JP2004181334A - 洗浄材製造方法及びその製造装置並びにこれを使用する洗浄システム - Google Patents
洗浄材製造方法及びその製造装置並びにこれを使用する洗浄システム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004181334A JP2004181334A JP2002350501A JP2002350501A JP2004181334A JP 2004181334 A JP2004181334 A JP 2004181334A JP 2002350501 A JP2002350501 A JP 2002350501A JP 2002350501 A JP2002350501 A JP 2002350501A JP 2004181334 A JP2004181334 A JP 2004181334A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid
- cleaning material
- cleaning
- supercooled
- ice
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Cleaning In General (AREA)
Abstract
【解決手段】基板等の被洗浄部材をこれに噴射,衝突させることにより洗浄するための洗浄材1は、氷粒子を含む固液共存のシャーベット状をなすものであり、純水とこれより凝固点の低い有機化合物液との混合液を過冷却状態に冷却させ、その冷却された混合液である過冷却液1Bに外力の付与により氷結晶を発生させることによって製造される。過冷却液1Bへの外力付与は、例えば、過冷却液1Bの流動路21に急拡大部21bを設けておくことによって行われる。すなわち、過冷却液1Bが急拡大部21bに流入することによって渦流1Cが発生し、この渦流1Cによって付与される攪拌力により過冷却液1Bの過冷却状態が解消されて、過冷却液1B中の水分の一部又は全部が凝固して氷粒子となる。
【選択図】 図2
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、各種基板(例えば、半導体ウエハ,電子デバイスの基板,液晶基板,フォトマスク,ガラス基板等)に付着する微細な汚染物質(基板の汚染源となる微粒子等であり、以下「パーティクル」という)を洗浄,除去する場合等に好適に使用できる洗浄材の製造方法及び製造装置並びにこれを使用した洗浄システムに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
例えば、半導体ウエハ等の基板の洗浄は、一般に、100〜300μm径のモヘア,ナイロン等を使用したブラシにより基板表面を擦ることにより、基板に付着したパーティクルを除去するブラシ・スクラバーにより行われている。しかし、かかるブラシ・スクラバーによる基板洗浄にあっては、ブラシを回転させつつ基板表面に押し付けて、その摩擦力により異物を擦り取るようにするため、ブラシ同士の擦れや基板配線の段差への擦れにより、基板汚染源となる微粒子たるパーティクルが発生して基板に再付着し、基板の洗浄効果を低下させる。
【0003】
そこで、近時、微細な氷粒子を洗浄材としてキャリアガスにより基板に噴射,衝突させることにより、基板を洗浄するようにしたアイス・スクラバーが提案されている。かかるアイス・スクラバーによれば、基板を洗い流すためパーティクルの発生,再付着が生じず、基板洗浄を効果的に行うことができる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、アイス・スクラバーによる基板洗浄にあっては、洗浄材が硬質の氷粒子であり且つガス(キャリアガス)により基板に高速で衝突されるため、洗浄材の衝突により基板にダメージを与える虞れがある。また、基板に衝突後の氷粒子が飛散すると共に除去されたパーティクルが基板周辺に舞い上がって、基板が再汚染される虞れがある。このようなパーティクルの舞い上がりを防止するためには、氷粒子の噴射と共に基板に純水等によるリンスを行う必要があるが、リンスを行うと、リンス水に氷粒子が溶融して冷熱の有効利用を図ることができず、ランニングコストが増加するといった問題を生じる。また、氷粒子同士が融着して塊状となって輸送配管系で詰まる等、ハンドンリグ性が頗る悪いといった問題もある。
【0005】
本発明は、このように洗浄材を基板等の被洗浄部材に噴射,衝突させる場合において、上記したアイス・スクラバーのような問題を生じることなく、基板等の被洗浄部材を良好且つ効果的に洗浄しうる洗浄材を製造する方法及び装置と洗浄システムを提供することを目的とするものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明は、第1に、基板等の被洗浄部材をこれに噴射,衝突させることにより洗浄するための洗浄材を製造する方法であって、水とこれより凝固点の低い有機化合物液との混合液を過冷却状態に冷却させ、その冷却された混合液である過冷却液に外力の付与により氷結晶を発生させることによって、氷粒子を含む固液共存のシャーベット状をなす洗浄材を得るようにしたことを特徴とする洗浄材製造方法を提案する。ところで、水の温度が下降すると、水分子の持つ運動エネルギーは減少する。一方、氷核(氷結晶)を発生させるためにはエネルギー(活性化エネルギー)を必要とする。したがって、氷点以下に温度が下がった場合にも、水分子の運動エネルギーが減少していて十分なエネルギーが得られないことから、氷結晶が生じない状態が生じることがある。かかる状態を過冷却状態といい、熱力学的に極めて不安定な状態であり、極く僅かな外力(衝撃,振動等)が付与されることにより過冷却が解消されて氷結晶を発生することになる。本発明の洗浄材製造方法は、このような過冷却現象を利用して、上記したシャーベット状の洗浄材を得るものである。
【0007】
かかる製造方法を実施するに当たって、原料水としては、一般に、純水を使用することが好ましい。また、有機化合物液としては、基板等の被洗浄部材(被洗浄面)に悪影響を与えないものが使用され、具体的には、例えば、イソプロピルアルコール、メチルアルコール、エチルアルコール若しくはアセトン又はこれらの2種以上を混合させたもの等が使用されるが、一般には、イソプロピルアルコールを使用することが好ましい。また、洗浄材ないし原料(混合液)における有機化合物液の濃度(洗浄材ないし原料の総質量に対する有機化合物液の含有質量の割合である)は1質量%〜80質量%であることが好ましい。すなわち、有機化合物液の濃度が1質量%未満であると、氷粒子径が過大となり、また凍結温度を制御することが困難となる。逆に有機化合物液の濃度が80質量%を超えると、原料中の水成分を凍結させる温度(凝固点)が大きく低下して、洗浄材の製造に必要以上のエネルギーが必要となり、また原料中の水成分が全量凍結したとしても、氷濃度が必要以上に小さくなり、洗浄材による洗浄能力(ブラスト効果)が低下すると共に、エネルギー効率も頗る悪い。また、洗浄材における氷粒子の濃度(洗浄材ないし原料の総質量に対する氷粒子の含有質量の割合であり、以下「氷濃度」という)は0.2質量%〜99質量%であることが好ましい。すなわち、氷濃度が0.2質量%未満であると、洗浄材による洗浄効果が十分に発揮されないし、逆に、氷濃度が99質量%を超えると、洗浄材の流動性が低下して、その輸送が困難となる。氷濃度は、被洗浄面の性状,汚染度等の洗浄条件に応じて設定されるが、一般に、氷粒子による強力なブラスト(一種のアイスブラスト)が必要とされる場合には氷濃度を高くし、逆に、かかるブラストをさほど必要としない場合には、氷濃度を低くする。
【0008】
本発明は、第2に、被洗浄部材をこれに噴射,衝突させることにより洗浄するための洗浄材を製造するための装置であって、水とこれより凝固点の低い有機化合物液との混合液を貯留部から所定の洗浄材使用部へと流動させる送液路と、送液路を流動する混合液を過冷却状態に冷却する冷却機構と、過冷却状態に冷却された混合液であって冷却機構の下流側における送液路部分を流動する過冷却液に外力を付与することによって氷結晶を発生させる過冷却解消機構とを具備して、送液路を流動する混合液を冷却機構及び過冷却解消機構を通過させることにより、氷粒子を含む固液共存のシャーベット状をなす洗浄材が得られるように構成したことを特徴とする洗浄材製造装置を提案する。
【0009】
かかる製造装置の好ましい実施の形態にあっては、冷却機構は、冷却室との間で冷媒が循環される熱交換室と、熱交換室内を通過する送液路部分であって周壁を伝熱壁で構成された熱交換路とを具備して、混合液を、これが熱交換路を通過する間において、冷媒との熱交換により過冷却状態に冷却させるように構成される。また、過冷却解消機構は、冷却機構の下流側における送液路部分にその断面積が過冷却液の流動方向に急拡大する渦流発生部を形成して、過冷却液に、これが渦流発生部に流入することにより発生する渦流によって、氷結晶を発生させうる外力を付与するように構成される。また、過冷却解消機構は、冷却機構の下流側における送液路部分にガス噴出ノズル及び超音波発信器を設けて、当該送液路部分を流動する過冷却液に、ガス噴出ノズルから水飽和ガス又は乾燥ガスを噴出させつつ超音波を発信させることにより、氷結晶を発生させうる外力を付与するように構成しておいてもよい。この場合、ガス噴出ノズルからは、ガスを、過冷却液の流動方向、これに直交する方向又は当該流動方向に対向する方向に噴出させるようにすることができる。
【0010】
本発明は、第3に、上記した如く構成される洗浄材製造装置と、過冷却解消機構の下流側における送液路部分に接続されており、洗浄材を当該送液路部分から被洗浄部材に向けて噴射させる洗浄材噴射装置とを具備することを特徴とする洗浄システムを提案する。かかる洗浄システムにあっては、洗浄材噴射装置を、洗浄材をキャリアガスにより加速して被洗浄部材に噴射させる洗浄材噴射器(例えば噴射ガン)を具備するものに構成しておくことが好ましい。また、過冷却解消機構の下流側における送液路部分を流動する洗浄材が0℃〜−50℃に保持されるようにしておくことが好ましい。すなわち、洗浄材は、水の凝固点以下(氷点以下)であって有機化合物液の凝固点より高い温度範囲に保持されるが、使用する洗浄材が−50℃より低温であると、イソプロピルアルコール(IPA)等の有機化合物液の粘度が高くなり、洗浄材のハンドリング(洗浄材噴出器への圧送等)を円滑に行い得ない等の問題が生じる虞れがあるからである。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の構成を図1〜図4に示す実施の形態に基いて具体的に説明する。
【0012】
この実施の形態は、基板(半導体ウエハ,電子デバイスの基板,液晶基板,フォトマスク,ガラス基板等)をこれにアイス・スクラバーと同様に洗浄材を噴射,衝突させることにより洗浄する(基板に付着するパーティクルを除去する)ための洗浄システムに本発明を適用した例に係るものである。
【0013】
すなわち、この実施の形態における洗浄システムは、図1に示す如く、シャーベット状の洗浄材1を製造するための洗浄材製造装置2と洗浄材1を被洗浄部材3に向けて噴射させる洗浄材噴射装置4とを具備してなる。
【0014】
洗浄材製造装置2は、図1に示す如く、原料水1aとこれより凝固点の低い有機化合物液1bとの混合液(洗浄材1の原料)1Aを貯蔵する貯留部たる貯蔵タンク(バッファタンク)6と、貯蔵タンク6から洗浄材使用部(洗浄材噴射装置)4に至る送液路7と、送液路7に配設された送液ポンプ8、冷却機構9及び過冷却解消機構10とを具備する。この例では、混合液1Aを構成する水1aとして純水を使用すると共に有機化合物液1bとしてイソプロピルアルコール(mp=−89.5℃;bp=82.4℃)を使用している。なお、イソプロピルアルコール1bは、半導体ウエハ等の洗浄液として一般に使用されているものであり、半導体ウエハ等の基板3に悪影響を与えないものである。
【0015】
貯蔵タンク6には、純水1aとイソプロピルアルコール1bとが各別の供給路11a,11bから供給される。各供給路11a,11bにはフィルタ12a,12bが設けられていて、各液1a,1bにパーティクルが含まれている場合にも、これをフィルタ12a,12bで除去した上で、各液1a,1bが貯蔵タンク6に供給されるようになっている。純水1a及びイソプロピルアルコール1bの貯蔵タンク6への供給量は、貯蔵タンク6内の混合液1Aにおけるイソプロピルアルコール1bの濃度(以下「IPA濃度」という)が1質量%〜80質量%となるように行われる。
【0016】
冷却機構9は、図1に示す如く、冷却室14と、冷却室14内の冷媒15を冷却する冷凍機16と、送液路7の一部を構成する熱交換路17と、熱交換路17を囲繞し且つ冷媒15が充填された熱交換室18と、冷媒15を冷却室14と熱交換室18との間で循環流動させる冷媒流動ポンプ19とを具備してなる。一方、送液ポンプ8は、図1に示す如く、熱交換室18内を通過する送液路部分である熱交換路17の入口部と貯蔵タンク6の底部とを連結する送液路部分20に配設されていて、原料たる混合液1Aを貯蔵タンク6から熱交換路17へと定量供給させる。而して、熱交換路17の周壁は伝熱壁で構成されていて、混合液1Aが、熱交換路17を通過する間において、熱交換室18内の冷媒15との熱交換により過冷却されるようになっている。すなわち、冷凍機16による冷媒15の冷却温度及び送液ポンプ8による混合液1Aの輸送速度(流速)等を制御することにより、混合液1Aを、これが水1bの凝固点より低く且つIPAの凝固温度より高い温度状態であって水1bが凝固しない(氷核を発生しない)過冷却状態となるように、冷却するようになっている。
【0017】
過冷却解消機構10は、図1に示す如く、熱交換路17からその出口部に接続された送液路部分である外力付与路21に流入された混合液、つまり過冷却状態に冷却された混合液である過冷却液1Bに外力を付与することによって氷結晶(氷核)を発生させるものであり、例えば、図2又は図3の如く構成されている。
【0018】
図2に示す過冷却解消機構10は、外力付与路21にその断面積が過冷却液1Bの流動方向に急拡大する渦流発生部21aを形成して、熱交換路17から外力付与路21に流入した過冷却液1Bが渦流発生部21aにおいて流路断面積の急拡大によって渦流1Cを発生するように構成されている。過冷却液1Bの過冷却状態は、この渦流1Cによって付与される外力(攪拌力)により解消されて、過冷却液1B中の水分の一部又は全部が凝固して氷粒子となり、氷粒子を含む固液共存のシャーベット状の洗浄材1が得られる。すなわち、熱交換路17から層流状態で外力付与路21を流動する過冷却液1Bは、渦流発生部21aにおいて渦流1Cにより乱流状態となって過冷却状態が解消され、氷結晶を発生し、その粒子は渦流発生部21aを流動する間において徐々に成長することになる。また、氷結晶粒子の一部は、渦流発生部21aの入口壁面21bに付着して成長することになるが、この付着粒子は渦流1Cによって入口壁面21bから剥離される。このような氷粒子の発生,成長及び剥離によって、渦流発生部21aにおいて氷粒子を含むシャーベット状の洗浄材1が得られることになる。かくして得られる洗浄材1における氷密度(氷濃度)は、渦流発生部21aの入口部における氷粒子の発生度及び入口壁面21bにおける氷粒子の成長,剥離度によって異なるが、氷粒子の発生度は外力付与路21における拡大度つまり渦流発生部21aの径D1とその上流側部分(熱交換路17に連なる部分)21cの径D2との径差ΔD(=D1−D2)に影響され、入口壁面21bにおける氷粒子の剥離度は入口壁面21bのテーパ量(過冷却液1Bの流動方向に対する傾斜角度)θに影響される。すなわち、径差ΔD及びテーパ量θは、渦流1Cを発生しうる範囲内において決定され、径差ΔDを大きくするに従って氷粒子の発生量が多くなり、テーパ量θを大きくするに従って氷粒子の剥離性は高くなる。したがって、過冷却温度,過冷却液流速等の過冷却条件に応じて径差ΔD及びテーパ量θを適宜に設定することにより、洗浄材1の氷濃度を制御することができる。一般に、氷濃度は、前述した如く、0.2質量%〜99質量%となるように制御しておくことが好ましい。なお、上記過冷却解消機構10にあっては、図4に示す如く、渦流発生部21aに超音波発信器21dを設けて、超音波(例えば28kHz程度)21eを作用させることにより、入口壁面21bからの付着粒子剥離等を促進させるようにしておくことも有効である。
【0019】
また、図3に示す過冷却解消機構10は、外力付与路21にガス噴出ノズル22及び超音波発信器23を設けて、外力付与路21を流動する過冷却液1Bにノズル22からガス22aを吹き込んで気泡を発生させると共に超音波(例えば28kHz程度)23aを作用させることにより、過冷却状態を解消して氷粒子を発生させ、シャーベット状の洗浄材1を得るように構成されている。得られる洗浄材1の氷濃度は、過冷却温度,過冷却液流速等の過冷却条件に応じてガス噴出ノズル22からのガス吹き込み量及び超音波強度等を適宜に設定することよって制御することができ、一般に、前述した如く、0.2質量%〜99質量%となるように制御しておくことが好ましい。ガス22aは、図3(A)に示す如く、過冷却液1Bの流動方向に直交する方向に吹き込むようにする他、同図(B)の如く、当該流動方向と同一方向に吹き込むようにしても、同図(C)に示す如く、当該流動方向と逆方向に吹き込むようにしても、何れでもよい。ガス22aとしては、清浄な乾燥ガス又は水分飽和ガスを使用することが好ましく、一般に、窒素ガス等、洗浄材1及び被洗浄部材3に対して不活性なガス(悪影響を及ぼさないガス)が使用される。この例では、1〜3℃程度に予冷した窒素ガスを使用している。が使用されている。また、ガス22aは、予冷しておくことが好ましい。
【0020】
このように、冷却機構9により過冷却状態とした混合液(過冷却液)1Bに過冷却解消機構10により外力を付与することにより、氷粒子を含む固液共存のシャーベット状洗浄材1が得られるが、この洗浄材1は送液路7の洗浄材供給路27から洗浄材噴射装置4に供給され、洗浄材噴射装置4により洗浄処理室5内の基板3に向けて噴射される。
【0021】
洗浄処理室5は、図1に示す如く、底部5aをこれに設けた洗浄残渣排出口5bへと下り傾斜する傾斜面に構成したものであり、当該室5内に半導体ウエハ等の基板3をその裏面中心部を載置して水平回転自在に支持する支持軸24と、これを回転駆動する駆動源(モータ等)25とを具備する。
【0022】
洗浄材噴射装置4は、図1に示す如く、ノズル口を基板(被洗浄部材)3の被洗浄面たる表裏面に向けた状態で洗浄処理室5内に配置された一対の洗浄材噴射器26,26とを具備する。
【0023】
各洗浄材噴射器26は、過冷却解消機構10の下流側における送液路部分(外力付与路21に接続された洗浄材供給路)27に接続されており、洗浄材供給路27から供給された洗浄材1を所定圧のキャリアガス(この例では窒素ガス)28により加速して噴射させる噴射ガンである。すなわち、各噴射ガン26からは、固体(氷粒子),液体(イソプロピルアルコール1b又はイソプロピルアルコール1b及び純水1a),気体(キャリアガス28)の三相混合流体が基板3の表裏面に所定角度をなして噴射,衝突せしめられるようになっている。なお、キャリアガス28は、キャリアガス供給源(ガスタンク)29からキャリアガス供給路30を経て各噴射ガン26に供給されるが、キャリアガス供給路30の一部を前記冷却室14内を通過させるようにして、キャリアガス28を冷媒15により予冷された上で噴射ガン26に供給するように工夫されている。また、洗浄材供給路27は適宜の断熱,保冷構造とされていて、噴射ガン26に供給される洗浄材1を0℃〜−50℃に保持しておくように工夫されている。
【0024】
ところで、洗浄処理室5の底部5aを流下して洗浄残渣排出口5bから排出された洗浄残渣1Dは、熱交換器により液化させた上で、洗浄残渣回収路31からフィルタ等を介して貯蔵タンク6に回収するようにすることが可能である。ところで、上記熱交換器は、加熱媒体との熱交換により洗浄残渣1Dに含まれる氷粒子を融解(氷解)するものであるが、加熱媒体としては、当該洗浄システムで使用される流体(冷凍機16用の冷却水又は過冷却解消機構10のガス22a等)を利用することができ、このようにすることにより熱交換器を当該流体の予冷手段として効果的に利用することができる。
【0025】
以上のように構成された洗浄システムによれば、固液共存のシャーベット状をなす洗浄材1が、キャリアガス28により加速されて、噴射ガン26,26から基板3の表裏面に噴射,衝突されることにより、基板洗浄が極めて良好且つ効果的に行われる。すなわち、冒頭で述べたアイス・スクラバーのように固体(氷粒子)のみをキャリアガスにより加速して基板に衝突させる場合と異なって、固体(氷粒子)と液体とが共存するシャーベット状の洗浄材1が基板3に衝突されることから、氷粒子の衝突による基板3の表裏面に与える衝撃が未凍結の液体によって緩和されることになる。つまり、ガス(キャリアガス)に比して粘性の高い液体(イソプロピルアルコール1b)が氷粒子の衝突時における液膜緩衝材として機能することになる。また、アイス・スクラバーで使用される氷粒子に比して、洗浄材1に含まれる氷粒子は軟質であり、氷粒子自体の性状もIPA濃度によって調整できることから、アイス・スクラバーによっては被洗浄面が損傷するような虞れがある基板3に対しても、極めて良好な洗浄能力を発揮させることができる。したがって、洗浄材1の衝突による基板3の損傷を確実に防止しつつ、基板3の表裏面を良好に洗浄することができる。特に、IPA濃度を調整することにより、洗浄材1に含まれる氷粒子の性状(大きさ,密度,溶け易さ等)を制御することができ、基板3の性状に応じた最適な洗浄を行うことができる。また、氷粒子が基板3への衝突後に飛散することがなく、且つ氷粒子の衝突により除去されたパーティクルが洗浄材1中の液により洗い流されることから、除去されたパーティクルが基板3を再汚染する虞れがなく、完全なコンタミネーション防止効果が発揮される。また、洗浄材1は、氷粒子を含む低温(0℃以下)のシャーベット状物質であるから、基板3に付着するレジスト膜等の有機物は固化,収縮して除去され易くなり、洗浄効果が更に向上する。しかも、シャーベット状の洗浄材1は低温であり且つ蒸気圧が低いものであるから、火災発生の虞れがなく、安全な基板洗浄を行いうる。
【0026】
また、洗浄材1がシャーベット状のものであり、含有氷が溶けた場合にも低温に保持されるものであるから、洗浄残渣1Dを貯蔵タンク6に回収すること等により、洗浄システムからの廃棄,余剰冷熱を回収,有効利用することができ、ランニングコストを大幅に低減させることができる。また、冒頭で述べたアイス・スクラバーのように洗浄材が氷粒子のみで構成される場合には、配管中を輸送される間に氷粒子が融解し、相互に密着して大きな塊状となって輸送配管に詰まったりする虞れがあるため、洗浄材の輸送配管系を氷粒子が融解しないように高度に保冷しておく必要があるが、前記した洗浄材1は、それが固液共存のシャーベット状をなすものであるため、輸送配管系の保冷手段が簡易なものであっても氷粒子が相互に密着して塊状となる虞れがなく、輸送配管(送液路7)の閉塞等を生じずハンドリング性に極めて富むものである。
【0027】
ところで、洗浄材製造装置2、洗浄材噴射装置4及び洗浄処理室5の構成等は、本発明の基本原理を逸脱しない範囲において、適宜に改良,変更することができる。
【0028】
すなわち、過冷却解消機構10は、過冷却液1Bに衝撃,振動等の外力を付与することにより氷結晶を発生させるものであればよく、例えば、外力付与路21内に乱流フィルタやスタティクミキサ等を配設して、過冷却液1Bに攪拌力,衝撃力を付与するような構成とすることも可能である。また、洗浄処理室5には、必要に応じて、純水等によるリンス設備を設けておくことができ、洗浄材1による本洗浄の後にリンスを行うことにより、パーティクルによる再汚染をより確実に防止するように工夫しておくことも可能である。基板3は洗浄材1中の液分により洗い流される結果、除去されたパーティクルが再付着し難いことは勿論であるが、仮に、除去されたパーティクルが再付着したとしても、その付着力が弱いため、上記したリンスにより容易に除去される。また、第2及び第3洗浄システムにおいて、洗浄材1を第1洗浄システムと同様に基板3の表裏面に噴射させるように構成することも当然に可能である。また、有機化合物液1bとしては、水よりも凝固点が低く且つ被洗浄部材ないし被洗浄面に悪影響を及ぼさないものを洗浄条件等に応じて任意に選択できるが、一般には、上記したイソプロピルアルコールの他、メチルアルコール(mp=−97.78℃;bp=64.65℃),エチルアルコール(mp=−114.1℃;bp=78.3℃),アセトン(−94.82℃;bp=56.5℃)等を使用することが好ましい。また、本発明の洗浄システムは、洗浄材1における氷濃度を調整することにより又は洗浄材噴射装置4による洗浄材1の噴射形態を変更することにより、上記した半導体ウエハ等の基板3を洗浄する場合の他、一般には液体によるスプレー洗浄を行なっているような被洗浄部材に対しても好適に適用することができる。
【0029】
【発明の効果】
以上の説明から容易に理解されるように、本発明の洗浄材製造方法,装置によれば、冒頭に述べたブラシ・スクラバーやアイス・スクラバーによる場合のような問題(例えば、基板の副次的コンタミネーションや素子の破壊を招く等)を生じることなく、基板等の被洗浄面を良好且つ効果的に洗浄しうる洗浄材を効率良く且つ容易に製造することができる。また、本発明の洗浄システムによれば、かかる基板等の洗浄に要するランニングコストを低減させることができ、配管系が閉塞する等の問題を生じることなく連続運転を容易に行なうことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る洗浄システムの実施の形態を示す系統図である。
【図2】過冷却解消機構の一例を示す縦断側面図である。
【図3】過冷却解消機構の変形例を示す縦断側面図である。
【図4】過冷却解消機構の更に他の変形例を示す図2相当図である。
【符号の説明】
1…洗浄材、1a…純水、1b…有機化合物液、1A…混合液、1B…過冷却液、1C…渦流、1D…洗浄残渣、2…洗浄材製造装置、3…基板(被洗浄部材)、4…洗浄材噴射装置(洗浄材使用部)、5…洗浄処理室、6…貯蔵タンク(貯留部)、7…送液路、8…送液ポンプ、9…冷却機構、10…過冷却解消機構、14…冷却室、15…冷媒、16…冷凍機、17…熱交換路(送液路部分)、18…熱交換室、19…冷媒ポンプ、20…混合液供給路(送液路部分)、21…外力付与路(送液路部分)、21a…渦流発生部、21b…入口壁面、22…ガス噴出ノズル、22a…ガス、21d,23…超音波発生器、21e,23a…超音波、26…噴射ガン(洗浄材噴射器)、28…キャリアガス。
Claims (12)
- 被洗浄部材をこれに噴射,衝突させることにより洗浄するための洗浄材を製造する方法であって、水とこれより凝固点の低い有機化合物液との混合液を過冷却状態に冷却させ、その冷却された混合液である過冷却液に外力の付与により氷結晶を発生させることによって、氷粒子を含む固液共存のシャーベット状をなす洗浄材を得るようにしたことを特徴とする洗浄材製造方法。
- 水として純水を使用することを特徴とする、請求項1に記載する洗浄材製造方法。
- 有機化合物液としてイソプロピルアルコールを使用することを特徴とする、請求項1又は請求項2に記載する洗浄材製造方法。
- 混合液における有機化合物液の濃度を1質量%〜80質量%としたことを特徴とする、請求項1、請求項2又は請求項3に記載する洗浄材製造方法。
- 氷粒子の濃度が0.2質量%〜99質量%である洗浄材を得るようにしたことを特徴とする、請求項1、請求項2、請求項3又は請求項4に記載する洗浄材製造方法。
- 被洗浄部材をこれに噴射,衝突させることにより洗浄するための洗浄材を製造するための装置であって、水とこれより凝固点の低い有機化合物液との混合液を貯留部から所定の洗浄材使用部へと流動させる送液路と、送液路を流動する混合液を過冷却状態に冷却する冷却機構と、過冷却状態に冷却された混合液であって冷却機構の下流側における送液路部分を流動する過冷却液に外力を付与することによって氷結晶を発生させる過冷却解消機構とを具備して、送液路を流動する混合液を冷却機構及び過冷却解消機構を通過させることにより、氷粒子を含む固液共存のシャーベット状をなす洗浄材が得られるように構成したことを特徴とする洗浄材製造装置。
- 冷却機構が、冷却室との間で冷媒が循環される熱交換室と、熱交換室内を通過する送液路部分であって周壁を伝熱壁で構成された熱交換路とを具備して、混合液を、これが熱交換路を通過する間において、冷媒との熱交換により過冷却状態に冷却させるように構成されたものであることを特徴とする、請求項6に記載する洗浄材製造装置。
- 過冷却解消機構が、冷却機構の下流側における送液路部分にその断面積が過冷却液の流動方向に急拡大する渦流発生部を形成して、過冷却液に、これが渦流発生部に流入することにより発生する渦流によって、氷結晶を発生させうる外力を付与するように構成したことを特徴とする、請求項6又は請求項7に記載する洗浄材製造装置。
- 過冷却解消機構が、冷却機構の下流側における送液路部分にガス噴出ノズル及び超音波発信器を設けて、当該送液路部分を流動する過冷却液に、ガス噴出ノズルから水飽和ガス又は乾燥ガスを噴出させつつ超音波を発信させることにより、氷結晶を発生させうる外力を付与するように構成したことを特徴とする、請求項6又は請求項7に記載する洗浄材製造装置。
- 請求項6、請求項7、請求項8又は請求項9に記載する洗浄材製造装置と、過冷却解消機構の下流側における送液路部分に接続されており、洗浄材を当該送液路部分から被洗浄部材に向けて噴射させる洗浄材噴射装置とを具備することを特徴とする洗浄システム。
- 過冷却解消機構の下流側における送液路部分を流動する洗浄材が0℃〜−50℃に保持されたものであることを特徴とする、請求項10に記載する洗浄システム。
- 洗浄材噴射装置が、洗浄材をキャリアガスにより加速して被洗浄部材に噴射させる洗浄材噴射器を具備するものであることを特徴とする、請求項10又は請求項11に記載する洗浄システム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002350501A JP3996499B2 (ja) | 2002-12-02 | 2002-12-02 | 洗浄材製造方法及びその製造装置並びにこれを使用する洗浄システム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002350501A JP3996499B2 (ja) | 2002-12-02 | 2002-12-02 | 洗浄材製造方法及びその製造装置並びにこれを使用する洗浄システム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004181334A true JP2004181334A (ja) | 2004-07-02 |
JP3996499B2 JP3996499B2 (ja) | 2007-10-24 |
Family
ID=32752688
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002350501A Expired - Fee Related JP3996499B2 (ja) | 2002-12-02 | 2002-12-02 | 洗浄材製造方法及びその製造装置並びにこれを使用する洗浄システム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3996499B2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007173367A (ja) * | 2005-12-20 | 2007-07-05 | Sony Corp | 薬液処理装置および薬液処理方法 |
JP2008003348A (ja) * | 2006-06-23 | 2008-01-10 | Orion Mach Co Ltd | 板状ワークの温度調整装置及び温度調整方法 |
JP2010192673A (ja) * | 2009-02-18 | 2010-09-02 | Tokyo Electron Ltd | 基板洗浄方法、基板洗浄装置、制御プログラム及びコンピュータ読取可能な記憶媒体 |
KR101316025B1 (ko) | 2012-08-10 | 2013-10-07 | 한국생산기술연구원 | 냉각 및 충격파를 이용한 혼합물 분리 장치 |
CN109047183A (zh) * | 2018-08-21 | 2018-12-21 | 大连西戈科技工程有限公司 | 以冰晶为工作介质的低成本环保清洗系统 |
CN113169062A (zh) * | 2018-11-30 | 2021-07-23 | 东京毅力科创株式会社 | 基板清洗方法、处理容器清洗方法及基板处理装置 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6770468B2 (ja) | 2017-03-23 | 2020-10-14 | キオクシア株式会社 | 凍結洗浄装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07201795A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | F T L:Kk | 洗浄方法 |
JPH0878374A (ja) * | 1994-09-06 | 1996-03-22 | Ricoh Co Ltd | ウエーハキャリヤの洗浄方法及びその装置 |
JP2001334217A (ja) * | 2000-03-21 | 2001-12-04 | Supurauto:Kk | 基板の洗浄方法及び洗浄装置並びに基板を洗浄するためのシャーベットの製造方法及び装置 |
-
2002
- 2002-12-02 JP JP2002350501A patent/JP3996499B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07201795A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | F T L:Kk | 洗浄方法 |
JPH0878374A (ja) * | 1994-09-06 | 1996-03-22 | Ricoh Co Ltd | ウエーハキャリヤの洗浄方法及びその装置 |
JP2001334217A (ja) * | 2000-03-21 | 2001-12-04 | Supurauto:Kk | 基板の洗浄方法及び洗浄装置並びに基板を洗浄するためのシャーベットの製造方法及び装置 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007173367A (ja) * | 2005-12-20 | 2007-07-05 | Sony Corp | 薬液処理装置および薬液処理方法 |
JP2008003348A (ja) * | 2006-06-23 | 2008-01-10 | Orion Mach Co Ltd | 板状ワークの温度調整装置及び温度調整方法 |
JP2010192673A (ja) * | 2009-02-18 | 2010-09-02 | Tokyo Electron Ltd | 基板洗浄方法、基板洗浄装置、制御プログラム及びコンピュータ読取可能な記憶媒体 |
KR101316025B1 (ko) | 2012-08-10 | 2013-10-07 | 한국생산기술연구원 | 냉각 및 충격파를 이용한 혼합물 분리 장치 |
CN109047183A (zh) * | 2018-08-21 | 2018-12-21 | 大连西戈科技工程有限公司 | 以冰晶为工作介质的低成本环保清洗系统 |
CN113169062A (zh) * | 2018-11-30 | 2021-07-23 | 东京毅力科创株式会社 | 基板清洗方法、处理容器清洗方法及基板处理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3996499B2 (ja) | 2007-10-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR20060041809A (ko) | 세정재 제조방법, 세정재 제조장치 및 세정시스템 | |
US5009240A (en) | Wafer cleaning method | |
CN1796008B (zh) | 基板处理装置及其处理方法 | |
US5873380A (en) | Wafer cleaning apparatus | |
JPH04253331A (ja) | 基板の清浄化方法及び該方法に使用する装置 | |
JPH02130921A (ja) | 固体表面洗浄装置 | |
JP2002508053A (ja) | 氷を吹き付けるための装置並びに方法 | |
JP2007073615A (ja) | 洗浄ノズル及びそれを用いた洗浄方法 | |
JP2008307624A (ja) | バリ取り洗浄装置およびバリ取り洗浄方法 | |
JP2008264926A (ja) | バリ取り洗浄装置およびバリ取り洗浄方法 | |
JP3996499B2 (ja) | 洗浄材製造方法及びその製造装置並びにこれを使用する洗浄システム | |
KR20010014577A (ko) | 클린싱 및 스크레이핑 방법과 그 장치 그리고 클린싱 및스크레이핑 매질유체 형성방법과 그 장치 | |
JP2006191022A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JP3380021B2 (ja) | 洗浄方法 | |
US20060130886A1 (en) | Method and apparatus for manufacturing cleaning material and cleaning system using the same | |
CN100400984C (zh) | 冰浆的制造装置以及基板处理装置 | |
JP4285852B2 (ja) | 洗浄剥離媒体流の形成方法及び装置 | |
JP2000153247A (ja) | 洗浄剥離方法及びその装置 | |
JPH0479326A (ja) | 基板表面の洗浄装置 | |
JPH11297653A (ja) | 表面洗浄方法及び装置 | |
CN115283369A (zh) | 一种二氧化碳状态控制系统及方法 | |
JP2003151942A (ja) | 洗浄材、洗浄材製造装置、洗浄方法及び洗浄システム | |
KR100328640B1 (ko) | 표면세정방법 및 장치 | |
JP2003033733A (ja) | 基板洗浄システム | |
JP2005087807A (ja) | 洗浄材製造方法、洗浄材製造装置及び洗浄システム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040805 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20041029 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070516 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070621 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070725 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070802 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100810 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3996499 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100810 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100810 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100810 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110810 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110810 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120810 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120810 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120810 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130810 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130810 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |