JP2008060103A - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】基板の表面へ吐出ノズルから洗浄液を吐出させつつ吐出ノズルを走査して基板をスピン乾燥させるときに、基板に乾燥領域が形成されるときの始点となる乾燥コアが基板の中心付近に２つ以上発生することを防止できる方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗをスピンチャックによって水平姿勢に保持し回転モータによって鉛直軸回りに回転させるとともに、純水吐出ノズル２０の吐出口から基板の表面へ洗浄液を吐出させつつ、純水吐出ノズルの吐出口を基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで走査する際に、純水吐出ノズルの移動を開始した直後であって、基板の中心付近において、基板に乾燥領域が形成されるときの始点となる１つ目の乾燥コアが発生した後、２つ目の乾燥コアが発生する前に、気体噴出ノズル３４の噴出口から基板の中心部表面に向けて気体を吹き付ける。
【選択図】図１

Description

この発明は、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等の基板を水平面内で鉛直軸回りに回転させ、基板の表面へ純水等の洗浄液を供給しつつ基板を乾燥処理する基板処理方法および基板処理装置に関する。

半導体装置の製造プロセスにおいては、リソグラフィ技術を利用して、例えばシリコン基板上にフォトレジストを塗布し、露光機を使用して基板上のレジスト膜に回路パターンを焼き付け、露光後のレジスト膜を現像液で現像する、といった各工程を行うことにより、基板上のレジスト膜に回路パターンを形成している。このうち現像処理においては、例えばスリットノズルにより、基板の表面に形成された露光後のレジスト膜上へ現像液を供給し、その後に、基板を水平面内で鉛直軸回りに回転させながらストレートノズルの吐出口から基板の中心へ純水等の洗浄液（リンス液）を吐出する。基板の中心に供給された洗浄液は、遠心力により基板の周縁方向へ拡散して基板全体に行き渡り、基板表面のレジスト膜上から現像液を洗い流す。この洗浄処理（リンス処理）が終了すると、ノズルから基板上への洗浄液の供給を停止し、その後に、基板の回転数をさらに増大させて、基板表面のレジスト膜上の洗浄液を遠心力によって振り切ることにより、基板を乾燥（スピン乾燥）させている。

ところが、上記したように基板をスピン乾燥させると、基板上において洗浄液の液滴が斑に残留する、といったことが起こる。これは、現像処理後の基板においてはレジスト膜の表面に親水性部分と疎水性部分とが混在していることにより、基板上において洗浄液の保持力にばらつきを生じてしまうためである。このように基板の表面に形成されたレジストパターン上に斑に残留した洗浄液の液滴は、現像欠陥を生じる要因となることが分かっている。

上記した問題点を解決するために、基板をスピン乾燥させるときに、洗浄液吐出ノズルの吐出口から洗浄液を吐出しながら、その吐出ノズルの吐出口を基板の中心部から周辺部に向かって走査する、といった方法（スキャンリンス法）が提案されている。この方法によると、基板の中心から周縁に至るまで洗浄液の液膜が形成され保持された状態のままで乾燥が進行するため、親水性部分と疎水性部分とが混在するレジスト膜表面であっても、基板上に洗浄液の液滴が残留しにくくなる。また、洗浄液吐出ノズルの吐出口から洗浄液を吐出させつつ吐出ノズルを走査する際に、エアー噴出ノズルからガスを噴出させながら、エアー噴出ノズルを洗浄液吐出ノズルと一体でもしくは同期して基板の中心部から周辺部に向かって移動させる、といった方法も提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
特許第３６９４６４１号公報（第７−９頁、図３、図４および図６−図８）

上記したスキャンリンスでは、従来のスピン乾燥に比べて現像欠陥を大幅に低減させることができる。しかしながら、撥水性の高い（例えば水の接触角が６０°以上である）レジスト膜表面を有する基板に対してスキャンリンス法を適用した場合には、以下のような現象により現像欠陥が発生することが分かった。

すなわち、洗浄液吐出ノズルの吐出口から洗浄液を吐出しながら、吐出ノズルを基板の中心部から周辺部に向かって走査したときに、図４の（ａ）に基板の平面図を示すように、最初は基板Ｗの全面が洗浄液の液膜３で覆われ、続いて基板Ｗの中心部分の液膜３が薄くなって乾燥直前の状態となる。そして、二点鎖線で示す乾燥直前の状態にある部分（以下、「乾燥直前部分」という）４が、図４の（ｂ）に示すように、外側に向かって次第に拡がっていくとともに、乾燥直前部分４内に乾燥コア５ａが発生する。この乾燥コア５ａが拡大して乾燥領域６ａが形成され、その乾燥領域６ａが基板Ｗの全面に拡がって基板Ｗの乾燥が行われる。ところが、基板上のレジスト膜表面の撥水性が高いと、基板Ｗの中心付近において、乾燥直前部分４内に１つ目の乾燥コア５ａに続いて２つ目の乾燥コア５ｂが発生し、場合によってはさらに新たな乾燥コアが発生する。なお、乾燥コアは、基板Ｗの中心付近以外には発生しない。そして、図４の（ｃ）に示すように、最初に形成された乾燥領域６ａが拡大していくとともに、２つ目の乾燥コア５ｂが拡大して２つ目の乾燥領域６ｂが形成され、その乾燥領域６ｂも拡がっていく。

上記したように２つの乾燥領域６ａ、６ｂがそれぞれ拡大していき、図４の（ｄ）に示すように、２つの乾燥領域６ａ、６ｂ同士が衝突して接合し、図４の（ｅ）に示すように、やがて１つの乾燥領域６ｃとなる。このとき、２つの乾燥領域６ａ、６ｂの境界部分には、洗浄液の液滴７を生じる。続いて、図４の（ｆ）に示すように、１つになった乾燥領域６ｃは外側に拡大していくが、洗浄液の液滴７は、そのまま最後まで残存する。そして、図４の（ｇ）に示すように、最終的に基板Ｗの全面が乾燥することになるが、残存していた洗浄液の液滴７はそのまま乾燥してしまい、洗浄液の乾燥痕（ウォーターマークのようなシミ）７’が、基板Ｗ上にそのまま残ってしまう。この結果、現像欠陥が発生することとなる。なお、以上のような現象は、現像処理後の基板をスキャンリンスによって乾燥処理する場合に限らず、撥水性の高い表面を有する基板について一般的にみられるものであることが分かった。

なお、特許文献１には、洗浄液（リンス液）吐出ノズルから所定距離だけ離間して配置されたエアー噴出ノズルを、洗浄液吐出ノズルと一体でもしくは同期して基板の中心部から周辺部に向かって移動させながら、エアー噴出ノズルからガスを基板へ吹き付けて、基板上に残存する洗浄液を乾燥除去する方法が記載されているが、このような方法では、乾燥コアが基板の中心付近に２つ以上発生することを防止することはできない。そして、基板の中心付近に乾燥コアが２つ発生すると、エアー噴出ノズルからガスを基板へ吹き付けたとしても、それぞれの乾燥コアが拡大して乾燥領域が拡がっていき、２つの乾燥領域同士が衝突して１つになる、といったことが起こるので、現像欠陥の原因となる洗浄液の乾燥痕の生成を無くすことはできない。

この発明は、以上のような事情に鑑みてなされたものであり、基板の表面へ吐出ノズルの吐出口から洗浄液を吐出させつつその吐出口を基板の中心部から周縁部まで走査して基板をスピン乾燥させるときに、基板に乾燥領域が形成されるときの始点となる乾燥コアが基板の中心付近に２つ以上発生することを防止して、現像欠陥等の発生を無くすことができる基板処理方法を提供すること、ならびに、その方法を好適に実施することができる基板処理装置を提供することを目的とする。

請求項１に係る発明は、基板を水平姿勢に保持して鉛直軸回りに回転させるとともに、吐出ノズルの吐出口から基板の表面へ洗浄液を吐出させつつ、前記吐出ノズルの吐出口を基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで走査して、基板を乾燥させる基板処理方法において、前記吐出ノズルの吐出口が基板の中心に対向する位置から基板の周縁に向かって移動を開始し、基板の中心位置を中心とし前記吐出ノズルの吐出口に対向する基板面上の位置までの距離を半径とする円周内方の領域において、基板に乾燥領域が形成されるときの始点となる１つ目の乾燥コアが発生した後、２つ目の乾燥コアが発生する前に、気体噴出ノズルの噴出口から基板の中心部表面に向けて気体を吹き付けることを特徴とする。

請求項２に係る発明は、請求項１に記載の基板処理方法において、前記気体噴出ノズルの噴出口から基板の中心部表面に向けて大流量の気体を瞬間的に吹き付けることを特徴とする。

請求項３に係る発明は、請求項１に記載の基板処理方法において、前記気体噴出ノズルの噴出口から基板の中心部表面に向けて小流量の気体を連続的に吹き付けることを特徴とする。

請求項４に係る発明は、基板を水平姿勢に保持する基板保持手段と、この基板保持手段によって保持された基板を鉛直軸回りに回転させる基板回転手段と、前記基板保持手段によって保持され前記基板回転手段によって回転させられる基板の表面へ吐出口から洗浄液を吐出する吐出ノズルと、この吐出ノズルへ洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、前記吐出ノズルの吐出口を、その吐出口から基板の表面へ洗浄液を吐出させつつ基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで走査するノズル移動手段とを備えた基板処理装置において、噴出口が基板の中心部に対向する位置に停止した状態で、その噴出口から基板の中心部表面に向けて気体を吹き付ける気体噴出ノズルと、この気体噴出ノズルへ気体を供給する気体供給手段と、前記吐出ノズルの吐出口が基板の中心に対向する位置から基板の周縁に向かって移動を開始した直後に、前記気体噴出ノズルの噴出口から基板の中心部表面に向けて気体を吹き付けるように、前記気体供給手段を制御する制御手段とをさらに備えたことを特徴とする。

請求項５に係る発明は、請求項４に記載の基板処理装置において、前記制御手段は、前記気体噴出ノズルの噴出口から基板の中心部表面に向けて大流量の気体を瞬間的に吹き付けるように前記気体供給手段を制御することを特徴とする。

請求項６に係る発明は、請求項４に記載の基板処理装置において、前記制御手段は、前記気体噴出ノズルの噴出口から基板の中心部表面に向けて小流量の気体を連続的に吹き付けるように前記気体供給手段を制御することを特徴とする。

請求項１に係る発明の基板処理方法によると、吐出ノズルの吐出口が基板の中心に対向する位置から基板の周縁に向かって移動を開始した後であって、基板の中心付近において１つ目の乾燥コアが発生した後、２つ目の乾燥コアが発生する前に、気体噴出ノズルの噴出口から基板の中心部表面に向けて気体が吹き付けられる。これにより、２つ目の乾燥コアが発生する隙（ひま）が無いうちに、１つ目の乾燥コアを起点として１つの乾燥領域が強制的に速やかに形成され、その１つの乾燥領域が外側に向かって拡がっていき、基板全面の乾燥が行われる。このように、基板の中心付近に１つだけ発生した乾燥コアを始点とする１つの乾燥領域が基板の全面に拡がって基板の乾燥が行われ、基板の中心付近に２つ以上の乾燥コアが発生することがないので、洗浄液の乾燥痕が基板上に残るといったことは起こらない。これらの動作について、基板の平面図を示す図３によりさらに詳しく説明する。

符号１で示す洗浄液吐出ノズルの吐出口から洗浄液を吐出しながら、吐出ノズル１を基板Ｗの中心部から周辺部に向かって移動させ、吐出ノズル１が移動を開始してから僅かな時間が経過して吐出ノズル１が所定位置まで移動したときに、図３の（ｂ）に示すように、気体噴出ノズル２の噴出口から基板Ｗの中心部表面に向けて気体を吹き付ける。このとき、図３の（ａ）に示すように、最初は基板Ｗの全面が洗浄液の液膜３で覆われているが、基板Ｗの中心付近における液膜３が薄くなって乾燥直前の状態となり、続いて、二点鎖線で示す乾燥直前部分４内に１つの乾燥コア５が発生する。そして、１つ目の乾燥コア５が発生した後、２つ目の乾燥コアが発生する前のタイミングで、気体噴出ノズル２の噴出口から基板Ｗの中心部表面に向けて気体が吹き付けられることにより、図３の（ｂ）に示すように、基板Ｗの中心付近において２つ目の乾燥コアが発生することなく、１つ目の乾燥コア５が拡大して乾燥領域６が形成される。このとき、基板Ｗの中心位置を中心とし吐出ノズル１の吐出口に対向する基板面上の位置までの距離を半径とする円周の外方は、吐出ノズル１の吐出口から洗浄液が吐出し続けられているために液膜３が維持されたままの状態である。そして、吐出ノズル１が基板Ｗの周縁に向かって移動するのに伴い、図３の（ｃ）および（ｄ）に示すように、１つの乾燥領域６が外側に向かって拡がっていき、図３の（ｅ）に示すように、乾燥領域６が基板Ｗの全面に拡がって基板Ｗの乾燥が行われる。

この基板処理方法では、基板の中心付近に２つ以上の乾燥コアが発生して２つ以上の乾燥領域同士が衝突して接合する、といったことは起こらないので、基板上に洗浄液の乾燥痕が残ることはない。したがって、請求項１に係る発明の基板処理方法によると、現像欠陥等の発生を無くすことができる。

請求項２に係る発明の基板処理方法では、気体噴出ノズルの噴出口から基板の中心部表面に向けて大流量の気体が瞬間的に吹き付けられることにより、基板の中心付近に、１つ目の乾燥コアを起点として１つの乾燥領域が一気に形成される。

請求項３に係る発明の基板処理方法では、気体噴出ノズルの噴出口から基板の中心部表面に向けて小流量の気体が連続的に吹き付けられることにより、基板の中心付近に、１つ目の乾燥コアを起点として１つの乾燥領域が形成されて、その乾燥領域が外側に向かって拡がっていく。

請求項４に係る発明の基板処理装置においては、制御手段により気体供給手段が制御されて、吐出ノズルの吐出口が基板の中心に対向する位置から基板の周縁に向かって移動を開始した直後に、気体噴出ノズルの噴出口から基板の中心部表面に向けて気体が吹き付けられる。これにより、２つ目の乾燥コアが発生する隙が無いうちに、１つ目の乾燥コアを起点として１つの乾燥領域が強制的に速やかに形成され、その１つの乾燥領域が外側に向かって拡がっていき、基板全面の乾燥が行われる。このように、基板の中心付近に１つだけ発生した乾燥コアを始点とする１つの乾燥領域が基板の全面に拡がって基板の乾燥が行われ、基板の中心付近に２つ以上の乾燥コアが発生することがないので、洗浄液の乾燥痕が基板上に残るといったことが起こらない。
したがって、請求項４に係る発明の基板処理装置を使用すると、請求項１に係る発明の基板処理方法を好適に実施して、上記効果を奏することができる。

請求項５に係る発明の基板処理装置では、制御手段により気体供給手段が制御されて、気体噴出ノズルの噴出口から基板の中心部表面に向けて大流量の気体が瞬間的に吹き付けられる。これにより、基板の中心付近に、１つ目の乾燥コアを起点として１つの乾燥領域が一気に形成される。したがって、請求項５に係る発明の基板処理装置を使用すると、請求項２に係る発明の基板処理方法を好適に実施して、上記効果を奏することができる。

請求項６に係る発明の基板処理装置では、制御手段により気体供給手段が制御されて、気体噴出ノズルの噴出口から基板の中心部表面に向けて小流量の気体が連続的に吹き付けられる。これにより、基板の中心付近に、１つ目の乾燥コアを起点として１つの乾燥領域が形成されて、その乾燥領域が外側に向かって拡がっていく。したがって、請求項６に係る発明の基板処理装置を使用すると、請求項３に係る発明の基板処理方法を好適に実施して、上記効果を奏することができる。

以下、この発明の最良の実施形態について図面を参照しながら説明する。
図１および図２は、この発明に係る基板処理方法を実施するために使用される基板処理装置の構成の１例を示し、図１は、基板処理装置の概略平面図であり、図２は、その概略断面図である。

この基板処理装置は、表面に露光後のレジスト膜が形成された基板を現像処理した後に洗浄処理（リンス処理）するものであり、基板Ｗを水平姿勢に保持するスピンチャック１０、上端部にスピンチャック１０が固着され鉛直方向に支持された回転支軸１２、および、回転支軸１２に回転軸が連結されスピンチャック１０および回転支軸１２を鉛直軸回りに回転させる回転モータ１４を備えている。スピンチャック１０の周囲には、スピンチャック１０上の基板Ｗを取り囲むようにカップ１６が配設されている。カップ１６は、図示しない支持機構により上下方向へ往復移動自在に支持されており、カップ１６の底部には排液管１８が連通接続されている。また、図１および図２には図示を省略しているが、基板Ｗ上に現像液を供給する機構、例えば、下端面にスリット状吐出口が形設された現像液吐出ノズルを有し、そのスリット状吐出口から現像液を吐出させつつ、現像液吐出ノズルを、そのスリット状吐出口と直交する水平方向へ直線的に移動させて、基板Ｗ上に現像液を供給し液盛りする現像液供給機構、あるいは、ストレートノズルからなる現像液吐出ノズルを有し、その現像液吐出ノズルを、先端の吐出口が基板Ｗの中心部直上に配置される吐出位置と待機位置との間で往復移動するように支持し、現像液吐出ノズルの先端吐出口から現像液を基板Ｗの中心部上へ吐出する現像液供給機構が設けられている。

また、カップ１６の側方側近傍には、先端の吐出口から洗浄液（リンス液）、例えば純水を基板Ｗ上へ吐出する純水吐出ノズル２０が配設されている。純水吐出ノズル２０は、純水供給管２２を通して純水供給源に流路接続されており、純水供給管２２にポンプ２４、フィルタ２６および開閉制御弁２８が介挿されている。純水吐出ノズル２０は、水平面内で回動可能にノズル保持部３０に保持されており、回転駆動機構３２によって水平面内で回動させられる。そして、純水吐出ノズル２０は、先端の吐出口から基板Ｗの表面へ純水を吐出させつつ、図１中に矢印ａで示すように吐出口が基板Ｗの中心に対向する位置から基板Ｗの周縁に対向する位置まで走査され、また、二点鎖線で示すようにカップ１６から外側へ外れた待機位置と吐出口が基板Ｗの中心部直上に配置される位置との間で往復移動するような構成となっている。

さらに、この基板処理装置は、カップ１６の側方側近傍に、カップ１６を挟んで純水吐出ノズル２０の反対側に、先端の噴出口から気体、例えば窒素ガスを基板Ｗ上へ噴出するガス噴出ノズル３４が配設されている。ガス噴出ノズル３４は、ガス供給管３６を通して窒素ガス供給源に流路接続されており、ガス供給管３６に開閉制御弁３８が介挿されている。ガス噴出ノズル３４は、水平面内で回動可能にノズル保持部４０に保持されており、回転駆動機構４２によって水平面内で回動させられる。そして、ガス噴出ノズル３４は、図１中に二点鎖線で示すようにカップ１６から外側へ外れた待機位置と実線で示すように噴出口が基板Ｗの中心部直上に配置される位置との間で往復移動するような構成となっている。

ガス供給管３６に介挿された開閉制御弁３８は、制御装置４４に接続されており、この制御装置４４により、ガス噴出ノズル３４の噴出口からの窒素ガスの噴出・停止の動作が制御される。すなわち、純水吐出ノズル２０が基板Ｗの中心部から周辺部に向かって移動を開始した直後であって、純水吐出ノズル２０の吐出口が基板Ｗの中心に対向する位置から僅かな距離だけ移動して所定位置（図１中に実線で示す位置）に到達した時点で、ガス噴出ノズル３４の噴出口から基板Ｗの中心部表面に向けて窒素ガスを吹き付け、その後に吹き付けを停止させるように、制御装置４４によって開閉制御弁３８の開閉動作が制御される。より詳しく説明すると、純水吐出ノズル２０が移動を開始し、基板Ｗの中心位置を中心とし純水吐出ノズル２０の吐出口に対向する基板面上の位置までの距離を半径とする円周内方の領域において１つ目の乾燥コアが発生した後、２つ目の乾燥コアが発生する前に、ガス噴出ノズル３４の噴出口から基板Ｗの中心部表面に向けて窒素ガスを吹き付けるように制御される。基板Ｗの中心部表面に対する窒素ガスの吹き付けに際しては、ガス噴出ノズル３４の噴出口から大流量の窒素ガスを瞬間的に噴出させるようにしてもよいし、小流量の窒素ガスを連続的に噴出させるようにしてもよい。

図１および図２に示した基板処理装置を使用し、基板Ｗの表面に形成された露光後のレジスト膜上へ現像液を供給してレジスト膜を現像処理した後に、基板Ｗを比較的低速で回転させながら基板Ｗ上へ純水を供給して洗浄処理し、基板Ｗ表面のレジスト膜上から現像液を洗い流して除去し、この後に、基板Ｗを比較的高速で回転させてスピン乾燥（スキャンリンス）処理する。スキャンリンスする際は、スピンチャック１０上に保持された基板Ｗを回転モータ１４によって比較的高速で回転させるとともに、純水吐出ノズル２０の吐出口から純水を基板Ｗ上へ吐出させつつ、純水吐出ノズル２０を走査し、その過程で、ガス噴出ノズル３４の噴出口から基板Ｗの中心部表面に向けて窒素ガスを吹き付ける。

数値の１例を示しながら具体的に説明すると、直径が２００ｍｍ〜３００ｍｍである基板Ｗを１８００ｒｐｍ〜２１００ｒｐｍの回転速度で回転させ、純水吐出ノズル２０を、その吐出口が基板Ｗの中心に対向する位置へ移動させて、純水吐出ノズル２０の吐出口から基板Ｗ上へ純水を０．４ｌ／ｍｉｎ〜０．６ｌ／ｍｉｎの流量で吐出しながら、純水吐出ノズル２０を基板Ｗの周辺部に向かって６ｍｍ〜１０ｍｍのスキャン速度で移動させる。そして、純水吐出ノズル２０の移動開始時点から数秒経過後、例えば２秒経過後に、従って、純水吐出ノズル２０の吐出口が基板Ｗの中心から１２ｍｍ〜２０ｍｍの距離の位置まで移動した時に、図１中に実線で示すように噴出口が基板Ｗの中心部直上に配置されたガス噴出ノズル３４へ窒素供給源からガス供給管３６を通して窒素ガスを供給し、ガス噴出ノズル３４の噴出口から基板Ｗの中心部表面に向けて窒素ガスを吹き付ける。この窒素ガスの吹き付けは、例えば約１０ｌ／ｍｉｎの流量で約１秒間行う。あるいは、例えば約０．１ｌ／ｍｉｎの流量で数秒間、窒素ガスの吹き付けを行う。なお、ガス噴出ノズル３４の噴出口からの窒素ガスの噴出は、基板Ｗの中心部分に乾燥領域が形成されると直ぐに止めればよいが、暫くの間、ガス噴出ノズル３４の噴出口から窒素ガスを噴出させておいても差し支えない。

基板Ｗの中心部表面への窒素ガスの吹き付けのタイミングは、基板Ｗの種類や大きさ、表面状態等、基板Ｗの回転速度、純水吐出ノズル２０の吐出口からの純水の吐出流量、純水吐出ノズル２０のスキャン速度などの諸々の条件において実験を行い、基板Ｗの中心付近において１つ目の乾燥コアが発生した後に２つ目の乾燥コアが発生しないかどうかを観察して、前もって決定しておくようにする。

純水吐出ノズル２０は、ガス噴出ノズル３４の噴出口から窒素ガスを噴出しているときにも連続して走査される。そして、純水吐出ノズル２０の吐出口を基板Ｗの周縁に対向する位置まで走査し、純水吐出ノズル２０の吐出口が基板Ｗの周縁に対向する位置に到達すると、純水供給管２２に介挿された開閉制御弁２８を閉じて純水吐出ノズル２０への純水の供給を停止して、純水吐出ノズル２０からの純水の吐出を止め、純水吐出ノズル２０を待機位置まで移動させる。そして、基板Ｗの乾燥処理が終了すると、基板Ｗの回転を停止させる。

ガス噴出ノズル３４の噴出口から窒素ガスを噴出させたり噴出を止めたりするタイミングは、動作プログラムに基づいてマイコンで制御するようにすればよい。あるいは、エンコーダによって純水吐出ノズル２０の位置を検出し、その検出信号により、純水吐出ノズル２０が所定位置に到達した時点でガス噴出ノズル３４の噴出口から窒素ガスを噴出させるようにしてもよいし、タイマーを使用して、純水吐出ノズル２０の走査開始時点から所定時間が経過した時点でガス噴出ノズル３４の噴出口から窒素ガスを噴出させ、その噴出時点から所定時間が経過した時点で窒素ガスの噴出を止めるようにしてもよい。

なお、純水吐出ノズル２０の吐出口を基板Ｗの周縁に対向する位置まで走査する過程で、基板Ｗの回転速度を低下させるようにしてもよい。具体的には、純水吐出ノズル２０の吐出口が所定距離だけ移動した時点、例えば基板Ｗの中心から６０ｍｍの半径位置に到達した時点で基板Ｗの回転速度を低下、例えば１８００ｒｐｍ〜２１００ｒｐｍの回転数から１０００ｒｐｍ〜１２００ｒｐｍの回転数に減速させるように、制御装置（図示せず）により制御するようにする。基板Ｗの回転速度を変更する回数は１回に限らず、基板Ｗの回転速度を段階的に低下させるようにしてもよい。あるいは、純水吐出ノズル２０の吐出口が基板Ｗの周縁に対向する位置に近付くのに従って基板Ｗの回転速度を漸次低下、例えば直線的に減速させるように制御してもよい。

上記したような方法でスキャンリンスしたときは、基板Ｗの中心付近において乾燥コアが２つ以上発生することを防止することができる。そして、基板Ｗの中心付近に１つだけ発生した乾燥コアを始点とする１つの乾燥領域が基板Ｗの全面に拡がって基板Ｗの乾燥が行われるので、純水の乾燥痕が基板Ｗ上に残るといったことが起こらない。したがって、上記した方法によると、現像欠陥等の発生を無くすことができる。

なお、上記した実施形態では、基板上に形成された露光後のレジスト膜を現像処理した後に基板をスキャンリンスする処理にこの発明を適用した場合について説明したが、この発明は、現像処理後の基板をスキャンリンスによって乾燥処理する場合に限らず、撥水性の高い表面を有する基板をスキャンリンス処理する場合、例えば基板の表面を洗浄液で洗浄処理（スクラバ処理）する場合や液浸露光後の基板を洗浄・乾燥処理する場合など、広く一般に適用し得るものである。

この発明に係る基板処理方法を実施するために使用される基板処理装置の構成の１例を示す概略平面図である。 図１に示した基板処理装置の概略断面図である。 この発明に係る基板処理方法における動作を説明するための図であって基板を示す平面図である。 従来のスキャンリンス法における問題点を説明するための図であって基板を示す平面図である。

符号の説明

１０ スピンチャック
１２ 回転支軸
１４ 回転モータ
１６ カップ
２０ 純水吐出ノズル
２２ 純水供給管
２４ ポンプ
２８、３８ 開閉制御弁
３０ 純水吐出ノズルのノズル保持部
３２ 純水吐出ノズルの回転駆動機構
３４ ガス噴出ノズル
３６ ガス供給管
４０ ガス噴出ノズルのノズル保持部
４２ ガス噴出ノズルの回転駆動機構
４４ 制御装置
Ｗ 基板

Claims (6)

1. 基板を水平姿勢に保持して鉛直軸回りに回転させるとともに、吐出ノズルの吐出口から基板の表面へ洗浄液を吐出させつつ、前記吐出ノズルの吐出口を基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで走査して、基板を乾燥させる基板処理方法において、
   前記吐出ノズルの吐出口が基板の中心に対向する位置から基板の周縁に向かって移動を開始し、基板の中心位置を中心とし前記吐出ノズルの吐出口に対向する基板面上の位置までの距離を半径とする円周内方の領域において、基板に乾燥領域が形成されるときの始点となる１つ目の乾燥コアが発生した後、２つ目の乾燥コアが発生する前に、気体噴出ノズルの噴出口から基板の中心部表面に向けて気体を吹き付けることを特徴とする基板処理方法。
2. 前記気体噴出ノズルの噴出口から基板の中心部表面に向けて大流量の気体を瞬間的に吹き付ける請求項１に記載の基板処理方法。
3. 前記気体噴出ノズルの噴出口から基板の中心部表面に向けて小流量の気体を連続的に吹き付ける請求項１に記載の基板処理方法。
4. 基板を水平姿勢に保持する基板保持手段と、
   この基板保持手段によって保持された基板を鉛直軸回りに回転させる基板回転手段と、
   前記基板保持手段によって保持され前記基板回転手段によって回転させられる基板の表面へ吐出口から洗浄液を吐出する吐出ノズルと、
   この吐出ノズルへ洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、
   前記吐出ノズルの吐出口を、その吐出口から基板の表面へ洗浄液を吐出させつつ基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで走査するノズル移動手段と、
   を備えた基板処理装置において、
   噴出口が基板の中心部に対向する位置に停止した状態で、その噴出口から基板の中心部表面に向けて気体を吹き付ける気体噴出ノズルと、
   この気体噴出ノズルへ気体を供給する気体供給手段と、
   前記吐出ノズルの吐出口が基板の中心に対向する位置から基板の周縁に向かって移動を開始した直後に、前記気体噴出ノズルの噴出口から基板の中心部表面に向けて気体を吹き付けるように、前記気体供給手段を制御する制御手段と、
   をさらに備えたことを特徴とする基板処理装置。
5. 前記制御手段は、前記気体噴出ノズルの噴出口から基板の中心部表面に向けて大流量の気体を瞬間的に吹き付けるように前記気体供給手段を制御する請求項４に記載の基板処理装置。
6. 前記制御手段は、前記気体噴出ノズルの噴出口から基板の中心部表面に向けて小流量の気体を連続的に吹き付けるように前記気体供給手段を制御する請求項４に記載の基板処理装置。

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