WO2015022732A1 - ノズル、洗浄装置及び洗浄方法 - Google Patents

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敦 氏家
本多　祐二
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株式会社ユーテック
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    • B24C1/003—Methods for use of abrasive blasting for producing particular effects; Use of auxiliary equipment in connection with such methods using material which dissolves or changes phase after the treatment, e.g. ice, CO2

Definitions

  • the present invention is a nozzle for ejecting CO 2 particles, it relates to a cleaning apparatus and a cleaning method for cleaning the CO 2 particles.
  • FIG. 4 is a schematic diagram for explaining a conventional cleaning apparatus.
  • This cleaning apparatus includes a cylinder (not shown) containing liquefied carbon dioxide gas (liquefied CO 2 ) pressurized to 6 MPa, a nozzle 101 connected to the cylinder, and a holding mechanism (FIG. (Not shown), a duct 104 having an intake port 104a, a blower (BLOWER), and a hepa filter (HEPA FILTER).
  • the holding mechanism is a mechanism that holds the substrate 102 at a position where the surface (cleaning surface) of the substrate 102 is substantially parallel to the horizontal plane and the surface of the substrate 102 faces upward (a direction opposite to the direction of gravity).
  • the above cleaning apparatus operates as follows.
  • the pressurized liquefied CO 2 in the cylinder is supplied to the nozzle 101, and the liquefied CO 2 is blown onto the surface of the substrate 102 held by the holding mechanism with the CO 2 particles 103 ejected through the nozzle 101.
  • particles and the like attached to the substrate 102 are blown off, and the blown-off particles and the like are removed by suctioning from the suction port 104a on the side of the substrate 102 by the blower.
  • particles or the like passing through the duct 104 from the intake port 104a are captured by a hepa filter, and the gas from which the particles or the like are removed is supplied onto the substrate 102 again.
  • the nozzle 101 is made of stainless steel, and the substrate 102 is, for example, a silicon wafer or a glass substrate after lift-off in a semiconductor process.
  • Patent Document 1 A technique related to the above-described cleaning apparatus is disclosed in Patent Document 1.
  • the CO 2 particles 103 collide with the inner wall of the stainless steel nozzle 101, so that a trace amount of metal such as Fe or Cr on the inner wall of the path is obtained.
  • the CO 2 particles 103 containing the metal may be ejected. Since the silicon wafer or glass substrate is cleaned by the CO 2 particles 103, a metal such as Fe or Cr remains on the surface of the cleaned silicon wafer or glass substrate, and the silicon wafer or glass substrate is contaminated by the metal. There is.
  • the substrate 102 is held by the holding mechanism at a position where the surface (cleaning surface) of the substrate 102 faces upward and substantially parallel to the horizontal plane.
  • the particles or the like may reattach to the surface of the substrate 102.
  • particles or the like may remain on the surface of the substrate 102 after cleaning, and the cleaning effect on the surface of the substrate may be reduced.
  • the size of the substrate increases, reattachment of particles and the like is likely to occur, and the cleaning effect is likely to decrease.
  • particles or the like that have passed through the duct 104 from the air inlet 104a are removed by a hepa filter, and the gas after the removal is supplied again onto the substrate 102. Powder, burrs, and the like may re-adhere on the substrate 102. As a result, the cleaning effect on the surface of the substrate may be reduced.
  • a nozzle that ejects CO 2 particles onto a substrate A nozzle characterized in that a hard film having a Vickers hardness of Hv 1000 to 5000 is formed on the inner wall of the nozzle.
  • the hard film includes DLC, TiN, TiCrN, CrN, TiCNi, TiAlN, Al 2 O 3 , AlCrN, ZrO 2 , SiC, Cr, NiP, WC, SiO 2 , Ta 2 O 5 , SiN, and SiaAlbOcNd (sialon).
  • a nozzle comprising one selected from the group of the above.
  • the nozzle characterized in that the DLC film is formed by a plasma CVD method using a high frequency output having a frequency of 10 kHz to 1 MHz (preferably 50 kHz to 800 kHz).
  • a method of manufacturing a nozzle for ejecting CO 2 particles onto a substrate comprising forming a DLC film on the inner wall of the nozzle by a plasma CVD method using a high frequency output having a frequency of 10 kHz to 1 MHz (preferably 50 kHz to 800 kHz).
  • the nozzle is a venturi tube.
  • the holding mechanism is a mechanism for holding the substrate at a position where an angle formed by a surface opposite to the cleaning surface of the substrate and a horizontal plane is within a range of 45 ° to 180 ° (preferably 70 ° to 110 °).
  • a cleaning apparatus characterized by
  • a cleaning apparatus wherein an angle formed between a direction in which CO 2 particles are ejected from the nozzle and a cleaning surface of the substrate is in a range of 20 ° to 90 °.
  • the exhaust mechanism has an exhaust port disposed below the substrate, and an exhaust path connected to the exhaust port,
  • a holding mechanism for holding the substrate;
  • a nozzle for ejecting CO 2 particles to the substrate held by the holding mechanism;
  • a CO 2 supply mechanism for supplying pressurized CO 2 to the nozzle;
  • An exhaust mechanism disposed below the substrate held by the holding mechanism;
  • the holding mechanism is a mechanism for holding the substrate at a position where an angle formed by a surface opposite to the cleaning surface of the substrate and a horizontal plane is within a range of 45 ° to 180 ° (preferably 70 ° to 110 °).
  • the exhaust mechanism has an exhaust port disposed below the substrate, and an exhaust path connected to the exhaust port,
  • a cleaning method wherein a hard film having a Vickers hardness of Hv 1000 to 5000 is formed on the inner wall of the nozzle.
  • the hard film includes DLC, TiN, TiCrN, CrN, TiCNi, TiAlN, Al 2 O 3 , AlCrN, ZrO 2 , SiC, Cr, NiP, WC, SiO 2 , Ta 2 O 5 , SiN, and SiaAlbOcNd q (sialon).
  • a cleaning method comprising a film containing one selected from the group of
  • the hard film is a DLC film, and the hydrogen content of the DLC film is 30 atomic% or less.
  • a method for cleaning a substrate with CO 2 particles ejected from a nozzle When cleaning the substrate, the substrate is placed at a position where an angle formed by a surface opposite to the cleaning surface of the substrate and a horizontal plane is within a range of 45 ° to 180 ° (preferably 70 ° to 110 °).
  • a cleaning method characterized by arranging.
  • the present invention it is possible to suppress the occurrence of metal contamination on the cleaned surface of the substrate after cleaning due to the cutting of the inner wall of the nozzle path. Further, according to one embodiment of the present invention, it is possible to suppress a reduction in cleaning effect due to reattachment of particles or the like.
  • FIG. 2 is a view of the holding mechanism and the exhaust mechanism shown in FIG. (A) is sectional drawing of the nozzle 11 shown in FIG. 1, (B) is the figure which looked at the nozzle shown to (A) from the base end side. It is a schematic diagram for demonstrating the conventional washing
  • the cleaning apparatus includes a nozzle 11, a CO 2 supply mechanism that supplies liquefied carbon dioxide (liquefied CO 2 ) pressurized to the nozzle 11, a holding mechanism that holds the substrate 12, An exhaust mechanism is provided below the substrate 12.
  • a CO 2 supply mechanism that supplies liquefied carbon dioxide (liquefied CO 2 ) pressurized to the nozzle 11
  • a holding mechanism that holds the substrate 12
  • An exhaust mechanism is provided below the substrate 12.
  • the nozzle 11 may be a Venturi tube or a Laval nozzle.
  • the Venturi tube is a tube that applies the Venturi effect
  • the Venturi effect is an effect of increasing the flow velocity by restricting the flow of fluid
  • the Laval nozzle is in the middle of the path through which the fluid passes.
  • This is a nozzle having a narrowed pipe and a path having a shape like an hourglass, which is capable of accelerating fluid by passing through it and obtaining a supersonic speed.
  • the Venturi pipe includes a Laval nozzle.
  • the CO 2 supply mechanism has a cylinder 14 containing a liquefied carbon dioxide gas (liquefied CO 2 ) 13 pressurized to 6 MPa, and this cylinder 14 is connected to one end of a valve 16 by a pipe 15.
  • the pipe 15 may have a siphon pipe.
  • the other end of the valve 16 is connected to one end of the nozzle 11.
  • the holding mechanism includes a holding unit 17 that holds the substrate 12 and a vacuum pump 18 connected to the holding unit 17. By vacuuming with a vacuum pump 18, the substrate 12 is vacuum-sucked and held on the holding part 17.
  • An angle ⁇ 1 formed by a surface (back surface) 12 a opposite to the cleaning surface of the substrate 12 held by the holding unit 17 and the horizontal surface 20 is 90 °.
  • a heater 19 for heating the substrate 12 is disposed in the holding unit 17.
  • the cleaning surface of the substrate 12 is the angle theta 1 made of the surface 12a and the horizontal plane 20 of the opposite side is set to 90 °, it is not limited thereto, the angle theta 1 45 ° Any angle within the range of ⁇ 180 ° is acceptable.
  • the angle ⁇ 2 formed by the direction 21 in which the CO 2 particles are ejected from the nozzle 11 and the cleaning surface (surface) 12b of the substrate 12 is preferably in the range of 20 ° to 90 °.
  • the exhaust mechanism includes an exhaust port 22 a disposed below the substrate 12, an exhaust path 22 connected to the exhaust port 22 a, and an exhaust unit (for example, an exhaust pump) 23 connected to the exhaust path 22. .
  • the exhaust path 22 has a path extending below the exhaust port 22a. In the present specification, “downward” means the direction of gravity.
  • a pressure control valve 41 is disposed in the exhaust path 22, and the pressure of the exhaust by the exhaust means 23 can be controlled by the pressure control valve 41.
  • a hepa filter 42 is disposed in the exhaust path 22, and particles and the like in the exhaust are captured by the hepa filter 42, and the gas after removing the particles and the like is discharged to the outside of the chamber 27. .
  • the nozzle 11 includes a nozzle body 37, a first gasket 36, a second gasket 35, a plunger 34, a first nut 33, a gland 32, and a second gasket. It has a nut 31. Specifically, a first gasket 36, a second gasket 35, and a plunger 34 are connected to the base end side of the nozzle body 37 in this order, and the tip of the gland 32 is connected to the plunger 34. The nozzle body 37, the first gasket 36, the second gasket 35, the plunger 34, and the gland 32 are fixed by a first nut 33. A second nut 31 is attached to the base end of the gland 32. A path for passing liquefied CO 2 13 is provided inside the nozzle 11 having such a structure.
  • a hard film having a Vickers hardness of Hv 1000 to 5000 is formed on the inner wall of the nozzle 11 (the surface constituting the path for passing liquefied CO 2 13).
  • the hard film DLC (Diamond Like Carbon), TiN, TiCrN, CrN, TiCNi, TiAlN, Al 2 O 3, AlCrN, ZrO 2, SiC, Cr, NiP, WC, SiO 2, Ta 2 O 5, SiN, And a film containing one selected from the group of SiaAlbOcNd (sialon), in this embodiment, a DLC film having a hydrogen content of 30 atomic% or less is used as the hard film. By setting the hydrogen content to 30 atomic% or less, the DLC film can be made hard.
  • the DLC film preferably has a Vickers hardness of Hv 1200 to 3500.
  • the DLC film is formed on the inner wall of the nozzle 11 by a plasma CVD method using a high frequency output with a frequency of 10 kHz to 1 MHz (preferably 50 kHz to 800 kHz, more preferably 50 kHz to 500 kHz).
  • a hard DLC film can be formed by using a frequency of 10 kHz to 1 MHz.
  • the nozzle 11, the substrate 12, the holding mechanism, and the exhaust path 22 are arranged in a chamber 27.
  • the cleaning apparatus has an introduction mechanism for introducing dry air 44 or nitrogen gas into the chamber 27, and a relief valve 43 is arranged in the chamber 27.
  • dry air 44 or nitrogen gas is introduced into the chamber 27 by the introduction mechanism, and dry air or nitrogen gas is discharged to the outside of the chamber 27 by the relief valve 43, so that dry air or nitrogen is discharged.
  • the dew point is controlled to about ⁇ 20 ° C.
  • the reason for making such an atmosphere is that the CO 2 particles used for cleaning the substrate 12 are at a temperature of about ⁇ 73 ° C., so that when the CO 2 particles are blown onto the substrate 12, the substrate 12 is cooled, This is because water droplets are easily attached, so that no water droplets are attached to the substrate 12. Further, when the substrate 12 is cleaned, the substrate 12 is heated by the heater 19 to prevent water droplets from being attached to the substrate 12.
  • the substrate 12 is placed on the holding unit 17 and evacuated by the vacuum pump 18 to hold the substrate 12 on the holding unit 17 by vacuum suction. Then, the position of the substrate 12 is set so that the angle ⁇ 1 formed by the surface opposite to the surface (cleaning surface) of the substrate 12 and the horizontal surface is within a range of 45 ° to 180 ° (preferably 70 ° to 110 °). Adjust. In FIG. 1, ⁇ 1 is 90 °.
  • the inside of the chamber 27 is controlled in an atmosphere of dry air or nitrogen ( ⁇ 70 ° C. to ⁇ 100 ° C.) and the dew point is about ⁇ 20 ° C.
  • the pressurized liquefied CO 2 13 in the cylinder 14 is supplied to the nozzle 11 through the pipe 15 and the valve 16 by opening the valve 16.
  • the liquefied CO 2 13 that has flowed into the gland 32 is compressed inside the plunger 34 whose cross section becomes narrower as it flows toward the tip side, and the Venturi effect that increases the flow velocity at the orifice (most detailed) of the tip of the plunger 34.
  • the accelerated liquefied CO 2 13 is adiabatically expanded by first and second gaskets 36, 35 having a divergent cross section into CO 2 particles, and the CO 2 particles are rectified by the nozzle body 37.
  • the rectified CO 2 particles are ejected from the nozzle body 37 in a direction 21 oblique to the surface 12 b of the substrate 12.
  • the ejected CO 2 particles are sprayed on the surface 12b of the substrate 12 while being scanned as indicated by an arrow 26 shown in FIG. 2 to clean the entire surface of the substrate 12.
  • particles and the like on the surface of the substrate 12 are blown off by the CO 2 particles blown onto the surface of the substrate 12, and the blown particles and the like use the gravity as indicated by an arrow 24 while the exhaust port 22 a and the exhaust path. 22, the gas is exhausted to the outside of the chamber 27 by the exhaust means 23 through the pressure control valve 41 and the hepa filter 42.
  • the holding unit 17 is rotated by 45 ° or 90 ° as indicated by an arrow 25, whereby the substrate 12 held by the holding unit 17 is rotated by 45 ° or 90 °.
  • the entire surface of the substrate 12 is cleaned by spraying CO 2 particles while scanning the surface 12 b of the substrate 12 by the same method as described above.
  • the blown-off particles on the surface of the substrate 12 are exhausted by the exhaust means 23 through the exhaust port 22 a, the exhaust path 22, the pressure control valve 41 and the hepa filter 42 as indicated by the arrow 24.
  • the substrate 12 is repeated. Complete the surface cleaning.
  • the present embodiment since a hard film having a Vickers hardness of Hv 1000 to 5000 is formed on the inner wall of the nozzle 11, when liquefied CO 2 passes through the nozzle 11, CO 2 particles collide with the inner wall of the path of the nozzle 11. Even so, it is possible to prevent the inner wall of the route from being cut. Therefore, even when the substrate was washed 12 with CO 2 particles can be suppressed surface of the substrate 12 after cleaning is contaminated by metal. Further, the life of the nozzle 11 can be extended.
  • the position of the substrate 12 when the CO 2 particles ejected from the nozzle are blown onto the substrate 12 is formed by the surface opposite to the surface (cleaning surface) of the substrate 12 and the horizontal surface.
  • angle theta 1 is in the range of 45 ° ⁇ 180 °, the particles or the like on the surface of the substrate 12 blown exhausting from below the substrate 12 as shown by the arrow 24 gravity while using. For this reason, it is possible to prevent particles and the like from reattaching to the substrate 12.
  • the substrate 12 is disposed at a position where the angle ⁇ 1 is within the range of 45 ° to 180 °, and the exhaust path 22 and the exhaust means 23 are disposed below the substrate 12, when exhausting particles or the like, Exhaust force of the exhaust means 23 as well as gravity can be used for exhaust. As a result, after particles or the like on the substrate 12 are blown off by the CO 2 particles, the particles or the like can be prevented from reattaching to the surface of the substrate 12. Therefore, it is possible to suppress a reduction in cleaning effect due to reattachment of particles or the like.
  • the particles are reattached to the surface of the substrate 12 when the particles are exhausted. Can be suppressed.
  • the substrate 12 when the substrate 12 is cleaned by blowing the CO 2 particles ejected from the nozzle onto the substrate 12, the particles blown off from the substrate 12 are removed from the exhaust port 22a, the exhaust path 22, The exhaust gas is exhausted to the outside of the chamber 27 through the pressure control valve 41 and the hepa filter 42. For this reason, it can suppress that the fine particle etc. which cannot be captured with a hepa filter like a prior art reattach on a board

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Abstract

【課題】ノズルの経路内壁が削られることによって生ずる金属汚染が洗浄後の基板の洗浄面に発生することを抑制する。 【解決手段】本発明の一態様は、基板にＣＯ２粒子を噴出させるノズル（１１）において、前記ノズルの内壁にはＨｖ１０００～５０００のビッカース硬さを有する硬質膜が形成されていることを特徴とするノズル（１１）である。

Description

ノズル、洗浄装置及び洗浄方法
　本発明は、ＣＯ２粒子を噴出させるノズル、ＣＯ２粒子によって洗浄する洗浄装置及び洗浄方法に関する。
　図４は、従来の洗浄装置を説明するための模式図である。
　この洗浄装置は、６ＭＰａに加圧された液化炭酸ガス（液化ＣＯ２）が入れられたボンベ（図示せず）と、そのボンベに接続されたノズル１０１と、基板１０２を保持する保持機構（図示せず）と、吸気口１０４ａを備えたダクト１０４と、ブロワー(BLOWER)と、ヘパフィルター(HEPA FILTER)を有している。保持機構は、基板１０２の表面（洗浄面）が水平面とほぼ平行になり、且つ基板１０２の表面を上向き（重力方向とは逆側の方向）にした位置に基板１０２を保持する機構である。
　上記の洗浄装置は次のように稼動する。ボンベ内の加圧された液化ＣＯ２がノズル１０１に供給され、その液化ＣＯ２がノズル１０１を通って噴出されるＣＯ２粒子１０３を、保持機構によって保持された基板１０２の表面に吹きつけることで、基板１０２に付着するパーティクル等を吹き飛ばし、その吹き飛ばしたパーティクル等をブロワーによって基板１０２の横側の吸気口１０４ａから吸気することで除去する。そして、その吸気口１０４ａからダクト１０４を通ったパーティクル等はヘパフィルターで捕獲され、パーティクル等を除去した気体は再び基板１０２上に供給される。ノズル１０１はステンレス製であり、基板１０２は例えば半導体プロセスにおけるリフトオフ後のシリコンウエハまたはガラス基板である。なお、上記の洗浄装置に関連した技術が特許文献１に開示されている。
　ところで、上記従来の洗浄装置では、液化ＣＯ２がノズル１０１を通る際に、ステンレス製のノズル１０１の経路内壁にＣＯ２粒子１０３が衝突することで当該経路内壁のＦｅまたはＣｒ等の金属が微量に削られ、その金属が含まれたＣＯ２粒子１０３を噴出することがある。このＣＯ２粒子１０３によってシリコンウエハまたはガラス基板を洗浄するため、洗浄後のシリコンウエハまたはガラス基板の表面にＦｅまたはＣｒ等の金属が残存し、その金属によってシリコンウエハまたはガラス基板が汚染されることがある。
　また、上記従来の洗浄装置では、基板１０２の表面（洗浄面）を上向きで且つ水平面とほぼ平行になる位置に保持機構によって基板１０２を保持するため、その基板１０２の表面にノズル１０１から吹きつけたＣＯ２粒子１０３によって基板１０２上のパーティクル等が吹き飛ばされた後に、そのパーティクル等が基板１０２の表面に再付着することがある。そのため、洗浄後の基板１０２の表面にパーティクル等が残されてしまい、基板の表面の洗浄効果が低下することがある。特に、基板の大きさが大きくなるほど、パーティクル等の再付着が起こりやすくなり、洗浄効果が低下しやすくなる。
　また、上記従来の洗浄装置では、吸気口１０４ａからダクト１０４を通ったパーティクル等をヘパフィルターで除去し、その除去後の気体を再び基板１０２上に供給するため、ヘパフィルターで捕獲できない微小の金属粉やバリ等が基板１０２上に再付着することがある。その結果、基板の表面の洗浄効果が低下することがある。
ＵＳＰ６，０９９，３９６
　本発明の一態様は、ノズルの経路内壁が削られることによって生ずる金属汚染が洗浄後の基板の洗浄面に発生することを抑制することを課題とする。
　また、本発明の一態様は、パーティクル等の再付着による洗浄効果の低下を抑制することを課題とする。
　以下に、本発明の種々の態様について説明する。
［１］基板にＣＯ２粒子を噴出させるノズルにおいて、
　前記ノズルの内壁にはＨｖ１０００～５０００のビッカース硬さを有する硬質膜が形成されていることを特徴とするノズル。
［２］上記［１］において、
　前記硬質膜は、ＤＬＣ、ＴｉＮ、ＴｉＣｒＮ、ＣｒＮ、ＴｉＣＮｉ、ＴｉＡｌＮ、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＣｒＮ、ＺｒＯ２、ＳｉＣ、Ｃｒ、ＮｉＰ、ＷＣ、ＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＳｉＮ、及びＳｉａＡｌｂＯｃＮｄ（サイアロン）の群から選択された一つを含む膜であることを特徴とするノズル。
［３］上記［１］または［２］において、
　前記硬質膜はＤＬＣ膜であり、前記ＤＬＣ膜の水素含有量は３０原子％以下であることを特徴とするノズル。
［４］上記［３］において、
　前記ＤＬＣ膜は、周波数が１０ｋＨｚ～１ＭＨｚ（好ましくは５０ｋＨｚ～８００ｋＨｚ）の高周波出力を用いたプラズマＣＶＤ法によって成膜されていることを特徴とするノズル。
［５］上記［３］において、
　前記ＤＬＣ膜は、周波数が５０ｋＨｚ～５００ｋＨｚの高周波出力を用いたプラズマＣＶＤ法によって成膜されていることを特徴とするノズル。
［５－１］基板にＣＯ２粒子を噴出させるノズルを製造する方法において、
　前記ノズルの内壁に、周波数が１０ｋＨｚ～１ＭＨｚ（好ましくは５０ｋＨｚ～８００ｋＨｚ）の高周波出力を用いたプラズマＣＶＤ法によってＤＬＣ膜を成膜することを特徴とするノズルの製造方法。
［６］上記［１］乃至［５］のいずれか一項において、
　前記ノズルは、ベンチュリ管であることを特徴とするノズル。
［７］上記［１］乃至［６］のいずれか一項に記載のノズルと、
　前記ノズルに加圧したＣＯ２を供給するＣＯ２供給機構と、
　基板を保持する保持機構と、
を具備し、
　前記ノズルに加圧したＣＯ２を供給し、前記ノズルから噴出させたＣＯ２粒子によって前記保持機構に保持された前記基板を洗浄することを特徴とする洗浄装置。
［８］上記［７］において、
　前記保持機構に保持された前記基板の下方に配置された排気機構を有し、
　前記保持機構は、前記基板の洗浄面とは逆側の面と水平面とで作る角度が４５°～１８０°（好ましくは７０°～１１０°）の範囲内となる位置に前記基板を保持する機構であることを特徴とする洗浄装置。
［９］上記［７］または［８］において、
　前記ノズルからＣＯ２粒子が噴出される方向と前記基板の洗浄面とで作る角度は、２０°～９０°の範囲内であることを特徴とする洗浄装置。
［１０］上記［８］または［９］において、
　前記排気機構は、前記基板の下方に配置された排気口と、前記排気口に接続された排気経路を有し、
　前記排気経路は前記排気口の下方に延びる経路を有することを特徴とする洗浄装置。
［１１］上記［８］乃至［１０］のいずれか一項において、
　前記保持機構によって保持された前記基板及び前記ノズルはチャンバー内に配置されており、
　前記排気機構によって排気される気体は前記チャンバーの外に排出されることを特徴とする洗浄装置。
［　　１２］基板を保持する保持機構と、
　前記保持機構に保持された前記基板にＣＯ２粒子を噴出させるノズルと、
　前記ノズルに加圧したＣＯ２を供給するＣＯ２供給機構と、
　前記保持機構に保持された前記基板の下方に配置された排気機構と、
を具備し、
　前記保持機構は、前記基板の洗浄面とは逆側の面と水平面とで作る角度が４５°～１８０°（好ましくは７０°～１１０°）の範囲内となる位置に前記基板を保持する機構であることを特徴とする洗浄装置。
［１２－１］上記［１２］において、
　前記ノズルは、ベンチュリ管であることを特徴とする洗浄装置。
［１２－２］上記［１２］または［１２－１］において、
　前記ノズルからＣＯ２粒子が噴出される方向と前記基板の洗浄面とで作る角度は、２０°～９０°の範囲内であることを特徴とする洗浄装置。
［１３］上記［１２］、［１２－１］及び［１２－２］のいずれか一項において、
　前記排気機構は、前記基板の下方に配置された排気口と、前記排気口に接続された排気経路を有し、
　前記排気経路は前記排気口の下方に延びる経路を有することを特徴とする洗浄装置。
［１４］上記［１２］、［１２－１］、［１２－２］及び［１３］のいずれか一項において、
　前記保持機構によって保持された前記基板及び前記ノズルはチャンバー内に配置されており、
　前記排気機構によって排気される気体は前記チャンバーの外に排出されることを特徴とする洗浄装置。
［１５］基板を保持する保持機構と、
　前記保持機構に保持された前記基板にＣＯ２粒子を噴出させるノズルと、
　前記ノズルに加圧したＣＯ２を供給するＣＯ２供給機構と、
　前記保持機構に保持された前記基板の下方に配置された排気機構と、
を具備し、
　前記排気機構は、前記基板の下方に配置された排気口と、前記排気口に接続された排気経路を有し、
　前記排気経路は前記排気口の下方に延びる経路を有することを特徴とする洗浄装置。
［１６］上記［１５］において、
　前記保持機構によって保持された前記基板及び前記ノズルはチャンバー内に配置されており、
　前記排気機構によって排気される気体は前記チャンバーの外に排出されることを特徴とする洗浄装置。
［１７］ノズルから噴出させたＣＯ２粒子によって基板を洗浄する方法において、
　前記ノズルの内壁にはＨｖ１０００～５０００のビッカース硬さを有する硬質膜が形成されていることを特徴とする洗浄方法。
［１８］上記［１７］において、
　前記硬質膜は、ＤＬＣ、ＴｉＮ、ＴｉＣｒＮ、ＣｒＮ、ＴｉＣＮｉ、ＴｉＡｌＮ、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＣｒＮ、ＺｒＯ２、ＳｉＣ、Ｃｒ、ＮｉＰ、ＷＣ、ＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＳｉＮ、及びＳｉａＡｌｂＯｃＮｄ　　ｑ（サイアロン）の群から選択された一つを含む膜であることを特徴とする洗浄方法。
［１９］上記［１７］において、
　前記硬質膜はＤＬＣ膜であり、前記ＤＬＣ膜の水素含有量は３０原子％以下であることを特徴とする洗浄方法。
［１９－１］上記［１７］乃至［１９］のいずれか一項において、
　前記ノズルは、ベンチュリ管であることを特徴とする洗浄方法。
［２０］上記［１７］乃至［１９］、［１９－１］のいずれか一項において、
　前記基板を洗浄する際は、前記基板の洗浄面とは逆側の面と水平面とで作る角度が４５°～１８０°（好ましくは７０°～１１０°）の範囲内となる位置に前記基板を配置することを特徴とする洗浄方法。
［２０－１］上記［１７］乃至［２０］、［１９－１］のいずれか一項において、
　前記ノズルからＣＯ２粒子が噴出される方向と前記基板の洗浄面とで作る角度は、２０°～９０°の範囲内であることを特徴とする洗浄方法。
［２１］ノズルから噴出させたＣＯ２粒子によって基板を洗浄する方法において、
　前記基板を洗浄する際は、前記基板の洗浄面とは逆側の面と水平面とで作る角度が４５°～１８０°（好ましくは７０°～１１０°）の範囲内となる位置に前記基板を配置することを特徴とする洗浄方法。
［２２］上記［２０］、［２０－１］及び［２１］のいずれか一項において、
　前記基板を洗浄する際に、前記基板の下方から排気することを特徴とする洗浄方法。
［２２－１］上記［２１］または［２２］において、
　前記ノズルは、ベンチュリ管であることを特徴とする洗浄方法。
［２２－２］上記［２１］、［２２］及び［２２－１］のいずれか一項において、
　前記ノズルからＣＯ２粒子が噴出される方向と前記基板の洗浄面とで作る角度は、２０°～９０°の範囲内であることを特徴とする洗浄方法。
　本発明の一態様によれば、ノズルの経路内壁が削られることによって生ずる金属汚染が洗浄後の基板の洗浄面に発生することを抑制することができる。
　また、本発明の一態様によれば、パーティクル等の再付着による洗浄効果の低下を抑制することができる。
本発明の一態様に係る洗浄装置を模式的に示す図である。 図１に示す保持機構及び排気機構を基板１２の表面側から視た図である。 （Ａ）は図１に示すノズル１１の断面図、（Ｂ）は（Ａ）に示すノズルを基端側から視た図である。 従来の洗浄装置を説明するための模式図である。
　以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
　図１及び図２に示すように、洗浄装置は、ノズル１１と、ノズル１１に加圧した液化炭酸ガス（液化ＣＯ２）を供給するＣＯ２供給機構と、基板１２を保持する保持機構と、基板１２の下方に配置された排気機構を有している。
　ノズル１１は、ベンチュリ管またはラバールノズルであるとよい。なお、本明細書において、ベンチュリ管とはベンチュリ効果を応用した管であり、ベンチュリ効果とは流体の流れを絞ることによって、流速を増加させる効果であり、ラバールノズルとは流体が通る経路の中ほどが狭まっている管で、砂時計のような形状の経路を有するノズルであって、流体をこれに通すことで加速させ、超音速を得ることができるノズルをいい、ベンチュリ管はラバールノズルを含むものである。
　ＣＯ２供給機構は、６ＭＰａに加圧された液化炭酸ガス（液化ＣＯ２）１３が入れられたボンベ１４を有し、このボンベ１４は配管１５によってバルブ１６の一方端に接続されている。配管１５はサイフォン管を有するとよい。バルブ１６の他方端はノズル１１の一方端に接続されている。バルブ１６を開くことによってボンベ１４内の加圧された液化ＣＯ２１３が配管１５及びバルブ１６を通してノズル１１に供給され、ノズル１１の他方端からＣＯ２粒子が噴出されるようになっている。
　保持機構は、基板１２を保持する保持部１７と、保持部１７に接続された真空ポンプ１８を有している。真空ポンプ１８によって真空引きすることで保持部１７に基板１２を真空吸着して保持するようになっている。保持部１７に保持された基板１２の洗浄面とは逆側の面（裏面）１２ａと水平面２０とで作る角度θ１は９０°である。また、保持部１７には基板１２を加熱するヒーター１９が配置されている。
　なお、本実施形態では、基板１２の洗浄面とは逆側の面１２ａと水平面２０とで作る角度θ１を９０°としているが、これに限定されるものではなく、角度θ１を４５°～１８０°の範囲内であれば、いずれの角度としてもよい。
　ノズル１１からＣＯ２粒子が噴出される方向２１と基板１２の洗浄面（表面）１２ｂとで作る角度θ２は２０°～９０°の範囲内であるとよい。
　排気機構は、基板１２の下方に配置された排気口２２ａと、この排気口２２ａに接続された排気経路２２と、排気経路２２に接続された排気手段（例えば排気ポンプ）２３を有している。排気経路２２は排気口２２ａの下方に延びる経路を有している。なお、本明細書において「下方」とは重力方向を意味する。
　また、排気経路２２には圧力コントロールバルブ４１が配置されており、圧力コントロールバルブ４１によって排気手段２３による排気の圧力を制御できるようになっている。また、排気経路２２にはヘパフィルター４２が配置されており、ヘパフィルター４２によって排気中のパーティクル等が捕獲され、パーティクル等を除去した後の気体をチャンバー２７の外部へ排出するようになっている。
　図３（Ａ），（Ｂ）に示すように、ノズル１１は、ノズル本体３７、第１のガスケット３６、第２のガスケット３５、プランジャー３４、第１のナット３３、グランド３２及び第２のナット３１を有している。詳細には、ノズル本体３７の基端側には第１のガスケット３６、第２のガスケット３５、プランジャー３４の順に接続されており、プランジャー３４にはグランド３２の先端が接続されている。ノズル本体３７と、第１のガスケット３６、第２のガスケット３５、プランジャー３４及びグランド３２とは第１のナット３３によって固定されている。グランド３２の基端には第２のナット３１が取り付けられている。このような構造のノズル１１の内側には液化ＣＯ２１３を通すための経路が設けられている。
　ノズル１１の内壁（液化ＣＯ２１３を通すための経路を構成する面）にはＨｖ１０００～５０００のビッカース硬さを有する硬質膜が形成されている。この硬質膜は、ＤＬＣ(Diamond Like Carbon)、ＴｉＮ、ＴｉＣｒＮ、ＣｒＮ、ＴｉＣＮｉ、ＴｉＡｌＮ、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＣｒＮ、ＺｒＯ２、ＳｉＣ、Ｃｒ、ＮｉＰ、ＷＣ、ＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＳｉＮ、及びＳｉａＡｌｂＯｃＮｄ（サイアロン）の群から選択された一つを含む膜であるとよいが、本実施形態では、水素含有量が３０原子％以下であるＤＬＣ膜を硬質膜として用いる。水素含有量を３０原子％以下とすることにより、ＤＬＣ膜を硬質なものとすることができる。また、ＤＬＣ膜は、Ｈｖ１２００～３５００のビッカース硬さを有するとよい。
　上記のＤＬＣ膜は、ノズル１１の内壁に、周波数が１０ｋＨｚ～１ＭＨｚ（好ましくは５０ｋＨｚ～８００ｋＨｚ、より好ましくは５０ｋＨｚ～５００ｋＨｚ）の高周波出力を用いたプラズマＣＶＤ法によって成膜したものである。このように１０ｋＨｚ～１ＭＨｚの周波数を用いることにより硬質なＤＬＣ膜を成膜することができる。
　図１に示すように、ノズル１１、基板１２、保持機構及び排気経路２２はチャンバー２７内に配置されている。また、洗浄装置は、チャンバー２７内にドライエアー４４または窒素ガスを導入する導入機構を有しており、チャンバー２７内にはリリーフバルブ４３が配置されている。基板１２の洗浄を行う際に上記導入機構によってチャンバー２７内にドライエアー４４または窒素ガスを導入し、リリーフバルブ４３によってチャンバー２７の外部へドライエアーまたは窒素ガスを排出することで、ドライエアーまたは窒素（－７０℃～－１００℃）の雰囲気で、露点が－２０℃程度に制御される。このような雰囲気にする理由は、基板１２を洗浄するために用いるＣＯ２粒子が－７３℃程度の温度であるため、ＣＯ２粒子を基板１２に吹きつけると基板１２が冷却され、基板１２に水滴が付きやすくなるので、基板１２に水滴が付かないようにするためである。また、基板１２の洗浄を行う際にヒーター１９によって基板１２を加熱することにより、基板１２に水滴が付くのを防止することができる。
　次に、図１に示す洗浄装置を用いて基板を洗浄する方法について説明する。
　まず、保持部１７に基板１２を載置し、真空ポンプ１８によって真空引きすることで保持部１７に基板１２を真空吸着して保持する。そして、基板１２の表面（洗浄面）とは逆側の面と水平面とで作る角度θ１が４５°～１８０°（好ましくは７０°～１１０°）の範囲内となるように基板１２の位置を調整する。なお、図１ではθ１が９０°である。
　次いで、チャンバー２７内にドライエアー４４または窒素ガスを導入することで、チャンバー２７内をドライエアーまたは窒素（－７０℃～－１００℃）の雰囲気で、露点が－２０℃程度に制御する。
　次いで、バルブ１６を開くことによってボンベ１４内の加圧された液化ＣＯ２１３を配管１５及びバルブ１６を通してノズル１１に供給する。そして、グランド３２内に流入した液化ＣＯ２１３が、先端側に流れるにつれて断面が狭くなるプランジャー３４の内部で圧縮され、プランジャー３４の先端のオリフィス（最細部）で流速が増加するベンチュリ効果によって加速される。その加速された液化ＣＯ２１３が、末広がりの断面を持つ第１及び第２のガスケット３６，３５によって断熱膨張されてＣＯ２粒子になり、そのＣＯ２粒子がノズル本体３７によって整流される。その整流されたＣＯ２粒子をノズル本体３７から基板１２の表面１２ｂに対して斜めの方向２１に噴出する。この噴出したＣＯ２粒子を、図２に示す矢印２６のように基板１２の表面１２ｂにスキャンしながら吹き付け、基板１２の表面全体を洗浄する。この際、基板１２の表面に吹きつけられたＣＯ２粒子によって基板１２の表面のパーティクル等が吹き飛ばされ、その吹き飛ばされたパーティクル等は矢印２４のように重力も利用しつつ排気口２２ａ、排気経路２２、圧力コントロールバルブ４１及びヘパフィルター４２を通って排気手段２３によってチャンバー２７の外部へ排気される。
　その後、保持部１７を矢印２５のように４５°または９０°回転させることで、保持部１７に保持された基板１２を４５°または９０°回転させる。
　次いで、上記と同様の方法で、基板１２の表面１２ｂにスキャンしながらＣＯ２粒子を吹き付け、基板１２の表面全体を洗浄する。この際、吹き飛ばされた基板１２の表面のパーティクル等を矢印２４のように排気口２２ａ、排気経路２２、圧力コントロールバルブ４１及びヘパフィルター４２を通って排気手段２３によって排気する。
　その後、上記と同様の方法で保持部１７に保持された基板１２を４５°または９０°回転させることと、上記と同様の方法で基板１２の表面全体を洗浄することを繰り返すことにより、基板１２の表面の洗浄を完了する。
　本実施形態によれば、ノズル１１の内壁にＨｖ１０００～５０００のビッカース硬さを有する硬質膜を形成するため、液化ＣＯ２がノズル１１を通る際に、ノズル１１の経路内壁にＣＯ２粒子が衝突しても当該経路内壁が削られることを抑制できる。このため、ＣＯ２粒子によって基板１２を洗浄しても、洗浄後の基板１２の表面が金属によって汚染されることを抑制できる。また、ノズル１１の寿命を長くできる。
　また、本実施形態によれば、ノズルから噴出させたＣＯ２粒子を基板１２に吹きつける際の基板１２の位置を、基板１２の表面（洗浄面）とは逆側の面と水平面とで作る角度θ１が４５°～１８０°の範囲内とし、吹き飛ばされた基板１２の表面のパーティクル等を重力も利用しつつ矢印２４のように基板１２の下方から排気する。このため、パーティクル等が基板１２に再付着するのを抑制できる。
　つまり、角度θ１が４５°～１８０°の範囲内となる位置に基板１２を配置し、且つ排気経路２２及び排気手段２３を基板１２の下方に配置するため、パーティクル等を排気する際に、排気手段２３の排気力だけでなく、重力も利用して排気することができる。その結果、ＣＯ２粒子によって基板１２上のパーティクル等が吹き飛ばされた後に、そのパーティクル等が基板１２の表面に再付着するのを抑制することができる。従って、パーティクル等の再付着による洗浄効果の低下を抑制できる。
　また、本実施の形態によれば、排気機構の排気経路２２が排気口２２ａの下方に延びる経路を有するため、パーティクル等を排気する際に、そのパーティクル等が基板１２の表面に再付着するのを抑制することができる。
　また、本実施の形態によれば、ノズルから噴出させたＣＯ２粒子を基板１２に吹きつけて基板１２を洗浄する際に、基板１２から吹き飛ばされたパーティクル等を排気口２２ａ、排気経路２２、圧力コントロールバルブ４１及びヘパフィルター４２を通って排気手段２３によってチャンバー２７の外部へ排気する。このため、従来技術のようにヘパフィルターで捕獲できない微小のパーティクル等が基板上に再付着することを抑制できる。その結果、基板の表面の洗浄効果が低下を抑制できる。
　１１　　ノズル
　１２　　基板
　１２ａ　基板の洗浄面（表面）とは逆側の面（裏面）
　１２ｂ　基板の洗浄面（表面）
　１３　　液化炭酸ガス（液化ＣＯ２）
　１４　　ボンベ
　１５　　配管
　１６　　バルブ
　１７　　保持部
　１８　　真空ポンプ
　１９　　ヒーター
　２０　　水平面
　２１　　ノズルからＣＯ２粒子が噴出される方向
　２２　　排気経路
　２２ａ　排気口
　２３　　排気手段
　２４，２５，２６　　矢印
　２７　　チャンバー
　３１　　第２のナット
　３２　　グランド
　３３　　第１のナット
　３４　　プランジャー
　３５　　第２のガスケット
　３６　　第１のガスケット
　３７　　ノズル本体
　４１　　圧力コントロールバルブ
　４２　　ヘパフィルター
　４３　　リリーフバルブ
　４４　　ドライエアー
１０１　　ノズル
１０２　　基板
１０３　　ＣＯ２粒子
１０４　　ダクト
１０４ａ　吸気口

Claims (24)

  1. 　基板にＣＯ２粒子を噴出させるノズルにおいて、
    　前記ノズルの内壁にはＨｖ１０００～５０００のビッカース硬さを有する硬質膜が形成されていることを特徴とするノズル。
  2. 　請求項１において、
    　前記硬質膜は、ＤＬＣ、ＴｉＮ、ＴｉＣｒＮ、ＣｒＮ、ＴｉＣＮｉ、ＴｉＡｌＮ、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＣｒＮ、ＺｒＯ２、ＳｉＣ、Ｃｒ、ＮｉＰ、ＷＣ、ＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＳｉＮ、及びＳｉａＡｌｂＯｃＮｄ（サイアロン）の群から選択された一つを含む膜であることを特徴とするノズル。
  3. 　請求項１において、
    　前記硬質膜はＤＬＣ膜であり、前記ＤＬＣ膜の水素含有量は３０原子％以下であることを特徴とするノズル。
  4. 　請求項３において、
    　前記ＤＬＣ膜は、周波数が１０ｋＨｚ～１ＭＨｚの高周波出力を用いたプラズマＣＶＤ法によって成膜されていることを特徴とするノズル。
  5. 　請求項３において、
    　前記ＤＬＣ膜は、周波数が５０ｋＨｚ～５００ｋＨｚの高周波出力を用いたプラズマＣＶＤ法によって成膜されていることを特徴とするノズル。
  6. 　請求項１、３乃至５のいずれか一項において、
    　前記ノズルは、ベンチュリ管であることを特徴とするノズル。
  7. 　請求項１、３乃至６のいずれか一項に記載のノズルと、
    　前記ノズルに加圧したＣＯ２を供給するＣＯ２供給機構と、
    　基板を保持する保持機構と、
    を具備し、
    　前記ノズルに加圧したＣＯ２を供給し、前記ノズルから噴出させたＣＯ２粒子によって前記保持機構に保持された前記基板を洗浄することを特徴とする洗浄装置。
  8. 　請求項７において、
    　前記保持機構に保持された前記基板の下方に配置された排気機構を有し、
    　前記保持機構は、前記基板の洗浄面とは逆側の面と水平面とで作る角度が４５°～１８０°の範囲内となる位置に前記基板を保持する機構であることを特徴とする洗浄装置。
  9. 　請求項８において、
    　前記ノズルからＣＯ２粒子が噴出される方向と前記基板の洗浄面とで作る角度は、２０°～９０°の範囲内であることを特徴とする洗浄装置。
  10. 　請求項８または９において、
    　前記排気機構は、前記基板の下方に配置された排気口と、前記排気口に接続された排気経路を有し、
    　前記排気経路は前記排気口の下方に延びる経路を有することを特徴とする洗浄装置。
  11. 　請求項８乃至１０のいずれか一項において、
    　前記保持機構によって保持された前記基板及び前記ノズルはチャンバー内に配置されており、
    　前記排気機構によって排気される気体は前記チャンバーの外に排出されることを特徴とする洗浄装置。
  12. 　基板を保持する保持機構と、
    　前記保持機構に保持された前記基板にＣＯ２粒子を噴出させるノズルと、
    　前記ノズルに加圧したＣＯ２を供給するＣＯ２供給機構と、
    　前記保持機構に保持された前記基板の下方に配置された排気機構と、
    を具備し、
    　前記保持機構は、前記基板の洗浄面とは逆側の面と水平面とで作る角度が４５°～１８０°の範囲内となる位置に前記基板を保持する機構であることを特徴とする洗浄装置。
  13. 　請求項１２において、
    　前記排気機構は、前記基板の下方に配置された排気口と、前記排気口に接続された排気経路を有し、
    　前記排気経路は前記排気口の下方に延びる経路を有することを特徴とする洗浄装置。
  14. 　請求項１２または１３において、
    　前記保持機構によって保持された前記基板及び前記ノズルはチャンバー内に配置されており、
    　前記排気機構によって排気される気体は前記チャンバーの外に排出されることを特徴とする洗浄装置。
  15. 　基板を保持する保持機構と、
    　前記保持機構に保持された前記基板にＣＯ２粒子を噴出させるノズルと、
    　前記ノズルに加圧したＣＯ２を供給するＣＯ２供給機構と、
    　前記保持機構に保持された前記基板の下方に配置された排気機構と、
    を具備し、
    　前記排気機構は、前記基板の下方に配置された排気口と、前記排気口に接続された排気経路を有し、
    　前記排気経路は前記排気口の下方に延びる経路を有することを特徴とする洗浄装置。
  16. 　請求項１５において、
    　前記保持機構によって保持された前記基板及び前記ノズルはチャンバー内に配置されており、
    　前記排気機構によって排気される気体は前記チャンバーの外に排出されることを特徴とする洗浄装置。
  17. 　ノズルから噴出させたＣＯ２粒子によって基板を洗浄する方法において、
    　前記ノズルの内壁にはＨｖ１０００～５０００のビッカース硬さを有する硬質膜が形成されていることを特徴とする洗浄方法。
  18. 　請求項１７において、
    　前記硬質膜は、ＤＬＣ、ＴｉＮ、ＴｉＣｒＮ、ＣｒＮ、ＴｉＣＮｉ、ＴｉＡｌＮ、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＣｒＮ、ＺｒＯ２、ＳｉＣ、Ｃｒ、ＮｉＰ、ＷＣ、ＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＳｉＮ、及びＳｉａＡｌｂＯｃＮｄ　　ｑ（サイアロン）の群から選択された一つを含む膜であることを特徴とする洗浄方法。
  19. 　請求項１７において、
    　前記硬質膜はＤＬＣ膜であり、前記ＤＬＣ膜の水素含有量は３０原子％以下であることを特徴とする洗浄方法。
  20. 　請求項１７乃至１９のいずれか一項において、
    　前記基板を洗浄する際は、前記基板の洗浄面とは逆側の面と水平面とで作る角度が４５°～１８０°の範囲内となる位置に前記基板を配置することを特徴とする洗浄方法。
  21. 　ノズルから噴出させたＣＯ２粒子によって基板を洗浄する方法において、
    　前記基板を洗浄する際は、前記基板の洗浄面とは逆側の面と水平面とで作る角度が４５°～１８０°の範囲内となる位置に前記基板を配置することを特徴とする洗浄方法。
  22. 　請求項２０または２１において、
    　前記基板を洗浄する際に、前記基板の下方から排気することを特徴とする洗浄方法。
  23. 　ノズルから噴出させたＣＯ２粒子によって基板を洗浄する方法において、
    　前記基板を洗浄する際に、前記基板の下方に配置された排気口及び排気経路によって排気する洗浄方法であり、
    　前記排気経路は、前記排気口に接続され、且つ前記排気口の下方に延びる経路であることを特徴とする洗浄方法。
  24. 　請求項２３において、
    　前記基板及び前記ノズルはチャンバー内に配置されており、
    　前記排気経路によって排気される気体は前記チャンバーの外に排出されることを特徴とする洗浄方法。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2016135989A1 (ja) * 2015-02-23 2016-09-01 株式会社ユーテック 真空式洗浄装置及び真空式洗浄方法
TWI618111B (zh) * 2017-02-10 2018-03-11 台灣美日先進光罩股份有限公司 電漿蝕刻腔體的氣體側噴嘴與電漿反應裝置
CN114433561A (zh) * 2020-10-30 2022-05-06 细美事有限公司 表面处理设备及表面处理方法
JP7253604B1 (ja) 2021-11-16 2023-04-06 大陽日酸株式会社 半導体ウエハ用ドライアイス洗浄装置及び半導体ウエハの洗浄方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20160322239A1 (en) * 2015-04-28 2016-11-03 Applied Materials, Inc. Methods and Apparatus for Cleaning a Substrate
WO2019125443A1 (en) * 2017-12-20 2019-06-27 Halliburton Energy Services, Inc. Capture and recycling methods for non-aqueous cleaning materials

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH037984U (ja) * 1989-06-06 1991-01-25
JPH07256222A (ja) * 1994-03-18 1995-10-09 Nikon Corp 基板洗浄装置
JP2003126793A (ja) * 2001-10-23 2003-05-07 Nippon Sanso Corp ドライアイス噴射洗浄装置および方法
JP2011122226A (ja) * 2009-12-14 2011-06-23 Tocalo Co Ltd 厚膜ｄｌｃ被覆部材およびその製造方法
JP2011218324A (ja) * 2010-04-13 2011-11-04 Kawata Mfg Co Ltd ノズル装置
JP2013111555A (ja) * 2011-11-30 2013-06-10 Tokyo Metropolitan Industrial Technology Research Institute 管内壁の研掃方法、管内壁の研掃方法に用いる偏向部材および管内壁研掃システム

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH037984A (ja) * 1989-02-17 1991-01-16 Hitachi Medical Corp 医用画像ワークステーション
US6174225B1 (en) * 1997-11-13 2001-01-16 Waste Minimization And Containment Inc. Dry ice pellet surface removal apparatus and method
GB0522444D0 (en) * 2005-11-03 2005-12-14 Miller Donald S Cutting heads
JP2009147293A (ja) * 2007-11-22 2009-07-02 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH037984U (ja) * 1989-06-06 1991-01-25
JPH07256222A (ja) * 1994-03-18 1995-10-09 Nikon Corp 基板洗浄装置
JP2003126793A (ja) * 2001-10-23 2003-05-07 Nippon Sanso Corp ドライアイス噴射洗浄装置および方法
JP2011122226A (ja) * 2009-12-14 2011-06-23 Tocalo Co Ltd 厚膜ｄｌｃ被覆部材およびその製造方法
JP2011218324A (ja) * 2010-04-13 2011-11-04 Kawata Mfg Co Ltd ノズル装置
JP2013111555A (ja) * 2011-11-30 2013-06-10 Tokyo Metropolitan Industrial Technology Research Institute 管内壁の研掃方法、管内壁の研掃方法に用いる偏向部材および管内壁研掃システム

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016135989A1 (ja) * 2015-02-23 2016-09-01 株式会社ユーテック 真空式洗浄装置及び真空式洗浄方法
JPWO2016135989A1 (ja) * 2015-02-23 2017-12-14 株式会社ユーテック 真空式洗浄装置及び真空式洗浄方法
TWI618111B (zh) * 2017-02-10 2018-03-11 台灣美日先進光罩股份有限公司 電漿蝕刻腔體的氣體側噴嘴與電漿反應裝置
CN114433561A (zh) * 2020-10-30 2022-05-06 细美事有限公司 表面处理设备及表面处理方法
US11866819B2 (en) 2020-10-30 2024-01-09 Semes Co., Ltd. Surface treatment apparatus and surface treatment method
JP7253604B1 (ja) 2021-11-16 2023-04-06 大陽日酸株式会社 半導体ウエハ用ドライアイス洗浄装置及び半導体ウエハの洗浄方法
WO2023090290A1 (ja) * 2021-11-16 2023-05-25 大陽日酸株式会社 半導体ウエハ用ドライアイス洗浄装置及び半導体ウエハの洗浄方法
JP2023073793A (ja) * 2021-11-16 2023-05-26 大陽日酸株式会社 半導体ウエハ用ドライアイス洗浄装置及び半導体ウエハの洗浄方法
TWI837947B (zh) * 2021-11-16 2024-04-01 日商大陽日酸股份有限公司 半導體晶圓用乾冰洗淨裝置及半導體晶圓之洗淨方法

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