TWI401734B - 洗淨裝置及其方法，塗佈，顯像裝置及其方法，以及記憶媒體 - Google Patents

洗淨裝置及其方法，塗佈，顯像裝置及其方法，以及記憶媒體 Download PDF

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Description

洗淨裝置及其方法，塗佈，顯像裝置及其方法，以及記憶媒體
本發明是有關在液浸曝光前洗淨例如半導體晶圓或液晶顯示器用的玻璃基板(LCD基板)等的基板之技術。
在半導體裝置或LCD基板的製造製程中，是藉由被稱為光微影(Photolithography)的技術來對基板進行光阻劑圖案的形成。此技術是例如在半導體晶圓(以下稱為晶圓)等的基板塗佈光阻劑液，以所定的圖案來曝光此光阻劑之後，藉由進行所謂顯像處理的一連串工程來進行，如此的處理一般是在進行光阻劑液的塗佈或顯像的塗佈、顯像裝置，利用連接曝光裝置的光阻劑圖案形成系統來進行。
可是，近年來，裝置圖案有日益微細化、薄膜化的傾向，隨之，提高曝光的解像度的要求增強，檢討在基板的表面形成使光透過的液層之狀態下曝光的手法(以下稱為「液浸曝光」)。此液浸曝光是在晶圓與設於曝光手段的透鏡之間形成液膜，從光源經由透鏡及液膜來照射光至晶圓，藉此將所定的電路圖案轉印至光阻劑。實際的曝光處理是在與晶圓表面之間形成液膜的狀態下，重複進行使曝光手段滑移於橫方向，配置在對應於其次的轉印區域的位置，照射光之動作，藉此在晶圓表面依序轉印所定的電路圖案。
如此的液浸曝光是與液膜一起移動曝光手段進行曝光處理，因此即使在晶圓表面的一部分附著粒子，此粒子還是會被取入至液膜而與液膜一起移動，其結果轉印的程度、曝光會受阻，恐有光阻劑圖案的缺陷部分散在晶圓全體之虞。因此，在進行曝光處理之前，進行晶圓表面的洗淨處理(參照專利文獻1)。
又，由於晶圓之包含斜面部10(傾斜部分)的周緣部是未含於裝置的形成區域，因此例如基於防止粒子發生等的目的，反射防止膜或光阻劑膜是分別在晶圓成膜後對該周緣部供給溶劑而洗滌，藉此除去該周緣部，如圖17所示有時會以能在晶圓W的周緣部具有階差的方式層疊。圖中11是反射防止膜，12是光阻劑膜，13是形成於光阻劑膜的上層的表面塗層(top coat)。藉由如此的構造，表面塗層13會形成在斜面部10容易剝離的狀態，且斜面部10是搬送手段所保持的部位，因此在搬送時表面塗層13會剝離而成為粒子來附著於該斜面部10。因此，在液浸曝光前洗淨該斜面部10，除去附著於該部位的粒子之手法也被提案(參照專利文獻2)。
加上近年來，在液浸曝光之前除去晶圓背面側的粒子之要求也日益增高。一旦在晶圓背面附著粒子，則在用以載置晶圓的平台與晶圓之間會有粒子進入，因此在晶圓產生彎曲而曲率變化，隨著裝置圖案的微細化進展，將成為在曝光時引起散焦(Defocus)(失焦的現象)的原因。
可是，上述光阻劑圖案形成系統內是被維持高清淨度 ，因此上述晶圓背面的洗淨，一般是在晶圓搬入上述系統之前，以設於該系統外部的洗淨裝置來進行。然而，隨著裝置圖案的微細化，半導體裝置的製造工程所含的工程數也增加，在晶圓背面粒子附著的風險也變大。並且在液浸曝光是即使附著於晶圓背面的粒子為極微細5~10μm程度，還是會有已述那樣的散焦現象的問題。因此，為了進行高精度的曝光處理，較理想是在上述光阻劑圖案形成系統內裝入進行晶圓背面的洗淨之洗淨單元，在即將進行液浸曝光之前進行晶圓的洗淨處理。
在此，有關晶圓的洗淨，是例如對固定於真空吸盤或機械吸盤的晶圓，由上方來推擠刷子，一邊供給脫離子水(Deionized Water：以下稱為DIW)等，一邊使晶圓與刷子相對地滑動，藉此來除去粒子的手法為一般。另一方面，在上述光阻劑圖案形成系統中，晶圓通常是在使上面朝上的狀態下搬送。因此在將進行晶圓的背面洗淨的洗淨裝置裝入系統內時，若所欲由晶圓背面的上方來推擠刷子而進行晶圓背面側的洗淨，則必須在晶圓的搬送手段與洗淨裝置之間設置被稱為反向器的基板反轉裝置，在晶圓搬出入至洗淨裝置時，使晶圓背面成為朝向上方的狀態。可是，就如此的手法而言，是需要設置反向器的空間或進行晶圓的反轉動作的空間，造成塗佈、顯像裝置大型化。又，就為了省略反向器的設置而將刷子設置於晶圓下方的構成而言，被保持晶圓的吸盤等所覆蓋的區域是不能洗淨，無法洗淨背面全體。
並且，在上述光阻劑圖案形成系統中，有塗佈單元、顯像單元、進行光阻劑塗佈或顯像的前後處理的單元等多數的單元被配置，但在此系統要求一面抑止裝置的專有面積的增大，一面增多單元的配置數來想要謀求處理能力的提升。因此，若個別地準備進行晶圓表面的洗淨之表面洗淨單元、進行晶圓的斜面部10的洗淨之斜面洗淨單元、及進行晶圓背面的洗淨之背面洗淨單元，分別個別地裝入，則無空間設置的寬裕。又，由處理能力的觀點來看，分別以個別的單元來洗淨晶圓表面、斜面部及晶圓背面時，除了各個單元的洗淨時間以外，還必須加算搬送晶圓的時間或在各個單元與搬送臂之間進行晶圓的交接的時間，處理時間會增大，會有招致處理能力的降低的問題。
而且，在進行液浸曝光處理的製程，為了使反射防止膜的藥液或光阻劑液與晶圓的密著性提高，抑制液浸曝光時的反射防止膜或光阻劑膜的膜剝落，而進行疏水化處理，因此也會發生其次那樣的問題。此疏水化處理是以疏水化處理劑的蒸氣來進行氣體處理者，但上述蒸氣會繞進至晶圓W背面，例如在晶圓W背面，如圖18所示，從晶圓的外緣到15mm程度內側進行疏水化處理。圖18中，斜線部14是顯示被疏水化處理的區域。
如此在晶圓的背面側存在上述被疏水化的區域及未被疏水化的區域，對於未被疏水化的區域而言，已述那樣的刷子洗淨有效，但被疏水化的區域則是因為撥水性高，所以難以充分地遍及洗淨液，一旦直接推擠刷子來使旋轉， 則刷子的纖維會被消去而產生多量的粒子，恐有污染晶圓之虞。
由以上可知，在進行液浸曝光時，需要在曝光處理前，分別針對晶圓的表面、斜面部及背面進行洗淨，必須檢討有關在1個的模組內進行該等的情況，及在背面洗淨中分別對被疏水化的區域及未被疏水化的區域使用適當的洗淨方法進行的情況。
在專利文獻1中記載有關於在液浸曝光前洗淨晶圓表面的手法，在專利文獻2中記載有在液浸曝光前除去晶圓的斜面部的光阻劑膜的手法。然而，在該等專利文獻1，2中皆未記載關於在液浸曝光前洗淨晶圓背面的手法、或一面抑止裝置的佔有面積的增大或處理能力的降低，一面洗淨晶圓的表面、斜面部及背面，無法解決本發明的課題。
〔專利文獻1〕特開2006-80403號公報
〔專利文獻2〕特開2007-214279號公報
本發明是在如此的情事下被研發，其目的是在於提供一種可在1台的洗淨裝置中進行基板的表面及斜面部以及背面的洗淨之技術。
因應於此，本發明之洗淨裝置，係洗淨被塗佈光阻劑 ，在其表面形成液層而被液浸曝光之前的基板者，其特徵係具備：第1基板保持手段，其係使基板表面朝上的狀態下，將此基板的背面的第1區域保持於水平；第2基板保持手段，其係由此第1基板保持手段接受基板，將不會與上述第1區域重疊的基板背面的第2區域保持於水平，且使該基板旋轉於鉛直軸周圍；表面洗淨噴嘴，其係用以在藉由上述第2基板保持手段來旋轉的基板的表面，供給表面用的洗淨液，而洗淨該表面；斜面洗淨噴嘴，其係用以在藉由上述第2基板保持手段來旋轉的基板的斜面部，供給斜面部用的洗淨液，而洗淨該斜面部；洗淨液供給手段，其係對被上述第1基板保持手段或第2基板保持手段所保持的基板的背面供給洗淨液；及洗淨構件，其係接觸於被上述第1基板保持手段或第2基板保持手段所保持的基板的背面，而洗淨該背面。
又，最好本發明是具備：移動手段，其係用以使上述第1基板保持手段對上述第2基板保持手段相對地移動於橫方向；及昇降手段，其係用以使上述第1基板保持手段對上述第2基板保持手段相對地移動於上下方向。
又，最好本發明是具備輸出控制指令的手段，其係使基板保持於第1基板保持手段，藉由上述洗淨構件來洗淨 包含上述第2區域的基板的背面，其次將基板從第1基板保持手段交接至第2基板保持手段，藉由此第2基板保持手段來使基板旋轉，而得以藉由上述洗淨構件來洗淨上述第2區域以外的基板的背面。
在此，輸出上述控制指令的手段，係構成以能夠一邊藉由上述洗淨構件來洗淨第2區域以外的基板的背面，一邊由表面洗淨手段及斜面洗淨手段來分別朝基板供給洗淨液，而進行上述基板的表面及斜面部的洗淨之方式輸出控制指令。
又，本發明可更具備背面周緣洗淨手段，其係對被上述第2基板保持手段所保持、旋轉之基板的背面的周緣區域供給背面周緣用的洗淨液。
此情況，輸出上述控制指令的手段，係構成以能夠一邊藉由上述洗淨構件來洗淨第2區域以外的基板的背面，一邊由表面洗淨手段及斜面洗淨手段以及背面周緣洗淨手段分別朝基板供給洗淨液，而進行上述基板的表面及斜面部以及背面斜面部的洗淨之方式輸出控制指令。
如此的洗淨裝置可裝入塗佈、顯像裝置中，該塗佈、顯像裝置係具備：在基板的表面塗佈光阻劑的塗佈單元、及對其表面形成液層而被液浸曝光後的基板供給顯像液而顯像的顯像單元。
又，本發明的洗淨方法，係洗淨被塗佈光阻劑，在其表面形成液層而被液浸曝光之前的基板者，其特徵係具備： 使被塗佈光阻劑，被液浸曝光之前的基板，在將此基板的表面朝上的狀態下，藉由第1基板保持手段來保持此基板的背面的第1區域，洗淨不會與此基板的背面的上述第1區域重疊的第2區域之工程；其次從第1基板保持手段藉由第2基板保持手段來接受基板，將上述第2區域保持於水平之工程；對被上述第2基板保持手段所保持，旋轉於鉛直軸周圍的基板的表面供給表面用的洗淨液而洗淨該表面之工程；對被上述第2基板保持手段所保持，旋轉於鉛直軸周圍的基板的斜面部供給斜面部用的洗淨液而洗淨該斜面部之工程；及使上述基板保持於第2基板保持手段，一邊旋轉於鉛直軸周圍，一邊洗淨基板的背面的上述第2區域以外的區域之工程。
在此最好以洗淨上述基板的表面的工程、洗淨上述斜面部的工程、及洗淨上述基板的背面的上述第2區域以外的區域的工程能夠彼此洗淨時間重疊之方式進行。
又，亦可更具備：對被上述第2基板保持手段所保持、旋轉之基板的背面的周緣區域供給背面周緣用的洗淨液，而洗淨該周緣區域之工程。
此情況，最好以洗淨上述基板的表面的工程、洗淨上述基板的周緣的工程、洗淨上述基板的上述第2區域以外的區域的工程、及洗淨上述基板的背面的周緣區域的工程 能夠彼此洗淨時間重疊之方式進行。
如此的洗淨方法，係於塗佈、顯像方法中，對被塗佈光阻劑，被液浸曝光之前的基板進行，該塗佈、顯像方法係顯像處理被塗佈光阻劑，在其表面形成液層而被液浸曝光之後的基板者。
又，本發明的記憶媒體，係儲存使用於洗淨裝置的電腦程式，該洗淨裝置係洗淨被塗佈光阻劑，在其表面形成液層而被液浸曝光之前的基板者，其特徵為： 上述程式係以能夠實行如申請專利範圍第8或9項所記載的洗淨方法之方式編入步驟群。
若根據本發明的洗淨裝置，則由於是在支撐保持基板的背面，使基板表面朝上的狀態進行基板背面的洗淨，因此不需要使基板反轉的工程，可使洗淨裝置的設置空間小型化。又，由於是在第1及第2基板保持手段之間換持基板而進行背面洗淨，因此可全部洗淨基板背面全體。又，由於是在使基板表面朝上的狀態下進行洗淨，因此可組合基板的背面洗淨與表面及斜面部的洗淨，可在1台的洗淨裝置中，進行基板的表面及斜面部以及背面的洗淨。因此，相較於以個別的單元來進行該等的洗淨時，不必加算基板的搬送時間或交接時間，可抑止處理能力的降低。
並且，在將該洗淨裝置裝入塗佈、顯像裝置時，是只要佔1台份的設置空間即可，因此一方面可抑止塗佈、顯 像裝置的佔有面積的增大，另一方面對於液浸曝光前的基板，可達成在塗佈、顯像裝置內進行基板的表面及斜面部以及背面的洗淨之要求。
首先，一邊參照圖1及圖2一邊簡單說明具備進行液浸曝光的曝光裝置之光阻劑圖案形成系統的全體構成，作為本發明的塗佈、顯像裝置之一實施形態。此系統是在塗佈、顯像裝置連接上述曝光裝置者，圖中B1是具備用以搬出入載體C1的載置部120之載體載置部，該載體C1是密閉收納有例如13片的基板之半導體晶圓W(以下稱為「晶圓W」)。在此是設有從該載體載置部B1來看設於前方的壁面之開閉部121、及用以經由上述開閉部121來從載體C1取出晶圓W之交接手段A1。
在上述載體載置部B1的內側連接有以框體122包圍周圍的處理部B2，在此處理部B2是具備：使由載體載置部B1來看配置於前後方向的加熱．冷卻系的單元多段化之棚架單元U1，U2，U3、及由載體載置部B1來看配置於右側之後述的液處理單元U4，U5、及在該等棚架單元U1~U3和處理單元U4，U5的各單元間進行晶圓W的交接之主搬送手段A2，A3，且棚架單元U1，U2，U3與主搬送手段A2，A3是由載體載置部B1來看從前側起依序交替配列設置。又，上述主搬送手段A2，A3是被放置於藉由以上述棚架單元U1，U2，U3側的一面側、上述液處理 單元U4，U5側的一面側、及成為左側的一面的背面部所構成的區劃壁123來包圍的空間內。又，圖中124，125是具備使用於各單元之處理液的溫度調節裝置或溫溼度調節用的管路等之溫溼度調整單元。
例如圖2所示，上述液處理單元U4，U5是將塗佈單元COT、顯像單元DEV、反射防止膜形成單元BARC、及表面塗層形成單元TC予以層疊成複數段例如5段所構成者。又，已述的棚架單元U1，U2，U3是將用以進行在液處理單元U4，U5所被進行的處理之前處理及後處理的各種單元予以層疊成複數段例如10段之構成，例如設有對晶圓W進行疏水化處理的疏水化處理單元、加熱(烘烤)晶圓W的加熱單元、冷卻晶圓W的冷卻單元等。
在上述處理部B2的棚架單元U3的內側是經由介面部B3來連接例如進行液浸曝光的曝光裝置B4。上述介面部B3是藉由在處理部B2與曝光裝置B4之間前後設置的第1搬送室126及第2搬送室127所構成，分別具備昇降自如及在鉛直軸周圍旋轉自如且進退自如的第1搬送臂A4及第2搬送臂A5。更在第1搬送室126設有棚架單元U6、緩衝卡匣CO及後述的洗淨裝置100。上述棚架單元U6是上下層疊對曝光後的晶圓W進行PEB處理的加熱單元及具有冷卻板的高精度溫調單元、或在第1搬送臂A4與第2搬送臂A5之間進行晶圓W的交接時所被使用的交接單元等之構成。另外，就此例而言，對洗淨裝置100是藉由第2搬送臂A5來進行晶圓W的交接。
針對上述系統的晶圓W的流程之一例來進行。首先，一旦從外部收納晶圓W的載體C1被載置於載置部120，則載體C1的蓋體會與開閉部121一起卸下而藉由交接手段A1來取出晶圓W。然後，晶圓W是經由成為棚架單元U1的一段之交接單元來交接至主搬送手段A2，首先在疏水化處理單元進行疏水化處理。接著，晶圓W是被搬送至反射防止膜形成單元BARC而形成反射防止膜後，在加熱單元進行烘烤處理。
其次，晶圓W是在塗佈單元COT在其表面形成光阻劑膜後，在加熱單元進行烘烤處理，之後藉由主搬送手段A3來搬送至介面部B3。在介面部B3是以第1搬送臂A4→棚架單元U6的交接單元→第2搬送臂A5→洗淨單元100的路徑來交接至洗淨單元100，在該洗淨單元100中，對液浸曝光前的晶圓W進行對其表面及斜面部以及背面的洗淨處理。另外，在將液浸曝光用的保護膜塗佈於光阻劑膜的晶圓W時，是在冷卻單元冷卻後，在處理部B2內之未圖示的單元進行保護膜用的藥液的塗佈。
如此被洗淨的晶圓W是被搬入至曝光部B4，而於晶圓W的表面例如形成純水的液膜之狀態下進行液浸曝光。然後完成液浸曝光的晶圓W是從曝光部B4取出，例如由設於介面部B3的洗淨裝置100來進行晶圓W表面的水滴除去，然後搬入至成為棚架單元U6的一段之加熱單元，進行PEB處理。
接著，晶圓W是藉由第1搬送臂A4來從加熱單元取 出而交接至主搬送手段A3，藉由此主搬送手段A3來搬入至顯像單元DEV。如此進行所定的顯像處理後，晶圓W是以加熱單元來加熱，經由交接手段A1來回到載體載置部B1的原載體C1。
接著，一邊參照圖3~圖5一邊說明有關被裝入上述光阻劑圖案形成裝置的洗淨裝置100的實施形態。圖3是洗淨裝置100的立體圖，圖4是其平面圖，圖5是分別顯示縱剖面圖。如圖3所示，洗淨裝置100是形成在上面開口的箱狀的下杯43安裝作為第1基板保持手段的吸附墊2及作為第2基板保持手段的旋轉吸盤3之構造(該吸附墊2是大致水平地吸附保持從外部的搬送手段，此例是從塗佈、顯像裝置內的第2搬送臂A5接受的晶圓W，該旋轉吸盤3是同樣大致水平地吸附保持從該吸附墊2接受晶圓W)，具備：洗淨晶圓W的背面中央側的第1洗淨區域之刷子5、及用以洗淨晶圓W的表面之表面洗淨噴嘴6、及用以洗淨晶圓W的斜面部之斜面洗淨噴嘴7、及用以洗淨晶圓W的背面的上述第1洗淨區域的外側的第2洗淨區域之背面周緣洗淨噴嘴8。
首先說明有關第1基板保持手段的吸附墊2。如圖3所示，洗淨裝置100是具備2個的吸附墊2，各個的吸附墊2是例如由細長的塊體所構成。2個的吸附墊2是配置成可大致平行地支撐保持晶圓W背面的周緣附近部(第1區域)。吸附墊2是與未圖示的吸引管連接，具有作為經由圖4所示的吸附孔2a來一邊吸附晶圓W一邊保持的真 空吸盤之機能。如圖3所示，分個的吸附墊2是被安裝於細長棒狀的墊支撐部21的大致中央部，該等2根的墊支撐部21的兩端部會分別被安裝於2根的橋桁部22，藉此來構成由墊支撐部21及橋桁部22所構成的井字橫樑20。
2根的橋桁部22的兩端是在下杯43的對向的2側壁(朝向圖3是前側及內側的側壁)的外側分別固定於沿著該等的側壁而架設的2條傳動帶23。各個的傳動帶23是被卷掛於2個1組的巻掛軸24，各巻掛軸24是被安裝於分別與上述2側壁平行設置的2片側板26。巻掛軸24之一是連接至成為移動手段的驅動機構25，經由巻掛軸24、傳動帶23來移動橋桁部22，而使已述的井字橫樑20全體能夠自由移動於圖3、圖4所示的X方向。
又，如圖3所示，各個的側板26是藉由滑塊27a及導軌27b所構成的2組昇降機構27來支撐其底面，固定於洗淨裝置100之未圖示的框體床面。在該等的昇降機構27之一設有未圖示的驅動機構，使滑塊27a昇降於導軌27b內，藉此可使前述的井字橫樑20全體昇降於圖中的Z方向。
並且，在井字橫樑20上跨設有用以抑制洗淨液的飛散之甜甜圈狀的上杯41。在上杯41的上面設置比晶圓W更大口徑的開口部41a，可經由此開口部41a在第2搬送臂A5與吸附墊2等之間進行晶圓W的交接。另外，跨設於井字橫樑20上的上杯41是如圖5所示那樣構成可隨著井字橫樑20的作動而移動於X方向及Z方向。如此晶圓 W是被吸附墊2支撐，配置於上杯41內的第1洗淨位置。
其次，說明有關第2基板保持手段的旋轉吸盤3。旋轉吸盤3是由下方支撐晶圓W的背面中央部(第2區域)之圓板。旋轉吸盤3是被設置於大致平行配置的2個吸附墊2的中間，藉由各個的基板保持手段(吸附墊2、旋轉吸盤3)所支撐的晶圓W背面的第1區域與第2區域是不會重疊。如圖5所示，旋轉吸盤3是經由軸部3b來連接至驅動機構(旋轉吸盤馬達)33，旋轉吸盤3是藉由此旋轉吸盤馬達33在鉛直軸周圍旋轉自如及昇降自如。在此使井字橫樑20昇降的昇降機構27及使旋轉吸盤3昇降的驅動機構33是構成用以使旋轉吸盤3(第2基板保持手段)對吸附墊2(第1基板保持手段)相對地昇降的昇降手段。
又，與吸附墊2同様，旋轉吸盤3也與未圖示的吸引管連接，具有作為經由圖4所示的吸附孔3a來一邊吸附晶圓W一邊保持的真空吸盤之機能。更在旋轉吸盤3的側方，與昇降機構32a連接的支撐銷32會被設成可支撐晶圓W的背面來昇降，可藉由與外部的搬送手段的互相作用來交接晶圓W，從搬送手段往吸附墊2，亦從旋轉吸盤3往搬送手段，。如此晶圓W是被旋轉吸盤3支撐，而配置於上杯41內的第2洗淨位置。
更如圖6所示，在旋轉吸盤3或支撐銷32的周圍， 設置有成為包圍該等的機器的構件之氣刀31。氣刀31是在圓筒(包圍構件)的上端沿著周方向形成有氣體的噴射口31a，從此噴射口31a朝向晶圓W背面噴出例如壓縮空氣等的氣體，藉此將洗淨液噴至圓筒的外側，在往旋轉吸盤3交接晶圓W時，達成作為乾燥手段的任務，亦即使旋轉吸盤3的表面與以此旋轉吸盤支撐的基板的背面(第2區域)互相在乾燥的狀態下接觸。上述氣刀31是例如由二重圓筒所構成，可經由此二重圓筒間的中空部來將從未圖示的供給部所供給的氣體予以供給至噴射口31a。
其次，說明有關作為進行晶圓W的背面洗淨的洗淨構件之刷子5。刷子5是例如將多數的塑膠纖維捆成圓柱狀的構造，在將上面推壓於晶圓W背面的狀態下使旋轉自如的刷子5與晶圓W互相地滑動，藉此可除去晶圓W背面的粒子。刷子5是例如使用PVC海綿、尿烷海綿、尼龍纖維等。刷子5是被安裝於予以支撐的支撐部51的前端，支撐部51是以不會干擾晶圓W或橋桁部2的方式形成彎曲成長把杓子型的形狀。此支撐部51的基端是被固定於傳動帶52，該傳動帶52是在圖3中從旋轉吸盤3設置的方向來看刷子5沿著內側的側壁架設。傳動帶52是被卷掛於2個的巻掛軸53，該等的巻掛軸53是被安裝於上述內側的側壁外面。巻掛軸53的一方是被連接至驅動機構54，可經由傳動帶52及支撐部51來使刷子5在後述的第1洗淨區域S1內於圖3、圖4所示的Y方向移動自如。
並且，在支撐部51的前端設有未圖示的驅動機構，可使刷子5旋轉於周方向。更在支撐部51的前端，如圖4所示，設置有成為洗淨液供給手段的洗淨液噴嘴5a及吹嘴5b，從洗淨液噴嘴5a是供給洗淨液(例如DIW)，其係用以沖洗刷子5從晶圓W背面除去的粒子，從吹嘴5b是供給例如氮(N2)等的氣體，其係用以促進完成洗淨後附著於晶圓W背面的洗淨液之乾燥。
更在上杯41設有用以洗淨晶圓周緣的斜面部70(參照圖7)的斜面洗淨噴嘴7。此斜面洗淨噴嘴7是在晶圓W位於上述第2洗淨位置時，可朝上述斜面部70吐出用以沖洗附著於該部分的粒子之斜面部洗淨用的洗淨液例如DIW，具備：用以從晶圓W的側方的上方側朝上述斜面部70吐出上述洗淨液的上部噴嘴71、及用以從晶圓W的側方的下方側朝上述斜面部70吐出上述洗淨液的下部噴嘴72。該等上部噴嘴71及下部噴嘴72，如圖7所示，以晶圓W在上杯43內昇降時，不會干擾晶圓W的方式，將各個噴嘴71，72的前端設成位於晶圓W的移動區域的外側。
又，上述洗淨裝置100是具備用以洗淨位於上述第2洗淨位置的晶圓W的表面之表面洗淨噴嘴6。此表面洗淨噴嘴6是具備：用以朝晶圓W的表面供給用以沖洗附著於該表面的粒子的洗淨液例如DIW之洗淨液噴嘴61、及為了促進該晶圓表面的洗淨液的乾燥，用以朝晶圓W的表面供給例如氮(N2)等的氣體之氣體噴嘴62。該等洗 淨液噴嘴61及氣體噴嘴62是例如被共通的支撐部63所支撐，藉由驅動機構64在晶圓W的徑方向構成移動自如、及在上下方向昇降自如，在晶圓搬出入時也不會干擾搬送中的晶圓W或外部的搬送手段之方式往上方退避。
更在上述第2洗淨位置的晶圓W的背面側，設有用以進行晶圓W的背面側的第2洗淨區域S2的洗淨之背面周緣洗淨噴嘴8。在此若依據圖8來說明有關第1及第2洗淨區域S1，S2，則所謂第2洗淨區域S2是從晶圓W的背面側的外緣到15mm程度內側的區域，上述第1洗淨區域S1是第2洗淨區域S2的內側的區域。第2洗淨區域S2是包含在光阻劑膜的形成前進行的疏水化處理中，疏水化氣體轉進而被疏水化的晶圓W的周緣區域，例如預先掌握被疏水化的區域大小，設定成更大。
然後，上述背面周緣洗淨噴嘴8是例如在第1洗淨區域S1與第2洗淨區域S2的境界附近，以能夠吐出晶圓W的背面周緣洗淨用的洗淨液之方式，藉由昇降機構81來設成昇降自如，如後述般使晶圓W保持於吸附墊2來使移動於水平方向時，以不會干擾上杯41或氣刀31等的方式往下方退避。此背面周緣洗淨噴嘴8是例如使用二流體噴嘴，此情況，背面用的洗淨液是使用DIW與氮的混合液。亦即，二流體噴嘴是構成在其前端附近區域，混合液體成分(DIW)與氣體成分(氮)，可將此混合液朝晶圓W背面吐出。
其他，如圖5所示，在下杯43的底部設有：用以排 出滯留於下杯43內的洗淨液之排水管43a、及用以排出洗淨裝置100內的氣流之2個的排氣管43b。排氣管43b是為了防止滯留於下杯43底部的洗淨液往排氣管43b流進，而從下杯43的底面往上方延伸，且以從上方滴落而來的洗淨液不會直接進入排氣管43b之方式，藉由安裝於氣刀31的周圍之成為環狀罩蓋的內杯42來覆蓋。又，圖中的44是用以在晶圓W的洗淨終了後由上方吹壓縮空氣等至晶圓W外周緣附近而輔助殘留的洗淨液乾燥之吹嘴，藉由昇降機構45構成昇降自如，在晶圓搬出入時是以不會干擾搬送中的晶圓W或搬送手段之方式往上方退避。
並且，在未架設各傳動帶23、52的下杯43側壁安裝有收納UV燈46的燈箱47。處理對象的晶圓W是由左X方向來搬出入至洗淨裝置100內，此時構成可通過UV燈46的上方。UV燈46是對完成洗淨而被搬出的晶圓W的背面照射紫外光，實現使殘留於晶圓W背面的粒子收縮的任務。
接著，說明有關洗淨液或氮氣的供給系。上述表面洗淨噴嘴6的洗淨液噴嘴61及氣體噴嘴62是分別經由具備流量控制部61b，62b的供給路61a，62a來連接至洗淨液(DIW)源65及氮氣源66。並且，上述斜面洗淨噴嘴71，72是分別經由具備流量控制部7b的供給路7a來連接至上述洗淨液(DIW)源65，背面周緣洗淨噴嘴8是經由具備流量控制部81b，82b的供給路81a，82a來分別連接至上述洗淨液(DIW)源65及上述氮氣源66。又，吹嘴44 是經由具備流量控制部44b的供給路44a來連接至上述氮氣源66。上述流量控制部61b，62b，7b，81b，82b，44b是分別包含閥及流量調整部，構成可藉由後述的控制部200來進行洗淨液或氮氣的流量及給斷的控制。
又，如圖4及圖5所示般，各驅動機構25、33、54、64、81、45、UV燈46、或設於排氣管43b之未圖示的壓力調整部等，可藉由控制塗佈、顯像裝置全體動作的控制部200來控制。控制部200是例如由未圖示之具有程式儲存部的電腦所構成，在程式儲存部中儲存有具備步驟(命令)群的電腦程式，該步驟(命令)群是有關在吸附墊2與旋轉吸盤3之間交接從外部的搬送裝置所接受的晶圓W，或藉由刷子5、表面洗淨噴嘴6、斜面洗淨噴嘴7、背面周緣洗淨噴嘴8來洗淨的動作等。然後，藉由該電腦程式被讀出至控制部，控制部會控制洗淨裝置的動作。另外，此電腦程式是在例如收納於硬碟、光碟、MO、記憶卡等的記憶手段的狀態下儲存於程式儲存部。
一邊參照圖9~圖12一邊說明有關根據以上說明的構成來洗淨晶圓W的動作。另外，在該等的圖中，基於圖示的方便起見，因應所需適當省略UV燈46等的記載。
如圖10(a)所示，例如馬蹄形狀的搬送手段(第2搬送臂A5)會將處理對象的晶圓W搬入至洗淨裝置100內，在上杯41的開口部41a上方停止，支撐銷32會從旋轉吸盤3的下方上昇而於搬送手段的下方待機。搬送手段會從支撐銷32的上方下降而將晶圓W交接至支撐銷32， 退出至洗淨裝置100之外。此時，吸附墊2是在保持晶圓W的面要比刷子5的上面更高的位置待機，旋轉吸盤3是退避至比刷子5的上面更低的位置。根據如此的位置關係，一旦支撐銷32下降，則晶圓W首先是被交接至吸附墊2(步驟ST1，圖10(b))。
之後，吸附墊2是以即使從背面推擠壓刷子5也不會動的方式來吸附保持晶圓W，原封不動保持晶圓W來移往右方向。此時，吸附墊2是在比旋轉吸盤3、刷子5、氣刀31的各個上面更高的位置移動。然後，將晶圓W搬送至預定的位置(例如氣刀31的左端與晶圓W的左端大致一致的位置)之後，吸附墊2會下降，而將晶圓W的背面推擠於刷子5的上面(圖10(c))。此時的上杯41內的晶圓W的高度位置為第1洗淨位置，旋轉吸盤3是位於吸附墊2的下方側，氣刀31的上面是位於晶圓W的背面的稍微下方側。
其次，使氣刀31作動，防止洗淨液轉進附著於旋轉吸盤3的表面之後，由支撐部51前端的洗淨液噴嘴5a來供給洗淨液，且使刷子5旋轉而開始晶圓W的背面的中央區域的洗淨(步驟ST2)。背面洗淨是藉由吸附墊2之晶圓W的移動與刷子5的移動之組合來進行。具體而言，例如圖12(a)所示，刷子5是往復於圖中的Y方向，當刷子5的移動方向改變時僅比刷子5的直徑短的距離將吸附墊2往左X方向移動。藉此，刷子5是如箭號所示那樣的軌跡來移動於晶圓W背面，可全部洗淨同圖中以右 上斜線所塗滿的區域T1。此區域T1是包含第1洗淨區域S1內的上述第2區域的區域。
一旦完成上述區域T1的洗淨，則令吸附墊2移動來使晶圓W中央部位於旋轉吸盤3的上方(圖11(a))，其次進行從吸附墊2往旋轉吸盤3的晶圓W交接(步驟ST3)。晶圓W的交接是例如仍舊使氣刀31作動，停止刷子5的移動或旋轉、洗淨液的供給，解除吸附墊2之晶圓W的吸附，另一方面，使退避的旋轉吸盤3上昇來支撐晶圓W的背面，其次使吸附墊2往下方退避。此時的上杯41內的晶圓W的高度位置為第2洗淨位置，就此例而言，第2洗淨位置是在上杯41內位於比上述第1洗淨位置更上方側。
然後，如圖11(a)及圖13所示，一般藉由旋轉吸盤3來將晶圓W保持於第2洗淨位置，一邊同時進行該晶圓W的表面、斜面部70及背面的洗淨。亦即使表面洗淨噴嘴6下降，例如使洗淨液噴嘴61的前端位於離晶圓W表面的中心部10mm程度浮上的位置，且使背面周緣洗淨噴嘴8上昇，使該噴嘴8的前端位於離晶圓W背面的第1洗淨區域S1與第2洗淨區域S2的境界附近5mm程度下降的位置，將晶圓W推擠於刷子5。此時，上杯41內的晶圓W的高度位置是形成比第1洗淨位置更上方側，但藉由使上杯41(吸附墊2)本身下降，刷子5是形成推擠於晶圓W的狀態。
然後，使晶圓W旋轉，且由表面洗淨噴嘴6、斜面洗 淨噴嘴7、背面周緣洗淨噴嘴8來分別對晶圓表面、斜面部70、背面周緣部吐出洗淨液，且一邊供給洗淨液一邊使刷子5旋轉，藉此進行各個區域的洗淨(步驟ST4)。
此時，晶圓表面的洗淨是從洗淨液噴嘴61往晶圓W的中心吐出洗淨液F之後，使該表面洗淨噴嘴6例如在圖11中滑移於左方向，如此使氣體噴嘴62的前端位於晶圓W的中心，例如2秒程度吐出氮氣(參照圖13)。如此在晶圓W表面的中心部供給洗淨液F後，一旦將氮氣吹在該晶圓表面的中心部，則氮氣會被吹在洗淨液的中心，該被吹的區域會乾燥。另一方面，洗淨液噴嘴61是一邊使洗淨液吐出，一邊使該噴嘴61從晶圓W的中心往外緣慢慢地移動。如此一來，所被供給的洗淨液F會以旋轉的離心力來往外方流去，因此一度乾燥的中心部不會再度因洗淨液F而沾溼，洗淨液的乾燥會被促進。此例是構成氣體噴嘴62也與洗淨液噴嘴61一起滑移，但只要氣體噴嘴62是對晶圓W的中心部吹上氣體的構成即可，因此亦可構成只使洗淨液噴嘴61滑移。
又，有關上述斜面部70的洗淨是一邊使晶圓W旋轉，一邊藉由上部噴嘴71及下部噴嘴72來朝斜面部70噴上洗淨液F，利用此衝撃力來飛散除去附著於該部位的粒子。此時，因為使晶圓W旋轉，所以洗淨液會被供給至晶圓W的斜面部70全體，且藉由旋轉的離心力來使附著於該部位的洗淨液F飛散而與粒子一起除去。
又，第1洗淨區域S1的背面洗淨是藉由旋轉吸盤3 的旋轉與刷子5的移動的組合來進行。具體而言，例如圖12(b)所示，首先使刷子5移動至可洗淨晶圓W的第1洗淨區域S1的最外周之類的位置之後慢慢地使晶圓W旋轉，若晶圓W旋轉一圈，則使刷子5移動至可洗淨比先前的動作所洗淨的環狀區域更靠內周側一刷子5的直徑或比直徑短的量的位置之後重複同様的動作。藉由如此的動作，可一邊描著同心圓狀的軌跡一面移動晶圓W背面，全部洗淨同圖中以左上斜線塗滿的區域T2。
又，有關第2洗淨區域S2是在使晶圓W旋轉的狀態下，從背面周緣洗淨噴嘴8使含氮氣的泡沫的DIW(洗淨液)吐出至晶圓W背面的第1洗淨區域S1與第2洗淨區域S2的境界附近。藉此，洗淨液會利用晶圓W的旋轉的離心力來往外方側流去，因此洗淨液F會遍及該第2洗淨區域S2全體。然後，洗淨液F會藉由此旋轉的離心力來往外方飛散，此時附著於該區域的粒子會與洗淨液的移動一起從該區域剝離、除去。又，藉由將背面周緣洗淨噴嘴8設為二流體噴嘴，洗淨液噴在晶圓W背面時的衝擊會變大，可成為以此衝撃力來使附著於該背面的粒子浮上，容易藉由此洗淨液來沖洗的狀態，因此可取得高洗淨效果。
在此進行洗淨的期間中，如圖13(b)所示，晶圓W的背面全體是形成被洗淨液F的液膜覆蓋的狀態，以刷子5除去的粒子會與從此晶圓W背面流下的洗淨液一起沖洗至下杯43。並且，從氣刀31的噴出口31a是噴出氣體往晶圓W背面，洗淨液會被吹往氣刀31的外側，藉此與氣 刀31對向的晶圓W背面會被保持乾燥的狀態。藉由如此的構成，可防止覆蓋晶圓W背面的洗淨液繞進至氣刀31的內側。其結果，旋轉吸盤3的表面是經常被維持於乾燥狀態，可防止被處理的洗淨液產生污染或形成水印。
此時在晶圓W背面，合併區域T1與區域T2的區域是如圖12(b)所示包含晶圓W的第1洗淨區域S1全體，以不會產生未被洗淨的死角之方式，調整各機器的大小或移動範圍。例如刷子5是在其一部分進入第2洗淨區域S2的疏水化處理未被進行的區域的狀態下進行洗淨，全部洗淨晶圓W的第1洗淨區域S1。
在此，就此例而言，因為晶圓的表面及斜面部70以及背面的洗淨的洗淨液皆是使用同DIW，所以即使同時進行該等的各區域的洗淨，還是不會互相對洗淨處理造成不良影響之虞。又，藉由同時進行晶圓的表面及斜面部70以及背面的洗淨，例如像表面的洗淨時所發生的薄霧飛散至斜面部70時那樣，即使某區域的洗淨時所發生的薄霧飛散至其他的區域，還是會因為此其他的區域也洗淨，所以飛散附著的薄霧會被立即沖洗。因此，只要充分地設定各個區域的洗淨時間，上述薄霧中所含的粒子便會成為極少的狀態，所以有關該等晶圓表面及斜面部70以及背面可確保高清淨度。
如此一旦完成晶圓W的表面及斜面部70、以及背面全體的洗淨，則使表面洗淨噴嘴6上昇，且令背面周緣洗淨噴嘴8下降，停止刷子5的旋轉或移動、洗淨液的供給 、旋轉吸盤3的旋轉，而移至洗淨液的甩掉乾燥的動作。甩掉乾燥是藉由使旋轉吸盤3以高速旋轉來甩掉附著於晶圓W背面的洗淨液(步驟ST5)。如已述般藉由使全部溼潤的晶圓W一口氣甩乾，可抑制水印的發生。此時，使退避至上方的吹嘴44下降，同時以刷子5旁的吹嘴5b能夠位於晶圓W斜面部的方式來使支撐部51移動，而從晶圓W斜面部的上面及下面來吹上氣體，藉此甩掉乾燥會被促進。另外，有關被旋轉吸盤3保持的第2區域雖無法進行甩掉乾燥，但因為是在藉由氣刀31來乾燥的狀態下與旋轉吸盤3接觸，所以幾乎沒有發生水印的情況。
一旦藉由以上說明的動作來完成晶圓的洗淨及乾燥，則以和搬入時相反的動作來將晶圓W交給搬送手段而搬出。此時點亮UV燈46來從馬蹄形狀的搬送手段的下方往晶圓W背面照射紫外線，即使萬一粒子附著時，例如有機物會藉由紫外線的照射而被分解，因此可使如此型態的粒子收縮，而縮小散焦等的影響。
與晶圓W的搬出動作並行，吸附墊2或旋轉吸盤3是被移動至圖10(a)所示的位置，等待其次的晶圓W的搬入。然後重複進行參照圖10、圖11所說明的動作，依序洗淨複數的晶圓W。
其次，一邊參照圖14~圖16一邊說明有關上述洗淨裝置的第2實施形態。在該等的圖中，對與第1實施形態同様的構成附上和在圖1~圖13所使用者同樣的符號。
第2實施形態的洗淨裝置110是使第2基板保持手段 的旋轉吸盤3往晶圓W的第2區域的下方退避的點與使晶圓W對旋轉吸盤3移動於橫方向的第1實施形態有所不同。在第2實施形態中，井字橫樑20是被固定於X方向，只可往Z方向昇降。使此井字橫樑20昇降的昇降機構27(參照圖3)及使旋轉吸盤3昇降的昇降機構(未圖示)是構成使第2基板保持手段對上述第1基板保持手段相對地昇降的昇降手段。並且，刷子5是其支撐部51以基端側來固定於下杯43。該支撐部51是以基端部的支軸為中心來構成轉動、伸縮自如，因此可不用使晶圓W移動於橫方向，從其中心區域(第2區域)到支撐部51的基端部側為止藉由刷子5來洗淨。
並且，在刷子5的相反側，用以防止在第2區域的洗淨中洗淨液滴下於往下方退避的旋轉吸盤3上之具備撥水性例如氟樹脂製的罩蓋構件91會經由伸縮自如的支撐部92來安裝於下杯43。更在此支撐部92安裝有用以對晶圓W的背面的第2洗淨區域S2供給洗淨液來進行該區域S2的洗淨之背面洗淨噴嘴93，且安裝有實現作為使第2區域乾燥的乾燥手段的任務之乾燥噴嘴94，可往第2區域噴射氣體。又，因為本實施形態中是在旋轉吸盤3的周圍未設置氣刀31，所以從罩蓋構件91的外緣部是例如將氮氣等的氣體往下方噴出，使洗淨時所產生的薄霧不會附著於旋轉吸盤3。
其次若說明有關第2實施形態的洗淨裝置的作用，則如圖15(a)所示，在晶圓W的搬入時，旋轉吸盤3是退 避至下杯43的下方，且罩蓋構件91是退避至比旋轉吸盤3上方更側方。在此狀態下使昇降銷32昇降，從外部的搬送手段(第2搬送臂A5)接受晶圓W，在吸附墊2上吸附保持晶圓W。
其次如圖15(b)所示使昇降銷32退避至旋轉吸盤3的位置，使罩蓋構件91前進而令位於旋轉吸盤3的上方之後，使刷子5移動至晶圓W的大致中央部。然後使吸附墊2下降，開始含第2區域的晶圓W中央區域的洗淨。此時，旋轉吸盤3是退避至洗淨中的第2區域的下方，罩蓋構件91會形成傘，更由此罩蓋構件91來往下方噴出氣體，以不使薄霧附著的方式來保持旋轉吸盤3於乾燥的狀態。一旦完成晶圓W中央區域的洗淨，則刷子5會往側方退避，而從乾燥噴嘴94往第2區域噴射氣體，藉此使該區域乾燥。
其次如圖16所示使罩蓋構件91往側方退避後，令旋轉吸盤3上昇，從吸附墊2往旋轉吸盤3交接晶圓W，吸附保持完成洗淨及乾燥的第2區域。然後，一面組合晶圓W的旋轉、及來自表面洗淨噴嘴6、斜面洗淨噴嘴7、背面周緣洗淨噴嘴8的洗淨液的吐出，以及刷子5的移動，一面洗淨晶圓W的表面及斜面部70、及背面的第1洗淨區域S1的洗淨未完成的區域、以及第2洗淨區域S2。此時，罩蓋構件91是往側方退避，因此可構成昇降銷32是例如收納於鞘體等而不會與洗淨液接觸。
一旦完成洗淨，則使旋轉吸盤3旋轉，使晶圓W以 甩掉乾燥來乾燥後，以和搬入時相反的動作來從昇降銷32往外部的搬送手段(第2交接臂A5)交接，往洗淨裝置的外部搬出晶圓W。另外，雖在圖16中未顯示，但當然此時亦可對晶圓W的背面進行UV燈的紫外線照射。
如此若根據上述的洗淨裝置100，110，則因為是支撐晶圓W的背面予以保持，使晶圓W的表面朝上的狀態下進行晶圓W的背面洗淨，所以不需要設置反轉晶圓W的反向器的空間或用以進行晶圓W的反轉動作的空間。其結果，與以往型態的背面洗淨用的洗淨裝置作比較，可使該洗淨裝置100、110的設置空間小型化。
又，由於此洗淨裝置100、110是在2個基板保持手段(吸附墊2、旋轉吸盤3)之間換拿晶圓W來進行背面洗淨，因此不會產生因為被吸附墊2或旋轉吸盤3所覆蓋而無法洗淨的死角，可全部洗淨晶圓W的背面全體。
又，由於在使晶圓W的表面朝上的狀態進行洗淨，因此可對晶圓的表面側或斜面部70供給洗淨液，所以在1台的洗淨裝置中，可進行晶圓W的表面及斜面部70以及背面的洗淨。因此，相較於以個別的單元來進行該等的洗淨時，不必加算晶圓W的搬送時間或交接時間，可抑止處理能力的降低。並且，上述的例子，因為晶圓W的表面洗淨、斜面部70的洗淨、及背面的第1洗淨區域及第2洗淨區域的洗淨時，是以彼此的洗淨時間能夠重疊的方式同時進行洗淨，所以可抑止總計的洗淨時間的增長。
並且，在將該洗淨裝置裝入塗佈、顯像裝置時，是只 要佔1台份的設置空間即可，因此一方面可抑止塗佈、顯像裝置的佔有面積的增大，另一方面對於液浸曝光前的基板，可達成在塗佈、顯像裝置內進行基板的表面及斜面部70以及背面的洗淨之要求。
而且，晶圓W的背面側的洗淨是在第1洗淨區域S1及第2洗淨區域S2改變洗淨方法。因此，進行疏水化處理時，如疏水化處理用的氣體繞進至晶圓W的背面周緣，該區域被疏水化時那樣，即使在晶圓W的背面側存在未被疏水化的區域(第1洗淨區域)及被疏水化的區域(第2洗淨區域)時，還是會因為使用適於各個洗淨區域的洗淨方法，所以可抑止洗淨中的粒子發生。亦即若所欲使用刷子5來洗淨被疏水化的區域，則會形成在水分不存在的狀態下藉由刷子5來擦拭晶圓背面，其結果刷子5會被摩擦，有招致粒子的發生之虞，但如已述般，由於使用二流體噴嘴作為背面周緣噴嘴8來吹含氮氣的泡沫之DIW，因此對著落面的衝擊會變大，如此可確實地除去粒子。
以上所謂同時進行晶圓的表面、斜面部70、背面的洗淨，是意指彼此的洗淨時間重疊，亦含洗淨的開始時間或終了時間相異時。就上述的例子而言，是全部同時進行晶圓的表面、斜面部70、背面的洗淨，但亦可不必全部同時進行該等，某區域的洗淨處理終了後，再進行其他區域的洗淨處理。又，亦可同時進行該等之中的幾個，例如晶圓的表面及背面的洗淨，而斜面部70是另外進行，在背面洗淨中，第1洗淨區域與第2洗淨區域亦可在一方的洗淨 終了後，再開始他方的洗淨。
又，上述的例子，有關晶圓W的背面周緣側的第2洗淨區域是不進行刷子5的洗淨，但亦可針對該第2洗淨區域進行刷子5的洗淨。由於該第2洗淨區域是從背面周緣噴嘴8來個別地供給洗淨液，因此即使此區域的撥水性高，還是可在該區域存在水分的狀態下進行刷子5的洗淨。此外，對晶圓W不進行疏水化處理時，有關晶圓背面的第2洗淨區域(晶圓背面的周緣區域)可不用進行利用背面周緣噴嘴8的洗淨，藉由刷子5來洗淨晶圓背面全體。
又，表面洗淨噴嘴6、斜面洗淨噴嘴7、背面周緣洗淨噴嘴8，只要是分別對被保持於旋轉吸盤3的晶圓表面、斜面部70、背面周緣區域供給洗淨液的構成即可，其形狀並非限於上述例，例如可使用二流體噴嘴或噴射噴嘴、兆頻超聲波(Megasonic)噴嘴。
又，由表面洗淨噴嘴6、斜面洗淨噴嘴7、背面周緣洗淨噴嘴8來分別對晶圓W吐出的洗淨液種類亦可為相異，此情況可使用彼此相異的洗淨液的一方的洗淨液來先行該區域的洗淨處理之後，利用他方的洗淨液來進行別的區域的洗淨處理。
又，吸附墊2的平面形狀並非限於例如圖3所示之細長的長方形者。例如在載置晶圓W時，亦可使用具備形成與該晶圓W同心圓的圓弧狀的吸附保持面之吸附墊2。由於該形狀的吸附墊2是形成於對向的吸附墊2間的區域 的面積變廣，因此可使洗淨液遍及更廣的區域，且不易成為使刷子5移動時的障礙。
又，該洗淨裝置100、110是將洗淨效果高的刷子5採用於洗淨構件，但洗淨構件並非限於此。例如亦可採用藉由二流體噴嘴或噴射噴嘴、兆頻超聲波噴嘴等噴出洗淨液等來除去粒子的型態之洗淨構件。並且在實施形態中是舉旋轉式的刷子5為例、但亦可取而代之採用振動式的刷子。又，洗淨液的種類也非限於DIW，亦可為其他的洗淨液。
又，設於洗淨裝置的基板保持手段，並非如實施形態所示那樣只限於2種類(吸附墊2、旋轉吸盤3)者。例如亦可具備3種類以上的基板保持手段，在該等的基板保持手段之間2次以上換持基板。此情況可解釋為最後保持基板的是第2基板保持手段，之前保持基板的是第1基板保持手段。
又，裝入本發明的塗佈、顯像裝置並非限於上述的構成，洗淨裝置100、110亦可不是設於介面部B3，而是處理部B2。
W‧‧‧晶圓
100，110‧‧‧洗淨裝置
2‧‧‧吸附墊
2a‧‧‧吸附孔
3‧‧‧旋轉吸盤
3a‧‧‧吸附孔
3b‧‧‧軸部
5‧‧‧刷子
5a‧‧‧洗淨液噴嘴
5b‧‧‧吹嘴
6‧‧‧表面洗淨噴嘴
7‧‧‧斜面洗淨噴嘴
8‧‧‧背面周緣洗淨噴嘴
200‧‧‧控制部
圖1是表示適用本發明的洗淨裝置之塗佈、顯像裝置的實施形態的平面圖。
圖2是上述塗佈、顯像裝置的立體圖。
圖3是表示本發明的洗淨裝置的立體圖。
圖4是表示上述洗淨裝置的平面圖。
圖5是表示上述洗淨裝置的縱剖面圖。
圖6是表示氣刀的構成立體圖。
圖7是表示基板的斜面部及斜面洗淨噴嘴的剖面圖。
圖8是用以說明基板的第1洗淨區域及第2洗淨區域的平面圖。
圖9是用以說明上述洗淨裝置的動作的工程圖。
圖10是用以說明上述洗淨裝置的動作的工程圖。
圖11是用以說明上述洗淨裝置的動作的工程圖。
圖12是表示洗淨時的晶圓背面的情況的說明圖。
圖13是表示洗淨時的晶圓背面的情況的說明圖。
圖14是表示第2實施形態的洗淨裝置的平面圖。
圖15是用以說明上述第2實施形態的洗淨裝置的動作的工程圖。
圖16是用以說明上述第2實施形態的洗淨裝置的動作的工程圖。
圖17是表示在表面形成有反射防止膜、光阻劑膜及表面塗層的晶圓的斜面部的剖面圖。
圖18是表示晶圓背面側的周緣區域被疏水化的情況的剖面圖。
2‧‧‧吸附墊
5‧‧‧刷子
6‧‧‧表面洗淨噴嘴
7‧‧‧斜面洗淨噴嘴
8‧‧‧背面周緣洗淨噴嘴
20‧‧‧井字橫樑
21‧‧‧墊支撐部
22‧‧‧橋桁部
23‧‧‧傳動帶
24‧‧‧巻掛軸
25‧‧‧驅動機構
26‧‧‧側板
27‧‧‧昇降機構
27a‧‧‧滑塊
27b‧‧‧導軌
31‧‧‧氣刀
32‧‧‧支撐銷
41‧‧‧上杯
41a‧‧‧開口部
42‧‧‧內杯
43‧‧‧下杯
44‧‧‧吹嘴
46‧‧‧UV燈
47‧‧‧燈箱
51‧‧‧支撐部
52‧‧‧傳動帶
53‧‧‧巻掛軸
54‧‧‧驅動機構
61‧‧‧洗淨液噴嘴
62‧‧‧氣體噴嘴
71‧‧‧上部噴嘴
72‧‧‧下部噴嘴
100‧‧‧洗淨裝置

Claims (13)

  1. 一種洗淨裝置，係洗淨被塗佈光阻劑，在其表面形成液層而被液浸曝光之前的基板者，其特徵係具備：第1基板保持手段，其係使基板表面朝上的狀態下，將此基板的背面的第1區域吸附保持於水平；第2基板保持手段，其係由此第1基板保持手段接受基板，將不會與上述第1區域重疊的基板背面的第2區域吸附保持於水平，且使該基板旋轉於鉛直軸周圍；包圍構件，其係為了使第2基板保持手段之吸附保持基板的面及第2區域乾燥，包圍上述第2基板保持手段，在其上端形成有朝基板的背面噴出氣體的噴出口；表面洗淨噴嘴，其係用以在藉由上述第2基板保持手段來旋轉的基板的表面，供給表面用的洗淨液，而洗淨該表面；斜面洗淨噴嘴，其係用以在藉由上述第2基板保持手段來旋轉的基板的斜面部，供給斜面部用的洗淨液，而洗淨該斜面部；洗淨液供給手段，其係對被上述第1基板保持手段或第2基板保持手段所保持的基板的背面供給洗淨液；及洗淨構件，其係接觸於被上述第1基板保持手段或第2基板保持手段所保持的基板的背面，而洗淨該背面。
  2. 如申請專利範圍第1項之洗淨裝置，其中，具備：移動手段，其係用以使上述第1基板保持手段對上述 第2基板保持手段相對地移動於橫方向；及昇降手段，其係用以使上述第1基板保持手段對上述第2基板保持手段相對地移動於上下方向。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之洗淨裝置，其中，具備輸出控制指令的手段，其係使基板保持於第1基板保持手段，藉由上述洗淨構件來洗淨包含上述第2區域的基板的背面，其次將基板從第1基板保持手段交接至第2基板保持手段，藉由此第2基板保持手段來使基板旋轉，而得以藉由上述洗淨構件來洗淨上述第2區域以外的基板的背面。
  4. 如申請專利範圍第3項之洗淨裝置，其中，輸出上述控制指令的手段，係以能夠一邊藉由上述洗淨構件來洗淨第2區域以外的基板的背面，一邊由表面洗淨手段及斜面洗淨手段來分別朝基板供給洗淨液，而進行上述基板的表面及斜面部的洗淨之方式輸出控制指令。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之洗淨裝置，其中，更具備背面周緣洗淨手段，其係對被上述第2基板保持手段所保持、旋轉之基板的背面的周緣區域供給背面周緣用的洗淨液。
  6. 如申請專利範圍第5項之洗淨裝置，其中，輸出上述控制指令的手段，係以能夠一邊藉由上述洗淨構件來洗淨第2區域以外的基板的背面，一邊由表面洗淨手段及斜面洗淨手段以及背面周緣洗淨手段分別朝基板供給洗淨液，而進行上述基板的表面及斜面部以及背面斜面部的洗 淨之方式輸出控制指令。
  7. 顯像裝置，其特徵係具備：塗佈單元，其係於基板的表面塗佈光阻劑；顯像單元，其係對其表面形成液層而被液浸曝光後的基板供給顯像液而顯像；及洗淨裝置，其係上述申請專利範圍第1或2項所記載的洗淨裝置。
  8. 一種洗淨方法，係洗淨被塗佈光阻劑，在其表面形成液層而被液浸曝光之前的基板者，其特徵係具備：使被塗佈光阻劑，被液浸曝光之前的基板，在將此基板的表面朝上的狀態下，藉由第1基板保持手段來吸附保持此基板的背面的第1區域，洗淨不會與此基板的背面的上述第1區域重疊的第2區域之工程；其次從第1基板保持手段藉由第2基板保持手段來接受基板，將上述第2區域吸附保持於水平之工程；對被上述第2基板保持手段所吸附保持，旋轉於鉛直軸周圍的基板的表面供給表面用的洗淨液而洗淨該表面之工程；對被上述第2基板保持手段所吸附保持，旋轉於鉛直軸周圍的基板的斜面部供給斜面部用的洗淨液而洗淨該斜面部之工程；使上述基板吸附保持於第2基板保持手段，一邊旋轉於鉛直軸周圍，一邊洗淨基板的背面的上述第2區域以外的區域之工程；及 在洗淨上述第2區域的工程，洗淨表面的工程，洗淨斜面部的工程，及洗淨第2區域以外的區域的工程所被進行的期間，為了使第2基板保持手段之吸附保持基板的面及第2區域乾燥，從包圍上述第2基板保持手段的周圍的包圍構件朝基板的背面噴出氣體之工程。
  9. 如申請專利範圍第8項之洗淨方法，其中，以洗淨上述基板的表面的工程、洗淨上述斜面部的工程、及洗淨上述基板的背面的上述第2區域以外的區域的工程能夠彼此洗淨時間重疊之方式進行。
  10. 如申請專利範圍第8或9項之洗淨方法，其中，更具備：對被上述第2基板保持手段所保持、旋轉之基板的背面的周緣區域供給背面周緣用的洗淨液，而洗淨該周緣區域之工程。
  11. 如申請專利範圍第10項之洗淨方法，其中，以洗淨上述基板的表面的工程、洗淨上述基板的周緣的工程、洗淨上述基板的上述第2區域以外的區域的工程、及洗淨上述基板的背面的周緣區域的工程能夠彼此洗淨時間重疊之方式進行。
  12. 顯像方法，係顯像處理被塗佈光阻劑，在其表面形成液層而被液浸曝光之後的基板者，其特徵為：對被塗佈光阻劑，被液浸曝光之前的基板，進行如申請專利範圍第8或9項所記載的洗淨方法。
  13. 一種記憶媒體，係儲存使用於洗淨裝置的電腦程 式，該洗淨裝置係洗淨被塗佈光阻劑，在其表面形成液層而被液浸曝光之前的基板者，其特徵為：上述程式係以能夠實行如申請專利範圍第8或9項所記載的洗淨方法之方式編入步驟群。
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