KR20190035555A - 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 기억 매체 - Google Patents

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Abstract

기판의 표면에 세정액을 확실히 공급하면서, 세정액의 비산을 억제하여 처리액의 제거를 행하는 것이 가능한 기판 처리 방법 등을 제공한다. 회전하는 기판(W)의 액 처리를 행한 후 세정액을 공급하여 처리액을 제거함에 있어서, 토출 위치 이동 공정에서는, 기판(W)의 회전 방향의 하류측을 향해 기판(W)의 표면에 대하여 비스듬하게 세정액을 토출하는 세정액 노즐(421)과, 세정액의 착액 위치(R)에서 봤을 때, 기판(W)의 중앙부측에 인접하는 위치를 향해 가스를 토출하는 가스 노즐(411)을 기판의 중앙부측으로부터 주연부측을 향해 이동시킨다. 이 때, 착액 위치(R)가 주연부측의 제 2 영역을 이동하고 있는 기간 중의 회전수가 중앙부측의 제 1 영역을 이동하고 있는 기간 중의 최대의 회전수보다 작아지도록 기판(W)의 회전수를 변화시킨다.

Description

기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 기억 매체 {SUBSTRATE PROCESSING METHOD, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND RECORDING MEDIUM}
본 발명은 회전하는 기판에 세정액을 공급한 후, 기판 상의 처리액을 제거하는 기술에 관한 것이다.
반도체 장치의 제조 공정에는, 기판인 반도체 웨이퍼(이하, '웨이퍼'라고 함)를 회전시키면서 웨이퍼에 처리액을 공급하여 액 처리를 행한 후, 공급하는 액체를 세정액으로 전환하여 웨이퍼의 표면에 잔존하고 있는 처리액을 제거하는 처리(기판 처리 방법)가 있다.
또한 이 때, 세정액과 당해 세정액을 밀어내는 가스를 병행하여 공급하면서, 세정액 및 가스의 공급 위치를 웨이퍼의 중앙부측으로부터 주연부측으로 이동시킴으로써 세정액을 밀어내 웨이퍼를 건조시키는 방법도 알려져 있다(예를 들면 특허 문헌 1).
이러한 처리를 행함에 있어서, 예를 들면 세정액으로서 순수를 이용할 필요가 있을 때, 웨이퍼의 표면이 발수성인 경우 등, 기판의 표면에 균일하게 세정액을 공급하는 것이 곤란한 조건도 존재할 수 있다.
또한 회전하는 기판의 주연부측은 선속도가 크기 때문에, 처리액의 성분을 포함한 세정액이 외측으로 비산하여, 기판의 주위에 배치된 컵 등에 충돌하여 액 튐을 일으키는 경우가 있다. 이 액 튐은 잔사 결함의 발생의 요인이 된다. 특히, 웨이퍼의 표면에 형성되는 패턴의 미세화의 진전에 수반하여, 종래는 문제가 되지 않았던 액 튐의 발생도 억제하는 것이 요구되고 있다.
여기서 특허 문헌 2에는, 블록 공중합체(BCP : Block CoPolymers)의 자기 조직화(DSA : Directed Self Assembly)를 이용하여 웨이퍼(W) 상에 형성된 패턴을 현상함에 있어서, 현상액인 IPA(Isopropyl Alcohol)와 당해 IPA를 제거하기 위한 질소 가스를 병행하여 공급하고, 이들 IPA 및 질소 가스의 공급 위치를 웨이퍼의 중앙부측으로부터 주연부측으로 이동시키는 기술이 기재되어 있다. 또한 특허 문헌 2에는, 웨이퍼의 회전 방향의 하류측을 향해 기울기 하방, 또한 웨이퍼(W)의 접선 방향을 따라 IPA를 토출함으로써 IPA의 액 튐의 발생을 억제하는 기술의 기재도 있다.
그러나 특허 문헌 2에서는, 상기한 바와 같이 액 튐을 억제한 세정 방법이 기재되어 있지만, 세정액이 웨이퍼의 표면으로 확산되기 어려운 경우, 즉 세정액의 종류 또는 기판 표면의 성질로부터 고발수성을 나타내는 경우, 액을 웨이퍼 표면에 균일하게 확산시키는 것과 액 튐의 억제를 양립하는 방법이 요구된다.
일본특허공개공보 2012-019002호 : 단락 0134 ~ 0135, 도 12 (a) ~ (d) 일본특허공개공보 2016-072557호 : 단락 0039 ~ 0042, 도 8
본 발명은 이러한 사정에 기초하여 이루어진 것이며, 그 목적은, 기판의 표면에 세정액을 확실히 공급하면서, 세정액의 비산을 억제하여 처리액의 제거를 행하는 것이 가능한 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 기억 매체를 제공하는 것이다.
본 발명의 기판 처리 방법은, 수평으로 유지되고 중심축 둘레로 회전하는 기판에 처리액을 공급하여 액 처리를 행한 후, 상기 기판에 세정액을 공급하여 처리액을 제거하는 기판 처리 방법에 있어서,
회전하는 기판의 회전 방향의 하류측을 향해 상기 기판의 표면에 대하여 비스듬하게 상기 세정액을 토출하는 세정액 노즐과, 상기 세정액이 기판에 도달하는 착액 위치에서 봤을 때 상기 기판의 중앙부측에 인접하는 위치를 향해 가스를 토출하는 가스 노즐을 상기 기판의 중앙부측으로부터 주연부측을 향해 이동시키는 토출 위치 이동 공정을 포함하고,
상기 토출 위치 이동 공정에서는, 상기 착액 위치의 이동 경로를 상기 기판의 중앙부와 주연부 사이의 중간 위치에서 분할하고, 상기 중앙부와 중간 위치 사이의 영역을 제 1 영역, 상기 중간 위치와 주연부 사이의 영역을 제 2 영역으로 했을 때, 상기 착액 위치가 제 2 영역을 이동하고 있는 기간 중의 기판의 회전수가 상기 착액 위치가 제 1 영역을 이동하고 있는 기간 중의 기판의 최대의 회전수보다 작아지도록 기판의 회전수를 변화시키는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 회전하는 기판에 대하여 공급된 세정액의 착액 위치를 기판의 중앙부측으로부터 주연부측으로 이동시킴에 있어서, 상기 착액 위치가 기판의 주연부측의 제 2 영역을 이동하고 있는 기간 중의 기판의 회전수를 중앙부측의 제 1 영역을 이동하고 있는 기간 중의 기판의 최대의 회전수보다 작아지도록 조정한다. 그 결과, 제 1 영역에서는 상대적으로 기판의 회전수를 크게 하여 기판의 표면에 강제적으로 세정액을 확산시키는 한편, 제 2 영역에서는 상대적으로 회전수를 작게 하여 세정액의 비산을 억제한 상태로 기판 표면의 세정을 행할 수 있다.
도 1은 실시의 형태에 따른 현상 장치의 종단 측면도이다.
도 2는 상기 현상 장치의 평면도이다.
도 3은 린스액 노즐 및 질소 가스 노즐을 구비한 암의 확대 측면도이다.
도 4는 상기 암에 마련되어 있는 노즐의 배치를 나타내는 평면도이다.
도 5는 린스액 노즐과 질소 가스 노즐과의 배치 관계를 설명하기 위한 모식도이다.
도 6은 상기 현상 장치의 제 1 작용 설명도이다.
도 7은 상기 현상 장치의 제 2 작용 설명도이다.
도 8은 상기 현상 장치의 제 3 작용 설명도이다.
도 9는 상기 현상 장치의 제 4 작용 설명도이다.
도 10은 린스액의 착액 위치를 이동시키고 있는 기간 중의 웨이퍼의 회전수의 변화의 예를 나타내는 설명도이다.
도 11은 상기 착액 위치가 웨이퍼의 외주보다 외측에 도달한 상태를 나타내는 확대 평면도이다.
도 12는 상기 웨이퍼의 회전수의 변화의 다른 예를 나타내는 설명도이다.
이하, 본 발명을 기판 처리 장치인 현상 장치(1)에 적용한 실시의 형태에 대하여 설명한다.
먼저, 도 1의 종단 측면도 및 도 2의 평면도를 참조하여 현상 장치(1)의 전체 구성에 대하여 설명한다. 예를 들면 현상 장치(1)는, EUV(Extreme ultraviolet) 노광용의 레지스트막이 형성된 반도체 장치의 제조용의 원형의 기판인 웨이퍼(W)에 대하여 현상액(처리액)을 공급하여 현상 처리를 행한다. 상기의 레지스트막은 현상 장치(1)로 반송되기 전에, 노광 장치에 있어서 패턴을 따라 노광되어 있다. EUV 노광용의 레지스트막은, 예를 들면 DIW(Deionized Water, 순수)의 접촉각이 70˚ 이상의 예를 들면 70 ~ 90˚ 범위 내의 값이 되는 것이 있어, 발수성이 높아, 웨이퍼(W)의 표면에 DIW를 균일하게 확산시키기 어려운 특성을 가지고 있다.
도 1에 나타내는 부호 11은, 기판 유지부인 스핀 척을 나타내고, 웨이퍼(W)의 이면 중앙부를 흡착하여, 웨이퍼(W)를 수평으로 유지한다. 동일 도면 중의 부호 12는 회전 기구를 나타내며, 당해 스핀 척(11)에 유지된 웨이퍼(W)가 당해 웨이퍼(W)의 중심축 둘레로 회전하도록 스핀 척(11)을 회전시킨다. 회전 기구(12)는 단위 시간당 웨이퍼(W)의 회전수를 변화시키는 것이 가능한 구성으로 되어 있다.
도 1 중의 부호 13은 개구를 상면측을 향한 원통 형상으로 형성된 액 받이용의 컵을 나타내며, 그 상부측은 내측으로 경사져 있다. 동일 도면 중의 부호 14는 컵(13)의 승강 기구를 나타내며, 스핀 척(11)에 대하여 웨이퍼(W)의 전달이 행해질 시의 전달 위치(도 1 중 실선으로 나타내는 위치)와 현상 처리가 행해질 때의 처리 위치(도 1 중 점선으로 나타내는 위치)와의 사이에서 컵(13)을 승강시킨다.
또한, 스핀 척(11)에 유지된 웨이퍼(W)의 하방측에는 원형판(15)이 마련되고, 이 원형판(15)의 외측에는, 평면에서 봤을 때 환상(環狀)으로, 종단면 형상이 산 형상인 가이드 부재(16)가 마련되어 있다. 가이드 부재(16)는 웨이퍼(W)로부터 흘러 넘친 현상액을, 원형판(15)의 외측에 마련되는 액 받이부(17)를 향해 하방으로 흐르게 한다.
액 받이부(17)는 스핀 척(11)을 둘러싸는 환상의 오목부로서 구성되고, 배액관(19)을 개재하여 도시하지 않은 폐액부에 접속되어 있다. 또한, 액 받이부(17)의 저면에는 배기관이 접속되어 있어, 액 받이부(17) 내로 흘러든 기체를 배기부를 향해 배기한다(배기관 및 배기부에 대해서는 모두 미도시).
또한 도 1 중의 부호 21은, 스핀 척(11)과 외부의 기판 반송 기구(미도시)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 승강 핀을 나타내고, 동일 도면 중의 부호 22는 승강 핀(21)을 승강시키는 승강 기구를 나타내고 있다.
도 1 중의 부호 31은 웨이퍼(W)에 현상액을 공급하여 액 축적을 형성하고, 레지스트막을 현상하기 위한 현상액 노즐(처리액 노즐)을 나타내며, 수직으로 편평한 형상으로 구성되어 있다. 이 현상액 노즐(31)의 하면(32)은, 웨이퍼(W)의 표면보다 작은 원형의 수평면이며, 현상 처리를 행할 시 웨이퍼(W)의 표면의 일부에 대향하는 대향면을 구성한다.
상기 하면(32)의 중심에는, 연직 하방을 향해 현상액의 토출구(33)가 개구되어 있다. 이 토출구(33)로부터 현상액을 토출하면, 웨이퍼(W)의 표면에 형성되는 현상액의 액 축적에 현상액 노즐(31)의 하면(32)이 접촉한 상태가 되어, 회전하는 웨이퍼(W) 상에서 현상액 노즐(31)을 수평 이동시켜 현상 처리가 행해진다.
회전하는 웨이퍼(W)의 표면과 수평 이동하는 현상액 노즐(31)의 하면(32)이 상대적으로 위치 관계를 변화시킴으로써, 계면 장력이 작용하여 현상액의 교반이 행해져 농도가 균일화된다. 이와 같이 현상액의 농도가 균일화되어 현상이 행해짐으로써, 웨이퍼(W)의 면내에 있어서 형성되는 패턴의 선폭인 CD(Critical Dimension)의 균일화를 도모할 수 있다.
상기의 토출구(33)는, 현상액 공급관(34)을 개재하여 현상액이 저류된 공급원(35)에 접속되어 있다. 도 1 중의 부호 36은 현상액 공급관(34)에 개재 마련되고, 밸브 및 매스 플로우 컨트롤러에 의해 구성된 현상액의 공급 기구를 나타내며, 공급원(35)으로부터 현상액 노즐(31)에 대한 현상액의 공급/중단 또는 유량 조정이 행해진다.
또한 도 1, 2에 나타내는 바와 같이 현상액 노즐(31)은, 암(38)의 선단부에 장착되어 있으며, 암(38)의 기단측에 마련된 구동 기구(37)에 의해 이동될 수 있다. 구동 기구(37)는 가이드(39)를 따라 직선 형상으로 수평 이동할 수 있도록 구성되며, 이 수평 이동에 의해 현상액 노즐(31)의 토출구(33)를 웨이퍼(W)의 직경 방향을 따라 이동시킬 수 있다. 또한, 구동 기구(37)는 암(38)을 개재하여 현상액 노즐(31)을 연직 방향으로 승강시킬 수도 있다.
도 2에 나타내는 바와 같이, 컵(13)의 측방에는, 현상액의 공급을 행하지 않는 기간 중에 현상액 노즐(31)을 대기시키는 대기부(30)가 마련되어 있다. 이 대기부(30)는 상면이 개구된 컵을 구비하고, 상기의 구동 기구(37)를 이용한 수평 이동 및 승강 이동에 의해, 현상액 노즐(31)은 대기부(30)의 컵 내와 웨이퍼(W) 상과의 사이를 이동할 수 있다. 대기부(30)의 컵 내에서는 세정액의 공급에 의해, 현상액 노즐(31)의 세정이 행해진다.
또한 본 예의 현상 장치(1)는, 현상액에 의한 현상 처리가 행해진 후의 웨이퍼(W)의 표면에 세정액인 린스액을 공급하여 웨이퍼(W)의 표면으로부터 현상액을 제거하기 위한 린스액 노즐(세정액 노즐)(421)과, 린스액 중에 용해된 현상액 성분의 잔존 및 린스액 자신의 잔존에 의한 워타마크의 형성 등을 억제하기 위하여, 린스액의 액막을 밀어내기 위한 질소 가스의 공급을 행하는 질소 가스 노즐(가스 노즐)(411)을 구비하고 있다.
도 3, 4에 나타내는 바와 같이, 본 예의 린스액 노즐(421) 및 질소 가스 노즐(411)은 공통의 암(45)의 선단부에 마련되어 있다.
예를 들면 린스액 노즐(421)은, 암(45)의 상면측으로부터, 선단부를 통하여 하면으로 둘러진 린스액 공급관(422)의 말단부에 마련되고, 스핀 척(11)에 수평으로 유지된 웨이퍼(W)에 대하여, DIW인 린스액을 기울기 하방을 향해 토출한다. 린스액 노즐(421)로부터 토출된 린스액과 웨이퍼(W)의 표면과의 이루는 각도(θ)는 10˚ 이상 40˚ 이하의 범위 내의 값, 바람직하게는 15˚ 이상 25˚ 이하로 설정되어 있다.
θ의 값을 작게 하면(토출각을 예각으로 하면), 린스액이 웨이퍼(W)의 표면에 착액할 시의 충격을 작게 하여, 린스액의 비산을 억제할 수 있다. 한편, θ의 값을 너무 작게 하면, 린스액 노즐(421)의 선단으로부터 린스액의 액면까지의 거리가 너무 작아져, 린스액 노즐(421)과 린스액의 액면 또는 웨이퍼(W)와의 접촉의 리스크, 또는 린스액을 정지했을 시의 액 끊김이 나빠질 우려가 발생한다.
또한 린스액 노즐(421)을 모식적으로 나타낸 도 1, 6 ~ 9에 있어서는, 편의상, 린스액 노즐(421)의 경사 배치 상태의 도시는 생략하고 있다.
도 3에 나타내는 바와 같이 본 예의 린스액 노즐(421)은, 암(45)의 선단측의 측면 및 하면에 마련된 공급관 지지부(451, 452)에 의해 린스액 노즐(421)로 연결되는 린스액 공급관(422)의 배치 형상을 조정하고 있다. 이 때, 린스액이 통류하는 유로가 만곡하고 있지 않는, 직선 유로가 형성되도록 린스액 공급관(422)의 배치 형상의 조정을 행하고 있다.
그리고 린스액 노즐(421)은, 상기 직선 유로의 말단 위치로부터 웨이퍼(W)를 향해 린스액을 토출하는 구성으로 되어 있다.
예를 들면 직선 유로의 길이(L)는 10 mm 이상, 보다 적합하게는 20 mm 이상으로 설정되어 있다. 충분한 길이의 직선 유로를 통류시킨 위치에서 린스액을 토출함으로써, 린스액 노즐(421)로부터 토출되는 린스액의 유량의 변동 또는 토출류의 난류를 억제하여, 웨이퍼(W)의 표면에서 균일한 세정을 행할 수 있는 것을 실험적으로 확인하고 있다.
도 4는 상면측에서 본 린스액 노즐(421)의 선단부의 배치 상태를 나타내고 있다. 본 예의 린스액 노즐(421)은, 일점 쇄선으로 나타내는 암(45)의 연신 방향에 대하여, 각도(φ)만큼 어긋난 방향으로 린스액을 토출하도록 배치되어 있다.
도 2에 나타내는 바와 같이, 암(45)의 선단부에 마련된 린스액 노즐(421)은, 웨이퍼(W)의 회전 방향의 하류측을 향해 린스액을 토출하는 위치에 배치된다.
또한, 후술하는 구동 기구(44)를 이용하여 웨이퍼(W)로의 린스액의 도달하는 착액 위치(R)가 웨이퍼(W)의 반경 방향을 따라 이동 가능한 위치에 린스액 노즐(421)을 배치하면, 웨이퍼(W)의 회전 방향에 대하여, 각도(φ)만큼 웨이퍼(W)의 주연부측으로 어긋난 방향으로 린스액을 토출할 수 있다(도 5의 (a)).
도 9의 (b)와 같이, 린스액 노즐(421)을 웨이퍼(W)의 외측까지 이동시키지 않고, 린스액 노즐(421)이 웨이퍼(W)에 접근한 위치인 채로, 웨이퍼(W)의 중앙에서 가장자리까지 린스액 공급이 가능하게 된다. 이에 따라, 웨이퍼의 유지부 또는 웨이퍼의 주위에 있는 액 받이용 컵(13)을 웨이퍼(W)에 보다 가까운 위치에 마련할 수 있으며, 또한 액 받이용 컵(13)에 린스액 노즐(421)을 피하기 위한 노치 등을 마련하는 것이 불필요해지기 때문에, 효율적으로 웨이퍼(W)로부터 비산하는 린스액을 받아 액 받이용 컵(13) 외부의 액 부착을 방지할 수 있다.
각도(φ)의 적합 범위에 대해서는, 질소 가스 노즐(411)의 구성, 배치를 설명한 후에 기술한다.
도 1에 나타내는 바와 같이 린스액 노즐(421)은, 린스액 공급관(422)을 개재하여 린스액 공급원(424)에 접속되어 있다. 린스액 공급관(422)에는 밸브 및 매스 플로우 컨트롤러에 의해 구성된 린스액 공급 기구(423)가 개재 마련되어, 린스액 공급원(424)으로부터 린스액 노즐(421)로의 린스액의 공급/중단 또는 유량 조정이 행해진다.
여기서, 린스액 노즐(421)의 개구 직경은 예를 들면 1.5 ~ 2.5 mm로 되어 있다. 그리고, 린스액 노즐(421)은 200 ~ 450 ml/분의 범위 내의 유량의 린스액을 0.5 ~ 4.5 m/초의 범위 내의 유속으로 공급함으로써, 현상 처리를 행하여 건조시킨 후의 웨이퍼(W)에 있어서의 잔사 결함의 발생량을 저감할 수 있다.
린스액의 유속이 과대하면 웨이퍼(W)로부터의 액 튐의 발생에 의한 잔사 결함이 생기고, 유속이 과소하면 액량 부족으로 균일한 액막 형성을 하지 못하여 세정 부족의 부분이 생겨 잔사 결함이 발생할 우려가 있다.
또한 개구 직경 0.6 ~ 2.5 mm의 범위 내에서 개구 직경이 상이한 복수의 노즐을 이용하여, 린스액의 공급 유량을 바꾸어 웨이퍼(W)의 세정을 행하는 예비 평가를 행했다. 그 결과, 유량은 200 ~ 450 ml/분의 범위 내에서, 유속은 0.5 ~ 4.0 m/초의 범위 내가 되는 유량의 값과, 1.5 ~ 2.5 mm의 범위 내의 노즐의 직경의 조합에서, 잔사 결함이 적은, 현상액의 제거에 적합한 조건이 있다고 판명되었다. 이에, 이들 범위를 전술한 적합한 린스액 조건의 설정 근거로 하고 있다.
이어서 질소 가스 노즐(411)에 대하여 설명한다. 도 3, 4에 나타내는 바와 같이, 질소 가스 노즐(411)은 암(45)의 선단부의 하면측으로부터, 연직 방향 하방측을 향해 질소 가스를 토출하도록 마련되어 있다.
도 5의 (a)의 웨이퍼(W) 표면의 확대 평면도에 나타내는, 린스액 노즐(421)측으로부터 기울기 하방을 향해 토출된 린스액이 웨이퍼(W)의 표면에 도달하는 위치를 착액 위치(R)라 한다. 이 때 질소 가스 노즐(411)은, 착액 위치(R)에 대하여, 웨이퍼(W)의 직경 방향의 중앙부측에 인접하는 위치를 향해 질소 가스를 토출하는 위치에 배치되어 있다.
린스액의 착액 위치(R)의 중심과, 질소 가스 노즐(411)로부터 토출된 질소 가스가 웨이퍼(W)의 표면에 도달하는 착가스 위치(G)의 중심과의 위치 관계는 상대적으로 고정되며, 그 거리는 예를 들면 6 ~ 10 mm의 범위로 설정되어 있다. 착액 위치(R)와 착가스 위치(G)와의 거리를 상술한 범위 내의 값으로 설정함으로써, 린스액의 비산 및 잔사 결함의 발생을 억제할 수 있는 것을 예비 평가에 의해 확인하고 있다.
이어서, 상면에서 봤을 때의 웨이퍼(W)의 회전 방향에 대한, 린스액 노즐(421)로부터의 린스액의 토출 각도(φ)의 영향에 대하여 설명한다. 당해 토출 각도를 φ = 0˚로 설정하면 착액 위치(R)에 착액한 린스액과 착가스 위치(G)에 도달한 질소 가스와의 계면이 커져, 린스액의 비산이 많아질 우려가 있다.
이에 도 5의 (a)에 나타내는 바와 같이, 상기 각도(φ)를 예를 들면 10˚ 이상, 25˚ 미만으로 함으로써, 린스액과 질소 가스와의 계면을 작게 하여, 린스액의 비산을 억제할 수 있다. 린스액과 질소 가스와의 계면을 작게 억제함으로써, 질소 가스 유량을 폭넓은 범위에서 변화시켜도 린스액의 비산을 억제 가능한 것에 대해서는 예비 평가에서 확인하고 있다.
한편, 상기 각도(φ)를 25˚ 이상으로 크게 하면, 린스액 노즐(421)로부터 토출된 린스액의 토출류 자체가 질소 가스 노즐(411)로부터 토출된 질소 가스의 가스류와 접촉하여 린스액의 비산을 일으킬 우려가 커진다.
이에 본 예의 린스액 노즐(421)에 있어서, 상기 토출 각도(φ)는, 린스액의 비산이 가장 억제되는 10˚ 이상, 25˚ 미만의 범위로 설정되어 있다.
도 1에 나타내는 바와 같이 질소 가스 노즐(411)은, 질소 가스 공급관(412)을 개재하여 질소 가스 공급원(414)에 접속되어 있다. 질소 가스 공급관(412)에는 밸브 및 매스 플로우 컨트롤러에 의해 구성된 질소 가스 공급 기구(413)가 개재 마련되어 질소 가스 공급원(414)으로부터 질소 가스 노즐(411)로의 질소 가스의 공급/중단 또는 유량 조정이 행해진다.
질소 가스 노즐(411)로부터는, 예를 들면 3 ~ 6 L/분의 범위의 질소 가스가 공급된다.
린스액의 착액 위치와 질소 가스의 착가스 위치의 중심 간 거리, 및 그 때의 질소 가스 유량을 바꾸어 세정 시와 동일한 동작(후술하는 도 6 ~ 10에 따른 설명 참조)을 시켜 예비 평가를 행한 바, 질소 가스 유량이 전술한 3 ~ 6 L/분의 범위에서 린스액의 비산 및 결함의 발생이 적은 적합 범위가 확인되었다.
도 1, 2에 나타내는 바와 같이, 린스액 노즐(421), 질소 가스 노즐(411)을 유지한 암(45)의 기단측에는 구동 기구(44)가 마련되어 있다. 구동 기구(44)는 가이드(46)를 따라 직선 형상으로 수평 이동할 수 있도록 구성되고, 이 수평 이동에 의해, 린스액 노즐(421), 질소 가스 노즐(411)을 회전하는 웨이퍼(W)의 중앙부측으로부터 주연부측으로 직경 방향으로 이동시킬 수 있다. 또한, 구동 기구(44)는 암(45)을 개재하여 린스액 노즐(421), 질소 가스 노즐(411)을 연직 방향으로 승강시킬 수도 있다.
암(45), 구동 기구(44), 가이드(46)는 본 예의 노즐 이동 기구에 상당한다.
도 2 중 부호 48은, 웨이퍼(W)로의 린스액의 공급을 행하지 않을 때 질소 가스 노즐(411), 린스액 노즐(421)을 대기시키는 대기부를 나타낸다. 당해 대기부(48)는, 기술한 현상액 노즐(31)측의 대기부(30)와 동일하게 구성되며, 예를 들면 컵(13)을 사이에 두고, 현상액 노즐(31)측의 대기부(30)와 반대의 위치에 마련되어 있다.
상기의 구동 기구(44)를 이용한 수평 이동 및 승강 이동에 의해, 린스액 노즐(421) 및 질소 가스 노즐(411)은 대기부(48)의 컵 내와 웨이퍼(W) 상과의 사이를 이동할 수 있다.
또한 도 1, 2에 나타내는 바와 같이, 현상 장치(1)에는 제어부(10)가 마련되어 있다. 이 제어부(10)는 프로그램을 저장한 기억 매체 및 CPU로 이루어지는 컴퓨터로서 구성되어 있다. 프로그램에는 제어부(10)로부터 현상 장치(1)의 각 부에 제어 신호를 보내, 후술하는 현상 처리액의 공급, 및 그 후의 린스액의 공급을 포함하는 현상 처리를 실행하기 위한 명령(단계군)이 탑재되어 있다. 보다 구체적으로, 제어부(10)는 웨이퍼(W)의 회전수, 각 노즐(31, 421, 411)의 수평, 승강 이동, 이들 노즐(31, 421, 411)로부터의 현상액, 린스액, 질소 가스의 공급/중단, 유량 조정 등의 각종 동작 제어를 실행한다. 이 프로그램은, 예를 들면 하드 디스크, 콤팩트 디스크, 마그넷 옵티컬 디스크 또는 메모리 카드 등의 기억 매체에 저장된다.
특히 본 예의 제어부(10)는, 웨이퍼(W)에 현상액을 공급하여 레지스트막의 현상을 행한 후, 린스액을 공급하여 현상액의 제거를 행함에 있어서, 린스액 노즐(421) 또는 질소 가스 노즐(411)의 위치에 따라 웨이퍼(W)의 회전수를 변화시킴으로써, 린스액의 비산을 억제하면서, 발수성이 높은 웨이퍼(W)의 표면에 확실하게 린스액을 확산시킬 수 있다.
이하, 당해 동작을 포함하는 현상 장치(1)의 작용에 대하여 도 10 ~ 11을 참조하여 설명한다.
먼저, 도시하지 않은 외부의 기판 반송 기구에 의해, EUV 노광된 후의 웨이퍼(W)를 현상 장치(1)로 반입하고, 스핀 척(11)에 배치, 흡착 유지한다. 그리고, 미도시의 다른 노즐을 이용하여 웨이퍼(W)에 소량의 현상액을 공급한 후, 웨이퍼(W)를 회전시켜 웨이퍼(W)의 표면 전체에 현상액을 확산시키는 프리웨트를 행한다.
이 후, 대기부(30)로부터 현상액 노즐(31)을 웨이퍼(W)의 주연부의 상방으로 이동시키고, 예를 들면 웨이퍼(W)를 50 rpm의 회전수로 시키면서, 현상액 노즐(31)의 하면과 웨이퍼(W)의 표면 사이의 간극을 향해 현상액을 공급한다. 그 결과, 현상액 노즐(31)이 배치되어 있는 위치에 대응하는 웨이퍼(W)의 주연부측에, 현상액의 액 축적이 환상으로 형성된다.
이 후, 현상액 노즐(31)로부터의 현상액의 토출을 행하면서, 회전하는 웨이퍼(W)의 주연부측으로부터 중앙부측을 향해 현상액 노즐(31)을 이동시키면, 액 축적 내의 현상액의 교반을 행하면서, 당해 액 축적을 웨이퍼(W)의 전면에 확산시킬 수 있다.
상술한 동작에 의해 형성된 현상액의 액 축적에 의해, 레지스트막이 현상되어 패턴이 형성된다.
미리 설정된 시간만큼 현상액에 의한 레지스트막의 현상을 실행하면, 웨이퍼(W)의 상방 위치로부터 대기부(30)로 현상액 노즐(31)을 퇴피시킨다. 한편, 린스액을 웨이퍼(W)의 중앙부에 공급하는 것이 가능한 위치를 향해, 대기부(48)로부터 린스액 노즐(421)(암(45))을 이동시킨다.
이어서, 린스액 노즐(421)로부터 린스액을 공급하면서 웨이퍼(W)의 회전수를 100 ~ 1500 rpm의 범위 내에서 단계적으로 상승시켜, 웨이퍼(W)의 전면에 린스액을 공급한다(도 6).
이어서 동작에서는, 린스액 노즐(421)로부터의 린스액의 공급과 병행하여, 질소 가스 노즐(411)로부터의 질소 가스의 공급을 행하고, 이들 린스액 노즐(421) 및 질소 가스 노즐(411)을 웨이퍼(W)의 중앙부측으로부터 주연부측을 향해 이동시킨다. 이에 의해, 린스액 노즐(421)로부터 토출된 린스액의 착액 위치(R)가 웨이퍼(W)의 중앙부측으로부터 주연부측으로 이동한다. 당해 동작은 본 실시의 형태의 토출 위치 이동 공정에 상당한다.
또한 본 예의 현상 장치(1)는, 린스액 노즐(421) 및 질소 가스 노즐(411)을 이동시키고 있는 기간 중, 린스액의 착액 위치(R)에 따라 웨이퍼(W)의 회전수를 변화시킨다. 이하, 이 기간 중의 웨이퍼(W)의 회전수의 변화의 모습을 나타내는 도 10도 참조하여 작용 설명을 행한다.
도 10의 횡축은, 착액 위치(R)로부터 웨이퍼(W)의 중심까지의 거리[mm]를 나타내며, 종축은, 각 착액 위치(R)에 대응하여 조정되는 웨이퍼(W)의 단위 시간당 회전수[rpm]를 나타내고 있다.
현상 장치(1)의 작용 설명으로 돌아오면, 도 6을 이용하여 설명한 웨이퍼(W)의 전면에의 린스액의 공급을 행하면, 웨이퍼(W)의 회전수를 일정하게 유지한 채로 질소 가스 노즐(411)로부터 웨이퍼(W)의 중앙부로 질소 가스를 공급하는 것이 가능한 위치로 암(45)을 이동시킨다.
그 결과, 도 10에 기재한 바와 같이, 웨이퍼(W)의 중심의 측방의 위치(r0)까지 착액 위치(R)가 조금 이동한다.
그리고, 이 상태에서 질소 가스 노즐(411)로부터의 질소 가스의 공급을 개시하면, 질소 가스의 착가스 위치(G), 및 그 주위의 린스액이 밀려나, 린스액이 제거된 건조 영역(이하, '코어'라고도 함)이 형성된다(도 7).
이어서, 린스액 노즐(421)로부터의 린스액의 공급, 질소 가스 노즐(411)로부터의 질소 가스의 공급을 계속하면서, 암(45)(린스액 노즐(421), 질소 가스 노즐(411))을 웨이퍼(W)의 중앙부측으로부터 주연부측을 향해, 예를 들면 수 mm/초 정도의 이동 속도로 이동시킨다.
그 결과, 린스액의 착액 위치(R), 및 질소 가스의 착가스 위치(G)가 웨이퍼(W)의 중앙부측으로부터 주연부측을 향해 이동하고, 린스액이 제거된 코어가 커져 간다(도 8의 (a), (b)).
이 동작과 병행하여, 회전 기구(12)는 예를 들면 2000 ~ 3000 rpm에 도달할 때까지 연속적으로 회전수를 증가시키고, 이 후, 웨이퍼(W)의 회전수를 일정하게 유지한다(제 1 영역 회전수 조정 공정).
웨이퍼(W)의 회전수를 증가시켜 도달하는 회전수는, 본 예의 '최대의 회전수'에 상당한다.
웨이퍼(W)의 중앙부에 가까운 영역에서는 웨이퍼(W)에 공급된 린스액에 작용하는 원심력이 비교적 작기 때문에 웨이퍼(W)의 표면의 발수성이 높으면 린스액이 균일하게 외측에 확산되기 어려워진다.
이에 착액 위치(R)가 웨이퍼(W)의 중앙부에 가까운 영역(후술의 '제 1 영역')을 이동하고 있는 기간 중에는, 웨이퍼(W)의 회전수를 크게 함으로써, 린스액에 작용하는 원심력을 크게 하여, 웨이퍼(W)의 표면에 균일하게 린스액을 확산시키고 있다.
또한, 질소 가스의 공급을 개시하기 전의 웨이퍼(W)의 회전수부터 최대의 회전수까지 연속적으로(서서히) 회전수를 증가시킴으로써, 다듬어진 원형 형상의 코어를 형성하기 쉬운 것을 경험적으로 파악하고 있다.
웨이퍼(W)를 최대의 회전수로 유지한 상태에서 웨이퍼(W)의 주연부측을 향해 더 착액 위치(R)를 이동시켜 가면, 웨이퍼(W)의 표면에 공급된 린스액에 작용하는 원심력이 점차 커진다.
린스액에 작용하는 원심력이 커져 웨이퍼(W)의 표면에 균일하게 린스액을 공급하는 것이 가능해져 있음에도 불구하고, 웨이퍼(W)의 회전수를 최대로 유지하면, 착액 위치(R)에서 린스액에 작용하는 충격이 커져 린스액의 비산 발생의 요인도 된다.
이에 본 예의 현상 장치(1)는, 착액 위치(R)가 미리 설정한 위치(중간 위치(r1))에 도달한 후에는, 전술한 최대의 회전수로부터 연속적으로(서서히), 웨이퍼(W)의 회전수를 작게 해 간다(제 2 영역 회전수 조정 공정).
착액 위치(R)의 이동에 맞추어 웨이퍼(W)의 회전수를 작게 해 감으로써, 웨이퍼(W)의 표면에 균일하게 린스액을 공급 가능한 상태를 유지하면서, 린스액의 비산의 발생을 억제할 수 있다.
예를 들면 중간 위치(r1)는, 웨이퍼(W)의 중심으로부터, 웨이퍼(W)의 반경의 1 / 5 ~ 2 / 3의 범위 내의 거리만큼 직경 방향으로 이동한 위치로 설정된다. 예를 들면 직경이 300 mm인 웨이퍼(W)의 처리를 행하는 경우에는, 중간 위치(r1)는 웨이퍼(W)의 중심으로부터 30 ~ 100 mm의 범위 내의 50 mm 떨어진 위치로 설정된다.
또한, 본 예의 현상 장치(1)에 있어서, 도 10에 나타내는 웨이퍼(W)의 중앙부측의 위치(r0)와 중간 위치(r1)와의 사이의 영역이 제 1 영역에 상당하고 있다. 또한, 동일 도면 중에 나타내는, 중간 위치(r1)와 주연부측의 웨이퍼(W)의 외주(150 mm의 위치)와의 사이의 영역이 제 2 영역에 상당하고 있다.
또한 웨이퍼(W)의 회전수를 작게 해 가는 페이스에 대해서는, 중간 위치(r1)를 통과했을 때 최대(기술한 '최대의 회전수')인 웨이퍼(W)의 회전수가, 착액 위치(R)가 웨이퍼(W)의 외주에 도달했을 때 1000 ~ 2000 rpm의 범위 내의 값이 되도록 회전수를 작게 해 가면 된다.
이상에 설명한 바와 같이, 린스액의 착액 위치(R)에 따라 웨이퍼(W)의 회전수를 변화시키면서, 린스액 노즐(421), 질소 가스 노즐(411)을 웨이퍼(W)의 주연부측을 향해 이동시킴으로써, 린스액이 제거된 코어가 점차 확산되어 간다.
그리고, 착액 위치(R)가 웨이퍼(W)의 외주보다 외측에 도달하면, 웨이퍼(W)의 전면으로부터 린스액이 제거되어 건조된 상태가 된다(도 9의 (a), (b)).
여기서 예를 들면, 착액 위치(R)에 대하여 웨이퍼(W)의 직경 방향의 중앙부측에 인접하는 위치에 질소 가스를 공급하는 경우에는, 질소 가스 노즐(411), 린스액 노즐(421)을 이들 노즐(411, 421)의 이동 방향을 따른 방향(암(45)의 폭 방향을 따른 방향)으로 배열하는 방법도 고려된다.
그러나, 이 경우에 착액 위치(R)를 웨이퍼(W)의 외주보다 외측까지 이동시키고자 하면, 린스액 노즐(421)로부터 토출된 린스액의 토출류와 컵(13) 상단측의 내연이 간섭할 우려도 생긴다.
이 점, 기술한 바와 같이, 본 예의 린스액 노즐(421)은, 웨이퍼(W)의 회전 방향에 대하여, 각도(φ)만큼 웨이퍼(W)의 주연부측으로 어긋난 방향으로 린스액을 토출하는 배치로 되어 있다. 이 구성에 의해, 도 4, 11에 나타내는 바와 같이 질소 가스 노즐(411), 린스액 노즐(421)이 이동 방향과 교차하는 방향(암(45)의 길이 방향을 따른 방향)으로 배열될 수 있다.
그 결과, 도 11에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 외주보다 외측까지 착액 위치(R)를 이동시킬 수 있다.
이렇게 하여 웨이퍼(W)의 전면이 건조된 상태가 되면, 린스액 노즐(421)로부터의 린스액의 공급, 질소 가스 노즐(411)로부터의 질소 가스의 공급을 정지하여, 이들 노즐(411, 421)을 대기부(48)로 퇴피시킨다. 이 후, 웨이퍼(W)의 회전을 정지시켜, 반입 시와는 반대의 순서로 외부의 기판 반송 기구로 웨이퍼(W)를 전달하고, 현상 장치(1)로부터 반출하여 다음의 웨이퍼(W)의 반입을 기다린다.
본 실시의 형태의 현상 장치(1)에 의하면 이하의 효과가 있다. 회전하는 웨이퍼(W)에 대하여 공급된 린스액의 착액 위치(R)를 웨이퍼(W)의 중앙부측으로부터 주연부측으로 이동시킴에 있어서, 착액 위치(R)가 웨이퍼(W)의 주연부측의 제 2 영역을 이동하고 있는 기간 중의 웨이퍼(W)의 회전수를 중앙부측의 제 1 영역을 이동하고 있는 기간 중의 기판의 최대의 회전수보다 작아지도록 조정한다. 그 결과, 제 1 영역에서는 상대적으로 웨이퍼(W)의 회전수를 크게 하여 웨이퍼(W)의 표면에 강제적으로 린스액을 확산시키는 한편, 제 2 영역에서는 상대적으로 회전수를 작게 하여 린스액의 비산을 억제한 상태로 웨이퍼(W) 표면의 세정을 행할 수 있다.
여기서, 제 1 영역, 제 2 영역에 있어서의 웨이퍼(W)의 회전수의 증감은, 도 10을 이용하여 설명한 예와 같이, 연속적으로 회전수를 조정하는 경우에 한정되지 않는다.
예를 들면 제 1 영역에 있어서, 1 회 또는 복수 회로 나누어, 최대의 회전수까지 단계적으로 회전수를 크게 해도 된다(도 12는, 2 회로 나누어 단계적으로 회전수를 크게 한 경우를 나타내고 있음). 또한 도 12에 나타내는 바와 같이, 제 2 영역에 있어서, 복수 회로 나누어 단계적으로 회전수를 작게 해도 된다.
또한 본 발명은, 현상 장치(1)에 있어서의 현상액을 이용한 레지스트막의 현상 처리, 및 린스액(DIW)에 의한 현상액의 제거에 적용하는 경우에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 유기 용제를 이용한 폴리머 공중합체의 현상 처리를 행한 후 IPA를 세정액으로서 유기 용제를 제거하는 액 처리, 불산 등의 산성액을 이용하여 웨이퍼(W)의 에칭을 행한 후 DIW를 세정액으로서 산성액을 제거하는 액 처리 등에도 본 발명은 적용할 수 있다.
또한, 가스 노즐(411)로부터 공급하는 가스에 대해서도 질소 가스를 공급하는 경우에 한정되지 않고, 청정 공기를 공급하여 세정액을 밀어내도 된다.
R : 착액 위치
W : 웨이퍼
1 : 현상 장치
411 : 질소 가스 노즐
421 : 린스액 노즐
45 : 암

Claims (14)

  1. 수평으로 유지되고 중심축 둘레로 회전하는 기판에 처리액을 공급하여 액 처리를 행한 후, 상기 기판에 세정액을 공급하여 처리액을 제거하는 기판 처리 방법에 있어서,
    회전하는 기판의 회전 방향의 하류측을 향해 상기 기판의 표면에 대하여 비스듬하게 상기 세정액을 토출하는 세정액 노즐과, 상기 세정액이 기판에 도달하는 착액 위치에서 봤을 때 상기 기판의 중앙부측에 인접하는 위치를 향해 가스를 토출하는 가스 노즐을 상기 기판의 중앙부측으로부터 주연부측을 향해 이동시키는 토출 위치 이동 공정을 포함하고,
    상기 토출 위치 이동 공정에서는, 상기 착액 위치의 이동 경로를 상기 기판의 중앙부와 주연부 사이의 중간 위치에서 분할하고, 상기 중앙부와 중간 위치 사이의 영역을 제 1 영역, 상기 중간 위치와 주연부 사이의 영역을 제 2 영역으로 했을 때, 상기 착액 위치가 제 2 영역을 이동하고 있는 기간 중의 기판의 회전수가 상기 착액 위치가 제 1 영역을 이동하고 있는 기간 중의 기판의 최대의 회전수보다 작아지도록 기판의 회전수를 변화시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 영역에서, 상기 세정액 노즐 및 가스 노즐을 중간 위치측으로부터 주연부측으로 이동시킴에 따라, 연속적 또는 단계적으로 상기 기판의 회전수를 작게 해 가는 제 2 영역 회전수 조정 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 2 영역 회전수 조정 공정에서는, 상기 세정액 노즐이 기판의 주연에 도달하는 시점에 있어서의 기판의 회전수가 1000 ~ 2000 rpm의 범위 내의 값이 되도록, 상기 기판의 회전수를 작게 해 가는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 영역에서, 상기 세정액 노즐 및 가스 노즐을 중앙부측으로부터 중간 위치측으로 이동시킴에 따라, 상기 최대의 회전수에 도달할 때까지, 연속적 또는 단계적으로 상기 기판의 회전수를 크게 해 가는 제 1 영역 회전수 조정 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  5. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 영역에 있어서의 기판의 최대의 회전수는 2000 ~ 3000 rpm의 범위 내의 값인 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  6. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 중간 위치는, 기판의 중심으로부터 기판의 반경의 1 / 5 ~ 2 / 3의 범위 내의 거리만큼 직경 방향으로 이동한 위치에 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  7. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 세정액 노즐은, 기판 표면에 대하여 이루는 각도가, 10˚ 이상, 40˚ 이하의 범위 내의 각도가 되도록, 기울기 하방을 향해 세정액을 토출하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  8. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 세정액 노즐은, 상면측에서 봤을 때, 기판의 회전 방향에 대하여 이루는 각도가 10˚ 이상, 25˚ 미만의 범위 내의 각도가 되도록, 기판의 주연부측을 향해 세정액을 토출하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  9. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 세정액 노즐은 200 ~ 450 ml/분의 범위 내의 유량의 세정액을 0.5 ~ 4.5 m/초의 범위 내의 유속으로 토출하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  10. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 세정액 노즐은 길이 10 mm 이상의 직선 유로에 상기 세정액을 통류시킨 위치에서 상기 기판을 향해 세정액을 토출하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  11. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 착액 위치의 중심과 상기 가스가 기판에 도달하는 착가스 위치의 중심과의 거리가 6 ~ 10 mm의 범위 내의 값으로 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  12. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 세정액은 순수이며, 상기 세정액이 공급되는 기판의 표면은 순수의 접촉각이70˚ 이상의 값이 되는 발수성을 가지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  13. 기판에 처리액을 공급하여 액 처리를 행하는 기판 처리 장치에 있어서,
    수평으로 유지한 기판을 중심축 둘레로 회전시키고 또한 상기 기판의 회전수를 변화시키는 것이 가능한 회전 기구를 구비한 기판 유지부와,
    상기 기판에 처리액을 공급하는 처리액 노즐과,
    회전하는 상기 기판의 회전 방향의 하류측을 향해 상기 기판의 표면에 대하여 비스듬하게 상기 세정액을 토출하는 세정액 노즐과,
    하방측을 향해 가스를 토출하는 가스 노즐과,
    상기 기판의 중앙부측과 주연부측과의 사이에서 상기 세정액 노즐 및 가스 노즐을 이동시키는 노즐 이동 기구를 구비하고,
    회전하는 기판에 대하여 상기 처리액 노즐로부터 처리액을 공급하여 액 처리를 행하는 단계와, 액 처리가 행해진 후의 회전하는 기판에 대하여, 상기 세정액 노즐로부터 세정액을 공급하고, 또한 상기 세정액이 기판에 도달하는 착액 위치에서 봤을 때, 상기 기판의 중앙부측에 인접하는 위치를 향해 상기 가스 노즐로부터 가스를 토출하는 단계와, 상기 착액 위치와 가스가 기판에 도달하는 착가스 위치와의 상대적인 위치 관계를 고정한 상태에서, 노즐 이동 기구에 의해 상기 기판의 중앙부측으로부터 주연부측을 향해 상기 착액 위치를 이동시키는 단계와, 상기 세정액 노즐의 이동 경로를 상기 기판의 중앙부와 주연부 사이의 중간 위치에서 분할하고, 상기 중앙부와 중간 위치 사이의 영역을 제 1 영역, 상기 중간 위치와 주연부 사이의 영역을 제 2 영역으로 했을 때, 상기 착액 위치가 제 2 영역을 이동하고 있는 기간 중의 기판의 회전수가 상기 착액 위치가 제 1 영역을 이동하고 있는 기간 중의 기판의 최대의 회전수보다 작아지도록, 상기 회전 기구에 의해 기판의 회전수를 변화시키는 단계를 실행하도록 제어 신호를 출력하는 제어부를 구비한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  14. 기판에 처리액을 공급하여 액 처리를 행하는 기판 처리 장치에 이용되는 컴퓨터 프로그램을 기억한 기억 매체로서,
    상기 컴퓨터 프로그램은, 상기 기판 처리 장치에서 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 기재된 기판 처리 방법을 실시하기 위한 단계군이 탑재되어 있는 것을 특징으로 하는 기억 매체.
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