JPH0479326A - 基板表面の洗浄装置 - Google Patents
基板表面の洗浄装置Info
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- JPH0479326A JPH0479326A JP19514690A JP19514690A JPH0479326A JP H0479326 A JPH0479326 A JP H0479326A JP 19514690 A JP19514690 A JP 19514690A JP 19514690 A JP19514690 A JP 19514690A JP H0479326 A JPH0479326 A JP H0479326A
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
- B08B7/02—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by distortion, beating, or vibration of the surface to be cleaned
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ｃ産業上の利用分野〕
この発明は、超微細な氷粒子を半導体等の基板表面に噴
射することにより基板表面を洗浄するための基板表面の
洗浄装置に関するものである。
射することにより基板表面を洗浄するための基板表面の
洗浄装置に関するものである。
第３図は従来の基板表面の洗浄装置を示し、図において
、氷粒子を生成するための製氷手段１には、冷却用の液
体窒素等の冷媒体を送給する手段２、および純粋を噴霧
するノズル３が設けられており、生成された氷粒子４は
噴射手段５から半導体等の基板６表面に噴射される。
、氷粒子を生成するための製氷手段１には、冷却用の液
体窒素等の冷媒体を送給する手段２、および純粋を噴霧
するノズル３が設けられており、生成された氷粒子４は
噴射手段５から半導体等の基板６表面に噴射される。
以上のような構成により断熱材で囲まれた製氷手段１内
に液体窒素等の冷媒体を送給する手段２によって注入し
、内部を一１００°Ｃ〜〜１８０’Ｃに冷却する。また
スプレーノズル３より超純水等の被凍結液を製氷手段１
内に微噴霧する。この微噴霧された粒子は瞬時に凍結し
、微細な（粒径１０〜２００μｍ）氷粒子４が得られる
。
に液体窒素等の冷媒体を送給する手段２によって注入し
、内部を一１００°Ｃ〜〜１８０’Ｃに冷却する。また
スプレーノズル３より超純水等の被凍結液を製氷手段１
内に微噴霧する。この微噴霧された粒子は瞬時に凍結し
、微細な（粒径１０〜２００μｍ）氷粒子４が得られる
。
噴射手段５では、キャリヤガス（乾燥空気、窒素等）の
噴流によるイジェクター方式によって、氷粒子４を吸収
し、ガスとともに基板６へ噴射する。キャリヤガスに０
〜５ｋｇ／ｃｍ”の圧力を加えて噴射するが、噴射速度
はこのキャリヤガスの圧力と噴射手段５の形状によって
５０〜３００ｍ／ｓｅｃの範囲で変化させることが可能
である。
噴流によるイジェクター方式によって、氷粒子４を吸収
し、ガスとともに基板６へ噴射する。キャリヤガスに０
〜５ｋｇ／ｃｍ”の圧力を加えて噴射するが、噴射速度
はこのキャリヤガスの圧力と噴射手段５の形状によって
５０〜３００ｍ／ｓｅｃの範囲で変化させることが可能
である。
基板６表面上の汚染物は噴射された氷粒子４の衝突と、
低温効果により除去される。
低温効果により除去される。
〔発明が解決しようとする課題］
以上のような従来の基板表面の洗浄装置は、乾燥空気や
窒素をキャリアガスとして氷粒子を噴射していた。この
場合には噴射速度が５０〜３００ｍ／ｓｅｃ程度の範囲
でしか変化することができない。これはガス流が音速以
上の速度をもつことは理論的に不可能であるためである
。
窒素をキャリアガスとして氷粒子を噴射していた。この
場合には噴射速度が５０〜３００ｍ／ｓｅｃ程度の範囲
でしか変化することができない。これはガス流が音速以
上の速度をもつことは理論的に不可能であるためである
。
また、基板表面の洗浄効果としては氷粒子が基板表面に
衝突することによって、基板表面上の汚染物の一旦は除
去されるが、氷粒子が噴射されていない基板表面部位に
移動または再付着して洗浄効果を低下させるが、キャリ
アガスによる噴流では、この汚染物を基板上から除去す
る効果は少ないという問題点があった。
衝突することによって、基板表面上の汚染物の一旦は除
去されるが、氷粒子が噴射されていない基板表面部位に
移動または再付着して洗浄効果を低下させるが、キャリ
アガスによる噴流では、この汚染物を基板上から除去す
る効果は少ないという問題点があった。
また、基板の材質（例えばアルミ材）によっては表面に
凹凸が生じるためのダメージが生じるという問題点もあ
った。
凹凸が生じるためのダメージが生じるという問題点もあ
った。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、氷粒子の噴射速度を広範囲に変化でき、また
氷粒子によって一旦除去された汚染物を速やかに吹き飛
ばして、基板表面に再付着するのを防ぎ、かつ、軟らか
い材質の基板に対してダメージを生じない基板表面の洗
浄装置を得ることを目的とする。
たもので、氷粒子の噴射速度を広範囲に変化でき、また
氷粒子によって一旦除去された汚染物を速やかに吹き飛
ばして、基板表面に再付着するのを防ぎ、かつ、軟らか
い材質の基板に対してダメージを生じない基板表面の洗
浄装置を得ることを目的とする。
この発明に係る基板表面の洗浄装置は、氷粒子を基板表
面に噴射する噴射手段において、純水等の液体をキャリ
アとして、その噴流によるイジェクター方式によって氷
粒子を液体とともに噴射するようにしたものである。
面に噴射する噴射手段において、純水等の液体をキャリ
アとして、その噴流によるイジェクター方式によって氷
粒子を液体とともに噴射するようにしたものである。
〔作用］
この発明における基板表面の洗浄装置は、氷粒子の噴射
手段に純水等の液体の噴流によるイジェクター方式を用
いているため、氷粒子の噴流速度を広範囲に制御でき、
基板表面の汚染物除去の効果を高めるとともに、基板表
面へのダメージを和らげる。
手段に純水等の液体の噴流によるイジェクター方式を用
いているため、氷粒子の噴流速度を広範囲に制御でき、
基板表面の汚染物除去の効果を高めるとともに、基板表
面へのダメージを和らげる。
以下、この発明の実施例を図について説明する。
第１図はこの発明の一実施例による基板表面の洗浄装置
を示し、図中の５０は例えば常温の純粋水等の噴流によ
るイジェクタ−作用により、氷粒子を吸引し、氷粒子が
混合されて噴射される噴射手段である。
を示し、図中の５０は例えば常温の純粋水等の噴流によ
るイジェクタ−作用により、氷粒子を吸引し、氷粒子が
混合されて噴射される噴射手段である。
第２図は第１図の噴射手段５０を模式的に示した図であ
り、図中の純粋水の通路は例えば内径３鴫、氷粒子の通
路は例えば内径１０ｍｍ、右端の噴射口付近は例えば直
径８ｍｍである。なお、第１図。
り、図中の純粋水の通路は例えば内径３鴫、氷粒子の通
路は例えば内径１０ｍｍ、右端の噴射口付近は例えば直
径８ｍｍである。なお、第１図。
第２図における符号は第３図における同一符号。
同一部分を示しており、その説明を省略する。
次に動作について説明する。氷粒子４が生成さる過程は
従来技術と同様である。生成された氷粒子４を基板６表
面に噴射するときには、純水等の液体を圧力０〜数１０
０ｋｇ／ｃｍ”の範囲で圧縮し、噴射手段５０に通すこ
とによって行う。噴射手段５０内では純水の噴流による
イジェクタ−作用により、氷粒子を吸引し、氷粒子が混
合されて噴射される。噴射速度は純水のため圧力変化に
よって最大数千ｍ／ｓｅｃの範囲で制御される。
従来技術と同様である。生成された氷粒子４を基板６表
面に噴射するときには、純水等の液体を圧力０〜数１０
０ｋｇ／ｃｍ”の範囲で圧縮し、噴射手段５０に通すこ
とによって行う。噴射手段５０内では純水の噴流による
イジェクタ−作用により、氷粒子を吸引し、氷粒子が混
合されて噴射される。噴射速度は純水のため圧力変化に
よって最大数千ｍ／ｓｅｃの範囲で制御される。
氷粒子４と純水の混合体は基板６表面上に噴射されて、
基板６表面上の汚染物は氷粒子４の衝突に加えて純水の
噴流により効率的に除去される。
基板６表面上の汚染物は氷粒子４の衝突に加えて純水の
噴流により効率的に除去される。
旦除去された汚染物は純水の基板６表面上での流れによ
り、基板６に再付着することなく効果的に基板６表面上
から除去される。また、ダメージが生じ易い軟らかい材
質の基板６の洗浄の場合には噴射速度を低下させて噴射
を行う。これにより、氷粒子４が基板６に衝突する際に
純水が衝撃を和らげる作用をして、基板６へのダメージ
を抑える。
り、基板６に再付着することなく効果的に基板６表面上
から除去される。また、ダメージが生じ易い軟らかい材
質の基板６の洗浄の場合には噴射速度を低下させて噴射
を行う。これにより、氷粒子４が基板６に衝突する際に
純水が衝撃を和らげる作用をして、基板６へのダメージ
を抑える。
なお、上記実施例では純粋水を用いて洗浄する場合につ
いて説明したが、例えばアルコール分を純粋水に混合す
るようにしてもよく、その混合比率により、微細氷粒子
の硬度を硬軟いずれにも制御できる。
いて説明したが、例えばアルコール分を純粋水に混合す
るようにしてもよく、その混合比率により、微細氷粒子
の硬度を硬軟いずれにも制御できる。
また、上記実施例では基板表面の洗浄について説明した
が、機械精密部品等の表面加工を行ってもよい。高圧ジ
ェット水による加工は従来から行われているが、この実
施例のように氷粒子４と純水との混合体を噴射すること
により、表面加工への効果は大きくなる。
が、機械精密部品等の表面加工を行ってもよい。高圧ジ
ェット水による加工は従来から行われているが、この実
施例のように氷粒子４と純水との混合体を噴射すること
により、表面加工への効果は大きくなる。
（発明の効果）
以上のように、この発明に係る基板表面の洗浄装置によ
れば、噴射手段を純水等の液体の噴流によって行うこと
により、噴射速度を広範囲に制御して洗浄効果を高める
とともに、基板表面で一旦除去された汚染物の再付着を
防いで高清浄の洗浄が得られる。また、柔らかい材質の
基板表面に対してダメージを低減させて洗浄を行うこと
ができるという効果がある。
れば、噴射手段を純水等の液体の噴流によって行うこと
により、噴射速度を広範囲に制御して洗浄効果を高める
とともに、基板表面で一旦除去された汚染物の再付着を
防いで高清浄の洗浄が得られる。また、柔らかい材質の
基板表面に対してダメージを低減させて洗浄を行うこと
ができるという効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による基板表面の洗浄装置
の概略図、第２図は第１図のものの動作説明のための模
式図、第３図は従来の基板表面の洗浄装置の概略図であ
る。 図において、１は製氷手段、４は氷粒子、５５０は噴射
手段、６は基板を示す。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
の概略図、第２図は第１図のものの動作説明のための模
式図、第３図は従来の基板表面の洗浄装置の概略図であ
る。 図において、１は製氷手段、４は氷粒子、５５０は噴射
手段、６は基板を示す。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）純粋水より超微細な氷粒子を製氷する製氷手段と
、 前記氷粒子を基板表面上に噴射して洗浄する噴射手段と
を備えた基板表面の洗浄装置において、前記噴射手段と
して、純水等の液体を用いたイジェクター方式によって
氷粒子を基板表面上に噴射するものを用いたことを特徴
とする基板表面の洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19514690A JPH0479326A (ja) | 1990-07-23 | 1990-07-23 | 基板表面の洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19514690A JPH0479326A (ja) | 1990-07-23 | 1990-07-23 | 基板表面の洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0479326A true JPH0479326A (ja) | 1992-03-12 |
Family
ID=16336205
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19514690A Pending JPH0479326A (ja) | 1990-07-23 | 1990-07-23 | 基板表面の洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0479326A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994016836A1 (en) * | 1993-01-21 | 1994-08-04 | Smith & Nephew Richards, Inc. | Cleaning porous and roughened surfaces on medical implants |
| US5849104A (en) * | 1996-09-19 | 1998-12-15 | Yieldup International | Method and apparatus for cleaning wafers using multiple tanks |
| US5873380A (en) * | 1994-03-03 | 1999-02-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Wafer cleaning apparatus |
| US6047717A (en) * | 1998-04-29 | 2000-04-11 | Scd Mountain View, Inc. | Mandrel device and method for hard disks |
| WO2000061306A1 (de) * | 1999-04-12 | 2000-10-19 | Steag Microtech Gmbh | Verfahren und vorrichtung zum reinigen von substraten |
| US6531401B2 (en) | 1999-09-02 | 2003-03-11 | Micron Technology, Inc. | Method of cleaning a substrate surface using a frozen material |
| WO2005104202A1 (ja) * | 2004-04-21 | 2005-11-03 | F.T.L.. Co., Ltd. | 基板の洗浄方法 |
| JP2012230253A (ja) * | 2011-04-26 | 2012-11-22 | Osaka Univ | 基板の洗浄方法 |
| KR101414371B1 (ko) * | 2005-12-30 | 2014-07-01 | 램 리써치 코포레이션 | 파티클 제거 방법 및 장치 |
-
1990
- 1990-07-23 JP JP19514690A patent/JPH0479326A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994016836A1 (en) * | 1993-01-21 | 1994-08-04 | Smith & Nephew Richards, Inc. | Cleaning porous and roughened surfaces on medical implants |
| US5344494A (en) * | 1993-01-21 | 1994-09-06 | Smith & Nephew Richards, Inc. | Method for cleaning porous and roughened surfaces on medical implants |
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| US6537915B2 (en) | 1999-09-02 | 2003-03-25 | Micron Technology, Inc. | Methods of treating surfaces of substrates |
| US6559054B2 (en) | 1999-09-02 | 2003-05-06 | Micron Technology, Inc. | Methods of treating surfaces of substrates |
| US6734121B2 (en) * | 1999-09-02 | 2004-05-11 | Micron Technology, Inc. | Methods of treating surfaces of substrates |
| US7001845B2 (en) | 1999-09-02 | 2006-02-21 | Micron Technology, Inc. | Methods of treating surfaces of substrates |
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| KR101414371B1 (ko) * | 2005-12-30 | 2014-07-01 | 램 리써치 코포레이션 | 파티클 제거 방법 및 장치 |
| JP2012230253A (ja) * | 2011-04-26 | 2012-11-22 | Osaka Univ | 基板の洗浄方法 |
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