JP4222997B2 - 基板処理装置 - Google Patents

Description

この発明は、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶用ガラス基板、光ディスク用基板等に対して洗浄処理などの所定の処理を施す基板処理装置に関する。

半導体ウエハ等の基板の一連の処理工程においては、基板の表面にフォトレジスト等の薄膜を形成するための成膜工程を複数工程有しているが、この成膜工程では基板裏面あるいは基板表面の周縁部にも成膜されることがある。しかしながら、一般的には基板において成膜が必要なのは基板表面の中央部のデバイス形成領域のみであり、基板裏面あるいは基板表面の周縁部に成膜されてしまうと、成膜工程の後工程において、他の装置との接触により基板裏面あるい基板表面の周縁部に形成された薄膜が剥がれたりすることがあり、これが原因となって歩留まりの低下や基板処理装置自体のトラブルが起こることがある。

そこで、基板裏面および基板表面の周縁部に形成された薄膜を除去するために、例えば特許文献１に記載された装置が提案されている。この装置では、その表面に薄膜が形成された基板をベース部材の周縁部付近に設けられたチャックピン等の保持部材によって保持するとともに、ベース部材を回転させることで基板を回転させている。また、回転している基板の裏面に対して薬液を供給する。このとき、基板の表面に対向する対向面を有し、かつ基板の表面と所定の間隔離れた回転部材を回転させると、基板の回転および回転部材の回転によって、薬液は基板の裏面全体に広がって基板裏面の不要物をエッチング除去するのみならず、基板の端面を介して基板表面の周縁部に回り込み、該表面周縁部の不要物をもエッチング除去する。こうして、基板裏面および基板表面の周縁部のみにおいて薄膜がエッチング除去される。

特開２０００−２３５９４８号公報（第２−３頁、図１）

ところで、上記した基板処理は基板表面の略中央部に形成された非処理部の周辺から一定範囲の薄膜を除去するために行われるが、この除去範囲、つまり端面から内側に向かってエッチング除去される幅（以下「周縁エッチング幅」という）を正確にコントロールするのが望まれる。特に、薄膜として銅などのメタル層が基板表面に形成された場合には、上記基板処理では端面（べベル）近傍でのメタル除去を目的とするため、周縁エッチング幅を周面全体にわたって均一化することが非常に重要となっている。

このため、上記のような基板処理を行う場合に基板の物理的な中心（以下単に「基板の中心」という）と基板を回転させるスピンベース等のベース部材の回転中心とを正確に一致させる必要がある。というのも基板の中心とベース部材の回転中心とが偏心（位置ずれ）していると、基板表面の周縁部への薬液の回り込み量が異なり、周縁エッチング幅を基板全周にわたって均一にすることができなくなるからである。これは、基板表面の周縁部に形成された薄膜を除去するために、回転する基板表面の周縁部にノズルを対向配置させて基板表面の周縁部に向けて薬液を供給して処理する場合も同様である。この場合、基板の中心とベース部材の回転中心とが偏心していると基板の回転に伴い基板の端面とノズルとの間の相対距離が変化することにより、周縁エッチング幅が円周方向に異なってしまう。その結果、周縁エッチング幅を基板全周にわたって均一にすることができなくなる。

このような観点からみると従来装置では、ベース部材の周縁部付近に設けられた３個以上の保持部材が基板の端面に当接することで、基板の外径を３点以上の位置で保持している。このため、３個以上の保持部材がそれぞれに基板の端面に当接することで、基板の中心をベース部材の回転中心から所定の範囲内に位置決めすることが可能となっている。

しかしながら、基板の端面に保持部材を当接させて基板を保持する方式では、次のような不具合が発生することがある。すなわち、回転する基板の裏面に供給した薬液を基板の端面を介して基板表面の周縁部に回り込ませて該表面周縁部の不要物をエッチング処理する場合には、基板の端面に保持部材を当接させて基板を保持している関係で、基板表面の周縁部のうち保持部材によって保持されている部分と、そうでない部分とで薬液が回り込んでくる量が異なり、基板表面の周縁部を均一にエッチング処理することができない。また、回転する基板表面の周縁部にノズルを対向配置させて基板表面の周縁部に向けて薬液を供給してエッチング処理する場合には、基板表面の周縁部に供給された薬液は基板の径方向外側に向かい、その一部が保持部材に当たって跳ね返り基板表面の中央部（非処理部）を腐食させてしまうことがある。

さらに、基板の端面に保持部材を当接させて基板を保持する方式では、基板の端面を保持した状態で保持部材をベース部材の回転中心回りに回転させているため、保持部材が基板端面の周囲の気流を乱れさせることとなる。その結果、処理中に飛散したミスト状の薬液が基板と回転部材との間に形成される空間に巻き込まれて基板表面の中央部に侵入して付着することがある。

この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、基板を保持しながら回転させて所定の処理を施す基板処理装置において、基板保持に起因する基板への悪影響を防止しつつ、精度良く位置決めされた状態で基板を処理することのできる基板処理装置を提供することを目的とする。

この発明にかかる基板処理装置は、上記目的を達成するため、所定の回転中心回りに回転自在に設けられた回転部材と、該回転部材を回転中心回りに回転させる回転手段と、回転部材から上方に向けて突設され、基板の下面に当接し、該基板を水平方向に滑動自在に支持しながらも、基板の下面との間に発生する摩擦力で基板を回転部材に保持する支持手段と、基板の上面に気体を供給することによって基板を支持手段に押圧させて回転部材に保持させる押圧手段とを有する基板回転機構と、基板回転機構の支持手段上の基板に前記摩擦力に比べて大きな力を水平方向に作用させることで基板を基板回転機構の回転中心側に滑動させて基板の水平方向の位置を補正する位置補正機構と、押圧手段により基板を支持手段に押圧させる前に位置補正機構により基板の水平方向の位置を補正し、その位置補正後に、前記基板を前記押圧手段により前記支持手段に押圧させつつ前記回転手段により回転させて前記基板に対して所定の処理を行う制御手段とを備えたことを特徴としている。

このように構成された発明では、基板回転機構は、所定の回転中心回りに回転自在に設けられた回転部材と、該回転部材を前記回転中心回りに回転させる回転手段と、前記回転部材から上方に向けて突設され、前記基板の下面に当接し、該基板を水平方向に滑動自在に支持しながらも、前記基板の下面との間に発生する摩擦力で前記基板を前記回転部材に保持する支持手段と、前記基板の上面に気体を供給することによって前記基板を前記支持手段に押圧させて前記回転部材に保持させる押圧手段とを有している。したがって、基板回転機構の回転部材は支持手段と基板との間に発生する摩擦力で基板を保持しながら所定の回転中心回りに回転する。したがって、基板回転機構の回転部材に保持された基板は回転中に径方向へと飛び出すことなく、基板回転機構の回転部材とともに上記回転中心回りに回転する。このように基板を基板回転機構の支持手段との間に発生する摩擦力で保持することで、基板の端面に当接して基板を保持するチャックピン等の保持部材を不要とすることができる。一方で、基板は基板回転機構の支持手段に滑動自在に支持されており、上記摩擦力に比べて大きな水平方向の力を受けることで水平方向に移動可能となっている。このため、位置補正機構が上記摩擦力より大きな力を基板に対して作用させることで、基板を基板回転機構の回転中心側に滑動させて基板の水平方向の位置を補正することができる。これにより、基板の端面に当接するチャックピン等の保持部材がなくても、基板の中心と基板回転機構の回転中心とが位置合わせされる。したがって、「発明が解決しようとする課題」の項で説明したような基板保持に起因する基板への悪影響を防止するとともに、精度良く位置決めされた状態で基板を処理することができる。
また、基板は支持手段により回転部材から離間した状態で保持されるので、基板が回転部材に当接して支持された場合に生じる基板の下面の損傷や汚染を避けることができる。
また、押圧手段により基板を支持手段に押圧することによって、基板を安定に基板回転機構の回転部材に保持させながら回転させることができる。また、このような押圧手段を設けることにより、支持手段に対する基板の保持力を適宜調整することができる。すなわち、基板に所定の処理を施す際にのみ基板の上面に気体を供給して確実に基板を保持して回転させる一方、基板を水平方向に滑動させて位置決めする際には気体の供給を停止して基板の滑動を容易にすることができる。

例えば、所定の処理として回転する基板の裏面に供給した薬液を基板の端面を介して基板表面の周縁部に回り込ませて該表面周縁部の不要物をエッチング処理する場合には、基板の端面を保持部材によって保持すると、基板表面の周縁部のうち保持部材によって保持されている部分と、そうでない部分とで薬液が回り込んでくる量が異なり、周縁エッチング幅を均一にして処理することができないという問題があった。一方で、この発明によれば、基板回転機構は基板との間に発生する摩擦力で基板を保持するとともに、基板の中心を基板回転機構の回転中心に位置決めすることができるので、薬液の基板表面の周縁部への回り込み量を阻害させることなく、周縁エッチング幅を均一にして処理することができる。

また、所定の処理として回転する基板表面の周縁部にノズルを対向配置させて基板表面の周縁部に向けて薬液を供給してエッチング処理する場合には、基板表面の周縁部に供給された薬液は基板の径方向外側に向かい、その一部が保持部材に当たって跳ね返り基板表面の中央部（非処理部）を腐食させてしまうという問題があった。一方で、この発明によれば、基板回転機構は基板との間に発生する摩擦力で基板を保持しているので基板の端面付近に障害となるものがなく、基板の回転により基板表面を伝って径方向外側に向かう薬液が直接に保持部材に当たって基板表面の中央部へ跳ね返るということがない。

さらに、基板の端面付近の気流を乱す要因がないことからミスト状の薬液の基板表面側への巻き込みを軽減することができる。これにより、基板表面の中央部への薬液の付着を効果的に防止することができる。

また、支持手段は、複数の第１支持ピンからなる第１支持ピン群と、基板の下面に対する摩擦係数が第１支持ピンに比べて大きな複数の第２支持ピンからなる第２支持ピン群とを備え、位置補正機構により基板の水平方向の位置を補正する際には第１支持ピン群のみが基板の下面に当接する一方で、基板に対して所定の処理を施す際には少なくとも第２支持ピン群が基板の下面に当接するように構成するのが望ましい。このような構成によれば、基板の位置を補正する際に、基板の下面に対する摩擦係数が比較的小さな第１支持ピン群のみが基板の下面に当接することで、基板をなめらかに滑動させて基板の位置決めを容易にして、比較的短時間で位置決めを完了することができる。また、基板の下面が損傷するのを防止することができる。一方、基板に対して所定の処理を施す際には、基板の下面に対する摩擦係数が比較的大きな第２支持ピン群が基板の下面に当接することで、安定して基板を回転保持させることができ、処理中の基板の位置ずれを確実に防止することができる。

このような第１支持ピン群による基板支持と第２支持ピン群による基板支持とを切替えるためには、例えば次のように構成するのが望ましい。すなわち、第２支持ピンの各々を昇降自在に構成するとともに、基板回転機構は、第２支持ピンの各々が基板の下面に当接する当接部の高さを第１支持ピン群が基板の下面と当接する当接位置に対して高い位置と低い位置とに昇降させる昇降駆動手段を備えるようにするのが望ましい。このように構成することで、基板の位置を補正する際には、第２支持ピン群を下降させて第２支持ピンの各々が基板の下面に当接する当接部の高さを第１支持ピン群が基板の下面と当接する当接位置に対して低い位置に位置決めすることで、基板の下面に対する摩擦係数が比較的小さな第１支持ピン群により基板を支持して基板の位置補正を容易にすることができる。一方、基板に対して所定の処理を施す際には、第２支持ピン群を上昇させて第２支持ピンの各々が基板の下面に当接する当接部の高さを第１支持ピン群が基板の下面と当接する当接位置に対して高い位置に位置決めすることで、基板の下面に対する摩擦係数が比較的大きな第２支持ピン群により基板を支持して安定に基板を回転保持しながら処理を施すことができる。

また、位置補正機構による基板位置補正の態様としては、以下の２つの態様がある。すなわち、基板位置補正の一態様にかかる位置補正機構は、基板回転機構により回転される基板の端面のうち基板回転機構の回転中心から最も離れた端面位置を検出する検出手段と、基板の端面に当接して該基板を水平方向に押圧する押圧部材と、押圧部材を駆動することで押圧部材が基板と当接する当接部位を基板回転機構の回転中心から水平方向に基板の半径に対応して定められた距離だけ離れた既定位置と、基板から離間した離間位置とに位置決めする駆動手段とを備えており、駆動手段は押圧部材を駆動させて当接部位を既定位置に位置決めすることで、検出手段により検出された端面位置が既定位置に一致するまで基板回転機構の回転中心側に向けて押圧部材により基板を押動している。

このような構成によれば、基板は基板回転機構により滑動自在に支持されながらも基板回転機構との間に発生する摩擦力で基板回転機構に保持されながら基板回転機構の回転中心回りに回転する。そして、回転する基板の端面位置のうち基板回転機構の回転中心から最も離れた基板の端面位置を検出した後、該端面位置を押圧部材により基板回転機構の回転中心から水平方向に基板の半径に対応して定められた距離だけ離れた既定位置まで押動している。これにより、基板回転機構の回転中心から最も離れた基板の端面位置が、既定位置に合わされることにより、基板の中心が基板回転機構の回転中心から所定の範囲内に位置決めされる。例えば、既定位置として、基板回転機構の回転中心から水平方向に基板の半径に目標精度の正の許容値を加えた距離だけ離れた位置に押圧部材を移動させることで、基板の中心と基板回転機構の回転中心との間の距離（偏心距離）を目標精度内にすることができる。このため、簡素な構成で精度良く位置決めすることができる。

また、基板位置補正の他の態様にかかる位置補正機構は、基板の端面に当接して該基板を水平方向に押圧する押圧部材と、押圧部材を駆動することで押圧部材が基板と当接する当接部位を基板回転機構の回転中心から水平方向に基板の半径に対応して定められた距離だけ離れた既定位置と、基板から離間した離間位置とに位置決めする駆動手段とを備えており、駆動手段は押圧部材を駆動させて当接部位を既定位置に位置決めするように押圧部材を配置して、回転する基板の端面のうち該既定位置よりも径方向外側の端面位置を押圧部材に当接させつつ押圧することで基板の位置を基板回転機構の回転中心側に向けて矯正させている。

このような構成によれば、上記した「位置補正機構の一態様」と同様にして、基板は基板回転機構により滑動自在に支持されながらも基板回転機構との間に発生する摩擦力で基板回転機構に保持されながら基板回転機構の回転中心回りに回転する。そして、押圧部材を配置して押圧部材が基板の端面と当接する当接部位を基板の半径に対応して決められ基板回転機構の回転中心から水平方向に所定の距離だけ離れた既定位置に位置決めすることで、回転する基板の端面のうち既定位置よりも径方向外側の端面位置を押圧部材に当接させつつ押圧させている。これにより、回転する基板の端面のうち基板回転機構の回転中心から水平方向に所定の距離だけ離れた位置よりも径方向外側の端面位置が押圧部材に当接することで基板が基板回転機構の回転中心側に押し込まれて、基板の中心が基板回転機構の回転中心から所定の範囲内に位置決めすることができる。このように、基板回転機構により基板を回転保持しながらも滑動自在に支持しているので、上記した「位置補正機構の一態様」と同様の作用効果が得られる。すなわち、簡素な構成で精度良く位置決めすることができる。また、この構成によれば、検出手段を必須としないので、さらに装置構成が簡素化される。

ここで、押圧部材は、基板の端面に当接可能に構成され基板回転機構の回転軸方向に伸びる回動軸回りに回動自在なローラを備えるようにしてもよい。このように構成することで上記した「位置補正機構の一態様」では、基板周囲のスペース等の制約で押圧部材を基板回転機構の回転中心の方向に沿って押動できない場合であっても、該基板の端面の動きに合わせてローラを従動させることにより、基板を基板回転機構の回転中心の方向に向けて移動させて位置決めすることができる。また、上記した「位置補正機構の他の態様」では、基板の回転に合わせて該基板の端面にローラを従動させることにより、基板の端面とローラとの間に発生する摩擦を低減して、基板が意図しない方向に移動するのを防止することができる。その結果、さらに精度良く基板の中心と基板回転機構の回転中心とを合わせることができる。

さらに、上記した「位置補正機構の他の態様」において、ローラを回転させる回転駆動部を設けて、該回転駆動部により基板の回転方向と反対方向に、しかも基板の周速と同一となるようにローラを回転させるようにしてもよい。このように構成することで、基板の端面とローラとの間に速度差が発生するのを防止して、基板の端面にローラが当接する際の衝撃力を緩和することができる。また、このようにローラを自発的に回転させることで、ローラが従動しにくい場合でも基板の端面とローラとの間に発生する摩擦を低減することができ、精度良く基板の中心と基板回転機構の回転中心とを合わせることができる。

また、基板の周縁部に切欠部が形成されていても、ローラの直径を切欠部によって基板の円周が切り取られる弧の長さよりも大きくすることで、ローラが切欠部に入り込むなどして基板の位置が大きくずれてしまうことを抑制することができる。

また、押圧部材と基板の端面との接触形態は、点接触または線接触のいずれであってもよい。ここで、押圧部材と基板の端面とを線接触させる場合には、押圧部材は切欠部によって基板の円周が切り取られる弧の長さよりも大きな幅を有する接触面を備えるように構成するのが望ましい。このように構成することで、押圧部材が切欠部に入り込むのを防止して安定に基板を位置決めすることができる。

この発明によれば、基板を基板回転機構との間に発生する摩擦力で保持することで、基板の端面に当接して基板を保持するチャックピン等の保持部材を不要とすることができる。また、基板は基板回転機構に滑動自在に支持されているため、位置補正機構が上記摩擦力に比べて大きな水平方向の力を基板に対して作用させることで、基板を基板回転機構の回転中心側に滑動させて基板の水平方向の位置が補正される。このため、基板の端面に当接するチャックピン等の保持部材がなくても、基板の中心と基板回転機構の回転中心とを位置合わせすることができる。したがって、基板保持に起因する基板への悪影響を防止するとともに、精度良く位置決めされた状態で基板を処理することができる。

＜第１実施形態＞
図１は、この発明にかかる基板処理装置の第１実施形態を示す図である。また、図２は図１の基板処理装置の平面図である。この基板処理装置は基板表面Ｗｆの周縁部からメタル層やフォトレジスト層などの薄膜をエッチング除去するベベルエッチングと基板裏面Ｗｂを洗浄する裏面洗浄とを同時に実行（いわゆる１ステップ処理を実行）することが可能な装置であり、次のように構成されている。

この基板処理装置は、中空の回転軸１が、モータを含む回転駆動機構２の回転軸に連結されており、この回転駆動機構２の駆動により回転中心Ａ０回りに回転可能となっている。この回転軸１の上端部には、スピンベース３が一体的にネジなどの締結部品によって連結されている。したがって、回転駆動機構２の駆動によりスピンベース３が回転中心Ａ０回りに回転可能となっている。このように、この実施形態では、回転駆動機構２が本発明の「回転手段」に、スピンベース３が本発明の「回転部材」に相当している。

回転駆動機構２にはロータリーエンコーダ等の回転位置（回転角度）検出計が内蔵されており、スピンベース３の所定の基準位置からの回転位置を検出して装置全体を制御する制御ユニット４に送出する。また、制御ユニット４は回転位置検出計から送出された信号に基づいて回転駆動機構２を駆動させてスピンベース３を所望の回転位置に位置決めすることが可能となっている。

また、スピンベース３の上面側には、支持ピン５，６が本発明の「支持手段」としてそれぞれ複数個づつ、回転中心Ａ０を中心として放射状にスピンベース３から上方に向けて突設されている。複数の支持ピン５，６の各々は、基板裏面Ｗｂ（下面）に当接することで、スピンベース３から所定の間隔だけ離間させた状態で基板Ｗを水平方向に滑動自在に支持可能となっている。このため、基板Ｗがスピンベース３に当接して支持される場合に生じる基板Ｗの下面の損傷や汚染が防止される。一方で基板Ｗは支持ピン５，６により滑動自在に支持されながらも基板Ｗの下面と支持ピン５，６との間に発生する摩擦力で支持ピン５，６に保持されながら、スピンベース３の回転とともに回転中心Ａ０回りに回転可能となっている。

これらのうち図中回転中心Ａ０へ向かってスピンベース３の内側に位置する複数の支持ピン５は、本発明の「第１支持ピン群」を構成して、第１支持ピン群のみにより基板Ｗを支持することが可能となっている。一方、外側に位置する複数の支持ピン６は、本発明の「第２支持ピン群」を構成していて、後述する昇降駆動部を作動させることで、第２支持ピン群の各々を昇降させて第２支持ピン群のみにより、あるいは第１支持ピン群とともに基板Ｗを支持することが可能となっている。これにより、基板Ｗはその表面Ｗｆを上方に向けた姿勢で、かつ略水平姿勢で複数の支持ピン５および複数の支持ピン６の少なくとも一方によって支持される。なお、複数の支持ピン５からなる第１支持ピン群および支持ピン６からなる第２支持ピン群を構成する支持ピンの個数、配置については、基板Ｗを水平方向に支持し、搬送手段のハンド等が入り込む隙間が確保される限り任意である。

ここで、支持ピン６の基板Ｗの下面に対する摩擦係数は支持ピン５に比較して大きくなるように構成されている。したがって、基板Ｗの下面を（i）複数の支持ピン５からなる第１支持ピン群のみにより支持、（ii）複数の支持ピン６からなる第２支持ピン群のみにより支持、（iii）第１支持ピン群と第２支持ピン群の両方により支持するように支持態様を切り換えることで基板Ｗの下面との間に発生する摩擦力を変化させることができる。すなわち、基板Ｗの下面に対する摩擦係数が比較的小さな第１支持ピン群のみにより基板Ｗを支持することで基板Ｗの下面との間に発生する摩擦力を低減させ、基板Ｗに対して水平方向に外力を作用させた際に容易に基板Ｗを水平方向に滑動させることできる。一方、基板Ｗの下面に対する摩擦係数が比較的大きな第２支持ピン群のみにより、あるいは第１支持ピン群と第２支持ピン群の両方により基板Ｗを支持することで基板Ｗの下面との間に発生する摩擦力を増大させ、基板Ｗの水平方向の滑動を抑制して基板Ｗを安定に保持させることができる。

図３は支持ピン５，６の構成を示す部分拡大図である。なお、複数の支持ピン５および複数の支持ピン６の各々はいずれも同一構成を有しているため、ここでは１つの支持ピン５および１つの支持ピン６の構成についてのみ図面を参照しつつ説明する。支持ピン５は、スピンベース３の上面に固定的に立設されたピン本体５１と、ピン本体５１の上方に基板Ｗの下面と当接可能な当接部５２とを有し、これらが一体的に結合して構成されている。一方で、支持ピン６は、基板Ｗの下面に離当接可能な当接部６１と、当接部６１を上下方向へ移動可能に支持する可動ロッド６２と、この可動ロッド６２を上下動させるモータ等の昇降駆動部６３と、可動ロッド６２を取り囲むように設けられ可動ロッド６２と昇降駆動部６３とを外部雰囲気から遮断するベローズ６４とを有している。ベローズ６４の上端部は当接部６１の下面側に固着される一方、ベローズ６４の下端部はスピンベース３の上面側に固着されている。なお、昇降駆動部６３はモータに限らず、エアシリンダ等のアクチュエータ全般を用いてもよい。

ここで、支持ピン６の当接部６２は基板Ｗの下面に対する摩擦係数が大きな材質で形成される。また、支持ピン５の当接部５２の材質としては、基板Ｗの下面に対する摩擦係数が小さいものであって、しかも基板Ｗを損傷させたり、パーティクルを発生させることがない材質が望ましい。

上記した構成を有する支持ピン６では、昇降駆動部６３が制御ユニット４からの駆動信号に基づき図示省略する駆動連結部を介して可動ロッド６２を数ｍｍのストロークで昇降駆動させることにより、ベローズ６４を伸縮させながら当接部６１の高さ（当接部６１の先端位置）を支持ピン５が基板Ｗの下面と当接する当接位置（当接部５２の先端位置）に対して次のような位置に位置決めする。すなわち、図３（ａ）に示すように可動ロッド６２を下降させて支持ピン６の当接部６１を支持ピン５が基板Ｗの下面と当接する当接位置よりも低い位置に位置決めすると、当接部６１は基板Ｗの下面から離間して基板Ｗは支持ピン５のみにより支持される。また、図３（ｂ）に示すように可動ロッド６２を上昇させて支持ピン６の当接部６１を支持ピン５が基板Ｗの下面と当接する当接位置よりも高い位置に位置決めすると、基板Ｗは当接部６１により押し上げられ当接部５２は基板Ｗの下面から離間する。この際、ベローズ６４は当接部６１の上方への移動に従って伸長する。その結果、基板Ｗは支持ピン６のみにより支持される。さらに、図示はしていないが支持ピン６の当接部６１を支持ピン５の当接位置に対して同じ高さに位置させることで支持ピン５と支持ピン６の両方により基板Ｗを支持することができる。

次に、基板処理装置の位置補正機構について説明する。「発明が解決しようとする課題」の項で説明したように基板Ｗの端面から内側に向かってエッチング除去される幅（周縁エッチング幅）を正確にコントロールするために、スピンベース３の回転中心Ａ０と基板中心Ｗ０とを一致させることが重要となっている。そこで、この実施形態では、次のようにしてスピンベース３の回転中心Ａ０と基板中心Ｗ０とを一致させている。すなわち、上述したように複数の支持ピン５からなる第１支持ピン群のみにより基板Ｗを支持する場合には、複数の支持ピン６からなる第２支持ピン群のみにより基板Ｗを支持する場合または第１支持ピン群と第２支持ピン群の両方により基板Ｗを支持する場合に比べると基板Ｗとの間に発生する摩擦力を低減させて、基板Ｗに対して水平方向に外力を作用させた際に基板Ｗを水平方向に容易にしかも基板Ｗの損傷やパーティクルの発生を防止しつつ滑動させることが可能となっている。

したがって、複数の支持ピン５からなる第１支持ピン群のみにより基板Ｗを支持する場合には、基板Ｗに対して水平方向に基板Ｗの下面と支持ピン５との間に発生する摩擦力よりも大きな力を作用させることで基板Ｗに悪影響を及ぼすことなく基板Ｗの水平方向の位置を補正することが可能である。このため、この実施形態では位置補正ユニット７（本発明の「位置補正機構」に相当）を設けて、スピンベース３の回転中心Ａ０と基板中心Ｗ０とを一致させるように基板Ｗの位置補正を行っている。

図４は、位置補正ユニットの構成を示す図である。この位置補正ユニット７は、支持ピン５に滑動自在に支持された基板Ｗの端面に当接して該基板Ｗを水平方向に押圧する押圧ブロック７１と、押圧ブロック７１を支持するロッド７２と、該ロッド７２に接続され、押圧ブロック７１をスピンベース３の回転中心Ａ０を通る線上（スピンベース３の径方向）に沿って水平方向に移動させるブロック移動機構７３と、基板Ｗの周縁に配置されて該基板Ｗの端面位置を検出する検出センサ７４とを備えている。

押圧ブロック７１は円筒形状をなしており、その上面にロッド７２が固着されている。そのため、ブロック移動機構７３がロッド７２を水平方向に駆動させることで、押圧ブロック７１の側面７１ａ（本発明の「当接部位」に相当）を基板Ｗの端面に当接させつつ基板Ｗを水平方向に押動することが可能となっている。具体的には、押圧ブロック７１（側面７１ａ）が、支持ピン５に滑動自在に支持された基板Ｗに当接しつつ押圧することで、基板裏面Ｗｂ（下面）と支持ピン５との間に発生する摩擦力よりも大きな力を作用させて基板Ｗを支持ピン５上で滑動させて押圧方向に基板Ｗを移動させることが可能となっている。このように、この実施形態では、押圧ブロック７１が本発明の「押圧部材」として機能している。

また、ロッド７２と検出センサ７４とは、図示省略するブラケット等の取付け具を介して連結されている。このため、制御ユニット４からの動作指令に応じてブロック移動機構７３が作動することで、１つの駆動系で押圧ブロック７１と検出センサ７４とが一体的に駆動するように構成されている。

ここで、押圧ブロック７１の横断面形状である円の直径は、基板Ｗの周縁部に形成された切欠部の影響を考慮して次のように構成されている。すなわち、処理対象としている基板Ｗには、切欠部が施されていることが多い。例えば、基板Ｗとして半導体ウエハでは、ウエハ面内の結晶学的基準方位を示すために、ノッチなどの切欠部が形成されている。この場合、押圧ブロック７１と切欠部とが対向したときには、押圧ブロック７１が切欠部に入り込んで的確に基板Ｗを押動することができない。そこで、切欠部の存在を考慮して以下のように押圧ブロック７１を構成している。ここでは、基板Ｗの周縁部にノッチＮＴが形成されている場合について説明する。

図５は、基板のノッチと押圧ブロック７１の形状との関係を説明する図である。基板Ｗは略円盤形状を有するとともに、周縁部にノッチＮＴが形成されてなるものである。図５に示すように、押圧ブロック７１の横断面形状である円の直径Ｄは、基板Ｗの円周がノッチＮＴによって切り取られる弧の長さＬよりも十分に大きくなるように構成されている。したがって、押圧ブロック７１と対向する基板Ｗの端面位置にノッチＮＴが存在する場合でも、ノッチＮＴに押圧ブロック７１が入り込むのを防止して基板Ｗの位置ずれを抑制することができる。

図２に戻って説明を続ける。ブロック移動機構７３は、本発明の「駆動手段」として、ロッド７２（および検出センサ７４）を駆動させることで、当接部位７１ａ（押圧ブロック７１の側面）をスピンベース３の回転中心Ａ０から水平方向に基板Ｗの半径に対応して定められた距離Ｒだけ離れた既定位置Ｐ１（図２の破線位置）と、基板Ｗから側方に離間した離間位置Ｐ２（図２の実線位置）とに位置決めするように構成されている。

なお、ブロック移動機構７３を駆動させて押圧ブロック７１により基板Ｗの位置補正を行う際には、後述する雰囲気遮断板９は押圧ブロック７１と干渉しないようにスピンベース３から上方に十分に離れた位置に退避している。一方で、雰囲気遮断板９をスピンベース３と近接対向させて基板Ｗに対して洗浄等の所定の処理を行う際には、押圧ブロック７１はスピンベース３から側方に十分に離れた位置に退避している。

ここで、既定位置Ｐ１として、例えばスピンベース３の回転中心Ａ０から水平方向に基板Ｗの半径に位置決め目標精度の正の許容値を加えた距離Ｒだけ離れた位置に、押圧ブロック７１の当接部位７１ａがブロック移動機構７３によって位置決めされる。例えば、基板Ｗの直径が３００ｍｍ、位置決め目標精度を＋０．０５／−０．０５ｍｍとした場合には、既定位置Ｐ１として、スピンベース３の回転中心Ａ０から１５０．０５ｍｍだけ離れた位置に当接部位７１ａが移動される。なお、既定位置Ｐ１として、そのまま回転中心Ａ０から水平方向に基板Ｗの半径だけ離れた位置としてもよい。

検出センサ７４は、基板Ｗの側方に配置され、スピンベース３を回転させることでスピンベース３上に支持された基板Ｗの端面位置を検知することで検出センサ７４から基板Ｗの端面までの距離を検出する。ここで、検出センサ７４とスピンベース３の回転中心Ａ０との間の相対距離は一定であるので、基板中心Ｗ０がスピンベース３の回転中心Ａ０から偏心している場合には、検出センサ７４から基板Ｗの端面までの距離が基板回転に伴って変動する。このため、基板Ｗを回転させながら検出センサ７４が基板Ｗの端面までの距離を検出することで、回転中心Ａ０から最も離れた端面位置（以下「偏心位置」という）を知ることができる。

なお、検出センサ７４には例えば投光部と受光部とを備え、反射光の位置から三角測量法により距離を測定する光学式距離センサ、あるいは測定対象物との間の容量を検出することにより距離（または距離の変位量）を測定する静電容量式の近接覚センサなどを用いることができる。このように、この実施形態では、検出センサ７４が本発明の「検出手段」として機能している。

図１に戻って基板処理装置の構成について説明を続ける。この基板処理装置は、スピンベース３に対向して配置され、基板表面Ｗｆ（上面）側の雰囲気を遮断するための雰囲気遮断板９と、該雰囲気遮断板９と基板表面Ｗｆとの間に形成される空間に窒素ガス等の不活性ガスを供給するガス供給ユニット２１を備えている。そして、ガス供給ユニット２１から基板表面Ｗｆに向けて雰囲気遮断板９と基板表面Ｗｆとの間に形成される空間に窒素ガスを供給することによって、基板Ｗを複数の支持ピン５および複数の支持ピン６の少なくとも一方に押圧させて基板Ｗをスピンベース３に保持させることが可能となっている。

この雰囲気遮断板９は、中空を有する筒状の支持軸１１の下端部に一体回転可能に取り付けられている。この支持軸１１には、遮断板駆動機構１５が連結されており、遮断板駆動機構１５のモータを駆動することにより支持軸１１とともに雰囲気遮断板９が回転中心Ａ０回りに回転されるように構成されている。また、遮断板駆動機構１５の昇降駆動用アクチュエータ（例えばエアシリンダーなど）を作動させることで雰囲気遮断板９をスピンベース３に近接させたり、逆に上方に離間させることが可能となっている。

図６は雰囲気遮断板９の底面図である。この雰囲気遮断板９が基板表面Ｗｆと対向する円形の面の平面サイズは基板Ｗの平面サイズより若干大きく、その中心部に開口を有している。また、雰囲気遮断板９の周縁部には雰囲気遮断板９を上下方向（鉛直軸方向）に貫通する貫通孔９ｅが１個形成されており、後述するノズル８が挿入可能となっている。この貫通孔９ｅはスピンベース３に保持される基板表面Ｗｆの周縁部ＴＲ（図１）に対向する位置に形成されているため、ノズル８を貫通孔９ｅに挿入させることでノズル８を基板表面Ｗｆの周縁部ＴＲに対向して配置させることができる。なお、貫通孔９ｅの孔径は、ノズル８が挿入可能な範囲で必要最小限の大きさで形成される。これは、必要以上に貫通孔９ｅの孔径を大きくすることで、貫通孔９ｅに起因する処理液の跳ね返り等の不具合を防止するためである。

雰囲気遮断板９はスピンベース３の上方に配置されて、その下面（底面）が基板表面Ｗｆと対向する対向面９ａとなっている。対向面９ａには複数のガス噴出口９ｂ、９０ｂが開口している。ここで、ガス噴出口９ｂはスピンベース３に設けられた支持ピン６に対応する位置に、詳しくは支持ピン６の回転軌跡上に回転中心Ａ０を中心とする円周に沿って等間隔に配列されている。また、ガス噴出口９０ｂは、貫通孔９ｅに対して雰囲気遮断板９の中心（回転中心Ａ０）寄りに、貫通孔９ｅを取り囲むように配置されている。なお、これらのガス噴出口９ｂ、９０ｂは複数の開口にすることに限らず、例えば、複数のガス噴出口９ｂ（または９０ｂ）のそれぞれを繋ぎ合わせて単一の開口としてもよい。さらに、複数のガス噴出口９ｂ、９０ｂの全てを繋ぎ合わせて全周にわたってリング状の開口としてもよい。

図１に戻って説明を続ける。これらのガス噴出口９ｂ、９０ｂはそれぞれに、雰囲気遮断板９の内部に形成されたガス流通空間９ｃ、９０ｃに連通している。このガス流通空間９ｃ、９０ｃに窒素ガスを供給するために、ガス流通空間９ｃ、９０ｃはガス供給ユニット２１に接続されている。このため、ガス供給ユニット２１からガス流通空間９ｃ、９０ｃに窒素ガスが供給されると、複数のガス噴出口９ｂ、９０ｂから基板表面Ｗｆに向けて窒素ガスが噴出される。また、複数のガス噴出口９ｂ、９０ｂは支持ピン６の回転軌跡上に配置されるように雰囲気遮断板９の対向面９ａに設けられており、ガス噴出口９ｂは基板表面Ｗｆ側へ向けて略鉛直方向に窒素ガスを噴出するように形成される一方、ガス噴出口９０ｂは基板表面Ｗｆ側へ向けて下向きかつ径方向外向きに噴出するように形成されている。そして、これらのガス噴出口９ｂ、９０ｂの各々から均一に窒素ガスが噴出されることで、基板Ｗはスピンベース３に上方に向けて突出して設けられた各支持ピン６に均等に押圧される。

次に、ノズル８の構成および動作について説明する。このノズル８は貫通孔９ｅの形状に合わせて円筒形状に構成され、貫通孔９ｅに挿入されることで、ノズル８の先端部が基板表面Ｗｆの周縁部ＴＲに対向して配置される。また、ノズル８の先端部の下端面は雰囲気遮断板９の対向面９ａと面一の位置まで挿入される。このため、ノズル８から基板表面Ｗｆの周縁部ＴＲに処理液を供給可能になっている。すなわち、ノズル８には、その内部に薬液供給管８１とリンス液供給管８３が配設されており、薬液供給管８１が薬液供給ユニット２２と接続される一方で、リンス液供給管８３がリンス液供給ユニット２３に接続されている。このため、制御ユニット４からの動作指令に応じて薬液供給ユニット２２から薬液が圧送されると、薬液供給管８１から基板表面Ｗｆの周縁部ＴＲに向けて薬液が吐出される一方で、リンス液供給ユニット２３からリンス液が圧送されると、リンス液供給管８３から基板表面Ｗｆの周縁部ＴＲに向けてリンス液が吐出される。

ここで、ノズル８から処理液を供給して基板表面Ｗｆの周縁部（周縁処理領域）ＴＲを処理する場合における、周縁処理領域ＴＲと、雰囲気遮断板９の対向面９ａに設けられたガス噴出口９ｂ、９０ｂから噴出される窒素ガスの供給位置との位置関係について説明する。ガス噴出口９ｂから基板表面Ｗｆに向けて略鉛直方向に噴出される窒素ガスならびにガス噴出口９０ｂから基板表面Ｗｆに向けて下向きかつ径方向外向きに噴出される窒素ガスは、ノズル８からの処理液によって処理される周縁処理領域ＴＲより内側の非処理領域ＮＴＲに供給される。このため、処理液が非処理領域ＮＴＲに侵入するのを防止して周縁エッチング幅を基板全周にわたって均一にして処理することができる。

また、ノズル８は１本のアーム８５（図２）の先端側に固着されている。一方、アーム８５の基端部には、ノズル移動機構８７が連結されている。そして、制御ユニット４からの制御指令に応じてノズル移動機構８７が作動することでアーム８５を昇降駆動させるとともに、回転軸心Ｐ０回りに揺動駆動させることが可能となっている。これにより、ノズル８は、雰囲気遮断板９の貫通孔９ｅに挿入されることで基板Ｗと対向して基板表面Ｗｆの周縁部ＴＲに処理液を供給可能な供給位置Ｐ１１（図１、図２の実線で示す位置）と、供給位置Ｐ１１から上昇して側方に退避した退避位置Ｐ１２（図１、図２の破線で示す位置）との間を移動することができる。

また、雰囲気遮断板９の貫通孔９ｅの内壁にはガス導入口９ｄが設けられており、ガス導入口９ｄはガス流通空間９０ｃに接続されている。このため、ガス供給ユニット２１から窒素ガスが供給されると、ガス噴出口９ｂ、９０ｂから基板Ｗの上面に向けて窒素ガスが噴出されると同時に、貫通孔９ｅの内部空間にも窒素ガスが導入される。したがって、ノズル８が退避位置Ｐ１２に位置決めされる状態、すなわち、ノズル８が貫通孔９ｅに挿入されていない状態では、ガス供給ユニット２１から貫通孔９ｅに窒素ガスが導入され、雰囲気遮断板９の上下の貫通孔９ｅの開口から窒素ガスが噴出される。

雰囲気遮断板９の中心の開口および支持軸１１の中空部には、上部洗浄ノズル１２が同軸に設けられ、その下端部のノズル口１２ａからスピンベース３に押圧保持された基板Ｗの上面の回転中心付近に処理液（薬液または純水等のリンス液）を供給できるように構成されている。この上部洗浄ノズル１２は薬液供給ユニット２２およびリンス液供給ユニット２３と接続されており、薬液またはリンス液が選択的に供給される。

また、支持軸１１の中空部の内壁面と、上部洗浄ノズル１２の外壁面との間の隙間は、気体供給路１３となっている。この気体供給路１３はガス供給ユニット２１と接続されており、基板表面Ｗfと雰囲気遮断板９の対向面９ａとの間の空間に窒素ガスを吐出する。
これにより、基板表面Ｗfと雰囲気遮断板９の対向面９ａとの間の空間の圧力を上昇させて基板Ｗを複数の支持ピン５および複数の支持ピン６の少なくとも一方に押圧させて基板Ｗをスピンベース３に確実に保持させるとともに、基板表面Ｗfの中央部を外部雰囲気から遮断させる。このように、この実施形態では、雰囲気遮断板９の対向面９ａ、ガス噴出口９ｂ、９０ｂ、気体供給路１３およびガス供給ユニット２１が本発明の「押圧手段」として機能している。

回転軸１の中空部には、下部洗浄ノズル３１が同軸に設けられ、その上端部のノズル口３１ａから基板裏面Ｗｂの回転中心付近に処理液を供給できるように構成されている。この下部洗浄ノズル３２は、上部洗浄ノズル１２と同様に薬液供給ユニット２２およびリンス液供給ユニット２３と接続されており、薬液またはリンス液が選択的に供給される。

また、回転軸１の内壁面と下部洗浄ノズル３１の外壁面との間の隙間は、円筒状の気体供給路３３を形成している。この気体供給路３３はガス供給ユニット２１と接続されており、基板裏面Ｗｂとスピンベース３の対向面との間の空間に窒素ガスを吐出する。

次に、上記のように構成された基板処理装置の動作について図７ないし図１３を参照しつつ詳述する。図７は、図１の基板処理装置の動作を示すフローチャートである。また、図８は、図１の基板処理装置の支持ピンの状態を示す図である。この基板処理装置では、基板表面Ｗｆにメタル層やフォトレジスト層などの薄膜が形成された基板Ｗが基板表面Ｗｆを上方に向けて装置に搬入されると、基板位置補正処理が実行される（ステップＳ１）。より具体的には、図９のフローチャートに示す一連の処理が実行される。なお、基板Ｗの搬入出および基板位置補正処理を行う際には、雰囲気遮断板９および支持軸１１は一体的にスピンベース３の上方に退避している。

図９は基板位置補正処理を示すフローチャートである。また、図１０は、図１の基板位置補正処理の動作を説明するための図である。先ず、搬送ロボット等の搬送手段により基板Ｗがスピンベース３に載置されることで基板Ｗが複数の支持ピン５からなる第１支持ピン群に支持され、検出センサ７４による基板Ｗの端面までの距離の検出を開始する（ステップＳ１１）。このとき、図８（ａ）に示すように、複数の支持ピン６の当接部６１はいずれも支持ピン５が基板Ｗの下面と当接する当接位置よりも低い位置に位置決めされており、基板Ｗは第１支持ピン群のみにより水平方向に滑動自在に支持される。つまり、支持ピン６に比較して基板Ｗの下面に対する摩擦係数が小さな支持ピン５のみにより基板Ｗが支持されることで基板Ｗは外力の作用により容易に水平方向に滑動可能な状態にある。なお、押圧ブロック７１（ならびに検出センサ７４）は、基板Ｗの側方の離間位置Ｐ２に配置されており、基板Ｗとの干渉を防止している。

そして、検出センサ７４による検出動作を実行した状態で、制御ユニット４は回転駆動機構２を作動させて基板Ｗを回転させる（ステップＳ１２）。このとき、基板Ｗは基板Ｗの下面と支持ピン５との間に発生する摩擦力で支持ピン５に保持されながら回転中心Ａ０回りに回転する。ここで、スピンベース３の回転位置は回転駆動機構２に内蔵された回転位置検出計により検出され、制御ユニット４に送出される。その結果、基板Ｗの周方向位置と基板Ｗの端面までの距離について基板Ｗの全周を計測することで、図１１に示すような計測結果を得ることができる。

図１１は検出センサによる検出結果を示すグラフである。具体的には基板Ｗを略一周回転させた際に得られる、基板Ｗの周方向位置に対する検出センサ７４から基板Ｗの端面までの距離を示すグラフである。図１１に示すように、回転中心Ａ０と基板中心Ｗ０とがずれている（偏心している）場合には、検出センサ７４から基板Ｗの端面までの距離が変化して、当該距離が最小となる極小点ＰＡと当該距離が最大となる極大点ＰＢとが検出される。ここで、図１０（ａ）に示すように、極小点ＰＡは回転中心Ａ０から最も離れた端面位置（偏心位置）、すなわち回転中心Ａ０から基板中心Ｗ０の方向（偏心方向）に伸びる仮想線ＰＬを想定した場合に該仮想線ＰＬと基板Ｗの外径とが交わる位置に相当する。そして、制御ユニット４は、回転位置検出計から送出される信号と検出センサ７４からの検出信号に基づいて偏心位置ＰＡ（回転方向の位置）を算出する（ステップＳ１３）。

ここで、制御ユニット４は、極小点（偏心位置）ＰＡと極大点ＰＢとの間の距離が位置決め目標精度ＴＡの範囲内にあるか否かを判断して（ステップＳ１４）、目標精度ＴＡの範囲内にある場合（ステップＳ１４でＹＥＳ）には基板Ｗの位置補正をすることなく、そのまま処理を終了する。一方、目標精度ＴＡの範囲内にない場合（ステップＳ１４でＮＯ）には基板Ｗの位置補正を実行する。

基板Ｗの位置補正を実行する場合（ステップＳ１４でＮＯ）、制御ユニット４は偏心位置ＰＡが押圧ブロック７１に対向する位置（図１０（ｂ）の実線で示す基板Ｗの位置）にくるように基板Ｗを回転させる。そして、該対向位置で基板Ｗの回転を停止させて位置決めする（ステップＳ１５）。

次に、制御ユニット４は、ブロック移動機構７３の作動により押圧ブロック７１を駆動させて当接部位７１ａ（押圧ブロック７１の側面）を回転中心Ａ０の方向に既定位置Ｐ１（図１０（ｂ）の破線で示す位置）まで押動させる（ステップＳ１６）。このとき基板Ｗは支持ピン５に滑動自在に支持されているので、押圧ブロック７１が基板Ｗの下面と支持ピン５との間に発生する摩擦力よりも大きな力で基板Ｗを押圧することで、基板Ｗが押圧ブロック７１に当接しつつ支持ピン５上を水平方向に滑動する。その結果、基板Ｗが押圧ブロック７１に押動されて偏心位置ＰＡが既定位置Ｐ１に合わされる。ここでは、既定位置Ｐ１として回転中心Ａ０から水平方向に基板Ｗの半径に目標精度ＴＡの正の許容値を加えた距離Ｒだけ離れた位置としている。したがって、偏心位置ＰＡを既定位置Ｐ１に一致させることで回転中心Ａ０から基板中心Ｗ０までの距離が目標精度ＴＡ内となるように基板Ｗの位置が補正される。

こうして、基板Ｗの位置補正が完了すると、制御ユニット４はブロック移動機構７３を駆動させて押圧ブロック７１を基板Ｗから側方に離間した離間位置Ｐ２に退避させる（ステップＳ１７）。このように基板位置補正処理が完了すると、図８（ｂ）に示すように、制御ユニット４は昇降駆動部６３を駆動させて複数の支持ピン６の各当接部６１を支持ピン５が基板Ｗの下面と当接する当接位置よりも高い位置に位置決めする。これによって、支持ピン５の当接部５２は基板Ｗの下面から離間して基板Ｗは複数の支持ピン６からなる第２支持ピン群のみにより支持される（ステップＳ２）。つまり、基板Ｗの下面に対する摩擦係数が比較的小さな支持ピン５による基板支持から摩擦係数が比較的大きな支持ピン６による基板支持に切り換えられる。その結果、基板Ｗの水平方向の滑動が抑制され、基板Ｗがスピンベース３に安定に保持される。

そして、複数の支持ピン６により支持された基板Ｗに対してベベルエッチング処理（エッチング工程＋リンス工程＋乾燥工程）および裏面洗浄処理とが同時に実行される（ステップＳ３）。より具体的には、図１２のフローチャートに示す一連の処理が実行される。

図１２はベベルエッチング処理および裏面洗浄処理の動作を示すフローチャートである。また、図１３は図１の基板処理装置のノズル８の状態を示す図である。先ず、制御ユニット４が遮断板駆動機構１５のアクチュエータを下降駆動させることで雰囲気遮断板９および支持軸１１を一体的に降下させて雰囲気遮断板９を基板Ｗに近接配置させる（ステップＳ３１）。これにより、基板表面Ｗｆ（デバイス形成面）は雰囲気遮断板９の対向面９ａによって、ごく近接した状態で塞がれることになり、基板表面Ｗｆが基板周囲の外部雰囲気から確実に遮断される。

そして、制御ユニット４はガス供給ユニット２１から窒素ガスを雰囲気遮断板９の対向面９ａに設けられた複数のガス噴出口９ｂ、９０ｂから均等に噴出させることで、基板Ｗは支持ピン６に押圧され、スピンベース３に水平に保持される（ステップＳ３２）。また、ガス噴出口９ｂ、９０ｂから吐出される窒素ガスは周縁処理領域ＴＲより内側の非処理領域ＮＴＲに供給される。このとき、基板表面Ｗｆと雰囲気遮断板９の対向面９ａとの間の空間に気体供給路１３からも窒素ガスを供給することで該空間を昇圧するのが望ましい。これにより、基板Ｗを支持ピン６に押圧してスピンベース３に確実に保持させることができる。

次に、制御ユニット４はノズル移動機構８７を作動させることで、図１３（ａ）に示すようにノズル８を雰囲気遮断板９の貫通孔９ｅに挿入させて供給位置Ｐ１１に位置決めする（ステップＳ３３）。それに続いて、制御ユニット４は雰囲気遮断板９を停止させたままで回転駆動機構２を駆動してスピンベース３と一体に基板Ｗを回転させる（ステップＳ３４）。このとき、支持ピン６に押圧された基板Ｗは支持ピン６と基板Ｗとの間に発生する摩擦力で支持ピン６に支持されながら、スピンベース３とともに回転することとなる。

続いて、ノズル８から薬液を基板表面Ｗｆの周縁部ＴＲに供給する（ステップＳ３５）。このとき、基板中心Ｗ０と回転中心Ａ０とは位置合わせされているので、回転する基板Ｗの端面とノズル８との間の相対距離は一定となっている。また、ガス噴出口９ｂ、９０ｂから吐出される窒素ガスは周縁処理領域ＴＲより内側の非処理領域ＮＴＲに供給されているので薬液が非処理領域ＮＴＲに侵入することがない。その結果、薬液は基板表面Ｗｆの周縁部ＴＲの全周にわたって基板Ｗの周端面から所定幅に均一に供給され、周縁エッチング幅を均一にして薬液処理が行われる。

基板表面Ｗｆの周縁部ＴＲへの薬液供給後、制御ユニット４は薬液供給ユニット２２からの薬液を下部洗浄ノズル３１のノズル口３１ａから基板裏面Ｗｂ（下面）の中心部に向けて供給する（ステップＳ３６）。これにより、基板裏面Ｗｂの中心部に供給された薬液は、基板Ｗの回転に伴う遠心力によって裏面全体に拡がり、基板Ｗの裏面全面に対する洗浄処理が行われる。ここで、図８（ｃ）に示すように、薬液処理中に複数の支持ピン６の各々を基板Ｗの下面から少なくとも１回以上、離間させることで支持ピン６と基板Ｗの当接部分にも薬液を回り込ませて当該部分を処理することができる。この場合、例えば、複数の支持ピン６を順に１個ずつ離間させるようにしてもよいし、複数の支持ピン６からなる第２支持ピン群を２つのグループに分けて、２つのグループによって交互に支持させるようにしてもよい。具体的には、一方のグループのみによって支持した状態から両方のグループによって支持した状態を経て他方のグループのみによって支持させるようにしてもよい。このように基板Ｗを支持することでスピンベース３上に固設された支持ピン５と基板裏面Ｗｂとが接触することがない。これにより、未処理部分をなくして基板Ｗの裏面全体を良好に処理することができる。

ここで、裏面処理は基板表面Ｗｆの周縁部ＴＲへの薬液処理後に限らず、基板表面Ｗｆの周縁部ＴＲに対する薬液処理中に、または基板表面Ｗｆの周縁部ＴＲに対する薬液処理のタイミングと一部が重複するように行うようにしてもよい。こうして、薬液処理を所定時間行った後、基板Ｗの回転を継続しつつ、制御ユニット４は薬液供給ユニット２２からの薬液の供給を停止して薬液を振り切って基板外に排液する（ステップＳ３７）。

このとき、ノズル８は雰囲気遮断板９の貫通孔９ｅに挿入されているため、薬液が飛散してノズル８に向けて跳ね返ってくるような場合でも薬液は雰囲気遮断板９の対向面９ａに遮られ、ノズル８の周囲（側面）に薬液が付着するようなことはない。このため、ノズル移動時においてノズル８から薬液が落ちて基板Ｗあるいは基板周辺部材に付着して悪影響を及ぼすことが防止される。したがって、ノズル８の洗浄も不要となり、装置のスループットの向上を図ることができる。

また、基板表面Ｗｆの周縁部ＴＲおよび基板裏面Ｗｂに供給された薬液は基板Ｗの径方向外側に飛散するが、この実施形態では基板Ｗの周縁部を保持するチャックピン等の保持部材がないことから、基板Ｗの径方向外側に向かう薬液が基板表面Ｗｆの中央部に跳ね返ってくることがない。また、基板Ｗの端面付近の気流を乱す要因がないことからミスト状の薬液の基板表面側への巻き込みが軽減される。このため、基板表面Ｗｆの非処理領域ＮＴＲに薬液が跳ね返って、基板表面Ｗｆの中央部（非処理部）が腐食されるのを防止することができる。また、ミスト状の薬液の巻き込みを防止することで基板Ｗへのパーティクル付着を抑制することができる。

こうして、薬液の液切りが完了すると、制御ユニット４はノズル８からリンス液（純水、ＤＩＷ等）を基板表面Ｗｆの周縁部ＴＲに供給する（ステップＳ３８）。これにより、基板表面Ｗｆの周縁部ＴＲに付着している薬液がリンス液で洗い落とされる。また、制御ユニット４は基板裏面Ｗｂに対しても、基板表面Ｗｆの周縁部ＴＲに対するリンス処理後に、または基板表面Ｗｆの周縁部ＴＲに対するリンス処理中に、または基板表面Ｗｆの周縁部ＴＲに対するリンス処理のタイミングと一部が重複するようにリンス処理を行う（ステップＳ３９）。そして、リンス処理を所定時間行った後、制御ユニット４はリンス液の供給を停止してリンス液を振り切って基板外に排液する（ステップＳ４０）。

次に、制御ユニット４はノズル移動機構８７を作動させることで、図１３（ｂ）に示すようにノズル８を貫通孔９ｅから抜き出して雰囲気遮断板９から離れた退避位置Ｐ１２に位置決めする（ステップＳ４１）。そして、基板Ｗを高速回転させることで基板Ｗを乾燥させる（ステップＳ４２）。これにより、基板Ｗに付着する液成分が遠心力で振り切られる。このとき、遮断板駆動機構１５のモータを駆動させることにより支持軸１１とともに雰囲気遮断板９を鉛直軸回りに基板Ｗと同じ回転方向に回転させることで、雰囲気遮断板９に付着している処理液を振り切りスピンドライを効果的に行うことができる。また、このように基板Ｗとともに雰囲気遮断板９を回転させることで基板Ｗと雰囲気遮断板９との間に回転に伴う余分な気流が発生するのを防止することができる。この乾燥処理の間、制御ユニット４はガス供給ユニット２１から窒素ガスを基板Ｗの下面とスピンベース３の対向面との間の空間に導入するとともに、基板Ｗの上面と雰囲気遮断板９の対向面９ａとの間の空間に導入する。その結果、基板Ｗを取り囲む周囲の空間は速やかに窒素ガスによって置換されるので、空間内に残留する薬液雰囲気によって基板Ｗが汚染されることがない。また、不所望な酸化膜が基板Ｗの上下面に成長することがない。

また、ノズル８が退避位置Ｐ１２に位置決めされ、ノズル８が貫通孔９ｅから抜き出されると、ガス導入口９ｄから貫通孔９ｅに導入される窒素ガスが雰囲気遮断板９の上下の貫通孔９ｅの開口から勢いよく噴出する（図１３（ｂ））。このため、ノズル８が貫通孔９ｅから抜き出された状態であっても、リンス液が貫通孔９ｅに入り込み基板Ｗに向けて跳ね返ることがない。したがって、貫通孔９ｅに起因する跳ね返りが抑制され、基板表面Ｗｆの中央部（非処理領域ＮＴＲ）を腐食させることがない。

乾燥処理が終了した後、制御ユニット４は回転駆動機構２の駆動を停止させて基板Ｗの回転を停止させるとともに、遮断板駆動機構１５のモータを停止させて雰囲気遮断板９の回転を停止させる。そして、ガス供給ユニット２１からのガス供給を停止することで、基板Ｗの押圧支持を解除する（ステップＳ４３）。その後、雰囲気遮断板９が上方へ移動させられ、搬送ロボットによって処理済の基板Ｗが搬出される。なお、基板Ｗの搬出の際、図８（ｄ）のように、複数の支持ピン６からなる第２支持ピン群により基板Ｗを支持した状態で基板Ｗを搬送ロボットに受渡してもよいし、基板Ｗを複数の支持ピン５からなる第１支持ピン群に移して、第１支持ピン群により基板Ｗを支持した状態で基板Ｗを搬送ロボットに受渡してもよい。これにより、一連の薬液処理およびリンス処理の動作が終了する。

以上のように、この実施形態によれば、基板Ｗを支持ピン５，６との間で発生する摩擦力で保持することで、基板Ｗの端面に当接して基板Ｗを保持するチャックピン等の保持部材を不要とすることができる。このため、基板保持に起因する基板Ｗへの悪影響を防止することができる。具体的には、基板表面Ｗｆの周縁部ＴＲに供給された薬液が保持部材に当たって跳ね返り基板表面Ｗｆの中央部（非処理部）を腐食させることを防止することができる。また、基板Ｗの端面付近の気流を乱す要因がないことからミスト状の薬液の基板表面側への巻き込みを軽減して、基板表面Ｗｆの中央部への薬液の付着を効果的に防止することができる。

また、この実施形態によれば、基板Ｗは支持ピン５に滑動自在に支持されており、基板Ｗの下面と支持ピン５との間に発生する摩擦力に比べて大きな水平方向の力を受けることで基板Ｗは水平方向に移動可能となっている。このため、押圧ブロック７１により上記摩擦力よりも大きな力を基板Ｗに対して水平方向に作用させることで、基板Ｗをスピンベース３の回転中心Ａ０側に滑動させて基板Ｗの水平方向の位置を補正することができる。したがって、基板Ｗの端面に当接するチャックピン等の保持部材がなくても、基板中心Ｗ０と回転中心Ａ０とを位置合わせすることができ、精度良く位置決めされた状態で基板Ｗを処理することができる。

また、この実施形態によれば、複数の支持ピン５からなる第１支持ピン群と、基板Ｗの下面に対する摩擦係数が支持ピン５に比べて大きな複数の支持ピン６からなる第２支持ピン群とを備え、位置補正ユニット７により基板Ｗの水平方向の位置を補正する際には第１支持ピン群のみを基板Ｗの下面に当接させる一方で、基板Ｗに対してエッチング等の所定の処理を施す際には第２支持ピン群のみを基板Ｗの下面に当接させている。このため、基板Ｗの位置を補正する際に、基板Ｗの下面に対する摩擦係数が比較的小さな第１支持ピン群のみが基板Ｗの下面に当接することで、基板Ｗをなめらかに滑動させて基板の位置決めを容易にして、比較的短時間で位置決めを完了することができる。また、基板Ｗの下面が損傷したり、パーティクルが発生するのを防止することができる。一方、基板Ｗに対してエッチング等の所定の処理を施す際には、基板Ｗの下面に対する摩擦係数が比較的大きな第２支持ピン群が基板Ｗの下面に当接することで、安定して基板Ｗを回転保持させることができ、処理中の基板Ｗの位置ずれを確実に防止することができる。

さらに、この実施形態によれば、基板Ｗに対してエッチング等の所定の処理を施す際には、基板表面Ｗｆ（上面）に窒素ガスを供給することによって基板Ｗを支持ピン６に押圧させている。このため、基板裏面Ｗｂ（下面）と支持ピン６との間に発生する摩擦力を増大させて基板Ｗをより安定に回転保持させることができる。

また、この実施形態によれば、基板Ｗを支持ピン５により滑動自在に支持しながらも基板Ｗの下面と支持ピン５との間に発生する摩擦力により基板Ｗを保持して回転させている。そして、基板Ｗが回転する間にスピンベース３の回転中心Ａ０から最も離れた基板Ｗの端面位置（偏心位置）ＰＡを検出した後、偏心位置ＰＡを押圧ブロック７１により既定位置Ｐ１まで押動している。これにより、基板中心Ｗ０が回転中心Ａ０から所定の範囲内に位置決めされる。このように、支持ピン５により基板Ｗを回転保持しながらも滑動自在に支持しているので、押圧ブロック７１が基板Ｗを押動することにより、簡素な構成で、精度良く位置決めすることができる。

＜第２実施形態＞
図１４は、この発明にかかる基板処理装置の第２実施形態を示す図である。詳しくは、基板処理装置に装備された位置補正ユニットの構成を示す部分構成図である。この第２実施形態が第１実施形態と大きく相違する点は、位置補正ユニット７において検出センサ７４を設けることなく、基板Ｗの位置補正をしている点であり、その他の構成は基本的に第１実施形態と同様であるため、同一構成については同一符号を付して説明を省略する。

図１５は、図１４の位置補正ユニットの動作を示すフローチャートである。また、図１６は、図１４の位置補正ユニットの動作を説明するための図である。この実施形態では、検出センサ７４を設けていないため、スピンベース３の回転中心Ａ０から最も離れた基板Ｗの端面位置（偏心位置）を検出することができない。そこで、次のようにして基板Ｗの位置を補正している。

先ず、押圧ブロック７１を基板Ｗの側方の離間位置Ｐ２に配置した状態（図１６（ａ）の破線位置）で搬送ロボット等の搬送手段により基板Ｗがスピンベース３に載置されると、制御ユニット４は回転駆動機構２を作動させて基板Ｗを回転させる（ステップＳ２１）。このとき、基板Ｗは基板Ｗの下面と支持ピン５との間に発生する摩擦力で支持ピン５に保持されながら回転中心Ａ０回りに回転する。

次に、制御ユニット４はブロック移動機構７３の作動により押圧ブロック７１を駆動させて、当接部位７１ａ（押圧ブロック７１の側面）を既定位置Ｐ１（図１６（ａ）の実線位置）に位置決めする（ステップＳ２２）。ここでは、既定位置Ｐ１として回転中心Ａ０から水平方向に基板Ｗの半径に目標精度の正の許容値を加えた距離Ｒだけ離れた位置としている。このとき、回転中心Ａ０に対して基板中心Ｗ０が押圧ブロック７１側に存在している場合には、押圧ブロック７１と基板Ｗが当接することとなるので、基板Ｗへの衝撃を抑制するために十分な低速度で押圧ブロック７１を駆動させることに留意する。

そうすると、基板中心Ｗ０が回転中心Ａ０から偏心している場合には、回転する基板Ｗは固定配置された押圧ブロック７１が障害となって基板Ｗの端面が押圧ブロック７１の当接部位７１ａ（押圧ブロック７１の側面）に擦り付けられながら基板Ｗの位置補正がなされる。具体的には、図１６（ｂ）に示すように、基板Ｗの端面のうち既定位置Ｐ１よりも径方向外側の端面位置ＷＥ（図１６（ｂ）では、実線で示される基板Ｗの端面のうち太線で示す部分）が押圧ブロック７１に当接することで、基板Ｗが支持ピン５に対して相対移動して基板Ｗがスピンベース３の回転中心Ａ０側に押し込まれる。こうして、基板Ｗの回転とともに基板Ｗの既定位置Ｐ１よりも径方向外側の端面位置ＷＥが押圧ブロック７１に当接して回転中心Ａ０側に押し込まれる結果、徐々に基板位置が回転中心Ａ０側に向けて矯正されていく（ステップＳ２３）。その結果、所定時間経過後には回転中心Ａ０から基板中心Ｗ０までの距離が目標精度内となるように基板Ｗの位置が補正される。

こうして、基板Ｗの位置補正が完了すると、制御ユニット４は基板Ｗの回転を停止させるとともに（ステップＳ２４）、ブロック移動機構７３を駆動させて押圧ブロック７１を基板Ｗから側方に離間した離間位置Ｐ２に退避させる（ステップＳ２５）。

このように、基板位置補正処理が完了すると第１実施形態と同様に、制御ユニット４は昇降駆動部６３を駆動させて複数の支持ピン５からなる第１支持ピン群による基板支持から複数の支持ピン６からなる第２支持ピン群による基板支持に切り換える。そして、複数の支持ピン６により支持された基板Ｗに対してベベルエッチング処理（エッチング工程＋リンス工程＋乾燥工程）および裏面洗浄処理とを実行する。

以上のように、この実施形態によれば、第１実施形態と同様にして基板Ｗを支持ピン５により滑動自在に支持しながらも基板Ｗの下面と支持ピン５との間に発生する摩擦力により基板Ｗを保持して回転させている。そして、押圧ブロック７１を配置して押圧ブロック７１が基板Ｗの端面と当接する当接部位７１ａを既定位置Ｐ１に位置決めすることで、回転する基板Ｗの端面のうち既定位置Ｐ１よりも径方向外側の端面位置ＷＥを押圧ブロック７１に当接させつつ押し込むことで、基板Ｗの位置を回転中心Ａ０側に向けて矯正している。これにより、基板中心Ｗ０が回転中心Ａ０から所定の範囲内に位置決めされる。このように、支持ピン５により基板Ｗを回転保持しながらも滑動自在に支持しているので、第１実施形態と同様な作用効果が得られる。すなわち、簡素な構成で、精度良く位置決めすることができる。加えて、この構成によれば、検出センサ７４などの検出手段を必要としないのでさらに装置構成を簡素化することができる。

なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記実施形態では、基板表面Ｗｆの周縁部（周縁処理領域）ＴＲにノズル８を対向配置させてノズル８からの薬液供給により周縁処理領域ＴＲをエッチング処理しているが、回転する基板Ｗの裏面Ｗｂに供給した薬液を基板Ｗの端面を介して基板表面Ｗｆの周縁部ＴＲに回り込ませて周縁処理領域ＴＲをエッチング処理させてもよい。このように処理する場合でも、基板位置補正処理により基板中心Ｗ０と回転中心Ａ０とを位置合わせすることによって、周縁処理領域ＴＲへの薬液の回り込み量を基板全周にわたって正確にコントロールして周縁エッチング幅を均一にして処理することができる。また、基板Ｗの端面に当接して基板Ｗを保持するチャックピン等の保持部材がないことから基板表面Ｗｆの周縁部ＴＲのうち保持部材によって保持されている部分と、そうでない部分とで薬液が回り込んでくる量が異なるといった不具合が発生することがなく、処理むらの発生を効果的に防止することができる。

また、上記実施形態では、基板位置補正処理の際に、押圧ブロック７１をロッド７２に固定していたが、押圧ブロック７１に代えてスピンベース３の回転軸方向に伸びる回動軸回りに回動自在なローラをロッド７２に軸支させるようにしてもよい。このように構成することで上記した第１実施形態では、基板周囲のスペース等の制約で押圧ブロック７１をスピンベース３の回転中心Ａ０の方向に沿って押動できない場合であっても、基板Ｗの端面の動きに合わせてローラを従動させることにより、基板Ｗを回転中心Ａ０の方向に向けて移動させて基板中心Ｗ０を回転中心Ａ０から所定範囲内に位置決めすることができる。また、上記した第２実施形態では、基板Ｗの回転に合わせて基板Ｗの端面にローラを従動させることにより、基板Ｗの端面とローラとの間に発生する摩擦を低減して、基板Ｗが意図しない方向に移動するのを防止することができる。その結果、さらに精度良く基板中心Ｗ０と回転中心Ａ０とを合わせることができる。

さらに、上記第２実施形態において、ローラを自発的に回転させるようにしてもよい。図１７は、第２実施形態にかかる基板位置補正装置の変形形態を示す側面図である。この変形形態においては、図１７に示すようにローラ７１０を回転させる回転駆動部７５を設けて、回転駆動部７５によりローラ７１０を基板Ｗの回転方向と反対方向（時計回り）に、しかも基板Ｗの周速と同一となるように回転させている。このように構成することで、基板Ｗの端面とローラ７１０との間に速度差が発生するのを防止して、基板Ｗの端面にローラ７１０が当接する際の衝撃力を緩和することができる。また、このようにローラ７１０を自発的に回転させることで、ローラ７１０が従動しにくい場合、例えばローラ７１０の周囲側面７１０ａにＯリングを備え付けている場合などでも基板Ｗの端面とローラ７１０との間に発生する摩擦を低減することができ、精度良く基板中心Ｗ０とスピンベース３の回転中心Ａ０とを合わせることができる。

また、ローラ７１０の横断面形状である円の直径についても、押圧ブロック７１と同様にローラ７１０がノッチＮＴ等の切欠部に入り込むのを防止するため、基板Ｗの円周がノッチＮＴによって切り取られる弧の長さＬよりも十分に大きくなるように構成するのが望ましい。

また、上記実施形態では押圧ブロック７１（またはローラ７１０）の側面を基板Ｗの端面に点接触させるようにして基板Ｗの位置補正を行っているが、押圧ブロック７１と基板Ｗの端面の接触形態はこれに限定されない。すなわち、押圧ブロック７１の横断面を円形状とすることなく、他の形状として点接触させてもよい。あるいは押圧ブロック７１と基板Ｗの端面とを点接触でなく線接触させるようにしてもよい。

ここで、押圧ブロックと基板Ｗの端面とを線接触させる場合には、図１８に示すように、押圧ブロック７７はノッチＮＴによって基板Ｗの円周が切り取られる弧の長さＬよりも大きな幅Ｂを有する接触面７７ａを備えるように構成するのが望ましい。このように構成することで、押圧ブロック７７がノッチＮＴに入り込むのを防止して安定に基板Ｗを位置決めすることができる。

また、上記第２実施形態では基板Ｗの回転開始後に押圧ブロック７１を駆動させて当接部位７１ａ（押圧ブロック７１の側面）を既定位置Ｐ１に位置決めしているが、これに限らず基板Ｗの回転開始前に押圧ブロック７１を駆動させて当接部位７１ａを既定位置Ｐ１に位置決めするようにしてもよい。

また、上記第２実施形態では回転する基板Ｗに対して押圧ブロック７１を所定の時間連続して当接させて基板Ｗの位置を矯正させているが、押圧ブロック７１を回転する基板の端面に対して離当接させながら基板の位置を矯正させるようにしてもよい。このように構成することで、基板Ｗと押圧ブロック７１（ローラ７１０または押圧ブロック７７）との間の摩擦を低減することができ、基板Ｗが磨耗や損傷するのを防止することができる。この場合、制御ユニット４は、基板Ｗの周面全体に押圧ブロック７１が当接するように離当接の周期を制御することが望ましい。

さらに、上記第２実施形態において、基板Ｗの周縁部に形成されたノッチＮＴの影響を完全に排除するために、ノッチＮＴを検出するセンサを設けてもよい。このように構成することで、センサがノッチＮＴを検知したときに押圧ブロック７１（ローラ７１０または押圧ブロック７７）を基板Ｗの端面に当接可能な位置（既定位置Ｐ１）から一時的に離間させることができる。これにより、ノッチＮＴと押圧ブロック７１との接触が完全に排除され、基板Ｗが意図しない方向に位置ずれするのを防止することができる。

この発明は、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、光ディスク用基板などを含む基板全般の表面に対して基板を回転させながら洗浄処理などの所定の処理を施す基板処理装置に適用することができる。

この発明にかかる基板処理装置の第１実施形態を示す図である。 図１の基板処理装置の平面図である。 支持ピンの構成を示す部分拡大図である。 位置補正ユニットの構成を示す図である。 基板のノッチと押圧ブロックの形状との関係を説明する図である。 雰囲気遮断板の底面図である。 図１の基板処理装置の動作を示すフローチャートである。 図１の基板処理装置の支持ピンの状態を示す図である。 基板位置補正処理の動作を示すフローチャートである。 基板位置補正処理の動作を説明するための図である。 検出センサによる検出結果を示すグラフである。 ベベルエッチング処理および裏面洗浄処理の動作を示すフローチャートである。 図１の基板処理装置のノズルの状態を示す図である。 この発明にかかる基板処理装置の第２実施形態を示す図である。 図１４の位置補正ユニットの動作を示すフローチャートである。 図１４の位置補正ユニットの動作を説明するための図である。 第２実施形態にかかる基板処理装置に装備された位置補正ユニットの変形形態を示す図である。 押圧ブロックの変形態様を示す図である。

符号の説明

２…回転駆動機構（回転手段）
３…スピンベース（回転部材）
５…支持ピン（第１支持ピン）
６…支持ピン（第２支持ピン）
９ａ…（雰囲気遮断板の）対向面（押圧手段）
９ｂ，９０ｂ…ガス噴出口（押圧手段）
１３…気体供給路（押圧手段）
２１…ガス供給ユニット（押圧手段）
６１…（第２支持ピンが基板の下面と当接する）当接部
６３…昇降駆動部（昇降駆動手段）
７１，７７…押圧ブロック（押圧部材）
７１ａ…（押圧ブロックの）側面（当接部位）
７３…ブロック移動機構（駆動手段）
７４…検出センサ（検出手段）
７５…回転駆動部
７７ａ…（基板の端面と線接触する）接触面
７１０…ローラ（押圧部材）
Ａ０…（回転部材の）回転中心
Ｄ…（ローラの）直径
Ｌ…（切欠部によって基板の円周が切り取られる）弧の長さ
ＮＴ…ノッチ（切欠部）
Ｐ１…既定位置
Ｐ２…離間位置
Ｗ…基板
Ｗ０…基板中心

Claims (9)

1. 所定の回転中心回りに回転自在に設けられた回転部材と、該回転部材を前記回転中心回りに回転させる回転手段と、前記回転部材から上方に向けて突設され、前記基板の下面に当接し、該基板を水平方向に滑動自在に支持しながらも、前記基板の下面との間に発生する摩擦力で前記基板を前記回転部材に保持する支持手段と、前記基板の上面に気体を供給することによって前記基板を前記支持手段に押圧させて前記回転部材に保持させる押圧手段とを有する基板回転機構と、
   前記基板回転機構の前記支持手段上の前記基板に前記摩擦力に比べて大きな力を水平方向に作用させることで前記基板を前記基板回転機構の回転中心側に滑動させて前記基板の水平方向の位置を補正する位置補正機構と、
   前記押圧手段により前記基板を前記支持手段に押圧させる前に前記位置補正機構により前記基板の水平方向の位置を補正し、その位置補正後に、前記基板を前記押圧手段により前記支持手段に押圧させつつ前記回転手段により回転させて前記基板に対して所定の処理を行う制御手段と
   を備えたことを特徴とする基板処理装置。
2. 前記支持手段は、複数の第１支持ピンからなる第１支持ピン群と、前記基板の下面に対する摩擦係数が前記第１支持ピンに比べて大きな複数の第２支持ピンからなる第２支持ピン群とを備え、
   前記位置補正機構により前記基板の水平方向の位置を補正する際には前記第１支持ピン群のみが前記基板の下面に当接する一方で、前記基板に対して前記所定の処理を施す際には少なくとも前記第２支持ピン群が前記基板の下面に当接する請求項１記載の基板処理装置。
3. 前記第２支持ピンの各々を昇降自在に構成するとともに、
   前記基板回転機構は、前記第２支持ピンの各々が前記基板の下面に当接する当接部の高さを前記第１支持ピン群が前記基板の下面と当接する当接位置に対して高い位置と低い位置とに昇降させる昇降駆動手段をさらに備える請求項２記載の基板処理装置。
4. 前記位置補正機構は、前記基板回転機構により回転される前記基板の端面のうち前記基板回転機構の回転中心から最も離れた端面位置を検出する検出手段と、前記基板の端面に当接して該基板を水平方向に押圧する押圧部材と、前記押圧部材を駆動することで前記押圧部材が前記基板と当接する当接部位を前記基板回転機構の回転中心から水平方向に前記基板の半径に対応して定められた距離だけ離れた既定位置と、前記基板から離間した離間位置とに位置決めする駆動手段とを備え、
   前記駆動手段は前記押圧部材を駆動させて前記当接部位を前記既定位置に位置決めすることで、前記検出手段により検出された前記端面位置が前記既定位置に一致するまで前記基板回転機構の回転中心側に向けて前記押圧部材により前記基板を押動する請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装置。
5. 前記位置補正機構は、前記基板の端面に当接して該基板を水平方向に押圧する押圧部材と、前記押圧部材を駆動することで前記押圧部材が前記基板と当接する当接部位を前記基板回転機構の回転中心から水平方向に前記基板の半径に対応して定められた距離だけ離れた既定位置と、前記基板から離間した離間位置とに位置決めする駆動手段とを備え、
   前記駆動手段は前記押圧部材を駆動させて前記当接部位を前記既定位置に位置決めするように前記押圧部材を配置して、回転する前記基板の端面のうち該既定位置よりも径方向外側の端面位置を前記押圧部材に当接させつつ押圧することで前記基板の位置を前記基板回転機構の回転中心側に向けて矯正させる請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装置。
6. 前記押圧部材は前記基板の端面に当接可能に構成され前記基板回転機構の回転軸方向に伸びる回動軸回りに回動自在なローラを備える請求項４または５記載の基板処理装置。
7. 前記押圧部材は前記基板の端面に当接可能に構成され前記基板回転機構の回転軸方向に伸びる回動軸回りに回動自在なローラと、該ローラを回転させる回転駆動部とを備え、
   前記回転駆動部は前記基板の回転方向と反対方向に、しかも前記基板の周速と同一となるように前記ローラを回転させる請求項５記載の基板処理装置。
8. 前記基板の周縁部には切欠部が形成されており、
   前記ローラの直径は前記切欠部によって前記基板の円周が切り取られる弧の長さよりも大きい請求項６または７記載の基板処理装置。
9. 前記基板の周縁部には切欠部が形成されており、
   前記押圧部材は前記切欠部によって前記基板の円周が切り取られる弧の長さよりも大きな幅を有する、前記基板の端面と線接触する接触面を備える請求項４または５記載の基板処理装置。

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