JP4040063B2 - 基板洗浄方法、基板洗浄装置およびコンピュータ読み取り可能な記録媒体 - Google Patents

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Description

本発明は、半導体ウエハやＦＰＤ（Ｆｌａｔ Ｐａｎｅｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）の用ガラス基板等の被処理基板の表面でのウォーターマークの発生を抑制することができる基板洗浄方法、その基板処理方法を実行するための基板洗浄装置およびコンピュータ読み取り可能な記録媒体に関する。
例えば、半導体デバイスの製造プロセスにおいては、常時、半導体ウエハの表面を清浄に保つ必要があるために、適宜、半導体ウエハに洗浄処理が施される。半導体ウエハを１枚ずつ処理する枚葉式洗浄処理の典型例としては、スピンチャックに保持された半導体ウエハに所定の洗浄液を供給し（薬液洗浄処理）、その後に半導体ウエハに純水を供給して洗浄液を洗い流し（リンス処理）、さらに半導体ウエハを高速回転させて純水を半導体ウエハから振り切る（スピン乾燥処理）、処理方法が知られている。
このような処理方法では、スピン乾燥時に発生する純水のミストが半導体ウエハの乾燥面に付着すること等によって、半導体ウエハの表面にウォーターマークが発生する問題がある。
そこで、このようなウォーターマークの発生を抑制する洗浄方法として、特開平４−２８７９２２号公報には、被処理基板の表面に所定の洗浄液を斜め上方から供給する洗浄処理工程と、その後に被処理基板の表面に純水を斜め上方から供給するリンス処理工程と、その後に被処理基板を高速回転させて液切りする乾燥処理工程とを有し、リンス処理工程の終期と乾燥処理工程の始期をオーバーラップさせて、このオーバーラップ工程および乾燥処理工程において被処理基板の中心部に窒素ガスを供給する基板処理方法が開示されている。
また特開２００１−５３０５１号公報には、リンス処理後の基板の中心部に不活性ガスを噴射するとともに、基板の外周部に純水を噴射し、これら不活性ガスの噴射位置と純水の噴射位置をともに基板の中心から外側へと径方向に移動させる基板乾燥方法が開示されている。
しかしながら、半導体デバイスの製造プロセスが進行すると、半導体ウエハの表面には親水性面（例えば、所定の方法により形成されたＳｉＯ２面）と疎水性面（例えば、ベアＳｉ面）とが混在するパターンが形成される。これら親水性面と疎水性面とではスピン乾燥処理時における水切れの速さが異なるために、上述した従来のスピン乾燥方法では、ウォーターマークの発生を回避することは困難である。
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、ウォーターマークの発生を抑制することができる洗浄処理方法を提供することを目的とする。また、本発明は、この基板処理方法を実行するための基板洗浄装置およびコンピュータ読み取り可能な記録媒体を提供することを目的とする。
本発明の第１の観点によれば、被処理基板を略水平姿勢で回転させながら、その表面に純水を供給して前記被処理基板をリンス処理し、その後に前記被処理基板への純水の供給流量をリンス処理時よりも低減し、かつ、前記被処理基板への純水供給点を前記被処理基板の中心から外側へ移動させて、前記純水供給点の略外側の領域で液膜を形成しながら、前記被処理基板をスピン乾燥処理する基板洗浄方法であって、前記スピン乾燥処理では、前記被処理基板への純水供給点を前記被処理基板の中心から外側へ移動させる速度を、前記被処理基板の外周部でその中心部よりも速くする基板洗浄方法、が提供される。
本発明の第２の観点によれば、被処理基板を略水平姿勢で回転させながら、その表面に純水を供給して前記被処理基板をリンス処理し、その後に前記被処理基板への純水の供給流量をリンス処理時よりも低減し、かつ、前記被処理基板への純水供給点を前記被処理基板の中心から外側へ移動させて、前記純水供給点の略外側の領域で液膜を形成しながら、前記被処理基板をスピン乾燥処理する基板洗浄方法であって、前記スピン乾燥処理では、前記被処理基板への純水供給点が前記被処理基板の中心から所定距離離れた位置に到達した際にそこで前記純水供給点の移動を一時停止して前記被処理基板の中心部に窒素ガスを吹き付け、その後に前記窒素ガスの吹き付けを停止して、前記純水供給点を再び前記被処理基板の外側へ移動させる基板洗浄方法が提供される。
上記第２の観点において、被処理基板への純水供給点を被処理基板の中心から１０〜１５ｍｍ離れた位置へ急速移動させてそこで純水供給点の移動を停止し、被処理基板の中心部に窒素ガスを所定時間吹き付け、その後に窒素ガスの吹き付けを停止して純水供給点を再び被処理基板の外側へ３ｍｍ／秒以下の速度で移動させることが好ましい。
上記第１の観点において、被処理基板への純水供給点が被処理基板の中心から所定距離離れた後に被処理基板の中心部に窒素ガスを吹き付け、次いで被処理基板に窒素ガスを吹き付けながら窒素ガスの吹き付け点を純水供給点と共に被処理基板の中心部から外側へ移動させる方法を採ることもできる。この場合に、被処理基板の外側部分では純水に十分な遠心力が作用するため、被処理基板への純水供給点が被処理基板の中心部から所定距離離れた後に被処理基板の中心部に窒素ガスを吹き付け、その後に被処理基板に窒素ガスを吹き付けながら窒素ガスの吹き付け点を純水供給点と共に被処理基板の中心部から外側へ移動させ、その途中で窒素ガスの吹きつけのみを停止する方法を用ることも好ましい。
この際における被処理基板の回転数は１００ｒｐｍ以上１０００ｒｐｍ以下とすることが好ましい。スピン乾燥処理において被処理基板の中心部に窒素ガスを吹き付け、その吹き付け位置を純水供給点と共に被処理基板の外側へ移動させる場合には、被処理基板の回転数は８００ｒｐｍ以上であればよい。スピン乾燥処理における被処理基板の回転数は、被処理基板から飛散する純水がミスト化すること等に起因するパーティクルやウォーターマークの発生を防止する観点から、２５００ｒｐｍ以下とすることが好ましい。
スピン乾燥時に被処理基板に窒素ガスを供給しない場合には、被処理基板のスピン乾燥処理時における回転数をリンス処理時における回転数よりも高くすることが好ましい。具体的には、被処理基板の回転数を、リンス処理では１００ｒｐｍ以上１０００ｒｐｍ以下とし、スピン乾燥処理では１５００ｒｐｍ以上２５００ｒｐｍ以下とすることが好ましい。また、上記第１および第２の観点において、被処理基板の表面に疎水性面と親水性面とが混在している場合に好適に用いることができる。勿論、被処理基板の表面が疎水性面のみの場合または親水性面のみの場合にも用いることができる。
本発明の第３の観点によれば、被処理基板を略水平姿勢で保持し、回転させるスピンチャックと、
前記スピンチャックに保持された被処理基板の表面に純水を吐出する純水供給ノズルと、前記純水供給ノズルに純水を送液する純水供給部と、を有する純水供給機構と、
前記純水供給ノズルを被処理基板の中心上と外縁上との間でスキャンさせる純水ノズルスキャン機構と、
前記スピンチャックに保持された被処理基板を回転させながら前記被処理基板の表面に所定流量で純水を供給するリンス処理を行い、その後に前記被処理基板への純水供給流量を前記リンス処理のときよりも少なくし、かつ、前記被処理基板への純水供給点を前記被処理基板の中心から外側へ移動させることにより、前記被処理基板のスピン乾燥処理が前記純水供給点の略外側の領域で液膜を形成しながら行われるように、前記スピンチャックおよび前記純水供給機構ならびに前記純水ノズルスキャン機構を制御する制御部と、
を具備し、
前記制御部は、前記スピン乾燥処理において、前記被処理基板の中心から外側へ純水供給点を移動させる速度を前記被処理基板の外周部でその中心部よりも速くする、基板洗浄装置、が提供される。
本発明の第４の観点によれば、被処理基板を略水平姿勢で保持し、回転させるスピンチャックと、
前記スピンチャックに保持された被処理基板の表面に純水を吐出する純水供給ノズルと、前記純水供給ノズルに純水を送液する純水供給部と、を有する純水供給機構と、
前記純水供給ノズルを被処理基板の中心上と外縁上との間でスキャンさせる純水ノズルスキャン機構と、
前記スピンチャックに保持された被処理基板を回転させながら前記被処理基板の表面に所定流量で純水を供給するリンス処理を行い、その後に前記被処理基板への純水供給流量を前記リンス処理のときよりも少なくし、かつ、前記被処理基板への純水供給点を前記被処理基板の中心から外側へ移動させることにより、前記被処理基板のスピン乾燥処理が前記純水供給点の略外側の領域で液膜を形成しながら行われるように、前記スピンチャックおよび前記純水供給機構ならびに前記純水ノズルスキャン機構を制御する制御部と、
前記スピンチャックに保持された被処理基板の表面の中心部に窒素ガスを吹き付けるガスノズルを有するガス供給機構と、
を具備し、
前記制御部は、前記スピン乾燥処理において、前記被処理基板への純水供給点が前記被処理基板の中心から所定距離離れた位置に到達した際にそこで前記純水供給点の移動を一時停止させて前記被処理基板の中心部に窒素ガスを吹き付け、次いで前記窒素ガスの吹き付けを停止させた後に前記純水供給点が再び前記被処理基板の外側へ移動するように、さらに前記ガス供給機構を制御する、基板洗浄装置が提供される。
上記第４の観点において、前記制御部は、前記スピン乾燥処理において、前記被処理基板への純水供給点を前記被処理基板の中心から１０ｍｍ〜１５ｍｍ離れた位置へ急速移動させてそこで純水供給点の移動を停止し、続いて前記被処理基板の中心部に窒素ガスを所定時間吹き付け、その後に前記窒素ガスの吹き付けを停止して純水供給点を前記被処理基板の外側へ３ｍｍ／秒以下の速度で移動させるようにすることができる。上記第３の観点において、前記スピンチャックに保持された被処理基板の表面に窒素ガスを吹き付けるガスノズルを有するガス供給機構と、前記ガスノズルを被処理基板上でスキャンさせるガスノズルスキャン機構と、をさらに具備し、前記制御部は、前記スピン乾燥処理において、前記被処理基板への純水供給点が前記被処理基板の中心から所定距離離れた後に前記被処理基板の中心部へ窒素ガスを吹き付け、引き続いて前記被処理基板に窒素ガスを吹き付けながら前記窒素ガスの吹き付け点が前記純水供給点と共に前記被処理基板の中心部から外側へ移動するように、さらに前記ガス供給機構と前記ガスノズルスキャン機構をも制御するようにすることができる。この場合に、前記制御部は、前記スピン乾燥処理において、前記窒素ガスの吹き付け点を前記純水供給点と共に前記被処理基板の中心部から外側へ移動させる途中で窒素ガスの吹きつけのみを停止させることが好ましい。また、上記第３の観点において、前記制御部は、前記スピン乾燥処理において、前記被処理基板への純水供給点が前記被処理基板の中心から所定距離離れた後に前記被処理基板の中心部へ窒素ガスを吹き付け、引き続いて前記被処理基板に窒素ガスを吹き付けながら前記窒素ガスの吹き付け点と前記純水供給点とが同時に前記被処理基板の中心部から外側へ移動するように、さらに前記ガス供給機構をも制御することが好ましい。
本発明の第５の観点によれば、略水平姿勢に保持された被処理基板を回転させながら、前記被処理基板に純水を供給してリンス処理し、さらにスピン乾燥する基板洗浄装置を制御するコンピュータに、（ａ）前記スピンチャックに保持された被処理基板を回転させながら前記被処理基板の表面に所定流量で純水を供給してリンス処理し、（ｂ）前記被処理基板への純水供給流量を前記リンス処理のときよりも少なくし、かつ、前記被処理基板への純水供給点を前記被処理基板の中心から外側へ移動させて、前記純水供給点の略外側の領域で液膜を形成しながら前記被処理基板をスピン乾燥させ、前記スピン乾燥の際に、前記被処理基板の中心から外側へ純水供給点を移動させる速度を前記被処理基板の外周部でその中心部よりも速くなるような処理を実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体、が提供される。
本発明の第６の観点によれば、略水平姿勢に保持された被処理基板を回転させながら、前記被処理基板に純水を供給してリンス処理し、さらに前記被処理基板に窒素ガスを供給してスピン乾燥する基板洗浄装置を制御するコンピュータに、（ａ）前記スピンチャックに保持された被処理基板を回転させながら前記被処理基板の表面に所定流量で純水を供給してリンス処理し、（ｂ）前記被処理基板への純水供給流量を前記リンス処理のときよりも少なくし、かつ、前記被処理基板への純水供給点を前記被処理基板の中心から外側へ移動させ、（ｃ）前記被処理基板への純水供給点が前記被処理基板の中心から所定距離離れた位置に到達した際にそこで前記純水供給点の移動を一時停止させて前記被処理基板の中心部に窒素ガスを吹き付け、（ｄ）前記窒素ガスの吹き付けを停止させた後に前記純水供給点を再び前記被処理基板の外側へ移動させて、前記純水供給点の略外側の領域で液膜を形成しながら前記被処理基板をスピン乾燥させる、処理を実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体、が提供される。
本発明の第７の観点によれば、略水平姿勢に保持された被処理基板を回転させながら、前記被処理基板に純水を供給してリンス処理し、さらに前記被処理基板に窒素ガスを供給してスピン乾燥する基板洗浄装置を制御するコンピュータに、（ａ）前記スピンチャックに保持された被処理基板を回転させながら前記被処理基板の表面に所定流量で純水を供給してリンス処理し、（ｂ）前記被処理基板への純水供給流量を前記リンス処理のときよりも少なくし、かつ、前記被処理基板への純水供給点を前記被処理基板の中心から外側へ移動させ、（ｃ）前記被処理基板への純水供給点が前記被処理基板の中心から所定距離離れた位置に到達した際にそこで前記純水供給点の移動を一時停止させて前記被処理基板の中心部に窒素ガスを吹き付け、（ｄ）前記被処理基板に窒素ガスを吹き付けながら前記窒素ガスの吹き付け点を前記純水供給点と共に前記被処理基板の中心部から外側へ移動させる、処理を実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体、が提供される。
本発明によれば、疎水性面と親水性面とが混在している場合にも、疎水性面の乾燥時間と親水性面の乾燥時間との差を小さくすることができるために、ウォーターマークの発生を抑制した、高精密な基板洗浄処理を行うことができる。本発明は、被処理基板の表面が疎水性面からなる場合や親水性面からなる場合にも、勿論、有効である。
［図１］基板洗浄装置の概略構造を示す鉛直断面図。
［図２］基板洗浄装置の概略構造を示す平面図。
［図３］基板洗浄装置の概略の制御システムを示す図。
［図４］洗浄処理方法を示すフローチャート。
［図５］従来のスピン乾燥方法によるウエハの乾燥過程を模式的に示す図。
［図６］従来のスピン乾燥方法によるウエハの乾燥過程を模式的に示す別の図。
［図７］従来のスピン乾燥方法によるウエハの乾燥過程を模式的に示すさらに別の図。
［図８］本発明の洗浄処理方法におけるスピン乾燥によるウエハの乾燥過程を模式的に示す図。
［図９］別の基板洗浄装置の概略構造を示す平面図。
［図１０］別の洗浄処理方法を示すフローチャート。
［図１１］さらに別の基板洗浄装置の概略構造を示す平面図。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。図１に半導体ウエハを洗浄する基板洗浄装置１０の概略構造を示す鉛直断面図を示し、図２にその平面図を示す。
基板洗浄装置１０の主要部分は筐体５０内に設けられている。図１および図２ではこの筐体５０の一部のみを示している。筐体５０内の略中央部には環状のカップＣＰが配置され、カップＣＰの内側にはスピンチャック５１が配置されている。スピンチャック５１としては、ウエハＷを真空吸着して保持するもの、またはウエハＷ端面を機械的に保持する、所謂、メカチャック方式のものが好適に用いられ、ウエハＷを保持した状態で駆動モータ５２によって回転駆動される。カップＣＰの底部には、洗浄液、純水を排出するためのドレイン５３が設けられ、また、基板洗浄装置１０の筐体５０の鉛直壁には、外部からウエハを搬入し、逆に外部にウエハＷを搬出するための搬送窓５６が形成されている。
ウエハＷの表面に洗浄液と純水を供給する処理液ノズル６１は、略筒状に構成され、その長手方向を略鉛直にしてノズル保持部材６３に保持されている。処理液ノズル６１へは、洗浄液供給部６４およびバルブの開閉調節等により流量変更可能に構成された純水供給部６５から洗浄液または純水が選択的に送液される。つまり、処理液ノズル６１は、ウエハＷに洗浄液を供給するノズルとしても、ウエハＷに純水を供給するノズルとしても、機能する。処理液ノズル６１としては、所謂、ストレートノズルが好適に用いられる。ノズル保持部材６３はスキャンアーム６７の先端部に取り付けられている。
このスキャンアーム６７は、筐体５０の底板上に一方向（Ｙ方向）に敷設されたガイドレール６８上に配置された垂直支持部材６９の上端部に取り付けられている。この垂直支持部材６９はＹ軸駆動機構７７によって水平移動可能であり、かつ、スキャンアーム６７を昇降させるためのＺ軸駆動機構７８を備えている。したがって、処理液ノズル６１はウエハＷ上をＹ方向で移動自在であり、かつ、カップＣＰの上端を越えてカップＣＰ外へ退避可能となっている。
ウエハＷの表面に窒素ガス（Ｎ２ガス）を吹き付けるＮ２ノズル６２もまた略筒状に構成され、その長手方向を略鉛直にして、スピンチャック５１に保持されるウエハＷの中心の上方に配置されている。このＮ２ノズル６２は、昇降機構７９によって昇降自在である。Ｎ２ノズル６２へはＮ２ガス供給部６６からＮ２ガスが供給される。
Ｎ２ノズル６２には、その先端部を囲うように、円筒状のカバー５４が取り付けられている。このカバー５４がないと、Ｎ２ノズル６２から噴射されるＮ２ガスはウエハＷ上に一点集中し、ウエハＷ上の純水のミストを巻き上げる。このとき、Ｎ２ノズル６２から噴射されるＮ２ガスの周囲ではそのミストの落下速度が遅くなり、ミストがウエハＷの乾いた部分に落ちてパーティクルになるという問題が生ずる。しかし、カバー５４を設けると、Ｎ２ノズル６２から噴射されるＮ２ガスのうちの外側に向かうＮ２ガスがカバー５４にあたってダウンフローとなるので、ミストがウエハＷの乾いてない純水部分に落ち、その純水部分はその後に除去されるので、パーティクルの発生が抑制される。
例えば、Ｎ２ノズル６２の外径が６ｍｍφ（内径；４ｍｍφ）の場合、カバー５４の内径は１０ｍｍφ〜２０ｍｍφとすることが好ましい。また、Ｎ２ノズル６２の先端とカバー５４の先端との距離を調節することができるように、カバー５４をＮ２ノズル６２とは独立して昇降自在とすることが好ましく、これによりウエハＷの乾燥の進み方を制御することができる。
図３に基板洗浄装置１０の概略の制御システムの構成を示す。基板洗浄装置１０によるウエハＷの処理を制御するための制御部（つまり、コンピュータ）１１は、プロセスコントローラ（ＣＰＵ）１２と、工程管理者がウエハＷの洗浄処理条件等を決定するためのコマンド入力操作等を行うキーボードやプロセスコントローラ（ＣＰＵ）１２による演算結果、洗浄処理の進行状態等を可視化して表示するディスプレイ等を有するデータ入出力部１３と、基板洗浄装置１０を制御するためのプログラムやレシピ、実行された処理に関係するデータ等が記録された記録部１４と、を有している。
記録部１４には、具体的には、後に詳細に説明する、洗浄液による洗浄処理、純水によるリンス処理、そしてスピン乾燥処理に至る一連の処理を行うために、基板洗浄装置１０を構成する各種の駆動機構の動作制御をプロセスコントローラ（ＣＰＵ）１２に実行させるための処理プログラム１５や、一連の処理における時間配分、洗浄液や純水、Ｎ２ガスの供給量、スキャンアーム６７のスキャン速度等が記録されたレシピ１６が記録されている。これらの処理プログラム１５やレシピ１６は、例えば、ハーディスク（ＨＤ）、メモリー（ＲＡＭ等）の固定記憶媒体や、ＣＤ−ＲＯＭ（またはＣＤ−Ｒ等）、ＤＶＤ−ＲＯＭ（またはＤＶＤ−Ｒ等）、ＭＯディスク等の可搬性のある各種記録媒体に記録されており、プロセスコントローラ（ＣＰＵ）１２によって読み取り可能に記録されている。
また、記録部１４には、基板洗浄装置１０で実行された処理に関するデータ、例えば、ウエハＷのロット番号、用いられた処理レシピ、処理日時、処理中の各種機構の動作不良の有無等のデータ１７を記録することができるようになっている。このようなデータ１７は、ＣＤ−ＲやＭＯディスク等の可搬性のある各種記録媒体にコピーや移し替えできるようになっている。
プロセスコントローラ（ＣＰＵ）１２は、処理プログラム１５とレシピ１６にしたがって、スピンチャック５１によるウエハＷの脱着、モータ５２の回転数制御、Ｙ軸駆動機構７７のスキャン動作、Ｚ軸駆動機構７８の昇降動作、純水供給部６５からの純水供給の開始と停止および純水流量制御、Ｎ２ガス供給部６６からのＮ２ガス供給の開始と停止等の各種の制御信号を各機構等に送信する。基板洗浄装置１０を構成する各種機構からその動作の実行を示すデータがプロセスコントローラ（ＣＰＵ）１２にフィードバックされる双方向通信が行われる構成も好ましい。なお、図３には、プロセスコントローラ（ＣＰＵ）１２によって制御される主な機構等のみを示しており、全てを示してはいない。
次に、上述の通りに構成された基板洗浄装置１０によるウエハＷの洗浄処理方法について説明する。図４に以下に説明する洗浄処理工程のフローチャートを示す。最初に、スピンチャック５１にウエハＷを略水平姿勢で保持させて、ウエハＷの高さを調節する（ステップ１）。処理液ノズル６１をウエハＷの中心の上方に位置させて、ウエハＷを所定の回転数で回転させながら、ウエハＷの表面に所定量の洗浄液を供給し、ウエハＷを所定時間処理する（ステップ２）。このステップ２の処理では、ウエハＷを静止させた状態でウエハＷの表面に洗浄液を供給してパドルを形成し、所定時間が経過した後にウエハＷを回転させながらさらにウエハＷの表面に洗浄液を供給してもよい。
次に、ウエハＷを所定の回転数（例えば１００ｒｐｍ〜１０００ｒｐｍ）で回転させながら、処理液ノズル６１からウエハＷの略中心に所定の流量（例えば１Ｌ／分）で純水を供給し、ウエハＷをリンス処理する（ステップ３）。このリンス処理においては、処理液ノズル６１をウエハＷ上でＹ方向にスキャンさせてもよい。
このようなリンス処理の終期に処理液ノズル６１がウエハＷの中心上にあるようにして、ウエハＷへの純水の供給流量（つまり処理液ノズル６１からの純水吐出量）を例えば２０〜５０ｍＬ／分に低減し（ステップ４）、その後、純水供給点（つまり処理液ノズル６１の位置）をウエハＷの中心から外側へ所定の速度で移動させる（ステップ５）。
ステップ４でウエハＷへの純水供給量を低減する理由は次の通りである。すなわち、リンス処理時にはリンス効率を上げるためにウエハＷへの純水供給量を多くすることが好ましい。しかし、そのままの流量で処理液ノズル６１のスキャンを開始すると、ウエハＷに形成されている液膜が厚いために、ウエハＷから振り切られた純水がカップＣＰで跳ね返って、液滴やミストが多く発生し、これがパーティクルやウォーターマークの発生原因となる。そこで、純水供給量を減らして薄い液膜とすることにより、このような跳ね返りが抑制されて、パーティクルやウォーターマークの発生が抑制される。また、このような方法によって乾燥を早めることができる。
このステップ４・５のスピン乾燥工程は、ウエハＷへの純水供給点がウエハＷの周縁から外れた時点で、ウエハＷへの純水の供給を停止することにより終了する。しかし、その後に所定時間、ウエハＷを回転させてもよい。このようなスピン乾燥処理が終了したウエハＷはスピンチャック５１から次の処理を行う装置へ搬送される（ステップ６）。
次に、上述したステップ４・５のスピン乾燥工程についてさらに詳細に説明する。図５〜図８は従来のスピン乾燥方法と上記ステップ４・５によるスピン乾燥方法とを比較して示す図である。
図５は、表面全体に親水性のＳｉＯ２層２１が形成されているウエハＷの従来のスピン乾燥過程を模式的に示す図である。図５の左図は、ウエハＷの中心に純水が供給され、ウエハＷの表面に純水２２が液盛りされている状態を示している。図５の右図は、ウエハＷへの純水の供給を停止して、ウエハＷを所定の回転数で回転させたときの初期状態を示している。ウエハＷの表面が全面親水性である場合には、ウエハＷ上の純水２２は遠心力によってウエハＷの表面に薄い液膜（図示せず）が残るようにウエハＷの外側にゆっくりと移動するために、ウエハＷの表面は中心から外側に向かってゆっくりと乾く。
図６は、疎水性の表面を有するウエハＷ（ベアウエハ）の従来のスピン乾燥過程を模式的に示す図である。図６の左図はウエハＷの中心に純水が供給され、ウエハＷの表面に純水２２が液盛りされている状態を示している。図６の右図は、ウエハＷへの純水の供給を停止して、ウエハＷを所定の回転数で回転させたときの初期状態を示している。疎水性面上では純水は弾かれるために、ウエハＷの表面の純水は遠心力によって一気に振り切られ、瞬時にウエハＷの表面全体が乾燥する。つまり、ウエハＷの回転数が同じ場合には、疎水性面の方が親水性面よりも早く乾く。
図７は親水性面部２３と疎水性面部２４とが混在するウエハＷの従来のスピン乾燥過程を模式的に示す図である。図７の左図はウエハの中心に純水が供給され、ウエハＷの表面に純水２２が液盛りされている状態を示している。図７の右図は、ウエハＷへの純水の供給を停止して、ウエハＷを所定の回転数で回転させたときの初期状態を示している。前述したように、親水性面と疎水性面とではウエハＷの回転数が同じ場合に乾燥時間に差があるために、ウエハＷに親水性面２３と疎水性面２４とが混在すると、疎水性面２４が先に乾き、親水性面部２３上に純水２２が残った状態となる。こうして親水性面２３上に残った純水２２が遠心力によって外側へ移動する際に乾いた疎水性面２４に付着し、これによってウォーターマークが発生すると考えられる。
図８は、先に説明したステップ４・５のスピン乾燥方法による、親水性面部２３と疎水性面部２４とが混在するウエハＷの乾燥過程を模式的に示す図である。図８の左図は、ウエハの中心に純水が供給され、ウエハＷの表面に純水２２が液盛りされている状態を示している。図８の右図は、ウエハＷへの純水供給量を低減させて、純水供給点をウエハＷの中心からウエハＷの外側への移動させているときのウエハＷの状態を示している。
この図８の右図に示されるように、ステップ４・５のスピン乾燥方法では、純水供給点の略外側では純水２２の液膜が形成され、この液膜が形成されるエリアは処理液ノズル６１の位置がウエハＷの外側に移動するにしたがって狭まる。つまり、ウエハＷをその中心から外側へとゆっくりと乾燥させることができる。このため、ウエハＷの表面に親水性面と疎水性面とが混在している場合であっても、親水性面部２３と疎水性面部２４との乾燥時間差が短くなり、ウォーターマークの発生が抑制される。
このステップ４・５のスピン乾燥方法では、ウエハＷのスピン乾燥処理時における回転数をウエハＷのリンス処理時における回転数よりも高くすることが好ましい。例えば、リンス処理におけるウエハＷの回転数は１００ｒｐｍ以上１０００ｒｐｍ以下とすることができ、この場合にはスピン乾燥処理におけるウエハＷの回転数を１５００ｒｐｍ以上２５００ｒｐｍ以下とすることが好ましい。これは、ウエハＷの回転数が遅過ぎると、親水性面と疎水性面との乾燥時間に差が生じ、ウォーターマークが発生しやすくなるという問題を生じ、一方、ウエハＷの回転数が高過ぎると、ウエハＷの周囲に乱気流が発生し、この乱気流に乗ってウエハＷから飛散した純水のミストがウエハＷの既に乾燥した部分に再付着することによってウォーターマークが発生し易くなるという問題が生ずるからである。
ウエハＷへの純水供給点をウエハＷの中心から外側へ移動させる速度、つまり処理液ノズル６１のスキャン速度は、ウォーターマークの発生を回避するために、ウエハＷの回転数に応じて変えることができる。表１に、３００ｍｍφのウエハＷを一定の回転数で回転させながら、かつ、処理液ノズル６１から純水を５０ｍＬ／分でウエハＷに供給しながら、処理液ノズル６１をウエハＷの中心から外側へ一定の速度（１〜４ｍｍ／秒）でスキャンさせたときに、ウエハＷに形成される液膜の内側部分で干渉縞が消滅する位置を調べた結果を示す。
Figure 0004040063
表１は、ウエハＷの回転数が１６００ｒｐｍの場合には、処理液ノズル６１を１ｍｍ／秒でウエハＷの中心から外側へスキャンすると、処理液ノズル６１がウエハＷの中心から４０ｍｍ離れた点で干渉縞が消滅し、その後、処理液ノズル６１をウエハＷの周縁までスキャンさせる間に干渉縞の発生が認められなかったことを示している。また、表１によると、処理液ノズル６１を２ｍｍ／秒でスキャンした場合には、処理液ノズル６１がウエハＷの中心から８０ｍｍ離れた点で干渉縞が消滅し、その後、干渉縞の発生が認められなかったことがわかる。これに対して、処理液ノズル６１を３ｍｍ／秒または４ｍｍ／秒でスキャンさせると、処理液ノズル６１がウエハＷの周縁に達するまで常に干渉縞が観察された。つまり、この条件では最初から最後まで干渉縞が消滅せず、ウォーターマークの発生を抑制することができなかったことがわかる。
表１から、処理液ノズル６１のスキャン速度が一定の場合には、ウエハＷの回転数を上げると干渉縞が消滅する位置がウエハＷの中心に近くなり、一方、ウエハＷの回転数が一定の場合には、干渉縞が消滅する位置は処理液ノズル６１のスキャン速度が遅い場合に、ウエハＷの中心に近くなっていることがわかる。このことから、ウエハＷの回転速度が速く、かつ、処理液ノズル６１のスキャン速度が遅い場合に、干渉縞の発生を抑制することができるということがわかる。
しかしながら、処理液ノズル６１のスキャン速度を、例えば１ｍｍ／秒としてウエハＷ全体をスキャンすると、処理時間が長くなり、生産性が低下する。そこで、ウエハＷの回転数を一定とした場合には、処理液ノズル６１のスキャン速度をウエハＷの外周部でその中心部よりも速くすることにより、処理時間を短縮することができる。例えば、ウエハＷ（３００ｍｍφ）の回転数が２５００ｒｐｍの場合、処理液ノズル６１のスキャン速度を、ウエハＷの中心から半径４０ｍｍまでの間は１ｍｍ／秒とし、半径４０ｍｍから半径８０ｍｍの間は２ｍｍ／秒とし、半径８０ｍｍから周縁（半径：１５０ｍｍ）までの間は３ｍｍ／秒、とすることができる。
ウエハＷの中心から外周へ処理液ノズル６１をゆっくりとスキャンさせる方法に代えて、処理液ノズル６１をウエハＷの中心から１０〜ｌ５ｍｍ離れた位置へ急速移動し（例えば、８０ｍｍ／秒）、その後に速やかにウエハＷの中心部にＮ２ノズル６２からＮ２ガスを吹き付けることによりウエハＷの中心部の乾燥を促進し、処理液ノズル６１をそこからウエハＷの周縁へと３ｍｍ／秒以下の速度でスキャンさせる方法も、ウエハＷの中心部でのウォーターマークの発生をさらに抑制することができるので、好適に用いられる。なお、処理液ノズル６１のウエハＷの周縁へのスキャンは、ウエハＷの中心部へのＮ２ガスの吹き付けが終了した後に開始することが好ましいが、Ｎ２ガスの吹き付けが行われている間に開始してもよい。
次に本発明に係る洗浄処理方法を実施する別の基板洗浄装置について説明する。図９に基板洗浄装置１０′の概略構造を示す平面図を示す。基板洗浄装置１０′は、スキャンアーム６７の先端に取り付けられたノズル保持部材６３′に、薬液および純水を選択的にウエハＷに供給する処理液ノズル６１と、スピン乾燥処理時に純水をウエハＷに供給する純水ノズル６１と、ウエハＷにＮ２ガスを吹き付けるＮ２ノズル６２と、が配置された構成を有している。これらノズル周り以外の構成は、先に説明した基板洗浄装置１０と同様であるので、説明を割愛する。
前述したように、基板洗浄装置１０によるウエハＷの洗浄処理では、リンス処理からスピン乾燥処理へ移行する際に、ウエハＷへ供給する純水量を、例えば１Ｌ／分から２０〜５０ｍＬ／分に低減するために、洗浄液吐出ノズル６１をリンス処理時の多い純水吐出量に適合する構造とした場合には、スピン乾燥時に純水吐出量を減少させた場合に、配管径やノズル径との関係で、安定した純水供給を行えなくなるおそれがある。このような問題を解決するために、基板洗浄装置１０′では、洗浄液による処理とリンス処理では処理液ノズル６１からウエハＷに純水を供給し、スピン乾燥処理時には純水ノズル６１からウエハＷに純水を供給することができるようになっている。
また、ノズル保持部材６３′では、処理液ノズル６１と純水ノズル６１は近接配置されており、純水ノズル６１とＮ２ノズル６２とは一定距離離して保持されている。
この基板洗浄装置１０′によるウエハＷの第１の洗浄処理方法を示すフローチャートを図１０に示す。この方法は、Ｎ２ガスの吹き付け点と純水供給点とを共にウエハＷの中心から外側へ移動させる処理方法である。つまり、最初に先に図４を参照しながら説明したステップ１〜ステップ３と同じ処理であるステップ１１〜１３を行う。次に、ステップ１３のリンス処理の終期に、処理液ノズル６１からウエハＷの中心へ純水供給（例えば、１Ｌ／分）を続けながら、純水ノズル６１からウエハＷへの純水の供給（例えば、２０〜５０ｍＬ／分）を開始する（ステップ１４）。
次いで、純水ノズル６１がウエハＷの中心上に位置するようにスキャンアーム６７を＋Ｙの向き（図９参照）に駆動した後に、処理液ノズル６１からウエハＷへの純水供給を停止する（ステップ１５）。その後、ウエハＷの回転数を８００ｒｐｍ以上に調整する（ステップ１６）。このようにウエハＷの回転数を下げることが許容されるのは、後の工程で、Ｎ２ノズル６２からＮ２ガスをウエハＷに吹き付けながら、ウエハＷ上でＮ２ノズル６２を純水ノズル６１と共にスキャンさせるために、このＮ２ガスによってウエハＷの乾燥を促進させることができるからである。
ウエハＷの回転数を調整したら、純水ノズル６１から純水を供給しながら、スキャンアーム６７を所定速度で＋Ｙの向きに（つまりウエハＷの外側に向けて）スキャンさせる（ステップ１７）。こうしてＮ２ノズル６２がウエハＷの中心上に到達した時点で、一旦、スキャンアーム６７の駆動を停止して、Ｎ２ノズル６２からウエハＷの中心へＮ２ガスを吹き付け、ウエハＷの中心部の均一乾燥を促進する（ステップ１８）。
所定時間、ウエハＷの中心へＮ２ガスを吹き付けた後、Ｎ２ノズル６２からウエハＷにＮ２ガスを吹き付けながら、スキャンアーム６７を再び＋Ｙの向きに駆動し、純水ノズル６１とＮ２ノズル６２を同時スキャンさせる（ステップ１９）。このような方法によっても、親水性面と疎水性面との乾燥時間差を短くしながら、ウエハＷの中心部から外側に向けて徐々に乾燥を進めることができ、最終的にウエハＷ全面を乾燥させることができる。
なお、基板洗浄装置１０′を用いた場合でも、Ｎ２ノズル６２のスキャン時にＮ２ノズル６２からＮ２ガスをウエハＷに吹き付けない処理方法を行ってもよく、その場合には、ウエハＷの回転数は１５００ｒｐｍ以上とすることが好ましい。
一般的に、回転するウエハＷに純水を供給すると、ウエハＷの外側部分では供給された純水に十分に遠心力が作用して乾燥が進む。このことを利用して、基板洗浄装置１０′を用いたウエハＷの処理では、Ｎ２ノズル６２がウエハＷの外周部に近づいたら、ウエハＷへのＮ２ガスの吹き付けを停止する方法、またはＮ２ガスの噴射量を低減する方法を採ることもできる。また、基板洗浄装置１０と同様に、Ｎ２ノズル６２からのウエハＷへのＮ２ガスの吹き付けを、ウエハＷの中心部に限って行う処理方法を採ることもできる。さらに、純水ノズル６１がウエハＷの中心から外側へ移動するようにスキャンアーム６７を所定速度で＋Ｙの向きにスキャンさせ、Ｎ２ノズル６２がウエハＷの中心に達した時点でウエハＷへのＮ２ガスの吹き付けを開始するが、このときにスキャンアーム６７の駆動を停止しない処理方法を採ることもできる。
さらにまた先に説明したスピン乾燥方法の１つである、処理液ノズル６１をウエハＷの中心から１０〜１５ｍｍ離れた位置へ急速移動し、その後に速やかにウエハＷの中心部にＮ２ノズル６２からＮ２ガスを吹き付け、そこから処理液ノズル６１をウエハＷの周縁へと３ｍｍ／秒以下の速度でスキャンさせる処理方法と同様の処理を、基板洗浄装置１０′を用いて行う場合には、予め、純水ノズル６１とＮ２ノズル６２との間隔を１０〜１５ｍｍに設定しておけば、純水ノズル６１を所定位置に急速移動させると、これと同時に、Ｎ２ノズル６２をウエハＷの中心に到達させることができる。
次に本発明に係る洗浄処理方法を実施するさらに別の基板洗浄装置について説明する。図１１に基板洗浄装置１０″の概略構造を示す平面図を示す。基板洗浄装置１０″は、基板洗浄装置１０′を、処理液ノズル６１・純水ノズル６１とＮ２ノズル６２とが独立してウエハＷの中心と周縁との間をスキャンすることができる構造に改変したものであり、それ以外の部分の構造は基板洗浄装置１０′と同じである。
基板洗浄装置１０″では、Ｎ２ノズル６２は、回動自在なスキャンアーム６７′の先端に設けられたノズル保持部材６３″に取り付けられている。ウエハＷのスピン乾燥処理において、純水ノズル６１をウエハＷの中心から外側へスキャンさせた際にＮ２ノズル６２は常に純水ノズル６１が位置する円周（ウエハＷの回転中心を中心とする円を指す）の内側の領域にあり、純水ノズル６１がウエハＷの外側に移動するにつれてＮ２ノズル６２をウエハＷの外側に移動させる。
なお、基板洗浄装置１０″を、Ｎ２ノズル６２がウエハＷの中心を通ってＹ方向に直線的に、純水ノズル６１とは独立してスキャン可能な構造へと改変してもよい。その場合、Ｎ２ノズル６２を純水ノズル６１を後追いするようにスキャンさせてもよいし、純水ノズル６１とは逆向きにスキャンさせてもよい。このように純水ノズル６１とＮ２ノズル６２とを独立してスキャンさせることができる構造とすることにより、純水ノズル６１とＮ２ノズル６２のスキャン速度に差を設けることができる。
以上、本発明の洗浄処理方法の実施の形態について説明してきたが、本発明はこのような形態に限定されるものではない。上記説明では、処理液ノズル６１は洗浄液と純水とを選択的にウエハＷに供給することができる構造のものを示したが、基板洗浄装置は、洗浄液のみを供給するノズルと、純水のみを供給するノズルとを別体で備えていてもよい。また、基板洗浄装置１０にも、基板洗浄装置１０′と同様に、処理液ノズル６１と別に、スピン乾燥時にウエハＷに純水を供給する純水ノズルをさらに設けることも好ましい。この場合において純水ノズルはノズル保持部材６３に設けてもよいし、処理液ノズル６１と独立して駆動可能な構造としてもよい。さらに、処理液ノズル６１としてＹ軸方向に移動自在な構造のもの示したが、例えば、処理液ノズルは、所定の回転軸を中心として、ウエハＷの中心と周縁との間で弧を描きながら回動する機構を備えたものであってもよい。
本発明の基板洗浄方法によるウォーターマークの発生の抑制という効果は、被処理基板の表面に疎水性面と親水性面とが混在している場合に、特に顕著に得ることができるが、この効果は、勿論、被処理基板の表面が疎水性面のみの場合または親水性面のみの場合にも得られることができる。被処理基板は、半導体ウエハに限定されるものではなく、ＦＰＤ用ガラス基板やセラミックス基板等であってもよい。
以上説明した実施の形態は、あくまでも本発明の技術的内容を明らかにすることを意図するものであって、本発明はこのような具体例にのみ限定して解釈されるものではなく、本発明の精神とクレームに述べる範囲で、種々に変更して実施することができるものである。
本発明の洗浄処理方法は、半導体装置やＦＤＰ装置の製造方法に好適である。

Claims (26)

  1. 被処理基板を略水平姿勢で回転させながら、その表面に純水を供給して前記被処理基板をリンス処理し、その後に前記被処理基板への純水の供給流量をリンス処理時よりも低減し、かつ、前記被処理基板への純水供給点を前記被処理基板の中心から外側へ移動させて、前記純水供給点の略外側の領域で液膜を形成しながら、前記被処理基板をスピン乾燥処理する基板洗浄方法であって、
    前記スピン乾燥処理では、前記被処理基板への純水供給点を前記被処理基板の中心から外側へ移動させる速度を、前記被処理基板の外周部でその中心部よりも速くする基板洗浄方法。
  2. 被処理基板を略水平姿勢で回転させながら、その表面に純水を供給して前記被処理基板をリンス処理し、その後に前記被処理基板への純水の供給流量をリンス処理時よりも低減し、かつ、前記被処理基板への純水供給点を前記被処理基板の中心から外側へ移動させて、前記純水供給点の略外側の領域で液膜を形成しながら、前記被処理基板をスピン乾燥処理する基板洗浄方法であって、
    前記スピン乾燥処理では、前記被処理基板への純水供給点が前記被処理基板の中心から所定距離離れた位置に到達した際にそこで前記純水供給点の移動を一時停止して前記被処理基板の中心部に窒素ガスを吹き付け、その後に前記窒素ガスの吹き付けを停止して、前記純水供給点を再び前記被処理基板の外側へ移動させる基板洗浄方法。
  3. 前記スピン乾燥処理では、前記被処理基板への純水供給点を前記被処理基板の中心から１０〜１５ｍｍ離れた位置へ急速移動させてそこで前記純水供給点の移動を一時停止し、前記被処理基板の中心部に窒素ガスを所定時間吹き付け、その後に前記窒素ガスの吹き付けを停止して前記純水供給点を再び前記被処理基板の外側へ３ｍｍ／秒以下の速度で移動させる、請求項２に記載の基板洗浄方法。
  4. 前記スピン乾燥処理では、前記被処理基板への純水供給点が前記被処理基板の中心から所定距離離れた後に前記被処理基板の中心部に窒素ガスを吹き付け、その後に前記被処理基板に窒素ガスを吹き付けながら前記窒素ガスの吹き付け点を前記純水供給点と共に前記被処理基板の中心部から外側に移動させる、請求項１に記載の基板洗浄方法。
  5. 前記スピン乾燥処理では、前記窒素ガスの吹き付け点を前記純水供給点と共に前記被処理基板の中心部から外側に移動させる途中で窒素ガスの吹きつけのみを停止する、請求項４に記載の基板洗浄方法。
  6. 前記リンス処理における被処理基板の回転数を１００ｒｐｍ以上１０００ｒｐｍ以下とし、前記スピン乾燥処理における被処理基板の回転数を８００ｒｐｍ以上２５００ｒｐｍ以下とする、請求項４または請求項５に記載の基板洗浄方法。
  7. 前記被処理基板のスピン乾燥処理時における回転数を前記被処理基板のリンス処理時における回転数よりも高くする、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の基板洗浄方法。
  8. 前記リンス処理における被処理基板の回転数を１００ｒｐｍ以上１０００ｒｐｍ以下とし、前記スピン乾燥処理における被処理基板の回転数を１５００ｒｐｍ以上２５００ｒｐｍ以下とする、請求項７に記載の基板洗浄方法。
  9. 前記被処理基板の表面には疎水性面と親水性面とが混在している、請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の基板洗浄方法。
  10. 被処理基板を略水平姿勢で保持し、回転させるスピンチャックと、
    前記スピンチャックに保持された被処理基板の表面に純水を吐出する純水供給ノズルと、前記純水供給ノズルに純水を送液する純水供給部と、を有する純水供給機構と、
    前記純水供給ノズルを被処理基板の中心上と外縁上との間でスキャンさせる純水ノズルスキャン機構と、
    前記スピンチャックに保持された被処理基板を回転させながら前記被処理基板の表面に所定流量で純水を供給するリンス処理を行い、その後に前記被処理基板への純水供給流量を前記リンス処理のときよりも少なくし、かつ、前記被処理基板への純水供給点を前記被処理基板の中心から外側へ移動させることにより、前記被処理基板のスピン乾燥処理が前記純水供給点の略外側の領域で液膜を形成しながら行われるように、前記スピンチャックおよび前記純水供給機構ならびに前記純水ノズルスキャン機構を制御する制御部と、
    を具備し、
    前記制御部は、前記スピン乾燥処理において、前記被処理基板の中心から外側へ純水供給点を移動させる速度を前記被処理基板の外周部でその中心部よりも速くする、基板洗浄装置。
  11. 被処理基板を略水平姿勢で保持し、回転させるスピンチャックと、
    前記スピンチャックに保持された被処理基板の表面に純水を吐出する純水供給ノズルと、前記純水供給ノズルに純水を送液する純水供給部と、を有する純水供給機構と、
    前記純水供給ノズルを被処理基板の中心上と外縁上との間でスキャンさせる純水ノズルスキャン機構と、
    前記スピンチャックに保持された被処理基板を回転させながら前記被処理基板の表面に所定流量で純水を供給するリンス処理を行い、その後に前記被処理基板への純水供給流量を前記リンス処理のときよりも少なくし、かつ、前記被処理基板への純水供給点を前記被処理基板の中心から外側へ移動させることにより、前記被処理基板のスピン乾燥処理が前記純水供給点の略外側の領域で液膜を形成しながら行われるように、前記スピンチャックおよび前記純水供給機構ならびに前記純水ノズルスキャン機構を制御する制御部と、
    前記スピンチャックに保持された被処理基板の表面の中心部に窒素ガスを吹き付けるガスノズルを有するガス供給機構と、
    を具備し、
    前記制御部は、前記スピン乾燥処理において、前記被処理基板への純水供給点が前記被処理基板の中心から所定距離離れた位置に到達した際にそこで前記純水供給点の移動を一時停止させて前記被処理基板の中心部に窒素ガスを吹き付け、次いで前記窒素ガスの吹き付けを停止させた後に前記純水供給点が再び前記被処理基板の外側へ移動するように、さらに前記ガス供給機構を制御する、基板洗浄装置。
  12. 前記制御部は、前記スピン乾燥処理において、前記被処理基板への純水供給点を前記被処理基板の中心から１０ｍｍ〜１５ｍｍ離れた位置へ急速移動させてそこで純水供給点の移動を停止し、続いて前記被処理基板の中心部に窒素ガスを所定時間吹き付け、その後に前記窒素ガスの吹き付けを停止して純水供給点を前記被処理基板の外側へ３ｍｍ／秒以下の速度で移動させる、請求項１１に記載の基板洗浄装置。
  13. 前記スピンチャックに保持された被処理基板の表面に窒素ガスを吹き付けるガスノズルを有するガス供給機構と、前記ガスノズルを被処理基板上でスキャンさせるガスノズルスキャン機構と、をさらに具備し、
    前記制御部は、前記スピン乾燥処理において、前記被処理基板への純水供給点が前記被処理基板の中心から所定距離離れた後に前記被処理基板の中心部へ窒素ガスを吹き付け、引き続いて前記被処理基板に窒素ガスを吹き付けながら前記窒素ガスの吹き付け点が前記純水供給点と共に前記被処理基板の中心部から外側へ移動するように、さらに前記ガス供給機構と前記ガスノズルスキャン機構をも制御する、請求項１０に記載の基板洗浄装置。
  14. 前記制御部は、前記スピン乾燥処理において、前記窒素ガスの吹き付け点を前記純水供給点と共に前記被処理基板の中心部から外側へ移動させる途中で窒素ガスの吹きつけのみを停止させる、請求項１３に記載の基板洗浄装置。
  15. 前記スピンチャックに保持された被処理基板の表面に窒素ガスを吹き付けるガスノズルを有するガス供給機構をさらに具備し、
    前記ガスノズルは前記純水供給ノズルと一定の間隔を開けて前記純水ノズルスキャン機構に保持され、
    前記制御部は、前記スピン乾燥処理において、前記被処理基板への純水供給点が前記被処理基板の中心から所定距離離れた後に前記被処理基板の中心部へ窒素ガスを吹き付け、引き続いて前記被処理基板に窒素ガスを吹き付けながら前記窒素ガスの吹き付け点と前記純水供給点とが同時に前記被処理基板の中心部から外側へ移動するように、さらに前記ガス供給機構をも制御する、請求項１０に記載の基板洗浄装置。
  16. 前記制御部は、前記リンス処理における被処理基板の回転数を１００ｒｐｍ以上１０００ｒｐｍ以下とし、前記スピン乾燥処理における被処理基板の回転数を８００ｒｐｍ以上２５００ｒｐｍ以下とする、請求項１３から請求項１５のいずれか１項に記載の基板洗浄装置。
  17. 前記制御部は、前記スピン乾燥処理における被処理基板の回転数を、前記被処理基板のリンス処理時における被処理基板の回転数よりも高くする、請求項１０から請求項１５のいずれか１項に記載の基板洗浄装置。
  18. 前記制御部は、前記リンス処理における被処理基板の回転数を１００ｒｐｍ以上１０００ｒｐｍ以下とし、前記スピン乾燥処理における被処理基板の回転数を１５００ｒｐｍ以上２５００ｒｐｍ以下とする、請求項１７に記載の基板洗浄装置。
  19. 略水平姿勢に保持された被処理基板を回転させながら、前記被処理基板に純水を供給してリンス処理し、さらにスピン乾燥する基板洗浄装置を制御するコンピュータに、（ａ）前記スピンチャックに保持された被処理基板を回転させながら前記被処理基板の表面に所定流量で純水を供給してリンス処理し、（ｂ）前記被処理基板への純水供給流量を前記リンス処理のときよりも少なくし、かつ、前記被処理基板への純水供給点を前記被処理基板の中心から外側へ移動させて、前記純水供給点の略外側の領域で液膜を形成しながら前記被処理基板をスピン乾燥させ、前記スピン乾燥の際に、前記被処理基板の中心から外側へ純水供給点を移動させる速度を前記被処理基板の外周部でその中心部よりも速くなるような処理を実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
  20. 略水平姿勢に保持された被処理基板を回転させながら、前記被処理基板に純水を供給してリンス処理し、さらに前記被処理基板に窒素ガスを供給してスピン乾燥する基板洗浄装置を制御するコンピュータに、（ａ）前記スピンチャックに保持された被処理基板を回転させながら前記被処理基板の表面に所定流量で純水を供給してリンス処理し、（ｂ）前記被処理基板への純水供給流量を前記リンス処理のときよりも少なくし、かつ、前記被処理基板への純水供給点を前記被処理基板の中心から外側へ移動させ、（ｃ）前記被処理基板への純水供給点が前記被処理基板の中心から所定距離離れた位置に到達した際にそこで前記純水供給点の移動を一時停止させて前記被処理基板の中心部に窒素ガスを吹き付け、（ｄ）前記窒素ガスの吹き付けを停止させた後に前記純水供給点を再び前記被処理基板の外側へ移動させて、前記純水供給点の略外側の領域で液膜を形成しながら前記被処理基板をスピン乾燥させる、処理を実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
  21. 前記プログラムは前記コンピュータに、前記（ｂ）のプロセスでは前記被処理基板への純水供給点を前記被処理基板の中心から外側へ急速移動させ、前記（ｃ）のプロセスでは純水供給点の移動を前記被処理基板の中心から１０ｍｍ〜１５ｍｍ離れた位置で停止させて、前記被処理基板の中心部に窒素ガスを所定時間吹き付け、前記（ｄ）のプロセスでは、前記窒素ガスの吹き付けを停止した後に純水供給点を再び前記被処理基板の外側へ３ｍｍ／秒以下の速度で移動させるように、前記基板洗浄装置を制御させる、請求項２０に記載のコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
  22. 略水平姿勢に保持された被処理基板を回転させながら、前記被処理基板に純水を供給してリンス処理し、さらに前記被処理基板に窒素ガスを供給してスピン乾燥する基板洗浄装置を制御するコンピュータに、（ａ）前記スピンチャックに保持された被処理基板を回転させながら前記被処理基板の表面に所定流量で純水を供給してリンス処理し、（ｂ）前記被処理基板への純水供給流量を前記リンス処理のときよりも少なくし、かつ、前記被処理基板への純水供給点を前記被処理基板の中心から外側へ移動させ、（ｃ）前記被処理基板への純水供給点が前記被処理基板の中心から所定距離離れた位置に到達した際にそこで前記純水供給点の移動を一時停止させて前記被処理基板の中心部に窒素ガスを吹き付け、（ｄ）前記被処理基板に窒素ガスを吹き付けながら前記窒素ガスの吹き付け点を前記純水供給点と共に前記被処理基板の中心部から外側へ移動させる、処理を実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
  23. 前記プログラムは前記コンピュータに、前記（ｄ）のプロセスでは、前記窒素ガスの吹き付け点を前記被処理基板の中心部から外側へ移動させる途中で前記窒素ガスの吹きつけのみが停止されるように、前記基板洗浄装置を制御させる、請求項２２に記載のコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
  24. 前記プログラムは前記コンピュータに、前記（ａ）のプロセスにおける被処理基板の回転数が１００ｒｐｍ以上１０００ｒｐｍ以下となり、前記（ｂ）〜（ｄ）のプロセスにおける被処理基板の回転数が８００ｒｐｍ以上２５００ｒｐｍ以下となるように、前記基板洗浄装置を制御させる、請求項２２または請求項２３に記載のコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
  25. 前記プログラムは前記コンピュータに、前記（ｂ）以降のプロセスにおける被処理基板の回転数が前記（ａ）のプロセスにおける被処理基板の回転数よりも高くなるように、前記基板洗浄装置を制御させる、請求項１９から請求項２３のいずれか１項に記載のコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
  26. 前記プログラムは前記コンピュータに、前記（ａ）のプロセスにおける被処理基板の回転数が１００ｒｐｍ以上１０００ｒｐｍ以下となり、前記（ｂ）以降のプロセスにおける被処理基板の回転数が１５００ｒｐｍ以上２５００ｒｐｍ以下となるように、前記基板洗浄装置を制御させる、請求項２５に記載のコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
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