JPH11162816A - スピン式レジスト塗布装置およびウェーハ処理方法 - Google Patents

スピン式レジスト塗布装置およびウェーハ処理方法

Info

Publication number
JPH11162816A
JPH11162816A JP32844197A JP32844197A JPH11162816A JP H11162816 A JPH11162816 A JP H11162816A JP 32844197 A JP32844197 A JP 32844197A JP 32844197 A JP32844197 A JP 32844197A JP H11162816 A JPH11162816 A JP H11162816A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
chuck
spin
cleaning
spin chuck
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP32844197A
Other languages
English (en)
Inventor
Takaaki Azuma
隆章 東
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Oki Electric Industry Co Ltd filed Critical Oki Electric Industry Co Ltd
Priority to JP32844197A priority Critical patent/JPH11162816A/ja
Publication of JPH11162816A publication Critical patent/JPH11162816A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ウェーハのスピンチャックに装着された部分
に付着したゴミを除去することができるスピン式レジス
ト塗布装置、およびこの装置を利用したウェーハ処理方
法を提供することを課題(目的)とする。 【解決手段】 ウェーハ1を水平に支持して回転させる
スピンチャック2と、回転するウェーハ1の表面1aに
レジストを滴下するレジスト供給手段と、ウェーハ1を
保持するウェーハチャック4と、ウェーハ1の裏面1b
に洗浄液を吹き付けて洗浄する洗浄装置5と、ウェーハ
1の裏面 1bにガスを吹き付けて乾燥させる乾燥装置
6とを備えている。洗浄/乾燥段階では、ウェーハチャ
ック4が上昇してウェーハ1をスピンチャック2から取
り外して保持し、洗浄ノズル5d、あるいは乾燥ノズル
6dの何れかがスピンチャック2とウェーハ1との間の
空間に配置され、ウェーハ1の裏面1bの全面を洗浄/
乾燥する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、ウェーハの表面
にフォトレジストの層を形成するための塗布装置に関
し、特に、ウェーハの裏面の洗浄技術に関する。
【0002】
【従来の技術】ウェーハ上にフォトレジストを塗布する
装置、方法としては、従来から例えば特開平1−298
720号公報、あるいは特開平4−62831号公報に
開示されるものが知られている。これらの公報には、ス
ピンチャックに取り付けられて回転するウェーハの表面
にレジストを塗布して均一化し、ウェーハの裏面に回り
込んだレジストを洗浄液により除去する技術が開示され
ている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の装置および方法では、ウェーハをスピンチャッ
クに装着したまま洗浄液を吹き付けるため、ウェーハ裏
面のうちスピンチャックに装着された部分については洗
浄することができない。したがって、スピンチャックに
装着された部分にゴミが付着していた場合には、このゴ
ミを除去することができず、レジスト塗布工程の後の露
光工程においてウェーハがテーブルに載置された際に、
ウェーハとテーブルとの間にゴミが挟まれてウェーハが
傾き、マスクのパターンを正確に転写できないという問
題がある。
【0004】この発明は、上述した従来技術の問題点に
鑑みてなされたものであり、ウェーハのスピンチャック
に装着された部分に付着したゴミを除去することができ
るスピン式レジスト塗布装置、およびこの装置を利用し
たウェーハ処理方法を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】この発明にかかるスピン
式レジスト塗布装置は、ウェーハを水平に支持して回転
させるスピンチャックと、スピンチャックに支持されて
回転するウェーハ上にレジストを滴下するレジスト供給
手段と、ウェーハをスピンチャックから取り外して保持
するウェーハチャックと、ウェーハがウェーハチャック
に保持されてスピンチャックから外された状態でウェー
ハの下面全体に洗浄液を吹き付けて洗浄する洗浄手段と
を備えることを特徴とする。
【0006】上記の構成によってレジスト塗布後にウェ
ーハをスピンチャックから取り外した状態でウェーハ裏
面の全面を洗浄することにより、ウェーハの裏面につい
たゴミは、スピンチャックに装着される部分に付着した
分を含めて除去される。
【0007】また、ウェーハがウェーハチャックに保持
されてスピンチャックから外された状態でウェーハの下
面全体にガスを吹き付けて乾燥させる乾燥手段をさらに
設けてもよい。洗浄手段および乾燥手段は、それぞれウ
ェーハに吹き付けられる洗浄液、あるいはガスの温度を
制御する温度制御手段を備えることができる。
【0008】一方、この発明にかかるウェーハ処理方法
は、スピンチャックに水平に取り付けられて回転するウ
ェーハ上に、レジストを滴下してレジスト膜を形成する
段階と、ウェーハをウェーハチャックにより保持してス
ピンチャックから取り外し、ウェーハの下面全体に洗浄
液を吹き付けて洗浄する段階とを有し、これらの段階が
順に実行されることを特徴とする。
【0009】洗浄段階の後に、ウェーハをウェーハチャ
ックにより保持してスピンチャックから取り外した状態
でウェーハの下面全体にガスを吹き付けて乾燥させる段
階を含ませてもよい。さらに、その乾燥段階の後に、ス
ピンチャックに洗浄液を吹き付けて洗浄する段階を含ま
せてもよい。洗浄段階および乾燥段階においては、ウェ
ーハに吹き付けられる洗浄液、あるいはガスの温度を所
定の温度に制御してもよい。
【0010】
【発明の実施の形態】以下、この発明にかかるスピン式
レジスト塗布装置、およびこの装置を利用したウェーハ
処理方法の実施形態を説明する。
【0011】図1および図2は、第1の実施形態にかか
るスピン式レジスト塗布装置の主要部を示す説明図であ
り、図1は洗浄/乾燥段階を示し、図2はレジスト膜の
形成段階を示す。また、各図の(A)は平面図、(B)は一
部断面側面図である。図1に示されるように、この装置
は、ウェーハ1を水平に支持して回転させるスピンチャ
ック2と、スピンチャック2に支持されて回転するウェ
ーハ1の表面1aにレジストを滴下するレジスト供給装
置(ここでは滴下ノズル3のみを示す)と、ウェーハ1を
保持するウェーハチャック4と、ウェーハ1の裏面1b
に純水等の洗浄液を吹き付けて洗浄する洗浄装置5と、
ウェーハ1の裏面1bにドライエア等のガスを吹き付け
て乾燥させる乾燥装置6とを備えている。
【0012】スピンチャック2は、図1(B)に示される
ようにウェーハ1を支持するウェーハ1より小径のテー
ブル部2aと、このテーブル部2aを下方から支える軸
部2bとを備える。軸部2bの下端はスピンモータ7に
接続されており、このスピンモータ7に駆動されて回転
する。また、スピンチャック2は、図示せぬバキューム
装置によりウェーハ1を真空吸着して保持する。
【0013】ウェーハチャック4は、ウェーハ1より大
径のリング部4aと、このリング部4aの一端から径方
向に外側に延びるアーム4bとを備え、リング部4aの
内側には90度間隔で4箇所にウェーハ1を下から持ち
上げて保持するための爪片4cが形成されている。爪片
4cの内接円は、ウェーハ1の外径より小さく設定され
ている。ウェーハチャック4のアーム4bは、図示せぬ
駆動機構に接続されており、この駆動機構は、少なくと
もウェーハチャック4を図1(A)に矢印Xで示した水平
方向と、図1(B)に矢印Yで示した垂直方向とに移動さ
せることができる。
【0014】洗浄装置5は、洗浄液タンク5a、ポンプ
5bと、ポンプ5bにより供給される洗浄液を吐出する
洗浄ノズル5dと、この洗浄ノズル5dの位置を図1
(a)に実線および破線で示す作動位置と、一点鎖線で示
す収納位置との間で回動させる洗浄ノズル移動機構5c
とを備えている。乾燥装置6は、圧縮ガスが充填された
ガスタンク6aおよび制御弁6bと、ガスタンク6aか
ら供給されるガスを吐出する乾燥ノズル6dと、この乾
燥ノズル6dの位置を図1(a)に実線および破線で示す
作動位置と一点鎖線で示す収納位置との間で回動させる
乾燥ノズル移動機構6cとを備えている。
【0015】レジスト膜を形成する段階では、図2に示
すようにウェーハ1がスピンチャック2に吸着されて固
定され、ウェーハチャック4はスピンチャック2のテー
ブル部2aより下方に移動する。この状態でスピンモー
タ7を駆動してウェーハ1を回転させ、滴下ノズル3か
らレジスト液を滴下してレジスト膜を形成する。
【0016】一方、洗浄/乾燥段階では、図1(b)に示
すようにウェーハチャック4が上昇してウェーハ1をス
ピンチャック2から取り外して保持し、洗浄ノズル5
d、あるいは乾燥ノズル6dの何れかがスピンチャック
2とウェーハ1との間の空間に配置され、ウェーハ1の
裏面1bの全面を洗浄/乾燥する。なお、滴下ノズル3
は、ウェーハチャック4の垂直方向の移動に連動して垂
直方向に移動可能に設けられており、ウェーハ1がスピ
ンチャック2に載置される状態では図2(b)に示すよう
にテーブル部2aに近接した位置に配置され、ウェーハ
1がスピンチャック2から持ち上げられた状態では図1
(b)に示すようにテーブル部2aから離れた位置に配置
される。
【0017】続いて、上述したスピン式レジスト塗布装
置を利用したウェーハ処理方法を図3(A)に示すフロー
チャートに基づいて説明する。まず、ウェーハチャック
4によりレジスト塗布前のウェーハ1がスピンチャック
2の上方に運ばれる。ウェーハチャック4を垂直に下方
に移動させると、ウェーハ1の裏面1bがスピンチャッ
ク2のテーブル部2aに当たり、スピンチャック2は真
空吸着によりウェーハ1を固定する(ステップS1)。ウ
ェーハチャック4は、そのままテーブル部2bより低い
位置まで移動して停止する。
【0018】次に、スピンモータ7を回転させてスピン
チャック2およびスピンチャック2に固定されたウェー
ハ1を回転させ、レジスト供給装置からレジスト液を滴
下して遠心力によりウェーハ1の表面1aに均一にレジ
スト膜を形成する(ステップS2)。
【0019】レジスト塗布後、スピンモータ7の回転を
停止して、スピンチャック2による真空吸着を解除し、
ウェーハチャック4を上方に垂直に移動させてウェーハ
1をスピンチャック2から取り外して上方の所定位置に
移動させる(ステップS3)。
【0020】ウェーハ1をスピンチャック2から取り外
した状態で洗浄ノズル移動機構5cを制御して洗浄ノズ
ル5dの先端を作動位置に移動させ、洗浄液を吐出して
ウェーハ1の裏面1bの全面を洗浄する(ステップS
4)。これにより、ウェーハ1の裏面1bについたゴミ
は、スピンチャック2に装着される部分に付着した分を
含めて除去される。
【0021】洗浄が終了すると、洗浄ノズル5dを収納
位置に戻し、続いて乾燥ノズル移動機構6cを制御して
乾燥ノズル6dの先端を作動位置に移動させ、ガスを吐
出してウェーハ1の裏面1bに付着した洗浄液を乾燥さ
せる(ステップS5)。そして、乾燥が終了すると、乾燥
ノズル6dは収納位置に戻され、ウェーハチャック4は
水平に移動してレジスト塗布後のウェーハ1を次の行程
へと送り出す(ステップS6)。処理するウェーハが複数
ある場合には、次のレジスト塗布前のウェーハ1をスピ
ンチャック2にセットしてステップS1からの処理が繰
り返される。
【0022】図3(B)は、図3(A)に示したウェーハ処
理方法の変形例を示すフローチャートである。変形例で
は、洗浄装置5の洗浄ノズル5dの先端が、図1に示す
ような上方側のみでなく、下方側にも向けられるよう構
成されており、洗浄ノズル駆動機構5cにノズルの方向
を変更するための機構が設けられている。図3(B)のス
テップS1〜S5は、図3(A)のステップS1〜S5と同じ
内容である。図3(B)の例では、ステップS5の乾燥段
階の後に、洗浄ノズル5dを再度作動位置に移動し、ノ
ズル先端を下側に向けて洗浄液をスピンチャック2のテ
ーブル部2aに向けて吐出する(ステップS7)。その後
にウェーハを次工程に送り出す(ステップS8)。これに
より、ウェーハ1の裏面のみでなく、スピンチャック2
のテーブル部2aに付着したゴミも洗浄して除去するこ
とができる。
【0023】次に、第2の実施形態にかかるスピン式レ
ジスト塗布装置の構成を図4に基づいて説明する。第2
の実施形態の洗浄装置5および乾燥装置6は、第1の実
施形態の構成に加え、それぞれウェーハ1に吹き付けら
れる洗浄液、あるいはガスの温度を制御する洗浄液温度
制御器5e、ガス温度制御器6eを備えている。これら
の温度制御器5e,6eは、ウェーハ1に吹き付けられ
る洗浄液やガスの温度をウェーハ1の温度、すなわちウ
ェーハ1が配置された空間の温度にほぼ等しくなるよう
制御する。
【0024】レジストを塗布した直後のウェーハに洗浄
液やガスを吹き付ける場合、吹き付けられる洗浄液やガ
スの温度が周囲の温度より高いと、吹き付けられた部分
のウェーハの温度が周囲より高くなって乾燥速度が速く
なり、レジスト膜の膜厚が周囲より厚くなる。反対に洗
浄液やガスの温度が周囲の温度より低いと、吹き付けら
れた部分のウェーハの温度が周囲より低くなって乾燥速
度が遅くなり、レジスト膜の膜厚が周囲より薄くなる。
均一に塗布されたレジスト膜の膜厚を均一に保ちながら
乾燥させるためには、洗浄液やガスの吹き付けによりウ
ェーハの温度が変化しないようにすることが望ましい。
そこで、第2の実施形態の装置では、上述したように温
度制御器5e,6eにより洗浄液、ガスの温度を制御し
ている。
【0025】なお、第2の実施形態の装置を利用した場
合の処理手順は、図3のフローチャートに示される第1
の実施形態の処理手順と同一である。
【0026】
【発明の効果】以上説明したように、この発明の装置お
よび方法によれば、ウェーハをスピンチャックから取り
外した状態でウェーハ裏面の全面を洗浄することによ
り、ウェーハの裏面についたゴミを、スピンチャックに
装着される部分に付着した分を含めて除去することがで
きる。したがって、後の露光工程でウェーハがテーブル
に載置された際にも、ウェーハとテーブルとの間にゴミ
が介在するのを防ぐことができ、マスクパターンを正確
にウェーハ上に転写することができる。
【0027】また、乾燥装置を設けた場合には、洗浄後
のウェーハに残存する洗浄液を素早く乾燥させることが
できる。さらに、ウェーハに吹き付けられる洗浄液やガ
スの温度を制御する装置を設けた場合には、洗浄液やガ
スの温度をウェーハの周囲の温度に近くなるよう制御す
ることにより、ウェーハに塗布されたレジストの膜厚を
変化させることなくウェーハ裏面を洗浄、乾燥させるこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 第1の実施形態にかかるスピン式レジスト塗
布装置の洗浄/乾燥段階を示す主要部の説明図。
【図2】 第1の実施形態にかかるスピン式レジスト塗
布装置のレジスト膜の形成段階を示す主要部の説明図。
【図3】 図1の装置を利用したウェーハ処理方法を示
すフローチャート。
【図4】 第2の実施形態にかかるスピン式レジスト塗
布装置の主要部の説明図。
【符号の説明】
1 ウェーハ 2 スピンチャック 4 ウェーハチャック 5 洗浄装置 6 乾燥装置

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ウェーハを水平に支持して回転させるス
    ピンチャックと、 前記スピンチャックに支持されて回転するウェーハ上に
    レジストを滴下するレジスト供給手段と、 前記ウェーハを前記スピンチャックから取り外して保持
    するウェーハチャックと、 前記ウェーハが前記ウェーハチャックに保持されて前記
    スピンチャックから外された状態で前記ウェーハの下面
    全体に洗浄液を吹き付けて洗浄する洗浄手段とを備える
    ことを特徴とするスピン式レジスト塗布装置。
  2. 【請求項2】 前記ウェーハが前記ウェーハチャックに
    保持されて前記スピンチャックから外された状態で前記
    ウェーハの下面全体にガスを吹き付けて乾燥させる乾燥
    手段をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の
    スピン式レジスト塗布装置。
  3. 【請求項3】 前記洗浄手段は、前記ウェーハに吹き付
    けられる前記洗浄液の温度を制御する液体温度制御手段
    を備えることを特徴とする請求項1または2のいずれか
    に記載のスピン式レジスト塗布装置。
  4. 【請求項4】 前記乾燥手段は、前記ウェーハに吹き付
    けられる前記ガスの温度を制御するガス温度制御手段を
    備えることを特徴とする請求項2に記載のスピン式レジ
    スト塗布装置。
  5. 【請求項5】 スピンチャックに水平に取り付けられて
    回転するウェーハ上に、レジストを滴下してレジスト膜
    を形成する段階と、 前記ウェーハをウェーハチャックにより保持して前記ス
    ピンチャックから取り外し、前記ウェーハの下面全体に
    洗浄液を吹き付けて洗浄する段階とを有し、これらの段
    階が順に実行されることを特徴とするウェーハ処理方
    法。
  6. 【請求項6】 前記洗浄段階の後に、前記ウェーハをウ
    ェーハチャックにより保持して前記スピンチャックから
    取り外した状態で前記ウェーハの下面全体にガスを吹き
    付けて乾燥させる段階を含むことを特徴とする請求項5
    に記載のウェーハ処理方法。
  7. 【請求項7】 前記洗浄段階において、前記ウェーハに
    吹き付けられる前記洗浄液の温度を所定の温度に制御す
    ることを特徴とする請求項5または6のいずれかに記載
    のウェーハ処理方法。
  8. 【請求項8】 前記乾燥段階において、前記ウェーハに
    吹き付けられる前記ガスの温度を所定の温度に制御する
    ことを特徴とする請求項6に記載のウェーハ処理方法。
  9. 【請求項9】 前記乾燥段階の後に、前記スピンチャッ
    クに洗浄液を吹き付けて洗浄する段階を含むことを特徴
    とする請求項6に記載のウェーハ処理方法。
JP32844197A 1997-11-28 1997-11-28 スピン式レジスト塗布装置およびウェーハ処理方法 Pending JPH11162816A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP32844197A JPH11162816A (ja) 1997-11-28 1997-11-28 スピン式レジスト塗布装置およびウェーハ処理方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP32844197A JPH11162816A (ja) 1997-11-28 1997-11-28 スピン式レジスト塗布装置およびウェーハ処理方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH11162816A true JPH11162816A (ja) 1999-06-18

Family

ID=18210315

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP32844197A Pending JPH11162816A (ja) 1997-11-28 1997-11-28 スピン式レジスト塗布装置およびウェーハ処理方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH11162816A (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000114152A (ja) * 1998-10-08 2000-04-21 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
JP2008060462A (ja) * 2006-09-01 2008-03-13 Tokyo Electron Ltd 塗布処理方法、プログラム、コンピュータ読み取り可能な記録媒体及び塗布処理装置
US20080163899A1 (en) * 2006-12-20 2008-07-10 Yasushi Takiguchi Substrate cleaning apparatus, substrate cleaning method, and computer-readable storage medium
US20090202951A1 (en) * 2008-02-12 2009-08-13 Tokyo Electron Limited Cleaning apparatus and cleaning method, coater/developer and coating and developing method, and computer readable storing medium
US20140144465A1 (en) * 2012-11-26 2014-05-29 Tokyo Electron Limited Substrate cleaning system, substrate cleaning method and memory medium
US9443712B2 (en) 2012-11-26 2016-09-13 Tokyo Electron Limited Substrate cleaning method and substrate cleaning system
JP2017118029A (ja) * 2015-12-25 2017-06-29 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000114152A (ja) * 1998-10-08 2000-04-21 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
JP2008060462A (ja) * 2006-09-01 2008-03-13 Tokyo Electron Ltd 塗布処理方法、プログラム、コンピュータ読み取り可能な記録媒体及び塗布処理装置
US8578953B2 (en) * 2006-12-20 2013-11-12 Tokyo Electron Limited Substrate cleaning apparatus, substrate cleaning method, and computer-readable storage medium
US20080163899A1 (en) * 2006-12-20 2008-07-10 Yasushi Takiguchi Substrate cleaning apparatus, substrate cleaning method, and computer-readable storage medium
US9716002B2 (en) 2006-12-20 2017-07-25 Tokyo Electron Limited Substrate cleaning method
US20140102474A1 (en) * 2006-12-20 2014-04-17 Tokyo Electron Limited Substrate cleaning apparatus, substrate cleaning method, and computer-readable storage medium
US8851092B2 (en) * 2008-02-12 2014-10-07 Tokyo Electron Limited Cleaning apparatus and cleaning method, coater/developer and coating and developing method, and computer readable storing medium
US9120120B2 (en) * 2008-02-12 2015-09-01 Tokyo Electron Limited Cleaning apparatus and cleaning method, coater/developer and coating and developing method, and computer readable storing medium
US20090202951A1 (en) * 2008-02-12 2009-08-13 Tokyo Electron Limited Cleaning apparatus and cleaning method, coater/developer and coating and developing method, and computer readable storing medium
TWI401734B (zh) * 2008-02-12 2013-07-11 Tokyo Electron Ltd 洗淨裝置及其方法,塗佈,顯像裝置及其方法,以及記憶媒體
JP2009194034A (ja) * 2008-02-12 2009-08-27 Tokyo Electron Ltd 洗浄装置及びその方法、塗布、現像装置及びその方法、並びに記憶媒体
KR101451442B1 (ko) * 2008-02-12 2014-10-15 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 세정 장치 및 그 방법, 도포 현상 장치 및 그 방법, 및 기억 매체
US20140352736A1 (en) * 2008-02-12 2014-12-04 Tokyo Electron Limited Cleaning apparatus and cleaning method, coater/developer and coating and developing method, and computer readable storing medium
KR20140067892A (ko) * 2012-11-26 2014-06-05 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 세정 시스템, 기판 세정 방법 및 기억 매체
US9443712B2 (en) 2012-11-26 2016-09-13 Tokyo Electron Limited Substrate cleaning method and substrate cleaning system
TWI552220B (zh) * 2012-11-26 2016-10-01 Tokyo Electron Ltd Substrate cleaning system, substrate cleaning method and memory media
TWI566293B (zh) * 2012-11-26 2017-01-11 Tokyo Electron Ltd Substrate cleaning method and substrate cleaning system
US20140144465A1 (en) * 2012-11-26 2014-05-29 Tokyo Electron Limited Substrate cleaning system, substrate cleaning method and memory medium
US9799538B2 (en) * 2012-11-26 2017-10-24 Tokyo Electron Limited Substrate cleaning system
JP2017118029A (ja) * 2015-12-25 2017-06-29 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4040063B2 (ja) 基板洗浄方法、基板洗浄装置およびコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP3587723B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
US9378988B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method using processing solution
JP3993048B2 (ja) 基板処理装置
US5939139A (en) Method of removing coated film from substrate edge surface and apparatus for removing coated film
JP4607755B2 (ja) 基板洗浄方法、基板洗浄装置、制御プログラム、およびコンピュータ読取可能な記憶媒体
KR100558026B1 (ko) 처리장치 및 처리방법
JP3752149B2 (ja) 塗布処理装置
WO2005098919A1 (ja) 基板洗浄装置、基板洗浄方法及びその方法に使用するプログラムを記録した媒体
KR102482211B1 (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체
US20070116459A1 (en) Rinsing method, developing method, developing system and computer-read storage medium
JPH10294261A (ja) レジスト塗布装置
JP2017162916A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP5390873B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP2003031545A (ja) 基板乾燥装置、基板乾燥方法および基板のシリコン酸化膜除去方法
JPH11162816A (ja) スピン式レジスト塗布装置およびウェーハ処理方法
JPH10242110A (ja) 回転処理方法および回転処理装置
JP2006066579A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP5683539B2 (ja) 液処理装置及び液処理方法並びに液処理用記憶媒体
JP2018093146A (ja) 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP2002204992A (ja) 基板処理装置
JP2001110714A (ja) 薬液塗布装置および薬液塗布方法
JP2004022783A (ja) 処理装置
JP2003178944A (ja) 現像処理方法及び現像処理装置
JP2635476B2 (ja) 塗布装置及び塗布方法