JP2000235948A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】エッチング処理を含む基板処理時間を短縮し、
かつエッチング液の回収が可能で、確実に基板の裏面あ
るいは基板端部に形成された薄膜を除去できる。 【解決手段】表面に薄膜が形成されたウエハＷを保持部
材３で保持した状態で、スピンベース２をモータ１０に
よって回転させながら、処理液吐出部６から保持部材３
に保持されたウエハＷの裏面にエッチング液を供給す
る。このとき、ウエハＷの表面に対向する対向面を有
し、かつウエハＷの表面と所定の間隔離れた回雰囲気遮
蔽部材２０をモータ１２によって回転させると、ウエハ
Ｗの回転および雰囲気遮蔽部材２０の回転によって、エ
ッチング液はウエハＷの裏面およびウエハＷの表面端部
のみに供給され、ウエハＷの裏面およびウエハＷの表面
端部のみにおいてフォトレジスト等による薄膜が除去さ
れる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ、フ
ォトマスク用ガラス基板、液晶用ガラス基板、光ディス
ク用基板等の基板に、エッチング液等の処理液を供給し
て基板に所定の処理を行う基板処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体ウエハ等の基板の一連の処理工程
においては、基板の表面にフォトレジスト等の薄膜を形
成するための成膜工程を複数工程有しているが、この成
膜工程では基板の裏面あるいは表面端部にも成膜される
ことがある。しかし、一般的には基板において成膜が必
要なのは基板の表面のみであり、基板の裏面あるいは表
面端部に成膜されてしまうと、成膜工程の後工程におい
て、他の装置との接触により基板の裏面あるい表面端部
に形成された薄膜が剥がれたりすることがあり、これが
原因となって歩留まりの低下や基板処理装置自体のトラ
ブルが起こることがある。

【０００３】そこで、基板の裏面あるいは表面端部に形
成された薄膜を除去するために、従来の基板処理装置で
は次のような除去方法が採用されている。

【０００４】まず、第１の方法としては、基板の表面に
フォトレジスト等に対するマスキング材を塗布し、その
後にエッチング液を供給してエッチング処理を行うこと
により、基板の裏面あるいは表面端部に形成された薄膜
を除去するものがある。また、第２の方法としては、基
板を回転させつつ処理を行う枚葉処理装置を用いて、一
方では基板の表面に純水等の処理液を供給し、他方では
基板の裏面にエッチング液を供給して基板の裏面あるい
は表面端部に形成された薄膜を除去するものがある。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
基板処理装置で採用されている方法によると、次のよう
な問題がある。まず、従来の基板処理装置において、上
述した第1の方法で薄膜の除去を行うと、エッチング液
を供給してエッチング処理を行う前にはマスキング材の
塗布処理、エッチング処理を行った後にはマスキング材
の除去処理をそれぞれ個別に行う必要がある。したがっ
て、マスキング材の塗布工程とマスキング材の除去工程
の追加によるエッチング処理を含む基板処理時間の増大
および基板処理装置自体のコストアップという問題があ
る。

【０００６】また、従来の基板処理装置において、上述
した第２の方法で薄膜の除去を行うと、基板の表面への
純水の供給と基板の裏面へのエッチング液の供給が同時
に行われるため、純水とエッチング液とが混ざり合って
しまう。そのため、エッチング液を回収して再利用する
ということが不可能になるという問題がある。

【０００７】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
ものであって、エッチング処理を含む基板処理時間を短
縮し、かつエッチング液の回収が可能で、確実に基板の
裏面あるいは基板端部に形成された薄膜を除去できる基
板処理装置を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の基板処
理装置は、基板に所定の処理を行う基板処理装置であっ
て、表面に薄膜が形成された基板を保持する基板保持手
段と、前記基板保持手段を回転させる第１駆動手段と、
前記基板保持手段に保持された基板の表面に対向する対
向面を有し、かつ基板の表面と所定の間隔離れた状態で
回転可能な回転部材と、前記回転部材を回転させる第２
駆動手段と、前記基板保持手段に保持された基板の裏面
にエッチング液を供給するエッチング液供給手段と、を
備えたことを特徴とするものである。

【０００９】請求項１に記載の基板処理装置によれば、
表面に薄膜が形成された基板を保持する基板保持手段を
第１駆動手段によって回転させながら、エッチング液供
給手段が基板保持手段に保持された基板の裏面にエッチ
ング液を供給する。このとき、基板の表面に対向する対
向面を有し、かつ基板の表面と所定の間隔離れた回転部
材を第２駆動手段によって回転させると、基板の回転お
よび回転部材の回転によって、エッチング液は基板の裏
面および基板の表面端部のみに供給され、基板の裏面お
よび基板の表面端部のみにおいてフォトレジスト等によ
る薄膜が除去される。

【００１０】請求項２に記載の基板処理装置は、請求項
１に記載の基板処理装置であって、前記基板保持手段に
保持された基板の表面と前記回転部材の対向面との間に
気体を供給する気体供給手段をさらに備えたことを特徴
とするものである。

【００１１】請求項２に記載の基板処理装置によれば、
基板保持手段に保持された基板の表面と回転部材の対向
面との間に、気体供給手段によって窒素ガス等のパージ
ガスとしての気体が供給されるので、この気体によって
回転部材の下面と基板の表面との間へのエッチング液の
入り込みを防止される。

【００１２】請求項３に記載の基板処理装置は、請求項
１または請求項２のいずれかに記載の基板処理装置であ
って、前記基板保持手段と前記回転部材とを相対的に移
動させて、前記基板保持手段に保持された基板の表面と
前記回転部材の対向面との距離を可変させる第３駆動手
段をさらに備えたことを特徴とするものである。

【００１３】請求項３に記載の基板処理装置によれば、
第３駆動手段によって基板保持手段と回転部材とを相対
的に移動させて、基板保持手段に保持された基板の表面
と回転部材の対向面との距離を可変させれば、基板の回
転数等の他の条件変更にかかわらず、基板の裏面および
基板の表面端部の薄膜の除去が確実に行われる。

【００１４】請求項４に記載の基板処理装置は、請求項
１ないし請求項３のいずれかに記載の基板処理装置であ
って、前記エッチング液供給手段によりエッチング液を
基板の裏面に供給している際には、前記基板保持手段に
保持された基板の表面と前記回転部材の対向面との距離
は０．５ｍｍ〜１０．０ｍｍの範囲であることを特徴と
するものである。

【００１５】請求項４に記載の基板処理装置は、エッチ
ング液供給手段によりエッチング液を基板の裏面に供給
している際に、基板保持手段に保持された基板の表面と
板状部材の対向面との距離は０．５ｍｍ〜１０．０ｍｍ
の範囲にしているので、基板の裏面および基板の表面端
部の薄膜の除去がさらに確実に行われる。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の一
実施形態を説明する。図１は、本発明の一実施形態に係
る基板処理装置の全体構成を示す縦断面図である。

【００１７】中空の回転軸１は、モータ１０に伝導連結
されていて、鉛直軸回りに回転可能である。この回転軸
１の上端部には、ベース部材としての円板状のスピンベ
ース２が一体的に連結されている。このスピンベース２
の周縁部付近には基板の一種であるウエハＷの外周端部
を３箇所以上で保持する保持部材３が設けられている。
ウエハＷは、保持部材３に保持されることで、スピンベ
ース２の表面から所定の間隔だけ離れた状態で水平姿勢
で保持され、モータ１０の回転駆動によって鉛直軸回り
に回転されるようになっている。なお、この基板処理装
置のように、ウエハＷをスピンベース２の上方で保持す
る装置は、通常ウエハＷの表面を上にして、すなわち、
図１に示すウエハＷの上面が表面に、下面が裏面になる
ような状態で保持される。なお、モータ１０の回転駆動
の制御は制御部１１で行われる。

【００１８】図１では、保持部材３に保持されたウエハ
Ｗの上方に、ウエハＷの表面との対向面を有し、かつウ
エハＷのより大きいサイズの円板状であって、回転部材
としての雰囲気遮蔽部材２０が配置されている。この雰
囲気遮蔽部材２０には洗浄液供給管２１が設けられ、洗
浄液供給管２１の先端部を洗浄液吐出部３０として、保
持部材３に保持されたウエハＷの回転中心付近に洗浄液
としての純水を供給する。洗浄液供給管２１は洗浄液供
給源２２と連通し、この洗浄液供給管２１の途中には開
閉弁２３が設けられている。この開閉弁２３はウエハＷ
の表面への純水供給量を制御する。また、雰囲気遮蔽部
材２０には洗浄液供給管２１と同軸で、かつ外周に気体
供給路３１が設けられ、気体供給路３１の先端部を気体
噴出口３２として、保持部材３に保持されたウエハＷの
回転中心付近に窒素ガスのようなパージガスとなる気体
を供給する。気体供給路３１は気体供給源３３と連通
し、この気体供給路３１の途中には開閉弁３４が設けら
れている。この開閉弁３４はウエハＷの表面への窒素ガ
ス供給量を制御する。

【００１９】雰囲気遮蔽部材２０は、回転軸１と同様に
鉛直軸回りにモータ１２により回転可能である。このモ
ータ１２の回転軸と、気体供給路３１の外周に設けられ
た図示されたプーリとには、図示しない無端ベルトが掛
け渡されており、モータ１２の回転駆動が無端ベルトを
介してプーリに伝達し、雰囲気遮蔽部材２０が回転す
る。また、雰囲気遮蔽部材２０は、駆動機構１３によっ
てスピンベース２の保持部材３に保持されたウエハＷに
対して、図１の矢印Ａに示すように上下方向に移動し、
雰囲気遮蔽部材２０の下面とウエハＷの表面との距離を
変えることができる。なお、モータ１２の回転駆動の制
御および駆動機構１３の駆動制御は制御部１１で行われ
る。

【００２０】回転軸１の中空部には、この回転軸１と同
軸で、かつ内周に処理液供給管５が設けられており、こ
の処理液供給管５はさらにエッチング液供給管５Ａと洗
浄液供給管５Ｂとに分岐されている。

【００２１】エッチング液供給管５Ａは、エッチング液
供給源４１に連通されており、このエッチング液供給管
５Ａの途中には開閉弁４２が設けられている。この開閉
弁４２はウエハＷの裏面へのエッチング液供給量を制御
する。そして、エッチング液はエッチング液供給源４１
からエッチング液供給管５Ａ、処理液供給管５を通し
て、処理液吐出部６からウエハＷの裏面へ供給される。

【００２２】洗浄液供給管５Ｂは、洗浄液供給源４３に
連通されており、この洗浄液供給管５Ｂの途中には開閉
弁４４が設けられている。この開閉弁４４はウエハＷの
裏面への洗浄液としての純水の供給量を制御する。そし
て、純水は洗浄液供給源４３から洗浄液供給管５Ｂ、処
理液供給管５を通して、処理液吐出部６からウエハＷの
裏面へ供給される。なお、開閉弁４２の開閉制御、すな
わち処理液吐出部６からウエハＷの裏面へのエッチング
液の吐出およびその停止の制御と、開閉弁４４の開閉制
御、すなわち処理液吐出部６からウエハＷの裏面への純
水の吐出およびその停止の制御とは、制御部１１によっ
て行われる。

【００２３】また、回転軸１の中空部の内周面と処理液
供給管５との間の空間に気体供給路７が形成され、その
先端部を気体噴出口８とし、保持部材３に保持されたウ
エハＷの裏面とスピンベース２の上面との間の空間９に
窒素ガスのようなパージガスとなる気体を供給するよう
に構成されている。この気体供給路７は、気体供給源４
５に連通されており、この気体供給路５の途中には開閉
弁４５が設けられている。この開閉弁４５はウエハＷの
裏面への窒素ガス噴出量を制御する。そして、窒素ガス
は気体供給源４５から気体供給路７を通して、気体噴出
部８からウエハＷの裏面へ供給される。開閉弁４６の開
閉制御、すなわち気体噴出口８からの噴出量の調節制御
は、制御部１１によって行われる。

【００２４】処理液供給管５の先端部には、傘型の遮断
部材５０が着脱自在に取り付けられていて、この遮断部
材５０の上端中央部が処理液吐出部６となる。遮断部材
５０は、気体噴出口８の上方を覆うようなフランジ部５
１を備えており、フランジ部５１の上面は、処理液吐出
部６の周縁部からフランジ５１の周縁部へと下降するよ
うに傾斜されている。

【００２５】気体噴出口８から噴出された窒素ガスは、
遮断部材５０のフランジ部５１とスピンベース２の上面
との間の隙間から、保持部材３に保持されたウエハＷの
裏面とスピンベース２の上面との間の空間９に供給され
るので、ウエハＷの回転中心付近に窒素ガスが供給され
にくいことも考えられる。そこで、気体噴出口８から噴
出される窒素ガスの噴出方向をウエハＷの裏面の回転中
心付近に調節する調節孔（図示せず）を遮断部材５０の
フランジ部５１に形成している。これにより、気体噴出
口８から噴出された窒素ガスは、上述した隙間と調節孔
とから空間９へ供給されることになる。

【００２６】なお、制御部１１は モータ１０、モータ
１２、駆動機構１３、開閉弁２３、３４、４２、４４、
４６等を制御して、後述するようにウエハＷに対して、
エッチング処理、洗浄処理および乾燥処理等を含む基板
処理を行う。

【００２７】次に、本発明の一実施形態に係る基板処理
装置のエッチング処理、洗浄処理および乾燥処理等を含
む基板処理動作を説明する。図２は、基板処理装置の基
板処理動作を示すフローチャートを示す図である。

【００２８】まず、図示しない基板搬送機構によって基
板処理装置内にウエハＷを搬入して、保持部材３にウエ
ハＷを載置することにより、保持部材３はウエハを保持
する（ステップＳ１）。このとき、雰囲気遮断部材２０
はスピンベース２の上方に待避した状態である。次に、
制御部１１がモータ１０を制御してスピンベース２を１
００ｒｐｍ〜１５００ｒｐｍの回転数で回転させること
により、ウエハＷの回転を開始する（ステップＳ２）。
ウエハＷの回転に伴い、制御部１１が駆動機構１３を制
御して、待避状態にある雰囲気遮蔽部材２０を下降させ
る（ステップＳ３）。なお、図３（Ａ）に示す状態が、
雰囲気遮蔽部材２０を下降させたときの状態であり、こ
のとき雰囲気遮蔽部材２０の下面とウエハＷの表面との
距離は、０．５ｍｍ〜１０．０ｍｍにする。なぜなら、
０．５ｍｍ未満の距離にすると、雰囲気遮蔽部材２０の
下面がウエハＷの表面に近づきすぎてウエハＷの表面の
薄膜に悪影響を及ぼし、また、１０．０ｍｍを超えたの
距離にすると、雰囲気遮蔽部材２０の効果がなくなって
しまうからである。

【００２９】制御部１０はモータ１２を制御して、雰囲
気遮蔽部材２０をスピンベース２の回転数と略同じ範囲
の回転数、すなわち１００ｒｐｍ〜１５００ｒｐｍの回
転数で回転させる（ステップＳ４）。次に、制御部１１
は気体供給路３１に設けられた開閉弁３４を開状態にし
て、気体噴出口３２からウエハＷの表面の回転中心付近
への窒素ガスの供給を開始する（ステップＳ５）。供給
された窒素ガスは、雰囲気遮蔽部材２０とウエハＷの回
転に伴って、雰囲気遮蔽部材２０の下面とウエハＷの表
面との間のウエハＷの回転中心付近から外周端部へと流
れていく。

【００３０】この状態で、制御部１１は開閉弁４２を開
状態に制御して、処理液吐出部６からウエハＷの裏面の
回転中心付近にエッチング液を供給してエッチング処理
を行う（ステップＳ６）。供給されたエッチング液は、
ウエハＷの回転に伴って、スピンベース２の上面とウエ
ハＷの裏面との間の空間９をウエハＷの裏面の回転中心
付近から外周端部へと流れていく。さらに、ウエハＷの
外周端部から外側に出た一部のエッチング液は、スピン
ベース２の回転に伴って、保持部材３に保持されたウエ
ハＷの位置よりやや上昇する。しかし、雰囲気遮蔽部材
２０も回転しており、また窒素ガスが雰囲気遮蔽部材２
０の下面とウエハＷの表面との間のウエハＷの回転中心
付近から外周端部へと流れているので、エッチング液
は、雰囲気遮蔽部材２０の下面とウエハＷの表面との間
に入り込むことなく、図３（Ｂ）の矢印Ｂに示すような
流れをし、ウエハＷの裏面およびウエハＷの表面端部の
薄膜のみが除去される。所定の期間エッチング処理が行
われると、制御部１１は開閉弁４２を閉状態にして、エ
ッチング処理を終了する。

【００３１】ウエハＷのエッチング処理が終了すると、
制御部１１は開閉弁２３と開閉弁４４とを開状態にし
て、ウエハＷの表裏面の洗浄処理を行う（ステップＳ
７）。まず、開閉弁２３が開状態になると、洗浄液吐出
部３０からウエハＷの表面の回転中心付近へ純水が供給
される。供給された純水は、雰囲気遮蔽部材２０とウエ
ハＷの回転に伴って、雰囲気遮蔽部材２０の下面とウエ
ハＷの表面との間のウエハＷの回転中心付近から外周端
部へと流れていく。これにより、ウエハＷの表面の洗浄
処理が行われる。また、開閉弁４４の開状態になると、
処理液吐出口６からウエハＷの裏面の回転中心付近へ純
水が供給される。供給された純水は、スピンベース２と
ウエハＷの回転に伴って、スピンベース２の上面とウエ
ハＷの裏面との間の空間９のウエハＷの回転中心付近か
ら外周端部へと流れていく。これにより、ウエハＷの裏
面の洗浄処理が行われる。所定の期間洗浄処理が行われ
ると、制御部１１は開閉弁２３と開閉弁４４を閉状態に
して、洗浄処理を終了する。

【００３２】ウエハＷの洗浄処理が終了すると、制御部
１１は気体供給路７に設けられた開閉弁４６を開状態に
して、気体噴出口８からウエハＷの裏面の回転中心付近
へフランジ５１とスピンベース２の上面との隙間、およ
び図示しない調節孔を通して窒素ガスを供給する。供給
された窒素ガスは、雰囲気遮蔽部材２０とウエハＷの回
転に伴って、雰囲気遮蔽部材２０の下面とウエハＷの表
面との間のウエハＷの回転中心付近から外周端部へと流
れていく。このとき、上述したステップＳ５からウエハ
Ｗの表面の回転中心付近にも窒素ガスが供給されて続け
ているので、ウエハＷの表裏面に窒素ガスが供給されて
いる状態となり、ウエハＷの回転も伴って、ウエハＷの
表裏面の乾燥処理が行われる（ステップＳ８）。所定の
期間乾燥処理が行われると、制御部１１は開閉弁３４、
４６を閉状態にして（ステップＳ９）、ウエハＷの乾燥
処理を終了する。

【００３３】ウエハＷの乾燥処理が終了すると、制御部
１１はモータ１２を制御して雰囲気遮蔽部材２０の回転
を停止させる（ステップＳ１０）。雰囲気遮蔽部材２０
の回転停止に伴い、制御部１１が駆動機構１３を制御し
て、雰囲気遮蔽部材２０を上昇させる（ステップＳ１
１）。次に、制御部１１はモータ１１を制御して、スピ
ンベース２の回転を停止させることにより、ウエハＷの
回転を停止する（ステップＳ１２）。最後に、保持部材
３に保持されたウエハＷを基板搬送機構により基板処理
装置外へ搬出する（ステップＳ１３）。以上によって、
基板処理装置の一連の基板処理動作が終了する。

【００３４】本発明に係る基板処理装置においては、ウ
エハＷの裏面の回転中心付近にエッチング液を供給して
エッチング処理を行っている際に、ウエハＷの外周端部
から外側に出たエッチング液は、スピンベース２の回転
に伴って、保持部材３に保持されたウエハＷの位置より
やや上昇するが、スピンベース２の回転と同時に、雰囲
気遮蔽部材２０を回転させているので、エッチング液
は、雰囲気遮蔽部材２０の下面とウエハＷの表面との間
に入り込むことなく、ウエハＷの裏面およびウエハＷの
表面端部の薄膜のみ除去することができる。

【００３５】また、エッチング処理を行う際には、気体
噴出口３２からウエハＷの表面の回転中心付近に供給さ
れた窒素ガスは、雰囲気遮蔽部材２０とウエハＷの回転
に伴って、雰囲気遮蔽部材２０の下面とウエハＷの表面
との間のウエハＷの回転中心付近から外周端部へと流れ
ていく。この窒素ガスの流れによって、雰囲気遮蔽部材
２０の下面とウエハＷの表面との間へのエッチング液の
入り込みを防止できる。

【００３６】さらに、雰囲気遮蔽部材２０は、駆動機構
１３によってスピンベース２の保持部材３に保持された
ウエハＷに対して上下方向に移動可能であるので、ウエ
ハＷの回転数の変更等の他の条件変更に対応させて雰囲
気遮蔽部材２０の下面とウエハＷの表面との距離を変更
すれば、ウエハＷの回転数にかかわらず、ウエハＷの裏
面および表面端部の薄膜の除去を確実に行うことができ
る。特に、エッチング処理を行っている際の雰囲気遮蔽
部材２０の下面とウエハＷの表面との距離を０．５ｍｍ
〜１０．０ｍｍの状態にしておけば、ウエハＷの裏面お
よび表面端部の薄膜の除去をさらに確実に行うことがで
きる。

【００３７】なお、雰囲気遮蔽部材２０を回転させなが
ら気体噴出口３２からウエハＷの表面中心に窒素ガスを
供給し、ウエハＷの裏面の回転中心付近にエッチング液
を供給してエッチング処理を行っているだけなので、エ
ッチング処理にかかる処理時間は従来の基板処理装置で
採用されていた方法に比べて短くてすむ。

【００３８】また、ウエハＷを洗浄する洗浄処理工程を
ステップＳ６、ウエハＷの裏面および表面端部の薄膜を
除去するエッチング処理工程をステップＳ７といったよ
うに別々の工程で行っているので、洗浄液としての純水
とエッチング液との分離回収を行えば、エッチング液の
再利用が可能となる。

【００３９】上述した実施形態では、スピンベース２の
回転数と雰囲気遮蔽部材２０の回転数を１００ｒｐｍ〜
１５００ｒｐｍの範囲に設定したがこの範囲に限るもの
ではない。また、ステップＳ６のエッチング処理、ステ
ップＳ７の洗浄処理およびステップＳ８の乾燥処理で、
それぞれスピンベース２の回転数と雰囲気遮蔽部材２０
の回転数を変更させてもよい。

【００４０】

【発明の効果】請求項１に記載の基板処理装置によれ
ば、エッチング液供給手段が基板保持手段に保持された
基板の裏面にエッチング液を供給している際に、基板の
表面と所定の間隔離れた回転部材を回転させているの
で、エッチング液は基板の裏面および基板の表面端部の
みに供給される結果、基板の裏面および基板の表面端部
のみ薄膜を除去できる。また、エッチング処理を含む基
板処理時間を短縮し、かつエッチング液の回収が可能
で、確実に基板の裏面あるいは端部に形成された薄膜を
除去できる。

【００４１】請求項２に記載の基板処理装置によれば、
基板保持手段に保持された基板の表面と回転部材の対向
面との間に気体供給手段によって窒素ガス等のパージガ
スとしての気体が供給されているので、この気体によっ
て回転部材の下面と基板の表面との間へのエッチング液
の入り込みを防止できる。

【００４２】請求項３に記載の基板処理装置によれば、
第３駆動手段によって基板保持手段と回転部材とを相対
的に移動させて、基板保持手段に保持された基板の表面
と回転部材の対向面との距離を可変させれば、基板の回
転数等の他の条件変更にかかわらず、基板の裏面および
表面端部の薄膜を除去できる。

【００４３】請求項４に記載の基板処理装置によれば、
エッチング液供給手段によりエッチング液を基板の裏面
に供給している際に、基板保持手段に保持された基板の
表面と回転部材の対向面との距離を０．５ｍｍ〜1．０
ｍｍの範囲にしているので、基板の裏面および表面端部
の薄膜の除去をさらに確実に行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態に係る基板処理装置の全体
構成を示す縦断面図である。

【図２】基板処理装置の基板処理動作を示すフローチャ
ートを示す図である。

【図３】基板処理装置の基板処理動作におけるウエハの
エッチング状況を説明する図である。

【符号の説明】

２ スピンベース ３ 保持部材 ５ 処理液供給管 ５Ａ エッチング液供給管 ５Ｂ 洗浄液供給管 ６ 処理液吐出部 １０ モータ １２ モータ １３ 駆動機構 ２０ 雰囲気遮蔽部材 ３１ 気体供給管 ３２ 気体噴出口 ３３ 気体供給管 ３４ 開閉弁 ４１ エッチング液供給源 ４２ 開閉弁 Ｗ ウエハ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5F043 CC16 DD30 EE07 EE08 EE27 EE35 EE40 5F046 LA02 LA06

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板に所定の処理を行う基板処理装置であ
   って、 表面に薄膜が形成された基板を保持する基板保持手段
   と、 前記基板保持手段を回転させる第１駆動手段と、 前記基板保持手段に保持された基板の表面に対向する対
   向面を有し、かつ基板の表面と所定の間隔離れた状態で
   回転可能な回転部材と、 前記回転部材を回転させる第２駆動手段と、 前記基板保持手段に保持された基板の裏面にエッチング
   液を供給するエッチング液供給手段と、 を備えたことを特徴とする基板処理装置。
2. 【請求項２】請求項１に記載の基板処理装置であって、 前記基板保持手段に保持された基板の表面と前記回転部
   材の対向面との間に気体を供給する気体供給手段をさら
   に備えたことを特徴とする基板処理装置。
3. 【請求項３】請求項１または請求項２のいずれかに記載
   の基板処理装置であって、 前記基板保持手段と前記回転部材とを相対的に移動させ
   て、前記基板保持手段に保持された基板の表面と前記回
   転部材の対向面との距離を可変させる第３駆動手段をさ
   らに備えたことを特徴とする基板処理装置。
4. 【請求項４】請求項１ないし請求項３のいずれかに記載
   の基板処理装置であって、 前記エッチング液供給手段によりエッチング液を基板の
   裏面に供給している際には、前記基板保持手段に保持さ
   れた基板の表面と前記回転部材の対向面との距離は０．
   ５ｍｍ〜１０．０ｍｍの範囲であることを特徴とする基
   板処理装置。