JP2022104785A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

基板処理装置および基板処理方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2022104785A
JP2022104785A JP2021136981A JP2021136981A JP2022104785A JP 2022104785 A JP2022104785 A JP 2022104785A JP 2021136981 A JP2021136981 A JP 2021136981A JP 2021136981 A JP2021136981 A JP 2021136981A JP 2022104785 A JP2022104785 A JP 2022104785A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chemical solution
substrate
chemical
bowl
speed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2021136981A
Other languages
English (en)
Other versions
JP7201756B2 (ja
Inventor
ファン キム，ヒ
Hee Hwan Kim
ヨン シン，チョル
Cheol Yong Shin
ヨル キム，ジェ
Jae Youl Kim
シク チョイ，ムン
Moon Sik Choi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semes Co Ltd
Original Assignee
Semes Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semes Co Ltd filed Critical Semes Co Ltd
Publication of JP2022104785A publication Critical patent/JP2022104785A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7201756B2 publication Critical patent/JP7201756B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4584—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C16/0227—Pretreatment of the material to be coated by cleaning or etching
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45565—Shower nozzles
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F26—DRYING
    • F26B—DRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
    • F26B21/00—Arrangements or duct systems, e.g. in combination with pallet boxes, for supplying and controlling air or gases for drying solid materials or objects
    • F26B21/004—Nozzle assemblies; Air knives; Air distributors; Blow boxes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68792—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the construction of the shaft

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

【課題】薬液を節減する基板処理装置および基板処理方法を提供する。【解決手段】基板処理装置１は、基板Ｗを支持し回転可能な支持モジュール３４０と、支持モジュールの周囲を囲み第１ボウル２６０と第２ボウル２４０を含むハウジング２００と、基板に第１薬液を吐出する第１薬液供給モジュール３８０と、基板に第１薬液と異なる第２薬液を吐出する第２薬液供給モジュールとを含む。第１ボウルは、基板に対応するように位置し、支持モジュールが第１速度で回転しながら、第１薬液供給モジュールが第１薬液を供給する。第２ボウルは、基板に対応するように位置し、支持モジュールが第１速度より小さい第２速度で回転しながら、第２薬液供給モジュールが第２薬液を第１流量で供給し、さらに、支持モジュールが第２速度より小さい第３速度で回転しながら、第２薬液供給モジュールが第２薬液を第１流量より小さい第２流量で供給する。【選択図】図１

Description

本発明は基板処理装置および基板処理方法に関する。
半導体装置またはディスプレイ装置を製造する際、写真、エッチング、アッシング、イオン注入、薄膜蒸着など多様な工程が実施される。ここで、エッチング工程は基板上に形成された膜質を除去する工程であり、洗浄工程は基板表面に残留する汚染物質を除去する工程である。エッチング／洗浄工程は、工程進行方式によって湿式方式と乾式方式に分類され、湿式方式は配置タイプの方式とスピンタイプの方式に分類される。
スピンタイプの方式は一枚の基板を処理できる支持モジュールに基板を固定した後、基板を回転させながらノズルを介して基板に薬液を供給して遠心力によって薬液が基板全面に広がるようにする。
しかし、エッチング／洗浄工程中に基板を回転させながら薬液を継続して供給するので、エッチング量または洗浄量に比べて過度な薬液が使われる。
本発明が解決しようとする課題は、薬液を節減するための基板処理装置および基板処理方法を提供することにある。
本発明の課題は、以上で言及した課題に制限されず、言及されていないまた他の課題は以下の記載から当業者に明確に理解されることができる。
前記課題を達成するための本発明の基板処理装置の一面（ａｓｐｅｃｔ）は、基板が安着し、回転可能な支持モジュールと、前記支持モジュールの周囲を囲み、第１ボウルと、前記第１ボウルより内側に配置された第２ボウルを含むハウジングと、前記基板に第１薬液を吐出する第１薬液供給モジュールと、前記基板に前記第１薬液と異なる第２薬液を吐出する第２薬液供給モジュールを含み、前記第１ボウルが前記基板に対応するように位置し、前記支持モジュールは第１速度で回転しながら前記第１薬液供給モジュールは前記第１薬液を供給し、前記第２ボウルが前記基板に対応するように位置し、前記支持モジュールが前記第１速度と同じであるか小さい第２速度で回転しながら前記第２薬液供給モジュールは前記第２薬液を第１流量で供給し、前記第２ボウルが前記基板に対応するように位置し、前記支持モジュールが前記第２速度より小さい第３速度で回転しながら前記第２薬液供給モジュールは前記第２薬液を供給しないか、前記第１流量より小さい第２流量で供給することを含む。
前記課題を達成するための本発明の基板処理装置の他の面は、基板が安着し、回転可能な支持モジュールと、前記支持モジュールの周囲を囲み、第１ボウルと、前記第１ボウルより内側に配置された第２ボウルを含むハウジングと、前記基板に第１薬液を吐出する第１薬液供給モジュールを含み、前記基板に前記第１薬液と異なる第２薬液を吐出する第２薬液供給モジュールを含み、前記第１ボウルが前記基板に対応するように位置し、前記支持モジュールは第１速度で回転しながら前記第１薬液供給モジュールは前記第１薬液を供給し、前記ハウジングは第２ボウルが前記基板に対応するように移動しながら、前記支持モジュールは前記第１速度より小さい第２速度で回転し、前記第１薬液供給モジュールは第１薬液を供給し、前記第２ボウルが前記基板に対応するように位置し、前記支持モジュールが前記第２速度で回転しながら前記第２薬液供給モジュールは前記第２薬液を第１流量で供給し、前記第２ボウルが前記基板に対応するように位置し、前記支持モジュールが前記第２速度より小さい第３速度で回転しながら前記第２薬液供給モジュールは前記第２薬液の供給を中断し、前記ハウジングは第１ボウルが前記基板に対応するように移動しながら、前記支持モジュールは前記第１速度より大きい第４速度で回転し、前記第２薬液供給モジュールは前記第２薬液を前記第１流量より大きい第２流量で供給し、前記第１ボウルが前記基板に対応するように位置し、前記支持モジュールは前記第４速度で回転しながら前記第１薬液供給モジュールは前記第１薬液を供給することをさらに含み得る。
前記課題を達成するための本発明の基板処理方法の他の面は、基板が安着して回転可能な支持モジュールと、前記支持モジュールの周囲を囲み、第１ボウルと、前記第１ボウルより内側に配置された第２ボウルを含むハウジングと、前記基板に第１薬液を吐出する第１薬液供給モジュールと、前記基板に前記第１薬液と異なる第２薬液を吐出する第２薬液供給モジュールを含む基板処理装置が提供され、前記第１ボウルは前記基板に対応するように位置し、前記支持モジュールは第１速度で回転しながら前記第１薬液供給モジュールは前記第１薬液を供給し、前記第２ボウルは前記基板に対応するように位置し、前記支持モジュールが前記第１速度と同じであるか小さい第２速度で回転しながら前記第２薬液供給モジュールは前記第２薬液を第１流量で供給し、前記第２ボウルは前記基板に対応するように位置し、前記支持モジュールが前記第２速度より小さい第３速度で回転しながら前記第２薬液供給モジュールは前記第２薬液を供給しないか、前記第１流量より小さい第２流量で供給することを含む。
その他実施形態の具体的な内容は詳細な説明および図面に含まれている。
本発明の一実施形態による基板処理装置を説明するための断面図である。 図１の基板処理装置の駆動方法を説明するための図である。 図１の基板処理装置の効果を説明するための図である。 本発明の他の実施形態による基板処理装置を説明するための断面図である。 本発明の他の実施形態による基板処理装置を説明するための断面図である。 図４および図５の基板処理装置の駆動方法の一例を説明するための図である。 図４および図５の基板処理装置の駆動方法の他の例を説明するための図である。 本発明のまた他の実施形態による基板処理装置を説明するための断面図である。 図８の基板処理装置の駆動方法の一例を説明するための図である。 図８の基板処理装置の駆動方法の他の例を説明するための図である。
以下、添付する図面を参照して本発明の好ましい実施形態について詳細に説明する。本発明の利点および特徴、並びにこれらを達成する方法は添付する図面と共に詳細に後述する実施形態を参照すると明確になる。しかし、本発明は以下に開示する実施形態に限定されるものではなく、互いに異なる多様な形態で実現することができ、本実施形態は単に本発明の開示を完全にし、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供するものであり、本発明は請求項の範疇によってのみ定義される。明細書全体にわたって同一参照符号は同一構成要素を指すものとする。
素子（ｅｌｅｍｅｎｔｓ）または層が他の素子または層「上（ｏｎ）」または「の上（ｏｎ）」と称される場合は他の素子または層の真上だけでなく中間に他の層または他の素子が介在する場合をすべて含む。反面、素子が「直接上（ｄｉｒｅｃｔｌｙ ｏｎ）」または「真上」と称される場合は中間に他の素子または層を介在しない場合を示す。
空間的に相対的な用語の「下（ｂｅｌｏｗ）」、「下（ｂｅｎｅａｔｈ）」、「下部（ｌｏｗｅｒ）」、「上（ａｂｏｖｅ）」、「上部（ｕｐｐｅｒ）」等は図面に示されているように一つの素子または構成要素と他の素子または構成要素との相関関係を容易に記述するために使われる。空間的に相対的な用語は図面に示されている方向に加えて使用時または動作時の素子の互いに異なる方向を含む用語として理解されなければならない。例えば、図面に示されている素子をひっくり返す場合、他の素子の「下（ｂｅｌｏｗ）」または「下（ｂｅｎｅａｔｈ）」と記述された素子は他の素子の「上（ａｂｏｖｅ）」に置かれ得る。したがって、例示的な用語の「下」は下と上の方向をすべて含み得る。素子は他の方向にも配向されることができ、そのため空間的に相対的な用語は配向によよって解釈される。
第１、第２などが多様な素子、構成要素および／またはセクションを叙述するために使われるが、これらの素子、構成要素および／またはセクションはこれらの用語によって制限されないのはもちろんである。これらの用語は単に一つの素子、構成要素またはセクションを他の素子、構成要素またはセクションと区別するために使用する。したがって、以下で言及される第１素子、第１構成要素または第１セクションは本発明の技術的思想内で第２素子、第２構成要素または第２セクションであり得るのはもちろんである。
本明細書で使われた用語は実施形態を説明するためのものであり、本発明を制限しようとするものではない。本明細書で、単数形は文面で特記しない限り、複数形も含む。明細書で使われる「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｅｓ）」および／または「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」は言及された構成要素、段階、動作および／または素子は一つ以上の他の構成要素、段階、動作および／または素子の存在または追加を排除しない。
他に定義のない限り、本明細書で使われるすべての用語（技術的および科学的用語を含む）は本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者に共通して理解される意味で使われる。また、一般に使われる辞典に定義されている用語は明白に特に定義されていない限り理想的にまたは過度に解釈されない。
以下、添付する図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明し、添付図面を参照して説明するにあたり図面符号に関係なく同一であるか対応する構成要素は同じ参照番号を付与し、これに係る重複する説明は省略する。
図１は本発明の一実施形態による基板処理装置を説明するための断面図である。図２は図１の基板処理装置の駆動方法を説明するための図である。図３は図１の基板処理装置の効果を説明するための図である。
先ず図１を参照すると、本発明の一実施形態による基板処理装置１は、ハウジング２００、支持モジュール３４０、昇降モジュール３６０、第１薬液供給モジュール３８０を含む。
ハウジング２００は工程が行われる処理空間を提供し、その上側中央部は開放される。ハウジング２００は複数のボウル（ｂｏｗｌ、符号２２０、２４０、２６０）を含む。一例によれば、ハウジング２００は内部ボウル（または第３ボウルまたは３段ボウル、符号２２０）、中間ボウル（または第２ボウルまたは２段ボウル、符号２４０）、そして外部ボウル（または第１ボウルまたは１段ボウル、符号２６０）を有する。内部ボウル２２０、中間ボウル２４０、外部ボウル２６０は工程に使われた薬液のうち互いに相違する薬液を分離回収することができる。内部ボウル２２０は支持モジュール３４０を囲む中空の円筒形状で提供され、中間ボウル２４０は内部ボウル２２０を囲む中空の円筒形状で提供され、外部ボウル２６０は中間ボウル２４０を囲む中空の円筒形状で提供される。すなわち、外部ボウル２６０の内側に中間ボウル２４０が配置され、中間ボウル２４０の内側に内部ボウル２２０が配置される。内部ボウル２２０の内側空間、内部ボウル２２０と中間ボウル２４０の間の空間、中間ボウル２４０と外部ボウル２６０の間の空間は、それぞれ内部ボウル２２０、中間ボウル２４０、外部ボウル２６０に薬液が流入する流入口として機能する。内部ボウル２２０、中間ボウル２４０、外部ボウル２６０のそれぞれには、その底面に対して下方向に垂直に延びる回収ライン２２５、２４５、２６５が連結される。それぞれの回収ライン２２５、２４５、２６５は、内部ボウル２２０、中間ボウル２４０、外部ボウル２６０のそれぞれを介して流入した薬液を排出する。排出された薬液は外部の薬液再生システム（図示せず）により再使用され得る。
次に、内部ボウル２２０、中間ボウル２４０、外部ボウル２６０の形状についてより詳細に説明する。
内部ボウル２２０は外壁２２２、底壁２２４、内壁２２６、案内壁２２８を有する。外壁２２２、底壁２２４、内壁２２６、案内壁２２８のそれぞれはリング形状を有する。外壁２２２は支持モジュール３４０から遠ざかる方向に下向きに傾斜した傾斜壁２２２ａとその下端から下方に垂直に延びる垂直壁２２２ｂを有する。底壁２２４は垂直壁２２２ｂの下端から支持モジュール３４０に向かう方向に水平に延びる。底壁２２４の終端は傾斜壁２２２ａの上端と同じ位置まで延びる。内壁２２６は底壁２２４の内側終端から上方向に垂直に延びる。内壁２２６はその上端が傾斜壁２２２ａの上端と一定距離離隔する位置まで延びる。内壁２２６と傾斜壁２２２ａの間の上下方向に離隔した空間は上述した内部ボウル２２０の流入口２２７として機能する。
内壁２２６にはリングをなす配置により複数の開口２２３が形成される。それぞれの開口２２３はスリット形状で提供される。開口２２３は内部ボウル２２０に流入したガスが支持モジュール３４０内の下の空間を介して外部に排出されるようにする排気口として機能する。
案内壁２２８は内壁２２６の上端から支持モジュール４０から遠ざかる方向に下向き傾斜した傾斜壁２２８ａとその下端から下へ上下方向に垂直に延びる垂直壁２２８ｂを有する。垂直壁２２８ｂの下端は底壁２２４から一定距離離隔するように位置する。案内壁２２８は流入口２２７を介して流入した薬液が外壁２２２、底壁２２４、内壁２２６で囲まれた空間２２９に円滑に流れるように案内する。
中間ボウル２４０は外壁２４２、底壁２４４、内壁２４６、突出壁２４８を有する。中間ボウル２４０の外壁２４２、底壁２４４、内壁２４６は、内部ボウル２２０の外壁２２２、底壁２２４、内壁２２６と概して類似の形状を有するか、中間ボウル２４０が内部ボウル２２０を囲むように内部ボウル２２０と比べて大きな大きさを有する。中間ボウル２４０の外壁２４２の傾斜壁２４２ａの上端と内部ボウル２２０の外壁２２２の傾斜壁２２２ａの上端は上下方向に一定距離離隔するように位置し、離隔した空間は中間ボウル２４０の流入口２４７として機能する。突出壁２４８は底壁２４４の終端から下方に垂直に延びる。中間ボウル２４０の内壁２４６の上端は内部ボウル２２０の底壁２２４の終端と接触する。中間ボウル２４０の内壁２４６にはガスの排出のためのスリット形状の排気口２４３がリングをなす配列で提供される。
外部ボウル２６０は外壁２６２、底壁２６４、突出壁２７０を有する。外部ボウル２６０の外壁２６２は中間ボウル２４０の外壁２４２と類似の形状を有するか、外部ボウル２６０が中間ボウル２４０を囲むように中間ボウル２４０と比べて大きな大きさを有する。外部ボウル２６０の傾斜壁２６２ａは垂直壁２６２ｂの上端から内側方向に沿って上向き傾斜するように延びる。傾斜壁２６２ａは中央が開放されたハウジングの上壁として提供される。外部ボウル２６０の傾斜壁２６２ａには排出穴２６３ａが形成される。排出穴２６３ａは垂直壁と隣接するように位置する。排出穴２６３ａは複数個提供される。それぞれの排出穴２６３ａは傾斜壁２６２ａの円周方向に沿って形成される。複数の排出ホール２６３ａは互いに組み合わされて環状のリング形状を有するように提供される。突出壁２７０は垂直壁２６２ｂの上端から上に突出して提供される。突出壁２７０は垂直壁２６２ｂと同じ直径を有する環状のリング形状で提供される。突出壁２７０と傾斜壁２６２ａは互いに組み合わされて液貯蔵空間２７０ａを形成する。液貯蔵空間２７０ａは排出穴２６３ａを介して外部ボウル２２０の内部空間と通じるように提供される。外部ボウル２６０の傾斜壁２６２ａの上端と中間ボウル２４０の傾斜壁２４２ｂの上端は上下方向に一定距離離隔するように位置し、離隔した空間は外部ボウル２６０の流入口２６７として機能する。底壁２６４は概して円板形状を有し、中央に支持軸（回転軸、符号３４８）が挿入される開口が形成される。外部ボウル２６０はハウジング２００全体の外壁として機能する。
支持モジュール３４０はハウジング２００の処理空間で基板Ｗを支持して基板Ｗを回転させる。支持モジュール３４０は本体３４２、支持ピン３４４、チャックピン３４６、そして支持軸（または回転軸、符号３４８）を含む。本体３４２は上部から見るとき概して円形で提供される上部面を有する。本体３４２の底面にはモータ３４９により回転可能な支持軸３４８が固定結合される。
支持ピン３４４は複数個提供される。支持ピン３４４は本体３４２の上部面の縁部に所定間隔で離隔するように配置されて本体３４２で上部に突出する。支持ピン３４４は互いに組み合わされることにより全体的に環状のリング形状を有するように配置される。支持ピン３４４は本体３４２の上部面から基板Ｗが一定距離離隔するように基板Ｗの後面縁を支持する。
チャックピン３４６は複数個提供される。チャックピン３４６は本体３４２の中心から支持ピン３４４より遠く離れるように配置される。チャックピン３４６は本体３４２で上部に突出するように提供される。チャックピン３４６は支持モジュール３４０が回転するとき基板Ｗが定位置から側方向に離脱しないように基板Ｗの側部を支持する。チャックピン３４６は本体３４２の半径方向に沿って待期位置と支持位置の間に直線移動が可能なように提供される。待期位置は支持位置に比べて本体３４２の中心から遠く離れた位置である。基板Ｗが支持モジュール３４０にローディングされるまたはアンローディングされる時に、チャックピン３４６は待期位置に位置し、基板Ｗに対して工程が実行されている時に、チャックピン３４６は支持位置に位置する。支持位置でチャックピン３４６は基板Ｗの側部と接触する。
昇降モジュール３６０はハウジング２００を上下方向に直線移動させることができる。ハウジング２００が上下に移動することにより支持モジュール３４０に対するハウジング２００の相対高さが変更される。
このような昇降モジュール３６０はブラケット３６２、移動軸３６４、駆動器３６６を有する。ブラケット３６２はハウジング２００の外壁２６２に固定設置され、ブラケット３６２には駆動器３６６により上下方向に移動する移動軸３６４が固定結合される。基板Ｗが支持モジュール３４０に置かれたり、支持モジュール３４０から持ち上げるときに支持モジュール３４０がハウジング２００の上部に突出するようにハウジング２００は下降したりする。また、工程が行われる際には基板Ｗに供給された薬液の種類によって薬液が既に設定されたボウル２２０、２４０、２６０に流入できるようにハウジング２００の高さが調節される。上述した内容とは逆に、昇降モジュール３６０は支持モジュール３４０を上下方向に移動させることができる。
第１薬液供給モジュール３８０は基板Ｗに第１薬液を供給する。第１薬液供給モジュール３８０は第１ノズル３８４、ノズル支持台３８２、第１薬液格納部３８８等を含む。第１ノズル３８４は第１待期位置で待機してから、第１供給位置に移動して第１薬液を基板Ｗ上に吐出し得る。ここで、第１薬液はエッチャント（ｅｔｃｈａｎｔ）であり得、例えば、ＤＨＦ（Ｄｉｌｕｔｅ ＨＦ）であり得る。第１薬液の種類はターゲット物質によって変わる。
以下では図２を参照して、図１の基板処理装置の駆動方法を説明する。図２（ａ）は基板処理工程中の支持モジュール３４０の回転速度を説明するための図であり、図２（ｂ）は基板処理工程中の第１薬液供給モジュール３８０が吐出する第１薬液の流量を説明するための図である。
図２を参照すると、期間（０～ｔ１）で、支持モジュール３４０が第１速度ＲＰＭ１で回転して基板Ｗを回転させる。第１速度ＲＰＭ１は例えば約１００～５００ＲＰＭであり得る。また、支持モジュール３４０が基板Ｗを回転させる間第１薬液供給モジュール３８０は第１薬液（エッチャント）を第１流量ＭＦ１で供給する。期間（０～ｔ１）の間第１薬液によって、基板Ｗ上に液膜が形成される。例えば、期間（０～ｔ１）は１０秒以下（例えば、約３～１０秒）であり得る。
次に、期間（ｔ１～ｔ２）で、支持モジュール３４０は回転速度を下げて第２速度ＲＰＭ２で回転する。第２速度ＲＰＭ２は例えば、０～５０ＲＰＭであり得る。特に、第２速度ＲＰＭ２で回転する間には、第１薬液を供給できない（図２（ｂ）の符号ａ１を参照）。または、第１薬液を供給しても第１流量ＭＦ１に比べて非常に小さい第２流量ＭＦ２で第１薬液が供給される（図２（ｂ）の符号ａ２を参照）。期間（ｔ１～ｔ２）には、期間（０～ｔ１）の間に形成された液膜が維持され、この液膜によって基板Ｗのエッチングが行われる。期間（ｔ１～ｔ２）は期間（０～ｔ１）に比べて長い時間であり得る。例えば、期間（ｔ１～ｔ２）はエッチング対象物質の種類、形状、位置などによって変われるが、例えば約１分～５分であり得る。
ここで、期間（ｔ１～ｔ２）の間、第１薬液を供給しないか、第１流量ＭＦ１より小さい第２流量ＭＦ２で供給するので、第１薬液の消耗量を顕著に減らすことができる。
次に、期間（ｔ２～ｔ３）で、支持モジュール３４０は回転速度を高めて第１速度ＲＰＭ１より高い第３速度ＲＰＭ３で回転する。第３速度ＲＰＭ３は約１０００～１４００ＲＰＭであり得、例えば１３００ＲＰＭであり得る。また、第１薬液は第１流量ＭＦ１より大きい第３流量ＭＦ３で供給することができる。期間（ｔ２～ｔ３）は期間（ｔ１～ｔ２）に比べて短い時間であり得、期間（０～ｔ１）と同一であるか長い時間であり得る。期間（ｔ２～ｔ３）は例えば、１０～３０秒であり得る。
具体的には、期間（ｔ１～ｔ２）では第１薬液を供給しないか、小さい流量ＭＦ２で供給し、支持モジュール３４０の回転速度も小さい。したがって、期間（０～ｔ１）の間に形成された液膜が収縮し得（ｓｈｒｉｎｋ）、基板Ｗの一部領域での液膜の厚さは基準厚さ以下に減る場合もある。このように基板Ｗの一部領域においてでも液膜が乾くと、その領域では欠陥が発生する可能性が高い。したがって、期間（ｔ１～ｔ２）にすぐに続く期間（ｔ２～ｔ３）で、支持モジュール３４０を第３速度ＲＰＭ３で速く回転しながら第１薬液を第３流量ＭＦ３で供給し、液膜を早く再生成することによって基板Ｗが乾くことを防止することができる。期間（ｔ２～ｔ３）は期間（ｔ１～ｔ２）に比べて相対的に短い時間であるため、期間（ｔ２～ｔ３）で消耗する薬液の量を抑えることができる。
ただし、期間（ｔ１～ｔ２）で液膜の厚さが基準厚さ以下に減らない場合は、期間（ｔ２～ｔ３）の過程（すなわち、支持モジュール３４０を第３速度ＲＰＭ３で回転しながら第１薬液を第３流量ＭＦ３で供給）を省略してもよい。
一方、期間（ｔ１～ｔ２）は、内部ボウル（第３ボウル，図１の符号２２０）が基板Ｗに対応するように位置した状態で行われる。さらに、前述した全体期間（０～ｔ３）は、内部ボウル２２０が基板Ｗに対応するように位置した状態で行われることができる。
本明細書で「ボウルＡが基板Ｗに対応する位置にある」ことの意味は、基板Ｗの主面（ｍａｉｎ ｓｕｒｆａｃｅ）によって形成された仮想平面がボウルＡの流入口に到達する状態を意味する。図１に示すように、基板Ｗの主面を延長した仮想平面が流入口２２７に到達すると、内部ボウル２２０が基板Ｗに対応するように位置したものと理解することができる。図面に示したものとは異なり、基板Ｗの主面を延長した仮想平面が流入口２６７に到達すると、外部ボウル２６０が基板Ｗに対応するように位置したものとして理解することができる。
したがって、外部ボウル２６０が基板Ｗに対応するように位置すると、基板Ｗはハウジング２００の開放された上側中央部に近く配置される。反面、内部ボウル２２０が基板Ｗに対応するように位置すると、基板Ｗはハウジング２００の開放された上側中央部から遠く配置される。
ここで図３を参照すると、内部ボウル２２０が基板Ｗに対応するように位置すると、開口率が高まって換気率が良くなり、排気する空気の量が多くなる。図面に示すように、複数のボウル２２０，２４０，２６０の流入口２２７、２４７、２６７を介して空気が流れるからである。したがって、ハウジング２００内部の風速が低くなり、基板Ｗのエッジ付近（領域Ａ）も温和な状態（ｍｉｌｄ ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ）になる。すなわち、基板Ｗのエッジ付近（領域Ａ）での風速は相対的に低い。
反面、図示された形態とは異なり、外部ボウル２６０が基板Ｗに対応するように位置する場合、主に外部ボウル２６０の流入口２６７を介して空気が流れるので、基板のエッジ付近での風速は相対的に高くなる。
期間（ｔ１～ｔ２）では、薬液を供給しないか、小さい流量ＭＦ２で供給し、支持モジュール３４０の回転速度も小さい。期間（ｔ１～ｔ２）で外部ボウル２６０が基板Ｗに対応するように位置する場合、基板Ｗのエッジ付近での風速が相対的に高いので、基板Ｗ上に形成された液膜の厚さを維持することが難しい。
反面、本発明の一実施形態のように、期間（ｔ１～ｔ２）で内部ボウル２２０が基板Ｗに対応するように位置する場合、基板Ｗのエッジ付近での風速が相対的に低いので、基板Ｗ上に形成された液膜の厚さを維持することが容易である。したがって、期間（ｔ１～ｔ２）で薬液を供給しなくても、液膜が適正水準に維持されることができ、そのため、エッチング率（Ｅｔｃｈ Ｒａｔｅ）を目標水準に維持することができる。
図４および図５は本発明の他の実施形態による基板処理装置を説明するための断面図である。図６は図４および図５の基板処理装置の駆動方法の一例を説明するための図である。以下では説明の便宜上、図１ないし図３を用いて説明した内容と実質的に同じ内容は省略する。
まず、図４および図５を参照すると、本発明の他の実施形態による基板処理装置２は、ハウジング２００、支持モジュール３４０、昇降モジュール３６０、第１薬液供給モジュール３８０、第２薬液供給モジュール３９０を含む。
第２薬液供給モジュール３９０は基板Ｗに第２薬液を供給する。第２薬液供給モジュール３９０は第２ノズル３９４ａ、３９４ｂ、第２薬液格納部３９８等を含む。ここで、第２薬液はリンス液であり得、例えば、ＤＩＷ（ＤｅＩｏｎｉｚｅｄ Ｗａｔｅｒ）であり得る。第２薬液の種類はターゲット物質によって変わる。
第２ノズル３９４ａ、３９４ｂは複数個で構成されることができ、一部のノズル３９４ａは基板Ｗのセンター領域に第２薬液を吐出し、他のノズル３９４ｂは基板Ｗのエッジ領域に第２薬液を吐出し得る。複数の第２ノズル３９４ａ、３９４ｂは同時に第２薬液を吐出することもでき、設計によっては一部のノズル（例えば、符号３９４ｂ）が先に吐出し、他のノズル（例えば、符号３９４ａ）が後に吐出することもできる。
第２ノズル３９４ａ、３９４ｂは移動型で、第２待期位置で待機してから、第２供給位置に移動して第２薬液を基板Ｗ上に吐出することができる。または図面に示した形態とは異なり、第２ノズル３９４ａ、３９４ｂは固定型で、チャンバの特定位置に設けられて移動できないこともある。
ここで、第１薬液供給モジュール３８０が基板Ｗに第１薬液を吐出するときのハウジング２００の位置（高さ）と、第２薬液供給モジュール３９０が基板Ｗに第２薬液を吐出するときのハウジング２００の位置（高さ）は互いに異なり得る。
具体的に説明すると、図４に示すように、第２薬液供給モジュール３９０の第２ノズル３９４ａ、３９４ｂは第２供給位置に移動し、第２薬液を吐出する。第１薬液供給モジュール３８０の第１ノズル３８４は第１待期位置で待機する。ここで第２薬液供給モジュール３９０が基板Ｗに第２薬液を吐出するとき、外部ボウル２６０が基板Ｗに対応するように位置し得る。すなわち、基板Ｗの主面を延長した仮想平面が流入口２６７に到達する。
図５に示すように、第１薬液供給モジュール３８０の第１ノズル３８４は第１供給位置に移動して第１薬液を吐出する。第２薬液供給モジュール３９０の第２ノズル３９４ａ，３９４ｂは第２待期位置に移動して待機する。ここで第１薬液供給モジュール３８０が基板Ｗに第１薬液を吐出するときには、内部ボウル２２０が基板Ｗに対応するように位置し得る。すなわち、基板Ｗの主面を延長した仮想平面が流入口２２７に到達する。
図６を参照すると、先洗浄段階（Ｓ１０）、エッチング段階（Ｓ２０）および後洗浄段階（Ｓ３０）の順に行われる。エッチング段階（Ｓ２０）は図２を用いて説明した内容と実質的に同一である。
期間（０～ｔａ）で、支持モジュール３４０が第１速度ＲＰＭ１で回転して基板Ｗを回転させる。第１速度ＲＰＭ１は例えば約１００～５００ＲＰＭであり得る。また、支持モジュール３４０が基板Ｗを回転させる間第２薬液供給モジュール３９０は第２薬液（リンス液）を供給する。期間（０～ｔａ）の間第１薬液によって基板Ｗが洗浄される。
ここで、第２薬液供給モジュール３９０が基板Ｗに第２薬液を吐出するときには、外部ボウル（すなわち、第１ボウル，２６０）が基板Ｗに対応するように位置し得る。
期間（ｔａ～ｔｂ）で、支持モジュール３４０が第１速度ＲＰＭ１で回転し、第２薬液供給モジュール３９０は第２薬液を供給する。
第２薬液供給モジュール３９０が第２薬液を供給する間、昇降モジュール３６０はハウジング２００を上方に移動させる。第２薬液供給モジュール３９０が第２薬液を供給する間、第１薬液供給モジュール３８０の第１ノズル３８４は第１待期位置から第１供給位置に移動する。期間（ｔａ～ｔｂ）の終了時点（すなわち、時間ｔｂ）では、内部ボウル（すなわち、第３ボウル、符号２２０）が基板Ｗに対応し、第１ノズル３８４が第１供給位置に到達する。
期間（ｔｂ～ｔ１）で、支持モジュール３４０が第１速度ＲＰＭ１で回転して基板Ｗを回転させ、第１薬液供給モジュール３８０は第１薬液（エッチャント）を第１流量ＭＦ１に供給する。期間（ｔｂ～ｔ１）の間第１薬液によって基板Ｗ上に液膜が形成される。
第１薬液供給モジュール３８０が第１薬液を供給する間、第２ノズル３９４ａ、３９４ｂは第２供給位置から第２待期位置に移動し得る。
期間（ｔ１～ｔ２）で、支持モジュール３４０は回転速度を下げて第２速度ＲＰＭ２で回転する。第２速度ＲＰＭ２で回転する時間の間には、第１薬液を供給しない。または第１薬液を供給しても第１流量ＭＦ１に比べて非常に小さい第２流量ＭＦ２で第１薬液が供給される。期間（ｔ１～ｔ２）には、期間（０～ｔ１）の間形成された液膜が維持され、この液膜によって基板Ｗのエッチングが行われる。
期間（ｔ２～ｔ３）で、支持モジュール３４０は回転速度を高めて第１速度ＲＰＭ１より高い第３速度ＲＰＭ３で回転する。第１薬液は第１流量ＭＦ１より大きい第３流量ＭＦ３で供給し得る。
第１薬液供給モジュール３８０が第１薬液を供給する間、昇降モジュール３６０はハウジング２００を下の方向に移動させる。第１薬液供給モジュール３８０は第１薬液を供給する間、第２薬液供給モジュール３９０の第２ノズル３９４ａ、３９４ｂは第２待期位置から第２供給位置に移動する。期間（ｔ２～ｔ３）の終了時点（すなわち、時間ｔ３）では、外部ボウル（すなわち、第１ボウル、符号２６０）が基板Ｗに対応し、第２ノズル３９４ａ、３９４ｂが第２供給位置に到達する。
期間（ｔ３～ｔ４）で、支持モジュール３４０が第３速度ＲＰＭ３で回転して基板Ｗを回転させる。また、支持モジュール３４０が基板Ｗを回転させる間第２薬液供給モジュール３９０は第２薬液（リンス液）を供給する。期間（ｔ３～ｔ４）の間第２薬液によって基板Ｗが洗浄される。図面に示したこととは異なり、期間（ｔ３～ｔ４）の間の支持モジュール３４０の回転速度は期間（ｔ２～ｔ３）での回転速度より大きくてもよい。
図７は図４および図５の基板処理装置の駆動方法の他の例を説明するための図である。以下で説明の便宜上、図４ないし図６を用いて説明した内容と実質的に同じ内容は省略する。
図７を参照すると、先洗浄段階（Ｓ１０）、エッチング段階（Ｓ２０）および後洗浄段階（Ｓ３０）順に行われる。
先洗浄段階（Ｓ１０）の期間（ｔａ～ｔｂ）で、支持モジュール３４０が第１速度ＲＰＭ１より速度を下げて第４速度（ＲＰＭ１）で回転して基板Ｗを回転させる。第４速度（ＲＰＭ１）は約１００～３００ＲＰＭであり得る。
次に、エッチング段階（Ｓ２０）の期間（ｔｂ～ｔ１）でも、支持モジュール３４０は第４速度（ＲＰＭ１）で回転して基板Ｗを回転させる。
図８は本発明のまた他の実施形態による基板処理装置を説明するための断面図である。図９は図８の基板処理装置の駆動方法の一例を説明するための図である。以下で説明の便宜上、図１ないし図７を用いて説明した内容と実質的に同じ内容は省略する。
まず図８を参照すると、本発明のまた他の実施形態による基板処理装置３は、ハウジング２００、支持モジュール３４０、昇降モジュール３６０、第１薬液供給モジュール３８０、第２薬液供給モジュール３９０、乾燥モジュール３７０を含む。
乾燥モジュール３７０は基板Ｗを乾燥するためのものである。乾燥モジュール３７０は第３ノズル３７２ａ、第４ノズル３７２ｂ、乾燥液格納部３７８ａ、乾燥ガス格納部３７８ｂ等を含む。乾燥液および乾燥ガスはリンス液の種類によって変わる。リンス液がＤＩＷである場合、例えば、乾燥液はＩＰＡ（ｉｓｏｐｒｏｐｙｌ ａｌｃｏｈｏｌ）であり、乾燥ガスは窒素ガスであり得る。
図面では第３ノズル３７２ａと第４ノズル３７２ｂが互いに分離された形態で図示したが、これに限定されない。すなわち、一つのボディに第３ノズル３７２ａおよび第４ノズル３７２ｂが形成されることもできる。
第４ノズル３７２ｂは動かない状態で、例えば、基板Ｗのセンター領域で動かない状態で乾燥ガスを基板Ｗ上に噴射することができる。または第４ノズル３７２ｂが移動しながら、例えば、基板Ｗのセンター領域からエッジ領域方向に移動しながら（すなわち、スキャンアウト（ｓｃａｎ ｏｕｔ））、乾燥ガスを基板Ｗ上に噴射することができる。
または第３ノズル３７２ａが移動しながら、基板Ｗ上に乾燥液を噴射し、第４ノズル３７２ｂが第３ノズル３７２ａに沿って移動しながら、基板Ｗ上に乾燥ガスを噴射することもできる。
ここで図９を参照すると、先洗浄段階（Ｓ１０）、エッチング段階（Ｓ２０）および後洗浄段階（Ｓ３０）、乾燥段階（Ｓ４０、Ｓ５０）の順に行われる。乾燥段階（Ｓ４０）は乾燥液による乾燥が行われ、乾燥段階（Ｓ５０）は乾燥ガスによる乾燥が行われる。
エッチング段階（Ｓ２０）は図２を用いて説明した内容と実質的に同様であり、先洗浄段階（Ｓ１０）、および後洗浄段階（Ｓ３０）は図６を用いて説明した内容と実質的に同一である。したがって、以下でＳ１０、Ｓ２０、Ｓ３０段階に係る説明は省略する。
期間（ｔ４～ｔ５）で、支持モジュール３４０が第３速度ＲＰＭ３で回転して基板Ｗを回転させる。第３速度ＲＰＭ３は、例えば約１０００～１４００ＲＰＭであり得、例えば１３００ＲＰＭであり得る。また、支持モジュール３４０が基板Ｗを回転させる間乾燥モジュール３７０は第３ノズル３７２ａを介して乾燥液を供給する。すなわち、期間（ｔ４～ｔ５）で、乾燥液にリンス液の表面を置き換える表面置換工程が行われる。
ここで、乾燥モジュール３７０が基板Ｗに乾燥液を吐出するときには、外部ボウル（すなわち、第１ボウル，２６０）が基板Ｗに対応するように位置し得る。
期間（ｔ５～ｔ６）で、支持モジュール３４０は回転速度を下げて第１速度ＲＰＭ１で回転し、これにより基板Ｗは回転する。乾燥モジュール３７０は第３ノズル３７２ａを介して乾燥液を継続して供給することもできる。または乾燥液供給を中止することもできる。低い回転速度（ＲＰＭ１）で回転することによって、乾燥液と第２薬液（すなわち、リンス液）がよく混合されることができる。すなわち、期間（ｔ５～ｔ６）で、リンス液が乾燥液に分散するようにする攪拌工程が行われる。
期間（ｔ６～ｔ７）で、支持モジュール３４０は回転速度を高めて第５速度（ＲＰＭ５）で回転し、これにより基板Ｗは回転する。乾燥モジュール３７０は第４ノズル３７２ｂを介いて乾燥ガスを供給する。乾燥ガスを供給し、期間（ｔ５～ｔ６）の間攪拌された液体を除去することができる。
図１０は図８の基板処理装置の駆動方法の他の例を説明するための図である。以下で説明の便宜上、図８および図９を用いて説明した内容と実質的に同じ内容は省略する。
図１０を参照すると、先洗浄段階（Ｓ１０）、エッチング段階（Ｓ２０）および後洗浄段階（Ｓ３０）、乾燥段階（Ｓ４０、Ｓ５０）の順に行われる。
後洗浄段階（Ｓ３０）の期間（ｔ３～ｔ３ａ）で、支持モジュール３４０が第３速度ＲＰＭ３で回転して基板Ｗを回転させる。また、支持モジュール３４０が基板Ｗを回転させる間第２薬液供給モジュール３９０は第２薬液（リンス液）を供給する。
次に、期間（ｔ３ａ～ｔ４）で、支持モジュール３４０は回転速度を下げて第１速度ＲＰＭ１で回転し、これにより基板Ｗは回転する。また、支持モジュール３４０が基板Ｗを回転させる間第２薬液供給モジュール３９０は第２薬液（リンス液）を継続して供給する。
次に、期間（ｔ４～ｔ６）で、支持モジュール３４０が第３速度ＲＰＭ３で回転して基板Ｗを回転させる。また、支持モジュール３４０が基板Ｗを回転させる間乾燥モジュール３７０は第３ノズル３７２ａを介して乾燥液を供給する。
次に、期間（ｔ６～ｔ７）で、支持モジュール３４０は回転速度を高めて第５速度（ＲＰＭ５）で回転し、そのため基板Ｗは回転する。乾燥モジュール３７０は第４ノズル３７２ｂを介して乾燥ガスを供給する。
以上、添付する図面を参照して本発明の実施形態について説明したが、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者は、本発明がその技術的思想や必須の特徴を変更せず他の具体的な形態で実施できることを理解することができる。したがって、上記一実施形態はすべての面で例示的なものであり、限定的なものではないと理解しなければならない。
２００ ハウジング
２２０ 内部ボウル（第３ボウルまたは３段ボウル）
２４０ 中間ボウル（第２ボウルまたは２段ボウル）
２６０ 外部ボウル（第１ボウルまたは１段ボウル）
３４０ 支持モジュール
３６０ 昇降モジュール
３７０ 乾燥モジュール
３８０ 第１薬液供給モジュール
３９０ 第２薬液供給モジュール

Claims (20)

  1. 基板が安着し、回転可能な支持モジュールと、
    前記支持モジュールの周囲を囲み、第１ボウルと、前記第１ボウルより内側に配置された第２ボウルを含むハウジングと、
    前記基板に第１薬液を吐出する第１薬液供給モジュールと、
    前記基板に前記第１薬液と異なる第２薬液を吐出する第２薬液供給モジュールを含み、
    前記第１ボウルが前記基板に対応するように位置し、前記支持モジュールは第１速度で回転しながら前記第１薬液供給モジュールは前記第１薬液を供給し、
    前記第２ボウルが前記基板に対応するように位置し、前記支持モジュールが前記第１速度と同じであるか小さい第２速度で回転しながら前記第２薬液供給モジュールは前記第２薬液を第１流量で供給し、
    前記第２ボウルが前記基板に対応するように位置し、前記支持モジュールが前記第２速度より小さい第３速度で回転しながら前記第２薬液供給モジュールは前記第２薬液を供給しないか、前記第１流量より小さい第２流量で供給することを含む、基板処理装置。
  2. 前記第２薬液供給モジュールが前記第２薬液を供給しないか、第２流量で供給した後に、前記支持モジュールが前記第２速度より大きい第４速度で回転しながら前記第２薬液供給モジュールは前記第２薬液を第３流量で供給することをさらに含む、請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記第３流量は前記第１流量より大きい、請求項２に記載の基板処理装置。
  4. 前記第２薬液供給モジュールが前記第２薬液を前記第３流量で供給する間、前記ハウジングは前記第１ボウルが前記基板に対応する位置に移動するようにすることをさらに含む、請求項２に記載の基板処理装置。
  5. 前記第２薬液供給モジュールが前記第２薬液を前記第３流量で供給した後に、前記第１ボウルが前記基板に対応するように位置した状態で、前記支持モジュールが前記第４速度で回転しながら前記第１薬液供給モジュールは前記第１薬液を供給することを含む、請求項４に記載の基板処理装置。
  6. 前記第２薬液供給モジュールが前記第２薬液を前記第１流量で供給することは第１時間の間に行われ、前記第２薬液供給モジュールが前記第２薬液を供給しないか、第２流量で供給することは、前記第１時間より長い第２時間の間に行われる、請求項１に記載の基板処理装置。
  7. 前記第２薬液供給モジュールが前記第２薬液を供給しないか、第２流量で供給した後に、前記第１時間より長く前記第２時間より短い第３時間の間、前記支持モジュールが前記第２速度より大きい第４速度で回転しながら前記第２薬液供給モジュールは前記第２薬液を第３流量で供給することをさらに含む、請求項６に記載の基板処理装置。
  8. 前記第１ボウルが前記基板に対応するように位置した状態で前記第２薬液供給モジュールが前記第２薬液を供給しないか、第２流量で供給した後に、前記支持モジュールが前記第２速度より大きい第４速度で回転しながら前記第１薬液供給モジュールは前記第１薬液を供給することをさらに含む、請求項１に記載の基板処理装置。
  9. 前記第１ボウルが前記基板に対応するように位置した状態で、前記支持モジュールが前記第４速度より小さい第５速度で回転しながら乾燥モジュールは前記基板上に乾燥液を供給し、続いて前記支持モジュールが前記第４速度より大きい第６速度で回転しながら前記乾燥モジュールは前記基板上に乾燥ガスを供給することをさらに含む、請求項８に記載の基板処理装置。
  10. 前記第１薬液供給モジュールが前記第１薬液を供給することと前記第２薬液供給モジュールが前記第２薬液を前記第１流量で供給することの間に、前記第１薬液供給モジュールが前記第１薬液を供給しながら、前記ハウジングは前記第２ボウルが前記基板に対応する位置に移動するようにすることをさらに含む、請求項１に記載の基板処理装置。
  11. 前記第１ボウルが前記基板に対応するように位置するとき前記基板のエッジ付近での風速は第１風速であり、前記第２ボウルが前記基板に対応するように位置するとき前記基板のエッジ付近での風速は第２風速であり、前記第２風速は前記第１風速より小さい、請求項１に記載の基板処理装置。
  12. 前記第１薬液はリンス液であり、前記第２薬液はエッチング液である、請求項１に記載の基板処理装置。
  13. 基板が安着し、回転可能な支持モジュールと、
    前記支持モジュールの周囲を囲み、第１ボウルと、前記第１ボウルより内側に配置された第２ボウルを含むハウジングと、
    前記基板に第１薬液を吐出する第１薬液供給モジュールを含み、
    前記基板に前記第１薬液と異なる第２薬液を吐出する第２薬液供給モジュールを含み、
    前記第１ボウルが前記基板に対応するように位置し、前記支持モジュールは第１速度で回転しながら前記第１薬液供給モジュールは前記第１薬液を供給し、
    前記ハウジングは前記第２ボウルが前記基板に対応するように移動しながら、前記支持モジュールは前記第１速度より小さい第２速度で回転し、前記第１薬液供給モジュールは前記第１薬液を供給し、
    前記第２ボウルが前記基板に対応するように位置し、前記支持モジュールが前記第２速度で回転しながら前記第２薬液供給モジュールは前記第２薬液を第１流量で供給し、
    前記第２ボウルが前記基板に対応するように位置し、前記支持モジュールが前記第２速度より小さい第３速度で回転しながら前記第２薬液供給モジュールは前記第２薬液の供給を中断し、
    前記ハウジングは前記第１ボウルが前記基板に対応するように移動しながら、前記支持モジュールは前記第１速度より大きい第４速度で回転し、前記第２薬液供給モジュールは前記第２薬液を前記第１流量より大きい第２流量で供給し、
    前記第１ボウルが前記基板に対応するように位置し、前記支持モジュールは前記第４速度で回転しながら前記第１薬液供給モジュールは前記第１薬液を供給することをさらに含む、基板処理装置。
  14. 前記第２薬液供給モジュールが前記第２薬液を前記第１流量で供給することは第１時間の間に行われ、前記第２薬液供給モジュールが前記第２薬液の供給を中断することは、前記第１時間より長い第２時間の間に行われ、前記第２薬液供給モジュールが前記第２薬液を第２流量で供給することは、前記第１時間より長く前記第２時間より短い第３時間の間に行われる、請求項１３に記載の基板処理装置。
  15. 前記支持モジュールは前記第４速度で回転しながら前記第１薬液供給モジュールは前記第１薬液を供給した後に、前記第１ボウルは前記基板に対応するように位置し、前記支持モジュールが前記第４速度より小さい第５速度で回転しながら乾燥モジュールは前記基板上に乾燥液を供給し、続いて前記支持モジュールが前記第４速度より大きい第６速度で回転しながら前記乾燥モジュールは前記基板上に乾燥ガスを供給することをさらに含む、請求項１３に記載の基板処理装置。
  16. 基板が安着して回転可能な支持モジュールと、前記支持モジュールの周囲を囲み、第１ボウルと、前記第１ボウルより内側に配置された第２ボウルを含むハウジングと、前記基板に第１薬液を吐出する第１薬液供給モジュールと、前記基板に前記第１薬液と異なる第２薬液を吐出する第２薬液供給モジュールを含む基板処理装置が提供され、
    前記第１ボウルは前記基板に対応するように位置し、前記支持モジュールは第１速度で回転しながら前記第１薬液供給モジュールは前記第１薬液を供給し、
    前記第２ボウルは前記基板に対応するように位置し、前記支持モジュールが前記第１速度と同じであるか小さい第２速度で回転しながら前記第２薬液供給モジュールは前記第２薬液を第１流量で供給し、
    前記第２ボウルは前記基板に対応するように位置し、前記支持モジュールが前記第２速度より小さい第３速度で回転しながら前記第２薬液供給モジュールは前記第２薬液を供給しないか、前記第１流量より小さい第２流量で供給することを含む、基板処理方法。
  17. 前記第２薬液供給モジュールが前記第２薬液を供給しないか、第２流量で供給した後に、前記支持モジュールが前記第２速度より大きい第４速度で回転しながら前記第２薬液供給モジュールは前記第２薬液を前記第１流量より大きい第３流量で供給することをさらに含む、請求項１６に記載の基板処理方法。
  18. 前記第２薬液供給モジュールが前記第２薬液を前記第３流量で供給する間、前記ハウジングは前記第１ボウルが前記基板に対応する位置に移動するようにすることをさらに含む、請求項１７に記載の基板処理方法。
  19. 前記第２薬液供給モジュールが前記第２薬液を前記第３流量で供給した後に、前記第１ボウルが前記基板に対応するように位置した状態で、前記支持モジュールが前記第４速度で回転しながら前記第１薬液供給モジュールは前記第１薬液を供給することを含む、請求項１８に記載の基板処理方法。
  20. 前記第１ボウルは前記基板に対応するように位置した状態で前記第２薬液供給モジュールが前記第２薬液を供給しないか、第２流量で供給した後に、前記支持モジュールが前記第２速度より大きい第４速度で回転しながら前記第１薬液供給モジュールは前記第１薬液を供給することをさらに含む、請求項１６に記載の基板処理方法。
JP2021136981A 2020-12-29 2021-08-25 基板処理装置および基板処理方法 Active JP7201756B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2020-0186120 2020-12-29
KR1020200186120A KR102504087B1 (ko) 2020-12-29 2020-12-29 기판 처리 장치 및 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2022104785A true JP2022104785A (ja) 2022-07-11
JP7201756B2 JP7201756B2 (ja) 2023-01-10

Family

ID=82116917

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021136981A Active JP7201756B2 (ja) 2020-12-29 2021-08-25 基板処理装置および基板処理方法

Country Status (4)

Country Link
US (2) US20220205093A1 (ja)
JP (1) JP7201756B2 (ja)
KR (1) KR102504087B1 (ja)
CN (1) CN114695176A (ja)

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002261064A (ja) * 2001-02-28 2002-09-13 Sony Corp 基板洗浄方法および基板洗浄装置
JP2007005392A (ja) * 2005-06-21 2007-01-11 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2008177425A (ja) * 2007-01-19 2008-07-31 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
JP2012019002A (ja) * 2010-07-07 2012-01-26 Sokudo Co Ltd 基板洗浄方法および基板洗浄装置
JP2012227285A (ja) * 2011-04-18 2012-11-15 Tokyo Electron Ltd 液処理装置
US20190311923A1 (en) * 2018-04-06 2019-10-10 Semes Co., Ltd. Substrate support unit and substrate processing apparatus having the same
US20190318946A1 (en) * 2018-04-16 2019-10-17 Semes Co., Ltd. Substrate heating unit and substrate processing apparatus having the same
KR20200078791A (ko) * 2018-12-21 2020-07-02 세메스 주식회사 기판 처리 장치, 그리고 노즐 세정 방법
KR20200083790A (ko) * 2018-12-28 2020-07-09 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6863741B2 (en) * 2000-07-24 2005-03-08 Tokyo Electron Limited Cleaning processing method and cleaning processing apparatus
US7584760B2 (en) * 2002-09-13 2009-09-08 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus
JP5114252B2 (ja) 2008-03-06 2013-01-09 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP5844681B2 (ja) * 2011-07-06 2016-01-20 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び基板液処理方法
KR20160147163A (ko) * 2015-06-12 2016-12-22 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 세정 방법
KR102042789B1 (ko) * 2017-11-30 2019-11-08 세메스 주식회사 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002261064A (ja) * 2001-02-28 2002-09-13 Sony Corp 基板洗浄方法および基板洗浄装置
JP2007005392A (ja) * 2005-06-21 2007-01-11 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2008177425A (ja) * 2007-01-19 2008-07-31 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
JP2012019002A (ja) * 2010-07-07 2012-01-26 Sokudo Co Ltd 基板洗浄方法および基板洗浄装置
JP2012227285A (ja) * 2011-04-18 2012-11-15 Tokyo Electron Ltd 液処理装置
US20190311923A1 (en) * 2018-04-06 2019-10-10 Semes Co., Ltd. Substrate support unit and substrate processing apparatus having the same
US20190318946A1 (en) * 2018-04-16 2019-10-17 Semes Co., Ltd. Substrate heating unit and substrate processing apparatus having the same
KR20200078791A (ko) * 2018-12-21 2020-07-02 세메스 주식회사 기판 처리 장치, 그리고 노즐 세정 방법
KR20200083790A (ko) * 2018-12-28 2020-07-09 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US20220205093A1 (en) 2022-06-30
KR102504087B1 (ko) 2023-02-24
US20240011158A1 (en) 2024-01-11
JP7201756B2 (ja) 2023-01-10
CN114695176A (zh) 2022-07-01
KR20220094677A (ko) 2022-07-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6827814B2 (en) Processing apparatus, processing system and processing method
US9431276B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
US7964042B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2013070103A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2008034779A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP5954862B2 (ja) 基板処理装置
JP2010010679A (ja) 基板表面を選択的にエッチングするための基板処理装置及び方法
JP2007318087A (ja) 現像装置、現像処理方法、現像処理プログラム、及びそのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
US20080017222A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
US20040173153A1 (en) Process liquid supply nozzle, process liquid supply device and nozzle cleaning method
US20110308554A1 (en) Liquid Processing Apparatus, Liquid Processing Method, and Storage Medium Having Computer Program Recorded Therein
TWI740095B (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
JP2019016654A (ja) 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP2009212407A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
KR101373748B1 (ko) 기판 세정 방법
JP2009218456A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP7438015B2 (ja) 基板処理装置
JP2009224692A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2003163147A (ja) 基板液処理装置
JP2022104785A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR20210043665A (ko) 기판 처리 장치, 처리액 및 기판 처리 방법
JP5297056B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR101236804B1 (ko) 기판 세정 장치 및 기판 세정 방법
JP2008034612A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR101256958B1 (ko) 기판 세정 장치 및 기판 세정 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20210825

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20220726

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20221026

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20221206

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20221222

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7201756

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150