JP2006066579A - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】純水洗浄処理が終了した基板の主面全面に純水を液盛りし、純水の液層を形成する。次に、純水が液盛りされた基板の主面の中心部近傍に窒素ガスを吹き付けて当該中心部近傍に存在する純水を基板の周辺部に押し流す。その結果、基板中心部からは純水の液体成分が排除され、周辺部のみに純水液層が存在する状態へと移行する。この状態にて、基板の回転数を上昇させるとともに、窒素ガスを吐出するガスノズルを基板の回転中心直上から端縁部に向けてスキャンさせる。これにより、基板周辺部の純水が遠心力によって飛散するとともに、窒素ガスを吹き付ける範囲が拡大して基板主面に残留付着している微少な水滴も確実に乾燥することができる。
【選択図】図2
Description
図1は、本発明に係る基板処理装置の構成を示す縦断面図である。この基板処理装置は、基板Wに洗浄処理等を行う枚葉式の基板処理装置であって、主として基板Wを保持するスピンベース10と、スピンベース10上に設けられた複数のチャックピン14と、スピンベース10を回転させる電動モータ20と、スピンベース10の上方に設けられた処理液ノズル30およびガスノズル40と、スピンベース10に保持された基板Wの周囲を取り囲むスプラッシュガード50と、スピンベース10上に保持された基板Wに処理液やガスを供給する機構と、スプラッシュガード50を昇降させる機構とを備えている。
次に、本発明の第2実施形態について説明する。第2実施形態の基板処理装置の構成が第1実施形態と異なるのは、ガスノズルの構成であり、残余の点については第1実施形態と同じである。図6は、第2実施形態のガスノズルの形態を示す図である。同図において、第1実施形態の基板処理装置と同一の部材については同一の符号を付してその説明を省略する。
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明は上記の例に限定されるものではない。例えば、上記の各実施形態においては不活性ガスとして窒素ガスを使用していたが、窒素ガスに限定されるものではなく、他の不活性ガス(例えばヘリウム)を使用しても良い。もっとも、ヘリウムガス等は高価であるため、コストの観点からは窒素ガスを使用するのが好ましい。
20 電動モータ
30 処理液ノズル
40,41,42 ガスノズル
43 ノズルアーム
48 回動モータ
49 ノズル昇降機構
90 乾燥制御部
W 基板
Claims (6)
- リンス液による洗浄処理が終了した基板を乾燥させる基板処理方法であって、
基板の主面にリンス液を供給して洗浄するリンス液洗浄工程と、
リンス液洗浄が終了した前記基板の主面の全面にリンス液を液盛りする液盛り工程と、
リンス液が液盛りされた前記基板の主面の中心部近傍に不活性ガスを吹き付けて当該中心部近傍に存在するリンス液を基板主面の周辺部に押し流す乾燥準備工程と、
前記乾燥準備工程よりも前記基板の回転数を上昇させるとともに、不活性ガスを吹き付ける範囲を拡げて前記基板の主面に残留する水分を乾燥させる乾燥仕上工程と、
を備えることを特徴とする基板処理方法。 - 請求項1記載の基板処理方法において、
前記乾燥仕上工程は、不活性ガスを吹き付ける吐出ノズルを前記基板の主面上で走査させることによって不活性ガス吹き付け範囲を拡げるノズル走査工程を含むことを特徴とする基板処理方法。 - 請求項1記載の基板処理方法において、
前記乾燥仕上工程は、吐出方向に沿って不活性ガスのガス流の範囲が拡がる拡散ノズルを上昇させることによって不活性ガス吹き付け範囲を拡げるノズル上昇工程を含むことを特徴とする基板処理方法。 - リンス液による洗浄処理が終了した基板を乾燥させる基板処理装置であって、
基板を略水平面内にて保持して回転させる回転手段と、
前記回転手段に保持された基板の主面にリンス液を吐出するリンス液吐出手段と、
前記回転手段に保持された基板の主面に不活性ガスを吹き付けるガス吐出手段と、
リンス液洗浄が終了した基板の主面の全面に前記リンス液吐出手段からリンス液を吐出してリンス液を液盛りした後、当該基板の主面の中心部近傍に前記ガス吐出手段から不活性ガスを吹き付けて当該中心部近傍に存在するリンス液を基板主面の周辺部に押し流し、さらにその後該基板の回転数を上昇させるとともに、前記ガス吐出手段から不活性ガスを吹き付ける範囲を拡げて前記基板の主面に残留する水分を乾燥させるように前記回転手段、前記リンス液吐出手段および前記ガス吐出手段を制御する制御手段と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項4記載の基板処理装置において、
前記ガス吐出手段は、
不活性ガスを吐出する吐出ノズルと、
前記吐出ノズルを前記前記基板の主面上で走査させるノズル駆動手段と、
を含み、
前記制御手段は、不活性ガスを吐出する前記吐出ノズルを前記基板の主面上で走査させることによって不活性ガスを吹き付ける範囲を拡げるように前記ノズル駆動手段を制御することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項4記載の基板処理装置において、
前記ガス吐出手段は、
吐出方向に沿って不活性ガスのガス流の範囲が拡がる拡散ノズルと、
前記拡散ノズルを昇降させるノズル昇降手段と、
を含み、
前記制御手段は、不活性ガスを吐出する前記拡散ノズルを上昇させることによって不活性ガスを吹き付ける範囲を拡げるように前記ノズル昇降手段を制御することを特徴とする基板処理装置。
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