JP2008523632A5 - - Google Patents

Claims (14)

1. 裏面汚染物粒子（Backside
   Particles(BSP’s)）を減少させる方法において：
   平面板を加工室内に位置させるステップと；
   前記加工室を第1の圧力レベルに加圧するステップと；
   前記平面板の表面に洗浄物質を供給するステップと；そして
   前記加工室を第２の圧力レベルに調整するステップ、とで構成し、これにより前記平面板の表面から洗浄物質と共に汚染物粒子を除去するように構成されたことを特徴とする裏面汚染物粒子を減少させる方法。
2. 前記加工室を前記第2の圧力レベルに調整することにより、少なくとも一部の前記洗浄物質を昇華させ、これにより前記平面板の表面から汚染物粒子を除去するように構成されたことを特徴とする請求項１記載の裏面汚染物粒子を減少させる方法。
3. 前記平面板が、複合表面コーティングを有する静電クランプで構成されたことを特徴とする請求項１記載の裏面汚染物粒子を減少させる方法。
4. 更に前記平面板へクリーンなウエハを載置し、そして前記平面板からクリーンなウエハを降ろす各動作を行ない、これにより前記平面板の表面から前記汚染物粒子を除去するように構成されたことを特徴とする請求項１記載の裏面汚染物粒子を減少させる方法。
5. 更に、前記平面板の表面の全体にわたり前記洗浄物質をスプレーするステップを有し、これにより前記平面板の表面全体にわたり前記洗浄物質を均一にコーティングさせるように構成されたことを特徴とする請求項１記載の裏面汚染物粒子を減少させる方法。
6. 前記洗浄物質が、脱イオン水であり；そして
   前記平面板の表面を前記脱イオン水の液滴で覆うために、前記平面板の表面上に前記脱イオン水の霧がスプレーされるように構成されたことを特徴とする請求項１記載の裏面汚染物粒子を減少させる方法。
7. 前記洗浄物質が、二酸化炭素であり；そして
   前記平面板の表面には雪状の二酸化炭素がスプレーされ、前記雪状の二酸化炭素が、固体二酸化炭素粒子で構成されていることを特徴とする請求項１記載の裏面汚染物粒子を減少させる方法。
8. 前記洗浄物質が、イオンガスであり；そして
   前記平面板の表面上に前記イオンガスがスプレーされるように構成されたことを特徴とする請求項１記載の裏面汚染物粒子を減少させる方法。
9. 更に、前記平面板の表面の上部空間に平坦部材を位置させるステップを含み、当該平坦部材と前記平面板の表面との隙間により前記洗浄物質が前記平面板の表面全体に広がるような短い距離間隔となるように構成されたことを特徴とする請求項１記載の裏面汚染物粒子を減少させる方法。
10. 前記平坦部材が、前記平面板の表面から略0.02-0.5mm上部空間に配置されるように構成されたことを特徴とする請求項９記載の裏面汚染物粒子を減少させる方法。
11. 前記平坦部材が、半導体ウエハと類似の形状を有するように構成されたことを特徴とする請求項９記載の裏面汚染物粒子を減少させる方法。
12. 前記平坦部材が、半導体ウエハであり、当該半導体ウエハの裏面が、前記平面板の表面と共に洗浄されるように構成されたことを特徴とする請求項９記載の裏面汚染物粒子を減少させる方法。
13. 前記洗浄物質が、DI水（脱イオン化された水）、アルコール、二酸化炭素、イオン化された乾燥空気、およびイオン化された乾燥窒素、から選択した１又は複数個の洗浄物質であるように構成されたことを特徴とする請求項１記載の裏面汚染物粒子を減少させる方法。
14. 前記第2の圧力レベルが、前記第1の圧力レベルより実質的に低くなるように構成されたことを特徴とする請求項１記載の裏面汚染物粒子を減少させる方法。