JP2019169647A - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
Description
下記特許文献1に係る処理ユニットは、さらに、流通空間を流通する薬液の流通先を、回収配管と、廃棄のための排液配管との間で切り換える切り換えバルブを備えている。
しかしながら、異物を含む薬液と、異物を含まない薬液とが、共通の流通空間を流通するので、流通空間を区画する内壁等を介して、異物を含まない薬液に異物が転写するおそれがある。その結果、本来、異物を含まない薬液に異物が混入するおそれがある。
そこで、この発明の目的は、異物を含む薬液と異物を含まない薬液とを、処理カップの内部で分離して流通させることが可能な、基板処理方法および基板処理装置を提供することである。
この方法によれば、第1の流通空間を流通する薬液が排液配管に導出され、第2の流通空間を流通する薬液が回収配管に導出される。そのため、異物を含む薬液が、第1の流通空間を流通して排液配管に導かれ、異物を含まない薬液が、第2の流通空間を流通して回収配管に導かれる。これにより、異物を含まない薬液のみを回収することが可能である。ゆえに、回収薬液への異物の混入をより効果的に抑制または防止できる。
請求項4に記載の発明は、前記第1および第2のガードが互いに隣り合うガードであり、前記第2のガードが、前記第1のガードの外側を包囲可能に設けられており、前記ガード切り換え工程が、前記捕獲可能位置に配置されている前記第1のガードを下降させることにより、前記第2のガードを、薬液を捕獲可能にさせる工程を含む、請求項3に記載の基板処理方法である。
請求項5に記載の発明は、前記薬液供給工程が、前記流通先切り換え工程の全期間に亘って前記基板への薬液の供給を続行する、請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板処理方法である。
請求項6に記載の発明は、前記薬液供給工程が、前記流通先切り換え工程の少なくとも一部の期間において、前記基板への薬液の供給を停止する、請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板処理方法である。
この方法によれば、ガードの切り換えの少なくとも一部の期間において、基板への薬液の供給が中断されるので、このような周囲の部材の汚染を抑制または防止できる。
この方法によれば、薬液供給工程の開始から予め定める時間が経過した場合に、流通先が切り換えられる。基板から排出される薬液が異物を含まなくなるまでに要する期間を予め求めておくことにより、流通先の切換えを好適なタイミングで行うことができる。
この方法によれば、薬液供給工程における流通先の切り換えの前後において、基板に供給される薬液の濃度が一定であるので、当該切り換えの前後において、薬液による均一な処理を基板に施すことができる。
薬液供給工程において、基板に形成されていたレジストがSPMによって除去される。薬液供給工程の開始後には、基板から排出されるSPMにレジスト残渣が多く含まれる。
前記の目的を達成するための請求項10に記載の発明は、基板を保持する基板保持ユニットと、前記基板保持ユニットに保持されている基板を、当該基板の中央部を通る回転軸線まわりに回転させるための回転ユニットと、前記基板保持ユニットに保持されている基板に薬液を供給するための薬液供給ユニットと、前記基板保持ユニットの周囲を取り囲む処理カップであって、第1の流通空間と、前記第1の流通空間とは隔てられた第2の流通空間とを有し、前記基板保持ユニットに保持されている基板から排出される薬液が流通する処理カップと、前記基板保持ユニットに保持されている基板から排出される薬液の流通先を、第1の流通空間と、第2の流通空間との間で切り換えるための流通先切り換えユニットと、前記回転ユニット、前記薬液供給ユニットおよび前記流通先切り換えユニットを制御する制御装置とを含み、前記制御装置が、前記回転軸線まわりに前記基板を回転させながら、前記薬液供給ユニットによって前記基板の主面に薬液を供給する薬液供給工程と、前記薬液供給工程中に、前記基板から排出される薬液の流通先を、前記流通先切り換えユニットによって前記第1の流通空間から前記第2の流通空間に切り換える流通先切り換え工程とを実行する、基板処理装置を提供する。
この構成によれば、第1の流通空間を流通する薬液が排液配管に導出され、第2の流通空間を流通する薬液が回収配管に導出される。そのため、異物を含む薬液が、第1の流通空間を流通して排液配管に導かれ、異物を含まない薬液が、第2の流通空間を流通して回収配管に導かれる。これにより、異物を含まない薬液のみを回収することが可能である。ゆえに、回収薬液への異物の混入をより効果的に抑制または防止できる。
請求項13に記載の発明は、前記第1および第2のガードは互いに隣り合うガードであり、前記第2のガードが、前記第1のガードの外側を包囲可能に設けられており、前記制御装置が、前記ガード切り換え工程において、前記捕獲可能位置に配置されている前記第1のガードを下降させることにより、前記第2のガードを、薬液を捕獲可能にさせる工程を実行させる、請求項12に記載の基板処理装置である。
請求項14に記載の発明は、前記制御装置が、前記薬液供給工程において、前記流通先切り換え工程の全期間に亘って前記基板への薬液の供給を続行する、請求項10〜13のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
請求項15に記載の発明は、前記制御装置が、前記薬液供給工程において、前記流通先切り換え工程の少なくとも一部の期間における、前記基板への薬液の供給を停止する、請求項10〜14のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、ガードの切り換えの少なくとも一部の期間において、基板への薬液の供給が中断されるので、このような周囲の部材の汚染を抑制または防止できる。
この構成によれば、薬液供給工程の開始から予め定める時間が経過した場合に、流通先が切り換えられる。基板から排出される薬液が異物を含まなくなるまでに要する期間を予め求めておくことにより、流通先の切換えを好適なタイミングで行うことができる。
この構成によれば、薬液供給工程における流通先の切り換えの前後において、基板に供給される薬液の濃度が一定であるので、当該切り換えの前後において、薬液による均一な処理を基板に施すことができる。
薬液供給工程において、基板に形成されていたレジストがSPMによって除去される。薬液供給工程の開始後には、基板から排出されるSPMにレジスト残渣が多く含まれる。
図1は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置1の内部のレイアウトを説明するための図解的な平面図である。基板処理装置1は、半導体ウエハなどの円板状の基板Wを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。
基板処理装置1は、基板Wを収容する複数の基板収容器Cを保持する複数のロードポートLPと、複数のロードポートLPから搬送された基板Wを薬液等の処理液で処理する複数(たとえば12台)の処理ユニット2と、複数のロードポートLPから複数の処理ユニット2に基板Wを搬送する搬送ロボットと、基板処理装置1を制御する制御装置3とを含む。搬送ロボットは、ロードポートLPと処理ユニット2との間の経路上で基板Wを搬送するインデクサロボットIRと、インデクサロボットIRと処理ユニット2との間の経路上で基板Wを搬送する基板搬送ロボットCRとを含む。
処理ユニット2は、内部空間を有する箱形のチャンバ7と、チャンバ7内で一枚の基板Wを水平な姿勢で保持して、基板Wの中心を通る鉛直な回転軸線A1まわりに基板Wを回転させるスピンチャック(基板保持ユニット)8と、スピンチャック8に保持されている基板Wの上面に、薬液の一例としてのSPM(硫酸過酸化水素水混合液(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture)。H2SO4(硫酸)およびH2O2(過酸化水素水)を含む混合液)を供給するためのSPM供給ユニット(薬液供給ユニット)9と、スピンチャック8に保持されている基板Wの上面にリンス液を供給するためのリンス液供給ユニット10と、スピンチャック8を取り囲む筒状の処理カップ11とを含む。
図2に示すように、FFU14は隔壁12の上方に配置されており、隔壁12の天井に取り付けられている。FFU14は、隔壁12の天井からチャンバ7内に清浄空気を送る。排気装置(図示しない)は、処理カップ11内に接続された排気ダクト13を介して処理カップ11の底部に接続されており、処理カップ11の底部から処理カップ11の内部を吸引する。FFU14および排気装置(図示しない)により、チャンバ7内にダウンフロー(下降流)が形成される。
スピンベース16は、基板Wの外径よりも大きな外径を有する水平な円形の上面16aを含む。上面16aには、その周縁部に複数個(3個以上。たとえば6個)の挟持部材17が配置されている。複数個の挟持部材17は、スピンベース16の上面周縁部において、基板Wの外周形状に対応する円周上で適当な間隔を空けてたとえば等間隔に配置されている。
SPMノズル18は、たとえば、連続流の状態でSPMを吐出するストレートノズルである。SPMノズル18は、たとえば、基板Wの上面に垂直な方向に処理液を吐出する垂直姿勢でノズルアーム19に取り付けられている。ノズルアーム19は水平方向に延びている。
硫酸供給ユニット21は、SPMノズル18に一端が接続された硫酸配管23と、硫酸配管23を開閉するための硫酸バルブ24と、硫酸配管23の開度を調整して、硫酸配管23を流通するH2SO4の流量を調整する硫酸流量調整バルブ25と、硫酸配管23の他端が接続された硫酸供給部26とを含む。硫酸バルブ24および硫酸流量調整バルブ25は、流体ボックス4に収容されている。硫酸供給部26は貯留ボックス6に収容されている。
硫酸供給部26は、硫酸配管23に供給すべきH2SO4を貯留する硫酸タンク27と、H2SO4の新液を硫酸タンク27に補充する硫酸補充配管28と、回収タンク29と、回収タンク29に貯留されているH2SO4を硫酸タンク27に送るための送液配管30と、回収タンク29内のH2SO4を送液配管30に移動させる第1の送液装置31と、硫酸タンク27と硫酸配管23とを接続する硫酸供給配管32と、硫酸供給配管32を流通する硫酸を加熱して温度調整する温度調整器33と、硫酸タンク27内のH2SO4を硫酸供給配管32に移動させる第2の送液装置34とを含む。温度調整器33は、硫酸タンク27のH2SO4内に浸漬されていてもよいし、図2に示すように硫酸供給配管32の途中部に介装されていてもよい。また、硫酸供給部26は、硫酸供給配管32を流れる硫酸をろ過するフィルタ、および/または硫酸供給配管32を流れる硫酸の温度を計測する温度計をさらに備えていてもよい。なお、この実施形態では、硫酸供給部26が2つのタンクを有しているが、回収タンク29の構成が省略され、処理カップ11から回収された硫酸が直接硫酸タンク27に供給される構成が採用されていてもよい。第1および第2の送液装置31,34は、たとえばポンプである。ポンプは、硫酸タンク27内のH2SO4を吸い込み、その吸い込んだH2SO4を吐出する。
処理カップ11は、スピンチャック8に保持されている基板Wよりも外方(回転軸線A1から離れる方向)に配置されている。処理カップ11は、たとえば、絶縁材料を用いて形成されている。処理カップ11は、スピンベース16の側方を取り囲んでいる。スピンチャック8が基板Wを回転させている状態で、処理液が基板Wに供給されると、基板Wに供給された処理液が基板Wの周囲に振り切られる。処理液が基板Wに供給されるとき、上向きに開いた処理カップ11の上端部11aは、スピンベース16よりも上方に配置される。したがって、基板Wの周囲に排出された薬液や水などの処理液は、処理カップ11によって受け止められる。そして、処理カップ11に受け止められた処理液は、回収タンク29または図示しない廃液装置に送られる。
第1のカップ41は、円環状をなし、スピンチャック8と円筒部材40との間でスピンチャック8の周囲を取り囲んでいる。第1のカップ41は、基板Wの回転軸線A1に対してほぼ回転対称な形状を有している。第1のカップ41は、断面U字状をなしており、基板Wの処理に使用された処理液を集めて排液するための第1の溝50を区画している。第1の溝50の底部の最も低い箇所には、排液口51が開口しており、排液口51には、第1の排液配管52が接続されている。第1の排液配管52に導入される処理液は、排液装置(図示しない。排液装置であってもよい)に送られ、当該装置で処理される。
最も外側の第3のガード45は、第2のガード44の外側において、スピンチャック8の周囲を取り囲み、スピンチャック8による基板Wの回転軸線A1に対してほぼ回転対称な形状を有している。第3のガード45は、第2のガード44と同軸の円筒部70と、円筒部70の上端から中心側(基板Wの回転軸線A1に近づく方向)斜め上方に延びる上端部71とを有している。上端部71の内周端は、平面視で、スピンチャック8に保持される基板Wよりも大径の円形をなしている。なお、上端部71は、図2に示すようにその断面形状が直線状であってもよいし、また、たとえば滑らかな円弧を描きつつ延びていてもよい。
また、第2のカップ42の第2の溝53、第1のガード43の外壁43bおよび第2のガード44の内壁44aによって、基板Wの処理に用いられた薬液が導かれる第2の流通空間(換言すると、回収空間)102が区画されている。第1の流通空間101と第2の流通空間102とは互いに隔離されている。
制御装置3は、たとえばマイクロコンピュータを用いて構成されている。制御装置3はCPU等の演算ユニット、固定メモリデバイス、ハードディスクドライブ等の記憶ユニット、および入出力ユニットを有している。記憶ユニットは、演算ユニットが実行するコンピュータプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体を含む。記録媒体には、制御装置3に後述するレジスト除去処理を実行させるようにステップ群が組み込まれている。
この基板処理例は、基板Wの上面(主面)からレジストを除去するレジスト除去処理である。レジストは、たとえば樹脂(ポリマー)等の有機物、感光剤、添加剤、溶剤を主成分としている。処理ユニット2によって基板Wに基板処理例が施されるときには、チャンバ7の内部に、高ドーズでのイオン注入処理後の基板Wが搬入される(図4のS1)。基板Wは、レジストをアッシングするための処理を受けていないものとする。
制御装置3は、スピンモータMによって基板Wの回転を開始させる(図4のS2。基板回転工程)。基板Wは予め定める液処理速度(300〜1500rpmの範囲内で、たとえば500rpm)まで上昇させられ、その液処理速度に維持される。
具体的には、制御装置3は、ノズル移動ユニット20を制御して、SPMノズル18を、退避位置から処理位置に移動させる。また、制御装置3は、硫酸バルブ24および過酸化水素水バルブ36を同時に開く。これにより、硫酸配管23を通ってH2SO4がSPMノズル18に供給されると共に、過酸化水素水配管35を通ってH2O2がSPMノズル18に供給される。SPMノズル18の内部においてH2SO4とH2O2とが混合され、高温(たとえば、160〜220℃)のSPMが生成される。そのSPMが、SPMノズル18の吐出口から吐出され、基板Wの上面中央部に着液する。この実施形態では、SPM工程S3の全期間に亘って、SPMの濃度が一定に保たれている。
次いで、リンス液を基板Wに供給するリンス工程(図4のS4)が行われる。具体的には、制御装置3は、リンス液バルブ49を開いて、基板Wの上面中央部に向けてリンス液ノズル47からリンス液を吐出させる。リンス液ノズル47から吐出されたリンス液は、SPMによって覆われている基板Wの上面中央部に着液する。基板Wの上面中央部に着液したリンス液は、基板Wの回転による遠心力を受けて基板Wの上面上を基板Wの周縁部に向けて流れる。これにより、基板W上のSPMが、リンス液によって外方に押し流され、基板Wの周囲に排出される。これにより、基板Wの上面の全域においてSPMおよびレジスト(つまり、レジスト残渣)が洗い流される。レジスト残渣は、たとえば炭化物である。リンス工程S4の開始から予め定める期間が経過すると、制御装置3は、リンス液バルブ49を閉じて、リンス液ノズル47からのリンス液の吐出を停止させる。
乾燥工程S5では、具体的には、制御装置3は、スピンモータMを制御することにより、SPM工程S3およびリンス工程S4までの回転速度よりも大きい乾燥回転速度(たとえば数千rpm)まで基板Wを加速させ、乾燥回転速度で基板Wを回転させる。これにより、大きな遠心力が基板W上の液に加わり、基板Wに付着している液が基板Wの周囲に振り切られる。このようにして、基板Wから液が除去され、基板Wが乾燥する。
次いで、チャンバ7内から基板Wが搬出される(図4のS7)。具体的には、制御装置3は、基板搬送ロボットCRのハンドをチャンバ7の内部に進入させる。そして、制御装置3は、基板搬送ロボットCRのハンドにスピンチャック8上の基板Wを保持させる。その後、制御装置3は、基板搬送ロボットCRのハンドをチャンバ7内から退避させる。これにより、表面(デバイス形成面)からレジストが除去された基板Wがチャンバ7から搬出される。
図2〜図5を参照しながら、図4に示す基板処理例におけるガード43,44の昇降(すなわち、基板Wの周端面に対向するガード(基板Wから排出される処理液を捕獲可能な位置に配置されるガード)の切り換え(ガード切り換え工程))について説明する。図6A〜6Dは、適宜参照する。
SPM工程S3の開始後しばらくの間、基板Wの表面に多くのレジスト残渣が存在しているため、この期間に基板Wから飛散する(排出される)SPMには多量のレジスト残渣が含まれている。多量のレジスト残渣を含むSPMは再利用に適さないため、回収せずに廃棄されるのが好ましい。その一方で、環境への配慮の観点からSPMの廃棄は最小限に止めることが好ましく、基板Wから排出されるSPMがレジスト残渣を含まないようになれば、そのSPMは回収して再利用するのが好ましい。この明細書において、「レジスト残渣を含まない」とは、「レジスト残渣を全く含まない」場合、「レジスト残渣をほとんど含まない」場合、および「レジスト残渣を少量しか含まない場合」を含む趣旨である。
また、図6A,図6Bに示すように、第1の工程T1においては、内壁43aの第1の領域R1に着液したSPMは、上下方向に広がりながら第1のガード43の内壁43aに付着する。第1の領域R1に着液したSPMが到達する領域の上端を、到達領域上端(到達領域の上端)URとする。基板Wから飛散するSPMにはレジスト残渣RR(図6A参照,図6B)が含まれるので、第1のガード43の内壁43aにおいて、環状の上端URよりも下方の領域には、レジスト残渣RRが付着しているおそれがある。
第2の工程T2において、SPMノズル18から吐出されるSPMの濃度、SPMの流量、基板Wの回転速度は、第1の工程T1の場合と同等である。第2の工程T2において、基板Wの周縁部から飛散するSPMが、第1のガード43の内壁43aの環状の第2の領域R2(洗浄高さ位置WPに位置する第1のガード43の内壁43aが捕獲する位置)に着液する。第1のガード43の内壁43aにおいて、第2の領域R2は、第1の領域R1よりも上方に位置する。より具体的には、第2の領域R2が、到達領域上端URよりも上方に設定される。そのため、内壁43aの環状の上端URよりも下方の領域に付着している、レジスト残渣を含むSPMの略全てを、洗浄高さ位置WPに位置する第1のガード43によって捕獲したSPMによって良好に洗い流すことができる。
洗浄高さ位置WPへの第1のガード43の配置から所定の洗浄期間が経過すると、第2の工程T2が終了し、次いで、第3の工程T3が開始される。
第3の工程T3において、SPMノズル18から吐出されるSPMの濃度、SPMの流量、基板Wの回転速度は、第1の工程T1の場合と同等である。第3の工程T3において、基板Wの周縁部から飛散するSPMが、第2のガード44の内壁44aに捕獲される。そして、第2のガード44の内壁44aを流下するSPMは、第2のカップ42、共用配管55および回収配管56を通って、硫酸供給部26の回収タンク29に送られる。すなわち、第3の工程T3において、基板Wの周縁部から飛散するSPMは、第2の流通空間102を通って回収され、再利用に供される。
また、SPM工程S3の次に実行されるリンス工程S4において、処理カップ11は、第1のガード対向状態である。そのため、第3の工程T3の終了後、制御装置3は、ガード昇降ユニット46を制御して、第1のガード43を、上位置まで上昇させる(第1のガード対向状態を実現)。
また、基板Wの搬出時(図4のS7)に先立って、制御装置3は、ガード昇降ユニット46を制御して、第3のガード45を、下位置まで下降させる。これにより、第1〜第3のガード43〜45の全てが下位置に配置される(退避状態を実現)。
また、第1のガード43と第2のガード44とが互いに隣り合うガードであるので、第1のガード43を下降させるだけで、第2のガード44を基板Wの周端面に対向させることができる。これにより、基板Wの周端面に対向するガードの切り換えをスムーズに行うことができる。
また、この実施形態によれば、SPM工程S3中において、第1のガード43が、それまでの上位置PPから、上位置PPよりも下方に設定された洗浄高さ位置WPに配置変更され、その後、所定の期間、その洗浄高さ位置WPに維持される。
また、第1のガード43の内壁43aにおいて、第2の領域R2が、到達領域上端URよりも上方に設定される。そのため、内壁43aの環状の上端URよりも下方の領域に付着している、レジスト残渣を含むSPMの略全てを、洗浄高さ位置WPに位置する第1のガード43によって捕獲したSPMによって良好に洗い流すことができる。
たとえば、第1のガード43の洗浄(第2の工程T2)を省略してもよい。すなわち、第1の工程T1の終了後、直ちに、第3の工程T3が開始されてもよい。この場合、第3の工程T3の開始(すなわち、ガード43,44の切り換え)のタイミングは、SPMの吐出開始から所定の清浄期間が経過後であればよい。
ガード43,44の切り換え時において、基板Wに供給されるSPMの供給流量を少なくしたり、基板Wの回転速度を遅くしたりすることにより、基板Wの周縁部から飛散するSPMの勢い(速度)を弱めたり、当該周縁部から飛散するSPMの量を減らしたりすることができる。これにより、チャンバ7内の汚染を抑制または防止できる。
また、ガードの切り換えを、第1のガード43と、第1のガード43に外側に隣り合う第2のガード44との間で行うとして説明したが、第2のガード44と第3のガード45との間でガードの切り換えを行うようにしてもよい。また、第1のガード43と第3のガード45との間でガードの切り換えを行うようにしてもよい。
また、回収配管56が、共用配管55を介さずに、第2のカップ42の底部に直接接続されていてもよい。第2のカップ42に溜められたSPMは、共用配管55を介して、硫酸供給部26に回収される。この場合、第2の排液配管57ならびに切り換えユニット(回収バルブ58および排液バルブ59)は廃止される。
また、第1および第2実施形態では、SPM供給ユニット9として、H2SO4およびH2O2の混合をSPMノズル18の内部で行うノズル混合タイプのものを例に挙げて説明したが、SPMノズル18の上流側に配管を介して接続された混合部を設け、この混合部において、H2SO4とH2O2との混合が行われる配管混合タイプのものを採用することもできる。
また、基板Wに供給される薬液はSPMに限られず、他の薬液であってもよい。たとえば、BHF、DHF(希フッ酸)、SC1(アンモニア過酸化水素水混合液)、SC2(塩酸過酸化水素水混合液)、有機溶剤(たとえばNMPやアセトン)、硝酸、燐酸アンモニウム、クエン酸、硫酸、希硫酸、フッ硝酸、原液 HF、王水、TMAH(水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液)などの有機酸およびこれら有機酸の混合液を例示できる。その他、O3水であってもよい。この場合、薬液に含まれる異物としては、金属、Si、有機物がある。
また、前述の実施形態において、基板処理装置1が半導体ウエハからなる基板Wの表面を処理する装置である場合について説明したが、基板処理装置が、液晶表示装置用基板、有機EL(electrolumineScence)表示装置などのFPD(Flat Panel DiSplay)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などの基板を処理する装置であってもよい。
2 :処理ユニット
3 :制御装置
7 :チャンバ
8 :スピンチャック(基板保持ユニット)
9 :SPM供給ユニット(薬液供給ユニット)
11 :処理カップ
26 :硫酸供給部
43 :第1のガード
44 :第2のガード
45 :第3のガード
46 :ガード昇降ユニット(流通先切り換えユニット)
101 :第1の流通空間
102 :第2の流通空間
A1 :回転軸線
M :スピンモータ(回転ユニット)
RR :レジスト残渣
UR :到達領域上端
W :基板
Claims (18)
- 基板保持ユニットによって基板を保持する基板保持工程と、
当該基板の中央部を通る回転軸線まわりに前記基板を回転させながら、前記基板の主面に薬液を供給する薬液供給工程と、
前記薬液供給工程中に、前記基板から排出される薬液の流通先を、前記基板保持ユニットの周囲を取り囲む処理カップにおける第1の流通空間から、前記処理カップにおける、前記第1の流通空間とは隔てられた第2の流通空間に切り換える流通先切り換え工程とを含む、基板処理方法。 - 前記第1の流通空間を流通する薬液が排液配管に導出され、
前記第2の流通空間を流通する薬液が回収配管に導出される、請求項1に記載の基板処理方法。 - 前記流通先切り換え工程が、
前記薬液供給工程中において、前記基板から排出される薬液を捕獲可能な捕獲可能位置に配置されるガードを、当該薬液を捕獲して前記第1の流通空間へと案内する筒状の第1のガードと、前記第1のガードとは別に設けられて、当該薬液を捕獲して前記第2の流通空間へと案内する筒状の第2のガードとの間で切り換えるガード切り換え工程を含む、請求項1または2に記載の基板処理方法。 - 前記第1および第2のガードが互いに隣り合うガードであり、前記第2のガードが、前記第1のガードの外側を包囲可能に設けられており、
前記ガード切り換え工程が、前記捕獲可能位置に配置されている前記第1のガードを下降させることにより、前記第2のガードを、薬液を捕獲可能にさせる工程を含む、請求項3に記載の基板処理方法。 - 前記薬液供給工程が、前記流通先切り換え工程の全期間に亘って前記基板への薬液の供給を続行する、請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記薬液供給工程が、前記流通先切り換え工程の少なくとも一部の期間において、前記基板への薬液の供給を停止する、請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記流通先切り換え工程が、前記薬液供給工程の開始からの経過時間に基づいて、前記流通先を、前記第1の流通空間から前記第2の流通空間に切り換える、請求項1〜6のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記薬液供給工程が、前記流通先切り換え工程の前後で一定の濃度に保たれた薬液を供給する工程を含む、請求項1〜7のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記基板の主面にはレジストが形成されており、
前記薬液供給工程において前記基板の主面に供給される薬液が、SPMを含む、請求項1〜8のいずれか一項に記載の基板処理方法。 - 基板を保持する基板保持ユニットと、
前記基板保持ユニットに保持されている基板を、当該基板の中央部を通る回転軸線まわりに回転させるための回転ユニットと、
前記基板保持ユニットに保持されている基板に薬液を供給するための薬液供給ユニットと、
前記基板保持ユニットの周囲を取り囲む処理カップであって、第1の流通空間と、前記第1の流通空間とは隔てられた第2の流通空間とを有し、前記基板保持ユニットに保持されている基板から排出される薬液が流通する処理カップと、
前記基板保持ユニットに保持されている基板から排出される薬液の流通先を、第1の流通空間と、第2の流通空間との間で切り換えるための流通先切り換えユニットと、
前記回転ユニット、前記薬液供給ユニットおよび前記流通先切り換えユニットを制御する制御装置とを含み、
前記制御装置が、前記回転軸線まわりに前記基板を回転させながら、前記薬液供給ユニットによって前記基板の主面に薬液を供給する薬液供給工程と、前記薬液供給工程中に、前記基板から排出される薬液の流通先を、前記流通先切り換えユニットによって前記第1の流通空間から前記第2の流通空間に切り換える流通先切り換え工程とを実行する、基板処理装置。 - 前記第1の流通空間を流通する薬液が排液配管に導出され、
前記第2の流通空間を流通する薬液が回収配管に導出される、請求項10に記載の基板処理装置。 - 前記処理カップが、前記基板保持ユニットに保持されている基板から排出される薬液を捕獲して前記第1の流通空間へと案内する筒状の第1のガードと、前記第1のガードとは別に設けられて、前記基板保持ユニットに保持されている基板から排出される薬液を捕獲して前記第2の流通空間へと案内する筒状の第2のガードとを含み、
前記流通先切り換えユニットが、前記第1および第2のガードをそれぞれ昇降させるためのガード昇降ユニットをさらに含み、
前記制御装置が、前記流通先切り換え工程において、前記薬液供給工程中において、前記基板から排出される薬液を捕獲可能な捕獲可能位置に配置されるガードを、前記ガード昇降ユニットによって前記第1のガードと前記第2のガードとの間で切り換えるガード切り換え工程を実行する、請求項10または11に記載の基板処理装置。 - 前記第1および第2のガードが互いに隣り合うガードであり、前記第2のガードが、前記第1のガードの外側を包囲可能に設けられており、
前記制御装置が、前記ガード切り換え工程において、前記捕獲可能位置に配置されている前記第1のガードを下降させることにより、前記第2のガードを、薬液を捕獲可能にさせる工程を実行させる、請求項12に記載の基板処理装置。 - 前記制御装置が、前記薬液供給工程において、前記流通先切り換え工程の全期間に亘って前記基板への薬液の供給を続行する、請求項10〜13のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記制御装置が、前記薬液供給工程において、前記流通先切り換え工程の少なくとも一部の期間における、前記基板への薬液の供給を停止する、請求項10〜14のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記制御装置が、前記流通先切り換え工程において、前記薬液供給工程の開始からの経過時間に基づいて、前記流通先を、前記第1の流通空間から前記第2の流通空間に切り換える、請求項10〜15のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記制御装置が、前記薬液供給工程において、前記流通先切り換え工程の前後で一定の濃度に保たれた薬液を前記基板に供給する工程を実行する、請求項10〜16のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記基板の主面にはレジストが形成されており、
前記薬液供給ユニットによって前記基板の主面に供給される前記薬液が、SPMを含む、請求項10〜17のいずれか一項に記載の基板処理装置。
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