JP4619144B2 - 基板処理装置 - Google Patents

Description

この発明は、その表面に処理領域と非処理領域を有する基板に対して所定の処理を施す基板処理装置に関する。処理対象となる基板には、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、光ディスク用基板等が含まれる。

半導体ウエハ等の基板の一連の処理工程においては、基板の表面にフォトレジスト等の薄膜を形成するための成膜工程を複数工程有しているが、この成膜工程では基板表面の周縁部あるいは基板裏面にも成膜されることがある。しかしながら、一般的には基板において成膜が必要なのは基板表面の中央部の回路形成領域のみであり、基板表面の周縁部に成膜されてしまうと、成膜工程の後工程において、他の装置との接触により基板表面の周縁部に形成された薄膜が剥がれたりすることがあり、これが原因となって歩留まりの低下や基板処理装置自体のトラブルが起こることがある。

そこで、基板表面の周縁部に形成された薄膜を除去するために、例えば特許文献１に記載された装置が提案されている。この装置では、その表面に薄膜が形成された基板を基板保持手段によって基板裏面を吸着保持するとともに、該基板保持手段を回転させる。また、基板の表面側には基板の半径よりも小さな半径を有する円板状の遮断板（遮断部材）を基板表面に対向配置するとともに基板回転軸と同軸上に回転させる。この状態で、遮断板の上面に薬液を供給すると、薬液は遮断板の縁部から基板表面の周縁部へと落下して、該表面周縁部の薄膜が選択的にエッチング除去される。

特開２００２−７５９５３号公報（第４−５頁、図４）

ところで、上記した基板処理は基板表面の略中央部の非処理領域に形成された薄膜を残したまま非処理領域の周辺から一定範囲の薄膜を除去するために行われる。そのため、非処理領域に形成された薄膜をエッチングすることがないように、この除去範囲、つまり端面から内側に向かってエッチング除去される幅（以下「周縁エッチング幅」という）を正確にコントロールするのが望まれる。特に、薄膜として銅などのメタル層が基板表面に形成された場合には、上記基板処理では端面（べベル）近傍でのメタル除去を目的とするため、周縁エッチング幅を周面全体にわたって均一化することが非常に重要となっている。

しかしながら、特許文献１に記載された装置（従来装置）では、遮断板で非処理領域を覆って該非処理領域を保護するとともに、遮断板の上面に供給した薬液を基板表面の周縁部に落下させているため、次のような理由により非処理領域を確実に保護することが困難となっていた。すなわち、遮断板の真円度に加えて、遮断板の回転中心と基板の回転中心とを位置合わせすることが必要となるが、周縁エッチング幅の均一性を高めようとすれば、これらすべてに対して高い精度が要求されることとなる。しかしながら、これら遮断板の外形形状および基板と遮断板の相対位置の精度を高めるにも限度があり、周縁エッチング幅を均一化する上で障害となっていた。その結果、非処理領域にまで薬液が回り込んで腐食されるなどして該非処理領域を十分に保護することができない場合があった。

また、遮断板の上面に供給した液を基板表面の周縁部に落下させているので、薬液によるエッチング処理と同様にして純水（リンス液）が遮断板の上面に供給されることによって基板表面の周縁部がリンス処理される。つまり、薬液が供給される領域とリンス液が供給される領域とが同一となる。そのため、処理領域（基板端面から内側に向かってエッチング除去される領域）と非処理領域との界面に付着する薬液を十分に洗い流すことができず、リンス不良が起こり易くなっていた。

さらに、周縁エッチング幅は遮断板の平面サイズによって一義的に定められるので、周縁エッチング幅を所望の値に適宜に変更しようとする場合には、遮断板あるいはその構成部品の交換が必要となり、迅速かつ簡便な処理の観点から大きな制約を伴っていた。

この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、基板表面の非処理領域を確実に保護することのできる基板処理装置を提供することを第１の目的とする。

また、この発明は、リンス不良を防止しながらも周縁エッチング幅を均一にして処理することのできる基板処理装置を提供することを第２の目的とする。

この発明にかかる基板処理装置は、上記第１の目的を達成するため、基板を保持し回転させる基板保持手段と、その表面周縁部に処理領域と該処理領域に対して内側に非処理領域とを有する前記基板表面の前記非処理領域に対向可能に構成され前記非処理領域の平面サイズよりも小さな平面サイズを有する対向面を有し、該対向面を前記非処理領域に近接させることで前記対向面により前記非処理領域を覆う遮断部材と、回転する前記基板表面の前記遮断部材の対向面で覆われていない非対向部位に対し、前記遮断部材の側壁面の外側に位置決めしたノズルからリンス液を供給することによって該非対向部位を前記リンス液で覆うカバーリンス手段とを備えたことを特徴としている。

このように構成された発明では、基板表面の非処理領域が、該非処理領域に近接して対向配置される遮断部材とカバーリンス手段から供給されるリンス液とによって選択的に覆われる。このように遮断部材とリンス液という２つのカバー機能によって選択的に非処理領域を保護することによって次のような作用効果が得られる。すなわち、非処理領域のうちリンス液が接液することによって錆もしくは吸湿などの影響を受ける部位については、遮断部材の対向面で覆うことによって該部位（対向部位）が保護される一方で、リンス液の接液によって影響を受けない部位（非対向部位）については、遮断部材の側壁面の外側に位置決めしたノズルから供給したリンス液で覆うことによって遮断部材の真円度などの外形形状および基板の中心と遮断部材の中心との相対位置精度にかかわりなく保護される。したがって、基板表面の非処理領域を確実に保護することができる。

ここで、遮断部材の対向面の平面サイズを基板表面の非処理領域に形成された回路形成領域の平面サイズと同等の大きさとすると、回路形成領域を遮断部材の対向面で覆うことによってリンス液の接液による回路形成領域への影響を抑制しつつ、非処理領域を確実に保護することができる。例えば回路形成領域を遮断部材の対向面で覆うことによって回路形成領域に成膜されたメタル層の錆もしくはｌｏｗ−ｋ（低誘電率）膜などの吸湿性の高い膜のｋ値（比誘電率）の変化を抑制することができる。

また、基板表面周縁部の処理領域に隣接する非処理領域をカバーリンス手段からのリンス液によって覆うようにすると、遮断部材の外形形状および基板の中心と遮断部材の中心との相対位置精度にかかわりなく処理領域が正確に処理される。例えば従来装置のように、遮断部材の上面に供給した液を落下させて処理する場合には、遮断部材の真円度などの外形形状および基板の中心と遮断部材の中心との相対位置精度によって処理領域がばらついてしまうので処理幅を均一にコントロールすることが困難なものとなっていた。一方で、この発明によれば、遮断部材の対向面の平面サイズを非処理領域の平面サイズに比べて小さく構成して該対向面で非処理領域を覆うとともに、遮断部材で覆われていない非対向部位であって処理領域に隣接する非処理領域を、遮断部材の側壁面の外側に位置決めしたノズルから供給したリンス液で覆うことにより非処理領域全体を保護しているので、遮断部材の外形形状および基板の中心と遮断部材の中心との相対位置精度によって処理領域がばらつくようなことがない。したがって、処理幅を均一にして処理することができる。

また、基板表面の周縁部を処理領域として該表面周縁部に薬液を供給して表面周縁部から不要物をエッチング除去するように構成してもよい。この構成によれば、例えば基板表面に形成された薄膜のうち周縁部のみにおいて不要な薄膜をエッチング除去することができる。しかも、基板表面の周縁部（処理領域）に対して内側の非処理領域は遮断部材とリンス液とによって選択的に覆われるので、遮断部材の外形形状および基板の中心と遮断部材の中心との相対位置精度にかかわりなく、薬液の跳ね返りから非処理領域を確実に保護するとともに、周縁エッチング幅を均一にしてエッチング処理することができる。

また、この発明にかかる基板処理装置は、その表面周縁部に処理領域と該処理領域に対して内側に非処理領域とを有する基板に処理液を供給して処理領域に対して所定の処理を施す基板処理装置であって、上記第１および第２の目的を達成するために、基板を保持する基板保持手段と、基板保持手段を回転させることで基板を回転させる基板回転手段と、基板表面の非処理領域に対向可能に構成され非処理領域の平面サイズよりも小さな平面サイズを有する対向面を有し、該対向面を非処理領域に近接させることで対向面により非処理領域を覆う遮断部材と、非処理領域のうち処理領域に隣接し、遮断部材の対向面で覆われていない非対向部位に対し、前記遮断部材の側壁面の外側に位置決めしたノズルから処理液としてリンス液を供給することによって該非対向部位をリンス液で覆うカバーリンス手段と、カバーリンス手段に対して基板の径方向外側に配置され、基板表面の周縁部に処理液として薬液を供給して該表面周縁部から不要物をエッチング除去するエッチング手段とを備えたことを特徴としている。

このように構成された発明では、基板表面の周縁部（処理領域）の内側の非処理領域が該非処理領域に近接して対向配置される遮断部材とカバーリンス手段から供給されるリンス液とによって選択的に覆われる。したがって、非処理領域のうち錆もしくは吸湿などの影響を受ける部位については、遮断部材の対向面で覆うことによって該部位を保護するとともに、それ以外の部位（非対向部位）については、遮断部材の側壁面の外側に位置決めしたノズルから供給したリンス液で覆うことによって保護され、遮断部材の外形形状および基板の中心と遮断部材の中心との相対位置精度にかかわりなく非処理領域を確実に保護することができる。

また、処理領域に隣接する非処理領域にリンス液が供給されることで、リンス不良を防止することができる。つまり、カバーリンス手段から非処理領域（非対向部位）に供給されたリンス液は基板の回転に伴う遠心力を受けて径方向外向きに流れ、表面周縁部の処理領域を介して基板外に排出される。一方、エッチング手段はカバーリンス手段に対して基板の径方向外側に配置されていることから、薬液が供給される範囲（処理領域）はカバーリンス手段からのリンス液が供給される範囲より狭くなる。これにより、処理領域と非処理領域との界面に付着する薬液をリンス液によって十分に洗い流すことができ、リンス不良を防止することができる。

さらに、処理領域に隣接する非処理領域をリンス液で覆うことによって保護しているので、周縁エッチング幅は遮断部材の外形形状および基板の中心と遮断部材の中心との相対位置精度にかかわりなく、基板とエッチング手段との相対位置精度のみによって決定される。このため、周縁エッチング幅の均一性を高めることができる。

ここで、遮断部材を回転させるようにすると、エッチング処理の際に基板と遮断部材との間に巻き込み気流が発生するのを抑制することができる。これにより、薬液雰囲気やミスト状の薬液が基板と遮断部材とで挟まれた空間に侵入して非処理領域に付着するのを防止することができる。また、エッチング処理の際に遮断部材を回転させることで遮断部材に付着する薬液を振り切り、遮断部材に薬液が滞留するのを防止することができる。

また、エッチング手段を駆動して基板の径方向に沿って移動させる駆動手段を設けて、該駆動手段を制御して基板表面の周縁部に対するエッチング手段の相対位置を調整し、基板表面の周縁部における薬液によるエッチング幅を制御するようにしてもよい。この構成によれば、要求されるエッチング処理の内容に柔軟に対応することができ、優れた汎用性が得られる。

また、エッチング手段を基板の径方向に沿って駆動することで、薬液が直接に供給される範囲をコントロールすることができる。これにより、次のような作用効果が得られる。メタル層などの薄膜は直接に薬液が供給される部分のみがエッチングレートが高くなる傾向にあって、それ以外の薬液で単に覆われている部分はエッチングレートが遅くなる傾向にある。このため、薬液が直接に供給される範囲をスキャンさせるなどしてコントロールすることで、エッチング処理時間を短縮することができる。また、エッチング手段を駆動することで周縁エッチング幅を自在に変更することができるので、従来装置のように周縁エッチング幅を変更する際に、部品交換をする必要がない。したがって、簡便かつ迅速な処理が可能となる。

さらに、エッチング処理の内容を予め処理レシピとして複数個規定しておき、それらの処理レシピから適宜選択した処理レシピで規定されるエッチング処理を行うようにしてもよい。この場合、エッチング処理の内容を規定する処理レシピとエッチング幅とを関連付けたジョブデータを複数個記憶部に記憶しておき、処理レシピが選択されると、該選択処理レシピに対応するジョブデータを記憶部から読出し、該ジョブデータに基づきエッチング手段を移動させてエッチング幅を制御するようにしてもよい。これにより、エッチング処理の内容が変更された場合にも、その変更に迅速に対応することができる。

ここで、カバーリンス手段は非対向部位にリンス液が落下するように遮断部材上にリンス液を供給するように構成してもよいし、非対向部位に向けて下向きかつ基板の径方向外向きにリンス液を供給するように構成してもよい。前者のように構成することにより、回転する遮断部材上にリンス液が供給されると、該リンス液には回転力が与えられ遠心力が作用する。このため、リンス液は径方向外側に向けて広がって回転する基板に供給され、基板表面の非処理領域（非対向部位）および処理領域（周縁部）を全周にわたって均一にリンス液で覆うことができる。一方、後者のように構成することにより、リンス液は径方向外向きの力を得て回転する基板に供給され、そのまま径方向外側に向けて広がっていく。そして基板の回転とともに、基板表面の非処理領域（非対向部位）および処理領域（周縁部）の各部が全周にわたってリンス液で覆われる。この構成によれば、遮断部材の位置にかかわりなくカバーリンス手段から基板表面に供給されるリンス液の供給位置を可変することができる。

また、基板裏面に処理液を供給して該基板裏面を洗浄する裏面洗浄手段をさらに備えるように構成すると、基板表面に対するエッチング処理およびリンス処理と同時に基板裏面に対して洗浄処理することができる。このため、いわゆる基板表面と裏面とを同時処理する、いわゆる１ステップ処理が可能となり、スループットの向上が図れる。

また、基板保持手段は、回転自在に設けられたベース部材と、基板裏面に当接して該基板をベース部材から離間させて支持する複数の支持部材と、基板表面に気体を供給することによって基板を前記支持部材に押圧させてベース部材に保持させる押圧機構とを備えるように構成してもよい。この構成によれば、基板はその裏面に当接する複数の支持部材によって離間して支持されるとともに、押圧機構から遮断部材と基板表面との間に形成される空間に供給される気体によって支持部材に押圧されてベース部材に保持される。そして、基板回転手段がベース部材を回転させることで支持部材に押圧された基板は、支持部材と基板との間に発生する摩擦力で支持部材に支持されながらベース部材とともに回転する。

このように、基板をベース部材に回転保持させることで基板の外周端部に接触して基板を保持する保持部材（例えば、チャックピン等）を不要とすることができる。そのため、基板に薬液を供給して基板をエッチング処理する場合に、基板の回転により基板表面を伝って径方向外側に向かう薬液が直接に保持部材に当たって基板表面へ跳ね返ることがない。また、基板の外周端部付近の気流を乱す要因がないことからミスト状の薬液の基板表面側への巻き込みを軽減することができる。これにより、基板表面の非処理領域への薬液の付着を効果的に防止することができる。

この発明によれば、基板表面の非処理領域が遮断部材とリンス液とで覆われることで選択的に保護される。このため、非処理領域のうちリンス液の接液による錆や吸湿などの影響を受ける部位については遮断部材で覆う一方で、該影響を受けない部位（非対向部位）については、遮断部材の側壁面の外側に位置決めしたノズルから供給したリンス液で覆うことによって遮断部材の外形形状および基板の中心と遮断部材の中心との相対位置精度にかかわりなく基板表面の非処理領域を確実に保護することができる。

また、この発明によれば、処理領域に隣接する非処理領域にリンス液を供給することで、処理領域と非処理領域との界面に付着する薬液をリンス液によって十分に洗い流すことができ、リンス不良を防止することができる。さらに、周縁エッチング幅は遮断部材の外形形状および基板の中心と遮断部材の中心との相対位置精度にかかわりなく、基板とエッチング手段との相対位置精度のみによって決定されるので、周縁エッチング幅の均一性を高めることができる。

＜第１実施形態＞
図１は、この発明にかかる基板処理装置の第１実施形態を示す図である。図２は、図１の基板処理装置の部分断面図である。また、図３は、図１の基板処理装置の部分平面図である。この基板処理装置は、半導体ウエハ等の基板表面Ｗｆの周縁部および裏面Ｗｂからメタル層やフォトレジスト層などの薄膜ＴＦをエッチング除去する装置である。具体的には、その表面Ｗｆに薄膜が形成された基板Ｗの周縁部（本発明の「処理領域」に相当）に対して化学薬品または有機溶剤等の薬液や純水またはＤＩＷ等のリンス液（以下、「処理液」という）を供給することで該表面周縁部から薄膜ＴＦをエッチング除去するとともに、基板裏面Ｗｂに処理液を供給して裏面Ｗｂ全体を洗浄する装置である。

この基板処理装置は、基板Ｗをその表面Ｗｆを上方に向けた状態で水平に保持して回転させるスピンチャック１と、スピンチャック１に保持された基板Ｗの下面（裏面Ｗｂ）の中央部に向けて処理液（薬液やリンス液）を供給する下面側処理液ノズル３と、スピンチャック１に保持された基板Ｗの上面（表面Ｗｆ）に対向配置された遮断板５と、スピンチャック１に保持された基板Ｗの上面にリンス液を供給するカバーリンスノズル７と、該カバーリンスノズル７とは別に基板Ｗの上面に処理液を供給する周縁処理ノズル９とを備えている。

スピンチャック１は、中空の回転軸１１がモータを含むチャック回転駆動機構１３の回転軸に連結されており、チャック回転駆動機構１３の駆動により鉛直方向に伸びる回転軸Ｊ回りに回転可能となっている。この回転軸１１の上端部には、スピンベース１５が一体的にネジなどの締結部品によって連結されている。したがって、装置全体を制御する制御ユニット４からの動作指令に応じてチャック回転駆動機構１３を駆動させることによりスピンベース１５が回転軸Ｊ回りに回転する。このように、この実施形態では、チャック回転駆動機構１３が本発明の「基板回転手段」に、スピンベース１５が本発明の「ベース部材」に相当している。

中空の回転軸１１には、処理液供給管３１が挿通されており、その上端に本発明の「裏面洗浄手段」として機能する下面側処理液ノズル３が結合されている。処理液供給管３１は薬液供給ユニット２２およびリンス液供給ユニット２３と接続されており、薬液またはリンス液が選択的に供給される。また、回転軸１１の内壁面と処理液供給管３１の外壁面の隙間は、円筒状のガス供給路３３を形成している。このガス供給路３３はガス供給ユニット２１と接続されており、基板Ｗの下面とスピンベース１５の対向面との間に形成される空間に窒素ガスを供給することができる。なお、この実施形態では、ガス供給ユニット２１から窒素ガスを供給しているが、空気や他の不活性ガスなどを吐出するように構成してもよい。

スピンベース１５の上面側周縁部には、支持ピン１７が複数個（少なくとも３個以上、好ましくは４個以上）、本発明の「支持部材」として回転軸Ｊを中心として等角度間隔で放射状にスピンベース１５から上方に向けて突設されている。複数の支持ピン１７の各々は、基板Ｗの下面周縁部に当接することで、スピンベース１５から所定の間隔だけ離間させた状態で基板Ｗを水平に支持可能となっている。このため、基板Ｗがスピンベース１５に当接して支持される場合に生じる基板Ｗの下面（裏面Ｗｂ）の損傷や汚染が防止される。

各支持ピン１７は、基板Ｗの下面に対して離当接自在に構成されている。具体的には、後述する昇降駆動部を作動させることで、支持ピン１７を基板Ｗの下面に当接させたり、基板Ｗの下面から離間させたりすることができる。これにより、基板Ｗの下面に対する処理中に少なくとも１回以上、各支持ピン１７を基板Ｗの下面から離間させることで、支持ピン１７が基板Ｗの下面に当接する部分をも含めて基板Ｗの下面全体を処理することができる。

次に、支持ピン１７の構成および動作について図２を参照しつつ説明する。なお、上記複数の支持ピン１７はいずれも同一構成を有しているため、ここではひとつの支持ピン１７の構成についてのみ説明する。支持ピン１７はスピンベース１５の一部が上方に向けて凸状に延出した延出部１５ａの内部に設けられている。この支持ピン１７は、基板Ｗの下面周縁部に離当接可能に延出部１５ａの上面に埋設されたフィルム１７１と、上下方向に移動可能に支持されてフィルム１７１の下面側に開口した円筒状凹部の上底面に離当接してフィルム１７１の上面中央部を押上可能となっている可動ロッド１７３と、この可動ロッド１７３を上下動させるモータ等の昇降駆動部１７５とを備えている。なお、昇降駆動部１７５にはモータに限らず、エアシリンダ等のアクチュエータ全般を用いてもよい。

上記した構成を有する支持ピン１７では、昇降駆動部１７５が制御ユニット４からの駆動信号によって図示省略する駆動連結部を介して可動ロッド１７３を上昇駆動させることにより、可動ロッド１７３の先端部がフィルム１７１の円筒状凹部の上底面に当接してそのままフィルム１７１の上面中央部を押上げる。これにより、スピンベース１５の上面側に埋設されているフィルム１７１の上面がスピンベース１５の延出部１５ａの上面から突出する。このため、複数の支持ピン１７のフィルム１７１の全て（若しくは少なくとも３個以上）を突出させることで、フィルム１７１を基板Ｗの下面と当接させつつ基板Ｗをスピンベース１５の延出部１５ａの上面から離間（例えば１ｍｍ程度）させて水平支持することが可能となる。

一方で、昇降駆動部１７５が可動ロッド１７３を下降駆動させると、可動ロッド１７３の先端部はフィルム１７１の円筒状凹部の上底面から離間されて、フィルム１７１の上面をスピンベース１５の延出部１５ａの上面と同一平面内に収容する。このため、突出させた複数の支持ピン１７のフィルム１７１のうち少なくとも３個を残して、その一部を下降させることで、下降させたフィルム１７１を基板Ｗの下面から離間させることが可能となる。なお、このようなフィルム１７１は、可撓性を有するとともに薬液に対する耐腐食性を有する樹脂により成形される。好ましくは、ＰＣＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）等のフッ素樹脂が用いられる。

図１に戻って説明を続ける。スピンチャック１の上方には、支持ピン１７に支持された基板Ｗに対向する円盤状の遮断板５が本発明の「遮断部材」として水平に配設されている。この遮断板５は、スピンチャック１の回転軸１１と同軸上に配置された回転軸５１の下端部に一体回転可能に取り付けられている。この回転軸５１には、遮断板回転駆動機構６１が連結されており、制御ユニット４からの動作指令に応じて遮断板回転駆動機構６１のモータを駆動させることにより遮断板５を鉛直軸Ｊ回りに回転させる。制御ユニット４は、遮断板回転駆動機構６１をチャック回転駆動機構１３と同期するように制御することで、スピンチャック１と同じ回転方向および同じ回転速度で遮断板５を回転駆動させることができる。このように、この実施形態では、遮断板回転駆動機構６１が本発明の「遮断部材回転手段」として機能している。

また、遮断板５は、遮断板昇降駆動機構６２と接続され、遮断板昇降駆動機構６２の昇降駆動用アクチェータ（例えばエアシリンダーなど）を作動させることで、遮断板５をスピンベース１５に近接して対向させたり、逆に離間させることが可能となっている。具体的には、制御ユニット４は遮断板昇降駆動機構６２を駆動させることで、基板処理装置に対して基板Ｗが搬入出される際には、スピンチャック１の上方の退避位置に遮断板５を上昇させる。その一方で、基板Ｗに対してエッチングなどの所定の処理を施す際には、スピンチャック１に保持された基板Ｗの表面Ｗｆのごく近傍に設定された所定の処理位置まで遮断板５を下降させる。

回転軸５１は、中空軸となっており、その内部には同軸に円筒状のガス供給路５３が形成されている。このガス供給路５３は、下端部において基板Ｗの上方の空間と連通しており、ガス供給路５３に接続されたガス供給ユニット２１からの窒素ガスを基板Ｗと遮断板５とで挟まれた空間ＳＰに供給することができる。そして、この空間ＳＰに窒素ガスが供給されることで空間ＳＰの内部圧力を高めて基板Ｗをその下面に当接する支持ピン１７に押圧させることができる。これによって、支持ピン１７に押圧された基板Ｗは、チャック回転駆動機構１３がスピンベース１５を回転させることで基板Ｗの下面と支持ピン１７との間に発生する摩擦力によって支持ピン１７に支持されながらスピンベース１５とともに回転する。なお、供給された窒素ガスは空間ＳＰを基板Ｗの中心付近から径方向外側へと流れていく。

次に、遮断板５の構成について図１ないし図３を参照しつつ詳述する。遮断板５は、その下面（底面）が基板表面Ｗｆと対向する対向面５ａとなっている。この対向面５ａは基板表面Ｗｆと略平行な平面で形成され、その平面サイズＤ１は、基板表面Ｗｆの周縁部の処理領域ＴＲに対して内側の非処理領域ＮＴＲ全体の平面サイズＤ２よりも小さく構成されている。そのため、基板表面Ｗｆと対向面５ａとを平行して近接対向させた際に、非処理領域ＮＴＲの一部領域ＮＴＲ１（対向部位）が対向面５ａで覆われる一方で、処理領域ＴＲと非処理領域ＮＴＲのうち対向面５ａで覆われない部位ＮＴＲ２（非対向部位）とが遮断板５に塞がれることなく露出する。一方で、対向面５ａの平面サイズＤ１は該非処理領域ＮＴＲに形成された回路形成領域の平面サイズに対して同等以上の大きさを有している。これにより、基板Ｗと遮断板５とを近接対向させることで、回路形成領域を対向面５ａで覆って保護することができる。

この遮断板５は、対向面５ａを下面として上方にいくに従って横断面のサイズが徐々に小さくなっている円錐台形状の下部と、該円錐台の上面を横断面とする円柱形状の上部とを連結した形状をしている。具体的には、遮断板５の下部周縁は全周にわたって対向面５ａから上方にいくに従って回転軸Ｊ側に近づくように傾斜した傾斜面５ｂを形成している。また、遮断板５の上部周縁、つまり傾斜面５ｂから上方は、ほぼ垂直に立ち上がった側壁面５ｃを形成している。遮断板５の対向面５ａは疎水性を有する疎水面となっている一方で、傾斜面５ｂは親水性を有する親水面となっている。

遮断板５の周縁部には複数のガスノズル５５が設けられ、対向面５ａに開口している。これら複数のガスノズル５５は対向面ａに鉛直軸Ｊを中心とする円周に沿って等間隔に配列されており、遮断板５が処理位置に位置決めされると、基板表面Ｗｆの非処理領域ＮＴＲと近接して対向配置される（図２）。ガスノズル５５は、遮断板５の内部のガス流通空間５７に連通しており、ガス流通空間５５に接続されたガス供給ユニット２１からの窒素ガスを基板表面Ｗｆに向けて略鉛直方向に吐出する。そして、複数のガスノズル５５の各々から均一に窒素ガスが吐出されることで、基板Ｗは各支持ピン１７に均等に押圧される。このように、この実施形態では、遮断板５と基板表面Ｗｆとに挟まれた空間ＳＰに窒素ガスを供給する、ガス供給路５３およびガスノズル５５が、本発明の「押圧手段」として機能している。

複数のガスノズル５５から吐出された窒素ガスは、基板表面Ｗｆの非処理領域ＮＴＲに向けて供給され、基板Ｗの径方向外側に向けて流れていく。これによって、後述するようにエッチング処理中に飛散した薬液が空間ＳＰに侵入して基板表面Ｗｆの中央部の非処理領域ＮＴＲ（対向部位ＮＴＲ１）に付着するのを防止している。なお、ガスノズルは複数の開口に限らず、単一の開口、例えば、鉛直軸Ｊを中心として同心円状に全周にわたってリング状に開口したのものであってもよい。但し、複数の開口とした方が、ガス吐出圧の均一性を得る点で有利である。

次に、カバーリンスノズル７および周縁処理ノズル９の構成および動作について説明する。カバーリンスノズル７はリンス液供給ユニット２３と接続されており、下端部からリンス液を供給することが可能となっている。また、周縁処理ノズル９は薬液供給ユニット２２およびリンス液供給ユニット２３と接続されており、薬液またはリンス液が選択的に供給される。これらノズル７，９はそれぞれノズル移動機構７１，９１と接続され、ノズル移動機構７１，９１を駆動することで各ノズル先端部（下端部）が基板表面Ｗｆと対向する対向位置（図３に示す位置）と、該対向位置から側方（あるいは上方）に退避した退避位置とに位置決めされる。ノズル７，９は例えば鉛直方向に伸びる円筒形状に構成されている。カバーリンスノズル７は対向位置に位置決めされた際に、ノズル側面が遮断板５の側壁面５ｃと平行して対向配置され傾斜面５ｂに向けてリンス液が吐出可能となっている。また、この実施形態では、ノズル移動機構９１（本発明の「駆動手段」に相当）は径方向における周縁処理ノズル９の移動量を連続的に設定することができるように構成されており、周縁処理ノズル９の移動量制御による周縁エッチング幅ＥＨのコントロールについては後で詳述する。

カバーリンスノズル７からリンス液が傾斜面５ｂに供給されると、該リンス液は親水性の傾斜面５ｂに沿って流下する。傾斜面５ｂの下端に達したリンス液は、疎水面である対向面５ａに回り込むことなく、遮断板５の回転による遠心力を受けてリンス液が、非処理領域ＮＴＲのうち遮断板５の対向面５ａで覆われていない部位（非対向部位）ＮＴＲ２に広がりながら流下する。詳しくは、遮断板５から流下するリンス液は、傾斜面５ｂを基板Ｗに向けて延長したときの基板表面Ｗｆとの交線よりも外側の非対向部位ＮＴＲ２に供給され、基板Ｗの回転に伴う遠心力を受けて基板Ｗの周縁に向かって流れ、基板Ｗの周端面を伝って流下する。このため、カバーリンスノズル７からリンス液を吐出しつつ基板Ｗを回転させることで、基板Ｗの円周方向における、非対向部位ＮＴＲ２および処理領域ＴＲの各部を全周にわたって均一にリンス液で覆うことができる。このように、この実施形態ではカバーリンスノズル７が本発明の「カバーリンス手段」として機能している。

こうして、基板表面Ｗｆの非処理領域ＮＴＲのうち、上述したように回路形成領域が対向部位ＮＴＲ１として遮断板５の対向面５ａで覆われるとともに、非対向部位ＮＴＲ２がリンス液で覆われる。したがって、非処理領域ＮＴＲのうち回路形成領域に形成された、リンス液の接液による銅薄膜の錆あるいはｌｏｗ−ｋ膜などの吸湿が問題となる部位については、遮断板５の対向面５ａで覆うことによって該部位（対向部位ＮＴＲ１）が保護される。一方で、回路形成領域以外の部位（非対向部位ＮＴＲ２）については、リンス液が接液しても歩留りに影響することはないから、リンス液で覆うことによって遮断板５の真円度および基板Ｗの回転中心と遮断板５の回転中心との相対位置精度にかかわりなく確実に保護される。

周縁処理ノズル９は、図３に示すように、カバーリンスノズル７に対して基板Ｗの径方向外側であって、基板Ｗの回転方向Ａの下流側に配置される。周縁処理ノズル９から薄膜ＴＦに対してエッチング作用を有する薬液が基板表面Ｗｆの周縁部に供給されると、薬液は基板Ｗの回転に伴う遠心力を受けて基板Ｗの周縁に向かって流れ、基板Ｗの周端面を伝って流下する。このため、基板表面Ｗｆの周縁部における薬液供給位置から径方向外側の領域が処理領域ＴＲとして該表面周縁部から薄膜ＴＦがエッチング除去される。その結果、周縁処理ノズル９から薬液を吐出しつつ基板Ｗを回転させることで、周縁エッチング幅ＥＨで全周にわたって均一にしてエッチング処理することができる。このように、この実施形態では周縁処理ノズル９が本発明の「エッチング手段」として機能している。

ここで、周縁処理ノズル９はカバーリンスノズル７に対して基板Ｗの回転方向Ａの下流側に配置されるため、カバーリンスノズル７からリンス液が吐出されると基板表面Ｗｆの周縁部はリンス液で覆われるが、周縁処理ノズル９から吐出される薬液の吐出圧によって薄膜ＴＦが基板表面Ｗｆの周縁部からエッチング除去される。しかも、処理領域ＴＲから径方向内側の非処理領域ＮＴＲはカバーリンスノズル７からのリンス液と遮断板５とによって覆われているため、薬液の跳ね返りによる非処理領域ＮＴＲへの薬液付着が確実に防止される。また、上記したように周縁処理ノズル９は移動量を連続的に設定することができるため、周縁処理ノズル９の移動量を制御することで周縁エッチング幅ＥＨを任意の値に調整することができる。

さらに、周縁エッチング幅ＥＨを周縁処理ノズル９から吐出される薬液の幅よりも大きく設定した場合には、メタル層などの薄膜は直接に薬液が供給される部分のみがエッチングレートが高くなる傾向にあることから、それ以外の薬液で単に覆われている部分はエッチングレートが遅くなる傾向にある。この場合、ノズル駆動機構９１を制御して周縁処理ノズル９から薬液が直接に供給される範囲を径方向にスキャンさせるのが望ましい。これにより、エッチング処理時間を短縮することができる。

上記においては薬液を周縁処理ノズル９に圧送する場合について説明したが、薬液に代えてリンス液を圧送する場合も上記と同様である。つまり、制御ユニット４からの動作指令に応じてリンス液供給ユニット２３からリンス液が圧送されると、周縁処理ノズル９からリンス液が吐出され、薬液は基板Ｗの回転に伴う遠心力を受けて基板Ｗの周縁に向かって流れ、基板Ｗの周端面を伝って流下する。そのため、周縁処理ノズル９からリンス液を吐出しつつ基板Ｗを回転させることで、処理領域ＴＲの全周をリンス処理することができる。また、周縁処理ノズル９の移動量を制御することでリンス液が供給される範囲をコントロールすることが可能となっている。

次に、上記のように構成された基板処理装置の動作について説明する。図４は、図１の基板処理装置の動作を示すフローチャートである。この装置では、基板Ｗの表面Ｗfにメタル層などの薄膜ＴＦが形成された基板Ｗが薄膜形成面を上方に向けた状態で搬入され支持ピン１７上に載置されると、制御ユニット４が装置各部を以下のように制御して該基板Ｗに対してベベルエッチング処理（エッチング工程＋リンス工程＋乾燥工程）が実行される。なお、基板Ｗの搬送を行う際には、遮断板５はスピンチャック１の上方の退避位置にあり、基板Ｗとの干渉を防止している。

未処理基板Ｗが支持ピン１７に載置されると、制御ユニット４は遮断板５を処理位置まで降下させて基板Ｗに近接して対向配置させる（ステップＳ１）。そして、ガスノズル５５から窒素ガスを吐出させるとともに、ガス供給路５３から基板表面Ｗｆの中央部に向けて窒素ガスを供給する（ステップＳ２）。これによって、遮断板５の対向面５ａと基板表面Ｗｆとの間に形成される空間ＳＰの内部圧力が高められ、基板Ｗはその下面に当接する支持ピン１７に押圧されてスピンベース１５に保持される。また、基板表面Ｗｆの回路形成領域は遮断板５の対向面５ａにごく近接した状態で覆われることによって、基板Ｗの周辺の外部雰囲気から確実に遮断される。

次に、制御ユニット４はノズル駆動機構７１，９１を駆動して、図３に示すように、カバーリンスノズル７および周縁処理ノズル９をそれぞれ基板表面Ｗｆに対向する対向位置に位置決めする（ステップＳ３）。すなわち、この実施形態では、 (1)エッチング処理の内容を規定する処理レシピ、(2)周縁エッチング幅ＥＨ、および(3)エッチング処理時の周縁処理ノズル９の移動量を相互に関連付けたジョブデータが複数個予め制御ユニット４のメモリ（記憶部）４１に記憶されている（図３）。そして、基板処理装置の操作パネル（図示省略）を介してオペレータが所定の処理レシピを選択すると、その処理レシピで予め設定された移動量だけ周縁処理ノズル９が基板内周側（図２の左手側）に移動されて周縁エッチング幅ＥＨに対応するように位置決めされる。

それに続いて、チャック回転駆動機構１３を駆動してスピンベース１５を回転させることにより、基板Ｗを回転させる（ステップＳ４）。このとき支持ピン１７に押圧された基板Ｗは支持ピン１７と基板Ｗの下面との間に発生する摩擦力でスピンベース１５に保持されながら、スピンベース１５とともに回転することとなる。また、ステップＳ４と同時に、あるいは前後して制御ユニット４は遮断板回転駆動機構６１を制御してスピンベース１５の回転数とほぼ同一の回転数で同一方向に遮断板５を回転させる（ステップＳ５）。これにより、基板Ｗと遮断板５との間に余分な気流が発生するのを防止して、後述するベベルエッチング処理におけるミスト状の処理液の巻き込みを抑制することができる。

この状態で、制御ユニット４はカバーリンスノズル７からリンス液を遮断板５の傾斜面５ｂに向けて吐出する（ステップＳ６）。吐出されたリンス液は回転する遮断板５の遠心力を受けて径方向外側に広がりながら傾斜面５ｂを流下して基板表面Ｗｆの非対向部位ＮＴＲ２に供給される。ここで、遮断板５の対向面５ａは疎水面であることから、対向面５ａにリンス液が回り込むことはなく、また、遮断板５と基板Ｗとで挟まれた空間ＳＰに供給された窒素ガスが径方向外側に流れ出ることで、回路形成領域（対向部位ＮＴＲ１）にリンス液が侵入することがない。そして、非対向部位ＮＴＲ２に供給されたリンス液は基板Ｗの回転による遠心力を受けて基板Ｗの周縁に向かって流れ、基板Ｗの周端面を伝って流下する。これにより、基板Ｗの円周方向における、非対向部位ＮＴＲ２および処理領域ＴＲの各部が全周にわたってリンス液で均一に覆われる。こうして、基板表面Ｗｆの非処理領域ＮＴＲが遮断板５の対向面５ａとリンス液とにより選択的に覆われる。

続いて、薬液供給ユニット２２からエッチング処理に適した薬液が周縁処理ノズル９に圧送されて、基板Ｗの回転による遠心力を受けて基板Ｗの周縁に向かって流れ、基板Ｗの周端面を伝って流下する。これによって、基板表面Ｗｆの周縁部の所定範囲が処理領域ＴＲとして該表面周縁部から不要物（薄膜ＴＦ）が周縁エッチング幅ＥＨで均一に、全周にわたってエッチング除去される（ステップＳ７）。ここで、処理領域ＴＲに対して径方向内側の非処理領域ＮＴＲは遮断板５とリンス液とによって覆われているので、跳ね返った薬液が非処理領域ＮＴＲに付着するのが防止される。

また、制御ユニット４は基板表面Ｗｆへの薬液供給と同時に下面側処理液ノズル３から基板裏面Ｗｂの中央部に向けて薬液を供給する。基板裏面Ｗｂの中央部に供給された薬液は基板Ｗの回転に伴う遠心力によって裏面全体に拡がり裏面Ｗｂが洗浄される。ここで、洗浄処理中に各支持ピン１７を基板裏面Ｗｂから少なくとも１回以上、離間させることで支持ピン１７と基板裏面Ｗｂの当接部分にも薬液を回り込ませて当該部分を洗浄することができる。

この実施形態では、基板Ｗの外周端部に接触して基板Ｗを保持する、チャックピン等の保持部材がないことから、基板Ｗの回転により基板表面Ｗｆを伝って径方向外側に向かう薬液が直接に保持部材に当たって基板表面Ｗｆへ跳ね返ることがない。また、基板Ｗの外周端部付近の気流を乱す要因がないことからミスト状の薬液の非処理領域ＮＴＲへの巻き込みが軽減される。これにより、非処理領域ＮＴＲへの薬液の付着を効果的に防止することができる。

エッチング処理が終了すると、制御ユニット４は周縁処理ノズル９および下面側処理液ノズル３への薬液の圧送を停止する。処理領域ＴＲにはカバーリンスノズル７から継続してリンス液が非処理領域ＮＴＲから流れ込んでいるので、該リンス液によって処理領域ＴＲがリンス処理される（ステップＳ８）。また、カバーリンスノズル７からのリンス液と併せて周縁処理ノズル９からもリンス液を吐出させてリンス処理を行うようにしてもよい。具体的には、周縁処理ノズル９をエッチング処理時よりも径方向内側（図２の左手側）に位置決めさせて該周縁処理ノズル９からリンス液を吐出させるようにしてもよい。このように、薬液が供給される範囲（処理領域ＴＲ）はリンス液が供給される範囲より狭くなるので、処理領域ＴＲと非処理領域ＮＴＲとの界面に付着する薬液をリンス液によって十分に洗い流すことができ、リンス不良が防止される。

また、基板表面Ｗｆへのリンス液供給と同時に下面側処理液ノズル３から基板裏面Ｗｂの中央部に向けてリンス液を供給する。基板裏面Ｗｂの中央部に供給されたリンス液は基板Ｗの回転に伴う遠心力によって裏面全体に拡がり裏面Ｗｂがリンス処理される。

こうして、エッチング処理およびリンス処理が完了すると、カバーリンスノズル７（および周縁処理ノズル９）からのリンス液の供給を停止させる（ステップＳ９）。その後、ノズル駆動機構７１，９１を駆動してカバーリンスノズル７および周縁処理ノズル９をそれぞれ基板Ｗから離れた退避位置に位置決めする（ステップＳ１０）。続いて、制御ユニット４はチャック回転駆動機構１３および遮断板回転駆動機構６１のモータの回転速度を高めて基板Ｗおよび遮断板５を高速回転させる。このとき、上記した基板表面Ｗｆへの窒素ガス供給と併せて、ガス供給路３３からも窒素ガスを供給することで、基板Ｗの表裏面に窒素ガスを供給させる。これにより、基板Ｗの表裏面が乾燥処理される（ステップＳ１１）。

基板Ｗの乾燥処理が終了すると、制御ユニット４は遮断板回転駆動機構６１を制御して遮断板５の回転を停止させる（ステップＳ１２）とともに、チャック回転駆動機構１３を制御して基板Ｗの回転を停止させる（ステップＳ１３）。そして、ガス供給路５３およびガスノズル５５からの窒素ガスの供給を停止することで、基板Ｗの支持ピン１７への押圧支持を解除する（ステップＳ１４）。その後、遮断板５が上昇され、処理済基板Ｗが装置から搬出される（ステップＳ１５）。

以上のように、この実施形態によれば、基板表面Ｗｆの非処理領域ＮＴＲを、該非処理領域ＮＴＲに近接して対向配置される遮断板５とカバーリンスノズル７から供給されるリンス液とによって選択的に覆っているので、次のような作用効果が得られる。すなわち、非処理領域ＮＴＲのうち回路形成領域に形成された、リンス液の接液による銅薄膜の錆あるいはｌｏｗ−ｋ膜などの吸湿が問題となる部位については、遮断板５の対向面５ａで覆うことによって該部位（対向部位ＮＴＲ１）を保護する一方で、回路形成領域以外の部位（非対向部位ＮＴＲ２）については、リンス液で覆うことによって遮断板５の真円度および基板Ｗの回転中心と遮断板５の回転中心との相対位置精度にかかわりなく保護される。したがって、非処理領域ＮＴＲ全体を確実に保護することができる。

また、カバーリンスノズル７からのリンス液は非対向部位ＮＴＲ２（および処理領域ＴＲ）にのみ供給されることから対向部位ＮＴＲ１にある回路形成領域に形成されたメタル層に錆の発生などメタル層を腐食させるようなことなく、吸湿性の高い膜であっても処理が可能となる。さらに、回路形成領域を遮断板５で覆って保護することにより、基板表面Ｗｆ全体へのカバーリンスが不要となることからリンス液の消費量が抑制される。

また、この実施形態によれば、周縁エッチング幅ＥＨが、従来装置のように、遮断板５の真円度および基板Ｗの回転中心と遮断板５の回転中心との相対位置精度に依存するようなことがなく、基板Ｗと周縁処理ノズル９との相対位置精度のみによって決定される。このため、周縁エッチング幅ＥＨの均一性を高めることができる。また、基板Ｗと周縁処理ノズル９との径方向における相対位置を調整することにより、周縁エッチング幅ＥＨが制御されるので、要求されるエッチング処理の内容に柔軟に対応することができ、優れた汎用性が得られる。

また、エッチング処理の内容を予め処理レシピを複数個規定しておき、それらから処理レシピが選択されると、該選択処理レシピに対応するジョブデータをメモリ４１から読出し、該ジョブデータ中の移動量に基づき周縁処理ノズル９を移動させて周縁エッチング幅ＥＨを制御しているため、エッチング処理の内容変更に対して迅速に対応することができる。つまり、周縁エッチング幅ＥＨの変更が処理レシピで可能なため、従来装置のように、部品交換を必要とすることがなく、簡便かつ迅速な処理が可能となる。

また、この実施形態によれば、エッチング処理される処理領域ＴＲに隣接する非処理領域ＮＴＲ（非対向部位ＮＴＲ２）にリンス液を供給するとともに、該リンス液を処理領域ＴＲを介して基板外に排出しているのでリンス不良を防止することができる。つまり、薬液が供給される範囲（処理領域ＴＲ）はカバーリンスノズル７（および周縁処理ノズル９）からのリンス液が供給される範囲より狭くなる。これにより、処理領域ＴＲと非処理領域ＮＴＲとの界面に付着する薬液をリンス液によって十分に洗い流すことができ、リンス不良を防止することができる。

また、この実施形態によれば、エッチング処理の際に遮断板５を回転させることができるので、基板Ｗと遮断板５との間に巻き込み気流が発生するのを抑制することができる。これにより、薬液雰囲気やミスト状の薬液が基板Ｗと遮断板５とで挟まれた空間ＳＰに侵入して非処理領域ＮＴＲに付着するのを防止することができる。また、遮断板５を回転させることで遮断板５に付着する薬液を振り切り、遮断板５に薬液が滞留するのを防止することができる。

＜第２実施形態＞
図５は、この発明にかかる基板処理装置の第２実施形態を示す要部断面図である。この第２実施形態が第１実施形態と大きく相違する点は、カバーリンスノズルからのリンス液を遮断板５上に供給するのではなく、基板表面Ｗｆの非処理領域ＮＴＲ（非対向部位ＮＴＲ２）に直接供給している点であり、その他の構成および動作は基本的に第１実施形態と同様である。したがって、以下においては相違点を中心に説明する。

この実施形態においては、カバーリンスノズル８から吐出されたリンス液は径方向外向きの力を得て回転する基板Ｗに供給される。そして、基板Ｗの回転による遠心力を受けて非処理領域ＮＴＲ、詳しくは遮断板５の対向面５ａに覆われていない非対向部位ＮＴＲ２から処理領域ＴＲに流れ、基板Ｗの周端面を伝って流下する。これにより、基板Ｗの円周方向における、非対向部位ＮＴＲ２および処理領域ＴＲの各部が全周にわたってリンス液で覆われる。

以上のように、この実施形態によれば、基板表面Ｗｆの非処理領域ＮＴＲが遮断板５の対向面５ａとリンス液とにより選択的に覆われるので、第１実施形態と同様な作用効果が得られる。すなわち、非処理領域ＮＴＲのうちリンス液の接液による錆や吸湿などの影響を受ける部位については遮断板５で覆う一方で、該影響を受けない部位（非対向部位ＮＴＲ２）については、リンス液で覆うことによって遮断板５の外形形状および基板Ｗの中心と遮断板５の中心との相対位置精度にかかわりなく基板表面Ｗｆの非処理領域ＮＴＲを確実に保護することができる。また、周縁エッチング幅ＥＨは遮断板５の外形形状および基板Ｗの中心と遮断板５の中心との相対位置精度にかかわりなく、基板Ｗと周縁処理ノズル９との相対位置精度のみによって決定されるので、周縁エッチング幅ＥＨの均一性を高めることができる。さらに、処理領域ＴＲに隣接する非処理領域ＮＴＲにリンス液を供給することで、処理領域ＴＲと非処理領域ＮＴＲとの界面に付着する薬液をリンス液によって十分に洗い流すことができ、リンス不良を防止することができる。

また、この実施形態によれば、遮断板５の位置にかかわらず、カバーリンスノズル８から基板表面Ｗｆに供給されるリンス液の供給位置を可変することができる。さらに、カバーリンスノズル８から吐出されたリンス液が非対向部位ＮＴＲ２に直接に供給され回転する遮断板５に引っ張られることがないから、リンス量の使用量を低減することができる。

＜その他＞
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば上記実施形態では、基板表面Ｗｆの周縁部の処理領域ＴＲに対して内側の非処理領域ＮＴＲのうち、中央部を対向部位ＮＴＲ１として遮断板５で覆う一方、処理領域ＴＲに隣接する円環状の非対向部位ＮＴＲ２をリンス液で覆って保護しているが、これに限定されず、リンス液の接液によって影響を受ける部位を遮断板５で覆って、それ以外の部位をリンス液で覆って保護すればよい。ここで、遮断板５の形状は平面視において円形に限定されず、被保護領域の形状に応じて例えば三角形、四角形などの多角形、あるいは扇形などであってもよい。

また、上記実施形態では、基板表面Ｗｆ（周縁部）と裏面Ｗｂとを同時に処理しているが、これに限定されず、基板表面Ｗｆを処理した後に裏面Ｗｂを処理するようにしてもよいし、基板表面Ｗｆのみを処理するようにしてもよい。

また、上記実施形態では、基板Ｗを基板Ｗの下面（裏面Ｗｂ）に当接する支持ピン１７などの支持部材に押圧支持させて基板Ｗを保持しているが、本発明の適用はこれに限定されない。例えば、チャックピンなどの保持部材を基板Ｗの外周端部に当接させて基板Ｗを保持する基板処理装置にも適用される。

また、上記実施形態では、基板表面Ｗｆに形成されている不要な薄膜ＴＦを処理領域ＴＲとして薬液で除去するエッチング処理から非処理領域ＮＴＲを保護する装置に適用しているが、これに限定されない。例えば腐食性のあるガスから、あるいは洗浄液による洗浄処理から非処理領域ＮＴＲを保護する装置に適用してもよい。

この発明は、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、光ディスク用基板などを含む基板全般の表面に対して所定の処理を施す基板処理装置に適用することができる。

この発明にかかる基板処理装置の第１実施形態を示す図である。 図１の基板処理装置の部分断面図である。 図１の基板処理装置の部分平面図である。 図１の基板処理装置の動作を示すフローチャートである。 この発明にかかる基板処理装置の第２実施形態を示す要部断面図である。

符号の説明

１…スピンチャック（基板保持手段）
３…下面側処理液ノズル（裏面洗浄手段）
４…制御ユニット（制御手段）
５…遮断板（遮断部材）
５ａ…（遮断部材の）対向面
７，８…カバーリンスノズル（カバーリンス手段）
９…周縁処理ノズル（エッチング手段）
１３…チャック回転駆動機構（基板回転手段）
１５…スピンベース（ベース部材）
１７…支持ピン（支持部材）
４１…メモリ（記憶部）
５３…ガス供給路（押圧機構）
５５…ガスノズル（押圧機構）
６１…遮断板回転駆動機構（遮断部材回転手段）
９１…ノズル駆動機構（駆動手段）
Ｄ１…（遮断部材の対向面の）平面サイズ
Ｄ２…（非処理領域の）平面サイズ
ＥＨ…周縁エッチング幅
ＮＴＲ…非処理領域
ＮＴＲ１…対向部位
ＮＴＲ２…非対向部位
ＴＲ…処理領域
Ｗ…基板
Ｗｂ…基板裏面
Ｗｆ…基板表面

Claims (12)

1. 基板を保持し回転させる基板保持手段と、
   その表面周縁部に処理領域と該処理領域に対して内側に非処理領域とを有する前記基板表面の前記非処理領域に対向可能に構成され前記非処理領域の平面サイズよりも小さな平面サイズを有する対向面を有し、該対向面を前記非処理領域に近接させることで前記対向面により前記非処理領域を覆う遮断部材と、
   回転する前記基板表面の前記遮断部材の対向面で覆われていない非対向部位に対し、前記遮断部材の側壁面の外側に位置決めしたノズルからリンス液を供給することによって該非対向部位を前記リンス液で覆うカバーリンス手段と
   を備えたことを特徴とする基板処理装置。
2. 前記遮断部材の対向面の平面サイズは前記基板表面の非処理領域に形成された回路形成領域の平面サイズと同等の大きさを有する請求項１記載の基板処理装置。
3. 前記カバーリンス手段は前記非処理領域のうち前記処理領域に隣接する前記非対向部位に対してリンス液を供給する請求項１または２記載の基板処理装置。
4. 前記処理領域に薬液を供給して前記表面周縁部から不要物をエッチング除去するエッチング手段をさらに備える請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装置。
5. その表面周縁部に処理領域と該処理領域に対して内側に非処理領域とを有する基板に処理液を供給して前記処理領域に対して所定の処理を施す基板処理装置において、
   基板を保持する基板保持手段と、
   前記基板保持手段を回転させることで基板を回転させる基板回転手段と、
   前記基板表面の非処理領域に対向可能に構成され前記非処理領域の平面サイズよりも小さな平面サイズを有する対向面を有し、該対向面を前記非処理領域に近接させることで前記対向面により前記非処理領域を覆う遮断部材と、
   前記非処理領域のうち前記処理領域に隣接し、前記遮断部材の対向面で覆われていない非対向部位に対し、前記遮断部材の側壁面の外側に位置決めしたノズルから前記処理液としてリンス液を供給することによって該非対向部位を前記リンス液で覆うカバーリンス手段と、
   前記カバーリンス手段に対して前記基板の径方向外側に配置され、前記基板表面の周縁部に前記処理液として薬液を供給して該表面周縁部から不要物をエッチング除去するエッチング手段と
   を備えたことを特徴とする基板処理装置。
6. 前記遮断部材を回転させる遮断部材回転手段をさらに備える請求項５記載の基板処理装置。
7. 前記エッチング手段を駆動して前記基板の径方向に沿って移動させる駆動手段と、前記駆動手段を制御して前記基板表面の周縁部に対する前記エッチング手段の相対位置を調整し、前記基板表面の周縁部における前記薬液によるエッチング幅を制御する制御手段とをさらに備える請求項５または６記載の基板処理装置。
8. 前記制御手段は、前記エッチング処理の内容を規定する処理レシピとエッチング幅とを関連付けたジョブデータを複数個記憶する記憶部を備え、前記複数の処理レシピから選択された処理レシピで規定されるエッチング処理を実行する請求項７記載の基板処理装置であって、
   前記制御手段は、選択された処理レシピに対応するジョブデータを前記記憶部から読出し、該ジョブデータに基づき前記エッチング手段を移動させてエッチング幅を制御する基板処理装置。
9. 前記カバーリンス手段は前記非対向部位に前記リンス液が落下するように前記遮断部材上にリンス液を供給する請求項６ないし８のいずれかに記載の基板処理装置。
10. 前記カバーリンス手段は前記非対向部位に向けて下向きかつ前記基板の径方向外向きに前記リンス液を供給する請求項５ないし８のいずれかに記載の基板処理装置。
11. 前記基板裏面に処理液を供給して該基板裏面を洗浄する裏面洗浄手段をさらに備える請求項５ないし１０のいずれかに記載の基板処理装置。
12. 前記基板保持手段は、回転自在に設けられたベース部材と、前記基板裏面に当接して該基板を前記ベース部材から離間させて支持する複数の支持部材と、前記基板表面に気体を供給することによって前記基板を前記支持部材に押圧させて前記ベース部材に保持させる押圧機構とを有する請求項５ないし１１のいずれかに記載の基板処理装置。

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