JP2010147371A - 塗布処理装置および基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】スピンチャック41に保持された基板Wの側方周囲を取り囲む円環板状の部材であって、その外周とカップ43の内壁との間に排気手段と連通する平面視で円環状の微小間隙K1を形成するとともに、その内周と基板Wの端面との間に排気手段と連通する平面視で円環状の微小間隙K2を形成する部材(側方整流部材45)を設ける。被処理基板Wの周囲には、基板Wの表面から側方整流部材45の上面に沿って流れ、微小間隙K1を通って排気される気流AR1と、基板Wの表面に沿って流れ、微小間隙K2を通って排気される気流AR2とが形成される。その結果、基板Wのエッジ領域付近に形成される気流が安定し、膜厚の盛りあがりが生じにくくなる。
【選択図】図5
Description
図1は、基板処理装置1の全体構成を示す平面図である。この基板処理装置1は、液浸露光処理の前後において、半導体基板W(以下、単に「基板W」という。)に塗布処理、熱処理、現像処理等の一連の処理を行うための装置である。図1に示すように、基板処理装置1は、主として、インデクサブロック9、反射防止膜用処理ブロック10、レジスト膜用処理ブロック11、現像処理ブロック12、レジストカバー膜用処理ブロック13、レジストカバー膜除去ブロック14、洗浄/乾燥処理ブロック15、およびインターフェースブロック16をこの順に並設した構成となっている。
続いて、基板処理装置1の全体的な動作の概略について、図1〜図3および図4のフローチャートを参照しながら説明する。この基板処理装置1において基板Wの処理を行うときには、まず、インデクサブロック9のキャリア載置台92上に、複数枚の基板Wが多段に収納されたキャリアCが搬入される(ステップS1)。
次に、基板処理装置1が備える塗布処理ユニットについて説明する。基板処理装置1は、各種の塗布処理を実行する塗布ユニット(BARC液の塗布処理を実行する塗布ユニットBARC、レジスト液の塗布処理を実行する塗布ユニットRES、トップコート液の塗布処理を実行する塗布ユニットCOV)を備える。本発明は、処理液の種類を限定するものではなく、これら塗布ユニットのいずれにも適用可能である。以下においては、一例として、本発明を適用した塗布ユニットRESについて説明する。
〈3A−1.構成〉
この発明の第1の実施の形態に係る塗布ユニットRESの構成について、図5を参照しながら説明する。図5は、第1の実施の形態に係る塗布ユニットRESの全体構成を示す側断面図である。上述した通り、塗布ユニットRESは、スピンチャック41、および、供給ノズル42を備える。また、これに加え、カップ43および側方整流部材45を備える。また、これら各部を制御する制御部400を備える。
次に、塗布ユニットRESにおいて実行される処理動作について説明する。第2のセンターロボットCR2(図1参照)が基板Wを塗布ユニットRES内に搬入し、スピンチャック41上に載置すると、制御部400は、スピンチャック41に当該基板Wを吸着保持させる。
上述したように、塗布処理においては、エッジ領域の膜厚の盛りあがり現象が問題となっている。この現象は、回転される基板Wのエッジ領域近辺に気流の乱れ(乱流域)が生じることにその発生原因の1つがあると考えられる。エッジ領域近辺に乱流域が生じると、塗布液に含まれる溶剤の揮発速度が上がって塗布液が拡がりにくくなり、結果として、回転による遠心力と塗布液に含まれる溶剤の揮発速度とのバランスが崩れてエッジ領域の膜厚が厚くなってしまうと考えられるのである。
〈3B−1.構成〉
この発明の第2の実施の形態に係る塗布ユニットRESの構成について説明する。この実施の形態に係る塗布ユニットRESは、第1の実施の形態に係る塗布ユニットRESと同様の構成に加え、側方整流部材45とスピンチャック41上に保持された基板Wとの高さ関係を変更する機構(高さ調整機構46)をさらに備えている。なお、以下において、第1の実施の形態に係る塗布ユニットRESと同じ構成要素についてはその説明を省略するとともに同じ符号を付して示す。また、この実施の形態に係る塗布ユニットRESにおいて行われる処理動作は、第1の実施の形態に係る塗布ユニットRESと同じであるのでその説明を省略する。
上述した通り、エッジ領域の膜厚の盛りあがりを抑制するためには、側方整流部材45がスピンチャック41上に保持された基板Wに対して適正な高さ位置におかれていることが望ましいところ、この適正な高さ位置は各種の要因に応じて変わってくる。上記の実施の形態においては、高さ調整機構46によって、カップ43に対する側方整流部材45の高さ位置(すなわち、スピンチャック41に保持された基板Wに対する側方整流部材45の高さ位置)を調整することができる。したがって、処理条件等に応じて側方整流部材45の高さ位置を調整すれば、当該処理条件に応じた高さ位置に側方整流部材45をおくことが可能となり、エッジ領域の膜厚の盛りあがりを適切に抑制することができる。
上記の第2の実施の形態に係る塗布ユニットRESは、側方整流部材45の高さを変更させる機構として高さ調整機構46を備え、調整ピン461の昇降により側方整流部材45の高さ位置を調整する構成としたが、側方整流部材45の高さを変更させる態様はこれに限らない。例えば、カップ43を昇降させる機構を設け、カップ43を昇降させることによって、これに装着された側方整流部材45の、スピンチャック41上に保持された基板Wに対する高さ位置を変更する構成としてもよい。
10 反射防止膜用処理ブロック
11 レジスト膜用処理ブロック
12 現像処理ブロック
13 レジストカバー膜用処理ブロック
14 レジストカバー膜除去ブロック
15 洗浄/乾燥処理ブロック
16 インターフェースブロック
17 露光装置
41 スピンチャック
42 供給ノズル
43 カップ
43a 回収部
43b 下方整流部
45 側方整流部材
46 高さ調整機構
400 制御部
443 嵌合凹溝
451 嵌合爪
RES 塗布ユニット
W 基板
Claims (7)
- 基板に処理液の塗布処理を行う塗布処理装置であって、
基板を保持しつつ回転させる保持手段と、
前記保持手段に保持された基板上に前記処理液を供給する処理液供給手段と、
前記保持手段を取り囲むように設けられ、前記基板から周囲に飛散する処理液を回収する飛散防止カップと、
前記飛散防止カップの下部に設けられ、前記飛散防止カップの内部空間を負圧にして前記基板の周囲の雰囲気を排気する排気手段と、
前記基板の側方周囲を取り囲む円環板状の部材であって、その外周と前記飛散防止カップの内壁との間に前記排気手段と連通する平面視で円環状の微小間隙を形成するとともに、その内周と前記基板の端面との間に前記排気手段と連通する平面視で円環状の微小間隙を形成する側方整流部材と、
を備えることを特徴とする塗布処理装置。 - 請求項1に記載の塗布処理装置であって、
前記基板および前記側方整流部材の下方に配置される円環板状の部材であって、その上面と、前記基板の裏面の周縁領域および前記側方整流部材の下面との間に微小空間を形成する下方整流部材、
を備え、
前記側方整流部材が、前記下方整流部材との間に前記排気手段と連通する連通開口を形成しつつ、前記下方整流部材に装着されることを特徴とする塗布処理装置。 - 請求項2に記載の塗布処理装置であって、
前記側方整流部材が、前記下方整流部材に対して着脱可能であることを特徴とする塗布処理装置。 - 請求項2または3に記載の塗布処理装置であって、
前記下方整流部材が、
複数の嵌合凹溝、
を備え、
前記側方整流部材が、
それぞれが、前記複数の嵌合凹溝のそれぞれと嵌合する複数の嵌合爪、
を備えることを特徴とする塗布処理装置。 - 請求項1から4のいずれかに記載の塗布処理装置であって、
前記側方整流部材と前記基板との高さ関係を変更する高さ調整機構、
を備えることを特徴とする塗布処理装置。 - 請求項1から5のいずれかに記載の塗布処理装置であって、
前記側方整流部材が、その上面が外側に向けて下方に傾斜する形状であることを特徴とする塗布処理装置。 - 所定の外部装置に隣接して配置され、基板に対する一連の処理を行う基板処理装置であって、
それぞれが基板に対する所定の処理を行う1以上の基板処理ユニットと、前記1以上の基板処理ユニットに所定の順序で基板を搬送していく主搬送機構とを備える処理部と、
前記処理部と前記外部装置との間で基板を搬送する搬送機構と、
を備え、
前記1以上の基板処理ユニットの少なくとも1つが、
基板を保持しつつ回転させる保持手段と、
前記保持手段に保持された基板上に前記処理液を供給する処理液供給手段と、
前記保持手段を取り囲むように設けられ、前記基板から周囲に飛散する処理液を回収する飛散防止カップと、
前記飛散防止カップの下部に設けられ、前記飛散防止カップの内部空間を負圧にして前記基板の周囲の雰囲気を排気する排気手段と、
前記基板の側方周囲を取り囲む円環板状の部材であって、その外周と前記飛散防止カップの内壁との間に前記排気手段と連通する平面視で円環状の微小間隙を形成するとともに、その内周と前記基板の端面との間に前記排気手段と連通する平面視で円環状の微小間隙を形成する側方整流部材と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
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