TWI723347B - 基板處理方法及基板處理裝置 - Google Patents

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日商斯庫林集團股份有限公司
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Abstract

本發明之基板處理方法包含：基板保持步驟，其係將基板保持為水平姿勢；藥液供給步驟，其係一面使上述基板繞通過該基板之中央部之鉛直之旋轉軸線旋轉，一面對上述基板之主面供給藥液；處理高度維持步驟，其係與上述藥液供給步驟並行地，將捕獲自上述基板排出之藥液之筒狀之第1護罩維持於處理高度位置；及清洗高度維持步驟，其係於上述處理高度維持步驟之後，與上述藥液供給步驟並行地，將上述第1護罩維持於被設定為較上述處理高度位置更靠下方之清洗高度位置。

Description

基板處理方法及基板處理裝置
本發明係關於一種基板處理方法及基板處理裝置。成為處理對象之基板例如包含半導體晶圓、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、有機EL(electroluminescence，電致發光)顯示裝置等FPD(Flat Panel Display，平板顯示器)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板及太陽電池用基板等。
於美國專利申請公開第2018/025922號公報中，揭示有一種將基板逐片進行處理之單片式之基板處理裝置。基板處理裝置之處理單元包含：旋轉夾盤，其將基板保持為水平並使其旋轉；藥液噴嘴，其朝向保持於旋轉夾盤之基板之上表面噴出藥液；及筒狀之處理承杯，其包圍旋轉夾盤。於處理承杯之內部，劃分有引導基板之處理中所使用之藥液之流通空間。
又，美國專利申請公開第2018/025922號公報之處理單元構成為將於基板之處理中使用後之藥液回收，並將該回收之藥液再利用於之後之處理。因此，基板處理裝置進而包含：藥液貯槽，其貯存供給至藥液噴嘴之藥液；及回收配管，其將藥液自流通空間引導至藥液貯槽。處理承杯包含護罩，該護罩具有用以捕獲自基板之周邊飛散之處理液之內壁。
又，於美國專利申請公開第2015/090301號公報中，記載有一種使用清洗液清洗護罩之內壁而去除附著於該內壁之附著物之技術。更具體而言，於美國專利申請公開第2015/090301號公報中，記載有藉由於沖洗處理中改變自基板飛散之沖洗液之飛散方向，而使用沖洗液(清洗液)將附著物自護罩之內壁去除。
於處理單元中進行之基板處理包含：清洗處理，其係自基板去除微粒等污染、或抗蝕劑等去除對象物質(概括地稱為「污染物質」)；及蝕刻處理，其係自基板去除膜。因此，有自基板排出之藥液包含該等污染物質或膜等異物之虞。要求抑制或防止包含異物之藥液之回收。
因此，亦考慮廢棄於如自基板排出之藥液包含異物之期間利用護罩捕獲之藥液，且回收於如自基板排出之藥液不包含異物之期間利用護罩捕獲之藥液。
然而，因包含異物之藥液與不包含異物之藥液由共通之護罩接住，故而有異物經由護罩之內壁轉移至不包含異物之藥液之虞。其結果，有異物混入至原本不包含異物之藥液之虞。
因此，要求於處理承杯中，將包含異物之藥液自護罩之內壁去除。
又，美國專利申請公開第2015/090301號公報之清洗處理係於在藥液處理(使用有藥液之處理)結束後實施之沖洗處理中執行之處理。因此，無法應用於如本次之藥液處理中之藥液之去除。
即，期望於藥液處理中將殘留之異物自護罩之內壁去除。
因此，本發明之目的在於提供一種可將殘留之異物自護罩之內壁良好地去除之基板處理方法及基板處理裝置。
本發明提供一種基板處理方法，其包含：基板保持步驟，其係將基板保持為水平姿勢；藥液供給步驟，其係一面使上述基板繞通過該基板之中央部之鉛直之旋轉軸線旋轉，一面對上述基板之主面供給藥液；處理高度維持步驟，其係與上述藥液供給步驟並行地，將捕獲自上述基板排出之藥液之筒狀之第1護罩維持於處理高度位置；及清洗高度維持步驟，其係於上述處理高度維持步驟之後，與上述藥液供給步驟並行地，將上述第1護罩維持於被設定為較上述處理高度位置更靠下方之清洗高度位置。
藥液供給步驟開始後一段時間內，自基板排出之藥液中包含較多異物。即，包含異物之藥液被導入至處理承杯。隨著自藥液供給步驟開始後之時間經過，進行基板之藥液處理，自基板排出之藥液中所包含之異物之量減少。而且，當藥液供給步驟開始後經過特定時間時，自基板排出之藥液中不再包含異物。所謂「藥液中不包含異物」係指包含藥液中完全不包含異物、或藥液中幾乎不包含異物、或者藥液中所包含之異物之量較少之內容。
根據該方法，於藥液供給步驟中，第1護罩自目前為止之處理高度位置配置並變更為被設定成較處理高度位置更靠下方之清洗高度位置，其後，於特定之期間內維持於該清洗高度位置。
於第1護罩位於處理高度位置之狀態及位於清洗高度位置之狀態之兩者，自基板排出之藥液被第1護罩之內壁捕獲。被第1護罩之內壁捕獲之藥液因自重而朝向下方流動。
若以第1護罩之內壁為基準來考慮，則關於內壁之捕獲藥液之區域，相較第1護罩位於清洗高度位置之狀態，第1護罩位於處理高度位置之狀態處於較高之位置。因此，可利用由位於清洗高度位置之第1護罩捕獲之藥液，良好地沖洗由位於處理高度位置之第1護罩捕獲之藥液(即，包含異物之藥液)。藉此，可將殘留之異物自第1護罩之內壁良好地去除。
於本發明之一實施形態中，上述處理高度位置係可於第1區域中捕獲自上述基板排出之藥液之高度位置。而且，上述清洗高度位置係可於第2區域中捕獲自上述基板排出之藥液之高度位置，該第2區域被設定為較上述第1區域中被捕獲之藥液可到達之到達區域之上端更靠上方。
根據該方法，第2區域被設定為較位於處理高度位置之第1護罩之內壁所捕獲之於第1區域中被捕獲之藥液可到達之到達區域之上端更靠上方。因此，可利用由位於清洗高度位置之第1護罩捕獲之藥液，良好地沖洗附著於第1護罩之內壁之包含異物之藥液之大致全部。
於本發明之一實施形態中，上述基板處理方法進而包含護罩切換步驟，該護罩切換步驟係於上述清洗高度維持步驟之後，將配置於可捕獲自上述基板排出之藥液之位置之護罩自上述第1護罩切換為與上述第1護罩分開地設置之筒狀之第2護罩。
根據該方法，於配置於可捕獲藥液之位置之護罩自第1護罩切換為第2護罩之前，第1護罩自目前為止之處理高度位置配置並變更為清洗高度位置。其後，第1護罩於特定之期間內維持於該清洗高度位置。於護罩切換之前，將第1護罩配置於清洗高度位置並清洗該第1護罩之內壁，故而可於第1護罩之使用結束之前自第1護罩之內壁去除抗蝕劑。
於本發明之一實施形態中，上述護罩切換步驟包含如下步驟：於上述清洗高度維持步驟之後，不再次執行上述處理高度維持步驟，而將配置於可捕獲自上述基板排出之藥液之位置之護罩自上述第1護罩切換為上述第2護罩。
根據該方法，可於第1護罩之清洗後立即進行護罩之切換。藉此，可謀求處理時間之縮短。
如本發明之一實施形態般，上述基板處理方法亦可進而包含：一面使上述基板繞上述旋轉軸線旋轉，一面對上述基板供給種類與供給至上述基板之藥液不同之其他處理液的其他液體供給步驟；及於上述其他液體供給步驟中，將上述第1護罩配置於可捕獲自上述基板排出之其他處理液之位置的步驟。
於上述基板之上述主面亦可形成有抗蝕劑。又，於上述藥液供給步驟中供給至上述基板之上述主面之藥液亦可包含SPM(硫酸過氧化氫水混合液(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture)。
於藥液供給步驟中，形成於基板之抗蝕劑被SPM去除。於藥液供給步驟開始後，自基板排出之SPM中包含較多抗蝕劑殘渣。因此，將利用第1護罩之內壁捕獲包含較多抗蝕劑殘渣之SPM，故而有抗蝕劑殘渣殘留於第1護罩之內壁之虞。
根據該方法，可將殘留之抗蝕劑殘渣自第1護罩之內壁良好地去除。
本發明提供一種基板處理裝置，其包含：基板保持單元，其保持基板；旋轉單元，其用以使保持於上述基板保持單元之基板繞通過該基板之中央部之旋轉軸線旋轉；藥液供給單元，其用以對保持於上述基板保持單元之基板供給藥液；第1護罩，其包圍上述基板保持單元之周圍，且捕獲自保持於上述基板保持單元之基板排出之液體；護罩升降單元，其使上述第1護罩升降；及控制裝置，其控制上述旋轉單元、上述藥液供給單元及上述護罩升降單元；且上述控制裝置執行：藥液供給步驟，其係一面使上述基板繞上述旋轉軸線旋轉，一面對上述基板供給藥液；處理高度維持步驟，其係與上述藥液供給步驟並行地，將筒狀之第1護罩保持於處理高度位置；及清洗高度維持步驟，其係於上述處理高度維持步驟之後，與上述藥液供給步驟並行地，將上述第1護罩保持於較上述處理高度位置低之清洗高度位置。
根據該構成，於藥液供給步驟中，第1護罩自目前為止之處理高度位置配置並變更為被設定成較處理高度位置更靠下方之清洗高度位置，其後，於特定之期間內維持於該清洗高度位置。
於藥液供給步驟開始後，自基板排出之藥液中包含較多異物。隨著自藥液供給步驟開始後之時間經過，進行基板之藥液處理，自基板排出之藥液中所包含之異物之量減少。而且，當藥液供給步驟開始後經過特定時間時，自基板排出之藥液中不再包含異物。
於藥液供給步驟開始後，包含異物之藥液被第1護罩捕獲。又，於經過特定時間後，第1護罩配置並變更為較處理高度位置低之清洗高度位置。
於第1護罩位於清洗高度位置之狀態下，自基板排出之藥液亦被第1護罩之內壁捕獲。若以第1護罩之內壁為基準來考慮，則與第1護罩位於清洗高度位置之情形相比，於第1護罩位於處理高度位置之情形時，第1護罩之內壁之捕獲藥液之區域位於上方。因此，於第1護罩位於清洗高度位置之狀態下，被第1護罩之內壁捕獲之藥液朝向下方流動。而且，可利用該藥液沖洗由位於處理高度位置之第1護罩之內壁捕獲之包含異物之藥液。藉此，可將殘留之異物自第1護罩之內壁良好地去除。
於本發明之一實施形態中，上述處理高度位置係可於第1區域中捕獲自上述基板排出之藥液之高度位置，上述清洗高度位置係可於第2區域中捕獲自上述基板排出之藥液之高度位置，該第2區域被設定為較上述第1區域中被捕獲之藥液可到達之到達區域之上端更靠上方。
根據該構成，第2區域被設定為較位於處理高度位置之第1護罩之內壁所捕獲之於第1區域中被捕獲之藥液可到達之到達區域之上端更靠上方。因此，可利用由位於清洗高度位置之第1護罩捕獲之藥液，良好地沖洗附著於第1護罩之內壁之包含異物之藥液之大致全部。
於本發明之一實施形態中，進而包含第2護罩，該第2護罩與上述第1護罩分開地設置，且包圍上述基板保持單元之周圍，捕獲自保持於上述基板保持單元之基板排出之液體。而且，上述控制裝置進而執行護罩切換步驟，該護罩切換步驟係於上述清洗高度維持步驟之後，將配置於可捕獲自上述基板排出之藥液之位置之護罩自上述第1護罩切換為上述第2護罩。
根據該構成，於配置於可捕獲藥液之位置之護罩之自第1護罩向第2護罩之切換之前，第1護罩自目前為止之處理高度位置配置並變更為清洗高度位置。其後，於特定之期間內維持於該清洗高度位置。於護罩切換之前，將第1護罩配置於清洗高度位置並清洗該第1護罩之內壁，故而於切換護罩時，第1護罩之清洗完畢，於第1護罩之內壁未附著有包含異物之藥液。
於本發明之一實施形態中，上述控制裝置於上述護罩切換步驟中，執行如下步驟：於上述清洗高度維持步驟之後，不再次執行上述處理高度維持步驟，而將配置於可捕獲自上述基板排出之藥液之位置之護罩自上述第1護罩切換為上述第2護罩。
根據該構成，可於第1護罩之清洗後立即進行護罩之切換。藉此，可謀求處理時間之縮短。
上述基板處理裝置亦可進而包含其他液體供給單元，該其他液體供給單元係對保持於上述基板保持單元之基板供給種類與供給至上述基板之藥液不同之其他處理液。於此情形時，上述控制裝置亦可進而執行如下步驟：其他液體供給步驟，其係一面使上述基板繞上述旋轉軸線旋轉，一面對上述基板供給上述其他處理液；及於上述其他液體供給步驟中，將上述第1護罩配置於可捕獲自上述基板排出之其他處理液之位置。
於上述基板之上述主面亦可形成有抗蝕劑。又，於上述藥液供給步驟中供給至上述基板之上述主面之藥液亦可包含SPM。
於藥液供給步驟中，形成於基板之抗蝕劑被SPM去除。於藥液供給步驟開始後，自基板排出之SPM中包含較多抗蝕劑殘渣。因此，將利用第1護罩之內壁捕獲包含較多抗蝕劑殘渣之SPM，故而有抗蝕劑殘渣殘留於第1護罩之內壁之虞。
根據該構成，可將殘留之抗蝕劑殘渣自第1護罩之內壁良好地去除。
本發明之上述或進而其他目的、特徵及效果係藉由以下參照隨附圖式敍述之實施形態之說明而明確。
圖1係用以說明本發明之一實施形態之基板處理裝置1之內部的佈局之圖解性俯視圖。基板處理裝置1係將半導體晶圓等圓板狀之基板W逐片進行處理之單片式之裝置。
基板處理裝置1包含：複數個裝載埠口LP，其等保持收容基板W之複數個基板收容器C；複數個(例如12台)處理單元2，其等利用藥液等處理液對自複數個裝載埠口LP搬送來之基板W進行處理；搬送機械手，其等將基板W自複數個裝載埠口LP搬送至複數個處理單元2；及控制裝置3，其控制基板處理裝置1。搬送機械手包含：分度機械手IR，其於裝載埠口LP與處理單元2之間之路徑上搬送基板W；及基板搬送機械手CR，其於分度機械手IR與處理單元2之間之路徑上搬送基板W。
基板處理裝置1包含：複數個流體箱4，其等收容閥等；及貯存箱6，其收容貯存硫酸之硫酸貯槽27(參照圖2)等。處理單元2及流體箱4配置於基板處理裝置1之框架5中，由基板處理裝置1之框架5覆蓋。於圖1之例中，貯存箱6配置於基板處理裝置1之框架5之外，但亦可收容於框架5中。貯存箱6可為與複數個流體箱4對應之1個箱，亦可為與流體箱4一一對應地設置之複數個箱。
12台處理單元2形成以於俯視下包圍基板搬送機械手CR之方式配置之4個塔。各塔包含上下積層之3台處理單元2。4台貯存箱6對應於4個塔之各者。同樣地，4台流體箱4分別對應於4個塔。貯存於各貯存箱6內之硫酸貯槽27之硫酸經由與該貯存箱6對應之流體箱4供給至與該貯存箱6對應之3台處理單元2。
圖2係用以說明處理單元2之構成例之圖解性剖視圖。
處理單元2包含：箱形之腔室7，其具有內部空間；旋轉夾盤(基板保持單元)8，其將一片基板W以水平之姿勢保持於腔室7內，使基板W繞通過基板W之中心之鉛直之旋轉軸線A1旋轉；SPM供給單元(藥液供給單元)9，其用以對保持於旋轉夾盤8之基板W之上表面，供給作為藥液之一例之SPM(硫酸過氧化氫水混合液(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture))(包含H2 SO4 (硫酸)及H2 O2 (過氧化氫水)之混合液)；沖洗液供給單元(其他液體供給單元)10，其用以對保持於旋轉夾盤8之基板W之上表面供給沖洗液；及筒狀之處理承杯11，其包圍旋轉夾盤8。
腔室7包含：箱狀之間隔壁12；作為送風單元之FFU(風扇過濾器單元)14，其自間隔壁12之上部對間隔壁12內(相當於腔室7內)輸送潔淨空氣；及排氣裝置(未圖示)，其自間隔壁12之下部排出腔室7內之氣體。
如圖2所示，FFU14配置於間隔壁12之上方，且安裝於間隔壁12之頂壁。FFU14自間隔壁12之頂壁對腔室7內輸送潔淨空氣。排氣裝置(未圖示)經由連接於處理承杯11內之排氣管13連接於處理承杯11之底部，自處理承杯11之底部對處理承杯11之內部進行抽吸。藉由FFU14及排氣裝置(未圖示)，於腔室7內形成降流(下降流)。
作為旋轉夾盤8，採用於水平方向上夾著基板W並將基板W保持為水平之夾持式之夾盤。具體而言，旋轉夾盤8包含：旋轉馬達(旋轉單元)M；旋轉軸15，其與該旋轉馬達M之驅動軸一體化；及圓板狀之旋轉基座16，其大致水平地安裝於旋轉軸15之上端。
旋轉基座16包含具有較基板W之外徑大之外徑的水平之圓形之上表面16a。於上表面16a，在其周緣部配置有複數個(3個以上。例如6個)夾持構件17。複數個夾持構件17係於旋轉基座16之上表面周緣部，在與基板W之外周形狀對應之圓周上隔開適當之間隔而例如等間隔地配置。
SPM供給單元9包含：SPM噴嘴18；噴嘴臂19，其於前端部安裝有SPM噴嘴18；及噴嘴移動單元20，其藉由使噴嘴臂19移動而使SPM噴嘴18移動。
SPM噴嘴18係例如以連續流之狀態噴出SPM之直線噴嘴。SPM噴嘴18例如以朝與基板W之上表面垂直之方向噴出處理液之垂直姿勢安裝於噴嘴臂19。噴嘴臂19於水平方向上延伸。
噴嘴移動單元20藉由使噴嘴臂19繞擺動軸線水平移動，而使SPM噴嘴18水平地移動。噴嘴移動單元20使SPM噴嘴18於處理位置與退避位置之間水平地移動，該處理位置係自SPM噴嘴18噴出之SPM著液於基板W之上表面之位置，該退避位置係於俯視下在旋轉夾盤8之周圍設定有SPM噴嘴18之位置。於本實施形態中，處理位置係例如自SPM噴嘴18噴出之SPM著液於基板W之上表面中央部之中央位置。
SPM供給單元9進而包含：硫酸供給單元21，其對SPM噴嘴18供給H2 SO4 ；及過氧化氫水供給單元22，其對SPM噴嘴18供給H2 O2 。
硫酸供給單元21包含：硫酸配管23，其一端連接於SPM噴嘴18；硫酸閥24，其用以使硫酸配管23開閉；硫酸流量調整閥25，其調整硫酸配管23之開度，而調整於硫酸配管23中流通之H2 SO4 之流量；及硫酸供給部26，其連接有硫酸配管23之另一端。硫酸閥24及硫酸流量調整閥25收容於流體箱4。硫酸供給部26收容於貯存箱6。
硫酸流量調整閥25包含：閥主體，其於內部設置有閥座；閥體，其使閥座開閉；及致動器，其使閥體於開位置與閉位置之間移動。關於其他流量調整閥亦相同。
硫酸供給部26包含：硫酸貯槽27，其貯存應供給至硫酸配管23之H2 SO4 ；硫酸補充配管28，其對硫酸貯槽27補充H2 SO4 之新液；回收貯槽29；送液配管30，其用以將貯存於回收貯槽29之H2 SO4 輸送至硫酸貯槽27；第1送液裝置31，其使回收貯槽29內之H2 SO4 移動至送液配管30；硫酸供給配管32，其將硫酸貯槽27與硫酸配管23連接；溫度調整器33，其將於硫酸供給配管32中流通之硫酸加熱並進行溫度調整；及第2送液裝置34，其使硫酸貯槽27內之H2 SO4 移動至硫酸供給配管32。溫度調整器33可浸漬於硫酸貯槽27之H2 SO4 內，亦可如圖2所示般介裝於硫酸供給配管32之中途部。又，硫酸供給部26亦可進而具備：過濾器，其將流經硫酸供給配管32之硫酸過濾；及/或溫度計，其計測流經硫酸供給配管32之硫酸之溫度。再者，於本實施形態中，硫酸供給部26具有2個貯槽，但亦可省略回收貯槽29之構成，而採用將自處理承杯11回收之硫酸直接供給至硫酸貯槽27之構成。第1及第2送液裝置31、34例如為泵。泵吸入硫酸貯槽27內之H2 SO4 ，且噴出該吸入之H2 SO4 。
過氧化氫水供給單元22包含：過氧化氫水配管35，其連接於SPM噴嘴18；過氧化氫水閥36，其用以使過氧化氫水配管35開閉；及過氧化氫水流量調整閥37，其調整過氧化氫水閥36之開度，而調整於過氧化氫水閥36中流通之H2 O2 之流量。過氧化氫水閥36及過氧化氫水流量調整閥37收容於流體箱4。對過氧化氫水配管35，自收容於貯存箱6之過氧化氫水供給源供給未經溫度調整之常溫(約23℃)左右之H2 O2 。
當將硫酸閥24及過氧化氫水閥36打開時，來自硫酸配管23之H2 SO4 及來自過氧化氫水配管35之H2 O2 被供給至SPM噴嘴18之殼體(未圖示)內，於殼體內被充分地混合(攪拌)。藉由該混合，H2 SO4 與H2 O2 均勻地混合，藉由H2 SO4 與H2 O2 之反應而生成H2 SO4 及H2 O2 之混合液(SPM)。SPM包含氧化力較強之過氧單硫酸(Peroxomonosulfuric acid；H2 SO5 )，且升溫至較混合前之H2 SO4 及H2 O2 之溫度高之溫度(100℃以上。例如160~220℃)為止。所生成之高溫之SPM自於SPM噴嘴18之殼體之前端(例如下端)開口之噴出口噴出。
藉由利用硫酸流量調整閥25及過氧化氫水流量調整閥37調整硫酸配管23及過氧化氫水配管35之開度，可於特定之範圍內調整自SPM噴嘴18噴出之SPM之H2 SO4 濃度。自SPM噴嘴18噴出之SPM之H2 SO4 濃度(混合比)係以流量比計，於H2 SO4 :H2 O2 =20:1(富含硫酸之高濃度狀態)~2:1(富含過氧化氫水之低濃度狀態)之範圍內予以調整，更佳為於H2 SO4 :H2 O2 =10:1~5:1之範圍內予以調整。
硫酸供給部26將自處理承杯11回收之SPM再利用為H2 SO4 。自處理承杯11回收之SPM被供給至回收貯槽29，且貯存於回收貯槽29。隨時間經過，SPM中所包含之H2 O2 分解，貯存於回收貯槽29之SPM變化為硫酸。但，自SPM變化而來之硫酸包含較多水，故而必須調整濃度。於硫酸供給部26中，回收貯槽29內之H2 SO4 被輸送至硫酸貯槽27，於硫酸貯槽27中經濃度調整。藉此，SPM被再利用為H2 SO4 。
沖洗液供給單元10包含沖洗液噴嘴47。沖洗液噴嘴47係例如以連續流之狀態噴出液體之直線噴嘴，且於旋轉夾盤8之上方，以使其噴出口朝向基板W之上表面中央部之方式固定地配置。於沖洗液噴嘴47，連接有被供給來自沖洗液供給源之沖洗液之沖洗液配管48。於沖洗液配管48之中途部，介裝有用以切換來自沖洗液噴嘴47之沖洗液之供給/供給停止之沖洗液閥49。當將沖洗液閥49打開時，自沖洗液配管48供給至沖洗液噴嘴47之沖洗液自設定於沖洗液噴嘴47之下端之噴出口噴出。又，當將沖洗液閥49關閉時，自沖洗液配管48向沖洗液噴嘴47之沖洗液之供給停止。沖洗液例如為去離子水(DIW)，但並不限定於DIW，亦可為碳酸水、電解離子水、氫水、臭氧水、氨水及稀釋濃度(例如10 ppm~100 ppm左右)之鹽酸水之任一者。又，沖洗液可於常溫下使用，亦可進行加溫而成為溫水後使用。
又，沖洗液供給單元10亦可具備沖洗液噴嘴移動裝置，該沖洗液噴嘴移動裝置係藉由使沖洗液噴嘴47移動，而使沖洗液噴嘴47於基板W之面內掃描沖洗液相對於基板W之上表面之著液位置。
處理承杯11配置於較保持於旋轉夾盤8之基板W更靠外側(自旋轉軸線A1離開之方向)。處理承杯11係例如使用絕緣材料形成。處理承杯11包圍旋轉基座16之側方。當於旋轉夾盤8使基板W旋轉之狀態下，將處理液供給至基板W時，供給至基板W之處理液被甩落至基板W之周圍。於將處理液供給至基板W時，向上敞開之處理承杯11之上端部11a配置於較旋轉基座16更靠上方。因此，排出至基板W之周圍之藥液或水等處理液被處理承杯11接住。繼而，被處理承杯11接住之處理液被輸送至回收貯槽29或未圖示之廢液裝置。
處理承杯11包含：圓筒構件40；複數個承杯(第1及第2承杯41、42)，其等以於圓筒構件40之內側雙重包圍旋轉夾盤8之方式固定地配置；複數個護罩(第1、第2及第3護罩43、44、45)，其等用以接住朝基板W之周圍飛散之處理液(藥液或沖洗液)；及護罩升降單元46，其使各個護罩獨立地升降。護罩升降單元46例如為包含滾珠螺桿機構之構成。
處理承杯11可摺疊，護罩升降單元46使3個護罩中之至少一個升降，藉此進行處理承杯11之展開及摺疊。
第1承杯41形成為圓環狀，且於旋轉夾盤8與圓筒構件40之間包圍旋轉夾盤8之周圍。第1承杯41具有相對於基板W之旋轉軸線A1大致旋轉對稱之形狀。第1承杯41形成為剖面U字狀，且劃分出用以收集基板W之處理中所使用之處理液並排出之第1槽50。於第1槽50之底部之最低之部位，排液口51開口，於排液口51，連接有第1排液配管52。導入至第1排液配管52之處理液被輸送至排液裝置(未圖示。亦可為廢液裝置)，且由該裝置進行處理。
第2承杯42形成為圓環狀，且包圍第1承杯41之周圍。第2承杯42具有相對於基板W之旋轉軸線A1大致旋轉對稱之形狀。第2承杯42形成為剖面U字狀，且劃分出用以收集並回收基板W之處理中所使用之處理液之第2槽53。於第2槽53之底部之最低之部位，排液/回收口54開口，於排液/回收口54，連接有共用配管55。於共用配管55，分別分支連接有回收配管56及第2排液配管57。回收配管56之另一端連接於硫酸供給部26之回收貯槽29。於回收配管56介裝有回收閥58，於第2排液配管57介裝有排液閥59。藉由使排液閥59關閉且使回收閥58打開，而將通過共用配管55之液體引導至回收配管56。又，藉由使回收閥58關閉且使排液閥59打開，而將通過共用配管55之液體引導至第2排液配管57。即，回收閥58及排液閥59作為將通過共用配管55之液體之流通端於回收配管56與第2排液配管57之間進行切換之切換單元發揮功能。第2排液配管57專門用於在清洗第2護罩44之內壁44a、第2承杯42及共用配管55時，將該清洗液廢棄。
最內側之第1護罩43具有包圍旋轉夾盤8之周圍，且相對於根據旋轉夾盤8所形成之基板W之旋轉軸線A1大致旋轉對稱之形狀。第1護罩43包含：圓筒狀之下端部63，其包圍旋轉夾盤8之周圍；筒狀部64，其自下端部63之上端朝外側(遠離基板W之旋轉軸線A1之方向)延伸；圓筒狀之中段部65，其自筒狀部64之上表面外周部朝鉛直上方延伸；及圓環狀之上端部66，其自中段部65之上端朝向內側(靠近基板W之旋轉軸線A1之方向)朝斜上方延伸。下端部63係以位於第1槽50上，且第1護罩43與第1承杯41最為近接之狀態，收容於第1槽50之內部。上端部66之內周端形成為俯視下較保持於旋轉夾盤8之基板W直徑大之圓形。又，關於上端部66，如圖2所示，其剖面形狀可為直線狀，又，例如亦可一面描畫平滑之圓弧一面延伸。
自內側起第2個第2護罩44具有於第1護罩43之外側，包圍旋轉夾盤8之周圍，且相對於根據旋轉夾盤8所形成之基板W之旋轉軸線A1大致旋轉對稱之形狀。第2護罩44具有：圓筒部67，其與第1護罩43同軸；及上端部68，其自圓筒部67之上端朝中心側(靠近基板W之旋轉軸線A1之方向)斜上方延伸。上端部68之內周端形成為俯視下較保持於旋轉夾盤8之基板W直徑大之圓形。再者，關於上端部68，如圖2所示，其剖面形狀可為直線狀，又，例如亦可一面描畫平滑之圓弧一面延伸。上端部68之前端劃分出處理承杯11之上端部11a之開口。
圓筒部67位於第2槽53上。又，上端部68係以與第1護罩43之上端部66於上下方向上重疊之方式設置，且形成為於第1護罩43與第2護罩44最為近接之狀態下相對於上端部66保持微小之間隙而近接。
最外側之第3護罩45具有於第2護罩44之外側包圍旋轉夾盤8之周圍，且相對於根據旋轉夾盤8所形成之基板W之旋轉軸線A1大致旋轉對稱之形狀。第3護罩45具有：與第2護罩44同軸之圓筒部70；及上端部71，其自圓筒部70之上端朝中心側(靠近基板W之旋轉軸線A1之方向)斜上方延伸。上端部71之內周端形成為俯視下較保持於旋轉夾盤8之基板W直徑大之圓形。再者，關於上端部71，如圖2所示，其剖面形狀可為直線狀，又，例如亦可一面描畫平滑之圓弧一面延伸。
於本實施形態中，利用第1承杯41之第1槽50、第1護罩43之內壁43a及旋轉夾盤8之殼體之外周，劃分出引導基板W之處理中所使用之藥液之第1流通空間(換言之，排液空間)101。
又，利用第2承杯42之第2槽53、第1護罩43之外壁43b及第2護罩44之內壁44a，劃分出引導基板W之處理中所使用之藥液之第2流通空間(換言之，回收空間)102。第1流通空間101與第2流通空間102相互隔離。
護罩升降單元46使第1~第3護罩43~45分別於護罩之上端部位於較基板W更靠上方之上位置與護罩之上端部位於較基板W更靠下方之下位置之間升降。護罩升降單元46可於上位置與下位置之間之任意之位置保持各護罩。向基板W之處理液之供給或基板W之乾燥係於任一護罩(第1、第2或第3護罩43、44、45)與基板W之周端面對向之狀態下進行。
於使最內側之第1護罩43與基板W之周端面對向之處理承杯11之第1護罩對向狀態(參照圖6A)下，第1~第3護罩43~45之全部配置於上位置(處理高度位置)。於使自內側起第2個第2護罩44與基板W之周端面對向之處理承杯11之第2護罩對向狀態(參照圖6C)下，第2及第3護罩44、45配置於上位置，且第1護罩43配置於下位置。於使最外側之第3護罩45與基板W之周端面對向之處理承杯11之第3護罩對向狀態(參照圖6D)下，第3護罩45配置於上位置，且第1及第2護罩43、44配置於下位置。於使所有護罩自基板W之周端面退避之退避狀態(參照圖2)下，第1~第3護罩43~45之全部配置於下位置。
又，如下所述，於本實施形態中，作為第1護罩43與基板W之周端面對向之狀態，除準備有第1護罩對向狀態以外，亦準備有第1護罩清洗狀態，該第1護罩清洗狀態係將第2及第3護罩44、45均配置於上位置，且將第1護罩43配置於設定為較上位置(處理高度位置)PP(參照圖6A)更靠下方之清洗高度位置WP(參照圖6B)。
圖3係用以說明基板處理裝置1之主要部分之電性構成之方塊圖。
控制裝置3係例如使用微電腦構成。控制裝置3具有CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)等運算單元、固定記憶體裝置、硬碟驅動器等記憶單元、及輸入輸出單元。記憶單元包含記錄有運算單元所執行之電腦程式之電腦可讀取之記錄媒體。於記錄媒體，以使控制裝置3執行下述抗蝕劑去除處理之方式編入有步驟群。
控制裝置3按照預定之程式，控制旋轉馬達M、噴嘴移動單元20、護罩升降單元46、第1及第2送液裝置31、34、溫度調整器33等之動作。又，控制裝置3按照預定之程式，控制硫酸閥24、過氧化氫水閥36、沖洗液閥49等之開閉動作。又，控制裝置3按照預定之程式，調整硫酸流量調整閥25、過氧化氫水流量調整閥37之開度。
圖4係用以說明利用處理單元2之基板處理例之流程圖。一面參照圖1~圖4一面對基板處理例進行說明。
該基板處理例係自基板W之上表面(主面)去除抗蝕劑之抗蝕劑去除處理。抗蝕劑例如以樹脂(聚合物)等有機物、感光劑、添加劑、溶劑為主成分。於由處理單元2對基板W實施基板處理例時，高劑量下之離子注入處理後之基板W被搬入至腔室7之內部(圖4之S1)。基板W未接受用以使抗蝕劑灰化之處理。
控制裝置3係於噴嘴等全部自旋轉夾盤8之上方退避之狀態下，使保持有基板W之基板搬送機械手CR(參照圖1)之手部進入至腔室7之內部，藉此，基板W於使其表面(器件形成面)朝向上方之狀態下被交接至旋轉夾盤8，並保持於旋轉夾盤8(基板保持步驟)。
控制裝置3藉由旋轉馬達M使基板W之旋轉開始(圖4之S2。基板旋轉步驟)。基板W之轉速上升至預定之液體處理速度(於300~1500 rpm之範圍內，例如為500 rpm)，且維持於該液體處理速度。
當基板W之轉速達到液體處理速度時，控制裝置3執行SPM步驟(藥液供給步驟)S3。
具體而言，控制裝置3控制噴嘴移動單元20，使SPM噴嘴18自退避位置移動至處理位置。又，控制裝置3使硫酸閥24及過氧化氫水閥36同時打開。藉此，H2 SO4 通過硫酸配管23被供給至SPM噴嘴18，並且H2 O2 通過過氧化氫水配管35被供給至SPM噴嘴18。於SPM噴嘴18之內部將H2 SO4 與H2 O2 混合，生成高溫(例如160~220℃)之SPM。該SPM自SPM噴嘴18之噴出口噴出，且著液於基板W之上表面中央部。於本實施形態中，於SPM步驟S3之整個期間，SPM之濃度保持為固定。
自SPM噴嘴18噴出之SPM於著液於基板W之上表面之後，藉由離心力而沿著基板W之上表面朝外側流動。因此，SPM被供給至基板W之整個上表面，於基板W上形成覆蓋基板W之整個上表面之SPM之液膜。藉此，抗蝕劑與SPM發生化學反應，基板W上之抗蝕劑被SPM自基板W去除。移動至基板W之周緣部之SPM自基板W之周緣部朝向基板W之側方飛散。
又，亦可為於SPM步驟S3中，控制裝置3控制噴嘴移動單元20，使SPM噴嘴18於與基板W之上表面之周緣部對向之周緣位置和與基板W之上表面之中央部對向之中央位置之間移動。於此情形時，使基板W之上表面之SPM之著液位置於基板W之整個上表面進行掃描。藉此，可均勻地對基板W之整個上表面進行處理。
當自SPM之噴出開始經過預定期間時，控制裝置3使硫酸閥24及過氧化氫水閥36關閉，停止自SPM噴嘴18之SPM之噴出。藉此，SPM步驟S3結束。其後，控制裝置3控制噴嘴移動單元20(參照圖2)，使SPM噴嘴18返回至退避位置。
繼而，進行將沖洗液供給至基板W之沖洗步驟(其他液體供給步驟。圖4之S4)。具體而言，控制裝置3使沖洗液閥49打開，朝向基板W之上表面中央部自沖洗液噴嘴47噴出沖洗液。自沖洗液噴嘴47噴出之沖洗液著液於由SPM覆蓋之基板W之上表面中央部。著液於基板W之上表面中央部之沖洗液受到由基板W之旋轉產生之離心力而於基板W之上表面上朝向基板W之周緣部流動。藉此，基板W上之SPM被沖洗液沖刷至外側，且排出至基板W之周圍。藉此，於基板W之整個上表面，SPM及抗蝕劑(亦即抗蝕劑殘渣)被沖走。抗蝕劑殘渣例如為碳化物。當自沖洗步驟S4開始經過預定期間時，控制裝置3使沖洗液閥49關閉，使來自沖洗液噴嘴47之沖洗液之噴出停止。
繼而，進行使基板W乾燥之乾燥步驟(圖4之S5)。
於乾燥步驟S5中，具體而言，控制裝置3藉由控制旋轉馬達M，而使基板W加速至較SPM步驟S3及沖洗步驟S4之前之轉速大之乾燥轉速(例如數千rpm)為止，以乾燥轉速使基板W旋轉。藉此，較大之離心力施加至基板W上之液體，附著於基板W之液體被甩落至基板W之周圍。以此方式，自基板W去除液體，基板W乾燥。
繼而，當自基板W之高速旋轉開始後經過特定時間時，控制裝置3藉由控制旋轉馬達M，而使利用旋轉夾盤8之基板W之旋轉停止(圖4之S6)。
繼而，自腔室7內搬出基板W(圖4之S7)。具體而言，控制裝置3使基板搬送機械手CR之手部進入至腔室7之內部。繼而，控制裝置3使基板搬送機械手CR之手部保持旋轉夾盤8上之基板W。其後，控制裝置3使基板搬送機械手CR之手部自腔室7內退避。藉此，將已自表面(器件形成面)去除了抗蝕劑之基板W自腔室7搬出。
圖5係用以說明SPM步驟S3中之第1及第2護罩43、44之升降時點之時序圖。圖6A~6C係用以說明SPM步驟S3之圖解性圖。圖6D係用以說明乾燥步驟S5之圖解性圖。
一面參照圖2~圖5，一面對圖4所示之基板處理例中之第1及第2護罩43、44之升降(即，與基板W之周端面對向之護罩(配置於可捕獲自基板W排出之處理液之位置之護罩)之切換(護罩切換步驟))進行說明。適當參照圖6A~6D。
SPM步驟S3包含處理承杯11為第1護罩對向狀態之第1步驟T1、處理承杯11為第1護罩清洗狀態之第2步驟T2、及處理承杯11為第2護罩對向狀態之第3步驟T3。
SPM步驟S3開始後一段時間內，於基板W之表面存在較多之抗蝕劑殘渣(異物)，故而於此期間自基板W飛散之(排出之)SPM包含大量抗蝕劑殘渣。包含大量抗蝕劑殘渣之SPM不適於再利用，故而較佳為不回收而廢棄。另一方面，就考慮到環境之觀點而言，SPM之廢棄較佳為限制於最小限度，若自基板W排出之SPM不包含抗蝕劑殘渣，則該SPM較佳為回收並再利用。於本說明書中，所謂「不包含抗蝕劑殘渣」係包含「完全不包含抗蝕劑殘渣之」情形、「幾乎不包含抗蝕劑殘渣之」情形、及「僅包含少量抗蝕劑殘渣之」情形」之內容。
於圖4所示之基板處理例中，在基板搬入S1前，處理承杯11處於退避狀態。於SPM步驟S3中，將SPM噴嘴18配置於處理位置之後，控制裝置3控制護罩升降單元46，使第1~第3護罩43~45上升至上位置，藉此，如圖6A所示，使第1護罩43與基板W之周端面對向(實現第1護罩對向狀態)。藉此，開始第1步驟T1。於第1步驟T1中維持該狀態(處理高度維持步驟)。
於SPM步驟S3(第1步驟T1)中，自基板W之周緣部飛散之SPM著液於第1護罩43之內壁43a之環狀之第1區域R1。被內壁43a捕獲之SPM順著第1護罩43之內壁43a流下，被第1承杯41接收並輸送至第1排液配管52。輸送至第1排液配管52之SPM被輸送至裝置外之廢棄處理設備。
如上所述，SPM步驟S3開始後一段時間內，自基板W飛散之(排出之)SPM包含大量抗蝕劑殘渣。於第1步驟T1中，自基板W排出之包含抗蝕劑殘渣之SPM通過第1流通空間101排出。即，無需回收並再利用。
又，如圖6A、圖6B所示，於第1步驟T1中，著液於內壁43a之第1區域R1之SPM一面於上下方向上擴散，一面附著於第1護罩43之內壁43a。將著液於第1區域R1之SPM所到達之區域之上端設為到達區域上端(到達區域之上端)UR。自基板W飛散之SPM包含抗蝕劑殘渣RR(參照圖6A、圖6B)，故而有於第1護罩43之內壁43a中，在較環狀之到達區域上端UR更靠下方之區域附著有抗蝕劑殘渣RR之虞。
當自SPM之噴出開始經過特定之潔淨期間時，第1步驟T1結束，繼而，第2步驟T2開始。潔淨期間係指自SPM之噴出開始起，自基板W排出之SPM不再包含抗蝕劑殘渣之後之特定之期間。潔淨期間係事先藉由實驗等而求出，且記憶於控制裝置3之記憶單元。潔淨期間亦可基於各種條件(成為基板處理之對象之基板W之離子注入處理之條件(劑量)、形成於基板W之抗蝕劑之種類、第1步驟T1中之SPM之供給流量、及第1步驟T1中之SPM之供給濃度之至少一者)而不同。
具體而言，控制裝置3控制護罩升降單元46，使第1護罩43如圖6B所示般自目前為止之上位置PP(參照圖6A)下降至清洗高度位置WP(參照圖6B)為止(實現第1護罩清洗狀態)。其後，控制裝置3使第1護罩43維持於該清洗高度位置WP(清洗高度維持步驟)。
於第2步驟T2中，自SPM噴嘴18噴出之SPM之濃度、SPM之流量及基板W之轉速與第1步驟T1之情形相同。於第2步驟T2中，自基板W之周緣部飛散之SPM著液於第1護罩43之內壁43a之環狀之第2區域R2(位於清洗高度位置WP之第1護罩43之內壁43a進行捕獲之位置)。於第1護罩43之內壁43a中，第2區域R2位於較第1區域R1更靠上方。更具體而言，第2區域R2被設定為較到達區域上端UR更靠上方。因此，可利用由位於清洗高度位置WP之第1護罩43捕獲之SPM良好地沖洗附著於內壁43a之較環狀之到達區域上端UR更靠下方之區域之包含抗蝕劑殘渣之SPM的大致全部。該清洗只要可自內壁43a沖洗抗蝕劑殘渣便可。因此，使用作為藥液之SPM清洗內壁43a。
沿第1護罩43之內壁43a流下之SPM通過第1承杯41及第1排液配管52，被輸送至裝置外之廢棄處理設備。即，於第2步驟T2中，自基板W之周緣部飛散之SPM亦通過第1流通空間101排出。即，無需回收並再利用。
當自第1護罩43之向清洗高度位置WP之配置經過特定之清洗期間時，第2步驟T2結束，繼而，開始第3步驟T3。
即，與基板W之周端面對向之護罩自第1護罩43切換為第2護罩44(護罩切換步驟)。具體而言，控制裝置3控制護罩升降單元46，使第1護罩43如圖6C所示般，自目前為止之清洗高度位置WP(參照圖6B)下降至下位置為止(實現第2護罩對向狀態)。於該護罩切換時，自SPM噴嘴18噴出之SPM之流量、基板W之轉速無改變。
又，清洗期間係指足以自第1護罩43之內壁43a去除抗蝕劑殘渣之期間。潔淨期間係事先藉由實驗等而求出，且記憶於控制裝置3之記憶單元。
於第3步驟T3中，自SPM噴嘴18噴出之SPM之濃度、SPM之流量、基板W之轉速與第1步驟T1之情形相同。於第3步驟T3中，自基板W之周緣部飛散之SPM被第2護罩44之內壁44a捕獲。繼而，沿第2護罩44之內壁44a流下之SPM通過第2承杯42、共用配管55及回收配管56被輸送至硫酸供給部26之回收貯槽29。即，於第3步驟T3中，自基板W之周緣部飛散之SPM通過第2流通空間102被回收，供再利用。
其後，當到達SPM步驟S3之結束時點時，第3步驟T3亦結束。
又，於繼SPM步驟S3之後執行之沖洗步驟S4中，處理承杯11為第1護罩對向狀態。因此，第3步驟T3結束後，控制裝置3控制護罩升降單元46，使第1護罩43上升至上位置為止(實現第1護罩對向狀態)。
又，於乾燥步驟S5中，處理承杯11形成為第3護罩對向狀態。因此，於沖洗步驟S4結束後，控制裝置3控制護罩升降單元46，使第1及第2護罩43、44下降至下位置為止(實現第3護罩對向狀態)。
又，於基板W之搬出時(圖4之S7)之前，控制裝置3控制護罩升降單元46，使第3護罩45下降至下位置為止。藉此，第1~第3護罩43~45之全部配置於下位置(實現退避狀態)。
按照以上內容，根據本實施形態，於SPM步驟S3中，自基板W排出之SPM之流通端自處理承杯11之第1流通空間101切換為第2流通空間102。藉此，可使包含抗蝕劑殘渣之SPM、及不包含抗蝕劑殘渣之SPM流通至處理承杯11互不相同之第1及第2流通空間101、102。藉此，可使包含抗蝕劑殘渣之SPM及不包含抗蝕劑殘渣之SPM於處理承杯11之內部分離並流通。
又，於第1流通空間101中流通之SPM被導出至第1排液配管52，於第2流通空間102中流通之SPM被導出至回收配管56。因此，包含抗蝕劑殘渣之SPM於第1流通空間101中流通並被引導至第1排液配管52，不包含抗蝕劑殘渣之SPM於第2流通空間102中流通並被引導至回收配管56。藉此，可僅回收不包含抗蝕劑殘渣之SPM。故而，可有效地抑制或防止抗蝕劑殘渣混入至回收SPM。
又，藉由將與基板W之周端面對向之護罩於第1護罩43與第2護罩44之間進行切換，可將自基板W排出之SPM之流通端於第1流通空間101與第2流通空間102之間進行切換。藉此，可容易地進行自基板W排出之SPM之流通端之切換。
又，第1護罩43與第2護罩44為相互相鄰之護罩，故而僅藉由使第1護罩43下降，便可使第2護罩44與基板W之周端面對向。藉此，可順利地進行與基板W之周端面對向之護罩之切換。
又，於護罩切換時，於第1護罩43之升降動作之整個期間持續進行對基板W之SPM之供給。於此情形時，與於第1護罩43之升降動作中中斷對基板W之SPM之供給之情形相比，可縮短SPM步驟S3所需之期間，可謀求產出量之提高。
又，根據本實施形態，於SPM步驟S3中，第1護罩43自目前為止之上位置PP配置並變更為設定於較上位置PP更靠下方之清洗高度位置WP，其後，於特定之期間內維持於該清洗高度位置WP。
於第1護罩43位於上位置PP之狀態及位於清洗高度位置WP之狀態之兩者，自基板W排出之SPM由第1護罩43之內壁43a捕獲。由第1護罩43之內壁43a捕獲之SPM因自重而朝向下方流動。
又，於第1護罩43之內壁43a中，第2區域R2被設定為較到達區域上端UR更靠上方。因此，可利用由位於清洗高度位置WP之第1護罩43捕獲之SPM良好地沖洗附著於內壁43a之較環狀之到達區域上端UR更靠下方之區域之包含抗蝕劑殘渣之SPM的大致全部。
又，於與基板W之周端面對向之護罩之自第1護罩43向第2護罩44之切換之前，第1護罩43自目前為止之上位置PP配置並變更為清洗高度位置WP，其後，於特定之期間內維持於該清洗高度位置WP。於第1及第2護罩43、44之切換之前，將第1護罩43配置於清洗高度位置WP並清洗第1護罩43之內壁43a，故而可於第1護罩43之使用結束之前自第1護罩43之內壁43a去除抗蝕劑殘渣。
又，於第1護罩43配置於清洗高度位置之後，第1護罩43不會再次配置於處理高度位置，與基板W之周端面對向之護罩自第1護罩43切換為第2護罩44。藉此，可於第1護罩43之清洗後，立即進行第1及第2護罩43、44之切換。藉此，可謀求SPM步驟S3之處理時間之縮短化。
以上，對本發明之一實施形態進行了說明，但本發明亦可進而以其他形態實施。
例如，第1護罩43之清洗(第2步驟T2)係設為於SPM步驟S3中僅進行1次進行了說明，但亦可於SPM步驟S3中反覆執行複數次第1護罩43之清洗(第2步驟T2)。
又，設為於第1護罩43之清洗(第2步驟T2)之後，立即進行護罩切換(移行至第3步驟T3)進行了說明，但亦可為於在第1護罩43之清洗(第2步驟T2)之後，執行第1步驟T1(即，實現處理承杯11之第1對向狀態)之後，立即進行護罩切換(移行至第3步驟T3)。
又，亦可省略第3步驟T3。於此情形時，SPM步驟S3包含第1步驟T1與第2步驟T2。
又，於第1護罩43中執行了護罩之清洗，但亦可為利用其他護罩(即，第2護罩44及/或第3護罩45)進行護罩之清洗。
又，於上述實施形態之基板處理裝置1中，列舉將所回收之SPM再利用為硫酸之構成為例進行了說明，但亦可為不將所回收之SPM再利用於該基板處理裝置1中，而利用於其他裝置等。
又，亦可為回收配管56不經由共用配管55而直接連接於第2承杯42之底部。貯存於第2承杯42之SPM經由共用配管55被回收至硫酸供給部26。於此情形時，第2排液配管57以及切換單元(回收閥58及排液閥59)被廢除。
又，於上述基板處理例中，亦可為於SPM步驟S3之前，執行使用第1清洗藥液清洗基板W之上表面之第1清洗步驟。作為此種第1清洗藥液，例如可例示氫氟酸(HF)。該第1清洗步驟係於處理承杯11處於第1護罩對向狀態之狀態下執行。於執行第1清洗步驟之情形時，其後，執行利用沖洗液沖洗第1清洗藥液之第2沖洗步驟。該第2沖洗步驟係於處理承杯11處於第1護罩對向狀態之狀態下執行。
又，於上述基板處理例中，亦可為於SPM步驟S3之後且沖洗步驟S4之前，執行將H2 O2 供給至基板W之上表面(表面)之過氧化氫水供給步驟。於此情形時，控制裝置3一面維持使過氧化氫水閥36打開之狀態一面僅使硫酸閥24關閉。藉此，對SPM噴嘴18僅供給H2 O2 ，自SPM噴嘴18之噴出口噴出H2 O2 。於該過氧化氫水供給步驟中，處理承杯11為第1護罩對向狀態。
又，於上述基板處理例中，亦可為於沖洗步驟S4之後，執行使用第2清洗藥液清洗基板W之上表面之第2清洗步驟。作為此種第2清洗藥液，例如可例示SC1(包含NH4 OH與H2 O2 之混合液)。該第2清洗步驟係於處理承杯11處於第1護罩對向狀態之狀態下執行。於執行第2清洗步驟之情形時，其後，執行利用沖洗液沖洗第2清洗藥液之第3沖洗步驟。該第3沖洗步驟係於處理承杯11處於第1護罩對向狀態之狀態下執行。
又，亦可為於乾燥步驟S5之前，執行有機溶劑置換步驟，該有機溶劑置換步驟係供給具有低表面張力之有機溶劑(乾燥液)，利用有機溶劑置換基板W之上表面上之沖洗液。該有機溶劑置換步驟係於處理承杯11處於第3護罩對向狀態之狀態下執行。
又，於第1及第2實施形態中，作為SPM供給單元9，列舉於SPM噴嘴18之內部進行H2 SO4 及H2 O2 之混合之噴嘴混合類型者為例進行了說明，但亦可採用配管混合類型者，該配管混合類型者係設置經由配管連接於SPM噴嘴18之上游側之混合部，且於該混合部中進行H2 SO4 與H2 O2 之混合。
又，於圖4之基板處理例中，列舉抗蝕劑去除處理為例，但並不限定於抗蝕劑，亦可為使用SPM去除其他有機物之處理。
又，供給至基板W之藥液並不限於SPM，亦可為其他藥液。例如可例示BHF(Buffered Hydrofluoric Acid，緩衝氫氟酸)、DHF(稀氫氟酸)、SC1(氨過氧化氫水混合液)、SC2(鹽酸過氧化氫水混合液)、有機溶劑(例如NMP(N-Methyl pyrrolidone，N-甲基吡咯烷酮)或丙酮)、硝酸、磷酸銨、檸檬酸、硫酸、稀硫酸、硝氟酸、HF原液、王水、TMAH(氫氧化四甲基銨水溶液)等有機酸及該等有機酸之混合液。除此以外，亦可為O3 水。於此情形時，作為藥液中所包含之異物，存在金屬、Si及有機物。
又，列舉處理承杯11為3段者為例進行了說明，但處理承杯11可為1段(單承杯)或2段，亦可為4段以上之多段承杯。
又，於上述實施形態中，關於基板處理裝置1為對由半導體晶圓構成之基板W之表面進行處理之裝置之情形進行了說明，但基板處理裝置亦可為對液晶顯示裝置用基板、有機EL(electroluminescence)顯示裝置等FPD(Flat Panel Display)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板、太陽電池用基板等基板進行處理之裝置。
對本發明之實施形態進行了詳細說明，但該等只不過為用以明確本發明之技術性內容之具體例，本發明不應限定於該等具體例進行解釋，本發明之範圍僅由隨附之申請專利範圍限定。
本申請案對應於2018年3月26日於日本專利局提出申請之日本專利特願2018-057502號，本申請案之全部揭示係藉由引用而併入本文。
1‧‧‧基板處理裝置 2‧‧‧處理單元 3‧‧‧控制裝置 4‧‧‧流體箱 5‧‧‧框架 6‧‧‧貯存箱 7‧‧‧腔室 8‧‧‧旋轉夾盤 9‧‧‧SPM供給單元 10‧‧‧沖洗液供給單元 11‧‧‧處理承杯 11a‧‧‧上端部 12‧‧‧間隔壁 13‧‧‧排氣管 14‧‧‧FFU(風扇過濾器單元) 15‧‧‧旋轉軸 16‧‧‧旋轉基座 16a‧‧‧上表面 17‧‧‧夾持構件 18‧‧‧SPM噴嘴 19‧‧‧噴嘴臂 20‧‧‧噴嘴移動單元 21‧‧‧硫酸供給單元 22‧‧‧過氧化氫水供給單元 23‧‧‧硫酸配管 24‧‧‧硫酸閥 25‧‧‧硫酸流量調整閥 26‧‧‧硫酸供給部 27‧‧‧硫酸貯槽 28‧‧‧硫酸補充配管 29‧‧‧回收貯槽 30‧‧‧送液配管 31‧‧‧第1送液裝置 32‧‧‧硫酸供給配管 33‧‧‧溫度調整器 34‧‧‧第2送液裝置 35‧‧‧過氧化氫水配管 36‧‧‧過氧化氫水閥 37‧‧‧過氧化氫水流量調整閥 40‧‧‧圓筒構件 41‧‧‧第1承杯 42‧‧‧第2承杯 43‧‧‧第1護罩 43a‧‧‧內壁 43b‧‧‧外壁 44‧‧‧第2護罩 44a‧‧‧內壁 45‧‧‧第3護罩 46‧‧‧護罩升降單元 47‧‧‧沖洗液噴嘴 48‧‧‧沖洗液配管 49‧‧‧沖洗液閥 50‧‧‧第1槽 51‧‧‧排液口 52‧‧‧第1排液配管 53‧‧‧第2槽 54‧‧‧回收口 55‧‧‧共用配管 56‧‧‧回收配管 57‧‧‧第2排液配管 58‧‧‧回收閥 59‧‧‧排液閥 63‧‧‧下端部 64‧‧‧筒狀部 65‧‧‧中段部 66‧‧‧上端部 67‧‧‧圓筒部 68‧‧‧上端部 70‧‧‧圓筒部 71‧‧‧上端部 101‧‧‧第1流通空間 102‧‧‧第2流通空間 A1‧‧‧旋轉軸線 C‧‧‧基板收容器 CR‧‧‧基板搬送機械手 IR‧‧‧分度機械手 LP‧‧‧裝載埠口 M‧‧‧旋轉馬達 PP‧‧‧上位置 R1‧‧‧第1區域 R2‧‧‧第2區域 RR‧‧‧抗蝕劑殘渣 S1‧‧‧基板搬入 S2‧‧‧基板旋轉步驟 S3‧‧‧SPM步驟 S4‧‧‧沖洗步驟 S5‧‧‧乾燥步驟 S6‧‧‧基板旋轉停止 S7‧‧‧基板搬出 T1‧‧‧第1步驟 T2‧‧‧第2步驟 T3‧‧‧第3步驟 UR‧‧‧到達區域上端 W‧‧‧基板 WP‧‧‧清洗高度位置
圖1係用以說明本發明之一實施形態之基板處理裝置之內部的佈局之圖解性俯視圖。 圖2係用以說明上述基板處理裝置所具備之處理單元之構成例之圖解性剖視圖。 圖3係用以說明上述基板處理裝置之主要部分之電性構成之方塊圖。 圖4係用以說明利用上述處理單元之基板處理例之流程圖。 圖5係用以說明SPM步驟中之護罩之升降時點之時序圖。 圖6A~6C係用以說明SPM步驟之圖解性圖。 圖6D係用以說明乾燥步驟之圖解性圖。
1‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧處理單元
3‧‧‧控制裝置
4‧‧‧流體箱
5‧‧‧框架
6‧‧‧貯存箱
7‧‧‧腔室
11‧‧‧處理承杯
C‧‧‧基板收容器
CR‧‧‧基板搬送機械手
IR‧‧‧分度機械手
LP‧‧‧裝載埠口
W‧‧‧基板

Claims (10)

  1. 一種基板處理方法，其包含：基板保持步驟，其係將基板保持為水平姿勢；藥液供給步驟，其係一面使上述基板繞通過該基板之中央部之鉛直之旋轉軸線旋轉，一面對上述基板之主面供給藥液以處理上述基板；處理高度維持步驟，其係與上述藥液供給步驟並行地，將捕獲自上述基板排出之藥液之筒狀之第1護罩維持於可於設定於上述第1護罩之第1區域中捕獲自上述基板排出之藥液之高度位置即處理高度位置，而藉由上述第1護罩捕獲自上述基板排出之藥液；清洗高度維持步驟，其係於上述處理高度維持步驟之後，與上述藥液供給步驟並行地，將捕獲自上述基板排出之藥液之筒狀之上述第1護罩維持於被設定為較上述處理高度位置更靠下方之可於第2區域中捕獲自上述基板排出之藥液之高度位置即清洗高度位置，而藉由自上述基板排出之藥液清洗上述第1護罩之內壁，且該第2區域係於上述第1護罩中被設定為較上述第1區域中被捕獲之藥液可到達之到達區域之上端更靠上方；及護罩切換步驟，其係於上述清洗高度維持步驟之後，與上述藥液供給步驟並行地，將配置於可捕獲自上述基板排出之藥液之位置之護罩自上述第1護罩切換為與上述第1護罩分別地設置之筒狀之第2護罩；且於上述清洗高度維持步驟中，自上述基板排出之不包含異物之藥液係由上述第1護罩捕獲；且於上述處理高度維持步驟、上述清洗高度維持步驟以及上述護罩切換步驟中，由上述第1護罩或上述第2護罩所捕獲之藥液與於上述藥液供給 步驟中為處理上述基板而對上述主面所供給之藥液為同種藥液。
  2. 如請求項1之基板處理方法，其中於上述處理高度維持步驟及上述清洗高度維持步驟中，上述基板之旋轉速度彼此相同。
  3. 如請求項1或2之基板處理方法，其中上述護罩切換步驟包含如下步驟：於上述清洗高度維持步驟之後，不再次執行上述處理高度維持步驟，而將配置於可捕獲自上述基板排出之藥液之位置之護罩自上述第1護罩切換為上述第2護罩。
  4. 如請求項1或2之基板處理方法，其進而包含：一面使上述基板繞上述旋轉軸線旋轉，一面對上述基板供給種類與供給至上述基板之藥液不同之其他處理液的其他液體供給步驟；及於上述其他液體供給步驟中，將上述第1護罩配置於可捕獲自上述基板排出之上述其他處理液之位置的步驟。
  5. 如請求項1或2之基板處理方法，其中於上述基板之上述主面形成有抗蝕劑，於上述藥液供給步驟中供給至上述基板之上述主面之藥液包含SPM。
  6. 一種基板處理裝置，其包含：基板保持單元，其保持基板； 旋轉單元，其用以使保持於上述基板保持單元之基板繞通過該基板之中央部之旋轉軸線旋轉；藥液供給單元，其用以對保持於上述基板保持單元之基板之主面供給藥液以處理上述基板；第1護罩，其係為筒狀，包圍上述基板保持單元之周圍，且捕獲自保持於上述基板保持單元之基板排出之液體；護罩升降單元，其使上述第1護罩升降；第2護罩，其與上述第1護罩分別地設置，包圍上述基板保持單元之周圍，且捕獲自保持於上述基板保持單元之基板排出之液體；及控制裝置，其控制上述旋轉單元、上述藥液供給單元及上述護罩升降單元；且上述控制裝置執行：藥液供給步驟，其係一面使上述基板繞上述旋轉軸線旋轉，一面對上述基板供給藥液；處理高度維持步驟，其係與上述藥液供給步驟並行地，將捕獲自上述基板排出之藥液之筒狀之上述第1護罩維持於可於設定於上述第1護罩之第1區域中捕獲自上述基板排出之藥液之高度位置即處理高度位置，而藉由上述第1護罩捕獲自上述基板排出之藥液；清洗高度維持步驟，其係於上述處理高度維持步驟之後，於上述藥液供給步驟中與藉由上述第1護罩捕獲自上述基板排出之藥液時並行地，將上述第1護罩維持於較上述處理高度位置低之可於第2區域中捕獲自上述基板排出之藥液之高度位置即清洗高度位置，而藉由自上述基板排出之藥液清洗上述第1護罩之內壁，且該第2區域係於上述第1護罩中被設定為較 上述第1區域中被捕獲之藥液可到達之到達區域之上端更靠上方；及護罩切換步驟，其係於上述清洗高度維持步驟之後，與上述藥液供給步驟並行地，將配置於可捕獲自上述基板排出之藥液之位置之護罩自上述第1護罩切換為第2護罩；且於上述清洗高度維持步驟中，自上述基板排出之不包含異物之藥液係由上述第1護罩捕獲，且於上述處理高度維持步驟、上述清洗高度維持步驟以及上述護罩切換步驟中，由上述第1護罩或上述第2護罩所捕獲之藥液與於上述藥液供給步驟中為處理上述基板而對上述主面所供給之藥液為同種藥液。
  7. 如請求項6之基板處理裝置，其中於上述處理高度維持步驟及上述清洗高度維持步驟中，上述基板之旋轉速度彼此相同。
  8. 如請求項6或7之基板處理裝置，其中上述控制裝置於上述護罩切換步驟中，執行如下步驟：於上述清洗高度維持步驟之後，不再次執行上述處理高度維持步驟，而將配置於可捕獲自上述基板排出之藥液之位置之護罩自上述第1護罩切換為上述第2護罩。
  9. 如請求項6或7之基板處理裝置，其進而包含其他液體供給單元，該其他液體供給單元係對保持於上述基板保持單元之基板供給種類與供給至上述基板之藥液不同之其他處理液，上述控制裝置進而執行：一面使上述基板繞上述旋轉軸線旋轉，一面控制上述其他液體供給單元而對上述基板供給上述其他處理液的其他液 體供給步驟；及於上述其他液體供給步驟中，將上述第1護罩配置於可捕獲自上述基板排出之上述其他處理液之位置的步驟。
  10. 如請求項6或7之基板處理裝置，其中於上述基板之上述主面形成有抗蝕劑，於上述藥液供給步驟中供給至上述基板之上述主面之藥液包含SPM。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6715019B2 (ja) * 2016-02-09 2020-07-01 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
WO2020218815A1 (ko) * 2019-04-23 2020-10-29 주식회사 제우스 식각장치 및 그 식각방법
KR102649167B1 (ko) * 2020-09-09 2024-03-19 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2023127833A (ja) * 2022-03-02 2023-09-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP2024106118A (ja) * 2023-01-26 2024-08-07 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法及び基板処理装置
CN116013844B (zh) * 2023-03-27 2023-06-16 四川上特科技有限公司 一种晶圆覆硼夹具及覆硼装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200910494A (en) * 2006-12-19 2009-03-01 Dainippon Screen Mfg Recovery cup cleaning method and substrate treatment apparatus
TW201517998A (zh) * 2013-08-08 2015-05-16 Screen Holdings Co Ltd 基板處理裝置及基板處理方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1133468A (ja) * 1997-07-23 1999-02-09 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 回転式基板処理装置およびカップの洗浄方法
JP4172781B2 (ja) * 2003-08-26 2008-10-29 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP5129042B2 (ja) 2008-06-30 2013-01-23 芝浦メカトロニクス株式会社 基板の処理装置
US8987421B2 (en) * 2013-02-15 2015-03-24 Immunomedics, Inc. Chimeric and humanized anti-histone antibodies
JP6229933B2 (ja) 2013-09-27 2017-11-15 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 処理カップ洗浄方法、基板処理方法および基板処理装置
JP6502037B2 (ja) * 2014-08-15 2019-04-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6473357B2 (ja) * 2015-03-18 2019-02-20 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
KR20160147163A (ko) * 2015-06-12 2016-12-22 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 세정 방법
JP6722532B2 (ja) * 2016-07-19 2020-07-15 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および処理カップ洗浄方法
JP6708508B2 (ja) * 2016-07-26 2020-06-10 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP6817748B2 (ja) * 2016-08-24 2021-01-20 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6722551B2 (ja) * 2016-08-31 2020-07-15 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法
JP6762184B2 (ja) * 2016-09-26 2020-09-30 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 回収配管洗浄方法および基板処理装置
JP6725384B2 (ja) * 2016-09-26 2020-07-15 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200910494A (en) * 2006-12-19 2009-03-01 Dainippon Screen Mfg Recovery cup cleaning method and substrate treatment apparatus
TW201517998A (zh) * 2013-08-08 2015-05-16 Screen Holdings Co Ltd 基板處理裝置及基板處理方法

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