TWI546881B - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

Description

基板處理裝置及基板處理方法

本發明係有關於一種用以進行使用藥液的基板處理之基板處理裝置及基板處理方法。以成為處理對象的基板的例子而言，可包括半導體晶圓、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、FED(Field Emission Display；場效發射顯示器)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板、太陽電池用基板等。

在半導體裝置或液晶顯示裝置的製造步驟中，為了對半導體晶圓或液晶顯示面板用玻璃基板等基板的表面施予藥液所為之處理，有使用用以逐片處理基板之葉片式的基板處理裝置之情形。葉片式的基板處理裝置係具備有：基板保持旋轉機構，係於被隔壁區劃的處理腔室(chamber)內，大致水平地保持基板並使基板旋轉；有底筒狀的處理罩(cup)，係收容基板保持旋轉機構；以及藥液噴嘴，係用以將藥液供給至被基板保持旋轉機構保持的基板。

處理罩係具備有：罩，係被固定地收容；以及防護罩(guard)，係設置成可相對於罩升降，並可接住從藉由基板保持旋轉機構而旋轉的基板所飛散的藥液。被防護罩接住 的處理液係於防護罩的內壁流動而供給至罩。

在此種基板處理裝置中，有使用複數種藥液之情形。在複數種藥液的組合為硫酸過氧化氫水混合液(SPM：sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture)等含有硫酸的含硫酸液與異丙醇(IPA：isopropyl alcohol)等有機溶劑的組合般混合接觸時伴隨著危險的組合(亦即，不適合混合接觸之組合)之情形中，為了確實地防止這些藥液的混合接觸，通常係如日本特開2007-103732號公報所示般，將各種類的藥液使用於不同的處理腔室。此外，已提出一種發明(例如參照日本特許第4917469號公報及日本特許第4917470號公報)，係在一個處理腔室進行使用不適合混合接觸之組合的藥液之情形中，為了不在處理腔室的內部混合接觸，而執行聯鎖(interlock)處理，該聯鎖處理係在一方的藥液供給時禁止另一方的藥液用的閥的新開啟，或者在基板的旋轉速度的檢測值變成轉數範圍外時禁止藥液用的閥的開啟。

為了提升生產性，有即使使用於基板處理之複數種藥液的組合為不適合混合接觸之組合，亦期望在一個處理腔室完成洗淨處理之情形。為了因應此要求，必須確實地防止處理腔室內、基板保持旋轉機構以及罩中的藥液的混合接觸。

此外，為了防止從藥液噴嘴滴落或漏出等的藥液流出至處理腔室外，有於處理腔室的底部整體配置有用以接住藥液之槽(vat)的情形。於槽形成有排液口，且於排液口連 接有排液配管。被槽接住的藥液係從槽的上表面被導引至排液口，並從排液口通過排液配管排液至機台外。在以一個處理腔室進行使用不適合混合接觸之組合的藥液之處理的情形中，由於槽共通地接住該組合的藥液，因此有在槽的上表面發生藥液的混合接觸之虞。

因此，本發明的目的之一在於提供一種基板處理裝置及基板處理方法，係即使使用於基板處理之複數種藥液的組合為不適合混合接觸之組合，亦能確實地防止這些藥液的混合接觸，並在一個處理腔室中完成該基板處理。

此外，本發明的另一目的在於提供一種基板處理裝置，係能確實地防止在槽中發生不適合混合接觸之組合的藥液的混合接觸。

本發明的第一態樣為一種基板處理裝置，係包含有：處理腔室；基板保持旋轉機構，係具有可繞著預定旋轉軸線旋轉的自轉基座，並一邊保持基板一邊使基板繞著前述旋轉軸線旋轉，且配置於前述處理腔室內；圓環狀的罩，係以圍繞前述基板保持旋轉機構的周圍之方式設置，用以儲留從藉由前述基板保持旋轉機構而旋轉之基板所排出的處理液；第一藥液供給單元，係用以將第一藥液供給至被前述基板保持旋轉機構保持的基板；第二藥液供給單元，係用以將與前述第一藥液不同種類的第二藥液供給至被前述基板保持旋轉機構保持的基板；洗淨液噴嘴，係具有洗淨液噴出口，用以朝屬於前述罩的內壁之罩內壁及/或屬於前述自轉基座的外周部的壁面之基座壁面噴出洗淨液；洗淨液供給單元，係 用以將前述洗淨液供給至前述洗淨液噴嘴；旋轉處理控制單元，係控制前述第一藥液供給單元及前述第二藥液供給單元執行第一藥液供給步驟及第二藥液供給步驟，該第一藥液供給步驟係將第一藥液供給至藉由前述基板保持旋轉機構而旋轉的基板，該第二藥液供給步驟係在前述第一藥液供給步驟後將與前述第一藥液不同種類的第二藥液供給至藉由前述基板保持旋轉機構而旋轉的基板；以及洗淨控制單元，係控制前述洗淨液供給單元，在前述第一藥液供給步驟的結束後且在前述第二藥液供給步驟的開始前、以及/或者前述第二藥液供給步驟的執行中及/或執行後，從前述洗淨液噴出口噴出洗淨液，將洗淨液供給至前述罩內壁及/或前述基座壁面。

依據此構成，在共通的處理腔室內依序執行第一藥液供給步驟及第二藥液供給步驟。此外，在第一藥液供給步驟的結束後且在第二藥液供給步驟的開始前、以及/或者第二藥液供給步驟的執行中及/或執行後，將洗淨液供給至罩內壁及/或基座壁面。

在第一藥液供給步驟的結束後且在第二藥液供給步驟的開始前將洗淨液供給至罩內壁及/或基座壁面之情形中，藉由該洗淨液的供給能從罩內壁及/或基座壁面將第一藥液去除。因此，在第二藥液供給步驟的開始時不會於罩內壁或基座壁面殘留第一藥液，因此能確實地防止在該第二藥液供給步驟中第一藥液與第二藥液混合接觸。

此外，與第二藥液供給步驟並行及/或於第二藥液供 給步驟後將洗淨液供給至罩內壁及/或基座壁面之情形中，能藉由該洗淨液的供給從罩內壁及/或基座壁面將第二藥液去除。因此，在下個基板處理的第一藥液供給步驟的開始時不會於罩內壁及/或基座壁面殘留第二藥液，因此能確實地防止在該第一藥液供給步驟中第一藥液與第二藥液混合接觸。

如上所述，能提供一種基板處理裝置，即使使用於基板處理之複數種藥液(第一藥液及第二藥液)的組合為不適合混合接觸之組合，亦能確實地防止這些藥液的混合接觸，而能在一個處理腔室中完成該基板處理。

在本說明書中，所謂「不適合混合接觸之組合」不僅是「混合接觸時伴隨著危險的組合」，亦包含了「藉由混合接觸產生反應物之組合」和「藉由混合接觸而難以分離回收之組合」的範圍。「藉由混合接觸產生反應物之組合」為酸與鹼的組合等，有因為藉由混合接觸所產生的鹽而污染裝置內部之虞。此外，以「藉由混合接觸而難以分離回收之組合」的一例而言，能例舉HF(氟酸)與SPM(硫酸過氧化氫水混合液)的組合等。

在本發明實施形態之一中，前述旋轉處理控制單元係包含有：清洗(rinse)控制單元，係執行清洗步驟，該清洗步驟係在前述第一藥液供給步驟的結束後且在前述第二藥液供給步驟的開始前，將清洗液供給至藉由前述基板保持旋轉機構而旋轉的基板，並沖洗附著於該基板的表面的第一藥液；前述洗淨控制單元係包含有：第一洗淨控制單元， 係與前述清洗步驟並行，及/或在該清洗步驟的結束後且在前述第二藥液供給步驟的開始前，從前述洗淨液噴出口噴出洗淨液。

依據此構成，在共通的處理腔室內依序執行第一藥液供給步驟、清洗步驟及第二藥液供給步驟。此外，與第一藥液供給步驟後的清洗步驟並行，及/或在該清洗步驟的結束後且在第二藥液供給步驟的開始前，將洗淨液供給至罩內壁及/或基座壁面。

於第一藥液供給步驟的結束後，有於罩內壁及基座壁面附著(殘留)第一藥液之虞。當在此狀態下直接開始第二藥液供給步驟時，有在第二藥液供給步驟中第一藥液及第二藥液混合接觸之虞。

相對於此，在此構成中，與於第一藥液供給步驟後所執行的清洗步驟並行，及/或在清洗步驟後且在第二藥液供給步驟的開始前，將洗淨液供給至罩內壁及/或基座壁面，藉此在第二藥液供給步驟的開始前從罩內壁及/或基座壁面將第一藥液去除。因此，於第二藥液供給步驟的開始時不會於罩內壁或基座壁面殘留第一藥液，因此能確實地防止在該第二藥液供給步驟中第一藥液及第二藥液混合接觸。

前述洗淨控制單元亦可包含有：第二洗淨控制單元，係與前述第二藥液供給步驟並行，從前述洗淨液噴出口噴出洗淨液。

依據此構成，與第二藥液供給步驟並行，將洗淨液供 給至罩內壁及/或基座壁面。

在第二藥液供給步驟的結束後於罩內壁及基座壁面附著(殘留)第二藥液之情形中，在該第二藥液殘留的狀態下直接開始下一個基板處理的第一藥液供給步驟時，有第一藥液及第二藥液混合接觸之虞。

相對於此，在此構成中，與第二藥液供給步驟並行，及/或在該第二藥液供給步驟的結束後將洗淨液供給至罩內壁及/或基座壁面，藉此能從罩內壁及/或基座壁面將第二藥液去除。因此，於下一個基板處理的開始時不會於罩內壁或基座壁面殘留第二藥液，因此能確實地防止在下一個基板處理的第一藥液供給步驟中第一藥液及第二藥液混合接觸。

前述旋轉處理控制單元亦可包含有：離心脫水(spin drying)控制單元，係執行離心脫水步驟，該離心脫水步驟係藉由前述基板保持旋轉機構使基板旋轉而甩掉該基板的表面的液成分。前述洗淨控制單元亦可包含有：第三洗淨控制單元，係與前述離心脫水步驟並行，從前述洗淨液噴出口噴出洗淨液。

依據此構成，與離心脫水步驟並行，將洗淨液供給至罩內壁及/或基座壁面。

在離心脫水步驟的結束後於罩內壁及基座壁面附著(殘留)第二藥液之情形中，當在該第二藥液殘留的狀態下直接開始下一個基板處理的第一藥液供給步驟時，有第一藥液及第二藥液混合接觸之虞。

相對於此，在此構成中，與離心脫水步驟並行，將洗淨液供給至罩內壁及/或基座壁面，藉此能從罩內壁及/或基座壁面將第二藥液去除。因此，於離心脫水步驟的結束後不會於罩內壁或基座壁面殘留第二藥液，因此能確實地防止在下一個基板處理的第一藥液供給步驟中第一藥液及第二藥液混合接觸。

前述基板處理裝置亦可進一步包含有：共用配管，係連接至形成於前述罩的底部的排液/回收口；回收配管，係連接至前述共用配管，用以回收前述第一藥液或前述第二藥液；排液配管，係連接至前述共用配管；切換閥，係在前述回收配管與前述排液配管之間切換通過前述共用配管之液體的流通目的地；以及流通目的地設定控制單元，係與前述洗淨控制單元所為之前述洗淨液的供給並行，用以控制前述切換閥，並將通過前述共用配管之液體的流通目的地設定成前述排液配管。

依據此構成，與朝罩內壁及/或基座壁面供給洗淨液並行，將通過共用配管之液體的流通目的地設定成排液配管。因此，供給至罩內壁及/或基座壁面的洗淨液係通過罩的排液/回收口導入至共用配管後，再導入至排液配管。因此，即使在因為第一藥液供給步驟或第二藥液供給步驟導致第一藥液或第二藥液附著於共用配管的管壁之情形中，亦能藉由流通共用配管的洗淨液沖洗這些附著的第一藥液或第二藥液。藉此，能確實地防止在共用配管的管壁中第一藥液及第二藥液混合接觸。

前述洗淨液噴嘴亦可包含有：第一洗淨液噴嘴，係具有與前述基座壁面相對向配置的第一洗淨液噴出口。

前述第一洗淨液噴嘴亦可在將前述第一洗淨液噴出口朝向斜上方的狀態下配置。依據此構成，能將第一洗淨液噴嘴配置在基座壁面的斜下方。當將第一洗淨液噴嘴配置在基座壁面的側方時，平面觀視第一洗淨液噴嘴係夾設在自轉基座與罩之間，雖然會導致基板處理裝置的大型化，但由於未將第一洗淨液噴嘴配置在基座壁面的側方，因此基板處理裝置不會大型化。因此，能不使基板處理裝置大型化地將洗淨液供給至基座壁面。此外，由於從斜下方將洗淨液供給至基座壁面，因此能良好地去除附著於自轉基座的外周部的底面的第一藥液或第二藥液。

此外，前述洗淨液噴嘴亦可包含有：第二洗淨液噴嘴，係具有用以將洗淨液供給至前述罩內壁之第二洗淨液噴出口。

在此情形中，前述罩亦可設置成用以圍繞前述基板保持旋轉機構的周圍之圓環狀，並於前述罩的底壁形成有排液口。並且，前述第二洗淨液噴出口亦可在前述自轉夾盤的側方沿著前述罩的圓周方向配置複數個，且該第二洗淨液噴出口亦可不配置於接近前述排液口的區域。

依據此構成，由於第二洗淨液噴出口配置於未接近排液口的區域，因此從各第二洗淨液噴出口噴出的洗淨液係於罩內於罩的圓周方向朝排液口移動，並從排液口導入至共用配管。亦即，能增長洗淨液在罩內移動的距離。藉此， 能效率佳地去除附著於罩內的第一藥液或第二藥液。

前述第一藥液亦可為含有硫酸的含硫酸液。此外，前述第二藥液亦可為有機溶劑。前述含硫酸液係包含有SPM及硫酸。前述有機溶劑係包含有IPA、甲醇、乙醇、HFE(Hydrofluoroether；氫氟醚)以及丙酮中的至少一種。

本發明的第二態樣為一種基板處理方法，係使用基板處理裝置來處理基板之方法，該基板處理裝置係包含有：基板保持旋轉機構，係具有可繞著預定旋轉軸線旋轉的自轉基座，並一邊保持基板一邊使基板繞著前述旋轉軸線旋轉；罩，係以圍繞前述基板保持旋轉機構的周圍之方式設置，用以儲留從藉由前述基板保持旋轉機構而旋轉之基板所排出的處理液；以及洗淨液噴嘴，係用以朝屬於前述罩的內壁之罩內壁及/或屬於前述自轉基座的外周部的壁面之基座壁面噴出洗淨液；該基板處理方法係包含有：第一藥液供給步驟，係將第一藥液供給至藉由前述基板保持旋轉機構而旋轉的基板；第二藥液供給步驟，係在前述第一藥液供給步驟後，將與前述第一藥液不同種類的第二藥液供給至藉由前述基板保持旋轉機構而旋轉的基板；以及洗淨液供給步驟，係在前述第一藥液供給步驟的結束後且在前述第二藥液供給步驟的開始前、以及/或者前述第二藥液供給步驟的執行中及/或執行後，從前述洗淨液噴嘴噴出洗淨液，將洗淨液供給至前述罩內壁及/或前述基座壁面。

依據此方法，在共通的處理腔室內依序執行第一藥液供給步驟及第二藥液供給步驟。此外，在第一藥液供給步 驟的結束後且在第二藥液供給步驟的開始前、以及/或者第二藥液供給步驟的執行中及/或執行後，將洗淨液供給至罩內壁及/或基座壁面。

在第一藥液供給步驟的結束後且在第二藥液供給步驟的開始前將洗淨液供給至罩內壁及/或基座壁面之情形中，藉由該洗淨液的供給能從罩內壁及/或基座壁面將第一藥液去除。因此，在第二藥液供給步驟的開始時不會於罩內壁或基座壁面殘留第一藥液，因此能確實地防止在該第二藥液供給步驟中第一藥液與第二藥液混合接觸。

此外，在與第二藥液供給步驟並行及/或於第二藥液供給步驟後將洗淨液供給至罩內壁及/或基座壁面之情形中，能藉由該洗淨液的供給從罩內壁及/或基座壁面將第二藥液去除。因此，在下個基板處理的第一藥液供給步驟的開始時不會於罩內壁及/或基座壁面殘留第二藥液，因此能確實地防止在該第一藥液供給步驟中第一藥液與第二藥液混合接觸。

如上所述，能提供一種基板處理方法，即使使用於基板處理之複數種藥液(第一藥液及第二藥液)的組合為不適合混合接觸之組合，亦能確實地防止這些藥液的混合接觸，而能在一個處理腔室中完成該基板處理。

在本發明實施形態之一中，前述基板處理方法係進一步包含有：清洗步驟，係在前述第一藥液供給步驟的結束後且在前述第二藥液供給步驟的開始前，將清洗液供給至藉由前述基板保持旋轉機構而旋轉的基板，並沖洗附著於 該基板的表面的第一藥液；前述洗淨液供給步驟係包含有：第一洗淨液供給步驟，係與前述清洗步驟並行，及/或在該清洗步驟的結束後且在前述第二藥液供給步驟的開始前，從前述洗淨液噴嘴噴出洗淨液。

依據此方法，在共通的處理腔室內依序執行第一藥液供給步驟、清洗步驟及第二藥液供給步驟。此外，與第一藥液供給步驟後的清洗步驟並行，及/或在該清洗步驟的結束後且在第二藥液供給步驟的開始前，將洗淨液供給至罩內壁及/或基座壁面。

於第一藥液供給步驟的結束後，有於罩內壁及基座壁面附著(殘留)第一藥液之虞。當在此狀態下直接開始第二藥液供給步驟時，有在第二藥液供給步驟中第一藥液及第二藥液混合接觸之虞。

相對於此，在此方法中，與於第一藥液供給步驟後所執行的清洗步驟並行，及/或在清洗步驟後且在第二藥液供給步驟的開始前，將洗淨液供給至罩內壁及/或基座壁面，藉此在第二藥液供給步驟的開始前從罩內壁及/或基座壁面將第一藥液去除。因此，於第二藥液供給步驟的開始時不會於罩內壁或基座壁面殘留第一藥液，因此能確實地防止在該第二藥液供給步驟中第一藥液及第二藥液混合接觸。

前述洗淨液供給步驟亦可包含有：第二洗淨液供給步驟，係與前述第二藥液供給步驟並行，及/或在該第二藥液供給步驟的結束後，從前述洗淨液噴嘴噴出洗淨液。

依據此方法，與第二藥液供給步驟並行，將洗淨液供給至罩內壁及/或基座壁面。

在第二藥液供給步驟的結束後於罩內壁及基座壁面附著(殘留)第二藥液之情形中，在該第二藥液殘留的狀態下直接開始下一個基板處理的第一藥液供給步驟時，有第一藥液及第二藥液混合接觸之虞。

相對於此，在此方法中，與第二藥液供給步驟並行，及/或在該第二藥液供給步驟的結束後將洗淨液供給至罩內壁及/或基座壁面，藉此能從罩內壁及/或基座壁面將第二藥液去除。因此，於下一個基板處理的開始時不會於罩內壁或基座壁面殘留第二藥液，因此能確實地防止在下一個基板處理的第一藥液供給步驟中第一藥液及第二藥液混合接觸。

前述基板處理方法亦可包含有：離心脫水步驟，係在前述第二藥液供給步驟的結束後，藉由前述基板保持旋轉機構使基板旋轉而甩掉該基板的表面的液成分；前述洗淨液供給步驟亦可包含有：第三洗淨液供給步驟，係與前述離心脫水步驟並行及/或在前述離心脫水步驟後，從前述洗淨液噴嘴噴出洗淨液。

依據此方法，與離心脫水步驟並行，將洗淨液供給至罩內壁及/或基座壁面。

在離心脫水步驟的結束後於罩內壁及基座壁面附著(殘留)第二藥液之情形中，當在該第二藥液殘留的狀態下直接開始下一個基板處理的第一藥液供給步驟時，有第一 藥液及第二藥液混合接觸之虞。

相對於此，在此方法中，與離心脫水步驟並行，將洗淨液供給至罩內壁及/或基座壁面，藉此能從罩內壁及/或基座壁面將第二藥液去除。因此，於離心脫水步驟的結束後不會於罩內壁或基座壁面殘留第二藥液，因此能確實地防止在下一個基板處理的第一藥液供給步驟中第一藥液及第二藥液混合接觸。

前述罩亦可包含有：複數個罩，係以平面觀視不重複之方式設置。在此情形中，前述洗淨液供給步驟亦可將前述複數個罩中設置於最內側的第一罩予以洗淨。

依據此方法，在洗淨液供給步驟中，將洗淨液供給至設置於最內側的第一罩。由於第一罩設置成最接近基板保持旋轉機構，因此在第一藥液或第二藥液所為之處理時，該第一藥液或第二藥液進入至第一罩並附著於該第一罩的內壁。如此，由於能洗淨第一藥液或第二藥液容易附著的第一罩的內壁，因此能更確實地防止第一藥液及第二藥液混合接觸。

前述基板處理裝置亦可進一步包含有：共用配管，係連接至形成於前述罩的底部的排液/回收口；回收配管，係連接至前述共用配管，用以回收前述第一藥液或前述第二藥液；以及排液配管，係連接至前述共用配管。在此情形中，前述洗淨步驟亦可在將通過前述共用配管的液體的流通目的地設定成前述排液配管的狀態下執行。

依據此方法，與朝罩內壁及/或基座壁面供給洗淨液 並行，將通過共用配管之液體的流通目的地設定成排液配管。因此，供給至罩內壁及/或基座壁面的洗淨液係通過罩的排液/回收口導入至共用配管後，再導入至排液配管。因此，即使在因為第一藥液供給步驟或第二藥液供給步驟導致第一藥液或第二藥液附著於共用配管的管壁之情形中，亦能藉由流通共用配管的洗淨液沖洗這些附著的第一藥液或第二藥液。藉此，能確實地防止在共用配管的管壁中第一藥液及第二藥液混合接觸。

前述第一藥液亦可為含有硫酸的含硫酸液。此外，前述第二藥液亦可為有機溶劑。前述含硫酸液係包含有SPM及硫酸。前述有機溶劑係包含有IPA、甲醇、乙醇、HFE(氫氟醚)以及丙酮中的至少一種。

本發明的第三態樣係提供一種基板處理裝置，係包含有：處理腔室；基板保持機構，係配置於前述處理腔室的內部，用以保持基板；筒狀的處理罩，係配置於前述處理腔室的內部，並包圍前述基板保持機構的周圍；第一藥液噴嘴，係將第一藥液噴出至被前述基板保持機構保持的基板；第二液液噴嘴，係將與前述第一藥液不同種類的第二藥液噴出至被前述基板保持機構保持的基板；第一移動機構，係使前述第一藥液噴嘴在第一外側空間與被前述基板保持機構保持的基板的上方之間移動，該第一外側空間係前述處理腔室的內部的預定空間且平面觀視為前述處理罩的外側的空間；第二移動機構，係使前述第二藥液噴嘴在與前述第一外側空間不同的第二外側空間與被前述基板保 持機構保持的基板的上方之間移動，該第二外側空間係前述處理腔室的內部的預定空間且平面觀視為前述處理罩的外側的空間；第一槽，係至少配置於前述第一外側空間的底部，用以接住來自上方的液體並朝第一排液口導引；以及第二槽，係配置於前述第二外側空間的底部，用以接住來自上方的液體並將所接住的液體朝與前述第一排液口不同的第二排液口導引；前述第一外側空間與前述第二外側空間係至少在底部中被隔離。

依據此構成，將配置於處理腔室的底部的槽分割成至少配置於第一外側空間的底部之第一槽以及配置於第二外側空間的底部之第二槽。在第一藥液噴嘴於第一外側空間移動的途中，從第一藥液噴嘴滴落的第一藥液係被第一槽接住。另一方面，在第二藥液噴嘴於第二外側空間移動的途中，從第二藥液噴嘴滴落的第二藥液係被第二槽接住。換言之，因應第一藥液噴嘴及第二藥液噴嘴的移動範圍，將槽分割成第一藥液用的第一槽及第二藥液用的第二槽。

此外，由於第一外側空間與第二外側空間至少在底部中被隔離，因此第一槽與第二槽之間不會有液體的流通。再者，被第一槽接住的液體的排液口與被第二槽接住的液體的排液口係分別不同。

如上所述，能提供一種基板處理裝置，能確實地防止槽中的第一藥液與第二藥液的混合接觸，因此能確實地防止不適合混合接觸之組合的藥液在槽中發生混合接觸。

前述第一藥液亦可為含有硫酸的含硫酸液。此外，前 述第二藥液亦可為有機溶劑。前述含硫酸液係包含有SPM及硫酸。前述有機溶劑係包含有IPA、甲醇、乙醇、HFE(氫氟醚)以及丙酮中的至少一種。

本發明中的上述目的、特徵與功效以及其他目的、特徵與功效係可參照圖式並藉由下述的實施形態的說明而更加明瞭。

1‧‧‧基板處理裝置

2‧‧‧處理腔室

3‧‧‧自轉夾盤

4‧‧‧含硫酸液供給單元

5‧‧‧有機溶劑供給單元

6‧‧‧清洗液供給單元

7‧‧‧處理罩

8‧‧‧控制裝置

10‧‧‧隔壁

11‧‧‧風扇過濾器單元(FFU)

13‧‧‧自轉馬達

14‧‧‧自轉軸

15‧‧‧自轉基座

15A‧‧‧外周部

16‧‧‧夾持構件

17‧‧‧殼構件

18‧‧‧下表面噴嘴

19‧‧‧底面板

20‧‧‧基座套筒

21‧‧‧套筒

22‧‧‧套筒殼

23‧‧‧下端部

23A‧‧‧第一圓筒面

24‧‧‧中段部

24A‧‧‧錐面

25‧‧‧上段部

25A‧‧‧第二圓筒面

27‧‧‧含硫酸液噴嘴

28‧‧‧第一噴嘴臂

29‧‧‧第一臂支撐軸

30‧‧‧第一臂搖動單元

31‧‧‧含硫酸液配管

32‧‧‧含硫酸液閥

33‧‧‧有機溶劑噴嘴

34‧‧‧第二噴嘴臂

35‧‧‧第二臂支撐軸

36‧‧‧第二臂搖動單元

37‧‧‧有機溶劑配管

38‧‧‧有機溶劑閥

39‧‧‧清洗液噴嘴

40‧‧‧清洗液配管

41‧‧‧清洗液閥

42‧‧‧第一罩(罩)

43‧‧‧第二罩(罩)

44‧‧‧第一防護罩(防護罩)

45‧‧‧第二防護罩(防護罩)

46‧‧‧第三防護罩(防護罩)

47‧‧‧第四防護罩(防護罩)

48‧‧‧防護罩升降單元

49‧‧‧罩內排氣導管

50‧‧‧圓筒構件

51‧‧‧底部

52‧‧‧內壁部

53‧‧‧外壁部

54‧‧‧第一排液回收槽

55‧‧‧第二排液回收槽

56‧‧‧導引部

57‧‧‧處理液分離壁

58‧‧‧下端部

59‧‧‧厚壁部

60‧‧‧中段部

61‧‧‧上端部

62‧‧‧導引部

63‧‧‧罩部

64‧‧‧圓筒部

65‧‧‧上端部

66‧‧‧第三排液回收槽

68‧‧‧下端部

69‧‧‧上端部

70‧‧‧垂下部

71‧‧‧伸出部

72‧‧‧圓筒部

73‧‧‧上端部

74‧‧‧第三罩(罩)

75‧‧‧排液槽

76‧‧‧第一洗淨液噴嘴

77‧‧‧第一洗淨液供給單元

78‧‧‧第二洗淨液噴嘴

79‧‧‧第二洗淨液供給單元

80‧‧‧第一洗淨液噴出口

81‧‧‧第二洗淨液噴出口

82‧‧‧第一洗淨液流通路徑

83‧‧‧第一洗淨液供給配管

84‧‧‧第一洗淨液閥

85‧‧‧第一共通流通路徑

86‧‧‧第一分歧流通路徑

87‧‧‧第二洗淨液流通路徑

88‧‧‧第二洗淨液供給配管

89‧‧‧第二洗淨液閥

90‧‧‧第二共通流通路徑

91‧‧‧第二分歧流通路徑

92‧‧‧第一排液回收口

93‧‧‧第一共用配管

95‧‧‧第一回收配管

95A‧‧‧第一回收閥

96‧‧‧第一排液配管

96A‧‧‧第一排液閥

97‧‧‧第二排液回收口

98‧‧‧第二共用配管

100‧‧‧第二回收配管

100A‧‧‧第二回收閥

101‧‧‧第二排液配管

101A‧‧‧第二排液閥

102‧‧‧第三排液回收口

103‧‧‧第三共用配管

105‧‧‧第三回收配管

105A‧‧‧第三回收閥

106‧‧‧第三排液配管

106A‧‧‧第三排液閥

201‧‧‧基板處理裝置

202‧‧‧處理腔室

203‧‧‧自轉夾盤

204‧‧‧含硫酸液供給單元

205‧‧‧有機溶劑供給單元

206‧‧‧清洗液供給單元

207‧‧‧處理罩

208‧‧‧控制裝置

209‧‧‧槽

210‧‧‧隔壁

211‧‧‧擋門

213‧‧‧頂壁

215‧‧‧側壁

216‧‧‧自轉馬達

217‧‧‧自轉軸

218‧‧‧自轉基座

219‧‧‧下表面噴嘴

220‧‧‧夾持構件

221‧‧‧含硫酸液噴嘴

222‧‧‧第三噴嘴臂

223‧‧‧第三搖動軸

224‧‧‧第三臂搖動單元

225‧‧‧含硫酸液配管

225A‧‧‧第一分歧位置

226‧‧‧含硫酸液閥

227‧‧‧第一吸引配管

228‧‧‧第一吸引閥

229‧‧‧第一起始位置

230‧‧‧清洗液噴嘴

231‧‧‧清洗液配管

232‧‧‧清洗液閥

233‧‧‧有機溶劑噴嘴

234‧‧‧第四噴嘴臂

235‧‧‧第四搖動軸

236‧‧‧第四臂搖動單元

237‧‧‧有機溶劑配管

237A‧‧‧第二分歧位置

238‧‧‧有機溶劑閥

239‧‧‧第二吸引配管

240‧‧‧第二吸引閥

241‧‧‧第二起始位置

242‧‧‧第四罩

243‧‧‧第五罩

244‧‧‧第六罩

245‧‧‧排液槽

246‧‧‧第五防護罩

247‧‧‧第六防護罩

248‧‧‧第七防護罩

248a‧‧‧垂下部

248b‧‧‧伸出部

249‧‧‧第八防護罩

250‧‧‧筒狀壁

251‧‧‧傾斜部

252‧‧‧導引部

253‧‧‧第一連通孔

254‧‧‧第二連通孔

255‧‧‧蓋

256‧‧‧分割板

257‧‧‧分隔壁

260‧‧‧內槽

261‧‧‧第一外槽

262‧‧‧第二外槽

263‧‧‧第一承接面

264‧‧‧第一最低位置

265‧‧‧第二承接面

266‧‧‧第二最低位置

267‧‧‧第一排液口

268‧‧‧第二排液口

269‧‧‧第一排液配管

270‧‧‧第二排液配管

271‧‧‧內承接面

273‧‧‧第一流通管配管

274‧‧‧流入口

275‧‧‧第二管接頭

276‧‧‧接頭本體

277‧‧‧流通管側接頭

278‧‧‧排液側接頭

279‧‧‧凸緣部

280‧‧‧螺栓

281‧‧‧第一插入口

282‧‧‧第二插入口

283‧‧‧連接孔

290‧‧‧鹼藥液供給單元

291‧‧‧鹼藥液噴嘴

292‧‧‧第五噴嘴臂

293‧‧‧第五搖動軸

294‧‧‧第三起始位置

301‧‧‧基板處理裝置

302‧‧‧分隔壁

303‧‧‧第三外槽

304‧‧‧第四外槽

305‧‧‧第三承接面

306‧‧‧第四承接面

307‧‧‧第四最低位置

308‧‧‧第三排液口

309‧‧‧第三連通孔

310‧‧‧第二流通管配管

311‧‧‧流入口

312‧‧‧管接頭

320‧‧‧第一管接頭

321‧‧‧接頭本體

322‧‧‧流通管側接頭

323‧‧‧插入口

330‧‧‧第一管接頭

331‧‧‧接頭本體

349‧‧‧罩內排氣導管

A1‧‧‧旋轉軸線

IS‧‧‧內側空間

OS‧‧‧外側空間

OS1‧‧‧第一外側空間

OS2‧‧‧第二外側空間

OS3‧‧‧第三外側空間

OS4‧‧‧第四外側空間

OSD‧‧‧外側下空間

OSU‧‧‧外側上空間

W‧‧‧基板

X‧‧‧水平方向

圖1係於水平方向觀看本發明第一實施形態的基板處理裝置之圖。

圖2係用以說明第一洗淨噴嘴及第二洗淨噴嘴之剖視圖。

圖3係用以說明第一洗淨噴嘴及第二洗淨噴嘴之剖視圖。

圖4係從圖1的剖線IV-IV觀看的剖視圖。

圖5係沿著圖4的剖線V-V將套筒(boss)剖開之剖視圖。

圖6係用以說明藉由前述基板處理裝置所進行的基板處理的一例之步驟圖。

圖7A至圖7D係用以顯示前述基板處理的一例之示意圖。

圖8係於水平方向觀看本發明第二實施形態的基板處理裝置之圖。

圖9係沿著圖8的剖線IX-IX將處理腔室的內部剖開之圖。

圖10係沿著圖8的剖線X-X將處理腔室的內部剖開之圖。

圖11係沿著圖10的剖線XI-XI將第一槽剖開之剖視圖。

圖12係從圖11的剖線XII-XII觀看之剖視圖。

圖13係示意性地顯示第一流通管(tube)朝第一排液配管的連接之圖。

圖14係用以說明藉由前述基板處理裝置所進行的基板處理的一例之步驟圖。

圖15係用以顯示前述基板處理的一例之示意圖。

圖16係用以顯示前述基板處理的一例之示意圖。

圖17係本發明第三實施形態的處理腔室的上部的示意圖。

圖18係圖17所示的處理腔室的底部的示意圖。

圖1係於水平方向觀看本發明第一實施形態的基板處理裝置1之圖。圖2及圖3係用以說明第一洗淨液噴嘴76及第二洗淨液噴嘴78之剖視圖。圖2係顯示第一防護罩44與基板W的周端面相對向之狀態，圖3係顯示第四防護罩47與基板W的周端面相對向之狀態。圖4係從圖1的剖線IV-IV觀看的剖視圖。圖5係沿著圖4的剖線V-V將套筒21剖開之剖視圖。

基板處理裝置1係用以對圓形的半導體晶圓等基板W的器件(device)形成區域側的表面施予洗淨處理或蝕刻處 理等液體處理之葉片型的裝置。基板處理裝置1係包含有：箱形的處理腔室2，係具有內部空間；自轉夾盤(基板保持旋轉機構)3，係在處理腔室2內以水平的姿勢保持一片基板W，並使基板W繞著通過基板W的中心之鉛直的旋轉軸線A1旋轉；含硫酸液供給單元(第一藥液供給單元)4，係用以將作為第一藥液之含硫酸液的一例的硫酸過氧化氫水混合液(SPM)供給至被自轉夾盤3保持的基板W；有機溶劑供給單元(第二藥液供給單元)5，係用以將作為第二藥液之有機溶劑(具有低表面張力的有機溶劑)的一例的異丙醇(IPA)液供給至被自轉夾盤3保持的基板W的表面(上表面)；清洗液供給單元6，係用以將作為清洗液之一例的DIW(deionized water；去離子水)供給至被自轉夾盤3保持的基板W的表面(上表面)；筒狀的處理罩7，係圍繞自轉夾盤3；以及控制裝置8，係控制基板處理裝置1所具有的裝置的動作和閥的開閉。

處理腔室2係包含有：箱狀的隔壁10；作為送風單元的風扇過濾器單元(fan filter unit；以下簡稱為FFU)11，係將清淨空氣從隔壁10的上部輸送至隔壁10內(相當於處理腔室2內)；以及排氣單元(未圖示)，係從隔壁10的下部將處理腔室2內的氣體予以排出。自轉夾盤3、含硫酸液供給單元4的含硫酸液噴嘴27、有機溶劑供給單元5的有機溶劑噴嘴33以及清洗液供給單元6的清洗液噴嘴39係收容配置於隔壁10內。

FFU11係配置於隔壁10的上方，並安裝於隔壁10的 頂部。FFU11係將清淨空氣從隔壁10的頂部輸送至處理腔室2內。排氣單元係經由罩內排氣導管(duct)49連接至處理罩7的底部，並從處理罩7的底部吸引處理罩7的內部。藉由FFU11及排氣裝置於處理腔室2內形成降流(down flow)(下降流)。

以自轉夾盤3而言，係採用用以於水平方向夾持基板W並將基板W水平地保持之夾持式的夾盤。具體而言，自轉夾盤3係包含有：自轉馬達13；自轉軸14，係與該自轉馬達13的驅動軸一體化；圓板狀的自轉基座15，係大致水平地安裝於自轉軸14的上端；以及殼(cover)構件17，係覆蓋自轉馬達13及自轉軸14的周圍，並構成除了自轉基座15之外的自轉夾盤的側面。

自轉軸14係鉛直配置的中空軸，且於其內部插通有下表面供給配管(未圖示)。於該下表面供給配管供給有處理液(例如第一藥液、第二藥液或純水(DIW))。此外，於下表面供給配管的上端部形成有下表面噴嘴18，用以噴出下表面供給配管所供給的處理液。下表面噴嘴18係大致鉛直地朝上噴出處理液，且從下表面噴嘴18噴出的處理液係大致垂直地射入至被自轉夾盤3保持的基板W的下表面中央。

自轉馬達13係配置於水平延伸的底面板19上，且被筒狀的殼構件17包圍。殼構件17的下端係載置於隔壁10的底面板19上，且其上端係達至自轉基座15的附近。

如圖1及圖4所示，於自轉基座15的上表面的周緣部配置有複數個(3個以上，例如6個)夾持構件16。複數個 夾持構件16係在自轉基座15的上表面周緣部中，於與基板W的外周形狀對應的圓周上隔著適當的間隔配置。此外，在圖4中，顯示未使自轉夾盤3保持基板W的狀態。

如圖1所示，殼構件17係藉由從下方依序組合圓筒狀的基座套筒(base boss)20、圓筒狀的套筒21以及圓環板狀的套筒殼(boss cover)22而構成。基座套筒20與套筒21以及套筒21與套筒殼22係分別使用螺栓(未圖示)彼此固定。基座套筒20係載置於底面板19上，並以圍繞自轉馬達13的周圍之方式配置。套筒殼22係以埋入自轉基座15與套筒21之間的間隙之方式配置。

圖5所示的套筒21係使用PVC(Polyvinyl chloride；聚氯乙烯)等樹脂材料所形成，並一體性地具備有：下段部23，係具有作為外周面之第一圓筒面23A；中段部24，係具有作為外周面之朝上突出的圓錐狀的錐(taper)面24A；以及上段部25，係具有作為外周面之第二圓筒面25A。

如圖1所示，含硫酸液供給單元4係包含有：含硫酸液噴嘴27，係朝基板W的表面噴出SPM；第一噴嘴臂28，係於前端部安裝有含硫酸液噴嘴27；第一臂支撐軸29，係在自轉夾盤3的側方朝鉛直方向延伸，並可搖動地支撐第一噴嘴臂28；以及第一臂搖動單元30，係使第一臂支撐軸29旋轉而使第一噴嘴臂28移動，藉此使含硫酸液噴嘴27移動。含硫酸液噴嘴27係例如為以連續流動的狀態噴出SPM之直式噴嘴(straight nozzle)，並在其噴出口朝向例如下方的狀態下安裝至朝水平方向延伸的第一噴嘴臂28。第 一噴嘴臂28係朝水平方向延伸。

含硫酸液供給單元4係包含有：含硫酸液配管31，係將SPM導引至含硫酸液噴嘴27；以及含硫酸液閥32，係將含硫酸液配管31予以開閉。當含硫酸液閥32開啟時，來自SPM供給源的SPM係從含硫酸液配管31供給至含硫酸液噴嘴27。藉此，從含硫酸液噴嘴27噴出SPM。

第一臂搖動單元30係使第一噴嘴臂28繞著第一臂支撐軸29轉動，藉此使含硫酸液噴嘴27水平地移動。第一臂搖動單元30係使含硫酸液噴嘴27在從含硫酸液噴嘴27噴出的SPM會著液於基板W的上表面之處理位置以及平面觀視含硫酸液噴嘴27被設定在自轉夾盤3的周圍之起始位置(home position)之間水平地移動。再者，第一臂搖動單元30係使含硫酸液噴嘴27在從含硫酸液噴嘴27噴出的SPM會著液於基板W的上表面中央部之中央位置以及從含硫酸液噴嘴27噴出的SPM會著液於基板W的上表面周緣部之周緣位置之間水平地移動。中央位置及周緣位置皆為處理位置。此外，含硫酸液噴嘴27亦可為噴出口朝基板W的上表面的預定位置(例如中央部)固定性地配置之固定噴嘴。

有機溶劑供給單元5係包含有：有機溶劑噴嘴33，係朝基板W的表面噴出IPA；第二噴嘴臂34，係於前端部安裝有有機溶劑噴嘴33；第二臂支撐軸35，係在自轉夾盤3的側方朝鉛直方向延伸，並可搖動地支撐第二噴嘴臂34；以及第二臂搖動單元36，係使第二臂支撐軸35旋轉而使 第二噴嘴臂34移動，藉此使有機溶劑噴嘴33移動。有機溶劑噴嘴33係例如為以連續流動的狀態噴出IPA之直式噴嘴，並在其噴出口朝向例如下方的狀態下安裝至朝水平方向延伸的第二噴嘴臂34。第二噴嘴臂34係朝水平方向延伸。

有機溶劑供給單元5係包含有：有機溶劑配管37，係將IPA導引至有機溶劑噴嘴33；以及有機溶劑閥38，係將有機溶劑配管37予以開閉。當有機溶劑閥38開啟時，來自IPA供給源的IPA係從有機溶劑配管37供給至有機溶劑噴嘴33。藉此，從有機溶劑噴嘴33噴出IPA。

第二臂搖動單元36係使第二噴嘴臂34繞著第二臂支撐軸35轉動，藉此使有機溶劑噴嘴33水平地移動。第二臂搖動單元36係使有機溶劑噴嘴33在從有機溶劑噴嘴33噴出的IPA會著液於基板W的上表面之處理位置以及平面觀視有機溶劑噴嘴33被設定在自轉夾盤3的周圍之起始位置之間水平地移動。再者，第二臂搖動單元36係使有機溶劑噴嘴33在從有機溶劑噴嘴33噴出的IPA會著液於基板W的上表面中央部之中央位置以及從有機溶劑噴嘴33噴出的IPA會著液於基板W的上表面周緣部之周緣位置之間水平地移動。中央位置及周緣位置皆為處理位置。此外，有機溶劑噴嘴33亦可為噴出口朝基板W的上表面的預定位置(例如中央部)固定性地配置之固定噴嘴。

清洗液供給單元6係包含有：清洗液噴嘴39，係朝被自轉夾盤3保持的基板W噴出清洗液；清洗液配管40，係 將清洗液供給至清洗液噴嘴39；以及清洗液閥41，係切換從清洗液配管40朝清洗液噴嘴39之清洗液的供給及停止供給。清洗液噴嘴39係在清洗液噴嘴39的噴出口靜止的狀態下噴出清洗液之固定噴嘴。清洗液供給單元6亦可具備有：清洗液噴嘴移動裝置，係使清洗液噴嘴39移動，藉此使清洗液相對於基板W的上表面之著液位置移動。

當清洗液閥41開啟時，從清洗液配管40供給至清洗液噴嘴39的清洗液係從清洗液噴嘴39朝基板W的上表面中央部噴出。清洗液係例如為純水(去離子水)。清洗液並未限定於純水，亦可為碳酸水、電解離子水、氫水、臭氧水以及濃度稀釋(例如10ppm至100ppm左右)的鹽酸水中的任一者。

處理罩7係包含有：圓筒構件50，係圍繞自轉夾盤3；複數個罩42、43(以下亦稱為第一罩42及第二罩43)，係固定性地配置於自轉夾盤3與圓筒構件50之間；複數個防護罩44至47(以下亦稱為第一防護罩44至第四防護罩47)，係用以接住飛散至基板W的周圍的處理液(藥液及清洗液)；以及防護罩升降單元48，係獨立地使各個防護罩44至47升降。藉由防護罩升降單元48的驅動，各個防護罩44至47係獨立地升降。此外，防護罩升降單元48係例如為包含有滾珠螺桿(ball screw)的機構之構成。

圓筒構件50係圍繞自轉夾盤3的周圍。圓筒構件50係構成為內部能儲留處理液。儲留於圓筒構件50的處理液係被導引至排液單元(未圖示)。此外，於圓筒構件50的下 端部中的圓周方向的預定部位連接有罩內排氣導管49的上游端。罩內排氣導管49的下游端係連接至機台外的排氣單元(未圖示)。圓筒構件50內的氛圍係通過罩內排氣導管49並被排氣單元(未圖示)予以排氣。於圓筒構件50的內周以圍繞第一防護罩44至第四防護罩47的周圍之方式配置有第三罩74。第三罩74係作成剖面U狀，並區劃成用以將基板W的處理所使用的處理液予以收集並排液之排液槽75。於排液槽75所收集的處理液係被導引至排液單元(未圖示)。

處理罩7係可折疊，防護罩升降單元48係使四個防護罩44至47中的至少一者升降，藉此進行處理罩7的展開及折疊。

第一罩42係作成圓環狀，並在自轉夾盤3與圓筒構件50之間圍繞自轉夾盤3的周圍。第一罩42係具有相對於基板W的旋轉軸線A1大致旋轉對稱的形狀。第一罩42係一體性地具備有：平面觀視為圓環狀的底部51(參照圖2及圖3)；圓筒狀的內壁部52(參照圖2等)，係從該底部51的內周緣部朝上方立起；以及圓筒狀的外壁部53(參照圖2等)，係從底部51的外周緣部朝上方立起。並且，底部51、內壁部52及外壁部53係作成剖面U狀，且這些底部51、內壁部52及外壁部53係區劃用以將基板W的處理所使用的處理液予以回收或排液之第一排液回收槽54(參照圖2等)。於第一排液回收槽54的底部的最低部位開口有第一排液回收口92(參照圖4)，於第一排液回收口92連接有第 一共用配管93。於第一共用配管93分別分歧連接有第一回收配管95及第一排液配管96。於第一回收配管95夾設有第一回收閥95A，於第一排液配管96夾設有第一排液閥96A。將第一排液閥96A關閉並將第一回收閥95A開啟，藉此通過第一共用配管93之液體係被導引至第一回收配管95(回收埠(參照圖7A等))。此外，將第一回收閥95A關閉並將第一排液閥96A開啟，藉此通過第一共用配管93之液體係被導引至第一排液配管96(排液埠(參照圖7A等))。亦即，第一回收閥95A及第一排液閥96A係作為用以在第一回收配管95與第一排液配管96之間切換流通第一共用配管93的液體的流通目的地之切換閥而發揮作用。

第一回收配管95的前端係朝回收處理單元(未圖示)延伸，且第一排液配管96的前端係朝排液單元(未圖示)延伸。藉由切換閥(第一回收閥95A、第一排液閥96A)所為之流通目的地的切換，流通第一共用配管93的液體係選擇性地被導引至第一回收配管95與第一排液配管96。藉此，從基板W排出的處理液係被回收或排液。

第二罩43係作成圓環狀，且在第一罩42與圓筒構件50之間圍繞自轉夾盤3的周圍。第二罩43係具有相對於基板W的旋轉軸線A1大致旋轉對稱的形狀。第二罩43係作成剖面U狀，且區劃用以將基板W的處理所使用的處理液予以收集並回收之第二排液回收槽55(參照圖2等)。於第二排液回收槽55的底部的最低部位開口有第二排液回收口97，於第二排液回收口97連接有第二共用配管98。 於第二共用配管98分別分歧連接有第二回收配管100及第二排液配管101。於第二回收配管100夾設有第二回收閥100A，於第二排液配管101夾設有第二排液閥101A。將第二排液閥101A關閉並將第二回收閥100A開啟，藉此通過第二共用配管98之液體係被導引至第二回收配管100。此外，將第二回收閥100A關閉並將第二排液閥101A開啟，藉此通過第二共用配管98之液體係被導引至第二排液配管101。亦即，第二回收閥100A及第二排液閥101A係作為用以在第二回收配管100與第二排液配管101之間切換流通第二共用配管98的液體的流通目的地之切換閥而發揮作用。第二回收配管100的前端係朝回收處理單元(未圖示)延伸，且第二排液配管101的前端係朝排液單元(未圖示)延伸。藉由切換閥(第二回收閥100A、第二排液閥101A)所為之流通目的地的切換，流通第二共用配管98的液體係選擇性地被導引至第二回收配管100與第二排液配管101。

於第三排液回收槽66的底部的最低部位開口有第三排液回收口102，於第三排液回收口102連接有第三共用配管103。於第三共用配管103分別分歧連接有第三回收配管105及第三排液配管106。於第三回收配管105夾設有第三回收閥105A，於第三排液配管106夾設有第三排液閥106A。將第三排液閥106A關閉並將第三回收閥105A開啟，藉此通過第三共用配管103之液體係被導引至第三回收配管105。此外，將第三回收閥105A關閉並將第三排液閥106A開啟，藉此通過第三共用配管103之液體係被導引 至第三排液配管106。亦即，第三回收閥105A及第三排液閥106A係作為用以在第三回收配管105與第三排液配管106之間切換流通第三共用配管103的液體的流通目的地之切換閥而發揮作用。第三回收配管105的前端係朝回收處理單元(未圖示)延伸，且第三排液配管106的前端係朝排液單元(未圖示)延伸。藉由切換閥(第三回收閥105A、第三排液閥106A)所為之流通目的地的切換，流通第三共用配管103的液體係選擇性地被導引至第三回收配管105與第三排液配管106。

最內側的第一防護罩44係圍繞自轉夾盤3的周圍，並具有相對於自轉夾盤3所為之基板W的旋轉軸線A1大致旋轉對稱的形狀。第一防護罩44係一體性地具備有：圓筒狀的導引部56，係圍繞自轉夾盤3的周圍；以及圓筒狀的處理液分離壁57，係連結至導引部56。導引部56係具有：圓筒狀的下端部58(參照圖2等)，係圍繞自轉夾盤3的周圍；筒狀的厚壁部59(參照圖2等)，係從下端部58的上端朝外側(遠離基板W的旋轉軸線A1的方向)延伸；圓筒狀的中段部60(參照圖2等)，係從厚壁部59的上表面外周部朝鉛直上方延伸；以及圓環狀的上端部61(參照圖2等)，係從中段部60的上端朝內側(接近基板W的旋轉軸線A1的方向)斜上方地延伸。

處理液分離壁57係從厚壁部59的外周部朝鉛直下方微量延伸，並位於第二排液回收槽55(參照圖2等)上。此外，導引部56的下端部58係位於第一排液回收槽54(參照 圖2等)上，並在第一防護罩44與第一罩42最接近的狀態下收容於第一排液回收槽54的內部。上端部61的內周端係作成平面觀視比被自轉夾盤3保持的基板W的直徑還大的圓形。此外，如圖1等所示，上端部61的剖面形狀亦可為直線狀，或亦可例如以平滑圓弧之方式延伸。

從內側算起第二位置的第二防護罩45係具有在第一防護罩44的外側中相對於基板W的旋轉軸線A1大致旋轉對稱的形狀。第二防護罩45係一體性地具備有導引部62以及設置於導引部62的外側的罩部63。

導引部62係具有：圓筒部64(參照圖2等)，係於第一防護罩44的中段部60的外側中作成與中段部60同軸圓筒狀；以及上端部65(參照圖2等)，係從圓筒部64的上端朝中心側(接近基板W的旋轉軸線A1的方向)斜上方地延伸。圓筒部64係位於第二排液回收槽55上，並在第二防護罩45與第二罩43最接近的狀態下收容於第二排液回收槽55的內部。上端部65的內周端係作成平面觀視比被自轉夾盤3保持的基板W的直徑還大的圓形。此外，如圖1等所示，上端部65的剖面形狀亦可為直線狀，或亦可例如以平滑圓弧之方式延伸。

罩部63係連結至導引部62的上端部65的外周部。平面觀視，罩部63係配置於第二罩43與圓筒構件50之間。罩部63係具有相對於基板W的旋轉軸線A1大致旋轉對稱的形狀。罩部63係呈剖面U狀，並區劃用以收集並回收基板W的處理所使用的處理液之第三排液回收槽66(參照 圖2等)。第三排液回收槽66所收集的處理液係被輸送至回收處理單元(未圖示)或排液單元(未圖示)。

從內側算起第三位置的第三防護罩46係形成為相對於自轉夾盤3所為之基板W的旋轉軸線A1大致旋轉對稱的形狀。第三防護罩46係圍繞自轉夾盤3的周圍。第三防護罩46係一體性地具備有：圓筒狀的下端部68(參照圖2等)，係圍繞第二防護罩45的周圍；圓環狀的上端部69(參照圖2等)，係從下端部68的上端朝內側斜上方地延伸；垂下部70(參照圖2等)，係從上端部69中靠近外周的位置朝鉛直下方延伸；以及伸出部71(參照圖2等)，係從垂下部70的中途部朝外側伸出，並從該外周端朝鉛直下方延伸。下端部68係位於第三排液回收槽66上，並在第二防護罩45與第三防護罩46最接近的狀態下收容於第三排液回收槽66。伸出部71係位於排液槽75上，並在第三防護罩46位於下位置的狀態下收容於排液槽75。平面觀視，上端部69的內周端係作成比被自轉夾盤3保持的基板W的直徑還大的圓形。此外，如圖1等所示，上端部69的剖面形狀亦可為直線狀，或亦可例如以平滑圓弧之方式延伸。

最外側的第四防護罩47係具有在第三防護罩46的外側中圍繞自轉夾盤3的周圍且相對於自轉夾盤3所為之基板W的旋轉軸線A1大致旋轉對稱的形狀。第四防護罩47係具有：圓筒部72，係與第三防護罩46同軸；以及上端部73，係從圓筒部72的上端朝中心側(接近基板W的旋轉軸線A1的方向)斜上方地延伸。圓筒部72係位於第三防護 罩46的伸出部71上。平面觀視，上端部73的內周端係作成比被自轉夾盤3保持的基板W的直徑還大的圓形。此外，如圖1等所示，上端部73的剖面形狀亦可為直線狀，或亦可例如以平滑圓弧之方式延伸。

如圖1所示，防護罩升降單元48係使各防護罩44至47在防護罩的上端部位於比基板W還上方之上位置以及防護罩的上端部位於比基板W還下方之下位置之間升降。防護罩升降單元48係可在上位置與下位置間的任意位置保持各防護罩44至47。朝基板W供給處理液或基板W的乾燥係在防護罩44至47的任一者與基板W的周端面相對向之狀態下進行。

在使最內側的第一防護罩44與基板W的周端面相對向之情形中，如圖2所示，第一防護罩44至第四防護罩47皆配置於上位置。在此狀態下，第一防護罩44的下端部58的下端係以一致之方式配置於第一排液回收槽54的上端，亦即，僅第一防護罩44的下端部58的前端部進入至第一排液回收槽54內。

使從內側算起位於第二位置的第二防護罩45與基板W的周端面相對向之情形中，第二防護罩45至第四防護罩47係配置於上位置(圖2所示的位置)，且第一防護罩44係配置於下位置(圖3所示的位置)。

使從內側算起位於第三位置的第三防護罩46與基板W的周端面相對向之情形中，第三防護罩46及第四防護罩47係配置於上位置(圖2所示的位置)，且第一防護罩44及 第二防護罩45係配置於下位置(圖3所示的位置)。

使最外側的第四防護罩47與基板W的周端面相對向之情形中，如圖3所示，第四防護罩47係配置於上位置，且第一防護罩44至第三防護罩46係配置於下位置。

基板處理裝置1係進一步包含有：第一洗淨液噴嘴76，係用以將洗淨液噴出至自轉基座15的外周部15A的周端面及底面(基座壁面)；第一洗淨液供給單元77，係用以將洗淨液供給至第一洗淨液噴嘴76；第二洗淨液噴嘴78，係用以將洗淨液供給至第一罩42的內壁(罩內壁)；以及第二洗淨液供給單元79，係用以將洗淨液供給至第二洗淨液噴嘴78。第一洗淨液噴嘴76及第二洗淨液噴嘴78分別設置複數個(第一洗淨液噴嘴76例如為2個，第二洗淨液噴嘴78例如為4個)。

洗淨液係例如為純水(去離子水)。洗淨液並未限定於純水，亦可使用洗淨用藥液(例如SC1(含有NH₄OH與H₂O₂的混合液))。

各第一洗淨液噴嘴76係具有與外周部15A的周端面及底面相對向配置的一個第一洗淨液噴出口80(參照圖5)。如圖5所示，各第一洗淨液噴出口80係朝向自轉基座15的徑方向內側且斜上方。兩個第一洗淨液噴出口80係配置於套筒21的錐面24A的上部，亦即配置於自轉基座15的外周部15A的斜下方。此外，兩個第一洗淨液噴出口80係配置於彼此相同高度的位置，更具體而言，如圖4所示，係以夾著自轉基座15的中心(旋轉軸線A1)之方式配 置。

各第二洗淨液噴嘴78係具有一個第二洗淨液噴出口81(參照圖5)。如圖5所示，四個第二洗淨液噴出口81係配置於套筒21的錐面24A的上部中彼此相同高度的位置。各第二洗淨液噴出口81係朝向自轉基座15的徑方向外側且斜下方。如圖4所示，第二洗淨液噴出口81係於自轉基座15的圓周方向隔著預定間隔設置四個，且在平面觀視將第一排液回收口92與自轉基座15的中心(旋轉軸線A1)連結之虛擬直線(未圖示)中線對稱之方式配置。此外，第二洗淨液噴嘴78係未配置於在套筒21的圓周方向接近第一排液回收口92的區域。

如圖5所示，第一洗淨液供給單元77係包含有：第一洗淨液流通路徑82，係形成於套筒21的內部；第一洗淨液供給配管83，係用以將洗淨液供給至第一洗淨液流通路徑82；以及第一洗淨液閥84，係用以將第一洗淨液供給配管83予以開閉。第一洗淨液流通路徑82係包含有：剖面矩形狀的第一共通流通路徑85(請一起參照圖4)，係於半圓周延伸；以及複數個第一分歧流通路徑86，係將第一共通流通路徑85與各個第一洗淨液噴出口80予以連接。各第一分歧流通路徑86係從第一共通流通路徑85朝鉛直上方延伸後，朝斜上方彎曲並於套筒21的錐面24A開口，從而形成第一洗淨液噴出口80。

如圖5所示，第二洗淨液供給單元79係包含有：第二洗淨液流通路徑87，係形成於套筒21的內部；第二洗淨 液供給配管88，係用以將洗淨液供給至第二洗淨液流通路徑87；以及第二洗淨液閥89，係用以將第二洗淨液供給配管88予以開閉。第二洗淨液流通路徑87係包含有：剖面矩形狀的第二共通流通路徑90(請一起參照圖4)，係延伸呈具有與第一共通流通路徑85同心且同徑的圓弧狀；以及複數個第二分歧流通路徑91，係將第二共通流通路徑90與各個第二洗淨液噴出口81予以連接。第二共通流通路徑90係設置於與第一共通流通路徑85相同的高度，且未於自轉基座15的圓周方向與第一共通流通路徑85重複。各第二分歧流通路徑91係朝鉛直上方延伸後，朝斜下方彎曲並於套筒21的錐面24A開口，從而形成第二洗淨液噴出口81。

圖6係用以說明藉由基板處理裝置1所進行的基板W的阻劑(resist)去除處理的一例之步驟圖。圖7A至圖7D係用以顯示前述阻劑去除處理的一例之示意圖。

以下參照圖1及圖6說明阻劑去除處理的一例。適當地參照圖2至圖5及圖7A至圖7D。

藉由基板處理裝置1對基板W施予阻劑去除處理時，高劑量(dose)的離子植入後的基板W係被搬入至處理腔室2的內部(步驟S1)。被搬入的基板W係設定成未接受用以將阻劑予以灰化(ashing)之處理的基板。此外，於基板W的表面係形成有細微且高縱橫比(aspect ratio)的細微圖案。具體而言，控制裝置8係在噴嘴等全部從自轉夾盤3的上方退避且第一防護罩44至第四防護罩47下降至下位置(最下 方位置)並且第一防護罩44至第四防護罩47的上端皆配置於比自轉夾盤3所為之基板W的保持位置還下方的狀態下，使保持著基板W的基板搬運機器人(未圖示)的手(未圖示)進入至處理腔室2的內部，藉此在基板W的表面朝向上方的狀態下授受至自轉夾盤3。

之後，控制裝置8係控制防護罩升降單元48，並使第一防護罩44至第四防護罩47全部皆上升至上位置(最上方的位置)，並使第一防護罩44與基板W的周端面相對向。

接著，控制裝置8係藉由自轉馬達13使基板W開始旋轉(步驟S2)。基板W係上升達至預先設定的含硫酸液處理速度(在100rpm至500rpm的範圍內，例如約300rpm)，並維持在該含硫酸液處理速度。此外，控制裝置8係控制第一回收閥95A及第一排液閥96A，將通過第一共用配管93的液體的流通目的地設定成第一回收配管95。

當基板W的旋轉速度到達含硫酸液處理速度時，接著，控制裝置8係進行用以將SPM供給至基板W之含硫酸液供給步驟(第一藥液供給步驟；步驟S3)。具體而言，控制裝置8係控制第一臂搖動單元30，藉此使含硫酸液噴嘴27從起始位置移動至處理位置。藉此，含硫酸液噴嘴27係配置於基板W的上方。

在含硫酸液噴嘴27配置於基板W的上方後，控制裝置8係開啟含硫酸液閥32，藉此如圖7A所示，從含硫酸液噴嘴27的噴出口噴出SPM，並著液至基板W的上表面。控制裝置8係控制第一臂搖動單元30，藉此在該狀態下使 SPM相對於基板W的上表面的著液位置於中央部與周緣部之間移動。

從含硫酸液噴嘴27噴出的SPM係在著液至以含硫酸液處理速度(例如300rpm)旋轉的基板W的上表面後，接受離心力而沿著基板W的上表面流動至外側。因此，SPM被供給至基板W的上表面整體，並於基板W上形成覆蓋基板W的上表面整體之SPM的液膜。藉由阻劑與SPM的化學反應，基板W上的阻劑係藉由SPM而從基板W去除。再者，由於控制裝置8係在基板W正在旋轉的狀態下使SPM相對於基板W的上表面的著液位置於中央部與周緣部之間移動，因此SPM的著液位置係通過基板W的上表面整體而掃描基板W的上表面整體。因此，從含硫酸液噴嘴27噴出的SPM係被供給至基板W的上表面整體，而均勻地處理基板W的上表面整體。供給至基板W的上表面的SPM係從基板W的周緣部朝基板W的側方飛散。

從基板W的周緣部飛散的SPM係被第一防護罩44的內壁接住。接著，在第一防護罩44的內壁流動並流下的藥液係被第一罩42接住，並被收集至第一罩42的底部，且被導入至第一共用配管93。此時，藉由第一回收閥95A及第一排液閥96A將通過第一共用配管93的液體的流通目的地設定成第一回收配管95，因此被導入至第一共用配管93的SPM係通過第一回收配管95而被導入至回收處理單元(未圖示)。在含硫酸液供給步驟(S3)後，於第一罩42的內壁、外周部15A的周端面與底面以及第一共用配管93 的管壁附著有SPM。

當從SPM開始噴出經過預先設定的期間時，控制裝置8係關閉含硫酸液閥32，從而停止噴出SPM。此外，控制第一臂搖動單元30，藉此使含硫酸液噴嘴27從處理位置移動至起始位置。

含硫酸液供給步驟(S3)結束後，在使第一防護罩44與基板W的周端面相對向的狀態下，直接進行用以將清洗液供給至基板W之清洗步驟(步驟S4)。具體而言，控制裝置8係控制第一回收閥95A及第一排液閥96A，並將通過第一共用配管93的液體的流通目的地切換至第一排液配管96。此外，控制裝置8係開啟清洗液閥41，並如圖7B所示，使清洗液從清洗液噴嘴39朝基板W的上表面中央部噴出。

從清洗液噴嘴39噴出的清洗液係著液至被SPM的液膜覆蓋的基板W的上表面中央部，並接受基板W的旋轉所為之離心力而在基板W的上表面上朝基板W的周緣部流動。藉此，基板W上的SPM係被清洗液推流至外側，而排出至基板W的周圍。因此，基板W上的SPM的液膜係被置換成覆蓋基板W的上表面整體的清洗液的液膜。藉此，SPM係沖洗基板W的上表面整體。供給至基板W的上表面之清洗液係從基板W的周緣部朝基板W的側方飛散。

從基板W的周緣部飛散的清洗液係被第一防護罩44的內壁接住。接著，在第一防護罩44的內壁流動並流下的 清洗液係從下端部58的下端滴落並被第一罩42接住。供給至第一罩42的清洗液係在第一罩42內於第一罩42的圓周方向朝第一排液回收口92移動，並從第一排液回收口92導入至第一共用配管93。由於通過第一共用配管93的液體的流通目的地被設定成第一排液配管96，因此被導入至第一共用配管93的清洗液係通過第一排液配管96而被導入至排液單元(未圖示)。

此外，如圖2及圖7B所示，控制裝置8係與清洗步驟(S4)並行地開啟第一洗淨液閥84及第二洗淨液閥89，藉此分別從第一洗淨液噴嘴76的第一洗淨液噴出口80(參照圖5)以及第二洗淨液噴嘴78的第二洗淨液噴出口81(參照圖5)噴出洗淨液(第一洗淨液供給步驟)。

如圖2所示，從第一洗淨液噴嘴76噴出的洗淨液係被噴灑至外周部15A的周端面及底面。藉此，沖洗附著於外周部15A的周端面及底面的SPM。此外，從第一洗淨液噴嘴76噴出的洗淨液係在該外周部15A的壁面飛濺而著液至第一防護罩44的內壁的各部位(例如中段部60及厚壁部59的內壁)，並在第一防護罩44的下端部58的內壁流動而流動至下方，從下端部58的下端滴落並被第一罩42的第一排液回收槽54接住。此外，從第二洗淨液噴出口81噴出的洗淨液係被噴灑至第一防護罩44的下端部58的上下方向中央部的內壁，並在下端部58的內壁流動而流動至下方，從下端部58的下端滴落並被第一罩42的第一排液回收槽54接住。如圖4中的箭頭所示，供給至第一排液回收 槽54的洗淨液係在第一排液回收槽54內於第一罩42的圓周方向朝第一排液回收口92移動，並從第一排液回收口92導入至第一共用配管93。由於通過第一共用配管93的液體的流通目的地被設定成第一排液配管96，因此被導入至第一共用配管93的洗淨液係通過第一排液配管96導入至排液單元(未圖示)而被排液處理。洗淨液係在第一罩42內及第一共用配管93內流通，藉此洗淨第一罩42的內壁及第一共用配管93的管壁。

在清洗步驟(S4)中，清洗液係飛散至外周部15A的周端面及底面，此外，被第一防護罩44接住的清洗液係於第一罩42的內壁及第一共用配管93的管壁流動。藉此，可認為在含硫酸液供給步驟(S3)後，附著於第一罩42的內壁、外周部15A的周端面與底面以及第一共用配管93的管壁的SPM係被清洗液沖洗。然而，亦可認為僅在清洗步驟(S4)的清洗液所為之洗淨中，於第一罩42的內壁、外周部15A的周端面與底面以及第一共用配管93的管壁局部性地殘留有SPM。

在此處理例中，與清洗步驟(S4)並行地執行第一洗淨液供給步驟。藉此，附著於第一罩42的內壁以及外周部15A的周端面與底面的SPM以及附著於第一共用配管93的管壁的SPM係被從第一洗淨液噴嘴76及第二洗淨液噴嘴78噴出的洗淨液沖洗。

在此處理例中，當清洗步驟(S4)結束時，接著執行有機溶劑供給步驟(S5)。藉此，於下述的離心脫水步驟(S6) 前，以具有低表面張力的有機溶劑(IPA)置換進入至基板W的表面的細微圖案的清洗液。藉此，能在下述的離心脫水步驟(S6)中防止圖案崩壞。

當從清洗液開始噴出經過預先設定的期間時，控制裝置8係控制自轉馬達13，使以含硫酸液處理速度旋轉的基板W以覆漿速度(paddle speed)(例如約10rpm)階段性地減速。當基板W的旋轉速度降低達至該覆漿速度(例如約10rpm)時，控制裝置8係控制自轉馬達13，將基板W的旋轉速度維持在該覆漿速度。藉此，清洗液的液膜係於基板W的上表面整體保持成漿(paddle)狀。

當基板W的旋轉速度降低達至覆漿速度(例如約10rpm)後經過預先設定的期間時，控制裝置8係關閉清洗液閥41，從而停止從清洗液噴嘴39噴出清洗液。此外，控制裝置8係關閉第一洗淨液閥84及第二洗淨液閥89，從而停止從第一洗淨液噴嘴76及第二洗淨液噴嘴78噴出洗淨液。

接著，控制裝置8係開始有機溶劑供給步驟(第二藥液供給步驟；步驟S5)。具體而言，控制裝置8係控制第二臂搖動單元36，藉此使有機溶劑噴嘴33從起始位置移動至處理位置。藉此，有機溶劑噴嘴33被配置於基板W的中央部的上方。此外，控制裝置8係控制防護罩升降單元48，使第一防護罩44至第三防護罩46保持在下位置(最下方的位置)並使第四防護罩47上升達至上位置(最上方的位置)，並使第四防護罩47與基板W的周端面相對向。此外，控制裝置8係控制第一回收閥95A及第一排液閥96A，並 將通過第一共用配管93的液體的流通目的地設定成第一排液配管96。

有機溶劑噴嘴33配置於基板W的上表面中央部上後，控制裝置8係一邊將基板W的旋轉速度維持在覆漿速度，一邊將有機溶劑閥38開啟。藉此，如圖7C所示，從有機溶劑噴嘴33的噴出口噴出IPA，並著液至基板W的上表面中央部。

控制裝置8係一邊將基板W的旋轉速度維持在覆漿速度，一邊開啟有機溶劑閥38，並將液體的IPA從有機溶劑噴嘴33朝基板W的上表面中央部噴出。IPA被供給至基板W的上表面，藉此基板W的上表面的液膜所含有的清洗液係逐漸被置換成IPA。藉此，覆蓋基板W的上表面整體的IPA的液膜係在基板W的上表面保持成漿狀。即使在基板W的上表面整體的液膜大致被置換成IPA的液膜後，亦繼續將IPA供給至基板W的上表面。因此，從基板W的周緣部排出IPA。

從基板W的周緣部排出的IPA係被與基板W的周端面相對向的第四防護罩47的內壁接住。並且，在第四防護罩47的內壁流動而流下的IPA係一邊被導引至第三防護罩46的伸出部71，一邊被第三罩74的排液槽75接住，並從第三罩74的底部通過排液配管(未圖示)導入至排液單元(未圖示)。

然而，在以覆漿速度使基板W旋轉之有機溶劑供給步驟(S5)中，由於在基板W的周緣部中作用於基板W上的IPA 的離心力較小，因此IPA係從基板W的周緣部朝略下方滴落。因此，如圖7C的虛線所示，從基板W的側方排出的IPA中若干的IPA不進入至第四防護罩47而是進入至最內側的第一防護罩44的內部，而有附著至第一罩42的內壁及第一共用配管93的管壁之虞。假如在IPA附著(殘留)於第一罩42的內壁、自轉基座15的外周部15A及第一共用配管93的管壁的狀態下直接開始下一個基板處理(阻劑去除處理)的含硫酸液供給步驟(S3)時，會有在該含硫酸液供給步驟(S3)中SPM及IPA混合接觸之虞。

因此，如圖3及圖7C所示，控制裝置8係與有機溶劑供給步驟(S5)並行地將第一洗淨液閥84及第二洗淨液閥89開啟，藉此分別從第一洗淨液噴嘴76的第一洗淨液噴出口80以及第二洗淨液噴嘴78的第二洗淨液噴出口81噴出洗淨液(第二洗淨液供給步驟)。亦即，與有機溶劑供給步驟(S5)並行地執行第二洗淨液供給步驟。

在第二洗淨液供給步驟中，從第一洗淨液噴嘴76噴出的洗淨液係被噴灑至外周部15A的周端面及底面。此外，從第二洗淨液噴出口81噴出的洗淨液係被噴灑至第一防護罩44的下端部58的上部的內壁。在第二洗淨液供給步驟中，洗淨液係與第一洗淨液供給步驟的情形一樣地流動。藉此，附著於第一罩42的內壁及外周部15A的周端面與底面的IPA以及附著於第一共用配管93的管壁的IPA係被洗淨液沖洗。

當從IPA開始噴出經過預先設定的覆漿時間(例如約 10秒)時，控制裝置8係一邊繼續噴出IPA，一邊控制自轉馬達13使基板W從覆漿速度加速達至高旋轉速度(例如約1000rpm)。於基板W到達高旋轉速度後，控制裝置8係關閉有機溶劑閥38從而停止從有機溶劑噴嘴33噴出IPA，且關閉第一洗淨液閥84及第二洗淨液閥89從而停止從第一洗淨液噴嘴76及第二洗淨液噴嘴78噴出洗淨液。

當停止噴出IPA時，如圖7D所示，接著，控制裝置8係在使第四保護罩47與基板W的周端面相對向的狀態下直接執行離心脫水步驟(步驟S6)。亦即，控制裝置8係將基板W的旋轉速度維持在高旋轉速度(例如約1000rpm)。藉此，附著於基板W的IPA係被甩掉從而使基板W乾燥。

此外，控制裝置8係與離心脫水步驟(S6)並行地將第一洗淨液閥84及第二洗淨液閥89開啟，藉此分別從第一洗淨液噴嘴76的第一洗淨液噴出口80以及第二洗淨液噴嘴78的第二洗淨液噴出口81噴出洗淨液(第三洗淨液供給步驟)。亦即，與離心脫水步驟(S6)並行地執行第三洗淨液供給步驟。

在第三洗淨液供給步驟中，從第一洗淨液噴嘴76噴出的洗淨液係被噴灑至外周部15A的周端面及底面。此外，從第二洗淨液噴出口81噴出的洗淨液係被噴灑至第一防護罩44的下端部58的上部的內壁。在第三洗淨液供給步驟中，洗淨液係與第一洗淨液供給步驟的情形同樣地流動。藉此，附著於第一罩42的內壁以及外周部15A的周端面與底面的IPA以及附著於第一共用配管93的管壁的 IPA係被洗淨液沖洗。

當離心脫水步驟(S6)進行達至預先設定的期間時，控制裝置8係控制自轉馬達13，停止自轉夾盤3的旋轉(基板W的旋轉)(步驟S7)。

藉此，結束對於一片基板W的阻劑處理，藉由搬運機器人將處理完畢的基板W從處理腔室2搬出(步驟S8)。

接著，成為下一個處理對象的基板W係被搬入至處理腔室2，再次執行圖6所示的基板處理(阻劑去除處理)。此種基板處理係重複執行直至例如一批量(lot)(例如25片)的基板W的處理結束為止。

在第一實施形態中，在一個處理腔室執行含硫酸液供給步驟(S3)與有機溶劑供給步驟(S5)。SPM及IPA係於混合接觸時伴隨著危險之藥液的組合。具體而言，當SPM及IPA混合接觸時，會有因為SPM所含有的硫酸的脫水作用而產生爆炸之虞。

如上所述，依據第一實施形態，在共通的處理腔室內依序執行含硫酸液供給步驟(S3)、清洗步驟(S4)、有機溶劑供給步驟(S5)以及離心脫水步驟(S6)。此外，在清洗步驟(S4)、有機溶劑供給步驟(S5)以及離心脫水步驟(S6)的執行中，將洗淨液供給至第一罩42的內壁以及外周部15A的周端面與底面。

假如在SPM附著(殘留)於第一罩42的內壁、自轉基座15的外周部15A以及第一共用配管93的管壁的狀態下直接開始有機溶劑供給步驟(S5)時，會有在有機溶劑供給步 驟(S5)中SPM及IPA混合接觸之虞。

在第一實施形態中，與在含硫酸液供給步驟(S3)後所執行的清洗步驟(S4)並行，將洗淨液供給至第一罩42的內壁以及外周部15A的周端面與底面(基座壁面)，藉此在有機溶劑供給步驟(S5)的開始前從第一罩42的內壁以及外周部15A的周端面與底面去除SPM。因此，於有機溶劑供給步驟(S5)的開始時不會於第一罩42的內壁以及外周部15A的周端面與底面殘留SPM，因此能確實地防止在有機溶劑供給步驟(S5)中發生SPM與IPA的混合接觸。

此外，假如在IPA附著(殘留)於第一罩42的內壁、自轉基座15的外周部15A以及第一共用配管93的管壁的狀態下直接開始下一個基板處理(阻劑去除處理)的含硫酸液供給步驟(S3)時，會有在該含硫酸液供給步驟(S3)中SPM及IPA混合接觸之虞。

在第一實施形態中，與有機溶劑供給步驟(S5)並行，將洗淨液供給至第一罩42的內壁以及外周部15A的周端面與底面，藉此在有機溶劑供給步驟(S5)中從第一罩42的內壁以及外周部15A的周端面與底面去除IPA。因此，於有機溶劑供給步驟(S5)的結束後不會於第一罩42的內壁以及外周部15A的周端面與底面殘留IPA，因此能確實地防止在下一個基板處理的含硫酸液供給步驟(S3)中發生SPM與IPA的混合接觸。此外，與離心脫水驟(S6)並行，將洗淨液供給至第一罩42的內壁以及外周部15A的周端面與底面，藉此在離心脫水步驟(S6)中從第一罩42的內壁以及 外周部15A的周端面與底面去除IPA。因此，於離心脫水步驟(S6)的結束後不會於第一罩42的內壁以及外周部15A的周端面與底面殘留IPA，因此能確實地防止在下一個基板處理的含硫酸液供給步驟(S3)中發生SPM與IPA的混合接觸。

如上所述，能提供一種基板處理裝置1，即使使用於基板處理之複數種藥液的組合為SPM及IPA般於混合接觸時伴隨著危險的組合，亦能確實地防止這些藥液的混合接觸(SPM及IPA的混合接觸)，而能在一個處理腔室2中完成該基板處理。

此外，與對第一罩42的內壁以及外周部15A的周端面與底面供給洗淨液並行，將通過第一共用配管93的液體的流通目的地設定成第一排液配管96。因此，供給至第一罩42的內壁以及外周部15A的周端面與底面的洗淨液係通過第一罩42的底部的第一排液回收口92並被導入至第一共用配管93後，被導入至第一排液配管96。因此，即使在因為含硫酸液供給步驟(S3)或有機溶劑供給步驟(S5)而使SPM或IPA附著至第一共用配管93的管壁之情形中，亦能藉由流通第一共用配管93的洗淨液沖洗這些附著的SPM或IPA。藉此，能確實地防止在第一共用配管93的管壁中SPM及IPA的混合接觸。

此外，第一洗淨液噴嘴76係配置於外周部15A的斜下方。假如將第一洗淨液噴嘴76配置於自轉基座15的外周部15A的側方時，平面觀視第一洗淨液噴嘴係夾設在自 轉基座與罩之間，如此雖然會導致基板處理裝置1的大型化，然而由於未將第一洗淨液噴嘴76配置於自轉基座15的外周部15A的側方，因此基板處理裝置1不會大型化。因此，不會使基板處理裝置1大型化，而能將洗淨液供給至自轉基座15的外周部15A的周端面及外周面。再者，由於洗淨液從斜下方供給至外周部15A，因此能良好地去除附著於自轉基座15的外周部15A的底面的SPM或IPA。

此外，由於第二洗淨液噴嘴78配置於未接近第一排液回收口92的區域，因此從各第二洗淨液噴嘴78噴出且供給至第一罩42的洗淨液係於第一罩42內於第一罩42的圓周方向朝第一排液回收口92移動，並從第一排液回收口92導入至第一共用配管93。亦即，能增長洗淨液在第一罩42內移動的距離。藉此，能效率佳地去除附著於第一罩42內的SPM或IPA。

圖8係於水平方向觀看本發明第二實施形態的基板處理裝置201之圖。圖9係沿著圖8的剖線IX-IX將處理腔室202的內部剖開之圖。圖10係沿著圖8的剖線X-X將處理腔室202的內部剖開之圖。

基板處理裝置201係用以對圓形的半導體晶圓等基板W的器件形成區域側的表面施予洗淨處理或蝕刻處理等液體處理之葉片型的裝置。基板處理裝置201係包含有：箱形的處理腔室202，係具有內部空間；自轉夾盤(基板保持機構)203，係在處理腔室202內以水平的姿勢保持一片基板W，並使基板W繞著通過基板W的中心之鉛直的旋轉 軸線A1旋轉；含硫酸液供給單元204，係用以將作為第一藥液之含硫酸液的一例的SPM供給至被自轉夾盤203保持的基板W；有機溶劑供給單元205，係用以將作為第二藥液之有機溶劑(具有低表面張力的有機溶劑)的一例的液體的IPA供給至被自轉夾盤203保持的基板W的表面(上表面)；清洗液供給單元206，係用以將清洗液供給至被自轉夾盤203保持的基板W的表面(上表面)；筒狀的處理罩207，係圍繞自轉夾盤203；控制裝置208，係控制基板處理裝置201所具有的裝置的動作和閥的開閉；以及槽209，係配置於處理腔室202的底部。

處理腔室202係包含有：箱狀的隔壁210，係藉由擋門(shutter)211(參照圖9)而開閉；作為送風單元的FFU212，係將清淨空氣從隔壁210的上部輸送至隔壁210內(相當於處理腔室202內)；以及排氣裝置(未圖示)，係從隔壁210的下部將處理腔室202內的氣體予以排出。如圖9及圖10所示，處理腔室202係作成平面觀視略矩形(將矩形的一個角傾斜切掉的形狀)的箱狀。隔壁210係包含有分別沿著水平方向X延伸的頂壁213以及五個側壁215。擋門211係與形成於一個側壁215的開口(未圖示)關聯地設置。

FFU212係配置於頂壁213的上方，並安裝於頂壁213的頂部。FFU212係將清淨空氣從隔壁210的頂部輸送至處理腔室202內。排氣裝置係經由罩內排氣導管349連接至處理罩207的底部，並從處理罩207的底部吸引處理罩207的內部。藉由FFU212及排氣裝置於處理腔室202內形成降 流。

以自轉夾盤203而言，係採用用以於水平方向夾持基板W並將基板W水平地保持之夾持式的夾盤。具體而言，自轉夾盤203係包含有：自轉馬達216；自轉軸217，係與該自轉馬達216的驅動軸一體化；以及圓板狀的自轉基座218，係大致水平地安裝於自轉軸217的上端。

自轉軸217係鉛直配置的中空軸，且於其內部插通有下表面供給配管(未圖示)。於該下表面供給配管供給有處理液(例如藥液或純水(DIW))。此外，於下表面供給配管的上端部形成有下表面噴嘴219，用以噴出下表面供給配管所供給的處理液。下表面噴嘴219係大致鉛直地朝上噴出處理液，且從下表面噴嘴219噴出的處理液係大致垂直地射入至被自轉夾盤203保持的基板W的下表面中央。

於自轉基座218的上表面的周緣部配置有複數個(3個以上，例如6個)夾持構件220。複數個夾持構件220係在自轉基座218的上表面周緣部中，於與基板W的外周形狀對應的圓周上隔著適當的間隔配置。

如圖8所示，含硫酸液供給單元204係包含有：含硫酸液噴嘴(第一藥液噴嘴)221，係朝基板W的表面噴出SPM；第三噴嘴臂222，係於前端部安裝有含硫酸液噴嘴221；第三搖動軸223，係在自轉夾盤203的側方朝鉛直方向延伸，並可搖動地支撐第三噴嘴臂222；以及第三臂搖動單元(第一移動機構)224，係使第三搖動軸223旋轉而使第三噴嘴臂222移動，藉此使含硫酸液噴嘴221移動。含 硫酸液噴嘴221係例如為以連續流動的狀態噴出SPM之直式噴嘴，並在其噴出口朝向例如下方的狀態下安裝至朝水平方向延伸的第三噴嘴臂222。第三噴嘴臂222係朝水平方向延伸。

含硫酸液供給單元204係包含有：含硫酸液配管225，係將SPM導引至含硫酸液噴嘴221；以及含硫酸液閥226，係將含硫酸液配管225予以開閉。當含硫酸液閥226開啟時，來自SPM供給源的SPM係從含硫酸液配管225供給至含硫酸液噴嘴221。藉此，從含硫酸液噴嘴221噴出SPM。

於含硫酸液配管225中之含硫酸液噴嘴221與含硫酸液閥226之間的第一分歧位置225A係分歧連接有用以吸引含硫酸液配管225的內部的SPM之第一吸引配管227的一端。於第一吸引配管227係夾設有第一吸引閥228，且第一吸引配管227的另一端係連接至第一吸引裝置(未圖示)。例如第一吸引裝置係設為恆常作動狀態，當第一吸引閥228開啟時，比第一分歧位置225A還下游側的含硫酸液配管225的內部係被排氣，且該下游側部分的內部的SPM係被吸引。

第三臂搖動單元224係使第三噴嘴臂222繞著第三搖動軸223搖動，藉此使含硫酸液噴嘴221沿著水平方向一邊描繪圓弧狀一邊移動。第三臂搖動單元224係使含硫酸液噴嘴221在從含硫酸液噴嘴221噴出的SPM會著液於基板W的上表面之處理位置以及平面觀視含硫酸液噴嘴221被設定在自轉夾盤203的周圍之第一起始位置229之間水 平地移動。再者，第三臂搖動單元224係使含硫酸液噴嘴221在從含硫酸液噴嘴221噴出的SPM會著液於基板W的上表面中央部之中央位置以及從含硫酸液噴嘴221噴出的SPM會著液於基板W的上表面周緣部之周緣位置之間水平地移動。中央位置及周緣位置皆為處理位置。此外，含硫酸液噴嘴221亦可為噴出口朝基板W的上表面的預定位置(例如中央部)固定性地配置之固定噴嘴。

有機溶劑供給單元205係包含有：有機溶劑噴嘴(第二藥液噴嘴)233，係朝基板W的表面噴出IPA；第四噴嘴臂234，係於前端部安裝有有機溶劑噴嘴233；第四搖動軸235，係在自轉夾盤203的側方朝鉛直方向延伸，並可搖動地支撐第四噴嘴臂234；以及第四臂搖動單元(第二移動機構)236，係使第四搖動軸235旋轉而使第四噴嘴臂234移動，藉此使有機溶劑噴嘴233移動。有機溶劑噴嘴233係例如為以連續流動的狀態噴出IPA之直式噴嘴，並在其噴出口朝向例如下方的狀態下安裝至朝水平方向延伸的第四噴嘴臂234。第四噴嘴臂234係朝水平方向延伸。

有機溶劑供給單元205係包含有：有機溶劑配管237，係將IPA導引至有機溶劑噴嘴233；以及有機溶劑閥238，係將有機溶劑配管237予以開閉。當有機溶劑閥238開啟時，來自IPA供給源的IPA係從有機溶劑配管237供給至有機溶劑噴嘴233。藉此，從有機溶劑噴嘴233噴出IPA。

於有機溶劑配管237中之有機溶劑噴嘴233與有機溶劑閥238之間的第二分歧位置237A係分歧連接有用以吸引 有機溶劑配管237內及有機溶劑噴嘴233內的IPA之第二吸引配管(吸引機構)239的一端。於第二吸引配管239係夾設有第二吸引閥(吸引機構)240，且第二吸引配管239的另一端係連接至第二吸引裝置(未圖示)。例如第二吸引裝置係設為恆常作動狀態，當第二吸引閥240開啟時，比第二分歧位置237A還下游側的有機溶劑配管237的內部係被排氣，且該下游側部分的內部的IPA係被吸引。此外，第二吸引裝置係可為與第一吸引裝置獨立設置之裝置，亦可為與第一吸引裝置共通的裝置。

第四臂搖動單元236係使第四噴嘴臂234繞著第四搖動軸235搖動，藉此使有機溶劑噴嘴233沿著水平方向一邊描繪圓弧狀一邊移動。第四臂搖動單元236係使有機溶劑噴嘴233在從有機溶劑噴嘴233噴出的IPA會著液於基板W的上表面之處理位置以及平面觀視有機溶劑噴嘴233被設定在自轉夾盤203的周圍之第二起始位置241之間水平地移動。再者，第四臂搖動單元236係使有機溶劑噴嘴233在從有機溶劑噴嘴233噴出的IPA會著液於基板W的上表面中央部之中央位置以及從有機溶劑噴嘴233噴出的IPA會著液於基板W的上表面周緣部之周緣位置之間水平地移動。中央位置及周緣位置皆為處理位置。此外，有機溶劑噴嘴233亦可為噴出口朝基板W的上表面的預定位置(例如中央部)固定性地配置之固定噴嘴。

清洗液供給單元206係包含有：清洗液噴嘴230，係朝被自轉夾盤203保持的基板W噴出清洗液；清洗液配管 231，係將清洗液供給至清洗液噴嘴230；以及清洗液閥232，係切換從清洗液配管231朝清洗液噴嘴230之清洗液的供給及停止供給。清洗液噴嘴230係在清洗液噴嘴230的噴出口靜止的狀態下噴出清洗液之固定噴嘴。清洗液供給單元206亦可具備有：清洗液噴嘴移動裝置，係使清洗液噴嘴230移動，藉此使清洗液相對於基板W的上表面之著液位置移動。

當清洗液閥232開啟時，從清洗液配管231供給至清洗液噴嘴230的清洗液係從清洗液噴嘴230朝基板W的上表面中央部噴出。

處理罩207係包含有：筒狀壁250，係例如為圓筒狀，且圍繞自轉夾盤203；複數個罩242、243、244(以下亦稱為第四罩242、第五罩243以及第六罩244)，係配置於自轉夾盤203與筒狀壁250之間；複數個防護罩246至249(以下亦稱為第五防護罩246至第八防護罩249)，係用以接住飛散至基板W的周圍的處理液(藥液及清洗液)；以及防護罩升降機構(未圖示)，係包含有例如滾珠螺桿機構之構成，並獨立地使各個防護罩246至249升降。藉由防護罩升降機構的驅動，各個防護罩246至249係獨立地升降。

如圖8所示，各罩242至244為圓筒狀，並在自轉夾盤203與筒狀壁250之間圍繞自轉夾盤203。從內側算起第二位置的第五罩243係配置在比第四罩242還外側，從內側算起第三位置的第六罩244係配置在比第五罩243還外側。第六罩244係例如與第六防護罩247為一體，並與第 六防護罩247一起升降。各罩242至244係形成朝上開放的環狀的槽。導入至各罩242至244的處理液係通過該槽輸送至未圖示的回收單元或排液單元。藉此，基板W的處理所使用的處理液係被回收或排液。

如圖8所示，各防護罩246至249為圓環狀，並在自轉夾盤203與筒狀壁250之間圍繞自轉夾盤203。各防護罩246至249係包含有：圓筒狀的傾斜部251，係朝旋轉軸線A1於斜上方延伸；以及圓筒狀的導引部252，係從傾斜部251的下端朝下方延伸。各傾斜部251的上端部係構成防護罩246至249的內周部，並具有比基板W及自轉基座218還大的直徑。四個傾斜部251係上下地重疊，且四個導引部252係同軸性地設置。內側的三個防護罩246至248的各導引部252係可分別地進出於三個罩242至244內。亦即，處理罩207係可折疊，防護罩升降機構係使四個防護罩246至249的至少一者升降，藉此進行處理罩207的展開與折疊。

內側的三個防護罩246至248中的第三防護罩248係進一步包含有：垂下部248a，係從該防護罩248的傾斜部251的外周端朝鉛直下方延伸；以及伸出部248b，係從垂下部248a的下端朝徑方向外側伸出。於伸出部248b形成有朝上開放的環狀的排液槽245。排液槽245係位於第四防護罩249的導引部的下方。被排液槽245接住的液體係被導入至排液單元(未圖示)。

防護罩升降機構係使各防護罩246至249在防護罩的 上端位於比基板W還上方之上位置以及防護罩的上端位於比基板W還下方之下位置之間升降。防護罩升降機構係可在上位置至下位置間的任意位置保持各防護罩246至249。朝基板W供給處理液以及基板W的乾燥係在任一者的防護罩246至249與基板W的周端面相對向的狀態下進行。例如從內側使第六防護罩247與基板W的周端面相對向之情形中，第五防護罩246係配置於下位置，第六防護罩247、第七防護罩248以及第八防護罩249係配置於上位置。此外，使第七防護罩248與基板W的周端面相對向之情形中，第七防護罩248及第八防護罩249係配置於上位置，第五防護罩246以及第六防護罩247係配置於下位置。

筒狀壁250係作成圓筒狀(在圖9及圖10中，為了容易說明係描繪成橢圓形(在圖17及圖18中亦同樣))。如圖10所示，於筒狀壁250的下端部的圓周方向的兩部位分別形成有將筒狀壁250內外地貫通之第一連通孔253及第二連通孔254。第一連通孔253係分別連通後述的內側空間IS與第一外側空間OS1，第二連通孔254係連通內側空間IS與後述的第二外側空間OS2。於筒狀壁250的下端部中的圓周方向的預定部位係連接有罩內排氣導管349的上游端。罩內排氣導管349的下游端係連接至機台外的排氣裝置(未圖示)。筒狀壁250內的氣氛係通過罩內排氣導管349而被排氣裝置予以排氣。

筒狀壁250係將處理腔室202的內部的空間予以內外地分隔成平面觀視為筒狀壁250的內側的內側空間IS以及 平面觀視為筒狀壁250的外側的外側空間OS。換言之，處理腔室202的內部的空間係包含有內側空間IS與外側空間OS。

如圖8所示，以與筒狀壁250的上端部大略相同高度於筒狀壁250的周圍配置有蓋255。蓋255係將外側空間OS分隔成外側上空間OSU與外側下空間OSD。第三搖動軸223與第四搖動軸235以及第一起始位置229與第二起始位置241係收容配置於外側上空間OSU。蓋255係例如藉由複數個分割板256而設置。各分割板256係使用螺栓(未圖示)等固定至筒狀壁250與側壁215。複數個分割板256係隔著間隔配置於圓周方向。外側上空間OSU係經由於圓周方向鄰接的兩個分割板256之間的間隙、筒狀壁250與分割板256之間的間隙以及側壁215與分割板256之間的間隙連通至外側下空間OSD。此外，圖9中係省略蓋255及分割板256的描繪(在圖17中亦同樣)。

如圖9及圖10所示，於筒狀壁250與側壁215之間於至少底部中設置有從筒狀壁250呈放射狀延伸之兩片分隔壁257。各分隔壁257係作成鉛直姿勢。兩片分隔壁257係將外側空間OS於圓周方向分隔成第一外側空間OS1與第二外側空間OS2。各分隔壁257的上端邊係將筒狀壁250的上端之稍為下方的位置水平地延伸。藉此，在處理腔室202的下部分(包含底部)中，第一外側空間OS1與第二外側空間OS2係被隔離。

第一外側空間OS1係平面觀視含有處理腔室203的三 個角之廣空間。於第一外側空間OS1設定有第一起始位置229。此外，第三搖動軸223與第四搖動軸235(參照圖9)係配置於第一外側空間OS1。另一方面，第二外側空間OS2係含有與擋門211相對向的空間之窄空間。第二起始位置241係被設定於第二外側空間OS2。

槽209係配置於處理腔室202的底部整體，用以防止在處理腔室202所使用的藥液(SPM或IPA等)流出至處理腔室202外。槽209係包含有：內槽260，係配置於屬於筒狀壁250的內部空間之內側空間IS的底部；第一外槽261，係配置於第一外側空間OS1的底部；以及第二外槽262，係配置於第二外側空間OS2的底部。

第一外槽261係用以接住SPM之槽(第一槽)，內槽260及第二外槽262係用以接住IPA之槽(第二槽)。換言之，第二槽係跨越第二外側空間OS2的底部及內側空間IS的底部而設置。在圖10中，為了容易理解，以不同的陰影線(hatching)顯示接住液體之不同的槽彼此(圖18中亦同樣)。

圖11係沿著圖10的剖線XI-XI將第一外槽261剖開之剖視圖。圖12係從圖11的剖線XII-XII觀看之剖視圖。

如圖10所示，第一外槽261係具有與第一外側空間OS1的底部整合之大小及形狀，並以覆蓋第一外側空間OS1的底部整體的下方之方式配置。第一外槽261係以使用具有耐藥性的材料(例如PVC)等形成的板狀體所構成。為了防止從第一外側空間OS1漏液，在第一外槽261的周緣部的全周中，藉由熔接分別連接分隔壁257的下端部、 筒狀壁250以及側壁215(參照圖8)。

第一外槽261係具有第一承接面263。第一外槽261係於上表面具有用以接住來自上方的SPM之第一承接面263。第一承接面263係具有第一最低位置264。第一承接面263之除了第一最低位置264之大部分的區域係形成為相對於水平方向X朝第一最低位置264向下方傾斜之傾斜面。因此，被第一承接面263的各部位接住的SPM係藉由與第一最低位置264的高低差而朝第一最低位置264流動。

如圖10所示，第二外槽262係具有與第二外側空間OS2的底部整合之大小及形狀，並以覆蓋第二外側空間OS2的底部整體的下方之方式配置。第二外槽262係以例如一片之使用具有耐藥性的材料(例如PVC)等形成的板狀體所構成。為了防止從第二外側空間OS2漏液，在第二外槽262的周緣部的全周中，藉由熔接分別連接分隔壁257的下端部、筒狀壁250以及側壁215(參照圖8)。

第二外槽262係於上表面具有用以接住來自上方的IPA之第二承接面265。第二承接面265係具有第二最低位置266。第二承接面265之除了第二最低位置266之大部分的區域係形成為相對於水平方向X朝第二最低位置266向下方傾斜之傾斜面。因此，被第二承接面265的各部位接住的IPA係藉由與第二最低位置266的高低差而朝第二最低位置266流動。

如圖10所示，內槽260係以例如一片之使用具有耐藥性的材料(例如PVC)等形成的板狀體所構成。內槽260係 具有與筒狀壁250的內側空間IS的底部整合之大小及形狀。內槽260係以覆蓋內側空間IS的底部整體的下方之方式配置。亦即，內槽260係構成筒狀壁250的底面部，具體而言係構成處理腔室202的底壁的一部分。為了防止從內側空間IS漏液，於內槽260的周緣部的全周中，藉由熔接與筒狀壁250的下端部連接。

如圖8及圖10所示，於內槽260的內承接面271的外周部形成有第一排液口267以及第二排液口268。第一排液口267與第二排液口268係配置於在圓周方向分離之位置(在第二實施形態中，第一排液口267係位於與第二排液口268夾著旋轉軸線A1之相反側)。於第一排液口267係連接有第一排液配管269。第一排液配管269的下游端係朝第一排液單元(未圖示)延伸。

於內槽260的上表面係具有用以接住來自上方的IPA之內承接面271。內承接面271係具有傾斜面。於內承接面271的最低位置係形成有第二排液口268。在第二實施形態中，內承接面271的最低位置係設定於內槽260的外周部的預定位置。內承接面271之除了最低位置的區域係構成為相對於水平方向X朝第二排液口268於下方傾斜之傾斜面。於第二排液口268係連接有第二排液配管270。第二排液配管270的下游端係朝與第一排液單元不同的第二排液單元(未圖示)延伸。

如上所述，在處理腔室202的底部中，內側空間IS與第一外側空間OS1係彼此隔離。因此，液體不會於配置於 內側空間IS的底部之內槽260以及配置於第一外側空間OS1的底部之第一外槽261之間流通。此外，如上所述，由於在處理腔室202的底部中第一外側空間OS1與第二外側空間OS2彼此隔離，因此液體不會於配置於第一外側空間OS1的底部之第一外槽261以及配置於第二外側空間OS2的底部之第二外槽262之間流通。

如圖10及圖12所示，第一排液口267係經由第一流通管配管273而與第一承接面263的第一最低位置264連接。第一流通管配管273係使於第一承接面263流動並到達至第一最低位置264的SPM通過其內部而導入至第一排液口267。亦即，以可使第一承接面263的SPM不會流動至內槽260的內承接面271地導入至第一排液口267之方式，將連繫第一最低位置264與第一排液口267之第一流通管配管273旁通(bypass)地設置。以第一流通管配管273的材質而言，能使用氟樹脂等具有耐藥性的材料。

第一流通管配管273的基端係經由第一管接頭320連接至第一最低位置264(亦即，筒狀壁250中之與第一最低位置264相對向的位置)。第一管接頭320係包含有：接頭本體321，係以貫通筒狀壁250的內外之方式安裝於筒狀壁250之與第一最低位置264相對向的位置；以及流通管側接頭322，係固定於第一流通管配管273的基端。接頭本體321係在塞住筒狀壁250的第一連通孔253的狀態下固定安裝至筒狀壁250。接頭本體321係具有流入口274以及連通至流入口274之插入口323，接頭本體321係在流 入口274朝向筒狀壁250的外側且插入口323朝向筒狀壁250的內側之姿勢下安裝至筒狀壁250。亦即，流入口274係與第一最低位置264相對向。

此外，將流通管側接頭322插入(螺入)至插入口323，藉此流通管側接頭322係在鎖固(lock)狀態下保持於插入口323，在此保持狀態下，第一流通管配管273的內部與流入口274係連通。此外，藉由安裝於筒狀壁250的接頭本體321將第一最低位置264與內槽260隔離。因此，不會有第一最低位置264的SPM進入至內槽260(參照圖10等)之情形。

此外，第一流通管配管273的前端係經由第二管接頭275連接至第一排液口267(亦即，第一排液配管269的上游端)。

圖13係示意性地顯示第一流通管配管273朝第一排液配管269的連接之圖。

第二管接頭275係包含有：接頭本體276，係安裝至第一排液口267；流通管側接頭277；以及排液側接頭278。接頭本體276係藉由複數根螺栓280使凸緣(flange)部279固定至內槽260。接頭本體276係包含有：第一插入口281，係可使流通管側接頭277的前端插入；第二插入口282，係可使排液側接頭278插入；以及連接孔283，係連通第一插入口281及第二插入口282彼此。將流通管側接頭277及排液側接頭278插入(螺入)至第一插入口281及第二插入口282，藉此流通管側接頭277及排液側接頭278係分別在 鎖固狀態下保持於第一插入口281及第二插入口282。在此狀態下，第一流通管配管273的內部與第一排液配管269的內部係連通。藉由安裝於第一排液口267的接頭本體276將第一排液口267與內槽260隔離。因此，不會有於內槽260流動的IPA進入至第一排液口267(第一排液配管269內)之情形。

被第一外槽261的第一承接面263的各部位接住的SPM係藉由第一承接面263的高低差而朝第一最低位置264流動。到達第一最低位置264的SPM係經由第一管接頭320流入至第一流通管配管273的內部，藉由其高低差而於第一流通管配管273流動，並經由第二管接頭275及第一排液口267移動至第一排液配管269。輸送至第一排液配管269的SPM係被輸送至第一排液單元(未圖示)並被排液處理。

此外，如圖10所示，第二連通孔254係形成於筒狀壁250中與第二承接面265的第二最低位置266相對向的位置。被第二槽209的第二承接面265的各部位接住的IPA係藉由第二承接面265的高低差而朝第二最低位置266流動。到達第二最低位置266的IPA係經由第二連通孔254移動至內槽260的內承接面271。並且，藉由內承接面271的高低差於內承接面271朝第二排液口268流動。

此外，流入至內槽260的內承接面271的IPA係藉由內承接面271的高低差朝向第二排液口268流動。到達第二排液口268的IPA係經由第二排液配管270輸送至第二 排液單元(未圖示)並被排液處理。

藉由以上構成，能將第一排液口267集中至中央部，而能將裝置構成簡略化。然而，亦可將第一排液口267設置於第一承接面263的第一最低位置264。在此情形中，能將配管簡單化。

圖14係用以說明藉由基板處理裝置201所進行的基板W的阻劑去除處理的一例之步驟圖。圖15及圖16係用以顯示前述阻劑去除處理的一例之示意圖。

以下參照圖8、圖9及圖14，說明阻劑去除處理的一例。適當地參照圖10至圖12以及圖15與圖16。

在對基板W進行處理之期間，藉由排氣裝置(未圖示)的驅動，筒狀壁250內係強制性地被排氣。此外，清淨空氣係從FFU212供給至處理腔室202內。因此，於處理腔室202內形成從上方朝下方流動之清淨空氣的降流。

藉由基板處理裝置201對基板W施予阻劑去除處理時，擋門211開啟，藉由搬運機器人(未圖示)將高劑量的離子植入處理後的基板W被搬入至處理腔室202的內部(步驟T1)。被搬入的基板W係設定成未接受用以將阻劑予以灰化之處理的基板。此外，於基板W的表面係形成有細微且高縱橫比的細微圖案。具體而言，控制裝置208係在噴嘴等全部從自轉夾盤203的上方退避且第五防護罩246至第八防護罩249下降至下位置(最下方位置)並且第五防護罩246至第八防護罩249的上端皆配置於比自轉夾盤203所為之基板W的保持位置還下方的狀態下，使保持著基板 W的基板搬運機器人(未圖示)的手(未圖示)進入至處理腔室202的內部，藉此在基板W的表面朝向上方的狀態下授受至自轉夾盤203。

之後，控制裝置208係控制防護罩升降機構(未圖示)，並使第五防護罩246至第八防護罩249全部皆上升至上位置(最上方的位置)，並使第五防護罩246與基板W的周端面相對向。

接著，控制裝置208係藉由自轉馬達216使基板W開始旋轉(步驟T2)。基板W係上升達至預先設定的液體處理速度(在100rpm至500rpm的範圍內，例如約300rpm)，並維持在該液體處理速度。

當基板W的旋轉速度到達液體處理速度時，接著，控制裝置208係進行用以將SPM供給至基板W之含硫酸液供給步驟(步驟T3)。具體而言，控制裝置208係控制第三臂搖動單元224，藉此如圖15所示使含硫酸液噴嘴221從設定於第一外側空間OS1的第一起始位置229移動至設定於內側空間IS的處理位置。

在第一起始位置229中，含硫酸液噴嘴221係配置於櫃(pod)(未圖示)上。在從第一起始位置229開始移動前，會有含硫酸液噴嘴221係在第一起始位置229中進行用以噴出從前次噴出後經時變化(溫度變化或成分變化)的SPM之預施行(pre-dispense)之情形。在進行預施行之情形中，在第一起始位置229停止從含硫酸液噴嘴221噴出SPM後，控制裝置208係開啟第一吸引閥228。藉此，吸引位於比 第一分歧位置225A還下游側的含硫酸液配管225內的SPM。SPM的吸引係持續進行直至SPM的前端面後退至含硫酸液配管225內預定的待機位置為止。於SPM的吸引後，控制裝置208係開始使含硫酸液噴嘴221移動至處理位置。SPM係具有較高的黏度，因此從第一起始位置229朝處理位置移動中的含硫酸液噴嘴221幾乎不會滴落SPM。再者，由於在含硫酸液噴嘴221開始移動前先吸引含硫酸液配管225內，因此能確實地防止從朝處理位置移動中的含硫酸液噴嘴221滴落SPM的液滴。

含硫酸液噴嘴221配置於基板W的上方後，控制裝置208係開啟含硫酸液閥226，從含硫酸液噴嘴221噴出SPM。此外，控制裝置208係控制第三臂搖動單元224，藉此在此狀態下使SPM相對於基板W的上表面的著液位置在中央部與周緣部之間移動。藉此，SPM被供給至基板W的上表面整體，藉由阻劑與SPM的化學反應，基板W上的阻劑係藉由SPM而從基板W去除。供給至基板W的上表面的SPM係從基板W的周緣部朝基板W的側方飛散，並被第五防護罩246的內壁接住且被導引至第四罩242後，經由第四罩242的底部而被回收或排液。

當從SPM開始噴出經過預先設定的期間時，控制裝置208係關閉含硫酸液閥226，從而停止噴出SPM。在停止從含硫酸液噴嘴221噴出SPM後，控制裝置208係開啟第一吸引閥228。藉此，吸引位於比第一分歧位置225A還下游側的含硫酸液配管225內的SPM。SPM的吸引係持續進行 直至SPM的前端面後退至含硫酸液配管225內預定的待機位置為止。

於SPM的吸引後，控制裝置208係控制第三臂搖動單元224，使含硫酸液噴嘴221從設定於內側空間IS的處理位置移動至設定於第一外側空間OS1的第一起始位置229。SPM係具有較高的黏度，因此從第一起始位置229朝處理位置移動中的含硫酸液噴嘴221幾乎不會滴落SPM。再者，由於在含硫酸液噴嘴221開始移動前先吸引含硫酸液配管225內，因此能確實地防止從朝第一起始位置229移動中的含硫酸液噴嘴221滴落SPM的液滴。

含硫酸液供給步驟(T3)結束後，在使第五防護罩246與基板W的周端面相對向的狀態下，直接進行用以將清洗液供給至基板W之清洗步驟(步驟T4)。具體而言，控制裝置208係開啟清洗液閥232，使清洗液從清洗液噴嘴230朝基板W的上表面中央部噴出。著液至基板W的上表面中央部的清洗液係接受基板W的旋轉所為之離心力而在基板W的上表面朝基板W的周緣部流動。藉此，基板W的上表面整體係被SPM沖洗。供給至基板W的上表面之清洗液係從基板W的周緣部朝基板W的側方飛散，被第五防護罩246的內壁接住並被導引至第四罩242後，經由第四罩242的底部被排液。

當從清洗液開始噴出經過預先設定的期間時，控制裝置208係控制自轉馬達216，使以含硫酸液處理速度旋轉的基板W以覆漿速度(例如約10rpm)階段性地減速。當基 板W的旋轉速度降低達至該覆漿速度(例如約10rpm)時，控制裝置208係控制自轉馬達216，將基板W的旋轉速度維持在該覆漿速度。藉此，清洗液的液膜係於基板W的上表面整體保持成漿狀。

當基板W的旋轉速度降低達至覆漿速度(例如約10rpm)後經過預先設定的期間時，控制裝置208係關閉清洗液閥232，從而停止從清洗液噴嘴230噴出清洗液。

接著，控制裝置208係開始有機溶劑供給步驟(第二藥液供給步驟；步驟T5)。在此處理例中，當清洗步驟(T4)結束時，接著執行有機溶劑供給步驟(T5)。亦即，在下述離心脫水步驟(T6)前，以具有低表面張力的有機溶劑(IPA)置換進入至基板W的表面的細微圖案的清洗液。藉此，能防止離心脫水步驟(T6)中的圖案的崩壞。

具體而言，如圖16所示，控制裝置208係控制防護罩升降機構，使第五防護罩246至第七防護罩248下降至下位置(最下方的位置)，並使第八防護罩249與基板W的周端面相對向。此外，控制裝置208係控制第四臂搖動單元236，藉此使有機溶劑噴嘴233從設定於第二外側空間OS2的第二起始位置241移動至設定於內側空間IS的處理位置。

在第二起始位置241中，有機溶劑噴嘴233係配置於櫃(未圖示)上。在從第二起始位置241開始移動前，會有有機溶劑噴嘴233係在第二起始位置241中進行用以噴出從前次噴出後成分變化過的IPA之預施行之情形。在進行 預施行之情形中，在第二起始位置241停止從有機溶劑噴嘴233噴出IPA後，控制裝置208係開啟第二吸引閥240。藉此，吸引位於比第二分歧位置237A還下游側的有機溶劑配管237內的IPA。IPA的吸引係持續進行直至IPA的前端面後退至有機溶劑配管237內預定的待機位置為止。於IPA的吸引後，控制裝置208係開始使有機溶劑噴嘴233移動至處理位置。

有機溶劑噴嘴233配置於基板W的上表面中央部上後，控制裝置208係一邊將基板W的旋轉速度維持在覆漿速度，一邊將有機溶劑閥238開啟。藉此，如圖16所示，從有機溶劑噴嘴233的噴出口噴出IPA，並著液至基板W的上表面中央部。

IPA被供給至基板W的上表面，藉此基板W的上表面的清洗液係逐漸被置換成IPA。藉此，覆蓋基板W的上表面整體的IPA的液膜係在基板W的上表面保持成漿狀。即使在基板W的上表面整體的液膜大致被置換成IPA的液膜後，亦繼續將IPA供給至基板W的上表面。因此，從基板W的周緣部排出IPA。

從基板W的周緣部排出的IPA係被與基板W的周端面相對向的第八防護罩249的內壁接住。並且，在第八防護罩249的內壁流動而流下的IPA係從第八防護罩249的下端滴落並被排液槽245接住，並從排液槽245的底部通過排液配管(未圖示)導入至排液單元(未圖示)。

當從IPA開始噴出經過預先設定的覆漿時間(例如約 10秒)時，控制裝置208係一邊繼續噴出IPA，一邊控制自轉馬達216使基板W從覆漿速度加速達至高旋轉速度(例如約1000rpm)。於基板W被加速達至高旋轉速度後，控制裝置208係關閉有機溶劑閥238從而停止噴出IPA。於停止從有機溶劑噴嘴233噴出IPA後，控制裝置208係開啟第二吸引閥240。藉此，吸引位於比第二分歧位置237A還下游側的有機溶劑配管237內的IPA。IPA的吸引係持續進行直至IPA的前端面後退至有機溶劑配管237內預定的待機位置為止。

於IPA的吸引後，控制裝置208係控制第四臂搖動單元236，使有機溶劑噴嘴233從設定於內側空間IS的處理位置移動至設定於第二外側空間OS2的第二起始位置241。由於在有機溶劑噴嘴233開始移動前先吸引有機溶劑配管237內，因此能抑制從朝處理位置移動中的有機溶劑噴嘴233滴落IPA的液滴。此外，在處理開始前，使有機溶劑噴嘴233從第二起始位置241移動至處理位置時，亦可進行同樣的吸引動作。

然而，由於IPA僅具有較低的黏度，因此認為在從第二起始位置241伸出之途中或返回第二起始位置241之途中，有從移動中的有機溶劑噴嘴233滴落IPA之情形。在此情形中，有從有機溶劑噴嘴233滴落並落下到第八防護罩249或蓋255之虞。落下到第八防護罩249的IPA係在第八防護罩249的外壁流動並流下，從第八防護罩249的下端滴落，並被內槽260接住。此外，落下到蓋255的IPA 係經由分割板256之間的間隙、筒狀壁250與分割板256之間的間隙、或者側壁215與分割板256之間的間隙等進入至外側下空間OSD，並被第二外槽262接住。

此外，控制裝置208係在使第八防護罩249與基板W的周端面相對向的狀態下直接執行離心脫水步驟(步驟T6)。亦即，控制裝置208係將基板W的旋轉速度維持在高旋轉速度(例如約1000rpm)。藉此，附著於基板W的IPA係被甩掉從而使基板W乾燥。當離心脫水步驟(T6)進行達至預先設定的期間時，控制裝置208係控制自轉馬達216，停止自轉夾盤203的旋轉(基板W的旋轉)(步驟T7)。藉此，結束對於一片基板W的阻劑去除處理，開啟擋門211，藉由搬運機器人(未圖示)將處理完畢的基板W從處理腔室202搬出(步驟T8)。

SPM及IPA係混合接觸時伴隨著危險之藥液的組合。具體而言，當SPM及IPA混合接觸時，會有因為SPM所含有的硫酸的脫水作用而產生爆炸之虞。

如上所述，在基板處理裝置201的通常運轉時，雖然認為幾乎不會從在第一起始位置229與處理位置之間移動中的含硫酸液噴嘴221滴落SPM，但若在含硫酸液噴嘴221的移動中基板處理裝置201發生異常時，會有從位於第一起始位置229與處理位置之間的含硫酸液噴嘴221滴落SPM之虞。從含硫酸液噴嘴221滴落的SPM係被第一外槽261的第一承接面263接住。

另一方面，針對有機溶劑噴嘴233，認為在基板處理 裝置201的通常運轉時，會從在第二起始位置241與處理位置之間移動中的有機溶劑噴嘴233滴落IPA。再者，在有機溶劑噴嘴233的移動中基板處理裝置201發生異常時，會有從位於第二起始位置241與處理位置之間的有機溶劑噴嘴233滴落IPA之虞。從有機溶劑噴嘴233滴落的IPA係被第二外槽262的第二承接面265接住。

如上所述，依據第二實施形態，將配置於處理腔室202的底部的槽209分割成配置於內側空間IS的底部之內槽206、配置於第一外側空間OS1的底部之第一外槽261以及配置於第二外側空間OS2的底部之第二外槽262。在含硫酸液噴嘴221於第一外側空間OS1移動的途中，從含硫酸液噴嘴221滴落的SPM係被第一外槽261接住。此外，從在第二外側空間OS2與基板W的上方之間移動中的有機溶劑噴嘴233滴落的IPA係被第二外槽262或內槽260接住。換言之，因應含硫酸液噴嘴221及有機溶劑噴嘴233的移動範圍，將槽209分割成含硫酸液噴嘴221的第一外槽261以及有機溶劑噴嘴233用的第二外槽262。

此外，在處理腔室202的底部中，由於第一外側空間OS1與第二外側空間OS2被隔離，因此液體不會於第一外槽261與第二外槽262之間流通。再者，分別獨立地設置用以將被第一外槽261接住的液體予以排液之第一排液口267以及用以將被第二外槽262接住的液體予以排液的第二排液口268。

如上所述，能提供一種基板處理裝置201，能確實地 防止槽209中SPM及IPA的混合接觸，因此能確實地防止在槽中發生混合接觸時伴隨著危險的藥液的組合的藥液的混合接觸。

圖17係本發明第三實施形態的處理腔室202的上部的示意圖。圖18係圖17所示的處理腔室202的底部的示意圖。

本發明第三實施形態的基板處理裝置301的處理腔室202與第二實施形態的基板處理裝置201的差異點在於進一步包含有：鹼藥液供給單元290，係將作為第三藥液的鹼藥液的一例之SC1(氨水過氧化氫水混和液(ammonia-hydrogen peroxide mixture))供給至被自轉夾盤203保持的基板W。亦即，在第三實施形態中，作成可使用三種藥液的構成。

此外，在第三實施形態中，於筒狀壁250與側壁215之間除了設置兩片分隔壁257之外又設置了一片分隔壁302，亦即設置有合計三片的分隔壁之點與第二實施形態不同。

在圖17及圖18中，於與第二實施形態所示的各部位對應的部分附上與圖8至圖16之情形相同的元件符號，並省略說明。

鹼藥液供給單元290係包含有：鹼藥液噴嘴291，係將SC1噴出至基板W的表面；第五噴嘴臂292，係於前端部安裝有鹼藥液噴嘴291；第五搖動軸293，係在自轉夾盤203的側方朝鉛直方向延伸，並可搖動地支撐第五噴嘴臂 292；以及第五臂搖動單元(未圖示)，係使第五搖動軸293旋轉並使第五噴嘴臂292移動，藉此使鹼藥液噴嘴291移動。鹼藥液噴嘴291係例如為以連續流動的狀態噴出SC1之直式噴嘴，並在其噴出口朝向例如下方的狀態下安裝至朝水平方向延伸的第五噴嘴臂292。第五噴嘴臂292係朝水平方向延伸。

第五臂搖動單元係使第五噴嘴臂292繞著第五搖動軸293搖動，藉此使鹼藥液噴嘴291沿著水平方向一邊描繪圓弧狀一邊移動。第五臂搖動單元係使鹼藥液噴嘴291在從鹼藥液噴嘴291噴出的SC1會著液於基板W的上表面之處理位置以及平面觀視鹼藥液噴嘴291被設定在自轉夾盤203的周圍之第三起始位置294之間水平地移動。再者，第五臂搖動單元係使鹼藥液噴嘴291在從鹼藥液噴嘴291噴出的SC1會著液於基板W的上表面中央部之中央位置以及從鹼藥液噴嘴291噴出的SC1會著液於基板W的上表面周緣部之周緣位置之間水平地移動。中央位置及周緣位置皆為處理位置。第三起始位置294係被設定於第一外側空間OS1。此外，第五搖動軸293亦配置於第一外側空間OS1。

分隔壁302係作成鉛直姿勢，並從筒狀壁250放射狀地延伸。平面觀視，分隔壁302係將第二實施形態的外側空間OS1(參照圖9)於圓周方向分隔成第三外側空間OS3與第四外側空間OS4。分隔壁302係以第一連通孔253與第三外側空間OS3相對向之方式分隔第三外側空間OS3與第四外側空間OS4。分隔壁302的上端邊係將筒狀壁250 的上端稍為下方的位置水平地延伸。在處理腔室202的下部分(包含底部)中，第三外側空間OS3與第四外側空間OS4係被分隔壁302隔離。此外，這些第三外側空間OS3與第四外側空間OS4亦分別與第二外側空間OS2隔離。

配合第三外側空間OS3與第四外側空間OS4的分割，第二實施形態的第一外槽261(參照圖10等)亦被二分割成第三外槽303與第四外槽304。亦即，槽209係包含有內槽260、第二外槽262、配置於第三外側空間OS3的底部之第三外槽303以及配置於第四外側空間OS4的底部之第四外槽304。

第三外槽303係用以接住SPM之槽(第一槽)，第四外槽304係用以接住SC1之槽(第三槽)。第三外槽303係具有與第三外側空間OS3的底部整合之大小及形狀，並以覆蓋第三外側空間OS3的底部整體的下方之方式配置。為了防止從第三外側空間OS3漏液，在第三外槽303的周緣部的全周中，藉由熔接分別連接分隔壁257、302的下端部以及筒狀壁250。

第四外槽304係具有與第四外側空間OS4的底部整合之大小及形狀，並以覆蓋第四外側空間OS4的底部整體的下方之方式配置。為了防止從第四外側空間OS4漏液，在第四外槽304的周緣部的全周中，藉由熔接分別連接分隔壁257、302的下端部以及筒狀壁250。

此外，由於第三外槽303及第四外槽304係將第一外槽261予以二分割而成者，因此第三外槽303係具有第三 承接面305，第四外槽304係具有第四承接面306，此外，第三承接面305及第四承接面306係將第一承接面263(參照圖10)予以二分割而成者。第一最低位置264(請一併參照圖10)係配置於第三承接面305，第三承接面305之除了第一最低位置264的區域係形成為相對於水平方向X(參照圖8等)朝第一最低位置264向下方傾斜之傾斜面。因此，被第三承接面305的各部位接住的SPM係藉由與第一最低位置264的高低差而朝第一最低位置264流動。

第四承接面306係於與第一最低位置264夾著分隔壁302而鄰接之位置具有第四最低位置307。第四承接面306之除了第四最低位置307之區域係形成為相對於水平方向X朝第四最低位置307向下方傾斜之傾斜面。因此，被第四承接面306的各部位接住的SC1係藉由與第四最低位置307的高低差而朝第四最低位置307流動。

於內槽260的內承接面271的外周部中接近第一排液口267的位置係設置有第三排液口308。於第三排液口308係連接有第三排液配管(未圖示)。第三排液配管的下游端係連接至與第一排液單元及第二排液單元不同的第三排液單元(未圖示)。

於筒狀壁250的下端部中之與第四承接面306的第四最低位置307相對向的位置係形成有內外地貫通筒狀壁250之第三連通孔309。

如圖18所示，第三排液口308係經由第二流通管配管310而與第四承接面306的第四最低位置307連接。第二流 通管配管310係使在第四承接面306流動並到達第四最低位置307的SC1在其內部流通並導入至第三排液口308。亦即，以可使第四承接面306的SC1不會流動至內槽260的內承接面271地導入至第三排液口308之方式，將連繫第四最低位置307與第三排液口308之第二流通管配管310旁通地設置。以第二流通管配管310的材質而言，能使用氟樹脂等具有耐藥性的材料。

第二流通管配管310的基端係經由與第一管接頭320同等的第一管接頭330連接至第四最低位置307(亦即，筒狀壁250中之與第四最低位置307相對向的位置)。第一管接頭330的接頭本體331係在塞住筒狀壁250的第三連通孔309的狀態下固定安裝至筒狀壁250。接頭本體331係具有流入口311，流入口311係與第四最低位置307相對向。第二流通管配管310的前端係經由與管接頭275(參照圖13)同等的管接頭312連接至第三排液口308。

被第四外槽304的第四承接面306的各部位接住的SC1係藉由第四承接面306的高低差朝第四最低位置307流動。到達第四最低位置307的SC1係經由在第三連通孔309開口的流入口311流入至第二流通管配管310的內部，並藉由第二流通管配管310的高低差移動至第三排液配管。輸送到第三排液配管的SC1係被輸送至第三排液單元(未圖示)並被排液處理。

如上所述，依據第三實施形態，不僅能確實地防止SPM與IPA的混合接觸，亦能確實地防止SPM與SC1的混合接 觸，藉此能確實地防止在槽中發生鹼與酸的混合接觸。

以上，雖然已說明本發明的三個實施形態，但本發明亦可以其他的實施形態來實施。

例如在第一實施形態的處理例中，雖然已說明與清洗步驟(S4)並行地進行第一洗淨液供給步驟，然而亦可構成為在清洗步驟(S4)結束後開始第一洗淨液供給步驟，並在該第一洗淨液供給步驟結束後開始有機溶劑供給步驟(S5)。此外，亦可構成為從清洗步驟(S4)的結束前的階段開始第一洗淨液供給步驟，並在清洗步驟(S4)結束後且該第一洗淨供給步驟結束後開始有機溶劑供給步驟(S5)。

此外，在第一實施形態的處理例中，雖然已說明與有機溶劑供給步驟(S5)並行地進行第二洗淨液供給步驟，然而亦可構成為於有機溶劑供給步驟(S5)的結束後且於離心脫水步驟(S6)的開始前執行第二洗淨液供給步驟。此外，亦可構成為從有機溶劑供給步驟(S5)的結束前的階段開始第二洗淨液供給步驟，並於有機溶劑供給步驟(S5)的結束後且該第二洗淨液供給步驟結束後開始離心脫水步驟(S6)。

此外，在第一實施形態的處理例中，雖然已說明進行用以去除附著(殘留)於第一罩42等的IPA之第二洗淨液供給步驟及第三洗淨液供給步驟兩者，但只要實施第二洗淨液供給步驟及第三洗淨液供給步驟中的至少任一者即可，無須進行第二洗淨液供給步驟及第三洗淨液供給步驟兩者。

此外，在第一實施形態的處理例中，雖然在有機溶劑供給步驟(S5)中一邊將IPA的液膜保持在漿狀一邊對基板W的表面施予使用IPA的處理，然而並未限定於此情形，亦可構成為在有機溶劑供給步驟(S5)中以較快的轉數(例如數百rpm)使基板W旋轉。

此外，亦可在第一實施形態的第一洗淨液供給步驟中構成為於清洗步驟(S4)時的基板W的旋轉速度設置臨限值，並因應該臨限值決定第一洗淨液供給步驟的結束時序。

此外，亦可構成為在第一實施形態的清洗步驟(S4)時的基板W的旋轉速度為臨限值以下的狀態下結束第一洗淨液供給步驟之情形中，視為第一罩42的內壁等的洗淨未完成，並禁止接著執行有機溶劑供給步驟(S5)中的有機溶劑閥38的開啟(聯鎖)。

此外，亦可構成為依據該第一洗淨液供給步驟至第三洗淨液供給步驟中洗淨液的積算流量(積算使用量)，決定第一洗淨液供給步驟至第三洗淨液供給步驟各者的結束時序。具體而言，能於洗淨液供給單元77、79設置積算流量計，並依據該積算流量計的值計算前述洗淨液的積算流量。

此外，亦可構成為在第一實施形態的洗淨液的積算流量值為臨限值以下的狀態下分別結束第一洗淨液供給步驟至第三洗淨液供給步驟之情形中，視為第一罩42的內壁等的洗淨未完成，並禁止接著執行有機溶劑供給步驟(S5)或含硫酸液供給步驟(S3)中的含硫酸液閥32的開啟(聯鎖)。

此外，亦可構成為在第一實施形態的第一洗淨液供給 步驟至第三洗淨液供給步驟中，依據該洗淨液供給步驟中洗淨液的積算流量(積算使用量)，決定第一洗淨液供給步驟至第三洗淨液供給步驟各者的結束時序。具體而言，能於洗淨液供給單元77、79設置積算流量計，並依據該積算流量計的值計算前述洗淨液的積算流量。

此外，亦可構成為在洗淨液的積算流量值為臨限值以下的狀態下分別結束第一洗淨液供給步驟至第三洗淨液供給步驟之情形中，視為第一罩42的內壁等的洗淨未完成，並禁止接著執行有機溶劑供給步驟(S5)或含硫酸液供給步驟(S3)中的有機溶劑閥38的開啟(聯鎖)。

此外，雖然在第一實施形態中以洗淨複數個罩(第一罩42、第二罩43以及罩部63)中的第一罩42之情形為例進行說明，但亦可洗淨第二罩43或罩部63。

例如，亦可構成為在含硫酸液供給步驟(S3)中使第二防護罩45與基板W的周緣面相對向之情形中，藉由第一洗淨液供給步驟洗淨第二罩43。在此情形中，在含硫酸液供給步驟(S3)中，控制裝置8係控制防護罩升降單元48使第二防護罩45與基板W的周端面相對向，並控制第二回收閥100A及第二排液閥101A，將第二共用配管98的流通目的地預先設定成第二回收配管100。並且，在第一洗淨液供給步驟中，控制裝置8係控制防護罩升降單元48使第二防護罩45與基板W的周端面相對向，並控制第二回收閥100A及第二排液閥101A將第二共用配管98的流通目的地切換成第二排液配管101，並開啟第一洗淨液閥84從 第一洗淨液噴嘴76噴出洗淨液。藉此，從第一洗淨液噴嘴76噴出的洗淨液係被噴灑至外周部15A的周端面與底面。藉此，沖洗附著於外周部15A的周端面與底面的SPM。此外，從第一洗淨液噴嘴76噴出的洗淨液係在該外周部15A的周端面與底面飛濺而著液至第二防護罩45的導引部62的內壁，並在圓筒部64(參照圖2等)的內壁流動而流動至下方，從圓筒部64的下端滴落並被第二罩43的第二排液回收槽55(參照圖2等)接住。被供給至第二排液回收槽55的洗淨液係在第二排液回收槽55內於第二罩43的圓周方向朝第二排液回收口97移動，並從第二排液回收口97導入至第二共用配管98。由於第二共用配管98的流通目的地被設定成第二排液配管101，因此被導入至第二共用配管98的洗淨液係通過第二排液配管101導入至排液單元(未圖示)而被排液處理。洗淨液係在第二罩43內及第二共用配管98內流通，藉此洗淨第二罩43的內壁及第二共用配管98的管壁。

此外，在含硫酸液供給步驟(S3)中使第三防護罩46與基板W的周緣面相對向之情形中，亦可藉由第一洗淨液供給步驟洗淨罩部63。在此情形中，在含硫酸液供給步驟(S3)中，控制裝置8係控制防護罩升降單元48使第三防護罩46與基板W的周端面相對向，並控制第三回收閥105A及第三排液閥106A，將第三用配管103的流通目的地預先設定成第三回收配管105。並且，在第一洗淨液供給步驟中，控制裝置8係控制防護罩升降單元48使第三防護罩46與 基板W的周端面相對向，並控制第三回收閥105A及第三排液閥106A將第三共用配管103的流通目的地切換成第三排液配管106，並開啟第一洗淨液閥84從第一洗淨液噴嘴76噴出洗淨液。藉此，從第一洗淨液噴嘴76噴出的洗淨液係被噴灑至外周部15A的周端面與底面。藉此，沖洗附著於外周部15A的周端面與底面的SPM。此外，從第一洗淨液噴嘴76噴出的洗淨液係在該外周部15A的周端面與底面飛濺而著液至第三防護罩46的下端部68(參照圖2等)的內壁，並在該內壁流動而流動至下方，從下端部68的下端滴落並被第二防護罩45的罩部63的第三排液回收槽66(參照圖2等)接住。被供給至第三排液回收槽66的洗淨液係在第三排液回收槽66內於罩部63的圓周方向朝第三排液回收口102移動，並從第三排液回收口102導入至第三共用配管103。由於第三共用配管103的流通目的地被設定成第三排液配管106，因此被導入至第三共用配管103的洗淨液係通過第三排液配管106導入至排液單元(未圖示)而被排液處理。洗淨液係在罩部63內及第三共用配管103內流通，藉此洗淨罩部63的內壁及第三共用配管103的管壁。

此外，在第一實施形態中，以將共用配管93、98、103連接至罩42、43、63的底部並在回收配管95、100、105與排液配管96、101、106之間切換流通共用配管93、98、103的液體(處理液或洗淨液)的流通目的地之構成為例進行說明。然而，除了此種構成外，亦可於罩42、43、63的 底部連接有排液配管96、101、106。亦即，亦可設置排液口以取代排液回收口92、97、102，並於排液回收口92、97、102連接有排液配管96、101、106。

此外，在第一實施形態中，亦可使用三通閥作為用以在回收配管95、100、105與排液配管96、101、106之間切換流通共用配管93、98、103的液體的流通目的地之切換閥。

此外，在第一實施形態中，雖然以將從第一洗淨液噴嘴76噴出的洗淨液噴灑至外周部15A的周端面與底面兩者之情形為例進行說明，然而洗淨液只要噴灑至外周部15A的周端面與底面的至少一者即可。

此外，在第一實施形態中，雖然以將從第二洗淨液噴嘴78噴出的洗淨液先接觸到下端部58後再供給至第一罩42的內壁為例進行說明，但亦可將從第二洗淨液噴嘴78噴出的洗淨液直接供給至第一罩42的內壁(例如底部51的內壁)。

此外，在第一實施形態中，雖然將第二洗淨液噴嘴78以第二洗淨液噴出口81朝向斜下方者為例進行說明，然而第二洗淨液噴出口81亦可為沿著水平方向之橫向者。

此外，在第一實施形態中，雖然以多段式的處理罩7為例進行說明，但本發明亦可應用於由單罩所構成的處理罩。

此外，在第一實施形態中，雖然將第一洗淨液噴嘴76及第二洗淨液噴嘴78設置成將第一洗淨液噴出口80及第 二洗淨液噴出口81形成於錐面24A(套筒21的外周面)，然而第一洗淨液噴嘴76及第二洗淨液噴嘴78亦可具有與套筒21分別獨立的噴嘴外殼。

此外，在第一實施形態中，雖然已說明在各洗淨液供給步驟中使用第一洗淨液噴嘴76及第二洗淨液噴嘴78兩者之情形，但亦可僅使用第一洗淨液噴嘴76及第二洗淨液噴嘴78中的任一者。

此外，在第二實施形態中，雖然以例如用以接住IPA之槽(第二槽)係由內槽260及第二外槽262所構成者進行說明，然而用以接住IPA的槽亦可僅由第二外槽262所構成。在此情形中，亦可在處理腔室202的下部分(包含底部)中隔離內側空間IS與第二外側空間OS2。

此外，雖然以含硫酸液噴嘴221、有機溶劑噴嘴233以及鹼藥液噴嘴291在處理位置與各起始位置229、241、294之間沿著水平方向一邊描繪圓弧狀一邊移動者為例進行說明，然而亦可在直線上滑動移動。

此外，在第二實施形態中，雖然使第一吸引配管227及第二吸引配管239從含硫酸液配管225及有機溶劑配管237的中途部分歧，然而亦可構成為預先於用以將含硫酸液配管225予以開閉之含硫酸液閥226或用以將有機溶劑配管237予以開閉之有機溶劑閥238設置吸引機構，藉由吸引機構的驅動，從含硫酸液配管225或有機溶劑配管237分別吸引SPM或IPA。

此外，亦可省略用以吸引含硫酸液配管225或有機溶 劑配管237的內部之構成(第一吸引配管227及第一吸引閥228等、或者第二吸引配管239及第二吸引閥240等)的構成。

在前述各實施形態中，雖然以SPM作為含硫酸液的一例，但以含硫酸液的一例而言，除了SPM以外亦能使用硫酸。

此外，在前述各實施形態中，有機溶劑係包含IPA、甲醇、乙醇、HFE(氫氟醚)以及丙酮中的至少一者。此外，以有機溶劑而言，不僅是僅由單體成分構成之情形，亦可為與其他成分混合的液體。例如，亦可為IPA與丙酮的混合液，或亦可為IPA與甲醇的混合液。

此外，在前述各實施形態中，以混合接觸時伴隨著危險之第一藥液及第二藥液的組合而言，雖然例示SPM等之含硫酸液以及IPA等之有機溶劑的組合，但除此之外亦能例示硝酸及氟銷酸(氟酸與硝酸的混合液)等之含硝酸液與有機溶劑的組合以及王水與硫酸的組合等作為混合接觸時伴隨著危險的組合。

此外，本發明不僅應用於混合接觸時伴隨著危險之第一藥液及第二藥液的組合，亦可廣泛地應用於不適合混合接觸之第一藥液及第二藥液的組合。例如本發明亦能應用於酸與鹼的組合之藉由混合接觸產生反應物之組合。

雖然已詳細說明本發明的實施形態，但該等僅為用以明瞭本發明技術性內容的具體例，本發明並未被該等具體例狹隘地限定，本發明的範圍僅被申請專利範圍所限定。

本案係分別與2014年8月15日於日本特許廳所申請的日本特願2014-165555號以及日本特願2014-165556號對應，且這些申請案的全部內容係被援用於此。

3‧‧‧自轉夾盤

39‧‧‧清洗液噴嘴

40‧‧‧清洗液配管

41‧‧‧清洗液閥

42‧‧‧第一罩(罩)

43‧‧‧第二罩(罩)

44‧‧‧第一防護罩(防護罩)

45‧‧‧第二防護罩(防護罩)

46‧‧‧第三防護罩(防護罩)

47‧‧‧第四防護罩(防護罩)

50‧‧‧圓筒構件

54‧‧‧第一排液回收槽

55‧‧‧第二排液回收槽

56‧‧‧導引部

62‧‧‧導引部

63‧‧‧罩部

66‧‧‧第三排液回收槽

74‧‧‧第三罩(罩)

75‧‧‧排液槽

76‧‧‧第一洗淨液噴嘴

78‧‧‧第二洗淨液噴嘴

93‧‧‧第一共用配管

95‧‧‧第一回收配管

95A‧‧‧第一回收閥

96‧‧‧第一排液配管

96A‧‧‧第一排液閥

A1‧‧‧旋轉軸線

W‧‧‧基板

Claims (17)

1. 一種基板處理裝置，係包含有：處理腔室；基板保持旋轉機構，係具有可繞著預定旋轉軸線旋轉的自轉基座，並一邊保持基板一邊使基板繞著前述旋轉軸線旋轉，且配置於前述處理腔室內；圓環狀的罩，係以圍繞前述基板保持旋轉機構的周圍之方式設置，用以儲留從藉由前述基板保持旋轉機構而旋轉之基板所排出的處理液；第一藥液供給單元，係用以將第一藥液供給至被前述基板保持旋轉機構保持的基板；第二藥液供給單元，係用以將與前述第一藥液不同種類的第二藥液供給至被前述基板保持旋轉機構保持的基板；洗淨液噴嘴，係具有洗淨液噴出口，用以朝屬於前述罩的內壁之罩內壁及/或屬於前述自轉基座的外周部的壁面之基座壁面噴出洗淨液；洗淨液供給單元，係用以將前述洗淨液供給至前述洗淨液噴嘴；旋轉處理控制單元，係控制前述第一藥液供給單元及前述第二藥液供給單元執行第一藥液供給步驟及第二藥液供給步驟，該第一藥液供給步驟係將第一藥液供給至藉由前述基板保持旋轉機構而旋轉的基板，該第二藥液供給步驟係在前述第一藥液供給步驟後將 與前述第一藥液不同種類的第二藥液供給至藉由前述基板保持旋轉機構而旋轉的基板；以及洗淨控制單元，係控制前述洗淨液供給單元，在前述第一藥液供給步驟的結束後且在前述第二藥液供給步驟的開始前、以及/或者前述第二藥液供給步驟的執行中及/或執行後，從前述洗淨液噴出口噴出洗淨液，將洗淨液供給至前述罩內壁及/或前述基座壁面。
2. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中前述旋轉處理控制單元係包含有：清洗控制單元，係執行清洗步驟，該清洗步驟係在前述第一藥液供給步驟的結束後且在前述第二藥液供給步驟的開始前，將清洗液供給至藉由前述基板保持旋轉機構而旋轉的基板，並沖洗附著於該基板的表面的第一藥液；前述洗淨控制單元係包含有：第一洗淨控制單元，係與前述清洗步驟並行，及/或在該清洗步驟的結束後且在前述第二藥液供給步驟的開始前，從前述洗淨液噴出口噴出洗淨液。
3. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中前述洗淨控制單元係包含有：第二洗淨控制單元，係與前述第二藥液供給步驟並行，及/或在該第二藥液供給步驟的結束後，從前述洗淨液噴出口噴出洗淨液。
4. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中前述旋轉處理控制單元係含有：離心脫水控制單元，係執行離心 脫水步驟，該離心脫水步驟係於前述第二藥液供給步驟的結束後，藉由前述基板保持旋轉機構使基板旋轉而甩掉該基板的表面的液成分；前述洗淨控制單元係包含有：第三洗淨控制單元，係與前述離心脫水步驟並行，從前述洗淨液噴出口噴出洗淨液。
5. 如請求項1至4項中任一項所記載之基板處理裝置，其中前述基板處理裝置係進一步包含有：共用配管，係連接至形成於前述罩的底部的排液回收口；回收配管，係連接至前述共用配管，用以回收前述第一藥液或前述第二藥液；排液配管，係連接至前述共用配管；切換閥，係在前述回收配管與前述排液配管之間切換通過前述共用配管之液體的流通目的地；以及流通目的地設定控制單元，係與前述洗淨控制單元所為之前述洗淨液的供給並行，用以控制前述切換閥，並將通過前述共用配管之液體的流通目的地設定成前述排液配管。
6. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中前述洗淨液噴嘴係包含有：第一洗淨液噴嘴，係具有與前述基座壁面相對向配置的第一洗淨液噴出口。
7. 如請求項6所記載之基板處理裝置，其中前述第一洗淨液噴嘴係在將前述第一洗淨液噴出口朝向斜上方的狀態下配置。
8. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中前述洗淨液噴嘴係包含有：第二洗淨液噴嘴，係具有用以將洗淨液供給至前述罩內壁之第二洗淨液噴出口。
9. 如請求項8所記載之基板處理裝置，其中前述罩係設置成用以圍繞前述基板保持旋轉機構的周圍之圓環狀，並於前述罩的底壁形成有排液口；前述第二洗淨液噴出口係在前述自轉夾盤的側方沿著前述罩的圓周方向配置複數個，且該第二洗淨液噴出口係不配置於接近前述排液口的區域。
10. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中前述第一藥液係含有硫酸的含硫酸液，前述第二藥液係有機溶劑。
11. 一種基板處理方法，係使用基板處理裝置來處理基板之方法，該基板處理裝置係包含有：基板保持旋轉機構，係具有可繞著預定旋轉軸線旋轉的自轉基座，並一邊保持基板一邊使基板繞著前述旋轉軸線旋轉；罩，係以圍繞前述基板保持旋轉機構的周圍之方式設置，用以儲留從藉由前述基板保持旋轉機構而旋轉之基板所排出的處理液；以及洗淨液噴嘴，係用以朝屬於前述罩的內壁之罩內壁及/或屬於前述自轉基座的 外周部的壁面之基座壁面噴出洗淨液；該基板處理方法係包含有：第一藥液供給步驟，係將第一藥液供給至藉由前述基板保持旋轉機構而旋轉的基板；第二藥液供給步驟，係在前述第一藥液供給步驟後，將與前述第一藥液不同種類的第二藥液供給至藉由前述基板保持旋轉機構而旋轉的基板；以及洗淨液供給步驟，係在前述第一藥液供給步驟的結束後且在前述第二藥液供給步驟的開始前、以及/或者前述第二藥液供給步驟的執行中及/或執行後，從前述洗淨液噴嘴噴出洗淨液，將洗淨液供給至前述罩內壁及/或前述基座壁面。
12. 如請求項11所記載之基板處理方法，其中前述基板處理方法係進一步包含有：清洗步驟，係在前述第一藥液供給步驟的結束後且在前述第二藥液供給步驟的開始前，將清洗液供給至藉由前述基板保持旋轉機構而旋轉的基板，並沖洗附著於該基板的表面的第一藥液；前述洗淨液供給步驟係包含有：第一洗淨液供給步驟，係與前述清洗步驟並行，及/或在該清洗步驟的結束後且在前述第二藥液供給步驟的開始前，從前述洗淨液噴嘴噴出洗淨液。
13. 如請求項11所記載之基板處理方法，其中前述洗淨液供給步驟係包含有：第二洗淨液供給步驟，係與前述 第二藥液供給步驟並行，及/或於該第二藥液供給步驟的結束後，從前述洗淨液噴嘴噴出洗淨液。
14. 如請求項11所記載之基板處理方法，其中前述基板處理方法係包含有：離心脫水步驟，係在前述第二藥液供給步驟的結束後，藉由前述基板保持旋轉機構使基板旋轉而甩掉該基板的表面的液成分；前述洗淨液供給步驟係包含有：第三洗淨液供給步驟，係與前述離心脫水步驟並行及/或在前述離心脫水步驟後，從前述洗淨液噴嘴噴出洗淨液。
15. 如請求項11所記載之基板處理方法，其中前述罩係包含有：複數個罩，係以平面觀視不重複之方式設置；前述洗淨液供給步驟係將前述複數個罩中設置於最內側的第一罩予以洗淨。
16. 如請求項11至15項中任一項所記載之基板處理方法，其中前述基板處理裝置係包含有：共用配管，係連接至形成於前述罩的底部的排液回收口；回收配管，係連接至前述共用配管，用以回收前述第一藥液或前述第二藥液；以及排液配管，係連接至前述共用配管；前述洗淨步驟係在將通過前述共用配管的液體的流通目的地設定成前述排液配管的狀態下執行。
17. 一種基板處理裝置，係包含有：處理腔室； 基板保持機構，係配置於前述處理腔室的內部，用以保持基板；筒狀的處理罩，係配置於前述處理腔室的內部，並包圍前述基板保持機構的周圍；第一藥液噴嘴，係將第一藥液噴出至被前述基板保持機構保持的基板；第二液液噴嘴，係將與前述第一藥液不同種類的第二藥液噴出至被前述基板保持機構保持的基板；第一移動機構，係使前述第一藥液噴嘴在第一外側空間與被前述基板保持機構保持的基板的上方之間移動，該第一外側空間係前述處理腔室的內部的預定空間且平面觀視為前述處理罩的外側的空間；第二移動機構，係使前述第二藥液噴嘴在與前述第一外側空間不同的第二外側空間與被前述基板保持機構保持的基板的上方之間移動，該第二外側空間係前述處理腔室的內部的預定空間且平面觀視為前述處理罩的外側的空間；第一槽，係至少配置於前述第一外側空間的底部，用以接住來自上方的液體並朝第一排液口導引；以及第二槽，係配置於前述第二外側空間的底部，用以接住來自上方的液體並將所接住的液體朝與前述第一排液口不同的第二排液口導引； 前述第一外側空間與前述第二外側空間係至少在底部中被隔離。