JPWO2016135989A1 - 真空式洗浄装置及び真空式洗浄方法 - Google Patents

Abstract

低い露点の雰囲気でＣＯ２粒子による洗浄が可能となる真空式洗浄装置を提供する。本発明の一態様は、真空チャンバー（２７）と、前記真空チャンバー内に配置された、基板（１２）を保持する保持機構と、前記保持機構に保持された前記基板にＣＯ２粒子を噴出させるノズル（１１）と、前記ノズルに加圧したＣＯ２を供給するＣＯ２供給機構と、前記真空チャンバー内を真空排気する真空排気機構と、を具備する真空式洗浄装置（１０）である。

Description

本発明は、ＣＯ_２粒子によって洗浄する真空式洗浄装置及び真空式洗浄方法に関する。

図３は、従来の洗浄装置を説明するための模式図である。
この洗浄装置は、６ＭＰａに加圧された液化炭酸ガス（液化ＣＯ_２）が入れられたボンベ（図示せず）と、そのボンベに接続されたノズル１０１と、洗浄室（図示せず）内で基板１０２を保持する保持機構（図示せず）と、吸気口１０４ａを備えたダクト１０４と、ブロワー（ＢＬＯＷＥＲ）と、ヘパフィルター（ＨＥＰＡ ＦＩＬＴＥＲ）を有している。保持機構は、基板１０２の表面（洗浄面）が水平面とほぼ平行になり、且つ基板１０２の表面を上向き（重力方向とは逆側の方向）にした位置に基板１０２を保持する機構である。
上記の洗浄装置は次のように稼動する。ボンベ内の加圧された液化ＣＯ_２がノズル１０１に供給され、その液化ＣＯ_２がノズル１０１を通って洗浄室内に噴出されるＣＯ_２粒子１０３を、保持機構によって保持された基板１０２の表面に吹きつけることで、基板１０２に付着するパーティクル等を吹き飛ばし、その吹き飛ばしたパーティクル等をブロワーによって基板１０２の横側の吸気口１０４ａから吸気することで除去する。そして、その吸気口１０４ａからダクト１０４を通ったパーティクル等はヘパフィルターで捕獲され、パーティクル等を除去した気体は再び基板１０２上に供給される。ノズル１０１はステンレス製であり、基板１０２は例えば半導体プロセスにおけるリフトオフ後のシリコンウエハまたはガラス基板である。なお、上記の洗浄装置に関連した技術が特許文献１に開示されている。
上述したＣＯ_２粒子を吹きつけて洗浄する基板等の被洗浄物には水に非常に弱いものがあり、そのような被洗浄物を洗浄するには洗浄時の露点を低くしなければならない。
しかし、上記従来の洗浄装置では、以下の理由により非常に低い露点雰囲気を作るのが困難である。
（１）洗浄室内が密閉されていないので、外部の空気が洗浄室内に入り、その空気に含まれる水分によって洗浄室内の露点を十分に低くすることができない。
（２）清浄な洗浄雰囲気を造るためにパーティクル等を除去するヘパフィルターを用いており、そのヘパフィルターには紙等の水分が吸着しやすい材料が使われている。そのため、ヘパフィルターに吸着している水分が洗浄室内に入り込むことによって露点を十分に低くすることができない。
（３）洗浄室内は密閉されていないため、洗浄を開始する前から洗浄室の内壁には水分が付着している。その水分を完全に除去することは困難であるため、その水分によって洗浄室内の露点を十分に低くすることができない。

ＵＳＰ６，０９９，３９６

本発明の一態様は、低い露点の雰囲気でＣＯ_２粒子による洗浄が可能となる真空式洗浄装置または真空式洗浄方法を提供することを課題とする。

以下に、本発明の種々の態様について説明する。
［１］真空チャンバーと、
前記真空チャンバー内に配置された、基板を保持する保持機構と、
前記保持機構に保持された前記基板にＣＯ_２粒子を噴出させるノズルと、
前記ノズルに加圧したＣＯ_２を供給するＣＯ_２供給機構と、
前記真空チャンバー内を真空排気する真空排気機構と、
を具備することを特徴とする真空式洗浄装置。
［２］上記［１］において、
前記保持機構は、前記基板の洗浄面とは逆側の面と水平面とで作る角度が４５°〜１８０°（好ましくは７０°〜１１０°）の範囲内となる位置に前記基板を保持する機構であることを特徴とする真空式洗浄装置。
［３］上記［１］または［２］において、
前記ノズルまたは前記保持機構を移動させる移動機構を有し、
前記移動機構は、前記ノズルと前記保持機構に保持された前記基板との相対位置を変化させるものであることを特徴とする真空式洗浄装置。
［４］上記［１］乃至［３］のいずれか一項において、
前記真空排気機構は排気口を有し、前記排気口は前記保持機構に保持された前記基板の下方に配置されていることを特徴とする真空式洗浄装置。
［５］上記［４］において、
前記排気口はスリット形状を有し、
前記スリット形状の長手方向の長さは前記基板の外径以上であることを特徴とする真空式洗浄装置。
［６］上記［１］乃至［５］のいずれか一項において、
前記真空排気機構はフィルターを有し、
前記真空排気機構によって前記真空チャンバー内を排気した気体は前記フィルターを通して前記真空チャンバーの外部に排出されることを特徴とする真空式洗浄装置。
［７］上記［１］乃至［６］のいずれか一項において、
前記ノズルからＣＯ_２粒子が噴出される方向と前記基板の洗浄面とで作る角度は、２０°〜９０°の範囲内であることを特徴とする真空式洗浄装置。
［８］上記［１］乃至［７］のいずれか一項において、
前記ノズルは、縦の幅より横の幅が広い噴射口を有するワイドノズルであることを特徴とする真空式洗浄装置。
［９］真空チャンバー内に基板を配置し、前記真空チャンバー内を真空排気することで、前記真空チャンバー内の圧力を１Ｔｏｒｒ以下にする工程と、
前記基板にＣＯ_２粒子を吹き付けることで、前記基板を洗浄する工程と、
を具備することを特徴とする真空式洗浄方法。
［１０］上記［９］において、
前記基板を洗浄する際の前記真空チャンバー内の露点は−４０℃以下（好ましくは−７５℃以下、より好ましくは−１００℃以下）であることを特徴とする真空式洗浄方法。
［１１］上記［９］または［１０］において、
前記基板を洗浄する際の前記真空チャンバー内の圧力は１Ｔｏｒｒ以上であることを特徴とする真空式洗浄方法。
［１２］上記［９］乃至［１１］のいずれか一項において、
前記基板を洗浄する際は、前記基板の洗浄面とは逆側の面と水平面とで作る角度が４５°〜１８０°（好ましくは７０°〜１１０°）の範囲内となる位置に前記基板を配置することを特徴とする真空式洗浄方法。
［１３］上記［９］乃至［１２］において、
前記基板を洗浄する際に、前記基板の下方から排気することを特徴とする真空式洗浄方法。
［１４］上記［９］乃至［１３］において、
前記基板を洗浄する際の前記真空チャンバー内の圧力は１気圧未満であることを特徴とする真空式洗浄方法。

本発明の一態様によれば、低い露点の雰囲気でＣＯ_２粒子による洗浄が可能となる真空式洗浄装置または真空式洗浄方法を提供することができる。

図１は、本発明の一態様に係る真空式洗浄装置を模式的に示す図である。
図２は、図１に示す６０−６０線に沿った断面図である。
図３は、従来の洗浄装置を説明するための模式図である。
図４（Ａ）は図３に示す従来の洗浄装置を用いて大気圧下の窒素雰囲気でＣＯ_２粒子による基板洗浄を行っている写真、図４（Ｂ）は図１に示す真空式洗浄装置を用いて約１Ｔｏｒｒの真空雰囲気でＣＯ_２粒子による基板洗浄を行っている写真である。
図５（Ａ）は扁平型のワイドノズルを用いた図３に示す従来の洗浄装置を使用して大気圧下の窒素雰囲気でＣＯ_２粒子による基板洗浄を行っている写真、図５（Ｂ）は（Ａ）に示す洗浄工程で洗浄した基板を示す写真である。
図６（Ａ）は扁平型のワイドノズルを用いた図１に示す真空式洗浄装置を使用して真空雰囲気でＣＯ_２粒子による基板洗浄を行っている写真、図６（Ｂ）は（Ａ）に示す洗浄工程で洗浄した基板を示す写真である。

以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
図１及び図２に示すように、真空式洗浄装置１０は内部を真空にするための容器である真空チャンバー２７を有し、この真空チャンバー２７内には基板１２を保持する保持機構が配置されている。また、真空チャンバー２７内には基板１２にＣＯ_２粒子を噴出させるノズル１１が配置されている。真空式洗浄装置１０は、ノズル１１に加圧した液化炭酸ガス（液化ＣＯ_２）を供給するＣＯ_２供給機構と、真空チャンバー２７内を真空排気する真空排気機構を有する。
ノズル１１は、ベンチュリ管またはラバールノズルであるとよい。なお、本明細書において、ベンチュリ管とはベンチュリ効果を応用した管であり、ベンチュリ効果とは流体の流れを絞ることによって、流速を増加させる効果であり、ラバールノズルとは流体が通る経路の中ほどが狭まっている管で、砂時計のような形状の経路を有するノズルであって、流体をこれに通すことで加速させ、超音速を得ることができるノズルをいい、ベンチュリ管はラバールノズルを含むものである。
ＣＯ_２供給機構は、６ＭＰａに加圧された液化炭酸ガス（液化ＣＯ_２）１３が入れられたボンベ１４を有し、このボンベ１４は配管１５によってバルブ１６の一方端に接続されている。配管１５はサイフォン管を有するとよい。バルブ１６の他方端はノズル１１の一方端に接続されている。バルブ１６を開くことによってボンベ１４内の加圧された液化ＣＯ_２１３が配管１５及びバルブ１６を通してノズル１１に供給され、ノズル１１の他方端からＣＯ_２粒子が噴出されるようになっている。
保持機構は、基板１２を保持する保持部１７と、保持部１７に接続された真空ポンプ（図示せず）を有している。真空ポンプによって真空引きすることで保持部１７に基板１２を真空吸着して保持するようになっている。保持部１７に保持された基板１２の洗浄面とは逆側の面（裏面）１２ａと水平面２０とで作る角度θ_１は９０°である。また、保持部１７には基板１２を加熱するヒーター１９が配置されている。また、保持機構は、保持部１７を回転させる回転機構（図示せず）を有する。なお、本実施の形態では、真空吸着により基板１２を保持部１７に保持しているが、これに限定されるものではなく、静電吸着または機械的な保持機構により基板１２を保持部１７に保持してもよい。
また、真空式洗浄装置１０はノズル１１を移動させる移動機構５０を有し、この移動機構５０は、ノズル１１と保持機構に保持された基板１２との相対位置を変化させるものである。移動機構５０は例えばＸＹテーブルを用いることができる。なお、本実施形態では、ノズル１１を移動させる移動機構５０を用いてノズル１１と保持機構に保持された基板１２との相対位置を変化させるが、保持機構を移動させる移動機構を用いてノズル１１と保持機構に保持された基板１２との相対位置を変化させてもよい。
なお、本実施形態では、基板１２の洗浄面とは逆側の面１２ａと水平面２０とで作る角度θ_１を９０°としているが、これに限定されるものではなく、角度θ_１を４５°〜１８０°の範囲内であれば、いずれの角度としてもよい。
ノズル１１からＣＯ_２粒子が噴出される方向２１と基板１２の洗浄面（表面）１２ｂとで作る角度θ_２は２０°〜９０°の範囲内であるとよい。
真空排気機構は、基板１２の下方に配置された排気口２２ａを有し、この排気口２２ａは、保持機構に保持された基板１２の下方に配置されている。排気孔２２ａはスリット形状を有し、そのスリット形状の長手方向の長さが基板１２の外径以上であることが好ましい（図２参照）。これにより、基板１２を洗浄した際に発生するパーティクル等を排気口２２ａから排気しやすくすることができる。なお、本明細書において「下方」とは重力方向を意味する。
排気口２２ａには排気経路２２が接続されており、排気経路２２にはフィルター４２が接続されている。このフィルター４２は金属フィルターであることが好ましい。フィルター４２によって洗浄時のパーティクル等を捕獲できる。また、フィルター４２はストップバルブ４３に接続されており、ストップバルブ４３は圧力コントロールバルブ４１に接続されている。圧力コントロールバルブ４１は排気手段としての真空ポンプ２３に接続されている。圧力コントロールバルブ４１によって真空ポンプ２３による排気の圧力を制御することができる。
次に、図１に示す洗浄装置を用いて基板を洗浄する方法について説明する。
まず、保持部１７に基板１２を真空吸着して保持する。そして、基板１２の表面（洗浄面）とは逆側の面と水平面とで作る角度θ_１が４５°〜１８０°（好ましくは７０°〜１１０°）の範囲内となるように基板１２の位置を調整する。なお、図１ではθ_１が９０°である。
次いで、真空チャンバー２７内を真空排気機構によって真空排気する。詳細には、ストップバルブ４３を開け、圧力コントロールバルブ４１によって真空ポンプ２３の排気の圧力を制御しながら真空チャンバー２７内を真空排気する。この際の真空チャンバー２７内の到達真空度は、１Ｔｏｒｒ未満であることが好ましく、より好ましくは５×１０^−３Ｔｏｒｒ以下である。このように真空排気することで、真空チャンバー２７内の水分をほとんど除去することができ、真空チャンバー２７内の露点を−４０℃以下（好ましくは−７５℃以下、より好ましくは−１００℃以下）にすることができる。なお、露点を−１００℃以下にするには真空チャンバー２７内の真空度を１×１０^−５Ｔｏｒｒ以下にすることが好ましい。
次いで、バルブ１６を開くことによってボンベ１４内の加圧された液化ＣＯ_２１３を配管１５及びバルブ１６を通してノズル１１に供給する。ノズル１１のベンチュリ効果によって加速された液化ＣＯ_２１３が断熱膨張によりＣＯ_２粒子になり、そのＣＯ_２粒子をノズル１１から基板１２の表面１２ｂに対して斜めの方向２１に噴出する。この噴出したＣＯ_２粒子を、図２に示す矢印２６のように基板１２の表面１２ｂにスキャンしながら吹き付け、基板１２の表面全体を洗浄する。この際、基板１２の表面に吹きつけられたＣＯ_２粒子によって基板１２の表面のパーティクル等が吹き飛ばされ、その吹き飛ばされたパーティクル等は重力も利用しつつ基板１２の下方の排気口２２ａ及び排気経路２２を通ってフィルター４２で捕獲される。そして、パーティクル等を除去した後の気体は、ストップバルブ４３及び圧力コントロールバルブ４１を通って真空ポンプ２３によって排気される。
上記の基板１２の表面を洗浄している間の真空チャンバー２７内の圧力は、１Ｔｏｒｒ未満であってもよいし、１Ｔｏｒｒ以上１気圧未満であるとよい。その理由は、基板１２を洗浄する前に真空チャンバー２７内を真空排気した工程で、真空チャンバー２７内の露点を−４０℃以下に下げているため、その後にＣＯ_２粒子によって基板１２を洗浄しても、真空チャンバー２７内の露点は上昇しないと考えられるからである。
その後、保持部１７を回転機構によって矢印２５のように４５°または９０°回転させることで、保持部１７に保持された基板１２を４５°または９０°回転させる。
次いで、上記と同様の方法で、基板１２の表面１２ｂにスキャンしながらＣＯ_２粒子を吹き付け、基板１２の表面全体を洗浄する。
その後、上記と同様の方法で保持部１７に保持された基板１２を４５°または９０°回転させることと、上記と同様の方法で基板１２の表面全体を洗浄することを繰り返すことにより、基板１２の表面の洗浄を完了する。
本実施形態によれば、基板１２を洗浄する前に真空チャンバー２７内を真空排気することで、真空チャンバー２７内の露点を−４０℃以下にすることができる。このため、非常に低い露点の雰囲気でＣＯ_２粒子による基板１２の洗浄を行うことができる。従って、水に非常に弱い被洗浄基板（例えば有機ＥＬ用ガラス基板等）を洗浄することが可能となる。
また、本実施形態では、真空チャンバー２７内を真空排気することで、真空チャンバー２７内に清浄な洗浄雰囲気を造るため、従来技術のように、紙等の水分が吸着しやすい材料が使われているヘパフィルターを用いる必要がない。従って、従来の洗浄装置に比べて洗浄時の露点をより低くすることができる。
また、本実施形態では、真空チャンバー２７内で基板１２の洗浄を行うため、パーティクル等の発生源がほとんどない。従って、従来の洗浄装置に比べて洗浄効果を向上させることができる。
また、本実施形態によれば、ノズル１１から噴出させたＣＯ_２粒子を基板１２に吹きつける際の基板１２の位置を、基板１２の表面（洗浄面）とは逆側の面と水平面とで作る角度θ_１が４５°〜１８０°の範囲内とし、吹き飛ばされた基板１２の表面のパーティクル等を重力も利用しつつ基板１２の下方から排気する。このため、パーティクル等が基板１２に再付着するのを抑制できる。
また、本実施形態では、洗浄時のチャンバー内が真空のため、ノズル１１から噴出するＣＯ_２粒子の速度はチャンバー内が大気圧の場合と比べて増加する。ＣＯ_２粒子の速度については、ノズル内のオリフィスとノズル内の気圧差が大きければ増加し、小さくなれば減少するが、チャンバー内を真空引きすると、ノズル内気圧が低くなり、それにつれてＣＯ_２粒子の速度が上昇する。これにより、ＣＯ_２粒子の洗浄効果を高めることができる。

図１に示す真空式洗浄装置の真空チャンバー内を真空排気機構によって真空排気し、真空チャンバー内を１０^−２Ｔｏｒｒ以下の圧力にすると露点が−７０℃に到達することを確認した。
図４（Ａ）は、図３に示す従来の洗浄装置を用いて大気圧下の窒素雰囲気でＣＯ_２粒子による基板洗浄を行っている写真であり、図４（Ｂ）は、図１に示す真空式洗浄装置を用いて約１Ｔｏｒｒの真空雰囲気でＣＯ_２粒子による基板洗浄を行っている写真である。
図４（Ａ）に示すように、大気圧下ではＣＯ_２粒子が拡散するのに対し、図４（Ｂ）に示すように、真空雰囲気ではＣＯ_２粒子が拡散せずに基板まで到達することが確認された。
真空雰囲気ではＣＯ_２粒子が衝突するものが非常に少ないため、ＣＯ_２粒子の直進性が高くなり、基板に到達するＣＯ_２粒子の量が大気圧下に比べて多くなる。そのため、真空雰囲気では洗浄力を高めることができる。つまり、大気圧下と真空雰囲気下を比較した場合、ＣＯ_２粒子を噴射するノズルと基板との距離が同じであれば真空雰囲気の方が洗浄力が高くなるといえる。
図４（Ａ），（Ｂ）に示すＣＯ_２粒子を噴射するノズルは円筒型であるので、ＣＯ_２粒子が拡散せずに基板まで到達すると洗浄範囲が狭い。そこで、扁平型のワイドノズルを用いることで、洗浄範囲を増大させることが可能となる。このワイドノズルの噴射口は縦の幅より横の幅が広くなっており、横に広がってＣＯ_２粒子が噴射されるノズルである。ワイドノズルの噴射口の横の幅は、縦の幅の３倍以上が好ましく、より好ましくは６倍以上である。
図５（Ａ）は、扁平型のワイドノズルを用いた図３に示す従来の洗浄装置を使用して大気圧下の窒素雰囲気でＣＯ_２粒子による基板洗浄を行っている写真であり、図５（Ｂ）は、図５（Ａ）に示す洗浄工程で洗浄した基板を示す写真である。
図５（Ｂ）に示すように、ＣＯ_２粒子を含むガスがワイドノズルの両端に集中して流出したため、洗浄範囲を増大させることができないことが確認された。ガスがワイドノズルの両端に集中する理由は、ワイドノズル内の気圧差が大きいため、ノズル内の中心部の気流が早くなり、ノズル両端の気圧が低下するからである。
図６（Ａ）は、扁平型のワイドノズルを用いた図１に示す真空式洗浄装置を使用して真空雰囲気でＣＯ_２粒子による基板洗浄を行っている写真であり、図６（Ｂ）は、図６（Ａ）に示す洗浄工程で洗浄した基板を示す写真である。
図６（Ｂ）に示すように、ワイドノズル内の気圧の変化が少ないため、ＣＯ_２粒子を含むガスがほぼノズルのスリット幅状に均一にガラス基板に衝突していることが確認された。従って、真空式洗浄装置にワイドノズルを用いると洗浄範囲を増大させることができ、洗浄効果を大きくできるといえる。
また、本実施例によれば、ワイドノズル内のキャビティ内での気圧の差によって、図５（Ｂ）に示すように大気中では均一に噴射出来なかったけれども、真空中になったことで、気圧差が生まれず、図６（Ｂ）に示すように均一に噴射出来るようになった。

１０ 真空式洗浄装置
１１ ノズル
１２ 基板
１２ａ 基板の洗浄面（表面）とは逆側の面（裏面）
１２ｂ 基板の洗浄面（表面）
１３ 液化炭酸ガス（液化ＣＯ_２）
１４ ボンベ
１５ 配管
１６ バルブ
１７ 保持部
１９ ヒーター
２０ 水平面
２１ ノズルからＣＯ_２粒子が噴出される方向
２２ 排気経路
２２ａ 排気口
２３ 真空ポンプ
２５，２６ 矢印
２７ 真空チャンバー
４１ 圧力コントロールバルブ
４２ フィルター
４３ ストップバルブ
１０１ ノズル
１０２ 基板
１０３ ＣＯ_２粒子
１０４ ダクト
１０４ａ 吸気口

Claims (14)

1. 真空チャンバーと、
   前記真空チャンバー内に配置された、基板を保持する保持機構と、
   前記保持機構に保持された前記基板にＣＯ_２粒子を噴出させるノズルと、
   前記ノズルに加圧したＣＯ_２を供給するＣＯ_２供給機構と、
   前記真空チャンバー内を真空排気する真空排気機構と、
   を具備することを特徴とする真空式洗浄装置。
2. 請求項１において、
   前記保持機構は、前記基板の洗浄面とは逆側の面と水平面とで作る角度が４５°〜１８０°の範囲内となる位置に前記基板を保持する機構であることを特徴とする真空式洗浄装置。
3. 請求項１または２において、
   前記ノズルまたは前記保持機構を移動させる移動機構を有し、
   前記移動機構は、前記ノズルと前記保持機構に保持された前記基板との相対位置を変化させるものであることを特徴とする真空式洗浄装置。
4. 請求項１乃至３のいずれか一項において、
   前記真空排気機構は排気口を有し、前記排気口は前記保持機構に保持された前記基板の下方に配置されていることを特徴とする真空式洗浄装置。
5. 請求項４において、
   前記排気口はスリット形状を有し、
   前記スリット形状の長手方向の長さは前記基板の外径以上であることを特徴とする真空式洗浄装置。
6. 請求項１乃至５のいずれか一項において、
   前記真空排気機構はフィルターを有し、
   前記真空排気機構によって前記真空チャンバー内を排気した気体は前記フィルターを通して前記真空チャンバーの外部に排出されることを特徴とする真空式洗浄装置。
7. 請求項１乃至６のいずれか一項において、
   前記ノズルからＣＯ_２粒子が噴出される方向と前記基板の洗浄面とで作る角度は、２０°〜９０°の範囲内であることを特徴とする真空式洗浄装置。
8. 請求項１乃至７のいずれか一項において、
   前記ノズルは、縦の幅より横の幅が広い噴射口を有するワイドノズルであることを特徴とする真空式洗浄装置。
9. 真空チャンバー内に基板を配置し、前記真空チャンバー内を真空排気することで、前記真空チャンバー内の圧力を１Ｔｏｒｒ以下にする工程と、
   前記基板にＣＯ_２粒子を吹き付けることで、前記基板を洗浄する工程と、
   を具備することを特徴とする真空式洗浄方法。
10. 請求項９において、
    前記基板を洗浄する際の前記真空チャンバー内の露点は−４０℃以下であることを特徴とする真空式洗浄方法。
11. 請求項９または１０において、
    前記基板を洗浄する際の前記真空チャンバー内の圧力は１Ｔｏｒｒ以上であることを特徴とする真空式洗浄方法。
12. 請求項９乃至１１のいずれか一項において、
    前記基板を洗浄する際は、前記基板の洗浄面とは逆側の面と水平面とで作る角度が４５°〜１８０°の範囲内となる位置に前記基板を配置することを特徴とする真空式洗浄方法。
13. 請求項９乃至１２において、
    前記基板を洗浄する際に、前記基板の下方から排気することを特徴とする真空式洗浄方法。
14. 請求項９乃至１３において、
    前記基板を洗浄する際の前記真空チャンバー内の圧力は１気圧未満であることを特徴とする真空式洗浄方法。