JP2003109935A - 基板周縁処理装置および基板周縁処理方法 - Google Patents
基板周縁処理装置および基板周縁処理方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】基板周縁部に表面処理液による良好な表面処理
を施す。 【解決手段】遮断板５の下面５３には、ほぼ中心に中央
気体吐出口５３１が形成され、バキュームチャック２に
保持されたウエハＷの周縁部に対向する円環状の領域内
に複数の周縁気体吐出口５３２が形成されている。ウエ
ハＷの下面周縁部にエッジリンスノズル３からエッチン
グ液が供給されている間、遮断板５の下面５３の中央気
体吐出口５３１および周縁気体吐出口５３２からウエハ
Ｗの上面に向けて窒素ガスが吐出される。これにより、
ウエハＷの上面中央部のデバイス形成領域にエッチング
液が流れ込むのを防止しつつ、ウエハＷの下面から上面
に回り込むエッチング液により、ウエハＷの下面周縁
部、端面および上面周縁部に形成された金属薄膜を除去
することができる。
を施す。 【解決手段】遮断板５の下面５３には、ほぼ中心に中央
気体吐出口５３１が形成され、バキュームチャック２に
保持されたウエハＷの周縁部に対向する円環状の領域内
に複数の周縁気体吐出口５３２が形成されている。ウエ
ハＷの下面周縁部にエッジリンスノズル３からエッチン
グ液が供給されている間、遮断板５の下面５３の中央気
体吐出口５３１および周縁気体吐出口５３２からウエハ
Ｗの上面に向けて窒素ガスが吐出される。これにより、
ウエハＷの上面中央部のデバイス形成領域にエッチング
液が流れ込むのを防止しつつ、ウエハＷの下面から上面
に回り込むエッチング液により、ウエハＷの下面周縁
部、端面および上面周縁部に形成された金属薄膜を除去
することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、基板の周縁部を
表面処理するための装置および方法に関する。各種基板
には、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、ＰＤ
Ｐ（プラズマ・ディスプレイ・パネル用ガラス基板など
が含まれる。
表面処理するための装置および方法に関する。各種基板
には、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、ＰＤ
Ｐ（プラズマ・ディスプレイ・パネル用ガラス基板など
が含まれる。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造工程においては、半導
体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）のデバイス
形成面、非デバイス形成面および端面の全域に銅薄膜な
どの金属薄膜を形成した後、この金属薄膜の不要部分を
エッチング除去する処理が行われる場合がある。たとえ
ば、配線形成のための銅薄膜はウエハのデバイス形成面
のデバイス形成領域に形成されていればよく、デバイス
形成面の周縁部（たとえば、ウエハの周縁から幅３mm程
度の部分）、非デバイス形成面および端面に形成された
銅薄膜は不要となるから、この不要な銅薄膜を除去する
処理が行われる。
体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）のデバイス
形成面、非デバイス形成面および端面の全域に銅薄膜な
どの金属薄膜を形成した後、この金属薄膜の不要部分を
エッチング除去する処理が行われる場合がある。たとえ
ば、配線形成のための銅薄膜はウエハのデバイス形成面
のデバイス形成領域に形成されていればよく、デバイス
形成面の周縁部（たとえば、ウエハの周縁から幅３mm程
度の部分）、非デバイス形成面および端面に形成された
銅薄膜は不要となるから、この不要な銅薄膜を除去する
処理が行われる。
【０００３】また、ウエハのデバイス形成面に金属薄膜
が選択的に形成された場合であっても、デバイス形成面
の金属薄膜を形成した領域以外の領域やウエハの端面お
よび非デバイス形成面に付着した金属イオンを除去する
処理が行われる場合がある。たとえば、ウエハのデバイ
ス形成面の周縁部に形成されている金属薄膜を除去する
装置は、ウエハをほぼ水平に保持した状態で回転するス
ピンチャックと、このスピンチャックに保持されている
ウエハの上面（デバイス形成面）の周縁部に向けてエッ
チング液を吐出するエッジリンスノズルと、スピンチャ
ックに保持されたウエハの上面のほぼ中心に純水を供給
するための純水ノズルとを備えている。
が選択的に形成された場合であっても、デバイス形成面
の金属薄膜を形成した領域以外の領域やウエハの端面お
よび非デバイス形成面に付着した金属イオンを除去する
処理が行われる場合がある。たとえば、ウエハのデバイ
ス形成面の周縁部に形成されている金属薄膜を除去する
装置は、ウエハをほぼ水平に保持した状態で回転するス
ピンチャックと、このスピンチャックに保持されている
ウエハの上面（デバイス形成面）の周縁部に向けてエッ
チング液を吐出するエッジリンスノズルと、スピンチャ
ックに保持されたウエハの上面のほぼ中心に純水を供給
するための純水ノズルとを備えている。
【０００４】金属薄膜を除去する際には、スピンチャッ
クによってウエハが回転され、その回転しているウエハ
の上面の周縁部に向けてエッジリンスノズルからエッチ
ング液が吐出される。エッジリンスノズルからエッチン
グ液が吐出されている間、純水ノズルからウエハの上面
の中心に向けて純水が供給される。これにより、ウエハ
の上面の中央部の領域（デバイス形成領域）は純水に覆
われた状態となり、エッジリンスノズルからウエハの上
面に供給されたエッチング液は、ウエハの上面の中央部
から周縁に向けて流れる純水により押し流される。した
がって、ウエハの上面中央部のデバイス形成領域に向け
てエッチング液のミストが飛散しても、そのエッチング
液のミストは、デバイス形成領域上に形成された金属薄
膜に直に付着するおそれがない。ゆえに、デバイス形成
領域の金属薄膜がエッチング液による腐食を受けるおそ
れがない。
クによってウエハが回転され、その回転しているウエハ
の上面の周縁部に向けてエッジリンスノズルからエッチ
ング液が吐出される。エッジリンスノズルからエッチン
グ液が吐出されている間、純水ノズルからウエハの上面
の中心に向けて純水が供給される。これにより、ウエハ
の上面の中央部の領域（デバイス形成領域）は純水に覆
われた状態となり、エッジリンスノズルからウエハの上
面に供給されたエッチング液は、ウエハの上面の中央部
から周縁に向けて流れる純水により押し流される。した
がって、ウエハの上面中央部のデバイス形成領域に向け
てエッチング液のミストが飛散しても、そのエッチング
液のミストは、デバイス形成領域上に形成された金属薄
膜に直に付着するおそれがない。ゆえに、デバイス形成
領域の金属薄膜がエッチング液による腐食を受けるおそ
れがない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上述の従来
装置では、ウエハの上面の純水で覆われたデバイス形成
領域とエッチング液によって金属薄膜が除去される領域
との境界付近において、エッチング液が純水で希釈され
るために金属薄膜が良好に除去されず、ウエハの表面に
残る金属薄膜の端面が下方に向けて広がる傾斜面となる
という問題があった。
装置では、ウエハの上面の純水で覆われたデバイス形成
領域とエッチング液によって金属薄膜が除去される領域
との境界付近において、エッチング液が純水で希釈され
るために金属薄膜が良好に除去されず、ウエハの表面に
残る金属薄膜の端面が下方に向けて広がる傾斜面となる
という問題があった。
【０００６】そこで、この発明の目的は、上述の技術的
課題を解決し、基板の周縁部に表面処理液による表面処
理を良好に施すことができる基板周縁処理装置および基
板周縁処理方法を提供することである。
課題を解決し、基板の周縁部に表面処理液による表面処
理を良好に施すことができる基板周縁処理装置および基
板周縁処理方法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段および発明の効果】上記の
目的を達成するための請求項１記載の発明は、表面処理
液を用いて基板（Ｗ）の周縁部を表面処理する基板周縁
処理装置であって、基板の下面を吸着して基板をほぼ水
平に保持する基板吸着保持手段（２）と、この基板吸着
保持手段に保持された基板の下面の周縁部に表面処理液
を供給する表面処理液供給手段（３）と、上記基板吸着
保持手段に保持された基板の上面にほぼ平行に対向する
基板対向面（５３）を有し、この基板対向面の基板の周
縁部に対応する環状の領域内に設けられた気体吐出口
（５３２；５３３）から、基板の上面の周縁部に向けて
気体を供給する気体供給機構（５）とを含むことを特徴
とする基板周縁処理装置である。
目的を達成するための請求項１記載の発明は、表面処理
液を用いて基板（Ｗ）の周縁部を表面処理する基板周縁
処理装置であって、基板の下面を吸着して基板をほぼ水
平に保持する基板吸着保持手段（２）と、この基板吸着
保持手段に保持された基板の下面の周縁部に表面処理液
を供給する表面処理液供給手段（３）と、上記基板吸着
保持手段に保持された基板の上面にほぼ平行に対向する
基板対向面（５３）を有し、この基板対向面の基板の周
縁部に対応する環状の領域内に設けられた気体吐出口
（５３２；５３３）から、基板の上面の周縁部に向けて
気体を供給する気体供給機構（５）とを含むことを特徴
とする基板周縁処理装置である。
【０００８】括弧内の英数字は、後述の実施形態におけ
る対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
この発明によれば、たとえば、基板吸着保持手段に保持
された基板の下面周縁部に表面処理液を供給しつつ、そ
の基板の上面の周縁部に向けて気体吐出口から気体を供
給して、基板の下面から上面への表面処理液の回り込み
量を制御することにより、基板の周縁部に表面処理液に
よる表面処理を施すことができる。
る対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
この発明によれば、たとえば、基板吸着保持手段に保持
された基板の下面周縁部に表面処理液を供給しつつ、そ
の基板の上面の周縁部に向けて気体吐出口から気体を供
給して、基板の下面から上面への表面処理液の回り込み
量を制御することにより、基板の周縁部に表面処理液に
よる表面処理を施すことができる。
【０００９】また、基板の上面中央部を純水で保護する
構成とは異なり、基板の上面の中央部と表面処理液によ
る表面処理を施すべき周縁部との境界付近で表面処理液
が希釈されるといったことがないから、基板の上面周縁
部に対して良好な表面処理を施すことができる。しか
も、表面処理液が希釈されていないから、表面処理液を
再利用することができ、この再利用によって、表面処理
液の消費量の低減を図ることができる。
構成とは異なり、基板の上面の中央部と表面処理液によ
る表面処理を施すべき周縁部との境界付近で表面処理液
が希釈されるといったことがないから、基板の上面周縁
部に対して良好な表面処理を施すことができる。しか
も、表面処理液が希釈されていないから、表面処理液を
再利用することができ、この再利用によって、表面処理
液の消費量の低減を図ることができる。
【００１０】表面処理液を再利用する場合、請求項９に
記載のように、上記基板吸着保持手段の側方を取り囲む
ように設けられて、基板から飛散する表面処理液を捕獲
するための処理液捕獲手段（４）をさらに含むことが好
ましい。この処理液捕獲手段を備えることにより、基板
から飛散する表面処理液を捕獲することができ、この捕
獲した表面処理液を再利用に供することができる。上記
気体吐出口は、請求項２に記載のように、上記環状の領
域に沿って形成された長穴であって、上記環状の領域内
に複数設けられていてもよい。さらに請求項３に記載の
ように、上記気体吐出口は、上記環状の領域内に複数設
けられていて、これらの複数の気体吐出口は、上記環状
の領域に沿った複数の列をなしていて、互いに隣接する
列で千鳥配置となるように設けられていてもよい。
記載のように、上記基板吸着保持手段の側方を取り囲む
ように設けられて、基板から飛散する表面処理液を捕獲
するための処理液捕獲手段（４）をさらに含むことが好
ましい。この処理液捕獲手段を備えることにより、基板
から飛散する表面処理液を捕獲することができ、この捕
獲した表面処理液を再利用に供することができる。上記
気体吐出口は、請求項２に記載のように、上記環状の領
域に沿って形成された長穴であって、上記環状の領域内
に複数設けられていてもよい。さらに請求項３に記載の
ように、上記気体吐出口は、上記環状の領域内に複数設
けられていて、これらの複数の気体吐出口は、上記環状
の領域に沿った複数の列をなしていて、互いに隣接する
列で千鳥配置となるように設けられていてもよい。
【００１１】また、請求項５に記載のように、上記気体
供給機構の基板対向面は、基板よりも大きなサイズに形
成されていてもよい。さらにまた、請求項６に記載のよ
うに、上記気体供給機構は、ほぼ円錐形状の外形を有し
ているものであってもよく、この場合、請求項７に記載
のように、上記気体供給機構の円錐面（５５）に洗浄液
を供給する洗浄液供給手段（６１）をさらに含むことが
好ましい。洗浄液供給手段を備えたことにより、気体供
給機構の円錐面を洗浄液で洗浄することができる。ゆえ
に、円錐面に付着した表面処理液のミストが乾燥して結
晶化することを防止でき、表面処理液の結晶による基板
の汚染を防止することができる。さらに、請求項８に記
載のように、上記気体供給機構の円錐面（５５）に向け
てガスを供給するガス供給手段（６２）をさらに含むこ
とが好ましい。ガス供給手段を備えたことにより、気体
供給機構の円錐面に付着した洗浄液を除去して乾燥させ
ることができる。ゆえに、表面処理液の結晶による基板
の汚染をさらに防止することができる。さらに、上記気
体供給機構の円錐面に向けて供給されたガスは、装置内
に広がって装置内の雰囲気を清浄に維持することができ
る。
供給機構の基板対向面は、基板よりも大きなサイズに形
成されていてもよい。さらにまた、請求項６に記載のよ
うに、上記気体供給機構は、ほぼ円錐形状の外形を有し
ているものであってもよく、この場合、請求項７に記載
のように、上記気体供給機構の円錐面（５５）に洗浄液
を供給する洗浄液供給手段（６１）をさらに含むことが
好ましい。洗浄液供給手段を備えたことにより、気体供
給機構の円錐面を洗浄液で洗浄することができる。ゆえ
に、円錐面に付着した表面処理液のミストが乾燥して結
晶化することを防止でき、表面処理液の結晶による基板
の汚染を防止することができる。さらに、請求項８に記
載のように、上記気体供給機構の円錐面（５５）に向け
てガスを供給するガス供給手段（６２）をさらに含むこ
とが好ましい。ガス供給手段を備えたことにより、気体
供給機構の円錐面に付着した洗浄液を除去して乾燥させ
ることができる。ゆえに、表面処理液の結晶による基板
の汚染をさらに防止することができる。さらに、上記気
体供給機構の円錐面に向けて供給されたガスは、装置内
に広がって装置内の雰囲気を清浄に維持することができ
る。
【００１２】また、請求項１０に記載のように、上記気
体供給機構は、上記表面処理液供給手段によって基板の
下面の周縁部に表面処理液が供給されている間、基板対
向面が基板の上面に２mm以下の間隔を空けた近接位置に
配置されるものであってもよい。さらに、請求項１１に
記載のように、上記基板吸着保持手段は、上記表面処理
液供給手段によって基板の下面の周縁部に表面処理液が
供給されている間、当該基板を５０〜５００rpmの回転
速度で回転させる基板回転手段（２４）を含むものであ
ってもよい。
体供給機構は、上記表面処理液供給手段によって基板の
下面の周縁部に表面処理液が供給されている間、基板対
向面が基板の上面に２mm以下の間隔を空けた近接位置に
配置されるものであってもよい。さらに、請求項１１に
記載のように、上記基板吸着保持手段は、上記表面処理
液供給手段によって基板の下面の周縁部に表面処理液が
供給されている間、当該基板を５０〜５００rpmの回転
速度で回転させる基板回転手段（２４）を含むものであ
ってもよい。
【００１３】請求項４記載の発明は、上記気体供給機構
の基板対向面には、ほぼ中心に、基板の上面の中央部に
向けて気体を吐出する中央気体吐出口（５３１）がさら
に形成されていることを特徴とする請求項１ないし３の
いずれかに記載の基板周縁処理装置である。この発明に
よれば、基板の上面と基板対向面との間に気体を供給す
ることができ、基板の上面中央部を気体で覆うことがで
きる。これにより、基板の上面中央部が表面処理液で侵
されるのを良好に防止することができる。
の基板対向面には、ほぼ中心に、基板の上面の中央部に
向けて気体を吐出する中央気体吐出口（５３１）がさら
に形成されていることを特徴とする請求項１ないし３の
いずれかに記載の基板周縁処理装置である。この発明に
よれば、基板の上面と基板対向面との間に気体を供給す
ることができ、基板の上面中央部を気体で覆うことがで
きる。これにより、基板の上面中央部が表面処理液で侵
されるのを良好に防止することができる。
【００１４】請求項１２記載の発明は、表面処理液を用
いて基板（Ｗ）の周縁部を表面処理する方法であって、
基板の下面を吸着して基板をほぼ水平に保持する基板吸
着保持工程と、この基板吸着保持手段に保持された基板
の下面の周縁部に表面処理液を供給する表面処理液供給
工程と、上記基板吸着保持手段に保持された基板の上面
の周縁部に向けて気体を供給する気体供給工程とを含む
ことを特徴とする基板周縁処理方法である。
いて基板（Ｗ）の周縁部を表面処理する方法であって、
基板の下面を吸着して基板をほぼ水平に保持する基板吸
着保持工程と、この基板吸着保持手段に保持された基板
の下面の周縁部に表面処理液を供給する表面処理液供給
工程と、上記基板吸着保持手段に保持された基板の上面
の周縁部に向けて気体を供給する気体供給工程とを含む
ことを特徴とする基板周縁処理方法である。
【００１５】この方法によれば、請求項１に関連して述
べた効果と同様な効果を達成することができる。
べた効果と同様な効果を達成することができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下では、この発明の実施の形態
を、添付図面を参照して詳細に説明する。図１は、この
発明の一実施形態に係る基板周縁処理装置の構成を具体
的に示す断面図である。この基板周縁処理装置は、ほぼ
円形の基板であるウエハＷの周縁部および端面に形成さ
れている不要な金属薄膜（たとえば、銅薄膜）をエッチ
ング液によって除去するための装置である。
を、添付図面を参照して詳細に説明する。図１は、この
発明の一実施形態に係る基板周縁処理装置の構成を具体
的に示す断面図である。この基板周縁処理装置は、ほぼ
円形の基板であるウエハＷの周縁部および端面に形成さ
れている不要な金属薄膜（たとえば、銅薄膜）をエッチ
ング液によって除去するための装置である。
【００１７】この基板周縁処理装置は、処理室１内に、
バキュームチャック２を備えている。バキュームチャッ
ク２は、ほぼ鉛直に配置されたチャック軸２１と、この
チャック軸２１の上端にほぼ水平に固定された円板状の
吸着ベース２２とを含む。チャック軸２１は、たとえ
ば、円筒状に形成されることによって吸気路２３を内部
に有しており、この吸気路２３の上端は、吸着ベース２
２の内部に形成された吸着路を介して、吸着ベース２２
の上面に形成された吸着口に連通されている。また、チ
ャック軸２１には、モータなどを含む回転駆動機構２４
から回転力が入力されるようになっている。
バキュームチャック２を備えている。バキュームチャッ
ク２は、ほぼ鉛直に配置されたチャック軸２１と、この
チャック軸２１の上端にほぼ水平に固定された円板状の
吸着ベース２２とを含む。チャック軸２１は、たとえ
ば、円筒状に形成されることによって吸気路２３を内部
に有しており、この吸気路２３の上端は、吸着ベース２
２の内部に形成された吸着路を介して、吸着ベース２２
の上面に形成された吸着口に連通されている。また、チ
ャック軸２１には、モータなどを含む回転駆動機構２４
から回転力が入力されるようになっている。
【００１８】これにより、バキュームチャック２は、吸
着ベース２２上にウエハＷがデバイス形成面を上方に向
けて載置された状態で、吸気路２３の内部を排気するこ
とにより、ウエハＷの非デバイス形成面（下面）を真空
吸着してほぼ水平に保持することができる。そして、こ
の状態で回転駆動機構２４からチャック軸２１に回転力
を入力することにより、吸着ベース２２に吸着保持した
ウエハＷを、そのほぼ中心を通る鉛直軸線（チャック軸
２１の中心軸線）まわりにほぼ水平な面内で回転させる
ことができる。
着ベース２２上にウエハＷがデバイス形成面を上方に向
けて載置された状態で、吸気路２３の内部を排気するこ
とにより、ウエハＷの非デバイス形成面（下面）を真空
吸着してほぼ水平に保持することができる。そして、こ
の状態で回転駆動機構２４からチャック軸２１に回転力
を入力することにより、吸着ベース２２に吸着保持した
ウエハＷを、そのほぼ中心を通る鉛直軸線（チャック軸
２１の中心軸線）まわりにほぼ水平な面内で回転させる
ことができる。
【００１９】バキュームチャック２の側方には、バキュ
ームチャック２に保持されたウエハＷの下面周縁部にエ
ッチング液を供給するためのエッジリンスノズル３が配
置されている。エッジリンスノズル３には、図示しない
エッチング液供給源から延びたエッチング液配管３１が
接続されており、このエッチング液配管３４１の途中部
に介装された図示しないバルブを開閉することによっ
て、エッジリンスノズル３の先端の吐出口からウエハＷ
の下面周縁部にエッチングを供給したり、そのエッチン
グ液の供給を停止したりすることができるようになって
いる。
ームチャック２に保持されたウエハＷの下面周縁部にエ
ッチング液を供給するためのエッジリンスノズル３が配
置されている。エッジリンスノズル３には、図示しない
エッチング液供給源から延びたエッチング液配管３１が
接続されており、このエッチング液配管３４１の途中部
に介装された図示しないバルブを開閉することによっ
て、エッジリンスノズル３の先端の吐出口からウエハＷ
の下面周縁部にエッチングを供給したり、そのエッチン
グ液の供給を停止したりすることができるようになって
いる。
【００２０】エッジリンスノズル３からウエハＷの下面
周縁部にエッチング液が供給されている間、回転駆動機
構２４からチャック軸２１に回転力が入力されて、ウエ
ハＷは所定の回転方向にほぼ一定の回転速度で回転され
る。これにより、ウエハＷの下面周縁部に供給されたエ
ッチング液は、ウエハＷの下面を伝って周縁に向かって
流れる。ウエハＷの周縁に至ったエッチング液は、その
一部がウエハＷの端面を伝って上面へと回り込み、残り
はウエハＷの周縁から側方へと飛散する。
周縁部にエッチング液が供給されている間、回転駆動機
構２４からチャック軸２１に回転力が入力されて、ウエ
ハＷは所定の回転方向にほぼ一定の回転速度で回転され
る。これにより、ウエハＷの下面周縁部に供給されたエ
ッチング液は、ウエハＷの下面を伝って周縁に向かって
流れる。ウエハＷの周縁に至ったエッチング液は、その
一部がウエハＷの端面を伝って上面へと回り込み、残り
はウエハＷの周縁から側方へと飛散する。
【００２１】なお、ウエハＷの回転速度は、５０〜５０
０rpmの範囲内で設定されるとよく、好ましくは１００
〜２００rpmの範囲内で設定されるとよい。このウエハ
Ｗの周縁から側方へ飛散するエッチング液を捕獲するた
めに、バキュームチャック２の周囲を取り囲むようにエ
ッチング液捕獲壁４が形成されている。エッチング液捕
獲壁４は、ウエハＷの回転軸線に対してほぼ回転対称の
形状を有しており、バキュームチャック２に保持された
ウエハＷの端面に対向する上方部の内面は、ウエハＷの
回転軸線に対向するように開いた断面く字状のエッチン
グ液捕獲部４１となっている。ウエハＷの周縁から側方
に飛散したエッチング液は、エッチング液捕獲部４１に
捕獲され、このエッチング液捕獲部４１からエッチング
液捕獲壁４の内面を伝って下方へ流れる。そして、エッ
チング液捕獲壁４の最下部まで流下したエッチング液
は、図示しない回収ラインへと流れ込んで回収されるよ
うになっている。
０rpmの範囲内で設定されるとよく、好ましくは１００
〜２００rpmの範囲内で設定されるとよい。このウエハ
Ｗの周縁から側方へ飛散するエッチング液を捕獲するた
めに、バキュームチャック２の周囲を取り囲むようにエ
ッチング液捕獲壁４が形成されている。エッチング液捕
獲壁４は、ウエハＷの回転軸線に対してほぼ回転対称の
形状を有しており、バキュームチャック２に保持された
ウエハＷの端面に対向する上方部の内面は、ウエハＷの
回転軸線に対向するように開いた断面く字状のエッチン
グ液捕獲部４１となっている。ウエハＷの周縁から側方
に飛散したエッチング液は、エッチング液捕獲部４１に
捕獲され、このエッチング液捕獲部４１からエッチング
液捕獲壁４の内面を伝って下方へ流れる。そして、エッ
チング液捕獲壁４の最下部まで流下したエッチング液
は、図示しない回収ラインへと流れ込んで回収されるよ
うになっている。
【００２２】一方、バキュームチャック２の上方には、
ほぼ円錐形状の外形を有する遮断板５が配置されてい
る。遮断板５は、アーム５１の先端に固定された取付ブ
ロック５２に、下面５３（基板対向面）がバキュームチ
ャック２に保持されたウエハＷの上面とほぼ平行をなし
て対向するように取り付けられている。また、アーム５
１に関連して、遮断板５を昇降させるための昇降駆動機
構５６が設けられており、この昇降駆動機構５６によっ
て、バキュームチャック２に対するウエハＷの搬入出時
には、遮断板５が上方に大きく上昇され、ウエハＷに対
する処理時には、ウエハＷの上面に微小な間隔（好まし
くは、２．０mm以下）を空けた近接した位置まで下降さ
れる。
ほぼ円錐形状の外形を有する遮断板５が配置されてい
る。遮断板５は、アーム５１の先端に固定された取付ブ
ロック５２に、下面５３（基板対向面）がバキュームチ
ャック２に保持されたウエハＷの上面とほぼ平行をなし
て対向するように取り付けられている。また、アーム５
１に関連して、遮断板５を昇降させるための昇降駆動機
構５６が設けられており、この昇降駆動機構５６によっ
て、バキュームチャック２に対するウエハＷの搬入出時
には、遮断板５が上方に大きく上昇され、ウエハＷに対
する処理時には、ウエハＷの上面に微小な間隔（好まし
くは、２．０mm以下）を空けた近接した位置まで下降さ
れる。
【００２３】遮断板５の内部は、中空となっており、こ
の遮断板５の内部空間には、取付ブロック５２に形成さ
れた窒素ガス供給路５２１と連通してる。窒素ガス供給
路５２１には、図示しない窒素ガス供給源から延びた窒
素ガス供給管５４が接続されていて、遮断板５の内部空
間には、窒素ガス供給管５４を流れてくる窒素ガスが窒
素ガス供給路５２１を通して供給されるようになってい
る。また、遮断板５の下面５３には、ほぼ中心にたとえ
ば円形の中央気体吐出口５３１が形成され、バキューム
チャック２に保持されたウエハＷの周縁部に対向する円
環状の領域内に、複数の周縁気体吐出口５３２が形成さ
れている。複数の周縁気体吐出口５３２は、図２に示す
ように、下面５３の周縁に沿った円弧状の長穴であっ
て、ウエハＷの周縁部に対向する円環状の領域に沿って
２列に形成されている。そして、内側（下面５３の中心
側）形成された周縁気体吐出口５３２と外側（下面５３
の周縁側）に形成された周縁気体吐出口５３２とは、下
面５３の周方向にずれて、いわゆる千鳥状に並んでい
る。
の遮断板５の内部空間には、取付ブロック５２に形成さ
れた窒素ガス供給路５２１と連通してる。窒素ガス供給
路５２１には、図示しない窒素ガス供給源から延びた窒
素ガス供給管５４が接続されていて、遮断板５の内部空
間には、窒素ガス供給管５４を流れてくる窒素ガスが窒
素ガス供給路５２１を通して供給されるようになってい
る。また、遮断板５の下面５３には、ほぼ中心にたとえ
ば円形の中央気体吐出口５３１が形成され、バキューム
チャック２に保持されたウエハＷの周縁部に対向する円
環状の領域内に、複数の周縁気体吐出口５３２が形成さ
れている。複数の周縁気体吐出口５３２は、図２に示す
ように、下面５３の周縁に沿った円弧状の長穴であっ
て、ウエハＷの周縁部に対向する円環状の領域に沿って
２列に形成されている。そして、内側（下面５３の中心
側）形成された周縁気体吐出口５３２と外側（下面５３
の周縁側）に形成された周縁気体吐出口５３２とは、下
面５３の周方向にずれて、いわゆる千鳥状に並んでい
る。
【００２４】バキュームチャック２に保持されて回転し
ているウエハＷの下面周縁部にエッジリンスノズル３か
らエッチング液が供給されている間、窒素ガス供給管５
４を流れてくる窒素ガスが、窒素ガス供給路５２１を通
して遮断板５の内部空間に供給される。そして、この遮
断板５の内部空間に供給された窒素ガスは、下面５３に
形成された中央気体吐出口５３１および周縁気体吐出口
５３２からウエハＷの上面に向けて吐出される。これに
より、ウエハＷの下面から上面へと回り込むエッチング
液は、ウエハＷの上面の周縁から中心に向けて所定幅だ
け入り込んだところで、周縁気体吐出口５３２から吐出
される窒素ガスにより、その所定幅の周縁部領域よりも
内方の領域に流れ込むことが阻止される。また、上記所
定幅の周縁部領域よりも内方の領域（デバイス形成領
域）は、中央気体吐出口５３１から吐出される窒素ガス
により満たされている。したがって、ウエハＷの上面中
央部のデバイス形成領域にエッチング液が流れ込むおそ
れがなく、デバイス形成領域にエッチング液によるダメ
ージを与えることなく、ウエハＷの下面周縁部から端面
を伝って上面に回り込むエッチング液により、ウエハＷ
の下面周縁部、端面および上面周縁部に形成された金属
薄膜を除去することができる。
ているウエハＷの下面周縁部にエッジリンスノズル３か
らエッチング液が供給されている間、窒素ガス供給管５
４を流れてくる窒素ガスが、窒素ガス供給路５２１を通
して遮断板５の内部空間に供給される。そして、この遮
断板５の内部空間に供給された窒素ガスは、下面５３に
形成された中央気体吐出口５３１および周縁気体吐出口
５３２からウエハＷの上面に向けて吐出される。これに
より、ウエハＷの下面から上面へと回り込むエッチング
液は、ウエハＷの上面の周縁から中心に向けて所定幅だ
け入り込んだところで、周縁気体吐出口５３２から吐出
される窒素ガスにより、その所定幅の周縁部領域よりも
内方の領域に流れ込むことが阻止される。また、上記所
定幅の周縁部領域よりも内方の領域（デバイス形成領
域）は、中央気体吐出口５３１から吐出される窒素ガス
により満たされている。したがって、ウエハＷの上面中
央部のデバイス形成領域にエッチング液が流れ込むおそ
れがなく、デバイス形成領域にエッチング液によるダメ
ージを与えることなく、ウエハＷの下面周縁部から端面
を伝って上面に回り込むエッチング液により、ウエハＷ
の下面周縁部、端面および上面周縁部に形成された金属
薄膜を除去することができる。
【００２５】また、ウエハＷの上面中央部のデバイス形
成領域を純水で保護する構成とは異なり、ウエハＷの上
面のデバイス形成領域と周縁部領域との境界付近でエッ
チング液が希釈されるといったことがないから、ウエハ
Ｗの上面周縁部の金属薄膜を良好に除去することがで
き、ウエハＷの上面にほぼ直交した端面を有する金属薄
膜が残されたウエハＷを得ることができる。さらに、エ
ッチング液が希釈されていないから、ウエハＷから飛散
してエッチング液捕獲壁４に捕獲されたエッチング液を
再利用することができ、エッチング液を再利用すること
により、エッチング液の消費量を著しく低減することが
できる。
成領域を純水で保護する構成とは異なり、ウエハＷの上
面のデバイス形成領域と周縁部領域との境界付近でエッ
チング液が希釈されるといったことがないから、ウエハ
Ｗの上面周縁部の金属薄膜を良好に除去することがで
き、ウエハＷの上面にほぼ直交した端面を有する金属薄
膜が残されたウエハＷを得ることができる。さらに、エ
ッチング液が希釈されていないから、ウエハＷから飛散
してエッチング液捕獲壁４に捕獲されたエッチング液を
再利用することができ、エッチング液を再利用すること
により、エッチング液の消費量を著しく低減することが
できる。
【００２６】さらにまた、この実施形態では、処理室１
の天面に、遮断板５の円錐面５５に洗浄液を供給するた
めの２つの遮断板洗浄ノズル６１、および遮断板５の円
錐面５５に向けて窒素ガスなどの不活性ガスを供給する
ためのガスノズル６２が取り付けられている。そして、
所定枚数のウエハＷに対して処理を行う度に、遮断板洗
浄ノズル６１から遮断板５の円錐面５５に洗浄液を供給
して、その円錐面５５を洗浄液で洗浄する処理が行われ
るようになっている。これにより、遮断板５の円錐面５
５に付着したエッチング液のミストが乾燥して結晶化す
ることを防止でき、エッチング液の結晶によるウエハＷ
の汚染を防止することができる。
の天面に、遮断板５の円錐面５５に洗浄液を供給するた
めの２つの遮断板洗浄ノズル６１、および遮断板５の円
錐面５５に向けて窒素ガスなどの不活性ガスを供給する
ためのガスノズル６２が取り付けられている。そして、
所定枚数のウエハＷに対して処理を行う度に、遮断板洗
浄ノズル６１から遮断板５の円錐面５５に洗浄液を供給
して、その円錐面５５を洗浄液で洗浄する処理が行われ
るようになっている。これにより、遮断板５の円錐面５
５に付着したエッチング液のミストが乾燥して結晶化す
ることを防止でき、エッチング液の結晶によるウエハＷ
の汚染を防止することができる。
【００２７】なお、ガス供給ノズル６２からの不活性ガ
スは、常時、円錐面５５に向けて供給されている。ま
た、この不活性ガスの作用により、円錐面５５上の洗浄
液を除去し、乾燥させることができるとともに、処理室
１内の雰囲気をクリーンな状態に維持することができ
る。以上、この発明の一実施形態を説明したが、この発
明は他の形態で実施することもできる。たとえば、上述
の実施形態では、遮断板５の下面５３に形成されている
周縁気体吐出口５３２は、円弧状の長穴であるとした
が、図３に示すように、ほぼ円形の小さな開口であって
もよい。すなわち、遮断板５の下面５３には、ほぼ中心
にたとえば円形の中央気体吐出口５３１が形成され、ウ
エハＷの周縁部に対応する円環状の領域内に、ほぼ円形
の小さな開口からなる周縁気体吐出口５３３が形成され
ていてもよい。
スは、常時、円錐面５５に向けて供給されている。ま
た、この不活性ガスの作用により、円錐面５５上の洗浄
液を除去し、乾燥させることができるとともに、処理室
１内の雰囲気をクリーンな状態に維持することができ
る。以上、この発明の一実施形態を説明したが、この発
明は他の形態で実施することもできる。たとえば、上述
の実施形態では、遮断板５の下面５３に形成されている
周縁気体吐出口５３２は、円弧状の長穴であるとした
が、図３に示すように、ほぼ円形の小さな開口であって
もよい。すなわち、遮断板５の下面５３には、ほぼ中心
にたとえば円形の中央気体吐出口５３１が形成され、ウ
エハＷの周縁部に対応する円環状の領域内に、ほぼ円形
の小さな開口からなる周縁気体吐出口５３３が形成され
ていてもよい。
【００２８】また、エッチング液捕獲壁４の上方部の内
面には、ウエハＷの回転軸線に対向するように開いた断
面く字状のエッチング液捕獲部４１が形成されていると
したが、エッチング液捕獲壁４の形状は変更可能であ
り、エッチング液捕獲壁４は、たとえば、図４に示すよ
うに、上端部がバキュームチャック２（図１参照）に保
持されたウエハＷの端面に向かってほぼ水平に延びた断
面逆Ｌ字状に形成されて、その内面上端部がウエハＷの
下面とほぼ同一平面上に含まれるように配置されていて
もよい。この構成によっても、ウエハＷの下面周縁から
側方に飛散するエッチング液をエッチング液捕獲壁４で
良好に捕獲することができる。
面には、ウエハＷの回転軸線に対向するように開いた断
面く字状のエッチング液捕獲部４１が形成されていると
したが、エッチング液捕獲壁４の形状は変更可能であ
り、エッチング液捕獲壁４は、たとえば、図４に示すよ
うに、上端部がバキュームチャック２（図１参照）に保
持されたウエハＷの端面に向かってほぼ水平に延びた断
面逆Ｌ字状に形成されて、その内面上端部がウエハＷの
下面とほぼ同一平面上に含まれるように配置されていて
もよい。この構成によっても、ウエハＷの下面周縁から
側方に飛散するエッチング液をエッチング液捕獲壁４で
良好に捕獲することができる。
【００２９】さらに、上述の実施形態では、ウエハＷの
上面に窒素ガスを供給するとしたが、窒素ガスに限ら
ず、たとえば、ヘリウムガスやアルゴンガスなどの他の
不活性ガスを供給するようにしてもよい。また、上述の
実施形態では、ウエハＷに対する表面処理の一例とし
て、ウエハＷの周縁部に形成された金属薄膜をエッチン
グ液で除去する処理を取り上げたが、ウエハＷに対する
表面処理は、ウエハＷの周縁部を洗浄液で洗浄する周縁
部洗浄処理であってもよい。
上面に窒素ガスを供給するとしたが、窒素ガスに限ら
ず、たとえば、ヘリウムガスやアルゴンガスなどの他の
不活性ガスを供給するようにしてもよい。また、上述の
実施形態では、ウエハＷに対する表面処理の一例とし
て、ウエハＷの周縁部に形成された金属薄膜をエッチン
グ液で除去する処理を取り上げたが、ウエハＷに対する
表面処理は、ウエハＷの周縁部を洗浄液で洗浄する周縁
部洗浄処理であってもよい。
【００３０】さらにまた、処理対象の基板は、ウエハＷ
に限らず、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディプ
レイパネル用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板な
どの他の種類の基板であってもよい。その他、特許請求
の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施す
ことが可能である。
に限らず、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディプ
レイパネル用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板な
どの他の種類の基板であってもよい。その他、特許請求
の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施す
ことが可能である。
【図１】この発明の一実施形態に係る基板周縁処理装置
の構成を具体的に示す断面図である。
の構成を具体的に示す断面図である。
【図２】遮断板（気体供給機構）の下面の構成を示す図
である。
である。
【図３】遮断板の下面の他の構成を示す図である。
【図４】エッチング液捕獲壁の他の形状について説明す
るための図である。
るための図である。
１ 処理室
２ バキュームチャック
２４ 回転駆動機構
３ エッジリンスノズル
３１ エッチング液配管
４ エッチング液捕獲壁
４１ エッチング液捕獲部
５ 遮断板
５３ 下面
５５ 円錐面
５３１ 中央気体吐出口
５３２ 周縁気体吐出口
５３３ 周縁気体吐出口
６１ 遮断板洗浄ノズル
６２ ガスノズル
Ｗ ウエハ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｇ０２Ｆ 1/1333 ５００ Ｈ０１Ｌ 21/304 ６４３Ｚ ５Ｆ０４３
Ｈ０１Ｌ 21/304 ６４３ 21/306 Ｊ
Ｆ
Ｆターム(参考） 2H088 FA21 FA23 FA30 HA01 HA02
MA20
2H090 JB02 JC19 LA01
3B116 AA02 AA03 AB33 AB47 BB22
CC01 CD31
3B201 AA02 AA03 AB33 AB47 BB22
BB38 BB92 BB93 BB99 CC01
CD31
4G059 AA08 AB19 AC30
5F043 AA22 EE07 EE08 EE21
Claims (12)
- 【請求項１】表面処理液を用いて基板の周縁部を表面処
理する基板周縁処理装置であって、 基板の下面を吸着して基板をほぼ水平に保持する基板吸
着保持手段と、 この基板吸着保持手段に保持された基板の下面の周縁部
に表面処理液を供給する表面処理液供給手段と、 上記基板吸着保持手段に保持された基板の上面にほぼ平
行に対向する基板対向面を有し、この基板対向面の基板
の周縁部に対応する環状の領域内に設けられた気体吐出
口から、基板の上面の周縁部に向けて気体を供給する気
体供給機構とを含むことを特徴とする基板周縁処理装
置。 - 【請求項２】上記気体吐出口は、上記環状の領域に沿っ
て形成された長穴であって、上記環状の領域内に複数設
けられていることを特徴とする請求項１記載の基板周縁
処理装置。 - 【請求項３】上記気体吐出口は、上記環状の領域内に複
数設けられていて、 これらの複数の気体吐出口は、上記環状の領域に沿った
複数の列をなしていて、互いに隣接する列で千鳥配置と
なるように設けられていることを特徴とする請求項１ま
たは２記載の基板周縁処理装置。 - 【請求項４】上記気体供給機構の基板対向面には、ほぼ
中心に、基板の上面の中央部に向けて気体を吐出する中
央気体吐出口がさらに形成されていることを特徴とする
請求項１ないし３のいずれかに記載の基板周縁処理装
置。 - 【請求項５】上記気体供給機構の基板対向面は、基板よ
りも大きなサイズに形成されていることを特徴とする請
求項１ないし４のいずれかに記載の基板周縁処理装置。 - 【請求項６】上記気体供給機構は、ほぼ円錐形状の外形
を有しているものであることを特徴とする請求項１ない
し５のいずれかに記載の基板周縁処理装置。 - 【請求項７】上記気体供給機構の円錐面に洗浄液を供給
する洗浄液供給手段をさらに含むことを特徴とする請求
項６記載の基板周縁処理装置。 - 【請求項８】上記気体供給機構の円錐面に向けてガスを
供給するガス供給手段をさらに含むことを特徴とする請
求項７記載の基板周縁処理装置。 - 【請求項９】上記基板吸着保持手段の側方を取り囲むよ
うに設けられて、基板から飛散する表面処理液を捕獲す
るための処理液捕獲手段をさらに含むことを特徴とする
請求項１ないし８のいずれかに記載の基板周縁処理装
置。 - 【請求項１０】上記気体供給機構は、上記表面処理液供
給手段によって基板の下面の周縁部に表面処理液が供給
されている間、基板対向面が基板の上面に２mm以下の間
隔を空けた近接位置に配置されるものであることを特徴
とする請求項１ないし９のいずれかに記載の基板周縁処
理装置。 - 【請求項１１】上記基板吸着保持手段は、上記表面処理
液供給手段によって基板の下面の周縁部に表面処理液が
供給されている間、当該基板を５０〜５００rpmの回転
速度で回転させる基板回転手段を含むものであることを
特徴とする請求項１ないし１０のいずれかに記載の基板
周縁処理装置。 - 【請求項１２】表面処理液を用いて基板の周縁部を表面
処理する方法であって、 基板の下面を吸着して基板をほぼ水平に保持する基板吸
着保持工程と、 この基板吸着保持手段に保持された基板の下面の周縁部
に表面処理液を供給する表面処理液供給工程と、 上記基板吸着保持手段に保持された基板の上面の周縁部
に向けて気体を供給する気体供給工程とを含むことを特
徴とする基板周縁処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001302479A JP3749848B2 (ja) | 2001-09-28 | 2001-09-28 | 基板周縁処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001302479A JP3749848B2 (ja) | 2001-09-28 | 2001-09-28 | 基板周縁処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003109935A true JP2003109935A (ja) | 2003-04-11 |
| JP3749848B2 JP3749848B2 (ja) | 2006-03-01 |
Family
ID=19122713
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001302479A Expired - Fee Related JP3749848B2 (ja) | 2001-09-28 | 2001-09-28 | 基板周縁処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3749848B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100696955B1 (ko) | 2004-10-28 | 2007-03-20 | 주식회사 하이닉스반도체 | 웨이퍼 에지의 베벨 식각 장치 및 그를 이용한 베벨 식각방법 |
| JP2008523632A (ja) * | 2004-12-13 | 2008-07-03 | ヴァリアン セミコンダクター エキップメント アソシエイツ，インク． | 裏面汚染物粒子を減少させるための技術 |
| US7608152B2 (en) * | 2004-06-14 | 2009-10-27 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and method |
| US7913706B2 (en) | 2007-08-07 | 2011-03-29 | Fsi International, Inc. | Rinsing methodologies for barrier plate and venturi containment systems in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids, and related apparatuses |
| KR101037467B1 (ko) * | 2007-10-31 | 2011-05-26 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 제조 장치 및 이를 이용한 반도체 소자의제조 방법 |
| US8387635B2 (en) * | 2006-07-07 | 2013-03-05 | Tel Fsi, Inc. | Barrier structure and nozzle device for use in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids |
| US8656936B2 (en) | 2005-04-01 | 2014-02-25 | Tel Fsi, Inc. | Barrier structure and nozzle device for use in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids |
| US8684015B2 (en) | 2008-05-09 | 2014-04-01 | Tel Fsi, Inc. | Tools and methods for processing microelectronic workpieces using process chamber designs that easily transition between open and closed modes of operation |
-
2001
- 2001-09-28 JP JP2001302479A patent/JP3749848B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7608152B2 (en) * | 2004-06-14 | 2009-10-27 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and method |
| KR100696955B1 (ko) | 2004-10-28 | 2007-03-20 | 주식회사 하이닉스반도체 | 웨이퍼 에지의 베벨 식각 장치 및 그를 이용한 베벨 식각방법 |
| JP2008523632A (ja) * | 2004-12-13 | 2008-07-03 | ヴァリアン セミコンダクター エキップメント アソシエイツ，インク． | 裏面汚染物粒子を減少させるための技術 |
| US8899248B2 (en) | 2005-04-01 | 2014-12-02 | Tel Fsi, Inc. | Barrier structure and nozzle device for use in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids |
| US8656936B2 (en) | 2005-04-01 | 2014-02-25 | Tel Fsi, Inc. | Barrier structure and nozzle device for use in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids |
| US9666456B2 (en) | 2006-07-07 | 2017-05-30 | Tel Fsi, Inc. | Method and apparatus for treating a workpiece with arrays of nozzles |
| US8978675B2 (en) | 2006-07-07 | 2015-03-17 | Tel Fsi, Inc. | Method and apparatus for treating a workpiece with arrays of nozzles |
| US8387635B2 (en) * | 2006-07-07 | 2013-03-05 | Tel Fsi, Inc. | Barrier structure and nozzle device for use in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids |
| US8668778B2 (en) | 2006-07-07 | 2014-03-11 | Tel Fsi, Inc. | Method of removing liquid from a barrier structure |
| US8967167B2 (en) | 2006-07-07 | 2015-03-03 | Tel Fsi, Inc. | Barrier structure and nozzle device for use in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids |
| US7913706B2 (en) | 2007-08-07 | 2011-03-29 | Fsi International, Inc. | Rinsing methodologies for barrier plate and venturi containment systems in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids, and related apparatuses |
| CN101802975B (zh) * | 2007-08-07 | 2012-10-03 | Fsi国际公司 | 在用于通过一种或多种处理流体来处理微电子工件的工具中的阻挡板和文氏管容纳系统的漂洗方法以及相关装置 |
| KR101037467B1 (ko) * | 2007-10-31 | 2011-05-26 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 제조 장치 및 이를 이용한 반도체 소자의제조 방법 |
| US8684015B2 (en) | 2008-05-09 | 2014-04-01 | Tel Fsi, Inc. | Tools and methods for processing microelectronic workpieces using process chamber designs that easily transition between open and closed modes of operation |
| US9039840B2 (en) | 2008-05-09 | 2015-05-26 | Tel Fsi, Inc. | Tools and methods for processing microelectronic workpieces using process chamber designs that easily transition between open and closed modes of operation |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3749848B2 (ja) | 2006-03-01 |
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