JPH10242110A

JPH10242110A - 回転処理方法および回転処理装置

Info

Publication number: JPH10242110A
Application number: JP4823997A
Authority: JP
Inventors: Jun Hirokawa; 潤廣川
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1997-03-03
Filing date: 1997-03-03
Publication date: 1998-09-11

Abstract

(57)【要約】【課題】板状物の回転処理工程において回転軸中心部
の処理むらを解消し、均一な回転処理結果を得る。【解決手段】ポット１５の内部に、回転軸１１ａを介
して基板回転用モータ１２に支持されたチャック１１を
収容し、チャック１１に半導体ウェハ１０を保持して回
転させつつノズル１３から洗浄液１４を供給して洗浄お
よび回転乾燥処理を行う回転処理装置において、ポット
１５の側面に、当該ポット１５および内部のチャック１
１の回転軸１１ａの全体を鉛直方向に対して所望の角度
に傾斜させる傾動軸１７および傾動モータ１８からなる
傾動機構を設け、任意の傾斜角度にチャック１１を傾斜
させた姿勢で所望の回転処理を行うことで、半導体ウェ
ハ１０の回転中心付近に生じる洗浄むらや乾燥むら（液
滴残り）の発生を回避し、均一な洗浄および乾燥処理結
果を短時間に得る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、回転処理技術に関
し、特に、半導体装置の製造プロセスにおける半導体ウ
ェハの回転処理、さらには磁気ディスク、光ディスク、
光磁気ディスク等の板状記憶媒体の製造工程における回
転処理等に適用して有効な技術に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】たとえば、株式会社工業調査会、１９９
４年１１月１８日発行、「電子材料」１９９４年１１月
号別刷、Ｐ７７〜Ｐ８３、等の文献にも記載されている
ように、半導体製造設備、特に半導体ウェハを扱う製造
装置では、基板に薬品を塗布、剥離する場合、基板上で
エッチングする場合、基板を洗浄、乾燥する場合など
に、基板を回転させることが一般的に行われている。

【０００３】上記の基板保持部の一例の模式図を図９に
示す。ここでは、洗浄、乾燥装置を例に採って説明す
る。半導体ウェハ２０は、チャック２１に真空吸着され
ており、基板回転用のモータ２２により回転させること
ができる。ノズル２３は、たとえば洗浄用の水２４など
を噴出し、基板を洗浄する。ノズル２３およびチャック
２１は、基板の搬送やプロセスの都合により一般に水
平、垂直方向に移動させることができる。洗浄が終了す
ると、ノズル２３からの水の噴出は停止し、基板の回転
の遠心力により基板上の水分を乾燥させる。乾燥時間を
短縮するために、ドライエアー（図示せず）を噴出する
ノズル２５を持つ装置もある。ポット２６は、洗浄、乾
燥時の液の飛散を防止するためのものである。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上述のような装置は、
回転軸が垂直あるいは水平である。これらの方式には、
以下の技術的課題がある。

【０００５】回転軸が垂直の場合、回転軸の中心に遠心
力が働かないために、その部分にたとえば乾燥を目的と
する場合には、乾燥不良となりやすい。また、薬液の塗
布を目的とする場合には薬液の厚さの異常が、エッチン
グを目的とする場合にはエッチング量のばらつきが発生
する。

【０００６】乾燥を目的とする場合、ドライエアーなど
を吹き付けることによって中心部の乾燥性を向上可能だ
が、吹き付ける際にノズル周辺の水滴が基板に再付着
し、基板を汚す問題がある。また、塗布やエッチングを
目的とする場合、ノズルの移動および回転数の調節によ
ってこれらの問題を解決しているが、完全に対策できな
い場合が多い。

【０００７】回転軸が水平の場合、乾燥のみを目的とす
る場合には中心部の乾燥不良は発生せず、洗浄も可能で
ある。ただし、この方式では薬液を横から基板に吹き付
けることになり、薬液の塗布、エッチングを安定して行
うことは困難であり、従来からこれらの目的の装置では
この方式は用いられていない。

【０００８】本発明の目的は、処理対象の板状物の全体
に均一な処理を施すことが可能な回転処理技術を提供す
ることにある。

【０００９】本発明の他の目的は、板状物に対する回転
処理の所要時間を短縮するとが可能な回転処理技術を提
供することにある。

【００１０】本発明の他の目的は、半導体ウェハの回転
軸中心部に処理むら等の特異点が発生しにくく、全体に
均一な処理が可能であるとともに多様な回転処理を行う
ことが可能な汎用性の高い回転処理技術を提供すること
にある。

【００１１】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば以
下のとおりである。

【００１３】本発明の回転処理方法は、処理対象の半導
体ウェハ等の板状物の回転軸を、必要に応じて鉛直方向
から所望の角度に傾斜させ、その状態にて所望の回転処
理を実行するものである。

【００１４】また、本発明の回転処理装置は、板状物
を、その主面の法線方向が回転軸となるように支持して
回転させる回転支持機構と、回転軸を鉛直方向に対して
任意の角度に傾斜させる動作を行う傾動機構とを備えた
ものである。

【００１５】この傾動機構は、板状物を支持する回転支
持機構を選択的に傾動させる構造としてもよいし、ある
いは、回転支持機構および板状物が収容されるポットの
全体を傾動させる構造としてもよい。前者の場合には、
傾動時に、回転する板状物等から発生するミストが外部
に飛散することを防止するため、傾動範囲に応じて、ポ
ットの形状を非対称にする。

【００１６】このように、必要に応じて回転軸を鉛直方
向から任意の角度に傾動させることにより、たとえば、
重力の作用により、回転中心部に遠心力が働かないこと
による特異点の発生、すなわち回転処理むらの発生を解
消することが可能になる。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照しながら詳細に説明する。

【００１８】（実施の形態１）図１は、本発明の第１の
実施の形態である回転処理方法が実施される回転処理装
置の構成の一例を示す斜視図であり、図２および図３
は、その構成および作用の一例を説明する略断面図であ
る。

【００１９】本第１の実施の形態では、処理対象の板状
物の一例として、半導体ウェハ１０を洗浄、乾燥させる
ための装置に適用した場合を例に採って説明する。半導
体ウェハ１０は、チャック１１に真空吸着される構成と
なっており、基板回転用モータ１２により回転される。
ノズル１３は、たとえば洗浄用の洗浄液１４を噴出す
る。半導体ウェハ１０が載置されるチャック１１は、基
板回転用モータ１２に底部が一体に固定されたポット１
５の内部に収容され、回転処理中に洗浄液１４の飛沫等
が外部に飛散しないようにしている。ポット１５は底部
にドレインノズル１５ａが設けられ、ポット１５に捕捉
され底部に溜まった洗浄液１４等が、当該ポット１５の
下方に配置されたドレインパン１６に排出される。

【００２０】本第１の実施の形態の場合、図１に例示さ
れるように、ポット１５の外周部は、チャック１１（基
板回転用モータ１２）の回転軸１１ａに直交するように
配置された水平な傾動軸１７に支持された構造となって
おり、この傾動軸１７の端部は、傾動モータ１８に接続
されている。そして、この傾動モータ１８を作動させる
ことにより、基板回転用モータ１２の回転軸１１ａを、
鉛直方向Ｖから、任意の傾斜角度θに傾斜させることが
可能になっている。

【００２１】以下、本実施の形態の回転処理方法および
回転処理装置の作用の一例を説明する。まず、図２に示
すように、半導体ウェハ１０にチャック１１に対する装
填時および洗浄中はチャック１１の回転軸１１ａは、傾
動モータ１８により、鉛直方向にされており、この状態
で所望の回転数にて、半導体ウェハ１０が載置されたチ
ャック１１を回転させて洗浄処理を実行する。この洗浄
処理でのチャック１１の回転数は、一般的には、プロセ
スの種別にもよるが、一例として、５０ｒｐｍ〜４００
０ｒｐｍの範囲である。

【００２２】一方、洗浄の終了〜乾燥時には、図３に例
示されるように、ノズル１３からの洗浄液の噴出は停止
し、傾動モータ１８を作動させて、チャック１１の回転
軸１１ａを鉛直方向Ｖから所望の傾斜角度θに傾斜さ
せ、この状態で、たとえば基板回転用モータ１２の性能
や、チャック１１による半導体ウェハ１０の保持力、偏
心度等によって許容される最大の回転数にて、半導体ウ
ェハ１０を回転させて回転乾燥処理を実行する。たとえ
ば、一例として、口径５インチの半導体ウェハの場合、
半導体ウェハの輪郭形状の精度にも依るがウェハ位置決
め精度：±３００μｍ以下とすると、チャック１１の回
転数は、１００００ｒｐｍ程度である。また、一例とし
て、口径８インチの半導体ウェハの場合、ウェハ位置決
め精度：±５００μｍ以下とすると、チャック１１の回
転数は、６０００ｒｐｍ程度である。

【００２３】また、傾斜角度θは、数度ないし９０度
（回転軸１１ａが水平）の範囲で、最も回転乾燥時間の
所要時間が短く、また、中心部の乾燥むらの少ない値に
設定する。

【００２４】この回転乾燥処理において、本第１の実施
の形態の場合には、チャック１１の回転軸１１ａが鉛直
方向Ｖから傾斜するため、従来のように、回転軸１１ａ
を鉛直方向Ｖに設定する場合に乾燥不良が発生しやすい
半導体ウェハ１０の回転軸中心部の乾燥がよくなり、回
転乾燥時間を短縮することができるとともに、回転中心
部に乾燥むらのない均一な乾燥結果を得ることができ
る。

【００２５】なお、本第１の実施の形態の場合には、半
導体ウェハ１０およびチャック１１を収容したポット１
５の全体が傾動するので、回転乾燥中に発生する洗浄液
１４の飛沫は、傾斜角度に関係なくポット１５に捕捉さ
れる。

【００２６】傾斜状態で回転乾燥処理が終わると、チャ
ック１１の回転軸１１ａは鉛直方向Ｖに戻され、半導体
ウェハ１０を水平な姿勢にして外部に取り出す。

【００２７】（実施の形態２）図４は、本発明の第２の
実施の形態である回転処理装置の要部を取り出して示す
斜視図であり、図５および図６は、その構成および作用
の一例を示す略断面図である。この第２の実施の形態の
場合には、回転処理の一例として、半導体ウェハ３０上
にホトリソグラフィ用のホトレジストを回転塗布する場
合を例示する。

【００２８】本第２の実施の形態の場合、図４〜図６に
示すように、半導体ウェハ３０はチャック３１に真空吸
着されており、基板回転用モータ３２により回転され
る。ノズル３３は、ホトレジスト３３ａを半導体ウェハ
３０に滴下供給する。なお、プロセスの必要性に応じて
複数のノズル（図示せず）を用意し、各ノズルを適宜切
り換えて使用することも可能である。

【００２９】本第２の実施の形態の場合、図４に例示さ
れるように、基板回転用モータ３２の側面には、チャッ
ク３１（基板回転用モータ３２）の回転軸３１ａに直交
する方向の傾動軸３５が接続されており、さらに、この
傾動軸３５は、傾動モータ３６によって所望の角度に回
動される構成となっている。すなわち、傾動モータ３６
を作動させることで、チャック３１の回転軸３１ａを、
鉛直方向Ｖから任意の傾斜角度θ２に傾斜させることが
可能である。本第２の実施の形態の場合、これらの構成
の全体は、ポット３４の内部に収容されており、チャッ
ク３１の回転および傾動動作は、ポット３４とは独立に
行われる。

【００３０】なお、本第２の実施の形態においては、ポ
ット３４の側壁部は、チャック３１の傾動によって半導
体ウェハ３０の端縁がせりあがる側が高側壁３４ａ、そ
の反対側を低側壁３４ｂとなるように、予め非対称な形
状に作られている。これにより、チャック３１の回転軸
３１ａを傾けた場合のホトレジスト３３ａの飛散を確実
に防止することができる。

【００３１】以下、本第２の実施の形態の作用の一例を
説明する。まず、チャック３１の回転軸３１ａを鉛直に
して、チャック３１を水平な姿勢とし、この状態で、チ
ャック３１に半導体ウェハ３０を載置した後、所定量の
ホトレジスト３３ａを、静止状態の半導体ウェハ３０の
上面に供給する。

【００３２】その後、チャック３１を回転させるととも
に、傾動モータ３６を作動させて、チャック３１（基板
回転用モータ３２）の回転軸３１ａを所望の傾斜角度θ
２に傾斜させ、半導体ウェハ３０の表面に、ホトレジス
ト３３ａの塗膜を形成する。この時、一例として、たと
えば、粘度５０ｃｐのホトレジスト３３ａを、４μｍの
厚さに塗布する場合には、チャック３１の回転数は、一
例として、６００〜８００ｒｐｍである。また、一例と
して、たとえば、粘度１００ｃｐのホトレジスト３３ａ
を、３μｍの厚さに塗布する場合には、チャック３１の
回転数は、一例として、４０００〜５０００ｒｐｍであ
る。

【００３３】なお、傾斜角度θ２は、一例として、数度
ないし９０度（回転軸１１ａが水平）の範囲で、半導体
ウェハ３０における回転中心部の膜厚むらが最も小さい
範囲の値を設定する。

【００３４】ここで、従来の装置では、チャックの回転
数、塗布のタイミング、ノズルの位置あるいは移動速度
などを変化させることにより所定の膜厚分布を得ようと
しているが、回転中心部付近では良好な膜厚分布を得る
ことが困難である。

【００３５】これに対して、本第２の実施の形態の回転
処理装置では、図６に示すように傾動モータ３６によ
り、チャック３１の回転軸３１ａを所望の傾斜角度θ２
に傾斜させることにより、半導体ウェハ３０の回転中心
部と外周部とにおける周速度の差異等に起因する塗布膜
厚の不均一化を緩和および補正して半導体ウェハ３０の
回転軸中心部付近の膜厚分布をより均一にすることがで
きる。

【００３６】（実施の形態３）図７は、本発明の第３の
実施の形態である回転処理装置の構成の一例を示す略断
面図である。この第３の実施の形態では半導体ウェハ４
０を洗浄する装置を例示する。

【００３７】本第３の実施の形態の場合、半導体ウェハ
４０は、チャック４１により基板周辺を保持されてお
り、基板回転用モータ４２により回転させる構造となっ
ている。すなわち、チャック４１は、背面側が回転軸４
１ａを介して基板回転用モータ４２に支持された円盤４
１ｂと、この円盤４１ｂの外周部に所望の間隔で配列さ
れた複数の把持爪４１ｃと、個々の把持爪４１ｃを、中
心部側に傾動可能に支持する蝶番４１ｄと、円盤４１ｂ
の背面側に個々の把持爪４１ｃに個別に係合するように
放射状に配置され、個々の把持爪４１ｃの傾動動作を制
御する複数の把持アクチュエータ４１ｅとで構成されて
いる。

【００３８】そして、複数の把持アクチュエータ４１ｅ
を縮退させることにより、複数の把持爪４１ｃは放射状
に拡開され、逆に、複数の把持アクチュエータ４１ｅを
伸長させることにより、複数の把持爪４１ｃは先端部が
円盤４１ｂの中心部側に倒れ込むように変位し、これに
より、半導体ウェハ４０の外周部を把持する動作が行わ
れる。なお、この時、円盤４１ｂから所定の間隔に浮き
上がった状態で支持され、半導体ウェハ４０の表裏双方
の主面は当該円盤４１ｂに対して非接触である。

【００３９】また、本第３の実施の形態の回転処理装置
では、チャック４１（基板回転用モータ４２）の回転軸
４１ａは、予め、所定の傾斜角度θ３（たとえば３０
°）に傾斜した姿勢でポット４４の内部に配置されてい
る。また、この傾斜角度θ３に応じて、ポット４４の側
壁部の形状は、高側壁部４４ａおよび低側壁部４４ｂの
ように非対称の形状となっており、飛沫が外部に飛散す
ることを防止している。

【００４０】以下、本第３の実施の形態の作用の一例を
説明する。

【００４１】まず、チャック４１の複数の把持爪４１ｃ
を放射状に拡開させた状態で、処理対象の半導体ウェハ
４０をポット４４の内部に搬入し、円盤４１ｂと半導体
ウェハ４０を所定の間隔で平行に位置決めした後、複数
の把持爪４１ｃを閉じる方向に変位させることで、当該
複数の把持爪４１ｃにて、半導体ウェハ４０の外周部を
把持して支持する。

【００４２】その後、所定の回転数にてチャック４１を
回転させつつ、洗浄液４５をノズル４３から半導体ウェ
ハ４０に供給して所定の時間だけ洗浄処理を行った後、
洗浄液４５の供給を停止する。

【００４３】その後、チャック４１の回転数をさらに大
きくして半導体ウェハ４０に付着している液滴を振り切
る回転乾燥を行う。この時、半導体ウェハ４０を支持す
るチャック４１の回転軸４１ａが傾斜しているために、
洗浄液噴出終了後の乾燥時に回転軸中心付近に液滴が残
りにくく、乾燥むらの発生が防止されるとともに、中心
部の液滴を除去する等のために必要以上に乾燥時間を長
くする必要がなく、乾燥時間の短縮を実現することがで
きる。

【００４４】また、半導体ウェハ４０は、表裏いずれの
主面も円盤４１ｂに非接触なので、たとえば、半導体ウ
ェハ４０の裏面４０ｂを上向きにした姿勢での洗浄処理
等においても、反対側の表面４０ａ（素子形成面）が円
盤４１ｂに接触することがなく、半導体ウェハ４０の表
面４０ａ（素子形成面）の汚染を確実に防止することが
できる。

【００４５】（実施の形態４）図８は、本発明の第４の
実施の形態である回転処理方法の一例を示すフローチャ
ートである。

【００４６】この第４の実施の形態では、半導体装置の
製造プロセスにおけるウェットエッチング工程における
半導体ウェハの処理の一例を示す。なお、本第４の実施
の形態では、前述の第１の実施の形態にて例示される回
転処理装置を使用する。

【００４７】まず、チャック１１を水平（回転軸１１ａ
を鉛直方向）にした状態で、半導体ウェハ１０の表面１
０ａ（素子形成面）を上向きにした姿勢でチャッキング
を行う（ステップ１００）。

【００４８】その後、たとえば、回転軸１１ａを鉛直方
向Ｖから３０度程度傾斜させるとともに、チャック１１
を、たとえば２０００ｒｐｍ程度の速度で回転させ、こ
の状態で、たとえば、５％のＨＦ溶液からなるエッチン
グ液５１をノズル１３から半導体ウェハ１０の表面１０
ａに供給することでウェットエッチングを行う（ステッ
プ１０１）。この時、チャック１１が傾斜しているの
で、半導体ウェハ１０の回転中心部におけるエッチング
処理の特異点の発生が回避され、半導体ウェハ１０の全
体で均一のエッチング処理結果を得ることができる。

【００４９】その後、チャック１１の回転数を、たとえ
ば５００ｒｐｍ程度に低下させるとともに、おなじ傾斜
角度のままで、ノズル１３からエッチング液５１の代わ
りに純水５２を半導体ウェハ１０に供給して洗浄処理を
行う（ステップ１０２）。この時、チャック１１が傾斜
しているので、半導体ウェハ１０の回転中心部における
洗浄処理の特異点の発生が回避され、半導体ウェハ１０
の全体で均一な洗浄処理結果を得ることができる。

【００５０】その後、純水５２の供給を停止するととも
に、チャック１１の回転数を、たとえば５０００ｒｐｍ
程度に増加させるとともに、傾斜角度θを、たとえば４
５度〜９０度に設定して、回転乾燥処理を行う（ステッ
プ１０３）。この時、チャック１１が傾斜しているの
で、半導体ウェハ１０の回転中心部における洗浄液の残
り等の発生が回避され、短時間に半導体ウェハ１０の全
体で均一の乾燥処理結果を得ることができる。

【００５１】その後、チャック１１を水平（回転軸１１
ａを鉛直方向）に戻し、ウェットウェハ、洗浄、乾燥処
理を終えた半導体ウェハ１０をチャック１１から取り出
す（ステップ１０４）。

【００５２】このように、本第４の実施の形態の回転処
理方法によれば、半導体装置の製造プロセスにおけるウ
ェットエッチング、洗浄および乾燥工程における処理の
均一化および工程所要時間の短縮を実現することが可能
になり、工程のスループットが大きくなるとともに、半
導体ウェハ１０に形成される半導体装置の歩留りも向上
する。

【００５３】以上本発明者によってなされた発明を実施
の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施
の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しな
い範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

【００５４】たとえば、上述の各実施の形態にて例示し
た傾斜角度や回転数等の値はあくまでも一例であり、板
状物の種類や、処理の種別等に応じて、所望の値を選択
することができる。また、固定的な傾斜角度に限らず、
所望の傾斜角度の範囲内で揺動させることも、本発明に
含まれる。

【００５５】また、上述の各実施の形態では、板状物の
一例として、半導体ウェハに適用した場合を例示した
が、磁気ディスク、光ディスク、光磁気ディスク等にお
ける精密洗浄処理等に広く適用することができる。

【００５６】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【００５７】本発明の回転処理方法によれば、処理対象
の板状物の全体に均一な処理を施すことができる、とい
う効果が得られる。

【００５８】また、本発明の回転処理方法によれば、板
状物に対する回転処理の所要時間を短縮するとができ
る、という効果が得られる。

【００５９】また、本発明の回転処理方法によれば、半
導体ウェハの回転軸中心部に処理むら等の特異点が発生
しにくく、全体に均一な処理が可能であるとともに多様
で汎用性の高い回転処理を行うことができる、という効
果が得られる。

【００６０】本発明の回転処理装置によれば、処理対象
の板状物の全体に均一な処理を施すことができる、とい
う効果が得られる。

【００６１】また、本発明の回転処理装置によれば、板
状物に対する回転処理の所要時間を短縮するとができ
る、という効果が得られる。

【００６２】また、本発明の回転処理装置によれば、半
導体ウェハの回転軸中心部に処理むら等の特異点が発生
しにくく、全体に均一な処理が可能であるとともに多様
で汎用性の高い回転処理を行うことができる、という効
果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態である回転処理方法
が実施される回転処理装置の構成の一例を示す斜視図で
ある。

【図２】本発明の第１の実施の形態である回転処理方法
が実施される回転処理装置の構成および作用の一例を説
明する略断面図である。

【図３】本発明の第１の実施の形態である回転処理方法
が実施される回転処理装置の構成および作用の一例を説
明する略断面図である。

【図４】本発明の第２の実施の形態である回転処理装置
の要部を取り出して示す斜視図である。

【図５】本発明の第２の実施の形態である回転処理装置
の構成および作用の一例を示す略断面図である。

【図６】本発明の第２の実施の形態である回転処理装置
の構成および作用の一例を示す略断面図である。

【図７】本発明の第３の実施の形態である回転処理装置
の構成の一例を示す略断面図である。

【図８】本発明の第４の実施の形態である回転処理方法
の一例を示すフローチャートである。

【図９】考えられる回転処理装置の構成の一例を示す略
断面図である。

【符号の説明】

１０半導体ウェハ（板状物）１０ａ表面１１チャック（回転支持機構）１１ａ回転軸１２基板回転用モータ１３ノズル１４洗浄液１５ポット１５ａドレインノズル１６ドレインパン１７傾動軸（傾動機構）１８傾動モータ（傾動機構）２０半導体ウェハ（板状物）２１チャック２２モータ２３ノズル２４水２５ノズル２６ポット３０半導体ウェハ（板状物）３１チャック（回転支持機構）３１ａ回転軸３２基板回転用モータ３３ノズル３３ａホトレジスト３４ポット３４ａ高側壁３４ｂ低側壁３５傾動軸（傾動機構）３６傾動モータ（傾動機構）４０半導体ウェハ（板状物）４０ａ表面４０ｂ裏面４１チャック（把持機構：回転支持機構）４１ａ回転軸４１ｂ円盤４１ｃ把持爪４１ｄ蝶番４１ｅ把持アクチュエータ４２基板回転用モータ４３ノズル４４ポット４４ａ高側壁部４４ｂ低側壁部４５洗浄液５１エッチング液５２純水

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】板状物を、その主面の法線方向を回転軸
として回転させることによって所望の処理を施す回転処
理方法であって、前記回転軸を鉛直方向にした第１の姿勢、および前記回
転軸を前記鉛直方向に対して所望角度だけ傾斜させた第
２の姿勢の少なくとも一方の姿勢にて前記処理を遂行す
ることを特徴とする回転処理方法。
【請求項２】請求項１記載の回転処理方法において、
前記処理は、回転塗布処理、ウェットエッチング処理、
洗浄処理、回転乾燥処理の少なくとも一つを含むことを
特徴とする回転処理方法。
【請求項３】請求項１記載の回転処理方法において、
前記板状物は半導体ウェハであり、前記処理は、ホトレ
ジストの回転塗布処理、前記半導体ウェハのウェットエ
ッチング処理、純水洗浄処理、回転乾燥処理の少なくと
も一つを含むことを特徴とする回転処理方法。
【請求項４】板状物を、その主面の法線方向が回転軸
となるように支持して回転させる回転支持機構と、前記
回転軸を鉛直方向に対して任意の角度に傾斜させる動作
を行う傾動機構とを備えたことを特徴とする回転処理装
置。
【請求項５】請求項４記載の回転処理装置において、
前記板状物および回転支持機構が収容されるポットを備
え、前記傾動機構は、前記回転支持機構および前記ポッ
トの全体を傾動させることによって前記回転軸を前記鉛
直方向に対して傾斜させることを特徴とする回転処理装
置。
【請求項６】請求項４記載の回転処理装置において、
前記板状物および回転支持機構が収容されるポットを備
え、前記傾動機構は、前記ポット内の前記回転支持機構
を選択的に傾動させることによって前記回転軸を前記鉛
直方向に対して傾斜させることを特徴とする回転処理装
置。
【請求項７】請求項６記載の回転処理装置において、
前記ポットは、前記傾動機構による前記回転支持機構の
傾動範囲内において、前記板状物から発生する飛沫が前
記ポットの外部に飛散しないような非対称形状を備えた
ことを特徴とする回転処理装置。
【請求項８】請求項４記載の回転処理装置において、
前記回転支持機構は、載置される前記板状物を真空吸着
によって固定支持するチャックからなることを特徴とす
る回転処理装置。
【請求項９】請求項４記載の回転処理装置において、
前記回転支持機構は、前記板状物の外縁部の複数箇所を
把持する把持機構からなることを特徴とする回転処理装
置。