JP2008060104A - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents
基板処理方法および基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008060104A JP2008060104A JP2006231566A JP2006231566A JP2008060104A JP 2008060104 A JP2008060104 A JP 2008060104A JP 2006231566 A JP2006231566 A JP 2006231566A JP 2006231566 A JP2006231566 A JP 2006231566A JP 2008060104 A JP2008060104 A JP 2008060104A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- discharge nozzle
- center
- discharge port
- nozzle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 295
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 21
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 61
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 51
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 45
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 27
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 17
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 16
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 73
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 30
- 238000011161 development Methods 0.000 description 13
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 7
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Images
Abstract
【解決手段】基板Wをスピンチャック10によって水平姿勢に保持し回転モータ14によって鉛直軸回りに回転させるとともに、純水吐出ノズル20の吐出口から基板の表面へ洗浄液を吐出させつつ、純水吐出ノズルの吐出口を基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで走査する際に、純水吐出ノズルの移動を開始した後、基板の中心部分の乾燥が開始する前に、吐出ノズルを一旦停止させ、基板の中心位置を中心とし吐出ノズルの吐出口に対向する基板面上の位置までの距離を半径とする円周内方の小領域において乾燥が開始した後に、吐出ノズルを再び基板の周辺部に向かって移動させる。
【選択図】図2
Description
したがって、請求項3に係る発明の基板処理装置を使用すると、請求項1に係る発明の基板処理方法を好適に実施して、上記効果を奏することができる。
図1および図2は、この発明に係る基板処理方法を実施するために使用される基板処理装置の構成の1例を示し、図1は、基板処理装置の概略平面図であり、図2は、その概略断面図である。
12 回転支軸
14 回転モータ
16 カップ
20 純水吐出ノズル
22 純水供給管
24 ポンプ
28、40 開閉制御弁
30 純水吐出ノズルのノズル保持部
32 純水吐出ノズルの回転駆動機構
34 制御装置
36 ガス噴出ノズル
38 ガス供給管
42 ガス噴出ノズルのノズル保持部
44 ガス噴出ノズルの回転駆動機構
W 基板
Claims (4)
- 基板を水平姿勢に保持して鉛直軸回りに回転させるとともに、吐出ノズルの吐出口から基板の表面へ洗浄液を吐出させつつ、前記吐出ノズルの吐出口を基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで走査して、基板を乾燥させる基板処理方法において、
前記吐出ノズルの吐出口が基板の中心に対向する位置から基板の周縁に向かって移動を開始した後、基板の中心部分の乾燥が開始する前に、前記吐出ノズルの吐出口を一旦停止させ、基板の中心位置を中心とし前記吐出ノズルの吐出口に対向する基板面上の位置までの距離を半径とする円周内方の小領域において乾燥が開始した後に、前記吐出ノズルの吐出口を再び基板の周縁に向かって移動させることを特徴とする基板処理方法。 - 前記吐出ノズルの吐出口が基板の中心に対向する位置から基板の周縁に向かって移動を開始した後に、気体噴出ノズルの噴出口から基板の中心部表面へ乾燥用気体を噴出させる請求項1に記載の基板処理方法。
- 基板を水平姿勢に保持する基板保持手段と、
この基板保持手段によって保持された基板を鉛直軸回りに回転させる基板回転手段と、
前記基板保持手段によって保持され前記基板回転手段によって回転させられる基板の表面へ吐出口から洗浄液を吐出する吐出ノズルと、
この吐出ノズルへ洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、
前記吐出ノズルの吐出口を、その吐出口から基板の表面へ洗浄液を吐出させつつ基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで走査するノズル移動手段と、
を備えた基板処理装置において、
前記吐出ノズルの吐出口が基板の中心に対向する位置から基板の周縁に向かって移動を開始した後、基板の中心部分の乾燥が開始する前に、前記吐出ノズルの吐出口を一旦停止させ、基板の中心位置を中心とし前記吐出ノズルの吐出口に対向する基板面上の位置までの距離を半径とする円周内方の小領域において乾燥が開始した後に、前記吐出ノズルの吐出口を再び基板の周縁に向かって移動させるように、前記ノズル移動手段を制御する制御手段をさらに備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 前記基板保持手段によって保持され前記基板回転手段によって回転させられる基板の中心部表面へ噴出口から乾燥用気体を噴出する気体噴出ノズルと、
この気体噴出ノズルへ乾燥用気体を供給する気体供給手段と、
をさらに備えた請求項3に記載の基板処理装置。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006231566A JP4730787B2 (ja) | 2006-08-29 | 2006-08-29 | 基板処理方法および基板処理装置 |
KR1020070082662A KR100940136B1 (ko) | 2006-08-29 | 2007-08-17 | 기판처리방법 및 기판처리장치 |
TW096131426A TWI377608B (en) | 2006-08-29 | 2007-08-24 | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
CN 200710148563 CN100536068C (zh) | 2006-08-29 | 2007-08-29 | 基板处理方法及基板处理装置 |
US11/846,890 US9059221B2 (en) | 2006-08-29 | 2007-08-29 | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
US14/687,649 US9687886B2 (en) | 2006-08-29 | 2015-04-15 | Substrate processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006231566A JP4730787B2 (ja) | 2006-08-29 | 2006-08-29 | 基板処理方法および基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008060104A true JP2008060104A (ja) | 2008-03-13 |
JP4730787B2 JP4730787B2 (ja) | 2011-07-20 |
Family
ID=39160320
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006231566A Active JP4730787B2 (ja) | 2006-08-29 | 2006-08-29 | 基板処理方法および基板処理装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4730787B2 (ja) |
CN (1) | CN100536068C (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8218124B2 (en) | 2007-09-13 | 2012-07-10 | Sokudo Co., Ltd. | Substrate processing apparatus with multi-speed drying having rinse liquid supplier that moves from center of rotated substrate to its periphery and stops temporarily so that a drying core can form |
US8894775B2 (en) | 2007-09-13 | 2014-11-25 | Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102009023155A1 (de) | 2009-05-29 | 2010-12-02 | Merck Patent Gmbh | Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen |
CN107359107B (zh) * | 2014-11-18 | 2020-07-14 | 通富微电子股份有限公司 | 一种圆片清洗机用的喷头及圆片清洗机 |
WO2016127423A1 (en) * | 2015-02-15 | 2016-08-18 | Acm Research (Shanghai) Inc. | Method and apparatus for integrated substrate cleaning and drying |
CN110639870A (zh) * | 2018-06-26 | 2020-01-03 | 联合汽车电子有限公司 | 气液混合冲洗系统 |
JP6979935B2 (ja) * | 2018-10-24 | 2021-12-15 | 三菱電機株式会社 | 半導体製造装置および半導体製造方法 |
KR20210128061A (ko) * | 2020-04-16 | 2021-10-26 | 주식회사 제우스 | 기판 처리 장치 및 방법 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07135137A (ja) * | 1993-06-24 | 1995-05-23 | Hitachi Ltd | 現像処理方法および装置 |
JPH10335298A (ja) * | 1997-05-27 | 1998-12-18 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置及び処理方法 |
JP2002057088A (ja) * | 2000-08-09 | 2002-02-22 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置および現像処理装置 |
JP2005340248A (ja) * | 2004-05-24 | 2005-12-08 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2006066579A (ja) * | 2004-08-26 | 2006-03-09 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP2006080315A (ja) * | 2004-09-09 | 2006-03-23 | Tokyo Electron Ltd | 基板洗浄方法及び現像装置 |
JP2006086415A (ja) * | 2004-09-17 | 2006-03-30 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板洗浄装置 |
WO2006082780A1 (ja) * | 2005-02-07 | 2006-08-10 | Ebara Corporation | 基板処理方法、基板処理装置及び制御プログラム |
-
2006
- 2006-08-29 JP JP2006231566A patent/JP4730787B2/ja active Active
-
2007
- 2007-08-29 CN CN 200710148563 patent/CN100536068C/zh active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07135137A (ja) * | 1993-06-24 | 1995-05-23 | Hitachi Ltd | 現像処理方法および装置 |
JPH10335298A (ja) * | 1997-05-27 | 1998-12-18 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置及び処理方法 |
JP2002057088A (ja) * | 2000-08-09 | 2002-02-22 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置および現像処理装置 |
JP2005340248A (ja) * | 2004-05-24 | 2005-12-08 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2006066579A (ja) * | 2004-08-26 | 2006-03-09 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP2006080315A (ja) * | 2004-09-09 | 2006-03-23 | Tokyo Electron Ltd | 基板洗浄方法及び現像装置 |
JP2006086415A (ja) * | 2004-09-17 | 2006-03-30 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板洗浄装置 |
WO2006082780A1 (ja) * | 2005-02-07 | 2006-08-10 | Ebara Corporation | 基板処理方法、基板処理装置及び制御プログラム |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8218124B2 (en) | 2007-09-13 | 2012-07-10 | Sokudo Co., Ltd. | Substrate processing apparatus with multi-speed drying having rinse liquid supplier that moves from center of rotated substrate to its periphery and stops temporarily so that a drying core can form |
US8894775B2 (en) | 2007-09-13 | 2014-11-25 | Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101136319A (zh) | 2008-03-05 |
CN100536068C (zh) | 2009-09-02 |
JP4730787B2 (ja) | 2011-07-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4937678B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
US9687886B2 (en) | Substrate processing apparatus | |
JP4730787B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
KR100879415B1 (ko) | 기판처리방법 및 기판처리장치 | |
KR100879690B1 (ko) | 현상장치 및 현상방법 | |
TWI619190B (zh) | Liquid processing method, memory medium and liquid processing device | |
TWI607294B (zh) | 顯像方法、顯像裝置及記憶媒體 | |
KR20080031618A (ko) | 기판의 현상처리방법 및 기판의 현상처리장치 | |
JP2009252855A (ja) | 基板洗浄方法、基板洗浄装置及び記憶媒体 | |
JPWO2005050724A1 (ja) | 基板洗浄方法、基板洗浄装置およびコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
KR20080031617A (ko) | 기판의 현상처리방법 및 기판의 현상처리장치 | |
JP6102807B2 (ja) | 基板洗浄装置、基板洗浄方法及び記憶媒体 | |
JP2007318087A (ja) | 現像装置、現像処理方法、現像処理プログラム、及びそのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
JP2010050226A (ja) | 基板の処理装置及び処理方法 | |
KR101950047B1 (ko) | 기판 세정 건조 방법 및 기판 현상 방법 | |
JP2008016781A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP5317504B2 (ja) | 現像装置および現像方法 | |
JP5323374B2 (ja) | 現像装置および現像方法 | |
TWI797159B (zh) | 基板處理方法、基板處理裝置及記錄媒體 | |
JP2009231619A (ja) | 現像装置および現像方法 | |
JP5683259B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
TWI588624B (zh) | 負顯影處理方法及負顯影處理裝置 | |
JP4011040B2 (ja) | 現像装置および現像方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090205 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110412 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110413 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140428 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4730787 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |