JP2001237170A - 現像処理方法および現像処理装置 - Google Patents
現像処理方法および現像処理装置Info
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Abstract
方法および現像処理装置を提供すること。 【解決手段】 露光処理後の基板Gに現像液を供給して
現像処理を行う方法であって、基板Gに現像液供給ノズ
ル70から現像液を供給し、現像液を保持させて現像を
進行させ、現像後、該現像液を基板から振り切り、振り
切られた現像液を回収する工程を有し、前記現像液を供
給する工程では不活性ガス供給ノズル71から基板Gの
表面近傍に不活性ガスを供給し、さらに前記現像液を振
り切る工程および/または回収する際に現像液に不活性
ガスを供給する。
Description
され露光後の例えば液晶ディスプレイ(LCD)用ガラ
ス基板等の基板に現像液を供給して現像処理を行う現像
処理方法および現像処理装置に関する。
造においては、ガラス製の矩形のLCD基板にフォトレ
ジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、回路パターン
に対応してレジスト膜を露光し、これを現像処理すると
いう、いわゆるフォトリソグラフィー技術により回路パ
ターンが形成される。
は、複数の処理ユニットが集約されたレジスト塗布現像
システムにより行われる。このようなシステムにおいて
は、まず、基板に対して必要に応じて紫外線照射により
表面改質・洗浄処理が行われた後、洗浄ユニットにより
ブラシ洗浄および超音波水洗浄が施される。その後、基
板は、レジストの定着性を高めるために、アドヒージョ
ン処理ユニットにて疎水化処理(HMDS処理)され、
引き続き、レジスト塗布ユニットにてレジスト塗布が行
われ、プリベーク後、露光装置にて所定のパターンが露
光され、さらに現像処理ユニットで現像処理され、さら
にポストベーク処理されて所定の回路パターンが形成さ
れる。
基板に現像液を吐出する現像ノズルと、現像処理後にリ
ンス液を吐出する吐出ノズルと、基板保持用のスピンチ
ャックと、現像ノズルと吐出ノズルをそれぞれ待機位置
から基板上に移動させる移動機構と、スピンチャック周
囲に振り切った処理液を回収するカップを備えている。
そして、この現像処理ユニットにて現像処理する際に
は、まず、スピンチャック上に基板を載置し、現像ノズ
ルから基板上に現像液を供給し、基板上に現像液を液盛
りする。この状態で所定の現像時間保持した後スピンチ
ャックを回転させ、現像液を振り切る。
給された現像液は、周囲の空気中の酸素により酸化され
て劣化するおそれがある。このように現像液が劣化する
と所望の現像処理が行われない場合が生ずる。
が高まっており、このような大型基板の現像処理の場合
には現像液を多量に供給する必要があることから、無駄
にする現像液を極力減らすために現像液を回収して再利
用している。しかしながら、上述したように現像処理中
に現像液が酸化したり、回収中に現像液が酸化すると、
回収された現像液は酸化により劣化したものとなってし
まい、再利用するための処理コストが高くなるという問
題が生じる。
であって、酸化による現像液の劣化が生じ難い現像処理
方法および現像処理装置を提供することを目的とする。
に、本発明は、露光処理後の基板に現像液を供給して現
像処理を行うにあたり、基板に現像液を供給する際に、
少なくとも基板の表面近傍部分に不活性ガスを供給する
ことを特徴とする現像処理方法を提供する。
液を供給して現像処理を行うにあたり、基板に現像液を
供給する工程と、基板上に現像液を保持させて現像を進
行させる工程と、現像液を基板から振り切る工程と、振
り切られた現像液を回収する工程とを具備し、前記現像
液を供給する工程の際に、少なくとも基板の表面近傍部
分に不活性ガスを供給し、かつ前記現像液を振り切る工
程および/または回収する工程の際に現像液に不活性ガ
スを供給することを特徴とする現像処理方法を提供す
る。
像液を供給して現像処理を行う現像処理装置であって、
基板を支持する基板支持部材と、基板に現像液を吐出す
る現像液供給ノズルと、少なくとも基板表面近傍部分に
不活性ガスを供給する不活性ガス供給機構とを具備する
ことを特徴とする現像処理装置を提供する。
に現像液を供給して現像処理を行う現像処理装置であっ
て、基板を支持する基板支持部材と、前記基板支持部材
に支持されている基板を包囲する処理容器と、前記基板
支持部材に支持された基板を回転させる基板回転手段
と、基板に現像液を吐出する現像液供給ノズルと、現像
処理後に前記基板回転手段により回転されて基板から振
り切られた現像液を回収する現像液回収手段と、少なく
とも基板表面近傍部分に不活性ガスを供給する第1の不
活性ガス供給機構と、基板から振り切られた現像液また
は前記現像液回収手段により回収される現像液に不活性
ガスを供給する第2の不活性ガス供給機構とを具備する
ことを特徴とする現像処理装置を提供する。
際に、少なくとも基板の表面近傍部分に不活性ガスを供
給するので、現像処理の際における現像液の酸化による
劣化を生じ難くすることができる。また、これに加え
て、現像液を振り切る際および/または現像液を回収す
る際に現像液に不活性ガスを供給することにより、現像
液を回収する際における現像液の酸化をも生じ難くする
ことができるので、酸化による劣化が少ない現像液を回
収することができる。
の実施の形態について詳細に説明する。図1は、本発明
の一実施形態に係る現像処理装置が搭載されたLCD基
板のレジスト塗布・現像処理システムを示す平面図であ
る。
板Gを収容するカセットCを載置するカセットステーシ
ョン1と、基板Gにレジスト塗布および現像を含む一連
の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理部
2と、露光装置(図示せず)との間で基板Gの受け渡し
を行うためのインターフェイス部3とを備えており、処
理部2の両端にそれぞれカセットステーション1および
インターフェイス部3が配置されている。
処理部2との間でLCD基板Gの搬送を行うための搬送
機構10を備えている。そして、カセットステーション
1においてカセットCの搬入出が行われる。また、搬送
機構10はカセットの配列方向に沿って設けられた搬送
路10a上を移動可能な搬送アーム11を備え、この搬
送アーム11によりカセットCと処理部2との間で基板
Gの搬送が行われる。
段部2cとに分かれており、それぞれ中央に搬送路1
2、13、14を有し、これら搬送路の両側に各処理ユ
ニットが配設されている。そして、これらの間には中継
部15、16が設けられている。
能な主搬送装置17を備えており、搬送路12の一方側
には、2つの洗浄ユニット(SCR)21a、21bが
配置されており、搬送路12の他方側には紫外線照射ユ
ニット(UV)と冷却ユニット(COL)とが2段に重
ねられた処理ブロック25、加熱処理ユニット(HP)
が2段に重ねられてなる処理ブロック26および冷却ユ
ニット(COL)が2段に重ねられてなる処理ブロック
27が配置されている。
移動可能な主搬送装置18を備えており、搬送路13の
一方側には、レジスト塗布処理ユニット(CT)22お
よび基板Gの周縁部のレジストを除去する周縁レジスト
除去ユニット(ER)23が一体的に設けられており、
搬送路13の他方側には、加熱処理ユニット(HP)が
2段に重ねられてなる処理ブロック28、加熱処理ユニ
ット(HP)と冷却処理ユニット(COL)が上下に重
ねられてなる処理ブロック29、およびアドヒージョン
処理ユニット(AD)と冷却ユニット(COL)とが上
下に重ねられてなる処理ブロック30が配置されてい
る。
て移動可能な主搬送装置19を備えており、搬送路14
の一方側には、本実施形態に係る3つの現像処理ユニッ
ト(DEV)24a、24b、24cが配置されてお
り、搬送路14の他方側には加熱処理ユニット(HP)
が2段に重ねられてなる処理ブロック31、およびとも
に加熱処理ユニット(HP)と冷却処理ユニット(CO
L)が上下に重ねられてなる処理ブロック32、33が
配置されている。
側に洗浄処理ユニット21a、レジスト処理ユニット2
2、現像処理ユニット24aのようなスピナー系ユニッ
トのみを配置しており、他方の側に加熱処理ユニットや
冷却処理ユニット等の熱系処理ユニットのみを配置する
構造となっている。
ット配置側の部分には、薬液供給ユニット34が配置さ
れており、さらに主搬送装置のメンテナンスを行うため
のスペース35が設けられている。
ぞれ水平面内の2方向のX軸駆動機構、Y軸駆動機構、
および垂直方向のZ軸駆動機構を備えており、さらにZ
軸を中心に回転する回転駆動機構を備えており、それぞ
れ基板Gを支持するアーム17a,18a,19aを有
している。
ーム11との間で基板Gの受け渡しを行うとともに、前
段部2aの各処理ユニットに対する基板Gの搬入・搬
出、さらには中継部15との間で基板Gの受け渡しを行
う機能を有している。また、主搬送装置18は中継部1
5との間で基板Gの受け渡しを行うとともに、中段部2
bの各処理ユニットに対する基板Gの搬入・搬出、さら
には中継部16との間の基板Gの受け渡しを行う機能を
有している。さらに、主搬送装置19は中継部16との
間で基板Gの受け渡しを行うとともに、後段部2cの各
処理ユニットに対する基板Gの搬入・搬出、さらにはイ
ンターフェイス部3との間の基板Gの受け渡しを行う機
能を有している。なお、中継部15、16は冷却プレー
トとしても機能する。
で基板を受け渡しする際に一時的に基板を保持するエク
ステンション36と、さらにその両側に設けられた、バ
ッファーカセットを配置する2つのバッファーステージ
37と、これらと露光装置(図示せず)との間の基板G
の搬入出を行う搬送機構38とを備えている。搬送機構
38はエクステンション36およびバッファステージ3
7の配列方向に沿って設けられた搬送路38a上を移動
可能な搬送アーム39を備え、この搬送アーム39によ
り処理部2と露光装置との間で基板Gの搬送が行われ
る。
化することにより、省スペース化および処理の効率化を
図ることができる。
処理システムにおいては、カセットC内の基板Gが、処
理部2に搬送され、処理部2では、まず、前段部2aの
処理ブロック25の紫外線照射ユニット(UV)で表面
改質・洗浄処理が行われ、冷却処理ユニット(COL)
で冷却された後、洗浄ユニット(SCR)21a,21
bでスクラバー洗浄が施され、処理ブロック26のいず
れかの加熱処理ユニット(HP)で加熱乾燥された後、
処理ブロック27のいずれかの冷却ユニット(COL)
で冷却される。
レジストの定着性を高めるために、処理ブロック30の
上段のアドヒージョン処理ユニット(AD)にて疎水化
処理(HMDS処理)され、下段の冷却処理ユニット
(COL)で冷却後、レジスト塗布処理ユニット(C
T)22でレジストが塗布され、周縁レジスト除去ユニ
ット(ER)23で基板Gの周縁の余分なレジストが除
去される。その後、基板Gは、中段部2bの中の加熱処
理ユニット(HP)の一つでプリベーク処理され、処理
ブロック29または30の下段の冷却ユニット(CO
L)で冷却される。
置19にてインターフェイス部3を介して露光装置に搬
送されてそこで所定のパターンが露光される。そして、
基板Gは再びインターフェイス部3を介して搬入され、
必要に応じて後段部2cの処理ブロック31,32,3
3のいずれかの加熱処理ユニット(HP)でポストエク
スポージャーベーク処理を施した後、現像処理ユニット
(DEV)24a,24b,24cのいずれかで現像処
理され、所定の回路パターンが形成される。現像処理さ
れた基板Gは、後段部2cのいずれかの加熱処理ユニッ
ト(HP)にてポストベーク処理が施された後、いずれ
かの冷却ユニット(COL)にて冷却され、主搬送装置
19,18,17および搬送機構10によってカセット
ステーション1上の所定のカセットに収容される。
ユニット(DEV)について説明する。図2は現像処理
ユニット(DEV)の平面図であり、図3は現像処理ユ
ニット(DEV)の断面図である。
ト(DEV)24a,24b,24cは同一の構造を有
し、これらには基板Gを機械的に保持するスピンチャッ
ク41が回転駆動機構42により回転されるように設け
られ、このスピンチャック41の下側には、回転駆動機
構42を包囲するカバー43が配置され、このカバー4
3の外周囲には、2つのアンダーカップ44,45が離
間して設けられている。
間の上方には、主として現像液を下方に流すためのイン
ナーカップ46が昇降自在に設けられ、アンダーカップ
45の外側には、主としてリンス液を下方に流すための
アウターカップ47がインナーカップ46と一体的に昇
降自在に設けられている。図3において、左側には、現
像液の排出時にインナーカップ46およびアウターカッ
プ47が上昇される位置が示され、右側には、リンス液
の排出時にこれらが降下される位置が示されている。
囲するためのシンク48が設けられ、このシンク48に
は、回転乾燥時にユニット内を排気するための排気口4
9、現像液のためのドレイン管50a、およびリンス液
のためのドレイン管50bが設けられている。
一方の側には、現像液用のノズルアーム51が設けら
れ、このノズルアーム51内には、現像液供給ノズル7
0が収納されている。このノズルアーム51は、ガイド
レール53に沿って、ベルト駆動等の駆動機構52によ
り基板Gを横切って移動するように構成され、これによ
り、現像液の塗布時には、ノズルアーム51により現像
液供給ノズル70は現像液を吐出しながら、静止した基
板G上を走査(スキャン)するようになっている。現像
液供給ノズル70の側方には不活性ガス供給機構である
不活性ガス供給ノズル71(第1の不活性ガス供給機
構)が取り付けられている。不活性ガス供給ノズル71
からは不活性ガスとして例えばN2ガスが供給される。
もちろんArガスやHeガス等の他の不活性ガスであっ
てもよい。
等のリンス液用のノズルアーム54が設けられ、このノ
ズルアーム54の先端部分には、リンス液吐出ノズル6
0が設けられている。このノズルアーム54は枢軸55
を中心として駆動機構56により回動自在に設けられて
いる。これにより、リンス液の吐出時には、ノズルアー
ム54は、リンス液吐出ノズル60からリンス液を吐出
しながら、基板G上をスキャンするようになっている。
在に蓋体(図示せず)が設けられており、リンスの際に
この蓋体が閉じられるようになっている。また、リンス
液吐出ノズル60をカップ内に入れたまま蓋体を閉じる
ことができるように、アウターカップ47には切り欠き
が形成されている。
に、基板Gの短辺よりも若干長い長さを有している。そ
して、図4に示すように、その先端に多数の現像液吐出
口72を有しており、その多数の現像液吐出口72から
現像液が吐出されるようになっている。一方、現像液供
給ノズル70に取り付けられた不活性ガス供給ノズル7
1はその長手方向に延びる不活性ガスを吐出する吐出口
73を有している。また、不活性ガス供給ノズル71は
駆動機構74により矢印方向に回転可能となっており、
この駆動機構74により吐出口73の向きを変更可能と
なっている。
回転させる回転駆動機構42、現像液用のノズルアーム
51を駆動する駆動機構52、リンス液用のノズルアー
ム54を回動させる駆動機構56、および不活性ガス供
給ノズル71を回転させる駆動機構74は、いずれも制
御装置80により制御されるようになっている。
ニット(DEV)24a,24b,24cにおける現像
処理動作について説明する。まず、図1に示すように、
露光処理された基板Gが主搬送装置19により、現像処
理ユニット(DEV)24a,24b,24cのいずれ
かに搬入され、図2、図3に示すように、搬入された基
板Gがスピンチャック41に吸着保持される。次いで、
現像液用のノズルアーム51が駆動機構52によってガ
イドレール53に沿って静止した基板G上を移動される
ことにより、ノズルアーム51に取り付けられた現像液
吐出ノズル70が現像液を吐出しながら基板上を走査
(スキャン)され、基板Gの全面に塗布される。
像液供給ノズル70から現像液を吐出して現像液膜Lが
形成されながら、不活性ガス供給ノズル71はその吐出
口73が水平になるように制御装置80(図5)により
制御され、不活性ガス供給ノズル71の吐出口73から
不活性ガス、例えばN2ガスが水平方向に吐出され、こ
れにより少なくとも基板Gの表面近傍部分が不活性雰囲
気にされる。この場合に、不活性ガスが水平方向に吐出
されているため、基板G上の現像液膜に影響を与えな
い。不活性ガスの吐出方向は水平方向に限らず、水平方
向よりも多少上向き(斜め上向き)であってもよい。
他端まで走査(スキャン)されて基板Gの全面に現像液
膜Lが形成された後、現像液供給ノズル70は現像液を
吐出しない状態で元の位置まで戻される。その際に、図
6の(b)に示すように、不活性ガス供給ノズル71は
その吐出口73が下向きになるように制御装置80(図
5)により制御され、不活性ガス供給ノズル71の吐出
口73から不活性ガス、例えばN2ガスが下向きに吐出
され、現像液膜Lを攪拌して現像を促進することができ
る。この場合に、現像液が基板から落下しないように不
活性ガスの流量および吐出タイミングを調整する必要が
ある。不活性ガスの吐出方法としては、所定の流量で連
続して吐出してもよいし、断続的(例えばパルス状)に
吐出してもよい。
現像処理が進行し、所定時間経過後、基板Gがスピンチ
ャック41により回転されて現像液が振り切られ、振り
切られた現像液はドレイン管50aを介して排出され
る。このとき、インナーカップ46およびアウターカッ
プ47は、図3の左側に示す上昇位置に配置されてい
る。
駆動機構56により枢軸55を中心に回動されて、基板
G上へ移動し、図示しない蓋体を下降させて密閉し、基
板Gを回転させながら、リンス液吐出ノズル60からリ
ンス液が吐出され、基板が洗浄される。
れ、基板Gの回転を高速にしてリンス液および残留する
現像液が振り切り乾燥される。このとき、インナーカッ
プ46およびアウターカップ47は、図3の右側に示す
下降位置に配置されている。その後、回転が停止される
とともに蓋体が上昇され、その後リンス液吐出ノズル6
0が待機位置へ移動されて、一連の現像処理が終了す
る。
ットによれば、基板Gに現像液を供給する際に、不活性
ガス供給ノズル71から水平方向または斜め上向きに不
活性ガスを供給するので、少なくとも基板の表面部分に
不活性ガスを供給することができ、結果として基板G上
の現像液の酸化による劣化を生じ難くすることができ
る。この場合に、ノズル71から不活性ガスを吐出させ
るだけであるから、大がかりな設備が不要であり極めて
簡易である。
は、(1)現像液供給開始地点と終了地点とでは現像の
進行が異なり現像が不均一になること、および(2)基
板の上面にタフスキン層が形成されて現像の進行が妨げ
られること等の問題が生じるが、上述のように不活性ガ
ス供給ノズル71から不活性ガスを現像液膜Lに供給す
ることにより、現像液膜Lがある程度攪拌され、これに
よって現像の進行が均一化されるとともにタフスキン層
を取り除いて現像を促進させることができる。
による劣化を防止することを考慮した実施形態について
説明したが、次に、現像液を回収する際に回収する現像
液の酸化による劣化も考慮した実施形態について説明す
る。
施形態に係る現像処理ユニットを示す断面図である。こ
の実施形態ではドレイン管50aに現像液回収タンク9
2(現像液回収手段)が設けられており、この回収タン
ク92に回収した現像液90が貯留される。そして、上
記の実施形態の基板表面近傍へ不活性ガスを供給する機
構の他に、基板Gから振り切られた現像液または前記現
像液回収手段により回収される現像液にN2ガスのよう
な不活性ガスを供給する不活性ガス供給機構(第2の不
活性ガス供給機構)を備えている。この第2の不活性ガ
ス供給機構として、インナーカップ46に不活性ガス供
給ノズル91が設けられ、さらに現像液回収タンク92
の上部に不活性ガス供給配管93が設けられている。な
お、現像液回収タンク92の上部には不活性ガス供給配
管93に隣接して排気管94が設けられており、これら
不活性ガス供給配管93および排気管94にはそれぞれ
バルブ95,96が設けられている。また、現像液回収
タンク92の底部には現像液排出管97が設けられてお
り、この現像液排出管97にはバルブ98が設けられて
いる。本実施形態において他の構成は従前の実施形態と
全く同じであり、図7中図3と同じものには同じ符号を
付して説明を省略する。
おいては、従前の実施形態と全く同様に現像液を塗布し
て現像を進行させた後、同様に基板Gを回転させて現像
液を振り切る。この際に、振り切られた現像液には不活
性ガス供給ノズル91から不活性ガスが供給されるの
で、振り切られて回収経路に至る現像液の酸素(空気)
との接触を妨げることができ、回収される現像液の酸化
による劣化を抑制することができる。
を通って現像液回収タンク92に回収される。このと
き、排気管94を介して空気を排出し、不活性ガス供給
配管93から不活性ガス、例えばN2ガスが現像液回収
タンク92に供給してタンク92内を不活性ガス雰囲気
にしておくことにより、現像液回収タンク92に貯留さ
れた現像液90の酸素(空気)との接触を妨げることが
でき、回収された現像液90の酸化による劣化を抑制す
ることができる。
同様に少なくとも基板Gの表面近傍部分に不活性ガスを
供給するので、現像処理の際に現像液の酸化による劣化
を生じ難くすることができるが、これに加えて上述した
ように現像液を振りきる際および現像液を回収する際に
不活性ガス供給ノズル91および不活性ガス供給配管9
3から現像液に不活性ガスを供給することにより、現像
液を回収する際における現像液の酸化をも生じ難くする
ことができるので、酸化による劣化が少ない現像液を回
収することができる。なお、不活性ガス供給ノズル91
および不活性ガス供給配管93は必ずしも両方設ける必
要はなく、いずれか一方でも回収される現像液の酸化に
よる劣化を抑制する効果を得ることができる。
限定されず、その技術思想の範囲内で様々な変形が可能
である。例えば、上記実施形態では現像液供給ノズルと
して多数の吐出孔から現像液を吐出するタイプのものを
用いたが、これに限るものではなく、例えばスプレータ
イプの現像液供給ノズルを用いてもよい。
を図8に示す。図8中(a)はスプレーノズルの側面
図、(b)は正面図、(c)は平面図である。これらに
示すように、スプレーノズル101はその下側に多数の
現像液噴出口102を有しており、これら現像液噴出口
102から現像液を放射状に噴霧(スプレー)するよう
になっている。スプレーノズル101は基板Gの短辺の
半分の長さよりも若干長い長さを有しており、このスプ
レーノズル101には支持部材105によりスプレーの
影響の及ばない位置に不活性ガス供給ノズル103が取
り付けられている。この不活性ガス供給ノズル103の
下側に吐出口104が設けられており、この吐出口10
4から基板G上へ不活性ガス(例えばN2ガス)が供給
される。そして、図8の(c)に示すように、基板Gを
矢印方向に回転させながら、スプレーノズル101は静
止した状態で現像液をスプレーするが、この時不活性ガ
ス供給ノズル103から不活性ガスが供給されているの
で、基板G上は不活性ガス雰囲気となり、現像液の酸化
による劣化を防止することができる。また、図9に示す
ように、不活性ガス供給ノズル103のみならず、スプ
レーノズル101の反対側に支持部材105’により不
活性ガス供給ノズル103’を設けてその吐出口10
4’からも不活性ガスを供給するようにすることによ
り、現像液の酸化による劣化をより有効に防止すること
ができる。
に不活性ガスを供給する不活性ガス供給ノズルを現像液
供給ノズルに取り付けた例を示したが、これに限らず基
板の少なくとも表面近傍に不活性ガスを供給することが
できればその位置は問わないし、不活性ガス供給機構と
してはノズルに限らず他の手段であってもよい。
る現像液に不活性ガスを供給する位置についても上記実
施形態に限るものではなく、その不活性ガス供給形態も
不活性ガス供給ノズルや不活性ガス供給配管に限るもの
ではない。
CD基板に対する処理システムに適用した場合を例にと
って説明したが、これに限らずカラーフィルターや、半
導体ウエハ等の他の基板を処理するシステムにも適用す
ることができる。
基板に現像液を供給する際に、少なくとも基板の表面近
傍部分に不活性ガスを供給するので、現像処理の際にお
ける現像液の酸化による劣化を生じ難くすることができ
る。また、これに加えて、現像液を振り切る際および/
または現像液を回収する際に現像液に不活性ガスを供給
することにより、現像液を回収する際における現像液の
酸化をも生じ難くすることができるので、酸化による劣
化が少ない現像液を回収することができる。
搭載されたLCD基板のレジスト塗布・現像処理システ
ムを示す平面図。
示す平面図。
けられた現像液供給ノズルを示す斜視図。
ける制御系を示すブロック図。
ける現像処理動作を説明するための模式図。
を示す断面図。
ズルを示す側面図、正面図および平面図。
機構) 90;回収された現像液 91;不活性ガス供給ノズル(第2の不活性ガス供給機
構) 92;現像液回収タンク 93;不活性ガス供給配管(第2の不活性ガス供給機
構) 101;スプレーノズル(現像液供給ノズル) G;LCD基板
Claims (12)
- 【請求項1】 露光処理後の基板に現像液を供給して現
像処理を行う現像処理方法であって、 基板に現像液を供給する際に、少なくとも基板の表面近
傍部分に不活性ガスを供給することを特徴とする現像処
理方法。 - 【請求項2】 露光処理後の基板に現像液を供給して現
像処理を行う現像処理方法であって、 基板に現像液を供給する工程と、 基板上に現像液を保持させて現像を進行させる工程と、 現像液を基板から振り切る工程と、 振り切られた現像液を回収する工程とを具備し、 前記現像液を供給する工程の際に、少なくとも基板の表
面近傍部分に不活性ガスを供給し、かつ前記現像液を振
り切る工程および/または回収する工程の際に現像液に
不活性ガスを供給することを特徴とする現像処理方法。 - 【請求項3】 基板上の現像液に不活性ガスを吹き付け
ることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の現
像処理方法。 - 【請求項4】 露光処理後の基板に現像液を供給して現
像処理を行う現像処理装置であって、 基板を支持する基板支持部材と、 基板に現像液を吐出する現像液供給ノズルと、 少なくとも基板表面近傍部分に不活性ガスを供給する不
活性ガス供給機構とを具備することを特徴とする現像処
理装置。 - 【請求項5】 前記不活性ガス供給機構は、前記現像液
供給ノズルに取り付けられた不活性ガス供給ノズルを有
することを特徴とする請求項4に記載の現像処理装置。 - 【請求項6】 前記現像液供給ノズルを基板上で走査さ
せる走査機構をさらに具備し、この走査機構により、現
像液を吐出している前記現像液供給ノズルを走査させな
がら、前記不活性ガス供給ノズルから不活性ガスを供給
することを特徴とする請求項5に記載の現像処理装置。 - 【請求項7】 前記不活性ガス供給ノズルは、現像液を
吐出している前記現像液供給ノズルを前記走査機構によ
り走査している際には基板に対して水平または斜め上向
きに不活性ガスを供給し、前記現像液供給ノズルを現像
液の供給を停止して前記走査機構により戻す際には基板
上の現像液に不活性ガスを供給して攪拌することを特徴
とする請求項6に記載の現像処理装置。 - 【請求項8】 前記基板を回転させる基板回転手段をさ
らに具備し、この基板回転手段により基板を回転させつ
つ、前記現像液供給ノズルから現像液を供給している際
に、前記不活性ガス供給ノズルから不活性ガスを供給す
ることを特徴とする請求項5に記載の現像処理装置。 - 【請求項9】 露光処理後の基板に現像液を供給して現
像処理を行う現像処理装置であって、 基板を支持する基板支持部材と、 前記基板支持部材に支持されている基板を包囲する処理
容器と、 前記基板支持部材に支持された基板を回転させる基板回
転手段と、 基板に現像液を吐出する現像液供給ノズルと、 現像処理後に前記基板回転手段により回転されて基板か
ら振り切られた現像液を回収する現像液回収手段と、 少なくとも基板表面近傍部分に不活性ガスを供給する第
1の不活性ガス供給機構と、 基板から振り切られた現像液または前記現像液回収手段
により回収される現像液に不活性ガスを供給する第2の
不活性ガス供給機構とを具備することを特徴とする現像
処理装置。 - 【請求項10】 前記第1の不活性ガス供給機構は、前
記現像液供給ノズルに取り付けられた第1の不活性ガス
供給ノズルを有することを特徴とする請求項9に記載の
現像処理装置。 - 【請求項11】 前記第2の不活性ガス供給機構は、振
り切られた現像液に不活性ガスを供給する第2の不活性
ガス供給ノズルを有することを特徴とする請求項10に
記載の現像処理装置。 - 【請求項12】 前記現像液回収手段は、前記基板回転
手段により振り切られた現像液を貯留する現像液貯留容
器を有し、前記第2の不活性ガス供給機構は、前記現像
液貯留容器に不活性ガスを供給することを特徴とする請
求項9から請求項11のいずれか1項に記載の現像処理
装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000047511A JP3554519B2 (ja) | 2000-02-24 | 2000-02-24 | 現像処理方法および現像処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2000047511A JP3554519B2 (ja) | 2000-02-24 | 2000-02-24 | 現像処理方法および現像処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2001237170A true JP2001237170A (ja) | 2001-08-31 |
JP3554519B2 JP3554519B2 (ja) | 2004-08-18 |
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ID=18569751
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Country | Link |
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JP (1) | JP3554519B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7669608B2 (en) | 2002-01-28 | 2010-03-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Substrate treating method, substrate-processing apparatus, developing method, method of manufacturing a semiconductor device, and method of cleaning a developing solution nozzle |
JP2010182715A (ja) * | 2009-02-03 | 2010-08-19 | Tokyo Electron Ltd | 現像処理方法及び現像処理装置 |
JP2013162040A (ja) * | 2012-02-07 | 2013-08-19 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置、これを備える塗布現像装置、及び基板処理方法 |
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2000
- 2000-02-24 JP JP2000047511A patent/JP3554519B2/ja not_active Expired - Fee Related
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