CN109560017B - 基片处理方法、基片处理装置和存储介质 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种能够可靠地向基片的表面供给清洗液并且抑制清洗液飞散地除去处理液的基片处理方法等。在对旋转的基片(W)进行了液处理之后，当供给清洗液以除去处理液时，在排出位置移动步骤中，使清洗液喷嘴(421)和气体喷嘴(411)从基片的中央部侧向周缘部侧移动，上述清洗液喷嘴(421)用于向基片(W)的旋转方向的下游侧对基片(W)的表面倾斜地排出清洗液，上述气体喷嘴(411)用于向清洗液的着液位置(R)的靠基片(W)的中央部侧的相邻的位置排出气体。此时，使基片(W)的转速变化，以使得着液位置(R)在周缘部侧的第二区域移动的期间中的转速小于着液位置(R)在中央部侧的第一区域移动的期间中的最大转速。

Description

基片处理方法、基片处理装置和存储介质
技术领域
本发明涉及一种向旋转的基片供给清洗液之后除去基片上的处理液的技术。
背景技术
在半导体装置的制造步骤中，存在这样的处理，即一边使作为基片的半导体晶片(下面称为“晶片”)旋转一边向晶片供给处理液来进行液处理，之后将供给的液体换成清洗液，以除去残留于晶片的表面的处理液(基片处理方法)。
另外，此时，还已知一种一边并行供给清洗液和冲扫该清洗液的气体，一边使清洗液和气体的供给位置从晶片的中央部侧向周缘部侧移动，由此冲扫清洗液以使晶片干燥的技术(例如专利文献1)。
在进行这样的处理的情况下，例如当需要使用纯水作为清洗液时，在晶片的表面具有拨水性的情形下等，也可能会存在难以向基片的表面均匀地供给清洗液的条件。
另外，由于旋转的基片的周缘部侧的线速度较大，因此会发生含有处理液的成分的清洗液向外侧飞散，与配置于基片的周围的罩等冲突而产生溅液的情况。该溅液是发生残渣缺陷的主要原因。尤其随着在晶片的表面形成的图案向微小化发展，也逐渐要求抑制以前不会成为问题的溅液产生。
此处，在专利文献2中记载了如下技术：当利用嵌段共聚物(BCP：BlockCoPolymers)的自组装(DSA：Directed Self Assembly)使形成于晶片W上的图案显影时，并行供给作为显影液的IPA(Isopropyl Alcohol)和用于除去该IPA的氮气，使上述IPA和氮气的供给位置从晶片的中央部侧向周缘部侧移动。另外，在专利文献2中还记载了一种通过沿着向晶片的旋转方向的下游侧倾斜的下方和晶片W的切线方向排出IPA，来抑制产生IPA溅液的技术。
然而，在专利文献2记载了如上所述的抑制溅液的清洗方法，但是在清洗液难以在晶片的表面上扩散的情况下，即由于清洗液的种类、基片表面的性质而产生高拨水性的情况下，要求兼顾使液体在晶片表面均匀地扩散和抑制溅液的方法。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2012－19002号公报(0134～0135段，图12)
(a)～(d)
专利文献2：日本特开2016－72557号公报(0039～0042段，图8)
发明内容
发明想要解决的技术问题
本发明是基于这样的情况而完成的，其目的在于提供能够可靠地向基片的表面供给清洗液，并且抑制清洗液飞散来除去处理液的基片处理方法、基片处理装置和存储介质。
用于解决技术问题的技术方案
本发明的基片处理方法向被保持为水平并绕中心轴旋转的基片供给处理液来进行液处理之后，向该基片供给清洗液来除去处理液，上述基片处理方法特征在于：
包括使清洗液喷嘴和气体喷嘴从上述基片的中央部侧向周缘部侧移动的排出位置移动步骤，其中，上述清洗液喷嘴用于向旋转的基片的旋转方向的下游侧对该基片的表面倾斜地排出上述清洗液，上述气体喷嘴用于向上述清洗液到达基片的着液位置的靠上述基片的中央部侧的相邻的位置排出气体，
在上述排出位置移动步骤中，将上述着液位置的移动路径在上述基片的中央部与周缘部之间的中间位置分割，将上述中央部与中间位置之间的区域设为第一区域，将上述中间位置与周缘部之间的区域设为第二区域时，使基片的转速变化，以使得上述着液位置在第二区域移动的期间中的基片的转速小于上述着液位置在第一区域移动的期间中的基片的最大转速。
发明效果
根据本发明，使供给到旋转的基片的清洗液的着液位置从基片的中央部侧向周缘部侧移动时，进行调整以使上述着液位置在基片的周缘部侧的第二区域移动的期间的基片的转速小于上述着液位置在中央部侧的第一区域移动的期间的基片的最大转速。其结果，能够以如下状态对基片表面进行清洗：在第一区域中，相对地增大基片的转速以强制性地在基片的表面扩散清洗液，另一方面，在第二区域中，相对地减小转速来抑制清洗液飞散。
附图说明
图1是实施方式的显影装置的纵截侧面图。
图2是所述显影装置的平面图。
图3是具有冲洗液喷嘴和氮气喷嘴的臂的放大侧面图。
图4是表示设置于上述臂的喷嘴的配置所谓平面图。
图5是用于说明冲洗液喷嘴与氮气喷嘴的配置关系的示意图。
图6是上述显影装置的第一作用说明图。
图7是上述显影装置的第二作用说明图。
图8是上述显影装置的第三作用说明图。
图9是上述显影装置的第四作用说明图。
图10是表示在使冲洗液的着液位置移动的期间中，晶片的转速变化的一例的说明图。
图11是表示上述着液位置到达比晶片的外周更靠外侧处的状态的放大平面图。
图12是表示上述晶片的转速变化的另一例的说明图。
附图标记说明
R 着液位置
W 晶片
1 显影装置
411 氮气喷嘴
421 冲洗液喷嘴
45 臂。
具体实施方式
下面，对将本发明应用与作为基片处理装置的显影装置1的实施方式进行说明。
首先，参照图1的纵截侧面图和图2的平面图，对显影装置1的整体结构进行说明。例如显影装置1对形成有EUV(Extreme ultraviolet)曝光用抗蚀剂膜的半导体装置的制造用的圆形基片即晶片W供给显影液(处理液)以进行显影处理。在将上述的抗蚀剂膜搬运到显影装置1之前，在曝光装置中沿着图案进行曝光。关于EUV曝光用的抗蚀剂膜，例如DIW(Deionized Water，纯水)的接触角为70°以上的例如70～90°范围内的值，具有拨水性高且在晶片W的表面DIW难以均匀地扩散的特点。
图1所示的附图标记11表示作为基片保持部的旋转卡盘，其吸附晶片W的背面中央部，将晶片W水平地保持。该图中的附图标记12表示旋转机构，其以由该旋转卡盘11保持的晶片W绕该晶片W的中心轴旋转的方式使旋转卡盘11旋转。旋转机构12构成为能够使每单位时间的晶片W的转速变化。
图1中的附图标记13表示以开口朝向上方侧的圆筒形的方式形成的接液用的罩，其上部侧向内侧倾斜。该图中的附图标记14表示罩13的升降机构，其使罩13在向旋转卡盘11进行晶片W交接时的交接位置(图1中以实线表示的位置)与进行显影处理时的处理位置(图1中以虚线表示的位置)之间升降。
另外，在由旋转卡盘11保持的晶片W的下方侧设置有圆形板15，在该圆形板15的外侧设置有在俯视时呈环形且纵截面形状为山形的导向部件16。导向部件16使由于晶片W而溢落的显影液向设置于圆形板15外侧的接液部17流下。
接液部17构成为包围旋转卡盘11的环形的凹部，经由排液管19与未图示的废液部连接。另外，接液部17的底面与排气管连接，将流入接液部17内的气体向排气部排气(排气管和排气部均未图示)。
另外，图1中的附图标记21表示用于在旋转卡盘11与外部的基片搬运机构(未图示)之间进行晶片W的交接的升降销，该图中的附图标记22表示使升降销21升降的升降机构。
图1中的附图标记31表示显影液喷嘴(处理液喷嘴)，其用于向晶片W供给显影液以形成积液，使抗蚀剂膜显影，并形成为垂直且扁平的圆柱形。该显影液喷嘴31的下表面32为比晶片W的表面小的圆形的水平面，在进行显影处理时构成与晶片W的表面的一部分相对的相对面。
在上述下表面32的中心朝向铅垂下方开口有显影液的排出口33。当从该排出口33排出显影液时，成为显影液喷嘴31的下表面32与形成在晶片W的表面的显影液的积液接触的状态，在旋转的晶片W上使显影液喷嘴31水平移动以进行显影处理。
通过使旋转的晶片W的表面与水平移动的显影液喷嘴31的下表面32的相对位置关系变化，界面张力发挥作用以搅拌显影液，使浓度均匀化。如此，通过使显影液的浓度均匀化以进行显影，能够使在晶片W的面内形成的图案的线宽即CD(Critical Dimension)均匀化。
上述的排出口33经由显影液供给管34与存储有显影液的供给源35连接。图1中的附图标记36表示设置在显影液供给管34上，由阀或者质量流量控制器构成的显影液的供给机构，其从供给源35向显影液喷嘴31供给/切断显影液或者对显影液进行流量调整。
另外，如图1、2所示的那样，显影液喷嘴31安装于臂38的前端部，能够利用设置于臂38的基端侧驱动机构37进行移动。驱动机构37能够沿导轨39呈直线状水平移动，通过该水平移动能够使显影液喷嘴31的排出口33沿晶片W的径向移动。另外，驱动机构37还能够利用臂38使显影液喷嘴31在铅垂方向上升降。
如图2所示，在罩13的侧方设置有在不供给显影液的期间中使显影液喷嘴31待机的待机部30。该待机部30的上表面设有具有开口的罩，通过利用上述的驱动机构37进行的水平移动和升降移动，显影液喷嘴31能够在待机部30的罩内与晶片W上方之间移动。在待机部30的罩内，通过供给清洗液，对显影液喷嘴31进行清洗。
另外，本例的显影装置1还包括：冲洗液喷嘴(清洗液喷嘴)421，其用于向利用显影液进行了显影处理后的晶片W表面供给清洗液即冲洗液，并从晶片W的表面除去清洗液；和氮气喷嘴(气体喷嘴)411，其供给用于冲扫冲洗液的液膜的氮气，以抑制在冲洗液中溶解的显影液成分的残留，抑制产生由于冲洗液自身的残留而导致的水痕(watermark)等。
如图3、4所示，本例的冲洗液喷嘴421和氮气喷嘴411设置于共用的臂45的前端部。
例如，冲洗液喷嘴421设置于从臂45的上表面侧经前端部被引向下表面侧的冲洗液供给管422的末端部，使DIW即冲洗液相对由旋转卡盘11水平地保持的晶片W朝向斜下方地排出。从冲洗液喷嘴421排出的冲洗液与晶片W表面所成的角度θ设定为10°以上、40°以下范围内的值，优选为15°以上、25°以下。
当减小θ的值(使排出角为锐角)时，能够减小冲洗液在晶片W的表面着液时的冲击，抑制冲洗液的飞散。然而，当θ的值过小时，从冲洗液喷嘴421的前端至冲洗液的液面的距离变得过小，可能会增加冲洗液喷嘴421与冲洗液的液面或晶片W接触的风险，或者停止供给冲洗液时液体渗漏恶化。
此外，在示意地表示了冲洗液喷嘴421的图1、6～9中，为方便说明，省略了冲洗液喷嘴421的倾斜配置状态的图示。
如图3所示，关于本例的冲洗液喷嘴421，利用设置于臂45的前端侧的侧面或者下表面的供给管支持部451、452对与冲洗液喷嘴421相连的冲洗液供给管422的配置形状进行调整。此时，以形成流通有冲洗液的流路不弯曲的直线流路的方式，对冲洗液供给管422的配置形状进行调整。
于是，冲洗液喷嘴421成为从上述直线流路的末端位置向晶片W排出冲洗液的结构。
例如直线流路的长度L被设定为10mm以上，进一步优选为20mm以上。通过实验，确认了如下情况：在冲洗液经过了足够长度的直线流路的位置，将冲洗液排出，从而能够抑制从冲洗液喷嘴421排出的冲洗液的流量变化或者排出液流的混乱，在晶片W表面进行均匀的清洗。
图4表示从上方侧观看到的冲洗液喷嘴421的前端部的配置状态。本例的冲洗液喷嘴421被配置为向相对由点划线表示的臂45的延伸方向仅偏离角度φ的方向排出冲洗液。
如图2所示，设置于臂45的前端部的冲洗液喷嘴421被配置在向晶片W的旋转方向的下游侧排出冲洗液的位置。
然后，当使用后述的驱动机构44，以向晶片W去的冲洗液所到达的着液位置R为能够沿晶片W的半径方向移动的位置的方式，对冲洗液喷嘴421进行配置时，能够朝着相对晶片W的旋转方向向晶片W的周缘部侧仅偏离角度φ的方向，排出冲洗液(图5的(a))。如图9的(b)所示，不使清洗喷嘴主体移动到基片外侧，在喷嘴保持在靠近晶片的位置的状态下，能够将清洗液从晶片的中央供给至端部。由此，能够将晶片的保持部和位于晶片周围的液接收用罩13设置在更靠近晶片的位置，另外由于不需要在该罩上设置用于避开喷嘴的缺口等，因此能够更高效地接收从晶片飞散的液体以防止在罩外部附着液体。
对于角度φ的适用范围，在说明氮气喷嘴411的结构、配置之后再进行说明。
如图1所示，冲洗液喷嘴421经由冲洗液供给管422与冲洗液供给源424连接。在冲洗液供给管422上设置有由阀或者质量流量控制器构成的冲洗液供给机构423，从冲洗液供给源424向冲洗液喷嘴421供给/切断冲洗液或者对冲洗液进行流量调整。
此处，冲洗液喷嘴421的开口直径例如为1.5～2.5mm。于是，冲洗液喷嘴421以0.5～4.5m/秒范围内的流速供给流量在200～450ml/分钟范围内的冲洗液，从而能够减少进行显影处理并干燥后的晶片W中残渣缺陷的发生率。
当冲洗液的流速过大时，可能由于来自晶片W的溅液而产生残渣缺陷，当流速过小时，可能由于液量不足而不能形成均匀的液膜，出现未充分清洗的部分并产生残渣缺陷。
此外，使用开口直径在0.6～2.5mm的范围内且开口直径不同的多个喷嘴，使冲洗液的供给流量变化以对晶片W的清洗状况进行预先评价。其结果明确了流量在200～450ml/分钟的范围内且流速在0.5～4.0m/秒的范围内这样的流量的值与1.5～2.5mm范围内的喷嘴直径的组合中，存在适于减少残渣缺陷、除去显影液的条件。因此，将上述范围作为上述的适宜的冲洗液条件的设定依据。
接着，对氮气喷嘴411进行说明。如图3、4所示，氮气喷嘴411被设置为从臂45的前端部的下面侧向铅垂方向下方侧排出氮气。
将图5的(a)的晶片W表面的放大平面图所示的、从冲洗液喷嘴421侧向斜下方排出的冲洗液到达晶片W的表面的位置设为着液位置R。此时，氮气喷嘴411被配置在对着液位置R向与晶片W的径方向的中央部侧相邻的位置排出氮气的位置。
将冲洗液的着液位置R的中心与从氮气喷嘴411排出的氮气到达晶片W的表面的着气位置G的中心的位置关系设为相对固定，它们之间的距离设定在例如6～10mm范围内。利用预先评价确认了如下情况：通过将着液位置R与着气位置G的距离设定为上述范围内的值，能够抑制冲洗液飞散和产生残渣缺陷。
接着，说明从上方观看时的、来自冲洗液喷嘴421的冲洗液的排出角度φ对晶片W旋转方向的影响。当将该排出角度设定为φ＝0°时，可能着液在着液位置R的冲洗液与到达着气位置G的氮气的界面变大，冲洗液飞散的情况变多。
因此，如图5的(a)所示，通过将上述角度φ设为例如10°以上、不足25°，能够减小冲洗液与氮气的界面，抑制冲洗液飞散。通过预先评价，确认了如下情况：通过减小并抑制冲洗液与氮气的界面，即使氮气流量在较宽的范围内变化也能够抑制冲洗液飞散。
另一方面，当将上述角度φ设为25°以上时，从冲洗液喷嘴421排出的冲洗液的排出液流自身与从氮气喷嘴411排出的氮气气流接触，而引起冲洗液飞散的可能性变大。
因此，在本例的冲洗液喷嘴421中，上述排出角度φ被设定在最能够抑制冲洗液飞散的10°以上、不足25°的范围内。
如图1所示，氮气喷嘴411经由氮气供给管412与氮气供给源414连接。在氮气供给管412上设置有由阀和质量流量控制器构成的氮气供给机构413，从冲洗液供给源424向冲洗液喷嘴421供给/切断氮气或对氮气进行流量调整。
从氮气喷嘴411供给流量在例如3～6L/分钟的范围内的氮气。
使冲洗液的着液位置与氮气的着气位置的中心之间的距离或者此时氮气流量变化，进行与清洗时相同的动作(参照后述的图6～10的说明)并进行预先评价时，确认了氮气流量在上述的3～6L/分钟的范围内为减少冲洗液飞散和缺陷产生的适宜范围。
如图1、2所示，在保持着冲洗液喷嘴421、氮气喷嘴411的臂45的基端侧，设设置有驱动机构44。驱动机构44能够沿导轨46呈直线状水平移动，通过该水平移动，能够使冲洗液喷嘴421、氮气喷嘴411从旋转的晶片W的中央部侧向周缘部侧和径向移动。另外，驱动机构44能够利用臂45使冲洗液喷嘴421、氮气喷嘴411在铅垂方向上升降。
臂45、驱动机构44、导向器46相当于本例的喷嘴移动机构。
在图2中，附图标记48表示待机部，其在不向晶片W供给冲洗液时，使氮气喷嘴411、冲洗液喷嘴421待机。该待机部48与既述的显影液喷嘴31侧的待机部30具有相同的结构，例如隔着罩13设置于与显影液喷嘴31侧的待机部30相反的位置。
通过使用上述的驱动机构44进行水平移动和升降移动，冲洗液喷嘴421和氮气喷嘴411能够在待机部48的罩内与晶片W上方之间移动。
另外，如图1、2所示，在显影装置1设置有控制部10。该控制部10构成包括存储有程序的存储介质和CPU的计算机。程序由用于执行显影处理的命令(步骤组)组成，上述显影处理包括从控制部10向显影装置1的各部发送控制信号、供给后述的显影液的供给和之后供给冲洗液。更具体而言，控制部10执行晶片W转速调整，各喷嘴31、421、411的水平、升降移动，来自上述喷嘴31、421、411的显影液、冲洗液、氮气的供给/切断，流量调整等的各种动作控制。该程序存储在例如硬盘、光盘、磁光盘或者存储卡等的存储介质中。
尤其是在本例的控制部10中，向晶片W供给显影液来进行了抗蚀剂膜的显影之后，当供给冲洗液以除去显影液时，通过与冲洗液喷嘴421或氮气喷嘴411的位置对应地使晶片W的转速变化，能够抑制冲洗液飞散，并且在拨水性高的晶片W表面可靠地扩散冲洗液。
下面，参照图10～11，包括该动作，对显影装置1的作用进行说明。
首先，利用未图示的外部的基片搬运机构，将经EUV曝光后的晶片W搬入显影装置1，将其载置并吸附保持在旋转卡盘11上。然后，使用未图示的另一喷嘴向晶片W供给少量显影液之后，使晶片W旋转以进行将显影液扩散到晶片W的表面整体的预湿动作。
然后，使显影液喷嘴31从待机部30向晶片W周缘部的上方移动，例如使晶片W以50rpm的转速转动，同时向显影液喷嘴31的下表面与晶片W的表面之间的间隙供给显影液。其结果，在与配置有显影液喷嘴31的位置对应的晶片W的周缘部侧，形成环形的显影液的积液。
然后，若从显影液喷嘴31排出显影液，同时使显影液喷嘴31从旋转的晶片W的周缘部侧向中央部侧移动，则能够对积液内的显影液进行搅拌，并使该积液扩散到晶片W整个面。
利用通过上述的动作形成的显影液的积液，对抗蚀剂膜进行显影以形成图案。
仅在预先设定的时间执行了利用显影液进行的抗蚀剂膜的显影，之后使显影液喷嘴31从晶片W的上方位置向待机部30退避。另外，使冲洗液喷嘴421(臂45)从待机部48向能够往晶片W的中央部供给冲洗液的位置移动。
接着，从冲洗液喷嘴421供给清洗液，同时使晶片W的转速在100～1500rpm的范围内阶梯地上升，向晶片W整个面供给冲洗液(图6)。
接下来的动作与从冲洗液喷嘴421供给冲洗液同时进行，从氮气喷嘴411供给氮气，使上述冲洗液喷嘴421和氮气喷嘴411从晶片W的中央部侧向周缘部侧移动。由此，从冲洗液喷嘴421排出的冲洗液的着液位置R从晶片W的中央部侧向周缘部侧移动。该动作相当于本实施方式的排出位置移动步骤。
另外，本例的显影装置1在使冲洗液喷嘴421和氮气喷嘴411移动的期间，使晶片W的转速根据冲洗液的着液位置R而变化。下面，参照表示该期间的晶片W的转速变化的情形的图10，进行作用说明。
图10的横轴表示从着液位置R至晶片W中心的距离[mm]，纵轴表示与各着液位置R对应地调整的晶片W的每单位时间的转速[rpm]。
回到显影装置1的作用说明，进行了使用图6说明的、向晶片W整个面供给冲洗液之后，将晶片W的转速保持为固定，使臂45从冲洗液喷嘴421移动到能够向晶片W中央部供给氮气的位置。
其结果，如图10记载的那样，着液位置R至少移动到晶片W中心的侧方的位置r0。
然后，在该状态下开始从氮气喷嘴411供给氮气，冲扫氮气的着气位置G及其周围的冲洗液，形成除去了冲洗液的干燥区域(下面，也称为“核心(core)”)(图7)。
接着，继续从冲洗液喷嘴421供给冲洗液，从氮气喷嘴411供给氮气，臂45(冲洗液喷嘴421、氮气喷嘴411)以例如数mm/秒左右的移动速度从晶片W的中央部侧向周缘部侧移动。
其结果，冲洗液的着液位置R和氮气的着气位置G从晶片W的中央部侧向周缘部侧移动，除去了冲洗液的核心变大(图8的(a)、(b))。
与该动作同时进行，旋转机构12连续地增加转速直到例如2000～3000rpm，之后将晶片W的转速保持为固定(第一区域转速调整步骤)。
增加晶片W的转速而达到的转速相当于本例的“最大的转速”。
在靠近晶片W中央部的区域，当由于对供给到晶片W的冲洗液起作用的离心力较小，因此晶片W表面的拨水性高时，冲洗液均匀地向外侧扩散。
因此在着液位置R移动到晶片W的中央部附近的区域(后述的“第一区域”)的期间，通过增大晶片W的转速，使作用于冲洗液的离心力变大，冲洗液在晶片W的表面均匀地扩散。
另外，经验丰富地把握如下操作：通过使转速从开始供给氮气之前晶片W的转速连续地(缓慢地)增加到最大转速，容易形成规整的圆形形状的核心。
在将晶片W保持在最大转速的状态下，若进一步使着液位置R向晶片W的周缘部侧移动，则对供给到晶片W表面的冲洗液起作用的离心力逐渐增大。
对冲洗液起作用的离心力变大，虽然能够向晶片W的表面均匀地供给冲洗液，但是当将晶片W的转速维持为最大时，在着液位置R冲洗液受到的冲击变大，成为冲洗液发生飞散的主要原因。
因此，本例的显影装置1在着液位置R到达预先设定的位置(中间位置r1)之后，将晶片W的转速从上述最大转速连续地(缓慢地)减小(第二区域转速调整步骤)。
通过与着液位置R的移动配合地减小晶片W的转速，能够维持向晶片W的表面均匀地供给冲洗液的状态，并抑制冲洗液发生飞散。
例如将中间位置r1设定为从晶片W的中心起在径向上仅移动晶片W半径的1/5～2/3的范围内的距离的位置。对例如直径为300mm的晶片W进行处理的情况下，将中间位置r1设定为离开晶片W的中心30～100mm的范围内的50mm的位置。
另外，在本例的显影装置1中，图10所示的晶片W的中央部侧的位置r0与中间位置r1之间的区域相当于第一区域。另外，该图中所示的中间位置r1与周缘部侧的晶片W的外周(150mm的位置)之间的区域相当于第二区域。
另外，对于晶片W的转速减小的步调(pace)，可以为当通过中间位置r1时，以最大(上述“最大转速”)的晶片W的转速在着液位置R到达晶片W的外周时为1000～2000rpm范围内的值的方式减小转速。
如上所述，使晶片W的转速根据冲洗液的着液位置R而变化，并且使冲洗液喷嘴421、氮气喷嘴411向晶片W的周缘部侧移动，从而除去了冲洗液的核心逐渐扩大范围。
于是，当着液位置R到达比晶片W的外周更靠外侧处时，从晶片W的整个面除去冲洗液，晶片W成为干燥的状态(图9的(a)、(b))。
此处，例如，向相对着液位置R、与晶片W的径向的中央部侧相邻的位置供给氮气的情况下，也可以考虑将氮气喷嘴411、冲洗液喷嘴421并排在沿着上述喷嘴411、421的移动方向的方向(沿臂45的宽度方向的方向)上的方式。
然而，此情况下，当使着液位置R移动到比晶片W的外周更靠外侧处时，可能从冲洗液喷嘴421排出的冲洗液的排出流与罩13上端侧的内缘相互干扰。
对这一点，如上所述，本例的冲洗液喷嘴421配置为将冲洗液向相对晶片W的旋转方向仅以角度φ偏离于晶片W的周缘部侧的方向排出。根据该结构，如图4、11所示，能够使氮气喷嘴411、冲洗液喷嘴421并排在与移动方向交叉的方向(沿着臂45的长度方向的方向)上。
其结果，如图11所示，能够使着液位置R移动到比晶片W的外周更靠外侧处。
如此，在晶片W的整个面成为干燥的状态后，停止从冲洗液喷嘴421供给冲洗液和从氮气喷嘴411供给氮气，并使上述喷嘴411、421向待机部48退避。然后，使晶片W停止旋转，按与搬入时相反的顺序将晶片W与外部的基片搬运机构交接，从显影装置1搬出，并等待下一个晶片W搬入。
根据本实施方式的显影装置1，具有如下效果。当使向旋转的晶片W供给的冲洗液的着液位置R从晶片W的中央部侧向周缘部侧移动时，进行调整，以使着液位置R在晶片W的周缘部侧的第二区域移动的期间的晶片W的转速小于着液位置R在中央部侧的第一区域移动的期间的基片的最大的转速。其结果，能够以如下状态对晶片W表面进行清洗：在第一区域中，晶片W的转速相对增大以强制性地使冲洗液在晶片W的表面扩散，另一方面，在第二区域中，转速相对减小以抑制冲洗液飞散。
此处，第一区域、第二区域中的晶片W的转速的增减不限于如使用图10说明的例子那样连续地对转速进行调整的情况。
例如可以在第一区域中，一次或者分为多次阶梯地将转速增大到最大转速(图12表示分为两次阶梯地增大转速的情况)。另外，可以如图12所示，在第二区域中分为多次阶梯地减小转速。
另外，本发明不限于应用在显影装置1中使用了显影液的抗蚀剂膜的显影处理和利用冲洗液(DIW)除去显影液的情况。例如，本发明也能够应用在如下处理中：使用有机溶剂对聚合物进行了显影处理之后，将IPA作为清洗液除去有机溶剂的液处理；使用氟酸等酸液对晶片W进行了蚀刻之后，将DIW作为清洗液除去酸液的液处理等。
另外，对于从气体喷嘴411供给的气体也不限于供给氮气的情况，也可以供给干净的空气以吹扫清洗液。

Claims (16)

1.一种基片处理方法，其向被保持为水平并绕中心轴旋转的基片供给处理液来进行液处理之后，向该基片供给清洗液来除去处理液，所述基片处理方法特征在于，包括：
对于通过从清洗液喷嘴排出所述清洗液而对所述基片的整个面供给了所述清洗液的状态的所述基片，通过从气体喷嘴排出气体而在所述基片的中央部形成作为除去了所述清洗液的区域的核心的核心形成步骤，其中，所述清洗液喷嘴用于向旋转的基片的旋转方向的下游侧对该基片的表面倾斜地排出所述清洗液，所述气体喷嘴用于向所述清洗液到达基片的着液位置的靠所述基片的中央部侧的相邻的位置排出所述气体；和
接着，在继续进行所述清洗液的排出和所述气体的排出的状态下，使所述清洗液喷嘴和所述气体喷嘴从所述基片的中央部侧向周缘部侧移动而使所述核心变大的排出位置移动步骤，
在所述排出位置移动步骤中，将所述着液位置的移动路径在所述基片的中央部与周缘部之间的中间位置分割，将所述中央部与中间位置之间的区域设为第一区域，将所述中间位置与周缘部之间的区域设为第二区域时，使基片的转速变化，以使得所述着液位置在第二区域移动的期间中的基片的转速小于所述着液位置在第一区域移动的期间中的基片的最大转速，
所述核心形成步骤的期间中的所述基片的转速小于所述最大转速，在所述排出位置移动步骤所述着液位置在所述第一区域移动的期间中，使所述基片的转速增加到所述最大转速。
2.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于：
包括第二区域转速调整步骤，其随着在所述第二区域中使所述清洗液喷嘴和气体喷嘴从中间位置侧向周缘部侧移动，连续或者阶梯地减小所述基片的转速。
3.如权利要求2所述的基片处理方法，其特征在于：
在所述第二区域转速调整步骤中，减小所述基片的转速，使得在所述清洗液喷嘴到达基片的周缘的时刻的基片的转速成为1000～2000rpm的范围内的值。
4.如权利要求1或2所述的基片处理方法，其特征在于：
包括第一区域转速调整步骤，其随着在所述第一区域中使所述清洗液喷嘴和气体喷嘴从中央部侧向中间位置侧移动，至达到所述最大的转速为止连续或者阶梯地增大所述基片的转速。
5.如权利要求1或2所述的基片处理方法，其特征在于：
所述第一区域中的基片的最大的转速为2000～3000rpm的范围内的值。
6.如权利要求1或2所述的基片处理方法，其特征在于：
所述中间位置被设定为从基片的中心在径向移动基片的半径的1/5～2/3的范围内的距离的位置。
7.如权利要求1或2所述的基片处理方法，其特征在于：
所述清洗液喷嘴以从上面侧看时与基片的旋转方向所成的角度为10°以上、不足40°范围内的角度的方式向基片的周缘部侧排出清洗液。
8.如权利要求1或2所述的基片处理方法，其特征在于：
所述清洗液喷嘴以从上面侧看时与基片的旋转方向所成的角度为10°以上、不足25°的范围内的角度的方式向基片的周缘部侧排出清洗液。
9.如权利要求1或2所述的基片处理方法，其特征在于：
所述清洗液喷嘴以0.5～4.5m/秒的范围内的流速排出流量为200～450ml/分钟的范围内的清洗液。
10.如权利要求1或2所述的基片处理方法，其特征在于：
所述清洗液喷嘴在使所述清洗液流过长度为10mm以上的直线流路的位置，向所述基片排出清洗液。
11.如权利要求1或2所述的基片处理方法，其特征在于：
所述着液位置的中心与所述气体到达基片的着气位置的中心的距离设定为6～10mm的范围内的值。
12.如权利要求1或2所述的基片处理方法，其特征在于：
所述清洗液为纯水，被供给该清洗液的基片的表面具有与纯水的接触角度为70°以上的值的拨水性。
13.一种向基片供给处理液以进行液处理的基片处理装置，其特征在于，包括：
具有旋转机构的基片保持部，该旋转机构能够使保持为水平的基片绕中心轴旋转，并且使该基片的转速变化；
向所述基片供给处理液的处理液喷嘴；
清洗液喷嘴，其用于向旋转的所述基片的旋转方向的下游侧，对该基片的表面倾斜地排出所述清洗液；
用于向下方侧排出气体的气体喷嘴；
喷嘴移动机构，其使所述清洗液喷嘴和气体喷嘴在所述基片的中央部侧与周缘部侧之间移动；和
控制部，其输出控制信号来执行：
从所述处理液喷嘴向旋转的基片供给处理液来进行液处理的步骤；
对于进行了液处理后的、通过从所述清洗液喷嘴排出所述清洗液而对所述基片的整个面供给了所述清洗液的状态的旋转的基片，通过从所述气体喷嘴向所述清洗液到达基片的着液位置的靠该基片的中央部侧的相邻的位置排出气体而在所述基片的中央部形成作为除去了所述清洗液的区域的核心的步骤；
接着，在继续进行所述清洗液的排出和所述气体的排出的状态下，且在将所述着液位置与气体到达基片的着气位置的相对位置关系固定的状态下，利用喷嘴移动机构使所述着液位置从所述基片的中央部侧向周缘部侧移动而使所述核心变大的步骤；和
将所述清洗液喷嘴的移动路径在所述基片的中央部与周缘部之间的中间位置分割，将所述中央部与所述中间位置之间的区域设为第一区域，将所述中间位置与所述周缘部之间的区域设为第二区域时，利用所述旋转机构使基片的转速变化，以使得所述着液位置在第二区域移动的期间中的基片的转速小于所述着液位置在第一区域移动的期间中的基片的最大转速的步骤，
所述控制部输出所述控制信号，以设定为形成所述核心的步骤中的所述基片的转速小于所述最大转速，执行使所述核心变大的步骤并执行使基板的转速变化的步骤，在所述着液位置在所述第一区域移动的期间中使所述基片的转速增加到所述最大转速。
14.如权利要求13所述的基片处理装置，其特征在于：
所述清洗液喷嘴被设置成清洗液的排出方向与基片表面所成的角度为10°以上、40°以下。
15.如权利要求13或14所述的基片处理装置，其特征在于：
所述清洗液喷嘴被设置成从上面侧观看时清洗液的排出方向与基片的旋转方向所成的角度为10°以上、不足25°。
16.一种存储介质，其存储有在向基片供给处理液来进行液处理的基片处理装置中使用的计算机程序，所述存储介质的特征在于：
所述计算机程序包括用于在所述基片处理装置中实施权利要求1至12的任一项所述的基片处理方法的步骤组。
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