JP5308045B2 - 現像方法 - Google Patents

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Description

本発明は、基板の現像処理を行う現像装置および現像方法に関する。
従来、基板上に形成されたレジスト膜の現像処理を行うために現像装置が用いられる。例えば現像装置は、基板を水平に保持して鉛直軸の周りで回転させるスピンチャックと、基板に現像液を供給するノズルとを備える。現像処理時には、スピンチャックにより基板が回転する状態で、ノズルが現像液を吐出しつつ基板の外側から基板の中心部上方に移動する(例えば特許文献1参照)。
この場合、基板上の全体に現像液が供給され、基板上のレジスト膜を覆うように現像液の液層が形成される。その状態で、基板上のレジスト膜の溶解反応が進行する。その後、基板上の現像液および溶解したレジストが除去され、現像処理が終了する。
特開2005−210059号公報
上記のようにして現像処理を行う場合、レジスト膜の撥水性が高いと、現像液がレジスト膜上で弾かれる。そのため、現像液の液層を良好に形成することが困難となる。それにより、レジスト膜の所望の部分を確実に溶解させることができず、現像不良が発生する。
なお、ノズルからの現像液の吐出流量を多くすることにより液層を形成することが可能になるが、コストが増大するとともに、現像ムラが生じやすくなる。
本発明の目的は、コストの増大を抑制しつつ現像不良の発生を防止することが可能な現像装置および現像方法を提供することである。
本発明に係る現像方法は、基板を略水平に保持しつつ基板に垂直な軸の周りで第1の回転速度で回転させる工程と、第1の回転速度で回転する基板上にリンス液を供給する工程と、基板上に保持されたリンス液が遠心力によって基板上で拡がるように基板の回転速度を第1の回転速度から第2の回転速度に上昇させる工程と、基板の回転速度が第1の回転速度から第2の回転速度に上昇する際に、現像液がリンス液とともにあるいは拡がったリンス液上において基板上で拡がるように基板上に現像液を供給する工程とを備えるものである。
この現像方法においては、基板が略水平に保持されつつ第1の回転速度で回転する状態で、基板の中心部にリンス液が供給される。そのリンス液は、基板上で保持される。
続いて、基板の回転速度が第1の回転速度から第2の回転速度に上昇する。それにより、基板上に保持されるリンス液に遠心力が働き、リンス液が基板上で拡がろうとする。そのとき、基板の中心部に現像液が供給される。供給された現像液は、リンス液とともにあるいは拡がったリンス液上において基板上の全体に瞬間的に拡がる。その後、基板上のリンス液が現像液で置換され、基板上に現像液の液層が形成される。
このように、基板上に保持されたリンス液が遠心力によって拡がる力を利用して、現像液が瞬間的に基板上の全体に拡げられる。それにより、現像液の消費量を抑制しつつ効率よく基板上に現像液の液層を形成することができる。
また、瞬間的に現像液を基板上で拡げることにより、基板Wの表面の全体を現像液で湿潤させることができる。これにより、基板の表面の撥水性が高い場合でも、基板上で現像液が弾かれにくくなる。そのため、少ない量の現像液で容易かつ確実に液層を形成することが可能になる。したがって、コストの削減が可能になるとともに、現像不良の発生を防止することができる。
参考形態に係る現像装置は、基板を略水平に保持しつつその基板に垂直な軸の周りで回転させる回転保持手段と、回転保持手段により回転する基板にリンス液を供給するリンス液供給手段と、回転保持手段により回転する基板に現像液を供給する現像液供給手段とを備え、リンス液供給手段は、第1の期間に基板の中心部にリンス液を供給し、回転保持手段は、リンス液供給手段により供給されたリンス液が基板上で保持されるように第1の期間に基板を第1の回転速度で回転させ、第1の期間の後に基板の回転速度を第1の回転速度よりも高い第2の回転速度に上昇させ、現像液供給手段は、回転駆動手段により基板の回転速度が第1の回転速度から第2の回転速度に上昇する際に、基板の中心部に現像液を供給するものである。
この現像装置においては、第1の期間に回転保持手段により基板が略水平に保持されつつ第1の回転速度で回転する。その状態で、リンス液供給手段により基板の中心部にリンス液が供給される。そのリンス液は、基板上で保持される。
続いて、基板の回転速度が第1の回転速度から第2の回転速度に上昇する。それにより、基板上に保持されるリンス液に遠心力が働き、リンス液が基板上で拡がろうとする。そのとき、現像液供給手段により基板の中心部に現像液が供給される。供給された現像液は、リンス液とともにあるいは拡がったリンス液上において基板上の全体に瞬間的に拡がる。その後、基板上のリンス液が現像液で置換され、基板上に現像液の液層が形成される。
このように、基板上に保持されたリンス液が遠心力によって拡がる力を利用して、現像液が瞬間的に基板上の全体に拡げられる。それにより、現像液の消費量を抑制しつつ効率よく基板上に現像液の液層を形成することができる。
また、瞬間的に現像液を基板上で拡げることにより、基板Wの表面の全体を現像液で湿潤させることができる。これにより、基板の表面の撥水性が高い場合でも、基板上で現像液が弾かれにくくなる。そのため、少ない量の現像液で容易かつ確実に液層を形成することが可能になる。したがって、コストの削減が可能になるとともに、現像不良の発生を防止することができる。
転保持手段は、基板の回転速度を第1の回転速度から第2の回転速度に上昇させた後の第2の期間に、基板を第2の回転速度よりも低い第3の回転速度で回転させ、現像液供給手段は、第2の期間中に継続的に基板に現像液を供給してもよい。
この場合、基板の回転速度が比較的低い状態で継続的に基板に現像液を供給することにより、遠心力の作用が小さい状態で確実に基板上に現像液の液層を形成することができる。
転保持手段は、第2の期間の後に基板の回転速度を第2の回転速度から段階的に下降させてもよい。
この場合、基板上に現像液の液層が薄く引き延ばされた状態を安定に維持しつつ基板の回転速度を下降させることができる。
像液供給手段は、基板の中心部から周縁部に連続的に現像液を供給した後、基板の周縁部から中心部に連続的に現像液を供給してもよい。
この場合、基板の中心部から周縁部に連続的に現像液が供給されることにより、基板上の全体に現像液が供給され、基板の表面が十分に湿潤した状態になる。続いて、現像液供給手段により基板の周縁部から中心部に連続的に現像液が供給されることにより、基板上に現像液の液層が形成される。
このように、現像液の液層の形成前に、基板の表面を十分に湿潤させることができるので、少ない量の現像液でより確実に現像液の液層を形成することができる。したがって、コストの増大をさらに抑制することが可能になるとともに、より確実に現像不良の発生を防止することができる。
また、現像液の供給位置が基板の中心部と周縁部との間で移動するので、基板上の特定の領域に継続的に現像液が供給される場合に比べて、レジスト膜の反応が偏って進行することが防止される。それにより、現像ムラの発生が抑制され、線幅均一性が向上する。
参考形態に係る現像方法は、基板を略水平に保持しつつ基板に垂直な軸の周りで第1の回転速度で回転させる工程と、第1の回転速度で回転する基板上にリンス液を供給する工程と、基板の回転速度を第1の回転速度から第2の回転速度に上昇させる工程と、基板の回転速度が第1の回転速度から第2の回転速度に上昇する際に基板上に現像液を供給する工程とを備えるものである。
この現像方法においては、基板が略水平に保持されつつ第1の回転速度で回転する状態で、基板の中心部にリンス液が供給される。そのリンス液は、基板上で保持される。
続いて、基板の回転速度が第1の回転速度から第2の回転速度に上昇する。それにより、基板上に保持されるリンス液に遠心力が働き、リンス液が基板上で拡がろうとする。そのとき、基板の中心部に現像液が供給される。供給された現像液は、リンス液とともにあるいは拡がったリンス液上において基板上の全体に瞬間的に拡がる。その後、基板上のリンス液が現像液で置換され、基板上に現像液の液層が形成される。
このように、基板上に保持されたリンス液が遠心力によって拡がる力を利用して、現像液が瞬間的に基板上の全体に拡げられる。それにより、現像液の消費量を抑制しつつ効率よく基板上に現像液の液層を形成することができる。
また、瞬間的に現像液を基板上で拡げることにより、基板Wの表面の全体を現像液で湿潤させることができる。これにより、基板の表面の撥水性が高い場合でも、基板上で現像液が弾かれにくくなる。そのため、少ない量の現像液で容易かつ確実に液層を形成することが可能になる。したがって、コストの削減が可能になるとともに、現像不良の発生を防止することができる。
本発明によれば、現像液の消費量を抑制しつつ効率よく基板上に現像液の液層を形成することができる。また、少ない量の現像液で容易かつ確実に液層を形成することが可能になる。したがって、コストの削減が可能になるとともに、現像不良の発生を防止することができる。
以下、本発明の一実施の形態に係る現像装置および現像方法について図面を用いて説明する。以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等をいう。
(1)現像装置の構成
図1は、現像装置の構成を示す平面図であり、図2は図1の現像装置のQ−Q線断面図である。
図1および図2に示すように、現像装置100は、基板Wを水平姿勢で吸着保持するスピンチャック10を備える。スピンチャック10は、モータ11(図2)の回転軸12の先端部に固定され、鉛直方向の軸の周りで回転可能に構成されている。スピンチャック10の周囲には、基板Wを取り囲むように円形の内側カップ13が上下動自在に設けられている。また、内側カップ13の周囲には、正方形の外側カップ14が設けられている。
図1に示すように、外側カップ14の側方には、待機ポッド15が設けられている。また、外側カップ14および待機ポッド15に並行して延びるようにガイドレール16が設けられている。ガイドレール16に沿って移動可能にアーム駆動部17が設けられている。アーム駆動部17には、水平面内でガイドレール16に垂直な方向に延びるノズルアーム18が取り付けられている。ノズルアーム18はアーム駆動部17により駆動され、ガイドレール16に沿った方向に移動するとともに、上下方向に昇降する。
スピンチャック10に関してガイドレール16と反対側の領域には、洗浄用リンス液として純水を吐出するリンス液吐出ノズル19が矢印R1の方向に回動可能に設けられている。
図2に示すように、ノズルアーム18の先端部には、複数(本例では5つ)の現像液吐出口22を有する現像液ノズル21が設けられている。基板Wの現像処理時には、ノズルアーム18が駆動されることにより、現像液ノズル21が待機ポッド15から基板Wの上方に移動する。
現像液ノズル21は、供給管31を介して現像液供給源G1に接続されている。供給管31には、バルブV1が介挿されている。バルブV1を開くことにより、現像液供給源G1から現像液ノズル21に現像液が供給される。
リンス液吐出ノズル19は、供給管35を介してリンス液供給源G2に接続されている。供給管35には、バルブV2が介挿されている。バルブV2を開くことにより、リンス液供給源G2からリンス液吐出ノズル19にリンス液が供給される。
図3は、現像液ノズル21の概略斜視図である。図3に示すように、現像液ノズル21には、鉛直下方に向けられた5つの現像液吐出口22が幅方向(図1のガイドレール16に平行な方向)に沿って等間隔で設けられている。現像液ノズル21に供給された現像液は現像液吐出口22から吐出される。各現像液吐出口22は、ノズルアーム18の移動に伴いスピンチャック10に保持された基板Wの中心部の上方を通過するように配置されている。
図4は、現像装置100の制御系を示すブロック図である。図4に示すように、現像装置100は制御部50を備える。スピンチャック10、モータ11、アーム駆動部17、リンス液吐出ノズル19およびバルブV1,V2の動作は、制御部50により制御される。
(2)現像装置の動作
次に、現像装置100の動作について説明する。図5は、基板Wの現像処理時における基板Wの回転速度、現像液の流量およびリンス液の流量の変化を示すタイミング図である。本実施の形態では、現像処理の工程が、液層形成工程、現像工程および洗浄工程に分けられる。なお、以下に説明する現像処理は、基板W上に形成されたレジスト膜に露光処理が施された後に行われる。
図5に示すように、液層形成工程の時点t1で、スピンチャック10により例えば20rpmの回転速度で基板Wの回転が開始されるとともに、リンス液吐出ノズル19からのリンス液の吐出が開始される。この場合、リンス液は基板Wの中心部に吐出され、その吐出流量は例えば800ml/minに維持される。
時点t2で、リンス液吐出ノズル19からのリンス液の吐出が停止される。続く時点t3で、基板Wの回転速度が例えば1000rpmに上昇するとともに、現像液ノズル21からの現像液の吐出が開始される。この場合、現像液は基板Wの中心部に吐出され、その吐出流量は例えば400ml/minに維持される。
時点t4で基板Wの回転速度が例えば200rpmに下降し、時点t5で基板Wの回転速度が例えば50rpmに下降する。そして、時点t6で、基板Wの回転が停止される。また、時点t7で、現像液ノズル21からの現像液の吐出が停止される。
この液層形成工程においては、基板W上のレジスト膜を覆うように現像液の液層が形成される。液層形成工程の詳細については後述する。
現像工程の時点t7〜t8の期間には、現像液の供給および基板Wの回転が停止した状態で維持される。この期間に、基板W上に保持された現像液によりレジスト膜のパターン部を除く部分の溶解反応が進行する。
洗浄工程の時点t8〜t9の期間に、スピンチャック10により基板Wが例えば700rpmで回転するとともに、リンス液吐出ノズル19から基板Wにリンス液が供給される。それにより、基板W上の現像液および溶解したレジストが洗い流される。
続いて、時点t9〜t10の期間に、基板Wが高速の例えば2000rpmで回転する。その回転に伴う遠心力により、基板Wに付着するリンス液が振り切られ、基板Wが乾燥される。これにより、基板Wの現像処理が終了する。
(3)液層形成工程
次に、図5〜図7を参照しながら液層形成工程における現像装置100の動作の詳細について説明する。図6および図7は、液層形成工程における基板W上の状態について説明するための模式的平面図および側面図である。
図5の時点t1〜t2の期間において、基板Wの中心部にリンス液が供給される。この期間には、基板Wの回転速度が低いので、基板W上のリンス液に遠心力が働かない。そのため、図6(a)および図6(b)に示すように、基板Wの中心部に供給されたリンス液が、表面張力によってほぼ一定の領域内で保持される。
図5の時点t3で基板Wの回転速度が上昇すると、図6(c)および図6(d)に示すように、基板W上に保持されているリンス液に遠心力が働き、リンス液が基板Wの周縁部に向けて拡がろうとする。そのとき、現像液ノズル21から基板Wの中心部に現像液が供給される。この場合、図6(e)および図6(f)に示すように、基板Wの中心部に供給された現像液が、リンス液とともにあるいは拡がったリンス液上で基板W上の全体に瞬間的に拡がる。
その後、現像液が継続的に供給されることにより、基板W上のリンス液が現像液で置換される。そして、図5の時点t4で基板Wの回転速度が低下すると、基板Wの外方に振り切られる現像液の量が減少し、現像液が基板W上で保持される。それにより、図7(g)および図7(h)に示すように、基板W上に現像液の液層が形成される。
このように、本実施の形態では、基板W上に保持されたリンス液が遠心力によって拡がる力を利用して、現像液が瞬間的に基板W上の全体に拡げられる。それにより、現像液の消費量を抑制しつつ効率よく基板W上に現像液の液層を形成することができる。
また、瞬間的に現像液を基板W上で拡げることにより、基板Wの表面の全体を現像液で湿潤させることができる。これにより、基板Wの表面の濡れ性が良くなる。そのため、基板Wの表面(レジスト膜の表面)の撥水性が高い場合でも、少ない量の現像液で容易かつ確実に液層を形成することが可能になる。したがって、コストの削減が可能になるとともに、現像不良の発生を防止することができる。
また、基板Wを回転させた状態で現像液の液層を形成するので、遠心力によって現像液の液層を薄く引き延ばすことができる。そのため、基板Wを固定した状態で現像液の液層を形成する場合に比べて、現像液の使用量をより抑制することができる。
また、現像液が基板W上に到達する(滴下される)と同時に基板W上の全体に拡げられるので、基板W上の特定の領域においてレジスト膜の反応が偏って進行することが防止される。それにより、現像ムラの発生が抑制され、CD(線幅)均一性が向上する。
また、本実施の形態では、現像液の液層を形成した後、基板Wの回転速度を一時的に低速の50rpmに保持し、その後、基板Wの回転を停止する。このように、基板Wの回転の停止前に基板Wの回転速度を極めて低い状態で一時的に保持することにより、基板W上に現像液の液層が薄く引き延ばされた状態を安定に維持しつつ基板Wの回転を停止することができる。それにより、基板Wへの現像液の供給を停止した状態で、レジスト膜の反応を進行させることができる。したがって、現像液の使用量をより削減することができる。
なお、上記実施の形態では、時点t3において、基板Wの回転速度が上昇すると同時に現像液の吐出が開始されるが、現像液の吐出タイミングは、基板Wと現像液ノズル21との距離または現像液の吐出速度等に応じて時点t3の前後数秒の範囲で適宜変更してもよい。
具体的に、現像液を基板W上で効率良く確実に拡げるためには、基板Wの回転の加速時に現像液が基板W上に到達することが好ましい。したがって、基板Wと現像液ノズル21との距離が遠い場合、または現像液の吐出速度が低い場合には、基板Wの回転速度を上昇させるタイミングよりも僅かに前のタイミングで現像液の吐出を開始することが好ましい。
また、基板Wの回転速度、現像液の流量およびリンス液の流量は、上記の例に限定されず、基板Wの大きさまたは撥水性等の種々の条件に応じて適宜変更してもよい。
例えば、時点t1〜t3の期間においては、リンス液を基板Wの中心部付近の領域に安定に保持するため、基板Wの回転速度を10rpm以上100rpm以下の範囲で調整することが好ましい。なお、時点t1〜t3の期間は請求項における第1の期間に相当し、時点t1〜t3の期間における基板Wの回転速度は請求項における第1の回転速度に相当する。
また、時点t3〜t4の期間においては、リンス液および現像液を確実に基板W上の全体に拡げるため、基板Wの回転速度を500rpm以上1500rpm以下の範囲で調整することが好ましい。時点t3〜t4の期間における基板Wの回転速度は、請求項における第2の回転速度に相当する。
また、時点t4〜t5の期間においては、基板Wの回転速度を100rpm以上500rpm以下の範囲で調整することが好ましい。基板Wの回転速度が高すぎると、基板W上で現像液を保持することができない。一方、基板Wの回転速度が低すぎると、時間効率が悪化する。なお、時点t4〜t5の期間は請求項における第2の期間に相当し、時点t4〜t5の期間における基板Wの回転速度は、請求項における第3の回転速度に相当する。
また、時点t5〜t6の期間においては、基板Wの回転速度を10rpm以上100rpm以下の範囲で調整することが好ましい。基板Wの回転速度が高すぎると、基板W上に現像液の液層を安定に保持しつつ基板Wの回転を停止させることができない。一方、基板Wの回転速度が低すぎると、現像液の液層を薄く引き延ばした状態で維持することができず、表面張力によって現像液が基板W上の一部の領域に集まる可能性がある。
また、現像液の流量は、300ml/min以上600ml/minの範囲で調整することが好ましく、リンス液の流量は、200ml/min以上1200ml/minの範囲で調整することが好ましい。また、現像液の流量およびリンス液の流量は、一定であってもよくタイミングに応じて変化してもよい。
(4)液層形成工程における他の動作例
上記の例では、時点t3〜t7の期間において、現像液ノズル21が基板Wの中心部の上方に位置する状態で継続して現像液を吐出するが、現像液ノズル21が基板Wの上方を移動ししつつ基板Wに現像液を吐出してもよい。
図8は、液層形成工程の時点t3〜t7の期間における他の動作例について説明するための側面図である。
図5の時点t3において、図8(a)に示すように、現像液ノズル21が基板Wの中心部の上方に位置する状態で現像液の吐出を開始する。そして、図5の時点t3〜t4の期間に、図8(b)に示すように、現像液ノズル21が現像液を吐出しつつ基板Wの中心部の上方から周縁部の上方まで移動する。
図5の時点t4〜t5の期間には、図8(c)に示すように、現像液ノズル21が現像液を吐出しつつ基板Wの周縁部の上方から中心部の上方まで移動する。それにより、基板W上に現像液の液層が形成される。
図9は、現像液の液層の形成過程を示す斜視図および側面図である。図9(a)および図9(b)に示すように、基板Wが回転する状態で現像液ノズル21が現像液を吐出しつつ基板Wの周縁部の上方から基板Wの中心部の上方に向かって移動することにより、基板Wの周縁部から中心部に向かって渦巻き状に現像液が供給される。それにより、基板Wの周縁部から中心部に向けて現像液の液層が形成されていく。
このように、現像液ノズル21が移動しながら基板Wに現像液を供給することにより、基板Wの表面の全体をより十分に現像液で湿潤させることができる。それにより、現像液の液層をより容易に形成することが可能になり、現像液の使用量をさらに低減することが可能になる。また、基板W上における現像液の供給位置が移動するので、特定の領域においてレジスト膜の反応が偏って進行することがより確実に防止される。
なお、時点t3〜t5の期間において、現像液ノズル21は、現像液吐出口22が基板Wの上方の領域から外側にはみ出ないように移動することが好ましい。その場合、基板Wの端部を横切るように現像液が供給されることがない。そのため、現像液の飛散を抑制することができる。したがって、現像装置100内の各部に現像液が付着することを防止することができる。
また、現像液ノズル21は、例えば基板Wの直径が300mmである場合に、基板Wの中心部の上方から周縁部の上方までを例えば1〜3秒で移動し、基板Wの周縁部の上方から中心部の上方までを例えば1〜5秒で移動する。
現像液ノズル21の移動速度は、一定であってもよく、移動方向または位置に応じて変化してもよい。例えば、基板Wの周縁部の上方付近における現像液ノズル21の移動速度が、基板Wの中心部の上方付近における現像液ノズル21の移動速度よりも低くてもよい。この場合、面積が大きい基板Wの周縁部の領域にも十分に現像液を供給することができる。
(5)さらに他の動作例
上記の例では、現像処理工程において基板Wの回転を停止しているが、これに限らず、現像処理工程において基板の回転を維持してもよい。その場合、基板Wの回転速度が例えば200rpm以下に調整される。また、その場合、回転する基板Wに継続的に現像液を供給してもよい。
(6)リンス液吐出ノズルの他の例
上記実施の形態では、リンス液吐出ノズル19がスピンチャック10の外方に独立して設けられるが、リンス液吐出ノズル19が現像液ノズル21と一体的に設けられてもよい。図10は、リンス液吐出ノズルの他の例を示す外観斜視図である。
図10の例では、リンス液吐出口32を有するリンス液ノズル19aが、現像液ノズル21とともにノズルアーム18に取り付けられている。このように、現像液ノズル21とリンス液ノズル19aとを一体的に設けることにより、動作制御を簡略化することが可能になるとともに、現像装置100の小型化および省スペース化が可能になる。
(7)請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
上記実施の形態では、スピンチャック10およびモータ11が回転保持手段の例であり、リンス液吐出ノズル19がリンス液供給手段の例であり、現像液ノズル21が現像液供給手段の例である。
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
本発明は、種々の基板の処理に有効に利用することができる。
現像装置の構成を示す平面図である。 図1の現像装置のQ−Q線断面図である。 現像液ノズルの概略斜視図である。 現像装置の制御系を示すブロック図である。 基板の現像処理時における基板の回転速度、現像液の流量およびリンス液の流量の変化を示すタイミング図である。 液層形成工程における基板上の状態について説明するための模式的平面図および側面図である。 液層形成工程における基板上の状態について説明するための模式的平面図および側面図である。 液層形成工程の他の動作例について説明するための側面図である。 現像液の液層の形成過程を示す斜視図および側面図である。 リンス液吐出ノズルの他の例を示す外観斜視図である。
符号の説明
10 スピンチャック
11 モータ
16 ガイドレール
17 アーム駆動部
18 ノズルアーム
19 リンス液吐出ノズル
21 現像液ノズル
22 現像液吐出口
100 現像装置
W 基板

Claims (1)

  1. 基板を略水平に保持しつつ基板に垂直な軸の周りで第1の回転速度で回転させる工程と、
    前記第1の回転速度で回転する基板上にリンス液を供給する工程と、
    基板上に保持されたリンス液が遠心力によって基板上で拡がるように基板の回転速度を前記第1の回転速度から第2の回転速度に上昇させる工程と、
    基板の回転速度が前記第1の回転速度から前記第2の回転速度に上昇する際に、現像液がリンス液とともにあるいは拡がったリンス液上において基板上で拡がるように基板上に現像液を供給する工程とを備えることを特徴とする現像方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5317504B2 (ja) * 2008-03-24 2013-10-16 株式会社Sokudo 現像装置および現像方法
JP5262829B2 (ja) * 2009-02-25 2013-08-14 東京エレクトロン株式会社 現像装置及び現像方法
JP5503435B2 (ja) * 2010-07-02 2014-05-28 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP5615650B2 (ja) 2010-09-28 2014-10-29 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法および基板処理装置
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3280883B2 (ja) * 1996-05-08 2002-05-13 東京エレクトロン株式会社 現像処理方法及び現像処理装置
JPH10339956A (ja) * 1997-06-06 1998-12-22 Nec Kyushu Ltd ウエハのレジスト現像方法
JP3652169B2 (ja) * 1999-04-30 2005-05-25 大日本スクリーン製造株式会社 基板現像装置
JP3605545B2 (ja) * 1999-06-09 2004-12-22 東京エレクトロン株式会社 現像処理方法および現像処理装置
JP3588277B2 (ja) * 1999-07-26 2004-11-10 東京エレクトロン株式会社 基板の現像処理方法
JP3362781B2 (ja) * 2000-02-03 2003-01-07 日本電気株式会社 現像処理方法および装置、現像制御装置、情報記憶媒体
JP2002246288A (ja) * 2001-02-16 2002-08-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品の製造方法およびこれに用いる現像装置
JP4369325B2 (ja) * 2003-12-26 2009-11-18 東京エレクトロン株式会社 現像装置及び現像処理方法
JP4342957B2 (ja) * 2004-01-07 2009-10-14 Necエレクトロニクス株式会社 半導体デバイス製造プロセスにおける現像処理方法およびこれを実施する現像処理装置
JP2006210886A (ja) * 2004-12-28 2006-08-10 Tokyo Electron Ltd 現像処理方法及び現像処理装置
JP4947711B2 (ja) * 2006-04-26 2012-06-06 東京エレクトロン株式会社 現像処理方法、現像処理プログラム、及びそのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体

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