JP5790622B2 - 塗布膜形成方法、塗布膜形成装置及び記憶媒体 - Google Patents
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近年の半導体回路の高集積化に伴い、より複雑な3次元構造を持つデバイスが検討されている。このようなデバイスを製造する場合、基板に形成された凹形パターン内に局部的にエッチングを行う工程が含まれる場合があり、凹形パターン内部にレジスト液を塗布することが行われる。
このように塗布膜の下側の凹形パターンに空隙が残ってしまうと、塗布膜の厚さムラが生じたり、基板を加熱処理した際に空隙の中の気体が膨張して、塗布膜内に気泡が混入するなど不具合が生じる虞があった。
基板を基板保持部に水平に保持する工程と、
続いて基板の中心部に溶剤ノズルから溶剤を供給すると共に基板を第1の回転速度で回転させて遠心力により溶剤を広げて、少なくとも凹形パターン内を除く基板の表面を濡らす第1の溶剤供給工程と、
その後基板の中心部に溶剤ノズルから溶剤を供給すると共に基板を第1の回転速度よりも遅い第2の回転速度で回転させて、凹形パターン内を溶剤により濡らす第2の溶剤供給工程と、
しかる後基板の中心部に塗布液ノズルから塗布液を供給すると共に基板を回転させて遠心力により塗布液を広げる工程と
を含むことを特徴とする。
前記基板を水平に保持する基板保持部と、
前記基板保持部を鉛直軸周りに回転させる回転機構と、
前記基板に溶剤を供給する溶剤ノズルと、
前記基板に塗布膜を形成するための塗布液を供給する塗布液ノズルと、
前記基板の中心部に溶剤を供給すると共に基板を第1の回転速度で回転させて遠心力により溶剤を広げて、少なくとも凹形パターン内を除く基板の表面を濡らす第1の溶剤供給ステップと、続いて基板の中心部に溶剤を供給すると共に基板を第1の回転速度よりも遅い第2の回転速度で回転させて、凹形パターン内を溶剤により濡らす第2の溶剤の供給ステップと、しかる後基板の中心部に塗布液を供給すると共に基板を回転させて遠心力により塗布液を広げるステップと、を実行するための制御部と、を備えたことを特徴とする。
前記コンピュータプログラムは、上述の塗布膜形成方法を実行するようにステップ群が組まれていることを特徴とする。
この基板について簡単に述べておくと、基板はガラス支持層14の上に接着剤(ラミネート剤)層13を介して、例えば厚さ100μmのシリコン基板10が積層され12インチのウエハWとして構成されている。16はスルーホールであり、11は銅またはアルミニウムからなるメタルパッド、12はLSI(デバイス)、15はSiO2膜である。スルーホールは、開口径が70μmで深さが100μmの円柱状に形成され、その配列については、格子状に(格子の交点に位置するように)互いの離間間隔が300μm間隔に設定されている。本発明の実施の形態で用いる基板は、凹形パターンを有する基板を対象としているが、この例ではスルーホール16、つまりウエハWから見ればホール(凹部)が凹形パターンに相当する。本明細書では、凹形パターンとはホールや溝などが挙げられる。
この例では、凹形パターン1は既述のようにホールであり、ホールの開口径は、例えば70μmと小さいため、溶剤5がウエハWの表面を高速で広がると凹形パターン1内に落ちる前に当該凹形パターン(ホール)1の上を通り過ぎてしまう。従って微視的に見れば、凹形パターン1内に溶剤5が入り込んでいない部位、あるいは入り込んでいても凹形パターン1内における溶剤5の占める割合が小さい部位が存在する。
溶剤ノズル31をウエハWの周縁側に移動させた後、ウエハWの回転速度を、例えば100rpmまで上昇させ、例えば10秒間この状態で維持する。第3の溶剤供給工程は、既述のような第2の溶剤供給工程におけるウエハWの周縁部付近の溶剤5の供給量不足を補償するために行っており、そのため溶剤5の吐出位置をウエハWの周縁側に置いている。従って溶剤5の吐出位置は、溶剤5の供給量不足が目立つ領域をカバーすることが好ましく、この観点からすれば、12インチウエハWの場合、ウエハWの周縁から例えば0.5cm程度寄った部位である。
このようにウエハWの周縁側の部位に上方の溶剤ノズル31から溶剤5を供給することで、ウエハWの周縁側の部位の溶剤5の供給量が増えるため、ウエハWの周縁付近の凹形パターン1の内部にも溶剤が入り込みやすくなる。
プリウェットの行われたウエハWは、図10に示すように凹形パターン1の中に溶剤5が残り、ウエハWの表面は溶剤5で濡れた状態となっている。ウエハWに高粘度のレジスト液6を供給して、回転させると、図11に示すようにレジスト液6は、ブランケット部を濡らしている溶剤5となじむことにより流動性が増し、ウエハW上を流れやすくなるため、ウエハWの表面を均一に広がって行く。ウエハWの表面を広がるレジスト液6は、ウエハWに形成された凹形パターン1内にも流れ込むが、凹形パターン1内には、溶剤5が存在するので、当該溶剤と混ざり合うことにより、さらに流動性が増し、凹形パターン1内の隅々まで広がりやすくなる。そして前述のプリウェットにおいて、予め凹形パターン1を空隙ができないように溶剤5で満たしているため、図12に示すようにレジスト液6は凹形パターン1の内部を空隙を作らずに、埋めていくことになる。
さらに本発明の実施の形態では、ポジ型レジスト液の塗布方法に用いたが、ネガ型レジスト液の塗布であってもよい。またウエハWに塗布する高粘度の塗布液としては、ポリイミドであってもよく、さらにはウエハWを接着するための接着剤であってもよい。
格子の交点に位置するように、互いの離間間隔が300μm間隔に設定されている。いずれの実施例においても、レジスト液6はポジ型高粘度レジスト(1000cP)を用い、プリウェットに用いる溶剤5は、PGMEAを用いた。
プリウェットとして、以下の第1〜第4の溶剤供給工程をこの順番で行った後、更に第3の溶剤供給工程、第4の溶剤供給工程を一回ずつ行った。その後レジスト液6の塗布を行った。
(第1の溶剤供給工程)
ウエハWを3000rpmで回転させながら、ウエハWの中心部に溶剤5を
10cc/秒の流量で10秒間供給した。
(第2の溶剤供給工程)
ウエハWを10rpmで回転させながら、ウエハWの中心部に溶剤5を10秒間供給した。
(第3の溶剤供給工程)
溶剤ノズル31から溶剤5を吐出したまま、溶剤ノズル31をウエハWの中心から、ウエハWの周縁から0.5cm中心側に寄った位置へ移動させた後、ウエハWを100rpmで回転させながら、溶剤5を10秒間供給した。
(第4の溶剤供給工程)
溶剤ノズル31から溶剤5を吐出したまま、溶剤ノズル31をウエハWの中心部上方に移動させた後、ウエハWを10rpmで回転させながら、溶剤5を10秒間供給した。なお第2の溶剤供給工程、第3の溶剤供給工程及び第4の溶剤供給工程における溶剤5の吐出流量は第1の溶剤供給工程と同じである。
[実施例2]
実施例1のプリウェットのうち、第2の溶剤供給工程を行った後、レジスト液6の塗布を行った。
[比較例1]
第1の溶剤供給工程を行わなかった他は、実施例1と同様の工程でプリウェットを行った後、レジスト液6の塗布を行った。
[比較例2]
プリウェットを行わずにレジスト液6を塗布した。
比較例2の処理を行ったウエハWでは、ほぼすべての凹形パターン1で空隙ができてしまっており、レジスト膜内に気泡の発生が見られていた。実施例2の処理を行ったウエハWでは、ウエハWの周縁部を除いた部分の凹形パターン1では、レジスト液の埋め込み性が改善されており、空隙や気泡の発生は見られなかった。しかし、ウエハWの周縁から5cmの領域では、空隙が形成されている凹形パターン1が見られた。ウエハの中心部に溶剤5を供給しながら、ゆっくりと回転させることでレジスト膜の埋め込み性は改善されるといえる。
実施例1の処理を行ったウエハWでは、ほとんどすべての凹形パターン1で埋め込み性の改善が見られており、比較例1と比較してもさらに埋め込み性は良くなっていた。ウエハWの凹形パターン1に溶剤を埋め込む前に、ウエハWの表面全体を溶剤5で濡らしておくことで、さらにレジスト膜の埋め込み性は良くなるといえる。本発明の実施の形態に掛かる塗布膜形成方法を用いて、高粘度の塗布液を塗布して塗布膜の形成を行った場合には、塗布膜の埋め込み性を大きく改善できるといえる。
2 カップモジュール
3 ノズルユニット
5 溶剤
6 レジスト液
9 制御部
21 スピンチャック
23 回転機構
31 溶剤ノズル
32 レジストノズル
W ウエハ
Claims (21)
- 表面に凹形パターンが形成された基板に、スピンコーティングにより塗布膜を形成する塗布膜形成方法において、
基板を基板保持部に水平に保持する工程と、
続いて基板の中心部に溶剤ノズルから溶剤を供給すると共に基板を第1の回転速度で回転させて遠心力により溶剤を広げて、少なくとも凹形パターン内を除く基板の表面を濡らす第1の溶剤供給工程と、
その後基板の中心部に溶剤ノズルから溶剤を供給すると共に基板を第1の回転速度よりも遅い第2の回転速度で回転させて、凹形パターン内を溶剤により濡らす第2の溶剤供給工程と、
しかる後基板の中心部に塗布液ノズルから塗布液を供給すると共に基板を回転させて遠心力により塗布液を広げる工程と
を含むことを特徴とする塗布膜形成方法。 - 前記塗布液の粘度は400cP以上であることを特徴とする請求項1記載の塗布膜形成方法。
- 前記塗布膜の目標膜厚は、1μm以上であることを特徴とする請求項1または2記載の塗布膜形成方法。
- 前記第1の回転速度は、1000〜4000rpmであることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一項に記載の塗布膜形成方法。
- 前記第2の回転速度は、10〜100rpmであることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一項に記載の塗布膜形成方法。
- 前記第2の溶剤供給工程に続いて、基板を回転させながら基板の中心部から周縁に寄った位置に溶剤を吐出させる第3の溶剤供給工程を含むことを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一項に記載の塗布膜形成方法。
- 前記第3の溶剤供給工程は、前記第2の溶剤供給工程に続いて、前記溶剤ノズルから溶剤を吐出したまま溶剤の供給部位を基板の中心部から周縁側に移動させ、当該溶剤ノズルにより行うことを特徴とする請求項6に記載の塗布膜形成方法。
- 前記第3の溶剤供給工程に続いて、基板を回転させながら基板の中心部に溶剤を吐出させる第4の溶剤供給工程を含むことを特徴とする請求項6または7に記載の塗布膜形成方法。
- 前記第3の溶剤供給工程に続いて前記溶剤ノズルから溶剤を吐出したまま溶剤の供給部位を基板の周縁側から中心部に移動させる第4の溶剤供給工程を行うことを特徴とする請求項7に記載の塗布膜形成方法。
- 前記第4の溶剤供給工程の後、前記第3の溶剤供給工程を更に行うことを特徴とする請求項8または9に記載の塗布膜形成方法。
- 表面に凹形パターンが形成された基板に、スピンコーティングにより塗布膜を形成する塗布膜形成装置において、
前記基板を水平に保持する基板保持部と、
前記基板保持部を鉛直軸周りに回転させる回転機構と、
前記基板に溶剤を供給する溶剤ノズルと、
前記基板に塗布膜を形成するための塗布液を供給する塗布液ノズルと、
前記基板の中心部に溶剤を供給すると共に基板を第1の回転速度で回転させて遠心力により溶剤を広げて、少なくとも凹形パターン内を除く基板の表面を濡らす第1の溶剤供給ステップと、続いて基板の中心部に溶剤を供給すると共に基板を第1の回転速度よりも遅い第2の回転速度で回転させて、凹形パターン内を溶剤により濡らす第2の溶剤供給ステップと、しかる後基板の中心部に塗布液を供給すると共に基板を回転させて遠心力により塗布液を広げるステップと、を実行するための制御部と、を備えたことを特徴とする塗布膜形成装置。 - 前記塗布液の粘度は400cP以上であることを特徴とする請求項11記載の塗布膜形成装置。
- 前記塗布膜の目標膜厚は、1μm以上であることを特徴とする請求項11または12記載の塗布膜形成装置。
- 前記第1の回転速度は、1000〜4000rpmであることを特徴とする請求項11ないし13のいずれか一項に記載の塗布膜形成装置。
- 前記第2の回転速度は、10〜100rpmであることを特徴とする請求項11ないし14のいずれか一項に記載の塗布膜形成装置。
- 前記制御部は、前記第2の溶剤供給ステップに続いて、基板を回転させながら基板の中心部から周縁に寄った位置に溶剤を吐出させる第3の溶剤供給ステップを実行することを特徴とする請求項11ないし15のいずれか一項に記載の塗布膜形成装置。
- 前記第3の溶剤供給ステップは、前記第2の溶剤供給ステップに続いて、前記溶剤ノズルから溶剤を吐出したまま溶剤の供給部位を基板の中心部から周縁側に移動させ、当該溶剤ノズルにより行うステップであることを特徴とする請求項16に記載の塗布膜形成装置。
- 前記制御部は、第3の溶剤供給ステップに続いて、基板を回転させながら基板の中心部に溶剤を吐出させる第4の溶剤供給ステップを実行することを特徴とする請求項16または17に記載の塗布膜形成装置。
- 前記制御部は、前記第3の溶剤供給ステップに続いて前記溶剤ノズルから溶剤を吐出したまま溶剤の供給部位を基板の周縁側から中心部に移動させる第4の溶剤供給ステップを実行することを特徴とする請求項17に記載の塗布膜形成装置。
- 前記制御部は、前記第4の溶剤供給ステップの後、前記第3の溶剤供給ステップを更に行うことを特徴とする請求項18または19に記載の塗布膜形成装置。
- 基板保持部、溶剤ノズル及び塗布液ノズルを備え、基板保持部に基板を保持させてスピンコーティングにより塗布液を基板に塗布する装置に用いられるコンピュータプログラムを記憶した記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項1ないし10のいずれか一項に記載された塗布膜形成方法を実行するようにステップ群が組まれていることを特徴とする記憶媒体。
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