JP3362781B2 - 現像処理方法および装置、現像制御装置、情報記憶媒体 - Google Patents
現像処理方法および装置、現像制御装置、情報記憶媒体Info
- Publication number
- JP3362781B2 JP3362781B2 JP2000026206A JP2000026206A JP3362781B2 JP 3362781 B2 JP3362781 B2 JP 3362781B2 JP 2000026206 A JP2000026206 A JP 2000026206A JP 2000026206 A JP2000026206 A JP 2000026206A JP 3362781 B2 JP3362781 B2 JP 3362781B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- silicon wafer
- cleaning
- developing
- supply
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/3021—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、シリコンウェハの
表面に塗布されて露光されたフォトレジストを現像液に
より現像処理する現像処理方法および装置、現像処理装
置の各部を統合制御する現像制御装置、コンピュータに
各種の処理動作を実行させるためのプログラムがソフト
ウェアとして格納されている情報記憶媒体、に関する。
表面に塗布されて露光されたフォトレジストを現像液に
より現像処理する現像処理方法および装置、現像処理装
置の各部を統合制御する現像制御装置、コンピュータに
各種の処理動作を実行させるためのプログラムがソフト
ウェアとして格納されている情報記憶媒体、に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、半導体回路装置は微細な配線パタ
ーンなどがフォトリソグラフィ技術により形成されてい
るが、このフォトリソグラフィ技術ではシリコンウェハ
の表面に塗布されて露光されたフォトレジストを現像液
により現像処理することが必要なので、この現像処理が
現像処理装置により実行されている。
ーンなどがフォトリソグラフィ技術により形成されてい
るが、このフォトリソグラフィ技術ではシリコンウェハ
の表面に塗布されて露光されたフォトレジストを現像液
により現像処理することが必要なので、この現像処理が
現像処理装置により実行されている。
【０００３】ここで、このような現像処理装置の一従来
例を図９ないし図１３を参照して以下に説明する。な
お、図９は現像処理装置の要部の構造を示す斜視図、図
１０は平面図、図１１は現像処理装置の全体構造を示す
ブロック図、図１２は現像処理装置による現像処理方法
を示す工程図、図１３は現像処理装置による現像処理方
法を示すシーケンスチャート、である。
例を図９ないし図１３を参照して以下に説明する。な
お、図９は現像処理装置の要部の構造を示す斜視図、図
１０は平面図、図１１は現像処理装置の全体構造を示す
ブロック図、図１２は現像処理装置による現像処理方法
を示す工程図、図１３は現像処理装置による現像処理方
法を示すシーケンスチャート、である。
【０００４】まず、ここで一従来例として例示する現像
処理装置１００は、表面にフォトレジストが塗布された
シリコンウェハ１０１を処理対象とし、図１１および図
１２に示すように、ウェハ保持手段としてウェハチャッ
ク機構１０２を具備している。このウェハチャック機構
１０２は、垂直に立設された回転軸１０３の上端に設け
られており、シリコンウェハ１０１をフォトレジストが
塗布された表面が水平な上面となる状態に着脱自在に保
持する。
処理装置１００は、表面にフォトレジストが塗布された
シリコンウェハ１０１を処理対象とし、図１１および図
１２に示すように、ウェハ保持手段としてウェハチャッ
ク機構１０２を具備している。このウェハチャック機構
１０２は、垂直に立設された回転軸１０３の上端に設け
られており、シリコンウェハ１０１をフォトレジストが
塗布された表面が水平な上面となる状態に着脱自在に保
持する。
【０００５】このウェハチャック機構１０２が上端に設
けられた回転軸１０３は、駆動モータ等からなるウェハ
回転手段であるウェハ回転機構１０４により回転自在に
軸支されており、このウェハ回転機構１０４は、ウェハ
チャック機構１０２により保持されたシリコンウェハ１
０１を水平方向に回転させる。
けられた回転軸１０３は、駆動モータ等からなるウェハ
回転手段であるウェハ回転機構１０４により回転自在に
軸支されており、このウェハ回転機構１０４は、ウェハ
チャック機構１０２により保持されたシリコンウェハ１
０１を水平方向に回転させる。
【０００６】また、現像処理装置１００は、各々がタン
クやポンプからなる現像液供給手段である現像液供給機
構１０５と洗浄液供給手段である洗浄液供給機構１０６
とを具備しており、現像液供給機構１０５はウェハチャ
ック機構１０２により保持されたシリコンウェハ１０１
の表面にアルカリ水溶液からなる現像液１０７を供給
し、洗浄液供給機構１０６は洗浄液として純水１０８を
供給する。
クやポンプからなる現像液供給手段である現像液供給機
構１０５と洗浄液供給手段である洗浄液供給機構１０６
とを具備しており、現像液供給機構１０５はウェハチャ
ック機構１０２により保持されたシリコンウェハ１０１
の表面にアルカリ水溶液からなる現像液１０７を供給
し、洗浄液供給機構１０６は洗浄液として純水１０８を
供給する。
【０００７】ただし、現像液供給機構１０５の現像ノズ
ル１０９と洗浄液供給機構１０６の洗浄ノズル１１０と
はノズル移動機構１１１により移動自在に支持されてお
り、図９および図１０に示すように、このノズル移動機
構１１１により現像ノズル１０９と洗浄ノズル１１０と
はウェハチャック機構１０２により保持されたシリコン
ウェハ１０１の表面に対向する位置と退避した位置とに
移動される。
ル１０９と洗浄液供給機構１０６の洗浄ノズル１１０と
はノズル移動機構１１１により移動自在に支持されてお
り、図９および図１０に示すように、このノズル移動機
構１１１により現像ノズル１０９と洗浄ノズル１１０と
はウェハチャック機構１０２により保持されたシリコン
ウェハ１０１の表面に対向する位置と退避した位置とに
移動される。
【０００８】なお、現像ノズル１０９は、円盤状のシリ
コンウェハ１０１の直径の位置に現像液１０７をスクリ
ーン状に供給できるスリット構造に形成されており、洗
浄ノズル１１０は、シリコンウェハ１０１の中心点の位
置に純水１０８を供給できる細管からなる。
コンウェハ１０１の直径の位置に現像液１０７をスクリ
ーン状に供給できるスリット構造に形成されており、洗
浄ノズル１１０は、シリコンウェハ１０１の中心点の位
置に純水１０８を供給できる細管からなる。
【０００９】そして、図１１に示すように、上述のよう
な各種機構１０４〜１０６，１１１には、現像制御装置
としてコンピュータからなる動作制御回路１１２が接続
されており、この動作制御回路１１２に現像処理の制御
プログラムが事前に実装されている。この動作制御回路
１１２は実装されている制御プログラムに対応して各種
機構１０４〜１０６，１１１の動作を統合制御するの
で、これで各種機構１０４〜１０６，１１１による現像
処理の一連の動作が実行される。
な各種機構１０４〜１０６，１１１には、現像制御装置
としてコンピュータからなる動作制御回路１１２が接続
されており、この動作制御回路１１２に現像処理の制御
プログラムが事前に実装されている。この動作制御回路
１１２は実装されている制御プログラムに対応して各種
機構１０４〜１０６，１１１の動作を統合制御するの
で、これで各種機構１０４〜１０６，１１１による現像
処理の一連の動作が実行される。
【００１０】上述のような構造の現像処理装置１００
は、シリコンウェハ１０１の表面に塗布されて露光され
たフォトレジストを現像液１０７により現像することが
でき、この現像液１０７を純水１０８によりシリコンウ
ェハ１０１の表面から洗浄することができる。
は、シリコンウェハ１０１の表面に塗布されて露光され
たフォトレジストを現像液１０７により現像することが
でき、この現像液１０７を純水１０８によりシリコンウ
ェハ１０１の表面から洗浄することができる。
【００１１】より詳細には、図１２(ａ)に示すように、
最初にフォトレジストが表面に塗布されたシリコンウェ
ハ１０１がウェハチャック機構１０２により水平に保持
されると、図１３に示すように、この保持されたシリコ
ンウェハ１０１がウェハ回転機構１０４により高速回転
される。
最初にフォトレジストが表面に塗布されたシリコンウェ
ハ１０１がウェハチャック機構１０２により水平に保持
されると、図１３に示すように、この保持されたシリコ
ンウェハ１０１がウェハ回転機構１０４により高速回転
される。
【００１２】このような状態で、図１３に示すよう
に、現像液供給機構１０５の現像ノズル１０９がノズル
移動機構１１１によりシリコンウェハ１０１の表面と対
向する位置に移動され、図１２(ｂ)および図１３に示
すように、高速回転されるシリコンウェハ１０１の表面
に現像液１０７が供給される。
に、現像液供給機構１０５の現像ノズル１０９がノズル
移動機構１１１によりシリコンウェハ１０１の表面と対
向する位置に移動され、図１２(ｂ)および図１３に示
すように、高速回転されるシリコンウェハ１０１の表面
に現像液１０７が供給される。
【００１３】このように現像液１０７が供給されながら
シリコンウェハ１０１の回転速度が順次低下され、この
シリコンウェハ１０１の回転が所定速度まで低下したら
現像液１０７の供給が終了される。図１２(ｃ)に示すよ
うに、これでシリコンウェハ１０１の表面に現像液１０
７のパドルが形成されるので、図１３に示すように、
この状態を所定時間まで継続することでフォトレジスト
が現像される。
シリコンウェハ１０１の回転速度が順次低下され、この
シリコンウェハ１０１の回転が所定速度まで低下したら
現像液１０７の供給が終了される。図１２(ｃ)に示すよ
うに、これでシリコンウェハ１０１の表面に現像液１０
７のパドルが形成されるので、図１３に示すように、
この状態を所定時間まで継続することでフォトレジスト
が現像される。
【００１４】このとき、現像液供給機構１０５の現像ノ
ズル１０９がノズル移動機構１１１によりシリコンウェ
ハ１０１の表面から退避した位置に移動され、同時に、
洗浄液供給機構１０６の洗浄ノズル１１０がノズル移動
機構１１１によりシリコンウェハ１０１の表面と対向す
る位置に移動される。
ズル１０９がノズル移動機構１１１によりシリコンウェ
ハ１０１の表面から退避した位置に移動され、同時に、
洗浄液供給機構１０６の洗浄ノズル１１０がノズル移動
機構１１１によりシリコンウェハ１０１の表面と対向す
る位置に移動される。
【００１５】そこで、所定の現像時間が経過したらシリ
コンウェハ１０１が高速回転され、図１２(ｄ)および図
１３に示すように、この高速回転されるシリコンウェ
ハ１０１の表面に純水１０８が供給されるので、この純
水１０８によりシリコンウェハ１０１の表面が洗浄され
て現像液１０７が排除される。
コンウェハ１０１が高速回転され、図１２(ｄ)および図
１３に示すように、この高速回転されるシリコンウェ
ハ１０１の表面に純水１０８が供給されるので、この純
水１０８によりシリコンウェハ１０１の表面が洗浄され
て現像液１０７が排除される。
【００１６】この純水１０８の供給も所定時間が経過し
たら終了されるが、図１３に示すように、シリコンウ
ェハ１０１の高速回転は純水１０８の供給が終了してか
らも所定時間まで継続されるので、これでシリコンウェ
ハ１０１の表面が風乾される。
たら終了されるが、図１３に示すように、シリコンウ
ェハ１０１の高速回転は純水１０８の供給が終了してか
らも所定時間まで継続されるので、これでシリコンウェ
ハ１０１の表面が風乾される。
【００１７】なお、上記の従来例では現像／洗浄ノズル
１０９，１１０がノズル移動機構１１１によりシリコン
ウェハ１０１に対向した位置と退避した位置とに移動自
在に支持されている現像処理装置１００を例示したが、
図１４に示すように、シリコンウェハ１０１の中心に対
向した位置に現像／洗浄ノズル１０９，１１０がともに
配置されている現像処理装置２００などもある。
１０９，１１０がノズル移動機構１１１によりシリコン
ウェハ１０１に対向した位置と退避した位置とに移動自
在に支持されている現像処理装置１００を例示したが、
図１４に示すように、シリコンウェハ１０１の中心に対
向した位置に現像／洗浄ノズル１０９，１１０がともに
配置されている現像処理装置２００などもある。
【００１８】このような構造の現像処理装置２００で
は、洗浄ノズル１１０からシリコンウェハ１０１の表面
に純水１０８を垂直に吐出することはできないが、現像
／洗浄ノズル１０９，１１０が衝突することがないた
め、現像／洗浄ノズル１０９，１１０を交換する必要が
ない。
は、洗浄ノズル１１０からシリコンウェハ１０１の表面
に純水１０８を垂直に吐出することはできないが、現像
／洗浄ノズル１０９，１１０が衝突することがないた
め、現像／洗浄ノズル１０９，１１０を交換する必要が
ない。
【００１９】このため、現像処理の作業中に現像／洗浄
ノズル１０９，１１０を移動させる必要がないので、作
業を迅速に完了することができる。なお、このような構
造の現像処理装置２００でも、シリコンウェハ１０１の
交換時には現像／洗浄ノズル１０９，１１０が移動され
る。
ノズル１０９，１１０を移動させる必要がないので、作
業を迅速に完了することができる。なお、このような構
造の現像処理装置２００でも、シリコンウェハ１０１の
交換時には現像／洗浄ノズル１０９，１１０が移動され
る。
【００２０】
【発明が解決しようとする課題】上述のような現像処理
装置１００，２００では、シリコンウェハ１０１の表面
に塗布されて露光されたフォトレジストを現像液１０７
により現像することができ、この現像液１０７を純水１
０８によりシリコンウェハ１０１の表面から洗浄するこ
とができる。
装置１００，２００では、シリコンウェハ１０１の表面
に塗布されて露光されたフォトレジストを現像液１０７
により現像することができ、この現像液１０７を純水１
０８によりシリコンウェハ１０１の表面から洗浄するこ
とができる。
【００２１】しかし、実際に上述のような現像処理装置
１００，２００でシリコンウェハ１０１を現像処理する
と現像欠陥が多発したので、その原因を究明したとこ
ろ、図１２(ｂ)に示すように、高速回転されているシリ
コンウェハ１０１の表面に現像液１０７を供給するとき
にミスト１２０が発生し、このミスト１２０により現像
ノズル１０９が汚染されることが判明した。
１００，２００でシリコンウェハ１０１を現像処理する
と現像欠陥が多発したので、その原因を究明したとこ
ろ、図１２(ｂ)に示すように、高速回転されているシリ
コンウェハ１０１の表面に現像液１０７を供給するとき
にミスト１２０が発生し、このミスト１２０により現像
ノズル１０９が汚染されることが判明した。
【００２２】このようなミスト１２０は、フォトレジス
トを含んだ現像液からなるため、このミスト１２０が現
像ノズル１０９に付着し、次のシリコンウェハ１０１の
現像時に現像液１０７とともに供給されると、そのシリ
コンウェハ１０１のレジストパターンに現像不良が発生
することになる。
トを含んだ現像液からなるため、このミスト１２０が現
像ノズル１０９に付着し、次のシリコンウェハ１０１の
現像時に現像液１０７とともに供給されると、そのシリ
コンウェハ１０１のレジストパターンに現像不良が発生
することになる。
【００２３】特に、近年はシリコンウェハ１０１の大径
化とレジストパターンの微細化が進行しているので、シ
リコンウェハ１０１の表面に現像液１０７を高速かつ均
一に塗布できるように現像ノズル１０９が長尺化される
傾向にあり、必然的に現像ノズル１０９の汚染される面
積も増大してレジストパターンの現像不良が顕著となっ
ている。
化とレジストパターンの微細化が進行しているので、シ
リコンウェハ１０１の表面に現像液１０７を高速かつ均
一に塗布できるように現像ノズル１０９が長尺化される
傾向にあり、必然的に現像ノズル１０９の汚染される面
積も増大してレジストパターンの現像不良が顕著となっ
ている。
【００２４】本発明は上述のような課題に鑑みてなされ
たものであり、現像欠陥が発生しない現像処理方法およ
び装置、現像欠陥が発生しないように現像処理装置の各
部を統合制御する現像制御装置、現像欠陥を発生させな
いためのプログラムがソフトウェアとして格納されてい
る情報記憶媒体、の少なくとも一つを提供することを目
的とする。
たものであり、現像欠陥が発生しない現像処理方法およ
び装置、現像欠陥が発生しないように現像処理装置の各
部を統合制御する現像制御装置、現像欠陥を発生させな
いためのプログラムがソフトウェアとして格納されてい
る情報記憶媒体、の少なくとも一つを提供することを目
的とする。
【００２５】
【課題を解決するための手段】本発明の現像処理装置
は、シリコンウェハの表面に塗布されて露光されたフォ
トレジストを現像液により現像処理する現像処理装置で
あって、前記シリコンウェハを前記フォトレジストが塗
布された表面が水平な上面となる状態に保持するウェハ
保持手段と、このウェハ保持手段により保持された前記
シリコンウェハを水平方向に回転させるウェハ回転手段
と、前記ウェハ保持手段により保持された前記シリコン
ウェハの表面に現像液を供給する現像液供給手段と、前
記ウェハ保持手段により保持された前記シリコンウェハ
の表面に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、前記ウェ
ハ保持手段により保持されて前記現像液供給手段により
現像液が供給されていない前記シリコンウェハを前記ウ
ェハ回転手段により回転させ、この回転されている前記
シリコンウェハの表面に前記洗浄液供給手段により洗浄
液を供給させ、この洗浄液が供給されている前記シリコ
ンウェハの回転速度を停止状態まで順次低下させ、この
回転速度が所定速度まで低下したときに前記洗浄液の供
給を終了させて前記シリコンウェハの表面に前記洗浄液
のパドルを形成させる洗浄制御手段と、この洗浄制御手
段により洗浄液のパドルが形成されてから前記ウェハ回
転手段による回転と前記現像液供給手段による現像液の
供給とを開始させる現像制御手段と、を具備している。
は、シリコンウェハの表面に塗布されて露光されたフォ
トレジストを現像液により現像処理する現像処理装置で
あって、前記シリコンウェハを前記フォトレジストが塗
布された表面が水平な上面となる状態に保持するウェハ
保持手段と、このウェハ保持手段により保持された前記
シリコンウェハを水平方向に回転させるウェハ回転手段
と、前記ウェハ保持手段により保持された前記シリコン
ウェハの表面に現像液を供給する現像液供給手段と、前
記ウェハ保持手段により保持された前記シリコンウェハ
の表面に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、前記ウェ
ハ保持手段により保持されて前記現像液供給手段により
現像液が供給されていない前記シリコンウェハを前記ウ
ェハ回転手段により回転させ、この回転されている前記
シリコンウェハの表面に前記洗浄液供給手段により洗浄
液を供給させ、この洗浄液が供給されている前記シリコ
ンウェハの回転速度を停止状態まで順次低下させ、この
回転速度が所定速度まで低下したときに前記洗浄液の供
給を終了させて前記シリコンウェハの表面に前記洗浄液
のパドルを形成させる洗浄制御手段と、この洗浄制御手
段により洗浄液のパドルが形成されてから前記ウェハ回
転手段による回転と前記現像液供給手段による現像液の
供給とを開始させる現像制御手段と、を具備している。
【００２６】従って、本発明の現像処理装置では、シリ
コンウェハをフォトレジストが塗布された表面が水平な
上面となる状態にウェハ保持手段が保持し、保持された
シリコンウェハをウェハ回転手段が水平方向に回転さ
せ、保持されたシリコンウェハの表面に現像液供給手段
が現像液を供給し、洗浄液供給手段が洗浄液を供給す
る。ただし、本発明の現像処理装置による現像処理方法
では、洗浄制御手段と現像制御手段とが現像液供給手段
や洗浄液供給手段やウェハ回転手段を動作制御すること
により、最初にウェハ保持手段により保持されて現像液
供給手段により現像液が供給されていないシリコンウェ
ハの表面に洗浄液供給手段から洗浄液を供給してパドル
を形成し、この洗浄液のパドルが形成されてからウェハ
回転手段による回転と現像液供給手段による現像液の供
給とが開始されるので、現像液は洗浄液のパドルが事前
に形成されているシリコンウェハの表面に供給される。
コンウェハをフォトレジストが塗布された表面が水平な
上面となる状態にウェハ保持手段が保持し、保持された
シリコンウェハをウェハ回転手段が水平方向に回転さ
せ、保持されたシリコンウェハの表面に現像液供給手段
が現像液を供給し、洗浄液供給手段が洗浄液を供給す
る。ただし、本発明の現像処理装置による現像処理方法
では、洗浄制御手段と現像制御手段とが現像液供給手段
や洗浄液供給手段やウェハ回転手段を動作制御すること
により、最初にウェハ保持手段により保持されて現像液
供給手段により現像液が供給されていないシリコンウェ
ハの表面に洗浄液供給手段から洗浄液を供給してパドル
を形成し、この洗浄液のパドルが形成されてからウェハ
回転手段による回転と現像液供給手段による現像液の供
給とが開始されるので、現像液は洗浄液のパドルが事前
に形成されているシリコンウェハの表面に供給される。
【００２７】本発明の他の現像処理装置は、シリコンウ
ェハの表面に塗布されて露光されたフォトレジストを現
像液により現像処理する現像処理装置であって、前記シ
リコンウェハを前記フォトレジストが塗布された表面が
水平な上面となる状態に保持するウェハ保持手段と、こ
のウェハ保持手段により保持された前記シリコンウェハ
を水平方向に回転させるウェハ回転手段と、前記ウェハ
保持手段により保持された前記シリコンウェハの表面に
現像液を供給する現像液供給手段と、前記ウェハ保持手
段により保持された前記シリコンウェハの表面に洗浄液
を供給する洗浄液供給手段と、前記ウェハ保持手段によ
り保持されて前記現像液供給手段により現像液が供給さ
れていない前記シリコンウェハを前記ウェハ回転手段に
より回転させるとともに表面に前記洗浄液供給手段によ
り洗浄液を供給させる洗浄制御手段と、この洗浄制御手
段により回転されながら前記洗浄液が供給される前記シ
リコンウェハの表面に前記現像液供給手段により現像液
を供給させる現像制御手段と、を具備しており、前記洗
浄制御手段は、前記現像液の供給が開始されてから前記
洗浄液の供給を終了させ、前記現像制御手段は、前記洗
浄液の供給が終了されてから前記現像液の供給を終了さ
せる。
ェハの表面に塗布されて露光されたフォトレジストを現
像液により現像処理する現像処理装置であって、前記シ
リコンウェハを前記フォトレジストが塗布された表面が
水平な上面となる状態に保持するウェハ保持手段と、こ
のウェハ保持手段により保持された前記シリコンウェハ
を水平方向に回転させるウェハ回転手段と、前記ウェハ
保持手段により保持された前記シリコンウェハの表面に
現像液を供給する現像液供給手段と、前記ウェハ保持手
段により保持された前記シリコンウェハの表面に洗浄液
を供給する洗浄液供給手段と、前記ウェハ保持手段によ
り保持されて前記現像液供給手段により現像液が供給さ
れていない前記シリコンウェハを前記ウェハ回転手段に
より回転させるとともに表面に前記洗浄液供給手段によ
り洗浄液を供給させる洗浄制御手段と、この洗浄制御手
段により回転されながら前記洗浄液が供給される前記シ
リコンウェハの表面に前記現像液供給手段により現像液
を供給させる現像制御手段と、を具備しており、前記洗
浄制御手段は、前記現像液の供給が開始されてから前記
洗浄液の供給を終了させ、前記現像制御手段は、前記洗
浄液の供給が終了されてから前記現像液の供給を終了さ
せる。
【００２８】従って、本発明の現像処理装置による現像
処理方法では、洗浄制御手段と現像制御手段とが現像液
供給手段や洗浄液供給手段やウェハ回転手段を動作制御
することにより、ウェハ保持手段により保持されて現像
液供給手段により現像液が供給されていないシリコンウ
ェハがウェハ回転手段により回転されるとともに表面に
洗浄液供給手段により洗浄液が供給され、この回転され
ながら洗浄液が供給されるシリコンウェハの表面に現像
液供給手段により現像液が供給されるので、現像液は事
前に洗浄液が供給されているシリコンウェハの表面に供
給される。さらに、シリコンウェハの表面に洗浄液と現
像液とが供給されている状態から、最初に洗浄液の供給
が終了され、それから現像液の供給が終了されるので、
シリコンウェハの表面のフォトレジストは最終的には単
独で供給される現像液により現像されることになる。
処理方法では、洗浄制御手段と現像制御手段とが現像液
供給手段や洗浄液供給手段やウェハ回転手段を動作制御
することにより、ウェハ保持手段により保持されて現像
液供給手段により現像液が供給されていないシリコンウ
ェハがウェハ回転手段により回転されるとともに表面に
洗浄液供給手段により洗浄液が供給され、この回転され
ながら洗浄液が供給されるシリコンウェハの表面に現像
液供給手段により現像液が供給されるので、現像液は事
前に洗浄液が供給されているシリコンウェハの表面に供
給される。さらに、シリコンウェハの表面に洗浄液と現
像液とが供給されている状態から、最初に洗浄液の供給
が終了され、それから現像液の供給が終了されるので、
シリコンウェハの表面のフォトレジストは最終的には単
独で供給される現像液により現像されることになる。
【００２９】
【００３０】本発明の現像処理装置の他の態様として
は、現像処理が完了した前記シリコンウェハの表面に前
記洗浄液供給手段により洗浄液を供給させて前記現像液
を排除させるウェハ洗浄手段を具備していることも可能
である。この場合、現像処理が完了したシリコンウェハ
の表面の現像液が洗浄液により排除されるので、現像液
の供給以前にシリコンウェハに洗浄液を供給する手段
が、シリコンウェハから現像液を排除する洗浄液を供給
する手段と兼用される。
は、現像処理が完了した前記シリコンウェハの表面に前
記洗浄液供給手段により洗浄液を供給させて前記現像液
を排除させるウェハ洗浄手段を具備していることも可能
である。この場合、現像処理が完了したシリコンウェハ
の表面の現像液が洗浄液により排除されるので、現像液
の供給以前にシリコンウェハに洗浄液を供給する手段
が、シリコンウェハから現像液を排除する洗浄液を供給
する手段と兼用される。
【００３１】本発明の現像処理装置の他の態様として
は、前記シリコンウェハの表面に供給される前記現像液
を脱気する現像脱気手段を具備していることも可能であ
る。この場合、シリコンウェハの表面に供給される現像
液が現像脱気手段により脱気されるので、気泡が存在す
る現像液がフォトレジストの表面に供給されない。
は、前記シリコンウェハの表面に供給される前記現像液
を脱気する現像脱気手段を具備していることも可能であ
る。この場合、シリコンウェハの表面に供給される現像
液が現像脱気手段により脱気されるので、気泡が存在す
る現像液がフォトレジストの表面に供給されない。
【００３２】本発明の一の現像制御装置は、シリコンウ
ェハをフォトレジストが塗布された表面が水平な上面と
なる状態に保持するウェハ保持手段と、このウェハ保持
手段により保持された前記シリコンウェハを水平方向に
回転させるウェハ回転手段と、前記ウェハ保持手段によ
り保持された前記シリコンウェハの表面に現像液を供給
する現像液供給手段と、前記ウェハ保持手段により保持
された前記シリコンウェハの表面に洗浄液を供給する洗
浄液供給手段と、前記ウェハ保持手段と前記ウェハ回転
手段と前記洗浄液供給手段と前記現像液供給手段との動
作を統合制御する現像制御装置と、を具備しており、前
記シリコンウェハの表面に塗布されて露光された前記フ
ォトレジストを前記現像液により現像処理する現像処理
装置において、前記ウェハ保持手段により保持されて前
記現像液供給手段により現像液が供給されていない前記
シリコンウェハを前記ウェハ回転手段により回転させ、
この回転されている前記シリコンウェハの表面に前記洗
浄液供給手段により洗浄液を供給させ、この洗浄液が供
給されている前記シリコンウェハの回転速度を停止状態
まで順次低下させ、この回転速度が所定速度まで低下し
たときに前記洗浄液の供給を終了させて前記シリコンウ
ェハの表面に前記洗浄液のパドルを形成させる洗浄制御
手段と、この洗浄制御手段により洗浄液のパドルが形成
されてから前記ウェハ回転手段による回転と前記現像液
供給手段による現像液の供給とを開始させる現像制御手
段と、を具備している。
ェハをフォトレジストが塗布された表面が水平な上面と
なる状態に保持するウェハ保持手段と、このウェハ保持
手段により保持された前記シリコンウェハを水平方向に
回転させるウェハ回転手段と、前記ウェハ保持手段によ
り保持された前記シリコンウェハの表面に現像液を供給
する現像液供給手段と、前記ウェハ保持手段により保持
された前記シリコンウェハの表面に洗浄液を供給する洗
浄液供給手段と、前記ウェハ保持手段と前記ウェハ回転
手段と前記洗浄液供給手段と前記現像液供給手段との動
作を統合制御する現像制御装置と、を具備しており、前
記シリコンウェハの表面に塗布されて露光された前記フ
ォトレジストを前記現像液により現像処理する現像処理
装置において、前記ウェハ保持手段により保持されて前
記現像液供給手段により現像液が供給されていない前記
シリコンウェハを前記ウェハ回転手段により回転させ、
この回転されている前記シリコンウェハの表面に前記洗
浄液供給手段により洗浄液を供給させ、この洗浄液が供
給されている前記シリコンウェハの回転速度を停止状態
まで順次低下させ、この回転速度が所定速度まで低下し
たときに前記洗浄液の供給を終了させて前記シリコンウ
ェハの表面に前記洗浄液のパドルを形成させる洗浄制御
手段と、この洗浄制御手段により洗浄液のパドルが形成
されてから前記ウェハ回転手段による回転と前記現像液
供給手段による現像液の供給とを開始させる現像制御手
段と、を具備している。
【００３３】本発明の他の現像制御装置は、シリコンウ
ェハをフォトレジストが塗布された表面が水平な上面と
なる状態に保持するウェハ保持手段と、このウェハ保持
手段により保持された前記シリコンウェハを水平方向に
回転させるウェハ回転手段と、前記ウェハ保持手段によ
り保持された前記シリコンウェハの表面に現像液を供給
する現像液供給手段と、前記ウェハ保持手段により保持
された前記シリコンウェハの表面に洗浄液を供給する洗
浄液供給手段と、前記ウェハ保持手段と前記ウェハ回転
手段と前記洗浄液供給手段と前記現像液供給手段との動
作を統合制御する現像制御装置と、を具備しており、前
記シリコンウェハの表面に塗布されて露光された前記フ
ォトレジストを前記現像液により現像処理する現像処理
装置において、前記ウェハ保持手段により保持されて前
記現像液供給手段により現像液が供給されていない前記
シリコンウェハを前記ウェハ回転手段により回転させる
とともに表面に前記洗浄液供給手段により洗浄液を供給
させる洗浄制御手段と、この洗浄制御手段により回転さ
れながら前記洗浄液が供給される前記シリコンウェハの
表面に前記現像液供給手段により現像液を供給させる現
像制御手段と、を具備しており、前記洗浄制御手段は、
前記現像液の供給が開始されてから前記洗浄液の供給を
終了させ、前記現像制御手段は、前記洗浄液の供給が終
了されてから前記現像液の供給を終了させる。
ェハをフォトレジストが塗布された表面が水平な上面と
なる状態に保持するウェハ保持手段と、このウェハ保持
手段により保持された前記シリコンウェハを水平方向に
回転させるウェハ回転手段と、前記ウェハ保持手段によ
り保持された前記シリコンウェハの表面に現像液を供給
する現像液供給手段と、前記ウェハ保持手段により保持
された前記シリコンウェハの表面に洗浄液を供給する洗
浄液供給手段と、前記ウェハ保持手段と前記ウェハ回転
手段と前記洗浄液供給手段と前記現像液供給手段との動
作を統合制御する現像制御装置と、を具備しており、前
記シリコンウェハの表面に塗布されて露光された前記フ
ォトレジストを前記現像液により現像処理する現像処理
装置において、前記ウェハ保持手段により保持されて前
記現像液供給手段により現像液が供給されていない前記
シリコンウェハを前記ウェハ回転手段により回転させる
とともに表面に前記洗浄液供給手段により洗浄液を供給
させる洗浄制御手段と、この洗浄制御手段により回転さ
れながら前記洗浄液が供給される前記シリコンウェハの
表面に前記現像液供給手段により現像液を供給させる現
像制御手段と、を具備しており、前記洗浄制御手段は、
前記現像液の供給が開始されてから前記洗浄液の供給を
終了させ、前記現像制御手段は、前記洗浄液の供給が終
了されてから前記現像液の供給を終了させる。
【００３４】なお、本発明で云う各種手段は、その機能
を実現するように形成されていれば良く、例えば、所定
の機能を発生する専用のハードウェア、所定の機能がプ
ログラムにより付与されたコンピュータ、プログラムに
よりコンピュータの内部に実現された所定の機能、これ
らの組み合わせ、等を許容する。
を実現するように形成されていれば良く、例えば、所定
の機能を発生する専用のハードウェア、所定の機能がプ
ログラムにより付与されたコンピュータ、プログラムに
よりコンピュータの内部に実現された所定の機能、これ
らの組み合わせ、等を許容する。
【００３５】本発明の一の情報記憶媒体は、シリコンウ
ェハをフォトレジストが塗布された表面が水平な上面と
なる状態に保持するウェハ保持手段と、このウェハ保持
手段により保持された前記シリコンウェハを水平方向に
回転させるウェハ回転手段と、前記ウェハ保持手段によ
り保持された前記シリコンウェハの表面に現像液を供給
する現像液供給手段と、前記ウェハ保持手段により保持
された前記シリコンウェハの表面に洗浄液を供給する洗
浄液供給手段と、前記ウェハ保持手段と前記ウェハ回転
手段と前記洗浄液供給手段と前記現像液供給手段との動
作を統合制御するコンピュータと、を具備しており、前
記シリコンウェハの表面に塗布されて露光された前記フ
ォトレジストを前記現像液により現像処理する現像処理
装置において、前記ウェハ保持手段により保持されて前
記現像液供給手段により現像液が供給されていない前記
シリコンウェハを前記ウェハ回転手段により回転させる
こと、この回転されている前記シリコンウェハの表面に
前記洗浄液供給手段により洗浄液を供給させること、こ
の洗浄液が供給されている前記シリコンウェハの回転速
度を停止状態まで順次低下させること、この回転速度が
所定速度まで低下したときに前記洗浄液の供給を終了さ
せて前記シリコンウェハの表面に前記洗浄液のパドルを
形成させること、この洗浄液のパドルが形成されてから
前記ウェハ回転手段による回転と前記現像液供給手段に
よる現像液の供給とを開始させること、を前記コンピュ
ータに実行させるためのプログラムが格納されている。
ェハをフォトレジストが塗布された表面が水平な上面と
なる状態に保持するウェハ保持手段と、このウェハ保持
手段により保持された前記シリコンウェハを水平方向に
回転させるウェハ回転手段と、前記ウェハ保持手段によ
り保持された前記シリコンウェハの表面に現像液を供給
する現像液供給手段と、前記ウェハ保持手段により保持
された前記シリコンウェハの表面に洗浄液を供給する洗
浄液供給手段と、前記ウェハ保持手段と前記ウェハ回転
手段と前記洗浄液供給手段と前記現像液供給手段との動
作を統合制御するコンピュータと、を具備しており、前
記シリコンウェハの表面に塗布されて露光された前記フ
ォトレジストを前記現像液により現像処理する現像処理
装置において、前記ウェハ保持手段により保持されて前
記現像液供給手段により現像液が供給されていない前記
シリコンウェハを前記ウェハ回転手段により回転させる
こと、この回転されている前記シリコンウェハの表面に
前記洗浄液供給手段により洗浄液を供給させること、こ
の洗浄液が供給されている前記シリコンウェハの回転速
度を停止状態まで順次低下させること、この回転速度が
所定速度まで低下したときに前記洗浄液の供給を終了さ
せて前記シリコンウェハの表面に前記洗浄液のパドルを
形成させること、この洗浄液のパドルが形成されてから
前記ウェハ回転手段による回転と前記現像液供給手段に
よる現像液の供給とを開始させること、を前記コンピュ
ータに実行させるためのプログラムが格納されている。
【００３６】本発明の他の情報記憶媒体は、シリコンウ
ェハをフォトレジストが塗布された表面が水平な上面と
なる状態に保持するウェハ保持手段と、このウェハ保持
手段により保持された前記シリコンウェハを水平方向に
回転させるウェハ回転手段と、前記ウェハ保持手段によ
り保持された前記シリコンウェハの表面に現像液を供給
する現像液供給手段と、前記ウェハ保持手段により保持
された前記シリコンウェハの表面に洗浄液を供給する洗
浄液供給手段と、前記ウェハ保持手段と前記ウェハ回転
手段と前記洗浄液供給手段と前記現像液供給手段との動
作を統合制御するコンピュータと、を具備しており、前
記シリコンウェハの表面に塗布されて露光された前記フ
ォトレジストを前記現像液により現像処理する現像処理
装置において、前記ウェハ保持手段により保持されて前
記現像液供給手段により現像液が供給されていない前記
シリコンウェハを前記ウェハ回転手段により回転させる
とともに表面に前記洗浄液供給手段により洗浄液を供給
させること、この回転されながら前記洗浄液が供給され
る前記シリコンウェハの表面に前記現像液供給手段によ
り現像液を供給させること、この現像液の供給が開始さ
れてから前記洗浄液の供給を終了させること、この洗浄
液の供給が終了されてから前記現像液の供給を終了させ
ること、を前記コンピュータに実行させるためのプログ
ラムが格納されている。
ェハをフォトレジストが塗布された表面が水平な上面と
なる状態に保持するウェハ保持手段と、このウェハ保持
手段により保持された前記シリコンウェハを水平方向に
回転させるウェハ回転手段と、前記ウェハ保持手段によ
り保持された前記シリコンウェハの表面に現像液を供給
する現像液供給手段と、前記ウェハ保持手段により保持
された前記シリコンウェハの表面に洗浄液を供給する洗
浄液供給手段と、前記ウェハ保持手段と前記ウェハ回転
手段と前記洗浄液供給手段と前記現像液供給手段との動
作を統合制御するコンピュータと、を具備しており、前
記シリコンウェハの表面に塗布されて露光された前記フ
ォトレジストを前記現像液により現像処理する現像処理
装置において、前記ウェハ保持手段により保持されて前
記現像液供給手段により現像液が供給されていない前記
シリコンウェハを前記ウェハ回転手段により回転させる
とともに表面に前記洗浄液供給手段により洗浄液を供給
させること、この回転されながら前記洗浄液が供給され
る前記シリコンウェハの表面に前記現像液供給手段によ
り現像液を供給させること、この現像液の供給が開始さ
れてから前記洗浄液の供給を終了させること、この洗浄
液の供給が終了されてから前記現像液の供給を終了させ
ること、を前記コンピュータに実行させるためのプログ
ラムが格納されている。
【００３７】
【発明の実施の形態】本発明の実施の一形態を図１ない
し図５を参照して以下に説明する。ただし、本実施の形
態に関して前述した第一の従来例と同一の部分は、同一
の名称を使用して詳細な説明は省略する。なお、図１は
本実施の形態の現像処理装置による現像処理方法を示す
工程図、図２は現像処理装置の要部の構造を示す斜視
図、図３は現像処理装置の全体構造を示すブロック図、
図４は現像処理装置による現像処理方法を示すシーケン
スチャート、図５は現像処理装置による現像処理方法を
示すフローチャート、である。
し図５を参照して以下に説明する。ただし、本実施の形
態に関して前述した第一の従来例と同一の部分は、同一
の名称を使用して詳細な説明は省略する。なお、図１は
本実施の形態の現像処理装置による現像処理方法を示す
工程図、図２は現像処理装置の要部の構造を示す斜視
図、図３は現像処理装置の全体構造を示すブロック図、
図４は現像処理装置による現像処理方法を示すシーケン
スチャート、図５は現像処理装置による現像処理方法を
示すフローチャート、である。
【００３８】本実施の形態の現像処理装置３００も、図
１ないし図３に示すように、そのハードウェアの構成は
前述した従来例の現像処理装置１００と同一であり、ウ
ェハ保持手段であるウェハチャック機構３０２、ウェハ
回転手段であるウェハ回転機構３０４、現像液供給手段
である現像液供給機構３０５、洗浄液供給手段である洗
浄液供給機構３０６、ノズル移動機構３１１、コンピュ
ータからなる現像制御装置である動作制御回路３１２、
等を具備している。
１ないし図３に示すように、そのハードウェアの構成は
前述した従来例の現像処理装置１００と同一であり、ウ
ェハ保持手段であるウェハチャック機構３０２、ウェハ
回転手段であるウェハ回転機構３０４、現像液供給手段
である現像液供給機構３０５、洗浄液供給手段である洗
浄液供給機構３０６、ノズル移動機構３１１、コンピュ
ータからなる現像制御装置である動作制御回路３１２、
等を具備している。
【００３９】ただし、本実施の形態の現像処理装置３０
０では、動作制御回路３１２に実装されている制御プロ
グラムの内容が前述した従来例の現像処理装置１００と
は相違しているため、各種機構３０４〜３０６，３１１
等による現像処理の一連の動作の内容が前述した従来例
の現像処理装置１００とは相違している。
０では、動作制御回路３１２に実装されている制御プロ
グラムの内容が前述した従来例の現像処理装置１００と
は相違しているため、各種機構３０４〜３０６，３１１
等による現像処理の一連の動作の内容が前述した従来例
の現像処理装置１００とは相違している。
【００４０】つまり、本実施の形態の現像処理装置３０
０では、動作制御回路３１２が実装プログラムに対応し
て動作することにより、洗浄制御手段、現像制御手段、
ウェハ洗浄手段、等として機能するため、ウェハチャッ
ク機構３０２により保持されて現像液供給機構３０５に
より現像液３０７が供給されていないシリコンウェハ３
０１の表面に、動作制御回路３１２が洗浄液供給機構３
０６により純水３０８を供給させてパドルを形成させ
る。
０では、動作制御回路３１２が実装プログラムに対応し
て動作することにより、洗浄制御手段、現像制御手段、
ウェハ洗浄手段、等として機能するため、ウェハチャッ
ク機構３０２により保持されて現像液供給機構３０５に
より現像液３０７が供給されていないシリコンウェハ３
０１の表面に、動作制御回路３１２が洗浄液供給機構３
０６により純水３０８を供給させてパドルを形成させ
る。
【００４１】さらに、この純水３０８のパドルが形成さ
れてから、動作制御回路３１２がウェハ回転機構３０４
による回転と現像液供給機構３０５による現像液３０７
の供給とを開始させ、この現像液３０７によるフォトレ
ジストの現像が完了してから、動作制御回路３１２が洗
浄液供給機構３０６によりシリコンウェハ３０１の表面
に純水３０８を供給させて現像液３０７を排除させる。
れてから、動作制御回路３１２がウェハ回転機構３０４
による回転と現像液供給機構３０５による現像液３０７
の供給とを開始させ、この現像液３０７によるフォトレ
ジストの現像が完了してから、動作制御回路３１２が洗
浄液供給機構３０６によりシリコンウェハ３０１の表面
に純水３０８を供給させて現像液３０７を排除させる。
【００４２】なお、本実施の形態の現像処理装置３００
では、現像液供給機構３０５に減圧ポンプ等からなる現
像脱気手段が接続されており、この現像脱気手段が現像
液供給機構３０５からシリコンウェハ３０１の表面に供
給される現像液３０７を脱気する。
では、現像液供給機構３０５に減圧ポンプ等からなる現
像脱気手段が接続されており、この現像脱気手段が現像
液供給機構３０５からシリコンウェハ３０１の表面に供
給される現像液３０７を脱気する。
【００４３】上述のような構成において、本実施の形態
の現像処理装置３００による現像処理方法を以下に順番
に説明する。まず、図１(ａ)に示すように、最初にフォ
トレジストが表面に塗布されたシリコンウェハ３０１が
ウェハチャック機構３０２により水平に保持されると、
図４に示すように、この保持されたシリコンウェハ３０
１がウェハ回転機構３０４により高速回転される。
の現像処理装置３００による現像処理方法を以下に順番
に説明する。まず、図１(ａ)に示すように、最初にフォ
トレジストが表面に塗布されたシリコンウェハ３０１が
ウェハチャック機構３０２により水平に保持されると、
図４に示すように、この保持されたシリコンウェハ３０
１がウェハ回転機構３０４により高速回転される。
【００４４】このような状態で、同図に示すように、
洗浄液供給機構３０６の洗浄ノズル３１０がノズル移動
機構３１１によりシリコンウェハ３０１の表面と対向す
る位置に移動され、図１(ｂ)および図４に示すよう
に、高速回転されるシリコンウェハ３０１の表面に純水
３０８が供給される。
洗浄液供給機構３０６の洗浄ノズル３１０がノズル移動
機構３１１によりシリコンウェハ３０１の表面と対向す
る位置に移動され、図１(ｂ)および図４に示すよう
に、高速回転されるシリコンウェハ３０１の表面に純水
３０８が供給される。
【００４５】このように純水３０８が供給されながらシ
リコンウェハ３０１の回転速度が順次低下され、このシ
リコンウェハ３０１の回転が所定速度まで低下したら純
水３０８の供給が終了されるので、図１(ｃ)に示すよう
に、これでシリコンウェハ３０１の表面に純水３０８の
パドルが形成される。
リコンウェハ３０１の回転速度が順次低下され、このシ
リコンウェハ３０１の回転が所定速度まで低下したら純
水３０８の供給が終了されるので、図１(ｃ)に示すよう
に、これでシリコンウェハ３０１の表面に純水３０８の
パドルが形成される。
【００４６】このような状態で、図４に示すように、
現像液供給機構３０５の現像ノズル３０９がノズル移動
機構３１１によりシリコンウェハ３０１の表面と対向す
る位置に移動され、図１(ｄ)および図４に示すよう
に、シリコンウェハ３０１が高速回転されるとともに現
像液３０７が供給されるので、この現像液３０７は純水
３０８のパドルが事前に形成されているシリコンウェハ
３０１の表面に供給されることになる。
現像液供給機構３０５の現像ノズル３０９がノズル移動
機構３１１によりシリコンウェハ３０１の表面と対向す
る位置に移動され、図１(ｄ)および図４に示すよう
に、シリコンウェハ３０１が高速回転されるとともに現
像液３０７が供給されるので、この現像液３０７は純水
３０８のパドルが事前に形成されているシリコンウェハ
３０１の表面に供給されることになる。
【００４７】このように現像液３０７が供給されながら
シリコンウェハ３０１の回転速度が順次上昇されてから
順次低下され、このシリコンウェハ３０１の回転が所定
速度まで低下したら現像液３０７の供給が終了される。
この過程でシリコンウェハ３０１の表面から純水３０８
は順次排除されて現像液３０７のパドルが形成されるの
で、図１(ｅ)および図４に示すように、この現像液３
０７のパドルがシリコンウェハ３０１の表面に形成され
た状態を所定時間まで継続することでフォトレジストが
現像される。
シリコンウェハ３０１の回転速度が順次上昇されてから
順次低下され、このシリコンウェハ３０１の回転が所定
速度まで低下したら現像液３０７の供給が終了される。
この過程でシリコンウェハ３０１の表面から純水３０８
は順次排除されて現像液３０７のパドルが形成されるの
で、図１(ｅ)および図４に示すように、この現像液３
０７のパドルがシリコンウェハ３０１の表面に形成され
た状態を所定時間まで継続することでフォトレジストが
現像される。
【００４８】以下は一従来例の現像処理装置１００によ
る現像処理方法と同一であり、所定時間が経過したらシ
リコンウェハ３０１が高速回転されて純水３０８により
現像液３０７が排除され、純水３０８の供給が終了され
てシリコンウェハ３０１の表面が風乾される。
る現像処理方法と同一であり、所定時間が経過したらシ
リコンウェハ３０１が高速回転されて純水３０８により
現像液３０７が排除され、純水３０８の供給が終了され
てシリコンウェハ３０１の表面が風乾される。
【００４９】本実施の形態の現像処理装置３００では、
上述のように最初に現像液供給機構３０５により現像液
３０７が供給されていないシリコンウェハ３０１の表面
に洗浄液供給機構３０６から純水３０８を供給してパド
ルを形成し、この純水３０８のパドルが形成されてから
シリコンウェハ３０１にウェハ回転機構３０４による回
転と現像液供給機構３０５による現像液３０７の供給と
が開始される。
上述のように最初に現像液供給機構３０５により現像液
３０７が供給されていないシリコンウェハ３０１の表面
に洗浄液供給機構３０６から純水３０８を供給してパド
ルを形成し、この純水３０８のパドルが形成されてから
シリコンウェハ３０１にウェハ回転機構３０４による回
転と現像液供給機構３０５による現像液３０７の供給と
が開始される。
【００５０】このため、シリコンウェハ３０１の表面に
供給される現像液３０７からミストが発生し、現像ノズ
ル３０９に付着して現像液３０７とともにシリコンウェ
ハ３０１に供給されても、この供給される現像液３０７
に含まれる不純物は純水３０８のパドルにより浮遊して
シリコンウェハ３０１の表面に付着しない。
供給される現像液３０７からミストが発生し、現像ノズ
ル３０９に付着して現像液３０７とともにシリコンウェ
ハ３０１に供給されても、この供給される現像液３０７
に含まれる不純物は純水３０８のパドルにより浮遊して
シリコンウェハ３０１の表面に付着しない。
【００５１】このため、本実施の形態の現像処理装置３
００による現像処理方法では、シリコンウェハ３０１の
表面のフォトレジストのレジストパターンに現像不良が
発生することがなく、フォトレジストを良好に現像処理
して製造する半導体集積回路の歩留りを向上させること
ができる。
００による現像処理方法では、シリコンウェハ３０１の
表面のフォトレジストのレジストパターンに現像不良が
発生することがなく、フォトレジストを良好に現像処理
して製造する半導体集積回路の歩留りを向上させること
ができる。
【００５２】しかも、このようにレジストパターンの現
像不良を防止するためにシリコンウェハ３０１の表面に
純水３０８を供給する洗浄液供給機構３０６が、現像処
理が完了したシリコンウェハ３０１の表面から現像液３
０７を排除するために純水３０８を供給する洗浄液供給
機構３０６と兼用なので、専用のハードウェアを増設す
ることなく現像処理装置３００を簡単に実現することが
できる。
像不良を防止するためにシリコンウェハ３０１の表面に
純水３０８を供給する洗浄液供給機構３０６が、現像処
理が完了したシリコンウェハ３０１の表面から現像液３
０７を排除するために純水３０８を供給する洗浄液供給
機構３０６と兼用なので、専用のハードウェアを増設す
ることなく現像処理装置３００を簡単に実現することが
できる。
【００５３】さらに、本実施の形態の現像処理装置３０
０では、現像液供給機構３０５からシリコンウェハ３０
１の表面に供給される現像液３０７が現像脱気手段によ
り脱気されるので、気泡が存在する現像液３０７がフォ
トレジストの表面に供給されることはない。
０では、現像液供給機構３０５からシリコンウェハ３０
１の表面に供給される現像液３０７が現像脱気手段によ
り脱気されるので、気泡が存在する現像液３０７がフォ
トレジストの表面に供給されることはない。
【００５４】このため、現像液３０７の気泡によりシリ
コンウェハ３０１の表面のフォトレジストのレジストパ
ターンに現像不良が発生することはなく、この現像液３
０７の気泡によるレジストパターンの現像不良を防止す
るようにシリコンウェハ３０１の表面に純水３０８のパ
ドルを形成する必要はない。
コンウェハ３０１の表面のフォトレジストのレジストパ
ターンに現像不良が発生することはなく、この現像液３
０７の気泡によるレジストパターンの現像不良を防止す
るようにシリコンウェハ３０１の表面に純水３０８のパ
ドルを形成する必要はない。
【００５５】なお、本発明は上記形態に限定されるもの
ではなく、その要旨を逸脱しない範囲で各種の変形を許
容する。例えば、上記形態では現像／洗浄ノズル３０
９，３１０がノズル移動機構３１１によりシリコンウェ
ハ３０１に対向した位置と退避した位置とに移動自在に
支持されている現像処理装置３００を例示したが、図６
に示すように、本発明はシリコンウェハ３０１の中心に
対向した位置に現像／洗浄ノズル３０９，３１０がとも
に配置されている現像処理装置４００にも適用可能であ
る。
ではなく、その要旨を逸脱しない範囲で各種の変形を許
容する。例えば、上記形態では現像／洗浄ノズル３０
９，３１０がノズル移動機構３１１によりシリコンウェ
ハ３０１に対向した位置と退避した位置とに移動自在に
支持されている現像処理装置３００を例示したが、図６
に示すように、本発明はシリコンウェハ３０１の中心に
対向した位置に現像／洗浄ノズル３０９，３１０がとも
に配置されている現像処理装置４００にも適用可能であ
る。
【００５６】その場合、上記形態のように純水３０８の
パドルを形成してから現像液３０７の供給とシリコンウ
ェハ３０１の回転とを開始することも可能であるが、以
下のような処理動作が可能である。つまり、図８および
図７に示すように、最初にウェハ回転機構３０４によ
りシリコンウェハ３０１を回転させ、その表面と対向す
る位置に現像／洗浄ノズル３０９，３１０をセットす
る。
パドルを形成してから現像液３０７の供給とシリコンウ
ェハ３０１の回転とを開始することも可能であるが、以
下のような処理動作が可能である。つまり、図８および
図７に示すように、最初にウェハ回転機構３０４によ
りシリコンウェハ３０１を回転させ、その表面と対向す
る位置に現像／洗浄ノズル３０９，３１０をセットす
る。
【００５７】つぎに、図７に示すように、現像液供給
機構３０５により現像液３０７が供給されていないシリ
コンウェハ３０１の表面に洗浄液供給機構３０６により
純水３０８を供給させ、同図に示すように、この回転
されながら純水３０８が供給されるシリコンウェハ３０
１の表面に現像液供給機構３０５により現像液３０７を
供給させる。この現像液３０７の供給が開始されてから
純水３０８の供給を終了させ、この純水３０８の供給が
終了されてから現像液３０７の供給を終了させ、以下は
従来と同様に処理する。
機構３０５により現像液３０７が供給されていないシリ
コンウェハ３０１の表面に洗浄液供給機構３０６により
純水３０８を供給させ、同図に示すように、この回転
されながら純水３０８が供給されるシリコンウェハ３０
１の表面に現像液供給機構３０５により現像液３０７を
供給させる。この現像液３０７の供給が開始されてから
純水３０８の供給を終了させ、この純水３０８の供給が
終了されてから現像液３０７の供給を終了させ、以下は
従来と同様に処理する。
【００５８】この場合、シリコンウェハ３０１の表面に
最初は純水３０８のみが供給され、途中から純水３０８
と現像液３０７とが供給され、最後は現像液３０７のみ
が供給されるので、やはり汚染物の付着を解消してレジ
ストパターンの現像不良を防止することができ、フォト
レジストを良好に現像処理することができる。
最初は純水３０８のみが供給され、途中から純水３０８
と現像液３０７とが供給され、最後は現像液３０７のみ
が供給されるので、やはり汚染物の付着を解消してレジ
ストパターンの現像不良を防止することができ、フォト
レジストを良好に現像処理することができる。
【００５９】なお、上述のようにシリコンウェハ３０１
の中心に現像／洗浄ノズル３０９，３１０がともに対向
している現像処理装置４００による現像処理方法では、
やはり現像処理の作業中に現像／洗浄ノズル１０９，１
１０を移動させる必要がないので、前述した現像処理装
置３００による現像処理方法より作業を迅速に完了する
ことができる。
の中心に現像／洗浄ノズル３０９，３１０がともに対向
している現像処理装置４００による現像処理方法では、
やはり現像処理の作業中に現像／洗浄ノズル１０９，１
１０を移動させる必要がないので、前述した現像処理装
置３００による現像処理方法より作業を迅速に完了する
ことができる。
【００６０】さらに、上記形態では洗浄液として純水３
０８を利用することを例示したが、このような洗浄液と
しては風乾させても残留物が発生せずフォトレジストに
影響することなく現像液３０７を洗浄できる液体であれ
ば良く、例えば、アルコール、純水に界面活性剤を混入
させた溶液、等も利用可能である。
０８を利用することを例示したが、このような洗浄液と
しては風乾させても残留物が発生せずフォトレジストに
影響することなく現像液３０７を洗浄できる液体であれ
ば良く、例えば、アルコール、純水に界面活性剤を混入
させた溶液、等も利用可能である。
【００６１】また、上記形態ではコンピュータからなる
動作制御回路３１２に事前に適正なソフトウェアが実装
されていることで洗浄制御手段や現像制御手段などの各
種手段が実現されることを例示したが、このような各種
手段を各々専用のハードウェアとして形成することも可
能であり、一部をソフトウェアで実現するとともに一部
をハードウェアとして形成することも可能である。
動作制御回路３１２に事前に適正なソフトウェアが実装
されていることで洗浄制御手段や現像制御手段などの各
種手段が実現されることを例示したが、このような各種
手段を各々専用のハードウェアとして形成することも可
能であり、一部をソフトウェアで実現するとともに一部
をハードウェアとして形成することも可能である。
【００６２】
【発明の効果】本発明の現像処理装置による現像処理方
法では、最初にウェハ保持手段により保持されて現像液
供給手段により現像液が供給されていないシリコンウェ
ハの表面に洗浄液供給手段から洗浄液を供給してパドル
を形成し、この洗浄液のパドルが形成されてからウェハ
回転手段による回転と現像液供給手段による現像液の供
給とが開始されることにより、現像液は洗浄液のパドル
が事前に形成されているシリコンウェハの表面に供給さ
れるので、ミストが現像ノズルに付着したことにより現
像液とともに供給される不純物が純水のパドルにより浮
遊してシリコンウェハの表面に付着しないので、シリコ
ンウェハの表面のフォトレジストのレジストパターンに
現像不良が発生することがなく、フォトレジストを良好
に現像処理して製造する半導体集積回路の歩留りを向上
させることができる。
法では、最初にウェハ保持手段により保持されて現像液
供給手段により現像液が供給されていないシリコンウェ
ハの表面に洗浄液供給手段から洗浄液を供給してパドル
を形成し、この洗浄液のパドルが形成されてからウェハ
回転手段による回転と現像液供給手段による現像液の供
給とが開始されることにより、現像液は洗浄液のパドル
が事前に形成されているシリコンウェハの表面に供給さ
れるので、ミストが現像ノズルに付着したことにより現
像液とともに供給される不純物が純水のパドルにより浮
遊してシリコンウェハの表面に付着しないので、シリコ
ンウェハの表面のフォトレジストのレジストパターンに
現像不良が発生することがなく、フォトレジストを良好
に現像処理して製造する半導体集積回路の歩留りを向上
させることができる。
【００６３】本発明の他の現像処理装置による現像処理
方法では、ウェハ保持手段により保持されて現像液供給
手段により現像液が供給されていないシリコンウェハが
ウェハ回転手段により回転されるとともに表面に洗浄液
供給手段により洗浄液が供給され、この回転されながら
洗浄液が供給されるシリコンウェハの表面に現像液供給
手段により現像液が供給されることにより、現像液は事
前に洗浄液が供給されているシリコンウェハの表面に供
給されるので、ミストが現像ノズルに付着したことによ
り現像液とともに供給される不純物が純水のパドルによ
り浮遊してシリコンウェハの表面に付着しないので、シ
リコンウェハの表面のフォトレジストのレジストパター
ンに現像不良が発生することがなく、フォトレジストを
良好に現像処理して製造する半導体集積回路の歩留りを
向上させることができる。
方法では、ウェハ保持手段により保持されて現像液供給
手段により現像液が供給されていないシリコンウェハが
ウェハ回転手段により回転されるとともに表面に洗浄液
供給手段により洗浄液が供給され、この回転されながら
洗浄液が供給されるシリコンウェハの表面に現像液供給
手段により現像液が供給されることにより、現像液は事
前に洗浄液が供給されているシリコンウェハの表面に供
給されるので、ミストが現像ノズルに付着したことによ
り現像液とともに供給される不純物が純水のパドルによ
り浮遊してシリコンウェハの表面に付着しないので、シ
リコンウェハの表面のフォトレジストのレジストパター
ンに現像不良が発生することがなく、フォトレジストを
良好に現像処理して製造する半導体集積回路の歩留りを
向上させることができる。
【００６４】また、本発明の現像処理装置の他の態様と
しては、シリコンウェハの表面に洗浄液と現像液とが供
給されている状態から、最初に洗浄液の供給が終了さ
れ、それから現像液の供給が終了されることにより、シ
リコンウェハの表面のフォトレジストを最終的には単独
で供給される現像液により良好に現像することができ
る。
しては、シリコンウェハの表面に洗浄液と現像液とが供
給されている状態から、最初に洗浄液の供給が終了さ
れ、それから現像液の供給が終了されることにより、シ
リコンウェハの表面のフォトレジストを最終的には単独
で供給される現像液により良好に現像することができ
る。
【００６５】また、現像処理が完了したシリコンウェハ
の表面の現像液が洗浄液により排除されることにより、
現像液の供給以前にシリコンウェハに洗浄液を供給する
手段が、シリコンウェハから現像液を排除する洗浄液を
供給する手段と兼用されるので、従来の構造に専用のハ
ードウェアを追加する必要がなく、簡単な構造で露光欠
陥を防止することができる。
の表面の現像液が洗浄液により排除されることにより、
現像液の供給以前にシリコンウェハに洗浄液を供給する
手段が、シリコンウェハから現像液を排除する洗浄液を
供給する手段と兼用されるので、従来の構造に専用のハ
ードウェアを追加する必要がなく、簡単な構造で露光欠
陥を防止することができる。
【図１】本発明の実施の一形態の現像処理装置による現
像処理方法を示す工程図である。
像処理方法を示す工程図である。
【図２】現像処理装置の要部の構造を示す斜視図であ
る。
る。
【図３】現像処理装置の全体構造を示すブロック図であ
る。
る。
【図４】現像処理装置による現像処理方法を示すシーケ
ンスチャートである。
ンスチャートである。
【図５】現像処理装置による現像処理方法を示すフロー
チャートである。
チャートである。
【図６】現像処理装置の要部の構造を示す斜視図であ
る。
る。
【図７】本発明の一変形例の現像処理装置による現像処
理方法を示すシーケンスチャートである。
理方法を示すシーケンスチャートである。
【図８】現像処理装置による現像処理方法を示すフロー
チャートである。
チャートである。
【図９】第一の従来例の現像処理装置の要部の構造を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図１０】図９の平面図である。
【図１１】現像処理装置の全体構造を示すブロック図で
ある。
ある。
【図１２】現像処理装置による現像処理方法を示す工程
図である。
図である。
【図１３】現像処理装置による現像処理方法を示すシー
ケンスチャートである。
ケンスチャートである。
【図１４】第二の従来例の現像処理装置の要部の構造を
示す斜視図および平面図である。
示す斜視図および平面図である。
１０１，３０１ シリコンウェハ
１０２，３０２ ウェハ保持手段であるウェハチャッ
ク機構 １０３ 回転軸 １０４，３０４ ウェハ回転手段であるウェハ回転機
構 １０５，３０５ 現像液供給手段である現像液供給機
構 １０６，３０６ 洗浄液供給手段である洗浄液供給機
構 １０７，３０７ 現像液 １０８，３０８ 洗浄液である純水 １０９，３０９ 現像ノズル １１０，３１０ 洗浄ノズル １１１，３１１ ノズル移動機構 １１２，３１２ 各種手段として機能するコンピュー
タからなる現像制御装置である動作制御回路 １００，２００，３００，４００ 現像処理装置
ク機構 １０３ 回転軸 １０４，３０４ ウェハ回転手段であるウェハ回転機
構 １０５，３０５ 現像液供給手段である現像液供給機
構 １０６，３０６ 洗浄液供給手段である洗浄液供給機
構 １０７，３０７ 現像液 １０８，３０８ 洗浄液である純水 １０９，３０９ 現像ノズル １１０，３１０ 洗浄ノズル １１１，３１１ ノズル移動機構 １１２，３１２ 各種手段として機能するコンピュー
タからなる現像制御装置である動作制御回路 １００，２００，３００，４００ 現像処理装置
Claims (13)
- 【請求項１】 シリコンウェハの表面に塗布されて露光
されたフォトレジストを現像液により現像処理する現像
処理方法であって、 前記シリコンウェハを前記フォトレジストが塗布された
表面が水平な上面となる状態に保持し、 この保持されて前記現像液が供給されていない前記シリ
コンウェハを水平方向に回転させ、 この回転されている 前記シリコンウェハの表面に洗浄液
供給手段から洗浄液を供給し、 この洗浄液が供給されている前記シリコンウェハの回転
速度を停止状態まで順次低下させ、 この回転速度が所定速度まで低下したときに前記洗浄液
の供給を終了させて 前記シリコンウェハの表面に前記洗
浄液のパドルを形成し、 この洗浄液のパドルが形成された前記シリコンウェハを
回転させるとともに表面に現像液供給手段から前記現像
液を供給するようにした現像処理方法。 - 【請求項２】 シリコンウェハの表面に塗布されて露光
されたフォトレジストを現像液により現像処理する現像
処理方法であって、 前記シリコンウェハを前記フォトレジストが塗布された
表面が水平な上面となる状態に保持し、 この保持されて前記現像液が供給されていない前記シリ
コンウェハを水平方向に回転させ、 この回転されている 前記シリコンウェハの表面に洗浄液
供給手段から洗浄液を供給し、 この回転されながら前記洗浄液が供給される前記シリコ
ンウェハの表面に現像液供給手段から前記現像液を供給
し、 この現像液の供給が開始されてから前記洗浄液の供給を
終了させ、 この洗浄液の供給が終了されてから前記現像液の供給を
終了させ るようにした現像処理方法。 - 【請求項３】 現像処理が完了した前記シリコンウェハ
の表面に前記洗浄液 供給手段により洗浄液を供給させて
前記現像液を排除させるようにした請求項１または２の
何れか一項に記載の現像処理方法。 - 【請求項４】 シリコンウェハの表面に塗布されて露光
されたフォトレジストを現像液により現像処理する現像
処理装置であって、 前記シリコンウェハを前記フォトレジストが塗布された
表面が水平な上面となる状態に保持するウェハ保持手段
と、 このウェハ保持手段により保持された前記シリコンウェ
ハを水平方向に回転させるウェハ回転手段と、 前記ウェハ保持手段により保持された前記シリコンウェ
ハの表面に現像液を供給する現像液供給手段と、 前記ウェハ保持手段により保持された前記シリコンウェ
ハの表面に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、 前記ウェハ保持手段により保持されて前記現像液供給手
段により現像液が供給されていない前記シリコンウェハ
を前記ウェハ回転手段により回転させ、この回転されて
いる前記シリコンウェハの表面に前記洗浄液供給手段に
より洗浄液を供給させ、この洗浄液が供給されている前
記シリコンウェハの回転速度を停止状態まで順次低下さ
せ、この回転速度が所定速度まで低下したときに前記洗
浄液の供給を終了させて前記シリコンウェハの表面に前
記洗浄液のパドルを形成させる洗浄制御手段と、 この洗浄制御手段により前記パドルが形成されてから前
記ウェハ回転手段による回転と前記現像液供給手段によ
る現像液の供給とを開始させる現像制御手段と、 を具備している現像処理装置。 - 【請求項５】 シリコンウェハの表面に塗布されて露光
されたフォトレジストを現像液により現像処理する現像
処理装置であって、 前記シリコンウェハを前記フォトレジストが塗布された
表面が水平な上面となる状態に保持するウェハ保持手段
と、 このウェハ保持手段により保持された前記シリコンウェ
ハを水平方向に回転させるウェハ回転手段と、 前記ウェハ保持手段により保持された前記シリコンウェ
ハの表面に現像液を供給する現像液供給手段と、 前記ウェハ保持手段により保持された前記シリコンウェ
ハの表面に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、 前記ウェハ保持手段により保持されて前記現像液供給手
段により現像液が供給されていない前記シリコンウェハ
を前記ウェハ回転手段により回転させるとともに表面に
前記洗浄液供給手段により洗浄液を供給させる洗浄制御
手段と、 この洗浄制御手段により回転されながら前記洗浄液が供
給される前記シリコンウェハの表面に前記現像液供給手
段により現像液を供給させる現像制御手段と、を具備し
ており、 前記洗浄制御手段は、前記現像液の供給が開始されてか
ら前記洗浄液の供給を終了させ、 前記現像制御手段は、前記洗浄液の供給が終了されてか
ら前記現像液の供給を終了させる 現像処理装置。 - 【請求項６】 現像処理が完了した前記シリコンウェハ
の表面に前記洗浄液供給手段により洗浄液を供給させて
前記現像液を排除させるウェハ洗浄手段も具備している
請求項４または５に記載の現像処理装置。 - 【請求項７】 前記シリコンウェハの表面に供給される
前記現像液を脱気する現像脱気手段も具備している請求
項３ないし６の何れか一項に記載の現像処理装置。 - 【請求項８】 シリコンウェハをフォトレジストが塗布
された表面が水平な上面となる状態に保持するウェハ保
持手段と、このウェハ保持手段により保持された前記シ
リコンウェハを水平方向に回転させるウェハ回転手段
と、前記ウェハ保持手段により保持された前記シリコン
ウェハの表面に現像液を供給する現像液供給手段と、前
記ウェハ保持手段により保持された前記シリコンウェハ
の表面に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、前記ウェ
ハ保持手段と前記ウェハ回転手段と前記洗浄液供給手段
と前記現像液供給手段との動作を統合制御する現像制御
装置と、を具備しており、前記シリコンウェハの表面に
塗布されて露光された前記フォトレジストを前記現像液
により現像処理する現像処理装置において、 前記ウェハ保持手段により保持されて前記現像液供給手
段により現像液が供給されていない前記シリコンウェハ
を前記ウェハ回転手段により回転させ、この回転されて
いる前記シリコンウェハの表面に前記洗浄液供給手段に
より洗浄液を供給させ、この洗浄液が供給されている前
記シリコンウェハの回転速度を停止状態まで順次低下さ
せ、この回転速度が所定速度まで低下したときに前記洗
浄液の供給を終了させて前記シリコンウェハの表面に前
記洗浄液のパドルを形成させる洗浄制御手段と、 この洗浄制御手段により前記パドルが形成されてから前
記ウェハ回転手段による回転と前記現像液供給手段によ
る現像液の供給とを開始させる現像制御手段と、 を具備している現像制御装置。 - 【請求項９】 シリコンウェハをフォトレジストが塗布
された表面が水平な上面となる状態に保持するウェハ保
持手段と、このウェハ保持手段により保持された前記シ
リコンウェハを水平方向に回転させるウェハ回転手段
と、前記ウェハ保持手段により保持された前記シリコン
ウェハの表面に現像液を供給する現像液供給手段と、前
記ウェハ保持手段により保持された前記シリコンウェハ
の表面に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、前記ウェ
ハ保持手段と前記ウェハ回転手段と前記洗浄液供給手段
と前記現像液供給手段との動作を統合制御する現像制御
装置と、を具備しており、前記シリコンウェハの表面に
塗布されて露光された前記フォトレジストを前記現像液
により現像処理する現像処理装置において、 前記ウェハ保持手段により保持されて前記現像液供給手
段により現像液が供給されていない前記シリコンウェハ
を前記ウェハ回転手段により回転させるとともに表面に
前記洗浄液供給手段により洗浄液を供給させる洗浄制御
手段と、 この洗浄制御手段により回転されながら前記洗浄液が供
給される前記シリコンウェハの表面に前記現像液供給手
段により現像液を供給させる現像制御手段と、を具備し
ており、 前記洗浄制御手段は、前記現像液の供給が開始されてか
ら前記洗浄液の供給を終了させ、 前記現像制御手段は、前記洗浄液の供給が終了されてか
ら前記現像液の供給を 終了させる 現像制御装置。 - 【請求項１０】 現像処理が完了した前記シリコンウェ
ハの表面に前記洗浄液供給手段により洗浄液を供給させ
て前記現像液を排除させるウェハ洗浄手段も具備してい
る請求項８または９に記載の現像制御装置。 - 【請求項１１】 シリコンウェハをフォトレジストが塗
布された表面が水平な上面となる状態に保持するウェハ
保持手段と、このウェハ保持手段により保持された前記
シリコンウェハを水平方向に回転させるウェハ回転手段
と、前記ウェハ保持手段により保持された前記シリコン
ウェハの表面に現像液を供給する現像液供給手段と、前
記ウェハ保持手段により保持された前記シリコンウェハ
の表面に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、前記ウェ
ハ保持手段と前記ウェハ回転手段と前記洗浄液供給手段
と前記現像液供給手段との動作を統合制御するコンピュ
ータと、を具備しており、前記シリコンウェハの表面に
塗布されて露光された前記フォトレジストを前記現像液
により現像処理する現像処理装置において、 前記ウェハ保持手段により保持されて前記現像液供給手
段により現像液が供給されていない前記シリコンウェハ
を前記ウェハ回転手段により回転させること、 この回転されている 前記シリコンウェハの表面に前記洗
浄液供給手段により洗浄液を供給させること、 この洗浄液が供給されている前記シリコンウェハの回転
速度を停止状態まで順次低下させること、 この回転速度が所定速度まで低下したときに前記洗浄液
の供給を終了させて前記シリコンウェハの表面に前記洗
浄液の パドルを形成させること、 この洗浄液のパドルが形成されてから前記ウェハ回転手
段による回転と前記現像液供給手段による現像液の供給
とを開始させること、 を前記コンピュータに実行させるためのプログラムが格
納されていることを特徴とする情報記憶媒体。 - 【請求項１２】 シリコンウェハをフォトレジストが塗
布された表面が水平な上面となる状態に保持するウェハ
保持手段と、このウェハ保持手段により保持された前記
シリコンウェハを水平方向に回転させるウェハ回転手段
と、前記ウェハ保持手段により保持された前記シリコン
ウェハの表面に現像液を供給する現像液供給手段と、前
記ウェハ保持手段により保持された前記シリコンウェハ
の表面に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、前記ウェ
ハ保持手段と前記ウェハ回転手段と前記洗浄液供給手段
と前記現像液供給手段との動作を統合制御するコンピュ
ータと、を具備しており、前記シリコンウェハの表面に
塗布されて露光された前記フォトレジストを前記現像液
により現像処理する現像処理装置において、 前記ウェハ保持手段により保持されて前記現像液供給手
段により現像液が供給されていない前記シリコンウェハ
を前記ウェハ回転手段により回転させるとともに表面に
前記洗浄液供給手段により洗浄液を供給させること、 この回転されながら前記洗浄液が供給される前記シリコ
ンウェハの表面に前記現像液供給手段により現像液を供
給させること、この現像液の供給が開始されてから前記洗浄液の供給を
終了させること、 この洗浄液の供給が終了されてから前記現像液の供給を
終了させること、 を前記コンピュータに実行させるためのプログラムが格
納されていることを特徴とする情報記憶媒体。 - 【請求項１３】 現像処理が完了した前記シリコンウェ
ハの表面に前記洗浄液供給手段により洗浄液を供給させ
て前記現像液を排除させること、を前記コンピュータに
実行させるためのプログラムも格納されていることを特
徴とする請求項１１または１２に記載の情報記憶媒体。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000026206A JP3362781B2 (ja) | 2000-02-03 | 2000-02-03 | 現像処理方法および装置、現像制御装置、情報記憶媒体 |
| US09/772,291 US6548228B2 (en) | 2000-02-03 | 2001-01-29 | Method of and apparatus for developing exposed photoresist to prevent impurity from being attached to wafer surface |
| TW090102020A TW514979B (en) | 2000-02-03 | 2001-02-01 | Method of and apparatus for developing exposed photoresist to prevent impurity from being attached to wafer surface |
| GB0102564A GB2360599A (en) | 2000-02-03 | 2001-02-01 | Method of, and apparatus for, developing exposed photoresist |
| GB0318458A GB2393522A (en) | 2000-02-03 | 2001-02-01 | Method of and apparatus for developing exposed photoresist to prevent impurities from being attached to a wafer surface |
| KR10-2001-0005056A KR100386712B1 (ko) | 2000-02-03 | 2001-02-02 | 웨이퍼 표면으로 불순물의 부착을 방지하는 노광된포토레지스트 현상 처리 방법 및 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000026206A JP3362781B2 (ja) | 2000-02-03 | 2000-02-03 | 現像処理方法および装置、現像制御装置、情報記憶媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001217181A JP2001217181A (ja) | 2001-08-10 |
| JP3362781B2 true JP3362781B2 (ja) | 2003-01-07 |
Family
ID=18551966
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000026206A Expired - Fee Related JP3362781B2 (ja) | 2000-02-03 | 2000-02-03 | 現像処理方法および装置、現像制御装置、情報記憶媒体 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6548228B2 (ja) |
| JP (1) | JP3362781B2 (ja) |
| KR (1) | KR100386712B1 (ja) |
| GB (1) | GB2360599A (ja) |
| TW (1) | TW514979B (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6372408B1 (en) * | 2000-06-21 | 2002-04-16 | Infineon Technologies Ag | Method of reducing post-development defects in and around openings formed in photoresist by use of multiple development/rinse cycles |
| US6559072B2 (en) * | 2001-08-30 | 2003-05-06 | Micron Technology, Inc. | Develop processing method of a resist surface of a substrate for reduced processing time and reduced defect density |
| US6811955B2 (en) * | 2002-09-04 | 2004-11-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Method for photoresist development with improved CD |
| SG171468A1 (en) * | 2002-12-10 | 2011-06-29 | Nikon Corp | Exposure apparatus and method for producing device |
| WO2005043608A1 (en) * | 2003-10-31 | 2005-05-12 | Ebara Corporation | A processing liquid coating apparatus and a processing liquid coating method |
| TW200627549A (en) * | 2004-10-20 | 2006-08-01 | Koninkl Philips Electronics Nv | Dynamic development process with de-ionized water puddle |
| US7521374B2 (en) * | 2004-11-23 | 2009-04-21 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for cleaning semiconductor substrates |
| JP4794232B2 (ja) * | 2004-12-06 | 2011-10-19 | 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ | 基板処理装置 |
| JP5154007B2 (ja) | 2004-12-06 | 2013-02-27 | 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ | 基板処理装置 |
| JP4519751B2 (ja) * | 2005-09-30 | 2010-08-04 | 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ | 基板現像方法および基板現像装置 |
| JP5308045B2 (ja) * | 2008-03-24 | 2013-10-09 | 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ | 現像方法 |
| KR101075287B1 (ko) * | 2008-03-24 | 2011-10-19 | 가부시키가이샤 소쿠도 | 현상장치 및 현상방법 |
| JP7372384B1 (ja) | 2022-04-13 | 2023-10-31 | セメス株式会社 | 基板処理装置および方法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4422904A (en) | 1981-12-11 | 1983-12-27 | Discovision Associates | Method for forming video discs |
| JPS60124821A (ja) | 1983-12-09 | 1985-07-03 | Toshiba Corp | 半導体基体に被着されたポジレジスト現像方法 |
| JPH01268125A (ja) * | 1988-04-20 | 1989-10-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体ウエハ周縁部のレジスト膜除去方法 |
| JPH07142344A (ja) | 1993-11-12 | 1995-06-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | フォトレジストの現像方法 |
| JP3280883B2 (ja) | 1996-05-08 | 2002-05-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像処理方法及び現像処理装置 |
| JPH09297403A (ja) | 1996-05-08 | 1997-11-18 | Nittetsu Semiconductor Kk | フォトレジストの現像方法 |
| JPH10303106A (ja) | 1997-04-30 | 1998-11-13 | Toshiba Corp | 現像処理装置およびその処理方法 |
| JPH1154427A (ja) | 1997-08-05 | 1999-02-26 | Nittetsu Semiconductor Kk | フォトリソグラフィー工程における現像処理方法 |
| US6159662A (en) | 1999-05-17 | 2000-12-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Photoresist development method with reduced cycle time and improved performance |
-
2000
- 2000-02-03 JP JP2000026206A patent/JP3362781B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-01-29 US US09/772,291 patent/US6548228B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-02-01 TW TW090102020A patent/TW514979B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-02-01 GB GB0102564A patent/GB2360599A/en not_active Withdrawn
- 2001-02-02 KR KR10-2001-0005056A patent/KR100386712B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2001217181A (ja) | 2001-08-10 |
| US20010018167A1 (en) | 2001-08-30 |
| US6548228B2 (en) | 2003-04-15 |
| GB2360599A (en) | 2001-09-26 |
| TW514979B (en) | 2002-12-21 |
| KR100386712B1 (ko) | 2003-06-09 |
| KR20010078283A (ko) | 2001-08-20 |
| GB0102564D0 (en) | 2001-03-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3362781B2 (ja) | 現像処理方法および装置、現像制御装置、情報記憶媒体 | |
| JPH10303106A (ja) | 現像処理装置およびその処理方法 | |
| JP5091764B2 (ja) | 塗布処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び塗布処理装置 | |
| WO2005101468A1 (ja) | リンス処理方法および現像処理方法 | |
| JP2007311439A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| JP6013289B2 (ja) | 半導体基板の洗浄方法および半導体基板の洗浄装置 | |
| JP2002343698A (ja) | アルカリ液の製造方法，アルカリ液，パターン形成方法，レジスト膜の剥離方法，薬液塗布装置，基板処理方法，及び薬液供給方法 | |
| JP2007019161A (ja) | パターン形成方法及び被膜形成装置 | |
| US20080090185A1 (en) | Method and apparatus for rinsing a substrate during lithographic development processing | |
| JP2008060104A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| JP2008016781A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| JP4157481B2 (ja) | 現像方法 | |
| JP2000315643A (ja) | 基板現像装置 | |
| TWI588624B (zh) | 負顯影處理方法及負顯影處理裝置 | |
| JP2000311846A (ja) | レジスト現像方法およびレジスト現像装置 | |
| JP3719843B2 (ja) | 基板処理方法 | |
| JPH09260278A (ja) | レジスト現像方法およびレジスト現像装置 | |
| GB2393522A (en) | Method of and apparatus for developing exposed photoresist to prevent impurities from being attached to a wafer surface | |
| JPH1154427A (ja) | フォトリソグラフィー工程における現像処理方法 | |
| JP6902404B2 (ja) | 現像処理装置、現像処理方法及び記憶媒体 | |
| JP2864366B2 (ja) | 被処理体の現像方法 | |
| JP6521126B2 (ja) | 現像装置 | |
| JPH04196212A (ja) | 現像前洗浄装置 | |
| JP2004260214A (ja) | 現像装置および現像方法 | |
| JPH0456121A (ja) | レジスト現像装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081025 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091025 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091025 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101025 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101025 Year of fee payment: 8 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101025 Year of fee payment: 8 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111025 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111025 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121025 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121025 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131025 Year of fee payment: 11 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |