JP2013162040A - 基板処理装置、これを備える塗布現像装置、及び基板処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板を保持し、該基板の中心部を回転中心として当該基板を回転可能な基板保持部と、前記基板保持部により回転される前記基板の中央から外縁に向かう方向に沿って移動可能で、当該基板の表面にリンス液を供給するリンス液供給部と、前記リンス液供給部とともに前記基板の中央から外縁に向かって移動可能で、前記基板の表面に垂直な方向から傾くとともに前記基板の半径方向から前記基板の回転方向下流側にずれた供給方向から、前記基板保持部により回転される前記基板の表面に不活性ガスを供給する第1の不活性ガス供給部とを備える基板処理装置により上記の課題が達成される。
【選択図】図3
Description
まず、図1から図4までを参照しながら、本発明の第1の実施形態によるフォトレジスト塗布現像装置(以下、単に塗布現像装置という)を説明する。図1及び図2に示すように、塗布現像装置100には、キャリアステーションS1、処理ステーションS2、及びインターフェイスステーションS3がこの順に並んで設けられている。また、塗布現像装置100のインターフェイスステーションS3側には露光装置S4が結合されている。
棚ユニットU2は、図3に示すように、例えば下から順に積層された、受け渡しモジュールTRS6、TRS6、及びCPL12を有する。
フォトレジスト膜が形成されたウエハWは、搬送アームA3により、棚ユニットU1の受け渡しモジュールBF3に搬送される。
次に、図4から図6までを参照しながら、本発明の第2の実施形態による基板処理装置としての現像モジュールについて説明する。この現像モジュールは、上述の塗布現像装置100において、第3のブロックB1の現像モジュール22として用いられる。図4は、現像モジュール22の構成を模式的に示す断面図であり、図5はその平面図である。
現像液ノズル4aは、下方に向かって幅が狭くなるようにくさび形に形成されており、その下面には帯状の現像液を吐出するためのスリット状の吐出口(不図示)が設けられている。この吐出口は、その長手方向がウエハWの周縁から中央に向かうように配置されている。
不活性ガスノズル4cは、リンス液ノズル4bに隣接し、ウエハWの表面に垂直な方向に延びるように設けられている。具体的には、不活性ガスノズル4cは、駆動部51により複合ノズル4(ノズルアーム5)を動かしながらリンス液ノズル4bからウエハWの表面にリンス液を供給する場合に、その移動方向において、リンス液ノズル4bよりも上流側に配置される。このため、複合ノズル4が移動する際、不活性ガスノズル4cはリンス液ノズル4bの後について移動しつつ、ウエハWの表面に不活性ガスを供給する。
次に、本発明の第3の実施形態による基板処理方法について、上述の現像モジュール22を備える塗布現像装置100を用いて実施する場合を例にとり説明する。
まず、露光されたフォトレジスト膜が形成されるウエハWを搬送アームA1(図1)により現像モジュール22内へ搬送し、昇降ピン(不図示)によりスピンチャック4に受け渡す。スピンチャック4によりウエハWを回転させるとともに、駆動部51(図5)によりノズルアーム5を動かして、複合ノズル4(図6)をウエハWの中央上方に位置させ、現像液ノズル4aから現像液をウエハWに対して供給する。現像液がウエハWの表面全体に広がった後に、現像液の供給を停止するとともに、ウエハWの回転を停止する。これにより、ウエハWの表面全体が現像液の液膜で覆われ、露光されたフォトレジスト膜が現像される。
次に、第3の実施形態による基板処理方法の実施例について説明する。この実施例は、上述の基板処理方法に従って、ウエハW上の露光後のフォトレジスト膜を現像し、現像液をDIWでリンスし、ウエハWを乾燥させた。その後、走査型電子顕微鏡(SEM)により欠陥を観測し、観測された欠陥中のフォトレジスト膜中のレジストパターンの倒壊箇所を抽出した。また、比較のため、ウエハWの乾燥の際に、傾斜ノズル4dを使用せずに不活性ガスノズル4cのみを使用した比較例を実施した(他の条件は実施例と同様)。
次に、図11を参照しながら、第2の実施形態による基板処理装置としての現像モジュールの変形例について説明する。変形例の現像モジュールは、複合ノズル4と異なる複合ノズル140を有している点で、現像モジュール22と異なり、他の構成において現像モジュール22と同一である。以下、複合ノズル140と複合ノズル4との相違点を中心に説明し、同じ構成に関する重複する説明を省略する。
次に、本発明の実施形態による基板処理方法の変形例(2)として、変形例1の基板処理装置を用いて実施する場合を例にとり説明する。変形例2の基板処理方法においては、まず、第3の実施形態で説明したように、露光されたフォトレジスト膜が現像される。このとき、傾斜ノズル14d(図11)は、制御部7で駆動部141を制御することにより、ウエハWの表面に対して垂直な方向を向いている。
傾斜ノズル14dがこのように制御されながら、複合ノズル140がウエハWの周縁の外側まで移動すると、変形例2の基板処理方法が終了する。
また、傾斜ノズル14dからの不活性ガスの供給量を、複合ノズル140の位置に応じて変更しても良い。具体的には、複合ノズル140がウエハWの中央から周縁に移動するのに伴い、傾斜ノズル14dからの不活性ガスの供給量を減らしても良く増やしても良いが、遠心力と交差する方向にDIWを押し流す観点から、増やすことが好ましい。
また、上述の現像モジュール22は、スピンチャック2によりウエハWを保持し回転するが、スピンチャック2に代わり、ウエハWの周縁を3個以上の把持部で把持しウエハWを回転する回転機構を有しても良い。
Claims (11)
- 基板を保持し、該基板の中心部を回転中心として当該基板を回転可能な基板保持部と、
前記基板保持部により回転される前記基板の中央から外縁に向かって移動可能で、当該基板の表面にリンス液を供給するリンス液供給部と、
前記リンス液供給部とともに前記基板の中央から外縁に向かう方向に沿って移動可能で、前記基板の表面に垂直な方向から傾くとともに前記基板の半径方向から前記基板の回転方向下流側にずれた供給方向から、前記基板保持部により回転される前記基板の表面に不活性ガスを供給する第1の不活性ガス供給部と
を備える基板処理装置。 - 前記第1の不活性ガス供給部が前記基板の中央から外縁に向かう方向に沿って移動するのに伴って、前記基板の表面に垂直な方向と前記供給方向とのなす角が大きくなり、前記基板の半径方向から前記基板の回転方向下流側に前記供給方向がずれるずれ角が大きくなるように、前記第1の不活性ガス供給部を駆動する駆動部を更に備える、請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記なす角が0°から60°までの範囲にあり、前記ずれ角が0°から45°までの範囲にある、請求項2に記載の基板処理装置。
- 前記基板保持部により回転される前記基板の中央に対し、前記基板の表面に垂直な方向から不活性ガスを供給する第2の不活性ガス供給部を更に備える、請求項1から3のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記第2の不活性ガス供給部が、前記リンス液供給部とともに前記基板の中央から外縁に向かう方向に沿って移動可能である、請求項4に記載の基板処理装置。
- 前記リンス液供給部とともに前記基板の中央から外縁に向かう方向に沿って移動可能で、前記第1の不活性ガス供給部の前記供給方向と異なる供給方向から、前記基板保持部により回転される前記基板の表面に不活性ガスを供給する第3の不活性ガス供給部を更に備える、請求項1に記載の基板処理装置。
- 基板にフォトレジスト膜を形成するフォトレジスト膜形成部と、
請求項1から6のいずれか一項に記載の基板処理装置と
を備え、前記基板処理装置が
前記フォトレジスト膜形成部により形成され、露光された前記フォトレジスト膜に対して現像液を供給する現像液供給部を更に備える、塗布現像装置。 - 基板を保持し、該基板の中心部を回転中心として当該基板を回転する回転ステップと、
回転される前記基板の中央から外縁に向かう方向に沿ってリンス液供給部を移動しながら、当該リンス液供給部から当該基板の表面にリンス液を供給するリンス液供給ステップと、
前記リンス液供給部とともに前記基板の中央から外縁に向かう方向に沿って第1の不活性ガス供給部を移動しながら、当該第1の不活性ガス供給部により、前記基板の表面に垂直な方向から傾くとともに前記基板の半径方向から前記基板の回転方向下流側にずれた供給方向から、回転される前記基板の表面に不活性ガスを供給する第1の不活性ガス供給ステップと
を備える基板処理方法。 - 前記第1の不活性ガス供給部が前記基板の中央から外縁に向かう方向に沿って移動するのに伴って、前記基板の表面に垂直な方向と前記供給方向とのなす角が大きくなり、前記基板の半径方向から前記基板の回転方向下流側に前記供給方向がずれるずれ角が大きくなるように、前記第1の不活性ガス供給部を駆動する第2の駆動ステップを更に備える、請求項8に記載の基板処理方法。
- 第2の駆動ステップにおいて、前記なす角が0°から60°まで大きくなり、前記ずれ角が0°から45°まで大きくなる、請求項9に記載の基板処理方法。
- 前記第1の不活性ガス供給ステップにおいて、前記基板の中央から外縁に向かう方向に沿って前記第1の不活性ガス供給部が移動するのに伴い、前記第1の不活性ガス供給部からの不活性ガスの供給量を増加する、請求項9又は10に記載の基板処理方法。
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