JP2012019002A - 基板洗浄方法および基板洗浄装置 - Google Patents
基板洗浄方法および基板洗浄装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012019002A JP2012019002A JP2010154509A JP2010154509A JP2012019002A JP 2012019002 A JP2012019002 A JP 2012019002A JP 2010154509 A JP2010154509 A JP 2010154509A JP 2010154509 A JP2010154509 A JP 2010154509A JP 2012019002 A JP2012019002 A JP 2012019002A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- nozzle
- liquid
- gas
- rinse liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 607
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 45
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 398
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 51
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 39
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 18
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 129
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 127
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 abstract description 59
- 238000011161 development Methods 0.000 description 73
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 46
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 10
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 8
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 8
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 8
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 8
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 8
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 8
- 102100030373 HSPB1-associated protein 1 Human genes 0.000 description 7
- 101000843045 Homo sapiens HSPB1-associated protein 1 Proteins 0.000 description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 101100346174 Arabidopsis thaliana MORC4 gene Proteins 0.000 description 4
- PHKJVUUMSPASRG-UHFFFAOYSA-N 4-[4-chloro-5-(2,6-dimethyl-8-pentan-3-ylimidazo[1,2-b]pyridazin-3-yl)-1,3-thiazol-2-yl]morpholine Chemical compound CC=1N=C2C(C(CC)CC)=CC(C)=NN2C=1C(=C(N=1)Cl)SC=1N1CCOCC1 PHKJVUUMSPASRG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 101100346179 Arabidopsis thaliana MORC7 gene Proteins 0.000 description 3
- 102100021752 Corticoliberin Human genes 0.000 description 3
- 101000895481 Homo sapiens Corticoliberin Proteins 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 101100346171 Arabidopsis thaliana MORC3 gene Proteins 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101100168604 Candida albicans (strain SC5314 / ATCC MYA-2876) CRH12 gene Proteins 0.000 description 2
- 101100168607 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) UTR2 gene Proteins 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 239000012744 reinforcing agent Substances 0.000 description 2
- 239000012487 rinsing solution Substances 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102000008108 Osteoprotegerin Human genes 0.000 description 1
- 108010035042 Osteoprotegerin Proteins 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02052—Wet cleaning only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
Abstract
【解決手段】基板Wが回転するとともに、気液供給ノズル453の液体ノズル453aが回転する基板Wの中心部WCの上方の位置まで移動する。この状態で、液体ノズル453aから回転する基板Wにリンス液が吐出される。気液供給ノズル453が基板Wの外方位置に向かって移動する。ガスノズル453bが回転する基板Wの中心部WCの上方位置に到達することにより、気液供給ノズル453が一時的に停止する。気液供給ノズル453が停止した状態で、回転する基板W上の中心部WCに一定時間不活性ガスが吐出される。その後、気液供給ノズル453が再び基板Wの外方位置に向かって移動する。
【選択図】図11
Description
図1は、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。なお、図1ならびに後述する図2および図3には、位置関係を明確にするために互いに直交するX方向、Y方向およびZ方向を示す矢印を付している。X方向およびY方向は水平面内で互いに直交し、Z方向は上下方向に相当する。なお、各方向において矢印が向かう方向を+方向、その反対の方向を−方向とする。
基板処理装置100の動作について主として図1を参照しつつ説明する。インデクサブロック1のキャリア載置台10上に複数枚の基板Wを多段に収納するキャリアCが搬入される。インデクサロボットIRは、基板Wの受け渡しをするためのハンドIRHを用いてキャリアC内に収納された未処理の基板Wを取り出す。その後、インデクサロボットIRは±X方向に移動しつつ回転し、未処理の基板Wを基板載置部PASS1に載置する。
図3の現像処理部400の現像処理装置DEVについて詳細を説明する。図4は、図3の現像処理装置DEVの構成を示す平面図であり、図5は図4の現像処理装置DEVのQ−Q線断面図である。
次に、現像処理装置DEVの動作について説明する。図9は、基板Wの現像処理時における基板Wの回転速度、現像液の流量、リンス液の流量および不活性ガスの流量の変化を示すタイミング図である。本実施の形態では、現像処理の工程が、液層形成工程、現像工程および洗浄乾燥工程に分けられる。なお、以下に説明する現像処理は、基板W上に形成されたレジスト膜に露光処理が施された後に行われる。
次に、図9および図10を参照しながら液層形成工程における現像処理装置DEVの動作の詳細について説明する。図10は、液層形成工程における現像処理装置DEVの動作について説明するための模式図である。図10(a),(c),(e)は現像処理装置DEVの模式的平面図であり、図10(b),(d),(f)は現像処理装置DEVの模式的側面図である。
図9、図11および図12を参照しながら洗浄乾燥工程における現像処理装置DEVの動作について説明する。図11および図12は、洗浄乾燥工程における現像処理装置DEVの動作について説明するための図である。
(7−1)境界形成のメカニズム
図13は、洗浄乾燥工程において気液供給ノズル453から基板Wにリンス液および不活性ガスが供給される状態を示す側面図である。
上記のように、境界Bは液位置P1とガス位置P2との間でリンス液と不活性ガスとを干渉させることにより形成される。図14は、液位置P1とガス位置P2との間の距離が境界Bの形成に与える影響を説明するための側面図である。
図15は、基板Wの表面を基準とする気液供給ノズル453の高さが境界Bの形成に与える影響を説明するための側面図である。
液体ノズル453aから基板Wに吐出されるリンス液の流量が多すぎると、リンス液と不活性ガスとの干渉が大きくなり、境界Bが安定して形成されにくくなるとともに、基板Wの表面からリンス液が跳ねやすくなる。また、液体ノズル453aから基板Wに吐出するリンス液の流量が少なすぎると、リンス液と不活性ガスとが干渉しにくくなり、境界Bが安定して形成されにくくなる。
気体ノズル453bから基板Wに吐出される不活性ガスの流量が多すぎると、リンス液と不活性ガスとの干渉が大きくなり、境界Bが安定して形成されにくくなるとともに、基板Wの表面からリンス液が跳ねやすくなる。また、気体ノズル453bから基板Wに吐出される不活性ガスの流量が少なすぎると、リンス液と不活性ガスとが干渉しにくくなり、境界Bが安定して形成されにくくなる。
洗浄乾燥工程においては、図5のスピンチャック410により基板Wが回転する。これにより、図13に示すように、液体ノズル453aから基板W上に吐出されるリンス液には、基板Wの中心部WCから液位置P1までの距離および基板Wの回転速度に応じて基板Wの中心部WCから外方に向かう遠心力が作用する。
基板Wの中心部WCから周縁部に向かって移動する液位置P1およびガス位置P2の移動速度が高すぎると、基板W上に十分な量の不活性ガスを吐出することができない。この場合、基板W上のリンス液を除去することが難しくなり、境界Bが安定して形成されにくくなる。
上記のように、本実施の形態に係る現像処理装置DEVにおいては、洗浄乾燥工程が開始されることにより、基板Wが回転するとともに気液供給ノズル453の液体ノズル453aが回転する基板Wの中心部WCの上方の位置まで移動する。この状態で、液体ノズル453aから回転する基板Wにリンス液が吐出される。これにより、回転する基板W上の中心部WCに吐出されたリンス液が基板Wの周縁部に向かって広がることにより、基板Wの全面に液層RLが形成される。
(9−1)
気液供給ノズル453は、液体ノズル453aおよび気体ノズル453bの軸心L1,L2が基板Wの表面に対して傾斜するようにノズルアーム452に取り付けられてもよい。
上記実施の形態では、基板W上にリンス液を吐出しつつ不活性ガスを吐出することにより基板Wを乾燥させる基板洗浄方法について説明したが、この基板洗浄方法は、上記の現像処理に限らず、基板Wを洗浄および乾燥する工程を含む種々の処理に適用することができる。
上記実施の形態では、基板Wを乾燥させるために基板W上に不活性ガスを吐出する例を説明したが、基板Wを乾燥させるための気体として、不活性ガスに代えて空気等の他の気体を用いてもよい。
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
2 反射防止膜用処理ブロック
3 レジスト膜用処理ブロック
4 現像処理用ブロック
5 インターフェースブロック
6 露光装置
10 キャリア載置台
11 メインコントローラ
20,21 反射防止膜用熱処理部
30,31 レジスト膜用熱処理部
40,41 現像用熱処理部
100 基板処理装置
200 反射防止膜用塗布処理部
300 レジスト膜用塗布処理部
400 現像処理部
410 スピンチャック
411 モータ
412 回転軸
413 内側カップ
414 外側カップ
415 待機ポッド
416 ガイドレール
417 アーム駆動部
418 ノズルアーム
421 現像液ノズル
422 現像液吐出口
431 現像液供給管
450 モータ
451 回転軸
452 ノズルアーム
453 気液供給ノズル
453a 液体ノズル
453b ガスノズル
454 ケーシング
450 モータ
461 リンス液供給管
471 不活性ガス供給管
AHL 密着強化剤塗布処理部
B 境界
BARC,RES 塗布ユニット
BHa,BHb 吐出口
C キャリア
CP クーリングプレート
CR1 第1のセンターロボット
CR2 第2のセンターロボット
CR3 第3のセンターロボット
CR4 第4のセンターロボット
CRH1〜CRH4 ハンド
DA 乾燥領域
DEV 現像処理装置
EEW エッジ露光部
G1 現像液供給源
G2 リンス液供給源
G3 不活性ガス供給源
HP ホットプレート
IDa,IDb 内径
IFR インターフェース用搬送機構
IR インデクサロボット
IRH ハンド
LC ローカルコントローラ
L1,L2 軸心
ND1 距離
P1 液位置
P2 ガス位置
PASS1〜PASS8 基板載置部
PHP 熱処理ユニット
RBF 戻りバッファ
RL 液層
SBF 送りバッファ
UHa,UHb 接続孔
V1〜V3 バルブ
W 基板
WC 中心部
Claims (12)
- 基板の洗浄および乾燥を行う基板洗浄方法であって、
基板を略水平に保持しつつ基板に垂直な軸の周りで回転させる工程と、
リンス液を吐出する第1のノズルを用いて回転する基板上の中心部にリンス液を吐出する工程と、
前記第1のノズルから吐出されたリンス液を受ける基板上の位置が基板上の中心部から基板上の周縁部に向かって一定距離移動するように前記第1のノズルを移動させる工程と、
前記リンス液を受ける基板上の位置が基板上の中心部から一定距離離間した状態を保持しつつ、気体を吐出する第2のノズルを用いて基板上の中心部に一定時間気体を吐出することにより基板上の中心部に乾燥領域を形成する工程と、
基板上の中心部に乾燥領域が形成された後、前記リンス液を受ける基板上の位置が基板上の周縁部に向かって連続的に移動するように前記第1のノズルを移動させるとともに、前記第2のノズルから吐出された気体を受ける基板上の位置が前記リンス液を受ける基板上の位置から前記一定距離離間しつつ前記リンス液を受ける基板上の位置の移動経路をたどるように前記第2のノズルを連続的に移動させる工程とを備えることを特徴とする基板洗浄方法。 - 基板を回転させる工程は、
前記リンス液を受ける基板上の位置が基板上の中心部に位置する状態で基板が第1の回転速度で回転し、前記リンス液を受ける基板上の位置が基板上の周縁部に位置する状態で基板が前記第1の回転速度より低い第2の回転速度で回転するように基板の回転速度を段階的または連続的に変化させる工程を含むことを特徴とする請求項1記載の基板洗浄方法。 - 前記一定距離は、12mm以上22mm以下であることを特徴とする請求項1または2記載の基板洗浄方法。
- 前記第1のノズルはリンス液を吐出する第1の吐出口を有し、
前記第2のノズルは、気体を吐出する第2の吐出口を有し、
基板の表面から前記第1の吐出口までの高さおよび基板の表面から前記第2の吐出口までの高さは、10mm以上40mm以下であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の基板洗浄方法。 - 前記第1および第2の吐出口の内径は、2mm以上6mm以下であることを特徴とする請求項4記載の基板洗浄方法。
- 前記第1の吐出口から吐出されるリンス液の流量は、150mL/min以上800mL/min以下であり、
前記第2の吐出口から吐出される気体の流量は、10L/min以上40L/min以下であることを特徴とする請求項4または5記載の基板洗浄方法。 - 基板の洗浄および乾燥を行う基板洗浄装置であって、
基板を略水平に保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段により保持された基板をその基板に垂直な軸の周りで回転させる回転駆動手段と、
回転する基板上にリンス液を吐出する第1のノズルと、
前記第1のノズルを移動させる第1のノズル移動手段と、
回転する基板上に気体を吐出する第2のノズルと、
前記第2のノズルを移動させる第2のノズル移動手段と、
前記基板保持手段、前記回転駆動手段、前記第1のノズル移動手段および前記第2のノズル移動手段を制御する制御手段とを備え、
前記制御手段は、前記回転駆動手段により基板を略水平に保持しつつ基板に垂直な軸の周りで回転させ、回転する基板上の中心部に前記第1のノズルからリンス液を吐出させ、前記第1のノズルから吐出されたリンス液を受ける基板上の位置が基板上の中心部から基板上の周縁部に向かって一定距離移動するように前記第1のノズル移動手段により前記第1のノズルを移動させ、前記リンス液を受ける基板上の位置が基板上の中心部から一定距離離間した状態を保持しつつ、基板上の中心部に一定時間前記第2のノズルから気体を吐出させることにより基板上の中心部に乾燥領域を形成し、基板上の中心部に乾燥領域が形成された後、前記リンス液を受ける基板上の位置が基板上の周縁部に向かって連続的に移動するように前記第1のノズル移動手段により前記第1のノズルを移動させるとともに、前記第2のノズルから吐出された気体を受ける基板上の位置が前記リンス液を受ける基板上の位置から前記一定距離離間しつつ前記リンス液を受ける基板上の位置の移動経路をたどるように前記第2のノズル移動手段により前記第2のノズルを連続的に移動させることを特徴とする基板洗浄装置。 - 前記制御手段は、前記リンス液を受ける基板上の位置が基板上の中心部に位置する状態で基板が第1の回転速度で回転し、前記リンス液を受ける基板上の位置が基板上の周縁部に位置する状態で基板が前記第1の回転速度より低い第2の回転速度で回転するように前記回転駆動手段により基板の回転速度を段階的または連続的に変化させることを特徴とする請求項7記載の基板洗浄装置。
- 前記一定距離は、12mm以上22mm以下であることを特徴とする請求項7または8記載の基板洗浄装置。
- 前記第1のノズルおよび前記第2のノズルを保持する保持手段をさらに備え、
前記第1のノズルはリンス液を吐出する第1の吐出口を有し、
前記第2のノズルは、気体を吐出する第2の吐出口を有し、
前記保持手段は、基板の表面から前記第1の吐出口までの高さおよび基板の表面から前記第2の吐出口までの高さが10mm以上40mm以下となるように前記第1のノズルおよび前記第2のノズルを保持することを特徴とする請求項7〜9のいずれかに記載の基板洗浄装置。 - 前記第1および第2の吐出口の内径は、2mm以上6mm以下であることを特徴とする請求項10記載の基板洗浄装置。
- 前記第1の吐出口から吐出されるリンス液の流量は、150mL/min以上800mL/min以下であり、
前記第2の吐出口から吐出される気体の流量は、10L/min以上40L/min以下であることを特徴とする請求項10または11記載の基板洗浄装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010154509A JP5538102B2 (ja) | 2010-07-07 | 2010-07-07 | 基板洗浄方法および基板洗浄装置 |
US13/116,793 US9028621B2 (en) | 2010-07-07 | 2011-05-26 | Substrate cleaning method and substrate cleaning device |
KR1020110053954A KR101250722B1 (ko) | 2010-07-07 | 2011-06-03 | 기판세정방법 및 기판세정장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010154509A JP5538102B2 (ja) | 2010-07-07 | 2010-07-07 | 基板洗浄方法および基板洗浄装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012019002A true JP2012019002A (ja) | 2012-01-26 |
JP2012019002A5 JP2012019002A5 (ja) | 2013-05-30 |
JP5538102B2 JP5538102B2 (ja) | 2014-07-02 |
Family
ID=45437688
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010154509A Active JP5538102B2 (ja) | 2010-07-07 | 2010-07-07 | 基板洗浄方法および基板洗浄装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9028621B2 (ja) |
JP (1) | JP5538102B2 (ja) |
KR (1) | KR101250722B1 (ja) |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013162040A (ja) * | 2012-02-07 | 2013-08-19 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置、これを備える塗布現像装置、及び基板処理方法 |
JP2015008273A (ja) * | 2013-05-28 | 2015-01-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄装置、基板洗浄方法及び記憶媒体 |
KR101486331B1 (ko) * | 2012-11-07 | 2015-01-26 | 주식회사 케이씨텍 | 기판 건조장치 |
JP2015133347A (ja) * | 2014-01-09 | 2015-07-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄方法、基板洗浄装置、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
JP2015204427A (ja) * | 2014-04-16 | 2015-11-16 | 株式会社荏原製作所 | 基板乾燥装置、制御プログラム、及び基板乾燥方法 |
CN108269752A (zh) * | 2016-12-30 | 2018-07-10 | 细美事有限公司 | 基板处理装置和基板处理方法 |
CN109560017A (zh) * | 2017-09-25 | 2019-04-02 | 东京毅力科创株式会社 | 基片处理方法、基片处理装置和存储介质 |
CN110548954A (zh) * | 2018-05-31 | 2019-12-10 | 株式会社电装天 | 涂布装置及涂布方法 |
CN111081597A (zh) * | 2018-10-18 | 2020-04-28 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置和基板处理方法 |
JP2020136394A (ja) * | 2019-02-15 | 2020-08-31 | 株式会社Screenホールディングス | 液処理装置および液処理方法 |
JP2021039998A (ja) * | 2019-09-02 | 2021-03-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像処理方法及び現像処理装置 |
JP2021097120A (ja) * | 2019-12-17 | 2021-06-24 | 株式会社荏原製作所 | レジスト除去システムおよびレジスト除去方法 |
JP2022104785A (ja) * | 2020-12-29 | 2022-07-11 | セメス株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
US11833550B2 (en) | 2021-09-22 | 2023-12-05 | Kioxia Corporation | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
Families Citing this family (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8900307B2 (en) | 2007-06-26 | 2014-12-02 | DePuy Synthes Products, LLC | Highly lordosed fusion cage |
CN101909548B (zh) | 2008-01-17 | 2014-07-30 | 斯恩蒂斯有限公司 | 可膨胀椎间植入件以及制造它的相关方法 |
JP5441997B2 (ja) | 2008-04-05 | 2014-03-12 | ジンテス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 拡張可能な椎骨間インプラント |
US8979860B2 (en) | 2010-06-24 | 2015-03-17 | DePuy Synthes Products. LLC | Enhanced cage insertion device |
US9282979B2 (en) | 2010-06-24 | 2016-03-15 | DePuy Synthes Products, Inc. | Instruments and methods for non-parallel disc space preparation |
WO2012003175A1 (en) | 2010-06-29 | 2012-01-05 | Synthes Usa, Llc | Distractible intervertebral implant |
US9402732B2 (en) | 2010-10-11 | 2016-08-02 | DePuy Synthes Products, Inc. | Expandable interspinous process spacer implant |
US20140067069A1 (en) | 2012-08-30 | 2014-03-06 | Interventional Spine, Inc. | Artificial disc |
US9522070B2 (en) | 2013-03-07 | 2016-12-20 | Interventional Spine, Inc. | Intervertebral implant |
JP2014194965A (ja) * | 2013-03-28 | 2014-10-09 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
US9704730B2 (en) * | 2013-05-28 | 2017-07-11 | Tokyo Electron Limited | Substrate cleaning apparatus, substrate cleaning method and non-transitory storage medium |
JP2015173369A (ja) * | 2014-03-12 | 2015-10-01 | ソニー株式会社 | 信号処理装置、信号処理方法、およびプログラム |
JP6148210B2 (ja) * | 2014-06-17 | 2017-06-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
JP6454245B2 (ja) * | 2014-10-21 | 2019-01-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理方法及び基板液処理装置並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
US11426290B2 (en) | 2015-03-06 | 2022-08-30 | DePuy Synthes Products, Inc. | Expandable intervertebral implant, system, kit and method |
KR20170134925A (ko) * | 2016-05-27 | 2017-12-07 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
US11510788B2 (en) | 2016-06-28 | 2022-11-29 | Eit Emerging Implant Technologies Gmbh | Expandable, angularly adjustable intervertebral cages |
WO2018002715A2 (en) | 2016-06-28 | 2018-01-04 | Eit Emerging Implant Technologies Gmbh | Expandable and angularly adjustable articulating intervertebral cages |
US10398563B2 (en) | 2017-05-08 | 2019-09-03 | Medos International Sarl | Expandable cage |
US11344424B2 (en) | 2017-06-14 | 2022-05-31 | Medos International Sarl | Expandable intervertebral implant and related methods |
EP3479912A1 (en) * | 2017-11-07 | 2019-05-08 | Satisloh AG | Cleaning station for optical elements |
US11355366B2 (en) * | 2018-08-30 | 2022-06-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Systems and methods for shuttered wafer cleaning |
US11446156B2 (en) | 2018-10-25 | 2022-09-20 | Medos International Sarl | Expandable intervertebral implant, inserter instrument, and related methods |
US10998218B1 (en) * | 2019-12-29 | 2021-05-04 | Nanya Technology Corporation | Wet cleaning apparatus and manufacturing method using the same |
KR102553044B1 (ko) * | 2020-03-05 | 2023-07-10 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
US11426286B2 (en) | 2020-03-06 | 2022-08-30 | Eit Emerging Implant Technologies Gmbh | Expandable intervertebral implant |
CN113391528A (zh) * | 2020-03-11 | 2021-09-14 | 长鑫存储技术有限公司 | 改善光阻显影均匀性的方法 |
US11850160B2 (en) | 2021-03-26 | 2023-12-26 | Medos International Sarl | Expandable lordotic intervertebral fusion cage |
US11752009B2 (en) | 2021-04-06 | 2023-09-12 | Medos International Sarl | Expandable intervertebral fusion cage |
CN117116741A (zh) * | 2023-08-09 | 2023-11-24 | 中环领先半导体材料有限公司 | 一种晶圆键合前的清洗方法及清洗装置 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0938595A (ja) * | 1995-05-23 | 1997-02-10 | Tokyo Electron Ltd | 洗浄方法及びその装置 |
JP2001053051A (ja) * | 1999-08-10 | 2001-02-23 | Pre-Tech Co Ltd | 基板の乾燥装置および洗浄装置並びに乾燥方法および洗浄方法 |
WO2006082780A1 (ja) * | 2005-02-07 | 2006-08-10 | Ebara Corporation | 基板処理方法、基板処理装置及び制御プログラム |
JP2006245381A (ja) * | 2005-03-04 | 2006-09-14 | Semes Co Ltd | 基板洗浄乾燥装置および方法 |
JP2006310732A (ja) * | 2004-12-06 | 2006-11-09 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2008060103A (ja) * | 2006-08-29 | 2008-03-13 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP2009071026A (ja) * | 2007-09-13 | 2009-04-02 | Sokudo:Kk | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2009252855A (ja) * | 2008-04-03 | 2009-10-29 | Tokyo Electron Ltd | 基板洗浄方法、基板洗浄装置及び記憶媒体 |
JP2009260034A (ja) * | 2008-04-16 | 2009-11-05 | Sokudo Co Ltd | 基板乾燥装置およびそれを備えた基板処理装置 |
JP2011501393A (ja) * | 2006-10-02 | 2011-01-06 | ラム・リサーチ・アクチエンゲゼルシヤフト | 円板状物品の表面から液体を除去するための装置及び方法 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW386235B (en) | 1995-05-23 | 2000-04-01 | Tokyo Electron Ltd | Method for spin rinsing |
ATE311665T1 (de) | 1997-09-24 | 2005-12-15 | Imec Inter Uni Micro Electr | Verfahren und vorrichtung zum entfernen von einer flüssigkeit von der oberfläche eines rotierenden substrats |
US6261377B1 (en) | 1997-09-24 | 2001-07-17 | Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) | Method of removing particles and a liquid from a surface of substrate |
WO1999016109A1 (en) | 1997-09-24 | 1999-04-01 | Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vereniging Zonder Winstbejag | Method and apparatus for removing a liquid from a surface |
US6334902B1 (en) | 1997-09-24 | 2002-01-01 | Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) | Method and apparatus for removing a liquid from a surface |
US6491764B2 (en) | 1997-09-24 | 2002-12-10 | Interuniversitair Microelektronics Centrum (Imec) | Method and apparatus for removing a liquid from a surface of a rotating substrate |
US6398975B1 (en) | 1997-09-24 | 2002-06-04 | Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) | Method and apparatus for localized liquid treatment of the surface of a substrate |
US7527698B2 (en) | 1998-09-23 | 2009-05-05 | Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec, Vzw) | Method and apparatus for removing a liquid from a surface of a substrate |
JP3694641B2 (ja) | 2000-08-09 | 2005-09-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、現像処理装置及び現像処理方法 |
KR20050035318A (ko) * | 2003-10-10 | 2005-04-18 | 세메스 주식회사 | 기판 세정 건조 장치 및 방법 |
US7927429B2 (en) | 2003-11-18 | 2011-04-19 | Tokyo Electron Limited | Substrate cleaning method, substrate cleaning apparatus and computer readable recording medium |
JP4369325B2 (ja) | 2003-12-26 | 2009-11-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像装置及び現像処理方法 |
WO2005104200A1 (ja) | 2004-04-23 | 2005-11-03 | Tokyo Electron Limited | 基板洗浄方法、基板洗浄装置、コンピュータプログラムおよびプログラム記憶媒体 |
JP4324527B2 (ja) | 2004-09-09 | 2009-09-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄方法及び現像装置 |
JP2006114884A (ja) | 2004-09-17 | 2006-04-27 | Ebara Corp | 基板洗浄処理装置及び基板処理ユニット |
US8211242B2 (en) | 2005-02-07 | 2012-07-03 | Ebara Corporation | Substrate processing method, substrate processing apparatus, and control program |
US7767026B2 (en) * | 2005-03-29 | 2010-08-03 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
TWI364524B (en) * | 2005-05-13 | 2012-05-21 | Lam Res Ag | Method for drying a surface |
JP2007081311A (ja) | 2005-09-16 | 2007-03-29 | Renesas Technology Corp | 枚葉型ウェハ洗浄装置及び半導体装置の製造方法 |
KR100940136B1 (ko) | 2006-08-29 | 2010-02-03 | 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 | 기판처리방법 및 기판처리장치 |
JP5166802B2 (ja) | 2007-09-13 | 2013-03-21 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP5323374B2 (ja) | 2008-03-24 | 2013-10-23 | 株式会社Sokudo | 現像装置および現像方法 |
-
2010
- 2010-07-07 JP JP2010154509A patent/JP5538102B2/ja active Active
-
2011
- 2011-05-26 US US13/116,793 patent/US9028621B2/en active Active
- 2011-06-03 KR KR1020110053954A patent/KR101250722B1/ko active IP Right Review Request
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0938595A (ja) * | 1995-05-23 | 1997-02-10 | Tokyo Electron Ltd | 洗浄方法及びその装置 |
JP2001053051A (ja) * | 1999-08-10 | 2001-02-23 | Pre-Tech Co Ltd | 基板の乾燥装置および洗浄装置並びに乾燥方法および洗浄方法 |
JP2006310732A (ja) * | 2004-12-06 | 2006-11-09 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
WO2006082780A1 (ja) * | 2005-02-07 | 2006-08-10 | Ebara Corporation | 基板処理方法、基板処理装置及び制御プログラム |
JP2006245381A (ja) * | 2005-03-04 | 2006-09-14 | Semes Co Ltd | 基板洗浄乾燥装置および方法 |
JP2008060103A (ja) * | 2006-08-29 | 2008-03-13 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP2011501393A (ja) * | 2006-10-02 | 2011-01-06 | ラム・リサーチ・アクチエンゲゼルシヤフト | 円板状物品の表面から液体を除去するための装置及び方法 |
JP2009071026A (ja) * | 2007-09-13 | 2009-04-02 | Sokudo:Kk | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2009252855A (ja) * | 2008-04-03 | 2009-10-29 | Tokyo Electron Ltd | 基板洗浄方法、基板洗浄装置及び記憶媒体 |
JP2009260034A (ja) * | 2008-04-16 | 2009-11-05 | Sokudo Co Ltd | 基板乾燥装置およびそれを備えた基板処理装置 |
Cited By (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013162040A (ja) * | 2012-02-07 | 2013-08-19 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置、これを備える塗布現像装置、及び基板処理方法 |
KR101486331B1 (ko) * | 2012-11-07 | 2015-01-26 | 주식회사 케이씨텍 | 기판 건조장치 |
JP2015008273A (ja) * | 2013-05-28 | 2015-01-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄装置、基板洗浄方法及び記憶媒体 |
JP2015008267A (ja) * | 2013-05-28 | 2015-01-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄装置、基板洗浄方法及び記憶媒体 |
JP2015133347A (ja) * | 2014-01-09 | 2015-07-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄方法、基板洗浄装置、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
JP2015204427A (ja) * | 2014-04-16 | 2015-11-16 | 株式会社荏原製作所 | 基板乾燥装置、制御プログラム、及び基板乾燥方法 |
US10395949B2 (en) | 2014-04-16 | 2019-08-27 | Ebara Corporation | Substrate drying apparatus, storage medium, and substrate drying method |
CN108269752A (zh) * | 2016-12-30 | 2018-07-10 | 细美事有限公司 | 基板处理装置和基板处理方法 |
CN108269752B (zh) * | 2016-12-30 | 2022-05-24 | 细美事有限公司 | 基板处理装置和基板处理方法 |
CN109560017A (zh) * | 2017-09-25 | 2019-04-02 | 东京毅力科创株式会社 | 基片处理方法、基片处理装置和存储介质 |
KR20190035555A (ko) | 2017-09-25 | 2019-04-03 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 기억 매체 |
JP2019062018A (ja) * | 2017-09-25 | 2019-04-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理装置、及び記憶媒体 |
CN109560017B (zh) * | 2017-09-25 | 2024-02-20 | 东京毅力科创株式会社 | 基片处理方法、基片处理装置和存储介质 |
KR102607485B1 (ko) * | 2017-09-25 | 2023-11-29 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 기억 매체 |
US11508589B2 (en) | 2017-09-25 | 2022-11-22 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method, substrate processing apparatus and recording medium |
JP7073658B2 (ja) | 2017-09-25 | 2022-05-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理装置、及び記憶媒体 |
CN110548954A (zh) * | 2018-05-31 | 2019-12-10 | 株式会社电装天 | 涂布装置及涂布方法 |
CN111081597A (zh) * | 2018-10-18 | 2020-04-28 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置和基板处理方法 |
JP7308048B2 (ja) | 2019-02-15 | 2023-07-13 | 株式会社Screenホールディングス | 液処理装置および液処理方法 |
JP2020136394A (ja) * | 2019-02-15 | 2020-08-31 | 株式会社Screenホールディングス | 液処理装置および液処理方法 |
JP7308105B2 (ja) | 2019-09-02 | 2023-07-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像処理方法及び現像処理装置 |
JP2021039998A (ja) * | 2019-09-02 | 2021-03-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像処理方法及び現像処理装置 |
JP2021097120A (ja) * | 2019-12-17 | 2021-06-24 | 株式会社荏原製作所 | レジスト除去システムおよびレジスト除去方法 |
JP2022104785A (ja) * | 2020-12-29 | 2022-07-11 | セメス株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP7201756B2 (ja) | 2020-12-29 | 2023-01-10 | セメス株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
US11833550B2 (en) | 2021-09-22 | 2023-12-05 | Kioxia Corporation | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101250722B1 (ko) | 2013-04-03 |
KR20120004922A (ko) | 2012-01-13 |
JP5538102B2 (ja) | 2014-07-02 |
US9028621B2 (en) | 2015-05-12 |
US20120006361A1 (en) | 2012-01-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5538102B2 (ja) | 基板洗浄方法および基板洗浄装置 | |
JP5192206B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP6503194B2 (ja) | 基板処理装置 | |
US11031261B2 (en) | Liquid processing apparatus | |
US8678684B2 (en) | Developing method | |
JP5166802B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP6543534B2 (ja) | 基板処理装置 | |
US20090025155A1 (en) | Substrate Cleaning Device And Substrate Processing Apparatus Including The Same | |
JP7197376B2 (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
US8722152B2 (en) | Wet processing apparatus, wet processing method and storage medium | |
JP6001896B2 (ja) | 基板洗浄装置およびそれを備えた基板処理装置 | |
JP5726686B2 (ja) | 液処理装置、及び液処理装置の制御方法 | |
KR20130110020A (ko) | 기판 세정 장치 및 그것을 구비한 기판 처리 장치 | |
JP2018147979A (ja) | 基板処理装置 | |
KR101132090B1 (ko) | 기판건조장치, 기판처리장치 및 기판건조방법 | |
KR101103870B1 (ko) | 기판건조장치, 기판처리장치 및 기판건조방법 | |
JP2007036121A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2007189139A (ja) | 基板処理装置 | |
JP6096132B2 (ja) | 基板乾燥装置、基板処理装置および基板乾燥方法 | |
JP6843606B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 | |
JP2019220644A (ja) | 基板処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130412 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130412 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131127 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131203 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140130 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140401 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5538102 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140428 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |