TWI673115B - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

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TWI673115B TW106116884A TW106116884A TWI673115B TW I673115 B TWI673115 B TW I673115B TW 106116884 A TW106116884 A TW 106116884A TW 106116884 A TW106116884 A TW 106116884A TW I673115 B TWI673115 B TW I673115B
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Abstract

基板處理裝置係包含有：基板保持單元，係一邊水平地保持基板，一邊使前述基板繞著通過前述基板的中央部之鉛直的旋轉軸線旋轉；對向構件，係具有與前述基板的上表面相對向之對向面；以及處理液噴出單元，係包含有：中央部噴出口，係在前述對向面中與前述基板的上表面中央部相對向並呈開口；以及外周部噴出口，係在前述對向面中與前述基板的上表面外周部相對向並呈開口；前述處理液噴出單元係從前述中央部噴出口噴出處理液並將處理液供給至前述基板與前述對向面之間，且從前述外周部噴出口噴出處理液並將處理液補充至前述基板與前述對向面之間。

Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明係有關於一種基板處理裝置及基板處理方法。成為處理對象之基板係例如包括半導體晶圓、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、FED(Field Emission Display；場發射顯示器)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩(photomask)用基板、陶瓷基板、太陽電池用基板等。
在半導體裝置或液晶顯示裝置等製造步驟中，對半導體晶圓或液晶顯示裝置用玻璃基板等基板進行使用了處理液之處理。於日本特開2010-123884號公報揭示了一種用以逐片處理基板之葉片式的基板處理裝置。在此文獻中提案了一種技術，係將基板的上表面與阻隔板的下表面之間保持成處理液的液密狀態，藉此對基板的上表面的全域施予處理。具體而言，將阻隔板配置成接近基板的上表面，且從設置於阻隔板的下表面的中央部(在阻隔板的下表面中與基板的上表面中央部相對向)之中央部噴出口噴出處理液，藉此將處理液供給至基板的上表面與阻隔板的下表面之間的狹窄空間。從中央部噴出口朝該狹窄空間噴出的 處理液係充滿於該狹窄空間。
然而，在日本特開2010-123884號公報的手法中，由於僅從中央部噴出口將處理液供給至狹窄空間，因此有處理液在基板的外周部中處理液斷絕之虞。因此，有基板的上表面外周部與對向面之間未充分地被處理液充滿之虞。
當基板的上表面外周部與對向面之間未充分地被處理液充滿時，有基板的上表面外周部的至少一部分露出於該上表面外周部與對向面之間的氛圍之虞。
在此情形中，有基板的上表面外周部中的處理速率降低且於基板的上表面外周部產生處理殘留之虞。結果，無法均勻地處理基板的上表面。
亦即，謀求不僅以處理液良好地充滿基板的上表面中央部與對向面之間，更良好地充滿基板的上表面外周部與對向面之間，俾對基板的上表面施予均勻的處理液處理。
因此，本發明的目的係提供一種基板處理裝置及基板處理方法，不僅能以處理液良好地充滿基板的上表面中央部與對向面之間，更能良好地充滿基板的上表面外周部與對向面之間，藉此能對基板的上表面施予均勻的處理液處理。
本發明提供一種基板處理裝置，係包含有：基板保持單元，係一邊水平地保持基板，一邊使前述基板繞著通過前述基板的中央部之鉛直的旋轉軸線旋轉；對向構件，係具有與前述基板的上表面相對向之對向面；以及處理液噴出單元， 係包含有：中央部噴出口，係在前述對向面中與前述基板的上表面中央部相對向並呈開口；以及外周部噴出口，係在前述對向面中與前述基板的上表面外周部相對向並呈開口；前述處理液噴出單元係從前述中央部噴出口噴出處理液並將處理液供給至前述基板與前述對向面之間，且從前述外周部噴出口噴出處理液並將處理液補充至前述基板與前述對向面之間。
依據此構成，由於藉由從外周部噴出口噴出的處理液將處理液補充至基板的上表面外周部與對向面之間，因此能使處理液充分地遍及至基板的上表面外周部。藉此，不僅能以處理液良好地充滿基板的上表面中央部與對向面之間，更能良好地充滿基板的上表面外周部與對向面之間，因此能對基板的上表面施予均勻的處理液處理。
在本發明的實施形態之一中，前述處理液噴出單元係包含有：儲液部，係設置於前述對向構件，並能預先儲留從前述外周部噴出口噴出的處理液。
依據此構成，從外周部噴出口噴出儲留在設置於對向構件的儲液部之處理液。由於將儲液部及外周部噴出口兩者設置於外周部，因此能良好地將處理液供給至外周部噴出口。
此外，前述處理液噴出單元亦可進一步包含有：連通孔，係連通前述儲液部的內部與前述外周部噴出口。在此情形中，亦可為：於前述基板的前述上表面外周部與前述對向面中的前述外周部噴出口的周圍之間流通流體，並藉 由該流體的流通所伴隨的前述連通孔的減壓將儲留於前述儲液部的處理液經由前述連通孔從前述外周部噴出口噴出。
依據此構成，伴隨著流體於基板的上表面外周部與對向面之間流動，外周部噴出口及連通孔被減壓。當在處理液儲留於儲液部的狀態下外周部噴出口及連通孔被減壓時，儲留於儲液部的處理液係藉由文氏管(venturi)功效被導引至連通孔並從外周部噴出口噴出。因此，在處理液儲留於儲液部的狀態下，伴隨著流體於基板的上表面外周部與對向面之間流通，處理液係從外周部噴出口噴出。藉此，在通常預先將處理液儲留於儲液部且流體於基板的上表面外周部與對向面之間流通之情形中，能實現可將處理液從外周部噴出口噴出之構成。
此外，於前述基板的前述上表面外周部與前述對向面中的前述外周部噴出口的周圍之間流通之前述流體亦可為處理液。
依據此構成，伴隨著處理液於基板的上表面外周部與對向面之間流動，外周部噴出口及連通孔被減壓。當在處理液儲留於儲液部的狀態下外周部噴出口及連通孔被減壓時，儲留於儲液部的處理液係藉由文氏管功效被導引至連通孔並從外周部噴出口噴出。因此，在處理液儲留於儲液部的狀態下，伴隨著從中央部噴出口噴出的處理液於基板的上表面外周部與對向面之間流通，可從外周部噴出口噴出處理液。藉此，無須對外周部噴出口送出處理液而能從 外周部噴出口噴出處理液，因此可省略用以對外周部噴出口送出處理液之構成。
此外，於前述基板的前述上表面外周部與前述對向面中的前述外周部噴出口的周圍之間流通之前述流體亦可為氣體。
依據此構成，伴隨著氣體於基板的上表面外周部與對向面之間流動，外周部噴出口及連通孔被減壓。當在處理液儲留於儲液部的狀態下外周部噴出口及連通孔被減壓時，儲留於儲液部的處理液係藉由文氏管功效被導引至連通孔並從外周部噴出口噴出。因此，在處理液儲留於儲液部的狀態下，伴隨著氣體於基板的上表面外周部與對向面之間流通，處理液係從外周部噴出口被噴出。藉此，在通常預先將處理液儲留於儲液部且氣體於基板的上表面外周部與對向面之間流通之情形中，能實現可將處理液從外周部噴出口噴出之構成。
此外，亦可以加速於前述基板的前述上表面外周部與前述對向面中的前述外周部噴出口的周圍之間流動之前述流體的流速之方式於前述對向面中的前述外周部噴出口的周圍設置有突部。
依據此構成，藉由於對向面設置突部，能加速於基板的上表面外周部與對向面中的外周部噴出口的周圍之間流動之流體的流速。藉此，能使從儲液部經由連通孔朝外周部噴出口導引之處理液的量增大。結果，能從外周部噴出口噴出充分的流量的處理液。
此外，亦可以加速於前述基板的前述上表面外周部與前述對向面中的前述外周部噴出口的周圍之間流動之前述流體的流速之方式於前述對向面中之比前述外周部噴出口還靠近前述對向構件的外周側設置有較厚部。
依據此構成，藉由於對向面中之比外周部噴出口還靠近對向構件的外周側設置較厚部，能加速於基板的上表面外周部與對向面中的外周部噴出口的周圍之間流動之流體的流速。藉此，增大從儲液部經由連通孔朝外周部噴出口導引之處理液的量。結果，能從外周部噴出口噴出充分的流量的處理液。
此外，前述外周部噴出口亦可設定成在處理液未流通於前述基板的前述上表面外周部與前述對向面中的前述外周部噴出口的周圍之間的狀態下不會從前述外周部噴出口噴出處理液之大小。
依據此構成，外周部噴出口係以在流體未於基板的上表面外周部與對向面中的外周部噴出口的周圍之間流動的狀態下不對外周部噴出口供給處理液之方式設置成非常小。雖然會對儲留於儲液部的處理液作用有伴隨著該處理液的自身重量而朝向外周部噴出口之力量，但在流體未於基板的上表面外周部與對向面中的外周部噴出口的周圍之間流動之狀態下不會從外周部噴出口噴出處理液。接著，藉由流體於基板的上表面外周部與對向面中的外周部噴出口的周圍之間流通時的文氏管功效，才開始從外周部噴出口噴出處理液。由於在流體未於基板的上表面外周部與對向面 中的外周部噴出口的周圍之間流動之狀態下不會從外周部噴出口噴出處理液，因此可在外周部噴出口的噴出時序之前將處理液預先儲流至儲液部。
此外，前述儲液部亦可包含有：儲液槽，係形成於前述對向構件中之與前述對向面的相反側之面。
依據此構成，由於儲液部係包含有形成於相反側之面的儲液槽，因此能簡單地設置儲液部。此外，藉由與儲液槽相對向地配置處理液供給單元，能容易地實現將處理液供給至儲液部。
此外，前述基板處理裝置亦可進一步包含有：對向構件旋轉單元，係使前述對向構件繞著前述旋轉軸線旋轉。在此情形中，前述儲液部亦可進一步包含有：堤部，係用以限制儲留於前述儲液槽的處理液從該儲液槽流出。
依據此構成，即使在使對向構件繞著旋轉軸線旋轉之情形中，亦能有效地抑制處理液從儲液槽流出。藉此，能良好地將處理液預先儲留於儲液部的內部。
此外，前述儲液部亦可進一步包含有：簷部，係從前述堤部的上端部朝前述對向構件的徑方向內側突出。
依據此構成，能藉由簷部更有效地抑制處理液從儲液槽流出。藉此，能更良好地將處理液預先儲留於儲液部的內部。
此外，前述儲液部亦可進一步包含有：儲液空間，係形成於前述對向構件的內部。
依據此構成，即使在使對向構件繞著旋轉軸線旋轉之 情形中，亦能有效地防止處理液從儲液槽流出。藉此，能良好地將處理液預先儲留於儲液部。
此外，亦可進一步包含有：處理液供給單元，係用以對前述儲液部供給處理液。在此情形中，在從前述中央部噴出口開始噴出處理液時，前述處理液供給單元亦可對前述儲液部供給處理液。
依據此構成，從中央部噴出口開始噴出處理液時，對儲液部供給處理液。從中央部噴出口開始噴出處理液後，開始從外周部噴出口噴出處理液。因此，於從外周部噴出口開始噴出處理液時，於儲液部儲留有處理液。由於能在儲液部儲留有處理液的狀態下從外周部噴出口噴出處理液，因此能良好地從外周部噴出口噴出處理液。
此外，前述外周部噴出口亦可沿著前述對向構件的周方向設置複數個。
依據此構成，由於沿著對向構件的周方向設置有複數個外周部噴出口，因此能對基板的上表面外周部與對向面之間補充充分量的處理液。藉此，能更良好地以處理液充滿基板的上表面外周部與對向面之間。
前述處理液亦可包含有藥液。
前述基板處理裝置亦可為用以從前述基板的上表面去除阻劑(resist)之裝置。在此情形中，前述藥液亦可為用以從前述基板去除阻劑之臭氧水。
依據此構成，基板與對向面之間不僅被從中央部噴出口噴出的臭氧水充滿，亦被從外周部噴出口噴出的臭氧水 充滿。由於藉由從外周部噴出口噴出的臭氧水對基板的上表面外周部與對向面之間補充臭氧水，因此能使處理液充分地遍及基板的上表面外周部。藉此，臭氧水不僅能良好地充滿基板的上表面中央部與對向面之間，亦能良好地充滿基板的上表面外周部與對向面之間。因此，不僅能良好地去除基板的上表面中央部的阻劑，亦能良好地去除基板的上表面外周部的阻劑，因此能良好地從基板的上表面全域去除阻劑。
此外，本發明提供一種基板處理方法，係用以藉由來自處理液噴出單元的處理液處理基板的上表面，前述處理液噴出單元係包含有：中央部噴出口，係在與基板的上表面相對向之對向面中與前述基板的上表面中央部相對向且呈開口；以及外周部噴出口，係在前述對向面中與前述基板的上表面外周部相對向且呈開口；前述基板處理方法係包含有：基板旋轉步驟，係使基板繞著通過前述基板的中央部之鉛直的旋轉軸線旋轉；以及處理液噴出步驟，係與前述基板旋轉步驟並行，噴出前述處理液並將處理液供給至前述基板與前述對向面之間俾從前述中央部噴出口噴出處理液且以處理液充滿前述基板與前述對向面之間，且從前述外周部噴出口噴出處理液並將處理液補充至前述基板與前述對向面之間。
依據此方法，不僅藉由從中央部噴出口噴出的處理液，亦藉由從外周部噴出口噴出的處理液充滿基板與對向面之間。由於藉由從外周部噴出口噴出的處理液對基板的上表 面外周部與對向面之間補充處理液，因此能使處理液充分地遍及基板的上表面外周部。藉此，不僅能以處理液良好地充滿基板的上表面中央部與對向面之間，亦能良好地充滿基板的上表面外周部與對向面之間，因此能對基板的上表面施予均勻的處理液處理。
此外，前述處理液噴出單元亦可包含有：儲液部，係能預先儲留從前述外周部噴出口噴出的處理液；於前述處理液供給步驟的開始時亦可進一步包含有用以對前述儲液部供給處理液之處理液供給步驟。
依據此方法，於從中央部噴出口開始噴出處理液時，對儲液部供給處理液。於從中央部噴出口開始噴出處理液後，開始從外周部噴出口噴出處理液。因此，於從外周部噴出口開始噴出處理液時，於儲液部儲留有處理液。由於能在儲液部儲留有處理液的狀態下從外周部噴出口噴出處理液，因此能良好地進行從外周部噴出口噴出處理液。
此外，前述處理液噴出單元亦可包含有：儲液部，係能預先儲留從前述外周部噴出口噴出的處理液。此外，前述儲液部亦可配置於外周部噴出口的上方，且前述儲液部的內部與前述外周部噴出口亦可經由連通孔連通。接著，亦可為伴隨著前述基板的前述上表面外周部與前述對向面中的前述外周部噴出口的周圍之間的流體的流通使前述連通孔減壓，藉此儲留於前述儲液部的處理液係經由前述連通孔從前述外周部噴出口噴出。在此情形中，前述基板處理方法亦可進一步包含有：離心法脫水(spin-drying)步驟， 係在前述儲液部未儲留有處理液的狀態下，使基板繞著通過前述基板的中央部之鉛直的旋轉軸線高速旋轉而甩離乾燥。
依據此方法，在儲液部未儲留有處理液的狀態下，亦即在儲液部的內部存在有氣體的狀態下，伴隨著流體於基板的上表面外周部與對向面中的外周部噴出口的周圍之間流動，外周部噴出口及連通孔被減壓。藉此，存在於儲液部的內部的氣體係藉由文氏管功效被導引至連通孔並從外周部噴出口。藉此，從外周部噴出口朝基板的上表面外周部噴出氣體。由於從外周部噴出口對基板的上表面外周噴吹氣體，因此能使基板的上表面外周部良好地乾燥。藉此，能提高基板的乾燥性能。
前述處理液亦可包含有藥液。
前述基板處理方法亦可為用以從前述基板的上表面去除阻劑之方法。在此情形中，前述藥液亦可為用以從前述基板去除阻劑之臭氧水。
本發明的前述目的、特徵及功效與其他的目的、特徵及功效係藉由參照隨附的圖式及下述實施形態的說明而更明瞭。
1、201、301、401‧‧‧基板處理裝置
2、302‧‧‧處理單元
3‧‧‧控制裝置
4‧‧‧腔室
5‧‧‧自轉夾具
6‧‧‧上表面外周部
7‧‧‧對向面
8‧‧‧對向構件
9‧‧‧中央處理液噴出口
10‧‧‧外周處理液噴出口
11‧‧‧第一處理液噴出單元
12‧‧‧清洗液供給單元
13‧‧‧處理罩
13a‧‧‧上端部
14‧‧‧隔壁
15‧‧‧FFU
16‧‧‧排氣導管
17‧‧‧自轉馬達
18‧‧‧下自轉軸
19‧‧‧自轉基座
19a‧‧‧上表面
20‧‧‧夾持構件
21a‧‧‧對向板
21‧‧‧對向板的上表面
22‧‧‧上自轉軸
23‧‧‧貫通孔
24‧‧‧上噴嘴
25‧‧‧對向構件旋轉單元
26‧‧‧對向構件升降單元
27‧‧‧中央處理液供給單元
28‧‧‧外周處理液供給單元
29‧‧‧第一處理液配管
30‧‧‧第一處理液閥
31‧‧‧第一流量調整閥
32‧‧‧儲液槽
33‧‧‧連通孔
34‧‧‧第一處理液供給單元
35‧‧‧突部
36、423‧‧‧補充噴嘴
37‧‧‧第二處理液配管
38‧‧‧第二處理液閥
39‧‧‧第二處理液配管
41‧‧‧清洗液噴嘴
42‧‧‧清洗液配管
43‧‧‧清洗液閥
44‧‧‧第一惰性氣體配管
45‧‧‧第一惰性氣體閥
50‧‧‧楔形面
60‧‧‧儲液部
71‧‧‧較厚部
72、372、373‧‧‧堤部
73‧‧‧簷部
202‧‧‧第二處理液噴出單元
203‧‧‧第一儲液噴出單元
204‧‧‧第二儲液噴出單元
205‧‧‧第三儲液噴出單元
206‧‧‧第二處理液供給單元
207‧‧‧第一儲液空間
208‧‧‧第一中間部噴出口
209‧‧‧第二儲液空間
210‧‧‧第二中間部噴出口
211‧‧‧第三儲液空間
212‧‧‧儲液槽
213、413‧‧‧連接路徑
215、382、415‧‧‧分歧配管
303‧‧‧氣體噴出單元
304‧‧‧中央氣體噴出口
305、418‧‧‧氣體噴嘴
306‧‧‧第二惰性氣體配管
307‧‧‧第二惰性氣體閥
308‧‧‧第二流量調整閥
381‧‧‧氣體噴出口
402‧‧‧第三處理液噴出單元
406‧‧‧第三處理液供給單元
412‧‧‧儲液空間
414‧‧‧共通配管
416‧‧‧藥液壓送單元
417‧‧‧藥液補充單元
419‧‧‧第三惰性氣體配管
420‧‧‧第三惰性氣體閥
421‧‧‧第一迷宮構件構造
424‧‧‧補充配管
425‧‧‧補充閥
426‧‧‧第二迷宮構件構造
A1、A2‧‧‧旋轉軸線
C‧‧‧承載器
CR‧‧‧基板搬運機器人
IR‧‧‧搬運機器人
LF‧‧‧液膜
LP‧‧‧裝載埠
W‧‧‧基板
W1、W2‧‧‧間隔
圖1係用以說明本發明的第一實施形態的基板處理裝置的內部的布局之示意性的俯視圖。
圖2係用以說明前述基板處理裝置所具備的處理單元的構成例之示意性的剖視圖。
圖3係用以顯示從圖2所示的外周部噴出口噴出處理液的狀態之剖視圖。
圖4係前述處理單元所含有之對向構件的主要部分之俯視圖。
圖5係前述對向構件的主要部分之仰視圖。
圖6係用以顯示從前述外周部噴出口噴出氣體的狀態之剖視圖。
圖7係用以說明前述基板處理裝置的主要部分的電性構成之方塊圖。
圖8係用以說明前述處理單元所為之基板處理例之流程圖。
圖9係用以顯示儲液槽的第一變化例之剖視圖。
圖10係用以顯示儲液槽的第二變化例之剖視圖。
圖11係用以顯示儲液槽的第三變化例之剖視圖。
圖12係用以說明第二實施形態的處理液噴出單元的構成例之剖視圖。
圖13係用以說明本發明的第三實施形態的基板處理裝置的處理單元的構成例之放大剖視圖。
圖14係用以說明前述處理單元所為之基板處理例之流程圖。
圖15係用以顯示儲液槽的第四變化例之剖視圖。
圖16係用以顯示儲液槽的第五變化例之剖視圖。
圖17係用以說明本發明的第四實施形態的處理液噴出單元的構成例之剖視圖。
圖1係用以說明本發明的第一實施形態的基板處理裝置1的內部的布局之示意性的俯視圖。基板處理裝置1係用以藉由處理液或處理氣體逐片處理半導體晶圓等圓板狀的基板W之葉片式的裝置。基板處理裝置1係包含有：複數個處理單元2，係使用處理液處理基板W；裝載埠(load port)LP，係載置有承載器(carrier)C，該承載器C係用以收容在處理單元2進行處理之複數片基板W；搬運機器人IR及搬運機器人CR，係在裝載埠LP與處理單元2之間搬運基板W；以及控制裝置3，係控制基板處理裝置1。搬運機器人IR係在承載器C與基板搬運機器人CR之間搬運基板W。基板搬運機器人CR係在搬運機器人IR與處理單元2之間搬運基板W。複數個處理單元2係例如具有同樣的構成。
圖2係用以說明處理單元2的構成例之示意性的剖視圖。圖3係用以顯示從外周處理液噴出口10噴出藥液(處理液)的狀態之剖視圖。圖4係對向構件8的主要部分之俯視圖。圖5係對向構件8的主要部分之仰視圖。圖6係用以顯示從外周處理液噴出口10噴出氣體的狀態之剖視圖。
處理單元2係包含有：箱形的腔室4，係具有內部空間；自轉夾具(spin chuck)(基板保持單元)5，係在腔室4內以水平的姿勢保持一片基板W，並使基板W繞著通過基板W的中心之鉛直的旋轉軸線A1旋轉；對向構件8，係具有對向面7，該對向面7係與被自轉夾具5所保持的基板W的上表面相對向；第一處理液噴出單元11，係包含有於對向面7分別呈開 口之中央處理液噴出口9及外周處理液噴出口(外周部噴出口)10，用以從中央處理液噴出口9及外周處理液噴出口10對被自轉夾具5所保持的基板W的上表面噴出藥液(處理液)；清洗(rinse)液供給單元12，係用以對被自轉夾具5所保持的基板W的上表面供給清洗液；以及筒狀的處理罩(processing cup)13，係圍繞自轉夾具5。
腔室4係包含有：箱狀的隔壁14；作為送風單元的FFU(fan filter unit；風扇過濾器單元)15，係從隔壁14的上部對隔壁14內(相對於腔室4內)輸送清淨空氣；以及排氣裝置(未圖示)，係從隔壁14的下部排出腔室4內的氣體。
FFU15係配置於隔壁14的上方，並安裝至隔壁14的頂部。FFU15係從隔壁14的頂部對腔室4內輸送清淨空氣。排氣裝置(未圖示)係經由連接至處理罩13內的排氣導管16而連接至處理罩13的底部，用以從處理罩13的底部吸引處理罩13的內部。藉由FFU15及排氣裝置(未圖示)，於腔室4內形成有降流(down flow)(下降流)。
作為自轉夾具5，係採用夾持式的夾具，該夾持式的夾具係用以於水平方向夾著基板W並水平地保持基板W。具體而言，自轉夾具5係包含有：自轉馬達(spin motor)17；下自轉軸18，係與該自轉馬達17的驅動軸一體化；以及圓板狀的自轉基座(spin base)19，係略水平地安裝至下自轉軸18的上端。
自轉基座19係包含有：水平的圓形的上表面19a，係具有比基板W的外徑還大的外徑。於上表面19a的周緣部配置 有複數個(3個以上，例如為6個)夾持構件20。複數個夾持構件20係在自轉基座19的上表面周緣部中於與基板W的外周形狀對應之圓周上隔著適當的間隔例如等間隔地配置。
此外，作為自轉夾具5，並未限定於夾持式的自轉夾具，例如亦可採用真空吸附式的自轉夾具(真空夾具)，該真空吸附式的自轉夾具係真空吸附基板W的背面，藉此以水平的姿勢保持基板W，並在此狀態下將基板W繞著鉛直的旋轉軸線旋轉，藉此使被自轉夾具5所保持的基板W旋轉。
對向構件8係包含有對向板21以及同軸地設置於對向板21之上自轉軸22。對向板21為具有與基板W大致相同直徑或以上的直徑之圓板狀。對向面7係用以形成對向板21的下表面，且為與基板W的上表面全域相對向之圓形。
於對向面7的中央部形成有圓筒狀的貫通孔23，該貫通孔23係將對向板21及上自轉軸22上下地貫通。貫通孔23的內周壁係被圓筒面區劃。於貫通孔23(的內部)插通有上下延伸之上噴嘴24。
於上自轉軸22結合有對向構件旋轉單元25。對向構件旋轉單元25係使上自轉軸22及對向板21一起繞著旋轉軸線A2旋轉。於對向板21結合有包含有電動馬達、滾珠螺桿等之構成的對向構件升降單元26。對向構件升降單元26係使對向板21與上噴嘴24一起於鉛直方向升降。對向構件升降單元26係使對向板21與上噴嘴24在接近位置(圖2中以二點鍊線所示的位置)與退避位置(圖2中以實線所示的位置)之間升降，該接近位置係對向板21的對向面7接近至被自轉夾 具5所保持的基板W的上表面之位置，該退避位置係設置於接近位置的上方之位置。對向構件升降單元26係可在接近位置與退避位置之間的各個位置保持對向板21。
第一處理液噴出單元11係包含有：中央處理液噴出口9；中央處理液供給單元27，係用以將處理液(例如藥液)供給至中央處理液噴出口9；外周處理液噴出口10；以及外周處理液供給單元28，係用以將藥液供給至外周處理液噴出口10。
中央處理液噴出口9係相對於被自轉夾具5所保持之基板W的上表面中央部相對向並呈開口。中央處理液噴出口9係藉由設置於上噴嘴24的前端(下端)之噴出口所構成。
中央處理液供給單元27係包含有：上噴嘴24；第一處理液配管29，係連接至中央處理液噴出口9；第一處理液閥30，係用以將第一處理液配管29予以開閉；以及第一流量調整閥31，係用以調整第一處理液配管29的開度並調整噴出流量。雖未圖示，但第一流量調整閥31係包含有：閥本體，其閥座係設置於內部；閥體，係用以將閥座予以開閉；以及致動器(actuator)，係使閥體在開啟位置與關閉位置之間移動。其他的流量調整閥亦具備有同樣的構成。
當第一處理液閥30開啟時，從中央處理液噴出口9朝基板W的上表面中央部噴出藥液。此外，來自中央處理液噴出口9之藥液的噴出流量係可藉由第一流量調整閥31的開度的調整予以變更。供給至中央處理液噴出口9之處理液係包含有藥液。在本實施形態中，作為供給至中央處理液噴出口9之藥液係例如能例示臭氧水(使用於阻劑去除處理且高濃度 地含有臭氧氣體之臭氧水)。
外周處理液噴出口10係與被自轉夾具5所保持之基板W的上表面外周部6相對向並呈開口。在本說明書中，將例如外徑450mm的基板W的上表面中之從基板W的周端面進入至內側之寬度約75mm的區域稱為上表面外周部6。
在本實施形態中，外周處理液噴出口10係設置複數個。從各個外周處理液噴出口10朝基板W的上表面外周部6噴出藥液。複數個外周處理液噴出口10係配置於同心狀地圍繞旋轉軸線A2之圓周上。複數個外周處理液噴出口10係例如隔著等間隔地配置於對向構件8的周方向。
外周處理液供給單元28係包含有：儲液部60，係能預先儲留藥液。
儲液部60係包含有形成於對向板21的上表面(與對向面7相對側之面)21a之儲液槽32。外周處理液供給單元28係進一步包含有：連通孔33，係將儲液槽32的底部與各個外周處理液噴出口10連通；以及第一處理液供給單元34，係用以將藥液供給(補充)至儲液槽32。連通孔33係設置成遠小於儲液槽32的底面積之小徑。
如圖3及圖4所示，儲液槽32為以旋轉軸線A2作為中心之圓環狀槽，並能於內部預先儲留藥液。儲液槽32係設置於對向構件8的外周部。在本實施形態中，儲液槽32係以覆蓋各個外周處理液噴出口10的上方領域之方式配置。儲液槽32為剖面矩形狀。
如圖3及圖4所示，連通孔33係與各個外周處理液噴出 口10對應地逐一設置。連通孔33的剖面的形狀及大小係與外周處理液噴出口10相等。換言之，各個連通孔33係於對向面7呈開口並形成外周處理液噴出口10。於儲液槽32的底部中之連通孔33的周圍形成有以連通孔33作為中心之楔形(taper)面50。連通孔33的上端係於楔形面50的最底部(中央部)呈開口。
連通孔33的剖面積係以在流體未於基板W的上表面外周部6與對向面7之間流動的狀態下不會對外周處理液噴出口10供給藥液之方式設置成非常小。於儲留於儲液槽32的藥液作用有伴隨著該藥液的自身重量朝向形成於儲液槽32的底部之外周處理液噴出口10的力量。然而，由於連通孔33的剖面積非常地小，因此藉由藥液表面張力，藥液不會進入至連通孔33。
如圖3所示，於對向面7中之與被自轉夾具5所保持的基板W的上表面中央部相對向之位置設置有突部35。突部35係作成同心狀地圍繞旋轉軸線A2之圓環狀。突部35中之與對向構件的周方向正交之剖面形狀為略三角錐狀。外周處理液噴出口10係形成於突部35的下端(前端)。
如圖3所示，伴隨著流體(在第一實施形態及第二實施形態中為藥液(處理液))於基板W的上表面外周部6與對向面7之間流動，外周處理液噴出口10及連通孔33被減壓。如圖3所示，當在儲液槽32儲留有藥液的狀態下外周處理液噴出口10及連通孔33被減壓時，儲留於儲液槽32的藥液係藉由文氏管功效被導引至連通孔33並從外周處理液噴出口10噴 出。亦即，預先於儲液槽32儲留充分量的藥液，藉此能與從中央處理液噴出口9噴出的藥液於基板W的上表面外周部6與對向面7之間的流通連動地從外周處理液噴出口10噴出藥液。
在本實施形態中，由於連通孔33的剖面積非常小，因此藉由在藥液於基板W的上表面外周部與對向面7之間流通時的文氏管功效，從外周處理液噴出口10開始噴出藥液。由於在藥液未於基板的上表面外周部6與對向面7之間未流動的狀態下藥液不會從外周處理液噴出口10噴出藥液，因此能在外周處理液噴出口10的噴出時序之前將藥液預先儲留至儲液槽32，藉此能防止不預期的落液。
此外，於對向面7設置突部35，藉此能提升藥液在基板W的上表面外周部6與對向面7中的外周處理液噴出口10的周圍之間流動的流速。藉此，能增大從儲液槽32經由連通孔朝外周處理液噴出口10導引之藥液的量。結果，能從外周處理液噴出口10噴出充分的流量的藥液。
另一方面，如圖6所示，當在儲液槽32未儲留有藥液的狀態下亦即在儲液槽32的內部存在有空氣的狀態下氣體(例如惰性氣體)於基板W的上表面外周部6與對向面7之間流動時，伴隨於此，外周處理液噴出口10及連通孔33被減壓。當外周處理液噴出口10及連通孔33被減壓時，存在於儲液槽32的內部的空氣係藉由文氏管功效被導引至連通孔33並從外周處理液噴出口10噴出。
如圖2所示，第一處理液供給單元34係包含有補充噴嘴 36、連接至補充噴嘴36之第二處理液配管37以及夾設於第二處理液配管37之第二處理液閥38。補充噴嘴36係將補充噴嘴36的噴出口朝儲液槽32配置。當第二處理液閥38開啟時，從補充噴嘴36朝儲液槽32噴出藥液。供給至儲液槽32的藥液係儲留於儲液槽32。儲留於儲液槽32的藥液係例如為臭氧水(使用於阻劑去除處理且高濃度地含有臭氧氣體之臭氧水)。
清洗液供給單元12係包含有清洗液噴嘴41。清洗液噴嘴41係例如為用以以連續流動的狀態噴出液體之直式噴嘴(straight nozzle)，並在自轉夾具5的上方將清洗液噴嘴41的噴出口相對於基板W的上表面中央部固定性地配置。於清洗液噴嘴41連接有用以供給來自清洗液供給源的清洗液之清洗液配管42。於清洗液配管42的中途部夾設有用以切換從清洗液噴嘴41噴出清洗液以及停止供給清洗液之清洗液閥43。當清洗液閥43開啟時，從清洗液配管42供給至清洗液噴嘴41之連續流動的清洗液係從設定於清洗液噴嘴41的下端之噴出口噴出。此外，當清洗液閥43關閉時，停止從清洗液配管42朝清洗液噴嘴41噴出清洗液。清洗液係例如為去離子水(DIW；deionized water)，但未限定於DIW，亦可為碳酸水、電解離子水、氫水以及稀釋濃度(例如10ppm至100ppm左右)的鹽酸水中的任一者。
此外，清洗液噴嘴41係無須分別相對於自轉夾具5固定性地配置，例如亦可採用所謂掃描噴嘴(scan nozzle)的形態，該掃描噴嘴係在自轉夾具5的上方中安裝於可在水平面內搖 動的手臂，並藉由該手臂的搖動掃描基板W的上表面中的清洗液的著液位置。
如圖2所示，處理單元2係進一步包含有：第一惰性氣體配管44，係用以將惰性氣體供給至上噴嘴24的本體的外周與對向板21的內周(貫通孔23的外周)之間的筒狀的空間；以及第一惰性氣體閥45，係夾設於第一惰性氣體配管44。當第一惰性氣體閥45開啟時，來自惰性氣體供給源的惰性氣體係通過上噴嘴24的本體的外周與對向板21的內周之間，並從對向板21的下表面中央部朝下方噴出。因此，當在對向板21配置於接近位置的狀態下第一惰性氣體閥45開啟時，從對向板21的下表面中央部噴出的惰性氣體係在基板W的上表面與對向板21的對向面7之間朝外側(從旋轉軸線A1遠離的方向)擴展，且基板W與對向板21之間的空氣係被置換成惰性氣體。於第一惰性氣體配管44內流動之惰性氣體係例如為氮氣。惰性氣體並未限定於氮氣，亦可為氦氣或氬氣等其他的惰性氣體。
如圖2所示，處理罩13係配置於比自轉夾具5所保持的基板W還靠近外側(從旋轉軸線A1遠離的方向)。處理罩13係圍繞自轉基座19。當在自轉夾具5使基板W旋轉的狀態下將處理液(臭氧水的液滴、水的液滴、藥液或者清洗液)供給至基板W時，供給至基板W的處理液係朝基板W的周圍甩離。在處理液供給至基板W時，朝上開放的處理罩13的上端部13a係配置於比自轉基座19還上方。因此，排出至基板W的周圍之處理液係被處理罩13接住。接著，被處理罩 13接住的處理液係被輸送至未圖示的回收裝置或廢液裝置。
圖7係用以說明基板處理裝置1的主要部分的電性構成之方塊圖。
控制裝置3係例如使用微電腦(microcomputer)所構成。控制裝置3係具有CPU(Central Processing Unit；中央處理器)等運算單元、固態記憶體裝置(solid-state memory device)、硬碟驅動機(hard disk drive)等記憶單元以及輸入輸出單元。於記憶單元記憶有用以使運算單元執行之程式。
控制裝置3係依循預先制定的程式控制自轉馬達17、對向構件旋轉單元25以及對向構件升降單元26等的動作。此外，控制裝置3係控制第一處理液閥30、第二處理液閥38、清洗液閥43以及第一惰性氣體閥45等的開閉。此外，控制裝置3係調整第一流量調整閥31的開度。
圖8係用以說明藉由處理單元2所進行之阻劑去除處理的處理例之流程圖。
以下參照圖2、圖3以及圖6至圖8說明阻劑去除處理的處理例。
在藉由處理單元2對基板W施予阻劑去除處理時，以高劑量進行離子植入處理後的基板W係被搬入至腔室4的內部(步驟S1)。所搬入之基板W係未接受用以將阻劑(光阻劑(photoresist))予以灰化(ashing)之處理。亦即，於基板W的表面形成有圖案(pattern)，且以由感光性樹脂等所構成之阻劑覆蓋圖案的一部分或全部之方式形成。
具體而言，控制裝置3係在對向構件8配置於退避位置且於儲液槽32未儲留有臭氧水的狀態下，使正保持著基板W之基板搬運機器人CR(參照圖1)的手部進入至腔室4的內部，藉此在基板W的表面(圖案形成面)朝向上方的狀態下將基板W授受至自轉夾具5。藉此，基板W係被保持於自轉夾具5。
之後，控制裝置3係藉由自轉馬達17使基板W開始旋轉(步驟S2)。基板W係被加速並上升至預先設定的液體處理速度(例如約800rpm)後，維持在該液體處理速度。
接著，為了從基板W剝離阻劑，進行用以對基板W的上表面供給臭氧水之臭氧水供給步驟(步驟S3)。具體而言，控制裝置3係控制對向構件升降單元26，將對向板21配置於第一接近位置(圖2中以二點鍊線所示的位置)。在對向板21位於第一接近位置時，基板W的上表面與對向板21的對向面7之間的間隔W1為約1mm(基板W的上表面與突部35的最下部之間的間隔W2為約0.3mm)，在此狀態下，對向板21係將基板W的上表面與基板W的周圍的空間予以阻隔。
在對向板21配置於第一接近位置後，控制裝置3係控制對向構件旋轉單元25，使對向板21繞著旋轉軸線A2旋轉。此時，例如對向板21的旋轉方向為與基板W的旋轉方向相同方向，且對向板21的旋轉速度亦與基板W的旋轉相同而約為800rpm。
在對向板21配置於第一接近位置後，控制裝置3係將第一處理液閥30開啟。藉由第一處理液閥30的開放，從中央處理液噴出口9朝基板W的上表面中央部噴出臭氧水(處理 液噴出步驟)。從中央處理液噴出口9噴出的臭氧水係接受基板W的旋轉所為之離心力，在基板W與對向構件8的對向面7之間朝徑方向外側流動。
在對向板21配置於第一接近位置後，控制裝置3係進一步將第二處理液閥38開啟。藉由第二處理液閥38的開放，從補充噴嘴36朝儲液槽32噴出臭氧水(處理液供給步驟)。供給至儲液槽32的臭氧水係儲留於儲液槽32。
於基板W的上表面外周部6與對向面7之間朝徑方向外側流動之臭氧水係到達基板W的上表面外周部6上。此時，伴隨著臭氧水於基板W的上表面外周部6與對向面7中的外周處理液噴出口10的周圍之間流動，外周處理液噴出口10及連通孔33被減壓，儲留於儲液槽32的臭氧水係藉由文氏管功效被導引至連通孔33並從外周處理液噴出口10噴出。藉此，從各個外周處理液噴出口10朝基板W的上表面外周部6噴出臭氧水(處理液噴出步驟)。不僅藉由從中央處理液噴出口9噴出的臭氧水，亦藉由從外周處理液噴出口10噴出的臭氧水充滿基板W與對向面7之間。之後，維持該狀態(液密狀態)。
如此，一邊使基板W及對向構件8分別旋轉，一邊在將基板W與對向面7之間的全域保持於臭氧水的液密狀態下對基板W的上表面進行臭氧水所為之阻劑去除處理。藉此，從基板W的上表面去除阻劑。
當從第一處理液閥30的開放經過預先設定的期間時，控制裝置3係將第一處理液閥30關閉，結束臭氧水供給步驟 S3。之後，控制裝置3係控制對向構件升降單元26，使對向板21退避至退避位置(圖2中以實線所示的位置)。
接著，進行用以將清洗液供給至基板W之清洗步驟(步驟S4)。具體而言，控制裝置3係將清洗液閥43開啟，並從清洗液噴嘴41朝基板W的上表面中央部噴出清洗液。從清洗液噴嘴41噴出的清洗液係著液至基板W的上表面中央部。著液至基板W的上表面中央部之清洗液係接受基板W的旋轉所為之離心力，從基板W的上表面上朝基板W的周緣部流動。藉此，基板W上的臭氧水係被清洗液朝外側推流並被排出至基板W的周圍。藉此，在基板W的上表面的全域中沖流臭氧水及已去除的阻劑。當從開始清洗步驟S4經過預先設定的期間時，控制裝置3係將清洗液閥43關閉，使清洗液噴嘴41停止噴出清洗液。
接著，進行用以使基板W乾燥之離心法脫水步驟(步驟S5)。具體而言，控制裝置3係控制對向構件升降單元26，將對向板21配置於第一接近位置(圖2中以二點鍊線顯示的位置)。
此外，控制裝置3係控制自轉馬達17，藉此使基板W加速達至比在臭氧水供給步驟S3及清洗步驟S4中的旋轉速度還大之乾燥旋轉速度(高旋轉速度，例如為數千rpm)，並以乾燥旋轉速度使基板W旋轉。藉此，大的離心力施加至基板W上的液體，附著至基板W之液體係被甩離至基板W的周圍。如此，從基板W去除液體，使基板W乾燥。此外，控制裝置3係控制對向構件旋轉單元25，使對向板21於基板W的 旋轉方向以大致相同的速度旋轉。
此外，在離心法脫水步驟S5中，控制裝置3係將第一惰性氣體閥45開啟，並將惰性氣體供給至上噴嘴24的本體的外周與對向板21的內周(貫通孔23的外周)之間的筒狀的空間。供給至該筒狀的空間之惰性氣體係從對向板21的下表面中央部朝下方噴出，並於基板W的上表面與對向板21的對向面7之間朝徑方向外側(從旋轉軸線A1離開之方向)流動。藉此，於基板W的上表面與對向板21的對向面7之間的間隙產生從基板W的中央部朝向周緣部之惰性氣體的穩定氣流，且將基板W的上表面附近的氛圍與基板W的周圍阻隔。此外，在該狀態下臭氧水(處理液)不儲留於儲液槽32。
在此狀態下，亦即在空氣存在於儲液槽32的內部的狀態下，伴隨著惰性氣體於基板W的上表面外周部6與對向面7中的外周處理液噴出口10的周圍之間流動，外周處理液噴出口10及連通孔33被減壓，存在於儲液槽32的內部的空氣係藉由文氏管功效被導引至連通孔33並從外周處理液噴出口10噴出。藉此，從各個外周處理液噴出口10朝基板W的上表面外周部6噴出空氣。由於除了從對向板21的下表面中央部噴吹惰性氣體之外亦從外周處理液噴出口10將空氣噴吹至基板W的上表面外周部6，因此能使基板的上表面外周部6良好地乾燥。藉此，能提高離心法脫法步驟S5中的基板W的乾燥性能。
接著，當從基板W開始高速旋轉經過預定時間時，控制裝置3係控制自轉馬達17，藉此停止自轉夾具5所為之基板 W的旋轉(步驟S6)。之後，控制裝置3係控制對向構件升降單元26，使對向板21退避至退避位置(圖2中以實線所示的位置)。
接著，從腔室4內搬出基板W(步驟S7)。具體而言，控制裝置3係使基板搬運機器人CR的手部進入至腔室4的內部。接著，控制裝置3係使基板搬運機器人CR的手部保持自轉夾具5上的基板W。之後，控制裝置3係使基板搬運機器人CR的手部從腔室4內退避。藉此，從腔室4搬出已從表面去除阻劑的基板W。
此外，在圖8所示的處理例中，亦可在臭氧水供給步驟S3的執行之前或者臭氧水供給步驟S3的執行之後，進行用以將過氧化氫水(H2O2)供給至基板W的上表面(表面)之過氧化氫水供給步驟。
再者，在圖8所示的處理例中，亦可在清洗步驟S4結束後執行洗淨藥液供給步驟，該洗淨藥液供給步驟係用以將洗淨藥液供給至基板W的上表面，俾從基板W的上表面去除阻劑殘渣。在執行洗淨藥液供給步驟之情形中，進一步在之後執行第二清洗步驟，該第二清洗步驟係用以以清洗液沖流基板W的上表面的藥液。
如上所述，依據第一實施形態，不僅藉由從中央處理液噴出口9噴出的藥液(臭氧水)，亦藉由從外周處理液噴出口10噴出的藥液充滿基板W與對向面7之間。由於藉由從外周處理液噴出口10噴出藥液將藥液補充至基板W的上表面外周部6與對向面7之間，因此能使藥液充分地遍及至基板 W的上表面外周部6。藉此，不僅能以藥液良好地充滿基板W的上表面中央部與對向面7之間，亦能良好地充滿基板W的上表面外周部6與對向面7之間，因此能對基板W的上表面施予均勻的阻劑去除處理。
此外，伴隨著處理液於基板W的上表面外周部6與對向面7之間流動，外周處理液噴出口10及連通孔33被減壓。當在儲液槽32儲留有處理液的狀態下外周處理液噴出口10及連通孔33被減壓時，儲留於儲液槽32的藥液係藉由文氏管功效被導引至連通孔33並從外周處理液噴出口10噴出。將藥液預先儲留於儲液部60，藉此與從中央處理液噴出口9噴出的藥液在基板W的上表面外周部6與對向面7之間的流通連動地從外周處理液噴出口10噴出藥液。藉此，無須對外周處理液噴出口10送出(壓送)藥液而能從外周處理液噴出口10噴出藥液，因此能省略用以對外周處理液噴出口10送出藥液之構成。
此外，如圖9所示，亦可取代將突部35設置於對向面7之構成，在對向面7中，於比外周處理液噴出口10還靠近對向板21的周方向外方側設置圓環狀的較厚部71，藉此加速於基板W的上表面外周部6與對向面7中的外周處理液噴出口10的周圍之間流動之藥液的流速。
此外，如圖10所示，亦可將堤部72設置於對向板21，該堤部72係用以限制儲留於儲液槽32的藥液從儲液槽32流出。堤部72係以從對向板21的上表面沿著儲液槽32的外周面朝上方立起之方式設置。堤部72係作成圍繞儲液槽32 的外周之圓環狀。在前述基板處理例中，在臭氧水供給步驟S3中使對向板21繞著旋轉軸線A1高速旋轉，因此雖然對儲留於儲液槽32的藥液作用大的離心力，但藉由將堤部72設置於儲液槽32的外周側，能有效地抑制在臭氧水供給步驟S3中從儲液部60流出藥液。藉此，能將藥液良好地預先儲留至儲液槽32的內部。
如圖11所示，在將堤部72設置於儲液槽32的外周側之情形中，亦可進一步設置有從堤部72的上端部朝對向板21的徑方向內側突出之簷部73。簷部73係例如作成圓盤狀。堤部72及簷部73亦可一體地設置。在此情形中，能藉由簷部73更有效地抑制藥液從儲液槽32流出。藉此，能將藥液更良好地預先儲留至儲液部60。
圖12係用以說明本發明的第二實施形態的第一處理液噴出單元11的構成例之剖視圖。
在第二實施形態中，於與第一實施形態所示的各部分對應之部分標示與圖1至圖11的情形中相同的元件符號並省略說明。
第二實施形態的基板處理裝置201與第一實施形態的基板處理裝置1的差異點在於：於第二處理液噴出單元202所含有的儲液部並非為儲液槽32，而是包含有形成於對向構件8的內部之儲液空間(第一儲液空間207、第二儲液空間209以及第三儲液空間211)。此外，下述部分亦與第一處理液噴出單元11不同：不僅將由噴出口、儲液部以及連通孔所構成的儲液噴出單元設置於對向構件8的外周部，亦進一步於對 向構件8的中間部(對向構件8的中央部與對向構件8的外周部之間的部分)設置兩組。
亦即，第二處理液噴出單元202係包含有第一儲液噴出單元203、第二儲液噴出單元204、第三儲液噴出單元205以及用以對第一儲液噴出單元203、第二儲液噴出單元204、第三儲液噴出單元205供給藥液(處理液)之第二處理液供給單元206。
第一儲液噴出單元203係包含有外周處理液噴出口10、第一儲液空間207以及連通孔33。第一儲液空間207為作成以旋轉軸線A2作為中心之圓環狀的空間。能於第一儲液空間207預先儲留藥液。第一儲液空間207為作成以旋轉軸線A2作為中心之圓環狀且能預先儲留藥液之空間。在本實施形態中，第一儲液空間207係以覆蓋各個外周處理液噴出口10的上方區域之方式配置。第一儲液空間207為剖面矩形狀。
第二儲液噴出單元204係包含有第一中間部噴出口208、第二儲液空間209以及連通孔33。第一中間部噴出口208係與被自轉夾具5所保持之基板W的上表面的第一中間部(上表面中央部與上表面外周部6之間的部分)相對向並呈開口。在本實施形態中，第一中間部噴出口208係於同心狀地圍繞旋轉軸線A2之圓周上配置複數個。複數個第一中間部噴出口208係例如隔著等間隔配置於對向構件8的周方向。第二儲液空間209係作成在第一儲液空間207的內側以旋轉軸線A2作為中心之圓環狀的空間。能於第二儲液空間209預先儲留藥液。
連通孔33的剖面積係以在流體未於基板W的上表面外周部6與對向面7之間流動的狀態下不會對第一中間部噴出口208供給藥液之方式設置成非常小。於儲留於第二儲液空間209的藥液作用有伴隨著該藥液的自身重量朝向形成於儲液槽32的底部之第一中間部噴出口208的力量。然而，由於連通孔33的剖面積非常地小，因此藉由藥液表面張力，藥液不會進入至連通孔33。
第三儲液噴出單元205係包含有第二中間部噴出口210、第三儲液空間211以及連通孔33。第二中間部噴出口210係與被自轉夾具5所保持之基板W的上表面的第二中間部(上表面中央部與基板W的上表面的第一中間部之間的部分)相對向並呈開口。在本實施形態中，第二中間部噴出口210係於同心狀地圍繞旋轉軸線A2之圓周上配置複數個。複數個第二中間部噴出口210係例如隔著等間隔配置於對向構件8的周方向。第三儲液空間211係作成在第二儲液空間209的內側以旋轉軸線A2作為中心之圓環狀的空間。能於第三儲液空間211預先儲留藥液。
連通孔33的剖面積係以在流體未於基板W的上表面外周部6與對向面7之間流動的狀態下不會對第二中間部噴出口210供給藥液之方式設置成非常小。於儲留於第三儲液空間211的藥液作用有伴隨著該藥液的自身重量朝向形成於儲液槽32的底部之第二中間部噴出口210的力量。然而，由於連通孔33的剖面積非常地小，因此藉由藥液表面張力，藥液不會進入至連通孔33。
第二處理液供給單元206係包含有：圓環狀的儲液槽212，係設置於上自轉軸22；連接路徑213，係與儲液槽212以及各個第一儲液空間207、第二儲液空間209以及第三儲液空間211連通；以及處理液補充單元(未圖示)，係用以對儲液槽212供給(補充)藥液。在圖12的例子中顯示連接路徑213係構成為包含有：共通配管214，係連接至儲液槽212；以及複數個分歧配管215，係從共通配管214分歧並分別連接至第一儲液空間207、第二儲液空間209以及第三儲液空間211。此外，亦可取代此構成，連接路徑亦可個別地連接儲液槽212與各個第一儲液空間207、第二儲液空間209以及第三儲液空間211。
在本第二實施形態的臭氧水供給步驟(圖8的步驟S3)中，亦在對向板21配置於第一接近位置的狀態下從中央處理液噴出口9噴出臭氧水。於基板W的上表面外周部6與對向面7之間朝徑方向外側流動之臭氧水係從基板W的上表面中央部朝上表面外周部6流動。
此時，伴隨著臭氧水於基板W的上表面外周部6與對向面7中的第二中間部噴出口210的周圍之間流動，第二中間部噴出口210及連通孔33被減壓，儲留於第三儲液空間211的臭氧水係藉由文氏管功效被導引至連通孔33並從第二中間部噴出口210噴出。
此外，伴隨著臭氧水於基板W的上表面外周部6與對向面7中的第一中間部噴出口208的周圍之間流動，第一中間部噴出口208及連通孔33被減壓，儲留於第二儲液空間209 的臭氧水係藉由文氏管功效被導引至連通孔33並從第一中間部噴出口208噴出。
此外，伴隨著臭氧水於基板W的上表面外周部6與對向面7中的外周處理液噴出口10的周圍之間流動，外周處理液噴出口10及連通孔33被減壓，儲留於第一儲液空間207的臭氧水係藉由文氏管功效被導引至連通孔33並從外周處理液噴出口10噴出。
依據本實施形態，達成與第一實施形態的情形同等的作用功效。
此外，由於儲液部包含有第一儲液空間207、第二儲液空間209以及第三儲液空間211，因此能在臭氧水供給步驟S3中有效地抑制藥液從第一儲液空間207、第二儲液空間209以及第三儲液空間211流出。藉此，能將藥液良好地預先儲留於儲液部。
圖13係用以說明本發明的第三實施形態的處理單元302的構成例之放大剖視圖。
在第三實施形態中，於與第一實施形態所示的各部分對應之部分附上與圖1至圖11的情形相同的元件符號並省略說明。
第三實施形態的基板處理裝置301係進一步包含有：氣體噴出單元303，係用以對基板W的上表面中央部供給惰性氣體(例如氮氣)。此點，基板處理裝置301係與基板處理裝置1不同。
此外，在基板處理裝置301中於處理所使用的藥液亦即 從第一處理液噴出單元11所噴出的藥液係例如能使用包含有下述至少一種的液體：硫酸、乙酸、硝酸、鹽酸、氟酸、氨水、過氧化氫水、有機酸(例如檸檬酸、草酸等)、有機鹼(例如TMAH(tetramethyl ammonium hydroxide；氫氧化四甲銨)等)、有機溶劑(例如IPA(isopropyl alcohol；異丙醇)等)、界面活性劑、防腐蝕劑。
氣體噴出單元303係包含有：氣體噴嘴305，係上下地延伸且插通於上噴嘴24的內部，並具有中央氣體噴出口304，該中央氣體噴出口304係與被自轉夾具5所保持的基板W的上表面中央部相對向並呈開口；第二惰性氣體配管306，係連接至氣體噴嘴305的上游端部；第二惰性氣體閥307，係用以將第二惰性氣體配管306予以開閉；以及第二流量調整閥308，係用以調整第二惰性氣體配管306的開度並調整噴出流量。中央氣體噴出口304係在上噴嘴24的前端(下端)中藉由與中央處理液噴出口9一起形成的噴出口所構成。
控制裝置3(參照圖7)係控制第二惰性氣體閥307的開閉。此外，控制裝置3係調整第二流量調整閥308的開度。
當第二惰性氣體閥307開啟時，從中央氣體噴出口304朝基板W的上表面中央部噴出惰性氣體。此外，來自中央氣體噴出口304的惰性氣體的噴出流量係可藉由第二流量調整閥308的開度調整而變更。當第二惰性氣體閥307開啟時，來自惰性氣體供給源的惰性氣體係從中央氣體噴出口304朝下方噴出。因此，當在對向板21配置於第二接近位置的狀態下第二惰性氣體閥307開啟時，從對向板21的下表面中央部 噴出的惰性氣體係於基板W的上表面與對向板21的對向面7之間朝外側(從旋轉軸線A1遠離的方向)擴展，基板W與對向板21之間的空氣係被置換成惰性氣體。於第二惰性氣體配管306內流動之惰性氣體係例如為氮氣。惰性氣體並未限定於氮氣，亦可為氦氣或氬氣等其他的惰性氣體。
圖14係用以說明藉由處理單元302所進行的藥液處理的處理例之流程圖。
以下，參照圖13及圖14說明藥液處理的處理例。亦適當地參照圖2、圖3以及圖6。
控制裝置3係在對向構件8配置於退避位置且儲液槽32未儲留有藥液的狀態下，使正保持著基板W之基板搬運機器人CR(參照圖1)的手部進入至腔室4的內部，藉此在基板W的表面(圖案形成面)朝向上方的狀態下將基板W授受至自轉夾具5(步驟S11：搬入基板)。藉此，基板W係被保持於自轉夾具5。
之後，控制裝置3係藉由自轉馬達17使基板W開始旋轉(步驟S12)。基板W係被加速並上升至預先設定的液體處理速度(例如約800rpm)後，維持於該液體處理速度。
接著，對基板W的上表面進行藥液供給步驟(步驟S13)，該藥液供給步驟係用以將藥液供給至應使用藥液進行處理之基板W的上表面。具體而言，控制裝置3係控制對向構件升降單元26，將對向板21配置於第二接近位置。在對向板21位於第二接近位置時，基板W的上表面與對向板21的對向面7之間的間隔W3為約5mm(基板W的上表面與突部35 的最下部之間的間隔W4為約4.3mm)，在此狀態下，對向板21係將基板W的上表面與基板W的周圍的空間予以阻隔。
在對向板21配置於第二接近位置後，控制裝置3係控制對向構件旋轉單元25，使對向板21繞著旋轉軸線A2旋轉。此時，例如對向板21的旋轉方向為與基板W的旋轉方向相同方向，且對向板21的旋轉速度亦與基板W的旋轉相同約為800rpm。此外，在對向板21配置於第二接近位置後，控制裝置3係將第一處理液閥30(參照圖2)開啟，且將第二惰性氣體閥307開啟。
此時，藉由第一處理液閥30的開放，從中央處理液噴出口9朝基板W的上表面中央部噴出藥液(處理液噴出步驟)。從中央處理液噴出口9噴出的藥液係接受基板W的旋轉所為之離心力，於基板W與對向構件8的對向面7之間朝徑方向外側流動。此外，藉由第二惰性氣體閥307的開放，從中央氣體噴出口304朝基板W的上表面中央部噴出惰性氣體。從中央氣體噴出口304噴出的惰性氣體係於基板W與對向構件8的對向面7之間朝徑方向外側流動。
對向板21配置於第二接近位置後，控制裝置3係進一步將第二處理液閥38開啟。藉由第二處理液閥38的開放，從補充噴嘴36朝儲液槽32噴出藥液(處理液供給步驟)。供給至儲液槽32的藥液係儲留於儲液槽32。
於基板W的上表面外周部6與對向面7之間朝徑方向外側流動之藥液係到達至基板W的上表面外周部6。因此，於基板W的上表面外周部6形成有藥液的液膜LF。此時，如 圖13所示，於對向面7與藥液的液膜LF之間形成有朝外周方向流動之惰性氣體的層。伴隨著惰性氣體於基板W的上表面外周部6與對向面7中的外周處理液噴出口10的周圍之間流動，外周處理液噴出口10及連通孔33的內部被減壓，儲留於儲液槽32的藥液係藉由文氏管功效被導引至連通孔33並從外周處理液噴出口10噴出。藉此，從各個外周處理液噴出口10朝基板W的上表面外周部6噴出藥液(處理液噴出步驟)。此時，如後述之圖15所示，從外周處理液噴出口10噴霧狀地噴出(噴射)藥液。藉此，藥液被供給至基板W的上表面外周部6。在此狀態下，對基板W施予藥液處理，藉由藥液處理基板W的上表面。
當從第一處理液閥30的開放經過預先設定的期間時，控制裝置3係將第一處理液閥30關閉。此外，控制裝置3係將第二惰性氣體閥307關閉。藉此，結束藥液供給步驟S13。之後，控制裝置3係控制對向構件升降單元26，使對向板21退避至退避位置(圖2中以實線所示的位置)。
接著，進行用以將清洗液供給至基板W之清洗步驟(步驟S14)。清洗步驟S14係與第一實施形態的清洗步驟(圖8的步驟S4)同等的步驟。
接著，進行用以使基板W乾燥之離心法脫水步驟(步驟S15)。離心法脫水步驟S15係與第一實施形態的離心法脫水步驟(圖8的步驟S5)同等的步驟。
接著，從基板W開始高速旋轉經過預定時間時，控制裝置3係控制自轉馬達17，藉此使自轉夾具5停止旋轉基板 W(步驟S16)。之後，控制裝置3係控制對向構件升降單元26，使對向板21退避至退避位置(圖2中以實線所示的位置)。
接著，從腔室4內搬出基板W(步驟S17)。該基板W的搬出(步驟S17)係與第一實施形態的基板W的搬出(圖8的步驟S7)同等的步驟。
如上所述，依據第三實施形態，由於藉由從外周處理液噴出口10噴出藥液而對基板W的上表面外周部6與對向面7之間補充藥液，因此能使藥液充分地遍及基板W的上表面外周部6中。藉此，不僅能以藥液良好地充滿基板W的上表面中央部與對向面7之間，亦能良好地充滿基板W的上表面外周部6與對向面7之間，因此能對基板W的上表面施予均勻的藥液處理。
此外，伴隨著惰性氣體於基板W的上表面外周部6與對向面7之間流動，外周處理液噴出口10及連通孔33的內部被減壓。當在儲液槽32儲留有藥液的狀態下外周處理液噴出口10及連通孔33的內部被減壓時，儲留於儲液槽32的藥液係藉由文氏管功效被導引至連通孔33並從外周處理液噴出口10噴出。將藥液預先儲留於儲液槽32，藉此與惰性氣體在基板W的上表面外周部6與對向面7之間流通連動地從外周處理液噴出口10噴出藥液。藉此，無須對外周處理液噴出口10送出藥液而能從外周處理液噴出口10噴出藥液，因此能省略用以對外周處理液噴出口10送出藥液之構成。
如圖15所示的變化例，亦可將堤部372設置於對向板21，該堤部372係用以限制儲留於儲液槽32的藥液從儲液槽 32流出。此外，如圖15所示的變化例，外周處理液噴出口10亦可接近儲液槽32的底部的外周端配置。
堤部372係以從對向板21的上表面沿著儲液槽32的外周面朝上方立起之方式設置。堤部372係作成圍繞儲液槽32的外周之圓環狀。
在前述基板處理例中，在藥液供給步驟S13中使對向板21繞著旋轉軸線A1高速旋轉，因此雖然對儲留於儲液槽32的藥液作用大的離心力，但藉由將堤部372設置於儲液槽32的外周側，能有效地抑制在藥液供給步驟S13中從儲液部60流出藥液。藉此，能將藥液良好地預先儲留至儲液槽32的內部。
如圖16的變化例所示，用以限制儲留於儲液槽32的藥液從儲液槽32流出之堤部373亦可作成愈朝向上方愈接近旋轉軸線A1側之剖面略圓弧狀。在對向板21的徑方向排列設置有複數個儲液槽32之情形中，如圖16所示，與各個儲液槽32對應之堤部373的高度亦可設置成愈朝向對向板21的外周側愈高。
在圖16中，於各個儲液槽32設置有用以噴出惰性氣體之氣體噴出口381，該惰性氣體係用以清除(purge)儲液槽32。從氣體噴嘴305通過用以分歧之分歧配管382對各個氣體噴出口381供給惰性氣體。
圖17係用以說明本發明第四實施形態的基板處理裝置401的構成例之剖視圖。在第四實施形態中，對與第二實施形態所示的各部分對應之部分附上與圖13的情形相同的元 件符號並省略說明。
第四實施形態的第三處理液噴出單元402與第二實施形態的第二處理液噴出單元202的差異點在於：具備有用以藉由氣體壓送將藥液供給至第一儲液噴出單元203、第二儲液噴出單元204以及第三儲液噴出單元205之第三處理液供給單元406，以取代第二處理液供給單元206。
此外，與第二實施形態的基板處理裝置201的差異點在於第四實施形態的基板處理裝置401係進一步包含有：氣體噴出單元303，係用以對基板W的上表面中央部供給惰性氣體(例如氮氣)。
第三處理液供給單元406係包含有：圓環狀的儲液空間412，係設置於上自轉軸22；連接路徑413，係與儲液空間412及各個第一儲液空間207、第二儲液空間209以及第三儲液空間211連通；藥液壓送單元416，係將儲留於儲液空間412的藥液經由連接路徑413予以氣體壓送至第一儲液空間207、第二儲液空間209以及第三儲液空間211；以及藥液補充單元417，係用以對儲液空間412補充藥液。在圖17的例子顯示連接路徑413係構成為包含有：共通配管414，係連接至儲液空間412；以及複數個分歧配管415，係從共通配管414予以分歧並分別連接至第一儲液空間207、第二儲液空間209以及第三儲液空間211。
此外，亦可取代此構成，連接路徑亦可個別地連接儲液空間412與各個第一儲液空間207、第二儲液空間209以及第三儲液空間211。
藥液壓送單元416係包含有：氣體噴嘴418，係面向儲液空間412並朝儲液空間412噴吹氣體；第三惰性氣體配管419，係以高壓狀態對氣體噴嘴418供給氮氣等惰性氣體；以及第三惰性氣體閥420，係將第三惰性氣體配管419予以開閉。於第三惰性氣體配管419內流動之惰性氣體係例如為氮氣。惰性氣體並未限定於氮氣，亦可為氦氣或氬氣等其他惰性氣體。
氣體噴嘴418係經由第一迷宮構件(labyrinth)構造421面向儲液空間412。由於設置有第一迷宮構件構造421，因此不論對向板21的旋轉狀態為何，皆能抑制氣體從儲液空間412流出並可從氣體噴嘴418朝儲液空間412供給惰性氣體。
當第三惰性氣體閥420被開啟時，從氣體噴嘴418吹出高壓的惰性氣體。藉此，儲留於儲液空間412的藥液係被供給至第一儲液空間207、第二儲液空間209以及第三儲液空間211。
藥液補充單元417係包含有：補充噴嘴423，係用以朝儲液空間412噴出藥液；補充配管424，係用以對補充噴嘴423供給藥液；以及補充閥425，係將補充配管424予以開閉。補充噴嘴423係經由第二迷宮構件構造426面向儲液空間412。因此，不論對向板21的旋轉狀態為何，皆可抑制氣體從儲液空間412流出，並可從補充噴嘴423對儲液空間412供給藥液。
控制裝置3(參照圖7)係控制第三惰性氣體閥420及補充閥425的開閉。
在第四實施形態中，進行與第三實施形態的基板處理例同等的處理。在藥液供給步驟(圖14的步驟S13)中，在對向板21配置於第二接近位置的狀態下，控制裝置3係將第三惰性氣體閥420開啟，並朝第一儲液空間207、第二儲液空間209以及第三儲液空間211供給藥液。供給至第一儲液空間207、第二儲液空間209以及第三儲液空間211的藥液係儲留至第一儲液空間207、第二儲液空間209以及第三儲液空間211的內部。
在此狀態下，控制裝置3係將第一處理液閥30開啟並從中央處理液噴出口9噴出藥液，且將第二惰性氣體閥307開啟並從中央氣體噴出口304噴出惰性氣體。從中央氣體噴出口304噴出的惰性氣體係於基板W與對向構件8的對向面7之間朝徑方向外側流動，並於基板W的上表面的外周部與對向面7的外周部之間流動。伴隨著惰性氣體於對向面7中的外周處理液噴出口10的周圍之間流動，外周處理液噴出口10及連通孔33的內部被減壓，儲留於儲液槽32的藥液係藉由文氏管功效被導引至連通孔33並從外周處理液噴出口10噴出。藉此，從各個外周處理液噴出口10朝基板W的上表面外周部6噴出藥液。
此時，伴隨著惰性氣體於基板W的上表面外周部6與對向面7中的第二中間部噴出口210的周圍之間流動，第二中間部噴出口210及連通孔33的內部被減壓，儲留於第三儲液空間211的藥液係藉由文氏管功效被導引至連通孔33並從第二中間部噴出口210噴出。
此外，伴隨著惰性氣體於基板W的上表面外周部6與對向面7中的第一中間部噴出口208的周圍之間流動，第一中間部噴出口208及連通孔33的內部被減壓，儲留於第二儲液空間209的藥液係藉由文氏管功效被導引至連通孔33並從第一中間部噴出口208噴出。
此外，伴隨著惰性氣體於基板W的上表面外周部6與對向面7中的外周處理液噴出口10的周圍之間流動，外周處理液噴出口10及連通孔33的內部被減壓，儲留於第一儲液空間207的藥液係藉由文氏管功效被導引至連通孔33並從外周處理液噴出口10噴出。
依據本實施形態，達成與第三實施形態的情形同等的作用功效。
以上雖然已說明本發明的四個形態，但本發明亦可以其他的形態來實施。
例如在第一實施形態至第四實施形態中，連通孔33的剖面積亦可設置成下述大小：在流體未於基板W的上表面外周部6與對向面7之間流動的狀態下藥液(處理液)會被供給至外周處理液噴出口10、第一中間部噴出口208、第二中間部噴出口210。
在第三實施形態中，於將堤部372(參照圖15)設置於儲液槽32的外周側之情形中，亦可進一步設置有從堤部372的上端部朝對向板21的徑方向內側突出之簷部(與圖11的簷部73同等)。
此外，第二實施形態至第四實施形態中，亦可在對向面 7中，於外周處理液噴出口10、第一中間部噴出口208、第二中間部噴出口210中之比外周處理液噴出口10、第一中間部噴出口208、第二中間部噴出口210還靠近對向板21的周方向外側設置圓環狀的較厚部71，藉此加速在基板W的上表面外周部6與對向面7中的外周處理液噴出口10、第一中間部噴出口208、第二中間部噴出口210的周圍之間流動之藥液的流速。
此外，在第一實施形態至第四實施形態中，亦可非為於周方向排列複數個外周處理液噴出口10、第一中間部噴出口208、第二中間部噴出口210之構成，而是將外周處理液噴出口10、第一中間部噴出口208、第二中間部噴出口210作成以旋轉軸線A2作為中心之圓環狀。再者，亦可非為沿著對向板21的周方向設置複數個外周處理液噴出口10、第一中間部噴出口208、第二中間部噴出口210之構成，而是將外周處理液噴出口10、第一中間部噴出口208、第二中間部噴出口210偏移配置於對向板21的周方向之配置。
此外，在第一實施形態至第四實施形態中，亦可不將突部35作成以旋轉軸線A2作為中心之圓環狀，而是僅於與外周處理液噴出口10、第一中間部噴出口208、第二中間部噴出口210的周圍對應的部分間歇性地設置突部35。
此外，在第一實施形態至第四實施形態中，亦可廢棄突部35。
此外，在第二實施形態中，亦可將第一儲液空間207、第二儲液空間209以及第三儲液空間211各者作成第一實施 形態的儲液槽32。亦即，不僅將由噴出口、儲液槽32以及連通孔33所構成的儲液噴出單元設置於對向構件8的外周部，亦可設置於對向構件8的中間部(對向構件8的中央部與對向構件8的外周部之間的部分)。
此外，在前述各個基板處理例中，雖然已說明與對基板W供給藥液並行地使基板W繞著旋轉軸線A2旋轉，但亦可在使基板W停止旋轉的狀態下對基板W供給藥液。
此外，在前述各個基板處理例中，雖然已說明在清洗步驟S4中使對向板21退避至退避位置，但亦可將對向板21配置於接近位置。
此外，在從中央處理液噴出口9噴出的藥液具有比常溫還高的液溫之情形，於基板W的上表面流動之過程中被冷卻，因此有在基板W的上表面外周部6中藥液的液溫降低之虞。結果，有基板W的上表面外周部6中的處理速率變得比基板W的上表面中央部的處理速率還低之虞。
在此情形中，從外周處理液噴出口10噴出具有比常溫還高的液溫(與從中央處理液噴出口9噴出的藥液的液溫同等)之藥液。藉此，能將基板W的上表面中的藥液的液溫保持成較高，而能更提高基板W的上表面中的藥液處理的均勻性。
此外，在第一實施形態及第二實施形態的基板處理例中，雖然已例舉使用了將臭氧水作為處理液的阻劑去除處理進行說明，但本發明亦能應用於其他的處理(蝕刻處理或洗淨處理)。在此情形中，作為處理液使用的藥液係例如能使用包含有下述至少一種的液體：硫酸、乙酸、硝酸、鹽酸、氟酸、 氨水、過氧化氫水、有機酸(例如檸檬酸、草酸等)、有機鹼(例如TMAH(氫氧化四甲銨)等)、有機溶劑(例如IPA(異丙醇)等)、界面活性劑、防腐蝕劑。
此外，在第一實施形態至第四實施形態中，處理液亦可含有水。水係例如為去離子水(DIW)，但未限定於DIW，亦可為碳酸水、電解離子水、氫水以及稀釋濃度(例如10ppm至100ppm左右)的鹽酸水中的任一者。
此外，在第一實施形態至第四實施形態中，雖然已說明基板處理裝置1、201、301、401為用以處理圓板狀的基板之裝置的情形，但基板處理裝置1、201、301、401亦可為用以處理液晶顯示裝置用玻璃基板等多角形的基板之裝置。
雖已詳細地說明本發明的實施形態，但這些實施形態僅為用以明瞭本發明的技術性內容之具體例，本發明不應被侷限地界定於這些具體例，本發明的範圍僅被附件的申請專利範圍所界定。
本發明係與2016年5月25日於日本特許廳所提出之日本特願2016-104599號以及2017年1月12日於日本特許廳所提出之日本特願2017-003510號對應，並這些申請案的所有內容係被援用並組入於本發明中。

Claims (17)

  1. 一種基板處理裝置，係包含有：基板保持單元，係一邊水平地保持基板，一邊使前述基板繞著通過前述基板的中央部之鉛直的旋轉軸線旋轉；對向構件，係具有與前述基板的上表面相對向之對向面；以及處理液噴出單元，係包含有：中央部噴出口，係在前述對向面中與前述基板的上表面中央部相對向並呈開口；複數個外周部噴出口，係在前述對向面中與前述基板的上表面外周部相對向並呈開口，且沿著前述基板的周方向環狀地排列；以及儲液部，係設置於前述對向構件，並能預先儲留從前述複數個外周部噴出口噴出的處理液，且以可對前述複數個外周部噴出口之各者供給前述處理液之方式設置成俯視觀看時與前述複數個外周部噴出口重複的環狀；前述處理液噴出單元係從前述中央部噴出口噴出前述處理液並將前述處理液供給至前述基板與前述對向面之間，且從前述外周部噴出口噴出前述處理液並將前述處理液補充至前述基板與前述對向面之間。
  2. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中前述處理液噴出單元進一步包含有：連通孔，係連通前述儲液部的內部與前述外周部噴出口； 於前述基板的前述上表面外周部與前述對向面中的前述外周部噴出口的周圍之間流通流體，並藉由該流體的流通所伴隨的前述連通孔的減壓將儲留於前述儲液部的前述處理液經由前述連通孔從前述外周部噴出口噴出。
  3. 如請求項2所記載之基板處理裝置，其中於前述基板的前述上表面外周部與前述對向面中的前述外周部噴出口的周圍之間流通之前述流體係前述處理液。
  4. 如請求項2或3所記載之基板處理裝置，其中於前述基板的前述上表面外周部與前述對向面中的前述外周部噴出口的周圍之間流通之前述流體係氣體。
  5. 如請求項2或3所記載之基板處理裝置，其中以加速於前述基板的前述上表面外周部與前述對向面中的前述外周部噴出口的周圍之間流通之前述流體的流速之方式於前述對向面中的前述外周部噴出口的周圍設置有突部。
  6. 如請求項2或3所記載之基板處理裝置，其中以加速於前述基板的前述上表面外周部與前述對向面中的前述外周部噴出口的周圍之間流動之前述流體的流速之方式於前述對向面中之比前述外周部噴出口還靠近前述對向構件的外周側設置有較厚部。
  7. 如請求項2或3所記載之基板處理裝置，其中前述連通孔的剖面積係設定成在處理液未流通於前述基板的前述上表面外周部與前述對向面中的前述外周部噴出 口的周圍之間的狀態下不會從前述外周部噴出口噴出處理液之大小。
  8. 如請求項1至3中任一項所記載之基板處理裝置，其中前述儲液部係包含有：儲液槽，係形成於前述對向構件中之與前述對向面的相反側之面。
  9. 如請求項8所記載之基板處理裝置，其中前述儲液部係進一步包含有：堤部，係用以限制儲留於前述儲液槽的前述處理液從前述儲液槽流出。
  10. 如請求項9所記載之基板處理裝置，其中前述儲液部係進一步包含有：簷部，係從前述堤部的上端部朝前述對向構件的徑方向內側突出。
  11. 如請求項1至3中任一項所記載之基板處理裝置，其中前述儲液部係進一步包含有：儲液空間，係形成於前述對向構件的內部。
  12. 如請求項1至3中任一項所記載之基板處理裝置，其中進一步包含有：處理液供給單元，係用以對前述儲液部供給前述處理液；在從前述中央部噴出口開始噴出前述處理液時，前述處理液供給單元係對前述儲液部供給前述處理液。
  13. 如請求項1至3中任一項所記載之基板處理裝置，其中前述處理液係包含有藥液。
  14. 如請求項13所記載之基板處理裝置，其中前述基板處理裝置係用以從前述基板的上表面去除阻劑之裝置；前述藥液係用以從前述基板去除前述阻劑之臭氧水。
  15. 一種基板處理方法，係用以藉由來自處理液噴出單元的處理液處理基板的上表面，前述處理液噴出單元係包含有：中央部噴出口，係在與前述基板的前述上表面相對向之對向面中與前述基板的上表面中央部相對向且呈開口；複數個外周部噴出口，係在前述對向面中與前述基板的上表面外周部相對向且呈開口，且沿著前述基板的周方向環狀地排列；以及儲液部，係設置於前述對向構件，並能預先儲留從前述複數個外周部噴出口噴出的處理液，且以可對前述複數個外周部噴出口之各者供給前述處理液之方式設置成俯視觀看時與前述複數個外周部噴出口重複的環狀；前述基板處理方法係包含有：基板旋轉步驟，係使前述基板繞著通過前述基板的中央部之鉛直的旋轉軸線旋轉；以及處理液噴出步驟，係與前述基板旋轉步驟並行，從前述中央部噴出口噴出前述處理液並將前述處理液供給至前述基板與前述對向面之間，且從前述外周部噴出口噴出前述處理液並將前述處理液補充至前述基板與前述對向面之間。
  16. 如請求項15所記載之基板處理方法，其中於前述處理液供給步驟的開始時係進一步包含有用以對前述儲液部供給前述處理液之處理液供給步驟。
  17. 如請求項15所記載之基板處理方法，其中前述儲液部係配置於外周部噴出口的上方，且前述儲液部的內部與前述外周部噴出口係經由連通孔連通，並伴隨著前述基板的前述上表面外周部與前述對向面中的前述外周部噴出口的周圍之間的流體的流通使前述連通孔減壓，藉此儲留於前述儲液部的前述處理液係經由前述連通孔從前述外周部噴出口噴出；前述基板處理方法係進一步包含有：離心法脫水步驟，係在前述儲液部未儲留有前述處理液的狀態下，使前述基板繞著通過前述基板的中央部之鉛直的旋轉軸線高速旋轉而甩離乾燥。
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