JP2019140307A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、本実施形態に係る基板処理装置100の平面図である。基板処理装置100は、半導体ウェハの製造工程において、円板状の基板W(シリコン基板)の表面を処理する装置である。基板処理装置100は、基板Wの表面に処理液を供給する液処理と、基板Wの表面を乾燥させる乾燥処理とを行う。
続いて、処理ユニット102の構成について説明する。以下では、基板処理装置100が有している複数の処理ユニット102のうちの1つについて説明するが、他の処理ユニット102も同等の構成を有している。
以下に、送液管411、ノズル管412および吸引管413それぞれの流路について説明する。図6は、送液管411、ノズル管412および吸引管413の断面図である。
以下に、上記のように構成された基板処理装置100における、基板Wの処理の一例について説明する。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されるものではない。
104 :流体ボックス
411 :送液管
411A :送液流路
412 :ノズル管
412A :ノズル流路
412B :吐出口
413 :吸引管
413A :吸引流路
451 :硫酸供給源
452 :過酸化水素水供給源
453 :イジェクタ
454 :トラップタンク
Claims (10)
- 基板に処理液を供給する基板処理装置であって、
処理液を前記基板へ吐出するノズル管と、
前記ノズル管に接続され、前記ノズル管へ処理液を送液する送液管と、
前記送液管よりも下流側で前記ノズル管に接続され、前記ノズル管内の処理液を吸引する吸引管と、
前記基板を保持して、前記ノズル管から吐出される処理液により前記基板の処理を行う処理部と、
を備え、
少なくとも前記吸引管の接続位置から下流側の前記ノズル管の内径は、前記吸引管の内径以下である、
基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置であって、
前記送液管の内径は、前記吸引管の接続位置から上流側の前記ノズル管の内径以下である、
基板処理装置。 - 請求項1または請求項2に記載の基板処理装置であって、
前記吸引管の接続位置から下流側の前記ノズル管の内径は、前記接続位置から上流側の内径より小さい、
基板処理装置。 - 請求項1または請求項2に記載の基板処理装置であって、
前記ノズル管の内径と、前記送液管の内径と、前記吸引管の内径とは、同一である、
基板処理装置。 - 請求項1から請求項4までのいずれか一つに記載の基板処理装置であって、
前記吸引管内を吸引するイジェクタと、
前記吸引管と前記イジェクタとを接続する経路を開閉する開閉弁と、
前記処理部に隣接配置され、処理液関連機器を収容する流体ボックスと、
を備え、
前記開閉弁は、前記流体ボックス近傍に配置されている、
基板処理装置。 - 請求項1から請求項5までのいずれか一つに記載の基板処理装置であって、
前記処理液は発泡状態の液体である、
基板処理装置。 - 請求項1から請求項6のいずれか一つに記載の基板処理装置であって、
前記送液管は、前記ノズル管内の処理液を吸引する管を兼ねている、
基板処理装置。 - 請求項7に記載の基板処理装置であって、
前記送液管から吸引される処理液と、前記吸引管から吸引される処理液とは、それぞれ異なるトラップタンクに回収される、
基板処理装置。 - 請求項1から請求項8のいずれか一つに記載の基板処理装置であって、
前記ノズル管は鉛直方向に沿って延びる、
基板処理装置。 - 請求項1から請求項9のいずれか一つに記載の基板処理装置であって、
前記送液管からの処理液の送液を停止する前に、前記吸引管から前記ノズル管内の処理液の吸引を開始する、
基板処理装置。
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