KR101443945B1 - 도포 처리 방법 - Google Patents

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KR101443945B1
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

본 발명의 과제는 보다 적은 공급량으로, 레지스트액 등의 도포액을 웨이퍼 전체면에 효율적으로 도포할 수 있어, 레지스트액 등의 도포액의 소비량을 삭감할 수 있는 도포 처리 방법을 제공하는 것이다.
제1 회전수(V1)로 웨이퍼(W)를 회전시켜, 회전하는 웨이퍼(W)의 대략 중심 상에 도포액을 공급하는 제1 공정(S1)과, 제1 공정(S1) 후에, 제1 회전수(V1)보다도 낮은 제2 회전수(V2)로 웨이퍼(W)를 회전시키는 제2 공정(S2)과, 제2 공정(S2) 후에, 제2 회전수(V2)보다도 높은 제3 회전수(V3)로 웨이퍼(W)를 회전시키는 제3 공정(S3)과, 제3 공정(S3) 후에, 제2 회전수(V2)보다도 높고 제3 회전수(V3)보다도 낮은 제4 회전수(V4)로 웨이퍼(W)를 회전시키는 제4 공정(S4)을 갖는다.

Description

도포 처리 방법 {COATING PROCESSING METHOD}
본 발명은 반도체 웨이퍼 등의 기판 상에 레지스트 등의 도포액을 도포 처리하는 도포 처리 방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스의 제조 프로세스에 있어서의 포토리소그래피 공정에서는, 예를 들어 반도체 웨이퍼(이하 「웨이퍼」라고 함) 상에 레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하는 레지스트 도포 처리, 레지스트막을 소정의 패턴으로 노광하는 노광 처리, 노광된 레지스트막을 현상하는 현상 처리 등이 순차적으로 행해져, 웨이퍼 상에 소정의 레지스트 패턴이 형성되어 있다. 이 레지스트 도포 처리에서는, 회전 중인 웨이퍼의 표면 상의 대략 중심에 노즐로부터 레지스트액을 공급하고, 원심력에 의해 웨이퍼 상에서 레지스트를 확산시킴으로써 웨이퍼의 표면에 레지스트액을 도포하는, 소위 스핀 코팅법이 사용되고 있다.
이 스핀 코팅법에서는, 예를 들어 스핀 척에 의해 진공 흡착에 의해 웨이퍼를 고정 보유 지지한 상태에서, 회전 구동 수단에 의해 스핀 척과 함께 웨이퍼를 회전시켜, 웨이퍼의 상방에 배치된 레지스트 노즐로부터 웨이퍼 표면의 회전 중심으로 레지스트액을 적하한다. 적하된 레지스트액은 원심력에 의해 웨이퍼의 직경 방향 외주측을 향해 퍼지고(확산), 그 후 레지스트액의 적하는 정지하지만, 회전을 계속하여 웨이퍼의 표면에 퍼진 레지스트액을 떨쳐내어(shake off) 확산 건조를 행하고 있다(예를 들어, 특허 문헌 1 참조).
[특허문헌1]일본특허출원공개제2001-307984호공보
그런데, 상기한 레지스트 도포 처리를 행하는 도포 처리 방법을 사용하여, 반도체 웨이퍼 등의 기판 상에 소량의 레지스트액을 공급하여 레지스트의 도포를 행하는 경우, 다음과 같은 문제가 있었다.
반도체 디바이스의 패턴의 미세화와 박막화가 요구되므로, 그와 같은 포토리소그래피에 적응할 수 있는 레지스트액이 다양하게 개발되고 있지만, 레지스트액에 다양한 물성을 구비하는 것이 요구되므로, 레지스트액의 비용이 종래에 비해 증가하여 앙등하고 있어, 현재는 레지스트액은 극히 고가인 것으로 되어 있다. 이로 인해, 레지스트액의 소비량을 가일층 삭감해야만 하는 상황에 있다.
그러나, 공급하는 레지스트액이 소량인 경우, 레지스트액이 기판 상의 중심측으로부터 외주측으로 확산될 때, 기판 상의 외주측에 있어서, 레지스트액이 균일하게 확산되지 않고, 예를 들어 수염 형상으로 확산되어 버린다. 일단 레지스트액이 수염 형상으로 확산되어 레지스트막이 형성되어 버리면, 그 후 레지스트막을 모든 장소에서 똑같은 두께로 정렬시킬 수 없다. 그로 인해, 소량의 레지스트액을 공급하여 웨이퍼 상에 레지스트액을 균일하게 도포할 수 없어, 레지스트액의 소비량을 삭감할 수 없다고 하는 문제가 있었다.
본 발명은 상기한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 보다 적은 공급량으로, 레지스트액 등의 도포액을 웨이퍼 전체면에 효율적으로 도포할 수 있어, 레지스트액 등의 도포액의 소비량을 삭감할 수 있는 도포 처리 방법을 제공하는 데 있다. 이하, 특별히 언급하지 않는 한, 회전수라 함은, 기판이 1분당 회전하는 횟수를 나타내는 것으로 하고, 회전 속도와 동일한 의미인 것으로 한다.
상기한 과제를 해결하기 위해, 본 발명에서는, 다음에 서술하는 각 수단을 강구한 것을 특징으로 하는 것이다.
제1 발명은, 기판 상에 도포액을 도포하는 도포 처리 방법에 있어서, 제1 회전 속도로 기판을 회전시키고, 회전하는 상기 기판의 대략 중심 상에 도포액을 공급하는 제1 공정과, 상기 제1 공정 후에, 상기 제1 회전 속도보다도 낮은 제2 회전 속도로 상기 기판을 회전시키는 제2 공정과, 상기 제2 공정 후에, 상기 제2 회전 속도보다도 높은 제3 회전 속도로 상기 기판을 회전시키는 제3 공정과, 상기 제3 공정 후에, 상기 제2 회전 속도보다도 높고 상기 제3 회전 속도보다도 낮은 제4 회전 속도로 상기 기판을 회전시키는 제4 공정을 갖는다.
제2 발명은, 제1 발명에 관한 도포 처리 방법에 있어서, 상기 제4 회전 속도는 상기 제1 회전 속도보다도 낮은 것을 특징으로 한다.
제3 발명은, 제1 또는 제2 발명에 관한 도포 처리 방법에 있어서, 상기 제1 공정의 직전은 상기 제1 회전 속도보다도 낮은 제5 회전 속도로 상기 기판을 회전시키고 있고, 상기 제1 공정을 개시하기 전에 상기 제5 회전 속도였던 상기 기판의 회전 속도를, 상기 제1 공정을 개시한 후에 연속적으로 변동하도록 점차 증대시키고, 상기 제1 공정을 종료할 때까지, 상기 기판의 회전 가속도를 점차 감소시켜, 상기 기판의 회전 속도를 상기 제1 회전 속도에 수렴시키는 것을 특징으로 한다.
제4 발명은, 제3 발명에 관한 도포 처리 방법에 있어서, 도포액을 노즐로부터 토출함으로써 공급하고, 상기 제1 공정에 이어서 상기 제2 공정의 도중까지 도포액을 공급하고, 도포액의 공급을 종료할 때에는 상기 노즐의 이동에 의해 도포액을 토출하는 위치가 상기 기판의 대략 중심 상으로부터 어긋나게 되는 것을 특징으로 한다.
제5 발명은, 제4 발명에 관한 도포 처리 방법에 있어서, 상기 제1 공정을 종료하는 동시에 상기 노즐의 이동을 개시하는 것을 특징으로 한다.
제6 발명은, 제1 내지 제5 중 어느 하나의 발명에 관한 도포 처리 방법에 있어서, 상기 제1 공정에 있어서, 공급된 상기 도포액을 상기 기판의 중심측으로부터 외주측으로 확산시키고, 상기 제2 공정에 있어서, 확산된 상기 도포액의 형상을 정렬하고, 상기 제3 공정에 있어서, 형상이 정렬된 상기 도포액을 상기 기판의 외주측으로 더욱 확산시키는 것을 특징으로 한다.
제7 발명은, 제1 내지 제6 중 어느 하나의 발명에 관한 도포 처리 방법에 있어서, 상기 제4 공정의 도중에, 상기 도포액이 유동성을 상실하는 것을 특징으로 한다.
제8 발명은, 제1 내지 제7 중 어느 하나의 발명에 관한 도포 처리 방법에 있어서, 상기 제4 공정에 있어서, 상기 기판 상의 도포액을 떨쳐내어, 건조시키는 것을 특징으로 한다.
제9 발명은, 제1 내지 제8 중 어느 하나의 발명에 관한 도포 처리 방법에 있어서, 상기 도포액은 레지스트액인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 보다 적은 공급량으로, 레지스트액 등의 도포액을 웨이퍼 전체면에 효율적으로 도포할 수 있고, 도포 처리에 있어서의 레지스트액 등의 도포액의 소비량을 삭감할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 형태에 관한 레지스트 도포 방법을 행하기 위해 사용하는 레지스트 도포 장치를 구비하는 도포 현상 시스템의 전체 구성을 도시하는 평면도.
도 2는 본 발명의 실시 형태에 관한 레지스트 도포 방법을 행하기 위해 사용하는 레지스트 도포 장치를 구비하는 도포 현상 시스템의 전체 구성을 도시하는 정면도.
도 3은 본 발명의 실시 형태에 관한 레지스트 도포 방법을 행하기 위해 사용하는 레지스트 도포 장치를 구비하는 도포 현상 시스템의 전체 구성을 도시하는 배면도.
도 4는 본 발명의 실시 형태에 관한 레지스트 도포 방법을 행하기 위한 레지스트 도포 장치 유닛(COT)을 도시하는 단면도.
도 5는 본 발명의 실시 형태에 관한 레지스트 도포 방법을 행하기 위한 레지스트 도포 장치 유닛(COT)을 도시하는 평면도.
도 6은 본 발명의 실시 형태에 관한 레지스트 도포 방법을 행하기 위한 레지스트 도포 장치 유닛(COT)의 제어계의 구성을 도시하는 도면.
도 7은 본 발명의 실시 형태에 관한 레지스트 도포 방법에 있어서의 레지스트 도포 장치 유닛의 회전 제어의 상태를, 종래의 레지스트 도포 방법에 있어서의 레지스트 도포 장치 유닛의 회전 제어의 상태와 같이 나타내는 그래프.
도 8은 본 발명의 실시 형태에 관한 레지스트 도포 방법을 행할 때의, 웨이퍼 상의 레지스트액의 상태를 나타내는 평면도.
도 9는 본 발명의 실시 형태에 관한 레지스트 도포 방법을 행할 때의, 웨이퍼 상의 레지스트액의 상태를 모식적으로 도시하는 단면도.
도 10은 본 발명의 실시 형태의 변형예에 관한 레지스트 도포 방법에 있어서의 레지스트 도포 장치 유닛의 회전 제어의 상태를 나타내는 그래프.
도 11은 본 발명의 실시 형태의 변형예에 관한 레지스트 도포 방법을 행할 때의, 웨이퍼 상의 레지스트액의 상태를 나타내는 평면도.
도 12는 노즐을 이동시켜 레지스트액의 토출 위치를 웨이퍼의 대략 중심 상으로부터 어긋나게 한 상태를 나타내는 설명도.
도 13은 레지스트액의 토출 위치를 어긋나게 하는 경우의 레지스트 도포 장치 유닛의 회전 제어의 상태를 나타내는 그래프.
다음에, 본 발명을 실시하기 위한 형태에 대해 도면과 함께 설명한다.
(실시 형태)
도 1 내지 도 3은 본 발명의 실시 형태에 관한 레지스트 도포 방법을 행하기 위해 사용하는 레지스트 도포 장치를 구비하는 도포 현상 시스템의 전체 구성을 도시하는 도면이며, 도 1은 평면도이고, 도 2는 그 정면도, 도 3은 그 배면도이다.
또한, 본 실시 형태에 관한 레지스트 도포 방법은 본 발명에 있어서의 도포 처리 방법에 상당한다.
도포 현상 처리 시스템(1)은, 도 1에 도시한 바와 같이 기판으로서 웨이퍼(W)를 웨이퍼 카세트(CR)에서 복수매, 예를 들어 25매 단위로 외부로부터 시스템으로 반입하거나, 혹은 시스템으로부터 반출하거나, 웨이퍼 카세트(CR)에 대해 웨이퍼(W)를 반입ㆍ반출하거나 하기 위한 카세트 스테이션(10)과, 도포 현상 공정 중에서 1매씩 웨이퍼(W)에 소정의 처리를 실시하는 매엽식의 각종 처리 유닛을 소정 위치에 다단 배치하여 이루어지는 처리 스테이션(11)과, 이 처리 스테이션(11)에 인접하여 설치되는 노광 장치(도시하지 않음)와의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하기 위한 인터페이스부(12)를 일체로 접속한 구성을 갖고 있다.
카세트 스테이션(10)에서는, 도 1에 도시한 바와 같이 카세트 적재대(20) 상의 위치 결정 돌기(20a)의 위치에, 복수개, 예를 들어 4개까지의 웨이퍼 카세트(CR)가, 각각의 웨이퍼 출입구를 처리 스테이션(11)측을 향해 X방향으로 일렬로 적재되어 있다. 그리고, 이 카세트 배열 방향(X방향) 및 웨이퍼 카세트(CR) 내에 수용된 웨이퍼 배열 방향(Z 방향 : 수직 방향)으로 이동 가능한 웨이퍼 반송체(21)가 각 웨이퍼 카세트(CR)에 선택적으로 액세스하도록 되어 있다.
또한, 이 웨이퍼 반송체(21)는 θ방향으로 회전 가능하게 구성되어 있다. 웨이퍼 반송체(21)는, 후술하는 바와 같이 처리 스테이션(11)측의 제3 처리 유닛군(G3)의 다단 유닛부에 속하는 얼라인먼트 유닛(ALIM) 및 익스텐션 유닛(EXT)에도 액세스할 수 있도록 되어 있다.
처리 스테이션(11)에는, 도 1에 도시한 바와 같이 웨이퍼 반송 장치를 구비한 수직 반송형의 주웨이퍼 반송 기구(22)가 설치되고, 그 주위에 모든 처리 유닛이 1세트 또는 복수의 세트에 걸쳐서 다단으로 배치되어 있다.
주웨이퍼 반송 기구(22)는, 도 3에 도시한 바와 같이 통 형상 지지체(49)의 내측에, 웨이퍼 반송 장치(46)를 상하 방향(Z방향)으로 승강 가능하게 장비하고 있다. 통 형상 지지체(49)는 모터(도시하지 않음)의 회전축에 접속되어 있고, 이 모터의 회전 구동력에 의해, 회전축을 중심으로 하여 웨이퍼 반송 장치(46)와 일체로 회전하고, 그것에 의해 웨이퍼 반송 장치(46)는 θ방향으로 회전 가능하게 되어 있다. 또한, 통 형상 지지체(49)는 모터에 의해 회전되는 다른 회전축(도시하지 않음)에 접속하도록 구성해도 좋다.
웨이퍼 반송 장치(46)는 반송 베이스(47)의 전후 방향으로 이동 가능한 복수개의 보유 지지 부재(48)를 구비하고, 이들 보유 지지 부재(48)에 의해 각 처리 유닛 사이에서의 웨이퍼(W)의 전달을 실현하고 있다.
또한, 도 1에 도시한 바와 같이, 본 예에서는 5개의 처리 유닛군(G1, G2, G3, G4, G5)이 배치 가능한 구성이다. 제1 및 제2 처리 유닛군(G1, G2)의 다단 유닛은 시스템 정면(도 1에 있어서 앞)측에 배치되는 것이 가능하다. 제3 처리 유닛부(G3)의 다단 유닛은 카세트 스테이션(10)에 인접하여 배치되는 것이 가능하다. 제4 처리 유닛군(G4)의 다단 유닛은 인터페이스부(12)에 인접하여 배치되는 것이 가능하다. 제5 처리 유닛군(G5)의 다단 유닛은 배면측에 배치되는 것이 가능하다.
도 2에 도시한 바와 같이, 제1 처리 유닛군(G1)에서는 컵(CP) 내에서 웨이퍼(W)를 스핀 척에 적재하여 소정의 처리를 행하는 2대의 스피너형 처리 유닛, 예를 들어 레지스트 도포 장치 유닛(COT) 및 현상 유닛(DEV)이 하부로부터 차례로 2단으로 포개어져 있다. 제2 처리 유닛군(G2)에서도, 2대의 스피너형 처리 유닛, 예를 들어 레지스트 도포 장치 유닛(COT) 및 현상 유닛(DEV)이 하부로부터 차례로 2단으로 포개어져 있다. 이들 레지스트 도포 장치 유닛(COT)은 레지스트액을 액 배출시키는 것이 기계적으로도 메인터넌스상에서도 번거로우므로, 이와 같이 하단에 배치하는 것이 바람직하다. 그러나, 필요에 따라서 적절하게 상단에 배치하는 것도 물론 가능하다.
도 1 및 도 3에 도시한 바와 같이, 제3 처리 유닛군(G3)에서는 웨이퍼(W)를 적재대에 적재하여 소정의 처리를 행하는 오픈형의 처리 유닛, 예를 들어 냉각 처리를 행하는 쿨링 유닛(COL), 레지스트의 정착성을 높이기 위한, 소위 소수화 처리를 행하는 어드히젼 유닛(AD), 위치 정렬을 행하는 얼라인먼트 유닛(ALIM), 익스텐션 유닛(EXT), 노광 처리 전의 가열 처리를 행하는 프리베이킹 유닛(PREBAKE) 및 노광 처리 후의 가열 처리를 행하는 포스트베이킹 유닛(POBAKE)이 하부로부터 차례로, 예를 들어 8단으로 포개어져 있다.
제4 처리 유닛군(G4)에서도 오픈형의 처리 유닛, 예를 들어 쿨링 유닛(COL), 익스텐션 쿨링 유닛(EXTCOL), 익스텐션 유닛(EXT), 쿨링 유닛(COL), 프리베이킹 유닛(PREBAKE) 및 포스트베이킹 유닛(POBAKE)이 하부로부터 차례로, 예를 들어 8단으로 포개어져 있다.
이와 같이 처리 온도가 낮은 쿨링 유닛(COL), 익스텐션 쿨링 유닛(EXTCOL)을 하단에 배치하고, 처리 온도가 높은 베이킹 유닛(PREBAKE) 및 포스트베이킹 유닛(POBAKE)을 상단에 배치함으로써, 유닛 사이의 열적인 상호 간섭을 적게 할 수 있다. 물론, 랜덤한 다단 배치로 해도 좋다.
인터페이스부(12)는, 도 1에 도시한 바와 같이 안길이 방향(X방향)에 대해서는, 처리 스테이션(11)과 동일 치수를 갖지만, 폭 방향에 대해서는 보다 작은 사이즈로 설정되어 있다. 그리고, 이 인터페이스부(12)의 정면부에는 가동형의 픽업 카세트(CR)와, 정치형의 버퍼 카세트(BR)가 2단으로 배치되고, 한편 배면부에는 주변 노광 장치(23)가 배치되고, 또한 중앙부에는 웨이퍼 반송체(24)가 설치되어 있다. 이 웨이퍼 반송체(24)는 X방향, Z방향으로 이동하여 양 카세트(CR, BR) 및 주변 노광 장치(23)에 액세스하도록 되어 있다. 웨이퍼 반송체(24)는 θ방향으로도 회전 가능해지도록 구성되어 있다. 웨이퍼 반송체(24)는 처리 스테이션(11)측의 제4 처리 유닛군(G4)의 다단 유닛에 속하는 익스텐션 유닛(EXT)이나, 또는 인접하는 노광 장치측의 웨이퍼 전달대(도시하지 않음)로도 액세스할 수 있도록 되어 있다.
또한, 도포 현상 처리 시스템(1)에서는, 도 1에 도시한 바와 같이 주웨이퍼 반송 기구(22)의 배면측에도 파선으로 나타낸 제5 처리 유닛군(G5)의 다단 유닛을 배치할 수 있도록 되어 있다. 이 제5 처리 유닛군(G5)의 다단 유닛은 안내 레일(25)을 따라서 주웨이퍼 반송 기구(22)로부터 볼 때, 측방으로 시프트할 수 있도록 구성되어 있다. 따라서, 이 제5 처리 유닛군(G5)의 다단 유닛을, 도시한 바와 같이 설치한 경우라도, 안내 레일(25)을 따라서 슬라이드함으로써 공간부가 확보되므로, 주웨이퍼 반송 기구(22)에 대해 배후로부터 메인터넌스 작업을 용이하게 행할 수 있도록 되어 있다. 또한, 제5 처리 유닛군(G5)의 다단 유닛은 그와 같이 안내 레일(25)을 따른 직선 형상의 슬라이드 시프트로 한정되지 않는다. 도 1 중의 1점 쇄선의 왕복 회전 화살표로 나타낸 바와 같이, 시스템 외측으로 회전 시프트시키도록 구성해도, 주웨이퍼 반송 기구(22)에 대한 메인터넌스 작업의 스페이스 확보가 용이하다.
다음에, 본 실시 형태에 관한 레지스트 도포 방법을 행하기 위한 레지스트 도포 장치 유닛(COT)에 대해 설명한다. 도 4 및 도 5는 레지스트 도포 장치 유닛(COT)을 도시하는 단면도 및 평면도이다.
레지스트 도포 장치 유닛(COT)의 중앙부에는 환 형상의 컵(CP)이 배치되고, 컵(CP)의 내측에는 스핀 척(52)이 배치되어 있다. 스핀 척(52)은 진공 흡착에 의해 웨이퍼(W)를 고정 보유 지지한 상태에서 구동 모터(54)에 의해 회전 구동된다. 구동 모터(54)는 유닛 바닥판(50)에 형성된 개구(50a)에 승강 이동 가능하게 배치되고, 예를 들어 알루미늄으로 이루어지는 캡 형상의 플랜지 부재(58)를 통해, 예를 들어 에어 실린더로 이루어지는 승강 구동 수단(60) 및 승강 가이드 수단(62)과 결합되어 있다. 구동 모터(54)의 측면에는, 예를 들어 SUS로 이루어지는 통 형상의 냉각 재킷(64)이 설치되고, 플랜지 부재(58)는 이 냉각 재킷(64)의 상반부를 덮도록 설치되어 있다.
레지스트 도포 시, 플랜지 부재(58)의 하단부(58a)는 개구(50a)의 외주 부근에서 유닛 바닥판(50)에 밀착하고, 이에 의해 유닛 내부가 밀폐된다. 스핀 척(52)과 주웨이퍼 반송 기구(22)의 보유 지지 부재(48) 사이에서 웨이퍼(W)의 전달이 행해질 때에는, 승강 구동 수단(60)이 구동 모터(54) 내지 스핀 척(52)을 상방으로 들어올림으로써 플랜지 부재(58)의 하단부가 유닛 바닥판(50)으로부터 뜨도록 되어 있다.
웨이퍼(W)의 표면에 레지스트액을 공급하기 위한 레지스트 노즐(86)은 레지스트 공급관(88)을 통해 후술하는 레지스트 공급부에 접속되어 있다. 이 레지스트 노즐(86)은 레지스트 노즐 스캔 아암(92)의 선단부에 노즐 보유 지지체(100)를 통해 착탈 가능하게 설치되어 있다. 이 레지스트 노즐 스캔 아암(92)은 유닛 바닥판(50) 상에 일방향(Y방향)으로 부설된 가이드 레일(94) 상에서 수평 이동 가능한 수직 지지 부재(96)의 상단부에 설치되어 있고, 도시하지 않은 Y방향 구동 기구에 의해 수직 지지 부재(96)와 일체로 Y방향으로 이동하도록 되어 있다. 또한, 본 실시 형태에 관한 레지스트 노즐은 본 발명에 있어서의 노즐에 상당한다(이하의 변형예에 있어서도 마찬가지임).
또한, 레지스트 노즐 스캔 아암(92)은 레지스트 노즐 대기부(90)에서 레지스트 노즐(86)을 선택적으로 설치하기 위해 Y방향과 직각인 X방향으로도 이동 가능하고, 도시하지 않은 X방향 구동 기구에 의해 X방향으로도 이동하게 되어 있다.
또한, 레지스트 노즐 대기부(90)에서 레지스트 노즐(86)의 토출구가 용매 분위기실의 입구(90a)에 삽입되어, 안에서 용매의 분위기에 노출됨으로써, 노즐 선단의 레지스트액이 고화 또는 열화되지 않도록 되어 있다. 또한, 복수개의 레지스트 노즐(86)이 설치되고, 예를 들어 레지스트액의 종류에 따라서 그들 노즐이 구분지어 사용되도록 되어 있다.
또한, 레지스트 노즐 스캔 아암(92)의 선단부[노즐 보유 지지체(100)]에는 웨이퍼 표면으로의 레지스트액의 공급에 앞서 웨이퍼 표면에 웨이퍼 표면을 적시기 위한 용제, 예를 들어 시너를 공급하는 용제 노즐(101)이 설치되어 있다. 이 용제 노즐(101)은 도시하지 않은 용제 공급관을 통해 후술하는 용제 공급부에 접속되어 있다. 용제 노즐(101)과 레지스트 노즐(86)은 레지스트 노즐 스캔 아암(92)의 Y이동 방향을 따르는 직선 상에 각각의 토출구가 위치하도록 설치되어 있다.
또한, 가이드 레일(94) 상에는 레지스트 노즐 스캔 아암(92)을 지지하는 수직 지지 부재(96)뿐만 아니라, 린스 노즐 스캔 아암(120)을 지지하여 Y방향으로 이동 가능한 수직 지지 부재(122)도 설치되어 있다. Y방향 구동 기구(도시하지 않음)에 의해 린스 노즐 스캔 아암(120) 및 린스 노즐(124)은 컵(CP)의 측방에 설정된 린스 노즐 대기 위치(실선의 위치)와 스핀 척(52)에 설치되어 있는 웨이퍼(W)의 주변부의 바로 위에 설정된 린스액 토출 위치(점선의 위치) 사이에서 병진 또는 직선 운동하도록 되어 있다.
도 6은 레지스트 도포 장치 유닛(COT)의 제어계의 구성을 도시하는 도면이다.
제어부(130)는 레지스트 도포 장치 유닛(COT) 내의 각 부를 제어하는 것으로, 예를 들어 구동 모터(54)의 구동을 제어하는 것 외에, 레지스트 공급부(131)나 용제 공급부(132) 등을 제어한다. 구체적으로는, 제어부(130)는 구동 모터(54)의 회전 속도를 몇 단계, 예를 들어 후술하는 바와 같이 레지스트 도포 시에 4단계(시너 공급도 합하면 5단계)로 제어한다. 또한, 제어부(130)는 레지스트 공급부(131)로부터 레지스트 노즐(86)로의 레지스트액의 공급이나, 용제 공급부(132)로부터 용제 노즐(101)로의 용제, 예를 들어 시너의 공급을 제어하고 있다.
다음에, 도 4, 도 5, 도 7 및 도 8을 참조하여, 본 실시 형태에 관한 레지스트 도포 방법을 행할 때의, 레지스트 도포 장치 유닛(COT)에 있어서의 레지스트 도포의 동작을 설명한다. 도 7은 본 실시 형태에 관한 레지스트 도포 방법에 있어서의 레지스트 도포 장치 유닛의 회전 제어의 상태를, 종래의 레지스트 도포 방법에 있어서의 레지스트 도포 장치 유닛의 회전 제어의 상태와 같이 나타내는 그래프이다. 도 7의 (a)는 본 실시 형태에 관한 레지스트 도포 방법에 있어서의 회전 제어의 상태를 나타내는 그래프이고, 도 7의 (b)는 종래의 레지스트 도포 방법에 있어서의 회전 제어의 상태를 나타내는 그래프이다. 도 8은 본 실시 형태에 관한 레지스트 도포 방법을 행할 때의, 웨이퍼 상의 레지스트액의 상태를 나타내는 평면도이다. 또한, 도 7에 있어서의 각 공정의 시간의 길이는 기술의 이해의 용이함을 우선으로 하므로, 반드시 실제의 시간의 길이에 대응하고 있지는 않다. 마찬가지로, 도 7에 있어서의 회전수도, 기술의 이해의 용이함을 우선으로 하므로, 반드시 실제의 회전수에 대응하고 있지 않다.
도 4에 도시한 바와 같이, 주웨이퍼 반송 기구(22)의 보유 지지 부재(48)에 의해 레지스트 도포 장치 유닛(COT)의 컵(CP)의 바로 위까지 웨이퍼(W)가 반송된다. 그러면, 그 웨이퍼(W)는, 예를 들어 에어 실린더로 이루어지는 승강 구동 수단(60) 및 승강 가이드 수단(62)에 의해 상승해 온 스핀 척(52)에 의해 진공 흡착된다. 주웨이퍼 반송 기구(22)는 웨이퍼(W)를 스핀 척(52)에 진공 흡착시킨 후, 보유 지지 부재(48)를 레지스트 도포 장치 유닛(COT) 내로부터 복귀시켜, 레지스트 도포 장치 유닛(COT)으로의 웨이퍼(W)의 전달을 종료한다.
다음에, 스핀 척(52)은 웨이퍼(W)가 컵(CP) 내의 정위치로 되도록 하강하여, 구동 모터(54)에 의해 스핀 척(52)의 회전 구동이 개시된다.
다음에, 레지스트 노즐 대기부(90)로부터의 노즐 보유 지지체(100)의 이동이 개시된다. 노즐 보유 지지체(100)의 이동은 Y방향을 따라서 행해진다.
용제 노즐(101)의 토출구가 스핀 척(52)의 중심[웨이퍼(W)의 중심] 상에 도달한 후, 용제, 예를 들어 시너를 회전하는 웨이퍼(W)의 표면에 공급한다. 웨이퍼 표면에 공급된 용제는 원심력에 의해 웨이퍼 중심으로부터 그 주위 전체 영역으로 고르게 퍼진다.
다음에, 노즐 보유 지지체(100)는 레지스트 노즐(86)의 토출구가 스핀 척(52)의 중심[웨이퍼(W)의 중심] 상에 도달할 때까지 Y방향으로 이동된다. 그리고, 레지스트 노즐(86)의 토출구로부터 레지스트액(PR)이, 회전하는 웨이퍼(W)의 표면의 중심으로 적하되어, 웨이퍼(W) 표면으로의 레지스트 도포가 행해진다.
본 실시 형태에서는 제어부(130)에 의해 웨이퍼(W)의 회전수[즉, 구동 모터(54)의 회전수] 및 노즐로부터의 용제 또는 레지스트액의 토출을 제어하여, 도 7의 (a)에 도시하는, S0 내지 S4의 공정을 실시한다. 또한, 도 7의 (a)에 도시하는 S1 내지 S4의 공정은 본 발명에 있어서의 제1 공정 내지 제4 공정의 각각에 상당한다. 또한, 도 8의 (a) 내지 도 8의 (d)의 각각은, 도 7의 (a)에 도시하는 S1 내지 S4의 공정이 종료된 후의 웨이퍼(W) 상의 레지스트액(PR)의 상태를 도시한다.
처음에, 도 7의 (a)의 S0으로 도시하는 프리웨트 처리 공정을 행한다. 프리웨트 처리 공정은 레지스트액(PR)의 도포에 앞서 시너 등의 용제로 웨이퍼(W) 표면의 표면 전체를 용제로 적시는, 소위 프리웨트 처리를 행하는 공정이다. 구체적으로는, 도 7의 (a)에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)를 0 내지 2000rpm, 보다 바람직하게는 1000rpm의 회전수[프리웨트 회전수(V0)]까지 가속하여, 회전시킨다. 이 상태에서, 웨이퍼(W)를 회전시키면서, 예를 들어 0.1초간, 용제 노즐(101)로부터 웨이퍼(W)의 대략 중앙으로 시너를 공급하여 웨이퍼(W)의 직경 방향 외주측으로 확산시켜, 웨이퍼(W)의 표면이 용제로 젖은 상태로 한다. 프리웨트 처리를 행함으로써, 레지스트액(PR)이 보다 확산되기 쉬워져, 결과적으로 한층 소량의 레지스트액(PR)의 액량으로 균일한 레지스트막을 형성할 수 있어, 가일층 레지스트액(PR)의 소비량을 삭감할 수 있다.
다음에, 도 7의 (a)의 S1에 나타내는 제1 공정을 행한다. 제1 공정(S1)은 제1 회전수(V1)로 기판[웨이퍼(W)]을 회전시키고, 회전하는 기판[웨이퍼(W)]의 대략 중심 상에 레지스트액(PR)을 공급하고, 공급된 레지스트액(PR)을 기판[웨이퍼(W)]의 중심측으로부터 외주측으로 확산시키는 공정이다. 구체적으로는, 도 7의 (a)의 S1에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)를 2000 내지 4000rpm, 보다 바람직하게는 2500rpm의 회전수[제1 회전수(V1)]까지 가속하여 회전시키면서, 예를 들어 1.5초간, 레지스트 노즐(86)로부터 웨이퍼(W)의 대략 중심 상으로 레지스트액(PR)을 공급하여 웨이퍼(W)의 직경 방향 외주측으로 확산시키면서 도포한다. 또한, 도 8의 (a)는 제1 공정이 행해진 후의 웨이퍼(W)의 상태를 나타내는 평면도이다.
여기서, 제1 공정(S1)에서 공급하는 레지스트액(PR)의 공급량은, 웨이퍼(W)의 직경 방향 외주측으로 확산되는 레지스트액(PR)의 외주가, 상기한 회전수에 있어서 웨이퍼(W)의 외주까지 도달하는 경우의 공급량의 절반 정도의 양이다. 구체적으로는, 제1 공정(S1)에서 웨이퍼(W)의 표면의 중심측에 공급되는 레지스트액은, 예를 들어 0.5ml로, 종래 공급하고 있던 1.0ml의 절반이다. 그로 인해, 도 8의 (a)에 도시한 바와 같이, 제1 공정(S1)에 있어서, 웨이퍼(W)의 직경 방향 중심측으로부터 외주측으로 확산되는 레지스트액(PR)의 외주는, 웨이퍼(W)의 외주까지 도달하지 않고, 예를 들어 웨이퍼(W)의 중심으로부터 외주까지의 거리의 절반 정도까지밖에 도달하지 않는다.
다음에, 도 7의 (a)의 S2에 도시하는 제2 공정을 행한다. 제2 공정(S2)은 제1 공정(S1) 후에, 제1 회전수(V1)보다도 낮은 제2 회전수(V2)로 기판[웨이퍼(W)]을 회전시켜, 확산된 레지스트액(PR)의 형상을 정렬하는 공정이다. 구체적으로는, 도 7의 (a)의 S2에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)를 50 내지 2000rpm, 보다 바람직하게는 100rpm의 회전수[제2 회전수(V2)]로 감속하여 회전시킨다. 제2 공정(S2)을 행하는 시간으로서는, 예를 들어 1.0초 정도가 바람직하다. 또한, 도 8의 (b)는 제2 공정(S2)이 행해진 후의 웨이퍼(W)의 상태를 나타내는 평면도이다.
도 8의 (b)에 도시한 바와 같이, 제1 공정(S1)에 있어서, 웨이퍼(W)의 외주까지 도달하고 있지 않고, 예를 들어 웨이퍼(W)의 중심으로부터 외주까지의 거리의 절반 정도까지밖에 도달하고 있지 않은 레지스트액(PR)의 외주는 제2 공정(S2)에 있어서도, 제1 공정(S1)에 있어서의 경우와 대략 동일한 위치에 있다. 또한, 후술하는 바와 같이, 확산된 레지스트액(PR)의 외주에서는 레지스트액(PR)이 외주에 고여 두께가 증대됨으로써, 레지스트액(PR)의 형상이 정렬된다.
다음에, 도 7의 (a)의 S3에 도시하는 제3 공정을 행한다. 제3 공정(S3)은 제2 공정(S2) 후에, 제2 회전수(V2)보다도 높은 제3 회전수(V3)로 기판[웨이퍼(W)]을 회전시켜, 형상이 정렬된 레지스트액(PR)을 기판[웨이퍼(W)]의 직경 방향의 외주측으로 더욱 확산시키는 공정이다. 구체적으로는, 도 7의 (a)의 S3에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)를 1000 내지 4000rpm, 보다 바람직하게는 1500rpm의 회전수[제3 회전수(V3)]로 가속하여 회전시키면서, 제1 공정(S1)에서 웨이퍼(W)의 직경 방향 중심으로부터 외주까지의 거리의 절반 정도까지 확산시킨 레지스트액(PR)을, 기판의 외주측으로 더욱 확산시킨다. 제3 공정(S3)을 행하는 시간으로서는, 예를 들어 2.5초 정도가 바람직하다. 또한, 도 8의 (c)는 제3 공정(S3)이 행해진 후의 웨이퍼(W)의 상태를 나타내는 평면도이다.
도 8의 (c)에 도시한 바와 같이, 제3 공정(S3)에 있어서, 웨이퍼(W)의 직경 방향 외주측으로 확산되는 레지스트액(PR)의 외주는 대략 웨이퍼(W)의 외주까지 도달한다. 또한, 제3 공정(S3)을 행하는 시간은 제3 공정(S3)에 있어서, 레지스트액(PR)이 유동성을 상실하지 않도록, 3초 이하의 단시간으로 하는 것이 바람직하다. 바꾸어 말하면, 제3 공정(S3) 후에 행하는 제4 공정(S4) 도중에, 레지스트액(PR)은 유동성을 상실한다.
다음에, 제4 공정(S4)을 행한다. 제4 공정(S4)은 제3 공정(S3) 후에, 제2 회전수(V2)보다도 높고 제3 회전수(V3)보다도 낮은 제4 회전수(V4)로 기판[웨이퍼(W)]을 회전시켜, 기판 상의 레지스트액(PR)을 떨쳐내어 건조시키는 공정이다. 또한, 제4 회전수(V4)는 제1 회전수(V1)보다도 낮아도 좋다. 구체적으로는, 도 7의 (a)에 도시한 바와 같이 웨이퍼(W)를 1000 내지 2000rpm의 범위에서 원하는 막 두께로 하기 위한 회전수[제4 회전수(V4)]로 감속하여 회전시키면서, 예를 들어 30초간, 레지스트액(PR)의 떨쳐내기 건조를 행한다. 또한, 도 8의 (d)는 제4 공정(S4)이 행해진 후의 웨이퍼(W)의 상태를 나타내는 평면도이다.
상기한 바와 같이, 제1 공정(S1), 즉 레지스트액(PR)의 공급 시에 웨이퍼(W)를 비교적 고회전수인, 예를 들어 2500rpm 정도의 제1 회전수(V1)로 회전시킨다. 이에 의해, 프리웨트 처리와 더불어, 웨이퍼(W)의 표면에 매크로적으로 균일하게 레지스트액(PR)을 신전 또는 확산시킬 수 있다.
또한, 제2 공정(S2) 및 제3 공정(S3)에 있어서, 웨이퍼(W)를 제1 회전수(V1)보다도 낮은 회전수인 제2 회전수(V2)로 회전시키고, 그 후, 제2 회전수(V2)보다도 높은 제3 회전수(V3)로 회전시킨다. 이에 의해, 제4 공정(S4)인 레지스트액(PR)의 떨쳐내기 건조 시에, 웨이퍼(W)의 표면 전체면에 미크로적으로도 균일하게 레지스트액을 신전 또는 확산시킬 수 있다. 또한, 보다 적은 공급량으로, 레지스트액을 웨이퍼 전체면에 효율적으로 도포할 수 있어, 레지스트 도포 처리에 있어서의 레지스트액의 소비량을 삭감할 수 있다.
다음에, 본 실시 형태에 관한 레지스트 도포 방법에 있어서, 제4 공정(S4)인 레지스트액(PR)의 떨쳐내기 건조 시에, 웨이퍼(W)의 표면에 미크로적으로도 균일하게 레지스트액(PR)을 신전 또는 확산시킬 수 있는 작용 효과에 대해 설명한다. 또한, 보다 적은 공급량으로, 레지스트액을 웨이퍼 전체면에 효율적으로 도포할 수 있어, 레지스트 도포 처리에 있어서의 레지스트액의 소비량을 삭감할 수 있는 효과에 대해 설명한다.
처음에, 본 실시 형태에 관한 레지스트 도포 방법에 있어서, 제4 공정(S4)인 레지스트액의 떨쳐내기 건조 시에, 웨이퍼(W)의 표면에 미크로적으로도 균일하게 레지스트액(PR)을 확산시킬 수 있는 작용 효과에 대해 설명한다.
예를 들어, 회로 패턴 등의 바탕막이 형성된 웨이퍼(W)와 같이, 웨이퍼(W)의 표면 상에 요철의 홈이 발생하고 있는 경우를 고려한다. 이 경우, 종래와 같이 떨쳐내기 건조 시에 웨이퍼(W)를 레지스트 도포 시의 회전수[제1 회전수(V1)]와 동일하거나, 혹은 제1 회전수(V1)보다도 높은 회전수로 회전시키면, 예를 들어 웨이퍼(W)의 표면 상을 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 직경 방향 외주측으로 확산하는 레지스트액이 요철의 홈에 충분히 들어가지 않게 되어, 요철의 홈에 형성되는 레지스트의 막 두께가, 다른 위치에 형성된 레지스트의 막 두께에 비해 얇아진다.
이에 대해, 본 실시 형태에 관한 레지스트 도포 방법에서는, 떨쳐내기 건조 시에 웨이퍼(W)를 레지스트 도포 시의 회전수[제1 회전수(V1)]보다도 낮은 회전수[제2 회전수(V2)]로 회전시키고 있다. 그로 인해, 웨이퍼(W)의 표면을 웨이퍼(W)의 직경 방향 외주측으로 확산되는 레지스트액(PR)이 요철의 홈에도 균일하게 들어가, 웨이퍼(W)의 표면에 균일하게 레지스트액을 확산시킬 수 있다.
따라서, 본 실시 형태에 관한 레지스트 도포 방법에 따르면, 요철을 갖는 웨이퍼(W)의 표면에 매크로적으로도 미크로적으로도 레지스트막을 균일하게 형성할 수 있다.
다음에, 본 실시 형태에 관한 레지스트 도포 방법에 있어서, 보다 적은 공급량으로 레지스트액(PR)을 웨이퍼(W) 전체면에 효율적으로 도포할 수 있어, 레지스트액(PR)의 소비량을 삭감할 수 있는 효과에 대해 설명한다. 이하, 도 8 및 도 9를 참조하고, 또한 도 7의 (a)에 도시하는 본 실시 형태에 관한 레지스트 도포 방법을 도 7의 (b)에 도시하는 종래의 레지스트 도포 방법과 비교하면서 설명한다. 도 9는 본 실시 형태에 관한 레지스트 도포 방법을 행할 때의, 웨이퍼 상의 레지스트액의 상태를 모식적으로 도시하는 단면도이다. 도 9의 (a) 내지 도 9의 (d)는 제1 공정 내지 제4 공정에 있어서의 웨이퍼 상의 레지스트액의 상태를 도시한다.
처음에, 제1 공정(S1)에 있어서의 레지스트액(PR)의 상태를 설명한다. 도 9의 (a)는 제1 공정(S1)에 있어서의 웨이퍼(W) 상의 레지스트액(PR)의 상태를 도시한다. 제1 공정(S1)에 있어서, 웨이퍼(W)의 표면의 중심 상에 레지스트액(PR)을 공급하는 동시에, 공급하는 레지스트액(PR)을 웨이퍼(W)의 직경 방향 외주측으로 확산시킨다. 제1 공정(S1)에 있어서, 웨이퍼(W)의 표면은 레지스트액(PR)이 확산되기 쉬워지도록 용제로 프리웨트 처리되어 있고, 레지스트액(PR)도 표면 장력이 어느 정도 작아지도록 조정되어 있다. 이에 의해, 레지스트액(PR)은 웨이퍼(W)에 접하는 하측이 먼저 웨이퍼(W)의 직경 방향 외주측으로 확산되고, 표면측, 즉 상측은 지연되어 웨이퍼(W)의 직경 방향 외주측으로 확산된다. 따라서, 도 9의 (a)에 도시한 바와 같이, 레지스트액(PR)은 외주측을 향해 두께가 작아지는 단면 형상을 갖는다.
다음에, 제2 공정(S2)에 있어서의 레지스트액(PR)의 상태를 설명한다. 도 9의 (b)는 제2 공정(S2)에 있어서의 웨이퍼(W) 상의 레지스트액(PR)의 상태를 도시한다. 제2 공정(S2)에 있어서, 제1 회전수(V1)보다도 낮은 회전수인 제2 회전수(V2)로 감속하여, 제2 회전수(V2)로 웨이퍼(W)를 회전시키기 때문에, 제2 공정(S2)에 있어서 레지스트액(PR)에 작용하는 원심력은, 제1 공정(S1)에 있어서의 원심력보다도 작아진다. 그로 인해, 레지스트액(PR)은 웨이퍼(W)에 접하는 하측에서는 웨이퍼(W)의 직경 방향 외주측으로의 확산이 멈춘다. 그러나, 레지스트액(PR)의 표면측, 즉 상측은 점성이 작아 유동성을 갖고 있으므로, 원심력이 작아진 후에도, 관성에 의해 웨이퍼(W)의 직경 방향 외주측으로 확산하려고 한다. 따라서, 도 9의 (b)에 도시한 바와 같이, 레지스트액(PR)은 외주측의 표면측, 즉 상측에 레지스트액이 모여, 외주 부근에서 두께가 극대로 되는 단면 형상을 갖는다.
다음에, 제3 공정(S3)에 있어서의 레지스트액(PR)의 상태를 설명한다. 도 9의 (c)는 제3 공정(S3)에 있어서의 웨이퍼(W) 상의 레지스트액의 상태를 도시한다. 제3 공정(S3)에 있어서, 제2 회전수(V2)보다도 높은 제3 회전수(V3)로 기판[웨이퍼(W)]을 회전시켜, 형상이 정렬된 레지스트액(PR)을 기판[웨이퍼(W)]의 외주측으로 더욱 확산시킨다. 전술한 바와 같이, 제2 공정(S2)에 있어서 레지스트액(PR)의 외주 부근에서 두께가 극대로 되어 있고, 제1 공정(S1)보다 레지스트액(PR)의 외주 부근에서 두께가 증대되어 있다. 즉, 레지스트액(PR)의 외주 부근의 질량이 증대되어 있다. 또한, 원심력은 원심력을 받는 물체의 질량에 비례하고, 물체의 회전 반경에 비례하고, 회전수의 2승에 비례한다. 따라서, 레지스트액의 외주측의 레지스트액의 질량이 증대된 것에 의해, 제3 회전수(V3)가 제1 회전수(V1)와 대략 동등한 경우에도, 제3 회전수(V3)에 있어서, 제1 회전수(V1)에 있어서보다도 큰 원심력을 받는다. 그 결과, 전체적으로 레지스트액(PR)의 양은 바뀌지 않는데도, 레지스트액(PR)을 웨이퍼(W)의 직경 방향을 따라서 외주측으로 더욱 확산시킬 수 있고, 웨이퍼(W)의 직경 방향을 따라서 웨이퍼(W)의 외주 부근까지 도달시킬 수 있다. 또한, 제3 회전수(V3)가 제1 회전수(V1)보다도 높은 경우에는, 제3 공정(S3)에 있어서, 레지스트액(PR)을 웨이퍼(W)의 직경 방향을 따라서 용이하게 외주측으로 더욱 확산시킬 수 있다. 또한, 제3 회전수(V3)가 제1 회전수(V1)보다 낮은 경우라도, 상술한 레지스트액(PR)의 형상이 정렬됨으로써, 레지스트액(PR)을 웨이퍼(W)의 직경 방향을 따라서 외주측으로 더욱 확산시킬 수 있다. 이 결과, 도 9의 (c)에 도시한 바와 같이, 레지스트액(PR)은 웨이퍼(W)의 대략 전체면으로 확산되어, 웨이퍼(W)의 외주측을 향해 두께가 작아지는 단면 형상을 갖는다.
또한, 각 공정에 있어서의 레지스트액(PR)의 상태는 레지스트액(PR) 자체의 표면 장력, 기판 표면에 있어서의 레지스트액의 습윤성, 레지스트액의 점도, 레지스트액의 밀도에 따라서는, 도 9의 (a) 내지 도 9의 (d)에 도시하는 단면 형상이 아닌 단면 형상을 갖는 경우도 있다. 예를 들어, 레지스트액의 표면 장력이 크고, 기판 표면에서의 습윤성이 나쁘고, 레지스트액의 점도가 낮고, 레지스트액의 밀도가 낮은 경우를 가정한다. 이 경우, 레지스트액(PR)은, 제1 공정(S1)에서는 레지스트액(PR)의 외주 부근에서 두께가 극대로 되는 단면 형상을 갖고, 제2 공정(S2)에서는 레지스트액(PR)의 외주를 향해 두께가 작아지는 단면 형상을 갖고, 제3 공정(S3)에서는 다시 레지스트액(PR)의 외주 부근에서 두께가 극대로 되는 단면 형상을 갖는 경우도 있다. 제1 공정(S1)에서 웨이퍼(W)의 표면의 미크로적인 요철에 의해 레지스트액(PR)의 확산이 방해되어 있어도, 제2 공정(S2)에서, 일단 그 미크로적인 요철의 위치로부터 복귀된 레지스트액(PR)이, 다시 힘을 받아 미크로적인 요철을 넘어, 웨이퍼(W)의 직경 방향 외주측으로 더욱 확산되어 가는 경우가 있다. 이 경우, 제1 공정(S1) 내지 제3 공정(S3)에 있어서의 레지스트액(PR)의 외주측과 중심측의 두께의 대소 관계는, 도 9의 (a) 내지 도 9의 (c)에 도시한 바와 같은 레지스트액(PR)의 외주측과 중심측의 두께의 대소 관계와 대략 역의 대소 관계를 갖는다. 그 경우에서도, 도 8의 (a) 내지 도 8의 (c)에 도시한 바와 같이, 제3 공정(S3)에 있어서, 레지스트액(PR)이 웨이퍼(W)의 직경 방향 외주측으로 더욱 확산되어 가는 작용 효과가 얻어진다.
또한, 본 실시 형태에 관한 레지스트 도포 방법에 있어서, 레지스트액(PR)을 공급하면서 웨이퍼(W)를 제1 회전수(V1)로 회전시켜, 레지스트액(PR)을 웨이퍼(W)의 직경 방향 외주측으로 확산시키는 제1 공정을 행하고, 제1 회전수(V1)보다도 낮은 제2 회전수(V2)로 웨이퍼(W)를 회전시켜, 레지스트액(PR)의 형상을 조절하는 제2 공정을 행한 후에, 제2 회전수(V2)보다도 높은 제3 회전수(V3)로 웨이퍼(W)를 회전시키는 제3 공정을 행함으로써, 상술한 작용 효과가 얻어진다. 따라서, 제1 공정 후, 제2 공정을 행하지 않고, 직접 제3 공정을 행해도, 본 실시 형태에 관한 레지스트 도포 방법에 있어서와 같은, 레지스트 소비량을 삭감하는 작용 효과를 얻을 수는 없다.
마지막으로, 제4 공정(S4)에 있어서의 레지스트액의 상태를 설명한다. 도 9의 (d)는 제4 공정(S4)에 있어서의 웨이퍼(W) 상의 레지스트액의 상태를 도시한다. 제4 공정(S4)에 있어서, 제2 회전수(V2)보다도 높고 제3 회전수(V3)보다도 낮은 제4 회전수(V4)로 기판을 회전시켜, 불필요한 레지스트액(PR)을 떨쳐낸다. 이에 의해, 기판[웨이퍼(W)]의 회전에 의해 받는 원심력과 레지스트액(PR)의 점도에 의한 유동성의 밸런스에 의해 레지스트액(PR)을 소정의 막 두께로 한 상태에서, 레지스트액(PR)을 건조시킴으로써 유동성을 상실시켜, 소정의 막 두께의 레지스트막(PRF)을 형성한다. 따라서, 도 9의 (d)에 도시한 바와 같이, 레지스트막(PRF)은 웨이퍼(W)의 중심측으로부터 외주측을 향해 두께가 일정한 단면 형상을 갖는다.
한편, 종래의 레지스트 도포 방법은, 도 7의 (b)에 도시한 바와 같이 본 실시 형태에 관한 레지스트 도포 방법에 있어서의 제3 공정(S3)을 갖고 있지 않고, 본 실시 형태에 관한 레지스트 도포 방법에 있어서의 제2 공정(S2) 후, 직접 제4 공정(S4)을 행한다. 또한, 종래의 레지스트 도포 방법에 있어서도, 본 실시 형태에 관한 레지스트 도포 방법과 마찬가지로, 제1 공정(S1)에 있어서는, 웨이퍼(W)의 표면에 공급하는 레지스트액(PR)을 웨이퍼(W)의 직경 방향 외주측으로 확산시키지만, 제2 공정(S2)에 있어서는, 레지스트액(PR)을 웨이퍼(W)의 직경 방향 외주측으로 확산시키지 않는다.
그러나, 종래의 레지스트 도포 방법에 있어서는, 제3 공정(S3)을 갖고 있지 않으므로, 제1 공정(S1)에서 확산시킨 레지스트액(PR)의 외주를 웨이퍼(W)의 직경 방향 외주측으로 더욱 확산시킬 수 없다. 즉, 제1 공정(S1)에 있어서, 레지스트액(PR)의 외주를 웨이퍼(W)의 외주까지 도달시켜야만 한다. 따라서, 이미 웨이퍼(W)의 외주에 도달하는 데 필요한 양의 레지스트액을 공급해야만 해, 제1 공정(S1)에 있어서의 레지스트액(PR)의 공급량이 많아져 버린다.
따라서, 본 실시 형태에 관한 레지스트 도포 방법에 따르면, 제2 공정(S2) 후에, 제2 회전수(V2)보다도 높은 제3 회전수(V3)로 기판(웨이퍼)을 회전시키는 제3 공정(S3)을 행함으로써, 보다 적은 공급량으로 레지스트액을 웨이퍼 전체면에 효율적으로 도포할 수 있다. 그 결과, 기판(웨이퍼)에 레지스트를 도포할 때의 레지스트액의 소비량을 삭감할 수 있다.
(실시 형태의 변형예)
다음에, 도 10 내지 도 13을 참조하여, 본 발명의 실시 형태의 변형예에 관한 레지스트 도포 방법에 대해 설명한다.
본 변형예에 관한 레지스트 도포 방법은, 제1 공정에 있어서, 기판의 회전수를 점차 증대시켜 제1 회전수에 수렴시키는 점에서, 실시 형태에 관한 기판 처리 장치와 상이하다.
또한, 본 변형예에 관한 레지스트 도포 방법도 본 발명에 있어서의 도포 처리 방법에 상당한다.
도 10은 본 변형예에 관한 레지스트 도포 방법에 있어서의 레지스트 도포 장치 유닛의 회전 제어의 상태를 나타내는 그래프이다. 도 11은 본 변형예에 관한 레지스트 도포 방법을 행할 때의, 웨이퍼 상의 레지스트액의 상태를 나타내는 평면도이다. 도 12는 노즐을 이동시켜 레지스트액의 토출 위치를 웨이퍼의 대략 중심 상으로부터 어긋나게 한 상태를 나타내는 설명도이다. 도 13은 레지스트액의 토출 위치를 어긋나게 하는 경우의 레지스트 도포 장치 유닛의 회전 제어의 상태를 나타내는 그래프이다.
또한, 도 7과 마찬가지로, 도 11에 있어서의 각 공정의 시간의 길이는 기술의 이해의 용이함을 우선으로 하므로, 반드시 실제의 시간의 길이에 대응하고 있지는 않다. 마찬가지로, 도 11에 있어서의 회전수도, 기술의 이해의 용이함을 우선으로 하므로, 반드시 실제의 회전수에 대응하고 있지는 않다.
또한, 이하의 기재 중에서는, 앞서 설명한 부분에는 동일한 번호를 부여하여, 설명을 생략하는 경우가 있다.
본 변형예에 관한 레지스트 도포 방법을 행하기 위해 사용하는 레지스트 도포 장치를 구비하는 도포 현상 처리 시스템은, 실시 형태에 있어서 도 1 내지 도 3을 사용하여 설명한 도포 현상 시스템과 마찬가지로 할 수 있다. 또한, 본 변형예에 관한 레지스트 도포 방법을 행하기 위한 레지스트 도포 장치 유닛은, 실시 형태에 있어서 도 4 내지 도 6을 사용하여 설명한 레지스트 도포 장치 유닛(COT)과 마찬가지로 할 수 있다.
한편, 본 변형예에 관한 레지스트 도포 방법을 행할 때의, 레지스트 도포 장치 유닛(COT)에 있어서의 레지스트 도포의 동작은 실시 형태에 관한 동작과 상이하다.
본 변형예에서는 제어부(130)에 의해 웨이퍼(W)의 회전수[즉, 구동 모터(54)의 회전수] 및 노즐로부터의 용제 또는 레지스트액의 토출을 제어하여, 도 10에 도시하는 S0, S1', S2 내지 S4의 공정을 실시한다(도 10에 도시하는 S1', S2 내지 S4의 공정도, 본 발명에 있어서의 제1 공정, 제2 공정 내지 제4 공정의 각각에 상당함). 또한, 본 변형예에 있어서 도 10에 도시하는 S1'의 공정은 실시 형태에 있어서 도 7의 (a)에 도시하는 S1의 공정과 상이하다.
본 변형예에 있어서 도 10의 S0에 도시하는 프리웨트 처리 공정은 레지스트액(PR)의 도포에 앞서 시너 등의 용제로 웨이퍼(W) 표면의 표면 전체를 용제로 적시는 프리웨트 처리를 행하는 공정이고, 실시 형태에 있어서 도 7의 (a)의 S0에 도시하는 공정과 마찬가지로 할 수 있다. 또한, 프리웨트 처리 공정에 있어서의 프리웨트 회전수(V0)는 본 발명에 있어서의 제5 회전수에 상당한다.
다음에, 도 10의 S1'에 도시하는 제1 공정을 행한다. 제1 공정(S1')은 프리웨트 회전수(V0)로부터 제1 회전수(V1)까지 웨이퍼(W)의 회전을 가속시켜, 회전하는 웨이퍼(W)의 대략 중심 상에 레지스트액(PR)을 공급하고, 공급된 레지스트액(PR)을 웨이퍼(W)의 중심측으로부터 외주측으로 확산시키는 공정이다. 즉, 제1 공정(S1') 직전에는 제1 회전수보다도 낮은 프리웨트 회전수(V0)로 웨이퍼(W)를 회전시키고 있다. 그리고, 제1 공정(S1')을 개시하기 전에 프리웨트 회전수(V0)였던 웨이퍼(W)의 회전수를, 제1 공정(S1')을 개시한 후에 연속적으로 변동하도록 점차 증대시킨다. 또한, 제1 공정을 종료할 때까지, 웨이퍼(W)의 회전 가속도를 점차 감소시켜, 웨이퍼(W)의 회전수를 제1 회전수(V1)에 수렴시킨다.
제1 공정(S1')에서는, 처음에, 도시하지 않은 밸브가 개방되어, 레지스트 노즐(86)로부터 레지스트액(PR)의 토출이 개시되고, 프리웨트 회전수(V0)로 회전하는 웨이퍼(W)의 중심부에 레지스트액(PR)이 공급되기 시작한다.
제1 공정(S1')에서는, 다음에, 웨이퍼(W)의 회전수가 프리웨트 회전수(V0)로부터 고속의, 예를 들어 2000 내지 4000rpm, 보다 바람직하게는 2500rpm 정도의 회전수[제1 회전수(V1)]까지 올려진다. 제1 공정(S1')의 개시 전에 프리웨트 회전수(V0)였던 웨이퍼(W)의 회전은, 그 후 회전수가 연속적으로 원활하게 변동되도록 점차 증대된다. 이때, 웨이퍼(W)의 회전 가속도는, 예를 들어 0으로부터 점차 증대된다. 그리고, 제1 공정(S1')의 종료 시에는 웨이퍼(W)의 회전 가속도가 점차 감소하여, 웨이퍼(W)의 회전수가 제1 회전수(V1)에 원활하게 수렴된다. 이와 같이 하여, 제1 공정(S1')에 있어서는, 도 10에 도시한 바와 같이 웨이퍼(W)의 회전수가 프리웨트 회전수(V0)로부터 제1 회전수(V1)로, S자 형상으로 변동된다.
다음에, 도 10의 S2에 도시하는 제2 공정을 행한다. 제2 공정(S2)은 제1 공정(S1') 후에, 제1 회전수(V1)보다도 낮은 제2 회전수(V2)로 웨이퍼(W)를 회전시켜, 확산된 레지스트액(PR)의 형상을 정렬하는 공정이다. 제2 공정(S2)은 실시 형태에 있어서 도 7의 (a)의 S2에 도시하는 공정과 마찬가지로 할 수 있다.
다음에, 도 10의 S3에 도시하는 제3 공정을 행한다. 제3 공정(S3)은 제2 공정(S2) 후에, 제2 회전수(V2)보다도 높은 제3 회전수(V3)로 웨이퍼(W)를 회전시켜, 형상이 정렬된 레지스트액(PR)을 웨이퍼(W)의 직경 방향의 외주측으로 더욱 확산시키는 공정이다. 제3 공정(S3)은 실시 형태에 있어서 도 7의 (a)의 S3에 도시하는 공정과 마찬가지로 할 수 있다.
다음에, 제4 공정(S4)을 행한다. 제4 공정(S4)은 제3 공정(S3) 후에, 제2 회전수(V2)보다도 높고 제3 회전수(V3)보다도 낮은 제4 회전수(V4)로 웨이퍼(W)를 회전시켜, 웨이퍼(W) 상의 레지스트액(PR)을 떨쳐내어 건조시키는 공정이다. 제4 공정(S4)은 실시 형태에 있어서 도 7의 (a)의 S4에 도시하는 공정과 마찬가지로 할 수 있다.
본 변형예에 관한 레지스트 도포 방법에 있어서도, 실시 형태와 마찬가지로, 제4 공정(S4)인 레지스트액(PR)의 떨쳐내기 건조 시에, 웨이퍼(W)의 표면에 미크로적으로도 균일하게 레지스트액(PR)을 신전 또는 확산시킬 수 있다. 또한, 실시 형태에 있어서 도 8 및 도 9를 참조하여 설명한 것과 마찬가지로, 보다 적은 공급량으로 레지스트액(PR)을 웨이퍼(W) 전체면에 효율적으로 도포할 수 있어, 레지스트액(PR)의 소비량을 삭감할 수 있다.
또한, 본 변형예에 따르면, 제1 공정(S1')을 개시하기 전에 프리웨트 회전수(V0)였던 웨이퍼(W)의 회전수를, 제1 공정(S1')을 개시한 후에 연속적으로 변동되도록 점차 증대시킨다. 또한, 제1 공정(S1')을 종료할 때까지, 웨이퍼(W)의 회전 가속도를 점차 감소시켜, 웨이퍼(W)의 회전수를 제1 회전수(V1)에 수렴시키도록 한다. 그 결과, 더욱 소량의 레지스트액을 도포한 경우라도, 도포 불균일을 억제할 수 있다. 따라서, 레지스트액의 사용량을 줄일 수 있어, 보다 얇은 막을 형성할 수 있다. 또한, 비용의 삭감을 도모할 수 있다.
본 변형예에 관한 레지스트 도포 방법을 사용한 경우에, 또한 소량의 레지스트액이라도 도포 불균일을 억제할 수 있는 이유의 하나로서, 이하의 것을 추찰할 수 있다.
제1 공정에 있어서 웨이퍼(W)의 회전수를 한번에 상승시켜, 웨이퍼(W)를 처음부터 제1 회전수(V1)로 고속 회전시킨 경우, 도 11의 (a)에 도시한 바와 같이, 레지스트액(PR)이 웨이퍼(W)의 중심부에 공급된 직후에, 레지스트액(PR)에 강한 원심력이 가해진다. 이로 인해, 레지스트액(PR)이 외측 방향으로 불규칙하게 라인 형상으로 퍼진다. 레지스트액(PR)이 소량인 경우, 그 후 레지스트액(PR)이 웨이퍼(W)의 전체면으로 퍼졌을 때에, 라인 형상의 불균일이 도포 불균일로 되어 남는다.
한편, 본 변형예와 같이 웨이퍼(W)의 회전수를 S자 형상으로 제어한 경우, 레지스트액(PR)이 외측 방향으로 균등하게 퍼진다. 도 11의 (b)에 도시한 바와 같이, 레지스트액(PR)이 웨이퍼(W) 상의 대략 중심으로 공급된 직후에는, 웨이퍼(W)의 회전수가 저회전수인 상태에서 그다지 변동되지 않으므로, 강한 원심력이 가해지지 않기 때문이다. 또한, 그 후 웨이퍼(W)의 회전수가 연속적으로 변동되므로, 웨이퍼(W) 상의 레지스트액(PR)이 원활하게 퍼져, 레지스트액(PR)이 소량이라도 도포 불균일이 발생하지 않는다고 생각된다.
또한, 본 변형예에 있어서, 제1 공정(S1')에 있어서의 레지스트 노즐(86)에 의한 레지스트액(PR)의 토출이, 제2 공정(S2)의 도중까지 계속해서 행해져도 좋다. 또한, 제2 공정(S2)의 도중까지 계속해서 행해진 레지스트액(PR)의 토출을 종료시킬 때에, 레지스트 노즐(86)을 이동시켜 레지스트액(PR)의 토출 위치를 웨이퍼(W)의 대략 중심 상으로부터 어긋나도록 해도 좋다. 즉, 제1 공정(S1')에 이어서 제2 공정(S2)의 도중까지 도포액을 공급하고, 도포액의 공급을 종료할 때에는 노즐의 이동에 의해 레지스트액을 토출하는 위치가 웨이퍼(W)의 대략 중심 상으로부터 어긋나도록 해도 좋다.
예를 들어, 제1 공정(S1')을 종료하는 동시에, 레지스트 노즐(86)이, 도 12에 도시한 바와 같이 레지스트액(PR)을 계속해서 토출한 상태에서, 웨이퍼(W)의 대략 중심[중심부(A)]의 상방으로부터 웨이퍼(W)의 직경 방향으로 소정 거리, 예를 들어 5㎜ 이상, 보다 바람직하게는 5 내지 30㎜ 정도 이동한다. 이에 의해, 웨이퍼(W) 상에 있어서의 레지스트액(PR)을 토출하는 위치(P)가 웨이퍼(W)의 대략 중심[중심부(A)] 상으로부터 어긋나게 된다. 또한, 이때의 웨이퍼(W)의 회전수는 저속의 100rpm 정도의 제2 속도(V2)로 변경되어 있다. 레지스트 노즐(86)은 웨이퍼(W)의 대략 중심[중심부(A)] 상방으로부터 소정 거리 어긋난 곳에서 정지하고, 이때 도시하지 않은 밸브가 폐쇄되어 레지스트액(PR)의 토출이 정지된다. 그 후, 계속해서 웨이퍼(W)가 제2 속도(V2)로 회전되어, 웨이퍼(W) 상의 레지스트액(PR)의 형상이 정렬된다. 즉, 도 13에 도시한 바와 같이, 레지스트액(PR)의 토출은 제1 공정(S1')으로부터 제2 공정(S2)의 도중까지 행해지고, 제2 공정(S2)에 있어서 레지스트액(PR)의 토출이 종료될 때에, 레지스트 노즐(86)이 이동하여 레지스트액(PR)을 토출하는 위치(P)가 웨이퍼(W)의 대략 중심[중심부(A)] 상으로부터 어긋나게 된다.
본 변형예에 따르면, 예를 들어 레지스트 노즐(86)의 액 끊김 시의 레지스트액(PR)이 제2 공정(S2)의 저속도로 회전하고 있는 웨이퍼(W)에 낙하하므로, 그 레지스트액의 급격한 건조가 방지된다. 또한, 그 레지스트액(PR)이 웨이퍼(W)의 대략 중심[중심부(A)] 상으로부터 어긋난 위치(P)로 낙하하므로, 웨이퍼(W)의 중심부보다도 강한 원심력에 의해 웨이퍼 면 내에 적절하게 퍼진다. 이 결과, 레지스트 노즐(86)의 토출 종료 시의 불안정한 양이나 형태의 레지스트액이 토출된 경우라도, 웨이퍼(W)의 중심부 부근에 도포 불균일이 생기는 경우는 없다. 따라서, 소량의 레지스트액을 사용한 경우라도, 최종적으로 웨이퍼(W)의 표면의 전체면에 있어서 균일한 레지스트막을 형성할 수 있다.
[실시예]
다음에, 실시예에 의해, 본 발명에 관한 레지스트 도포 방법을 더욱 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 실시예에 의해 한정되어 해석되는 것은 아니다.
본 실시예에서는 본 발명의 실시 형태에 도시한 레지스트 도포 장치 유닛(COT)을 제조하고, 그 레지스트 도포 장치(COT)를 사용하여 실험을 행함으로써, 그 효과를 검증하였다.
(실시예)
실시예로서, 표 1에 나타낸 본 발명의 실시 형태에 관한 레지스트 도포 방법의 처리 레시피에 기초하는 레지스트 도포 처리를 행하여, 제1 공정(S1)에서 공급하는 레지스트액의 공급량을 0.3 내지 1.0ml 사이에서 변화시킨 경우에 있어서, 공급된 레지스트액으로 웨이퍼 전체면을 피복하는 것이 가능한지 여부의 평가를 행하였다. 웨이퍼 전체를 피복하는 것이 가능한지 여부의 판정은 육안에 의한 확인에 의해 행하였다.
Figure 112010009638371-pat00001
(비교예)
또한, 비교예로서, 표 2에 나타낸 종래의 레지스트 도포 방법의 처리 레시피에 기초하는 레지스트 도포 처리를 행하였다. 실시예와 마찬가지로, 제1 공정(S1)에서 공급하는 레지스트액의 공급량을 0.3 내지 1.0ml 사이에서 변화시킨 경우에 있어서, 공급된 레지스트액으로 웨이퍼 전체면을 피복하는 것이 가능한지 여부의 평가를 행하였다. 웨이퍼 전체를 피복하는 것이 가능한지 여부의 판정은 육안에 의한 확인에 의해 행하였다.
Figure 112010009638371-pat00002
그 결과, 실시예에 있어서는, 제1 공정(S1)에서 공급하는 레지스트액의 공급량을 0.4ml로 감소시킨 경우에 있어서도, 웨이퍼 전체면을 레지스트액으로 피복하는 것이 가능했다.
한편, 비교예에 있어서, 웨이퍼 전체면을 레지스트액으로 피복하기 위해서는, 제1 공정(S1)에서 공급하는 레지스트액의 공급량은 적어도 0.6ml가 필요해, 0.6ml보다도 적은 공급량으로는 웨이퍼 전체면을 레지스트액으로 피복할 수 없었다.
이상의 결과로부터, 종래에는 웨이퍼 전체면을 피복할 수 없는 소량의 레지스트액의 공급량의 경우에 있어서도, 본 발명의 실시 형태에 관한 레지스트 도포 방법을 행함으로써, 웨이퍼 전체면을 레지스트액으로 피복할 수 있다. 즉, 본 발명의 실시 형태에 관한 레지스트 도포 방법을 행함으로써, 보다 소량의 레지스트액의 공급량으로 레지스트액을 웨이퍼 전체면에 효율적으로 도포할 수 있는 것이 명백해졌다.
이상, 본 발명의 바람직한 실시 형태에 대해 기술하였지만, 본 발명은 이러한 특정한 실시 형태로 한정되는 것은 아니고, 특허청구의 범위 내에 기재된 본 발명의 요지의 범위 내에 있어서, 다양한 변형ㆍ변경이 가능하다. 예를 들어, 상기한 실시 형태에서는 레지스트액의 도포 처리를 예로 채용하여 설명하였지만, 본 발명은 레지스트액 이외의 다른 도포액, 예를 들어 반사 방지막, SOG(Spin On Glass)막, SOD(Spin On Dielectric)막 등을 형성하는 도포액의 도포 처리에도 적용할 수 있다. 또한, 상기한 실시 형태에서는, 웨이퍼(W)에 도포 처리를 행하는 예였지만, 본 발명은 기판이 웨이퍼 이외의 FPD(플랫 패널 디스플레이), 포토마스크용 레티클 등의 다른 기판의 도포 처리에도 적용할 수 있다.
1 : 도포 현상 처리 시스템
10 : 카세트 스테이션
11 : 처리 스테이션
12 : 인터페이스부
22 : 주웨이퍼 반송 기구
86 : 레지스트 노즐
88 : 레지스트 공급관
90 : 레지스트 노즐 대기부
92 : 레지스트 노즐 스캔 아암
94 : 가이드 레일
96 : 수직 지지 부재
100 : 노즐 보유 지지체
COT : 레지스트 도포 장치 유닛
PR : 레지스트액
PRF : 레지스트막
W : 웨이퍼(기판)

Claims (9)

  1. 기판 상에 도포액을 도포하는 도포 처리 방법에 있어서,
    제1 회전 속도로 기판을 회전시켜, 회전하는 상기 기판의 중심 상에 도포액을 공급하는 제1 공정과,
    상기 제1 공정 후에, 상기 제1 회전 속도보다도 낮은 제2 회전 속도로 상기 기판을 회전시키는 제2 공정과,
    상기 제2 공정 후에, 상기 제2 회전 속도보다도 높은 제3 회전 속도로 상기 기판을 회전시키는 제3 공정과,
    상기 제3 공정 후에, 상기 제2 회전 속도보다도 높고 상기 제3 회전 속도 및 제1 회전 속도보다도 낮은 제4 회전 속도로 상기 기판을 회전시키는 제4 공정을 갖고,
    상기 제1 공정에 있어서, 공급된 상기 도포액을 상기 기판의 중심측으로부터 외주측으로 확산시키고,
    상기 제2 공정에 있어서, 확산된 상기 도포액이 외주측에 모이는 형상으로 정렬하고,
    상기 제3 공정에 있어서, 형상이 정렬된 상기 도포액을 상기 기판의 외주측으로 더욱 확산시키고,
    상기 제4 공정에 있어서, 상기 기판 상의 불필요한 도포액을 떨쳐내고, 건조시키는, 도포 처리 방법.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1 공정의 직전에는 상기 제1 회전 속도보다도 낮은 제5 회전 속도로 상기 기판을 회전시키고 있고,
    상기 제1 공정을 개시하기 전에 상기 제5 회전 속도였던 상기 기판의 회전 속도를, 상기 제1 공정을 개시한 후에 연속적으로 변동하도록 점차 증대시키고,
    상기 제1 공정을 종료할 때까지, 상기 기판의 회전 가속도를 점차 감소시켜, 상기 기판의 회전 속도를 상기 제1 회전 속도에 수렴시키는 것을 특징으로 하는, 도포 처리 방법.
  4. 제3항에 있어서, 도포액을 노즐로부터 토출함으로써 공급하고,
    상기 제1 공정에 이어서 상기 제2 공정의 도중까지 도포액을 공급하고, 도포액의 공급을 종료할 때에는, 상기 노즐의 이동에 의해 도포액을 토출하는 위치가 상기 기판의 중심 상으로부터 어긋나게 되는 것을 특징으로 하는, 도포 처리 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제1 공정을 종료하는 동시에, 상기 노즐의 이동을 개시하는 것을 특징으로 하는, 도포 처리 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제4 공정의 도중에 상기 도포액이 유동성을 상실하는 것을 특징으로 하는, 도포 처리 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 도포액은 레지스트액인 것을 특징으로 하는, 도포 처리 방법.
  8. 삭제
  9. 삭제
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