JP2008523632A - 裏面汚染物粒子を減少させるための技術 - Google Patents
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Abstract
本願明細書では、裏面汚染物粒子を減少させる技術が開示されている。
【解決手段】
ある1つの特定の例示的実施形態において、この技術は、裏面汚染物粒子を減少させる装置として実現することが可能である。すなわち、上記裏面汚染物粒子(Backside Particles(BSP’s))を減少させる装置は、加工室に収納された平面板へ洗浄物質を供給する洗浄物質送出メカニズムを有している。更にこの裏面汚染物粒子を減少させる装置は、制御装置とで構成され、この制御装置は、前記加工室を第1の圧力レベルに調整し;前記平面板の表面に前記洗浄物質を供給し;そして前記加工室を第2の圧力レベルに調整すると共に、これにより前記洗浄物質と共に汚染物粒子を前記平面板の表面から除去するように構成されたことを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
追加的サブシステム50は、複数種類の洗浄物質(例えば洗浄物質1、洗浄物質2および洗浄物質3)の一つ以上の供給源で構成されている。これらの洗浄物質の供給源は、オン/オフ動作弁518およびパイプライン517を介して、二方弁514に連結されている。この二方弁514を使用して、追加的サブシステム50は、冷却ガスのための既存設備を利用することが出来る。この追加的サブシステム50は、ガス冷却装置のための制御モジュール(図示せず)に連結できる制御装置515から、更に構成してもよい。バルブ508および516と共に制御装置515は、サブシステム50の弁514および518を制御することができ、それによって平面板502への洗浄物質または冷却ガスのいずれかの流れを制御することが出来る。
Claims (35)
- 裏面汚染物粒子(Backside Particles(BSP’s))を減少させる装置において:
加工室に収納された平面板へ洗浄物質を供給する洗浄物質送出メカニズムと;そして、
制御装置とで構成された裏面汚染物粒子を減少させる装置であり、前記制御装置が:
前記加工室を第1の圧力レベルに調整し;
前記平面板の表面に前記洗浄物質を供給し;そして
前記加工室を第2の圧力レベルに調整すると共に、これにより前記洗浄物質と共に汚染物粒子を前記平面板の表面から除去するように構成されたことを特徴とする裏面汚染物粒子を減少させる装置。 - 前記加工室を前記第2の圧力レベルに調整することにより、少なくとも一部の前記洗浄物質を昇華させ、これにより前記平面板の表面から汚染物粒子を除去するように構成されたことを特徴とする請求項1記載の裏面汚染物粒子を減少させる装置。
- 前記平面板が、複合表面コーティングを有する静電クランプで構成されたことを特徴とする請求項1記載の裏面汚染物粒子を減少させる装置。
- 更に前記平面板へクリーンなウエハを載置し、そして前記平面板からクリーンなウエハを降ろす各動作を行なうウエハ積み降ろしメカニズムを有し、これにより前記平面板の表面から前記汚染物粒子を除去するように構成されたことを特徴とする請求項1記載の裏面汚染物粒子を減少させる装置。
- 前記洗浄物質送出メカニズムが、ノズルと駆動アセンブリとを有し;
前記駆動アセンブリが、前記ノズルを前記平面板の表面近傍へ配置するようにし;そして、
前記制御装置が、前記ノズルで前記平面板の表面へ、前記洗浄物質をスプレーするように構成されたことを特徴とする請求項1記載の裏面汚染物粒子を減少させる装置。 - 前記ノズルが、連接構造を有するように構成されたことを特徴とする請求項5記載の裏面汚染物粒子を減少させる装置。
- 前記ノズルが、前記平面板の表面の略6インチ上部空間に配置されるように構成されたことを特徴とする請求項5記載の裏面汚染物粒子を減少させる装置。
- 前記制御装置が、前記駆動アセンブリにより、前記平面板の表面の全体にわたり前記ノズルを掃くように動かし、これにより前記平面板の表面全体にわたり前記洗浄物質を均一にコーティングさせるように構成されたことを特徴とする請求項5記載の裏面汚染物粒子を減少させる装置。
- 前記制御装置が、前記駆動アセンブリにより、前記ノズルに対して相対的に前記平面板の表面を掃くように動かし、これにより前記平面板の表面全体にわたり前記洗浄物質を均一にコーティングさせるように構成されたことを特徴とする請求項5記載の裏面汚染物粒子を減少させる装置。
- 前記裏面汚染物粒子を減少させる装置において:
前記洗浄物質が、脱イオン水であり;そして
前記平面板の表面を前記脱イオン水の液滴で覆うために、前記平面板の表面上に前記脱イオン水の霧がスプレーされるように構成されたことを特徴とする請求項1記載の裏面汚染物粒子を減少させる装置。 - 前記裏面汚染物粒子を減少させる装置において:
前記洗浄物質が、二酸化炭素であり;そして
前記平面板の表面には雪状の二酸化炭素がスプレーされ、前記雪状の二酸化炭素が、固体二酸化炭素粒子で構成されていることを特徴とする請求項1記載の裏面汚染物粒子を減少させる装置。 - 前記裏面汚染物粒子を減少させる装置において:
前記洗浄物質が、イオンガスであり;そして
帯電している粒子を電気的に中和するために、前記平面板の表面上に前記イオンガスがスプレーされるように構成されたことを特徴とする請求項1記載の裏面汚染物粒子を減少させる装置。 - 前記洗浄物質送出メカニズムが、前記平面板の表面の上部空間に位置する平坦部材を含み、当該平坦部材と前記平面板の表面との隙間により前記洗浄物質が前記平面板の表面全体に広がるような短い距離間隔となるように構成されたことを特徴とする請求項1記載の裏面汚染物粒子を減少させる装置。
- 前記平坦部材が、前記平面板の表面から略0.02-0.5mm上部空間に配置されるように構成されたことを特徴とする請求項10記載の裏面汚染物粒子を減少させる装置。
- 前記平坦部材が、半導体ウエハと類似の形状を有するように構成されたことを特徴とする請求項10記載の裏面汚染物粒子を減少させる装置。
- 前記平坦部材が、半導体ウエハであり、当該半導体ウエハの裏面が、前記平面板の表面と共に洗浄されるように構成されたことを特徴とする請求項10記載の裏面汚染物粒子を減少させる装置。
- 前記少なくとも一部の洗浄物質送出メカニズムが、前記平面板に冷却剤を供給するように構成されたことを特徴とする請求項10記載の裏面汚染物粒子を減少させる装置。
- 前記洗浄物質が、DI水(脱イオン化された水)、アルコール、二酸化炭素、イオン化された乾燥空気、およびイオン化された乾燥窒素、から選択した1又は複数個の洗浄物質であるように構成されたことを特徴とする請求項1記載の裏面汚染物粒子を減少させる装置。
- 前記第2の圧力レベルが、前記第1の圧力レベルより実質的に低くなるように構成されたことを特徴とする請求項1記載の裏面汚染物粒子を減少させる装置。
- 前記裏面汚染物粒子を減少させる装置の少なくとも一部分が、加工室内に取り付けられているように構成されたことを特徴とする請求項1記載の裏面汚染物粒子を減少させる装置。
- 前記裏面汚染物粒子を減少させる装置の少なくとも一部分が、加工室外に取り付けられているように構成されたことを特徴とする請求項1記載の裏面汚染物粒子を減少させる装置。
- 裏面汚染物粒子(Backside Particles(BSP’s))を減少させる方法において:
平面板を加工室内に位置させるステップと;
前記加工室を第1の圧力レベルに加圧するステップと;
前記平面板の表面に洗浄物質を供給するステップと;そして
前記加工室を第2の圧力レベルに調整するステップ、とで構成し、これにより前記平面板の表面から洗浄物質と共に汚染物粒子を除去するように構成されたことを特徴とする裏面汚染物粒子を減少させる方法。 - 前記加工室を前記第2の圧力レベルに調整することにより、少なくとも一部の前記洗浄物質を昇華させ、これにより前記平面板の表面から汚染物粒子を除去するように構成されたことを特徴とする請求項22記載の裏面汚染物粒子を減少させる方法。
- 前記平面板が、複合表面コーティングを有する静電クランプで構成されたことを特徴とする請求項22記載の裏面汚染物粒子を減少させる方法。
- 更に前記平面板へクリーンなウエハを載置し、そして前記平面板からクリーンなウエハを降ろす各動作を行ない、これにより前記平面板の表面から前記汚染物粒子を除去するように構成されたことを特徴とする請求項22記載の裏面汚染物粒子を減少させる方法。
- 更に、前記平面板の表面の全体にわたり前記洗浄物質をスプレーするステップを有し、これにより前記平面板の表面全体にわたり前記洗浄物質を均一にコーティングさせるように構成されたことを特徴とする請求項22記載の裏面汚染物粒子を減少させる方法。
- 前記洗浄物質が、脱イオン水であり;そして
前記平面板の表面を前記脱イオン水の液滴で覆うために、前記平面板の表面上に前記脱イオン水の霧がスプレーされるように構成されたことを特徴とする請求項22記載の裏面汚染物粒子を減少させる方法。 - 前記洗浄物質が、二酸化炭素であり;そして
前記平面板の表面には雪状の二酸化炭素がスプレーされ、前記雪状の二酸化炭素が、固体二酸化炭素粒子で構成されていることを特徴とする請求項22記載の裏面汚染物粒子を減少させる方法。 - 前記洗浄物質が、イオンガスであり;そして
前記平面板の表面上に前記イオンガスがスプレーされるように構成されたことを特徴とする請求項19記載の裏面汚染物粒子を減少させる方法。 - 更に、前記平面板の表面の上部空間に平坦部材を位置させるステップを含み、当該平坦部材と前記平面板の表面との隙間により前記洗浄物質が前記平面板の表面全体に広がるような短い距離間隔となるように構成されたことを特徴とする請求項22記載の裏面汚染物粒子を減少させる方法。
- 前記平坦部材が、前記平面板の表面から略0.02-0.5mm上部空間に配置されるように構成されたことを特徴とする請求項30記載の裏面汚染物粒子を減少させる方法。
- 前記平坦部材が、半導体ウエハと類似の形状を有するように構成されたことを特徴とする請求項30記載の裏面汚染物粒子を減少させる方法。
- 前記平坦部材が、半導体ウエハであり、当該半導体ウエハの裏面が、前記平面板の表面と共に洗浄されるように構成されたことを特徴とする請求項30記載の裏面汚染物粒子を減少させる方法。
- 前記洗浄物質が、DI水(脱イオン化された水)、アルコール、二酸化炭素、イオン化された乾燥空気、およびイオン化された乾燥窒素、から選択した1又は複数個の洗浄物質であるように構成されたことを特徴とする請求項22記載の裏面汚染物粒子を減少させる方法。
- 前記第2の圧力レベルが、前記第1の圧力レベルより実質的に低くなるように構成されたことを特徴とする請求項22記載の裏面汚染物粒子を減少させる方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US63552404P | 2004-12-13 | 2004-12-13 | |
US11/239,000 US20060124155A1 (en) | 2004-12-13 | 2005-09-30 | Technique for reducing backside particles |
PCT/US2005/044987 WO2006065778A2 (en) | 2004-12-13 | 2005-12-13 | Technique for recuding bakcside particles |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008523632A true JP2008523632A (ja) | 2008-07-03 |
JP2008523632A5 JP2008523632A5 (ja) | 2009-02-05 |
Family
ID=36582375
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007545713A Pending JP2008523632A (ja) | 2004-12-13 | 2005-12-13 | 裏面汚染物粒子を減少させるための技術 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20060124155A1 (ja) |
JP (1) | JP2008523632A (ja) |
KR (1) | KR20070095943A (ja) |
TW (1) | TW200633036A (ja) |
WO (1) | WO2006065778A2 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US20090000641A1 (en) | 2007-06-28 | 2009-01-01 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for cleaning deposition chamber parts using selective spray etch |
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- 2005-09-30 US US11/239,000 patent/US20060124155A1/en not_active Abandoned
- 2005-12-13 JP JP2007545713A patent/JP2008523632A/ja active Pending
- 2005-12-13 KR KR1020077015884A patent/KR20070095943A/ko not_active Application Discontinuation
- 2005-12-13 TW TW094144120A patent/TW200633036A/zh unknown
- 2005-12-13 WO PCT/US2005/044987 patent/WO2006065778A2/en active Application Filing
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2006065778A3 (en) | 2009-06-11 |
WO2006065778A2 (en) | 2006-06-22 |
TW200633036A (en) | 2006-09-16 |
KR20070095943A (ko) | 2007-10-01 |
US20060124155A1 (en) | 2006-06-15 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20080404 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081108 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081108 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101116 |
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