CN110364454A - 基板处理方法以及基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供能够使含有异物的药液和不含有异物的药液在处理杯的内部分离地流通的基板处理方法和基板处理装置。本发明的基板处理方法包括：基板保持工序，利用基板保持单元保持基板；药液供给工序，一边使上述基板绕穿过该基板的中央部的旋转轴线旋转一边向上述基板的主面供给药液；以及流通目标切换工序，在上述药液供给工序中，将从所述基板排出的药液的流通目标从包围所述基板保持单元的周围的处理杯的第一流通空间切换为所述处理杯的与所述第一流通空间隔开的第二流通空间。

Description

基板处理方法以及基板处理装置
本申请主张基于2018年3月26日提交于日本专利局的日本专利申请特愿2018-57499号的优先权，本申请的全部内容为通过引用而结合于此。
技术领域
本发明涉及基板处理方法和基板处理装置。在作为处理对象的基板中，包括例如是半导体晶圆、液晶显示装置用基板、等离子显示器用基板、有机EL(electroluminescence，电发光)显示装置等FPD(Flat Panel Display：平板显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太阳能电池用基板等。
背景技术
在美国专利申请公开第2018/025922号公报中，公开了逐片地处理基板的单片式的基板处理装置。基板处理装置的处理单元具备：使基板水平地保持并旋转的旋转卡盘、向保持于旋转卡盘的基板的上表面喷出药液的药液喷嘴和包围旋转卡盘的筒状的处理杯。在处理杯的内部划分出导入在基板的处理中使用过的药液的流通空间。
另外，美国专利申请公开第2018/025922号公报的处理单元构成为能够回收在基板的处理中使用后的药液，并将该回收的药液重新用于以后的处理中。因此，基板处理装置还具备：贮存向药液喷嘴供给的药液的药液罐和从流通空间向药液罐引导药液的回收配管。
在美国专利申请公开第2018/025922号公报的处理单元中，还具备切换阀，切换阀将在流通空间中流通的药液的流通目标在回收配管和用于废弃的排液配管之间进行切换。
在处理单元中进行的基板处理包括从基板除去颗粒等污染、抗蚀剂等除去对象物质(统称为“污染物质”)的清洗处理、和从基板除去膜的蚀刻处理。因此，从基板排出的药液中可能会含有这些污染物质、膜等异物。需要抑制或防止含有异物的药液的回收。
因此，也可以考虑在从基板排出的药液含有异物的期间将在流通空间中流通的药液的流通目标设定为排液配管，在从基板排出的药液不含有异物的期间将在流通空间中流通的药液的流通目标设定为回收配管。
然而，由于含有异物的药液和不含异物的药液在共用的流通空间内流通，因此异物可能会经由划分出流通空间的内壁等向不含异物的药液转移。其结果，有可能在本来不含异物的药液中混入异物。
发明内容
鉴于此，期望在处理杯中，使含有异物的药液和不含有异物的药液在处理杯的内部分离地流通。
因此，本发明的目的在于提供能够使含有异物的药液和不含有异物的药液在处理杯的内部分离地流通的基板处理方法和基板处理装置。
本发明提供一种基板处理方法，包括：基板保持工序，由基板保持单元保持基板；药液供给工序，一边使上述基板绕穿过该基板的中央部的旋转轴线旋转一边向上述基板的主面供给药液；以及流通目标切换工序，在上述药液供给工序中，将从上述基板排出的药液的流通目标从包围上述基板保持单元的周围的处理杯的第一流通空间切换为上述处理杯的第二流通空间，上述第二流通空间与上述第一流通空间隔开。
在药液供给工序开始后不久的期间，从基板排出的药液中含有大量异物。即，含有异物的药液被导入处理杯。随着从药液供给工序开始起的时间的经过，进行基板中的药液处理，从基板排出的药液中含有的异物的量减少。并且，若在药液供给工序开始后经过规定时间，则从基板排出的药液中不含有异物。在本说明书中，“在药液中不包含异物”是指包括药液中完全不含有异物、药液中几乎不含有异物或者药液中含有的异物量少在内的情况。
根据该方法，在药液供给工序中，从基板排出的药液的流通目标从处理杯的第一流通空间切换为处理杯的第二流通空间。由此，能够使含有异物的药液和不含有异物的药液在处理杯的彼此不同的流通空间流通。由此，能够使含有异物的药液和不含有异物的药液在处理杯的内部分离地流通。
在本发明的一个实施方式中，在上述第一流通空间中流通的药液被导出到排液配管，在上述第二流通空间中流通的药液被导出至回收配管。
根据该方法，在第一流通空间中流通的药液被导出到排液配管，在第二流通空间中流通的药液被导出到回收配管。因此，含有异物的药液在第一流通空间中流通并被引导至排液配管，不含异物的药液在第二流通空间中流通并被引导至回收配管。由此，能够仅回收不含异物的药液。因此，能够更有效地抑制或防止异物向回收药液的混入。
在本发明的一个实施方式中，上述流通目标切换工序包括：挡板切换工序，在所述药液供给工序中，将配置在能够捕获从上述基板排出的药液的能够捕获位置的挡板在筒状的第一挡板和与所述第一挡板分开设置的筒状的第二挡板之间进行切换，上述第一挡板捕获并向上述第一流通空间引导上述药液，上述第二挡板捕获向上述第二流通空间引导上述药液并。
根据该方法，通过将配置于能够捕获药液的位置的挡板在第一挡板与第二挡板之间进行切换，能够将从基板排出的药液的流通目标在第一流通空间和第二流通空间之间切换。由此，能够容易地对从基板排出的药液的流通目标进行切换。
在本发明的一个实施方式中，上述第一挡板和第二挡板是彼此相邻的挡板。并且，上述第二挡板被设置成能够包围上述第一挡板的外侧。另外，上述挡板切换工序包括通过使配置在上述能够捕获位置的上述第一挡板下降，来使上述第二挡板能够捕获药液的工序。
根据该方法，第一挡板和第二挡板是彼此相邻的挡板。另外，第二挡板以能够包围第一挡板的外侧的方式设置。因此，能够顺利地进行配置在能够捕获药液的位置的挡板的切换。
在本发明的一个实施方式中，上述药液供给工序在上述流通目标切换工序的整个期间继续向上述基板供给药液。
根据该方法，在挡板的切换的整个期间继续向基板供给药液。由于在挡板的切换时不中断地向基板供给药液，因此能够缩短药液供给工序所需要的期间，由此，能够实现生产率的提高。
在本发明的其他实施方式中，上述药液供给工序在上述流通目标切换工序的期间中至少一部分期间内，停止向上述基板供给药液。
若在继续向基板供给药液的状态下(即继续从基板排出药液的状态下)进行挡板的切换，则由于挡板的形状等，碰到挡板的药液有可能向非预期的方向飞散而污染周围的构件。
根据该方法，在挡板的切换的期间中的至少一部分期间内，向基板的药液的供给被中断，因此能够抑制或防止这样的周围的构件的污染。
在本发明的一个实施方式中，上述流通目标切换工序基于随着从上述药液供给工序开始起的时间的经过，将上述流通目标从上述第一流通空间切换为上述第二流通空间。
根据该方法，在从药液供给工序的开始起经过了预定的时间的情况下，切换流通目标。通过预先求出直到从基板排出的药液不包含异物为止所需的期间，能够在适当的时机进行流通目标的切换。
在本发明的一个实施方式中，上述药液供给工序包括在上述流通目标切换工序的前后供给保持为恒定的浓度的药液的工序。
根据该方法，在药液供给工序中的流通目标的切换前后，向基板供给的药液的浓度恒定，因此在该切换的前后，能够对基板利用药液实施均匀的处理。
也可以在上述基板的主面上形成抗蚀剂。另外，在上述药液供给工序中，供给到上述基板的主面的药液也可以含有SPM。
在药液供给工序中，通过SPM去除在基板上形成的抗蚀剂。在药液供给工序开始后，在从基板排出的SPM中含有大量的抗蚀剂残渣。根据该方法，能够使含有抗蚀剂残渣的SPM和不含有抗蚀剂残渣(仅少量含有)SPM在处理杯的内部分离地流通。
本发明的基板处理装置具备：保持基板的基板保持单元；旋转单元，用于使保持于上述基板保持单元的基板绕穿过该基板的中央部的旋转轴线旋转；药液供给单元，用于向保持于上述基板保持单元的基板供给药液；处理杯，包围上述基板保持单元的周围，具有第一流通空间和与上述第一流通空间隔开的第二流通空间，供从上述基板保持单元所保持的基板排出的药液流通；流通目标切换单元，用于将从保持于上述基板保持单元的基板排出的药液的流通目标在第一流通空间与第二流通空间之间切换；以及控制装置，控制上述旋转单元、上述药液供给单元和上述流通目标切换单元。上述控制装置执行：药液供给工序，一边使上述基板绕上述旋转轴线旋转一边执行利用上述药液供给单元向上述基板的主面供给药液；和流通目标切换工序，在所述药液供给工序中，通过上述流通目标切换单元将从上述基板排出的药液的流通目标从上述第一流通空间切换为上述第二流通空间。
在药液供给工序开始后不久的期间，从基板排出的药液中含有大量异物。即，含有异物的药液被导入处理杯。随着从药液供给工序开始起的时间的经过，进行基板中的药液处理，从基板排出的药液中含有的异物的量减少。而且，若在药液供给工序开始后经过规定时间，则从基板排出的药液中不含有异物。“药液中不含异物”是指包括药液中完全不含有异物、药液中几乎不含有异物、或者药液中含有的异物量少在内的情况。
根据该结构，在药液供给工序中，从基板排出的药液的流通目标从处理杯的第一流通空间被切换为处理杯的第二流通空间。由此，能够使含有异物的药液和不含有异物的药液在处理杯的彼此不同的流通空间流通。由此，能够使含有异物的药液和不含有异物的药液在处理杯的内部分离地流通。
在本发明的一个实施方式中，在上述第一流通空间中流通的药液被导出到排液配管，在上述第二流通空间中流通的药液被导出至回收配管。
根据该结构，在第一流通空间中流通的药液被导出到排液配管，在第二流通空间中流通的药液被导出到回收配管。因此，含有异物的药液在第一流通空间中流通并被引导至排液配管，不含异物的药液在第二流通空间中流通并被引导至回收配管。由此，能够仅回收不含异物的药液。因此，能够更有效地抑制或防止异物向回收药液的混入。
在本发明的一实施方式中，上述处理杯具备：筒状的第一挡板，捕获从保持于上述基板保持单元的基板排出并向上述第一流通空间引导的药液；和筒状的第二挡板，与所述第一挡板分开设置，捕获从保持于上述基板保持单元的基板排出并向上述第二流通空间引导的药液。而且，上述流通目标切换单元还具备用于分别使上述第一挡板和第二挡板升降的挡板升降单元。另外，上述控制装置在上述流通目标切换工序中执行：在上述药液供给工序中，通过上述挡板升降单元将配置在能够捕获从上述基板排出的药液的位置的挡板在上述第一挡板与上述第二挡板之间进行切换。
根据该结构，通过将配置于能够捕获药液的能够捕获位置的挡板在第一挡板和第二挡板之间进行切换，能够将从基板排出的药液的流通目标在第一流通空间和第二流通空间之间切换。由此，能够容易地对从基板排出的药液的流通目标进行切换。
在本发明的一个实施方式中，上述第一挡板和第二挡板是彼此相邻的挡板。并且，上述第二挡板被设置成能够包围上述第一挡板的外侧。另外，上述控制装置在上述挡板切换工序中，执行通过使配置在上述能够捕获位置的上述第一挡板下降，来使上述第二挡板能够捕获药液的工序。
根据该装置，第一挡板和第二挡板是彼此相邻的挡板。另外，第二挡板以能够包围第一挡板的外侧的方式设置。因此，能够顺利地进行配置在能够捕获药液的位置的挡板的切换。
在本发明的一个实施方式中，上述控制装置在上述药液供给工序中，在上述流通目标置换工序的整个期间继续向上述基板供给药液。
根据该结构，在挡板的切换的整个期间继续向基板供给药液。由于在挡板的切换时不中断药液向基板的供给，因此能够缩短药液供给工序所需要的期间，由此，能够实现生产率的提高。
在本发明的其他实施方式中，上述控制装置在上述药液供给工序中，在上述流通目标切换工序的期间中至少一部分期间内停止向上述基板供给药液。
若在继续向基板供给药液的状态下(即继续从基板排出药液的状态下)进行挡板的切换，则由于挡板的形状等，碰到挡板的药液有可能向非预期的方向飞散而污染周围的构件。
根据该结构，在挡板的切换的期间中至少一部分期间内，向基板的药液的供给被中断，因此能够抑制或防止这样的周围的构件的污染。
在本发明的一个实施方式中，上述控制装置在上述流通目标切换工序中，基于从上述药液供给工序开始起的经过时间，将上述流通目标从上述第一流通空间切换为上述第二流通空间。
根据该结构，在从药液供给工序的开始起经过了预定的时间的情况下，切换流通目标。通过预先求出从基板排出的药液不包含异物为止所需的期间，能够在适当的时机进行流通目标的切换。
在本发明的一个实施方式中，上述控制装置在上述药液供给工序中，执行在上述流通目标切换工序的前后将保持为恒定浓度的药液向上述基板供给的工序。
根据该结构，在药液供给工序中的流通目标的切换前后，向基板供给的药液的浓度恒定，因此在该切换的前后，能够利用药液对基板实施均匀的处理。
也可以在上述基板的主面上形成抗蚀剂。另外，在上述药液供给工序中，供给到上述基板的主面的药液也可以含有SPM。
在药液供给工序中，通过SPM去除在基板上形成的抗蚀剂。在药液供给工序开始后，在从基板排出的SPM中含有大量的抗蚀剂残渣。
根据该方法，能够使含有抗蚀剂残渣的SPM和不含有抗蚀剂残渣的SPM在处理杯的内部分离地流通。
通过参照附图对以下描述的实施方式进行说明，可以明确本发明中的前述的、或者其他目的、特征以及效果。
附图说明
图1是用于说明本发明的一个实施方式的基板处理装置的内部的布局的图解俯视图。
图2是用于说明上述基板处理装置所具备的处理单元的结构例的图解剖视图。
图3是用于说明上述基板处理装置的主要部分的电气结构的框图。
图4是用于说明上述处理单元的基板处理例的流程图。
图5是用于说明SPM工序中的挡板装置的升降时刻的时序图。
图6A～图6C是用于说明SPM工序的图解图。
图6D是用于说明干燥工序的图解图。
具体实施方式
图1是用于说明本发明的一个实施方式的基板处理装置1的内部的布局的图解俯视图。基板处理装置1是逐张地处理半导体晶片等圆板状的基板W的单张式的装置。
基板处理装置1具备：保持收纳基板W的多个基板收纳器C的多个装载台LP、利用药液等处理液对从多个装载台LP搬运来的基板W进行处理的多个(例如12个)处理单元2、从多个装载台LP向多个处理单元2搬运基板W的搬运机械手、和控制基板处理装置1的控制装置3。搬运机械手具备索引机械手IR和基板搬运机械手CR，分度器机械手IR在装载台LP和处理单元2之间的路径上搬运基板W，基板搬运机械手CR在分度器机械手IR和处理单元2之间的路径上搬运基板W。
基板处理装置1具备收容阀等的多个流体箱4和收容贮存硫酸的硫酸罐27(参照图2)等的贮存箱6。处理单元2和流体箱4配置在基板处理装置1的框架5中，被基板处理装置1的框架5覆盖。在图1的例子中，贮存箱6配置在基板处理装置1的框架5的外面，但也可以收纳在框架5的内部。贮存箱6可以是与多个流体箱4对应的一个箱，也可以是与流体箱4一一对应地设置的多个箱。
12个处理单元2形成四个塔，四个塔以在俯视时包围基板搬运机械手CR的方式配置。各塔具备上下层叠的三个处理单元2。四个贮存箱6分别与四个塔对应。同样地，四个流体箱4分别与四个塔对应。积存在各贮存箱6内的硫酸罐27中的硫酸经由与该贮存箱6对应的流体箱4供给到与该贮存箱6对应的三个处理单元2。
图2是用于说明处理单元2的结构例的图解剖视图。
处理单元2具备：具有内部空间的箱形的腔室7；在腔室7内将一张基板W以水平的姿势保持并使基板W绕穿过基板W的中心的铅垂的旋转轴线A1旋转的旋转卡盘(基板保持单元)8；用于向保持在基板保持单元8上的基板W的上表面供给作为药液的一例的SPM(硫酸双氧水混合液(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture)。含有H2SO4(硫酸)和H2O2(双氧水)的混合液)的SPM供给单元(药液供给单元)9；用于向保持在旋转卡盘8上的基板W的上表面供给冲洗液的冲洗液供给单元10；以及包围旋转卡盘8的筒状的处理杯11。
腔室7具备：箱状的分隔壁12；作为从分隔壁12的上部向分隔壁12内(相当于腔室7内)输送清洁空气的送风单元的FFU(风扇过滤器单元)14；以及从分隔壁12的下部排出腔室7内的气体的排气装置(未图示)。
如图2所示，FFU14配置在与分隔壁12相比靠上方，并安装在分隔壁12的顶部。FFU14从分隔壁12的顶部向腔室7内输送清洁空气。排气装置(未图示)经由连接于处理杯11内的排气管道13与处理杯11的底部连接，从处理杯11的底部对处理杯11的内部进行吸引。通过FFU14和排气装置(未图示)，在腔室7内形成下降气流(下降流)。
作为旋转卡盘8，采用在水平方向上夹持基板W并使基板W水平地保持的夹持式的卡盘。具体而言，旋转卡盘8具备：旋转马达(旋转单元)M；与该旋转马达M的驱动轴一体化的旋转轴15；和大致水平地安装于旋转轴15的上端的圆板状的旋转基座16。
旋转基座16具备具有比基板W的外径大的外径的水平的圆形的上表面16a。在上表面16a的周缘部设有多个(三个以上。例如六个)夹持构件17。多个夹持构件17在旋转基座16的上表面周缘部，在与基板W的外周形状对应的圆周上隔开适当的间隔、例如隔开等间隔地配置。
SPM供给单元9具备：SPM喷嘴18、在顶端部安装有SPM喷嘴18的喷嘴臂19、和通过使喷嘴臂19移动而使SPM喷嘴18移动的喷嘴移动单元20。
SPM喷嘴18例如是以连续流的状态喷出SPM的直线型喷嘴。SPM喷嘴18例如以在与基板W的上表面垂直的方向上喷出处理液的垂直姿势安装于喷嘴臂19。喷嘴臂19沿水平方向延伸。
喷嘴移动单元20通过使喷嘴臂19绕摆动轴线水平移动，使SPM喷嘴18水平移动。喷嘴移动单元20使SPM喷嘴18在从SPM喷嘴18喷出的SPM着液在基板W的上表面的处理位置与SPM喷嘴18在俯视时设定在旋转卡盘8的周围的退避位置之间水平地移动。在该实施方式中，处理位置例如是从SPM喷嘴18喷出的SPM着液在基板W的上表面中央部的中央位置。
SPM供给单元9还具备向SPM喷嘴18供给H2SO4的硫酸供给单元21和向SPM喷嘴18供给H2O2的双氧水供给单元22。
硫酸供给单元21具备：一端与SPM喷嘴18连接的硫酸配管23、用于使硫酸配管23开闭的硫酸阀24、调整硫酸配管23的开度的硫酸流量调整阀25、和与硫酸配管23的另一端连接的硫酸供给部26。硫酸阀24和硫酸流量调整阀25收容于流体箱4。硫酸供给部26收容在贮存箱6中。
硫酸流量调整阀25具备：在内部设置有阀座的阀体、使阀座开闭的阀芯、和使阀芯在打开位置与关闭位置之间移动的致动器。对于其他流量调整阀也是同样的。
硫酸供给部26具备：储存要向硫酸配管23供给的H2SO4的硫酸罐27；将H2SO4的新液向硫酸罐27补充的硫酸补充配管28；回收罐29；将贮存在回收罐29中的H2SO4输送到硫酸罐27的送液配管30；使回收罐29内的H2SO4向送液配管30移动的第一送液装置31；连接硫酸罐27和硫酸配管23的硫酸供给配管32；将在硫酸供给配管32中流通的硫酸加热而进行温度调节的温度调节器33；和使硫酸罐27内的H2SO4向硫酸供给配管32移动的第二送液装置34。温度调节器33可以浸渍在硫酸罐27的H2SO4内，也可以如图2所示安装在硫酸供给配管32的中间部。另外，硫酸供给部26还可以具备对在硫酸供给配管32中流动的硫酸进行过滤的过滤器和/或对在硫酸供给配管32中流动的硫酸的温度进行测量的温度计。应予说明的是，在该实施方式中，硫酸供给部26具有两个罐，但也可以采用省略回收罐29的结构，将从处理杯11回收的硫酸直接供给到硫酸罐27的结构。第一送液装置31和第二送液装置34例如是泵。泵吸入硫酸罐27内的H2SO4，并喷出该吸入的H2SO4。
双氧水供给单元22具备：与SPM喷嘴18连接的双氧水配管35、用于开闭双氧水配管35的双氧水阀36、和调整双氧水阀36的开度来调整在双氧水阀36中流通的H2O2的流量的双氧水流量调整阀37。双氧水阀36和双氧水流量调整阀37收容在流体箱4中。从收容在贮存箱6中的双氧水供给源向双氧水配管35供给温度未被调整的常温(约23℃)左右的H2O2。
若打开硫酸阀24和双氧水阀36，则来自硫酸配管23的H2SO4和来自双氧水配管35的H2O2向SPM喷嘴18的壳体(未图示)内供给，在壳体内充分混合(搅拌)。通过该混合，H2SO4和H2O2均匀地混合，通过H2SO4和H2O2的反应生成H2SO4和H2O2的混合液(SPM)。SPM是具有强氧化能力的过氧硫酸(Peroxomonosulfuricacid；H2SO5)，使SPM升温至高于混合前的H2SO4和H2O2的温度(100℃以上。例如，160～220℃)。生成的高温的SPM从在SPM喷嘴18的壳体的顶端(例如下端)开口的喷出口喷出。
通过利用硫酸流量调整阀25和双氧水流量调整阀37调整硫酸配管23和双氧水配管35的开度，能够在规定的范围内调整从SPM喷嘴18喷出的SPM的H2SO4浓度。从SPM喷嘴18喷出的SPM的H2SO4浓度(混合比)以流量比优选在H2SO4：H2O2＝20：1(富含硫酸的高浓度状态)～2：1(富含双氧水的低浓度状态)的范围内调整，更优选在H2SO4：H2O2＝10：1～5：1的范围内调整。
硫酸供给部26将从处理杯11回收的SPM作为H2SO4重新使用。从处理杯11回收的SPM被供给至回收罐29，并积存于回收罐29。随着时间的推移，SPM中含有的H2O2分解，积存在回收罐29中的SPM转化为硫酸。但是，由于从SPM转化来的硫酸含有大量的水，因此需要调整浓度。在硫酸供给部26中，回收罐29内的H2SO4被输送至硫酸罐27，在硫酸罐27中进行浓度调整。由此，SPM被作为H2SO4重新使用。
冲洗液供给单元10具备冲洗液喷嘴47。冲洗液喷嘴47例如是以连续流的状态喷出液体的直线型喷嘴，并且在旋转卡盘8的上方，将其喷出口朝向基板W的上表面中央部固定地配置。冲洗液喷嘴47上连接有供给来自冲洗液供给源的冲洗液的冲洗液配管48。在冲洗液配管48的中途部安装有用于对来自于冲洗液喷嘴47的冲洗液的供给/供给停止进行切换的冲洗液阀49。若打开冲洗液阀49，则从冲洗液配管48向冲洗液喷嘴47供给的冲洗液从设定于冲洗液喷嘴47的下端的喷出口喷出。另外，若关闭冲洗液阀49，则停止从冲洗液配管48向冲洗液喷嘴47供给冲洗液。冲洗液例如是去离子水(DIW)，但不限于DIW，也可以是碳酸水、电解离子水、氢水、臭氧水、氨水和稀释浓度(例如10ppm～100ppm左右)的盐酸水中的任一种。另外，冲洗液可以在常温下使用，也可以加温而成为温水使用。
另外，冲洗液供给单元10也可以具备冲洗液喷嘴移动装置，冲洗液喷嘴移动装置通过使冲洗液喷嘴47移动，使冲洗液相对于基板W的上表面的着液位置在基板W的面内进行扫掠。
处理杯11配置在比旋转卡盘8所保持的基板W更靠外侧(远离旋转轴线A1的方向)的位置。处理杯11例如使用绝缘材料形成。处理杯11包围旋转基座16的侧方。若在旋转卡盘8使基板W旋转的状态下向基板W供给处理液，则供给到基板W的处理液甩到基板W的周围。在向基板W供给处理液时，向上开放的处理杯11的上端部11a与旋转基座16相比配置在上方。因此，排出到基板W的周围的药液、水等处理液被处理杯11接住。然后，被处理杯11接住的处理液被输送至回收罐29或未图示的废液装置。
处理杯11具备：圆筒构件40；在圆筒构件40的内侧以双重包围旋转卡盘8的方式固定配置的多个杯状件(第一杯状件41和第二杯状件42)；用于接住飞散到基板W的周围的处理液(药液或冲洗液)的多个挡板(第一挡板43、第二挡板44和第三挡板45)；和使各个挡板独立升降的挡板升降单元(流通目标切换单元)46。挡板升降单元46是具备例如滚珠丝杠机构的结构。
处理杯11能够折叠，通过挡板升降单元46使三个挡板中的至少一个升降，进行处理杯11的展开以及折叠。
第一杯状件41呈圆环状，在旋转卡盘8和圆筒构件40之间包围旋转卡盘8的周围。第一杯状件41具有相对于基板W的旋转轴线A1大致旋转对称的形状。第一杯状件41呈截面U字状，划分出收集并排出在基板W的处理中使用过的处理液的第一槽50。在第一槽50的底部的最低的部位开设有排液口51，第一排液配管52与排液口51连接。导入到第一排液配管52的处理液被送到排液装置(未图示。也可以是废液装置)，并在该装置中进行处理。
第二杯状件42呈圆环状，包围第一杯状件41的周围。第二杯状件42具有相对于基板W的旋转轴线A1大致旋转对称的形状。第二杯状件42呈截面U字状，划分出收集并回收在基板W的处理中使用过的处理液的第二槽53。在第二槽53的底部的最低的部位开设有排液/回收口54，在排液/回收口54上连接有共用配管55。在共用配管55上分别分支连接有回收配管56和第二排液配管57。回收配管56的另一端与硫酸供给部26的回收罐29连接。在回收配管56上安装有回收阀58，在第二排液配管57上安装有排液阀59。通过在关闭排液阀门59的同时打开回收阀58，流经共用配管55的液体被导入回收配管56。另外，通过在关闭回收阀58的同时打开排液阀59，流经共用配管55的液体被引导至第二排液配管57。即，回收阀58和排液阀59作为在回收配管56和第二排液配管57之间切换流经共用配管55的液体的流通目标的切换单元而发挥功能。第二排液配管57专门用于在清洗第二挡板44的内壁44a、第二杯状件42和共用配管55时废弃该清洗液。
最内侧的第一挡板43包围旋转卡盘8的周围，具有相对于由旋转卡盘8进行旋转的基板W的旋转轴线A1大致呈旋转对称的形状。第一挡板43具备：包围旋转卡盘8的周围的圆筒状的下端部63；从下端部63的上端向外侧(远离基板W的旋转轴线A1的方向)延伸的筒状部64；从筒状部64的上表面外周部向铅垂上方延伸的圆筒状的中层部65；从中层部65的上端朝向内侧(接近基板W的旋转轴线A1的方向)且向斜上方延伸的圆环状的上端部66。下端部63位于第一槽50上，在使第一挡板43与第一杯状件41最接近的状态下收容于第一槽50的内部。上端部66的内周端在俯视时呈直径比保持在旋转卡盘8上的基板W的直径大的圆形。另外，上端部66如图2所示其截面形状可以是直线状，另外，例如也可以一边描绘出平滑的圆弧一边延伸。
从内侧起为第二个的第二挡板44在第一挡板43的外侧包围旋转卡盘8的周围，具有相对于由旋转卡盘8进行旋转的基板W的旋转轴线A1大致呈旋转对称的形状。第二挡板44具有与第一挡板43同轴的圆筒部67和从圆筒部67的上端向中心侧(接近基板W的旋转轴线A1的方向)斜上方延伸的上端部68。上端部68的内周端在俯视时呈直径比保持在旋转卡盘8上的基板W的直径大的圆形。应予说明的是，上端部68如图2所示其截面形状可以是直线状，另外，例如也可以一边描绘出平滑的圆弧一边延伸。上端部68的顶端划分出处理杯11的上端部11a的开口。
圆筒部67位于第二槽53上。另外，上端部68以与第一挡板43的上端部66在上下方向上重叠的方式设置，并且以在第一挡板43与第二挡板44最接近的状态下相对于上端部66保持微小的间隙地接近的方式形成。
最外侧的第三挡板45在第二挡板44的外侧包围旋转卡盘8的周围，具有相对于由旋转卡盘8进行旋转的基板W的旋转轴线A1大致呈旋转对称的形状。第三挡板45具有与第二挡板44同轴的圆筒部70和从圆筒部70的上端向中心侧(接近基板W的旋转轴线A1的方向)斜上方延伸的上端部71。上端部71的内周端在俯视时呈直径比保持在旋转卡盘8上的基板W的直径大的圆形。应予说明的是，上端部71如图2所示其截面形状可以是直线状，另外，例如也可以一边描绘出平滑的圆弧一边延伸。
在该实施方式中，通过第一杯状件41的第一槽50、第一挡板43的内壁43a和旋转卡盘8的壳体的外周，划分出在基板W的处理中使用过的药液所导入的第一流通空间(换言之，排液空间)101。
另外，通过第二杯状件42的第二槽53、第一挡板43的外壁43b和第二挡板44的内壁44a划分出在基板W的处理中使用的药液所导入的第二流通空间(换言之，回收空间)102。第一流通空间101与第二流通空间102相互隔离。
挡板升降单元46分别使第一挡板43、第二挡板44和第三挡板45在挡板的上端部位于基板W的上方的上位置与挡板的上端部位于基板W下方的下位置之间升降。挡板升降单元46能够在上位置和下位置之间的任意位置保持各挡板。向基板W供给处理液、对基板W进行干燥是在任一个挡板(第一挡板43、第二挡板44或第三挡板45)与基板W的周端面对置的状态下进行的。
在使最内侧的第一挡板43与基板W的周端面对置的、处理杯11的第一挡板对置状态(参照图6A)中，第一挡板43、第二挡板44和第三挡板45全部配置在上位置(处理高度位置)。在使从内侧起为第二个的第二挡板44与基板W的周端面对置的、处理杯11的第二挡板对置状态(参照图6C)中，第二挡板44和第三挡板45配置在上位置，并且第一挡板43配置在下位置。在使最外侧的第三挡板45与基板W的周端面对置的、处理杯11的第三挡板对置状态(参照图6D)中，第三挡板45配置在上位置，并且第一挡板43和第二挡板44配置在下位置。在使全部的挡板从基板W的周端面退避的退避状态(参照图2)中，第一挡板43、第二挡板44和第三挡板45全部配置在下位置。
另外，如后所述，在该实施方式中，作为第一挡板43与基板W的周端面对置的状态，除了第一挡板对置状态以外，还准备有将第二挡板44和第三挡板45均配置在上位置，并且将第一挡板43配置在与上位置(处理高度位置)PP(参照图6A)相比靠下方的清洗高度位置WP(参照图6B)的第一挡板清洗状态。
图3是用于说明基板处理装置1的主要部分的电气结构的框图。
控制装置3例如使用微型计算机构成。控制装置3具有：CPU等运算单元、固定存储设备、硬盘驱动器等存储单元和输入输出单元。存储单元具备存储有由运算单元执行的计算机程序的计算机可读取的存储介质。在存储介质中，以使控制装置3执行后述的抗蚀剂除去处理的方式加入一些步骤组。
控制装置3按照预定的程序，控制旋转马达M、喷嘴移动单元20、挡板升降单元46、第一送液装置31和第二送液装置34、温度调节器33等的动作。另外，控制装置3按照预定的程序，控制硫酸阀24、双氧水阀36、冲洗液阀49等的开闭动作。另外，控制装置3按照预定的程序，调整硫酸流量调整阀25、双氧水流量调整阀37的开度。
图4是用于说明处理单元2的基板处理例的流程图。参照图1～图4对基板处理例进行说明。
该基板处理例是从基板W的上表面(主面)除去抗蚀剂的抗蚀剂除去处理。抗蚀剂例如以树脂(聚合物)等有机物、感光剂、添加剂、溶剂为主成分。在通过处理单元2对基板W实施基板处理例时，向腔室7的内部送入高剂量下的离子注入处理后的基板W(图4的S1)。基板W是没有接受用于对抗蚀剂进行灰化的处理的基板。
控制装置3在喷嘴等全部从旋转卡盘8的上方退避的状态下，通过使保持基板W的基板搬运机械手CR(参照图1)的手部进入腔室7的内部，将基板W以其表面(器件形成面)朝向上方的状态交接到旋转卡盘8，并保持在旋转卡盘8上(基板保持工序)。
控制装置3通过旋转马达M使基板W开始旋转(图4的S2。基板旋转工序)。基板W的旋转速度被上升到预定的液处理速度(300～1500rpm的范围内，例如500rpm)，并维持其液体处理速度。
若基板W的转速达到液处理速度，则控制装置3执行SPM工序(药液供给工序)S3。
具体而言，控制装置3控制喷嘴移动单元20，使SPM喷嘴18从退避位置移动到处理位置。另外，控制装置3同时打开硫酸阀24和双氧水阀36。由此，通过硫酸配管23向SPM喷嘴18供给H2SO4，并且通过双氧水配管35向SPM喷嘴18供给H2O2。在SPM喷嘴18的内部使H2SO4和H2O2混合，生成高温(例如160～220℃)的SPM。该SPM从SPM喷嘴18的喷出口喷出，着液在基板W的上表面中央部。在该实施方式中，在SPM工序S3的整个期间，SPM的浓度保持恒定。
从SPM喷嘴18喷出的SPM在着液于基板W的上表面之后，通过离心力沿着基板W的上表面向外侧流动。因此，SPM被供给到基板W的上表面整个区域，覆盖基板W的上表面整个区域的SPM的液膜形成在基板W上。由此，抗蚀剂与SPM发生化学反应，基板W上的抗蚀剂被SPM从基板W除去。移动到基板W的周缘部的SPM从基板W的周缘部向基板W的侧方飞散。
另外，在SPM工序S3中，控制装置3也可以控制喷嘴移动单元20，使SPM喷嘴18在与基板W的上表面的周缘部对置的周缘位置和与基板W的上表面的中央部对置的中央位置之间移动。在该情况下，使SPM在基板W的上表面的着液位置在基板W的上表面的整个区域进行扫掠。由此，能够均匀地处理基板W的整个上表面。
若从开始喷出SPM起经过了预定的期间，则控制装置3关闭硫酸阀24和双氧水阀36，停止从SPM喷嘴18喷出SPM。由此，SPM工序S3结束。之后，控制装置3控制喷嘴移动单元20(参照图2)，使SPM喷嘴18返回到退避位置。
接着，进行将冲洗液供给到基板W的冲洗工序(图4的S4)。具体而言，控制装置3打开冲洗液阀49，使冲洗液从冲洗液喷嘴47朝向基板W的上表面中央部喷出。从冲洗液喷嘴47喷出的冲洗液着液于被SPM覆盖的基板W的上表面中央部。着液在基板W的上表面中央部的冲洗液受到由基板W的旋转产生的离心力而在基板W的上表面上朝向基板W的周缘部流动。由此，基板W上的SPM被冲洗液向外侧冲走，并被排出到基板W的周围。由此，在基板W的上表面的整个区域中，SPM和抗蚀剂(即，抗蚀剂残渣)被洗掉。抗蚀剂残渣例如为碳化物。若从冲洗工序S4的开始起经过了预定的期间，则控制装置3关闭冲洗液阀49，停止从冲洗液喷嘴47喷出冲洗液。
接着，进行使基板W干燥的干燥工序(图4的S5)。
在干燥工序S5中，具体而言，控制装置3通过控制旋转马达M，使基板W加速至比加速至SPM工序S3和冲洗工序S4的转速大的干燥转速(例如数千rpm)，以干燥转速使基板W旋转。由此，大的离心力施加于基板W上的液体，附着于基板W的液体被甩到基板W的周围。这样，从基板W除去液体，使基板W干燥。
然后，若从基板W的高速旋转开始经过了规定时间，则控制装置3通过控制旋转马达M，停止通过旋转卡盘8进行的基板W的旋转(图4的S6)。
接着，从腔室7内送出基板W(图4的S7)。具体而言，控制装置3使基板搬运机械手CR的手部进入腔室7的内部。然后，控制装置3使旋转卡盘8上的基板W保持在基板搬运机械手CR的手部。之后，控制装置3使基板搬运机械手CR的手部从腔室7内退避。由此，将从表面(器件形成面)除去了抗蚀剂的基板W从腔室7搬出。
图5是用于说明SPM工序S3中的第一挡板装置43和第二挡板装置44的升降时刻的时序图。图6A～图6C是用于说明SPM工序S3的图解图。图6D是用于说明干燥工序S5的图解图。
参照图2～图5，对图4所示的基板处理例中的、第一挡板43和第二挡板44的升降(即，将与基板W的周端面对置的挡板(配置在能够捕获从基板W排出的处理液的位置的挡板)的切换(挡板切换工序))进行说明。适当地参照图6A～图6D。
SPM工序S3包括：处理杯11为第一挡板对置状态的第一工序T1、处理杯11为第一清洗状态的第二工序T2、和处理杯11为第二挡板对置状态的第三工序T3。
在SPM工序S3的开始后不久的期间，由于在基板W的表面存在大量的抗蚀剂残渣，因此在该期间从基板W飞散(排出)的SPM中含有大量的抗蚀剂残渣。由于含有大量的抗蚀剂残渣的SPM不适于重新使用，因此优选废弃而不回收。另一方面，从对环境的考虑的观点出发，优选将SPM的废弃限制在最小限度，如果从基板W排出的SPM不含有抗蚀剂残渣，则该SPM优选回收并重新使用。在本说明书中，“不含有抗蚀剂残渣”是指包括“完全不含有抗蚀剂残渣”的情况、“几乎不含有抗蚀剂残渣”的情况、以及“仅少量含有抗蚀剂残渣”的情况。
在图4所示的基板处理例中，在基板送入S1前，处理杯11处于退避状态。在SPM工序S3中，在SPM喷嘴18配置在处理位置之后，控制装置3控制挡板升降单元46，使第一挡板43、第二挡板44和第三挡板45上升到上位置，由此，如图6A所示，使第一挡板43与基板W的周端面对置(实现第一挡板对置状态)。由此，开始第一工序T1。
在SPM工序S3(第一工序T1)中，从基板W的周缘部飞散的SPM着液于第一挡板43的内壁43a的环状的第一区域R1。被内壁43a捕获的SPM沿着第一挡板43的内壁43a流下，被第一杯状件41接收，并被输送至第一排液配管52。被输送至第一排液配管52的SPM被输送至机外的废弃处理设备。
如上所述，在SPM工序S3的开始后不久的期间，从基板W飞散(排出)的SPM中含有大量的抗蚀剂残渣。在第一工序T1中，从基板W排出的含有抗蚀剂残渣的SPM通过第一流通空间101而被排出。即，并不进行回收并重新使用。
另外，如图6A和图6B所示，在第一工序T1中，着液于内壁43a的第一区域R1的SPM在沿上下方向扩展的同时附着于第一挡板43的内壁43a。将着液于第一区域R1的SPM所到达的区域的上端设为到达区域上端(到达区域的上端)UR。由于在从基板W飞散的SPM中含有抗蚀剂残渣RR(参照图6A、图6B)，所以在第一挡板43的内壁43a上，在比环状的到达区域上端UR靠下方的区域有可能附着有抗蚀剂残渣RR。
若从开始喷出SPM起经过规定的清洗期间，则第一工序T1结束，接着，开始第二工序T2。清洗期间是指从SPM的喷出开始到从基板W排出的SPM不含有抗蚀剂残渣之后的规定的期间。清洗期间通过事前实验等求出，并被存储在控制装置3的存储单元中。清洗期间也可以基于各种条件(成为基板处理的对象的基板W的离子注入处理的条件(剂量)、在基板W上形成的抗蚀剂的种类、第一工序T1中的SPM的供给流量、和第一工序T1中的SPM的供给浓度中的至少一个)而发生改变。
具体而言，控制装置3控制挡板升降单元46，如图6B所示，使第一挡板43从到目前为止的上位置PP(参照图6A)下降到清洗高度位置WP(参照图6B)(实现第一挡板清洗状态)。然后，控制装置3使第一挡板43维持在其清洗高度位置WP。
在第二工序T2中，从SPM喷嘴18喷出的SPM的浓度、SPM的流量、基板W的转速与第一工序T1的情况相同。在第二工序T2中，从基板W的周缘部飞散的SPM到达第一挡板43的内壁43a的环状的第二区域R2(位于清洗高度位置WP的第一挡板43的内壁43a进行捕获的位置)。在第一挡板43的内壁43a上，第二区域R2位于比第一区域R1更靠上方的位置。更具体而言，第二区域R2被设定在比到达区域上端UR更靠上方的位置。因此，能够通过由位于清洗高度位置WP的第一挡板43捕获的SPM良好地冲洗附着在内壁43a的比环状的到达区域上端UR更靠下方的区域的、大致全部的含有抗蚀剂残渣的SPM。
在第一挡板43的内壁43a流下的SPM通过第一杯状件41和第一排液配管52而被输送至机外的废弃处理设备。即，在第二工序T2中，从基板W的周缘部飞散的SPM也通过第一流通空间101而被排出。即，不进行回收并重新使用。
若从第一挡板43向清洗高度位置WP的配置开始经过了规定的清洗期间，则第二工序T2结束，接着，开始第三工序T3。
即，与基板W的周端面对置的挡板从第一挡板43被切换到第二挡板44(挡板切换工序)。具体而言，如图6C所示，控制装置3控制挡板升降单元46，使第一挡板43从到目前为止的清洗高度位置WP(参照图6B)下降到下位置(实现第二挡板对置状态)。在该挡板切换时，从SPM喷嘴18喷出的SPM的流量、基板W的转速没有变化。
另外，清洗期间是指足够从第一挡板43的内壁43a除去抗蚀剂残渣的期间。清洗期间是事先通过实验等求出的，存储在控制装置3的存储单元中。
在第三工序T3中，从SPM喷嘴18喷出的SPM的浓度、SPM的流量、基板W的转速与第一工序T1的情况相同。在第三工序T3中，从基板W的周缘部飞散的SPM被第二挡板44的内壁44a捕获。然后，在第二挡板44的内壁44a流下的SPM通过第二杯状件42、共用配管55和回收配管56，被输送至硫酸供给部26的回收罐29。即，在第三工序T3中，从基板W的周缘部飞散的SPM通过第二流通空间102被进行回收并重新使用。
之后，若到达SPM工序S3的结束时刻，则第三工序T3也结束。
另外，在接着SPM工序S3执行的冲洗工序S4中，处理杯11处于第一挡板对置状态。因此，在第三工序T3结束后，控制装置3控制挡板升降单元46，使第一挡板43上升到上位置(实现第一挡板对置状态)。
另外，在干燥工序S5中，处理杯11呈第三挡板对置状态。因此，在冲洗工序S4结束后，控制装置3控制挡板升降单元46，使第一挡板43和第二挡板44下降到下位置(实现第三挡板对置状态)。
另外，在搬出基板W(图4的S7)之前，控制装置3控制挡板升降单元46，使第三挡板45下降到下位置。由此，第一挡板43、第二挡板44和第三挡板45全部配置在下位置(实现退避状态)。
如上所述，根据该实施方式，在SPM工序S3中，从基板W排出的SPM的流通目标从处理杯11的第一流通空间101切换到第二流通空间102。由此，能够使含有抗蚀剂残渣的SPM和不含有抗蚀剂残渣的SPM流通到处理杯11的彼此不同的第一流通空间101和第二流通空间102。由此，能够使含有抗蚀剂残渣的SPM和不含有抗蚀剂残渣的SPM在处理杯11的内部分离地流通。
另外，在第一流通空间101中流通的SPM被导出到第一排液配管52，在第二流通空间102中流通的SPM被导出到回收配管56。因此，含有抗蚀剂残渣的SPM在第一流通空间101中流通而被引导至第一排液配管52，不含有抗蚀剂残渣的SPM在第二流通空间102中流通并被引导至回收配管56。由此，能够仅回收不含有抗蚀剂残渣的SPM。因此，能够有效地抑制或防止抗蚀剂残渣混入回收SPM。
另外，通过将与基板W的周端面对置的挡板在第一挡板43和第二挡板44之间切换，能够将从基板W排出的SPM的流通目标在第一流通空间101和第二流通空间102之间切换。由此，能够容易地进行从基板W排出的SPM的流通目标的切换。
另外，由于第一挡板43和第二挡板44是彼此相邻的挡板，因此仅通过使第一挡板43下降，就能够使第二挡板44与基板W的周端面对置。由此，能够顺利地进行与基板W的周端面对置的挡板的切换。
另外，在挡板切换时，在第一挡板43的升降动作的整个期间持续向基板W供给SPM。在该情况下，与在第一挡板43的升降动作中中断向基板W供给SPM的情况相比，能够缩短SPM工序S3所需要的期间，能够实现产量的提高。
另外，根据该实施方式，在SPM工序S3中，将第一挡板43从到目前为止的上位置PP配置变更为设定在与上位置PP相比更靠下方的位置的清洗高度位置WP，之后，在规定的期间维持在该清洗高度位置WP。
在第一挡板43位于上位置PP的状态和位于清洗高度位置WP的状态这两者中，从基板W排出的SPM被第一挡板43的内壁43a捕获。由第一挡板43的内壁43a捕获的SPM由于自重而朝向下方流动。
另外，在第一挡板43的内壁43a中，第二区域R2被设定在与到达区域上端UR相比更靠上方的位置。因此，能够使用位于清洗高度位置WP的第一挡板43捕获的SPM良好地冲洗附着在内壁43a的与环状的到达区域上端UR相比更靠下方的区域的、大致全部的含有抗蚀剂残渣的SPM。
另外，在将与基板W的周端面对置的挡板从第一挡板43切换到第二挡板44之前，第一挡板43从到目前为止的上位置PP配置变更到清洗高度位置WP，之后，在规定的期间维持在该清洗高度位置WP。在切换第一挡板43和第二挡板44之前，将第一挡板43配置在清洗高度位置WP并清洗第一挡板43的内壁43a，因此能够在第一挡板43的使用结束之前从第一挡板43的内壁43a除去抗蚀剂残渣。
另外，在将第一挡板43配置在清洗高度位置之后，第一挡板43不再次配置在处理高度位置，与基板W的周端面对置的挡板从第一挡板43切换到第二挡板44。由此，在清洗第一挡板43后，能够立即进行第一挡板43和第二挡板44的切换。由此，能够实现缩短SPM工序S3的处理时间。
以上，对本发明的一实施方式进行了说明，但本发明还可以以其他方式实施。
例如，也可以省略第一挡板43的清洗(第二工序T2)。即，也可以在第一工序T1结束后，立即开始第三工序T3。在该情况下，第三工序T3的开始(即，第一挡板43和第二挡板44的切换)的时刻只要是从SPM的排出开始起经过规定的清洗期间后即可。
另外，在第一挡板43和第二挡板44的切换时，也可以使供给到基板W的SPM的供给流量少于在第一工序T1和第三工序T3中的SPM的供给流量。取而代之或兼而有之地，也可以在切换第一挡板43和第二挡板44时，使基板W的转速比在第一工序T1和第三工序T3中的基板W的转速慢。
在继续向基板W供给SPM的状态(即继续从基板W排出SPM的状态)下进行第一挡板43和第二挡板44的切换的情况下，与第一挡板43接触的SPM的飞散方向会向非预期的方向变化，飞散的SPM有可能污染腔室7内。
在第一挡板43和第二挡板44的切换时，通过减少向基板W供给的SPM的供给流量或减慢基板W的转速，能够减弱从基板W的周缘部飞散的SPM的势头(速度)或减少从该周缘部飞散的SPM的量。由此，能够抑制或防止腔室7内的污染。
另外，也可以在第一挡板43和第二挡板44的切换的部分或全部的期间，暂时停止向基板W供给SPM。在该情况下，能够消除来自基板W的SPM的排出，因此能够更有效地抑制或防止腔室7内的污染。
另外，对于挡板的切换，以第一挡板43和在外侧与第一挡板43相邻的第二挡板44之间进行切换的方式进行了说明，但也可以是在第二挡板44和第三挡板45之间进行挡板的切换的方式。另外，还可以是在第一挡板43与第三挡板45之间进行挡板的切换的方式。
另外，在上述实施方式的基板处理装置1中，以将回收了的SPM作为硫酸进行重新使用的结构为例进行了说明，但也可以不将回收了的SPM在该基板处理装置1中重新使用，而在其他装置等中使用。
另外，回收配管56也可以不经由共用配管55而与第二杯状件42的底部直接连接。积存于第二杯状件42的SPM经由共用配管55被回收到硫酸供给部26。在该情况下，废除第二排液配管57和切换单元(回收阀58和排液阀59)。
另外，在上述的基板处理例中，也可以在SPM工序S3之前，执行使用第一清洗药液清洗基板W的上表面的第一清洗工序。作为这样的第一清洗药液，能够例示出例如氢氟酸(HF)。该第一清洗工序在处理杯11处于第一挡板对置状态的状态下执行。在执行第一清洗工序的情况下，在其后执行用冲洗液冲洗第一清洗药液的第二冲洗工序。该第二冲洗工序在处理杯11处于第一挡板对置状态的状态下执行。
另外，在上述的基板处理例中，也可以在SPM工序S3之后冲洗工序S4之前执行将H2O2供给到基板W的上表面(表面)的双氧水供给工序。在该情况下，控制装置3将双氧水阀36维持为打开的状态并且仅关闭硫酸阀24。由此，仅向SPM喷嘴18供给H2O2，从SPM喷嘴18的喷出口喷出H2O2。在该双氧水供给工序中，处理杯11处于第一挡板对置状态。
另外，在上述的基板处理例中，也可以在冲洗工序S4之后，执行使用第二清洗药液对基板W的上表面进行清洗的第二清洗工序。作为这样的第二清洗药液，可以例示出例如SC1(含有NH4OH和H2O2的混合液)。该第二清洗工序在处理杯11处于第一挡板对置状态的状态下执行。在执行第二清洗工序的情况下，在其后执行利用冲洗液冲洗第二清洗药液的第三冲洗工序。该第三冲洗工序在处理杯11处于第一挡板对置状态的状态下执行。
另外，也可以在干燥工序S5之前，供给具有低表面张力的有机溶剂(干燥液)，执行利用有机溶剂置换基板W的上表面上的冲洗液的有机溶剂置换工序。该有机溶剂置换工序在处理杯11处于第三挡板对置状态的状态下执行。
另外，在第一实施方式和第二实施方式中，作为SPM供给单元9，以在SPM喷嘴18的内部进行H2SO4和H2O2的混合的喷嘴混合型的结构为例进行了说明，但也可以采用设置经由配管与SPM喷嘴18的上游侧连接的混合部，在该混合部中进行H2SO4和H2O2的混合的配管混合型的结构。
另外，在图4的基板处理例中，以抗蚀剂除去处理为例进行了列举，但不限于抗蚀剂，也可以是使用SPM进行其他有机物的除去的处理。
另外，供给到基板W的药液不限于SPM，也可以是其他药液。例如，BHF、DHF(稀氢氟酸)、SC1(氨水双氧水混合液)、SC2(盐酸双氧水混合液)、有机溶剂(例如NMP、丙酮)、硝酸、磷酸铵、柠檬酸、硫酸、稀硫酸、氟硝酸、原液HF、王水、TMAH(四甲基氢氧化铵水溶液)等有机酸和这些有机酸的混合液。此外，也可以是O3水。在这种情况下，作为药液中含有的异物，可以是金属、Si、有机物。
另外，以处理杯11为三层的情况为例进行了说明，但处理杯11也可以是一层(单杯)或两层，还可以是四层以上的多层杯。
另外，在上述的实施方式中，对基板处理装置1是对由半导体晶片构成的基板W的表面进行处理的装置的情况进行了说明，但基板处理装置也可以是对液晶显示装置用基板、有机EL(electroluminescence)显示装置等FPD(Flat Panel Display：平板显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太阳能电池用基板等基板进行处理的装置。
对本发明的实施方式进行了详细说明，但这些说明仅仅是为了明确本发明的技术内容而使用的具体例，本发明的范围不应被解释为限定于这些具体例，本发明的范围仅由所附权利要求书限定。

Claims (18)

1.一种基板处理方法，其中，具备：
基板保持工序，由基板保持单元保持基板；
药液供给工序，一边使所述基板绕穿过该基板的中央部的旋转轴线旋转一边向所述基板的主面供给药液；以及
流通目标切换工序，在所述药液供给工序中，将从所述基板排出的药液的流通目标从包围所述基板保持单元的周围的处理杯的第一流通空间切换为所述处理杯的第二流通空间，所述第二流通空间与所述第一流通空间隔开。
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，
在所述第一流通空间中流通的药液被导出到排液配管，
在所述第二流通空间中流通的药液被导出至回收配管。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，
所述流通目标切换工序包括：
挡板切换工序，在所述药液供给工序中，将配置在能够捕获从所述基板排出的药液的能够捕获位置的挡板在筒状的第一挡板和与所述第一挡板分开设置的筒状的第二挡板之间进行切换，所述第一挡板捕获并向所述第一流通空间引导所述药液，所述第二挡板捕获并向所述第二流通空间引导所述药液。
4.根据权利要求3所述的基板处理方法，其中，
所述第一挡板和第二挡板是彼此相邻的挡板，所述第二挡板以能够包围所述第一挡板的外侧的方式设置，
所述挡板切换工序包括：通过使配置在所述能够捕获位置的所述第一挡板下降，来使所述第二挡板能够捕获药液的工序。
5.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，
所述药液供给工序包括在所述流通目标切换工序的整个期间继续向所述基板供给药液的工序。
6.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，
所述药液供给工序包括在所述流通目标切换工序的期间中至少一部分期间内，停止向所述基板供给药液的工序。
7.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，
所述流通目标切换工序基于从所述药液供给工序开始起的经过时间，将所述流通目标从所述第一流通空间切换为所述第二流通空间。
8.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，
所述药液供给工序包括在所述流通目标切换工序的前后供给保持为恒定的浓度的药液的工序。
9.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，
在所述基板的主面上形成有抗蚀剂，
在所述药液供给工序中供给到所述基板的主面的药液含有SPM。
10.一种基板处理装置，其中，具备：
基板保持单元，保持基板；
旋转单元，用于使保持于所述基板保持单元的基板绕穿过该基板的中央部的旋转轴线旋转；
药液供给单元，用于向保持于所述基板保持单元的基板供给药液；
处理杯，包围所述基板保持单元的周围，具有第一流通空间和与所述第一流通空间隔开的第二流通空间，供从所述基板保持单元所保持的基板排出的药液流通；
流通目标切换单元，用于将从所述基板保持单元所保持的基板排出的药液的流通目标在第一流通空间和第二流通空间之间切换；以及
控制装置，控制所述旋转单元、所述药液供给单元和所述流通目标切换单元，
所述控制装置执行：
药液供给工序，一边使所述基板绕所述旋转轴线旋转一边利用所述药液供给单元向所述基板的主面供给药液，以及
流通目标切换工序，在所述药液供给工序中，通过所述流通目标切换单元将从所述基板排出的药液的流通目标从所述第一流通空间切换为所述第二流通空间。
11.根据权利要求10所述的基板处理装置，其中，
在所述第一流通空间中流通的药液被导出到排液配管，
在所述第二流通空间中流通的药液被导出至回收配管。
12.根据权利要求10或11所述的基板处理装置，其中，
所述处理杯具备：
筒状的第一挡板，捕获从所述基板保持单元所保持的基板排出的药液并向所述第一流通空间引导该药液，以及
筒状的第二挡板，与所述第一挡板分开设置，捕获从所述基板保持单元所保持的基板排出的药液并向所述第二流通空间引导该药液，
所述流通目标切换单元还具备用于分别使所述第一挡板和所述第二挡板升降的挡板升降单元，
所述控制装置在所述流通目标切换工序中执行：
挡板切换工序，在所述药液供给工序中，通过所述挡板升降单元将配置在能够捕获从所述基板排出的药液的能够捕获位置的挡板在所述第一挡板与所述第二挡板之间进行切换。
13.根据权利要求12所述的基板处理装置，其中，
所述第一挡板和所述第二挡板是彼此相邻的挡板，所述第二挡板以能够包围所述第一挡板的外侧的方式设置，
所述控制装置在所述挡板切换工序中执行：通过使配置在所述能够捕获位置的所述第一挡板下降，来使所述第二挡板能够捕获药液的工序。
14.根据权利要求10或11所述的基板处理装置，其中，
所述控制装置在所述药液供给工序中，在所述流通目标切换工序的整个期间继续向所述基板供给药液。
15.根据权利要求10或11所述的基板处理装置，其中，
所述控制装置在所述药液供给工序中，在所述流通目标切换工序的期间中至少一部分期间内停止向所述基板供给药液。
16.根据权利要求10或11所述的基板处理装置，其中，
所述控制装置在所述流通目标切换工序中，基于从所述药液供给工序开始起的经过时间，将所述流通目标从所述第一流通空间切换为所述第二流通空间。
17.根据权利要求10或11所述的基板处理装置，其中，
所述控制装置在所述药液供给工序中，执行在所述流通目标切换工序的前后将保持为恒定的浓度的药液向所述基板供给的工序。
18.根据权利要求10或11所述的基板处理装置，其中，
在所述基板的主面上形成有抗蚀剂，利用所述药液供给单元向所述基板的主面供给的所述药液含有SPM。
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0831789A (ja) * 1994-07-19 1996-02-02 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板の表面処理装置
JPH10321517A (ja) * 1997-05-20 1998-12-04 Tokyo Electron Ltd 処理方法
JP2002170804A (ja) * 2000-12-04 2002-06-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
JP2005259950A (ja) * 2004-03-11 2005-09-22 Sprout Co Ltd 基板処理装置およびその処理方法
JP2006024793A (ja) * 2004-07-08 2006-01-26 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 薬液回収方法および基板処理装置
JP2009239081A (ja) * 2008-03-27 2009-10-15 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008021891A (ja) * 2006-07-14 2008-01-31 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置
JP5460633B2 (ja) * 2010-05-17 2014-04-02 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記録した記録媒体
JP6400977B2 (ja) * 2013-09-25 2018-10-03 芝浦メカトロニクス株式会社 スピン処理装置
KR101696194B1 (ko) * 2014-05-29 2017-01-17 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
JP6722532B2 (ja) * 2016-07-19 2020-07-15 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および処理カップ洗浄方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0831789A (ja) * 1994-07-19 1996-02-02 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板の表面処理装置
JPH10321517A (ja) * 1997-05-20 1998-12-04 Tokyo Electron Ltd 処理方法
JP2002170804A (ja) * 2000-12-04 2002-06-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
JP2005259950A (ja) * 2004-03-11 2005-09-22 Sprout Co Ltd 基板処理装置およびその処理方法
JP2006024793A (ja) * 2004-07-08 2006-01-26 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 薬液回収方法および基板処理装置
JP2009239081A (ja) * 2008-03-27 2009-10-15 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置

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