JP4632934B2 - 基板処理装置 - Google Patents

Description

この発明は、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶用ガラス基板、光ディスク用基板等の基板に、エッチング液やリンス液などの処理液を供給して基板に所定の処理を行う基板処理装置に関する。

半導体ウエハ等の基板の一連の処理工程においては、基板の表面にフォトレジスト等の薄膜を形成するための成膜工程を複数工程有しているが、この成膜工程では基板の裏面あるいは基板表面の周縁部にも成膜されることがある。しかしながら、一般的には基板において成膜が必要なのは基板表面の中央部の回路形成領域のみであり、基板表面の周縁部に成膜されてしまうと、成膜工程の後工程において、他の装置との接触により基板表面の周縁部に形成された薄膜が剥がれたりすることがあり、これが原因となって歩留まりの低下や基板処理装置自体のトラブルが起こることがある。

そこで、基板表面の周縁部に形成された薄膜を除去するために、例えば特許文献１に記載された装置が提案されている。この装置では、その表面に薄膜が形成された基板を、該基板の周縁に設けられたチャックピン等の基板保持手段によって保持するとともに、該基板保持手段を回転させる。また、回転している基板の裏面に対してエッチング液などの処理液を供給する。このとき、基板の表面に対向する対向面を有し、かつ基板の表面と所定の間隔離れた回転部材を回転させると、基板の回転および回転部材の回転によって、処理液は基板の裏面全体に広がって基板裏面の不要物をエッチング除去するのみならず、基板の端面を介して基板表面の周縁部に回り込み、該表面周縁部の不要物をもエッチング除去する。こうして、基板裏面および基板表面の周縁部のみにおいて薄膜がエッチング除去される。

特開２０００−２３５９４８号公報（第２−３頁、図１）

ところで、上記した基板処理は基板表面の略中央部に形成された非処理領域の周辺から一定範囲（処理領域）の薄膜を除去するために行われるが、この除去範囲、つまり端面から内側に向かってエッチング除去される幅（以下「周縁エッチング幅」という）を正確にコントロールするのが望まれる。特に、薄膜として銅などのメタル層が基板表面に形成された場合には、上記基板処理では端面（べベル）近傍でのメタル除去を目的とするため、周縁エッチング幅を周面全体にわたって均一化することが非常に重要となっている。

従来装置では、周縁エッチング幅を処理液の回り込み量で制御していた。つまり、基板の回転数を変更することで処理液の回り込み量が変化し、それに応じて周縁エッチング幅が調整される。しかしながら、基板の回転数により回り込み量を安定化することが困難であり、十分な均一性で周縁エッチング幅をコントロールすることは事実上できなかった。また、処理中に基板の周縁をチャックピンによって保持している関係上、基板表面の周縁部のうちチャックピンによって保持されている部分とそうでない部分とで薬液が回り込んでくる量が異なり、周縁エッチング幅を均一にして処理することをさらに困難なものとしていた。

そこで、周縁エッチング幅を均一にするために、処理液を基板裏面から基板表面の周縁部に回り込ませるのではなく、ノズルから処理液を吐出させて処理領域である基板表面の周縁部に直接に処理液を供給することが考えられる。しかしながら、この場合には、次のような理由により周縁エッチング幅を均一にすることが困難となっていた。すなわち、ノズルはノズルアーム等に取り付けられてノズルアームが駆動されることで、ノズルは該ノズルから基板表面の周縁部に処理液を供給可能な位置（処理位置）まで移動する。そして、基板が回転されるとともに、ノズルから処理液が吐出されることで基板表面の周縁部の全周から薄膜がエッチング除去されるが、このときノズルは処理液の吐出圧に伴う振動、あるいは装置の回転に伴う振動さらには基板の回転に伴う気流の影響を少なからず受けることとなる。その結果、ノズルからの処理液の吐出位置が不安定となり、周縁エッチング幅が不均一となっていた。

特に、耐薬性をもたせるためにノズルやノズルアームは樹脂で形成されることが多いが、このような樹脂系の材質は金属系の材質に比べて柔らかく、基板の回転に伴う気流や振動等の影響を受け易い。その結果、ノズル位置を処理位置に安定して位置決めすることが非常に困難となっていた。

この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、ノズルを処理位置に移動させてノズルから処理液を吐出させて基板の処理領域に対して所定の処理を施す際に、ノズルを処理位置に安定して位置決めすることのできる基板処理装置を提供することを目的とする。

この発明にかかる基板処理装置の第１態様は、基板の処理領域に処理液を供給して処理領域に対して所定の処理を施す基板処理装置であって、上記目的を達成するため、処理液を吐出して処理領域に処理液を供給するノズルを有する供給機構と、供給機構を駆動して供給機構を処理領域から離間した離間位置と処理領域に処理液を供給可能な処理位置とに移動させる供給機構駆動手段と、処理領域に臨む空間に配置され、供給機構と当接可能な当接部材とを備え、ノズルは、ノズル先端側の胴部の断面積がノズル後端側の胴部の断面積に対して小さくなるように、ノズル先端側の胴部とノズル後端側の胴部との間に段差面を有しており、当接部材は、基板表面に近接対向して配置されて基板表面を基板の周囲の外部雰囲気から遮断する遮断部材として機能するとともに、その周縁部にノズルが挿入可能な上下方向に貫通する貫通孔を有し、貫通孔の内壁には、ノズルの段差面と当接可能な段差部が設けられ、供給機構駆動手段は、供給機構を駆動してノズルを貫通孔に挿入させることにより処理位置に移動させるとともに、ノズルの段差面を貫通孔の内壁に設けられた段差部に押し付けることによりノズルを位置決めすることを特徴としている。
また、この発明にかかる基板処理装置の第２態様は、基板の処理領域に処理液を供給して処理領域に対して所定の処理を施す基板処理装置であって、上記目的を達成するため、処理液を吐出して処理領域に処理液を供給するノズルを有する供給機構と、供給機構を駆動して供給機構を処理領域から離間した離間位置と処理領域に処理液を供給可能な処理位置とに移動させる供給機構駆動手段と、処理領域に臨む空間に配置され、供給機構と当接可能な当接部材とを備え、当接部材は、基板表面に近接対向して配置されて基板表面を基板の周囲の外部雰囲気から遮断する遮断部材として機能するとともに、その周縁部にノズルが挿入可能な上下方向に貫通する貫通孔を有し、貫通孔の内壁には、ノズルの吐出口周囲のノズル先端面と当接可能な段差部が設けられ、供給機構駆動手段は、供給機構を駆動してノズルを貫通孔に挿入させることにより処理位置に移動させるとともに、ノズルの吐出口周囲のノズル先端面を貫通孔の内壁に設けられた段差部に押し付けることによりノズルを位置決めすることを特徴としている。

このように構成された発明では、当接部材が遮断部材として基板表面に近接対向して配置されるので、基板表面を基板周囲の外部雰囲気から遮断することができる。しかも、当接部材にはその周縁部にノズルが挿入可能な上下方向に貫通する貫通孔が設けられているので、ノズルを該貫通孔に挿入させ処理位置に移動させることで基板表面の周縁部に処理液を供給することができる。そして、ノズルを処理位置に移動させた際に、ノズルの段差面や先端面を貫通孔の内壁に設けられた段差部に押し付けているので、当接部材に対してノズルが固定され、ノズル位置、特に上下方向の位置が正確に定まる。このため、基板表面の周縁部における処理幅が変動するのを防止して処理幅を均一にして処理することができる。また、ノズルの上下方向の位置を正確に位置決めすることで処理液の跳ね返りを防止することができる。具体的には、特に当接部材の基板表面に対向する面よりもノズルが上方に位置ずれした際に、ノズルから吐出された処理液が貫通孔の内壁に当たって跳ね返るのを防止することができる。その結果、処理領域以外の領域がエッチング等によって処理されてしまうのを回避することができる。

また、ノズルに段差面を設ける場合には、段差面を基板表面に略平行に形成する一方、当接部材がノズルと当接する当接面を基板表面に略平行に形成するのが好ましい。この構成によれば、段差面および当接面を基板表面に平行に形成しない場合に比べて、ノズルおよび当接部材の加工を容易として、ノズルを処理位置に位置決めする際に、基板に対するノズルの位置精度を高めることができる。さらに、基板表面に略平行に形成した、段差面および当接面を互いに当接させながら基板に向かって押し付けてノズルを位置決めしているので、ノズルと当接部材とが摺動するのを抑制してパーティクルの発生を防止することができる。

また、処理領域として基板表面の周縁部に処理液を供給して該基板表面の周縁部に所定の処理を施す基板処理装置においては、基板を回転させる回転手段をさらに設けて、処理位置に移動された供給機構から処理液を基板の径方向外側に向けて吐出して回転手段により回転される基板表面の周縁部に処理液を供給するように構成すればよい。このように構成することで、基板表面の中央部に処理液が供給されるのを防止しつつ、周縁部の全周に処理液を供給して該基板表面の周縁部を処理することが可能となる。この場合に供給機構が当接部材に基板に向かって押し付けられることで、基板の回転に伴う気流や振動等の影響によりノズルからの吐出位置が不安定になるのを防止できる。しかも、基板とノズルとの間の距離が一定とされることで、基板表面の周縁部における処理幅が変動するのを防止して処理幅を均一にして処理することができる。

また、貫通孔の内壁にガス導入部を開口させるとともに、ガス供給手段からガス導入部にガスを供給して貫通孔にガスを導入するようにしてもよい。この構成によれば、ノズルが離間位置に移動して貫通孔から抜き出された際に、貫通孔からガスを噴出させることにより、処理液が貫通孔に入り込むことに起因して基板に向けて処理液の跳ね返りが発生するのを抑制することができる。

ここで、ガス導入部を、貫通孔の内壁に設けられた段差部に対して、基板から離間する方向に開口させるようにすると、ノズルが処理位置に移動して貫通孔に挿入された際に、ノズルの段差面と当接部材の当接面とが当接することにより、その当接部分を越えてガスが貫通孔から基板側に噴出するのが防止される。このため、ガスが基板と当接部材とに挟まれた空間に漏れて基板表面上の気流を乱してしまうのを防止することができる。その結果、処理液の跳ね返り等の不具合を防止することができる。なお、貫通孔に導入されたガスはガス導入部に対して基板と反対側の開口から排出される。
また、この発明にかかる基板処理装置の第３の態様は、基板を回転させながら基板に処理液を供給して所定の処理を施す基板処理装置であって、上記目的を達成するため、鉛直軸回りに回転自在に設けられた回転部材と、回転部材を回転させる回転手段と、回転部材に上方に向けて設けられ、基板の下面に当接して該基板を回転部材から離間させて支持する少なくとも３個以上の支持部材を有する支持手段と、基板の上面に近接対向して配置されて基板の上面を基板の周囲の外部雰囲気から遮断するとともに基板の上面に気体を供給することによって基板を支持部材に押圧させて基板を回転部材に保持させる遮断部材と、ノズル先端側の胴部の断面積がノズル後端側の胴部の断面積に対して小さくなるように、ノズル先端側の胴部とノズル後端側の胴部との間に段差面を有し、処理液を吐出して基板の処理領域に対して処理液を供給するノズルを有する供給機構とを備え、遮断部材は、周縁部にノズルが挿入可能な上下方向に貫通する貫通孔を有し、貫通孔の内壁には、ノズルの段差面と当接可能な段差部が設けられ、ノズルは貫通孔に挿入されることによりノズルの段差面が貫通孔の内壁に設けられた段差部に押し付けられることにより位置決めされることを特徴としている。
さらに、この発明にかかる基板処理装置の第４の態様は、基板を回転させながら基板に処理液を供給して所定の処理を施す基板処理装置であって、上記目的を達成するため、 鉛直軸回りに回転自在に設けられた回転部材と、回転部材を回転させる回転手段と、回転部材に上方に向けて設けられ、基板の下面に当接して該基板を回転部材から離間させて支持する少なくとも３個以上の支持部材を有する支持手段と、基板の上面に近接対向して配置されて基板の上面を基板の周囲の外部雰囲気から遮断するとともに基板の上面に気体を供給することによって基板を支持部材に押圧させて基板を回転部材に保持させる遮断部材と、処理液を吐出して基板の処理領域に対して処理液を供給するノズルを有する供給機構とを備え、遮断部材は、周縁部にノズルが挿入可能な上下方向に貫通する貫通孔を有し、貫通孔の内壁には、ノズルの吐出口周囲のノズル先端面と当接可能な段差部が設けられ、ノズルはノズルの吐出口周囲のノズル先端面を貫通孔の内壁に設けられた段差部に押し付けられることにより位置決めされることを特徴としている。

この発明によれば、ノズルを備えた供給機構が離間位置から基板の処理領域に処理液を供給可能な処理位置に移動した際に、処理領域に臨む空間に配置された当接部材に当接して該当接部材に基板に向かって押し付けられる。これにより、ノズルが当接部材に当接固定され、ノズルを処理位置に安定して位置決めすることができる。その結果、ノズル周囲の気流やノズルに伝わる振動等の影響によってノズルからの吐出位置が不安定となるのを防止することができる。
また、支持部材により基板の下面を保持するとともに、基板の上面に気体を供給することによって基板を支持部材に押圧させて基板を回転部材に保持させる場合、遮断部材の貫通孔にノズルを挿入して位置決めしてもよく、これによってノズルが遮断部材に位置決めすることができる。その結果、上記発明と同様の作用効果が得られる。

＜第１実施形態＞
図１は、この発明にかかる基板処理装置の第１実施形態を示す図である。図２は、図１の基板処理装置の部分斜視図である。この基板処理装置は、半導体ウエハ等の基板表面Ｗｆの周縁部からメタル層やフォトレジスト層などの薄膜をエッチング除去する装置である。具体的には、その表面Ｗｆ（デバイス形成面）に薄膜が形成された基板Ｗの周縁部ＴＲ（本発明の「処理領域」に相当）に対して化学薬品または有機溶剤等の薬液や純水またはＤＩＷ等のリンス液（以下、「処理液」という）を供給することで該表面周縁部ＴＲから薄膜をエッチング除去するとともに、基板裏面Ｗｂに処理液を供給して裏面Ｗｂ全体を洗浄する装置である。

この基板処理装置は、基板Ｗをその表面Ｗｆを上方に向けた状態で水平に保持して回転させるスピンチャック１と、スピンチャック１に保持された基板Ｗの下面（裏面Ｗｂ）の中央部に向けて処理液（薬液やリンス液）を供給する下面処理ノズル２と、スピンチャック１に保持された基板Ｗの上面（表面Ｗｆ）の中央部に向けて処理液を供給する上面処理液ノズル３と、スピンチャック１に保持された基板Ｗの上面に対向配置された遮断板５と、スピンチャック１に保持された基板Ｗの表面周縁部ＴＲに処理液を供給する周縁処理ノズル７を備えている。

スピンチャック１は、中空の回転支軸１１がモータを含むチャック回転駆動機構１３の回転軸に連結されており、チャック回転駆動機構１３の駆動により鉛直方向に伸びる回転軸Ｊ回りに回転可能となっている。この回転支軸１１の上端部には、スピンベース１５が一体的にネジなどの締結部品によって連結されている。したがって、装置全体を制御する制御ユニット４からの動作指令に応じてチャック回転駆動機構１３を駆動させることによりスピンベース１５が回転軸Ｊ回りに回転する。このように、この実施形態では、チャック回転駆動機構１３が本発明の「回転手段」に相当している。

中空の回転支軸１１には、処理液供給管２１が挿通されており、その上端に下面処理ノズル２が結合されている。処理液供給管２１は薬液供給ユニット２２およびリンス液供給ユニット２３と接続されており、薬液またはリンス液が選択的に供給される。また、回転支軸１１の内壁面と処理液供給管２１の外壁面の隙間は、円筒状のガス供給路２４を形成している。このガス供給路２４はガス供給ユニット２５（ガス供給手段）と接続されており、基板Ｗの下面とスピンベース１５の対向面との間に形成される空間に窒素ガスを供給することができる。なお、この実施形態では、ガス供給ユニット２５から窒素ガスを供給しているが、空気や他の不活性ガスなどを吐出するように構成してもよい。

スピンベース１５の周縁部付近には、基板Ｗの周縁部を把持するための複数個のチャックピン１７が立設されている。チャックピン１７は、円形の基板Ｗを確実に保持するために３個以上設けてあればよく、スピンベース１５の周縁部に沿って等角度間隔で配置されている。チャックピン１７のそれぞれは、基板Ｗの周縁部を下方から支持しながら基板Ｗの端面を押圧して基板Ｗを保持する保持部１７ａと、保持部１７ａを基板支持点を中心に回動自在に支持する軸１７ｂとを備えている。各チャックピン１７は、軸１７ｂが回動することで保持部１７ａが基板Ｗの端面を押圧する押圧状態と、保持部１７ａが基板Ｗの端面から離れる解放状態との間を切り替え可能に構成されている。

スピンベース１５に対して基板Ｗが受渡しされる際には、複数個のチャックピン１７を解放状態とし、基板Ｗに対してエッチング処理を行う際には、複数個のチャックピン１７を押圧状態とする。押圧状態とすることによって、複数個のチャックピン１７は基板Ｗの周縁を把持してその基板Ｗをスピンベース１５から所定間隔を隔てて略水平姿勢に保持することができる。基板Ｗは、その表面Ｗｆを上面側に向け、裏面Ｗｂを下面側に向けた状態で保持される。

スピンチャック１の上方には、チャックピン１７に保持された基板Ｗに対向する円盤状の遮断板５が本発明の「当接部材」として水平に配設されている。この遮断板５は、スピンチャック１の回転支軸１１と同軸上に配置された回転支軸５１の下端部に一体回転可能に取り付けられている。この回転支軸５１には、遮断板回転駆動機構５２が連結されており、制御ユニット４からの動作指令に応じて遮断板回転駆動機構５２のモータを駆動させることにより遮断板５を回転軸Ｊ回りに回転させる。制御ユニット４は、遮断板回転駆動機構５２をチャック回転駆動機構１３と同期するように制御することで、スピンチャック１と同じ回転方向および同じ回転速度で遮断板５を回転駆動させることができる。

また、遮断板５は、遮断板昇降駆動機構５３と接続され、遮断板昇降駆動機構５３の昇降駆動用アクチェータ（例えばエアシリンダーなど）を作動させることで、遮断板５をスピンベース１５に近接して対向させたり、逆に離間させることが可能となっている。具体的には、制御ユニット４は遮断板昇降駆動機構５３を駆動させることで、基板処理装置に対して基板Ｗが搬入出される際には、スピンチャック１の上方の退避位置に遮断板５を上昇させる。その一方で、基板Ｗに対してエッチングなどの所定の処理を施す際には、スピンチャック１に保持された基板Ｗの表面Ｗｆのごく近傍に設定され、該基板表面Ｗｆと対向する対向位置まで遮断板５を下降させる。これにより、遮断板５の下面（対向面５０１）と基板表面Ｗｆとが近接した状態で離間して対向配置される。すなわち、遮断板５が対向位置に配置されることで、処理領域となる表面周縁部ＴＲに臨む空間に遮断板５が配置されることとなる。

この遮断板５の基板表面Ｗｆと対向する対向面５０１の平面サイズは基板Ｗの直径と同等以上の大きさに形成されており、その中心部に開口を有している。また、遮断板５の周縁部には遮断板５を上下方向（鉛直軸方向）に貫通する、略円筒状の内部空間を有する貫通孔５０２が形成されており、後述する周縁処理ノズル７が挿入可能となっている。この貫通孔５０２はスピンチャック１に保持される基板Ｗの表面周縁部ＴＲに対向する位置に形成されているため、周縁処理ノズル７を貫通孔５０２に挿入させることで周縁処理ノズル７を表面周縁部ＴＲに対向して配置させることができる。なお、貫通孔５０２の孔径は、周縁処理ノズル７が貫通孔５０２の内壁に擦ることなく挿入可能な範囲で必要最小限の大きさで形成される。これは、周縁処理ノズル７と貫通孔５０２の内壁との摺接によるパーティクル発生を防止するとともに、必要以上に貫通孔５０２の孔径を大きくすることで貫通孔５０２に処理液が入り込み、処理液の跳ね返り等の不具合が生じるのを防止するためである。

この周縁処理ノズル７は遮断板５の貫通孔５０２の形状に合わせて略円筒状に形成され、貫通孔５０２に挿入されることで、周縁処理ノズル７の先端側が表面周縁部ＴＲに対向して配置される。周縁処理ノズル７の内部には、薬液供給路７０１とリンス液供給路７０２とが挿通されており、各供給路７０１、７０２の先端部（下端部）がそれぞれ周縁処理ノズル７の吐出口７０１ａ，７０２ａを構成している（図２）。そして、周縁処理ノズル７が貫通孔５０２に挿入される際には、周縁処理ノズル７の吐出口７０１ａ，７０２ａ周囲の先端面７ａが遮断板５の対向面５０１と面一の位置まで挿入される。周縁処理ノズル７の直径（ノズル径）は、上記したように遮断板５の貫通孔５０２に挿入させる関係上、必要以上に貫通孔５０２の孔径を大きくすることのないように、極力小さく形成される。

周縁処理ノズル７の吐出口７０１ａ，７０２ａは基板Ｗの径方向外側に向けて開口しており、吐出口７０１ａ，７０２ａからそれぞれ、薬液およびリンス液を表面周縁部ＴＲに供給可能になっている。薬液供給路７０１とリンス液供給路７０２とはノズル後端部においてそれぞれチューブ等を介して薬液供給ユニット２２およびリンス液供給ユニット２３と接続されており、薬液またはリンス液が供給される。このため、例えば制御ユニット４からの動作指令に応じて薬液供給ユニット２２から薬液が圧送されると、周縁処理ノズル７の吐出口７０１ａから薬液が吐出され、表面周縁部ＴＲに供給されるとともに、基板Ｗの径方向外側に向かって流れ、基板外に排出される。したがって、薬液の供給位置よりも基板内周側の非処理領域ＮＴＲには薬液は供給されず、その結果、基板表面Ｗｆの周縁部は基板Ｗの端面から内側に向かって一定の周縁エッチング幅で薄膜がエッチング除去される。

また、制御ユニット４からの動作指令に応じてリンス液供給ユニット２３からリンス液が圧送されると、周縁処理ノズル７の吐出口７０２ａからリンス液が吐出され、表面周縁部ＴＲに供給されるとともに、基板Ｗの径方向外側に向かって流れ、基板外に排出される。ここで、リンス液供給路７０２は薬液供給路７０１に対して基板Ｗの径方向内側に形成されており、リンス液の供給範囲は薬液の供給範囲よりも広くなっている。このため、表面周縁部（処理領域）ＴＲと非処理領域ＮＴＲとの界面に付着する薬液をリンス液によって十分に洗い流すことができる。

周縁処理ノズル７は、ノズルアーム７１の一方端に固着されている。ノズルアーム７１の他方端はアーム軸７２により軸支され、アーム軸７２が回動することで周縁処理ノズル７がアーム軸７２を中心として所定の角度範囲で揺動可能となっている。また、アーム軸７２には、ノズルアーム７１と該ノズルアーム７１に固着された周縁処理ノズル７とを一体的に駆動させる駆動機構７３が連結されている。この駆動機構７３は、周縁処理ノズル７とノズルアーム７１とを揺動させるモータ等の揺動駆動源７３１と、周縁処理ノズル７とノズルアーム７１とを上下方向に昇降させるシリンダ等の昇降駆動源７３２とを備えている。これらの構成により、周縁処理ノズル７を、揺動駆動源７３１により基板表面Ｗｆに平行に水平移動させるとともに、昇降駆動源７３２により上下移動させることが可能となっている。このため、制御ユニット４からの動作指令に応じて駆動機構７３が駆動されることで、周縁処理ノズル７とノズルアーム７１とを表面周縁部ＴＲから離間した離間位置Ｐ１（図１の破線で示す位置）と、遮断板５の貫通孔５０２に挿入され表面周縁部ＴＲに処理液を供給可能な処理位置Ｐ２（図１の実線で示す位置）とに移動させることができる。このように、この実施形態では、処理液を吐出して表面周縁部ＴＲに処理液を供給する周縁処理ノズル７とノズルアーム７１とが本発明の「供給機構」として機能するとともに、周縁処理ノズル７とノズルアーム７１とを離間位置Ｐ１と処理位置Ｐ２とに移動させる駆動機構７３が、本発明の「供給機構駆動手段」として機能している。

周縁処理ノズル７は、略円筒状に形成されたノズル胴部の断面積がノズル先端側と後端側で異なるように構成されている。具体的には、ノズル先端側の胴部７０３の断面積がノズル後端側の胴部７０４の断面積に対して小さくなるように構成されており、ノズル先端側の胴部７０３とノズル後端側の胴部７０４との間に段差面７ｂを有している（図２）。すなわち、ノズル先端側の胴部７０３の外形面（側面）とノズル後端側の胴部７０４の外形面（側面）とは段差面７ｂを介して結合されている。段差面７ｂは胴部の結合部分においてノズル先端側の胴部７０３周囲を取り囲む円環状に形成されるとともに、スピンチャック１に保持された基板表面Ｗｆに略平行に形成されている。

なお、周縁処理ノズル７およびノズルアーム７１は耐薬性を考慮して樹脂材料により形成されている。具体的には、周縁処理ノズル７は、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）にて、ノズルアーム７１はＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）にて形成されている。周縁処理ノズル７の段差面７ｂは、例えば上記樹脂材料で形成された円筒状のノズルの先端側を切削加工することにより形成することができる。

一方で、遮断板５の貫通孔５０２の内壁には、周縁処理ノズル７の段差面７ｂと当接可能な段差部５０３が設けられている。この段差部５０３は、周縁処理ノズル７が処理位置Ｐ２に位置決めされた際に周縁処理ノズル７と当接する、円環状の当接面５ａを有している。当接面５ａは、遮断板５の対向面５０１と略平行に、つまり基板表面Ｗｆと略平行に形成されており、周縁処理ノズル７の段差面７ｂと面接触することが可能となっている。このため、段差面７ｂおよび当接面５ａを基板表面Ｗｆに平行に形成しない場合に比べて、周縁処理ノズル７の外形部分および貫通孔５０２の内壁の加工を容易として、周縁処理ノズル７を処理位置Ｐ２に位置決めする際に、基板Ｗに対するノズルの位置精度を高めることができる。さらに、周縁処理ノズル７を鉛直方向に降下させて、つまり基板表面Ｗｆの法線方向に沿って基板Ｗに向かって周縁処理ノズル７を遮断板５（段差部５０３）に押し付けて処理位置Ｐ２に位置決めしているので、周縁処理ノズル７と遮断板５（貫通孔５０２の内壁）とが摺動するのを抑制してパーティクルの発生を防止することができる。

また、遮断板５の貫通孔５０２の内壁には、ガス導入部５０４が開口されており、ガス導入部５０４から貫通孔５０２の内部空間に窒素ガスを供給することが可能となっている。ガス導入部５０４は遮断板５の内部に形成されたガス流通空間５０５を介してガス供給ユニット２５に連通している。したがって、制御ユニット４からの動作指令に応じてガス供給ユニット２５から窒素ガスが圧送されると、貫通孔５０２の内部空間に窒素ガスが供給され、周縁処理ノズル７が離間位置Ｐ１に移動された状態、すなわち、周縁処理ノズル７が貫通孔５０２に挿入されていない状態では、貫通孔５０２の上下双方の開口から窒素ガスが噴出される。

ガス導入部５０４は、貫通孔５０２の内壁に設けられた段差部５０３に対して、基板Ｗから離間する方向、つまり段差部５０３を中心として基板Ｗが位置する方向と反対側に開口されている。このため、周縁処理ノズル７が処理位置Ｐ２に位置決めされた際に、周縁処理ノズル７の段差面７ｂと当接面５ａとが当接することにより基板Ｗ側へのガス流路が塞がれ、窒素ガスが当接部分を越えて貫通孔５０２から基板表面Ｗｆと対向面５０１とで挟まれた空間ＳＰに噴出するのが防止される。

遮断板５の中心の開口および回転支軸５１の中空部には、処理液供給管３１が挿通されており、その下端に上面処理ノズル３が結合されている。処理液供給管３１は薬液供給ユニット２２およびリンス液供給ユニット２３と接続されており、スピンチャック１に保持された基板Ｗの上面に薬液またはリンス液が選択的に供給される。また、回転支軸５１の内壁面と処理液供給管３１の外壁面の隙間は、円筒状のガス供給路３２を形成している。このガス供給路３２はガス供給ユニット２５と接続されており、基板Ｗの上面（表面Ｗｆ）と遮断板５の対向面５０１との間に形成される空間ＳＰに窒素ガスを供給することができる。ガス供給路３２から噴出された窒素ガスは、基板Ｗが回転処理される際に基板Ｗの回転に伴う遠心力によって基板Ｗの径方向外側に向けて流れ、基板外に排出される。このため、非処理領域ＮＴＲに処理液が付着するのが防止される。

次に、上記のように構成された基板処理装置の動作について説明する。図３は、図１の基板処理装置の動作を示すフローチャートである。また、図４は、図１の基板処理装置の動作を模式的に示す図である。この装置では、基板Ｗの表面Ｗfにメタル層などの薄膜ＴＦが形成された基板Ｗが薄膜形成面を上方に向けた状態で搬入されスピンベース１５上に載置されると、制御ユニット４が装置各部を以下のように制御して基板Ｗに対してベベルエッチング処理（エッチング工程＋リンス工程＋乾燥工程）を実行する。なお、基板Ｗの搬送を行う際には、遮断板５はスピンチャック１の上方の退避位置にあり、基板Ｗとの干渉を防止している。

未処理の基板Ｗがスピンベース１５上に載置されると、制御ユニット４が複数個のチャックピン１７を解放状態から押圧状態とすることにより基板Ｗの周縁を把持する。これにより基板Ｗは略水平姿勢に保持される。基板Ｗがチャックピン１７に保持されると、制御ユニット４は遮断板昇降駆動機構５３を制御して遮断板５を対向位置まで降下させて基板Ｗに近接して対向配置させる（ステップＳ１）。これにより、基板表面Ｗｆは遮断板５の対向面５０１に覆われ、基板Ｗの周辺の外部雰囲気から遮断される。

次に、制御ユニット４は駆動機構７３を作動させることで周縁処理ノズル７を離間位置Ｐ１から処理位置Ｐ２に移動させる（ステップＳ２）。具体的には、揺動駆動源７３１の作動により周縁処理ノズル７が水平方向に沿って遮断板５の貫通孔５０２の上方位置に移動するとともに、昇降駆動源７３２の作動により周縁処理ノズル７が降下してノズル先端面７ａが遮断板５の対向面５０１と面一となる位置まで貫通孔５０２に挿入される。このとき、周縁処理ノズル７の外形部分に形成された段差面７ｂと、貫通孔５０２の内壁に形成された当接面５ａとが当接して、周縁処理ノズル７が遮断板５（段差部５０３）に基板側に向かって、つまり鉛直方向下向きに押し付けられる。これによって、周縁処理ノズル７が遮断板５に当接固定され、処理位置Ｐ２に安定して位置決めされる。

それに続いて、制御ユニット４は遮断板５を停止させた状態で、チャック回転駆動機構１３を制御してスピンベース１５を回転させることにより、基板Ｗを回転させる（ステップＳ３）。また、制御ユニット４はガス供給ユニット２５を作動させて、ガス供給路３２から基板表面Ｗｆの中央部に向けて窒素ガスを供給するとともに、ガス流通空間５０５に窒素ガスを送り込む。基板表面Ｗｆと対向面５０１とで挟まれた空間ＳＰに供給されたガスは、基板Ｗの回転に伴う遠心力によって回転軸Ｊを中心として径方向外側に均等に流れ、基板外に排出されていく。ここで、ガス導入部５０４を介して貫通孔５０２にも窒素ガスが流れ込むが、基板Ｗ側への流路は周縁処理ノズル７の段差面７ｂと貫通孔５０２の内壁に形成された当接面５ａとの当接により塞がれており、貫通孔５０２から窒素ガスが空間ＳＰに入り込むことがなく、貫通孔５０２の内壁と周縁処理ノズル７（ノズル後端側の胴部７０４）の隙間から遮断板５の上方から抜けていく。このため、遮断板５の周縁部に形成された１つの貫通孔５０２から空間ＳＰに回転軸Ｊに対して不均一に窒素ガスが入り込み、回転軸Ｊを中心として径方向外側に均等に流れていく気流を乱すのを防止することができる。

この状態で、薬液供給ユニット２２からエッチング処理に適した薬液が周縁処理ノズル７に圧送されて、表面周縁部ＴＲに薬液が供給される（図４（ａ））。基板Ｗの径方向外側に向けて吐出された薬液は基板Ｗの回転による遠心力を受けて基板Ｗの周縁に向かって流れ、基板の端面を伝って流下する。このとき、周縁処理ノズル７は遮断板５の段差部５０３に押し当てられた状態で処理位置Ｐ２に位置決めされているので、遮断板５に対して周縁処理ノズル７が固定され、ノズル位置、特に上下方向（高さ方向）の位置が正確に定まる。このため、基板Ｗの回転に伴う気流や振動等の影響により周縁処理ノズル７からの吐出位置が不安定になるのを防止できる。すなわち、樹脂等の剛性が比較的低い材質で形成されたノズルアーム７１およびこれに固着された小径の周縁処理ノズル７は気流や振動等の影響を受け易いが、これらに比べて物理的（体積および質量、配置条件等）に振動等の影響を受けにくい遮断板５に周縁処理ノズル７が押し付けられることで、吐出位置が変動するのが防止される。

特に、この実施形態では、薬液を鉛直方向ではなく、基板Ｗの径方向外側に向けて斜めに吐出させているので、基板Ｗと周縁処理ノズル７との間の距離が一定とされることで、周縁エッチング幅ＥＨが変動するのを防止することができる。また、ノズル先端面７ａが対向面５０１よりも上方に位置ずれした際に、周縁処理ノズル７から吐出された薬液が貫通孔５０２の内壁に当たって跳ね返りが発生するのを防止することができる。その結果、表面周縁部ＴＲ以外の非処理領域ＮＴＲがエッチングされてしまうのを回避することができる。したがって、表面周縁部ＴＲから不要物（薄膜ＴＦ）が一定の周縁エッチング幅ＥＨで均一に、全周にわたってエッチング除去される（ステップＳ４）。

また、制御ユニット４は基板表面Ｗｆへの薬液供給と同時に下面処理ノズル２から基板裏面Ｗｂの中央部に向けて薬液を供給して、裏面Ｗｂを洗浄するようにしてもよい。基板裏面Ｗｂの中央部に供給された薬液は基板Ｗの回転に伴う遠心力によって裏面全体に拡がる。これにより、裏面Ｗｂが洗浄されるとともに、裏面Ｗｂへの不要物の回り込みが防止される。なお、裏面Ｗｂについては、表面周縁部ＴＲに対するエッチング処理とリンス処理が終了した後に、裏面Ｗｂに対するエッチング処理とリンス処理とを実行するようにしてもよい。

エッチング処理が終了すると、リンス液が周縁処理ノズル７に圧送されて、表面周縁部ＴＲにリンス液が供給される。これにより、基板Ｗの表面周縁部ＴＲに付着している薬液がリンス液によって洗い落とされる。リンス液は薬液に対して基板Ｗの内周側から供給されるので、表面周縁部（処理領域）ＴＲと非処理領域ＮＴＲとの界面に付着する薬液がリンス液によって十分に洗い流される。また、表面周縁部ＴＲに対するエッチング処理と同時に裏面Ｗｂに対するエッチング処理が終了している場合には、基板表面Ｗｆへのリンス液供給と同時に下面処理液ノズル２から基板裏面Ｗｂの中央部に向けてリンス液を供給してもよい。基板裏面Ｗｂの中央部に供給されたリンス液は基板Ｗの回転に伴う遠心力によって裏面全体に拡がり裏面Ｗｂがリンス処理される（ステップＳ５）。

こうして、エッチング処理およびリンス処理が完了すると、制御ユニット４は駆動機構７３を作動させることで周縁処理ノズル７を貫通孔５０２から抜き出して表面周縁部ＴＲから離間した離間位置Ｐ１に移動させる（ステップＳ６）。そして、チャック回転駆動機構１３のモータの回転速度を高めて基板Ｗを高速回転させる。また、基板Ｗの回転と合わせて遮断板回転駆動機構５２のモータを駆動させて遮断板５を高速回転させる。これにより、基板Ｗおよび遮断板５に付着する液体成分が振り切られる。このとき、上記した基板表面Ｗｆへの窒素ガス供給と併せて、ガス供給路２４からも窒素ガスを供給することで、基板Ｗの表裏面に窒素ガスを供給させる。これにより、基板Ｗの表裏面が乾燥処理される（ステップＳ７）。ここで、周縁処理ノズル７が貫通孔５０２から抜き出されると、ガス導入部５０４から貫通孔５０２に導入される窒素ガスが、基板Ｗ側の開口からも下方に向けて噴出する（図４（ｂ））。このため、貫通孔５０２の内部空間に処理液が入り込み基板Ｗに向けて跳ね返るようなことがない。その結果、非処理領域ＮＴＲの腐食を防止することができる。

乾燥処理が終了すると、制御ユニット４は遮断板回転駆動機構５２を制御して遮断板５の回転を停止させるとともに、チャック回転駆動機構１３を制御して基板Ｗの回転を停止させる（ステップＳ８）。こうしてベベルエッチング処理（エッチング処理＋リンス処理＋乾燥処理）が完了すると、遮断板昇降駆動機構５３の駆動により遮断板５が上昇され、基板Ｗの周縁を保持する複数個のチャックピン１７を押圧状態から解放状態にして、処理済基板Ｗが装置から搬出される（ステップＳ９）。

以上のように、この実施形態によれば、周縁処理ノズル７を離間位置Ｐ１から処理位置Ｐ２に移動した際に、周縁処理ノズル７の段差面７ｂを対向位置に配置された遮断板５の貫通孔５０２の内壁に形成された段差部５０３（当接面５ａ）に当接させるとともに基板Ｗに向かって押し付けている。このため、周縁処理ノズル７を処理位置Ｐ２に安定して位置決めしながらベベルエッチング処理を行うことができる。その結果、基板Ｗの回転による気流や振動等の影響により吐出位置が不安定になるのを防止して、プロセス性能を安定化させることができる。特に、基板表面Ｗｆからの周縁処理ノズル７の高さ方向の位置を安定して位置決めすることができるので、周縁処理ノズル７から吐出される処理液の跳ね返りを防止することができる。また、周縁エッチング幅ＥＨの変動を防止して周縁エッチング幅ＥＨを均一にすることができる。

また、この実施形態によれば、周縁処理ノズル７において、ノズル先端側の胴部７０３の断面積がノズル後端側の胴部７０４の断面積に対して小さくなるように、ノズル先端側の胴部７０３とノズル後端側の胴部７０４との間に段差面７ｂを有するようにノズルを形成して、該段差面７ｂを遮断板５の当接面５ａに押し付けている。このため、ノズル径が小さく、吐出口周囲のノズル先端面７ａで当接部材と当接させることが困難な場合でもノズルの位置決めを確実に行うことができる。さらに、周縁処理ノズル７のノズル先端面７ａを遮断板５の対向面５０１に対して面一にして位置決めすることができるので、周縁処理ノズル７から吐出された処理液が貫通孔５０２の内壁に当たってしまうのを回避することができるとともに、処理液が貫通孔５０２に入り込み基板Ｗに向けて跳ね返ることがない。

さらに、この実施形態によれば、段差面７ｂと当接面５ａとを基板表面Ｗｆに略平行に形成しているので、周縁処理ノズル７および遮断板５の加工を容易として、周縁処理ノズル７を処理位置Ｐ２に位置決めする際に、基板Ｗに対するノズルの位置精度を高めることができる。さらに、段差面７ｂおよび当接面５ａを基板表面Ｗｆに略平行に形成しながら基板表面Ｗｆの法線方向に沿って基板Ｗに向かって周縁処理ノズル７を遮断板５（段差部５０３）に押し付けて処理位置Ｐ２に位置決めしているので、周縁処理ノズル７と遮断板５とが摺動するのを抑制してパーティクルの発生を防止することができる。

また、この実施形態によれば、貫通孔５０２の内壁にガス導入部５０４を開口させるとともに、ガス供給ユニット２５からガス導入部５０４に窒素ガスを供給して貫通孔５０２に窒素ガスを導入している。このため、周縁処理ノズル７が離間位置Ｐ１に移動して貫通孔５０２から抜き出された際に、貫通孔５０２から窒素ガスが噴出して、処理液が貫通孔５０２に入り込むことに起因して基板Ｗに向けて処理液の跳ね返りが発生するのを抑制することができる。

さらに、この実施形態によれば、ガス導入部５０４を段差部５０３に対して、基板Ｗから離間する方向に開口させているので、周縁処理ノズル７が貫通孔５０２に挿入された際には、段差面７ｂと当接面５ａとが当接することにより基板Ｗ側へのガス流路が塞がれ、基板表面Ｗｆと対向面５０１とで挟まれた空間ＳＰに窒素ガスが流入するのを防止することができる。このため、貫通孔５０２から空間ＳＰに窒素ガスが入り込み、回転軸Ｊを中心として径方向外側に均等に流れていく気流を乱すのを防止することができる。その結果、処理液の跳ね返り等の不具合を防止することができる。

＜第２実施形態＞
図５は、第２実施形態にかかる基板処理装置の要部を示す図である。この第２実施形態が第１実施形態と大きく相違する点は、周縁処理ノズルの構造が相違する点である。第１実施形態では、周縁処理ノズル７が薬液とリンス液とにそれぞれ対応して、液供給路とその端部を構成する吐出口を有していた、すなわち、薬液に対して薬液供給路７０１と吐出口７０１ａが設けられる一方、リンス液に対してリンス液供給路７０２と吐出口７０２ａが設けられていた。これに対して、この第２実施形態では、周縁処理ノズル７０は１つの処理液供給路７００と、その端部を構成する１つの吐出口７００ａを有している。つまり、周縁処理ノズル７０は処理液供給路７００を介して吐出口７００ａから薬液とリンス液とが選択的に吐出されるように構成されている。なお、その他の構成および動作は基本的に第１実施形態と同様であり、同一構成については同一符号を付してその説明を省略する。

周縁処理ノズル７０の内部には、処理液供給路７００が形成されており、処理液供給路７００の先端部（下端部）が周縁処理ノズル７０の吐出口７００ａを構成している。そして、周縁処理ノズル７０が貫通孔５０２に挿入される際には、周縁処理ノズル７０の吐出口７００ａ周囲の先端面７０ａが遮断板５の対向面５０１と面一の位置まで挿入される。周縁処理ノズル７０の直径（ノズル径）は、貫通孔５０２の孔径を大きくすることのないように小さくすることが望ましいが、この実施形態によれば、ノズル内部に挿通される液供給路を１つにして薬液とリンス液に対して共通利用しているので、ノズル径を極力小さくすることができるという利点がある。ノズル径としては、例えばφ５〜６ｍｍ程度に形成される。

周縁処理ノズル７０の吐出口７００ａは基板Ｗの径方向外側に向けて開口しており、吐出口７００ａから薬液およびリンス液を表面周縁部ＴＲに供給可能になっている。処理液供給路７００はノズル後端部においてチューブ等を介して薬液供給ユニット２２およびリンス液供給ユニット２３と接続されており、制御ユニット４からの動作指令に応じて薬液またはリンス液が選択的に供給される。

また、ノズル先端側の胴部７０３とノズル後端側の胴部７０４との間に段差面７０ｂが形成されている点は第１実施形態と同様である。この段差部７０ｂは、ノズル先端側の胴部７０３周囲を取り囲む円環状に、しかもスピンチャック１に保持された基板表面Ｗｆに略平行に形成され、遮断板５の当接面５ａに当接可能に仕上げられている。

図６は、第２実施形態にかかる基板処理装置の動作を模式的に示す図である。この実施形態においても、図３に示すフローチャートと同様な手順で基板処理が実行される。すなわち、遮断板５が対向位置に配置された後、周縁処理ノズル７０のノズル先端面７０ａが遮断板５の対向面５０１と面一となる位置まで貫通孔５０２に挿入される。このとき、周縁処理ノズル７０の段差面７０ｂと、遮断板５の当接面５ａとが当接して、周縁処理ノズル７０が遮断板５（段差部５０３）に基板側に向かって押し付けられる。これによって、周縁処理ノズル７０が遮断板５に当接固定され、処理位置Ｐ２に安定して位置決めされる。

続いて、基板Ｗが回転され、エッチング処理（ステップＳ４）とリンス処理（ステップＳ５）とが実行される。ここで、表面周縁部ＴＲに対するエッチング処理（図６（ａ））とリンス処理（図６（ｂ））とを実行する際に、周縁処理ノズル７０から薬液とリンス液とが単一の処理液供給路７００を介して基板Ｗの表面周縁部ＴＲに向けて選択的に供給される。

以上のように、この実施形態においても、周縁処理ノズル７０を処理位置Ｐ２に移動した際に、周縁処理ノズル７０の段差面７０ｂが遮断板５の段差部５０３（当接面５ａ）に当接し基板Ｗに向かって押し付けられることで、周縁処理ノズル７０を処理位置Ｐ２に安定して位置決めしながらベベルエッチング処理を行うことができる。その結果、基板Ｗの回転による気流や振動等の影響により吐出位置が不安定になるのを防止して、プロセス性能を安定化させることができる。

また、周縁処理ノズル７０は段差面７０ｂを有し、該段差面７０ｂを遮断板５の当接面５ａに押し付けている点、段差面７０ｂと当接面５ａとを基板表面Ｗｆに略平行に形成している点、ガス導入部５０４に窒素ガスを供給して貫通孔５０２に窒素ガスを導入している点、ガス導入部５０４を段差部５０３に対して基板Ｗから離間する方向に開口させている点は第１実施形態と同様であり、第１実施形態と同様な作用効果が得られる。

さらに、この実施形態によれば、処理液供給路７００を１つにして周縁処理ノズル７０のノズル径を小さくすることができるため、遮断板５に形成する貫通孔５０２の孔径を小さくすることができる。その結果、遮断板５の雰囲気遮断効果を高めるとともに、貫通孔５０２に起因する処理液の跳ね返り等の不具合を抑制することができる。

＜第３実施形態＞
図７は、第３実施形態にかかる基板処理装置の構成を示す図である。この第３実施形態が第１および第２実施形態と大きく相違する点は、第１および第２実施形態では、チャックピン１７により基板裏面Ｗｂの周縁部を下方から支持しながら基板Ｗの端面をメカ的に押圧して基板Ｗを保持していたのに対して、この第３実施形態では、基板裏面Ｗｂの周縁部を下方から支持ピンにより支持しながら遮断板５０と基板表面Ｗｆとで挟まれた空間にガスを供給することにより基板Ｗを上方から支持ピンに押圧させて保持させている点である。なお、周縁処理ノズルのノズル径を小さくするため、単一の処理液供給路７００を介して薬液とリンス液とを選択的に供給する点は第２実施形態と同様である。

図８は、図７の基板処理装置が備えるスピンベース１５を上方から見た平面図である。スピンベース１５には、その中心部に開口が設けられるとともに、その周縁部付近には複数個（この実施形態では２４個）の支持ピンＦ１〜Ｆ１２，Ｓ１〜Ｓ１２が鉛直方向に昇降自在に設けられている。ここで、基板Ｗを水平支持するためには、支持ピンの個数は少なくとも３個以上であればよいが、支持ピンが基板Ｗの下面に当接する部分を処理するためには、支持ピンを基板Ｗの下面に対して離当接自在に構成するとともに、処理中に少なくとも１回以上、支持ピンを基板Ｗの下面から離間させるのが望ましい。そのため、支持ピンが基板Ｗの下面に当接する部分をも含めて基板Ｗの下面を処理するためには少なくとも４個以上の支持ピンが必要とされ、実施形態である２４個とすることより安定して基板Ｗを支持することができる。

これら支持ピンＦ１〜Ｆ１２，Ｓ１〜Ｓ１２は、回転軸Ｊを中心として放射状に略等角度間隔でスピンベース１５から上方に向けて突出して設けられている。支持ピンＦ１〜Ｆ１２、Ｓ１〜Ｓ１２の各々は、基板裏面Ｗｂと当接することによって、スピンベース１５から所定距離だけ上方に離間させた状態で基板Ｗを水平に支持可能となっている。これらのうち、周方向に沿って１つ置きに配置された１２個の支持ピンＦ１〜Ｆ１２は、第１支持ピン群を構成していて、これらは連動して基板Ｗを支持し、または基板Ｗの裏面から離間してその支持を解除するように動作する。一方で、残る１２個の支持ピンＳ１〜Ｓ１２は、第２支持ピン群を構成しており、これらは連動して基板Ｗを支持し、または基板Ｗの裏面から離間してその支持を解除するように動作する。

図９は支持ピンの構成を示す部分拡大図である。なお、支持ピンＦ１〜Ｆ１２，Ｓ１〜Ｓ１２の各々はいずれも同一構成を有しているため、ここでは１つの支持ピンＦ１の構成についてのみ図面を参照しつつ説明する。支持ピンＦ１は、基板Ｗの下面に離当接可能な当接部６１と、当接部６１を上下方向へ移動可能に支持する可動ロッド６２と、この可動ロッド６２を上下動させるモータ等を含む昇降駆動部６３と、可動ロッド６２を取り囲むように設けられ可動ロッド６２と昇降駆動部６３とを外部雰囲気から遮断するベローズ６４とを有している。ベローズ６４は、例えばＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）より形成され、薬液等により基板Ｗを処理する際に、ステンレス鋼（ＳＵＳ）またはアルミニウム等から形成される可動ロッド６２を保護する。また、当接部６１は耐薬性を考慮して、ＰＣＴＦＥ（ポリクロロトリフルオロエチレン）で形成されるのが好ましい。ベローズ６４の上端部は当接部６１の下面側に固着される一方、ベローズ６４の下端部はスピンベース１５の上面側に固着されている。なお、昇降駆動部６３はモータに限らず、エアシリンダ等のアクチュエータ全般を用いてもよい。

上記した構成を有する支持ピンＦ１〜Ｆ１２，Ｓ１〜Ｓ１２では、昇降駆動部６３が制御ユニット４からの駆動信号に基づき図示省略する駆動連結部を介して可動ロッド６２を１〜数ｍｍのストロークで駆動させることにより、次のように基板Ｗを支持する。すなわち、昇降駆動部６３を駆動させない状態では、所定の高さ位置（基板処理位置）で基板Ｗを支持するように支持ピンＦ１〜Ｆ１２，Ｓ１〜Ｓ１２の各々はコイルばね等の付勢手段（図示せず）によって上向きに付勢されており、基板Ｗは支持ピンＦ１〜Ｆ１２からなる第１支持ピン群と、支持ピンＳ１〜Ｓ１２からなる第２支持ピン群との両方の支持ピン群により支持される。一方で、支持ピンＳ１〜Ｓ１２を付勢力に抗して下降駆動させると、支持ピンＳ１〜Ｓ１２の当接部６１は基板Ｗの下面から離間して基板Ｗは支持ピンＦ１〜Ｆ１２からなる第１支持ピン群のみにより支持される。また、支持ピンＦ１〜Ｆ１２を付勢力に抗して下降駆動させると、支持ピンＦ１〜Ｆ１２の当接部６１は基板Ｗの下面から離間して基板Ｗは支持ピンＳ１〜Ｓ１２からなる第２支持ピン群のみにより支持される。

図１０は遮断板５０の底面図である。この遮断板５０が第１および第２実施形態にかかる基板処理装置に用いられる遮断板５と相違する点は、遮断板５の対向面５０１に円周方向に沿って複数のガス噴出口を開口させている点である。これにより、基板表面Ｗｆと対向面５０１とで挟まれた空間ＳＰの内部圧力を効果的に高め、基板Ｗを支持ピンＦ１〜Ｆ１２，Ｓ１〜Ｓ１２に押圧させてスピンベース１５とともに回転保持させることが可能となっている。なお、遮断板５０のその他の構成については、基本的に第１および第２実施形態にかかる基板処理装置に用いられる遮断板５と同等であり、同一構成については同一符号を付してその説明を省略する。

対向面５０１には円周方向に沿って複数のガス噴出口５０６が開口している。複数のガス噴出口５０６はスピンチャック１に保持される基板Ｗの表面中央部の非処理領域ＮＴＲに対向する位置に、回転軸Ｊを中心とする円周に沿って等角度間隔に形成されている。これらのガス噴出口５０６は、遮断板５０の内部のガス流通空間５０５に連通しており、ガス流通空間５０５に窒素ガスが供給されると、ガス噴出口５０６を介して窒素ガスが空間ＳＰに供給される。なお、ガス噴出口は複数の開口に限らず、単一の開口、例えば、回転軸Ｊを中心として全周にわたってリング状に開口したものであってもよい。但し、複数のガス噴出口とした方が、ガス噴出圧の均一性を得る点で有利である。

そして、この空間ＳＰに窒素ガスが供給されることで空間ＳＰの内部圧力を高めて基板Ｗをその下面に当接する支持ピンＦ１〜Ｆ１２，Ｓ１〜Ｓ１２に押圧させることができる。これによって、支持ピンＦ１〜Ｆ１２，Ｓ１〜Ｓ１２に押圧された基板Ｗは、チャック回転駆動機構１３がスピンベース１５を回転させることで基板Ｗの下面と支持ピンＦ１〜Ｆ１２，Ｓ１〜Ｓ１２との間に発生する摩擦力によって支持ピンＦ１〜Ｆ１２，Ｓ１〜Ｓ１２に支持されながらスピンベース１５とともに回転する。なお、ガス噴出口５０６から噴出された窒素ガスは、基板Ｗが回転処理される際に基板Ｗの回転に伴う遠心力によって基板Ｗの径方向外側に向けて流れ、基板外に排出される。このため、非処理領域ＮＴＲに処理液が付着するのが確実に防止される。

次に、上記のように構成された基板処理装置の動作について説明する。図１１は、図７の基板処理装置の動作を示すフローチャートである。また、図１２は、図７の基板処理装置の動作を模式的に示す図である。この装置では、基板Ｗの表面Ｗfにメタル層などの薄膜ＴＦが形成された基板Ｗが薄膜形成面を上方に向けた状態で搬入されスピンベース１５上に載置されると、制御ユニット４が装置各部を以下のように制御して基板Ｗに対してベベルエッチング処理（エッチング工程＋リンス工程＋乾燥工程）を実行する。なお、基板Ｗの搬送を行う際には、遮断板５０はスピンチャック１の上方の退避位置にあり、基板Ｗとの干渉を防止している。また、搬入される基板Ｗはすべての支持ピンＦ１〜Ｆ１２，Ｓ１〜Ｓ１２にて支持するようにしてもよいし、支持ピンＦ１〜Ｆ１２からなる第１支持ピン群のみにより支持、あるいは支持ピンＳ１〜Ｓ１２からなる第２支持ピン群のみにより支持するようにしてもよい。

未処理基板Ｗが支持ピンＦ１〜Ｆ１２，Ｓ１〜Ｓ１２に載置されると、制御ユニット４は遮断板５０を対向位置まで降下させて基板Ｗに近接して対向配置させる（ステップＳ１１）。そして、ガス噴出口５０６から窒素ガスを吐出させるとともに、ガス供給路３２から基板表面Ｗｆの中央部に向けて窒素ガスを供給する（ステップＳ１２）。これによって、遮断板５０の対向面５０１と基板表面Ｗｆとの間に形成される空間ＳＰの内部圧力が高められ、基板Ｗはその下面（裏面Ｗｂ）に当接する支持ピンＦ１〜Ｆ１２，Ｓ１〜Ｓ１２に押圧されてスピンベース１５に保持される。また、基板表面Ｗｆは遮断板５０の対向面５０１にごく近接した状態で覆われることによって、基板Ｗの周辺の外部雰囲気から確実に遮断される。

次に、制御ユニット４は駆動機構７３を作動させることで周縁処理ノズル７０を離間位置Ｐ１から処理位置Ｐ２に移動させる（ステップＳ１３）。具体的には、揺動駆動源７３１の作動により周縁処理ノズル７０が水平方向に沿って遮断板５０の貫通孔５０２の上方位置に移動するとともに、昇降駆動源７３２の作動により周縁処理ノズル７０が降下してノズル先端面７ａが遮断板５０の対向面５０１と面一となる位置まで貫通孔５０２に挿入される。このとき、周縁処理ノズル７０の外形部分に形成された段差面７ｂと、貫通孔５０２の内壁に形成された当接面５ａとが当接して、周縁処理ノズル７０が遮断板５０（段差部５０３）に基板Ｗに向かって、つまり鉛直方向下向きに押し付けられる。これによって、周縁処理ノズル７０が遮断板５０に当接固定され、処理位置Ｐ２に安定して位置決めされる。

それに続いて、制御ユニット４は遮断板５０を停止させた状態で、チャック回転駆動機構１３を制御してスピンベース１５を回転させることにより、基板Ｗを回転させる（ステップＳ１４）。このとき、支持ピンＦ１〜Ｆ１２，Ｓ１〜Ｓ１２に押圧された基板Ｗは支持ピンＦ１〜Ｆ１２，Ｓ１〜Ｓ１２と基板Ｗの下面との間に発生する摩擦力でスピンベース１５に保持されながら、スピンベース１５とともに回転することとなる。

基板表面Ｗｆと対向面５０１とで挟まれた空間ＳＰに供給されたガスは、基板Ｗの回転に伴う遠心力によって回転軸Ｊを中心として径方向外側に均等に流れ、基板外に排出されていく。ここで、ガス導入部５０４を介して貫通孔５０２にも窒素ガスが流れ込むが、基板Ｗ側への流路は周縁処理ノズル７０の段差面７０ｂと貫通孔５０２の内壁に形成された当接面５ａとの当接により塞がれており、貫通孔５０２から窒素ガスが空間ＳＰに入り込むことがなく、貫通孔５０２の内壁と周縁処理ノズル７０（ノズル後端側の胴部７０４）の隙間から遮断板５０の上方から抜けていく。このため、遮断板５０の周縁部に形成された１つの貫通孔５０２から空間ＳＰに回転軸Ｊに対して不均一に窒素ガスが入り込み、回転軸Ｊを中心として径方向外側に均等に流れていく気流を乱すのを防止することができる。

この状態で、薬液供給ユニット２２からエッチング処理に適した薬液が周縁処理ノズル７０に圧送されて、表面周縁部ＴＲに処理液として薬液が供給される（図１２（ａ））。基板Ｗの径方向外側に向けて吐出された薬液は基板Ｗの回転による遠心力を受けて基板Ｗの周縁に向かって流れ、基板の端面を伝って流下する。これにより、表面周縁部ＴＲの全体に薬液が供給されてエッチング処理される。このとき、周縁処理ノズル７０は遮断板５０の段差部５０３に押し当てられた状態で処理位置Ｐ２に位置決めされているので、遮断板５０に対して周縁処理ノズル７０が固定され、ノズル位置、特に上下方向（高さ方向）の位置が正確に定まる。このため、基板Ｗの回転に伴う気流や振動等の影響により周縁処理ノズル７０からの吐出位置が不安定になるのを防止できる。すなわち、樹脂等の剛性が比較的低い材質で形成されたノズルアーム７１およびこれに固着された小径の周縁処理ノズル７０は気流や振動等の影響を受け易いが、これらに比べて物理的（体積および質量、配置条件等）に振動等の影響を受けにくい遮断板５０に周縁処理ノズル７０が押し付けられることで、吐出位置が変動するのが防止される。

特に、この実施形態では、薬液を鉛直方向ではなく、基板Ｗの径方向外側に向けて斜めに吐出させているので、基板Ｗと周縁処理ノズル７０との間の距離が一定とされることで、周縁エッチング幅ＥＨが変動するのを防止することができる。また、ノズル先端面７０ａが対向面５０１よりも上方に位置ずれした際に、周縁処理ノズル７０から吐出された薬液が貫通孔５０２の内壁に当たって跳ね返りが発生するのを防止することができる。その結果、表面周縁部ＴＲ以外の非処理領域ＮＴＲがエッチングされてしまうのを回避することができる。

また、この実施形態では、基板Ｗの外周端部に接触して基板Ｗを保持する、チャックピン等の保持部材がないことから、保持部材により保持している部分と保持していない部分とで薬液の回り込み量が異なることはなく、基板表面Ｗｆの周縁部へ薬液を均一に回り込ませることができる。また、基板Ｗの外周端部付近の気流を乱す要因がないことからミスト状の薬液の基板表面Ｗｆ側への巻き込みが軽減される。さらに、ガス供給路３２およびガス噴出口５０６から供給される窒素ガスにより基板表面Ｗｆの中央部への薬液の入り込みが防止される。したがって、表面周縁部ＴＲから不要物（薄膜ＴＦ）が一定の周縁エッチング幅ＥＨで全周にわたって均一にエッチング除去される（ステップＳ１５）。

さらに、周縁処理ノズル７０は遮断板５０の貫通孔５０２に挿入されるため、薬液が飛散して周縁処理ノズル７０に向けて跳ね返ってくるような場合でも薬液は遮断板５０の対向面５０１に遮られ、周縁処理ノズル７０の周囲（側面）に薬液が付着するようなことがない。このため、ノズル移動時において周縁処理ノズル７０から薬液が落ちて基板Ｗあるいは基板周辺部材に付着して悪影響を及ぼすことが防止される。したがって、周縁処理ノズル７０の洗浄も不要となり、装置のスループットの向上を図ることができる。

表面周縁部ＴＲに対するエッチング処理が終了すると、制御ユニット４は周縁処理ノズル７０への薬液の圧送を停止して、リンス液供給ユニット２３からリンス液を周縁処理ノズル７０に圧送する。これにより、表面周縁部ＴＲにリンス液が供給され、基板Ｗの表面周縁部ＴＲに付着している薬液がリンス液によって洗い落とされる（ステップＳ１６）。

こうして、表面周縁部ＴＲに対するリンス処理が終了すると、制御ユニット４は周縁処理ノズル７０へのリンス液の圧送を停止して、周縁処理ノズル７０を貫通孔５０２から抜き出して表面周縁部ＴＲから離間した離間位置Ｐ１に移動させる（ステップＳ１７）。このとき、ガス導入部５０４から貫通孔５０２に導入される窒素ガスが遮断板５０の上下の開口から貫通孔５０２の上下方向に噴出する（図１２（ｂ））。このため、周縁処理ノズル７０が貫通孔５０２から抜き出された状態であっても、処理液が貫通孔５０２に入り込み基板表面Ｗｆに向けて跳ね返るのが抑制される。

続いて、制御ユニット４は遮断板回転駆動機構５２を制御してスピンベース１５の回転数とほぼ同一の回転数で同一方向に遮断板５０を回転させる（ステップＳ１８）。その後、下面処理ノズル２からスピンベース１５とともに回転される基板Ｗの裏面Ｗbに処理液が供給され、基板Ｗの裏面（非デバイス形成面）Ｗbに対して裏面洗浄処理が実行される（ステップＳ１９）。具体的には、下面処理ノズル２から基板裏面Ｗｂの中央部に向けて処理液として薬液とリンス液とが順次供給されることにより、裏面全体と裏面Ｗｂに連なる基板端面部分が洗浄される。このように基板Ｗとともに遮断板５０を回転させることで、遮断板５０に付着する処理液がプロセスに悪影響を及ぼすのを防止するとともに、基板Ｗと遮断板５０との間に回転に伴う余分な気流が発生するのを抑制して基板表面Ｗｆへの処理液の巻き込みを防止することができる。

ここで、洗浄処理中に支持ピンＦ１〜Ｆ１２，Ｓ１〜Ｓ１２を基板裏面Ｗｂから少なくとも１回以上、離間させることで支持ピンＦ１〜Ｆ１２，Ｓ１〜Ｓ１２と基板裏面Ｗｂの当接部分にも処理液を回り込ませて当該部分を洗浄することができる。例えば、洗浄処理途中に、支持ピンＦ１〜Ｆ１２からなる第１支持ピン群と支持ピンＳ１〜Ｓ１２からなる第２支持ピン群との両方の支持ピン群により基板Ｗを支持した状態から第１支持ピン群のみにより基板Ｗを支持した状態に切り換え、基板Ｗと第２支持ピン群との間の当接部分に処理液を回り込ませる。その後、両方の支持ピン群により基板Ｗを支持した状態に移行させた後に、第２支持ピン群のみにより基板Ｗを支持した状態に切り換え、基板Ｗと第１支持ピン群との間の当接部分に処理液を回り込ませる。これにより、基板Ｗと支持ピンＦ１〜Ｆ１２，Ｓ１〜Ｓ１２との間の当接部分のすべてに処理液を回り込ませて裏面全体の洗浄処理を行うことができる。

なお、裏面洗浄については、表面周縁部ＴＲに対するエッチング処理と同時に裏面Ｗｂをエッチング処理するとともに、表面周縁部ＴＲに対するリンス処理と同時に裏面Ｗｂをリンス処理してもよいが、上記したように、表面周縁部ＴＲに対するエッチング処理とリンス処理を終了した後に、裏面Ｗｂに対するエッチング処理とリンス処理とを実行するのが好ましい。後者によれば、裏面洗浄時に遮断板５０を回転させることができるため、裏面Ｗｂに供給される比較的大流量の処理液が遮断板５０に付着するのを防止することができるからである。

こうして、裏面洗浄処理が完了すると、制御ユニット４はチャック回転駆動機構１３および遮断板回転駆動機構５２のモータの回転速度を高めて基板Ｗおよび遮断板５０を高速回転させて、基板Ｗの乾燥を実行する（ステップＳ２０）。このとき、上記した基板表面Ｗｆへの窒素ガス供給と併せて、ガス供給路２４からも窒素ガスを供給することで、基板Ｗの表裏面に窒素ガスを供給させる。これにより、基板Ｗの表裏面の乾燥処理が促進される。

基板Ｗの乾燥処理が終了すると、制御ユニット４は遮断板回転駆動機構５２を制御して遮断板５０の回転を停止させるとともに（ステップＳ２１）、チャック回転駆動機構１３を制御して基板Ｗの回転を停止させる（ステップＳ２２）。そして、ガス供給路３２およびガス噴出口５０６からの窒素ガスの供給を停止することで、基板Ｗの支持ピンＦ１〜Ｆ１２，Ｓ１〜Ｓ１２への押圧保持を解除する（ステップＳ２３）。その後、遮断板５０が上昇され、処理済基板Ｗが装置から搬出される（ステップＳ２４）。

以上のように、この実施形態においても、周縁処理ノズル７０を離間位置Ｐ１から処理位置Ｐ２に移動した際に、周縁処理ノズル７０の段差面７ｂを対向位置に配置された遮断板５０の貫通孔５０２の内壁に形成された段差部５０３（当接面５ａ）に当接させるとともに基板Ｗに向かって押し付けている。このため、周縁処理ノズル７０を処理位置Ｐ２に安定して位置決めしながらベベルエッチング処理を行うことができる。その結果、基板Ｗの回転による気流や振動等の影響により吐出位置が不安定になるのを防止して、プロセス性能を安定化させることができる。

また、周縁処理ノズル７０は段差面７０ｂを有し、該段差面７０ｂを遮断板５０の当接面５ａに押し付けている点、段差面７０ｂと当接面５ａとを基板表面Ｗｆに略平行に形成している点、ガス導入部５０４に窒素ガスを供給して貫通孔５０２に窒素ガスを導入している点、ガス導入部５０４を段差部５０３に対して基板Ｗから離間する方向に開口させている点は第１実施形態と同様であり、第１実施形態と同様な作用効果が得られる。

さらに、この実施形態によれば、基板裏面Ｗｂに当接する支持ピンＦ１〜Ｆ１２，Ｓ１〜Ｓ１２によって基板Ｗを支持しながら、遮断板５０の対向面５０１と基板表面Ｗｆとの間に形成される空間ＳＰに窒素ガスを供給することによって、基板Ｗを支持ピンＦ１〜Ｆ１２，Ｓ１〜Ｓ１２に押圧させてスピンベース１５に保持させている。そして、基板Ｗと支持ピンＦ１〜Ｆ１２，Ｓ１〜Ｓ１２との間に発生する摩擦力によってスピンベース１５とともに基板Ｗを回転させている。このため、基板Ｗの外周端部に当接して基板Ｗを保持するチャックピン等の保持部材を不要とすることができる。その結果、表面周縁部ＴＲに供給された処理液が保持部材に当たって跳ね返り表面中央部の非処理領域ＮＴＲを腐食させることがない。また、基板Ｗの外周端部付近の気流を乱す要因がないことからミスト状の処理液の基板表面側への巻き込みを軽減して、非処理領域ＮＴＲへの処理液の付着を効果的に防止することができる。

＜その他＞
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば上記実施形態では、遮断板５，５０をノズルに当接可能な当接部材として、遮断板５，５０の貫通孔５０２にノズル７，７０を挿入させてノズル７，７０を遮断板５，５０に押し付けているが、本発明の当接部材はこれに限定されない。例えば、図１３に示す当接部材を用いることができる（第４実施形態）。

この第４実施形態では、遮断板をノズルに当接可能な当接部材としているのではなく、周縁処理ノズル７０の段差面７０ｂと当接して周縁処理ノズル７０の位置を固定することが可能な位置決め部材８を処理領域である表面周縁部ＴＲの近傍に設けている。

この実施形態においては、位置決め部材８は振動等の影響を受けないように、スピンチャック１等の可動する物体とは別に固定されている。位置決め部材８は、基板表面Ｗｆに略平行な、周縁処理ノズル７０の段差面７０ｂと当接可能な当接面８ａを有しており、周縁処理ノズル７０が離間位置Ｐ１から処理位置Ｐ２に移動された際に、周縁処理ノズル７０の段差面７０ｂと、位置決め部材８の当接面８ａとが当接して、周縁処理ノズル７０が位置決め部材８に基板Ｗに向かって、つまり鉛直方向下向きに押し付けられる。これによって、周縁処理ノズル７０が位置決め部材８に当接固定され、処理位置Ｐ２に安定して位置決めされる。こうして、周縁処理ノズル７０を処理位置Ｐ２に位置決めした状態で、ベベルエッチング処理が実行される。

以上のように、この実施形態によれば、処理領域である表面周縁部ＴＲに臨む空間に位置決め部材８を配置するとともに、位置決め部材８に周縁処理ノズル７０を基板Ｗに向かって押し付けているので、上記実施形態と同様な作用効果が得られる。すなわち、基板Ｗの回転による気流や振動等の影響により吐出位置が不安定になるのを防止して、プロセス性能を安定化させることができる。特に、基板表面Ｗｆからの周縁処理ノズル７０の高さ方向の位置を安定して位置決めすることができるので、周縁エッチング幅ＥＨの変動を防止して周縁エッチング幅ＥＨを均一にすることができる。

また、上記実施形態では、処理領域として基板Ｗの表面周縁部ＴＲに処理液を供給して該表面周縁部ＴＲに対してエッチング処理やリンス処理などの所定の処理を施しているが、処理領域はこれに限定されず、任意である。すなわち、ノズルを処理領域から離間した離間位置から処理領域に処理液を供給可能な処理位置に移動させて処理領域に対して所定の基板処理を施す限り、処理対象となる処理範囲は任意である。特に、処理領域に対して処理を施す際に、処理位置におけるノズルの位置精度、位置決めの再現性が要求される基板処理装置に好適である。

また、上記実施形態では、遮断板５，５０および位置決め部材８などの当接部材を、処理領域を臨む空間に配置した後に、ノズル７，７０を処理位置Ｐ２に移動させてノズル７，７０を当接部材に基板Ｗに向かって押し付けることによりノズル７，７０を位置決めしているが、これに限定されない。例えばノズル７，７０を処理位置Ｐ２に移動させた後に、当接部材をノズル７，７０に向けて移動させて処理領域を臨む空間に配置させることにより、ノズル７，７０を当接部材に基板Ｗに向かって押し付けることによりノズル７，７０を位置決めするようにしてもよい。つまり、結果として離間位置Ｐ１から処理位置Ｐ２に移動されたノズル７，７０が当接部材に基板Ｗに向かって押し付けることによりノズル７，７０が位置決めされていればよい。

また、上記実施形態では、ノズル先端側の胴部７０３の断面積がノズル後端側の胴部７０４の断面積に対して小さくなるように、ノズル先端側の胴部７０３とノズル後端側の胴部７０４との間に段差面７ｂ，７０ｂを有するようにノズルを形成して、該段差面７ｂ，７０ｂを当接面５ａ，８ａに押し付けてノズル７，７０を安定的に位置決めしているが、これに限定されない。例えば図１４に示すように、ノズル９の吐出口周囲の先端面９ａを当接部材８に押し付けるようにしてもよい（第５実施形態）。この場合、ノズル９の吐出口の近傍でノズル９が固定されることとなり、吐出位置精度をさらに高めることができる。

また、ノズル７，７０を遮断板５，５０および位置決め部材８などの当接部材に基板Ｗに向かって押し付けることにより位置決めする場合に限らず、その一方端でノズル７，７０を固着支持するノズルアーム７１を当接部材に基板Ｗに向かって押し付けることによりノズル７，７０を位置決めするようにしてもよい。このように構成した場合であっても、ノズル７，７０を固着支持するノズルアーム７１が当接部材に基板Ｗに向かって押し付けられることにより、基板Ｗからノズル７，７０までの距離を一定として、吐出位置の安定化を図ることができる。すなわち、当接部材を基板Ｗの処理領域を臨む空間に配置して、処理領域に処理液を供給するノズルを備えた供給機構を当接部材に基板Ｗに向かって押し付けることにより、ノズルを処理位置に安定して位置決めすることができる。

この発明は、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、光ディスク用基板などを含む各種基板の処理領域に対して、ノズルを処理領域から離間した離間位置から処理領域に処理液を供給可能な処理位置に移動させて該ノズルから処理液を供給して該処理領域に対して所定の処理を施す基板処理装置に適用することができる。

この発明にかかる基板処理装置の第１実施形態を示す図である。 図１の基板処理装置の部分斜視図である。 図１の基板処理装置の動作を示すフローチャートである。 図１の基板処理装置の動作を模式的に示す図である。 第２実施形態にかかる基板処理装置の要部を示す図である。 第２実施形態にかかる基板処理装置の動作を模式的に示す図である。 第３実施形態にかかる基板処理装置の構成を示す図である。 図７の基板処理装置が備えるスピンベースを上方から見た平面図である。 支持ピンの構成を示す部分拡大図である。 遮断板の底面図である。 図７の基板処理装置の動作を示すフローチャートである。 図７の基板処理装置の動作を模式的に示す図である。 この発明にかかる基板処理装置の第４実施形態を示す図である。 この発明にかかる基板処理装置の第５実施形態を示す図である。

符号の説明

５，５０…遮断板（当接部材）
５ａ…当接面
７，７０…周縁処理ノズル（ノズル、供給機構）
７ａ，７０ａ…ノズル先端面
７ｂ，７０ｂ…段差面
８…位置決め部材（当接部材）
８ａ…当接面
９…ノズル
９ａ…ノズル先端面
１３…チャック回転駆動機構（回転手段）
２５…ガス供給ユニット（ガス供給手段）
７１…ノズルアーム（供給機構）
７３…駆動機構（供給機構駆動手段）
５０２…貫通孔
５０３…段差部
５０４…ガス導入部
７０３…ノズル先端側の胴部
７０４…ノズル後端側の胴部
Ｐ１…離間位置
Ｐ２…処理位置
ＴＲ…（基板の）表面周縁部（処理領域）
Ｗ…基板

Claims (8)

1. 基板の処理領域に処理液を供給して前記処理領域に対して所定の処理を施す基板処理装置において、
   処理液を吐出して前記処理領域に前記処理液を供給するノズルを有する供給機構と、
   前記供給機構を駆動して前記供給機構を前記処理領域から離間した離間位置と前記処理領域に処理液を供給可能な処理位置とに移動させる供給機構駆動手段と、
   前記処理領域に臨む空間に配置され、前記供給機構と当接可能な当接部材と
   を備え、
   前記ノズルは、ノズル先端側の胴部の断面積がノズル後端側の胴部の断面積に対して小さくなるように、前記ノズル先端側の胴部と前記ノズル後端側の胴部との間に段差面を有しており、
   前記当接部材は、前記基板表面に近接対向して配置されて前記基板表面を前記基板の周囲の外部雰囲気から遮断する遮断部材として機能するとともに、その周縁部に前記ノズルが挿入可能な上下方向に貫通する貫通孔を有し、
   前記貫通孔の内壁には、前記ノズルの段差面と当接可能な段差部が設けられ、
   前記供給機構駆動手段は、前記供給機構を駆動して前記ノズルを前記貫通孔に挿入させることにより前記処理位置に移動させるとともに、前記ノズルの段差面を前記貫通孔の内壁に設けられた段差部に押し付けることにより前記ノズルを位置決めすることを特徴とする基板処理装置。
2. 基板の処理領域に処理液を供給して前記処理領域に対して所定の処理を施す基板処理装置において、
   処理液を吐出して前記処理領域に前記処理液を供給するノズルを有する供給機構と、
   前記供給機構を駆動して前記供給機構を前記処理領域から離間した離間位置と前記処理領域に処理液を供給可能な処理位置とに移動させる供給機構駆動手段と、
   前記処理領域に臨む空間に配置され、前記供給機構と当接可能な当接部材と
   を備え、
   前記当接部材は、前記基板表面に近接対向して配置されて前記基板表面を前記基板の周囲の外部雰囲気から遮断する遮断部材として機能するとともに、その周縁部に前記ノズルが挿入可能な上下方向に貫通する貫通孔を有し、
   前記貫通孔の内壁には、前記ノズルの吐出口周囲のノズル先端面と当接可能な段差部が設けられ、
   前記供給機構駆動手段は、前記供給機構を駆動して前記ノズルを前記貫通孔に挿入させることにより前記処理位置に移動させるとともに、前記ノズルの吐出口周囲のノズル先端面を前記貫通孔の内壁に設けられた段差部に押し付けることにより前記ノズルを位置決めすることを特徴とする基板処理装置。
3. 前記ノズルでは前記段差面が前記基板表面に略平行に形成される一方、前記当接部材では前記ノズルと当接する当接面が前記基板表面に略平行に形成される請求項１記載の基板処理装置。
4. 前記処理領域として前記基板表面の周縁部に処理液を供給して該基板表面の周縁部に所定の処理を施す請求項１ないし３のいずれか一項に記載の基板処理装置であって、
   前記基板を回転させる回転手段をさらに備え、
   前記処理位置に移動された前記供給機構から処理液を前記基板の径方向外側に向けて吐出して前記回転手段により回転される前記基板表面の周縁部に処理液を供給する基板処理装置。
5. 前記貫通孔の内壁には、ガス導入部が開口され、
   前記ガス導入部にガスを供給して前記貫通孔にガスを導入するガス供給手段をさらに備える請求項１ないし４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
6. 前記ガス導入部は前記貫通孔の内壁に設けられた段差部に対して、前記基板から離間する方向に開口されている請求項５記載の基板処理装置。
7. 基板を回転させながら前記基板に処理液を供給して所定の処理を施す基板処理装置において、
   鉛直軸回りに回転自在に設けられた回転部材と、
   前記回転部材を回転させる回転手段と、
   前記回転部材に上方に向けて設けられ、前記基板の下面に当接して該基板を前記回転部材から離間させて支持する少なくとも３個以上の支持部材を有する支持手段と、
   前記基板の上面に近接対向して配置されて前記基板の上面を前記基板の周囲の外部雰囲気から遮断するとともに前記基板の上面に気体を供給することによって前記基板を前記支持部材に押圧させて前記基板を前記回転部材に保持させる遮断部材と、
   ノズル先端側の胴部の断面積がノズル後端側の胴部の断面積に対して小さくなるように、前記ノズル先端側の胴部と前記ノズル後端側の胴部との間に段差面を有し、処理液を吐出して前記基板の処理領域に対して前記処理液を供給するノズルを有する供給機構とを備え、
   前記遮断部材は、周縁部に前記ノズルが挿入可能な上下方向に貫通する貫通孔を有し、
   前記貫通孔の内壁には、前記ノズルの段差面と当接可能な段差部が設けられ、
   前記ノズルは前記貫通孔に挿入されることにより前記ノズルの段差面が前記貫通孔の内壁に設けられた段差部に押し付けられることにより位置決めされる
   ことを特徴とする基板処理装置。
8. 基板を回転させながら前記基板に処理液を供給して所定の処理を施す基板処理装置において、
   鉛直軸回りに回転自在に設けられた回転部材と、
   前記回転部材を回転させる回転手段と、
   前記回転部材に上方に向けて設けられ、前記基板の下面に当接して該基板を前記回転部材から離間させて支持する少なくとも３個以上の支持部材を有する支持手段と、
   前記基板の上面に近接対向して配置されて前記基板の上面を前記基板の周囲の外部雰囲気から遮断するとともに前記基板の上面に気体を供給することによって前記基板を前記支持部材に押圧させて前記基板を前記回転部材に保持させる遮断部材と、
   処理液を吐出して前記基板の処理領域に対して前記処理液を供給するノズルを有する供給機構とを備え、
   前記遮断部材は、周縁部に前記ノズルが挿入可能な上下方向に貫通する貫通孔を有し、
   前記貫通孔の内壁には、前記ノズルの吐出口周囲のノズル先端面と当接可能な段差部が設けられ、
   前記ノズルは前記ノズルの吐出口周囲のノズル先端面を前記貫通孔の内壁に設けられた段差部に押し付けられることにより位置決めされる
   ことを特徴とする基板処理装置。

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