KR20150076818A

KR20150076818A - 기판처리장치

Info

Publication number: KR20150076818A
Application number: KR1020130165432A
Authority: KR
Inventors: 이승한; 김경희
Original assignee: 세메스 주식회사
Priority date: 2013-12-27
Filing date: 2013-12-27
Publication date: 2015-07-07
Also published as: KR102223763B1

Abstract

본 발명의 실시예는 기판을 약액 처리하는 장치 및 방법을 제공한다. 기판처리장치느 내부에 처리공간을 제공하며, 상부가 개방된 용기, 상기 처리공간에서 기판을 지지 및 회전시키는 지지플레이트, 상기 지지플레이트에 지지된 기판 상으로 약액을 공급하는 약액공급유닛, 상기 처리공간의 분위기를 배기하는 배기유닛, 그리고 상기 용기의 상부에 위치되며, 상기 용기의 상단에 위치된 퓸을 제거하는 퓸 제거유닛을 포함한다. 용기 내부의 하부영역을 배기유닛으로 배기하고, 그 상부영역을 퓸제거유닛으로 배기하므로, 용기 내에 발생된 퓸이 용기의 외부로 노출되는 것을 방지할 수 있다.

Description

기판처리장치{Apparatus for treating substrate}

본 발명은 기판을 약액 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.

반도체 소자를 제조하기 위해서는 다양한 공정들이 진행되며, 크게 사진, 식각, 애싱, 박막 증착, 세정 공정들이 진행된다. 이 중 사진, 식각, 애싱, 그리고 세정공정에는 기판 상에 약액을 공급하여 그 기판을 처리하는 공정을 수행한다.

일반적으로 기판을 약액 처리하는 공정으로는, 용기 내에서 기판을 지지하고, 이를 회전하는 중에 약액을 공급한다. 약액은 기판의 중앙영역에서 그 가장자리영역으로 확산되고, 사용된 약액은 용기의 내측면에 제공되는 드레인라인을 통해 드레인된다. 또한 약액은 기판 상에 형성된 박막과 반응하여 퓸을 발생하거나, 대기 중에 노출되어 퓸을 발생한다. 이로 인해 공정이 진행되는 동안, 용기의 내부 분위기을 필히 배기해야 한다.

도1은 일반적으로 기판을 약액 처리하는 장치를 보여주는 단면도이다. 도1을 참조하면, 용기(2) 내에 위치된 기판으로 약액을 공급하여 기판을 처리한다. 용기 내부에 발생된 퓸은 용기의 저면에 결합된 배기라인을 통해 배기된다. 그러나 퓸의 일부는 용기(2)의 내측면으로 비산되어 그 용기(2)의 개방된 상부영역으로 제공된다. 이로 인해 퓸은 용기(2)의 외부로 노출되고, 이는 용기(2) 및 이의 주변 장치를 오염시킨다.

한국 공개 특허: 제2009-0118820호

본 발명은 기판을 약액 처리 시 용기 내에 발생되는 퓸을 제거할 수 있는 장치 및 방법을 제공하고자 한다.

또한 본 발명은 용기 내에 발생된 퓸의 일부가 용기의 개방된 상부영역으로 배출되는 것을 방지할 수 있는 장치 및 방법을 제공하고자 한다.

본 발명의 실시예는 기판을 약액 처리하는 장치 및 방법을 제공한다. 기판처리장치느 내부에 처리공간을 제공하며, 상부가 개방된 용기, 상기 처리공간에서 기판을 지지 및 회전시키는 지지플레이트, 상기 지지플레이트에 지지된 기판 상으로 약액을 공급하는 약액공급유닛, 상기 처리공간의 분위기를 배기하는 배기유닛, 그리고 상기 용기의 상부에 위치되며, 상기 용기의 상단에 위치된 퓸을 제거하는 퓸 제거유닛을 포함한다.

상기 배기유닛은 상기 용기의 저면에 결합되는 배기라인 및 상기 배기라인에 음압을 제공하는 감압부재를 포함하고, 상기 퓸제거유닛은 상기 용기의 상면을 감싸도록 제공되는 링 형상의 바디 및 상기 바디 및 상기 배기라인을 연결하는 퓸제거라인을 포함할 수 있다. 상기 바디는 상기 용기의 상면과 상하방향으로 대향되게 위치되는 상부벽 및 상기 수평면의 외측단으로부터 아래로 연장되어 상기 용기와 결합되는 외측벽을 포함할 수 있다. 상기 상부벽의 내측단은 상기 용기과 마주보도록 제공될 수 있다. 상기 바디는 상기 상부벽의 내측단으로부터 아래로 연장되며, 상기 용기와 이격되는 내측벽을 더 포함할 수 있다.

지지플레이트에 지지 및 회전되는 기판 상에 약액을 공급하여 상기 기판을 처리하는 방법으로는 상기 지지플레이트를 감싸며, 상부가 개방된 용기의 내부 분위기를 배기하고, 상기 용기의 상단에 위치된 퓸을 제거한다.

상기 용기의 상단에 위치된 상기 퓸을 제거하는 것은 상기 용기의 상면과 대향되는 그 상부영역에 퓸수용공간을 가지는 바디를 제공하고, 상기 퓸수용공간에 음압을 제공할 수 있다. 상기 퓸수용공간에 음압을 제공하는 것은 상기 용기의 내부에 음압을 제공하는 감압부재와 상기 퓸수용공간을 서로 연결할 수 있다. 상기 약액은 현상액으로 제공될 수 있다.

본 발명의 실시예에 의하면, 용기 내부의 하부영역을 배기유닛으로 배기하고, 그 상부영역을 퓸제거유닛으로 배기하므로, 용기 내에 발생된 퓸이 용기의 외부로 노출되는 것을 방지할 수 있다.

도1은 일반적인 기판처리장치를 보여주는 단면도이다.
도2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비의 평면도이다.
도3는 도2의 설비를 A-A 방향에서 바라본 단면도이다.
도4는 도2의 설비를 B-B 방향에서 바라본 단면도이다.
도5는 도2의 설비를 C-C 방향에서 바라본 단면도이다.
도6은 도2의 현상챔버에 제공되는 기판처리장치를 보여주는 단면도이다.
도7은 도6의 바디를 보여주는 사시도이다.
도8 및 도9는 도6의 기판처리장치를 이용하여 기판을 처리 시 퓸의 배기 과정을 보여주는 도면들이다.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.

본 실시예의 설비는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 특히 본 실시예의 설비는 노광장치에 연결되어 기판에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 아래에서는 기판으로 웨이퍼가 사용된 경우를 예로 들어 설명한다.

도2 내지 도9은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 설비를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도2는 기판 처리 설비를 상부에서 바라본 도면이고, 도3은 도2의 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이고, 도4는 도2의 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이고, 도5는 도2의 설비를 C-C 방향에서 바라본 도면이다.

도2 내지 도5를 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)을 포함한다. 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)은 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치된다.

이하, 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)이 배치된 방향을 제 1 방향(12)이라 칭하고, 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)이라 칭하고, 제 1 방향(12) 및 제 2 방향(14)과 각각 수직한 방향을 제 3 방향(16)이라 칭한다.

기판(W)은 카세트(20) 내에 수납된 상태로 이동된다. 이때 카세트(20)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가진다. 예컨대, 카세트(20)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다.

이하에서는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)에 대해 상세히 설명한다.

로드 포트(100)는 기판들(W)이 수납된 카세트(20)가 놓여지는 재치대(120)를 가진다. 재치대(120)는 복수개가 제공되며, 재치대들(200)은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 1에서는 4개의 재치대(120)가 제공되었다.

인덱스 모듈(200)은 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인 카세트(20)와 제 1 버퍼 모듈(300) 간에 기판(W)을 이송한다. 인덱스 모듈(200)은 프레임(210), 인덱스 로봇(220), 그리고 가이드 레일(230)을 가진다. 프레임(210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 로드 포트(100)와 제 1 버퍼 모듈(300) 사이에 배치된다. 인덱스 모듈(200)의 프레임(210)은 후술하는 제 1 버퍼 모듈(300)의 프레임(310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(220)과 가이드 레일(230)은 프레임(210) 내에 배치된다. 인덱스 로봇(220)은 기판(W)을 직접 핸들링하는 핸드(221)가 제 1 방향(12), 제 2 방향(14), 제 3 방향(16)으로 이동 가능하고 회전될 수 있도록 4축 구동이 가능한 구조를 가진다. 인덱스 로봇(220)은 핸드(221), 아암(222), 지지대(223), 그리고 받침대(224)를 가진다. 핸드(221)는 아암(222)에 고정 설치된다. 아암(222)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 지지대(223)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 아암(222)은 지지대(223)를 따라 이동 가능하도록 지지대(223)에 결합된다. 지지대(223)는 받침대(224)에 고정결합된다. 가이드 레일(230)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)을 따라 배치되도록 제공된다. 받침대(224)는 가이드 레일(230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(230)에 결합된다. 또한, 도시되지는 않았지만, 프레임(210)에는 카세트(20)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공된다.

제 1 버퍼 모듈(300)은 프레임(310), 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)을 가진다. 프레임(310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 인덱스 모듈(200)과 도포 및 현상 모듈(400) 사이에 배치된다. 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)은 프레임(310) 내에 위치된다. 냉각 챔버(350), 제 2 버퍼(330), 그리고 제 1 버퍼(320)는 순차적으로 아래에서부터 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 제 1 버퍼(320)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 도포 모듈(401)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 현상 모듈(402)과 대응되는 높이에 위치된다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼(320)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 위치된다.

제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330)는 각각 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 버퍼(330)는 하우징(331)과 복수의 지지대들(332)을 가진다. 지지대들(332)은 하우징(331) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(332)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(331)은 인덱스 로봇(220), 제 1 버퍼 로봇(360), 그리고 후술하는 현상 모듈(402)의 현상부 로봇(482)이 하우징(331) 내 지지대(332)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향, 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향, 그리고 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 1 버퍼(320)는 제 2 버퍼(330)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 1 버퍼(320)의 하우징(321)에는 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향 및 후술하는 도포 모듈(401)에 위치된 도포부 로봇(432)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수와 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예에 의하면, 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수보다 많을 수 있다.

제 1 버퍼 로봇(360)은 제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330) 간에 기판(W)을 이송시킨다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 핸드(361), 아암(362), 그리고 지지대(363)를 가진다. 핸드(361)는 아암(362)에 고정 설치된다. 아암(362)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(361)가 제 2 방향(14)을 따라 이동 가능하도록 한다. 아암(362)은 지지대(363)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(363)에 결합된다. 지지대(363)는 제 2 버퍼(330)에 대응되는 위치부터 제 1 버퍼(320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가진다. 지지대(363)는 이보다 위 또는 아래 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 단순히 핸드(361)가 제 2 방향(14) 및 제 3 방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다.

냉각 챔버(350)는 각각 기판(W)을 냉각한다. 냉각 챔버(350)는 하우징(351)과 냉각 플레이트(352)를 가진다. 냉각 플레이트(352)는 기판(W)이 놓이는 상면 및 기판(W)을 냉각하는 냉각 수단(353)을 가진다. 냉각 수단(353)으로는 냉각수에 의한 냉각이나 열전 소자를 이용한 냉각 등 다양한 방식이 사용될 수 있다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 기판(W)을 냉각 플레이트(352) 상에 위치시키는 리프트 핀 어셈블리(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 하우징(351)은 인덱스 로봇(220) 및 후술하는 현상 모듈(402)에 제공된 현상부 로봇(482)이 냉각 플레이트(352)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향 및 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 상술한 개구를 개폐하는 도어들(도시되지 않음)이 제공될 수 있다.

도포 및 현상 모듈(400)은 노광 공정 전에 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 공정 및 노광 공정 후에 기판(W)을 현상하는 공정을 수행한다. 도포 및 현상 모듈(400)은 대체로 직육면체의 형상을 가진다. 도포 및 현상 모듈(400)은 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)을 가진다. 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 도포 모듈(401)은 현상 모듈(402)의 상부에 위치된다.

도포 모듈(401)은 기판(W)에 대해 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정 및 레지스트 도포 공정 전후에 기판(W)에 대해 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 도포 모듈(401)은 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)를 가진다. 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 레지스트 도포 챔버(410)와 베이크 챔버(420)는 반송 챔버(430)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 레지스트 도포 챔버(410)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 레지스트 도포 챔버(410)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(420)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(420)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(420)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.

반송 챔버(430)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(430) 내에는 도포부 로봇(432)과 가이드 레일(433)이 위치된다. 반송 챔버(430)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 도포부 로봇(432)은 베이크 챔버들(420), 레지스트 도포 챔버들(400), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320), 그리고 후술하는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(520) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(433)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(433)은 도포부 로봇(432)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 도포부 로봇(432)은 핸드(434), 아암(435), 지지대(436), 그리고 받침대(437)를 가진다. 핸드(434)는 아암(435)에 고정 설치된다. 아암(435)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(434)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(436)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(435)은 지지대(436)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(436)에 결합된다. 지지대(436)는 받침대(437)에 고정 결합되고, 받침대(437)는 가이드 레일(433)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(433)에 결합된다.

레지스트 도포 챔버들(410)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 레지스트 도포 챔버(410)에서 사용되는 포토 레지스트의 종류는 서로 상이할 수 있다. 일 예로서 포토 레지스트로는 화학 증폭형 레지스트(chemical amplification resist)가 사용될 수 있다. 레지스트 도포 챔버(410)는 웨이퍼(W) 상에 포토 레지스트를 도포한다. 레지스트 도포 챔버(410)는 하우징(411), 지지 플레이트(412), 그리고 노즐(413)을 가진다. 하우징(411)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(412)는 하우징(411) 내에 위치되며, 웨이퍼(W)를 지지한다. 지지 플레이트(412)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(413)은 지지 플레이트(412)에 놓인 웨이퍼(W) 상으로 포토 레지스트를 공급한다. 노즐(413)은 원형의 관 형상을 가지고, 웨이퍼(W)의 중심으로 포토 레지스트를 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(413)은 웨이퍼(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(413)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 추가적으로 레지스트 도포 챔버(410)에는 포토 레지스트가 도포된 웨이퍼(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(414)이 더 제공될 수 있다.

베이크 챔버(420)는 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(420)은 포토 레지스트를 도포하기 전에 기판(W)을 소정의 온도로 가열하여 기판(W) 표면의 유기물이나 수분을 제거하는 프리 베이크(prebake) 공정이나 포토레지스트를 기판(W) 상에 도포한 후에 행하는 소프트 베이크(soft bake) 공정 등을 수행하고, 각각의 가열 공정 이후에 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(420)는 냉각 플레이트(421) 또는 가열 플레이트(422)를 가진다. 냉각 플레이트(421)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(423)이 제공된다. 또한 가열 플레이트(422)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(424)이 제공된다. 냉각 플레이트(421)와 가열 플레이트(422)는 하나의 베이크 챔버(420) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(420)들 중 일부는 냉각 플레이트(421)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(422)만을 구비할 수 있다.

현상 모듈(402)은 기판(W) 상에 패턴을 얻기 위해 현상액을 공급하여 포토 레지스트의 일부를 제거하는 현상 공정, 및 현상 공정 전후에 기판(W)에 대해 수행되는 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 현상모듈(402)은 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)를 가진다. 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 현상 챔버(460)와 베이크 챔버(470)는 반송 챔버(480)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 현상 챔버(460)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 현상 챔버(460)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(470)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(470)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(470)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.

반송 챔버(480)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(480) 내에는 현상부 로봇(482)과 가이드 레일(483)이 위치된다. 반송 챔버(480)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 현상부 로봇(482)은 베이크 챔버들(470), 현상 챔버들(460), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350), 그리고 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(483)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(483)은 현상부 로봇(482)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 현상부 로봇(482)은 핸드(484), 아암(485), 지지대(486), 그리고 받침대(487)를 가진다. 핸드(484)는 아암(485)에 고정 설치된다. 아암(485)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(484)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(486)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(485)은 지지대(486)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(486)에 결합된다. 지지대(486)는 받침대(487)에 고정 결합된다. 받침대(487)는 가이드 레일(483)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(483)에 결합된다.

현상 챔버들(460)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 현상 챔버(460)에서 사용되는 현상액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 현상 챔버(460)는 기판(W) 상의 포토 레지스트 중 광이 조사된 영역을 제거한다. 이때, 보호막 중 광이 조사된 영역도 같이 제거된다. 선택적으로 사용되는 포토 레지스트의 종류에 따라 포토 레지스트 및 보호막의 영역들 중 광이 조사되지 않은 영역만이 제거될 수 있다. 현상챔버는 기판(W) 상에 현상액을 공급하는 기판처리장치(800)로 제공된다. 도6은 도2의 현상챔버에 제공되는 기판처리장치를 보여주는 단면도이다. 도6을 참조하면, 기판처리장치(800)는 기판지지유닛(820), 용기(850), 승강유닛(880), 약액공급유닛(890), 배기유닛(900), 그리고 퓸제거유닛(910)을 포함한다.

기판지지유닛(820)은 기판(W)을 지지 및 회전시킨다. 기판지지유닛(820)은 지지플레이트(820) 및 구동부재를 포함한다. 지지플레이트(820)의 상면에는 기판(W)을 지지하는 핀 부재들이 위치된다. 지지핀(822)들은 기판(W)의 저면을 지지하고, 척핀(824)들은 기판(W)의 측면을 지지한다. 지지플레이트(820)는 구동부재에 의해 회전 가능하도록 제공된다. 구동부재는 구동축 및 구동기를 포함한다. 구동축은 지지플레이트(820)를 지지한다. 구동축은 구동기에 의해 회전 가능하도록 제공된다. 예컨대, 구동기는 모터일 수 있다.

용기(850)는 내부에 현상공정이 수행되는 처리공간을 제공한다. 용기(850)는 상부가 개방된 통 형상을 가지도록 제공된다, 용기(850)는 회수통(860) 및 안내벽(870)을 포함한다. 회수통(860)은 기판지지유닛(820)을 감싸는 환형의 링 형상을 가지도록 제공된다. 회수통(860)은 제1경사벽(862), 수직벽(864), 그리고 바닥벽(866)을 포함한다. 제1경사벽(862)은 기판지지유닛(820)을 둘러싸도록 제공된다. 제1경사벽(862)은 기판지지유닛(820)으로부터 멀어지는 방향으로 하향 경사지게 제공된다. 수직벽(864)은 제1경사벽(862)의 하단으로부터 아래 방향으로 연장된다. 수직벽(864)은 지면과 수직한 길이방향을 가질 수 있다. 바닥벽(866)은 수직벽(864)의 하단으로부터 수직한 방향으로 연장된다. 바닥멱은 기판지지유닛(820)의 중심축을 향하는 방향을 수평하게 제공된다. 바닥벽(866)에는 회수라인(868)이 연결된다. 회수라인(868)은 회수통(860)에 유입된 약액을 외부로 배출한다. 배출된 약액은 약액재생시스템(미도시)을 통해 재사용될 수 있다. 회수라인(868)은 바닥벽(866)에서 안내벽(870)과 수직벽(864) 사이에 위치될 수 있다.

안내벽(870)은 제1경사벽(862)과 바닥벽(866) 사이에 위치된다. 안내벽(870)은 회수통(860)의 내측에서 기판지지유닛(820)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 안내벽(870)은 제2경사벽(872) 및 사이벽(874)을 포함한다. 제2경사벽(872)은 기판지지유닛(820)을 감싸도록 제공된다. 제2경사벽(872)은 기판지지유닛(820)으로부터 멀어지는 방향으로 하향 경사지게 제공된다. 제2경사벽(872)과 제1경사벽(862)의 사이공간은 약액이 회수되는 회수공간(865)으로 제공된다. 제2경사벽(872)의 상단은 제1경사벽(862)의 상단과 상하방향으로 일치되게 제공될 수 있다. 사이벽(874)은 제2경사벽(872)과 바닥벽(866)을 연결한다. 사이벽(874)은 제2경사벽(872)의 상단으로부터 아래방향으로 연장된다.

승강유닛(880)은 용기(850)을 상하방향으로 승강 이동시킨다. 승강유닛(880)은 용기(850)과 기판지지유닛(820) 간의 상대 높이를 조절한다. 승강유닛(880)은 브라켓(882), 이동축(884), 그리고 구동기(886)를 포함한다. 브라켓(882)은 제1경사벽(862)의 외측면에 고정설치된다. 브라켓(882)에는 구동기(886)에 의해 상하방향으로 이동 가능한 이동축(884)이 고정 결합된다.

약액공급유닛(890)은 지지플레이트(820)에 로딩된 기판(W)에 약액을 공급한다. 약액공급유닛(890)은 지지축(891), 아암(893), 그리고 노즐(894)을 포함한다. 지지축(891)은 용기(850)의 일측에 위치된다. 지지축(891)은 그 길이방향이 제3방향을 향하도록 제공된다. 지지축(891)은 구동기(미도시)에 의해 그 중심축을 중심으로 회전 가능하도록 제공된다. 아암(893)은 지지축(891)의 상단으로부터 수직한 방향으로 연장되게 제공된다. 지지축(891)의 끝단에는 노즐(894)이 결합된다. 지지축(891)의 회전에 의해 노즐(894)은 아암(893)과 함께 스윙 이동 가능하다. 노즐(894)은 지지축(891)의 회전에 의해 공정위치 및 대기위치로 이동 가능하다. 여기서 공정위치는 노즐(894)이 용기(850)의 상부에서 용기(850)과 대향되는 위치이고, 대기위치는 노즐(894)이 공정위치를 벗어난 위치이다. 예컨대, 약액은 현상액일 수 있다. 추가적으로 약액공급유닛(890)은 현상액이 공급된 기판(W)의 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(894)이 더 제공될 수 있다.

배기유닛(900)은 처리공간의 분위기를 배기한다. 배기유닛(900)은 처리공간에 발생된 퓸을 제거한다. 배기유닛(900)은 배기관(902), 감압부재(908), 그리고 커버(906)를 포함한다. 배기관(902)은 용기(850)의 바닥벽(866)에 설치된다. 배기관(902)은 바닥벽(866)에서 안내벽(870)과 기판지지유닛(820)의 구동축 사이에 위치된다. 배기관(902)은 복수 개로 제공된다. 각각의 배기관(902)은 구동축을 감싸도록 제공될 수 있다. 각각의 배기관(902)은 동일한 형상을 가지도록 제공된다. 배기관(902)은 그 길이방향이 제3방향을 향하도록 제공된다. 각각 배기관(902)의 상단은 처리공간에 위치된다. 각각의 배기관(902)의 상단은 지지플레이트(820)보다 낮은 높이를 가진다. 각각의 배기관(902)은 용기(850)의 아래에서 서로 합쳐져 하나의 배기라인(904)으로 통합된다. 배기라인(904)에는 감압부재(908)가 설치된다. 감압부재(908)는 배기라인(904)을 통해 각각의 배기관(902)에 음압을 제공한다. 음압은 처리공간의 분위기가 배기관(902)으로 배기되도록 처리공간에 힘을 가한다. 처리공간에 발생된 퓸의 일부는 배기관(902)을 통해 배기될 수 있다.

커버(906)는 배기관(902)에 약액이 유입되는 것을 방지한다. 커버(906)는 배기관(902)과 지지플레이트(820) 사이에 위치된다. 커버(906)는 배기관(902)의 상단과 대향되게 위치된다. 커버(906)는 배기관(902)과 지지플레이트(820) 각각으로부터 이격되게 위치된다.

퓸제거유닛(910)은 용기(850)으로부터 비산되어 용기(850)의 외부로 노출되는 퓸을 제거한다. 퓸제거유닛(910)은 용기(850)의 상단에 위치된 퓸을 제거한다. 도7은 도6의 바디를 보여주는 사시도이다. 도7을 참조하면, 퓸제거유닛(910)은 바디(920) 및 퓸제거라인(930)을 포함한다. 바디(920)는 용기(850)의 상부에 위치된다. 바디(920)는 제1경사벽(862)의 상면을 감싸는 링 형상으로 제공된다. 바디(920)는 상부벽(922), 외측벽(926), 그리고 내측벽(924)을 포함한다. 상부벽(922)은 상하방향을 따라 제1경사벽(862)과 대향되게 위치된다. 상부벽(922)은 제1경사벽(862)과 이격되게 위치된다. 상부벽(922)의 내측단과 제1경사벽(862)의 상단은 상하방향을 따라 일치되도록 제공된다. 선택적으로, 상부벽(922)의 내측단은 용기(850)의 개방영역과 대향되게 위치될 수 있다. 외측벽(926)은 상부벽(922)과 제1경사벽(862)을 연결한다. 외측벽(926)은 상부벽(922)의 외측단으로부터 아래로 연장되게 제공된다. 외측벽(926)의 하단은 제1경사벽(862)에 결합되도록 제공된다. 내측벽(924)은 상부벽(922)의 내측단으로부터 아래로 연장되게 제공된다. 내측벽(924)의 하단은 제1경사벽(862)과 이격되게 제공된다. 따라서 바디(920)와 제1경사벽(862)은 서로 조합되어 퓸수용공간을 형성한다.

퓸제거라인(930)은 퓸수용공간에 제공된 퓸을 배기라인(904)으로 배기시킨다. 퓸제거라인(930)은 퓸수용공간과 배기라인(904)을 연결한다. 퓸제거라인(930)은 배기라인(904)으로부터 제공된 음압을 퓸수용공간으로 전달한다. 일 예에 의하면, 퓸제거라인(930)은 배기라인(904)에서 퓸이 배기되는 방향을 따라 감압부재(908)보다 하류에 연결될 수 있다.

도8 및 도9는 도6의 기판처리장치를 이용하여 기판을 처리 시 퓸의 배기 과정을 보여주는 도면들이다. 도8 및 도9를 참조하면, 기판(W)이 지지플레이트(820)의 핀부재에 놓여지면, 구동축에 의해 회전된다. 회전되는 기판(W) 상에 노즐(894)을 약액을 공급한다. 약액은 기판(W)의 원심력에 의해 제1경사벽(862)과 제2경사벽(872)의 사이 공간으로 회수된다. 회수된 약액은 회수라인(868)을 통해 외부로 배출된다. 처리공간에서 발생된 퓸은 그 일부가 배기유닛(900)을 통해 배기된다. 이와 달리 퓸의 다른 일부는 제1경사벽(862)으로부터 비산되어 용기(850)의 개방영역으로 이동된다. 용기(850)의 개방영역을 통해 이동되는 퓸은 퓸제거라인(930)으로부터 전달된 음암에 의해 퓸수용공간으로 이동된다. 퓸수용공간에 제공된 퓸은 퓸제거라인(930)을 통해 제거된다.

상술한 실시예에는 바디(920)가 상부벽(922), 외측벽(926), 그리고 내측벽(924)을 가지는 것으로 설명하였다. 그러나 바디(920)에는 내측벽(924)이 제공되지 않고, 상부벽(922) 및 외측벽(926)만 제공될 수 있다.

또한 퓸제거유닛(910)은 바디(920)가 제공되지 않을 수 있다. 퓸제거유닛(910)의 퓸제거라인(930)은 제1경사벽(862)과 배기라인(904)을 연결할 수 있다. 제1경사벽(862)의 상면에는 배기홀이 형성될 수 있다. 배기라인(904)으로부터 제공된 음압은 퓸제거라인(930)을 통해 배기홀로 전달될 수 있다.

현상모듈(402)의 베이크 챔버(470)는 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(470)은 현상 공정이 수행되기 전에 기판(W)을 가열하는 포스트 베이크 공정 및 현상 공정이 수행된 후에 기판(W)을 가열하는 하드 베이크 공정 및 각각의 베이크 공정 이후에 가열된 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(470)는 냉각 플레이트(471) 또는 가열 플레이트(472)를 가진다. 냉각 플레이트(471)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(473)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(472)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(474)이 제공된다. 냉각 플레이트(471)와 가열 플레이트(472)는 하나의 베이크 챔버(470) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(470)들 중 일부는 냉각 플레이트(471)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(472)만을 구비할 수 있다.

제 2 버퍼 모듈(500)은 도포 및 현상 모듈(400)과 노광 전후 처리 모듈(600) 사이에 기판(W)이 운반되는 통로로서 제공된다. 또한, 제 2 버퍼 모듈(500)은 기판(W)에 대해 냉각 공정이나 에지 노광 공정 등과 같은 소정의 공정을 수행한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 프레임(510), 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)을 가진다. 프레임(510)은 직육면체의 형상을 가진다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)은 프레임(510) 내에 위치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에 대응하는 높이에 배치된다. 제 2 냉각 챔버(540)는 현상 모듈(402)에 대응하는 높이에 배치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 제 2 냉각 챔버(540)는 순차적으로 제 3 방향(16)을 따라 일렬로 배치된다. 상부에서 바라볼 때 버퍼(520)은 도포 모듈(401)의 반송 챔버(430)와 제 1 방향(12)을 따라 배치된다. 에지 노광 챔버(550)는 버퍼(520) 또는 제 1 냉각 챔버(530)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 배치된다.

제 2 버퍼 로봇(560)은 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550) 간에 기판(W)을 운반한다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 에지 노광 챔버(550)와 버퍼(520) 사이에 위치된다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 제 1 버퍼 로봇(360)과 유사한 구조로 제공될 수 있다. 제 1 냉각 챔버(530)와 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 기판들(W)에 대해 후속 공정을 수행한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 기판(W)을 냉각한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 냉각 챔버(350)과 유사한 구조를 가진다. 에지 노광 챔버(550)는 제 1 냉각 챔버(530)에서 냉각 공정이 수행된 기판들(W)에 대해 그 가장자리를 노광한다. 버퍼(520)는 에지 노광 챔버(550)에서 공정이 수행된 기판(W)들이 후술하는 전처리 모듈(601)로 운반되기 전에 기판(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 냉각 챔버(540)는 후술하는 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 기판들(W)이 현상 모듈(402)로 운반되기 전에 기판들(W)을 냉각한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 현상 모듈(402)와 대응되는 높이에 추가된 버퍼를 더 가질 수 있다. 이 경우, 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 기판들(W)은 추가된 버퍼에 일시적으로 보관된 후 현상 모듈(402)로 운반될 수 있다.

노광 전후 처리 모듈(600)은, 노광 장치(900)가 액침 노광 공정을 수행하는 경우, 액침 노광시에 기판(W)에 도포된 포토레지스트 막을 보호하는 보호막을 도포하는 공정을 처리할 수 있다. 또한, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 이후에 기판(W)을 세정하는 공정을 수행할 수 있다. 또한, 화학증폭형 레지스트를 사용하여 도포 공정이 수행된 경우, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 후 베이크 공정을 처리할 수 있다.

노광 전후 처리 모듈(600)은 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)을 가진다. 전처리 모듈(601)은 노광 공정 수행 전에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행하고, 후처리 모듈(602)은 노광 공정 이후에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행한다. 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 전처리 모듈(601)은 후처리 모듈(602)의 상부에 위치된다. 전처리 모듈(601)은 도포 모듈(401)과 동일한 높이로 제공된다. 후처리 모듈(602)은 현상 모듈(402)과 동일한 높이로 제공된다. 전처리 모듈(601)은 보호막 도포 챔버(610), 베이크 챔버(620), 그리고 반송 챔버(630)를 가진다. 보호막 도포 챔버(610), 반송 챔버(630), 그리고 베이크 챔버(620)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 보호막 도포 챔버(610)와 베이크 챔버(620)는 반송 챔버(630)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 보호막 도포 챔버(610)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 보호막 도포 챔버(610)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 베이크 챔버(620)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 베이크 챔버(620)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다.

반송 챔버(630)는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(530)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(630) 내에는 전처리 로봇(632)이 위치된다. 반송 챔버(630)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 전처리 로봇(632)은 보호막 도포 챔버들(610), 베이크 챔버들(620), 제 2 버퍼 모듈(500)의 버퍼(520), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 1 버퍼(720) 간에 기판(W)을 이송한다. 전처리 로봇(632)은 핸드(633), 아암(634), 그리고 지지대(635)를 가진다. 핸드(633)는 아암(634)에 고정 설치된다. 아암(634)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 아암(634)은 지지대(635)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(635)에 결합된다.

보호막 도포 챔버(610)는 액침 노광 시에 레지스트 막을 보호하는 보호막을 기판(W) 상에 도포한다. 보호막 도포 챔버(610)는 하우징(611), 지지 플레이트(612), 그리고 노즐(613)을 가진다. 하우징(611)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(612)는 하우징(611) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(612)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(613)은 지지 플레이트(612)에 놓인 기판(W) 상으로 보호막 형성을 위한 보호액을 공급한다. 노즐(613)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 보호액을 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(613)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(613)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 이 경우, 지지 플레이트(612)는 고정된 상태로 제공될 수 있다. 보호액은 발포성 재료를 포함한다. 보호액은 포토 레지스터 및 물과의 친화력이 낮은 재료가 사용될 수 있다. 예컨대, 보호액은 불소계의 용제를 포함할 수 있다. 보호막 도포 챔버(610)는 지지 플레이트(612)에 놓인 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 중심 영역으로 보호액을 공급한다.

베이크 챔버(620)는 보호막이 도포된 기판(W)을 열처리한다. 베이크 챔버(620)는 냉각 플레이트(621) 또는 가열 플레이트(622)를 가진다. 냉각 플레이트(621)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(623)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(622)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(624)이 제공된다. 가열 플레이트(622)와 냉각 플레이트(621)는 하나의 베이크 챔버(620) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버들(620) 중 일부는 가열 플레이트(622) 만을 구비하고, 다른 일부는 냉각 플레이트(621) 만을 구비할 수 있다.

후처리 모듈(602)은 세정 챔버(660), 노광 후 베이크 챔버(670), 그리고 반송 챔버(680)를 가진다. 세정 챔버(660), 반송 챔버(680), 그리고 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 세정 챔버(660)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 반송 챔버(680)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 세정 챔버(660)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 세정 챔버(660)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다.

반송 챔버(680)는 상부에서 바라볼 때 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(680)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 반송 챔버(680) 내에는 후처리 로봇(682)이 위치된다. 후처리 로봇(682)은 세정 챔버들(660), 노광 후 베이크 챔버들(670), 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 2 버퍼(730) 간에 기판(W)을 운반한다. 후처리 모듈(602)에 제공된 후처리 로봇(682)은 전처리 모듈(601)에 제공된 전처리 로봇(632)과 동일한 구조로 제공될 수 있다.

세정 챔버(660)는 노광 공정 이후에 기판(W)을 세정한다. 세정 챔버(660)는 하우징(661), 지지 플레이트(662), 그리고 노즐(663)을 가진다. 하우징(661)는 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(662)는 하우징(661) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(662)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(663)은 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W) 상으로 세정액을 공급한다. 세정액으로는 탈이온수와 같은 물이 사용될 수 있다. 세정 챔버(660)는 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 중심 영역으로 세정액을 공급한다. 선택적으로 기판(W)이 회전되는 동안 노즐(663)은 기판(W)의 중심 영역에서 가장자리 영역까지 직선 이동 또는 회전 이동할 수 있다.

노광 후 베이크 챔버(670)는 원자외선을 이용하여 노광 공정이 수행된 기판(W)을 가열한다. 노광 후 베이크 공정은 기판(W)을 가열하여 노광에 의해 포토 레지스트에 생성된 산(acid)을 증폭시켜 포토 레지스트의 성질 변화를 완성시킨다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 가열 플레이트(672)를 가진다. 가열 플레이트(672)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(674)이 제공된다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 그 내부에 냉각 플레이트(671)를 더 구비할 수 있다. 냉각 플레이트(671)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(673)이 제공된다. 또한, 선택적으로 냉각 플레이트(671)만을 가진 베이크 챔버가 더 제공될 수 있다.

상술한 바와 같이 노광 전후 처리 모듈(600)에서 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 완전히 분리되도록 제공된다. 또한, 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(680)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 보호막 도포 챔버(610)와 세정 챔버(660)는 서로 동일한 크기로 제공되어 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 베이크 챔버(620)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다.

인터페이스 모듈(700)은 노광 전후 처리 모듈(600), 및 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 이송한다. 인터페이스 모듈(700)은 프레임(710), 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)를 가진다. 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)은 프레임(710) 내에 위치된다. 제 1 버퍼(720)와 제 2 버퍼(730)는 서로 간에 일정거리 이격되며, 서로 적층되도록 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 제 2 버퍼(730)보다 높게 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)에 대응되는 높이에 배치된다. 상부에서 바라볼 때 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되게 위치된다.

인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720) 및 제 2 버퍼(730)와 제 2 방향(14)으로 이격되게 위치된다. 인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 운반한다. 인터페이스 로봇(740)은 제 2 버퍼 로봇(560)과 대체로 유사한 구조를 가진다.

제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)에서 공정이 수행된 기판(W)들이 노광 장치(900)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 그리고 제 2 버퍼(730)는 노광 장치(900)에서 공정이 완료된 기판(W)들이 후처리 모듈(602)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 제 1 버퍼(720)는 하우징(721)과 복수의 지지대들(722)을 가진다. 지지대들(722)은 하우징(721) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(722)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(721)은 인터페이스 로봇(740) 및 전처리 로봇(632)이 하우징(721) 내로 지지대(722)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 전처리 로봇(632)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 2 버퍼(730)는 제 1 버퍼(720)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 2 버퍼(730)의 하우징(4531)에는 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 후처리 로봇(682)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 인터페이스 모듈에는 기판에 대해 소정의 공정을 수행하는 챔버의 제공 없이 상술한 바와 같이 버퍼들 및 로봇만 제공될 수 있다.

820: 지지플레이트 850: 용기
890: 약액공급유닛 900: 배기유닛
910: 퓸 제거유닛 920: 바디
930: 퓸제거라인

Claims

내부에 처리공간을 제공하며, 상부가 개방된 용기와;
상기 처리공간에서 기판을 지지 및 회전시키는 지지플레이트와;
상기 지지플레이트에 지지된 기판 상으로 약액을 공급하는 약액공급유닛과;
상기 처리공간의 분위기를 배기하는 배기유닛과;
상기 용기의 상부에 위치되며, 상기 용기의 상단에 위치된 퓸을 제거하는 퓸 제거유닛을 포함하는 기판처리장치.
제1항에 있어서,
상기 배기유닛은,
상기 용기의 저면에 결합되는 배기라인과;
상기 배기라인에 음압을 제공하는 감압부재를 포함하고,
상기 퓸제거유닛은,
상기 용기의 상면을 감싸도록 제공되는 링 형상의 바디와;
상기 바디 및 상기 배기라인을 연결하는 퓸제거라인을 포함하는 기판처리장치.