JPH11300293A - 表面洗浄装置 - Google Patents
表面洗浄装置Info
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- JPH11300293A JPH11300293A JP11294598A JP11294598A JPH11300293A JP H11300293 A JPH11300293 A JP H11300293A JP 11294598 A JP11294598 A JP 11294598A JP 11294598 A JP11294598 A JP 11294598A JP H11300293 A JPH11300293 A JP H11300293A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 エアロゾルの衝突による微粒子の発生を防止
して、洗浄時に被洗浄物表面に付着する微粒子を低減す
る。 【解決手段】 エアロゾルが直接、又は、間接的に衝突
する部品の少なくとも一部を、部品表面の溶解を伴う研
磨処理により最終仕上げする。
して、洗浄時に被洗浄物表面に付着する微粒子を低減す
る。 【解決手段】 エアロゾルが直接、又は、間接的に衝突
する部品の少なくとも一部を、部品表面の溶解を伴う研
磨処理により最終仕上げする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、表面洗浄装置に係
り、特に、半導体用ウェハの表面を洗浄する際に用いる
のに好適な、エアロゾルの衝突による微粒子の発生を防
止して、洗浄時に被洗浄物表面に付着する微粒子を低減
することが可能な、表面洗浄装置に関する。
り、特に、半導体用ウェハの表面を洗浄する際に用いる
のに好適な、エアロゾルの衝突による微粒子の発生を防
止して、洗浄時に被洗浄物表面に付着する微粒子を低減
することが可能な、表面洗浄装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩ製造工程における半導体用ウェハ
の表面上や、液晶（ＬＣＤ）あるいは太陽電池等の表面
上の微粒子（パーティクル）や汚れは、最終製品の歩留
りを大きく低下させる。このため、ウェハの表面洗浄が
極めて重要である。又、最近の環境保護の立場からも、
廃液等を出さない、環境にやさしい洗浄方法が注目され
ている。
の表面上や、液晶（ＬＣＤ）あるいは太陽電池等の表面
上の微粒子（パーティクル）や汚れは、最終製品の歩留
りを大きく低下させる。このため、ウェハの表面洗浄が
極めて重要である。又、最近の環境保護の立場からも、
廃液等を出さない、環境にやさしい洗浄方法が注目され
ている。
【０００３】従来から、種々の表面洗浄方法が提案され
ており、半導体製造を例に採ると、超音波併用の純水洗
浄、純水中に薬液（例えばアンモニア過酸化水素液や硫
酸過酸化水素液）を加えた溶液中に被洗浄物を侵漬し、
洗浄する等の湿式洗浄方式が用いられている。
ており、半導体製造を例に採ると、超音波併用の純水洗
浄、純水中に薬液（例えばアンモニア過酸化水素液や硫
酸過酸化水素液）を加えた溶液中に被洗浄物を侵漬し、
洗浄する等の湿式洗浄方式が用いられている。
【０００４】しかしながら、この種の湿式洗浄方式は、
各種設備の設置面積が大きく、廃液処理も必要であると
いう問題がある。
各種設備の設置面積が大きく、廃液処理も必要であると
いう問題がある。
【０００５】一方、液体を用いない乾式洗浄方式とし
て、ガスを加え化学反応を利用したドライクリーニング
があるが、パーティクル状の汚染物が除去できないとい
う問題がある。
て、ガスを加え化学反応を利用したドライクリーニング
があるが、パーティクル状の汚染物が除去できないとい
う問題がある。
【０００６】更に、ドライアイスや氷、アルゴン固体等
の微粒子を、被洗浄物表面に衝突させ、パーティクルを
除去することも考えられているが、氷を用いた場合に
は、被洗浄物の表面が損傷を受ける恐れがあり、ドライ
アイスを用いた場合には、特に、鉄鋼や石油精製の廃ガ
スを原料とする市販品では、ドライアイス自体が汚れて
いるため、不純物汚染の問題がある。
の微粒子を、被洗浄物表面に衝突させ、パーティクルを
除去することも考えられているが、氷を用いた場合に
は、被洗浄物の表面が損傷を受ける恐れがあり、ドライ
アイスを用いた場合には、特に、鉄鋼や石油精製の廃ガ
スを原料とする市販品では、ドライアイス自体が汚れて
いるため、不純物汚染の問題がある。
【０００７】これらに対して、特開平６−２５２１１４
や特開平６−２９５８９５に記載された、アルゴン固体
の微粒子を用いる方法によれば、上記のような問題は存
在しない。
や特開平６−２９５８９５に記載された、アルゴン固体
の微粒子を用いる方法によれば、上記のような問題は存
在しない。
【０００８】例えば、特開平６−２９５８９５では、図
７に示す如く、アルゴン（Ａｒ）ガスのボンベ２０から
圧力調整弁２２を介して供給されるアルゴンガスと、窒
素（Ｎ2 ）ガスのボンベ２４から圧力調整弁２６を介し
て供給される窒素ガスを合流点３０で混合し、該合流点
３０で混合されたＡｒ＋Ｎ2 混合ガスを、配管３２を介
してフィルタ３４でガス中の粒子を除去した後、配管３
６を介して冷却器（又は熱交換器）３８で、当該冷却器
３８の到達冷却温度が、その圧力でのアルゴンガスの液
化点近傍となるように冷却する。冷却された混合ガス
は、配管４０を介してエアロゾル噴射ノズル４２によ
り、被洗浄物であるウェハ１０等が走査機構１２の移動
台１３上に載置されて収容されている、洗浄室１４を構
成する真空容器内に噴出される。エアロゾル噴射ノズル
４２から噴出された混合ガスの圧力は、真空容器である
洗浄室１４内で急激に低下し、断熱膨脹するので、混合
ガスの温度が急激に低下し、微細液滴は、少なくとも表
面が固化したアルゴンの微粒子に変化するため、多量の
アルゴン微粒子を含むエアロゾルがウェハ１０の表面に
噴射され、効率的に洗浄される。
７に示す如く、アルゴン（Ａｒ）ガスのボンベ２０から
圧力調整弁２２を介して供給されるアルゴンガスと、窒
素（Ｎ2 ）ガスのボンベ２４から圧力調整弁２６を介し
て供給される窒素ガスを合流点３０で混合し、該合流点
３０で混合されたＡｒ＋Ｎ2 混合ガスを、配管３２を介
してフィルタ３４でガス中の粒子を除去した後、配管３
６を介して冷却器（又は熱交換器）３８で、当該冷却器
３８の到達冷却温度が、その圧力でのアルゴンガスの液
化点近傍となるように冷却する。冷却された混合ガス
は、配管４０を介してエアロゾル噴射ノズル４２によ
り、被洗浄物であるウェハ１０等が走査機構１２の移動
台１３上に載置されて収容されている、洗浄室１４を構
成する真空容器内に噴出される。エアロゾル噴射ノズル
４２から噴出された混合ガスの圧力は、真空容器である
洗浄室１４内で急激に低下し、断熱膨脹するので、混合
ガスの温度が急激に低下し、微細液滴は、少なくとも表
面が固化したアルゴンの微粒子に変化するため、多量の
アルゴン微粒子を含むエアロゾルがウェハ１０の表面に
噴射され、効率的に洗浄される。
【０００９】図において、１６は、洗浄室１４内を真空
に排気するための排気装置である。
に排気するための排気装置である。
【００１０】この表面洗浄装置においては、エアロゾル
噴射ノズル４２に設けられたノズル穴４３を介して、冷
却器３８で冷却されたアルゴンガスを洗浄室１４中に噴
出させ、急激な断熱膨脹によって多数のエアロゾル（液
体、固体、あるいは固体と液体の混合物からなる極微粒
子のガス状懸濁物）を形成させ、ウェハ１０の表面に噴
き付けて、微粒子の衝撃力を利用して表面洗浄を行う。
噴射ノズル４２に設けられたノズル穴４３を介して、冷
却器３８で冷却されたアルゴンガスを洗浄室１４中に噴
出させ、急激な断熱膨脹によって多数のエアロゾル（液
体、固体、あるいは固体と液体の混合物からなる極微粒
子のガス状懸濁物）を形成させ、ウェハ１０の表面に噴
き付けて、微粒子の衝撃力を利用して表面洗浄を行う。
【００１１】即ち、エアロゾル噴射ノズル４２と洗浄室
１４内の圧力差が適切であれば、アルゴン微粒子の表面
のみが固化して殻状となり、内部が液体のままであるの
で、ウェハ１０の表面に衝突した際に殻が割れ、弾性的
に反射することがない。従って洗浄能力が向上する。
１４内の圧力差が適切であれば、アルゴン微粒子の表面
のみが固化して殻状となり、内部が液体のままであるの
で、ウェハ１０の表面に衝突した際に殻が割れ、弾性的
に反射することがない。従って洗浄能力が向上する。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、通常の
機械加工で製作された部品の表面には、図８のように細
かい凹凸があり、その凹凸の中に微細な切粉５０等が入
っている。このような部品は、当然装置に組み込まれる
前に、超音波洗浄等により十分な洗浄がなされるが、完
全には除去できない。又、ウェハ洗浄時等に飛翔してき
た微粒子が凹部にトラップされる。これらが、洗浄時に
エアロゾルの衝突等によって発塵を引き起こし、一部が
ウェハに付着するという問題点を有していた。
機械加工で製作された部品の表面には、図８のように細
かい凹凸があり、その凹凸の中に微細な切粉５０等が入
っている。このような部品は、当然装置に組み込まれる
前に、超音波洗浄等により十分な洗浄がなされるが、完
全には除去できない。又、ウェハ洗浄時等に飛翔してき
た微粒子が凹部にトラップされる。これらが、洗浄時に
エアロゾルの衝突等によって発塵を引き起こし、一部が
ウェハに付着するという問題点を有していた。
【００１３】本発明は、前記従来の問題点を解消するべ
くなされたもので、エアロゾルの衝突による微粒子の発
生を防止して、洗浄時に被洗浄物表面に付着する微粒子
を低減することを課題とする。
くなされたもので、エアロゾルの衝突による微粒子の発
生を防止して、洗浄時に被洗浄物表面に付着する微粒子
を低減することを課題とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明は、少なくとも一
部が固化された微粒子を含むエアロゾルを、被洗浄物表
面に向けて噴射することによって被洗浄物表面を洗浄す
る表面洗浄装置において、前記エアロゾルが直接、又
は、間接的に衝突する部品の少なくとも一部を、部品表
面の溶解を伴う研磨処理により最終仕上げするようにし
て、前記課題を解決したものである。
部が固化された微粒子を含むエアロゾルを、被洗浄物表
面に向けて噴射することによって被洗浄物表面を洗浄す
る表面洗浄装置において、前記エアロゾルが直接、又
は、間接的に衝突する部品の少なくとも一部を、部品表
面の溶解を伴う研磨処理により最終仕上げするようにし
て、前記課題を解決したものである。
【００１５】このようにして、電解研磨や化学研磨によ
り、部品表面を図１に示す如く滑らかにして、細かい凹
凸を無くすことにより、飛翔してきた微粒子がトラップ
され難くなる。又、加工時に発生した微細な切粉は、研
磨時に溶解、除去される。この結果、エアロゾルの衝突
等による発塵量が減少する。
り、部品表面を図１に示す如く滑らかにして、細かい凹
凸を無くすことにより、飛翔してきた微粒子がトラップ
され難くなる。又、加工時に発生した微細な切粉は、研
磨時に溶解、除去される。この結果、エアロゾルの衝突
等による発塵量が減少する。
【００１６】前記研磨処理として、電解研磨、化学研磨
等のいずれを選択するかは、部品の材質や形状による。
等のいずれを選択するかは、部品の材質や形状による。
【００１７】前記部品は、被洗浄物を運ぶためのプロセ
スハンド、前記エアロゾルや他のガスを噴射するための
噴射ノズル、洗浄室内の流れを制御するためのシールド
や、洗浄室の内壁等とすることができる。プロセスハン
ドには、被洗浄物と共にエアロゾルが直接当たるので、
研磨処理による効果が高い。噴射ノズルは、エアロゾル
や他のガスが通過するので、やはり、研磨処理による効
果が高い。シールドや洗浄室の内壁にも、エアロゾルが
直接、又は、間接的に衝突するので、効果がある。
スハンド、前記エアロゾルや他のガスを噴射するための
噴射ノズル、洗浄室内の流れを制御するためのシールド
や、洗浄室の内壁等とすることができる。プロセスハン
ドには、被洗浄物と共にエアロゾルが直接当たるので、
研磨処理による効果が高い。噴射ノズルは、エアロゾル
や他のガスが通過するので、やはり、研磨処理による効
果が高い。シールドや洗浄室の内壁にも、エアロゾルが
直接、又は、間接的に衝突するので、効果がある。
【００１８】特に、前記プロセスハンド、シールド、洗
浄室内壁は、電解研磨により最終仕上げすることができ
る。
浄室内壁は、電解研磨により最終仕上げすることができ
る。
【００１９】一方、前記噴射ノズルは、化学研磨により
最終仕上げして、ノズル孔の内部まで研磨が行われるよ
うにすることができる。
最終仕上げして、ノズル孔の内部まで研磨が行われるよ
うにすることができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下図面を参照して、本発明の実
施形態を詳細に説明する。
施形態を詳細に説明する。
【００２１】本実施形態が適用される半導体用ウェハの
表面洗浄装置の全体構成を図２、管路を図３、図２のIV
−IV線に沿う洗浄室の縦断面を図４、図４のノズル周辺
の拡大図を図５に示す。
表面洗浄装置の全体構成を図２、管路を図３、図２のIV
−IV線に沿う洗浄室の縦断面を図４、図４のノズル周辺
の拡大図を図５に示す。
【００２２】この表面洗浄装置には、装置外部から被洗
浄物であるウェハ１０が多数収容されたカセット５２が
交互に搬入出され、真空状態に排気される２つのカセッ
ト室５４、５６と、洗浄前のウェハ１０を、前記カセッ
ト室５４、５６の一方のカセット５２から１枚ずつ引き
出して、矢印Ａに示す如く、次のバッファ室６２に搬入
すると共に、洗浄後のウェハを、バッファ室６２から搬
出して、矢印Ｂに示す如く、所定のカセット５２に挿入
するための、ウェハハンドリング用の真空ロボット５８
が配設されたロボット室６０と、常時、真空に保たれて
いるロボット室６０とノズル４２から噴射されるエアロ
ゾルにより圧力が高い洗浄室１４間の圧力差を解消し
て、ウェハの受け渡しをするためのバッファ室６２と、
該バッファ室６２内で待機しているウェハを、移動台を
構成するプロセスハンド１３により洗浄室１４に搬入
（Ｙ方向）し、図の左右方向（Ｘ方向）及び上下方向
（Ｙ方向）に走査するための走査機構１２と、下を通過
するウェハに対してエアロゾルを噴射して洗浄するため
のノズル４２を備えた洗浄室１４と、該ノズル４２に供
給されるＡｒ＋Ｎ2 混合ガスを冷却するための熱交換器
７８を構成する冷凍機７６及びそのコンプレッサ８０
と、前記カセット室５４、５６、ロボット室６０、バッ
ファ室６２、洗浄室１４を真空にするためのドライポン
プ７４と、前記窒素ガスボンベ２４から、圧力調整弁９
０、配管９２、フィルタ９４、配管９６を介して供給さ
れる窒素ガスを、ノズル４２のノズル孔４３の近傍に噴
射して、エアロゾルを加速する加速ノズル１０８とが、
主に備えられている。
浄物であるウェハ１０が多数収容されたカセット５２が
交互に搬入出され、真空状態に排気される２つのカセッ
ト室５４、５６と、洗浄前のウェハ１０を、前記カセッ
ト室５４、５６の一方のカセット５２から１枚ずつ引き
出して、矢印Ａに示す如く、次のバッファ室６２に搬入
すると共に、洗浄後のウェハを、バッファ室６２から搬
出して、矢印Ｂに示す如く、所定のカセット５２に挿入
するための、ウェハハンドリング用の真空ロボット５８
が配設されたロボット室６０と、常時、真空に保たれて
いるロボット室６０とノズル４２から噴射されるエアロ
ゾルにより圧力が高い洗浄室１４間の圧力差を解消し
て、ウェハの受け渡しをするためのバッファ室６２と、
該バッファ室６２内で待機しているウェハを、移動台を
構成するプロセスハンド１３により洗浄室１４に搬入
（Ｙ方向）し、図の左右方向（Ｘ方向）及び上下方向
（Ｙ方向）に走査するための走査機構１２と、下を通過
するウェハに対してエアロゾルを噴射して洗浄するため
のノズル４２を備えた洗浄室１４と、該ノズル４２に供
給されるＡｒ＋Ｎ2 混合ガスを冷却するための熱交換器
７８を構成する冷凍機７６及びそのコンプレッサ８０
と、前記カセット室５４、５６、ロボット室６０、バッ
ファ室６２、洗浄室１４を真空にするためのドライポン
プ７４と、前記窒素ガスボンベ２４から、圧力調整弁９
０、配管９２、フィルタ９４、配管９６を介して供給さ
れる窒素ガスを、ノズル４２のノズル孔４３の近傍に噴
射して、エアロゾルを加速する加速ノズル１０８とが、
主に備えられている。
【００２３】図において、１１０、１１２は、長穴１１
４とボルト１１６の組合せにより上下位置を調節可能な
状態で、加速ノズル１０８を固定しているステー、１２
０は、洗浄室１４内の流れを制御するためのシールド板
である。
４とボルト１１６の組合せにより上下位置を調節可能な
状態で、加速ノズル１０８を固定しているステー、１２
０は、洗浄室１４内の流れを制御するためのシールド板
である。
【００２４】本実施形態は、このような表面洗浄装置の
構成部品のうち、図６に示す如く、ノズル４２及び１０
８の直下をウェハ１０と共に通過して、ノズルから噴射
されるガスの直撃を受けるプロセスハンド１３、及び、
ノズル４２、１０８の近傍に配置されて、ノズルから噴
射されたガスが、直接又は間接的に衝突するシールド板
１２０及び洗浄室１４の内壁を、電解研磨により最終仕
上げして、図１に示したような滑らかな形状とすると共
に、ガスが通過する前記ノズル４２及び１０８を、化学
研磨により最終仕上げして、ノズル孔４３、１０９の内
側を含めて、図１に示したような滑らかな表面形状とし
たものである。
構成部品のうち、図６に示す如く、ノズル４２及び１０
８の直下をウェハ１０と共に通過して、ノズルから噴射
されるガスの直撃を受けるプロセスハンド１３、及び、
ノズル４２、１０８の近傍に配置されて、ノズルから噴
射されたガスが、直接又は間接的に衝突するシールド板
１２０及び洗浄室１４の内壁を、電解研磨により最終仕
上げして、図１に示したような滑らかな形状とすると共
に、ガスが通過する前記ノズル４２及び１０８を、化学
研磨により最終仕上げして、ノズル孔４３、１０９の内
側を含めて、図１に示したような滑らかな表面形状とし
たものである。
【００２５】以下、作用を説明する。
【００２６】前記エアロゾル噴射ノズル４２のノズル孔
４３からは、アルゴン微粒子を含むエアロゾル、前記加
速ノズル１０８のノズル孔１０９からは、加速用窒素ガ
スを噴出させた状態で、例えば特開平６−２５２１１４
や特開平６−２９５８９５に記載された方法を用いて、
走査機構１２のプロセスハンド１３により、ウェハ１０
を、図２の手前から奥の方に、ノズル孔のピッチ分だけ
横方向（Ｘ方向）に走査しながら、Ｙ方向にジグザグに
送り込む。すると、ウェハ１０の表面には、エアロゾル
噴射ノズル４２から噴射され、加速ノズル１０８から噴
射される窒素ガスによって加速されたエアロゾルが衝突
し、高い洗浄力で、ウェハ１０の表面が洗浄される。
４３からは、アルゴン微粒子を含むエアロゾル、前記加
速ノズル１０８のノズル孔１０９からは、加速用窒素ガ
スを噴出させた状態で、例えば特開平６−２５２１１４
や特開平６−２９５８９５に記載された方法を用いて、
走査機構１２のプロセスハンド１３により、ウェハ１０
を、図２の手前から奥の方に、ノズル孔のピッチ分だけ
横方向（Ｘ方向）に走査しながら、Ｙ方向にジグザグに
送り込む。すると、ウェハ１０の表面には、エアロゾル
噴射ノズル４２から噴射され、加速ノズル１０８から噴
射される窒素ガスによって加速されたエアロゾルが衝突
し、高い洗浄力で、ウェハ１０の表面が洗浄される。
【００２７】この際、前記プロセスハンド１３、エアロ
ゾル噴射ノズル４２及び加速ノズル１０８、シールド板
１２０、洗浄室１４の内壁は、図１に示す如く、滑らか
に処理されているので、細かい凹凸がなく、飛翔してき
た微粒子はトラップされない。又、加工時に発生した微
細な切粉は、研削時に溶解、除去されている。従って、
エアロゾルの衝突等による発塵量が減少する。
ゾル噴射ノズル４２及び加速ノズル１０８、シールド板
１２０、洗浄室１４の内壁は、図１に示す如く、滑らか
に処理されているので、細かい凹凸がなく、飛翔してき
た微粒子はトラップされない。又、加工時に発生した微
細な切粉は、研削時に溶解、除去されている。従って、
エアロゾルの衝突等による発塵量が減少する。
【００２８】本実施形態においては、プロセスハンド１
３及びシールド板１２０、洗浄室１４の内壁を電解研磨
により表面仕上げし、エアロゾル噴射ノズル４２及び加
速ノズル１０８を化学研磨により最終仕上げしているの
で、エアロゾルの衝突による発塵を効果的に防止するこ
とができる。なお、部品表面の溶解を伴う研磨処理を行
う対象部品や、研磨方法は、これに限定されない。
３及びシールド板１２０、洗浄室１４の内壁を電解研磨
により表面仕上げし、エアロゾル噴射ノズル４２及び加
速ノズル１０８を化学研磨により最終仕上げしているの
で、エアロゾルの衝突による発塵を効果的に防止するこ
とができる。なお、部品表面の溶解を伴う研磨処理を行
う対象部品や、研磨方法は、これに限定されない。
【００２９】又、本実施形態においては、加速ノズルか
ら噴射する不活性ガスとして窒素ガスを用いたので、経
済性が高い。なお、不活性ガスの種類はこれに限定され
ず、例えばアルゴンガスを用いることも可能である。
ら噴射する不活性ガスとして窒素ガスを用いたので、経
済性が高い。なお、不活性ガスの種類はこれに限定され
ず、例えばアルゴンガスを用いることも可能である。
【００３０】又、加速ノズルを省略して、エアロゾル噴
射ノズルのみとすることも可能である。更に、噴射する
エアロゾルの種類もアルゴンに限定されない。
射ノズルのみとすることも可能である。更に、噴射する
エアロゾルの種類もアルゴンに限定されない。
【００３１】前記実施形態においては、本発明が、半導
体用ウェハの洗浄に適用されていたが、本発明の適用対
象はこれに限定されず、ハードディスク、液晶、マイク
ロマシン、精密機械部品及び電子部品等の他の被洗浄物
の洗浄にも同様に適用できることは明らかである。
体用ウェハの洗浄に適用されていたが、本発明の適用対
象はこれに限定されず、ハードディスク、液晶、マイク
ロマシン、精密機械部品及び電子部品等の他の被洗浄物
の洗浄にも同様に適用できることは明らかである。
【００３２】
【発明の効果】本発明によれば、エアロゾルの衝突によ
る微粒子の発生が防止され、洗浄時に被洗浄物表面に付
着する微粒子が低減される。
る微粒子の発生が防止され、洗浄時に被洗浄物表面に付
着する微粒子が低減される。
【図１】本発明の原理を説明するための、部品表面の溶
解を伴う研磨処理が施された母材の表面近傍を示す断面
図
解を伴う研磨処理が施された母材の表面近傍を示す断面
図
【図２】本発明に係る半導体用ウェハの表面洗浄装置の
実施形態の全体構成を示す平面図
実施形態の全体構成を示す平面図
【図３】同じく管路図
【図４】前記実施形態の洗浄室の断面形状を示す、図２
のIV−IV線に沿う縦断面図
のIV−IV線に沿う縦断面図
【図５】前記洗浄室のノズル近傍を示す拡大断面図
【図６】同じく拡大平面図
【図７】特開平６−２９５８９５に記載された従来の表
面洗浄装置の構成を示す管路図
面洗浄装置の構成を示す管路図
【図８】通常の機械加工で製作された部品の表面近傍を
示す断面図
示す断面図
１０…ウェハ（被洗浄物） １２…走査機構 １３…プロセスハンド １４…洗浄室（真空容器） １６…排気装置 ２０…アルゴン（Ａｒ）ガスボンベ ２４…窒素（Ｎ2 ）ガスボンベ ３４、９４…フィルタ ３８…冷却機 ４２…エアロゾル噴射ノズル ４３、１０９…ノズル孔 ５０…切粉 ７６…冷凍機 ７８…熱交換機 １０８…加速ノズル
Claims (7)
- 【請求項１】少なくとも一部が固化された微粒子を含む
エアロゾルを、被洗浄物表面に向けて噴射することによ
って被洗浄物表面を洗浄する表面洗浄装置において、 前記エアロゾルが直接、又は、間接的に衝突する部品の
少なくとも一部が、部品表面の溶解を伴う研磨処理によ
り最終仕上げされていることを特徴とする表面洗浄装
置。 - 【請求項２】請求項１において、前記研磨処理が、電解
研磨や化学研磨であることを特徴とする表面洗浄装置。 - 【請求項３】請求項１又は２において、前記部品が、被
洗浄物を運ぶためのプロセスハンドであることを特徴と
する表面洗浄装置。 - 【請求項４】請求項１又は２において、前記部品が、前
記エアロゾルや他のガスを噴射するための噴射ノズルで
あることを特徴とする表面洗浄装置。 - 【請求項５】請求項１又は２において、前記部品が、洗
浄室内の流れを制御するためのシールドや、洗浄室の内
壁であることを特徴とする表面洗浄装置。 - 【請求項６】請求項３又は５において、前記プロセスハ
ンド、シールド、洗浄室内壁が、電解研磨により最終仕
上げされていることを特徴とする表面洗浄装置。 - 【請求項７】請求項４において、前記噴射ノズルが、化
学研磨により最終仕上げされていることを特徴とする表
面洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11294598A JPH11300293A (ja) | 1998-04-23 | 1998-04-23 | 表面洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11294598A JPH11300293A (ja) | 1998-04-23 | 1998-04-23 | 表面洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11300293A true JPH11300293A (ja) | 1999-11-02 |
Family
ID=14599456
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11294598A Pending JPH11300293A (ja) | 1998-04-23 | 1998-04-23 | 表面洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11300293A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001000336A1 (fr) * | 1999-06-24 | 2001-01-04 | Sumitomo Heavy Industries, Ltd. | Procede et dispositif de lavage par pulverisation d'un fluide |
| KR100385431B1 (ko) * | 2000-09-19 | 2003-05-27 | 주식회사 케이씨텍 | 표면 세정용 에어로졸 생성 시스템 |
| KR100436361B1 (ko) * | 2000-12-15 | 2004-06-18 | (주)케이.씨.텍 | 기판 가장자리를 세정하기 위한 장치 |
| US6899110B2 (en) | 2001-06-25 | 2005-05-31 | Fuji Electric Co., Ltd. | Cleaning method and apparatus |
-
1998
- 1998-04-23 JP JP11294598A patent/JPH11300293A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001000336A1 (fr) * | 1999-06-24 | 2001-01-04 | Sumitomo Heavy Industries, Ltd. | Procede et dispositif de lavage par pulverisation d'un fluide |
| US6726777B1 (en) | 1999-06-24 | 2004-04-27 | Sumitomo Heavy Industries Ltd. | Cleaning method and apparatus using fluid spraying |
| KR100385431B1 (ko) * | 2000-09-19 | 2003-05-27 | 주식회사 케이씨텍 | 표면 세정용 에어로졸 생성 시스템 |
| KR100436361B1 (ko) * | 2000-12-15 | 2004-06-18 | (주)케이.씨.텍 | 기판 가장자리를 세정하기 위한 장치 |
| US6899110B2 (en) | 2001-06-25 | 2005-05-31 | Fuji Electric Co., Ltd. | Cleaning method and apparatus |
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