JP3605545B2 - 現像処理方法および現像処理装置 - Google Patents
現像処理方法および現像処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3605545B2 JP3605545B2 JP2000167898A JP2000167898A JP3605545B2 JP 3605545 B2 JP3605545 B2 JP 3605545B2 JP 2000167898 A JP2000167898 A JP 2000167898A JP 2000167898 A JP2000167898 A JP 2000167898A JP 3605545 B2 JP3605545 B2 JP 3605545B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- supply nozzle
- substrate
- developer
- developer supply
- developing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハ等の基板に露光後の現像処理を施す現像処理方法および現像処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイスの製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程のためのレジスト塗布・現像処理システムにおいては、半導体ウエハの表面にレジスト膜を形成するレジスト塗布処理と、レジスト塗布後のウエハに対して露光処理を行った後に当該ウエハを現像する現像処理とが行われており、これらレジスト塗布処理および現像処理は、それぞれこのシステムに搭載されたレジスト塗布処理ユニットおよび現像処理ユニットにより行われる。
【０００３】
現像処理ユニットは、半導体ウエハを吸着保持して回転させるスピンチャックと、スピンチャック上の半導体ウエハに現像液を供給する現像液供給ノズルとを備えている。そして、従来の現像処理ユニットに用いられる現像液供給ノズルとしては、半導体ウエハの直径よりも長い長さの長尺状のノズル本体を有し、その底面に多数の吐出口が一列に整列した状態で形成されたものが用いられている。このような現像液供給ノズルを用いて現像液を半導体ウエハ上に塗布するためには、まず、現像液供給ノズルをスピンチャックに保持されている半導体ウエハの上方の半導体ウエハの直径に重なる位置まで移動させ、その状態で現像液供給ノズル内の空間へ所定圧力で現像液を供給して吐出口から現像液を半導体ウエハに吐出させつつ、半導体ウエハを少なくとも１／２回転させる。これにより、半導体ウエハの全面に均一な現像液パドルを形成する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このようにして現像液を塗布する場合には、半導体ウエハの中心部と周縁部とで回転速度が異なり、中心部は周縁部に比べて回転速度が遅いため、周縁部よりも中心部のほうが現像液供給量が多くなる。その結果、ウエハの中心部と周縁部とで現像処理が均一に進行せず、回路パターンの線幅の均一性が損なわれるおそれがある。
【０００５】
このような半導体ウエハの中心部と周縁部における現像液吐出量の差違を解消するため、現像液供給ノズルを半導体ウエハ上でスキャンさせながら現像液を吐出して半導体ウエハ上に現像液を塗布するスキャン方式が採用されつつある。しかしながら、このスキャン方式では、スキャン開始時と、終了時とで、現像処理が必ずしも均一に進行せず、回路パターンの線幅の均一性が必ずしも十分とはいえない。また、このようなスキャン方式により現像液を供給する場合には、半導体ウエハが円形をなしていることから半導体ウエハの外側の部分にも現像液が供給され、その分の現像液が無駄になってしまう。
【０００６】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、現像処理のばらつきが小さく、線幅の均一性の高い現像処理方法および現像処理装置を提供することを目的とする。また、無駄にする現像液の量を少なくすることができる現像処理方法および現像処理装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の第１の観点によれば、現像液供給ノズルから現像液を帯状に吐出させながら、前記現像液供給ノズルが基板上をスキャンするように前記現像液供給ノズルと基板との間に相対的移動を生じさせることにより、露光後の基板に現像液を塗布して現像処理を行う現像処理方法であって、
前記現像液供給ノズルが基板上を２回以上スキャンするようにして基板上に現像液を塗布し、２回目以降のスキャン時に、そのスキャン前に基板を所定角度回転させることを特徴とする現像処理方法が提供される。
【０００８】
本発明の第２の観点によれば、現像液供給ノズルから現像液を帯状に吐出させながら、前記現像液供給ノズルが基板上をスキャンするように前記現像液供給ノズルと基板との間に相対的移動を生じさせることにより、露光後の基板に現像液を塗布して現像処理を行う現像処理方法であって、
前記現像液供給ノズルが基板上を２回以上スキャンするようにして基板上に現像液を塗布し、２回目以降のスキャン時に、そのスキャン前に前記現像液供給ノズルと基板との間隔が狭くなるように前記現像液供給ノズルおよび基板のうち少なくとも一方を昇降することを特徴とする現像処理方法が提供される。
【０００９】
本発明の第３の観点によれば、現像液供給ノズルから現像液を帯状に吐出させながら、前記現像液供給ノズルが基板上をスキャンするように前記現像液供給ノズルと基板との間に相対的移動を生じさせることにより、露光後の基板に現像液を塗布して現像処理を行う現像処理方法であって、
前記現像液供給ノズルが基板上を２回以上スキャンするようにして基板上に現像液を塗布し、２回目以降のスキャン時に、前記現像液供給ノズルと基板との相対速度を速くすることを特徴とする現像処理方法が提供される。
【００１０】
本発明の第４の観点によれば、現像液供給ノズルから現像液を帯状に吐出させながら、前記現像液供給ノズルが基板上をスキャンするように前記現像液供給ノズルと基板との間に相対的移動を生じさせることにより、露光後の基板に現像液を塗布して現像処理を行う現像処理方法であって、
前記現像液供給ノズルが基板上を２回以上スキャンするようにして基板上に現像液を塗布し、２回目以降のスキャン時に、現像液の吐出量を多くすることを特徴とする現像処理方法が提供される。
【００１１】
本発明の第５の観点によれば、現像液供給ノズルから現像液を帯状に吐出させながら、前記現像液供給ノズルが基板上をスキャンするように前記現像液供給ノズルと基板との間に相対的移動を生じさせることにより、露光後の基板に現像液を塗布して現像処理を行う現像処理方法であって、
前記現像液供給ノズルが基板上を２回以上スキャンするようにして基板上に現像液を塗布し、スキャン中に、基板上に吐出した現像液を加熱することを特徴とする現像処理方法が提供される。
【００１２】
本発明の第６の観点によれば、露光処理後の基板に現像液を塗布して現像処理を行う現像処理装置であって、
基板上に現像液を帯状に吐出する現像液供給ノズルと、
現像液を前記現像液供給ノズルに供給する現像液供給機構と、
前記現像液供給ノズルが基板上をスキャンするように前記現像液供給ノズルと基板との間に相対的移動を生じさせる移動機構と、
前記現像液供給ノズルから現像液を帯状に吐出させながら、前記現像液供給ノズルが基板上を２回以上スキャンするように、前記現像液供給機構から前記現像液供給ノズルへの現像液の供給および前記移動機構による相対的移動を制御する制御機構と、
基板を回転させるための回転機構と、を具備し、
前記制御機構は、前記現像液供給ノズルが基板上に現像液を帯状に吐出しながら、基板上を２回以上スキャンする際、２回目以降のスキャン時に、そのスキャン開始前に基板を所定角度回転するように、前記回転手段を制御することを特徴とする現像処理装置が提供される。
【００１３】
本発明の第７の観点によれば、露光処理後の基板に現像液を塗布して現像処理を行う現像処理装置であって、
基板上に現像液を帯状に吐出する現像液供給ノズルと、
現像液を前記現像液供給ノズルに供給する現像液供給機構と、
前記現像液供給ノズルが基板上をスキャンするように前記現像液供給ノズルと基板との間に相対的移動を生じさせる移動機構と、
前記現像液供給ノズルから現像液を帯状に吐出させながら、前記現像液供給ノズルが基板上を２回以上スキャンするように、前記現像液供給機構から前記現像液供給ノズルへの現像液の供給および前記移動機構による相対的移動を制御する制御機構と、
前記現像液供給ノズルと一体的に設けられ、基板上に吐出された現像液を加熱する加熱機構と、を具備し、
前記加熱機構は、前記現像液供給ノズルとともに基板上をスキャンしながら基板上に吐出された現像液を加熱することを特徴とする現像処理装置が提供される。
【００１４】
本発明によれば、現像液供給ノズルが基板上を２回以上スキャンするようにして基板上に現像液を塗布するので、１回目のスキャンによって基板上に形成された現像液パドルが２回目以降のスキャンの際の現像液吐出によって撹拌される効果を得ることができ、現像処理を均一に行うことができ、線幅の均一性を向上させることができる。
【００１５】
そして、上記第１および第６の観点のように、２回目以降のスキャン時に、そのスキャン前に基板を所定角度回転させることにより、現像液を基板上でより均等にならすことができ、線幅の均一性を一層向上させることができる。
【００１６】
また、上記第２の観点のように、２回目以降のスキャン時に、そのスキャン前に現像液供給ノズルと基板との間隔が狭くなるように現像液供給ノズルおよび基板のうち少なくとも一方を昇降させることにより、２回目以降のスキャン時における現像液の攪拌効果を高めることができる。
【００１７】
さらに、上記第３の観点のように、２回目以降のスキャン時に、現像液供給ノズルと基板との相対速度を早くすることにより、現像液の攪拌効果を高めることができる。
【００１８】
さらにまた、上記第４の観点のように、２回目以降のスキャン時に、現像液の吐出量を多くすることにより、現像液の攪拌効果を高めることができる。
【００１９】
さらにまた、上記第５および第７の観点のように、スキャン中に、基板上に吐出した現像液を加熱することにより、現像液が対流し、この際の攪拌効果により、溶解生成物が現像液に混合されるため、より均一な現像を行うことができる。
【００２０】
この場合に、基板上に現像液を塗布した後、現像液供給ノズルから現像液を吐出させながら、現像液供給ノズルに洗浄液を吹き付けて洗浄するようにしてもよい。なお、現像液供給ノズルと基板との間の相対的移動は典型的には往復移動を採用することができ、また、２回目以降のスキャン時に、現像液の吐出量を減少させ、または吐出させないことにより、現像液の使用量を少なくすることができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
図１は本発明の基板処理装置の一実施形態に係る現像処理ユニットが搭載されたレジスト塗布現像処理システムを示す概略平面図、図２はその正面図、図３はその背面図である。
【００２２】
このレジスト塗布現像処理システム１は、搬送ステーションであるカセットステーション１０と、複数の処理ユニットを有する処理ステーション１１と、処理ステーション１１と隣接して設けられる露光装置（図示せず）との間で被処理体としての半導体ウエハ（以下、単にウエハと記す）を受け渡すためのインターフェイス部１２とを具備している。
【００２３】
上記カセットステーション１０は、ウエハＷを複数枚例えば２５枚単位でウエハカセットＣＲに搭載された状態で他のシステムからこのシステムへ搬入またはこのシステムから他のシステムへ搬出したり、ウエハカセットＣＲと処理ステーション１１との間でウエハＷの搬送を行うためのものである。
【００２４】
このカセットステーション１０においては、図１に示すように、ウエハカセットＣＲを載置する載置台２０上に図中Ｘ方向に沿って複数（図では４個）の位置決め突起２０ａが形成されており、この突起２０ａの位置にウエハカセットＣＲがそれぞれのウエハ出入口を処理ステーション１１側に向けて一列に載置可能となっている。ウエハカセットＣＲにおいてはウエハＷが垂直方向（Ｚ方向）に配列されている。また、カセットステーション１０は、載置台２０と処理ステーション１１との間に位置するウエハ搬送機構２１を有している。このウエハ搬送機構２１は、カセット配列方向（Ｘ方向）およびその中のウエハＷのウエハ配列方向（Ｚ方向）に移動可能なウエハ搬送用アーム２１ａを有しており、このウエハ搬送用アーム２１ａによりいずれかのウエハカセットＣＲに対して選択的にアクセス可能となっている。また、ウエハ搬送用アーム２１ａは、θ方向に回転可能に構成されており、後述する処理ステーション１１側の第３の処理ユニット群Ｇ３に属するアライメントユニット（ＡＬＩＭ）およびエクステンションユニット（ＥＸＴ）にもアクセスできるようになっている。
【００２５】
上記処理ステーション１１は、ウエハＷに対して塗布・現像を行う際の一連の工程を実施するための複数の処理ユニットを備え、これらが所定位置に多段に配置されており、これらによりウエハＷが一枚ずつ処理される。この処理ステーション１１は、図１に示すように、中心部に搬送路２２ａを有し、この中に主ウエハ搬送機構２２が設けられ、搬送路２２ａの周りに全ての処理ユニットが配置されている。これら複数の処理ユニットは、複数の処理ユニット群に分かれており、各処理ユニット群は複数の処理ユニットが鉛直方向に沿って多段に配置されている。
【００２６】
主ウエハ搬送機構２２は、図３に示すように、筒状支持体４９の内側に、ウエハ搬送装置４６を上下方向（Ｚ方向）に昇降自在に装備している。筒状支持体４９はモータ（図示せず）の回転駆動力によって回転可能となっており、それにともなってウエハ搬送装置４６も一体的に回転可能となっている。
【００２７】
ウエハ搬送装置４６は、搬送基台４７の前後方向に移動自在な複数本の保持部材４８を備え、これらの保持部材４８によって各処理ユニット間でのウエハＷの受け渡しを実現している。
【００２８】
また、図１に示すように、この実施の形態においては、４個の処理ユニット群Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４が搬送路２２ａの周囲に実際に配置されており、処理ユニット群Ｇ５は必要に応じて配置可能となっている。
【００２９】
これらのうち、第１および第２の処理ユニット群Ｇ１，Ｇ２はシステム正面（図１において手前）側に並列に配置され、第３の処理ユニット群Ｇ３はカセットステーション１０に隣接して配置され、第４の処理ユニット群Ｇ４はインターフェイス部１２に隣接して配置されている。また、第５の処理ユニット群Ｇ５は背面部に配置可能となっている。
【００３０】
第１の処理ユニット群Ｇ１では、カップＣＰ内でウエハＷをスピンチャック（図示せず）に載置してウエハＷにレジストを塗布するレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）および同様にカップＣＰ内でレジストのパターンを現像する現像ユニット（ＤＥＶ）が下から順に２段に重ねられている。第２の処理ユニット群Ｇ２も同様に、２台のスピナ型処理ユニットとしてレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）および現像ユニット（ＤＥＶ）が下から順に２段に重ねられている。
【００３１】
第３の処理ユニット群Ｇ３においては、図３に示すように、ウエハＷを載置台ＳＰ（図１）に載せて所定の処理を行うオーブン型の処理ユニットが多段に重ねられている。すなわち、レジストの定着性を高めるためのいわゆる疎水化処理を行うアドヒージョンユニット（ＡＤ）、位置合わせを行うアライメントユニット（ＡＬＩＭ）、ウエハＷの搬入出を行うエクステンションユニット（ＥＸＴ）、冷却処理を行うクーリングユニット（ＣＯＬ）、露光処理前や露光処理後、さらには現像処理後にウエハＷに対して加熱処理を行う４つのホットプレートユニット（ＨＰ）が下から順に８段に重ねられている。なお、アライメントユニット（ＡＬＩＭ）の代わりにクーリングユニット（ＣＯＬ）を設け、クーリングユニット（ＣＯＬ）にアライメント機能を持たせてもよい。
【００３２】
第４の処理ユニット群Ｇ４も、オーブン型の処理ユニットが多段に重ねられている。すなわち、クーリングユニット（ＣＯＬ）、クーリングプレートを備えたウエハ搬入出部であるエクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）、エクステンションユニット（ＥＸＴ）、クーリングユニット（ＣＯＬ）、および４つのホットプレートユニット（ＨＰ）が下から順に８段に重ねられている。
【００３３】
主ウエハ搬送機構２２の背部側に第５の処理ユニット群Ｇ５を設ける場合には、案内レール２５に沿って主ウエハ搬送機構２２から見て側方へ移動できるようになっている。したがって、第５の処理ユニット群Ｇ５を設けた場合でも、これを案内レール２５に沿ってスライドすることにより空間部が確保されるので、主ウエハ搬送機構２２に対して背後からメンテナンス作業を容易に行うことができる。
【００３４】
上記インターフェイス部１２は、奥行方向（Ｘ方向）については、処理ステーション１１と同じ長さを有している。図１、図２に示すように、このインターフェイス部１２の正面部には、可搬性のピックアップカセットＣＲと定置型のバッファカセットＢＲが２段に配置され、背面部には周辺露光装置２３が配設され、中央部には、ウエハ搬送機構２４が配設されている。このウエハ搬送機構２４は、ウエハ搬送用アーム２４ａを有しており、このウエハ搬送用アーム２４ａは、Ｘ方向、Ｚ方向に移動して両カセットＣＲ，ＢＲおよび周辺露光装置２３にアクセス可能となっている。また、このウエハ搬送用アーム２４ａは、θ方向に回転可能であり、処理ステーション１１の第４の処理ユニット群Ｇ４に属するエクステンションユニット（ＥＸＴ）や、さらには隣接する露光装置側のウエハ受け渡し台（図示せず）にもアクセス可能となっている。
【００３５】
このようなレジスト塗布現像処理システムにおいては、まず、カセットステーション１０において、ウエハ搬送機構２１のウエハ搬送用アーム２１ａが載置台２０上の未処理のウエハＷを収容しているウエハカセットＣＲにアクセスして、そのウエハカセットＣＲから一枚のウエハＷを取り出し、第３の処理ユニット群Ｇ３のエクステンションユニット（ＥＸＴ）に搬送する。
【００３６】
ウエハＷは、このエクステンションユニット（ＥＸＴ）から、主ウエハ搬送機構２２のウエハ搬送装置４６により、処理ステーション１１に搬入される。そして、第３の処理ユニット群Ｇ３のアライメントユニット（ＡＬＩＭ）によりアライメントされた後、アドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）に搬送され、そこでレジストの定着性を高めるための疎水化処理（ＨＭＤＳ処理）が施される。この処理は加熱を伴うため、その後ウエハＷは、ウエハ搬送装置４６により、クーリングユニット（ＣＯＬ）に搬送されて冷却される。
【００３７】
アドヒージョン処理が終了し、クーリングユニット（ＣＯＬ）で所定の温度に冷却さたウエハＷは、引き続き、ウエハ搬送装置４６によりレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）に搬送され、そこで塗布膜が形成される。塗布処理終了後、ウエハＷは処理ユニット群Ｇ３，Ｇ４のいずれかのホットプレートユニット（ＨＰ）内でプリベーク処理され、その後いずれかのクーリングユニット（ＣＯＬ）にて所定の温度に冷却される。
【００３８】
冷却されたウエハＷは、第３の処理ユニット群Ｇ３のアライメントユニット（ＡＬＩＭ）に搬送され、そこでアライメントされた後、第４の処理ユニット群Ｇ４のエクステンションユニット（ＥＸＴ）を介してインターフェイス部１２に搬送される。
【００３９】
インターフェイス部１２では、余分なレジストを除去するために周辺露光装置２３によりウエハの周縁例えば１ｍｍを露光し、インターフェイス部１２に隣接して設けられた露光装置５０により所定のパターンに従ってウエハＷのレジスト膜に露光処理が施される。
【００４０】
露光後のウエハＷは、再びインターフェイス部１２に戻され、ウエハ搬送機構２４により、第４の処理ユニット群Ｇ４に属するエクステンションユニット（ＥＸＴ）に搬送される。そして、ウエハＷは、ウエハ搬送装置４６により、いずれかのホットプレートユニット（ＨＰ）に搬送されてポストエクスポージャーベーク処理が施され、次いで、クーリングユニット（ＣＯＬ）により所定の温度に冷却される。
【００４１】
その後、ウエハＷは現像ユニット（ＤＥＶ）に搬送され、そこで露光パターンの現像が行われる。現像処理終了後、ウエハＷはいずれかのホットプレートユニット（ＨＰ）に搬送されてポストベーク処理が施され、次いで、クーリングユニット（ＣＯＬ）により所定温度に冷却される。このような一連の処理が終了した後、第３処理ユニット群Ｇ３のエクステンションユニット（ＥＸＴ）を介してカセットステーション１０に戻され、いずれかのウエハカセットＣＲに収容される。
【００４２】
次に、第１実施形態に係る現像処理ユニット（ＤＥＶ）について説明する。図４および図５は、現像処理ユニット（ＤＥＶ）の全体構成を示す略断面図および略平面図である。
【００４３】
この現像処理ユニット（ＤＥＶ）の中央部には環状のカップＣＰが配置され、カップＣＰの内側にはスピンチャック５２が配置されている。スピンチャック５２は真空吸着によってウエハＷを固定保持した状態で駆動モータ５４によって回転駆動される。駆動モータ５４は、ユニット底板５０の開口に昇降移動可能に配置され、たとえばアルミニウムからなるキャップ状のフランジ部材５８を介してたとえばエアシリンダからなる昇降駆動手段６０および昇降ガイド手段６２と結合されている。駆動モータ５４の側面には例えばステンレス鋼（ＳＵＳ）からなる筒状の冷却ジャケット６４が取り付けられ、フランジ部材５８は、この冷却ジャケット６４の上半部を覆うように取り付けられている。
【００４４】
現像液塗布時、フランジ部材５８の下端は、ユニット底板５０の開口の外周付近でユニット底板５０に密着し、これによりユニット内部が密閉される。スピンチャック５２と主ウエハ搬送機構２２との間でウエハＷの受け渡しが行われる時は、昇降駆動機構６０が駆動モータ５４ないしスピンチャック５２を上方へ持ち上げることでフランジ部材５８の下端がユニット底板５０から浮くようになっている。なお、現像処理ユニット（ＤＥＶ）の筐体には、ウエハ保持部材４８が侵入するための窓７０が形成されている。
【００４５】
ウエハＷの表面に現像液を供給するための現像液供給ノズル８６は、長尺状をなしその長手方向を水平にして配置され、現像液供給管８８を介して現像液供給部８９に接続されている。この現像液供給ノズル８６はノズルスキャンアーム９２の先端部に着脱可能に取り付けられている。このスキャンアーム９２は、ユニット底板５０の上に一方向（Ｙ方向）に敷設されたガイドレール９４上で水平移動可能な垂直支持部材９６の上端部に取り付けられており、Ｙ方向駆動機構１１１によって垂直支持部材９６と一体的にＹ方向に移動するようになっている。また、現像液供給ノズル８６は、Ｚ軸駆動機構１１２によって上下方向（Ｚ方向）に移動可能となっている。
【００４６】
現像液供給ノズル８６は、図６に示すように、その下面に複数の吐出口８７を有しており、吐出された現像液が全体として帯状になるようになっている。現像液の塗布の際には、現像液供給ノズル８６から現像液をウエハＷ上に帯状に吐出させながら、Ｙ軸駆動機構１１１によって現像液供給ノズル８６をガイドレール９４に沿って移動させ、ウエハＷ上をスキャンさせる。本実施の形態では、現像液供給ノズル８６がウエハＷ上を２回以上スキャンさせるため、現像液供給ノズル８６が往復移動するようになっている。なお、現像液供給ノズル８６は、現像液を吐出しつつ往復移動するため、どちらの方向からスキャンするときでも、現像液をウエハＷに向けて吐出できるように、ウエハＷに対して垂直に現像液を吐出できるように構成されている。
【００４７】
現像処理ユニット（ＤＥＶ）の駆動系の動作は、制御部１１０によって制御される。すなわち、駆動モータ５４、ならびに、Ｙ軸駆動機構１１１およびＺ軸駆動機構１１２は、制御部１１０の指令により駆動される。また、現像液供給部８９からの現像液の供給も制御部１１０によって制御される。そして、本実施形態では、現像液塗布の際には、現像液供給部８９からの現像液の供給を制御して現像液供給ノズル８６から現像液を吐出させつつ、Ｙ軸駆動機構１１１の動作を制御して現像液供給ノズル８６をＹ軸方向に沿って２回以上スキャンさせる。
【００４８】
現像処理ユニット（ＤＥＶ）は、洗浄液を吐出するためのリンスノズル１０２を有している。このリンスノズル１０２は、ガイドレール９４上をＹ方向に移動自在に設けられたリンスノズルスキャンアーム１０４の先端に取り付けられている。これにより、現像液による現像処理の終了後、ウエハＷ上に移動して、洗浄液をウエハＷに吐出するようになっている。
【００４９】
現像液供給ノズル８６は、ノズル待機部１１５（図５）に待機されるようになっており、この待機部１１５にはノズル８６を洗浄するノズル洗浄機構１２０が設けられている。
【００５０】
次に、このように構成された現像処理ユニット（ＤＥＶ）における現像処理の動作を説明する。
所定のパターンが露光されポストエクスポージャーベーク処理および冷却処理されたウエハＷが、主ウエハ搬送機構２２によってカップＣＰの真上まで搬送され、昇降駆動機構６０によって上昇されたスピンチャック５２に真空吸着される。
【００５１】
次いで、図７の（ａ）に示すように、現像液供給ノズル８６がウエハＷの一方の端部Ａの上方に位置するようにし、この現像液供給ノズル８６から現像液Ｌを帯状に吐出させながらＹ軸駆動機構１１１により現像液供給ノズル８６をウエハＷの他方の端部Ｂの上方位置まで移動させ、１回目のスキャンが終了する。次いで、図７の（ｂ）に示すように、現像液供給ノズル８６から現像液Ｌを帯状に吐出させながらＹ軸駆動機構１１１により現像液供給ノズル８６を端部Ｂの上方位置から端部Ａの上方位置まで移動させ、２回目のスキャンが終了する。このような現像液供給ノズル８６の往復動を所定回数行って現像液供給ノズル８６を２回以上所定回スキャンさせることにより、現像液パドルを形成する。このように、現像液供給ノズル８６を２回以上スキャンさせることにより、１回目のスキャンによってウエハＷ上に形成された現像液パドルが２回目以降のスキャンの際の現像液吐出によって撹拌され、この撹拌効果により現像処理を均一に行うことができ、線幅の均一性を向上させることができる。
【００５２】
この場合に、２回目以降のスキャン時に、現像液供給ノズル８６からの現像液の吐出量を減少させるか、またはスキャン途中のある時期に吐出させないように、制御部１１０で制御してもよい。これにより、線幅の均一性を向上させつつ、現像液吐出量を削減することができる。
【００５３】
また、２回目以降のスキャン時に、そのスキャン開始前にウエハＷを所定角度（３０〜６０°）回転するように（例えば、２回目のスキャン時に、ウエハＷを３０°回転し、３回目のスキャン時に、ウエハＷをさらに３０°回転する）、制御部１１０により駆動モータ５４を制御するようにしてもよい。これにより、現像液をウエハＷ上でより均等にならすことができ、線幅の均一性を一層向上させることができる。
【００５４】
以上のようにして現像液を塗布した後、ウエハＷ上に現像液パドルが形成された状態で所定時間静止されて、自然対流により現像処理が進行される。所定時間経過後、ウエハＷがスピンチャック５２により回転されて現像液が振り切られ、次いでリンスノズル１０２がウエハＷの上方に移動され、リンスノズル１０２から洗浄液が吐出されてウエハＷ上に残存する現像液が洗い流される。
【００５５】
その後、スピンチャック５２が高速で回転され、ウエハＷ上に残存する現像液および洗浄液が吹き飛ばされてウエハＷが乾燥される。これにより、一連の現像処理が終了する。
【００５６】
その後、現像液の撹拌により現像液が付着した現像液供給ノズル８６を待機位置１１５に移動させ、ノズル洗浄機構（ノズルバス）１２０に位置させる。そして、ここで現像液供給ノズル８６の先端に洗浄液を供給して洗浄する。
【００５７】
次に、本実施形態を適用して実際に現像を行った結果について説明する。ここでは、上記図６に示した形状の現像液供給ノズル８６を用い、現像液供給ノズル８６から現像液を吐出しながら、現像液供給ノズル８６をＹ軸駆動機構１１１により複数回にわたりスキャンして、ウエハＷ上に現像液を塗布した。
【００５８】
具体的には、以下の手順で行った。
まず、現像液供給ノズル８６をウエハＷの周縁から５ｍｍ離れた位置に待機させ、現像液供給ノズル８６から現像液のダミーディスペンスを行ない、現像液を０．６８〜２．０Ｌ／ｍｉｎで０．５秒だけ吐出した。
【００５９】
このダミーディスペンスの後、Ｙ軸駆動機構１１１により現像液供給ノズル８６をウエハＷ上でスキャンさせた。この時の移動速度は、２５〜１５０ｍｍ／ｓｅｃとした。
【００６０】
この１回目のスキャン終了後、Ｙ軸駆動機構１１１により現像液供給ノズル８６に２回目のスキャンを行わせた。その後、同様にして現像液供給ノズル８６を３〜４回にわたってスキャンさせた。
【００６１】
これらのスキャン終了後、現像液供給ノズル８６をウエハＷの周縁から５ｍｍ離れた位置に移動させ、０．５秒間のダミーディスペンスを実施した後、現像液の吐出を停止し、その後、ノズル洗浄機構（ノズルバス）１２０に戻した。
【００６２】
実験結果を図８に示す。図８は、スキャン時におけるウエハＷ上の位置と、パターン寸法（すなわち、線幅）との関係を示している。図８から明らかなように、１回目のスキャン時には、ウエハ面内でバラツキが見られ、かつ、スキャン開始時と終了時とでは、パターン寸法（線幅）に大きな差違があるが、スキャン回数が増大するにつれて、バラツキは減少し、かつ、スキャン開始時と終了時におけるパターン寸法（線幅）の差違が小さくなっている。このように、現像液供給ノズル８６を２回以上スキャンすることにより、また、スキャン回数を増大するほど、線幅のばらつきを小さく抑えることができ、線幅の均一性が向上することが確認された。
【００６３】
他の実験結果を図９に示す。図９は、スキャン回数と、線幅の面内レンジおよびクリティカルディメンション（ＣＤ）との関係を示す図である。図９から明らかなように、スキャン回数が増大するにつれて、線幅の面内レンジ（Ｒａｎｇｅ／ｎｍ）が小さくなり、４回目のスキャンでは、実用上の問題の少ない面内レンジに抑えることができることが確認された。また、スキャン回数が増大するにつれて、特に、３回目のスキャン以降には、クリティカルディメンション（ＣＤ）が著しく小さくなり、実用上の問題の少ないクリティカルディメンション（ＣＤ）に抑えることができることが確認された。
【００６４】
なお、本実施形態においては、図１０（ａ）に示すように、現像液供給ノズル８６とウエハＷとの間隔をＤ１（例えば１．５ｍｍ）として１回目のスキャンを行った後、２回目以降のスキャンでは現像液供給ノズル８６を下降させて図１０（ｂ）に示すように、現像液供給ノズル８６とウエハＷとの間隔がＤ１よりも狭いＤ２（例えば０．５ｍｍ）としてスキャンしてもよい。このようにすることで、２回目以降のスキャン時における現像液の攪拌効果を高めることができる。なお、現像液供給ノズル８６を下降させる代わりにウエハＷを上昇させるようにしてもよい。
【００６５】
また、図１１（ａ）、（ｂ）に示すように、現像液供給ノズル８６を回動機構２０１により回動可能な構成として、１回目のスキャンと２回目のスキャンとで現像液供給ノズル８６とウエハＷとの角度を異ならせてもよい。例えば、１回目のスキャンでは回動機構２０１により現像液供給ノズル８６を進行方向後方に傾け、ウエハＷと角度θ１（例えば４５°）をなすようにし（図１１（ａ））、次いで回動機構２０１により現像液供給ノズル８６を２回目のスキャンの進行方向後方に傾け、ウエハＷと角度θ２（例えば１３５°）をなすようにして２回目のスキャンを行ってもよい（図１１（ｂ））。このようにすることによっても、２回目以降のスキャン時における現像液Ｌの攪拌効果を高めることができる。なお、ノズルを回動させる代わりにウエハＷを傾けるようにしてもよい。
【００６６】
さらに、図１２に示すように、現像液供給ノズル８６の移動速度は、１回目のスキャン時に比べて２回目のスキャン時の方が速くなるようにしてもよい。これにより、現像液供給ノズル８６による現像液の攪拌効果を高めることができる。３回以上スキャンする場合には、それ以降さらにスキャン速度を速くした方が好ましい。
【００６７】
さらにまた、図１３に示すように、現像液供給ノズル８６の吐出量は、１回目のスキャン時に比べて２回目のスキャン時の方が多くなるようにしてもよい。これによっても、現像液の攪拌効果を高めることができる。３回以上スキャンする場合には、それ以降さらに吐出量を増やした方が好ましい。
【００６８】
さらにまた、図１４に示すように、現像液供給ノズル８６の１回目のスキャンを行った後、ウエハＷの外側の待機位置２０２で現像液供給ノズル８６を一旦、例えば２〜３秒程度停止し、その後に２回目のスキャンを行うようにしてもよい。このように現像液供給ノズル８６を停止する時間を設けた場合、現像液供給ノズル８６からの液垂れは待機位置２０２で生じる確率が高く、ウエハＷに液垂れするおそれを極めて小さくすることができ、液垂れによるウエハＷの不具合を防止することができる。
【００６９】
さらにまた、図１５に示すように、現像液供給ノズル８６の１回目のスキャンの折り返し位置２０３をウエハＷの一端部上方とし、この折り返し位置２０３で現像液供給ノズル８６を直ぐに折り返して次のスキャンを開始するようにすれば、現像液供給ノズル８６から現像液を連続的に吐出することができ、これにより液垂れの発生を防止することができる。
【００７０】
さらにまた、図１６に示すように、ノズル洗浄機構１２０において現像液供給ノズル８６に向けて洗浄液、例えば純水を噴出する洗浄液噴出機構２０４を設け、洗浄時に現像液供給ノズル８６から現像液Ｌを吐出させながら洗浄液としての純水を噴出させるようにしてもよい。これにより、溶解生成物を強力に除去することができ、さらに洗浄液が現像液供給ノズル８６に逆流することを防止することができる。
【００７１】
さらにまた、図１７に示すように、現像液供給ノズル８６と一体的に加熱機構としてのヒーター２０５を設け、現像液供給ノズル８６からの現像液の吐出およびヒーター２０５からの発熱を行いながら、現像液供給ノズル８６がヒーター２０５に先行するように、現像液供給ノズル８６およびヒーター２０５がウエハＷ上をスキャンするようにしてもよい。このようにすることで現像液供給ノズル８６からウエハＷ上に吐出された現像液Ｌはヒーター２０５によって加熱されて対流し、この際の攪拌効果により、溶解生成物が現像液に混合されるため、より均一に現像を行うことができる。
【００７２】
さらにまた、ウエハＷの裏側にバックリンスノズルを設け、２回目以降のスキャン時には、現像液供給ノズルのスキャンと並行してバックリンスを行うようにしてもよい。
【００７３】
次に、第２実施形態における現像処理ユニット（ＤＥＶ）について説明する。
図１８に示すように、現像液供給ノズル８６から現像液を帯状に吐出させながらウエハＷ上をスキャンさせる場合、ウエハＷの周縁からはみ出した部分（図１８にハッチングで示す部分）では、現像液供給ノズル８６から吐出される現像液が無駄になる。
【００７４】
このようなことから、本実施形態では、図１９および図２０に示すように、内部が複数の隔壁１３１により、複数の現像液貯留室１３０ａ，１３０ｂ，１３０ｃに分割された現像液供給ノズル８６’を用い、各現像液貯留室から複数の吐出口８７’を介して現像液を吐出するようにしている。これらの現像液貯留室うちノズル８６’の中央には現像液貯留室１３０ａが位置し、その両外側に２つの現像液貯留室１３０ｂが位置し、さらにそれらの外側には２つの現像液貯留室１３０ｃが位置しており、中央の現像液貯留室１３０ａは第１ゾーン、中間の現像液貯留室１３０ｂは第２ゾーン、周縁の現像液貯留室１３０ｃは第３ゾーンとなっている。
【００７５】
そして、各ゾーン毎に、現像液供給管が接続されている。すなわち、第１ゾーンの中央の現像液貯留室１３０ａには第１の現像液供給管８８ａが、第２ゾーンの中間の現像液貯留室１３０ｂには第２の現像液供給管８８ｂが、第３ゾーンの周縁の現像液貯留室１３０ｃには、第３の現像液供給管８８ｃがそれぞれ接続されている。また、これら第１ないし第３の現像液供給管８８ａ〜８８ｃには、それぞれ、例えばエアオペレーションバルブからなる開閉弁１３２ａ〜１３２ｃ、および例えば液体マスフローコントローラ（ＬＭＦＣ）からなる流量制御装置１３３ａ〜１３３ｃが介装されている。そして、これら流量制御弁１３２ａ〜１３２ｃおよび流量制御装置１３３ａ〜１３３ｃは、制御部１１０’により制御される。これら現像液供給管８８ａ〜８８ｃは、流量制御装置１３３ａ〜１３３ｃの上流側で１本の供給管８８’になり、現像液供給部８９に接続されている。
【００７６】
このように構成された現像液供給ノズル８６’から現像液を帯状に吐出しながら、このノズル８６’をウエハＷ上でスキャンする場合、スキャン開始直後には、現像液供給ノズル８６の一部がウエハＷの周縁からはみ出す。従来の現像液供給ノズルでは、このはみ出した部分からも現像液が吐出され、その分現像液が無駄になる。
【００７７】
しかし、本実施の形態では、制御部１１０’により、このはみ出した部分に対応するゾーンの開閉弁または流量制御装置を制御して、はみ出した部分に対応するゾーンの現像液貯留室からの現像液を減少させまたは吐出させないようにする。具体的には、スキャン直後は、図２１の（ａ）に示すように、第２ゾーンおよび第３ゾーンがウエハＷからはみ出しているので、制御部１１０’により開閉弁１３２ｂ，１３２ｃを閉にするか、または流量制御装置１３３ｂ，１３３ｃを制御して、第２ゾーンの現像液貯留室１３０ｂおよび第３ゾーンの現像液貯留室１３０ｃからの現像液の吐出を停止するか、または吐出量を減少させ、第１ゾーンに対応する現像液貯留室１３０ａからのみ通常の量の現像液を吐出させる。そして、図２１の（ｂ）に示すように、第３ゾーンのみがウエハＷからはみ出した状態となる位置まで現像液供給ノズル８６’をスキャンさせた際には、第２ゾーンに対応する現像液貯留室１３０ｂからの現像液吐出量を通常状態とし、第３ゾーンの現像液貯留室１３０ｃからの現像液の吐出を停止したまま、または吐出量を減少させたままとする。さらに、図２１の（ｃ）に示すように、第３ゾーンもウエハＷ上に達する位置まで現像液供給ノズル８６’をスキャンさせた際には、全ての現像液貯留室から現像液を通常の量で吐出させる。さらに現像液供給ノズル８６’をスキャンさせると、最初に第３ゾーンがウエハＷからはみ出し、次に第２ゾーンもはみ出すが、この場合にも同様にして第３ゾーンの現像液貯留室１３０ｃまたは／および第２ゾーンの現像液貯留室１３０ｂからの現像液の吐出を停止するか、または吐出量を減少させればよい。
【００７８】
このように、複数の現像液貯留室１３０ａ〜１３０ｃを設けた現像液供給ノズル８６’を用いて、これらを複数のゾーンに分け、現像液貯留室１３０ａ〜１３０ｃからの現像液の吐出量をゾーン毎に制御するので、不要な部分での現像液の無駄を少なくすることができ、結果として全体の現像液消費量を抑制することができる。
【００７９】
この第２の実施形態において、現像液貯留室の個数、およびゾーンの個数は限定されるものではない。この分割数を多くすればより精度の高い制御を行うことができる。また、このように複数の現像液貯留室を有する現像液供給ノズル８６’を用いて、このノズルを第１の実施形態と同様に２回以上スキャンすれば、現像液の消費量を抑制しつつ、線幅の均一性を高めることができる。
【００８０】
なお、本発明は上記２つの実施形態に限定されず、種々の変形が可能である。例えば、現像液供給ノズルは上記のものに限るものではなく、例えば、図２２に示すようにスリット状の現像液吐出口１８７を有する現像液供給ノズル１８６を用いてもよい。
【００８１】
また、上記実施形態では、現像液供給ノズルを基板上でスキャンするようにしたが、現像液供給ノズルを移動させずに基板を移動させて結果的に現像液供給ノズルをスキャンされたのと同様の状態を形成してもよい。さらに、半導体ウエハ用の塗布・現像処理システムに組み込まれた現像ユニットについて説明したが、現像装置単独で用いるものであってもよく、また半導体ウエハ以外の他の被処理基板、例えばＬＣＤ基板用の現像装置にも発明を適用することができる。
【００８２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、現像液供給ノズルが基板上を２回以上スキャンするようにして基板上に現像液を塗布するので、１回目のスキャンによって基板上に形成された現像液パドルが２回目以降のスキャンの際の現像液吐出によって撹拌される効果を得ることができ、現像処理を均一に行うことができ、線幅の均一性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に係る現像処理ユニットが組み込まれた半導体ウエハの塗布現像処理システムの全体構成を示す平面図。
【図２】本発明の実施形態に係る現像処理ユニットが組み込まれた半導体ウエハの塗布現像処理システムの全体構成を示す正面図。
【図３】本発明の実施形態に係る現像処理ユニットが組み込まれた半導体ウエハの塗布現像処理システムの全体構成を示す背面図。
【図４】本発明の第１の実施形態に係る現像処理ユニットの全体構成を示す断面図。
【図５】本発明の第１の実施形態に係る現像処理ユニットを示す平面図。
【図６】本発明の第１の実施形態に係る現像処理ユニットに用いられる現像液供給ノズルを示す斜視図。
【図７】本発明の第１の実施形態に係る現像液供給方法を説明するための模式図。
【図８】現像液供給ノズルをスキャンした際におけるそのウエハ上の位置と、パターン寸法との関係をスキャン回数に応じて示すグラフ。
【図９】現像液供給ノズルのスキャン回数と、線幅の面内レンジおよびクリティカルディメンション（ＣＤ）との関係を示すグラフ。
【図１０】２回目以降のスキャン時に、現像液供給ノズルとウエハとの間隔を狭くした場合における現像液供給ノズルとウエハとの模式的断面図。
【図１１】２回目以降のスキャン時に、現像液供給ノズルと基板とのなす角度を前回とは異なる角度にした場合における現像液供給ノズルとウエハとの模式的断面図。
【図１２】現像液供給ノズルのスキャン形態の他の例を示すグラフ。
【図１３】現像液供給ノズルのスキャン形態のさらに他の例を示すグラフ。
【図１４】２回目以降のスキャン前に、ウエハの外側で現像液供給ノズルの移動を停止した場合における現像処理ユニットを上方から視た模式的平面図。
【図１５】ウエハの一端部で現像液供給ノズルを折り返すようにスキャンさせた場合における現像処理ユニットを上方から視た模式的平面図。
【図１６】洗浄機構で、現像液供給ノズルから現像液を吐出しながら洗浄を行う状態を示す図。
【図１７】現像液供給ノズルから現像液を吐出させるとともに、吐出された現像液を加熱機構で加熱させながら、現像液供給ノズルおよび加熱機構をスキャンさせた場合における現像液供給ノズルと、加熱機構と、ウエハとの模式的断面図。
【図１８】現像液供給ノズルから現像液を吐出させながら現像液供給ノズルをスキャンさせた場合における現像処理ユニットを上方から視た模式的平面図。
【図１９】本発明の第２の実施形態に係る現像液供給ノズルを示す部分断面斜視図。
【図２０】本発明の第２の実施形態に係る現像液供給ノズルおよび供給機構を示す断面図。
【図２１】本発明の第２の実施形態における現像液供給方法を説明するための図。
【図２２】現像液供給ノズルの他の例を示す斜視図。
【符号の説明】
５２；スピンチャック（回転手段）
５４；駆動モータ（回転手段）
８６，８６’；現像液供給ノズル
８８；現像液供給管
８８ａ；第１の現像液供給管
８８ｂ；第２の現像液供給管
８８ｃ；第３の現像液供給管（供給手段）
８９；現像液供給部（現像液供給機構）
１１０，１１０’；制御部（制御機構）
１１１；Ｙ軸駆動機構（移動機構）
１３０ａ，１３０ｂ，１３０ｃ；現像液貯留室
１３１；隔壁
１３２ａ，１３２ｂ，１３２ｃ；開閉弁
１３３ａ，１３３ｂ，１３３ｃ；流量制御装置
ＤＥＶ；現像処理ユニット
Ｗ；半導体ウエハ（基板）
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハ等の基板に露光後の現像処理を施す現像処理方法および現像処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイスの製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程のためのレジスト塗布・現像処理システムにおいては、半導体ウエハの表面にレジスト膜を形成するレジスト塗布処理と、レジスト塗布後のウエハに対して露光処理を行った後に当該ウエハを現像する現像処理とが行われており、これらレジスト塗布処理および現像処理は、それぞれこのシステムに搭載されたレジスト塗布処理ユニットおよび現像処理ユニットにより行われる。
【０００３】
現像処理ユニットは、半導体ウエハを吸着保持して回転させるスピンチャックと、スピンチャック上の半導体ウエハに現像液を供給する現像液供給ノズルとを備えている。そして、従来の現像処理ユニットに用いられる現像液供給ノズルとしては、半導体ウエハの直径よりも長い長さの長尺状のノズル本体を有し、その底面に多数の吐出口が一列に整列した状態で形成されたものが用いられている。このような現像液供給ノズルを用いて現像液を半導体ウエハ上に塗布するためには、まず、現像液供給ノズルをスピンチャックに保持されている半導体ウエハの上方の半導体ウエハの直径に重なる位置まで移動させ、その状態で現像液供給ノズル内の空間へ所定圧力で現像液を供給して吐出口から現像液を半導体ウエハに吐出させつつ、半導体ウエハを少なくとも１／２回転させる。これにより、半導体ウエハの全面に均一な現像液パドルを形成する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このようにして現像液を塗布する場合には、半導体ウエハの中心部と周縁部とで回転速度が異なり、中心部は周縁部に比べて回転速度が遅いため、周縁部よりも中心部のほうが現像液供給量が多くなる。その結果、ウエハの中心部と周縁部とで現像処理が均一に進行せず、回路パターンの線幅の均一性が損なわれるおそれがある。
【０００５】
このような半導体ウエハの中心部と周縁部における現像液吐出量の差違を解消するため、現像液供給ノズルを半導体ウエハ上でスキャンさせながら現像液を吐出して半導体ウエハ上に現像液を塗布するスキャン方式が採用されつつある。しかしながら、このスキャン方式では、スキャン開始時と、終了時とで、現像処理が必ずしも均一に進行せず、回路パターンの線幅の均一性が必ずしも十分とはいえない。また、このようなスキャン方式により現像液を供給する場合には、半導体ウエハが円形をなしていることから半導体ウエハの外側の部分にも現像液が供給され、その分の現像液が無駄になってしまう。
【０００６】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、現像処理のばらつきが小さく、線幅の均一性の高い現像処理方法および現像処理装置を提供することを目的とする。また、無駄にする現像液の量を少なくすることができる現像処理方法および現像処理装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の第１の観点によれば、現像液供給ノズルから現像液を帯状に吐出させながら、前記現像液供給ノズルが基板上をスキャンするように前記現像液供給ノズルと基板との間に相対的移動を生じさせることにより、露光後の基板に現像液を塗布して現像処理を行う現像処理方法であって、
前記現像液供給ノズルが基板上を２回以上スキャンするようにして基板上に現像液を塗布し、２回目以降のスキャン時に、そのスキャン前に基板を所定角度回転させることを特徴とする現像処理方法が提供される。
【０００８】
本発明の第２の観点によれば、現像液供給ノズルから現像液を帯状に吐出させながら、前記現像液供給ノズルが基板上をスキャンするように前記現像液供給ノズルと基板との間に相対的移動を生じさせることにより、露光後の基板に現像液を塗布して現像処理を行う現像処理方法であって、
前記現像液供給ノズルが基板上を２回以上スキャンするようにして基板上に現像液を塗布し、２回目以降のスキャン時に、そのスキャン前に前記現像液供給ノズルと基板との間隔が狭くなるように前記現像液供給ノズルおよび基板のうち少なくとも一方を昇降することを特徴とする現像処理方法が提供される。
【０００９】
本発明の第３の観点によれば、現像液供給ノズルから現像液を帯状に吐出させながら、前記現像液供給ノズルが基板上をスキャンするように前記現像液供給ノズルと基板との間に相対的移動を生じさせることにより、露光後の基板に現像液を塗布して現像処理を行う現像処理方法であって、
前記現像液供給ノズルが基板上を２回以上スキャンするようにして基板上に現像液を塗布し、２回目以降のスキャン時に、前記現像液供給ノズルと基板との相対速度を速くすることを特徴とする現像処理方法が提供される。
【００１０】
本発明の第４の観点によれば、現像液供給ノズルから現像液を帯状に吐出させながら、前記現像液供給ノズルが基板上をスキャンするように前記現像液供給ノズルと基板との間に相対的移動を生じさせることにより、露光後の基板に現像液を塗布して現像処理を行う現像処理方法であって、
前記現像液供給ノズルが基板上を２回以上スキャンするようにして基板上に現像液を塗布し、２回目以降のスキャン時に、現像液の吐出量を多くすることを特徴とする現像処理方法が提供される。
【００１１】
本発明の第５の観点によれば、現像液供給ノズルから現像液を帯状に吐出させながら、前記現像液供給ノズルが基板上をスキャンするように前記現像液供給ノズルと基板との間に相対的移動を生じさせることにより、露光後の基板に現像液を塗布して現像処理を行う現像処理方法であって、
前記現像液供給ノズルが基板上を２回以上スキャンするようにして基板上に現像液を塗布し、スキャン中に、基板上に吐出した現像液を加熱することを特徴とする現像処理方法が提供される。
【００１２】
本発明の第６の観点によれば、露光処理後の基板に現像液を塗布して現像処理を行う現像処理装置であって、
基板上に現像液を帯状に吐出する現像液供給ノズルと、
現像液を前記現像液供給ノズルに供給する現像液供給機構と、
前記現像液供給ノズルが基板上をスキャンするように前記現像液供給ノズルと基板との間に相対的移動を生じさせる移動機構と、
前記現像液供給ノズルから現像液を帯状に吐出させながら、前記現像液供給ノズルが基板上を２回以上スキャンするように、前記現像液供給機構から前記現像液供給ノズルへの現像液の供給および前記移動機構による相対的移動を制御する制御機構と、
基板を回転させるための回転機構と、を具備し、
前記制御機構は、前記現像液供給ノズルが基板上に現像液を帯状に吐出しながら、基板上を２回以上スキャンする際、２回目以降のスキャン時に、そのスキャン開始前に基板を所定角度回転するように、前記回転手段を制御することを特徴とする現像処理装置が提供される。
【００１３】
本発明の第７の観点によれば、露光処理後の基板に現像液を塗布して現像処理を行う現像処理装置であって、
基板上に現像液を帯状に吐出する現像液供給ノズルと、
現像液を前記現像液供給ノズルに供給する現像液供給機構と、
前記現像液供給ノズルが基板上をスキャンするように前記現像液供給ノズルと基板との間に相対的移動を生じさせる移動機構と、
前記現像液供給ノズルから現像液を帯状に吐出させながら、前記現像液供給ノズルが基板上を２回以上スキャンするように、前記現像液供給機構から前記現像液供給ノズルへの現像液の供給および前記移動機構による相対的移動を制御する制御機構と、
前記現像液供給ノズルと一体的に設けられ、基板上に吐出された現像液を加熱する加熱機構と、を具備し、
前記加熱機構は、前記現像液供給ノズルとともに基板上をスキャンしながら基板上に吐出された現像液を加熱することを特徴とする現像処理装置が提供される。
【００１４】
本発明によれば、現像液供給ノズルが基板上を２回以上スキャンするようにして基板上に現像液を塗布するので、１回目のスキャンによって基板上に形成された現像液パドルが２回目以降のスキャンの際の現像液吐出によって撹拌される効果を得ることができ、現像処理を均一に行うことができ、線幅の均一性を向上させることができる。
【００１５】
そして、上記第１および第６の観点のように、２回目以降のスキャン時に、そのスキャン前に基板を所定角度回転させることにより、現像液を基板上でより均等にならすことができ、線幅の均一性を一層向上させることができる。
【００１６】
また、上記第２の観点のように、２回目以降のスキャン時に、そのスキャン前に現像液供給ノズルと基板との間隔が狭くなるように現像液供給ノズルおよび基板のうち少なくとも一方を昇降させることにより、２回目以降のスキャン時における現像液の攪拌効果を高めることができる。
【００１７】
さらに、上記第３の観点のように、２回目以降のスキャン時に、現像液供給ノズルと基板との相対速度を早くすることにより、現像液の攪拌効果を高めることができる。
【００１８】
さらにまた、上記第４の観点のように、２回目以降のスキャン時に、現像液の吐出量を多くすることにより、現像液の攪拌効果を高めることができる。
【００１９】
さらにまた、上記第５および第７の観点のように、スキャン中に、基板上に吐出した現像液を加熱することにより、現像液が対流し、この際の攪拌効果により、溶解生成物が現像液に混合されるため、より均一な現像を行うことができる。
【００２０】
この場合に、基板上に現像液を塗布した後、現像液供給ノズルから現像液を吐出させながら、現像液供給ノズルに洗浄液を吹き付けて洗浄するようにしてもよい。なお、現像液供給ノズルと基板との間の相対的移動は典型的には往復移動を採用することができ、また、２回目以降のスキャン時に、現像液の吐出量を減少させ、または吐出させないことにより、現像液の使用量を少なくすることができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
図１は本発明の基板処理装置の一実施形態に係る現像処理ユニットが搭載されたレジスト塗布現像処理システムを示す概略平面図、図２はその正面図、図３はその背面図である。
【００２２】
このレジスト塗布現像処理システム１は、搬送ステーションであるカセットステーション１０と、複数の処理ユニットを有する処理ステーション１１と、処理ステーション１１と隣接して設けられる露光装置（図示せず）との間で被処理体としての半導体ウエハ（以下、単にウエハと記す）を受け渡すためのインターフェイス部１２とを具備している。
【００２３】
上記カセットステーション１０は、ウエハＷを複数枚例えば２５枚単位でウエハカセットＣＲに搭載された状態で他のシステムからこのシステムへ搬入またはこのシステムから他のシステムへ搬出したり、ウエハカセットＣＲと処理ステーション１１との間でウエハＷの搬送を行うためのものである。
【００２４】
このカセットステーション１０においては、図１に示すように、ウエハカセットＣＲを載置する載置台２０上に図中Ｘ方向に沿って複数（図では４個）の位置決め突起２０ａが形成されており、この突起２０ａの位置にウエハカセットＣＲがそれぞれのウエハ出入口を処理ステーション１１側に向けて一列に載置可能となっている。ウエハカセットＣＲにおいてはウエハＷが垂直方向（Ｚ方向）に配列されている。また、カセットステーション１０は、載置台２０と処理ステーション１１との間に位置するウエハ搬送機構２１を有している。このウエハ搬送機構２１は、カセット配列方向（Ｘ方向）およびその中のウエハＷのウエハ配列方向（Ｚ方向）に移動可能なウエハ搬送用アーム２１ａを有しており、このウエハ搬送用アーム２１ａによりいずれかのウエハカセットＣＲに対して選択的にアクセス可能となっている。また、ウエハ搬送用アーム２１ａは、θ方向に回転可能に構成されており、後述する処理ステーション１１側の第３の処理ユニット群Ｇ３に属するアライメントユニット（ＡＬＩＭ）およびエクステンションユニット（ＥＸＴ）にもアクセスできるようになっている。
【００２５】
上記処理ステーション１１は、ウエハＷに対して塗布・現像を行う際の一連の工程を実施するための複数の処理ユニットを備え、これらが所定位置に多段に配置されており、これらによりウエハＷが一枚ずつ処理される。この処理ステーション１１は、図１に示すように、中心部に搬送路２２ａを有し、この中に主ウエハ搬送機構２２が設けられ、搬送路２２ａの周りに全ての処理ユニットが配置されている。これら複数の処理ユニットは、複数の処理ユニット群に分かれており、各処理ユニット群は複数の処理ユニットが鉛直方向に沿って多段に配置されている。
【００２６】
主ウエハ搬送機構２２は、図３に示すように、筒状支持体４９の内側に、ウエハ搬送装置４６を上下方向（Ｚ方向）に昇降自在に装備している。筒状支持体４９はモータ（図示せず）の回転駆動力によって回転可能となっており、それにともなってウエハ搬送装置４６も一体的に回転可能となっている。
【００２７】
ウエハ搬送装置４６は、搬送基台４７の前後方向に移動自在な複数本の保持部材４８を備え、これらの保持部材４８によって各処理ユニット間でのウエハＷの受け渡しを実現している。
【００２８】
また、図１に示すように、この実施の形態においては、４個の処理ユニット群Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４が搬送路２２ａの周囲に実際に配置されており、処理ユニット群Ｇ５は必要に応じて配置可能となっている。
【００２９】
これらのうち、第１および第２の処理ユニット群Ｇ１，Ｇ２はシステム正面（図１において手前）側に並列に配置され、第３の処理ユニット群Ｇ３はカセットステーション１０に隣接して配置され、第４の処理ユニット群Ｇ４はインターフェイス部１２に隣接して配置されている。また、第５の処理ユニット群Ｇ５は背面部に配置可能となっている。
【００３０】
第１の処理ユニット群Ｇ１では、カップＣＰ内でウエハＷをスピンチャック（図示せず）に載置してウエハＷにレジストを塗布するレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）および同様にカップＣＰ内でレジストのパターンを現像する現像ユニット（ＤＥＶ）が下から順に２段に重ねられている。第２の処理ユニット群Ｇ２も同様に、２台のスピナ型処理ユニットとしてレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）および現像ユニット（ＤＥＶ）が下から順に２段に重ねられている。
【００３１】
第３の処理ユニット群Ｇ３においては、図３に示すように、ウエハＷを載置台ＳＰ（図１）に載せて所定の処理を行うオーブン型の処理ユニットが多段に重ねられている。すなわち、レジストの定着性を高めるためのいわゆる疎水化処理を行うアドヒージョンユニット（ＡＤ）、位置合わせを行うアライメントユニット（ＡＬＩＭ）、ウエハＷの搬入出を行うエクステンションユニット（ＥＸＴ）、冷却処理を行うクーリングユニット（ＣＯＬ）、露光処理前や露光処理後、さらには現像処理後にウエハＷに対して加熱処理を行う４つのホットプレートユニット（ＨＰ）が下から順に８段に重ねられている。なお、アライメントユニット（ＡＬＩＭ）の代わりにクーリングユニット（ＣＯＬ）を設け、クーリングユニット（ＣＯＬ）にアライメント機能を持たせてもよい。
【００３２】
第４の処理ユニット群Ｇ４も、オーブン型の処理ユニットが多段に重ねられている。すなわち、クーリングユニット（ＣＯＬ）、クーリングプレートを備えたウエハ搬入出部であるエクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）、エクステンションユニット（ＥＸＴ）、クーリングユニット（ＣＯＬ）、および４つのホットプレートユニット（ＨＰ）が下から順に８段に重ねられている。
【００３３】
主ウエハ搬送機構２２の背部側に第５の処理ユニット群Ｇ５を設ける場合には、案内レール２５に沿って主ウエハ搬送機構２２から見て側方へ移動できるようになっている。したがって、第５の処理ユニット群Ｇ５を設けた場合でも、これを案内レール２５に沿ってスライドすることにより空間部が確保されるので、主ウエハ搬送機構２２に対して背後からメンテナンス作業を容易に行うことができる。
【００３４】
上記インターフェイス部１２は、奥行方向（Ｘ方向）については、処理ステーション１１と同じ長さを有している。図１、図２に示すように、このインターフェイス部１２の正面部には、可搬性のピックアップカセットＣＲと定置型のバッファカセットＢＲが２段に配置され、背面部には周辺露光装置２３が配設され、中央部には、ウエハ搬送機構２４が配設されている。このウエハ搬送機構２４は、ウエハ搬送用アーム２４ａを有しており、このウエハ搬送用アーム２４ａは、Ｘ方向、Ｚ方向に移動して両カセットＣＲ，ＢＲおよび周辺露光装置２３にアクセス可能となっている。また、このウエハ搬送用アーム２４ａは、θ方向に回転可能であり、処理ステーション１１の第４の処理ユニット群Ｇ４に属するエクステンションユニット（ＥＸＴ）や、さらには隣接する露光装置側のウエハ受け渡し台（図示せず）にもアクセス可能となっている。
【００３５】
このようなレジスト塗布現像処理システムにおいては、まず、カセットステーション１０において、ウエハ搬送機構２１のウエハ搬送用アーム２１ａが載置台２０上の未処理のウエハＷを収容しているウエハカセットＣＲにアクセスして、そのウエハカセットＣＲから一枚のウエハＷを取り出し、第３の処理ユニット群Ｇ３のエクステンションユニット（ＥＸＴ）に搬送する。
【００３６】
ウエハＷは、このエクステンションユニット（ＥＸＴ）から、主ウエハ搬送機構２２のウエハ搬送装置４６により、処理ステーション１１に搬入される。そして、第３の処理ユニット群Ｇ３のアライメントユニット（ＡＬＩＭ）によりアライメントされた後、アドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）に搬送され、そこでレジストの定着性を高めるための疎水化処理（ＨＭＤＳ処理）が施される。この処理は加熱を伴うため、その後ウエハＷは、ウエハ搬送装置４６により、クーリングユニット（ＣＯＬ）に搬送されて冷却される。
【００３７】
アドヒージョン処理が終了し、クーリングユニット（ＣＯＬ）で所定の温度に冷却さたウエハＷは、引き続き、ウエハ搬送装置４６によりレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）に搬送され、そこで塗布膜が形成される。塗布処理終了後、ウエハＷは処理ユニット群Ｇ３，Ｇ４のいずれかのホットプレートユニット（ＨＰ）内でプリベーク処理され、その後いずれかのクーリングユニット（ＣＯＬ）にて所定の温度に冷却される。
【００３８】
冷却されたウエハＷは、第３の処理ユニット群Ｇ３のアライメントユニット（ＡＬＩＭ）に搬送され、そこでアライメントされた後、第４の処理ユニット群Ｇ４のエクステンションユニット（ＥＸＴ）を介してインターフェイス部１２に搬送される。
【００３９】
インターフェイス部１２では、余分なレジストを除去するために周辺露光装置２３によりウエハの周縁例えば１ｍｍを露光し、インターフェイス部１２に隣接して設けられた露光装置５０により所定のパターンに従ってウエハＷのレジスト膜に露光処理が施される。
【００４０】
露光後のウエハＷは、再びインターフェイス部１２に戻され、ウエハ搬送機構２４により、第４の処理ユニット群Ｇ４に属するエクステンションユニット（ＥＸＴ）に搬送される。そして、ウエハＷは、ウエハ搬送装置４６により、いずれかのホットプレートユニット（ＨＰ）に搬送されてポストエクスポージャーベーク処理が施され、次いで、クーリングユニット（ＣＯＬ）により所定の温度に冷却される。
【００４１】
その後、ウエハＷは現像ユニット（ＤＥＶ）に搬送され、そこで露光パターンの現像が行われる。現像処理終了後、ウエハＷはいずれかのホットプレートユニット（ＨＰ）に搬送されてポストベーク処理が施され、次いで、クーリングユニット（ＣＯＬ）により所定温度に冷却される。このような一連の処理が終了した後、第３処理ユニット群Ｇ３のエクステンションユニット（ＥＸＴ）を介してカセットステーション１０に戻され、いずれかのウエハカセットＣＲに収容される。
【００４２】
次に、第１実施形態に係る現像処理ユニット（ＤＥＶ）について説明する。図４および図５は、現像処理ユニット（ＤＥＶ）の全体構成を示す略断面図および略平面図である。
【００４３】
この現像処理ユニット（ＤＥＶ）の中央部には環状のカップＣＰが配置され、カップＣＰの内側にはスピンチャック５２が配置されている。スピンチャック５２は真空吸着によってウエハＷを固定保持した状態で駆動モータ５４によって回転駆動される。駆動モータ５４は、ユニット底板５０の開口に昇降移動可能に配置され、たとえばアルミニウムからなるキャップ状のフランジ部材５８を介してたとえばエアシリンダからなる昇降駆動手段６０および昇降ガイド手段６２と結合されている。駆動モータ５４の側面には例えばステンレス鋼（ＳＵＳ）からなる筒状の冷却ジャケット６４が取り付けられ、フランジ部材５８は、この冷却ジャケット６４の上半部を覆うように取り付けられている。
【００４４】
現像液塗布時、フランジ部材５８の下端は、ユニット底板５０の開口の外周付近でユニット底板５０に密着し、これによりユニット内部が密閉される。スピンチャック５２と主ウエハ搬送機構２２との間でウエハＷの受け渡しが行われる時は、昇降駆動機構６０が駆動モータ５４ないしスピンチャック５２を上方へ持ち上げることでフランジ部材５８の下端がユニット底板５０から浮くようになっている。なお、現像処理ユニット（ＤＥＶ）の筐体には、ウエハ保持部材４８が侵入するための窓７０が形成されている。
【００４５】
ウエハＷの表面に現像液を供給するための現像液供給ノズル８６は、長尺状をなしその長手方向を水平にして配置され、現像液供給管８８を介して現像液供給部８９に接続されている。この現像液供給ノズル８６はノズルスキャンアーム９２の先端部に着脱可能に取り付けられている。このスキャンアーム９２は、ユニット底板５０の上に一方向（Ｙ方向）に敷設されたガイドレール９４上で水平移動可能な垂直支持部材９６の上端部に取り付けられており、Ｙ方向駆動機構１１１によって垂直支持部材９６と一体的にＹ方向に移動するようになっている。また、現像液供給ノズル８６は、Ｚ軸駆動機構１１２によって上下方向（Ｚ方向）に移動可能となっている。
【００４６】
現像液供給ノズル８６は、図６に示すように、その下面に複数の吐出口８７を有しており、吐出された現像液が全体として帯状になるようになっている。現像液の塗布の際には、現像液供給ノズル８６から現像液をウエハＷ上に帯状に吐出させながら、Ｙ軸駆動機構１１１によって現像液供給ノズル８６をガイドレール９４に沿って移動させ、ウエハＷ上をスキャンさせる。本実施の形態では、現像液供給ノズル８６がウエハＷ上を２回以上スキャンさせるため、現像液供給ノズル８６が往復移動するようになっている。なお、現像液供給ノズル８６は、現像液を吐出しつつ往復移動するため、どちらの方向からスキャンするときでも、現像液をウエハＷに向けて吐出できるように、ウエハＷに対して垂直に現像液を吐出できるように構成されている。
【００４７】
現像処理ユニット（ＤＥＶ）の駆動系の動作は、制御部１１０によって制御される。すなわち、駆動モータ５４、ならびに、Ｙ軸駆動機構１１１およびＺ軸駆動機構１１２は、制御部１１０の指令により駆動される。また、現像液供給部８９からの現像液の供給も制御部１１０によって制御される。そして、本実施形態では、現像液塗布の際には、現像液供給部８９からの現像液の供給を制御して現像液供給ノズル８６から現像液を吐出させつつ、Ｙ軸駆動機構１１１の動作を制御して現像液供給ノズル８６をＹ軸方向に沿って２回以上スキャンさせる。
【００４８】
現像処理ユニット（ＤＥＶ）は、洗浄液を吐出するためのリンスノズル１０２を有している。このリンスノズル１０２は、ガイドレール９４上をＹ方向に移動自在に設けられたリンスノズルスキャンアーム１０４の先端に取り付けられている。これにより、現像液による現像処理の終了後、ウエハＷ上に移動して、洗浄液をウエハＷに吐出するようになっている。
【００４９】
現像液供給ノズル８６は、ノズル待機部１１５（図５）に待機されるようになっており、この待機部１１５にはノズル８６を洗浄するノズル洗浄機構１２０が設けられている。
【００５０】
次に、このように構成された現像処理ユニット（ＤＥＶ）における現像処理の動作を説明する。
所定のパターンが露光されポストエクスポージャーベーク処理および冷却処理されたウエハＷが、主ウエハ搬送機構２２によってカップＣＰの真上まで搬送され、昇降駆動機構６０によって上昇されたスピンチャック５２に真空吸着される。
【００５１】
次いで、図７の（ａ）に示すように、現像液供給ノズル８６がウエハＷの一方の端部Ａの上方に位置するようにし、この現像液供給ノズル８６から現像液Ｌを帯状に吐出させながらＹ軸駆動機構１１１により現像液供給ノズル８６をウエハＷの他方の端部Ｂの上方位置まで移動させ、１回目のスキャンが終了する。次いで、図７の（ｂ）に示すように、現像液供給ノズル８６から現像液Ｌを帯状に吐出させながらＹ軸駆動機構１１１により現像液供給ノズル８６を端部Ｂの上方位置から端部Ａの上方位置まで移動させ、２回目のスキャンが終了する。このような現像液供給ノズル８６の往復動を所定回数行って現像液供給ノズル８６を２回以上所定回スキャンさせることにより、現像液パドルを形成する。このように、現像液供給ノズル８６を２回以上スキャンさせることにより、１回目のスキャンによってウエハＷ上に形成された現像液パドルが２回目以降のスキャンの際の現像液吐出によって撹拌され、この撹拌効果により現像処理を均一に行うことができ、線幅の均一性を向上させることができる。
【００５２】
この場合に、２回目以降のスキャン時に、現像液供給ノズル８６からの現像液の吐出量を減少させるか、またはスキャン途中のある時期に吐出させないように、制御部１１０で制御してもよい。これにより、線幅の均一性を向上させつつ、現像液吐出量を削減することができる。
【００５３】
また、２回目以降のスキャン時に、そのスキャン開始前にウエハＷを所定角度（３０〜６０°）回転するように（例えば、２回目のスキャン時に、ウエハＷを３０°回転し、３回目のスキャン時に、ウエハＷをさらに３０°回転する）、制御部１１０により駆動モータ５４を制御するようにしてもよい。これにより、現像液をウエハＷ上でより均等にならすことができ、線幅の均一性を一層向上させることができる。
【００５４】
以上のようにして現像液を塗布した後、ウエハＷ上に現像液パドルが形成された状態で所定時間静止されて、自然対流により現像処理が進行される。所定時間経過後、ウエハＷがスピンチャック５２により回転されて現像液が振り切られ、次いでリンスノズル１０２がウエハＷの上方に移動され、リンスノズル１０２から洗浄液が吐出されてウエハＷ上に残存する現像液が洗い流される。
【００５５】
その後、スピンチャック５２が高速で回転され、ウエハＷ上に残存する現像液および洗浄液が吹き飛ばされてウエハＷが乾燥される。これにより、一連の現像処理が終了する。
【００５６】
その後、現像液の撹拌により現像液が付着した現像液供給ノズル８６を待機位置１１５に移動させ、ノズル洗浄機構（ノズルバス）１２０に位置させる。そして、ここで現像液供給ノズル８６の先端に洗浄液を供給して洗浄する。
【００５７】
次に、本実施形態を適用して実際に現像を行った結果について説明する。ここでは、上記図６に示した形状の現像液供給ノズル８６を用い、現像液供給ノズル８６から現像液を吐出しながら、現像液供給ノズル８６をＹ軸駆動機構１１１により複数回にわたりスキャンして、ウエハＷ上に現像液を塗布した。
【００５８】
具体的には、以下の手順で行った。
まず、現像液供給ノズル８６をウエハＷの周縁から５ｍｍ離れた位置に待機させ、現像液供給ノズル８６から現像液のダミーディスペンスを行ない、現像液を０．６８〜２．０Ｌ／ｍｉｎで０．５秒だけ吐出した。
【００５９】
このダミーディスペンスの後、Ｙ軸駆動機構１１１により現像液供給ノズル８６をウエハＷ上でスキャンさせた。この時の移動速度は、２５〜１５０ｍｍ／ｓｅｃとした。
【００６０】
この１回目のスキャン終了後、Ｙ軸駆動機構１１１により現像液供給ノズル８６に２回目のスキャンを行わせた。その後、同様にして現像液供給ノズル８６を３〜４回にわたってスキャンさせた。
【００６１】
これらのスキャン終了後、現像液供給ノズル８６をウエハＷの周縁から５ｍｍ離れた位置に移動させ、０．５秒間のダミーディスペンスを実施した後、現像液の吐出を停止し、その後、ノズル洗浄機構（ノズルバス）１２０に戻した。
【００６２】
実験結果を図８に示す。図８は、スキャン時におけるウエハＷ上の位置と、パターン寸法（すなわち、線幅）との関係を示している。図８から明らかなように、１回目のスキャン時には、ウエハ面内でバラツキが見られ、かつ、スキャン開始時と終了時とでは、パターン寸法（線幅）に大きな差違があるが、スキャン回数が増大するにつれて、バラツキは減少し、かつ、スキャン開始時と終了時におけるパターン寸法（線幅）の差違が小さくなっている。このように、現像液供給ノズル８６を２回以上スキャンすることにより、また、スキャン回数を増大するほど、線幅のばらつきを小さく抑えることができ、線幅の均一性が向上することが確認された。
【００６３】
他の実験結果を図９に示す。図９は、スキャン回数と、線幅の面内レンジおよびクリティカルディメンション（ＣＤ）との関係を示す図である。図９から明らかなように、スキャン回数が増大するにつれて、線幅の面内レンジ（Ｒａｎｇｅ／ｎｍ）が小さくなり、４回目のスキャンでは、実用上の問題の少ない面内レンジに抑えることができることが確認された。また、スキャン回数が増大するにつれて、特に、３回目のスキャン以降には、クリティカルディメンション（ＣＤ）が著しく小さくなり、実用上の問題の少ないクリティカルディメンション（ＣＤ）に抑えることができることが確認された。
【００６４】
なお、本実施形態においては、図１０（ａ）に示すように、現像液供給ノズル８６とウエハＷとの間隔をＤ１（例えば１．５ｍｍ）として１回目のスキャンを行った後、２回目以降のスキャンでは現像液供給ノズル８６を下降させて図１０（ｂ）に示すように、現像液供給ノズル８６とウエハＷとの間隔がＤ１よりも狭いＤ２（例えば０．５ｍｍ）としてスキャンしてもよい。このようにすることで、２回目以降のスキャン時における現像液の攪拌効果を高めることができる。なお、現像液供給ノズル８６を下降させる代わりにウエハＷを上昇させるようにしてもよい。
【００６５】
また、図１１（ａ）、（ｂ）に示すように、現像液供給ノズル８６を回動機構２０１により回動可能な構成として、１回目のスキャンと２回目のスキャンとで現像液供給ノズル８６とウエハＷとの角度を異ならせてもよい。例えば、１回目のスキャンでは回動機構２０１により現像液供給ノズル８６を進行方向後方に傾け、ウエハＷと角度θ１（例えば４５°）をなすようにし（図１１（ａ））、次いで回動機構２０１により現像液供給ノズル８６を２回目のスキャンの進行方向後方に傾け、ウエハＷと角度θ２（例えば１３５°）をなすようにして２回目のスキャンを行ってもよい（図１１（ｂ））。このようにすることによっても、２回目以降のスキャン時における現像液Ｌの攪拌効果を高めることができる。なお、ノズルを回動させる代わりにウエハＷを傾けるようにしてもよい。
【００６６】
さらに、図１２に示すように、現像液供給ノズル８６の移動速度は、１回目のスキャン時に比べて２回目のスキャン時の方が速くなるようにしてもよい。これにより、現像液供給ノズル８６による現像液の攪拌効果を高めることができる。３回以上スキャンする場合には、それ以降さらにスキャン速度を速くした方が好ましい。
【００６７】
さらにまた、図１３に示すように、現像液供給ノズル８６の吐出量は、１回目のスキャン時に比べて２回目のスキャン時の方が多くなるようにしてもよい。これによっても、現像液の攪拌効果を高めることができる。３回以上スキャンする場合には、それ以降さらに吐出量を増やした方が好ましい。
【００６８】
さらにまた、図１４に示すように、現像液供給ノズル８６の１回目のスキャンを行った後、ウエハＷの外側の待機位置２０２で現像液供給ノズル８６を一旦、例えば２〜３秒程度停止し、その後に２回目のスキャンを行うようにしてもよい。このように現像液供給ノズル８６を停止する時間を設けた場合、現像液供給ノズル８６からの液垂れは待機位置２０２で生じる確率が高く、ウエハＷに液垂れするおそれを極めて小さくすることができ、液垂れによるウエハＷの不具合を防止することができる。
【００６９】
さらにまた、図１５に示すように、現像液供給ノズル８６の１回目のスキャンの折り返し位置２０３をウエハＷの一端部上方とし、この折り返し位置２０３で現像液供給ノズル８６を直ぐに折り返して次のスキャンを開始するようにすれば、現像液供給ノズル８６から現像液を連続的に吐出することができ、これにより液垂れの発生を防止することができる。
【００７０】
さらにまた、図１６に示すように、ノズル洗浄機構１２０において現像液供給ノズル８６に向けて洗浄液、例えば純水を噴出する洗浄液噴出機構２０４を設け、洗浄時に現像液供給ノズル８６から現像液Ｌを吐出させながら洗浄液としての純水を噴出させるようにしてもよい。これにより、溶解生成物を強力に除去することができ、さらに洗浄液が現像液供給ノズル８６に逆流することを防止することができる。
【００７１】
さらにまた、図１７に示すように、現像液供給ノズル８６と一体的に加熱機構としてのヒーター２０５を設け、現像液供給ノズル８６からの現像液の吐出およびヒーター２０５からの発熱を行いながら、現像液供給ノズル８６がヒーター２０５に先行するように、現像液供給ノズル８６およびヒーター２０５がウエハＷ上をスキャンするようにしてもよい。このようにすることで現像液供給ノズル８６からウエハＷ上に吐出された現像液Ｌはヒーター２０５によって加熱されて対流し、この際の攪拌効果により、溶解生成物が現像液に混合されるため、より均一に現像を行うことができる。
【００７２】
さらにまた、ウエハＷの裏側にバックリンスノズルを設け、２回目以降のスキャン時には、現像液供給ノズルのスキャンと並行してバックリンスを行うようにしてもよい。
【００７３】
次に、第２実施形態における現像処理ユニット（ＤＥＶ）について説明する。
図１８に示すように、現像液供給ノズル８６から現像液を帯状に吐出させながらウエハＷ上をスキャンさせる場合、ウエハＷの周縁からはみ出した部分（図１８にハッチングで示す部分）では、現像液供給ノズル８６から吐出される現像液が無駄になる。
【００７４】
このようなことから、本実施形態では、図１９および図２０に示すように、内部が複数の隔壁１３１により、複数の現像液貯留室１３０ａ，１３０ｂ，１３０ｃに分割された現像液供給ノズル８６’を用い、各現像液貯留室から複数の吐出口８７’を介して現像液を吐出するようにしている。これらの現像液貯留室うちノズル８６’の中央には現像液貯留室１３０ａが位置し、その両外側に２つの現像液貯留室１３０ｂが位置し、さらにそれらの外側には２つの現像液貯留室１３０ｃが位置しており、中央の現像液貯留室１３０ａは第１ゾーン、中間の現像液貯留室１３０ｂは第２ゾーン、周縁の現像液貯留室１３０ｃは第３ゾーンとなっている。
【００７５】
そして、各ゾーン毎に、現像液供給管が接続されている。すなわち、第１ゾーンの中央の現像液貯留室１３０ａには第１の現像液供給管８８ａが、第２ゾーンの中間の現像液貯留室１３０ｂには第２の現像液供給管８８ｂが、第３ゾーンの周縁の現像液貯留室１３０ｃには、第３の現像液供給管８８ｃがそれぞれ接続されている。また、これら第１ないし第３の現像液供給管８８ａ〜８８ｃには、それぞれ、例えばエアオペレーションバルブからなる開閉弁１３２ａ〜１３２ｃ、および例えば液体マスフローコントローラ（ＬＭＦＣ）からなる流量制御装置１３３ａ〜１３３ｃが介装されている。そして、これら流量制御弁１３２ａ〜１３２ｃおよび流量制御装置１３３ａ〜１３３ｃは、制御部１１０’により制御される。これら現像液供給管８８ａ〜８８ｃは、流量制御装置１３３ａ〜１３３ｃの上流側で１本の供給管８８’になり、現像液供給部８９に接続されている。
【００７６】
このように構成された現像液供給ノズル８６’から現像液を帯状に吐出しながら、このノズル８６’をウエハＷ上でスキャンする場合、スキャン開始直後には、現像液供給ノズル８６の一部がウエハＷの周縁からはみ出す。従来の現像液供給ノズルでは、このはみ出した部分からも現像液が吐出され、その分現像液が無駄になる。
【００７７】
しかし、本実施の形態では、制御部１１０’により、このはみ出した部分に対応するゾーンの開閉弁または流量制御装置を制御して、はみ出した部分に対応するゾーンの現像液貯留室からの現像液を減少させまたは吐出させないようにする。具体的には、スキャン直後は、図２１の（ａ）に示すように、第２ゾーンおよび第３ゾーンがウエハＷからはみ出しているので、制御部１１０’により開閉弁１３２ｂ，１３２ｃを閉にするか、または流量制御装置１３３ｂ，１３３ｃを制御して、第２ゾーンの現像液貯留室１３０ｂおよび第３ゾーンの現像液貯留室１３０ｃからの現像液の吐出を停止するか、または吐出量を減少させ、第１ゾーンに対応する現像液貯留室１３０ａからのみ通常の量の現像液を吐出させる。そして、図２１の（ｂ）に示すように、第３ゾーンのみがウエハＷからはみ出した状態となる位置まで現像液供給ノズル８６’をスキャンさせた際には、第２ゾーンに対応する現像液貯留室１３０ｂからの現像液吐出量を通常状態とし、第３ゾーンの現像液貯留室１３０ｃからの現像液の吐出を停止したまま、または吐出量を減少させたままとする。さらに、図２１の（ｃ）に示すように、第３ゾーンもウエハＷ上に達する位置まで現像液供給ノズル８６’をスキャンさせた際には、全ての現像液貯留室から現像液を通常の量で吐出させる。さらに現像液供給ノズル８６’をスキャンさせると、最初に第３ゾーンがウエハＷからはみ出し、次に第２ゾーンもはみ出すが、この場合にも同様にして第３ゾーンの現像液貯留室１３０ｃまたは／および第２ゾーンの現像液貯留室１３０ｂからの現像液の吐出を停止するか、または吐出量を減少させればよい。
【００７８】
このように、複数の現像液貯留室１３０ａ〜１３０ｃを設けた現像液供給ノズル８６’を用いて、これらを複数のゾーンに分け、現像液貯留室１３０ａ〜１３０ｃからの現像液の吐出量をゾーン毎に制御するので、不要な部分での現像液の無駄を少なくすることができ、結果として全体の現像液消費量を抑制することができる。
【００７９】
この第２の実施形態において、現像液貯留室の個数、およびゾーンの個数は限定されるものではない。この分割数を多くすればより精度の高い制御を行うことができる。また、このように複数の現像液貯留室を有する現像液供給ノズル８６’を用いて、このノズルを第１の実施形態と同様に２回以上スキャンすれば、現像液の消費量を抑制しつつ、線幅の均一性を高めることができる。
【００８０】
なお、本発明は上記２つの実施形態に限定されず、種々の変形が可能である。例えば、現像液供給ノズルは上記のものに限るものではなく、例えば、図２２に示すようにスリット状の現像液吐出口１８７を有する現像液供給ノズル１８６を用いてもよい。
【００８１】
また、上記実施形態では、現像液供給ノズルを基板上でスキャンするようにしたが、現像液供給ノズルを移動させずに基板を移動させて結果的に現像液供給ノズルをスキャンされたのと同様の状態を形成してもよい。さらに、半導体ウエハ用の塗布・現像処理システムに組み込まれた現像ユニットについて説明したが、現像装置単独で用いるものであってもよく、また半導体ウエハ以外の他の被処理基板、例えばＬＣＤ基板用の現像装置にも発明を適用することができる。
【００８２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、現像液供給ノズルが基板上を２回以上スキャンするようにして基板上に現像液を塗布するので、１回目のスキャンによって基板上に形成された現像液パドルが２回目以降のスキャンの際の現像液吐出によって撹拌される効果を得ることができ、現像処理を均一に行うことができ、線幅の均一性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に係る現像処理ユニットが組み込まれた半導体ウエハの塗布現像処理システムの全体構成を示す平面図。
【図２】本発明の実施形態に係る現像処理ユニットが組み込まれた半導体ウエハの塗布現像処理システムの全体構成を示す正面図。
【図３】本発明の実施形態に係る現像処理ユニットが組み込まれた半導体ウエハの塗布現像処理システムの全体構成を示す背面図。
【図４】本発明の第１の実施形態に係る現像処理ユニットの全体構成を示す断面図。
【図５】本発明の第１の実施形態に係る現像処理ユニットを示す平面図。
【図６】本発明の第１の実施形態に係る現像処理ユニットに用いられる現像液供給ノズルを示す斜視図。
【図７】本発明の第１の実施形態に係る現像液供給方法を説明するための模式図。
【図８】現像液供給ノズルをスキャンした際におけるそのウエハ上の位置と、パターン寸法との関係をスキャン回数に応じて示すグラフ。
【図９】現像液供給ノズルのスキャン回数と、線幅の面内レンジおよびクリティカルディメンション（ＣＤ）との関係を示すグラフ。
【図１０】２回目以降のスキャン時に、現像液供給ノズルとウエハとの間隔を狭くした場合における現像液供給ノズルとウエハとの模式的断面図。
【図１１】２回目以降のスキャン時に、現像液供給ノズルと基板とのなす角度を前回とは異なる角度にした場合における現像液供給ノズルとウエハとの模式的断面図。
【図１２】現像液供給ノズルのスキャン形態の他の例を示すグラフ。
【図１３】現像液供給ノズルのスキャン形態のさらに他の例を示すグラフ。
【図１４】２回目以降のスキャン前に、ウエハの外側で現像液供給ノズルの移動を停止した場合における現像処理ユニットを上方から視た模式的平面図。
【図１５】ウエハの一端部で現像液供給ノズルを折り返すようにスキャンさせた場合における現像処理ユニットを上方から視た模式的平面図。
【図１６】洗浄機構で、現像液供給ノズルから現像液を吐出しながら洗浄を行う状態を示す図。
【図１７】現像液供給ノズルから現像液を吐出させるとともに、吐出された現像液を加熱機構で加熱させながら、現像液供給ノズルおよび加熱機構をスキャンさせた場合における現像液供給ノズルと、加熱機構と、ウエハとの模式的断面図。
【図１８】現像液供給ノズルから現像液を吐出させながら現像液供給ノズルをスキャンさせた場合における現像処理ユニットを上方から視た模式的平面図。
【図１９】本発明の第２の実施形態に係る現像液供給ノズルを示す部分断面斜視図。
【図２０】本発明の第２の実施形態に係る現像液供給ノズルおよび供給機構を示す断面図。
【図２１】本発明の第２の実施形態における現像液供給方法を説明するための図。
【図２２】現像液供給ノズルの他の例を示す斜視図。
【符号の説明】
５２；スピンチャック（回転手段）
５４；駆動モータ（回転手段）
８６，８６’；現像液供給ノズル
８８；現像液供給管
８８ａ；第１の現像液供給管
８８ｂ；第２の現像液供給管
８８ｃ；第３の現像液供給管（供給手段）
８９；現像液供給部（現像液供給機構）
１１０，１１０’；制御部（制御機構）
１１１；Ｙ軸駆動機構（移動機構）
１３０ａ，１３０ｂ，１３０ｃ；現像液貯留室
１３１；隔壁
１３２ａ，１３２ｂ，１３２ｃ；開閉弁
１３３ａ，１３３ｂ，１３３ｃ；流量制御装置
ＤＥＶ；現像処理ユニット
Ｗ；半導体ウエハ（基板）
Claims (9)
- 現像液供給ノズルから現像液を帯状に吐出させながら、前記現像液供給ノズルが基板上をスキャンするように前記現像液供給ノズルと基板との間に相対的移動を生じさせることにより、露光後の基板に現像液を塗布して現像処理を行う現像処理方法であって、
前記現像液供給ノズルが基板上を２回以上スキャンするようにして基板上に現像液を塗布し、２回目以降のスキャン時に、そのスキャン前に基板を所定角度回転させることを特徴とする現像処理方法。 - 現像液供給ノズルから現像液を帯状に吐出させながら、前記現像液供給ノズルが基板上をスキャンするように前記現像液供給ノズルと基板との間に相対的移動を生じさせることにより、露光後の基板に現像液を塗布して現像処理を行う現像処理方法であって、
前記現像液供給ノズルが基板上を２回以上スキャンするようにして基板上に現像液を塗布し、２回目以降のスキャン時に、そのスキャン前に前記現像液供給ノズルと基板との間隔が狭くなるように前記現像液供給ノズルおよび基板のうち少なくとも一方を昇降することを特徴とする現像処理方法。 - 現像液供給ノズルから現像液を帯状に吐出させながら、前記現像液供給ノズルが基板上をスキャンするように前記現像液供給ノズルと基板との間に相対的移動を生じさせることにより、露光後の基板に現像液を塗布して現像処理を行う現像処理方法であって、
前記現像液供給ノズルが基板上を２回以上スキャンするようにして基板上に現像液を塗布し、２回目以降のスキャン時に、前記現像液供給ノズルと基板との相対速度を速くすることを特徴とする現像処理方法。 - 現像液供給ノズルから現像液を帯状に吐出させながら、前記現像液供給ノズルが基板上をスキャンするように前記現像液供給ノズルと基板との間に相対的移動を生じさせることにより、露光後の基板に現像液を塗布して現像処理を行う現像処理方法であって、
前記現像液供給ノズルが基板上を２回以上スキャンするようにして基板上に現像液を塗布し、２回目以降のスキャン時に、現像液の吐出量を多くすることを特徴とする現像処理方法。 - 基板上に現像液を塗布した後、前記現像液供給ノズルから現像液を吐出させながら、前記現像液供給ノズルに洗浄液を吹き付けて洗浄することを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の現像処理方法。
- 現像液供給ノズルから現像液を帯状に吐出させながら、前記現像液供給ノズルが基板上をスキャンするように前記現像液供給ノズルと基板との間に相対的移動を生じさせることにより、露光後の基板に現像液を塗布して現像処理を行う現像処理方法であって、
前記現像液供給ノズルが基板上を２回以上スキャンするようにして基板上に現像液を塗布し、スキャン中に、基板上に吐出した現像液を加熱することを特徴とする現像処理方法。 - 露光処理後の基板に現像液を塗布して現像処理を行う現像処理装置であって、
基板上に現像液を帯状に吐出する現像液供給ノズルと、
現像液を前記現像液供給ノズルに供給する現像液供給機構と、
前記現像液供給ノズルが基板上をスキャンするように前記現像液供給ノズルと基板との間に相対的移動を生じさせる移動機構と、
前記現像液供給ノズルから現像液を帯状に吐出させながら、前記現像液供給ノズルが基板上を２回以上スキャンするように、前記現像液供給機構から前記現像液供給ノズルへの現像液の供給および前記移動機構による相対的移動を制御する制御機構と、
基板を回転させるための回転機構と、を具備し、
前記制御機構は、前記現像液供給ノズルが基板上に現像液を帯状に吐出しながら、基板上を２回以上スキャンする際、２回目以降のスキャン時に、そのスキャン開始前に基板を所定角度回転するように、前記回転手段を制御することを特徴とする現像処理装置。 - 前記現像液供給ノズルに洗浄液を吹き付けて洗浄する洗浄液機構をさらに具備し、
前記洗浄機構は、前記現像液供給ノズルから現像液を吐出しながら洗浄を行うことを特徴とする請求項７に記載の現像処理装置。 - 露光処理後の基板に現像液を塗布して現像処理を行う現像処理装置であって、
基板上に現像液を帯状に吐出する現像液供給ノズルと、
現像液を前記現像液供給ノズルに供給する現像液供給機構と、
前記現像液供給ノズルが基板上をスキャンするように前記現像液供給ノズルと基板との間に相対的移動を生じさせる移動機構と、
前記現像液供給ノズルから現像液を帯状に吐出させながら、前記現像液供給ノズルが基板上を２回以上スキャンするように、前記現像液供給機構から前記現像液供給ノズルへの現像液の供給および前記移動機構による相対的移動を制御する制御機構と、
前記現像液供給ノズルと一体的に設けられ、基板上に吐出された現像液を加熱する加熱機構と、を具備し、
前記加熱機構は、前記現像液供給ノズルとともに基板上をスキャンしながら基板上に吐出された現像液を加熱することを特徴とする現像処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000167898A JP3605545B2 (ja) | 1999-06-09 | 2000-06-05 | 現像処理方法および現像処理装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11-162563 | 1999-06-09 | ||
| JP16256399 | 1999-06-09 | ||
| JP2000167898A JP3605545B2 (ja) | 1999-06-09 | 2000-06-05 | 現像処理方法および現像処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001057334A JP2001057334A (ja) | 2001-02-27 |
| JP3605545B2 true JP3605545B2 (ja) | 2004-12-22 |
Family
ID=26488312
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000167898A Expired - Fee Related JP3605545B2 (ja) | 1999-06-09 | 2000-06-05 | 現像処理方法および現像処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3605545B2 (ja) |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3526266B2 (ja) * | 2000-10-12 | 2004-05-10 | 沖電気工業株式会社 | フォトレジスト現像ノズル、フォトレジスト現像装置、およびフォトレジスト現像方法 |
| JP3792144B2 (ja) * | 2001-07-11 | 2006-07-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置 |
| KR100485755B1 (ko) * | 2002-04-16 | 2005-04-27 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치용 4 마스크 어레이 기판의 제조방법 |
| JP4619162B2 (ja) * | 2005-03-18 | 2011-01-26 | シグマメルテック株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| JP4684858B2 (ja) | 2005-11-10 | 2011-05-18 | 東京エレクトロン株式会社 | リンス処理方法、現像処理方法、現像処理装置、制御プログラムおよびコンピュータ読取可能な記憶媒体 |
| JP2008186983A (ja) * | 2007-01-30 | 2008-08-14 | Shinka Jitsugyo Kk | 現像装置および現像ノズルの洗浄方法 |
| JP5006122B2 (ja) | 2007-06-29 | 2012-08-22 | 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ | 基板処理装置 |
| KR101259752B1 (ko) | 2007-09-13 | 2013-04-30 | 삼성전자주식회사 | 마스크 제조방법 |
| JP5449662B2 (ja) * | 2007-10-18 | 2014-03-19 | 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ | 現像装置 |
| JP5128918B2 (ja) | 2007-11-30 | 2013-01-23 | 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ | 基板処理装置 |
| JP5308045B2 (ja) * | 2008-03-24 | 2013-10-09 | 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ | 現像方法 |
| KR101075287B1 (ko) * | 2008-03-24 | 2011-10-19 | 가부시키가이샤 소쿠도 | 현상장치 및 현상방법 |
| JP4900397B2 (ja) * | 2009-01-29 | 2012-03-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置 |
| JP4846008B2 (ja) * | 2009-09-01 | 2011-12-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像処理装置及び現像処理方法 |
| JP2012169475A (ja) * | 2011-02-15 | 2012-09-06 | Toshiba Corp | インプリント装置および半導体基板の製造方法 |
| JP5580779B2 (ja) * | 2011-05-10 | 2014-08-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像処理装置、現像処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
| JP5668120B2 (ja) * | 2013-10-01 | 2015-02-12 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎセミコンダクターソリューションズ | 現像装置 |
| JP6231956B2 (ja) * | 2014-08-11 | 2017-11-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
| JP6475487B2 (ja) * | 2014-12-15 | 2019-02-27 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎセミコンダクターソリューションズ | 現像方法 |
| CN112650032A (zh) * | 2020-12-25 | 2021-04-13 | 上海华力微电子有限公司 | 一种改善光刻显影t型缺陷的方法 |
| JP2023043964A (ja) * | 2021-09-17 | 2023-03-30 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板塗布装置および基板塗布方法 |
| CN115701858A (zh) * | 2023-01-10 | 2023-02-14 | 广州粤芯半导体技术有限公司 | 改善线性扫描喷头显影均匀性的方法 |
-
2000
- 2000-06-05 JP JP2000167898A patent/JP3605545B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2001057334A (ja) | 2001-02-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3605545B2 (ja) | 現像処理方法および現像処理装置 | |
| KR100611731B1 (ko) | 현상처리방법 및 현상처리장치 | |
| KR100604024B1 (ko) | 도포막 형성방법 및 도포장치 | |
| KR101443945B1 (ko) | 도포 처리 방법 | |
| US6332723B1 (en) | Substrate processing apparatus and method | |
| JP3616275B2 (ja) | 液処理装置、それに用いる処理液供給ノズル、および液処理方法 | |
| KR100873720B1 (ko) | 현상처리방법 및 현상처리장치 | |
| JPH11260718A (ja) | 現像処理方法および現像処理装置 | |
| JP3625752B2 (ja) | 液処理装置 | |
| JP3704059B2 (ja) | 現像処理方法及び現像処理装置 | |
| JPH1116830A (ja) | 現像装置、現像方法および基板処理装置 | |
| JP3843200B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
| JP2003045788A (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
| JP3479613B2 (ja) | 現像処理方法および現像処理装置 | |
| JP3490315B2 (ja) | 現像処理方法および現像処理装置 | |
| KR20020075295A (ko) | 기판 도포장치 및 기판 도포방법 | |
| JP3721320B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
| KR100637952B1 (ko) | 도포막 형성방법 및 도포장치 | |
| JP3479602B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| JP2000292935A (ja) | 現像方法 | |
| JP3576835B2 (ja) | 薬液供給システムおよび基板処理システム、ならびに液処理方法 | |
| JP2001319870A (ja) | 液処理方法 | |
| JP2001044100A (ja) | 基板の現像処理方法 | |
| JP2001203138A (ja) | 流体加熱装置および処理液吐出機構 | |
| JP3629380B2 (ja) | 塗布処理システムおよび塗布処理方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040330 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040608 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040806 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040914 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20041004 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071008 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101008 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131008 Year of fee payment: 9 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |