JP2012227285A - 液処理装置 - Google Patents
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- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims abstract description 205
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 8
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 claims description 30
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims description 13
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 5
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims 7
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 43
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 11
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 8
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 description 7
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 3
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- -1 rinse washing Substances 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/041—Cleaning travelling work
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/048—Overflow-type cleaning, e.g. tanks in which the liquid flows over the tank in which the articles are placed
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
- B08B3/022—Cleaning travelling work
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
- B08B3/024—Cleaning by means of spray elements moving over the surface to be cleaned
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
- Y10S134/902—Semiconductor wafer
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
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Abstract
【解決手段】液処理装置1では、被処理基板の回転保持部21を囲むように設けられた第1、第2のカップ51、52は、回転する被処理基板Wから飛散した処理液を下方側へ案内し、第1の駆動部610及び第2の駆動部620は、処理液を受け止める位置と、その下方側の位置との間で第1のカップ51及び第2のカップ52昇降させる。制御部7は、第1、第2のカップ51、52の同時上昇時、第1のカップ51の上昇速度を第2のカップ52の上昇速度よりも大きくし、第1のカップ51またはその第1の昇降部材は、前記第2のカップ52またはその第2の昇降部材に下方側から重なり合って、第1の駆動部の駆動力を伝達させることにより、これら第1のカップ51と第2のカップ52とを同時に上昇させる
【選択図】図1
Description
この回転保持部に保持された被処理基板の被処理面に処理液を供給するための処理液供給部と、
被処理基板から飛散した処理液を受け止めて下方側へ案内するために前記回転保持部を囲むように内側から順番に設けられた第1のカップ及び第2のカップと、
回転する被処理基板から飛散した処理液を受け止める処理位置と、この処理位置から下方側に退避した退避位置との間で、前記第1のカップ及び第2のカップを各々第1の昇降部材及び第2の昇降部材を介して昇降させるために設けられ、これら各カップの昇降速度の設定値が変更可能な第1の駆動部及び第2の駆動部と、
前記第1のカップと第2のカップとを同時に上昇させるときは、第1のカップの上昇速度の設定値が第2のカップの上昇速度の設定値よりも大きくなるように、これら第1の駆動部及び第2の駆動部に制御信号を出力する制御部と、を備え、
前記第1のカップまたは第1の昇降部材は、前記第2のカップまたは第2の昇降部材に下方側から重なり合って、第1の駆動部の駆動力を第2のカップまたは第2の昇降部材に伝達させることにより、これら第1のカップと第2のカップとを同時に上昇させることを特徴とする。
(a)前記制御部は、前記第1のカップと第2のカップとを同時に下降させるときには、第2のカップの下降速度の設定値が第1のカップの下降速度の設定値よりも大きくなるように、前記第1の駆動部及び第2の駆動部に制御信号を出力し、前記第2のカップまたは第2の昇降部材は、第1のカップまたは第1の昇降部材に上方側から重なり合って、第2の駆動部の駆動力を第1のカップまたは第1の昇降部材に伝達させることにより、これら第1のカップと第2のカップとを同時に下降させること。
(b)前記制御部は、前記第2のカップを単独で上昇させるときには、第1のカップと第2のカップとを同時に上昇させるときの上昇速度よりも大きくなるように、前記第2の駆動部に制御信号を出力すること。
(c)前記第2のカップと第1のカップを同時に上昇させる際に、これら第2のカップと第1のカップとの間に形成される隙間を閉じるシール部を備えたこと。
(d)前記シール部は第1のカップと第2のカップとの少なくとも一方側に設けられ、前記制御部は、前記第1のカップ及び第2のカップを退避位置まで下降させたとき、当該第1のカップよりも上方側であって、前記シール部により隙間が閉じられていない状態となる位置に第2のカップを位置させ、これら第1のカップと第2のカップとを上昇させるときは、第1のカップが第2のカップよりも早く上昇を開始することにより、前記シール部にて隙間を閉じてから第1のカップと第2のカップとを同時に上昇させるように、前記第1の駆動部及び第2の駆動部に制御信号を出力すること。
(e)前記制御部は、前記第1のカップを単独で下降させるときには、第1のカップと第2のカップとを同時に下降させるときの下降速度よりも大きくなるように、前記第1の駆動部に制御信号を出力すること。
(f)前記第2のカップと第1のカップを同時に下降させる際に、これら第2のカップと第1のカップとの間に形成される隙間を閉じるシール部を備えたこと。
(g)前記シール部は第1のカップと第2のカップとの少なくとも一方側に設けられ、前記制御部は、前記第1のカップ及び第2のカップを処理位置まで上昇させたとき、当該第2のカップよりも下方側であって、前記シール部により隙間が閉じられていない状態となる位置に第1のカップを位置させ、これら第1のカップと第2のカップとを下降させるときは、第2のカップが第1のカップよりも早く下降を開始することにより、前記シール部にて隙間を閉じてから第1のカップと第2のカップとを同時に下降させるように、前記第1の駆動部及び第2の駆動部に制御信号を出力すること。
また、回転軸22は、液処理装置1のベースプレート10に設けられた回転モーター23に接続されており、回転モーター23を駆動させることによりスピンチャック21を回転させることができる。スピンチャック21、回転軸22、回転モーター23は本実施の形態の回転保持部に相当する。
そして、第1のカップ51や第2のカップ52を個別に昇降させる時には、短時間での移動を完了できるように、これらの昇降速度は基準速度に設定される。
また、第3のカップ53は必ずしも設けなくてもよく、例えば液処理装置1を収容する筐体の底面に排液管を設け、ここから処理液を排出してもよい。
また、本発明の液処理装置1、1a、1bにて処理する被処理基板についても半導体ウエハに限定されるものではなく、角形基板などを処理する液処理装置にも適用することができる。
1 液処理装置
21 スピンチャック
31 処理液ノズル
51 第1のカップ
511 屈曲部
52 第2のカップ
521 屈曲部
53、53a
第3のカップ
610、620
アクチュエーター
611、621
支持部材
612、622
連結部材
7 制御部
Claims (15)
- 被処理基板を保持して鉛直軸周りに回転させるための回転保持部と、
この回転保持部に保持された被処理基板の被処理面に処理液を供給するための処理液供給部と、
被処理基板から飛散した処理液を受け止めて下方側へ案内するために前記回転保持部を囲むように内側から順番に設けられた第1のカップ及び第2のカップと、
回転する被処理基板から飛散した処理液を受け止める処理位置と、この処理位置から下方側に退避した退避位置との間で、前記第1のカップ及び第2のカップを各々第1の昇降部材及び第2の昇降部材を介して昇降させるために設けられ、これら各カップの昇降速度の設定値が変更可能な第1の駆動部及び第2の駆動部と、
前記第1のカップと第2のカップとを同時に上昇させるときは、第1のカップの上昇速度の設定値が第2のカップの上昇速度の設定値よりも大きくなるように、これら第1の駆動部及び第2の駆動部に制御信号を出力する制御部と、を備え、
前記第1のカップまたは第1の昇降部材は、前記第2のカップまたは第2の昇降部材に下方側から重なり合って、第1の駆動部の駆動力を第2のカップまたは第2の昇降部材に伝達させることにより、これら第2のカップと第1のカップとを同時に上昇させることを特徴とする液処理装置。 - 前記制御部は、前記第1のカップと第2のカップとを同時に下降させるときには、第2のカップの下降速度の設定値が第1のカップの下降速度の設定値よりも大きくなるように、前記第1の駆動部及び第2の駆動部に制御信号を出力し、前記第2のカップまたは第2の昇降部材は、第1のカップまたは第1の昇降部材に上方側から重なり合って、第2の駆動部の駆動力を第1のカップまたは第1の昇降部材に伝達させることにより、これら第1のカップと第2のカップとを同時に下降させることを特徴とする請求項1に記載の液処理装置。
- 前記制御部は、前記第2のカップを単独で上昇させるときには、第1のカップと第2のカップとを同時に上昇させるときの上昇速度よりも大きくなるように、前記第2の駆動部に制御信号を出力することを特徴とする請求項1に記載の液処理装置。
- 前記第1のカップと第2のカップを同時に上昇させる際に、これら第1のカップと第2のカップとの間に形成される隙間を閉じるシール部を備えたことを特徴とする請求項1または3に記載の液処理装置。
- 前記シール部は第1のカップと第2のカップとの少なくとも一方側に設けられ、
前記制御部は、前記第1のカップ及び第2のカップを退避位置まで下降させたとき、当該第1のカップよりも上方側であって、前記シール部により隙間が閉じられていない状態となる位置に第2のカップを位置させ、これら第1のカップと第2のカップとを上昇させるときは、第1のカップが第2のカップよりも早く上昇を開始することにより、前記シール部にて隙間を閉じてから第1のカップと第2のカップとを同時に上昇させるように、前記第1の駆動部及び第2の駆動部に制御信号を出力することを特徴とする請求項4に記載の液処理装置。 - 前記制御部は、前記第1のカップを単独で下降させるときには、第1のカップと第2のカップとを同時に下降させるときの下降速度よりも大きくなるように、前記第1の駆動部に制御信号を出力することを特徴とする請求項2に記載の液処理装置。
- 前記第1のカップと第2のカップを同時に下降させる際に、これら第1のカップと第2のカップとの間に形成される隙間を閉じるシール部を備えたことを特徴とする請求項2または6に記載の液処理装置。
- 前記シール部は第1のカップと第2のカップとの少なくとも一方側に設けられ、
前記制御部は、前記第1のカップ及び第2のカップを処理位置まで上昇させたとき、当該第2のカップよりも下方側であって、前記シール部により隙間が閉じられていない状態となる位置に第1のカップを位置させ、これら第2のカップと第1のカップとを下降させるときは、第2のカップが第1のカップよりも早く下降を開始することにより、前記シール部にて隙間を閉じてから第1のカップと第2のカップとを同時に下降させるように、前記第1の駆動部及び第2の駆動部に制御信号を出力することを特徴とする請求項7に記載の液処理装置。 - 被処理基板を囲むように内側から順番に設けられた第1のカップ及び第2のカップを、被処理基板から飛散した処理液を受け止める処理位置とこの処理位置の下方側の退避位置との間で昇降させる動作を含む液処理方法であって、
鉛直軸周りに回転する被処理基板の被処理面に処理液を供給する工程と、
前記第1のカップと第2のカップとを前記退避位置から処理位置へ同時に上昇させるときは、第1のカップの上昇速度を第2のカップの上昇速度よりも大きくして、前記第1のカップまたは当該第1のカップを昇降させるための第1の昇降部材が、前記第2のカップまたは当該第2のカップを昇降させるための第2の昇降部材に下方側から重なり合って、当該第2のカップまたは第2の昇降部材を押し上げることにより、これら第1のカップと第2のカップとを同時に上昇させる工程と、を含むことを特徴とする液処理方法。 - 前記第1のカップと第2のカップとを前記処理位置から退避位置へ同時に下降させるときは、第2のカップの下降速度を第1のカップの下降速度よりも大きくして、前記第2のカップまたは第2の昇降部材が、前記第1のカップまたは第1の昇降部材に上方側から重なり合って、当該第1のカップまたは第1の昇降部材を押し下げることにより、これら第1のカップと第2のカップとを同時に下降させる工程を含むことを特徴とする請求項9に記載の液処理方法。
- 前記第2のカップを単独で退避位置から処理位置まで上昇させるときには、第1のカップと第2のカップとを同時に上昇させるときよりも大きな上昇速度で前記第2のカップを上昇させる工程を含むことを特徴とする請求項9に記載の液処理方法。
- 前記第1のカップと第2のカップとの少なくとも一方側には、当該第1のカップと第2のカップを同時に上昇させる際に、これらカップ同士の間に形成される隙間を閉じるシール部が設けられ、
前記第1のカップ及び第2のカップを退避位置まで下降させたとき、当該第1のカップよりも上方側であって、前記シール部により隙間が閉じられていない状態となる位置に第2のカップを位置させる工程を含み、
前記第1のカップと第2のカップとを同時に上昇させる工程では、第1のカップが第2のカップよりも早く上昇を開始することにより、前記シール部にて隙間を閉じてから第1のカップと第2のカップとを同時に上昇させることを特徴とする請求項9または11に記載の液処理方法。 - 前記第1のカップを単独で処理位置から退避位置まで下降させるときには、第1のカップと第2のカップとを同時に下降させるときよりも大きな下降速度で前記第1のカップを下降させる工程を含むことを特徴とする請求10に記載の液処理方法。
- 前記第1のカップと第2のカップとの少なくとも一方側には、当該第1のカップと第2のカップを同時に下降させる際に、これらカップ同士の間に形成される隙間を閉じるシール部が設けられ、
前記第1のカップ及び第2のカップを処理位置まで上昇させたとき、当該第2のカップよりも下方側であって、前記シール部により隙間が閉じられていない状態となる位置に第1のカップを位置させる工程を含み、
前記第1のカップと第2のカップとを同時に下降させる工程では、第2のカップが第1のカップよりも早く下降を開始することにより、前記シール部にて隙間を閉じてから第1のカップと第2のカップとを同時に下降させることを特徴とする請求項10または13に記載の液処理方法。 - 回転保持部により保持され、鉛直軸周りに回転する被処理基板の被処理面に処理液供給部より処理液を供給して液処理を行う液処理装置に用いられるコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、
前記プログラムは請求項9ないし14のいずれか一つに記載された液処理方法を実行するためにステップが組まれていることを特徴とする記憶媒体。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011092430A JP5375871B2 (ja) | 2011-04-18 | 2011-04-18 | 液処理装置、液処理方法、コンピュータプログラムを格納した記憶媒体 |
US13/448,491 US8845815B2 (en) | 2011-04-18 | 2012-04-17 | Liquid processing apparatus, liquid processing method, and computer-readable recording medium having program stored therein |
TW101113810A TWI497628B (zh) | 2011-04-18 | 2012-04-18 | 液體處理裝置、液體處理方法及儲存有程式之電腦可讀取的記錄媒體 |
KR1020120040281A KR101791269B1 (ko) | 2011-04-18 | 2012-04-18 | 액처리 장치, 액처리 방법, 및 프로그램을 저장한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체 |
US14/466,240 US9108231B2 (en) | 2011-04-18 | 2014-08-22 | Liquid processing apparatus, liquid processing method, and computer-readable recording medium having program stored therein |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011092430A JP5375871B2 (ja) | 2011-04-18 | 2011-04-18 | 液処理装置、液処理方法、コンピュータプログラムを格納した記憶媒体 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012227285A true JP2012227285A (ja) | 2012-11-15 |
JP2012227285A5 JP2012227285A5 (ja) | 2013-05-30 |
JP5375871B2 JP5375871B2 (ja) | 2013-12-25 |
Family
ID=47005470
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011092430A Active JP5375871B2 (ja) | 2011-04-18 | 2011-04-18 | 液処理装置、液処理方法、コンピュータプログラムを格納した記憶媒体 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8845815B2 (ja) |
JP (1) | JP5375871B2 (ja) |
KR (1) | KR101791269B1 (ja) |
TW (1) | TWI497628B (ja) |
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JP5375871B2 (ja) | 2013-12-25 |
US20140360540A1 (en) | 2014-12-11 |
US8845815B2 (en) | 2014-09-30 |
US9108231B2 (en) | 2015-08-18 |
US20120260946A1 (en) | 2012-10-18 |
TW201312678A (zh) | 2013-03-16 |
KR20120118440A (ko) | 2012-10-26 |
TWI497628B (zh) | 2015-08-21 |
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Date | Code | Title | Description |
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A521 | Request for written amendment filed |
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A621 | Written request for application examination |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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