JP4708286B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Description

この発明は、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板等の基板に薬液やリンス液などの処理液を供給して基板に所定の処理を行う基板処理装置および方法に関する。

半導体ウエハ等の基板に対して一連の処理を施す製造プロセスにおいては、基板の表面に各種薄膜を形成するために成膜工程が実行される。この成膜工程では基板の裏面あるいは基板表面の周縁部にも成膜されることがある。しかしながら、一般的には基板において成膜が必要なのは基板表面の中央部の回路形成領域のみであり、基板の裏面あるいは基板表面の周縁部に成膜されてしまうと、次のような問題が起こることがある。すなわち、成膜工程の後工程において、基板表面の周縁部に形成された薄膜が他の装置との接触により剥がれたりすることがある。そして、剥がれた薄膜が基板表面の中央部の回路形成領域や基板処理装置に付着することが原因となって製造品の歩留まりの低下や基板処理装置自体のトラブルを引き起こすことがある。

そこで、基板の裏面および基板表面の周縁部に形成された薄膜を除去するために、例えば特許文献１に記載された装置が提案されている。この装置では、その表面に薄膜が形成された基板を上方に向けて配置するとともに、該基板の周縁に対応して設けられた保持部材によって基板を保持する。そして、保持部材により保持された状態で基板を回転させる。また、回転している基板の裏面に対して処理液として薬液（第１処理液）を供給する。これにより、薬液が基板裏面全体に広がって基板裏面の不要物がエッチング除去される。また、このとき基板表面に対向する対向面を有し、かつ基板表面と所定の間隔離れた遮断部材を回転させると、基板の回転および遮断部材の回転によって薬液が基板裏面から基板の端面を介して基板表面の周縁部に回り込み、該周縁部に付着している不要物をもエッチング除去する。こうして、基板裏面および基板表面の周縁部のみにおいて薄膜がエッチング除去される。

特開２０００−２３５９４８号公報（図１）

ところで、エッチング除去対象となっている薄膜（不要物）の性状（薄膜の種類および薄膜の厚み）は多岐にわたっている。例えば薄膜の種類に関して言えば、シリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）、シリコン酸化膜よりも比誘電率の高い絶縁膜（Ｈｉｇｈ―ｋ膜）、銅などのメタル層およびテトラエトキシオルソシラン（ＴＥＯＳ）膜等の互いに種類の異なる薄膜が存在している。これらのうち、ＳｉＮ膜やＨｉｇｈ―ｋ膜は薬液に対して難溶性を示す一方で、ＴＥＯＳ膜は薬液により比較的容易にエッチング除去することが可能となっている。そのため、薄膜の種類に応じて適正なエッチングレートで薄膜をエッチング除去する必要がある。なんとなれば、エッチングレートが過度に高い場合には、基板の端面から内側に向かってエッチング除去される幅（以下「周縁エッチング幅」という）を正確にコントロールすることが困難となるからである。その一方で、エッチングレートが低すぎる場合には、スループットが大きく低下することとなるからである。

そこで、上記した従来装置によって各種薄膜に対して適正なエッチングレートで薄膜をエッチング除去するためには、薄膜の種類に応じて適正濃度の薬液を準備する必要がある。しかしながら、薄膜の種類の数に合わせて互いに濃度の異なる複数の薬液を準備しておくことは現実的でない。すなわち、例えば薬液としてフッ酸を用いる場合には、通常、タンクなどの貯留手段にフッ酸（原液）と純水とをそれぞれ流量を制御しながら供給し、タンク内で所定濃度のフッ酸水溶液を生成している。このため、例えば比較的低濃度のフッ酸水溶液を用いて処理を行った後に高濃度のフッ酸水溶液を用いて処理を行う場合には、タンク内に貯留された低濃度のフッ酸水溶液を廃棄して高濃度のフッ酸に入れ替える必要がある。したがって、タンク内の液を交換するだけで時間を費やしてしまうとともに、薬液（フッ酸）の消費量が多くなってしまう。また、フッ酸水溶液を生成するためにフッ酸および純水の流量を制御するにしても機器的に流量設定が可能な範囲は限られており、低濃度領域から高濃度領域まで支障なく所望濃度の薬液（フッ酸水溶液）を調合できる訳ではない。このため、基板に形成された薄膜に対して適正濃度の薬液を準備することは事実上、不可能となっていた。

そこで、互いに種類の異なる薄膜が付着している複数枚の基板、つまり各基板に付着している薄膜の種類が互いに異なる複数基板の各々に対してエッチング処理を行うために、比較的高濃度の薬液を準備することが考えられる。というのも、比較的高濃度の薬液を準備することによって、比較的容易にエッチング除去することが可能な薄膜が付着する基板に対してのみならず、薬液に対して難溶性を示す薄膜が付着する基板に対してもエッチング処理を施すことができるからである。これにより、互いに種類の異なる薄膜が付着している複数枚の基板の各々に対してスループットを低下させることなく、基板から薄膜をエッチング除去することが可能となる。

しかしながら、比較的容易にエッチング除去可能な薄膜が付着する基板までも比較的高濃度の薬液によりエッチング処理を行った場合には、次のような問題が発生するおそれがある。すなわち、薄膜のエッチングレートが極端に速くなってしまい、周縁エッチング幅を正確にコントロールすることができなくなるおそれがある。したがって、比較的高濃度の薬液を準備したとしても、基板に付着する薄膜（不要物）の性状によっては基板表面の周縁部から不要物を良好にエッチング除去できる状況にはなっていなかった。

この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、基板に付着する薄膜の種類および薄膜の厚みにかかわらず、基板表面の周縁部から該薄膜を良好にエッチング除去することができる基板処理装置および方法を提供することを目的とする。

この発明にかかる基板処理装置は、上記目的を達成するため、基板の表面の周縁部に第１処理液を供給して該周縁部に存在する薄膜を第１処理液によりエッチングして該周縁部から除去するベベルエッチング手段と、第１処理液が付着する基板表面の周縁部に第２処理液を供給して第１処理液による薄膜のエッチング進行を実質的に抑制するエッチング抑制手段と、薄膜の種類および薄膜の厚みに応じてベベルエッチング手段によるベベルエッチング処理の実行中にエッチング抑制手段によるエッチング抑制処理を実行して薄膜のエッチングレートを調整する制御手段とを備えることを特徴としている。

また、この発明にかかる基板処理方法は、基板表面の周縁部に第１処理液を供給して該周縁部に存在する薄膜を第１処理液によりエッチングして該周縁部から除去するベベルエッチング工程と、第１処理液が付着する基板表面の周縁部に第２処理液を供給して第１処理液による薄膜のエッチング進行を実質的に抑制するエッチング抑制工程とを備え、薄膜の種類および薄膜の厚みに応じてベベルエッチング工程の実行中にエッチング抑制工程を実行して薄膜のエッチングレートを調整することを特徴としている。

このように構成された発明（基板処理装置および方法）では、基板表面の周縁部への第１処理液の供給によって該周縁部に存在する薄膜を第１処理液によりエッチングして該周縁部から除去（ベベルエッチング処理）している。また、薄膜の種類および薄膜の厚みに応じてベベルエッチング処理の実行中に第１処理液が付着する基板表面の周縁部に第２処理液を供給して第１処理液による薄膜のエッチング進行を実質的に抑制することで薄膜のエッチングレートを調整している。このため、基板に付着する薄膜の種類および薄膜の厚みに応じて適切なエッチングレートで基板表面の周縁部から薄膜をエッチング除去できる。したがって、薄膜がいかなる種類・厚みを有していたとしても、基板表面の周縁部から薄膜を良好に除去することができる。なお、本発明における「薄膜のエッチングレート」とは、薄膜のエッチング量を薄膜のエッチングが実行されたエッチング処理時間で除した値、または薄膜のエッチング量をエッチング処理時間と薄膜のエッチング進行が抑制されたエッチング抑制処理時間とを合わせた全処理時間で除した値をいう。

ここで、ベベルエッチング手段およびエッチング抑制手段を制御する制御手段を設けて、該制御手段がエッチング抑制処理を実行することなくベベルエッチング処理のみを実行する第１エッチングモードと、ベベルエッチング処理の実行中にエッチング抑制処理を実行する第２エッチングモードとに薄膜の種類および薄膜の厚みに応じて選択的に切り換えることが好ましい。この構成によれば、互いに異なる２つのエッチングモードの間で薄膜の種類および薄膜の厚みに応じてエッチングモードを選択的に切換可能となっている。このため、薄膜の種類および薄膜の厚みに適合したエッチングレートで基板表面の周縁部から薄膜を除去できる。

また、略円形基板の表面の周縁部から薄膜をエッチング除去する場合には、基板処理装置を以下のように構成してもよい。すなわち、基板表面を上方に向けながら基板を略水平姿勢で保持する基板保持手段と、基板保持手段に保持された基板を回転させる回転手段とをさらに備えるとともに、ベベルエッチング手段は、基板表面側から基板表面の周縁部に第１処理液を供給する第１ノズルと、基板表面の周縁部に第１処理液を供給可能な第１処理位置と基板から離れた第１待機位置とに第１ノズルを移動させる第１ノズル移動機構とを有し、エッチング抑制手段は、基板表面側から基板表面の周縁部に第２処理液を供給する第２ノズルと、第２ノズルを第１処理位置と異なる位置であって基板表面の周縁部に第２処理液を供給可能な第２処理位置と基板から離れた第２待機位置とに第２ノズルを移動させる第２ノズル移動機構とを有し、制御手段は第１ノズルを第１処理位置に位置決めして該第１ノズルから第１処理液を供給して第１エッチングモードを実行する一方、第１処理位置に位置決めした第１ノズルから第１処理液を供給しながら第２ノズルを第２処理位置に位置決めして第１処理液が付着する基板表面の周縁部に第２処理液を供給して第２エッチングモードを実行してもよい。

この構成によれば、回転する基板の表面の周縁部に第１処理位置に位置決めされた第１ノズルから第１処理液が供給され、基板表面の周縁部から薄膜が全周にわたってエッチング除去される（第１エッチングモード）。その一方で、第１処理位置に位置決めされた第１ノズルから第１処理液を供給しながら、第１処理位置と異なる第２処理位置に位置決めされた第２ノズルから第２処理液を供給することで、第１エッチングモードに比較して薄膜のエッチングレートを低下させることができる（第２エッチングモード）。したがって、上記第１および第２エッチングモードの間で薄膜の種類および薄膜の厚みに応じてエッチングモードを選択的に切り換えることで、薄膜の種類および薄膜の厚みに適合したエッチングレートで基板表面の周縁部から薄膜を除去できる。なお、上記第１および第２エッチングモードにおける、基板表面の周縁部からの薄膜のエッチング除去作用については、後で図面を参照しつつ詳述する。

また、平面視で基板の回転中心から第１処理位置に延びる方向と基板の回転中心から第２処理位置に延びる方向とが形成する角度を１８０°にしてもよい。この構成によれば、第１エッチングモードと第２エッチングモードとの間でエッチングモードを選択的に切り換えることで、薄膜のエッチングレートを２段階に設定することができる。

また、平面視で前記基板の回転中心から第１処理位置に延びる方向と基板の回転中心から第２処理位置に延びる方向とが形成する角度を１８０°と異ならせるとともに、第１エッチングモードに加えて第２エッチングモードとして下記の第１サブモードと第２サブモードとの間でエッチングモードを選択的に切り換えてもよい。つまり、第２エッチングモードとして、基板の回転方向において第１処理位置が第２処理位置に対して上流側となっている第１サブモードと、基板の回転方向において第１処理位置が第２処理位置に対して下流側となっている第２サブモードとに切り換えてもよい。この構成によれば、互いに異なる３つのエッチングモード（第１エッチングモード、第２エッチングモードの第１サブモードおよび第２エッチングモードの第２サブモード）の間で薄膜の種類および薄膜の厚みに応じてエッチングモードを選択的に切り換え可能となっている。このため、薄膜のエッチングレートを３段階に設定することができ、処理対象基板ごとに薄膜の種類・薄膜の厚みが異なる場合であっても、該薄膜の種類・厚みの相違に対して柔軟に対応できる。

また、第２処理位置は第１処理位置に対して基板の径方向内側であることが好ましい。この構成によれば、第１処理液の供給範囲と第２処理液の供給範囲とを相違させることができ、第１処理液による薄膜のエッチング進行を第２処理液の供給によって確実に抑制することができる。つまり、第１処理位置に位置決めされた第１ノズルから基板表面の周縁部（処理領域）の各部に第１処理液が供給されて該処理領域全体がエッチング処理される。そして、第２処理位置に位置決めされた第２ノズルから第２処理液を供給することで、第１処理液の供給範囲を含み、しかも第１処理液の供給範囲よりも広い範囲を第２処理液の供給範囲とすることができる。このため、基板表面の周縁部（処理領域）と基板表面の中央部（非処理領域）との界面に第２処理液を確実に供給して、該界面に付着する第１処理液による非処理領域へのエッチング進行を防止できる。したがって、周縁エッチング幅を正確かつ周面全体にわたって均一にして処理できる。

また、基板表面に対向しながら近接配置されるとともに、基板表面の周縁部に対向する位置に第１および第２ノズルが個別に挿入可能な上下方向に貫通する複数のノズル挿入孔が形成された遮断部材をさらに備え、第１および第２ノズル移動機構はそれぞれ、複数のノズル挿入孔のいずれかに第１および第２ノズルを挿入させて第１および第２処理位置に位置決めしてもよい。この構成によれば、遮断部材が基板表面に対向しながら近接配置されるので基板表面を基板周囲の外部雰囲気から確実に遮断できる。また、遮断部材は基板表面の周縁部に対向する位置に第１および第２ノズルが個別に挿入可能な上下方向に貫通する複数のノズル挿入孔を有しているので、第１および第２ノズルを該複数のノズル挿入孔のいずれかに挿入させることで基板表面の周縁部に対向して配置させることができる。したがって、基板表面を覆う遮断部材によって基板表面の中央部（非処理領域）へ処理液が付着するのを防止しながら、基板表面の周縁部に第１処理液または第１および第２処理液を直接に供給して該周縁部から薄膜を良好にエッチング除去できる。また、ノズル（第１および第２ノズル）は遮断部材のノズル挿入孔に挿入されているため、エッチング処理中に処理液が飛散してノズルに大量の処理液が付着することがない。このため、ノズル移動時においてノズルから処理液が落ちて基板あるいは基板周辺部材に付着して悪影響を及ぼすことが防止される。

また、遮断部材の全表面のうち基板表面と対向する基板対向面にガス吐出口が形成されるとともに、基板保持手段は、鉛直軸回りに回転自在に設けられた回転部材と、回転部材に上方に向けて突設され、基板の裏面に当接して該基板を回転部材から離間させて支持する少なくとも３個以上の支持部材と、ガス吐出口から基板対向面と基板表面とに挟まれた空間にガスを供給することによって基板を支持部材に押圧させるガス供給部とを有するように構成してもよい。この構成によれば、基板がその裏面に当接する少なくとも３個以上の支持部材によって離間して支持されるとともに、ガス供給部から基板表面に供給されるガスによって支持部材に押圧されて回転部材に保持される。そして、回転手段が回転部材を回転させることで支持部材に押圧された基板は支持部材と基板との間に発生する摩擦力で支持部材に支持されながら、回転部材とともに回転することとなる。このように基板を回転部材に保持させることで基板の外周端部に接触して基板を保持する保持部材を不要とすることができるため、基板から径方向外側に振り切られる処理液（第１処理液または第１および第２処理液）が保持部材に当たって基板表面へ跳ね返ることがない。したがって、基板表面の周縁部から薄膜を良好にエッチング除去できる。

この発明によれば、基板表面の周縁部に第１処理液が供給され該周縁部に存在する薄膜がエッチングされ該周縁部から除去（ベベルエッチング処理）される。また、基板に付着する薄膜の種類および薄膜の厚みに応じてベベルエッチング処理の実行中に第１処理液が付着する基板表面の周縁部に第２処理液が供給され、第１処理液による薄膜のエッチング進行が抑制される。このため、薄膜のエッチングレートを調整して薄膜の種類および薄膜の厚みに応じた適切なエッチングレートで基板表面の周縁部から薄膜をエッチング除去できる。したがって、薄膜がいかなる種類・厚みを有していても基板表面の周縁部から薄膜を良好に除去できる。

＜第１実施形態＞
図１はこの発明にかかる基板処理装置の第１実施形態を示す図である。また、図２は図１の基板処理装置の主要な制御構成を示すブロック図である。この基板処理装置は、半導体ウエハ等の略円形基板Ｗの表面Ｗｆの周縁部に存在する薄膜（不要物）または該周縁部および基板裏面Ｗｂに存在する薄膜をエッチング除去する装置である。処理対象となっている基板Ｗには、基板ＷごとにＳｉＮ膜、Ｈｉｇｈ―ｋ膜、銅などのメタル層およびＴＥＯＳ膜等の互いに種類の異なる薄膜が基板表面Ｗｆまたは表裏面Ｗｆ，Ｗｂに形成されている。そこで、基板表面Ｗｆのみに薄膜が形成されている場合には、基板表面Ｗｆの周縁部ＴＲ（処理領域）に薬液および純水やＤＩＷなどのリンス液（以下、薬液およびリンス液を総称して「処理液」という）を供給して該周縁部ＴＲから薄膜をエッチング除去するとともに、基板裏面Ｗｂに処理液を供給して裏面Ｗｂを洗浄する。また、基板Ｗの表裏面Ｗｆ，Ｗｂに薄膜が形成されている場合には、表面周縁部ＴＲおよび裏面Ｗｂに処理液を供給して表面周縁部ＴＲおよび裏面Ｗｂから薄膜をエッチング除去する。なお、この実施形態では、基板表面Ｗｆとはデバイスパターンが形成されるデバイス形成面をいう。

この基板処理装置は、基板表面Ｗｆを上方に向けた状態で基板Ｗを略水平姿勢に保持して回転させるスピンチャック１（本発明の「基板保持手段」に相当）と、スピンチャック１に保持された基板Ｗの下面（裏面Ｗｂ）の中央部に向けて処理液を供給する下面処理ノズル２と、基板表面側からスピンチャック１に保持された基板Ｗの表面周縁部ＴＲに薬液を供給する第１ノズル３と、基板表面側からスピンチャック１に保持された基板Ｗの表面周縁部ＴＲにＤＩＷを供給する第２ノズル４と、スピンチャック１に保持された基板Ｗの表面Ｗｆに対向配置された遮断部材５とを備えている。

スピンチャック１は中空の回転支軸１１がモータを含むチャック回転機構１３の回転軸に連結されており、チャック回転機構１３の駆動により回転中心Ａ０を中心に回転可能となっている。この回転支軸１１の上端部にはスピンベース１５が一体的にネジなどの締結部品によって連結されている。したがって、装置全体を制御する制御ユニット８（制御手段）からの動作指令に応じてチャック回転機構１３を駆動させることによりスピンベース１５が回転中心Ａ０を中心に回転する。このように、この実施形態では、チャック回転機構１３が本発明の「回転手段」として、スピンベース１５が本発明の「回転部材」として機能する。

中空の回転支軸１１には処理液供給管２１が挿通されており、その上端に下面処理ノズル２が結合されている。処理液供給管２１は薬液供給ユニット１６およびＤＩＷ供給ユニット１７と接続されており、薬液またはリンス液としてＤＩＷが選択的に供給される。また、回転支軸１１の内壁面と処理液供給管２１の外壁面の隙間は、環状のガス供給路２３を形成している。このガス供給路２３はガス供給ユニット１８（本発明の「ガス供給部」に相当）と接続されており、基板裏面Ｗｂと該基板裏面Ｗｂに対向するスピンベース１５の上面とに挟まれた空間に窒素ガスを供給できる。なお、この実施形態では、ガス供給ユニット１８から窒素ガスを供給しているが、空気や他の不活性ガスなどを吐出するように構成してもよい。

図３はスピンベース１５を上方から見た平面図である。スピンベース１５の中心部には開口が設けられている。また、スピンベース１５の周縁部付近には複数個（この実施形態では１２個）の第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２と、複数個（この実施形態では１２個）の第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２が本発明の「支持部材」として、鉛直方向に昇降自在に設けられている。第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２は回転中心Ａ０を中心として放射状に略等角度間隔でスピンベース１５から上方に向けて突設されているとともに、第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２が円周方向に沿って各第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２の間に位置するように、回転中心Ａ０を中心として放射状に略等角度間隔でスピンベース１５から上方に向けて突設されている。つまり、第１および第２支持ピンからなる一対の支持ピンが円周方向に沿って回転中心Ａ０を中心として放射状に１２対、スピンベース１５の周縁部に上方に向けて設けられている。

第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２および第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２の各々は基板裏面Ｗｂと当接することによって、スピンベース１５から所定距離だけ上方に離間させた状態で基板Ｗを略水平姿勢で支持可能となっている。これらのうち、周方向に沿って１つ置きに配置された１２個の第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２は第１支持ピン群を構成し、これらは連動して基板Ｗを支持し、または基板裏面Ｗｂから離間してその支持を解除するように動作する。一方で、残る１２個の第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２は第２支持ピン群を構成し、これらは連動して基板Ｗを支持し、または基板裏面Ｗｂから離間してその支持を解除するように動作する。なお、基板Ｗを水平に支持するためには、各支持ピン群が有する支持ピンの個数は少なくとも３個以上であればよいが、各支持ピン群が有する支持ピンの個数を１２個とすることで安定して基板Ｗを支持できる。

図４は支持ピンの構成を示す部分拡大図である。なお、支持ピンＦ１〜Ｆ１２，Ｓ１〜Ｓ１２の各々はいずれも同一構成を有しているため、ここでは１つの支持ピンＦ１の構成についてのみ図面を参照しつつ説明する。支持ピンＦ１は、基板Ｗの下面に離当接可能な当接部６１と、当接部６１を昇降可能に支持する可動ロッド６２と、この可動ロッド６２を昇降させるモータ等を含む昇降駆動部６３と、可動ロッド６２を取り囲むように設けられ可動ロッド６２と昇降駆動部６３とを外部雰囲気から遮断するベローズ６４とを有している。ベローズ６４は、例えばＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）より形成され、薬液等により基板Ｗを処理する際に、ステンレス鋼（ＳＵＳ）またはアルミニウム等から形成される可動ロッド６２を保護する。また、当接部６１は耐薬性を考慮して、ＰＣＴＦＥ（ポリクロロトリフルオロエチレン）で形成されるのが好ましい。ベローズ６４の上端部は当接部６１の下面側に固着される一方、ベローズ６４の下端部はスピンベース１５の上面側に固着されている。

上記した構成を有する支持ピンＦ１〜Ｆ１２，Ｓ１〜Ｓ１２では、昇降駆動部６３が制御ユニット８からの駆動信号に基づき図示省略する駆動連結部を介して可動ロッド６２を１〜数ｍｍのストロークで駆動させることにより、次のように基板Ｗを支持する。すなわち、昇降駆動部６３を駆動させない状態では、所定の高さ位置（基板処理位置）で基板Ｗを支持するように支持ピンＦ１〜Ｆ１２，Ｓ１〜Ｓ１２の各々はコイルばね等の付勢手段（図示せず）によって上向きに付勢されており、基板Ｗは支持ピンＦ１〜Ｆ１２からなる第１支持ピン群と、支持ピンＳ１〜Ｓ１２からなる第２支持ピン群との両方の支持ピン群により支持される。一方で、支持ピンＳ１〜Ｓ１２を付勢力に抗して下降駆動させると、支持ピンＳ１〜Ｓ１２の当接部６１は基板裏面Ｗｂから離間して基板Ｗは支持ピンＦ１〜Ｆ１２からなる第１支持ピン群のみにより支持される。また、支持ピンＦ１〜Ｆ１２を付勢力に抗して下降駆動させると、支持ピンＦ１〜Ｆ１２の当接部６１は基板裏面Ｗｂから離間して基板Ｗは支持ピンＳ１〜Ｓ１２からなる第２支持ピン群のみにより支持される。

図１に戻って説明を続ける。スピンチャック１の上方には、支持ピンＦ１〜Ｆ１２，Ｓ１〜Ｓ１２に支持された基板Ｗに対向する円盤状の遮断部材５が水平に配設されている。遮断部材５はスピンチャック１の回転支軸１１と同軸上に配置された回転支軸５１の下端部に一体回転可能に取り付けられている。この回転支軸５１には遮断部材回転機構５３が連結されており、制御ユニット８からの動作指令に応じて遮断部材回転機構５３のモータを駆動させることで遮断部材５を回転中心Ａ０を中心に回転させる。制御ユニット８は遮断部材回転機構５３をチャック回転機構１３と同期するように制御することで、スピンチャック１と同じ回転方向および同じ回転速度で遮断部材５を回転駆動できる。

また、遮断部材５は遮断部材昇降機構５５と接続され、遮断部材昇降機構５５の昇降駆動用アクチュエータ（例えばエアシリンダーなど）を作動させることで、遮断部材５をスピンベース１５に近接して対向させたり、逆に離間させることが可能となっている。具体的には、制御ユニット８は遮断部材昇降機構５５を駆動させることで、基板処理装置に対して基板Ｗが搬入出される際には、スピンチャック１から上方に十分に離れた離間位置に遮断部材５を上昇させる。その一方で、基板Ｗに対してエッチング処理などの所定の処理を施す際には、スピンチャック１に保持された基板Ｗの表面Ｗｆのごく近傍に設定された対向位置まで遮断部材５を下降させる。これにより、遮断部材５の下面５０１（基板対向面）と基板表面Ｗｆとが近接した状態で対向配置される。

遮断部材５の中心の開口および回転支軸５１の中空部は、ガス供給路５７を形成している。ガス供給路５７はガス供給ユニット１８と接続されており、基板表面Ｗｆと遮断部材５の下面５０１とに挟まれた空間ＳＰに窒素ガスを供給可能となっている。

図５は遮断部材５の底面図である。遮断部材５の下面５０１の平面サイズは基板Ｗの直径と同等以上の大きさに形成されている。このため、遮断部材５が対向位置に配置されると基板表面全体を覆って基板表面Ｗｆ上の雰囲気を外部雰囲気から遮断可能となっている。また、遮断部材５の周縁部には遮断部材５を上下方向（鉛直軸方向）に貫通する、略円筒状の内部空間を有するノズル挿入孔５Ａ，５Ｂが形成されており、第１および第２ノズル３，４を個別に挿入可能となっている。ノズル挿入孔５Ａとノズル挿入孔５Ｂは回転中心Ａ０に対して対称位置に同一形状に形成されている。一方で、第１ノズル３と第２ノズル４は同一のノズル外径を有している。このため、両ノズル３，４をそれぞれノズル挿入孔５Ａ，５Ｂのいずれにも挿入可能となっている。

また、遮断部材５の下面５０１には複数のガス吐出口５０２が形成されている。複数のガス吐出口５０２はスピンチャック１に保持される基板Ｗの表面中央部、つまり表面周縁部ＴＲより径方向内側の非処理領域ＮＴＲに対向する位置に、回転中心Ａ０を中心とする円周に沿って等角度間隔に形成されている。これらのガス吐出口５０２は遮断部材５の内部に形成されたガス流通空間５０３（図１）に連通しており、ガス流通空間５０３に窒素ガスが供給されると、複数のガス吐出口５０２を介して窒素ガスが空間ＳＰに供給される。

そして、遮断部材５が対向位置に位置決めされた状態で、複数のガス吐出口５０２およびガス供給路５７から空間ＳＰに窒素ガスが供給されると、空間ＳＰの内部圧力を高めて基板Ｗをその裏面Ｗｂに当接する支持ピンＦ１〜Ｆ１２，Ｓ１〜Ｓ１２に押圧する。これによって、制御ユニット８の動作指令に応じてスピンベース１５が回転すると、基板裏面Ｗｂと支持ピンＦ１〜Ｆ１２，Ｓ１〜Ｓ１２との間に発生する摩擦力によって基板Ｗが支持ピンＦ１〜Ｆ１２，Ｓ１〜Ｓ１２に支持されながらスピンベース１５とともに回転する。なお、空間ＳＰに供給された窒素ガスは基板Ｗの径方向外側へと流れていく。

図１に戻って説明を続ける。第１ノズル３は薬液供給ユニット１６と接続されており、制御ユニット８からの動作指令に応じて薬液供給ユニット１６から第１ノズル３に本発明の「第１処理液」として薬液を供給する。薬液としては、薄膜（不要物）のエッチングに適した薬液、例えばフッ酸、塩酸過水（塩酸＋過酸化水素水）等が用いられる。この実施形態では、互いに異なる薄膜が付着している複数枚の基板Ｗの各々から該薄膜を基板Ｗから除去するために比較的高濃度の薬液が準備される。例えば薬液としてフッ酸を用いる場合には、フッ酸の原液あるいは比較的高濃度のフッ酸水溶液が準備される。これにより、比較的容易にエッチング除去することが可能な薄膜のみならず、薬液に対して難溶性を示す薄膜に対してもスループットを低下させることなく、基板Ｗから薄膜をエッチング除去することが可能となっている。

第１ノズル３は水平方向に延びるノズルアーム３１の一方端に取り付けられている。また、ノズルアーム３１の他方端は第１ノズル移動機構３３に接続されている。第１ノズル移動機構３３は第１ノズル３を水平方向に所定の回動軸回りに揺動させるとともに、第１ノズル３を昇降させることができる。このため、制御ユニット８からの動作指令に応じて第１ノズル移動機構３３が駆動されることで、第１ノズル３を遮断部材５のノズル挿入孔５Ａ（または５Ｂ）に挿入して表面周縁部ＴＲに薬液を供給可能な処理位置Ｐ３１（本発明の「第１処理位置」に相当）と、基板Ｗから離れた待機位置Ｐ３２（本発明の「第１待機位置」に相当）とに移動させることができる。

また、第２ノズル４はＤＩＷ供給ユニット１７と接続されており、制御ユニット８からの動作指令に応じてＤＩＷ供給ユニット１７から第２ノズル４にＤＩＷを供給する。第２ノズル４は、(1)エッチング処理後に基板Ｗに残留付着する薬液を洗い流すリンス液としてＤＩＷを表面周縁部ＴＲに供給する一方、(2)薬液による薄膜のエッチング進行を実質的に抑制する、本発明の「第２処理液」としてＤＩＷを表面周縁部ＴＲに供給可能となっている。つまり、エッチング処理中に薬液が付着する表面周縁部ＴＲに第２ノズル４からＤＩＷを供給することで、薬液を希釈して薄膜のエッチング進行を抑制（エッチング抑制処理）することができる。このため、後述のようにエッチング処理の実行中にエッチング抑制処理を実行することで、薄膜のエッチングレートを調整可能となっている。なお、リンス液およびエッチング抑制処理のために用いられる液（第２処理液）としては、ＤＩＷの他、炭酸水、水素水、希薄濃度（例えば１ｐｐｍ程度）のアンモニア水および希薄濃度の塩酸などであってもよい。

第２ノズル４を駆動する第２ノズル移動機構４３は第１ノズル移動機構３３と同様な構成を有している。すなわち、第２ノズル移動機構４３はノズルアーム４１の先端に取り付けられた第２ノズル４を水平方向に所定の回動軸回りに揺動させるとともに、第２ノズル４を昇降させることができる。このため、制御ユニット８からの動作指令に応じて第２ノズル移動機構４３が駆動されることで、第２ノズル４を遮断部材５のノズル挿入孔５Ａ（または５Ｂ）に挿入して表面周縁部ＴＲにＤＩＷを供給可能な処理位置Ｐ４１（本発明の「第２処理位置」に相当）と、基板Ｗから離れた待機位置Ｐ４２（本発明の「第２待機位置」に相当）とに移動させることができる。

ここで、ノズル挿入孔５Ａとノズル挿入孔５Ｂは回転中心Ａ０に対して対称位置に形成されており、平面視で回転中心Ａ０から処理位置Ｐ３１に延びる方向と回転中心Ａ０から処理位置Ｐ４１に延びる方向とが形成する角度は１８０°となっている。

上記した構成により、制御ユニット８が薬液供給ユニット１６、ＤＩＷ供給ユニット１７を制御しながら第１および第２ノズル移動機構３３，４３を駆動させることで、薄膜の種類に応じて以下に示す、互いに異なる２つのエッチングモードの間でエッチングモードを選択的に切り換え可能となっている。すなわち、制御ユニット８は、
(1)第１ノズル３を処理位置Ｐ３１に位置決めして該第１ノズル３から薬液を回転する基板Ｗの表面周縁部ＴＲに供給する第１エッチングモードと、
(2) 処理位置Ｐ３１に位置決めした第１ノズル３から薬液を回転する基板Ｗの表面周縁部ＴＲに供給しながら第２ノズル４を処理位置Ｐ４１に位置決めして薬液が付着する表面周縁部ＴＲにＤＩＷを供給する第２エッチングモード
とにエッチングモードを選択的に切り換え可能となっている。このように、この実施形態では、第１ノズル３および第１ノズル移動機構３３が本発明の「ベベルエッチング手段」として、第２ノズル４および第２ノズル移動機構４３が本発明の「エッチング抑制手段」として機能する。

次に、第１および第２ノズル３，４および遮断部材５に設けられたノズル挿入孔５Ａ，５Ｂの構成について説明する。ここで、両ノズル３，４は吐出する液の種類が異なる点を除いて同一に構成されている。また、両ノズル挿入孔５Ａ，５Ｂは遮断部材５に同一形状で、しかも回転中心Ａ０に対して対称位置に形成されている。このため、第１ノズル３およびノズル挿入孔５Ａの構成のみを図６を参照しつつ説明する。

図６は第１ノズル３および遮断部材５に設けられたノズル挿入孔５Ａの構成を示す図である。第１ノズル３は遮断部材５に設けられたノズル挿入孔５Ａの形状に合わせて略円筒状に形成され、ノズル挿入孔５Ａに挿入されることで、第１ノズル３の先端側が表面周縁部ＴＲ（図１）に対向して配置される。第１ノズル３の内部には液供給路３０１が形成されており、液供給路３０１の先端部（下端部）が第１ノズル３の吐出口３０１ａを構成している。第１ノズル３のノズル外径は必要以上にノズル挿入孔５Ａの孔径を大きくすることのないように、例えばφ５〜６ｍｍ程度に形成される。第１ノズル３は、略円筒状に形成されたノズル胴部の断面積がノズル先端側と後端側で異なるように構成されている。具体的には、ノズル先端側の胴部３０２の断面積がノズル後端側の胴部３０３の断面積より小さくなるように構成されており、ノズル先端側の胴部３０２とノズル後端側の胴部３０３との間に段差面３０４が形成されている。すなわち、ノズル先端側の胴部３０２の外周面（側面）とノズル後端側の胴部３０３の外周面（側面）は段差面３０４を介して結合されている。段差面３０４はノズル先端側の胴部３０２を取り囲むように、しかもスピンチャック１に保持された基板表面Ｗｆに略平行に形成されている。

ノズル挿入孔５Ａの内壁には第１ノズル３の段差面３０４と当接可能な円環状の当接面５０４が形成されている。そして、第１ノズル３がノズル挿入孔５Ａに挿入されると、段差面３０４と当接面５０４とが当接することで、第１ノズル３が処理位置Ｐ３１に位置決めされる。第１ノズル３が処理位置Ｐ３１に位置決めされた状態で、第１ノズル３の吐出口３０１ａ周囲の先端面は遮断部材５の対向面５０１と面一になっている。当接面５０４は遮断部材５の対向面５０１と略平行に、つまり基板表面Ｗｆと略平行に形成されており、第１ノズル３の段差面３０４と面接触するようになっている。このため、第１ノズル３を処理位置Ｐ３１に位置決めする際に、第１ノズル３が遮断部材５に当接して位置固定され、第１ノズル３を安定して位置決めすることができる。

第１ノズル３の吐出口３０１ａは基板Ｗの径方向外側に向けて開口しており、吐出口３０１ａから薬液を表面周縁部ＴＲに吐出可能になっている。液供給路３０１はノズル後端部において薬液供給ユニット１６に接続されている。このため、薬液供給ユニット１６から薬液が液供給路３０１に圧送されると、第１ノズル３から薬液が基板Ｗの径方向外側に向けて吐出される。これにより、表面周縁部ＴＲに供給された薬液は基板Ｗの径方向外側に向かって流れ、基板外に排出される。したがって、薬液の供給位置よりも径方向内側の非処理領域ＮＴＲには薬液は供給されず、基板Ｗの端面から内側に向かって一定の幅（周縁エッチング幅）で薄膜がエッチング除去される。また、第２ノズル４の吐出口についても第１ノズル３と同様にして基板Ｗの径方向外側に向けて開口しており、該吐出口から表面周縁部ＴＲにＤＩＷを吐出可能となっている。このため、ＤＩＷ供給ユニット１７から第２ノズル４にＤＩＷが圧送されると、第２ノズル４からＤＩＷが基板Ｗの径方向外側に向けて吐出される。これにより、表面周縁部ＴＲにＤＩＷが供給されるとともに、基板Ｗの径方向外側に向かって流れ、基板外に排出される。

図７は第１および第２ノズル３，４の外径とノズル挿入孔５Ａ，５Ｂの孔径との関係を説明するための断面図である。ノズル挿入孔５Ａ，５Ｂの孔径は第１および第２ノズル３，４の外径よりも大きく形成されている。このため、ノズル挿入孔５Ａ，５Ｂの内部空間で第１および第２ノズル３，４を水平方向に互いに異なる位置に位置決めすることが可能となっている。そこで、この実施形態では、第２ノズル４の処理位置Ｐ４１を第１ノズル３の処理位置Ｐ３１に対して基板Ｗの径方向内側（同図の左方向）に設定している。このようなノズル挿入孔５Ａ，５Ｂの孔径としては、第１および第２ノズル３，４の外径に対して１〜２ｍｍ程度大きく形成することが好ましく、処理位置Ｐ４１は処理位置Ｐ３１に対して、例えば０．２〜０．５ｍｍだけ基板Ｗの径方向内側に位置するように設定される。

また、遮断部材５のノズル挿入孔５Ａ，５Ｂの内壁には、ガス導入口５０５が開口されており、ガス導入口５０５からノズル挿入孔５Ａ，５Ｂの内部空間に窒素ガスを供給可能となっている。ガス導入口５０５は遮断部材５の内部に形成されたガス流通空間５０３を介してガス供給ユニット１８に連通している。したがって、ガス供給ユニット１８から窒素ガスが圧送されると、ノズル挿入孔５Ａ，５Ｂの内部空間に窒素ガスが供給される。これにより、第１および第２ノズル３，４が待機位置Ｐ３２、Ｐ４２に位置決めされた状態、つまり、第１および第２ノズル３，４がノズル挿入孔５Ａ，５Ｂに未挿入の状態では、ノズル挿入孔５Ａ，５Ｂの上下双方の開口から窒素ガスが噴出される。このため、ノズル挿入孔５Ａ，５Ｂにノズルが未挿入の状態でも、処理液がノズル挿入孔５Ａ，５Ｂの内壁に付着するのが防止される。

次に、上記のように構成された基板処理装置の動作について図８ないし図１２を参照しつつ説明する。図８は図１の基板処理装置の動作を示すフローチャートである。この装置では、未処理の基板Ｗが装置内に搬入されると、制御ユニット８が装置各部を制御して該基板Ｗに対して一連の膜除去処理（薬液処理工程＋リンス工程＋乾燥工程）が実行される。ここで、基板表面Ｗfには薄膜ＴＦ（図７）が形成されている。つまり、基板表面Ｗfが薄膜形成面になっている。そこで、この実施形態では、基板表面Ｗｆを上方に向けた状態で基板Ｗが装置内に搬入される。なお、遮断部材５は離間位置にあり、基板Ｗとの干渉を防止している。

未処理の基板Ｗが支持ピンＦ１〜Ｆ１２，Ｓ１〜Ｓ１２に載置されると、遮断部材５が対向位置まで降下され基板表面Ｗｆに近接配置される（ステップＳ１）。そして、ガス吐出口５０２から窒素ガスを吐出させるとともに、ガス供給路５７から基板表面Ｗｆの中央部に向けて窒素ガスを供給する（ステップＳ２）。これによって、遮断部材５の下面５０１と基板表面Ｗｆとに挟まれた空間ＳＰの内部圧力が高められ、基板Ｗはその下面（裏面Ｗｂ）に当接する支持ピンＦ１〜Ｆ１２，Ｓ１〜Ｓ１２に押圧されてスピンベース１５に保持される。また、基板表面Ｗｆは遮断部材５の下面５０１に覆われて、基板周囲の外部雰囲気から確実に遮断される。なお、上記のように基板Ｗはすべての支持ピンＦ１〜Ｆ１２，Ｓ１〜Ｓ１２で支持してもよいし、支持ピンＦ１〜Ｆ１２からなる第１支持ピン群のみにより支持してもよく、あるいは支持ピンＳ１〜Ｓ１２からなる第２支持ピン群のみにより支持してもよい。

続いて、基板Ｗに対して薬液処理が実行される。すなわち、基板処理装置の操作パネル（図示省略）を介してオペレータが処理レシピを選択すると、薄膜の種類に対応したエッチングモード（第１エッチングモードまたは第２エッチングモード）が設定され（ステップＳ３）、設定されたエッチングモードが実行される。処理レシピには、薄膜の種類に対応して使用する薬液およびエッチングモードを相互に関連付けたジョブデータ（１ラインデータ）が複数個予め制御ユニット８のメモリ８１（図２）に記憶されている。このため、処理レシピの内容にしたがって、例えば薬液に対して難溶性を示す薄膜に対しては第１エッチングモードが実行される一方（ステップＳ４−１）、比較的容易にエッチング除去可能な薄膜に対しては第２エッチングモードが実行される（ステップＳ４−２）。このように、この実施形態では、処理レシピの選択により、薄膜の種類に適したエッチングモードで該薄膜をエッチング除去可能となっている。

次に、第１および第２エッチングモードにおける基板Ｗの表面周縁部ＴＲからの薄膜のエッチング除去作用について図９ないし図１２を参照しつつ説明する。図９および図１０はそれぞれ第１および第２エッチングモードの実行の内容を示すフローチャートである。また、図１１は第１および第２エッチングモードによる薄膜のエッチング除去作用を説明するための平面図である。さらに、図１２は各タイミングＴ１１〜Ｔ１４，Ｔ２１〜Ｔ２４における微小領域ＳＲに対するエッチング状況を示すタイミングチャートである。図１１において、符号ＳＲ（Ｔ１１）〜ＳＲ（Ｔ１４），ＳＲ（Ｔ２１）〜ＳＲ（Ｔ２４）は表面周縁部ＴＲにおける特定の微小領域ＳＲの各タイミングＴ１１〜Ｔ１４，Ｔ２１〜Ｔ２４における位置を示している。また、図１２において、「ＯＮ」とあるのは薄膜のエッチングが進行している状態を表す一方で、「ＯＦＦ」とあるのは薄膜のエッチング進行が抑制されている状態を表している。

先ず、処理対象基板Ｗに形成された薄膜の種類に対応して第１エッチングモードを実行する場合について図９、図１１（ａ）および図１２（ａ）を参照しつつ説明する。この第１エッチングモードでは、第１ノズル３が待機位置Ｐ３２から処理位置Ｐ３１に位置決めされる（ステップＳ２１）。具体的には、第１ノズル３を水平方向に沿って遮断部材５のノズル挿入孔５Ａ（または５Ｂ）の上方位置に移動させる。そして、第１ノズル３を降下させてノズル挿入孔５Ａ（または５Ｂ）に挿入する。それに続いて、遮断部材５を停止させた状態で基板Ｗを回転させる（ステップＳ２２）。このとき、支持ピンＦ１〜Ｆ１２，Ｓ１〜Ｓ１２に押圧された基板Ｗは支持ピンＦ１〜Ｆ１２，Ｓ１〜Ｓ１２と基板裏面Ｗｂとの間に発生する摩擦力でスピンベース１５に保持されながらスピンベース１５とともに回転する。

そして、基板Ｗの回転速度が所定速度（例えば６００ｒｐｍ）に達すると、回転する基板Ｗの表面周縁部ＴＲに第１ノズル３から薬液を連続的に供給する。これにより、表面周縁部ＴＲおよび該表面周縁部ＴＲに連なる基板端面部分から薄膜が全周にわたってエッチング除去される（ステップＳ２３；ベベルエッチング工程）。すなわち、図１１（ａ）に示すように基板Ｗの表面周縁部ＴＲの微小領域ＳＲに対して第１ノズル３から薬液が供給されると、該微小領域ＳＲに対するエッチング処理が開始される（タイミングＴ１１）。そして、微小領域ＳＲに供給された薬液のうち、一部は基板Ｗの回転（回転方向Ｒ）に伴う遠心力で振り切られていくが、微小領域ＳＲに残留付着する薬液によって時間経過とともに該微小領域ＳＲから薄膜が徐々にエッチング除去されていく（タイミングＴ１２）。さらに、基板Ｗが回転して一周すると、微小領域ＳＲに新たな薬液が第１ノズル３から供給され、該微小領域ＳＲから薄膜がさらにエッチング除去されていく（タイミングＴ１３）。以後、微小領域ＳＲに付着する薬液によって該微小領域ＳＲから薄膜がエッチング除去されていく（タイミングＴ１４）。

このように第１エッチングモードでは、図１２（ａ）に示すように薬液が微小領域ＳＲに供給開始（タイミングＴ１１）されてから該微小領域ＳＲに対してエッチングが継続して進行する。こうして、所定時間の薬液処理が完了すると、薬液の供給が停止され、第１ノズル３が処理位置Ｐ３１から待機位置Ｐ３２に位置決めされる（ステップＳ２４）。なお、第１ノズル３の待機位置Ｐ３２への位置決めは後述のリンス処理後であってもよい。

続いて、処理対象基板Ｗに形成された薄膜の種類に対応して第２エッチングモードを実行する場合について図１０、図１１（ｂ）および図１２（ｂ）を参照しつつ説明する。この第２エッチングモードでは、第１および第２ノズル３，４がそれぞれ待機位置Ｐ３２，Ｐ４２から処理位置Ｐ３１，Ｐ４２に位置決めされる（ステップＳ３１）。具体的には、第１ノズル３をノズル挿入孔５Ａ（または５Ｂ）に挿入させる一方、第２ノズル４をノズル挿入孔５Ｂ（または５Ａ）に挿入させる。それに続いて、遮断部材５を停止させた状態で基板Ｗを回転させる（ステップＳ３２）。

そして、第２ノズル４からＤＩＷを供給すると同時に、またはＤＩＷ供給後に第１ノズル３から薬液を供給する。これにより、薬液による薄膜のベベルエッチング処理（ベベルエッチング工程）とＤＩＷによるエッチング抑制処理（エッチング抑制工程）とが実行されながら表面周縁部ＴＲの各部から薄膜がエッチング除去される（ステップＳ３３）。すなわち、図１１（ｂ）に示すように第１ノズル３から薬液が微小領域ＳＲに供給されると、該微小領域ＳＲに対するエッチング処理が開始される（タイミングＴ２１）。そして、微小領域ＳＲに付着した薬液によって時間経過とともに該微小領域ＳＲから薄膜がエッチング除去されていく。そして、基板Ｗが回転して微小領域ＳＲに第２ノズル４からＤＩＷが供給されると、微小領域ＳＲに付着した薬液がＤＩＷによって希釈され、薄膜のエッチング進行が実質的に抑制される（タイミングＴ２２）。つまり、微小領域ＳＲへのＤＩＷの供給後は、該微小領域ＳＲに対する薄膜のエッチング進行が抑制された状態となっている。さらに、基板Ｗが回転して一周すると、微小領域ＳＲに新たな薬液が第１ノズル３から供給され、微小領域ＳＲに対するエッチング処理が再開される（タイミングＴ２３）。その後、基板Ｗが回転して微小領域ＳＲに再びＤＩＷが供給されると、微小領域ＳＲに対する薄膜のエッチング進行が抑制される（タイミングＴ２４）。

このように、第２エッチングモードでは、図１２（ｂ）に示すように基板Ｗの回転方向Ｒにおいて処理位置Ｐ３１の下流側と処理位置Ｐ４１の上流側との間に微小領域ＳＲが位置しているときに薄膜のエッチングが進行して表面周縁部ＴＲの各部から薄膜がエッチング除去される。その一方で、基板Ｗの回転方向Ｒにおいて処理位置Ｐ４１の下流側と処理位置Ｐ３１の上流側との間に微小領域ＳＲが位置しているときに薄膜のエッチング進行が実質的に抑制される。このため、第１エッチングモードに比較して薄膜のエッチングレートを低下させることができる。こうして、所定時間の薬液処理が完了すると、薬液の供給が停止され、第１ノズル３が処理位置Ｐ３１から待機位置Ｐ３２に位置決めされる（ステップＳ３４）。

ここで、第２ノズル４の処理位置Ｐ４１は第１ノズル３の処理位置Ｐ３１よりも基板Ｗの径方向内側に設定されているので、薬液供給範囲を含み、しかも薬液供給範囲よりも広い範囲にＤＩＷを供給することができる。このため、表面周縁部ＴＲ（処理領域）と表面中央部の非処理領域ＮＴＲとの界面にＤＩＷを確実に供給して、該界面に付着する薬液による非処理領域ＮＴＲへのエッチング進行を防止できる。したがって、周縁エッチング幅ＥＨ（図７）を正確かつ周面全体にわたって均一にして処理できる。

特に、シリコン基板表面に形成されたＴＥＯＳ膜等の薄膜をフッ酸により表面周縁部から除去する場合には、上記のように処理位置Ｐ３１，Ｐ４１を設定することが有効となっている。なんとなれば、フッ酸により薄膜を表面周縁部から除去すると、該表面周縁部は疎水性を呈する一方で、表面周縁部ＴＲより径方向内側の非処理領域ＮＴＲに付着する薄膜は親水性を呈している。このため、表面周縁部ＴＲ（処理領域）と非処理領域ＮＴＲとの界面にフッ酸が残存付着する傾向にあり、非処理領域ＮＴＲへのエッチングが進行し易い状況となっているからである。したがって、このような場合でも、表面周縁部ＴＲと非処理領域ＮＴＲとの界面に径方向内側から外側に向けてＤＩＷを供給することで、非処理領域ＮＴＲへのエッチング進行を確実に防止できる。

上記のようにして薬液処理が完了すると、表面周縁部ＴＲに対してリンス処理が実行される（ステップＳ５）。すなわち、第１エッチングモードによる薬液処理後では、第２ノズル４が待機位置Ｐ４２から処理位置Ｐ４１に位置決めされる。そして、リンス液としてＤＩＷが第２ノズル４から表面周縁部ＴＲに供給される。これにより、表面周縁部ＴＲおよび該表面周縁部ＴＲに連なる基板端面部分に対してリンス処理が実行される。その一方で、第２エッチングモードによる薬液処理後では、既に処理位置Ｐ４１に位置決めされている第２ノズル４から供給されるＤＩＷにより表面周縁部ＴＲおよび基板Ｗの端面に対してリンス処理が実行される。すなわち、第２エッチングモードによる薬液処理中に薬液とともに基板Ｗに供給されていたＤＩＷが薬液処理後にも継続して基板Ｗに供給されることでリンス処理が行われる。

こうして、所定時間のリンス処理が完了すると、ＤＩＷの供給が停止され、第２ノズル４が処理位置Ｐ４１から待機位置Ｐ４２に位置決めされる。続いて、スピンベース１５の回転数とほぼ同一の回転数で同一方向に遮断部材５を回転させる（ステップＳ６）。その後、下面処理ノズル２から回転する基板Ｗの裏面Ｗbに処理液が供給され、基板裏面Ｗbに対して裏面洗浄処理が実行される（ステップＳ７）。具体的には、下面処理ノズル２から基板裏面Ｗｂの中央部に向けて処理液として薬液とリンス液とが順次供給されることにより、裏面全体と裏面Ｗｂに連なる基板端面部分が洗浄される。このように基板Ｗとともに遮断部材５を回転させることで、遮断部材５に付着する処理液がプロセスに悪影響を及ぼすのを防止できる。また、基板Ｗと遮断部材５との間に回転に伴う余分な気流が発生するのを抑制して基板表面Ｗｆへのミスト状の処理液の巻き込みを防止できる。

ここで、洗浄処理中に支持ピンＦ１〜Ｆ１２，Ｓ１〜Ｓ１２を基板裏面Ｗｂから少なくとも１回以上、離間させることで支持ピンＦ１〜Ｆ１２，Ｓ１〜Ｓ１２と基板裏面Ｗｂの当接部分にも処理液を回り込ませて当該部分を洗浄できる。例えば、洗浄処理途中に、支持ピンＦ１〜Ｆ１２からなる第１支持ピン群と支持ピンＳ１〜Ｓ１２からなる第２支持ピン群との両方の支持ピン群により基板Ｗを支持した状態から第１支持ピン群のみにより基板Ｗを支持した状態に切り換え、基板Ｗと第２支持ピン群との間の当接部分に処理液を回り込ませる。その後、両方の支持ピン群により基板Ｗを支持した状態に移行させた後に、第２支持ピン群のみにより基板Ｗを支持した状態に切り換え、基板Ｗと第１支持ピン群との間の当接部分に処理液を回り込ませる。これにより、基板Ｗと支持ピンＦ１〜Ｆ１２，Ｓ１〜Ｓ１２との間の当接部分のすべてに処理液を回り込ませて裏面全体の洗浄処理を行うことができる。

こうして、裏面洗浄処理が完了すると、基板Ｗおよび遮断部材５を高速（例えば１５００ｒｐｍ）に回転させる。これにより、基板Ｗの乾燥が実行される（ステップＳ８）。このとき、基板表面Ｗｆへの窒素ガス供給と併せてガス供給路２３からも窒素ガスを供給して基板Ｗの表裏面に窒素ガスを供給することで、基板Ｗの乾燥処理が促進される。

基板Ｗの乾燥処理が終了すると、遮断部材５の回転を停止させるとともに（ステップＳ９）、基板Ｗの回転を停止させる（ステップＳ１０）。そして、ガス供給路５７およびガス吐出口５０２からの窒素ガスの供給を停止することで、基板Ｗの支持ピンＦ１〜Ｆ１２，Ｓ１〜Ｓ１２への押圧保持を解除する（ステップＳ１１）。その後、遮断部材５が上昇され、処理済の基板Ｗが装置から搬出される（ステップＳ１２）。

以上のように、この実施形態によれば、基板Ｗに付着する薄膜の種類に応じて互いに異なる２つのエッチングモード（第１および第２エッチングモード）の間でエッチングモードを選択的に切り換えることができる。つまり、薄膜の種類に応じて薄膜のエッチングレートを２段階に設定可能となっている。このため、薄膜の種類に対応した適正なエッチングレートで表面周縁部ＴＲから薄膜を除去できる。したがって、薄膜の種類にかかわらず、表面周縁部ＴＲから薄膜を良好に除去することができる。

また、この実施形態によれば、比較的高濃度の薬液のみを準備することによって、薄膜の種類にかかわらず、該薄膜を適正なエッチングレートで表面周縁部ＴＲからエッチング除去可能となっている。すなわち、この実施形態によれば、互いに種類の異なる薄膜が付着している複数枚の基板の各々に対してエッチング処理を行う場合であっても、各基板ごとに互いに濃度の異なる薬液を準備することなく、表面周縁部ＴＲから薄膜を良好に除去可能となっている。したがって、装置構成を簡素にしながらも、優れた汎用性を有している。

また、この実施形態によれば、ベベルエッチング処理の実行中に上記したエッチング抑制処理を実行することでエッチングレートを調整しているので次のような利点を有する。すなわち、薄膜のエッチングレートに関しては、エッチング処理時の基板回転速度あるいは薬液供給量等のパラメータを変更することでも調整可能である。しかしながら、これらパラメータの変更により薄膜のエッチングレートを調整してしまうと、他のプロセスパフォーマンス（周縁エッチング幅の均一化、薬液の跳ね返り防止等）に悪影響を与えてしまう。また、処理対象基板ごとにこれらパラメータを変更するのは、安定したエッチング処理の実行を阻害することにもなる。これに対して、この実施形態によれば、他のプロセスパフォーマンスに悪影響を与えることなく、エッチングレートを調整することができ、処理対象基板に付着する薄膜の種類にかかわらず、エッチング処理を安定して実行できる。

また、この実施形態によれば、第１および第２ノズル３，４が処理位置Ｐ３１，Ｐ４１に位置決めされる際には、第１および第２ノズル３，４は遮断部材５のノズル挿入孔５Ａ，５Ｂに挿入されている。このため、エッチング処理中に処理液が飛散してノズル（第１および第２ノズル３，４）に向けて跳ね返ってくるような場合でも処理液は遮断部材５の下面５０１に遮られる。これにより、ノズルに大量の処理液が付着するようなことがない。したがって、ノズル移動時においてノズルから処理液が落ちて基板Ｗあるいは基板周辺部材に付着して悪影響を及ぼすことが防止される。

また、この実施形態では、基板Ｗの外周端部に接触して基板Ｗを保持するチャックピン等の保持部材を設けていない。したがって、回転する基板Ｗから径方向外側に振り切られる処理液が保持部材に当たって基板表面Ｗｆへ跳ね返ることがない。また、上記保持部材は基板Ｗの外周端部付近の気流を乱す要因となり得るが、この要因が存在しないことからミスト状の処理液の基板表面Ｗｆ側への巻き込みが軽減される。さらに、この実施形態では、ガス供給路５７およびガス吐出口５０２から基板表面Ｗｆと遮断部材５の下面とに挟まれた空間ＳＰに供給される窒素ガスにより表面中央部の非処理領域ＮＴＲへの薬液の入り込みが防止されている。したがって、表面周縁部ＴＲから一定の周縁エッチング幅ＥＨで全周にわたって均一に不要物をエッチング除去できる。

＜第２実施形態＞
図１３はこの発明にかかる基板処理装置の第２実施形態を示す平面図である。この第２実施形態にかかる基板処理装置は以下の点で第１実施形態と大きく相違している。すなわち、上記第１実施形態では、平面視で回転中心Ａ０から第１ノズル３の処理位置に延びる方向と回転中心Ａ０から第２ノズル４の処理位置に延びる方向とが形成する角度が１８０°となっていたのに対し、この第２実施形態では、平面視で回転中心Ａ０から第１ノズル３の処理位置に延びる方向と回転中心Ａ０から第２ノズル４の処理位置に延びる方向とが形成する角度が１２０°となっている。

また、第１および第２ノズル３，４の処理位置の変更に伴い、遮断部材に形成される２つのノズル挿入孔５Ａ，５Ｂの形成位置についても第１および第２ノズル３，４の処理位置に併せて変更されている。具体的には、回転中心Ａ０からノズル挿入孔５Ａに延びる方向に対して回転中心Ａ０からノズル挿入孔５Ｂに延びる方向が基板Ｗの回転方向Ｒに形成する角度が１２０°となっている。なお、その他の構成および動作は基本的に第１実施形態と同様であるため、ここでは相違点を中心に説明する。

この実施形態では、第１ノズル３が処理位置Ｐ３３と待機位置Ｐ３２との間および処理位置Ｐ３４と待機位置Ｐ３２との間で移動される。ここで、処理位置Ｐ３３はノズル挿入孔５Ａに挿入されて表面周縁部ＴＲに薬液を供給可能な位置であり、処理位置Ｐ３４はノズル挿入孔５Ｂに挿入されて表面周縁部ＴＲに薬液を供給可能な位置である。

また、第２ノズル４が処理位置Ｐ４３と待機位置Ｐ４２との間および処理位置Ｐ４４と待機位置Ｐ４２との間で移動される。ここで、処理位置Ｐ４３はノズル挿入孔５Ｂに挿入されて表面周縁部ＴＲにＤＩＷを供給可能な位置であり、処理位置Ｐ４４はノズル挿入孔５Ａに挿入されて表面周縁部ＴＲにＤＩＷを供給可能な位置である。

待機位置Ｐ３２，Ｐ４２はそれぞれ、処理位置Ｐ３３（処理位置Ｐ４４）と処理位置Ｐ３４（処理位置Ｐ４３）とを結ぶ線分の垂直二等分線上であって、遮断部材５の径方向外側に位置している。また、待機位置Ｐ３２と待機位置Ｐ４２とは回転中心Ａ０を挟んで位置している。これにより、待機位置Ｐ３２から処理位置Ｐ３３，Ｐ３４への第１ノズル３の位置決めおよび待機位置Ｐ４２から処理位置Ｐ４３，Ｐ４４への第２ノズル４の駆動制御を容易としている。また、第１ノズル３と第２ノズル４とが互いに干渉するのを防止している。

次に、上記のように構成された基板処理装置の動作について図１４を参照しつつ説明する。図１４は図１３の基板処理装置の動作を模式的に示す図である。この第２実施形態では、互いに異なる３つのエッチングモード（第１エッチングモード、第２エッチングモードの第１サブモードおよび第２エッチングモードの第２サブモード）の間で薄膜の種類に応じて選択的に切り換え可能となっている。すなわち、制御ユニット８は、
(1)第１ノズル３を処理位置Ｐ３３（またはＰ３４）に位置決めして該第１ノズル３から薬液を回転する基板Ｗの表面周縁部ＴＲに供給する第１エッチングモード（図１４（ａ））。
(2) 処理位置Ｐ３３に位置決めした第１ノズル３から薬液を回転する基板Ｗの表面周縁部ＴＲに供給しながら第２ノズル４を処理位置Ｐ４３に位置決めして薬液が付着する表面周縁部ＴＲにＤＩＷを供給する第２エッチングモードの第１サブモード（図１４（ｂ））、
(3) 処理位置Ｐ３４に位置決めした第１ノズル３から薬液を回転する基板Ｗの表面周縁部ＴＲに供給しながら第２ノズル４を処理位置Ｐ４４に位置決めして薬液が付着する表面周縁部ＴＲにＤＩＷを供給する第２エッチングモードの第２サブモード（図１４（ｃ））
とにエッチングモードを選択的に切り換え可能となっている。

ここで、第１エッチングモードが実行されると、第１実施形態で説明したとおり、エッチング抑制処理が実行されることなく、第１ノズル３からの薬液により表面周縁部ＴＲに付着する薄膜がエッチングされ該表面周縁部ＴＲから除去（ベベルエッチング処理）される。

また、第２エッチングモードの第１サブモードが実行されると、基板Ｗの回転方向Ｒにおいて処理位置Ｐ３３の下流側と処理位置Ｐ４３の上流側との間でエッチング処理が進行して表面周縁部ＴＲの各部から薄膜がエッチング除去される。その一方で、基板Ｗの回転方向Ｒにおいて処理位置Ｐ４３の下流側と処理位置Ｐ３３の上流側との間でエッチング処理の進行が実質的に抑制される。つまり、基板Ｗが一回転（基板Ｗの回転角にして３６０°）する間のうち、１／３回転（基板Ｗの回転角にして１２０°）する間は薄膜のエッチング処理が進行する一方、残余の２／３回転（基板Ｗの回転角にして２４０°）する間は薄膜のエッチング進行が実質的に抑制される。

また、第２エッチングモードの第２サブモードが実行されると、基板Ｗの回転方向Ｒにおいて処理位置Ｐ３４の下流側と処理位置Ｐ４４の上流側との間でエッチング処理が進行して表面周縁部ＴＲの各部から薄膜がエッチング除去される。その一方で、基板Ｗの回転方向Ｒにおいて処理位置Ｐ４４の下流側と処理位置Ｐ３４の上流側との間でエッチング処理の進行が実質的に抑制される。つまり、基板Ｗが一回転（基板Ｗの回転角にして３６０°）する間のうち、２／３回転（基板Ｗの回転角にして２４０°）する間は薄膜のエッチング処理が進行する一方、残余の１／３回転（基板Ｗの回転角にして１２０°）する間は薄膜のエッチング進行が実質的に抑制される。

したがって、上記した３つのエッチングモードにおける薄膜のエッチングレートを比較すると、第１エッチングモード、第２エッチングモードの第２サブモード、第２エッチングモードの第１サブモードの順に薄膜のエッチングレートが低下していく。

以上のように、この実施形態によれば、薄膜の種類に応じて互いに異なる３つのエッチングモードの間でエッチングモードを選択的に切り換えることで該薄膜のエッチングレートを３段階に設定可能となっている。したがって、処理対象基板ごとに薄膜の種類が異なる場合であっても、該薄膜の種類の相違に対して柔軟に対応できる。しかも、平面視で回転中心Ａ０から第１ノズル３の処理位置に延びる方向と回転中心Ａ０から第２ノズル４の処理位置に延びる方向とが形成する角度が１２０°となっているので、エッチングモードの切り換えにより、薄膜のエッチングレートを比較的大きく変更できる。すなわち、エッチングが実行されるエッチング処理時間に関して、第２エッチングモードの第１サブモードでは第１エッチングモードの３分の１、第２エッチングモードの第２サブモードでは第１エッチングモードの３分の２とすることができるので、薄膜の種類に応じて薄膜のエッチングレートを幅広く調整できる。

＜その他＞
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば上記実施形態では、基板Ｗに付着する薄膜（不要物）の種類に応じてエッチングモードの切り換えを行っているが、エッチングモードの切り換えのタイミングはこれに限定されない。例えば同一種類の薄膜が付着している複数枚の基板であっても、基板Ｗへの成膜方法の相違等によって基板ごとに薄膜の厚みが異なる場合がある。このような場合であっても、各基板ごとに付着する薄膜の厚みに応じてエッチングモードの切り換えを行うことにより、薄膜の厚みに対応した適正なエッチングレートで表面周縁部ＴＲから薄膜をエッチング除去できる。したがって、不要物がいかなる性状（薄膜の種類および薄膜の厚み）を有したとしても、表面周縁部ＴＲから薄膜を良好に除去することができる。

また、上記実施形態では、基板表面Ｗｆ側から表面周縁部ＴＲに薬液を供給することで該表面周縁部ＴＲに存在する薄膜をエッチングして該表面周縁部ＴＲから除去（ベベルエッチング処理）しているが、ベベルエッチング処理方法はこれに限定されない。例えば回転する基板Ｗの裏面Ｗｂに供給した薬液を基板Ｗの端面を介して表面周縁部ＴＲに回り込ませることで該表面周縁部ＴＲに存在する薄膜をエッチングして該表面周縁部ＴＲから除去してもよい。

また、上記実施形態では、薬液が付着する表面周縁部ＴＲにＤＩＷを供給することで表面周縁部ＴＲに付着する薬液による薄膜のエッチング進行を抑制しているが、エッチング抑制処理方法はこれに限定されない。例えば基板表面Ｗｆの中心に向けてＤＩＷを間欠的に供給することで表面周縁部ＴＲに付着する薬液による薄膜のエッチング進行を抑制してもよい。すなわち、基板表面Ｗｆ側から回転する基板Ｗの中心に向けてＤＩＷを供給することでＤＩＷが遠心力によって広げられ、表面周縁部ＴＲの全周にわたって供給される。このため、ＤＩＷが表面周縁部ＴＲに供給されている間、薬液による薄膜のエッチング進行が表面周縁部ＴＲの全周にわたって抑制される。したがって、ＤＩＷの供給期間とＤＩＷの供給停止期間との比であるデューティー比を制御することで薄膜のエッチングレートを調整できる。

また、上記第２実施形態では、平面視で回転中心Ａ０から第１ノズル３の処理位置Ｐ３３，Ｐ３４（第１処理位置）に延びる方向と回転中心Ａ０から第２ノズル４の処理位置Ｐ４３，Ｐ４４（第２処理位置）に延びる方向とが形成する角度を１２０°としているが、該角度はこれに限定されず、１８０°と異なっていればよい。このように構成しても、第１エッチングモードに加えて、基板Ｗの回転方向Ｒにおいて第１処理位置が第２処理位置に対して上流側となっている第２エッチングモードの第１サブモードと、基板Ｗの回転方向Ｒにおいて第１処理位置が第２処理位置に対して下流側となっている第２サブモードの第２サブモードとの間でエッチングモードを切り換え可能となっている。したがって、互いに異なる３つのエッチングモードの間で不要物の性状に応じてエッチングモードを選択的に切り換えることができ、不要物のエッチングレートを３段階に設定することができる。

また、上記実施形態では、第１および第２ノズル３，４を表面周縁部ＴＲに薬液を供給可能な処理位置に位置決めする際に、遮断部材５に形成されたノズル挿入孔５Ａ，５Ｂに第１および第２ノズル３，４を挿入しているが、ノズル挿入孔５Ａ，５Ｂに第１および第２ノズル３，４を挿入することは必ずしも必要でない。例えば基板Ｗの平面サイズよりも小さな平面サイズを有する遮断部材を基板表面Ｗｆに対向配置して、第１および第２ノズル３，４を該遮断部材の側壁に近接して配置してもよい。さらに、遮断部材５を基板表面Ｗｆに対向配置させることなく、第１および第２ノズル３，４のみを基板表面Ｗｆ側に位置決めしてもよい。

また、上記実施形態では、基板Ｗをその裏面Ｗｂに当接する支持ピンＦ１〜Ｆ１２，Ｓ１〜Ｓ１２などの支持部材に押圧支持させて基板Ｗを保持しているが、チャックピンなどの保持部材を基板Ｗの外周端部に当接させて基板Ｗを保持してもよい。

また、上記実施形態では、基板処理装置は第１ノズル３と第２ノズル４とをそれぞれ、１本ずつ装備しているが、ノズルの本数は１本に限定されず、複数本装備してもよい。また、遮断部材５のノズル挿入孔についても、上記実施形態では、第１および第２ノズル３，４に対応して遮断部材５に２つのノズル挿入孔を形成しているが、３つ以上のノズル挿入孔を形成してもよい。例えば、平面視で回転中心Ａ０から第１処理位置に延びる方向と回転中心Ａ０から第２処理位置に延びる方向とが形成する角度が互いに異なる位置に３つ以上のノズル挿入孔を形成してもよい。この構成によれば、不要物の性状に応じて３つ以上のノズル挿入孔のいずれかに第１および第２ノズル３，４を適宜、挿入して処理を行うことで、不要物のエッチングが実行されるエッチング処理時間と不要物のエッチング進行が抑制される処理時間とを合わせた全処理時間中におけるエッチング処理時間の比率を多段階に変更できる。したがって、不要物の性状に応じて不要物のエッチングレートを多段階に設定することができる。

この発明は、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板等の基板などを含む各種基板の表面に対してベベルエッチング処理を施す基板処理装置および基板処理方法に適用することができる。

この発明にかかる基板処理装置の第１実施形態を示す図である。 図１の基板処理装置の主要な制御構成を示すブロック図である。 スピンベースを上方から見た平面図である。 支持ピンの構成を示す部分拡大図である。 遮断部材の底面図である。 第１ノズルおよび遮断部材に設けられたノズル挿入孔の構成を示す図である。 第１および第２ノズルの外径とノズル挿入孔の孔径との関係を説明するための断面図である。 図１の基板処理装置の動作を示すフローチャートである。 第１エッチングモードの実行の内容を示すフローチャートである。 第２エッチングモードの実行の内容を示すフローチャートである。 第１および第２エッチングモードによる薄膜のエッチング除去作用を説明するための平面図である。 表面周縁部の微小領域のエッチング状況を示すタイミングチャートである。 この発明にかかる基板処理装置の第２実施形態を示す平面図である。 図１３の基板処理装置の動作を模式的に示す図である。

符号の説明

１…スピンチャック（基板保持手段）
３…第１ノズル（ベベルエッチング手段）
４…第２ノズル（エッチング抑制手段）
５…遮断部材
５Ａ，５Ｂ…ノズル挿入孔
１３…チャック回転機構（回転手段）
１５…スピンベース（回転部材）
１８…ガス供給ユニット（ガス供給部）
３３…第１ノズル移動機構（ベベルエッチング手段）
４３…第２ノズル移動機構（エッチング抑制手段）
５０１…遮断部材の下面(基板対向面)
５０２…ガス吐出口
Ａ０…（基板の）回転中心
Ｆ１〜Ｆ１２…支持ピン（支持部材）
Ｐ３１，Ｐ３３，Ｐ３４…処理位置（第１処理位置）
Ｐ３２…待機位置（第１待機位置）
Ｐ４１，Ｐ４３，Ｐ４４…処理位置（第２処理位置）
Ｐ４２…待機位置（第２待機位置）
Ｒ…（基板の）回転方向
Ｓ１〜Ｓ１２…支持ピン（支持部材）
ＳＰ…（基板対向面と基板表面とに挟まれた）空間
ＴＲ…表面周縁部
Ｗ…基板
Ｗｂ…基板裏面
Ｗｆ…基板表面

Claims (9)

1. 基板の表面の周縁部に第１処理液を供給して該周縁部に存在する薄膜を前記第１処理液によりエッチングして該周縁部から除去するベベルエッチング手段と、
   前記第１処理液が付着する前記基板表面の周縁部に第２処理液を供給して前記第１処理液による前記薄膜のエッチング進行を実質的に抑制するエッチング抑制手段と、
   前記薄膜の種類および前記薄膜の厚みに応じて前記ベベルエッチング手段によるベベルエッチング処理の実行中に前記エッチング抑制手段によるエッチング抑制処理を実行して前記薄膜のエッチングレートを調整する制御手段と
   を備えることを特徴とする基板処理装置。
2. 前記制御手段は、前記ベベルエッチング手段および前記エッチング抑制手段を制御して、前記エッチング抑制処理を実行することなく前記ベベルエッチング処理のみを実行する第１エッチングモードと、前記ベベルエッチング処理の実行中に前記エッチング抑制処理を実行する第２エッチングモードとに前記薄膜の種類および前記薄膜の厚みに応じて選択的に切り換える請求項１記載の基板処理装置。
3. 略円形基板の表面の周縁部から薄膜をエッチング除去する請求項２記載の基板処理装置であって、
   前記基板表面を上方に向けながら前記基板を略水平姿勢で保持する基板保持手段と、
   前記基板保持手段に保持された前記基板を回転させる回転手段と
   をさらに備え、
   前記ベベルエッチング手段は、
   前記基板表面側から前記基板表面の周縁部に前記第１処理液を供給する第１ノズルと、前記基板表面の周縁部に前記第１処理液を供給可能な第１処理位置と前記基板から離れた第１待機位置とに前記第１ノズルを移動させる第１ノズル移動機構とを有し、
   前記エッチング抑制手段は、
   前記基板表面側から前記基板表面の周縁部に前記第２処理液を供給する第２ノズルと、前記第２ノズルを前記第１処理位置と異なる位置であって前記基板表面の周縁部に前記第２処理液を供給可能な第２処理位置と前記基板から離れた第２待機位置とに前記第２ノズルを移動させる第２ノズル移動機構と
   を有し、
   前記制御手段は前記第１ノズルを前記第１処理位置に位置決めして該第１ノズルから前記第１処理液を供給して前記第１エッチングモードを実行する一方、前記第１処理位置に位置決めした前記第１ノズルから前記第１処理液を供給しながら前記第２ノズルを前記第２処理位置に位置決めして前記第１処理液が付着する前記基板表面の周縁部に前記第２処理液を供給して前記第２エッチングモードを実行する基板処理装置。
4. 平面視で前記基板の回転中心から前記第１処理位置に延びる方向と前記基板の回転中心から前記第２処理位置に延びる方向とが形成する角度が１８０°である請求項３記載の基板処理装置。
5. 平面視で前記基板の回転中心から前記第１処理位置に延びる方向と前記基板の回転中心から前記第２処理位置に延びる方向とが形成する角度が１８０°と異なる請求項３記載の基板処理装置であって、
   前記制御手段は前記第１エッチングモードに加えて前記第２エッチングモードとして前記基板の回転方向において前記第１処理位置が前記第２処理位置に対して上流側となっている第１サブモードと、前記基板の回転方向において前記第１処理位置が前記第２処理位置に対して下流側となっている第２サブモードとの間でエッチングモードを選択的に切り換える基板処理装置。
6. 前記第２処理位置は前記第１処理位置に対して前記基板の径方向内側である請求項３ないし５のいずれかに記載の基板処理装置。
7. 前記基板表面に対向しながら近接配置されるとともに、前記基板表面の周縁部に対向する位置に前記第１および第２ノズルが個別に挿入可能な上下方向に貫通する複数のノズル挿入孔が形成された遮断部材をさらに備え、
   前記第１および前記第２ノズル移動機構はそれぞれ、前記複数のノズル挿入孔のいずれかに前記第１および第２ノズルを挿入させて前記第１および第２処理位置に位置決めする請求項３ないし６のいずれかに記載の基板処理装置。
8. 前記遮断部材は前記基板表面と対向する基板対向面を有し、該基板対向面にガス吐出口が形成されている請求項７記載の基板処理装置であって、
   前記基板保持手段は、鉛直軸回りに回転自在に設けられた回転部材と、前記回転部材に上方に向けて突設され、前記基板の裏面に当接して該基板を前記回転部材から離間させて支持する少なくとも３個以上の支持部材と、前記ガス吐出口から前記基板対向面と前記基板表面とに挟まれた空間にガスを供給することによって前記基板を前記支持部材に押圧させるガス供給部とを有する基板処理装置。
9. 基板表面の周縁部に第１処理液を供給して該周縁部に存在する薄膜を前記第１処理液によりエッチングして該周縁部から除去するベベルエッチング工程と、
   前記第１処理液が付着する前記基板表面の周縁部に第２処理液を供給して前記第１処理液による前記薄膜のエッチング進行を実質的に抑制するエッチング抑制工程と
   を備え、
   前記薄膜の種類および前記薄膜の厚みに応じて前記ベベルエッチング工程の実行中に前記エッチング抑制工程を実行して前記薄膜のエッチングレートを調整することを特徴とする基板処理方法。

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