유닛에 더 가깝게 위치되고, 상부에서 바라볼 때 상기 제2영역은 상기 기판 지지 유닛과 상기 메인터넌스용 도어 중 상기 메인터넌스용 도어에 더 가깝게 위치될 수 있다. 상기 제어기는 상기 반출입용 개구 및 상기 메인터넌스용 개구 중 어느 하나가 개방되면, 다른 하나가 차단되도록 상기 반출입용 도어 및 상기 메인터넌스용 도어를 제어할 수 있다. 상기 제어기는 상기 제1배기 라인 및 상기 제2배기 라인 중 하나가 개방되면, 다른 하나가 차단되도록 상기 제1밸브 및 상기 제2밸브를 제어할 수 있다. 상기 배기 유닛은 상기 하우징의 천장면 또는 바닥면에 설치되며, 외면에 상기 수용 공간과 통하는 배기홀이 형성되는 배기 바디를 더 포함하되, 상부에서 바라볼 때 상기 배기 바디는 상기 기판 지지 유닛과 상기 메인터넌스용 도어 중 상기 메인터넌스용 도어에 더 가깝게 위치되고, 상기 제2배기 라인은 상기 배기홀에 연결될 수 있다. 상기 배기홀은 복수 개로 제공되고, 상부에서 바라볼 때 상기 배기 바디는 상기 메인터넌스용 개구가 향하는 방향과 수직한 길이 방향을 가지며, 상기 배기홀은 상기 배기 바디의 길이 방향을 따라 배열될 수 있다. 상기 제2배기 라인은 상기 제1배기 라인으로부터 분기되되, 상기 배기 유닛은 상기 제1배기 라인에 설치되며, 상기 제1배기 라인 및 제2배기 라인을 감압하는 감압 부재를 더 포함할 수 있다.
상기 장치는 상기 메인터넌스용 도어의 여부를 감지하며, 상기 메인터넌스용 도어가 개방되는 정보를 상기 제어기에 전달하는 센서를 더 포함하되, 상기 제어기는 상기 메인터넌스용 개구가 개방되면 상기 제2배기 라인을 개방하고, 상기 메인터넌스용 개구가 차단되면 상기 제2배기 라인을 차단하도록 상기 제1밸브 및 상기 제2밸브를 제어할 수 있다.
또한 상기 장치는 상기 메인터넌스용 도어를 상기 메인터넌스용 개구가 차단하는 차단 위치 또는 상기 차단 위치를 벗어나 상기 메인터넌스용 개구가 개방되는 개방 위치로 이동시키며, 상기 제어기에 의해 제어되는 구동 부재를 더 포함하되, 상기 제어기는 상기 메인터넌스용 도어가 상기 개방 위치로 이동되도록 상기 구동 부재를 제어하고, 상기 제2배기 라인을 개방하도록 상기 제1밸브 및 상기 제2밸브를 제어할 수 있다.
또한 기판 처리 장치는 내부에 수용 공간을 가지며, 서로 상이한 측벽에 기판이 반출입되는 반출입구 및 메인터넌스용 개구가 형성되는 하우징, 상기 반출입구를 개폐하는 반출입용 도어, 상기 메인터넌스용 개구를 개폐하는 메인터넌스용 도어, 상기 수용 공간에 위치되며, 내부에 처리 공간을 가지는 처리 용기, 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판으로 처리액을 공급하는 액 공급 유닛, 상기 수용 공간을 배기하는 배기 유닛, 그리고 상기 배기 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 배기 유닛은 상부에서 바라볼 때 상기 처리 공간과 중첩되는 제1영역을 배기하며, 제1밸브가 설치되는 제1배기 라인 및 상부에서 바라볼 때 상기 제1영역과 상이한 상기 수용 공간의 제2영역을 배기하며, 제2밸브가 설치되는 제2배기 라인을 포함한다.
상부에서 바라볼 때 상기 제2영역은 상기 메인터넌스용 도어에 인접하게 위치될 수 있다. 상기 제어기는 상기 반출입용 개구 및 상기 메인터넌스용 개구 중 어느 하나가 개방되면, 다른 하나가 차단되도록 상기 반출입용 도어 및 상기 메인터넌스용 도어를 제어할 수 있다. 상기 장치는 상기 제어기는 상기 메인터넌스용 개구가 개방되면 상기 제2배기 라인을 개방하고, 상기 메인터넌스용 개구가 차단되면 상기 제2배기 라인을 차단하도록 상기 제1밸브 및 상기 제2밸브를 제어할 수 있다.
상기 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법으로는 상기 기판을 처리하는 기판 처리 단계 및 상기 장치를 메인터넌스하는 메인터넌스 단계를 포함하되, 상기 기판 처리 단계에는 상기 수용 공간을 제1배기 라인으로 배기하고, 상기 메인터넌스 단계에는 상기 수용 공간을 제2배기 라인을 배기한다.
상기 메인터넌스 단계에는 상기 메인터넌스용 개구가 개방되고, 상기 반출입용 개구가 차단될 수 있다. 상기 기판 처리 단계에는 상기 메인터넌스용 개구 및 상기 반출입용 개구가 각각 차단되고, 상기 제2배기 라인을 통한 배기가 중지될 수 있다. 상부에서 바라볼 때 상기 제1영역은 상기 기판 지지 유닛과 상기 메인터넌스용 도어 중 상기 기판 지지 유닛에 더 가깝게 위치되고, 상부에서 바라볼 때 상기 제2영역은 상기 기판 지지 유닛과 상기 메인터넌스용 도어 중 상기 메인터넌스용 도어에 더 가깝게 위치될 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 하우징의 내부는 기판과 인접한 제1영역 및 메인터넌스용 개구와 인접한 제2영역을 각각 배기한다. 이로 인해 유해 분위기가 메인터넌스용 개구를 통해 외부로 유출되는 것을 방지할 수 있다.
또한 본 발명의 실시예에 의하면, 제2영역을 배기하는 제2배기 라인은 제1영역을 배기하는 제1배기 라인으로부터 분기되게 제공된다. 이로 인해 제2배기 라인을 구성하기 위한 공간 효율을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비의 평면도이다.
도 2는 도 1의 설비를 A-A 방향에서 바라본 단면도이다.
도 3은 도 1의 설비를 B-B 방향에서 바라본 단면도이다.
도 4는 도 1의 설비를 C-C 방향에서 바라본 단면도이다.
도 5는 도 1의 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다.
도 6은 도 5의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 7은 도 5의 배기 유닛을 보다 명확하게 보여주는 사시도이다.
도 8은 도 7의 배기 유닛을 보여주는 단면도이다.
도 9는 도 7의 배기 유닛의 다른 실시예를 보여주는 사시도이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
본 실시예의 설비는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 특히 본 실시예의 설비는 노광장치에 연결되어 기판에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 아래에서는 기판으로 웨이퍼가 사용된 경우를 예로 들어 설명한다.
이하 도 1 내지 도 9를 통해 본 발명의 기판 처리 설비를 설명한다.
도 1은 기판 처리 설비를 상부에서 바라본 도면이고, 도 2는 도 1의 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이고, 도 3은 도 1의 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이고, 도 4는 도 1의 설비를 C-C 방향에서 바라본 도면이다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)을 포함한다. 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)은 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치된다.
이하, 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)이 배치된 방향을 제 1 방향(12)이라 칭하고, 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)이라 칭하고, 제 1 방향(12) 및 제 2 방향(14)과 각각 수직한 방향을 제 3 방향(16)이라 칭한다.
기판(W)은 카세트(20) 내에 수납된 상태로 이동된다. 이때 카세트(20)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가진다. 예컨대, 카세트(20)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다.
이하에서는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)에 대해 상세히 설명한다.
로드 포트(100)는 기판들(W)이 수납된 카세트(20)가 놓여지는 재치대(120)를 가진다. 재치대(120)는 복수개가 제공되며, 재치대들(200)은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 2에서는 4개의 재치대(120)가 제공되었다.
인덱스 모듈(200)은 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인 카세트(20)와 제 1 버퍼 모듈(300) 간에 기판(W)을 이송한다. 인덱스 모듈(200)은 프레임(210), 인덱스 로봇(220), 그리고 가이드 레일(230)을 가진다. 프레임(210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 로드 포트(100)와 제 1 버퍼 모듈(300) 사이에 배치된다. 인덱스 모듈(200)의 프레임(210)은 후술하는 제 1 버퍼 모듈(300)의 프레임(310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(220)과 가이드 레일(230)은 프레임(210) 내에 배치된다. 인덱스 로봇(220)은 기판(W)을 직접 핸들링하는 핸드(221)가 제 1 방향(12), 제 2 방향(14), 제 3 방향(16)으로 이동 가능하고 회전될 수 있도록 4축 구동이 가능한 구조를 가진다. 인덱스 로봇(220)은 핸드(221), 아암(222), 지지대(223), 그리고 받침대(224)를 가진다. 핸드(221)는 아암(222)에 고정 설치된다. 아암(222)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 지지대(223)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 아암(222)은 지지대(223)를 따라 이동 가능하도록 지지대(223)에 결합된다. 지지대(223)는 받침대(224)에 고정결합된다. 가이드 레일(230)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)을 따라 배치되도록 제공된다. 받침대(224)는 가이드 레일(230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(230)에 결합된다. 또한, 도시되지는 않았지만, 프레임(210)에는 카세트(20)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공된다.
제 1 버퍼 모듈(300)은 프레임(310), 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)을 가진다. 프레임(310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 인덱스 모듈(200)과 도포 및 현상 모듈(400) 사이에 배치된다. 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)은 프레임(310) 내에 위치된다. 냉각 챔버(350), 제 2 버퍼(330), 그리고 제 1 버퍼(320)는 순차적으로 아래에서부터 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 제 1 버퍼(320)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 도포 모듈(401)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 현상 모듈(402)과 대응되는 높이에 위치된다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼(320)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 위치된다.
제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330)는 각각 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 버퍼(330)는 하우징(331)과 복수의 지지대들(332)을 가진다. 지지대들(332)은 하우징(331) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(332)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(331)은 인덱스 로봇(220), 제 1 버퍼 로봇(360), 그리고 후술하는 현상 모듈(402)의 현상부 로봇(482)이 하우징(331) 내 지지대(332)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향, 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향, 그리고 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 1 버퍼(320)는 제 2 버퍼(330)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 1 버퍼(320)의 하우징(321)에는 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향 및 후술하는 도포 모듈(401)에 위치된 도포부 로봇(432)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수와 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예에 의하면, 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수보다 많을 수 있다.
제 1 버퍼 로봇(360)은 제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330) 간에 기판(W)을 이송시킨다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 핸드(361), 아암(362), 그리고 지지대(363)를 가진다. 핸드(361)는 아암(362)에 고정 설치된다. 아암(362)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(361)가 제 2 방향(14)을 따라 이동 가능하도록 한다. 아암(362)은 지지대(363)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(363)에 결합된다. 지지대(363)는 제 2 버퍼(330)에 대응되는 위치부터 제 1 버퍼(320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가진다. 지지대(363)는 이보다 위 또는 아래 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 단순히 핸드(361)가 제 2 방향(14) 및 제 3 방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다.
냉각 챔버(350)는 각각 기판(W)을 냉각한다. 냉각 챔버(350)는 하우징(351)과 냉각 플레이트(352)를 가진다. 냉각 플레이트(352)는 기판(W)이 놓이는 상면 및 기판(W)을 냉각하는 냉각 수단(353)을 가진다. 냉각 수단(353)으로는 냉각수에 의한 냉각이나 열전 소자를 이용한 냉각 등 다양한 방식이 사용될 수 있다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 기판(W)을 냉각 플레이트(352) 상에 위치시키는 리프트 핀 어셈블리(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 하우징(351)은 인덱스 로봇(220) 및 후술하는 현상 모듈(402)에 제공된 현상부 로봇(482)이 냉각 플레이트(352)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향 및 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 상술한 개구를 개폐하는 도어들(도시되지 않음)이 제공될 수 있다.
도포 및 현상 모듈(400)은 노광 공정 전에 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 공정 및 노광 공정 후에 기판(W)을 현상하는 공정을 수행한다. 도포 및 현상 모듈(400)은 대체로 직육면체의 형상을 가진다. 도포 및 현상 모듈(400)은 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)을 가진다. 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 도포 모듈(401)은 현상 모듈(402)의 상부에 위치된다.
도포 모듈(401)은 기판(W) 상에 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정 모듈(401)로 제공된다. 도포 모듈(401)은 기판(W)에 대해 포토레지스트를 도포하는 공정 및 레지스트 도포 공정 전후에 기판(W)에 대해 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 도포 모듈(401)은 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)를 가진다. 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 레지스트 도포 챔버(410)와 베이크 챔버(420)는 반송 챔버(430)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 레지스트 도포 챔버(410)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 레지스트 도포 챔버(410)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(420)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(420)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(420)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.
반송 챔버(430)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(430) 내에는 도포부 로봇(432)과 가이드 레일(433)이 위치된다. 반송 챔버(430)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 도포부 로봇(432)은 베이크 챔버들(420), 레지스트 도포 챔버들(400), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320), 그리고 후술하는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(520) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(433)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(433)은 도포부 로봇(432)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 도포부 로봇(432)은 핸드(434), 아암(435), 지지대(436), 그리고 받침대(437)를 가진다. 핸드(434)는 아암(435)에 고정 설치된다. 아암(435)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(434)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(436)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(435)은 지지대(436)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(436)에 결합된다. 지지대(436)는 받침대(437)에 고정 결합되고, 받침대(437)는 가이드 레일(433)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(433)에 결합된다.
레지스트 도포 챔버들(410)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 레지스트 도포 챔버(410)에서 사용되는 포토 레지스트의 종류는 서로 상이할 수 있다. 일 예로서 포토 레지스트로는 화학 증폭형 레지스트(chemical amplification resist)가 사용될 수 있다. 레지스트 도포 챔버(410)는 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 기판 처리 장치로 제공된다. 도 6은 도 2의 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이고, 도 7은 도 6의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다. 도 6 및 도 7을 참조하면, 공정 유닛(800)은 하우징, 복수 개의 공정 처리 장치, 배기 유닛, 그리고 제어기를 포함한다. 하우징은 내부에 복수 개의 공정 처리 장치가 수용 가능한 수용 공간을 가진다. 하우징은 내부에 수용 공간을 가지는 직사각의 통 형상으로 제공된다. 하우징의 서로 상이한 측면에는 반출입구 및 메인터넌스용 개구가 형성된다. 반출입구는 기판이 수용 공간에 반출입되는 입구이고, 메인터넌스용 개구는 작업자가 수용 공간에 위치되는 장치를 메인터넌스하도록 개방되는 개구이다. 일 예에 의하면, 반출입구는 하우징의 일측면에 형성되고, 이와 마주보는 타측면에는 메인터넌스용 개구가 형성될 수 있다. 반출입구가 형성되는 하우징의 일측면은 반송 챔버(430)를 바라보는 내측면이고, 메인터넌스용 개구가 형성되는 타측면은 외측면일 수 있다.
수용 공간에는 복수 개의 공정 처리 장치들이 제공된다. 각각의 공정 처리 장치는 일 방향을 따라 나란하게 배열된다. 일 예에 의하면, 공정 처리 장치들은 제1방향(12)을 따라 배열될 수 있다. 수용 공간에는 2 개의 공정 처리 장치들이 위치될 수 있다.
각각의 공정 처리 장치는 처리 용기(850), 기류 제공 유닛(820), 기판 지지 유닛(830), 승강 유닛(890), 그리고 액 공급 유닛(840)을 포함한다.
처리 용기(850)는 수용 공간에 위치된다. 처리 용기(850)는 상부가 개방된 컵 형상을 가지도록 제공된다. 처리 용기(850)는 내부에 처리 공간을 제공한다. 처리 용기(850)는 내측 컵(852) 및 외측 컵(862)을 포함한다.
내측 컵(852)은 회전축(834)을 감싸는 원형의 판 형상으로 제공된다. 상부에서 바라볼 때 내측 컵(852)은 배기구(814)와 중첩되도록 위치된다. 상부에서 바라볼 때 내측 컵(852)의 상면은 그 외측 영역과 내측 영역 각각이 서로 상이한 각도로 경사지도록 제공된다. 일 예에 의하면, 내측 컵(852)의 외측 영역은 기판 지지 유닛(830)으로부터 멀어질수록 하향 경사진 방향을 향하며, 내측 영역은 기판 지지 유닛(830)으로부터 멀어질수록 상향 경사진 방향을 향하도록 제공된다. 내측 컵(852)의 외측 영역과 내측 영역이 서로 만나는 지점은 기판(W)의 측단부와 상하 방향으로 대응되게 제공된다. 내측 컵(852)의 상면 외측 영역은 라운드지도록 제공된다. 내측 컵(852)의 상면 외측 영역은 아래로 오목하게 제공된다. 내측 컵(852)의 상면 외측 영역은 처리액이 흐르는 영역으로 제공될 수 있다.
외측 컵(862)은 기판 지지 유닛(830) 및 내측 컵(852)을 감싸는 컵 형상을 가지도록 제공된다. 외측 컵(862)은 바닥벽(864), 측벽(866), 상벽(870), 그리고 경사벽(870)을 가진다. 바닥벽(864)은 중공을 가지는 원형의 판 형상을 가지도록 제공된다. 바닥벽(864)에는 회수 라인(865)이 형성된다. 회수 라인(865)은 기판(W) 상에 공급된 처리액을 회수한다. 회수 라인(865)에 의해 회수된 처리액은 외부의 액 재생 시스템에 의해 재사용될 수 있다. 측벽(866)은 기판 지지 유닛(830)을 감싸는 원형의 통 형상을 가지도록 제공된다. 측벽(866)은 바닥벽(864)의 측단으로부터 수직한 방향으로 연장된다. 측벽(866)은 바닥벽(864)으로부터 위로 연장된다.
경사벽(870)은 측벽(866)의 상단으로부터 외측 컵(862)의 내측 방향으로 연장된다. 경사벽(870)은 위로 갈수록 기판 지지 유닛(830)에 가까워지도록 제공된다. 경사벽(870)은 링 형상을 가지도록 제공된다. 경사벽(870)의 상단은 기판 지지 유닛(830)에 지지된 기판(W)보다 높게 위치된다.
기판 지지 유닛(830)은 처리 용기(810)의 내부 공간에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(830)은 기판(W)을 회전시킨다. 기판 지지 유닛(830)은 스핀척(832) 및 회전 구동 부재(834,836)을 포함한다. 스핀척(832)은 기판을 지지하는 기판 지지 부재(832)로 제공된다. 스핀척(832)은 원형의 판 형상을 가지도록 제공된다. 스핀척(832)의 상면에는 기판(W)이 접촉한다. 스핀척(832)은 기판(W)보다 작은 직경을 가지도록 제공된다. 일 예에 의하면, 스핀척(832)은 기판(W)을 진공 흡입하여 기판(W)을 척킹할 수 있다. 선택적으로, 스핀척(832)은 정전기를 이용하여 기판(W)을 척킹하는 정전척으로 제공될 수 있다. 또한 스핀척(832)은 기판(W)을 물리적 힘으로 척킹할 수 있다.
회전 구동 부재(834,836)는 스핀척(832)을 회전시킨다. 회전 구동 부재(834,836)은 회전축(834) 및 구동기(836)를 포함한다. 회전축(834)은 스핀척(832)의 아래에서 스핀척(832)을 지지한다. 회전축(834)은 그 길이방향이 상하방향을 향하도록 제공된다. 회전축(834)은 그 중심축을 중심으로 회전 가능하도록 제공된다. 구동기(836)는 회전축(834)이 회전되도록 구동력을 제공한다. 예컨대, 구동기(836)는 회전축의 회전 속도를 가변 가능한 모터일 수 있다.
액 공급 유닛(840)은 기판(W) 상에 전처리액 및 처리액을 공급한다. 액 공급 유닛(840)은 가이드 부재(846), 아암(848), 전처리 노즐(842) 및 메인 노즐(844)을 포함한다. 가이드 부재(846)는 아암(848)을 수평 방향으로 이동시키는 가이드 레일(846)을 포함한다. 가이드 레일(846)은 처리 용기의 일측에 위치된다. 가이드 레일(846)은 그 길이 방향이 수평 방향을 향하도록 제공된다. 일 예에 의하면, 가이드 레일(846)의 길이 방향을 제1방향과 평행한 방향을 향하도록 제공될 수 있다. 가이드 레일(846)에는 아암(848)이 설치된다. 아암(848)은 가이드 레일(846)의 내부에 제공된 리니어 모터에 의해 이동될 수 있다. 아암(848)은 상부에서 바라볼 때 가이드 레일(846)과 수직한 길이 방향을 향하도록 제공된다. 아암(848)의 일단은 가이드 레일(846)에 장착된다. 아암(848)의 타단 저면에는 전처리 노즐(842) 및 메인 노즐(844)이 각각 설치된다. 상부에서 바라볼 때 전처리 노즐(842) 및 메인 노즐(844)은 가이드 레일(846)의 길이 방향과 평행한 방향으로 배열된다. 전처리 노즐(842) 및 메인 노즐(844)은 아암(848)과 함께 공정 위치 및 대기 위치로 이동 가능하다. 여기서 공정 위치는 각 노즐(842,844)이 기판(W)에 대향되는 위치이고, 대기 위치는 공정 위치를 벗어난 위치로 정의한다. 일 예에 의하면, 공정 위치는 각 노즐(842,844)이 기판(W)의 중앙 영역으로 액을 공급할 수 있는 위치일 수 있다. 선택적으로 아암(848)은 길이 방향이 제3방향(16)을 향하는 수직축에 결합되어 회전될 수 있다. 예컨대, 전처리액은 기판(W)의 표면을 소수성으로 변화시키는 액일 수 있다. 전처리액은 신나(Thinner)이고, 처리액은 소수성의 성질을 가지는 포토 레지스트와 같은 감광액일 수 있다.
승강 유닛(890)은 처리 용기(850)와 기판(W) 간에 상대 높이를 조절한다. 승강 유닛(890)은 내측 컵(852) 및 외측 컵(862)을 각각 승강 이동시킨다. 승강 유닛(890)은 내측 이동 부재(892) 및 외측 이동 부재(894)를 포함한다. 내측 이동 부재(892)는 내측 컵(852)을 승강 이동 시키고, 외측 이동 부재(894)는 외측 컵(862)을 승강 이동시킨다.
기류 제공 유닛(820)은 처리 용기(810)의 내부 공간에 하강 기류를 형성한다. 기류 제공 유닛(820)은 기류 공급 라인(822), 팬(824), 그리고 필터(826)를 포함한다. 기류 공급 라인(822)은 처리 용기(810)에 연결된다. 기류 공급 라인(822)은 외부의 에어를 처리 용기(810)에 공급한다. 필터(826)는 기류 공급 라인(822)으로부터 제공되는 에어를 필터링 한다. 필터(826)는 에어에 포함된 불순물을 제거한다. 팬(824)은 처리 용기(810)의 상부면에 설치된다. 팬(824)은 처리 용기(810)의 상부면에서 중앙 영역에 위치된다. 팬(824)은 처리 용기(810)의 내부 공간에 하강 기류를 형성한다. 기류 공급 라인(822)으로부터 팬(824)에 에어가 공급되면, 팬(824)은 아래 방향으로 에어를 공급한다.
배기 유닛(1000)은 수용 공간(812)의 제1영역 및 제2영역을 각각 배기한다. 여기서 제1영역은 상부에서 바라볼 때 처리 용기(850)의 처리 공간(812)과 중첩되는 영역이고, 제2영역은 제1영역을 벗어난 영역으로 정의한다. 일 예에 의하면, 제2영역은 메인터넌스용 개구(817)와 인접한 영역일 수 있다. 도 7은 도 5의 배기 유닛을 보다 명확하게 보여주는 사시도이다.
배기 유닛(1000)은 수용 공간(812)을 배기한다. 배기 유닛(1000)은 수용 공간(812)의 제1영역 및 이와 상이한 제2영역을 각각 배기한다. 여기서 제1영역은 상부에서 바라볼 때 처리 공간(812)과 중첩되는 영역이고, 제2영역은 상부에서 바라볼 때 제1영역을 벗어난 영역으로 제공된다. 제2영역은 메인터넌스용 개구(817)와 인접한 영역일 수 있다.
배기 유닛(1000)은 제1배기 라인(1120), 감압 부재(1160), 배기 바디(1300), 제2배기 라인(1140)을 포함한다. 제1배기 라인(1120)은 수용 공간(812)의 제1영역을 배기한다. 제1배기 라인(1120)에는 감압 부재(1160) 및 제1밸브(1122)가 설치된다. 감압 부재(1160)는 제1배기 라인(1120)을 감압한다. 제1배기 라인(1120)은 배기구(814)에 연결된다. 감압 부재(1160)가 제1배기 라인(1120)을 배기함에 따라 처리 공간(812)의 분위기는 배기구(814) 및 제1배기 라인(1120)을 통해 배기된다.
배기 바디(1300)는 긴 길이를 가지는 바 형상을 가진다. 상부에서 바라볼 때 배기 바디(1300)는 메인터넌스용 개구(817)가 향하는 방향과 수직한 길이 방향을 가진다. 배기 바디(1300)는 하우징(810)의 천장면 또는 바닥면에 설치된다. 상부에서 바라볼 때 배기 바디(1300)는 기판 지지 유닛(830)과 메인터넌스용 도어(816) 중 메인터넌스용 도어(816)에 더 가깝게 위치된다. 일 예에 의하면, 배기 바디(1300)는 메인터넌스용 도어(816)에 인접하게 위치될 수 있다. 배기 바디(1300)의 내부에는 배기 유로(1324)가 형성되며, 외면에는 배기홀(1322)이 형성된다. 배기홀(1322)은 수용 공간(812)과 배기 유로(1324)가 서로 통하도록 제공된다. 배기홀(1322)은 복수 개로 제공되며, 배기 바디(1300)의 길이 방향을 따라 배열된다. 선택적으로, 배기홀(1322)은 단일하게 제공되며, 슬릿으로 제공될 수 있다. 배기홀(1322)은 배기 바디(1300)와 평행한 길이 방향을 가질 수 있다.
제2배기 라인(1140)은 수용 공간(812)의 제2영역을 배기한다. 제2배기 라인(1140)은 제1배기 라인(1120)으로부터 분기되는 분기 라인으로 제공된다. 제2배기 라인(1140)이 분기되는 지점은 제1밸브(1122)와 감압 부재(1160) 사이 지점으로 제공된다. 이로 인해 감압 부재(1160)는 제1배기 라인(1120) 및 제2배기 라인(1140)을 각각 감압할 수 있다. 제2배기 라인(1140)은 제1배기 라인(1120)으로부터 분기되어 배기 바디(1300)에 연결된다. 이에 따라 제2영역은 배기 바디(1300) 및 제2배기 라인(1140)을 통해 배기된다.
센서(1160)는 메인터넌스용 도어(816)의 위치를 감지한다. 센서(1160)는 메인터넌스용 도어(816)의 위치 정보를 제어기(1200)에 전달한다. 위치 정보는 메인터넌스용 도어(816)의 개방 위치 및 차단 위치를 포함한다. 여기서 차단 위치는 메인터넌스용 도어(816)가 메인터넌스용 개구(817)를 차단하는 위치이고, 개방 위치는 메인터넌스용 도어(816)가 차단 위치를 벗어나 메인터넌스용 개구(817)를 개방하는 위치로 정의한다. 예컨대, 센서(1160)는 광센서(1160) 또는 접촉 센서(1160)일 수 있다.
제어기(1200)는 배기 유닛(1000), 반출입용 도어(818), 그리고 메인터넌스용 도어(816)를 제어한다. 도 8은 도 7의 배기 유닛을 보여주는 도면들이다. 도 8을 참조하면, 제어기(1200)는 반출입용 개구(819) 및 메인터넌스용 개구(817) 중 어느 하나가 개방되면, 다른 하나가 차단되도록 반출입용 도어(818) 및 메인터넌스용 도어(816)를 제어한다. 또한 제어기(1200)는 기판(W)의 액 처리 공정이 진행되는 중에는 반출입용 개구(819) 및 메인터넌스용 개구(817) 각각이 차단된도록 반출입용 도어(818) 및 메인터넌스용 도어(816)를 제어한다. 또한 제어기(1200)는 센서(1160)로부터 수신된 위치 정보를 통해 배기 유닛(1000)을 제어한다. 제어기(1200)는 메인터넌스용 도어(816)가 차단 위치에 위치되면, 제1배기 라인(1120)을 개방하고 제2배기 라인(1140)을 차단한다. 이와 반대로, 메인터넌스용 도어(816)가 개방 위치에 위치되면, 제1배기 라인(1120)을 차단하고 제2배기 라인(1140)을 개방한다.
또한 제어기(1200)는 제1배기 라인(1120)과 제2배기 라인(1140) 중 어느 하나가 개방되면, 다른 하나가 차단되도록 제1밸브(1122) 및 제2밸브(1142)를 제어한다. 즉, 제1영역이 배기되는 중에는 제2영역의 배기를 중지하고, 제2영역이 배기되는 중에는 제1영역의 배기를 중지할 수 있다. 선택적으로, 제1영역의 배기 및 제2영역의 배기는 동시에 진행될 수 있다.
다음은 상술한 장치를 이용하여 기판(W)을 처리하는 방법에 대해 설명한다.
기판(W)을 처리하는 방법으로는, 기판 처리 단계 및 메인터넌스 단계를 포함한다. 기판 처리 단계는 기판(W)을 액 처리하는 공정을 수행하는 단계이고, 메인터넌스 단계는 장치의 유지 보수를 수행하는 단계이다.
기판 처리 단계에는 기판 지지 유닛(830)에 지지된 기판(W) 상에 전처리액 및 처리액을 순차적으로 공급한다. 기판 처리 단계에는 메인터넌스용 개구(817) 및 반출입용 개구(819)가 각각 차단된다. 수용 공간(812)은 제1배기 라인(1120)을 통해 배기되고, 제2배기 라인(1140)은 차단된다.
메인터넌스 단계는 수용 공간(812)에 기판(W)이 미제공된 상태에서 진행된다. 메인터넌스 단계가 진행되면, 메인터넌스용 도어(816)가 개방 위치로 이동된다. 메인터넌스용 도어(816)가 차단 위치를 벗어남에 따라 수용 공간(812)은 제2배기 라인(1140)을 통해 배기된다. 메인터넌스용 개구(817)가 개방되면, 작업자는 메인터넌스용 개구(817)를 통해 장치를 유지 보수 한다. 메인터넌스 단계에는 수용 공간(812)을 제2배기 라인(1140)만으로 배기할 수 있고, 각각의 제1배기 라인(1120)과 제2배기 라인(1140)을 통해 배기할 수 있다.
상술한 실시예에는 제2배기 라인(1140)이 제1배기 라인(1120)으로부터 분기되는 분기 라인으로 제공되는 것으로 설명하였다. 이로 인해 제2배기 라인(1140)을 감압하기 위한 별도의 감압 부재(1160)가 불필요하며, 공간 효율을 향상시킬 수 있다.
이와 달리, 도 9와 같이 제1배기 라인(1120) 및 제2배기 라인(1140)은 독립된 라인으로 제공될 수 있다. 제1배기 라인(1120)에는 제1감압 부재(1160a)가 설치되고, 제2배기 라인(1140)에는 제2감압 부재(1160b)가 설치될 수 있다.
또한 제어기(1200)는 구동 부재(815)를 더 제어할 수 있다. 제어기(1200)는 메인터넌스용 도어(816)가 개방 위치로 이동되도록 구동 부재(815)를 제어하고, 제2배기 라인(1140)을 개방하도록 제1밸브(1122) 및 상기 제2밸브(1142)를 제어할 수 있다.
상술한 실시예에 의하면, 메인터넌스용 개구(817)가 개방될 시 수용 공간(812)의 제2영역은 제2배기 라인(1140)에 의해 배기된다. 이로 인해 제1영역에서 발생된 유해 분위기가 제2영역 및 메인터넌스용 개구(817)를 통해 외부로 유출되는 것을 사전에 방지한다. 이에 따라 작업자가 장치의 유지 보수를 위해 메인터넌스용 개구(817)를 개방할지라도, 유해 분위기에 노출되는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 실시예의 배기 유닛(1000)은 레지스트 도포 챔버에 한정되지 않으며, 외부로부터 밀폐된 공간에서 기판(W)을 처리하는 장치라면 다양하게 적용 가능하다. 예컨대, 배기 유닛(1000)은 베이크 챔버(420, 470), 현상 챔버(460), 그리고 세정 챔버(660)에 적용 가능하다.
다시 도 1 내지 도 4를 참조하면, 베이크 챔버(420)는 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(420)은 포토 레지스트를 도포하기 전에 기판(W)을 소정의 온도로 가열하여 기판(W) 표면의 유기물이나 수분을 제거하는 프리 베이크(prebake) 공정이나 포토레지스트를 기판(W) 상에 도포한 후에 행하는 소프트 베이크(soft bake) 공정 등을 수행하고, 각각의 가열 공정 이후에 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(420)는 냉각 플레이트(421) 또는 가열 플레이트(422)를 가진다. 냉각 플레이트(421)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(423)이 제공된다. 또한 가열 플레이트(422)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(424)이 제공된다. 냉각 플레이트(421)와 가열 플레이트(422)는 하나의 베이크 챔버(420) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(420)들 중 일부는 냉각 플레이트(421)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(422)만을 구비할 수 있다.
현상 모듈(402)은 기판(W) 상에 패턴을 얻기 위해 현상액을 공급하여 포토 레지스트의 일부를 제거하는 현상 공정, 및 현상 공정 전후에 기판(W)에 대해 수행되는 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 현상모듈(402)은 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)를 가진다. 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 현상 챔버(460)와 베이크 챔버(470)는 반송 챔버(480)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 현상 챔버(460)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 현상 챔버(460)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(470)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(470)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(470)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.
반송 챔버(480)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(480) 내에는 현상부 로봇(482)과 가이드 레일(483)이 위치된다. 반송 챔버(480)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 현상부 로봇(482)은 베이크 챔버들(470), 현상 챔버들(460), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350), 그리고 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(483)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(483)은 현상부 로봇(482)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 현상부 로봇(482)은 핸드(484), 아암(485), 지지대(486), 그리고 받침대(487)를 가진다. 핸드(484)는 아암(485)에 고정 설치된다. 아암(485)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(484)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(486)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(485)은 지지대(486)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(486)에 결합된다. 지지대(486)는 받침대(487)에 고정 결합된다. 받침대(487)는 가이드 레일(483)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(483)에 결합된다.
현상 챔버들(460)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 현상 챔버(460)에서 사용되는 현상액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 현상 챔버(460)는 기판(W) 상의 포토 레지스트 중 광이 조사된 영역을 제거한다. 이때, 보호막 중 광이 조사된 영역도 같이 제거된다. 선택적으로 사용되는 포토 레지스트의 종류에 따라 포토 레지스트 및 보호막의 영역들 중 광이 조사되지 않은 영역만이 제거될 수 있다.
현상 챔버(460)는 용기(461), 지지 플레이트(462), 그리고 노즐(463)을 가진다. 용기(461)는 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(462)는 용기(461) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(462)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(463)은 지지 플레이트(462)에 놓인 기판(W) 상으로 현상액을 공급한다. 노즐(463)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 현상액 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(463)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(463)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 현상 챔버(460)에는 추가적으로 현상액이 공급된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(464)이 더 제공될 수 있다.
베이크 챔버(470)는 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(470)은 현상 공정이 수행되기 전에 기판(W)을 가열하는 포스트 베이크 공정 및 현상 공정이 수행된 후에 기판(W)을 가열하는 하드 베이크 공정 및 각각의 베이크 공정 이후에 가열된 기판(W)를 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(470)는 냉각 플레이트(471) 또는 가열 플레이트(472)를 가진다. 냉각 플레이트(471)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(473)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(472)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(474)이 제공된다. 냉각 플레이트(471)와 가열 플레이트(472)는 하나의 베이크 챔버(470) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(470)들 중 일부는 냉각 플레이트(471)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(472)만을 구비할 수 있다.
상술한 바와 같이 도포 및 현상 모듈(400)에서 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 분리되도록 제공된다. 또한, 상부에서 바라볼 때 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 동일한 챔버 배치를 가질 수 있다.
제 2 버퍼 모듈(500)은 도포 및 현상 모듈(400)과 노광 전후 처리 모듈(600) 사이에 기판(W)이 운반되는 통로로서 제공된다. 또한, 제 2 버퍼 모듈(500)은 기판(W)에 대해 냉각 공정이나 에지 노광 공정 등과 같은 소정의 공정을 수행한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 프레임(510), 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)을 가진다. 프레임(510)은 직육면체의 형상을 가진다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)은 프레임(510) 내에 위치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에 대응하는 높이에 배치된다. 제 2 냉각 챔버(540)는 현상 모듈(402)에 대응하는 높이에 배치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 제 2 냉각 챔버(540)는 순차적으로 제 3 방향(16)을 따라 일렬로 배치된다. 상부에서 바라볼 때 버퍼(520)은 도포 모듈(401)의 반송 챔버(430)와 제 1 방향(12)을 따라 배치된다. 에지 노광 챔버(550)는 버퍼(520) 또는 제 1 냉각 챔버(530)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 배치된다.
제 2 버퍼 로봇(560)은 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550) 간에 기판(W)을 운반한다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 에지 노광 챔버(550)와 버퍼(520) 사이에 위치된다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 제 1 버퍼 로봇(360)과 유사한 구조로 제공될 수 있다. 제 1 냉각 챔버(530)와 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 기판들(W)에 대해 후속 공정을 수행한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 기판(W)을 냉각한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 냉각 챔버(350)과 유사한 구조를 가진다. 에지 노광 챔버(550)는 제 1 냉각 챔버(530)에서 냉각 공정이 수행된 기판들(W)에 대해 그 가장자리를 노광한다. 버퍼(520)는 에지 노광 챔버(550)에서 공정이 수행된 기판들(W)이 후술하는 전처리 모듈(601)로 운반되기 전에 기판(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 냉각 챔버(540)는 후술하는 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 기판들(W)이 현상 모듈(402)로 운반되기 전에 기판들(W)을 냉각한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 현상 모듈(402)와 대응되는 높이에 추가된 버퍼를 더 가질 수 있다. 이 경우, 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 기판들(W)은 추가된 버퍼에 일시적으로 보관된 후 현상 모듈(402)로 운반될 수 있다.
노광 전후 처리 모듈(600)은, 노광 장치(900)가 액침 노광 공정을 수행하는 경우, 액침 노광시에 기판(W)에 도포된 포토레지스트 막을 보호하는 보호막을 도포하는 공정을 처리할 수 있다. 또한, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 이후에 기판(W)을 세정하는 공정을 수행할 수 있다. 또한, 화학증폭형 레지스트를 사용하여 도포 공정이 수행된 경우, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 후 베이크 공정을 처리할 수 있다.
노광 전후 처리 모듈(600)은 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)을 가진다. 전처리 모듈(601)은 노광 공정 수행 전에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행하고, 후처리 모듈(602)은 노광 공정 이후에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행한다. 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 전처리 모듈(601)은 후처리 모듈(602)의 상부에 위치된다. 전처리 모듈(601)은 도포 모듈(401)과 동일한 높이로 제공된다. 후처리 모듈(602)은 현상 모듈(402)과 동일한 높이로 제공된다. 전처리 모듈(601)은 보호막 도포 챔버(610), 베이크 챔버(620), 그리고 반송 챔버(630)를 가진다. 보호막 도포 챔버(610), 반송 챔버(630), 그리고 베이크 챔버(620)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 보호막 도포 챔버(610)와 베이크 챔버(620)는 반송 챔버(630)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 보호막 도포 챔버(610)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 보호막 도포 챔버(610)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 베이크 챔버(620)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 베이크 챔버(620)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다.
반송 챔버(630)는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(530)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(630) 내에는 전처리 로봇(632)이 위치된다. 반송 챔버(630)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 전처리 로봇(632)은 보호막 도포 챔버들(610), 베이크 챔버들(620), 제 2 버퍼 모듈(500)의 버퍼(520), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 1 버퍼(720) 간에 기판(W)을 이송한다. 전처리 로봇(632)은 핸드(633), 아암(634), 그리고 지지대(635)를 가진다. 핸드(633)는 아암(634)에 고정 설치된다. 아암(634)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 아암(634)은 지지대(635)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(635)에 결합된다.
보호막 도포 챔버(610)는 액침 노광 시에 레지스트 막을 보호하는 보호막을 기판(W) 상에 도포한다. 보호막 도포 챔버(610)는 하우징(611), 지지 플레이트(612), 그리고 노즐(613)을 가진다. 하우징(611)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(612)는 하우징(611) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(612)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(613)은 지지 플레이트(612)에 놓인 기판(W) 상으로 보호막 형성을 위한 보호액을 공급한다. 노즐(613)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 보호액을 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(613)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(613)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 이 경우, 지지 플레이트(612)는 고정된 상태로 제공될 수 있다. 보호액은 발포성 재료를 포함한다. 보호액은 포토 레지스터 및 물과의 친화력이 낮은 재료가 사용될 수 있다. 예컨대, 보호액은 불소계의 용제를 포함할 수 있다. 보호막 도포 챔버(610)는 지지 플레이트(612)에 놓인 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 중심 영역으로 보호액을 공급한다.
베이크 챔버(620)는 보호막이 도포된 기판(W)을 열처리한다. 베이크 챔버(620)는 냉각 플레이트(621) 또는 가열 플레이트(622)를 가진다. 냉각 플레이트(621)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(623)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(622)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(624)이 제공된다. 가열 플레이트(622)와 냉각 플레이트(621)는 하나의 베이크 챔버(620) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버들(620) 중 일부는 가열 플레이트(622) 만을 구비하고, 다른 일부는 냉각 플레이트(621) 만을 구비할 수 있다.
후처리 모듈(602)은 세정 챔버(660), 노광 후 베이크 챔버(670), 그리고 반송 챔버(680)를 가진다. 세정 챔버(660), 반송 챔버(680), 그리고 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 세정 챔버(660)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 반송 챔버(680)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 세정 챔버(660)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 세정 챔버(660)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다.
반송 챔버(680)는 상부에서 바라볼 때 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(680)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 반송 챔버(680) 내에는 후처리 로봇(682)이 위치된다. 후처리 로봇(682)은 세정 챔버들(660), 노광 후 베이크 챔버들(670), 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 2 버퍼(730) 간에 기판(W)을 운반한다. 후처리 모듈(602)에 제공된 후처리 로봇(682)은 전처리 모듈(601)에 제공된 전처리 로봇(632)과 동일한 구조로 제공될 수 있다.
세정 챔버(660)는 노광 공정 이후에 기판(W)을 세정한다. 세정 챔버(660)는 하우징(661), 지지 플레이트(662), 그리고 노즐(663)을 가진다. 하우징(661)는 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(662)는 하우징(661) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(662)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(663)은 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W) 상으로 세정액을 공급한다. 세정액으로는 탈이온수와 같은 물이 사용될 수 있다. 세정 챔버(660)는 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 중심 영역으로 세정액을 공급한다. 선택적으로 기판(W)이 회전되는 동안 노즐(663)은 기판(W)의 중심 영역에서 가장자리 영역까지 직선 이동 또는 회전 이동할 수 있다.
노광 후 베이크 챔버(670)는 원자외선을 이용하여 노광 공정이 수행된 기판(W)을 가열한다. 노광 후 베이크 공정은 기판(W)을 가열하여 노광에 의해 포토 레지스트에 생성된 산(acid)을 증폭시켜 포토 레지스트의 성질 변화를 완성시킨다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 가열 플레이트(672)를 가진다. 가열 플레이트(672)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(674)이 제공된다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 그 내부에 냉각 플레이트(671)를 더 구비할 수 있다. 냉각 플레이트(671)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(673)이 제공된다. 또한, 선택적으로 냉각 플레이트(671)만을 가진 베이크 챔버가 더 제공될 수 있다.
상술한 바와 같이 노광 전후 처리 모듈(600)에서 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 완전히 분리되도록 제공된다. 또한, 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(680)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 보호막 도포 챔버(610)와 세정 챔버(660)는 서로 동일한 크기로 제공되어 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 베이크 챔버(620)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다.
인터페이스 모듈(700)은 노광 전후 처리 모듈(600), 및 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 이송한다. 인터페이스 모듈(700)은 프레임(710), 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)를 가진다. 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)은 프레임(710) 내에 위치된다. 제 1 버퍼(720)와 제 2 버퍼(730)는 서로 간에 일정거리 이격되며, 서로 적층되도록 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 제 2 버퍼(730)보다 높게 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)에 대응되는 높이에 배치된다. 상부에서 바라볼 때 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되게 위치된다.
인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720) 및 제 2 버퍼(730)와 제 2 방향(14)으로 이격되게 위치된다. 인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 운반한다. 인터페이스 로봇(740)은 제 2 버퍼 로봇(560)과 대체로 유사한 구조를 가진다.
제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)에서 공정이 수행된 기판들(W)이 노광 장치(900)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 그리고 제 2 버퍼(730)는 노광 장치(900)에서 공정이 완료된 기판들(W)이 후처리 모듈(602)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 제 1 버퍼(720)는 하우징(721)과 복수의 지지대들(722)을 가진다. 지지대들(722)은 하우징(721) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(722)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(721)은 인터페이스 로봇(740) 및 전처리 로봇(632)이 하우징(721) 내로 지지대(722)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 전처리 로봇(632)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 2 버퍼(730)는 제 1 버퍼(720)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 2 버퍼(730)의 하우징(4531)에는 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 후처리 로봇(682)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 인터페이스 모듈에는 기판(W)에 대해 소정의 공정을 수행하는 챔버의 제공 없이 상술한 바와 같이 버퍼들 및 로봇만 제공될 수 있다.
830: 기판 지지 유닛 850: 하우징
1120: 제1배기 라인 1140: 제2배기 라인
1160: 감압 부재 1200: 제어기
1300: 배기 바디

Claims (17)

  1. 내부에 수용 공간을 가지며, 서로 상이한 측벽에 기판이 반출입되는 반출입구 및 메인터넌스용 개구가 형성되는 하우징과;
    상기 반출입구를 개폐하는 반출입용 도어와;
    상기 메인터넌스용 개구를 개폐하는 메인터넌스용 도어와;
    상기 수용 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과;
    상기 수용 공간을 배기하는 배기 유닛과;
    상기 배기 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되,
    상기 배기 유닛은,
    상기 수용 공간의 제1영역을 배기하며, 제1밸브가 설치되는 제1배기 라인과;
    상기 제1영역과 상이한 상기 수용 공간의 제2영역을 배기하며, 제2밸브가 설치되는 제2배기 라인과;
    상기 하우징의 천장면 또는 바닥면에 설치되며, 외면에 상기 수용 공간과 통하는 배기홀이 형성되는 배기 바디를 포함하되,
    상부에서 바라볼 때 상기 제1영역은 상기 기판 지지 유닛과 상기 메인터넌스용 도어 중 상기 기판 지지 유닛에 더 가깝게 위치되고,
    상부에서 바라볼 때 상기 제2영역은 상기 기판 지지 유닛과 상기 메인터넌스용 도어 중 상기 메인터넌스용 도어에 더 가깝게 위치되며,
    상기 배기 바디는 상부에서 바라볼 때 상기 메인터넌스용 개구가 향하는 방향과 수직한 길이 방향을 가지며, 상기 메인터넌스용 개구에 인접하게 위치되고,
    상기 제2배기 라인은 상기 배기홀에 연결되는 기판 처리 장치.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제어기는 반출입용 개구 및 상기 메인터넌스용 개구 중 어느 하나가 개방되면, 다른 하나가 차단되도록 상기 반출입용 도어 및 상기 메인터넌스용 도어를 제어하는 기판 처리 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제어기는 상기 제1배기 라인 및 상기 제2배기 라인 중 하나가 개방되면, 다른 하나가 차단되도록 상기 제1밸브 및 상기 제2밸브를 제어하는 기판 처리 장치.
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서,
    상기 배기홀은 복수 개로 제공되고,
    상부에서 바라볼 때 상기 배기 바디는 상기 메인터넌스용 개구가 향하는 방향과 수직한 길이 방향을 가지며,
    상기 배기홀은 상기 배기 바디의 길이 방향을 따라 배열되는 기판 처리 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제2배기 라인은 상기 제1배기 라인으로부터 분기되되,
    상기 배기 유닛은,
    상기 제1배기 라인에 설치되며, 상기 제1배기 라인 및 제2배기 라인을 감압하는 감압 부재를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  8. 제1항, 제3항, 제4항, 제6항, 그리고 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 장치는,
    상기 메인터넌스용 도어의 여부를 감지하며, 상기 메인터넌스용 도어가 개방되는 정보를 상기 제어기에 전달하는 센서를 더 포함하되,
    상기 제어기는 상기 메인터넌스용 개구가 개방되면 상기 제2배기 라인을 개방하고, 상기 메인터넌스용 개구가 차단되면 상기 제2배기 라인을 차단하도록 상기 제1밸브 및 상기 제2밸브를 제어하는 기판 처리 장치.
  9. 제1항, 제3항, 제4항, 제6항, 그리고 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 장치는,
    상기 메인터넌스용 도어를 상기 메인터넌스용 개구가 차단하는 차단 위치 또는 상기 차단 위치를 벗어나 상기 메인터넌스용 개구가 개방되는 개방 위치로 이동시키며, 상기 제어기에 의해 제어되는 구동 부재를 더 포함하되,
    상기 제어기는 상기 메인터넌스용 도어가 상기 개방 위치로 이동되도록 상기 구동 부재를 제어하고, 상기 제2배기 라인을 개방하도록 상기 제1밸브 및 상기 제2밸브를 제어하는 기판 처리 장치.
  10. 내부에 수용 공간을 가지며, 서로 상이한 측벽에 기판이 반출입되는 반출입구 및 메인터넌스용 개구가 형성되는 하우징과;
    상기 반출입구를 개폐하는 반출입용 도어와;
    상기 메인터넌스용 개구를 개폐하는 메인터넌스용 도어와;
    상기 수용 공간에 위치되며, 내부에 처리 공간을 가지는 처리 용기와;
    상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과;
    상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판으로 처리액을 공급하는 액 공급 유닛과;
    상기 수용 공간을 배기하는 배기 유닛과;
    상기 배기 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되,
    상기 배기 유닛은,
    상부에서 바라볼 때 상기 처리 공간과 중첩되는 제1영역을 배기하며, 제1밸브가 설치되는 제1배기 라인과;
    상부에서 바라볼 때 상기 제1영역과 상이한 상기 수용 공간의 제2영역을 배기하며, 제2밸브가 설치되는 제2배기 라인과;
    상기 하우징의 천장면 또는 바닥면에 설치되며, 외면에 상기 수용 공간과 통하는 배기홀이 형성되는 배기 바디를 포함하되,
    상기 배기 바디는 상부에서 바라볼 때 상기 메인터넌스용 개구가 향하는 방향과 수직한 길이 방향을 가지며, 상기 메인터넌스용 개구에 인접하게 위치되고,
    상기 제2배기 라인은 상기 배기홀에 연결되는 기판 처리 장치.
  11. 삭제
  12. 제10항에 있어서,
    상기 제어기는 반출입용 개구 및 상기 메인터넌스용 개구 중 어느 하나가 개방되면, 다른 하나가 차단되도록 상기 반출입용 도어 및 상기 메인터넌스용 도어를 제어하는 기판 처리 장치.
  13. 제10항 또는 제12항에 있어서,
    상기 장치는,
    상기 제어기는 상기 메인터넌스용 개구가 개방되면 상기 제2배기 라인을 개방하고, 상기 메인터넌스용 개구가 차단되면 상기 제2배기 라인을 차단하도록 상기 제1밸브 및 상기 제2밸브를 제어하는 기판 처리 장치.
  14. 제1항의 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서,
    상기 기판을 처리하는 기판 처리 단계와;
    상기 장치를 메인터넌스하는 메인터넌스 단계를 포함하되,
    상기 기판 처리 단계에는 상기 수용 공간을 제1배기 라인으로 배기하고,
    상기 메인터넌스 단계에는 상기 수용 공간을 제2배기 라인을 배기하는 기판 처리 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 메인터넌스 단계에는 상기 메인터넌스용 개구가 개방되고, 반출입용 개구가 차단되는 기판 처리 방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 기판 처리 단계에는 상기 메인터넌스용 개구 및 상기 반출입용 개구가 각각 차단되고, 상기 제2배기 라인을 통한 배기가 중지되는 기판 처리 방법.








  17. 삭제
KR1020160143117A 2016-10-31 2016-10-31 기판 처리 장치 및 방법 KR101895407B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160143117A KR101895407B1 (ko) 2016-10-31 2016-10-31 기판 처리 장치 및 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160143117A KR101895407B1 (ko) 2016-10-31 2016-10-31 기판 처리 장치 및 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180049306A KR20180049306A (ko) 2018-05-11
KR101895407B1 true KR101895407B1 (ko) 2018-10-05

Family

ID=62185795

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160143117A KR101895407B1 (ko) 2016-10-31 2016-10-31 기판 처리 장치 및 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101895407B1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102247822B1 (ko) * 2018-08-23 2021-05-04 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007149948A (ja) * 2005-11-28 2007-06-14 Tokyo Electron Ltd 真空処理装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007149948A (ja) * 2005-11-28 2007-06-14 Tokyo Electron Ltd 真空処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20180049306A (ko) 2018-05-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102359530B1 (ko) 기판 처리 방법, 기판 처리 장치, 그리고 용기 세정 방법
KR101736441B1 (ko) 기판 처리 장치 및 안내판 세정 방법
KR20170070610A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102223763B1 (ko) 기판처리장치 및 방법
KR101895407B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR101654621B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR101757814B1 (ko) 대기 포트 및 이를 가지는 기판 처리 장치
KR20170024211A (ko) 기판 지지 유닛, 기판 처리 장치, 그리고 기판 처리 방법
KR102000023B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20160072545A (ko) 기판 처리 장치
KR20160149351A (ko) 기판 처리 방법 및 장치
KR20160141248A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR20150049184A (ko) 기판처리방법
KR20190011854A (ko) 기판 처리 방법 및 장치
KR101582569B1 (ko) 기판 처리 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 설비, 그리고 이를 이용하는 기판 처리 방법
KR102119683B1 (ko) 홈 포트, 이를 가지는 기판 처리 장치 및 방법
KR102270937B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR101914482B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101768518B1 (ko) 반송 챔버, 기판 처리 설비, 그리고 기판 반송 방법
KR20180122518A (ko) 기판 처리 장치
KR102289486B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR20190008458A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR20170061749A (ko) 대기 포트 및 이를 가지는 기판 처리 장치
KR102298083B1 (ko) 기판 처리 방법 및 장치
KR101935939B1 (ko) 기판 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant