JPH10326763A - 洗浄方法及び洗浄装置 - Google Patents

洗浄方法及び洗浄装置

Info

Publication number
JPH10326763A
JPH10326763A JP9134603A JP13460397A JPH10326763A JP H10326763 A JPH10326763 A JP H10326763A JP 9134603 A JP9134603 A JP 9134603A JP 13460397 A JP13460397 A JP 13460397A JP H10326763 A JPH10326763 A JP H10326763A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
nozzle
cleaned
substrates
cleaning
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP9134603A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3183214B2 (ja
Inventor
Hidemitsu Aoki
秀充 青木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP13460397A priority Critical patent/JP3183214B2/ja
Priority to TW087107646A priority patent/TW414967B/zh
Priority to KR1019980018162A priority patent/KR100301300B1/ko
Priority to GB9811176A priority patent/GB2325782B/en
Priority to CNB981150004A priority patent/CN1135605C/zh
Priority to US09/084,013 priority patent/US6036581A/en
Publication of JPH10326763A publication Critical patent/JPH10326763A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3183214B2 publication Critical patent/JP3183214B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041Cleaning
    • H01L21/02043Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24CABRASIVE OR RELATED BLASTING WITH PARTICULATE MATERIAL
    • B24C1/00Methods for use of abrasive blasting for producing particular effects; Use of auxiliary equipment in connection with such methods
    • B24C1/003Methods for use of abrasive blasting for producing particular effects; Use of auxiliary equipment in connection with such methods using material which dissolves or changes phase after the treatment, e.g. ice, CO2
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24CABRASIVE OR RELATED BLASTING WITH PARTICULATE MATERIAL
    • B24C3/00Abrasive blasting machines or devices; Plants
    • B24C3/18Abrasive blasting machines or devices; Plants essentially provided with means for moving workpieces into different working positions
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Cleaning In General (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】アルゴンガス又は炭酸ガスの洗浄流体を基板に
吹き付けてて、複数のウエハの両面を同時に洗浄処理
し、除去された汚染粒子の再付着を防止して基板の処理
効率及び処理された基板の清浄度を高める。 【解決手段】ノズル配管を共通配管から櫛状に分岐さ
せ、各々のノズル配管に噴出ノズル穴を複数加工して配
列する。ノズル配管の間に被洗浄基板をそれ自身垂直
に、水平に一列に配置し、噴出ノズル穴から出た洗浄流
体が各々の被洗浄基板の両面に同時に吹き出るようにす
る。雰囲気を真空に維持し、アルゴン微粒子を含むアル
ゴンガス又は二酸化炭素微粒子を含む炭酸ガスを、被洗
浄基板を上下に運動させながら、被洗浄基板の両面に吹
き付け、被洗浄基板の表面に付着している汚染粒子を弾
き飛ばす。基板上部から、N2 キャリヤガスを下方向に
流し汚染粒子を含んだ洗浄流体を排出する。洗浄流体と
2 キャリヤガスは排気手段により外部に排気され雰囲
気は真空に維持される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、洗浄方法および
洗浄装置に関し、特に半導体や液晶をはじめとする基板
表面を洗浄するのに適した洗浄方法および洗浄装置に関
するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体装置を製造する上で、表面に高密
度に半導体素子が形成される半導体基板を洗浄すること
は、欠くことのできない重要工程である。また、半導体
の集積化および微細化に伴い、微小な粒子汚染に対して
も効果的にこれを除去していくことは、半導体製造の歩
留まりを向上していく上で必要である。特に、粒子汚染
が発生しやすい成膜やドライエッチングの工程の後に
は、従来からアンモニア佳酸化水素水混合溶液による洗
浄が施されてきた。
【0003】しかしながら、このような薬液を用いた湿
式洗浄法は、過剰なエッチングを生じ、デバイスの信頼
性を低下させる問題がある。さらに、多量の薬液を使用
しなければならないため、環境への負荷も大きくなる。
この湿式洗浄技術に代わって開発が進められているの
が、Arエアロゾルクリーニングである。
【0004】これは、まず、液体窒素もしくは冷凍機を
用いてArガスを予備冷却し、噴出ノズル穴から減圧空
間に噴出することで断熱膨張させて、固体化したAr微
粒子を含む流体(以下、この液体をArエアロゾルと称
す。)を生成する。そして、このArエアロゾルをウエ
ハに吹き付け、前記の固体化した微粒子をウエハにぶつ
けることで、ウエハ上の粒子汚染や側壁堆積膜を除去す
る方法(以下、この洗浄方法をArエアロゾルクリーニ
ングと称す。)である。
【0005】従来から用いられている洗浄装置の概略模
式図を図2に示す。ウエハステージを噴出ノズル穴4a
に対して前後運動させることによって、噴出ノズル穴4
aから噴出されるArエアロゾル5をウエハ8の全面に
吹き付ける方式であり、これは、特開平6−28348
8号の明細書に開示されている。図2において、棒状の
ノズル装置4が、ウエハ8の運動方向に対してほぼ垂直
にかつウエハ8に対して水平に配置されている。噴出ノ
ズル穴4aから噴出したArエアロゾル5は、ウエハ8
上に付着している汚染粒子7を弾き飛ばし、この脱離し
た汚染粒子7は基板に対してほぼ水平方向に除去され
る。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】従来式のArエアロゾ
ルクリーニング装置は、枚葉式で、ウエハの片側表面に
のみAr微粒子(Arエアロゾル)を吹き付けているた
め、裏面側の処理ができず、処理効率も低い。また、A
rエアロゾル及び脱離した汚染粒子は水平方向に除去さ
れるため、排気系を工夫しないと、基板上に汚染粒子が
落下し、再付着する可能性がある。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項1に記載の洗浄方法は、被洗浄基板が一枚づ
つ配置される複数の空間の各々に両面から同時に洗浄流
体が吹き出るように噴出ノズル穴を配列し、真空容器内
に収納されたノズル装置に、アルゴン微粒子または炭酸
ガス微粒子を含む洗浄流体を供給する工程と、真空容器
から内部の流体を外部に排気し真空容器を真空に維持す
る工程と、前記空間に被洗浄基板を配置して固定し、被
洗浄基板と噴出ノズル穴が相対的に上下運動するよう
に、被洗浄基板又はノズル装置のいずれか一方を動かし
て被洗浄基板を洗浄処理し、前記洗浄流体を前記空間か
ら排出する排出流体を被洗浄基板の上部から供給する工
程とを含むことを特徴とする。
【0008】上記課題を解決するため、請求項2に記載
の洗浄装置は、被洗浄基板が一枚づつ配置される複数の
空間の各々に両面から同時に洗浄流体が吹き出るように
噴出ノズル穴を配列したノズル装置と、このノズル装置
にアルゴン微粒子または炭酸ガス微粒子を含む洗浄流体
を供給する洗浄流体供給部と、前記空間に被洗浄基板を
配置して固定する保持具と、被洗浄基板と噴出ノズル穴
が相対的に上下運動するように、被洗浄基板又はノズル
装置のいずれか一方を動かす駆動部と、前記洗浄流体を
前記空間から排出する流れを作る排出流体を被洗浄基板
の上部から供給する排出流体供給部と、ノズル装置、駆
動部、保持具および排出流体供給部を収納する真空容器
と、この真空容器から内部の流体を外部に排気し真空容
器を真空に維持する排気手段とを有することを特徴とす
る。
【009】上記課題を解決するため、請求項3に記載の
洗浄方法は、請求項1に記載の洗浄方法において、前記
ノズル装置が、共通配管と複数のノズル配管とからなる
ものであり、ノズル配管が所定のピッチで加工された複
数の噴出ノズル穴を備え、共通配管より櫛状に分岐した
ものである。
【0010】上記課題を解決するため、請求項4に記載
の洗浄装置は、請求項2に記載の洗浄装置において、前
記ノズル装置が、共通配管と複数のノズル配管とからな
るものであり、ノズル配管が所定のピッチで加工された
複数の噴出ノズル穴を備え、共通配管より櫛状に分岐し
たものである。
【0011】上記課題を解決するため、請求項5に記載
の洗浄装置は、請求項2又は請求項4いずれかに記載の
洗浄装置において、前記保持具がU字型もしくはV字型
の溝を有するローラ状の止め具を備え、少なくとも3箇
所で被洗浄基板を固定する保持具である。
【0012】
【発明の実施の形態】本発明の洗浄方法は、まず、真空
容器内に収納されたノズル装置に、アルゴン微粒子また
は炭酸ガス微粒子を含む洗浄流体(Arエアロゾルまた
はCO2 エアロゾル)を供給する。ノズル装置は被洗浄
基板を複数配置して設置し処理できるようになってい
る。ノズル装置は、被洗浄基板がそれ自体垂直な姿勢で
配置され、一定間隔で、水平な列をなすように設置する
ことが可能であるようにするとよい。
【0013】ノズル装置は噴出ノズル穴を有し、噴出ノ
ズル穴はノズル装置に対して設置された各々の被洗浄基
板の両側から洗浄流体を吹き出すように配置されてい
る。ノズル装置は噴出ノズル穴が加工されたノズル配管
を有し、噴出ノズル穴が前記のように配置されるようノ
ズル配管が構成されている。ノズル装置に、洗浄流体を
供給することによって、被洗浄基板が設置されるべき各
々の空間に、両側から洗浄流体が吹き出る。
【0014】真空容器の内部の流体は外部に排気され続
け、真空容器は真空に維持されているので、真空雰囲気
に吹き出されたアルゴン微粒子または炭酸ガス微粒子は
断熱膨張により温度が急激に低下し固体粒子に変化す
る。供給される洗浄流体は所定の圧力とし、必要に応じ
て予冷される。
【0015】次に、ノズル装置に被洗浄基板を配置して
設置すると、各々の被洗浄基板に両側から同時に洗浄流
体が吹き出る。そして、被洗浄基板と噴出ノズル穴が相
対上下運動をし、洗浄流体が被洗浄基板の全体に吹き付
けられるようにするため、被洗浄基板またはノズル装置
のいずれか一方を上下に動かして被洗浄基板の全体を洗
浄処理する。アルゴン固体微粒子または二酸化炭素固体
微粒子は被洗浄基板の両面に付着した堆積物や汚染微粒
子を弾き飛ばす。
【0016】また、同時に、堆積物片及び汚染粒子を含
む洗浄流体を排出するための排出流体を被洗浄基板の上
部から供給する。排出流体には窒素ガスなどを使用する
とよい。堆積物片及び汚染微粒子を含んだ洗浄流体は被
洗浄基板の下側に向かって排出される。堆積物片及び汚
染微粒子を含んだ洗浄流体及び排出流体は真空容器の外
部に排気され、真空容器は真空に維持される。排出流体
は必要に応じて予冷される。
【0017】本発明の洗浄装置は、ノズル装置を有し、
このノズル装置には噴出ノズル穴が配列され、噴出ノズ
ル穴は被洗浄基板が一枚ずつ配置される空間に両面から
同時に洗浄流体が吹き出るように配置されている。ノズ
ル装置はノズル配管を有し、ノズル配管には噴出ノズル
穴が加工されており、噴出ノズル穴が前記のように配置
されるようノズル配管が構成されている。被洗浄基板は
それ自体を垂直に一定間隔で、水平な列をなすように配
置されるようにするとよい。また、洗浄装置は被洗浄基
板を前記空間に配置し固定する保持具を有する。
【0018】さらに、洗浄装置は被洗浄基板又はノズル
装置のいずれかを上下運動させることができる駆動部を
有する。駆動部を作動させることにより被洗浄基板と噴
出ノズル穴が相対的に上下運動し、洗浄流体が被洗浄基
板の全体に吹き付けられるようにする。さらに、洗浄装
置は排出流体供給部を有し、排出流体を被洗浄基板の上
部から供給し排出流体を被洗浄基板の下側に向かって排
出する。
【0019】さらに、洗浄装置はノズル装置、駆動部、
保持具、排出流体供給部を収納する真空容器とこの真空
容器の内部の流体を外部に排気し真空容器を真空に維持
する排気手段とを有する。排気手段によって、真空容器
内は装置の作動前は内部空気を排出して真空にし、装置
作動中は離脱した汚染粒子等を含む洗浄流体及び排出流
体を排気することにより所定の真空度の真空に保たれ
る。洗浄流体は真空中に放出されるのでアルゴン微粒子
または炭酸ガス微粒子は断熱膨張により急激に温度が低
下し固体粒子に変化する。供給される洗浄流体は所定の
圧力とし、必要に応じて予冷される。アルゴン固体粒子
及び二酸化炭素固体粒子は被洗浄基板の両側に付着した
堆積物や汚染粒子を弾き飛ばして離脱させる。排出流体
は被洗浄基板の上部から供給され排出流体は被洗浄基板
の下側に向かって流れるので離脱した堆積物片及び汚染
粒子は被洗浄基板に再付着することなく被洗浄基板の領
域外に排出される。排出流体は必要に応じて予冷され
る。
【0020】ノズル装置を共通配管と複数のノズル配管
とから構成させ、ノズル配管が所定のピッチで加工され
た複数の噴出ノズル穴を備えるようにし、ノズル配管が
共通配管より櫛状に分岐したものとしてもよい。さら
に、保持具をU字形もしくはV字形の溝を有するローラ
状の止め具を備えるものとし、少なくとも3箇所で被洗
浄基板を固定する保持具としてもよい。
【0021】
【実施例】図2、図3a、図3b、及び図4に、本発明
の実施例による洗浄装置すなわちエアロゾルクリーニン
グ装置の基本構成を示す。Arエアロゾルを生成する過
程は従来方式とほぼ同じである。洗浄ガスとしてArガ
スとN2 ガスをそれぞれArガスソース1およびN2
スソース2から供給し、ArガスとN2 ガスの混合ガス
とした後に冷却システム3にて80度K〜150度Kの
温度に予備冷却する。ガスソース1、2は、ガスボンベ
で供給するか工場に配管されているガス系統を用いる。
Arガスソース1及びN2 ガスソース2は所定の供給圧
力とする。冷却システム3は、冷凍機または液体窒素を
用いる。洗浄装置の運転開始に際し、排気装置13によ
り真空容器6の内部の空気が排出され、真空容器6の内
部を圧力10KPa〜100KPaの真空にする。排気
装置13は真空ポンプ等を使用する。
【0022】洗浄ガスとしてのArガスとN2 ガスの混
合ガス(Arガス単独としてもよい。)は、ノズル装置
9の共通配管9cから櫛状に分岐した複数のノズル配管
9bに加工された噴出ノズル穴9aから気密構造の真空
容器6の中へ噴出される。このときガスの圧力が急激に
低下し、断熱膨張し、かつガスの温度も急激に低下しA
rガスは微小の固定粒子を含んだにArエアロゾル5と
なる(ジュール・トムソン効果)。ガスの流速は1m/
s〜10m/sとなるようにする。共通配管9cは一本
の直線の配管を水平に配置したものであり、ノズル配管
9bは共通配管9cから一定の間隔で共通配管に直角に
水平方向に分岐している。ノズル配管の共通配管からの
飛び出し長さは一定である。
【0023】ノズル装置9の分岐部分は、図3aに示す
ような断面円形のノズル配管9bから構成され、ノズル
配管9bの間に被処理基板であるウエハ10を1枚ずつ
垂直の姿勢で一定の間隔だけあけて挿入する。ノズル配
管9bの長さは、ウエハ10の直径よりも長く、ノズル
配管の直径は3mm〜15mm、ウエハ10とノズル配
管9bの最短距離は0.3mm〜10mm、噴出ノズル
穴9aの口径は0.1mm〜2mm程度とすることが望
ましい。ウエハ10は、図4に示すように上下運動さ
せ、噴出ノズルから吹き出すArエアロゾルによってウ
エハ上に付着している堆積物及び汚染粒子7を下方向に
弾きとばすことで洗浄する。
【0024】噴出ノズル穴9aは半径方向及び長手方向
一定のピッチとし、断面円形のノズル配管9の水平中心
線の上側半分よりも下側半分に多くなるように設け、A
rエアロゾル5の流れが全体として下方向に向かうよう
にしている。また、図1に示すように、N2 キャリヤガ
ス配管14は、N2 ガスソース2に接続されており、N
2 キャリヤガスは冷却システム3によって所定の温度に
予備冷却された後、ウエハ10の上部から下方向に向か
って供給され、下部の排気装置13によってウエハ10
から脱離した汚染粒子を効果的にウエハ隙間から下方向
に排出し、さらに真空容器6の外部に排気されるように
している。N2 キャリヤガス配管14も共通配管部から
櫛状に分岐した配管部を有する。分岐配管部の底部に長
手方向一定のピッチで噴出ノズル穴14aが加工されて
いる。噴出ノズル穴14aの口径は0.1mm〜1mm
程度とすることが望ましい。
【0025】噴出ノズル穴9aから噴出するArエアロ
ゾル5は、ウエハ10の全面に十分行き渡るようにウエ
ハ10を上下運動させる。上下運動は10回〜100回
程度行われる。上下運動によっておよびArエアロゾル
がウエハ10に当たることによって、ウエハ10が振動
しないように基板保持具11でウエハ10をしっかり固
定する。保持具11は図3bに示すように浅いU字型も
しくはV字型の溝を有するローラ状のものが望ましく、
1枚のウエハ10に対して少なくとも3個所で固定する
必要がある。また、ウエハ10を上下運動だけでなく、
回転運動をさせても良い。さらには、ウエハ10を固定
して、ノズル装置9を上下運動させても良い。一群のウ
エハ10の数は図1及び図4では、5となっているが、
通常では25〜50であり、さらにこの範囲以外の数も
ありえ、洗浄装置の設計により適切な数が決められる。
【0026】処理後一群のウエハ10は、基板保持具1
1を下に移動させることにより、処理位置から外され
る。この一群のウエハ10が真空容器6内で処理されて
いるとき、次に処理されるべき一群のウエハ10は真空
容器6の隣の予備真空容器(図示せず)内で待機してい
る。この処理前の一群のウエハ10は、予備真空容器か
ら真空容器に移され、ノズル配管9bの間に同様に挿入
され、保持具11で固定されて、処理位置への設定が完
了する。処理後の一群のウエハ10は、処理前の一群の
ウエハ10と入れ替わって、予備真空容器内へ移され
る。予備真空容器内の空間は真空容器6内の空間から分
離可能な構造となっている。
【0027】次に、予備真空容器内の空間は真空容器6
内の空間から分離され、予備真空容器のみ圧力が大気に
開放される。その後、処理済みのウエハ10を予備真空
容器から大気側に取り出し、さらに、その次に処理され
るべきウエハ10を予備真空容器内に入れる。ウエハ1
0の出し入れが終了した後に、予備真空容器は真空容器
6の真空度と同じになるまで大気を抜かれる。真空度が
真空容器6と同じになった時点で予備真空容器の分離が
解かれ、予備真空容器は真空容器と結合状態になる。そ
の後、処理前のウエハ10が予備真空容器から真空容器
6の処理位置に移され、処理後のウエハ10が真空容器
から予備真空容器に移され、さらに同様の操作が繰り返
される。
【0028】図5〜図7に、従来技術と本発明の比較結
果の例を示す。図5に基板表面の残留粒子数に対する従
来技術および本発明の比較図を示す。本発明の洗浄方法
を用いることにより、従来技術に比べて基板表面に残留
する粒子数を数分の1に低減することができる。これ
は、脱離した汚染粒子が、上部から供給されるキャリア
ガスのN2 に乗って重力方向に効果的にウエハの領域外
に除去されるためである。
【0029】図6に基板裏面の残留粒子数に対する従来
技術および本発明の比較図を示す。本発明の洗浄方法を
用いることにより、従来技術に比べて基板裏面に残留す
る粒子数は数10分の1に低減することができる。これ
は、従来技術ではウエハ裏面の汚染粒子をウエハの表面
と同時に除去する機構が備わっていないためである。図
7に単位時間当たりの基板処理枚数に対する従来技術お
よび本発明の比較図を示す。本発明で25枚バッジ処理
を想定し、従来技術で表面のみを処理する時間と比較し
た場合、1時間当たりに処理できる枚数は20倍以上に
向上する。また、従来技術で、表面と裏面を別々に枚葉
処理した場合と比較すると、40倍以上の処理能力が得
られる。
【0030】
【発明の効果】本発明の装置を用いて本発明の方法で洗
浄することにより、基板の両面を複数枚同時に洗浄する
ことができるため、基板の処理効率が向上し製造能力が
高くなる。また、脱離した堆積物および汚染物は基板に
再付着しにくいため、汚染物等の除去率が向上し、本発
明により処理された基板を用いた電子デバイスの信頼性
が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施例のエアロゾルクリーニング装
置の概略模式図である。
【図2】 従来のエアロゾルクリーニング装置の概略模
式図である。
【図3】 (a)本発明の実施例のエアロゾルクリーニ
ング装置の洗浄部分を斜めから見た部分模式図である。 (b)本発明の実施例のエアロゾルクリーニング装置の
保持具の拡大模式図である。
【図4】 本発明の実施例のエアロゾルクリーニング装
置の洗浄部分を横から見た模式図である。
【図5】 基板一枚当たりの基板表面の残留粒子数に関
する従来技術および本発明の比較図である。
【図6】 基板一枚当たりの基板裏面の残留粒子数に関
する従来技術および本発明の比較図である。
【図7】 単位時間当たりの基板処理枚数に関する従来
技術および本発明の比較図である。
【符号の説明】
1 Arガスソース 2 N2 ガスソース 3 冷却システム 4 ノズル装置 4a 噴出ノズル穴 5 Arアエロゾル 6 真空容器 7 汚染粒子 8 ウエハ 9 ノズル装置 9a 噴出ノズル穴 9b ノズル配管 10 ウエハ 11 基板保持具 12 N2 キャリアガス 13 排気装置 14 N2 キャリアガス配管

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 被洗浄基板が一枚づつ配置される複数の
    空間の各々に両面から同時に洗浄流体が吹き出るように
    噴出ノズル穴を配列し、真空容器内に収納されたノズル
    装置に、アルゴン微粒子または炭酸ガス微粒子を含む洗
    浄流体を供給する工程と、 真空容器から内部の流体を外部に排気し真空容器を真空
    に維持する工程と、 前記空間に被洗浄基板を配置して固定し、被洗浄基板と
    噴出ノズル穴が相対的に上下運動するように、被洗浄基
    板又はノズル装置のいずれか一方を動かして被洗浄基板
    を洗浄処理し、前記洗浄流体を前記空間から排出する排
    出流体を被洗浄基板の上部から供給する工程とを含むこ
    とを特徴とする洗浄方法。
  2. 【請求項2】 被洗浄基板が一枚づつ配置される複数の
    空間の各々に両面から同時に洗浄流体が吹き出るように
    噴出ノズル穴を配列したノズル装置と、このノズル装置
    にアルゴン微粒子または炭酸ガス微粒子を含む洗浄流体
    を供給する洗浄流体供給部と、前記空間に被洗浄基板を
    配置して固定する保持具と、被洗浄基板と噴出ノズル穴
    が相対的に上下運動するように、被洗浄基板又はノズル
    装置のいずれか一方を動かす駆動部と、前記洗浄流体を
    前記空間から排出する流れを作る排出流体を被洗浄基板
    の上部から供給する排出流体供給部と、ノズル装置、駆
    動部、保持具および排出流体供給部を収納する真空容器
    と、この真空容器から内部の流体を外部に排気し真空容
    器を真空に維持する排気手段とを有することを特徴とす
    る洗浄装置。
  3. 【請求項3】 前記ノズル装置が、共通配管と複数のノ
    ズル配管とからなるものであり、ノズル配管が所定のピ
    ッチで加工された複数の噴出ノズル穴を備え、共通配管
    より櫛状に分岐したものである請求項1に記載の洗浄方
    法。
  4. 【請求項4】 前記ノズル装置が、共通配管と複数のノ
    ズル配管とからなるものであり、ノズル配管が所定のピ
    ッチで加工された複数の噴出ノズル穴を備え、共通配管
    より櫛状に分岐したものである請求項2に記載の洗浄装
    置。
  5. 【請求項5】 前記保持具がU字型もしくはV字型の溝
    を有するローラ状の止め具を備え、少なくとも3箇所で
    被洗浄基板を固定する保持具である請求項2又は請求項
    4いずれかに記載の洗浄装置。
JP13460397A 1997-05-26 1997-05-26 洗浄方法および洗浄装置 Expired - Fee Related JP3183214B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13460397A JP3183214B2 (ja) 1997-05-26 1997-05-26 洗浄方法および洗浄装置
TW087107646A TW414967B (en) 1997-05-26 1998-05-18 Substrate cleaning method and apparatus
KR1019980018162A KR100301300B1 (ko) 1997-05-26 1998-05-20 기판의세정방법및세정장치
GB9811176A GB2325782B (en) 1997-05-26 1998-05-22 Substrate cleaning method and apparatus
CNB981150004A CN1135605C (zh) 1997-05-26 1998-05-25 基片清洗方法及装置
US09/084,013 US6036581A (en) 1997-05-26 1998-05-26 Substrate cleaning method and apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13460397A JP3183214B2 (ja) 1997-05-26 1997-05-26 洗浄方法および洗浄装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH10326763A true JPH10326763A (ja) 1998-12-08
JP3183214B2 JP3183214B2 (ja) 2001-07-09

Family

ID=15132268

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP13460397A Expired - Fee Related JP3183214B2 (ja) 1997-05-26 1997-05-26 洗浄方法および洗浄装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6036581A (ja)
JP (1) JP3183214B2 (ja)
KR (1) KR100301300B1 (ja)
CN (1) CN1135605C (ja)
GB (1) GB2325782B (ja)
TW (1) TW414967B (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6726777B1 (en) 1999-06-24 2004-04-27 Sumitomo Heavy Industries Ltd. Cleaning method and apparatus using fluid spraying
JP2006147654A (ja) * 2004-11-16 2006-06-08 Tokyo Electron Ltd 基板洗浄方法、基板洗浄装置、基板処理システム、基板洗浄プログラム及び記憶媒体
JP2007300118A (ja) * 2006-04-27 2007-11-15 Samsung Electronics Co Ltd 基板エッチング装置及びそれを用いた基板エッチング方法
JP2008091498A (ja) * 2006-09-29 2008-04-17 Fujitsu Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
US7913702B2 (en) 2004-11-16 2011-03-29 Tokyo Electron Limited Substrate cleaning method, substrate cleaning apparatus, substrate processing system, substrate cleaning program and storage medium
CN107634022A (zh) * 2017-10-27 2018-01-26 镇江佳鑫精工设备有限公司 一种半导体零件清洗装置

Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6782100B1 (en) 1997-01-29 2004-08-24 Certicom Corp. Accelerated finite field operations on an elliptic curve
US6516816B1 (en) 1999-04-08 2003-02-11 Applied Materials, Inc. Spin-rinse-dryer
US6918864B1 (en) * 1999-06-01 2005-07-19 Applied Materials, Inc. Roller that avoids substrate slippage
KR100349948B1 (ko) * 1999-11-17 2002-08-22 주식회사 다산 씨.앤드.아이 클러스터를 이용한 건식 세정 장치 및 방법
KR100359339B1 (ko) * 1999-12-28 2002-11-01 (주)케이.씨.텍 반도체 장비 세정 장치 및 방법
US7713356B2 (en) * 2000-06-06 2010-05-11 Nitto Denko Corporation Cleaning sheet, conveying member using the same, and substrate processing equipment cleaning method using them
TW503458B (en) * 2000-07-11 2002-09-21 Tokyo Electron Ltd Cleaning method and cleaning apparatus for substrate
EP1221357A1 (en) * 2001-01-05 2002-07-10 Infineon Technologies SC300 GmbH & Co. KG Arrangement and method for cleaning a semiconductor device
US6949145B2 (en) * 2002-04-05 2005-09-27 Boc, Inc. Vapor-assisted cryogenic cleaning
US6852173B2 (en) * 2002-04-05 2005-02-08 Boc, Inc. Liquid-assisted cryogenic cleaning
US20050217706A1 (en) * 2002-04-05 2005-10-06 Souvik Banerjee Fluid assisted cryogenic cleaning
US20040045578A1 (en) * 2002-05-03 2004-03-11 Jackson David P. Method and apparatus for selective treatment of a precision substrate surface
KR100524875B1 (ko) * 2003-06-28 2005-10-31 엘지.필립스 엘시디 주식회사 청정시스템
US8448437B2 (en) 2003-07-25 2013-05-28 Baker Hughes Incorporated System and method of cooling turbines
US7431040B2 (en) * 2003-09-30 2008-10-07 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for dispensing a rinse solution on a substrate
US20050172438A1 (en) 2004-01-29 2005-08-11 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for installing a scrubber brush on a mandrel
KR100972839B1 (ko) * 2004-03-18 2010-07-28 엘지디스플레이 주식회사 평판 디스플레이장치 제조용 기판 세정시스템 및 이를이용한 세정방법
JP2006140492A (ja) * 2004-11-11 2006-06-01 Samsung Electronics Co Ltd 半導体素子製造に使用される乾式クリーニング装置
WO2006055345A1 (en) * 2004-11-12 2006-05-26 Fsi International, Inc. Nozzle design for generating fluid streams useful in the manufacture of microelectronic devices
US20070114488A1 (en) * 2004-12-13 2007-05-24 Cool Clean Technologies, Inc. Cryogenic fluid composition
US7293570B2 (en) * 2004-12-13 2007-11-13 Cool Clean Technologies, Inc. Carbon dioxide snow apparatus
WO2006076005A1 (en) * 2005-01-12 2006-07-20 Boc, Inc. System for cleaning a surface using cryogenic aerosol and fluid reactant
US7504643B2 (en) * 2005-12-22 2009-03-17 Asml Netherlands B.V. Method for cleaning a lithographic apparatus module, a cleaning arrangement and a lithographic apparatus comprising the cleaning arrangement
US7495239B2 (en) * 2005-12-22 2009-02-24 Asml Netherlands B.V. Method for cleaning a lithographic apparatus module, a cleaning arrangement and a lithographic apparatus comprising the cleaning arrangement
WO2007103399A2 (en) 2006-03-07 2007-09-13 Applied Materials, Inc. Scrubber brush with sleeve and brush mandrel
FR2930675B1 (fr) * 2008-04-24 2010-08-20 Alcatel Lucent Station de mesure de la contamination en particules d'une enceinte de transport pour le convoyage et le stockage atmospherique de substrats semi-conducteurs et procede de mesure correspondant
CN101740341B (zh) * 2008-11-26 2011-12-07 中国科学院微电子研究所 二氧化碳低温气溶胶半导体清洗设备
TWI420616B (zh) * 2010-08-05 2013-12-21 Au Optronics Corp 基板清洗機台與基板清洗方法
CN102836844B (zh) * 2011-06-20 2015-10-28 中国科学院微电子研究所 一种干冰微粒喷射清洗装置
CN102360157A (zh) * 2011-09-28 2012-02-22 上海华力微电子有限公司 去除光掩模板表面微尘和沾污的装置及其方法
US9099547B2 (en) 2011-10-04 2015-08-04 Infineon Technologies Ag Testing process for semiconductor devices
US8883565B2 (en) 2011-10-04 2014-11-11 Infineon Technologies Ag Separation of semiconductor devices from a wafer carrier
CN102496560A (zh) * 2011-11-29 2012-06-13 上海宏力半导体制造有限公司 湿法刻蚀清洗设备以及湿法刻蚀清洗方法
CN103639151B (zh) * 2013-11-28 2016-07-06 上海华力微电子有限公司 清洁光掩模板的装置和方法
TWI608573B (zh) * 2016-10-27 2017-12-11 Crystalwise Tech Inc Composite substrate bonding method
DE102019103273A1 (de) * 2019-02-11 2020-08-13 Brillux Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Vermeidung des mikrobiellen Befalls einer Reinigungsvorrichtung für eine Dosieranlage

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4132567A (en) * 1977-10-13 1979-01-02 Fsi Corporation Apparatus for and method of cleaning and removing static charges from substrates
US5123207A (en) * 1990-10-30 1992-06-23 Tti Engineering Inc. Mobile co2 blasting decontamination system
US5315793A (en) * 1991-10-01 1994-05-31 Hughes Aircraft Company System for precision cleaning by jet spray
JPH06143148A (ja) * 1992-10-30 1994-05-24 Sony Corp 微粒子噴射加工装置
US5512106A (en) * 1993-01-27 1996-04-30 Sumitomo Heavy Industries, Ltd. Surface cleaning with argon
JP2828867B2 (ja) * 1993-03-30 1998-11-25 住友重機械工業株式会社 洗浄方法および洗浄装置
US5651723A (en) * 1994-04-13 1997-07-29 Viratec Thin Films, Inc. Method and apparatus for cleaning substrates in preparation for deposition of thin film coatings
US5837064A (en) * 1996-10-04 1998-11-17 Eco-Snow Systems, Inc. Electrostatic discharge protection of static sensitive devices cleaned with carbon dioxide spray
US5836809A (en) * 1996-10-07 1998-11-17 Eco-Snow Systems, Inc. Apparatus and method for cleaning large glass plates using linear arrays of carbon dioxide (CO2) jet spray nozzles

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6726777B1 (en) 1999-06-24 2004-04-27 Sumitomo Heavy Industries Ltd. Cleaning method and apparatus using fluid spraying
JP2006147654A (ja) * 2004-11-16 2006-06-08 Tokyo Electron Ltd 基板洗浄方法、基板洗浄装置、基板処理システム、基板洗浄プログラム及び記憶媒体
US7913702B2 (en) 2004-11-16 2011-03-29 Tokyo Electron Limited Substrate cleaning method, substrate cleaning apparatus, substrate processing system, substrate cleaning program and storage medium
JP2007300118A (ja) * 2006-04-27 2007-11-15 Samsung Electronics Co Ltd 基板エッチング装置及びそれを用いた基板エッチング方法
JP2008091498A (ja) * 2006-09-29 2008-04-17 Fujitsu Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
US8361240B2 (en) 2006-09-29 2013-01-29 Fujitsu Semiconductor Limited Substrate processing apparatus and substrate processing method
CN107634022A (zh) * 2017-10-27 2018-01-26 镇江佳鑫精工设备有限公司 一种半导体零件清洗装置
CN107634022B (zh) * 2017-10-27 2023-12-29 镇江佳鑫精工设备有限公司 一种半导体零件清洗装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP3183214B2 (ja) 2001-07-09
TW414967B (en) 2000-12-11
US6036581A (en) 2000-03-14
KR19980087228A (ko) 1998-12-05
KR100301300B1 (ko) 2001-11-30
CN1213847A (zh) 1999-04-14
GB2325782A (en) 1998-12-02
CN1135605C (zh) 2004-01-21
GB9811176D0 (en) 1998-07-22
GB2325782B (en) 2002-03-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3183214B2 (ja) 洗浄方法および洗浄装置
JP5016351B2 (ja) 基板処理システム及び基板洗浄装置
JP5490563B2 (ja) 基板洗浄方法及び基板洗浄装置
KR101437071B1 (ko) 액체 에어로솔 입자 제거 방법
KR100349948B1 (ko) 클러스터를 이용한 건식 세정 장치 및 방법
US6488779B1 (en) Method and apparatus for cleaning substrates
US6726777B1 (en) Cleaning method and apparatus using fluid spraying
US20020096195A1 (en) Method and apparatus for critical flow particle removal
JPH11297653A (ja) 表面洗浄方法及び装置
KR100328640B1 (ko) 표면세정방법 및 장치
JP2828867B2 (ja) 洗浄方法および洗浄装置
JP2865619B2 (ja) ガスを用いた洗浄方法および洗浄装置
JPH11165139A (ja) 表面洗浄方法及び装置
WO2023090290A1 (ja) 半導体ウエハ用ドライアイス洗浄装置及び半導体ウエハの洗浄方法
JPH11300293A (ja) 表面洗浄装置
KR20120015660A (ko) 노즐 유닛
JP2000262997A (ja) エアロゾル洗浄装置
JP2837826B2 (ja) 洗浄装置及び洗浄方法
JP2857569B2 (ja) 洗浄装置および洗浄方法
JP2000262999A (ja) エアロゾル洗浄装置
JPH10189516A (ja) 洗浄装置
KR20120077515A (ko) 기판 처리 장치
JP2000262996A (ja) エアロゾル洗浄装置
JP2005217184A (ja) 湿式洗浄装置および湿式洗浄方法
JPH11186206A (ja) 表面洗浄装置

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080427

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090427

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100427

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110427

Year of fee payment: 10

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110427

Year of fee payment: 10

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120427

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120427

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130427

Year of fee payment: 12

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees