JP4794232B2 - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4794232B2 JP4794232B2 JP2005216158A JP2005216158A JP4794232B2 JP 4794232 B2 JP4794232 B2 JP 4794232B2 JP 2005216158 A JP2005216158 A JP 2005216158A JP 2005216158 A JP2005216158 A JP 2005216158A JP 4794232 B2 JP4794232 B2 JP 4794232B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- processing
- unit
- processing unit
- liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/38—Treatment before imagewise removal, e.g. prebaking
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
- H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
Description
第1の発明に係る基板処理装置は、液浸法により基板に露光処理を行う露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、基板に処理を行うための処理部と、処理部の一端部に隣接するように設けられ処理部と露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、処理部は、基板に感光性材料からなる感光性膜を形成する第1の処理ユニット、基板に熱処理を行う第1の熱処理ユニットおよび基板を搬送する第1の搬送ユニットを含む第1の処理単位と、露光装置による露光処理後に基板の洗浄処理を行った後に基板の乾燥処理を行う第2の処理ユニット、基板に熱処理を行う第2の熱処理ユニットおよび基板を搬送する第2の搬送ユニットを含む第2の処理単位と、第2の処理ユニットによる洗浄処理および乾燥処理後に基板に現像処理を行う第3の処理ユニット、基板に熱処理を行う第3の熱処理ユニットおよび基板を搬送する第3の搬送ユニットを含む第3の処理単位とを備え、第2の処理単位は、受け渡し部に隣接するように配置されるものである。
さらに、基板の乾燥処理前に基板の洗浄処理が行われるので、液体が付着した基板を露光装置から第2の処理ユニットに搬送する間に、基板に雰囲気中の塵埃等が付着しても、その付着物を確実に取り除くことができる。それにより、基板の処理不良を確実に防止することができる。
第2の処理ユニットは、基板上に不活性ガスを供給することにより基板の乾燥処理を行ってもよい。この場合、不活性ガスを用いるので、基板上の膜への化学的影響を防止しつつ基板を確実に乾燥させることができる。
処理部は、第1の処理ユニットによる感光性膜の形成前に基板に反射防止膜を形成する第4の処理ユニット、基板に熱処理を行う第4の熱処理ユニットおよび基板を搬送する第4の搬送ユニットを含む第4の処理単位をさらに備えてもよい。この場合、第4の処理ユニットにより基板上に反射防止膜が形成されるので、露光処理時に発生する定在波およびハレーションを減少させることができる。それにより、露光処理時に発生する基板の処理不良をさらに低減することができる。
処理部の他端部に隣接するように配置され、処理部への基板の搬入および処理部からの基板の搬出を行う基板搬入搬出部をさらに備え、第4の処理単位は、基板搬入搬出部に隣接するように配置されてもよい。この場合、処理部への基板の搬送の直後に第4の処理単位で反射防止膜を形成し、その後、感光性膜を第1の処理単位で順に形成することができる。それにより、基板上への反射防止膜および感光性膜の形成を円滑に行うことができる。
受け渡し部は、基板に所定の処理を行う第5の処理ユニットと、基板が一時的に載置される載置部と、処理部および第5の処理ユニットおよび載置部の間で基板を搬送する第5の搬送ユニットと、載置部、露光装置および第2の処理ユニットの間で基板を搬送する第6の搬送ユニットとを含み、第6の搬送ユニットは、露光装置から搬出された基板を第2の処理ユニットに搬送してもよい。
第6の搬送ユニットは、基板を保持する第1および第2の保持手段を含み、第6の搬送ユニットは、載置部から露光装置へ基板を搬送する際および第2の処理ユニットから載置部へ基板を搬送する際には第1の保持手段により基板を保持し、露光装置から第2の処理ユニットへ基板を搬送する際には第2の保持手段により基板を保持してもよい。
第2の保持手段は第1の保持手段よりも下方に設けられてもよい。この場合、第2の保持手段およびそれが保持する基板から液体が落下したとしても、第1の保持手段およびそれが保持する基板に液体が付着することがない。それにより、露光処理前および乾燥処理後の基板に液体が付着することが確実に防止される。
第5の処理ユニットは、基板の周縁部を露光するエッジ露光部を含んでもよい。この場合、エッジ露光部において基板の周縁部に露光処理が行われる。
第2の処理ユニットは、基板を略水平に保持する基板保持手段と、基板保持手段により保持された基板をその基板に垂直な軸の周りで回転させる回転駆動手段と、基板保持手段に保持された基板上に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、洗浄液供給手段により基板上に洗浄液が供給された後に基板上に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段とを備えてもよい。
不活性ガス供給手段は、洗浄液供給手段により基板上に供給された洗浄液が基板上の中心部から外方へ移動することにより基板上から排除されるように不活性ガスを供給してもよい。
第2の処理ユニットは、洗浄液供給手段により洗浄液が供給された後であって不活性ガス供給手段により不活性ガスが供給される前に、基板上にリンス液を供給するリンス液供給手段をさらに備えてもよい。
不活性ガス供給手段は、リンス液供給手段により基板上に供給されたリンス液が基板上の中心部から外方へ移動することにより基板上から排除されるように不活性ガスを供給してもよい。
第2の処理ユニットは、液体および気体を含む混合流体を基板に供給する流体ノズルにより基板の洗浄処理を行ってもよい。
第2の処理ユニットは、流体ノズルから不活性ガスおよび洗浄液を含む混合流体を基板に供給することにより基板の洗浄処理を行ってもよい。
第2の処理ユニットは、基板上に不活性ガスを供給することにより基板の乾燥処理を行う不活性ガス供給手段を含んでもよい。この場合、不活性ガスを用いるので、基板上の膜への化学的影響を防止しつつ基板を確実に乾燥させることができる。
流体ノズルは不活性ガス供給手段として機能してもよい。この場合、流体ノズルから基板上に不活性ガスが供給され、基板の乾燥処理が行われる。これにより、不活性ガス供給手段を流体ノズルと別個に設ける必要がない。その結果、簡単な構造で基板の洗浄および乾燥処理を確実に行うことができる。
第2の処理ユニットは、基板を略水平に保持する基板保持手段と、基板保持手段により保持された基板をその基板に垂直な軸の周りで回転させる回転駆動手段とをさらに含んでもよい。
第2の処理ユニットは、流体ノズルから基板上に供給された混合流体が基板上の中心部から外方へ移動することにより基板上から排除されるように不活性ガスを供給してもよい。
第2の処理ユニットは、流体ノズルから混合流体が供給された後であって不活性ガス供給手段により不活性ガスが供給される前に、基板上にリンス液を供給するリンス液供給手段をさらに含んでもよい。
流体ノズルはリンス液供給手段として機能してもよい。この場合、流体ノズルから基板上にリンス液が供給される。これにより、リンス液供給手段を流体ノズルと別個に設ける必要がない。その結果、簡単な構造で基板の洗浄および乾燥処理を確実に行うことができる。
第2の処理ユニットは、リンス液供給手段により基板上に供給されたリンス液が基板上の中心部から外方へ移動することにより基板上から排除されるように不活性ガスを供給してもよい。
流体ノズルは、液体が流通する液体流路と、気体が流通する気体流路と、液体流路に連通して開口する液体吐出口と、液体吐出口の近傍に設けられるとともに気体流路に連通して開口する気体吐出口とを有してもよい。
(1−1)基板処理装置の構成
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。
次に、本実施の形態に係る基板処理装置500の動作について説明する。
を採用しているが、これに限定されず、SMIF(Standard Mechanical Inter Face)ポッドや収納基板Wを外気に曝すOC(open cassette)等を用いてもよい。さらに、インデクサロボットIR、第1〜第5のセンターロボットCR1〜CR5およびインターフェース用搬送機構IFRには、それぞれ基板Wに対して直線的にスライドさせてハンドの進退動作を行う直動型搬送ロボットを用いているが、これに限定されず、関節を動かすことにより直線的にハンドの進退動作を行う多関節型搬送ロボットを用いてもよい。
ここで、上記の乾燥処理ユニットDRYについて図面を用いて詳細に説明する。
まず、乾燥処理ユニットDRYの構成について説明する。図4は乾燥処理ユニットDRYの構成を説明するための図である。
次に、上記の構成を有する乾燥処理ユニットDRYの処理動作について説明する。なお、以下に説明する乾燥処理ユニットDRYの各構成要素の動作は、図1のメインコントローラ30により制御される。
また、乾燥処理用ノズル670の代わりに、図7に示すような乾燥処理用ノズル770を用いてもよい。
上記のように、本実施の形態に係る基板処理装置500においては、露光装置15において基板Wに露光処理が行われた後、乾燥処理部80において基板Wの乾燥処理が行われる。この場合、露光処理時に基板Wに付着した液体は、乾燥処理ユニットDRYにおいて取り除かれる。それにより、基板Wが乾燥処理部80からインターフェースブロック14、乾燥処理ブロック13、現像処理ブロック12、レジスト膜用処理ブロック11および反射防止膜用処理ブロック10を介してインデクサブロック9へと搬送される際に、基板処理装置500内に液体が落下することが防止される。その結果、基板処理装置500の電気系統の異常等の動作不良が防止される。
次に、インターフェース用搬送機構IFRについて説明する。図12はインターフェース用搬送機構IFRの構成および動作を説明するための図である。
まず、インターフェース用搬送機構IFRの構成について説明する。図12に示すように、インターフェース用搬送機構IFRの可動台31は螺軸32に螺合される。螺軸32は、X方向に延びるように支持台33によって回転可能に支持される。螺軸32の一端部にはモータM1が設けられ、このモータM1により螺軸32が回転し、可動台31が±X方向に水平移動する。
上記のように、本実施の形態においては、基板Wを基板載置部PASS11から露光装置15へと搬送する際および乾燥処理部80から基板載置部PASS12へと搬送する際にはインターフェース用搬送機構IFRのハンドH5を用い、基板Wを露光装置15から乾燥処理部80へと搬送する際にはハンドH6を用いる。すなわち、露光処理直後の液体が付着した基板Wの搬送にはハンドH6が用いられ、液体の付着していない基板Wの搬送にはハンドH5が用いられる。したがって、ハンドH5に基板Wの液体が付着することがない。
なお、本実施の形態においては、1台のインターフェース用搬送機構IFRによって、基板Wの基板載置部PASS11から露光装置15への搬送、露光装置15から乾燥処理部80への搬送および乾燥処理部80から基板載置部PASS12への搬送を行っているが、複数のインターフェース用搬送機構IFRを用いて基板Wの搬送を行ってもよい。
(2−1)2流体ノズルを用いた乾燥処理ユニット
第2の実施の形態に係る基板処理装置が第1の実施の形態に係る基板処理装置と異なるのは、乾燥処理ユニットDRYにおいて図4の洗浄処理用ノズル650および乾燥処理用ノズル670の代わりに図13に示すような2流体ノズルが用いられる点である。第2の実施の形態に係る基板処理装置の他の部分の構成は、第1の実施の形態に係る基板処理装置と同様である。
なお、図13の2流体ノズル950を用いた場合においては、2流体ノズル950により基板Wにリンス液を供給しているが、別個のノズルを用いて基板Wにリンス液を供給してもよい。
第2の実施の形態に係る基板処理装置500においては、露光装置15において基板Wに露光処理が行われた後、乾燥処理部80において基板Wの洗浄処理が行われる。この場合、露光処理後に基板Wに付着した水滴残渣、および基板上の有機膜からの溶出物等は、乾燥処理ユニットDRYにおいて2流体ノズル950から洗浄液と不活性ガスとの混合流体が基板Wに供給されることにより取り除かれる。
本実施の形態においては、反射防止膜用処理ブロック10、レジスト膜用処理ブロック11、現像処理ブロック12および乾燥処理ブロック13が処理部に相当し、インターフェースブロック14が受け渡し部に相当し、塗布ユニットRESが第1の処理ユニットに相当し、レジスト膜用処理ブロック11が第1の処理単位に相当し、乾燥処理ユニットDRY,DRYaが第2の処理ユニットに相当し、乾燥処理ブロック13が第2の処理単位に相当し、現像処理ユニットDEVが第3の処理ユニットに相当し、現像処理ブロック12が第3の処理単位に相当し、塗布ユニットBARCが第4の処理ユニットに相当し、反射防止膜用処理ブロック10が第4の処理単位に相当し、インデクサブロック9が基板搬入搬出部に相当する。
10 反射防止膜用処理ブロック
11 レジスト膜用処理ブロック
12 現像処理ブロック
13 乾燥処理ブロック
14 インターフェースブロック
15 露光装置
40 キャリア載置台
50 反射防止膜用塗布処理部
60 レジスト膜用塗布処理部
70 現像処理部
80 乾燥処理部
100,101 反射防止膜用熱処理部
110,111 レジスト膜用熱処理部
120,121 現像用熱処理部
130,131 露光後ベーク用熱処理部
311a 液体吐出口
311b 液体導入部
312a 気体吐出口
312b 気体通過部
500 基板処理装置
621 スピンチャック
625 回転軸
636 チャック回転駆動機構
650 洗浄処理用ノズル
670,770,870 乾燥処理用ノズル
682 遮断板
950 2流体ノズル
CR1 第1のセンターロボット
CR2 第2のセンターロボット
CR3 第3のセンターロボット
CR4 第4のセンターロボット
CR5 第5のセンターロボット
EEW エッジ露光部
BARC,RES 塗布ユニット
DEV 現像処理ユニット
DRY,DRYa 乾燥処理ユニット
IR インデクサロボット
IFR インターフェース用搬送機構
W 基板
PASS1〜PASS12 基板載置部
Claims (22)
- 液浸法により基板に露光処理を行う露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、
基板に処理を行うための処理部と、
前記処理部の一端部に隣接するように設けられ前記処理部と前記露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、
前記処理部は、
基板に感光性材料からなる感光性膜を形成する第1の処理ユニット、基板に熱処理を行う第1の熱処理ユニットおよび基板を搬送する第1の搬送ユニットを含む第1の処理単位と、
前記露光装置による露光処理後に基板の洗浄処理を行った後に基板の乾燥処理を行う第2の処理ユニット、基板に熱処理を行う第2の熱処理ユニットおよび基板を搬送する第2の搬送ユニットを含む第2の処理単位と、
前記第2の処理ユニットによる洗浄処理および乾燥処理後に基板に現像処理を行う第3の処理ユニット、基板に熱処理を行う第3の熱処理ユニットおよび基板を搬送する第3の搬送ユニットを含む第3の処理単位とを備え、
前記第2の処理単位は、前記受け渡し部に隣接するように配置されることを特徴とする基板処理装置。 - 前記第2の処理ユニットは、基板上に不活性ガスを供給することにより基板の乾燥処理を行うことを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
- 前記処理部は、前記第1の処理ユニットによる前記感光性膜の形成前に基板に反射防止膜を形成する第4の処理ユニット、基板に熱処理を行う第4の熱処理ユニットおよび基板を搬送する第4の搬送ユニットを含む第4の処理単位をさらに備えることを特徴とする請求項1または2記載の基板処理装置。
- 前記処理部の他端部に隣接するように配置され、前記処理部への基板の搬入および前記処理部からの基板の搬出を行う基板搬入搬出部をさらに備え、
前記第4の処理単位は、前記基板搬入搬出部に隣接するように配置されることを特徴とする請求項3記載の基板処理装置。 - 前記受け渡し部は、
基板に所定の処理を行う第5の処理ユニットと、
基板が一時的に載置される載置部と、
前記処理部、前記第5の処理ユニットおよび前記載置部の間で基板を搬送する第5の搬送ユニットと、
前記載置部、前記露光装置および前記第2の処理ユニットの間で基板を搬送する第6の搬送ユニットとを含み、
前記第6の搬送ユニットは、前記露光装置から搬出された基板を前記第2の処理ユニットに搬送することを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の基板処理装置。 - 前記第6の搬送ユニットは、基板を保持する第1および第2の保持手段を含み、
前記第6の搬送ユニットは、前記載置部から前記露光装置へ基板を搬送する際および前記第2の処理ユニットから前記載置部へ基板を搬送する際には前記第1の保持手段により基板を保持し、
前記露光装置から前記第2の処理ユニットへ基板を搬送する際には前記第2の保持手段により基板を保持することを特徴とする請求項5記載の基板処理装置。 - 前記第2の保持手段は前記第1の保持手段よりも下方に設けられることを特徴とする請求項6記載の基板処理装置。
- 前記第5の処理ユニットは、基板の周縁部を露光するエッジ露光部を含むことを特徴とする請求項5〜7のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記第2の処理ユニットは、
基板を略水平に保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段により保持された基板をその基板に垂直な軸の周りで回転させる回転駆動手段と、
前記基板保持手段に保持された基板上に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、
前記洗浄液供給手段により基板上に洗浄液が供給された後に基板上に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段とを備えることを特徴とする請求項1〜8のいずれかに記載の基板処理装置。 - 前記不活性ガス供給手段は、前記洗浄液供給手段により基板上に供給された洗浄液が基板上の中心部から外方へ移動することにより基板上から排除されるように不活性ガスを供給することを特徴とする請求項9記載の基板処理装置。
- 前記第2の処理ユニットは、
前記洗浄液供給手段により洗浄液が供給された後であって前記不活性ガス供給手段により不活性ガスが供給される前に、基板上にリンス液を供給するリンス液供給手段をさらに備えることを特徴とする請求項9記載の基板処理装置。 - 前記不活性ガス供給手段は、前記リンス液供給手段により基板上に供給されたリンス液が基板上の中心部から外方へ移動することにより基板上から排除されるように不活性ガスを供給することを特徴とする請求項11記載の基板処理装置。
- 前記第2の処理ユニットは、液体および気体を含む混合流体を基板に供給する流体ノズルにより基板の洗浄処理を行うことを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
- 前記第2の処理ユニットは、前記流体ノズルから不活性ガスおよび洗浄液を含む混合流体を基板に供給することにより基板の洗浄処理を行うことを特徴とする請求項13記載の基板処理装置。
- 前記第2の処理ユニットは、基板上に不活性ガスを供給することにより基板の乾燥処理を行う不活性ガス供給手段を含むことを特徴とする請求項13または14記載の基板処理装置。
- 前記流体ノズルは前記不活性ガス供給手段として機能することを特徴とする請求項15記載の基板処理装置。
- 前記第2の処理ユニットは、
基板を略水平に保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段により保持された基板をその基板に垂直な軸の周りで回転させる回転駆動手段とをさらに含むことを特徴とする請求項15または16記載の基板処理装置。 - 前記第2の処理ユニットは、前記流体ノズルから基板上に供給された混合流体が基板上の中心部から外方へ移動することにより基板上から排除されるように不活性ガスを供給することを特徴とする請求項15〜17のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記第2の処理ユニットは、
前記流体ノズルから混合流体が供給された後であって前記不活性ガス供給手段により前記不活性ガスが供給される前に、基板上にリンス液を供給するリンス液供給手段をさらに含むことを特徴とする請求項15〜17のいずれかに記載の基板処理装置。 - 前記流体ノズルは前記リンス液供給手段として機能することを特徴とする請求項19記載の基板処理装置。
- 前記第2の処理ユニットは、前記リンス液供給手段により基板上に供給されたリンス液が基板上の中心部から外方へ移動することにより基板上から排除されるように不活性ガスを供給することを特徴とする請求項19または20記載の基板処理装置。
- 前記流体ノズルは、液体が流通する液体流路と、気体が流通する気体流路と、前記液体流路に連通して開口する液体吐出口と、前記液体吐出口の近傍に設けられるとともに前記気体流路に連通して開口する気体吐出口とを有することを特徴とする請求項13〜21のいずれかに記載の基板処理装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005216158A JP4794232B2 (ja) | 2004-12-06 | 2005-07-26 | 基板処理装置 |
US11/295,257 US20060159449A1 (en) | 2004-12-06 | 2005-12-06 | Substrate processing apparatus |
US12/698,876 US20100129526A1 (en) | 2004-12-06 | 2010-02-02 | Substrate processing apparatus |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004353121 | 2004-12-06 | ||
JP2004353121 | 2004-12-06 | ||
JP2005095779 | 2005-03-29 | ||
JP2005095779 | 2005-03-29 | ||
JP2005216158A JP4794232B2 (ja) | 2004-12-06 | 2005-07-26 | 基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006310722A JP2006310722A (ja) | 2006-11-09 |
JP4794232B2 true JP4794232B2 (ja) | 2011-10-19 |
Family
ID=36684008
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005216158A Active JP4794232B2 (ja) | 2004-12-06 | 2005-07-26 | 基板処理装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20060159449A1 (ja) |
JP (1) | JP4794232B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5008280B2 (ja) | 2004-11-10 | 2012-08-22 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP5154007B2 (ja) * | 2004-12-06 | 2013-02-27 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
JP4926433B2 (ja) * | 2004-12-06 | 2012-05-09 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP4794232B2 (ja) * | 2004-12-06 | 2011-10-19 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
JP4514657B2 (ja) * | 2005-06-24 | 2010-07-28 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
JP4761907B2 (ja) * | 2005-09-28 | 2011-08-31 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
JP5132108B2 (ja) * | 2006-02-02 | 2013-01-30 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
JP4832201B2 (ja) * | 2006-07-24 | 2011-12-07 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
JP2008060302A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Sokudo:Kk | 基板処理装置 |
JP2008153422A (ja) * | 2006-12-18 | 2008-07-03 | Tokyo Electron Ltd | 塗布・現像装置およびパターン形成方法 |
JP5192206B2 (ja) * | 2007-09-13 | 2013-05-08 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置および基板処理方法 |
Family Cites Families (84)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US1000000A (en) * | 1910-04-25 | 1911-08-08 | Francis H Holton | Vehicle-tire. |
US3961100A (en) * | 1974-09-16 | 1976-06-01 | Rca Corporation | Method for developing electron beam sensitive resist films |
US4751170A (en) * | 1985-07-26 | 1988-06-14 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Silylation method onto surface of polymer membrane and pattern formation process by the utilization of silylation method |
JPS6381820A (ja) * | 1986-09-25 | 1988-04-12 | Toshiba Corp | レジストパタ−ン形成方法 |
KR970003907B1 (ko) * | 1988-02-12 | 1997-03-22 | 도오교오 에레구토론 가부시끼 가이샤 | 기판처리 장치 및 기판처리 방법 |
US5202716A (en) * | 1988-02-12 | 1993-04-13 | Tokyo Electron Limited | Resist process system |
JP2753930B2 (ja) * | 1992-11-27 | 1998-05-20 | キヤノン株式会社 | 液浸式投影露光装置 |
JPH08191046A (ja) * | 1995-01-11 | 1996-07-23 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法およびそれに使用する装置 |
JP2996127B2 (ja) * | 1995-02-17 | 1999-12-27 | 日本電気株式会社 | パターン形成方法 |
US5788868A (en) * | 1995-09-04 | 1998-08-04 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate transfer method and interface apparatus |
US6261378B1 (en) * | 1998-03-23 | 2001-07-17 | Tokyo Electron Limited | Substrate cleaning unit and cleaning method |
US6319322B1 (en) * | 1998-07-13 | 2001-11-20 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus |
US6630943B1 (en) * | 1999-09-21 | 2003-10-07 | Xsides Corporation | Method and system for controlling a complementary user interface on a display surface |
US6402400B1 (en) * | 1999-10-06 | 2002-06-11 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus |
US6402401B1 (en) * | 1999-10-19 | 2002-06-11 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
KR100348938B1 (ko) * | 1999-12-06 | 2002-08-14 | 한국디엔에스 주식회사 | 포토리소그라피 공정을 위한 반도체 제조장치 |
JP2001203143A (ja) * | 2000-01-20 | 2001-07-27 | Nikon Corp | 基板処理装置 |
JP3362781B2 (ja) * | 2000-02-03 | 2003-01-07 | 日本電気株式会社 | 現像処理方法および装置、現像制御装置、情報記憶媒体 |
JP4054159B2 (ja) * | 2000-03-08 | 2008-02-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及びその装置 |
US6634806B2 (en) * | 2000-03-13 | 2003-10-21 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
JP2001357567A (ja) * | 2000-04-14 | 2001-12-26 | Tdk Corp | 光ディスク原盤の製造方法 |
TW594835B (en) * | 2000-05-09 | 2004-06-21 | Tokyo Electron Ltd | System for coating and developing |
US7451774B2 (en) * | 2000-06-26 | 2008-11-18 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for wafer cleaning |
JP2002148820A (ja) * | 2000-11-15 | 2002-05-22 | Clariant (Japan) Kk | パターン形成方法及びこの方法に使用される処理剤 |
JP3841641B2 (ja) * | 2000-12-27 | 2006-11-01 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
JP4124400B2 (ja) * | 2001-01-19 | 2008-07-23 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
US20040062861A1 (en) * | 2001-02-07 | 2004-04-01 | Hiroshi Sato | Method of electroless plating and apparatus for electroless plating |
US6558053B2 (en) * | 2001-04-19 | 2003-05-06 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
TW538472B (en) * | 2001-04-27 | 2003-06-21 | Kobe Steel Ltd | Method and system for processing substrate |
JP3778815B2 (ja) * | 2001-06-21 | 2006-05-24 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板洗浄装置 |
JP2003007664A (ja) * | 2001-06-22 | 2003-01-10 | Ses Co Ltd | 枚葉式基板洗浄方法および枚葉式基板洗浄装置 |
JP4053263B2 (ja) * | 2001-08-17 | 2008-02-27 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置の製造方法 |
US20030045098A1 (en) * | 2001-08-31 | 2003-03-06 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for processing a wafer |
US7280883B2 (en) * | 2001-09-06 | 2007-10-09 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing system managing apparatus information of substrate processing apparatus |
TW561516B (en) * | 2001-11-01 | 2003-11-11 | Tokyo Electron Ltd | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
KR100672632B1 (ko) * | 2001-11-06 | 2007-02-09 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자의 약액교환방법 및 그 장치 |
JP2003205265A (ja) * | 2002-01-11 | 2003-07-22 | Tokyo Electron Ltd | 塗布膜形成装置及びその方法 |
TWI261875B (en) * | 2002-01-30 | 2006-09-11 | Tokyo Electron Ltd | Processing apparatus and substrate processing method |
KR100469359B1 (ko) * | 2002-02-20 | 2005-02-02 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자용 합착 장치 |
JP4342147B2 (ja) * | 2002-05-01 | 2009-10-14 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
US6832863B2 (en) * | 2002-06-11 | 2004-12-21 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate treating apparatus and method |
JP3993048B2 (ja) * | 2002-08-30 | 2007-10-17 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
KR100493849B1 (ko) * | 2002-09-30 | 2005-06-08 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 건조 장치 |
JP2004134674A (ja) * | 2002-10-11 | 2004-04-30 | Toshiba Corp | 基板処理方法、加熱処理装置、パターン形成方法 |
JP4702920B2 (ja) * | 2002-11-12 | 2011-06-15 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
US7524771B2 (en) * | 2002-10-29 | 2009-04-28 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing method using alkaline solution and acid solution |
CN1717776A (zh) * | 2002-12-10 | 2006-01-04 | 株式会社尼康 | 光学元件及使用该光学元件的投影曝光装置 |
KR100505328B1 (ko) * | 2002-12-12 | 2005-07-29 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 구리 몰리브덴막에서 몰리브덴 잔사를 제거할 수 있는식각용액 및 그 식각 방법 |
JP4170864B2 (ja) * | 2003-02-03 | 2008-10-22 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および基板処理装置における基板搬送方法および基板処理方法 |
TW200424767A (en) * | 2003-02-20 | 2004-11-16 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Immersion exposure process-use resist protection film forming material, composite film, and resist pattern forming method |
JP2004342654A (ja) * | 2003-05-13 | 2004-12-02 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
KR20060009356A (ko) * | 2003-05-15 | 2006-01-31 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
JP4397646B2 (ja) * | 2003-07-30 | 2010-01-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP4265766B2 (ja) * | 2003-08-25 | 2009-05-20 | 東京応化工業株式会社 | 液浸露光プロセス用レジスト保護膜形成用材料、該保護膜形成材料からなるレジスト保護膜、および該レジスト保護膜を用いたレジストパターン形成方法 |
US7070915B2 (en) * | 2003-08-29 | 2006-07-04 | Tokyo Electron Limited | Method and system for drying a substrate |
US6873938B1 (en) * | 2003-09-17 | 2005-03-29 | Asml Netherlands B.V. | Adaptive lithographic critical dimension enhancement |
JP3993549B2 (ja) * | 2003-09-30 | 2007-10-17 | 株式会社東芝 | レジストパターン形成方法 |
JP4335213B2 (ja) * | 2003-10-08 | 2009-09-30 | 株式会社蔵王ニコン | 基板搬送装置、露光装置、デバイス製造方法 |
JP4194495B2 (ja) * | 2004-01-07 | 2008-12-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布・現像装置 |
JP3857692B2 (ja) * | 2004-01-15 | 2006-12-13 | 株式会社東芝 | パターン形成方法 |
US20050161644A1 (en) * | 2004-01-23 | 2005-07-28 | Peng Zhang | Immersion lithography fluids |
JP4220423B2 (ja) * | 2004-03-24 | 2009-02-04 | 株式会社東芝 | レジストパターン形成方法 |
JP4535489B2 (ja) * | 2004-03-31 | 2010-09-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布・現像装置 |
US7616383B2 (en) * | 2004-05-18 | 2009-11-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4401879B2 (ja) * | 2004-07-07 | 2010-01-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板の回収方法及び基板処理装置 |
US7259829B2 (en) * | 2004-07-26 | 2007-08-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2006049757A (ja) * | 2004-08-09 | 2006-02-16 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法 |
JP5008280B2 (ja) * | 2004-11-10 | 2012-08-22 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2006310724A (ja) * | 2004-11-10 | 2006-11-09 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP5154008B2 (ja) * | 2004-11-10 | 2013-02-27 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP4463081B2 (ja) * | 2004-11-10 | 2010-05-12 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP4381285B2 (ja) * | 2004-11-11 | 2009-12-09 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置および基板処理方法 |
US7362412B2 (en) * | 2004-11-18 | 2008-04-22 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for cleaning a semiconductor substrate in an immersion lithography system |
JP5008268B2 (ja) * | 2004-12-06 | 2012-08-22 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP5154006B2 (ja) * | 2004-12-06 | 2013-02-27 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
JP4926433B2 (ja) * | 2004-12-06 | 2012-05-09 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP5154007B2 (ja) * | 2004-12-06 | 2013-02-27 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
JP4794232B2 (ja) * | 2004-12-06 | 2011-10-19 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
US7245348B2 (en) * | 2005-01-21 | 2007-07-17 | Tokyo Electron Limited | Coating and developing system and coating and developing method with antireflection film and an auxiliary block for inspection and cleaning |
JP4622571B2 (ja) * | 2005-02-18 | 2011-02-02 | セイコーエプソン株式会社 | 液体噴射装置 |
JP4522329B2 (ja) * | 2005-06-24 | 2010-08-11 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
US7766565B2 (en) * | 2005-07-01 | 2010-08-03 | Sokudo Co., Ltd. | Substrate drying apparatus, substrate cleaning apparatus and substrate processing system |
JP4761907B2 (ja) * | 2005-09-28 | 2011-08-31 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
JP5192206B2 (ja) * | 2007-09-13 | 2013-05-08 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置および基板処理方法 |
-
2005
- 2005-07-26 JP JP2005216158A patent/JP4794232B2/ja active Active
- 2005-12-06 US US11/295,257 patent/US20060159449A1/en not_active Abandoned
-
2010
- 2010-02-02 US US12/698,876 patent/US20100129526A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006310722A (ja) | 2006-11-09 |
US20100129526A1 (en) | 2010-05-27 |
US20060159449A1 (en) | 2006-07-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4926433B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP5154007B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP5154008B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP5008280B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP5008268B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP4522329B2 (ja) | 基板処理装置 | |
KR100758623B1 (ko) | 기판처리 장치 및 기판처리 방법 | |
JP4667252B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP4771816B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP4794232B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP4832201B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP5154006B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP4761907B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP4514657B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2007201078A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2007214365A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2007201077A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2007189139A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2007012998A (ja) | 基板洗浄装置およびそれを備えた基板処理システム | |
JP4753641B2 (ja) | 基板処理システム | |
JP4579029B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP5308054B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2007036121A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2007208021A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP4699227B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20070129 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070919 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110118 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110317 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110726 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110726 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4794232 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140805 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |